2021-700036

特許第６７２５０９５号発明「配線基板および半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７２５０９５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、２、４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５〕、３、５、〔６、７〕、８、９、〔１１ないし１３〕、１８、１９、２０、２４、２６、２７、〔２８、２９〕、３０、３１、〔３２ないし３４〕、３５、３６、３７、３８について訂正することを認める。 特許第６７２５０９５号の請求項１ないし３８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６７２５０９５号の請求項１ないし２５に係る発明についての出願は、２０１９年１月１６日（優先権主張 平成３０年６月２１日 日本国（ＪＰ））を国際出願日とする出願であって、令和２年６月２９日にその特許権が設定登録され、令和２年７月１５日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ３年 １月１４日 ：特許異議申立人飯田 進による請求項１ないし２５に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ３年 ４月３０日付け：取消理由通知書 令和 ３年 ７月１６日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和 ３年１０月２６日付け：特許異議申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否 １．訂正の趣旨及び内容 令和３年７月１６日付けの訂正請求の趣旨は、特許第６７２５０９５号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１ないし３８について訂正することを求めるものであり、その訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は次のとおりである（下線は、訂正箇所を示す。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む、配線基板。」と記載されているのを、 「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置し、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む、配線基板。」に訂正する。 また、請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５も同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に 「前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い、配線基板。」と記載されているのを、 「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置し、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い、配線基板。」に訂正する。 また、請求項２の記載を直接又は間接的に引用する請求項４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５も同様に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に 「前記第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている、配線基板。」に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項５に 「前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１縁部との間の距離は、前記第２導電層の縁部から前記第１縁部までの距離より小さい、請求項４に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１及び請求項４を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第２導電層の縁部と、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１縁部との間の距離は、前記第２導電層の縁部から前記第１縁部までの距離より小さい、配線基板。」に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項６に 「前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１絶縁層の縁部までの距離が、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より小さい、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１絶縁層の縁部までの距離が、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より小さい、配線基板。」に訂正する。 また、請求項６の記載を直接又は間接的に引用する請求項７も同様に訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項８に 「前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい、配線基板。」に訂正する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項９に 「前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である、配線基板。」に訂正する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項１１に 「前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１導電層の外縁は、前記第１部分の側面および前記第２部分の側面を含む、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１導電層の外縁は、前記第１部分の側面および前記第２部分の側面を含む、配線基板。」に訂正する。 また、請求項１１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項１２、１３も同様に訂正する。 （９） 訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項１８に 「前記第２絶縁層は、開口を有し、 前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、 前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている、請求項１７に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１及び請求項１７を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第２部分および前記第１絶縁層に接触する第２絶縁層をさらに備え、 前記第１絶縁層は、無機材料を含み、 前記第２絶縁層は、有機材料を含み、 前記第２絶縁層は、開口を有し、 前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、 前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている、配線基板。」に訂正する。 （１０） 訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１９に 「前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され、前記第２導電層と離隔された導電層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され、前記第２導電層と離隔された導電層をさらに備える、配線基板。」に訂正する。 （１１）訂正事項１１ 特許請求の範囲の請求項２０に 「前記第１導電層は、前記第２厚さより厚い第３厚さを有し前記第２部分に隣接する第３部分をさらに含み、 前記第１絶縁層は、さらに前記第３部分上に配置され、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層に対して前記第３部分とは反対側においても配置されている、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１導電層は、前記第２厚さより厚い第３厚さを有し前記第２部分に隣接する第３部分をさらに含み、 前記第１絶縁層は、さらに前記第３部分上に配置され、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層に対して前記第３部分とは反対側においても配置されている、配線基板。」に訂正する。 （１２）訂正事項１２ 特許請求の範囲の請求項２４に 「前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える、請求項２１に記載の配線基板。」とあるうち、請求項１及び請求項２１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板を貫通する貫通電極をさらに備え、 前記貫通電極は、前記第１導電層に電気的に接続し、 前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える、配線基板。」に訂正する。 （１３）訂正事項１３ 特許請求の範囲の請求項３に 「前記第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、さらに「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている、配線基板。」とし、新たに請求項２６とする。 （１４）訂正事項１４ 特許請求の範囲の請求項５に 「記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１縁部との間の距離は、前記第２導電層の縁部から前記第１縁部までの距離より小さい、請求項４に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２及び請求項４を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第２導電層の縁部と、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１縁部との間の距離は、前記第２導電層の縁部から前記第１縁部までの距離より小さい、配線基板。」とし、新たに請求項２７とする。 （１５）訂正事項１５ 特許請求の範囲の請求項６に 「前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１絶縁層の縁部までの距離が、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より小さい、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１絶縁層の縁部までの距離が、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より小さい、配線基板。」とし、新たに請求項２８とする。 （１６）訂正事項１６ 特許請求の範囲の請求項７に 「前記境界は、前記第１絶縁層と前記基板との間に配置されている、請求項６に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２及び請求項６を引用するものについて、 「前記境界は、前記第１絶縁層と前記基板との間に配置されている、請求項２８に記載の配線基板。」とし、新たな請求項２９とする。 （１７）訂正事項１７ 特許請求の範囲の請求項８に 「前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい、配線基板。」とし、新たな請求項３０とする。 （１８）訂正事項１８ 特許請求の範囲の請求項９に 「前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式と改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である、配線基板。」とし、新たな請求項３１とする。 （１９）訂正事項１９ 特許請求の範囲の請求項１１に 「前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１導電層の外縁は、前記第１部分の側面および前記第２部分の側面を含む、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１導電層の外縁は、前記第１部分の側面および前記第２部分の側面を含む、配線基板。」とし、新たな請求項３２とする。 （２０）訂正事項２０ 特許請求の範囲の請求項１２に 「前記第１絶縁層は、前記第１部分の側面を覆う、請求項１１に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２および請求項１１を引用するものについて、 「前記第１絶縁層は、前記第１部分の側面を覆う、請求項３２に記載の配線基板。」とし、新たな請求項３３とする。 （２１）訂正事項２１ 特許請求の範囲の請求項１３に 「前記第１絶縁層の一部は、前記第２導電層と前記第１部分の側面とに挟まれる、請求項１２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２、請求項１１および請求項１２を引用するものについて、 「前記第１絶縁層の一部は、前記第２導電層と前記第１部分の側面とに挟まれる、請求項３３に記載の配線基板。」とし、新たな請求項３４とする。 （２２）訂正事項２２ 特許請求の範囲の請求項１８に 「前記第２絶縁層は、開口を有し、 前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、 前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている、請求項１７に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２及び請求項１７を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第２部分および前記第１絶縁層に接触する第２絶縁層をさらに備え、 前記第１絶縁層は、無機材料を含み、 前記第２絶縁層は、有機材料を含み、 前記第２絶縁層は、開口を有し、 前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、 前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている、配線基板。」とし、新たな請求項３５とする。 （２３）訂正事項２３ 特許請求の範囲の請求項１９に 「前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され、前記第２導電層と離隔された導電層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され、前記第２導電層と離隔された導電層をさらに備える、配線基板。」とし、新たに請求項３６とする。 （２４）訂正事項２４ 特許請求の範囲の請求項２０に 「前記第１導電層は、前記第２厚さより厚い第３厚さを有し前記第２部分に隣接する第３部分をさらに含み、 前記第１絶縁層は、さらに前記第３部分上に配置され、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層に対して前記第３部分とは反対側においても配置されている、請求項１または請求項２に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１導電層は、前記第２厚さより厚い第３厚さを有し前記第２部分に隣接する第３部分をさらに含み、 前記第１絶縁層は、さらに前記第３部分上に配置され、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層に対して前記第３部分とは反対側においても配置されている、配線基板。」とし、新たに請求項３７とする。 （２５）訂正事項２５ 特許請求の範囲の請求項２４に 「前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える、請求項２１に記載の配線基板。」とあるうち、請求項２及び請求項２１を引用するものについて、独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、」との発明特定事項を追加し、 「絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板を貫通する貫通電極をさらに備え、 前記貫通電極は、前記第１導電層に電気的に接続し、 前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える、配線基板。」とし、新たに請求項３８とする。 （２６）別の訂正単位とする求め 訂正後の請求項３、請求項５、請求項６、請求項６を引用する請求項７、請求項８、請求項９、請求項１１、請求項１１を引用する請求項１２、１３、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２４、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２８を引用する請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２、請求項３２を引用する請求項３３、３４、請求項３５、請求項３６、請求項３７および請求項３８については、当該請求項についての訂正が認められる場合には 、一群の請求項の他の請求項とは別途訂正することを求めている。 ２．訂正要件についての判断 （１）一群の請求項について 訂正事項１、３ないし１２に係る本件訂正前の請求項１、３ないし２５について、請求項３ないし２５は請求項１を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。また、訂正事項２、１３ないし２５に係る本件訂正前の請求項２、３ないし２５について、請求項３ないし２５は請求項２を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項２によって記載が訂正される請求項２に連動して訂正されるものである。 よって、本件訂正前の請求項１ないし２５に対応する本件訂正後の請求項１ないし３８は、特許法第１２０条の５第４項に規定する関係を有する一群の請求項である。 （２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 ア 訂正事項１について （ア）訂正の目的 訂正事項１は、訂正前の請求項１における「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定し、さらに、訂正前の請求項１における「第１絶縁層」の「端部」が、「第１部分」と「第２部分」との境界よりも「第２部分側に位置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許の願書に添付した明細書（以下、単に「本件特許明細書」という。）の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。また、同段落【００５７】に「ｄ１は、第２導電層１４の側面１４ｅと第１絶縁層１３の側面１３ｅとの距離に対応する。ｄ２は、境界１２－１ｐと側面１３ｅとの距離に対応する。境界１２－１ｐは、第１部分１２－１と第２部分１２－２との境界であり、第１絶縁層１３と基板１１との間に配置されている。」と記載され、図４によれば、第１絶縁層１３の側面１３ｅ、即ち、第１絶縁層１３の端部が境界１２－１ｐより第２部分１２－２側に位置していることが見て取れる。したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 イ 訂正事項２について （ア）訂正の目的 訂正事項２は、訂正前の請求項２における「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定し、さらに、訂正前の請求項２における「第１絶縁層」の「端部」が、「第１部分」と「第２部分」との境界よりも「第２部分側に位置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。また、同段落【００５７】に「ｄ１は、第２導電層１４の側面１４ｅと第１絶縁層１３の側面１３ｅとの距離に対応する。ｄ２は、境界１２－１ｐと側面１３ｅとの距離に対応する。境界１２－１ｐは、第１部分１２－１と第２部分１２－２との境界であり、第１絶縁層１３と基板１１との間に配置されている。」と記載され、図４によれば、第１絶縁層１３の側面１３ｅ、即ち、第１絶縁層１３の端部が境界１２－１ｐより第２部分１２－２側に位置していることが見て取れる。したがって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項２は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 訂正事項３について （ア）訂正の目的 訂正事項３は、訂正前の請求項３の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項２の記載を引用しないものとし、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項３は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 エ 訂正事項４について （ア）訂正の目的 訂正事項４は、訂正前の請求項５が請求項１及び請求項１を引用する請求項４、または、請求項２及び請求項２を引用する請求項４の記載を引用する記載であるところ、請求項２及び請求項２を引用する請求項４の記載を引用しないものとし、請求項１および請求項１を引用する請求項４を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項４は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 オ 訂正事項５について （ア）訂正の目的 訂正事項５は、訂正前の請求項６が請求項１または請求項２の記載を引用する記載であるところ、請求項２の記載を引用しないものとし、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項５は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 カ 訂正事項６について （ア）訂正の目的 訂正事項６は、訂正前の請求項８の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項２の記載を引用しないものとし、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項６は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 キ 訂正事項７について （ア）訂正の目的 訂正事項７は、訂正前の請求項９の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項２の記載を引用しないものとし、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項７は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項７は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ク 訂正事項８について （ア）訂正の目的 訂正事項８は、訂正前の請求項１１の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項２の記載を引用しないものとし、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項８は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項８は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ケ 訂正事項９について （ア）訂正の目的 訂正事項９は、訂正前の請求項１８の記載が訂正前の請求項１及び請求項１を引用する請求項１７、又は、請求項２及び請求項２を引用する請求項１７の記載を引用する記載であったものを、請求項２及び請求項２を引用する請求項１７の記載を引用しないものとし、請求項１及び請求項１を引用する請求項１７を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項９は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項９は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 コ 訂正事項１０について （ア）訂正の目的 訂正事項１０は、訂正前の請求項１９の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項２の記載を引用しないものとし、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１０は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１０は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 サ 訂正事項１１について （ア）訂正の目的 訂正事項１１は、訂正前の請求項２０の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項２の記載を引用しないものとし、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１１は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 シ 訂正事項１２について （ア）訂正の目的 訂正事項１２は、訂正前の請求項２４の記載が訂正前の請求項１及び請求項１を引用する請求項２１、又は、請求項２及び請求項２を引用する請求項２１の記載を引用する記載であったものを、請求項２及び請求項２を引用する請求項２１の記載を引用しないものとし、請求項１及び請求項１を引用する請求項２１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１２は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ス 訂正事項１３について （ア）訂正の目的 訂正事項１３は、訂正前の請求項３の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項１の記載を引用しないものとし、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項２６とするためのものであって、また、訂正前の請求項２の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１３は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 セ 訂正事項１４について （ア）訂正の目的 訂正事項１４は、訂正前の請求項５が請求項１及び請求項１を引用する請求項４、または、請求項２及び請求項２を引用する請求項４の記載を引用する記載であるところ、請求項１及び請求項１を引用する請求項４の記載を引用しないものとし、請求項２および請求項２を引用する請求項４を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項２７とするためのものであって、また、訂正前の請求項２の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１４は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ソ 訂正事項１５について （ア）訂正の目的 訂正事項１５は、訂正前の請求項６が請求項１または請求項２の記載を引用する記載であるところ、請求項１の記載を引用しないものとし、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項２８とするためのものであって、また、訂正前の請求項２の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１５は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 タ 訂正事項１６について （ア）訂正の目的 訂正事項１６は、訂正前の請求項７が請求項１及び請求項６、又は、請求項２及び請求項６の記載を引用する記載であるところ、訂正事項１５により、訂正前の請求項６が請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消し新たな独立請求項２８に改められたことに伴い、新たな請求項２８との引用関係の整合を図るためになされたものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１６は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 チ 訂正事項１７について （ア）訂正の目的 訂正事項１７は、訂正前の請求項８の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項１の記載を引用しないものとし、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項３０とするためのものであって、また、訂正前の請求項２の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１７は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１７は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ツ 訂正事項１８について （ア）訂正の目的 訂正事項１８は、訂正前の請求項９の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項１の記載を引用しないものとし、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項３１とするためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１８は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１８は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 テ 訂正事項１９について （ア）訂正の目的 訂正事項１９は、訂正前の請求項１１の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項１の記載を引用しないものとし、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項３２とするためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項１９は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１９は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ト 訂正事項２０について （ア）訂正事項２０は、訂正前の請求項１２が請求項１及び請求項１１、又は、請求項２及び請求項１１の記載を引用する記載であるところ、訂正事項１９により、請求項２及び請求項１１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消し新たな独立請求項３２に改められたことに伴い、新たな請求項３２との引用関係の整合を図るためになされたものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 訂正事項２０は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項２０は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ナ 訂正事項２１について （ア）訂正事項２１は、訂正前の請求項１３の記載が訂正前の請求項１、請求項１を引用する請求項１１及び請求項１１を引用する請求項１２、又は、請求項２、請求項２を引用する請求項１１及び請求項１１を引用する請求項１２の記載を引用する記載であったところ、上記訂正事項２０により、新たな請求項３３との引用関係の整合を図るためになされたものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 訂正事項２１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項２１は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ニ 訂正事項２２について （ア）訂正の目的 訂正事項２２は、訂正前の請求項１８の記載が訂正前の請求項１及び請求項１を引用する請求項１７、又は、請求項２及び請求項２を引用する請求項１７の記載を引用する記載であったものを、請求項１及び請求項１を引用する請求項１７の記載を引用しないものとし、請求項２及び請求項２を引用する請求項１７を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項３５とするためのものであって、また、訂正前の請求項２の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項２２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項２２は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ヌ 訂正事項２３について （ア）訂正の目的 訂正事項２３は、訂正前の請求項１９の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項１の記載を引用しないものとし、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項３６とするためのものであって、また、訂正前の請求項２の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項２３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項２３は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ネ 訂正事項２４について （ア）訂正の目的 訂正事項２４は、訂正前の請求項２０の記載が訂正前の請求項１又は請求項２の記載を引用する記載であったものを、請求項１の記載を引用しないものとし、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項３７とするためのものであって、また、訂正前の請求項２の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項２４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項２４は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ノ 訂正事項２５について 訂正事項２５は、訂正前の請求項２４の記載が訂正前の請求項１及び請求項１を引用する請求項２１、又は、請求項２及び請求項２を引用する請求項２１の記載を引用する記載であったものを、請求項１及び請求項１を引用する請求項２１の記載を引用しないものとし、請求項２及び請求項２を引用する請求項２１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな請求項３８とするためのものであって、また、訂正前の請求項１の「第１導電層」の「第１部分」及び「第２部分」の「厚さ」の違いから、「段差」が形成され、該「段差」を「第１絶縁層の縁部に沿って配置」することを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 本件特許明細書の段落【００３９】には「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の端部に沿って形成された段差１２ｓの存在によって応力が緩和されることが見て取れる。したがって、訂正事項２５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項２５は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものに該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （３）独立特許要件について 本件においては、訂正前の請求項１ないし２５について特許異議の申立てがされているから、対応する訂正後の請求項１ないし３８に係る発明について、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３．小活 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。そして、特許権者から、訂正後の請求項３、請求項５、請求項６、請求項６を引用する請求項７、請求項８、請求項９、請求項１１、請求項１１を引用する請求項１２、１３、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２４、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２８を引用する請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２、請求項３２を引用する請求項３３、３４、請求項３５、請求項３６、請求項３７および請求項３８については、当該請求項についての訂正が認められる場合には、一群の請求項の他の請求項とは別の訂正単位として扱われる求めがあったことから、本件訂正後の請求項〔１、２、４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５〕、３、５、〔６、７〕、８、９、〔１１ないし１３〕、１８、１９、２０、２４、２６、２７、〔２８、２９〕、３０、３１、〔３２ないし３４〕、３５、３６、３７、３８について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正により訂正された請求項１ないし３８に係る発明（以下「本件発明１ないし３８」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし３８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置し、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む、配線基板。 【請求項２】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置し、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い、配線基板。 【請求項３】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている、配線基板。 【請求項４】 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第２導電層の縁部と、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含む、請求項１または請求項２に記載の配線基板。 【請求項５】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第２導電層の縁部と、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１縁部との間の距離は、前記第２導電層の縁部から前記第１縁部までの距離より小さい、配線基板。 【請求項６】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１絶縁層の縁部までの距離が、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より小さい、配線基板。 【請求項７】 前記境界は、前記第１絶縁層と前記基板との間に配置されている、請求項６に記載の配線基板。 【請求項８】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい、配線基板。 【請求項９】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である、配線基板。 【請求項１０】 前記第１部分は、前記第２部分に囲まれている、請求項１または請求項２に記載の配線基板。 【請求項１１】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１導電層の外縁は、前記第１部分の側面および前記第２部分の側面を含む、配線基板。 【請求項１２】 前記第１絶縁層は、前記第１部分の側面を覆う、請求項１１に記載の配線基板。 【請求項１３】 前記第１絶縁層の一部は、前記第２導電層と前記第１部分の側面とに挟まれる、請求項１２に記載の配線基板。 【請求項１４】 前記第２部分の表面は、前記第１部分の表面より粗い、請求項１または請求項２に記載の配線基板。 【請求項１５】 前記第１導電層は、少なくとも第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含む、請求項１または請求項２に記載の配線基板。 【請求項１６】 前記第１導電層の側面には、前記第１膜の側面と前記第２膜の側面とにおいて形成される窪みが配置されている、請求項１５に記載の配線基板。 【請求項１７】 前記第２部分および前記第１絶縁層に接触する第２絶縁層をさらに備え、 前記第１絶縁層は、無機材料を含み、 前記第２絶縁層は、有機材料を含む、請求項１または請求項２に記載の配線基板。 【請求項１８】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第２部分および前記第１絶縁層に接触する第２絶縁層をさらに備え、 前記第１絶縁層は、無機材料を含み、 前記第２絶縁層は、有機材料を含み、 前記第２絶縁層は、開口を有し、 前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、 前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている、配線基板。 【請求項１９】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され、前記第２導電層と離隔された導電層をさらに備える、配線基板。 【請求項２０】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第１導電層は、前記第２厚さより厚い第３厚さを有し前記第２部分に隣接する第３部分をさらに含み、 前記第１絶縁層は、さらに前記第３部分上に配置され、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層に対して前記第３部分とは反対側においても配置されている、配線基板。 【請求項２１】 前記基板を貫通する貫通電極をさらに備え、 前記貫通電極は、前記第１導電層に電気的に接続している、請求項１または請求項２に記載の配線基板。 【請求項２２】 前記貫通電極は、前記第１導電層と同じ材料で形成され、前記第１導電層から連続的に延びている、請求項２１に記載の配線基板。 【請求項２３】 前記第１導電層は複数の膜を含み、 前記貫通電極は複数の膜を含み、 前記第１導電層における前記基板に最も近い膜は、前記貫通電極における前記基板に最も近い膜まで、連続して延びている、請求項２１に記載の配線基板。 【請求項２４】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板を貫通する貫通電極をさらに備え、 前記貫通電極は、前記第１導電層に電気的に接続し、 前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える、配線基板。 【請求項２５】 請求項１または請求項２に記載の配線基板と、 前記配線基板に電気的に接続された半導体チップと、 を備える半導体装置。 【請求項２６】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている、配線基板。 【請求項２７】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第２導電層の縁部と、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含み、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１縁部との間の距離は、前記第２導電層の縁部から前記第１縁部までの距離より小さい、配線基板。 【請求項２８】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第１絶縁層の縁部までの距離が、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より小さい、配線基板。 【請求項２９】 前記境界は、前記第１絶縁層と前記基板との間に配置されている、許求項２８に記載の配線基板。 【請求項３０】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい、配線基板。 【請求項３１】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である、配線基板。 【請求項３２】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合において、前記第１導電層の外縁は、前記第１部分の側面および前記第２部分の側面を含む、配線基板。 【請求項３３】 前記第１絶縁層は、前記第１部分の側面を覆う、請求項３２に記載の配線基板。 【請求項３４】 前記第１絶縁層の一部は、前記第２導電層と前記第１部分の側面とに挟まれる、請求項３３に記載の配線基板。 【請求項３５】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第２部分および前記第１絶縁層に接触する第２絶縁層をさらに備え、 前記第１絶縁層は、無機材料を含み、 前記第２絶縁層は、有機材料を含み、 前記第２絶縁層は、開口を有し、 前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、 前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている、配線基板。 【請求項３６】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され、前記第２導電層と離隔された導電層をさらに備える、配線基板。 【請求項３７】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第１導電層は、前記第２厚さより厚い第３厚さを有し前記第２部分に隣接する第３部分をさらに含み、 前記第１絶縁層は、さらに前記第３部分上に配置され、 前記第２導電層は、前記第１絶縁層に対して前記第３部分とは反対側においても配置されている、配線基板。 【請求項３８】 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板を貫通する貫通電極をさらに備え、 前記貫通電極は、前記第１導電層に電気的に接続し、 前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える、配線基板。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 当審が令和３年４月３０日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 （１）取消理由１ 請求項１、２、４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５に係る発明は、本件特許出願の優先日前の特許出願であって、本件特許出願後に特許掲載公報の発行若しくは出願公開の発行がされた下記の特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の発明者が本件特許出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でないから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 記 先願：特願２０１７－２４６２２７号（特開２０１９－１１４６３５号公報）（甲第１３号証） （２）取消理由２ 請求項１に「前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層」と記載されており、該記載からすれば、「第１絶縁層」の側面の位置は、単に「第２部分」から離隔していればよいことが規定されているといえる。 ここで、発明の詳細な説明の段落【０００２】ないし【０００４】によれば、本件発明は、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）キャパシタの導電層と絶縁層とは、熱膨張係数に違いがあるため、製造プロセスなどによる熱履歴に応じた伸縮によって、応力が生じ、絶縁層が導電層から剥離したり、絶縁層にクラックが生じたりするところ、応力緩和のため、絶縁層を有機材料である弾性体とする技術が先行技術として存在したが、有機材料は、一般的に誘電正接が大きいため、素子の性能を低下させるという課題を解決するためになされたものである。 そして、発明の詳細な説明の段落【００３９】に「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載されおり、また、同段落【００７１】に「図１６に示す比較例のキャパシタ１００Ｚに比べて、図１７に示すキャパシタ１００では、段差１２ｓの存在により、応力が緩和される結果が得られた。」と記載され、図１７によれば、第１絶縁層１３の縁部に沿って形成された段差１２ｓが存在することによって、応力が緩和されることが見て取れる。 しかしながら、発明の詳細な説明及び図面には、「第１絶縁層１３」が「第１導電層１２の第１部分１２－１」より小さく形成され、「第１絶縁層１３」の「側面１３ｅ」が「境界１２－１ｐ」から離れた位置にある場合であっても、応力が緩和されることは記載されておらず、「第１絶縁層１３」の「側面１３ｅ」が「境界１２－１ｐ」から離れたどの位置であっても応力が緩和されるのか明らかではない。そうすると、「第１絶縁層」の側面の位置が「第２部分」から離隔していれば応力が緩和されることが明らかであるとはいえず、上記課題が解決されることが把握できない。 したがって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。また、請求項２に係る発明、及び、請求項１及び請求項２を引用する請求項３ないし請求項２５に係る発明も同様である。 よって、請求項１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 取消理由の判断 （１）取消理由１について ア 先願明細書等の記載事項及び先願発明 （ア）先願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「先願明細書等」という。）には、以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 「【０００１】 本発明は、キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びキャパシタ内蔵ガラス回路基板の製造方法に係り、特にキャパシタの高信頼性及び容量の安定化を実現できるものに関する。 【背景技術】 【０００２】 電子機器の高機能化及び小型化に伴って、半導体装置を構成する配線基板の高密度化の要求が高まっている。その中で、回路配線の微細化に合わせて、抵抗、キャパシタ、インダクタ等の受動部品についても小型化が求められている。しかしながら、これら受動部品の小型化と基板表面への高密度実装のみではさらなる小型化には限界がある。そこで、実装基板に受動素子を内蔵化する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この技術では、受動素子を印刷や真空 成膜法等で形成することで多層基板内に内蔵することで小型化が可能となる。さらに多層基板内に形成することで、配線長を短くすることが可能となり、高周波ノイズを軽減することも可能である。 （中略） 【０００８】 上記の課題を解決する手段として、本発明の（本件発明１について）に記載の発明は、ガラス基板と、このガラス基板に積層され、内部に導体回路層が形成された絶縁樹脂層と、前記導体回路層の一部を下部電極とし、この下部電極上に積層形成される誘電体層と、前記誘電体層上に積層形成される上部電極層とを有するキャパシタとを備え、前記下部電極は、前記ガラス基板と前記絶縁樹脂層の積層方向を含む平面における断面視において前記誘電体層側に凸状段差部を有し、前記凸状段差部の表面は凸状段差部以外の表面より、表面粗さが小さく形成された。 （中略） 【００２０】 図１は本発明の第１の実施の形態に係るキャパシタ内蔵ガラス回路基板１０の要部を示す縦断面図である。なお、図１中Ｐはキャパシタ形成部を示している。 【００２１】 図１に示すようにキャパシタ内蔵ガラス回路基板１０は、ガラス基板１００を有している。 【００２２】 ガラス基板１００には表裏面を貫通する貫通孔１０１が形成されており、この貫通孔１０１内壁面及びガラス基板１００の両面にわたってシード金属層１０２が形成されている。シード金属層１０２には、導体回路層１０４が形成されている。導体回路層１０４の一部はキャパシタ１０９を構成する下部電極１０５となる。 【００２３】 キャパシタ１０９の導体回路層１０４の上面（表面）１０６は、導体回路層の上面１０６ａ領域と、下部電極１０５の上面（凸部の表面）１０６ｂ領域とが形成されている（図４Ｄ参照）。 【００２４】 キャパシタ１０９は、図１に示すように基本的に下部電極と誘電体層と上部電極とから構成されるが、さらに密着層、またはシード層を設けてもよい。従って、一つの形態としては、図４Ｉに示すように、下部電極１０５上に下部密着層１１０、誘電体層１１１、上部密着層１１２、シード金属層１１３を順次設けられている。シード金属層１１３の上部には上部電極１１４が形成されている。 【００２５】 また、ガラス基板の両面に絶縁樹脂層１３１を設ける。絶縁樹脂層１３１には、ビアホール１３２、積層導体回路層１３３が形成される。さらに必要に応じて第２の絶縁樹脂層と第２の導体回路層が形成され積層される。最外部に外部接続端子１３４が形成されている。外部接続端子１３４の所定部位にははんだボール１３５が形成されている。 【００２６】 次に、各要素の材質、形状等について詳細に説明する。ガラス基板１００は、光透過性を有する透明のガラス材料である。ガラスの成分またはガラスに含有される各成分の配合比率、更にガラスの製造方法は特に限定されない。例えば、ガラスとしては、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、感光性ガラス等が挙げられるが、ケイ酸塩を主成分とするいずれのガラス材料を用いてもよい。さらに、その他のいわゆるガラス材料を用いても良い。ただし、本実施形態にかかる半導体用途では、無アルカリガラスを用いるのが望ましい。また、ガラス基板１００の厚さは１ｍｍ以下が好ましいが、ガラスの貫通孔形成プロセスの容易性や製造時のハンドリング性を考慮して、より好ましくは０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。 （中略） 【００２９】 シード金属層１０２はセミアディティブ工法における配線形成用において、電解めっきの給電層として作用する。ガラス基板１００直上及び貫通孔１０１内壁に設けられるシード金属層１０２は、例えば、スパッタ法、またはＣＶＤ法によって形成され、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金単体もしくは複数組み合わせたものが用いられている。さらにその上に無電解めっき層（無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき等）が形成されている。 （中略） 【００３１】 導体回路層１０４は、電解銅めっきであることが簡便で安価で、電気伝導性が良好であることから望ましいが、電解銅めっきの他、電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解Ｐｄめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等であっても良い。 【００３２】 キャパシタ１０９において、下部密着層１１０は、下部電極１０５と誘電体層１１１との密着性を向上させる機能を有し、上部密着層１１２は、誘電体層１１１とシード金属層１１３との密着性を向上させる機能を有している。下部密着層１１０及び上部密着層１１２の材質は、例えばＴｉである。この他、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、Ｃｕ合金単体もしくは複数組み合わせたものを用いてもよい。Ｔｉは、密着性、電気伝導性、製造の容易性の観点及びコスト面から優れている。 【００３３】 下部密着層１１０及び上部密着層１１２の厚さは例えば、１０ｎｍ以上１μｍ以下であることが望ましい。１０ｎｍ未満である場合、密着強度が不十分となる虞がある。１μｍを超える場合、後述する製造工程において、成膜時間がかかりすぎて量産性に欠けるばかりでなく、不要部分を除去する工程でさらに時間がかかる虞がある。下部密着層１１０及び上部密着層１１２の厚さは、より好ましくは１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが望ましい。下部密着層１１０及び上部密着層１１２はそれぞれ厚さが異なってもよいが、構造上単純になるため同厚であることが望ましい。また、下部電極１０５と誘電体層１１１との密着が十分である場合は、下部密着層１１０はなくてもかまわない。誘電体層１１１とシード金属層１１３との密着が十分である場合は、上部密着層１１２はなくてもかまわない。 【００３４】 誘電体層１１１は、絶縁性、比誘電率の観点からアルミナ、シリカ、シリコンナイトライド、タンタルオキサイド、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムから選択することができる。誘電体層１１１の厚さは、１０ｎｍ以上５μｍ以下であることが望ましい。誘電体層１１１の厚さが、１０ｎｍ以下である場合、絶縁性を保つことができずにキャパシタとしての機能が発現しない。誘電体層１１１の厚さが、５μｍ以上の場合、成膜時間がかかりすぎて量産性に欠けるばかりでなく、不要部分を除去する工程でさらに時間がかかってしまう。より好ましくは５０ｎｍ以上、１μｍ以下であることが望ましい。 （中略） 【００３８】 その後、図１に示すように、ガラス直上の導体回路層１０４の一部を下部電極としてキャパシタ１０９を形成した後に絶縁樹脂層１３１、ビアホール１３２を形成する。その後、積層導体回路層１３３と絶縁樹脂層１３１を繰り返して形成することによって多層配線が形成される。なお、導体回路層１０４と積層導体回路層１３３は公知のセミアディティブ法あるいはサブトラクティブ法を用いて形成することができる。さらに積層導体回路層１３３を形成した後に外部接続端子１３４を形成する。さらに、外部接続端子１３４にはんだボール１３５を形成する。 （中略） 【００５１】 図４Ａ～図４Ｉは、図３Ｆ中二点鎖線Ｐの部分を拡大して示す縦断面図である。なお、これらの図において、ガラス基板１００上に形成された導体回路層１０４上へのキャパシタ形成の一例を記載してあるが、導体回路層１０４の直上にキャパシタ１０９を作成することに限定されない。 【００５２】 図４Ａは、導体回路層１０４の一部であるキャパシタ１０９を構成する下部電極１０５を示している。続いて、図４Ｂに記載するように下部電極１０５の上部に導体回路層の上面（表面）１０６を保護するため、保護層Ｈを形成する。保護層Ｈとしては前述のフォトレジストパターンＰＲを適用することができ、前記と同じ方法で形成することができる。保護層の形成領域はその後のキャパシタ形成領域よりやや大きいことが好ましい。 【００５３】 続いて、先ほど図３Ｆに示したシード金属層１０２の露出した部分を除去し、回路を電気的に分断することによって、導体回路層１０４が形成される。露出したシード層を除去する工程では、導体回路層１０４も同時にエッチングされる。この際、図４Ｃに記載するように、保護層Ｈで保護された導体回路層の部分は、 エッチングされず、凸状段差部が形成される。なお、シード層除去方法は本実施形態によって限定されることはないが、無電解Ｎｉ層、銅層、チタン層を順次化学エッチングにより除去する方法を用いることができる。エッチング液の種類は除去する金属種により適宜選択され、本実施形態によって限定されない。 【００５４】 続いて、図４Ｄに示すように、不要になった保護層Ｈを除去する。保護層Ｈの除去は前述のフォトレジストパターンＰＲと同様に公知方法のアルカリ水溶液で除去剥離処理を行うことができる。この場合、保護層Ｈが形成されていた領域は導体回路層１０４がエッチング液から保護されていたため、エッチングされず、一方、非保護部の導体回路層のみがエッチングされ、導体回路層１０４上に凸状段差部が形成される。この凸状部は下部電極１０５としてキャパシタ１０９が形成される領域となる。 （中略） 【００５７】 続いて、図４Ｆに記載するようにフォトレジストパターンＰＳを形成する。フォトレジストパターンＰＳの形成は、前述したフォトレジストパターンＰＲと同じ方法で行うことができる。この場合、フォトレジストパターンＰＳの開口領域は導体回路層の凸部上面１０６ｂの内側となるように形成し、積層方向における平面視においても内側になるように形成する（図２参照）。 【００５８】 続いて、図４Ｇに示すように、シード金属層１１３を用いて電解めっき法によって上部電極１１４を形成する。 【００５９】 上述したように、フォトレジストパターンＰＳは導体回路層の凸部上面１０６ｂの内側に開口部が形成されているため、上部電極１１４は導体回路層の凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成される。 【００６０】 続いて、図４Ｈに示すように、フォトレジストパターンＰＳを除去する。フォトレジストパターンＰＳの除去は公知方法のアルカリ水溶液で除去剥離処理を行うことができる。 【００６１】 続いて、図４Ｉに示すように、上部電極１１４をマスクとして、シード金属層１１３、上部密着層１１２、誘電体層１１１、及び、下部密着層１１０の不要部分を除去する。シード金属層１１３、上部密着層１１２、誘電体層１１１、及び、下部密着層１１０の除去方法は化学エッチング法、ドライエッチング法、いずれも公知方法を用いることができ、各層毎で異なった方法でも、また、全ての層で同じ方法でもよく、本実施形態により限定されない。上述したように、上部電極１１４は導体回路層の凸部上面１０６ｂの内側に形成にされているため、上部電極１１４をマスクとして不要部分を除去すると誘電体層１１１は導体回路層の凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成される。以上の工程によりキャパシタ１０９が形成される。 【００６２】 その後、図１に示すように、ガラス直上の配線回路上にキャパシタ１０９を形成した後に絶縁樹脂層１３１、ビアホール１３２を形成する。その後、積層導体回路層１３３と絶縁樹脂層１３１を繰り返して形成することによって多層配線が形成される。なお、導体回路層１０４と積層導体回路層１３３は公知のセミアディティブ法あるいはサブトラクティブ法を用いて形成することができる。さらに積層導体回路層１３３を形成した後に外部接続端子１３４を形成する。さらに、外部接続端子１３４にはんだボール１３５を形成する。 【００６３】 本実施形態による回路基板は図１に記載のように片面に積層導体回路層１３３、外部接続端子１３４、はんだボール１３５があってもよく、変形例として図６に示したように両面にあっても良い。さらに半導体チップ１３６、チップ部品１３７を搭載してもよい。 【００６４】 以下に多層配線の形成方法について説明する。多層配線の形成方法は公知方法を用いることができる。すなわち、多層配線層の絶縁樹脂層１３１として使用できる例としてはエポキシ樹脂、ポリイミド、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー及びこれらの複合材料、あるいは感光性ポリイミド樹脂、感光性ポリベンゾオキサゾール、感光性アクリル－エポキシ樹脂を用いても良い。絶縁樹脂の形成方法は本実施形態により限定されないが、シート状のものであれば真空ラミネート、真空プレス、ロールラミネート法を用いることができる。液状のものであれば、スリットコート、カーテンコート、ダイコート、スプレーコート、静電塗装、インクジェットコート、グラビアコート、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、スピンコート、ドクターコートより選定できる。 （中略） 【００６７】 このように構成されたキャパシタ内蔵ガラス回路基板と、このキャパシタ内蔵ガラス回路基板の製造方法によれば、次のような効果が得られる。すなわち、図４Ｂに示すように、導体回路層の上面１０６を保護層Ｈで保護することによって、図４Ｄに示すように、キャパシタの下部電極層側となる導体回路層の上面１０６に、シード金属層１０２のエッチング液に侵されない導体回路層の凸部上面（表面）１０６ｂの領域を形成可能である。導体回路層の凸部上面１０６ｂは、非保護部導体回路の上面１０６ａと比較して、シード金属層１０２のエッチング液に侵されていないため滑らかな表面を得ることが可能である。この場合、より滑らかな面上にキャパシタを形成できるため、表面荒れに起因するキャパシタのショート低減や、電極表面積のバラつきに起因する容量のバラつきを低減できるため、歩留まりを向上することが可能である。 （中略） 【００７６】 本発明によれば、ガラス基板を有するキャパシタ内蔵回路基板を高い信頼性で製造することが可能となる。なお、キャパシタ内蔵ガラス回路基板は、半導体パッケージ基板、インターポーザ、光学素子用基板の製造、あるいは電子部品の製造に利用することができる。」 図１ 「 ［図：0001384049000001.jpg］ 」 図３Ｆ 「 ［図：0001384049000002.jpg］ 」 図４Ｄ 「 ［図：0001384049000003.jpg］ 」 図４Ｉ 「 ［図：0001384049000004.jpg］ 」 （イ）先願明細書等の上記記載及び図面から、次のことがいえる。 ａ 段落【００２０】によれば、先願明細書等には、キャパシタ内蔵ガラス回路基板１０が記載されており、同段落【００３８】によれば、キャパシタ内蔵ガラス基板１０には、多層配線が形成される。 ｂ 段落【００２１】によれば、キャパシタ内蔵ガラス回路基板１０は、ガラス基板１００を有し、同段落【００２２】によれば、ガラス基板１００の両面にわたってシード金属層１０２が形成され、シード金属層１０２には、導体回路層１０４が形成される。 また、図３Ｆによれば、シード金属層１０２上に導体回路層１０４が形成されていることが見て取れる。 よって、キャパシタ内蔵ガラス回路基板１０は、両面にわたってシード金属層１０２が形成され、シード金属層１０２上に導体回路層１０４が形成されるガラス基板１００を有しているといえる。 ｃ 段落【００２４】によれば、キャパシタ１０９は、下部電極と誘電体層と上部電極とから構成される。そして、同段落【００２４】の「一つの形態としては、図４Ｉに示すように、下部電極１０５上に下部密着層１１０、誘電体層１１１、上部密着層１１２、シード金属層１１３を順次設けられている。シード金属層１１３の上部には上部電極１１４が形成されている。」との記載、及び、同段落【００２２】の「導体回路層１０４の一部はキャパシタ１０９を構成する下部電極１０５となる。」との記載からすれば、キャパシタ１０９は、導体回路層１０４の一部である下部電極１０５上に誘電体層１１１が設けられ、誘電体層１１１上に上部電極１１４が形成されるといえる。 ｄ 段落【００２３】に「下部電極１０５の上面（凸部の表面）１０６ｂ領域」と、同段落【００６７】に「図４Ｄに示すように、キャパシタの下部電極層側となる導体回路層の上面１０６に、・・・凸部上面（表面）１０６ｂの領域を形成可能である。」と、それぞれ記載されており、図４Ｄによれば、下部電極１０５上に凸部が形成されることが見て取れる。 よって、下部電極１０５上には、凸部が形成されるといえる。 ｅ 図４Ｄによれば、凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄いことが見て取れる。 ｆ 段落【００６１】によれば、上部電極１１４は凸部上面１０６ｂの内側に形成にされ、誘電体層１１１は凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成される。 よって、上記ａないしｆによれば、先願明細書等には次の発明（以下、「先願発明１」という。）が記載されている。 「両面にわたってシード金属層１０２が形成され、シード金属層１０２上に導体回路層１０４が形成されるガラス基板１００と、 導体回路層１０４の一部である下部電極１０５上に誘電体層１１１が設けられ、誘電体層１１１上に上部電極１１４が形成されたキャパシタ１０９とを有し、 下部電極１０５上には、凸部が形成され、 凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄く、 上部電極１１４は凸部上面１０６ｂの内側に形成にされ、誘電体層１１１は凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成される、 多層配線が形成されたキャパシタ内蔵ガラス基板１０。」 （ウ）上記（イ）で述べた点に加え、先願明細書等の記載（上記（ア）を参照）から、次のことがいえる。 ｇ 【００２９】によれば、シード金属層１０２は、スパッタ法、またはＣＶＤ法によって形成され、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金単体もしくは複数組み合わせたものが用いられ、その上に無電解めっき層（無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき等）が形成されるものであり、同【００３１】によれば、導体回路層１０４は、電解銅めっきにより形成されるものである。 よって、上記（イ）で述べたａないしｆ、及び上記ｇによれば、先願明細書等には次の発明（以下、「先願発明２」という。）が記載されている。 「両面にわたってシード金属層１０２が形成され、シード金属層１０２上に導体回路層１０４が形成されるガラス基板１００と、 導体回路層１０４の一部である下部電極１０５上に誘電体層１１１が設けられ、誘電体層１１１上に上部電極１１４が形成されたキャパシタ１０９とを有し、 下部電極１０５上には、凸部が形成され、 凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄く、 上部電極１１４は凸部上面１０６ｂの内側に形成にされ、誘電体層１１１は凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成され、 シード金属層１０２は、スパッタ法、またはＣＶＤ法によって形成され、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金単体もしくは複数組み合わせたものが用いられ、その上に無電解めっき層（無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき等）が形成され、 導体回路層１０４は、電解銅めっきにより形成される、 多層配線が形成されたキャパシタ内蔵ガラス基板１０。」 イ 対比・判断 （ア）本件発明１と先願発明１との対比、判断 ａ 先願発明１の「ガラス基板」は、絶縁性の基板であるから、本件発明１の「絶縁表面を有する基板」に相当する。 ｂ 先願発明１において、「ガラス基板」の「両面にわたってシード金属層１０２が形成され、シード金属層１０２上に導体回路層１０４が形成され」ることから、先願発明１の「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５」は、「ガラス基板」上に配置されているといえ、本件発明１の「第１導電層」に相当する。 そして、先願発明１において、「下部電極１０５上には、凸部が形成」され、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄」いところ、「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」が隣接していることは明らかである。 してみると、先願発明１の「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と、「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚み」より薄く「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」に隣接する「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」とを含む「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５」は、本件発明１の「前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層」に相当する。 ｃ 先願発明１の「誘電体層１１１」は、絶縁層であることは明らかである。 そして、先願発明１の「誘電体層１１１」は、「凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成される」ことから、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」から離れた位置であり、「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」上に配置されるといえる。 してみると、先願発明１の「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」から離れた位置であり、「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」上に配置される「誘電体層１１１」は、本件発明１の「前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層」に相当する。 ｄ 先願発明１において、「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５上に誘電体層１１１が設けられ、誘電体層１１１上に上部電極１１４が形成され」、「上部電極１１４は凸部上面１０６ｂの内側に形成され」る。 してみれば、先願発明１の「上部電極１１４」は、「誘電体層１１１」に対して「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」とは反対側に配置されているといえ、本件発明１の「前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層」に相当する。 ｅ 先願発明１では「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄」いことから、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との厚さの違いにより段差が形成されることは当然のことである。 してみれば、先願発明１において「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との厚さの違いにより段差が形成されることと本件発明１とは、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され」る点で共通する。 ただし、段差に関し、本件発明１は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｆ 本件発明１は「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分の前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｇ 先願発明１の「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」および「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」が同一材料で形成されていることは明らかであるから、先願発明１は、本件発明１の「前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された」に相当する構成を備える。 ｈ 先願発明１の「キャパシタ内蔵ガラス基板１０」は、「多層配線が形成され」ているから、本件発明１の「配線基板」に相当する。 ｉ 上記ａないしｈによれば、本件発明１と先願発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む、配線基板。」 ＜相違点１＞ 段差に関し、本件発明１は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分の前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 ｊ 相違点に対する判断 まず、相違点２について検討する。 先願発明１では「上部電極１１４は凸部上面１０６ｂの内側に形成にされ」るところ、先願明細書の段落【００６７】に「図４Ｄに示すように、キャパシタの下部電極層側となる導体回路層の上面１０６に、シード金属層１０２のエッチング液に侵されない導体回路層の凸部上面（表面）１０６ｂの領域を形成可能である。導体回路層の凸部上面１０６ｂは、非保護部導体回路の上面１０６ａと比較して、シード金属層１０２のエッチング液に侵されていないため滑らかな表面を得ることが可能である。この場合、より滑らかな面上にキャパシタを形成できるため、表面荒れに起因するキャパシタのショート低減や、電極表面積のバラつきに起因する容量のバラつきを低減できるため、歩留まりを向上することが可能である。」、同段落【００７０】に「また、図４Ｆ～図４Ｈに示すように、上部電極１１４は、導体回路層の凸部上面１０６ｂに対して、平面視において内側に形成することによって、キャパシタを導体回路層の凸部上面１０６ｂの内側に形成できる。この場合、キャパシタの下部電極層の全面がより滑らかな面である導体回路層の凸部上面１０６ｂであるため、より歩留まりを向上することができる。」とそれぞれ記載されていることから、先願発明１は、上部電極１１４を凸部上面１０６ｂの内側に形成することによって、より滑らかな面上にキャパシタを形成し、歩留まりを向上させるものである。 そして、先願明細書の段落【００６１】に記載されているように、「誘電体層１１１」は、上部電極１１４をマスクとして誘電体層１１１の不要部分を除去し、凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成されるから、先願発明１において、「誘電体層１１１」の端が、凸部上面１０６ｂの外側、即ち、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との境界よりも「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」側に位置するように、「誘電体層１１１」を形成し得ることはないといえる。 したがって、上記相違点２は課題解決のための具体化手段における微差ではない。よって、相違点１について判断するまでもなく、本件発明１に係る発明は、先願発明１と実質同一ではない。 （イ）本件発明２と先願発明２との対比、判断 ａ 先願発明２の「ガラス基板」は、絶縁性の基板であるから、本件発明２の「絶縁表面を有する基板」に相当する。 ｂ 先願発明２において、「ガラス基板」の「両面にわたってシード金属層１０２が形成され、シード金属層１０２上に導体回路層１０４が形成され」ることから、先願発明２の「シード金属層１０２」及び「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５」は、「ガラス基板」上に配置されているといえ、本件発明２の「第１導電層」に相当する。 そして、先願発明２において、「下部電極１０５上には、凸部が形成」され、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄」いところ、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」が隣接していることは明らかである。 してみると、先願発明２の「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と、「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」の厚みより薄く「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」に隣接する「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」とを含む「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５」、および、「シード金属層１０２」は、本件発明２の「前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層」に相当する。 ｃ 先願発明２の「誘電体層１１１」は、絶縁層であることは明らかである。 そして、先願発明２の「誘電体層１１１は凸部上面１０６ｂの内側にのみ形成される」ことから、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」から離れた位置であり、「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」上に配置されるといえる。 よって、先願発明２の「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」から離れた位置であり、「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」上に配置される「誘電体層１１１」は、本件発明２の「前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層」に相当する。 ｄ 先願発明２において、「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５上に誘電体層１１１が設けられ、誘電体層１１１上に上部電極１１４が形成され」、「上部電極１１４」は「凸部の上面１０６ｂの内側に形成され」る。 してみれば、先願発明２の「上部電極１１４」は、「誘電体層１１１」に対して「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分 」とは反対側に配置されているといえ、本件発明２の「前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層」に相当する。 ｅ 先願発明２では「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄」いことから、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との厚さの違いにより段差が形成されることは当然のことである。 してみれば、先願発明２において「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との厚さの違いにより段差が形成されることと本件発明１とは、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され」る点で共通する。 ただし、段差に関し、本件発明１は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｆ 本件発明１は、「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分の前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｇ 先願発明２において、「シード金属層１０２」は「スパッタ法、またはＣＶＤ法によって形成され、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金単体もしくは複数組み合わせたものが用いられ、その上に無電解めっき層（無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき等）が形成され」るものであり、一方「導体回路層１０４」は「電解銅めっきにより形成される」ものである。 してみれば、先願発明２の「シード金属層１０２」と「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５」とは、その性質が異なることは明らかであり、本件発明２の「前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含」む構成を備えている。 ｈ 先願発明２において、「ガラス基板１０２」の「両面」にわたって形成された「シード金属層１０２上」に「導体回路層１０４」が形成され、「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５上」に「誘電体層１１１」が設けられる。 してみれば、先願発明２の「導体回路層１０４の一部である下部電極１０５」は、「シード金属層１０２」と「誘電体層１１１」に挟まれて配置されているといえ、本件発明２の「前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され」る構成を備える。 ｉ 先願発明２の「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みは、凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分の厚みより薄」いことは、本件発明２の「前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い」ことに相当する。 ｊ 先願発明２の「キャパシタ内蔵ガラス基板１０」は、「多層配線が形成され」ているから、本件発明２の「配線基板」に相当する。 ｋ 上記ａないしｊによれば、本件発明２と先願発明２とは、 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い、配線基板。」の点で一致し、 以下の点で相違する。 ＜相違点３＞ 段差に関し、本件発明２は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点４＞ 本件発明２は、「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分の前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 ｌ 相違点に対する判断 まず、相違点４について判断する。 相違点４は、相違点２と同じであるから、相違点２に対する理由と同様に、相違点４は課題解決のための具体化手段における微差（周知技術の付加であって新たな効果を奏するものではないもの）ではない。よって、相違点３について判断するまでもなく、本件発明２に係る発明は、先願発明２と実質同一ではない。 （ウ）本件発明４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５について 本件発明４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５は、本件発明１又は本件発明２の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものであるから、上記（ア）又は（イ）で述べた理由と同じ理由により、本件発明４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５は先願発明１又は先願発明２と実質的に同一の発明であるとはいえない。 （エ）小括 以上のとおり、請求項１、２、４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と実質同一ではないので、特許法第２９条の２に該当しない。 （２）取消理由２について 令和３年４月３０日付け取消理由通知において、発明の詳細な説明及び図面には、「第１絶縁層１３」が「第１導電層１２の第１部分１２－１」より小さく形成され、「第１絶縁層１３」の「側面１３ｅ」が「境界１２－１ｐ」から離れた位置にある場合であっても、応力が緩和されることは記載されておらず、「第１絶縁層１３」の「側面１３ｅ」が「境界１２－１ｐ」から離れたどの位置であっても応力が緩和されるのか明らかではないから、「第１絶縁層」の側面の位置が「第２部分」から離隔していれば応力が緩和されることが明らかであるとはいえず、課題が解決されることが把握できない旨通知した。 これに対し、本件訂正により、請求項１、２、及び、請求項１又は請求項２との引用関係を解消して独立請求項へ改めた請求項３、５、６、８、９、１１、１８ないし２０、２４、２６ないし２８、３０ないし３２、３５ないし３８に「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」ることが追加されたことにより、請求項１、２、３、５、６、８、９、１１、１８ないし２０、２４、２６ないし２８、３０ないし３２、３５ないし３８に係る発明、請求項１又は２を引用する請求項４、１０、１４、１５、１７、２１、２５、請求項６を引用する請求項７、請求項１１を引用する請求項１２、請求項１２を引用する請求項１３、請求項１５を引用する請求項１６、請求項２１を引用する請求項２２及び請求項２３、請求項２８を引用する請求項２９、請求項３２を引用する請求項３３、請求項３３を引用する請求項３４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものとなった。 したがって、本件の請求項１ないし３８に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるということはできない。 （３）特許異議申立人の主張について ア 取消理由１について 特許異議申立人は、令和３年１０月２６日付け意見書を提出しているものの、取消理由１について何等意見していない。 イ 取消理由２について （ア）特許異議申立人は、上記意見書において、ａ「段差が縁部に沿うことを特定しても側面の位置が「第２部分」から隔離しているかについては不明なままであり、応力が緩和される「第１絶縁層」の側面の位置が明らかになっていません。そもそも、「第１絶縁層」の側面の位置が「第２部分」から離隔している場合の応力の緩和について明細書には何ら記載されていません。」、ｂ「図１７には絶縁層１３の側面が第１導電層１２の段差部１２ｓの側面と一致している場合のシミュレーションが示されていますが、このシミュレーションの条件については「所定の設計条件」と記載されているだけであり、当業者が確認可能に記載されているとはいえません。」、ｃ「また、図１７は「第１実施形態に係るキャパシタの第１導電層の応力分布を説明する図である。」と記載されていますが、第１実施形態は図４に示されるとおりの段差部１２ｓの関係は、図１７の図示内容と整合しておらず、第１実施形態でどのような応力分布になるのか当業者に理解できるものではありません。さらに、段落【００５８】の第１実施形態の説明では、ｄ２は０．２μｍである場合であると記載され、図１７のように０μｍとなる場合もある旨記載されていることから、図１７のシミュレーションは０μｍの場合と理解されます。しかしながら、ｄ２が０．２μｍの場合の応力分布が図１７に記載されたようになるのか当業者には理解できないものと思われます。」、ｄ「下部電極上にある絶縁層の端部で特に強く生じる応力を、従来のキャパシタよりも緩和すること（段落【００３５】を参照）から考えると、導電層と導電層に接する絶縁層の端部の位置が影響するものと考えられます。そのため、図１７のシミュレーションでは、訂正事項ｂの「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」することを特定している請求項１および請求項２に記載された発明が、課題が解決できるものであるのか明らかではありません。」、ｅ「訂正事項ａのみで特定されている請求項は段差部と絶縁層の側面が一致しない場合を含むものであり、仮に段差部と絶縁層の側面が一致することで発明の課題が解決されるとしても、訂正事項ａのみで特定された請求項は課題が解決できる範囲を超えているものであります。」、とそれぞれ主張する。（第８頁１２行ないし第９頁１６行を参照） （イ）特許異議申立人の上記各主張について検討する。 （ａ）本件発明１では、「第１導電層」は「第１部分」及び「第１部分」が有する「第１厚さよりも薄い第２厚さ」を有する「第２部分」を含み、「第１絶縁層」は「第２部分から離隔して第１部分上に配置」され、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違い」によって「段差」が形成され、該「段差」が「第１絶縁層の縁部に沿って配置され」る。 ここで、本件特許明細書の段落【００５７】、【００５９】によれば、「第１絶縁層１３」の「側面１３ｅ」は「第１絶縁層１３の縁部」に対応することから、本件発明１において「第１絶縁層」の「側面」が「段差」の大きさ分だけ「第２部分」から隔離し、「段差」は「第１絶縁層」の「側面」に沿って配置されているといえ、「段差」と「第１絶縁層」の「側面」との位置関係は明らかである。 そして、同段落【００３９】の「第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」、同段落【００５５】の「キャパシタ１００のうち、段差１２ｓ近傍の詳細の構造について説明する。・・・。すなわち、第１部分１２－１の上面１２－１ｕは、第１絶縁層１３と接触する。一方、第２部分１２－２の上面１２－２ｕは、第１絶縁層１３と離隔している。」との記載及び図４を参照すれば、本件特許明細書には、「第１絶縁層」の側面の位置が「第２部分」から「段差」の大きさの分だけ離隔し、「第１絶縁層」の「側面」に沿って形成された「段差」の存在によって第１絶縁層の応力が緩和されることが記載されているといえる。 （ｂ）また、本件特許明細書【００７１】に「図１６と図１７とを比較すると、図１６に示す比較例のキャパシタ１００Ｚに比べて、図１７に示すキャパシタ１００では、段差１２ｓの存在により、応力が緩和される結果が得られた。」と記載されており、図１６及び図１７を参照すれば、シミュレーションの設定条件を明らかにせずとも、段差の存在によって応力が低減していることは明確に把握できる。 （ｃ）そして、図１７に関して、本件特許明細書には、第１絶縁層１３の側面と、段差１２ｓ、即ち、第１導電層１２の第１部分１２－１と第２部分１２－２との境界との位置関係については明記されていないものの、本件特許明細書の段落【００３９】の「この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」、同【００７０】の「上述したキャパシタ１００は、段差１２ｓにより第１絶縁層１３が受ける応力が低減される。」、同【００７１】の「図１６に示す比較例のキャパシタ１００Ｚに比べて、図１７に示すキャパシタ１００では、段差１２ｓの存在により、応力が緩和される結果が得られた。」との記載からすれば、図４に示される第１実施形態においても、段差部１２ｓの存在によって応力が緩和されることは容易に理解し得ることである。 （ｄ）本件特許明細書の段落【００３９】の「第１導電層１２のうち、第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。この段差１２ｓが存在することによって、第１絶縁層１３への応力が緩和される。」と記載され、図１７によれば、キャパシタ１００には第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成され、図１６の比較例よりも応力が低減していることが見て取れ、また、本件特許明細書には、「第１絶縁層１３」の「側面１３ｅ」が、「第１部分１２－１」と「第２部分１２－２」との「境界１２－１ｐ」より、「第２部分１２－２」側に位置する場合、応力が増加することは記載されていない。 してみれば、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」、「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分の前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」することが追加された本件発明１は、応力を緩和するという課題を解決できることは明らかである。 （ｅ）上記（ｄ）で述べたように、本件特許明細書の段落【００３９】の記載及び図１７からすれば、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されることにより、応力が緩和されるのであるから、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項のみが追加された請求項に係る発明は、応力を緩和するという課題を解決できることは明らかである。 そして、上記段落【００３９】の「第１絶縁層１３の縁部近傍には、第１絶縁層１３の縁部に沿って段差１２ｓが形成されている。」との記載から、「段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項のみが追加された請求項に係る発明においても、「第１絶縁層」の「縁部」近傍に「段差」が形成されることは明らかであり、「第１絶縁層」の「縁部」近傍に「段差１２ｓ」が形成されることにより、応力が緩和されることは明らかである。 してみれば、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項のみが追加された請求項に係る発明は、課題が解決できる範囲を越えているとはいえない。 （ｆ）以上から、特許異議申立人の主張は採用できない。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許異議申立て理由の概要 特許異議申立書における特許異議申立ての要旨は、次のとおりである。 （１）申立理由１（特許法第２９条第１項第３号） 訂正前の請求項１ないし３、６ないし８、１０、１５ないし１８、２０ないし２４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、訂正前の請求項１ないし３、６ないし８、１０、１５ないし１８、２０ないし２４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２（特許法第２９条第２項） 訂正前の請求項１ないし１３、１５ないし２４に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証に記載された発明に基づいて、 訂正前の請求項２５に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証に記載された発明、甲第６号証に記載された技術に基づいて、 本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、これら請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３）申立理由３（特許法第２９条の２） 訂正前の請求項１ないし４、８ないし１０、１４ないし１８、２１ないし２５に係る発明は、本件特許の優先日前の特許出願であって、本件特許の出願後に出願公開がされた甲第１３号証の特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「先願明細書等」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の出願の発明者が本件特許の出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許の出願の時において、その出願人が上記特許の出願人と同一でもないから、これら請求項に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 （４）申立理由４（特許法第３６条第４項第１号及び同第６項第１号） 訂正前の請求項４、５に記載された発明は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 訂正前の請求項４、５に記載された発明を当業者が実施することができる程度に発明の詳細な説明に記載されておらず、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 記 甲第１号証：特開２０１８－０７３８８８号公報 甲第２号証：特許第４４４７８８１号公報 甲第３号証：特開平１１－１７７２４４号公報 甲第４号証：特許第５２９５１９９号公報 甲第５号証：特開２０１８－０２２８９４号公報 甲第６号証：特開２０１８－０９３０６１号公報 甲第７号証：特許第４９１６７１５号公報 甲第８号証：特開２０１７－１３９４２２号公報 甲第９号証：特開２０１８－０７４１３４号公報 甲第１０号証：特開２００７－２９４５８０号公報 甲第１１号証：特開２００８－１３５６４８号公報 甲第１２号証：特開２０１０－１１８４１７号公報 甲第１３号証：特開２０１９－１１４６３５号公報 ２ 異議申立の対象請求項について 本件では訂正前の請求項１ないし２５について特許異議の申立がされている。 その後になされた本件訂正請求について、上記第２で判断したとおり、訂正は全て認められる。 してみると、本件訂正前後の請求項の対応関係から、本件訂正後の請求項２６ないし３８に係る発明は、異議申立がされた訂正前の請求項３、５、６ないし９、１１ないし１３、１８、１９、２０、２４に係る発明の請求項２を引用する部分を新たな請求項とし、さらに減縮するものであるから、本件訂正後の請求項２６ないし３８に係る発明も申立人による異議申立ての対象である。 ３ 甲第１号証ないし甲第１２号証の記載事項 （１）甲第１号証 ア 甲第１号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００２０】 図１に示すように、本実施形態の電子部品１は、基材の一例である基板２と、第１キャパシタ３と、第２キャパシタ４と、パッシベーション層５とを有する。基板２は、例えば、絶縁基板または半導体基板である。図３に示すように、第１キャパシタ３と第２キャパシタ４とは、直列接続されている。第１キャパシタ３と第２キャパシタ４とは、いずれも薄膜状のキャパシタすなわち薄膜キャパシタである。 【００２１】 図１に示すように、第１キャパシタ３は、順に、基板２すなわち第１表面２１上の第１電極３１と、第１電極３１上の第１誘電体３２と、第１誘電体３２上の第２電極３３とを有する。図１の例において、第１電極３１は、基板２の第１表面２１に直接接している。基板２の第１表面２１と第１電極３１との間には、シリコン酸化膜などの他の膜が位置していてもよい。 【００２２】 図１に示すように、第２キャパシタ４は、順に、第２電極３３と、第２電極３３上の第２誘電体４１と、第２誘電体４１上の第３電極４２とを有する。 【００２３】 パッシベーション層５は、各電極３１、３３、４２および各誘電体３２、４１の端縁を被覆している。一方、パッシベーション層５は、キャパシタ３、４への電圧印加のために配線を接続することが必要な領域は被覆していない。図１の例において、パッシベーション層５は、第１電極３１の一部の領域と第３電極４２の中央側の領域とを露出させるように各電極３１、３３、４２および各誘電体３２、４１の端縁を被覆している。 （省略） 【００２８】 （電極３１、３３、４２の外形） 上記構成に加えて、更に、本実施形態の電子部品１は、図２に示すように、平面視において、第２電極３３の外形が、第１電極３１の外形に包含され、また、第３電極４２の外形が、第２電極３３の外形に包含されている。 （省略） 【００３２】 ここで、３つの電極３１、３３、４２のうち、最下層の第１電極３１と最上層の第３電極４２は、キャパシタ３３、４１の電極としての機能と、配線としての機能とを兼ねることがある。配線として機能する場合、第１電極３１および第３電極４２は、厚み方向Ｄ１に直交する面方向Ｄ２に十分な電流を流すことが求められる。面方向Ｄ２に十分な電流を流すために、第１電極３１および第３電極４２は、面方向Ｄ２の電気抵抗値が低いこと、すなわち、ある程度の厚みｔ１、ｔ３があることが求められる。したがって、第１電極３１および第３電極４２を配線として機能させる観点から、各電極３１、４２の薄型化には一定の限界がある。 （省略） 【００３６】 図４Ａは、本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。先ず、図４Ａに示すように、基板２を準備する。 【００３７】 図４Ｂは、図４Ａに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。基板２を準備した後、図４Ｂに示すように、基板２上に金属の第１シード層３１１を形成する。第１シード層３１１の形成は、例えば、スパッタ、蒸着または無電解めっき法等の成膜方法で行ってもよい。第１シード層３１１を構成する金属は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴｉまたはＣｒなどであってもよい。 【００３８】 図４Ｃは、図４Ｂに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第１シード層３１１を形成した後、図４Ｃに示すように、第１シード層３１１上にレジスト７を塗布する。そして、フォトリソグラフィ法等によって、第１電極３１に対応する範囲内の第１シード層３１１が露出するように、レジスト７をパターニングする。 【００３９】 図４Ｄは、図４Ｃに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。レジスト７をパターニングした後、図４Ｄに示すように、第１シード層３１１上に、電解めっき法によって第１金属層３１２を形成する。これにより、第１シード層３１１と第１金属層３１２とを含む第１電極３１が形成される。第１金属層３１２は、例えば、Ｃｕであってもよい。 【００４０】 図４Ｅは、図４Ｄに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第１電極３１を形成した後、図４Ｅに示すように、レジスト７を剥離する。 【００４１】 図５Ａは、図４Ｅに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。レジストを剥離し、エッチングによって第１金属層３１２で覆われていない第１シード層３１１を除去した後、第１電極３１および基板２上にＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属からなる不図示の密着層を形成する。密着層を形成した後、図５Ａに示すように、第１電極３１および基板２上に第１誘電体３２を形成する。第１誘電体３２の形成は、例えば、気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で行ってもよい。また、第１誘電体３２は、例えば、無機酸化物や無機窒化物などの無機化合物であってもよい。 【００４２】 図５Ｂは、図５Ａに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第１誘電体３２を形成した後、図５Ｂに示すように、第１誘電体３２上に、第２電極３３に対応する範囲にわたってレジスト７をパターニングする。 【００４３】 図５Ｃは、図５Ｂに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第１誘電体３２上にレジスト７をパターニングした後、図５Ｃに示すように、レジスト７をマスクとして第１誘電体３２の不要部分を除去し、その後、レジスト７を剥離する。 【００４４】 図５Ｄは、図５Ｃに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第１誘電体３２の不要部分を除去した後、図５Ｄに示すように、基板２、第１電極３１および第１誘電体３２上に、第２シード層３３１を形成する。第２シード層３３１の形成方法および材質は、第１シード層３１１と同じであってもよい。 【００４５】 図６Ａは、図５Ｄに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第２シード層３３１を形成した後、図６Ａに示すように、第２シード層３３１上にレジスト７を塗布する。そして、フォトリソグラフィ法等によって、第２電極３３に対応する範囲内の第２シード層３３１が露出するように、レジスト７をパターニングする。 【００４６】 図６Ｂは、図６Ａに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。レジスト７をパターニングした後、図６Ｂに示すように、第２シード層３３１上に第２金属層３３２を形成する。これにより、第２シード層３３１と第２金属層３３２とを含む第２電極３３が形成される。第２金属層３３２の形成方法および材質は、第１金属層３１２と同じであってもよい。 【００４７】 図６Ｃは、図６Ｂに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第２電極３３を形成した後、図６Ｃに示すように、レジスト７を剥離する。 【００４８】 図７Ａは、図６Ｃに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。レジスト７を剥離した後、図７Ａに示すように、基板２の上面を全面エッチングすることで、第２シード層３３１の不要部分を除去するとともに、第２電極３３の厚みを減少させる。 （省略） 【００７６】 （第３の変形例） 次に、第１キャパシタ３および第２キャパシタ４に並列接続された追加のキャパシタを備えた第３の変形例について説明する。図１２は、本実施形態の第３の変形例による電子部品１を示す断面図である。 【００７７】 図１２に示すように、第３の変形例の電子部品１は、第２の変形例と同様に、基材２上の第４電極８１と、第４電極８１上の第３誘電体８２と、第３誘電体８２上の第５電極８３とを有する第３キャパシタ８を備える。一方、第３の変形例の電子部品１は、第２の変形例の電子部品１に対して、第４キャパシタ９が省略されている点で異なる。より具体的には、第３の変形例において、配線１０は、第３電極４２および第５電極８３の双方に接するように設けられている。 【００７８】 第３の変形例の電子部品１は、第２誘電体４１を形成するときに、第４誘電体９１の形成を省略し、また、第３電極４２を形成するときに第６電極９２の形成を省略することで得ることができる。 （省略） 【００９５】 図１６に示すように、第７の変形例の電子部品１は、図１の電子部品１の構成に加えて、更に、第２インダクタ１４と、第２インダクタ１４と第１電極３１とを接続する配線１５とを備えている。 【００９６】 図１６に示すように、第２インダクタ１４は、厚み方向Ｄ１に基板２を貫通し、配線１５を介して第１表面２１上において第１電極３１に接続された第１貫通電極１４１と、第２表面２２上において第１貫通電極１４１に接続された導電層１４２と、第２表面２２上において導電層１４２に接続され、第１貫通電極１４１と異なる位置において厚み方向Ｄ１に基板２を貫通する第２貫通電極１４３とを有する。 【００９７】 第７の変形例の電子部品１は、第６の変形例の電子部品１と同様に、第１キャパシタ３および第２キャパシタ４と第２インダクタ１４とによるＬＣ共振回路を構成することができる。第７の変形例の電子部品１は、第６の変形例の電子部品１と比べてインダクタ１４とキャパシタ３、４との間の配線長を短縮できる。配線長を短縮できることで、損失を低減し、クオリティ・ファクタすなわちＱ値を大きくすることができる。 （省略） 【０１１０】 また、本開示の電子部品１の具体的な使用態様は特に限定されない。例えば、電子部品１は、無線通信モジュールのベースバンドＩＣとパワーアンプＩＣとを中継するインターポーザ基板に組み込まれてもよく、または、既存の基板に搭載されてもよく、あるいは、それ自体がパッケージされた電子部品を構成してもよい。」 図１ 「 ［図：0001384049000005.jpg］ 」 図２ 「 ［図：0001384049000006.jpg］ 」 図４Ｅ 「 ［図：0001384049000007.jpg］ 」 図６Ｃ 「 ［図：0001384049000008.jpg］ 」 図７Ａ 「 ［図：0001384049000009.jpg］ 」 図１２ 「 ［図：0001384049000010.jpg］ 」 図１６ 「 ［図：0001384049000011.jpg］ 」 イ 甲第１号証の上記記載及び図面から、次のことがいえる。 （ア）段落【００２０】によれば、甲第１号証には、「絶縁基板である」「基板２」が記載されている。 （イ）同段落【００２０】の「図１に示すように、本実施形態の電子部品１は、基材の一例である基板２と、第１キャパシタ３と、第２キャパシタ４と、パッシベーション層５とを有する。」と記載され、図１によれば、基板２上に第１キャパシタが配置されていることが見て取れる。 よって、甲第１号証には、基板２上に第１キャパシタが配置されているといえる。 （ウ）段落【００２１】によれば、第１キャパシタ３は、順に、基板２すなわち第１表面２１上の第１電極３１と、第１電極３１上の第１誘電体３２と、第１誘電体３２上の第２電極３３とを有する。 （エ）段落【００２８】によれば、平面視において、第２電極３３の外形が、第１電極３１の外形に包含される。 （オ）段落【００３２】によれば、第１電極３１は、キャパシタの電極としての機能と、配線としての機能とを兼ねる。 （カ）段落【００３９】、【００４１】、【００４６】によれば、第１電極３１は第１シード層３１１と第１金属層３１２とを含み、第１誘電体３２は気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で形成され、第２電極３３は第２シード層３３１と第２金属層３３２とを含む。 よって、上記（ア）ないし（カ）によれば、甲第１号証には次の発明（以下、「甲１発明１」という。）が記載されている。 「絶縁基板である基板２と、 基板２上に第１キャパシタが配置され、 第１キャパシタ３は、順に、基板２すなわち第１表面２１上の第１電極３１と、第１電極３１上の第１誘電体３２と、第１誘電体３２上の第２電極３３とを有し、 平面視において、第２電極３３の外形が、第１電極３１の外形に包含され、 第１電極３１は、キャパシタの電極としての機能と、配線としての機能とを兼ね、 第１電極３１は第１シード層３１１と第１金属層３１２とを含み、 第１誘電体３２は気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で形成され、 第２電極３３は第２シード層３３１と第２金属層３３２とを含む、基板２。」 ウ 上記「イ」で述べた点に加え、甲第１号証の記載（上記「ア」を参照）から、次のことがいえる。 （キ）段落【００３７】によれば、基板２上にＮｉ、Ｃｕ、ＴｉまたはＣｒなどの金属からなる第１シード層３１１がスパッタ、蒸着または無電解めっき法等の成膜方法で形成され、段落【００３９】によれば、第１シード層３１１上にＣｕからなる第１金属層３１２が電解めっき法により形成され、第１シード層３１１と第１金属層３１２とを含む第１電極３１が形成される。 よって、上記イで述べた（ア）ないし（カ）、及び上記（キ）によれば、甲第１号証には次の発明（以下、「甲１発明２」という。）が記載されている。 「絶縁基板である基板２と、 基板２上に第１キャパシタが配置され、 第１キャパシタ３は、順に、基板２すなわち第１表面２１上の第１電極３１と、第１電極３１上の第１誘電体３２と、第１誘電体３２上の第２電極３３とを有し、 平面視において、第２電極３３の外形が、第１電極３１の外形に包含され、 第１電極３１は、キャパシタの電極としての機能と、配線としての機能とを兼ね、 基板２上にＮｉ、Ｃｕ、ＴｉまたはＣｒなどの金属からなる第１シード層３１１がスパッタ、蒸着または無電解めっき法等の成膜方法で形成され、第１シード層３１１上にＣｕからなる第１金属層３１２が電解めっき法により形成され、 第１シード層３１１と第１金属層３１２とを含む第１電極３１が形成され、 第１誘電体３２は気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で形成され、 第２電極３３は第２シード層３３１と第２金属層３３２とを含む、基板２。」 （２）甲第２号証 ア 甲第２号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００１６】 図１に示すように、例えば膜厚５μｍのポリイミド樹脂膜より成る支持基材１０上には、例えば膜厚３００ｎｍのＣｒ膜と膜厚７００ｎｍのＡｕ膜とを順次積層して成る下部電極１２が形成されている。 【００１７】 下部電極１２上には、例えば膜厚１００ｎｍのＢａＸＳｒ１－ＸＴｉＯ３（以下、「ＢＳＴ」という）より成る誘電体膜１４が形成されている。 【００１８】 誘電体膜１４上には、例えば膜厚１００ｎｍのＡｕ膜より成る上部電極１６が形成されている。 【００１９】 下部電極１２と誘電体膜１４と上部電極１６とを有するキャパシタ１８が構成されている。 【００２０】 支持基材１０上及びキャパシタ１８上には、全面に、例えば膜厚３μｍのポリイミドより成る保護膜２０が形成されている。」 図１ 「 ［図：0001384049000012.jpg］ 」 イ 甲第２号証の上記記載及び図面から、次のことがいえる。 （ア）段落【００１６】ないし【００１９】によれば、支持基材１０上に下部電極１２が形成され、下部電極１２上に誘電体膜１４が形成され、誘電体膜１４上に上部電極１６が形成されて、キャパシタ１８が構成される。 （イ）図１によれば、右から２番目のキャパシタの誘電体膜１４と上部電極１６の縁部が揃えることが見て取れる。 よって、上記（ア）、（イ）によれば、甲第２号証には、次の技術事項（以下、「甲第２号証の技術事項」という。）が記載されている。 「支持基材１０上に下部電極１２が形成され、下部電極１２上に誘電体膜１４が形成され、誘電体膜１４上に上部電極１６が形成されて構成されたキャパシタ１８において、誘電体膜１４と上部電極１６の縁部が揃えること。」 （３）甲第３号証 ア 甲第３号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００２２】実際上このコンデンサ１９においては、図２に示すように、最上層のガラスセラミツク基板１１Ａ上に設けられた導体層１２Ａ上に銅及び酸素の拡散防止のためのバリアメタル層２０が形成されると共に、当該バリアメタル層２０上に高誘電体材料からなる高誘電体層２１が積層形成され、当該高誘電体層２１上に金等の電極材料からなる上部電極層２２が積層形成されることにより構成されている。」 図２ 「 ［図：0001384049000013.jpg］ 」 イ 甲第３号証の上記記載及び図面から、次のことがいえる。 （ア）段落【００２２】によれば、ガラスセラミツク基板１１Ａ上に設けられた導体層１２Ａ上に、高誘電体層２１が積層形成され、当該高誘電体層２１上に、上部電極層２２が積層形成されることによりコンデンサ１９が構成される。 （イ）図２によれば、高誘電体層２１と上部電極層２２の端部が揃えることが見て取れる。 よって、上記（ア）、（イ）によれば、甲第３号証には、次の技術事項（以下、「甲第３号証の技術事項」という。）が記載されている。 「支ガラスセラミツク基板１１Ａ上に設けられた導体層１２Ａ上に、高誘電体層２１が積層形成され、当該高誘電体層２１上に、上部電極層２２が積層形成されることにより構成されるコンデンサ１９において、高誘電体層２１と上部電極層２２の端部を揃えること。」 （４）甲第４号証 甲第４号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００３７】 この時、エッチングで金属層の一部を除去して所定のパターンを形成する場合、エッチング工程自体の属性から、基板などにより支持されないパターンの上端部は面積が狭くなるので所定の偏差が発生する。これをエッチング偏差といい、以下、図２及び図３を参照して、下部電極１２０の厚みに応ずるエッチング偏差の差を説明する。 【００３８】 図２及び図３を参照し、絶縁層２１０、３１０上に金属層が形成された銅箔積層板にキャパシタを形成するために金属層の一部をエッチングで除去して下部電極２２０、３２０を形成する場合について説明する。この場合、誘電層２４０、３４０に接する下部電極２２０、３２０の上端部が銅箔積層板の絶縁層２１０、３１０に接する下部電極２２０、３２０の下端部に比して面積が狭く形成されるので、結局、誘電層２４０、３４０に接する面積にエッチング偏差ｄ１、ｄ２が発生してキャパシタの静電容量に誤差が発生する。」 図２ 「 ［図：0001384049000014.jpg］ 」 上記記載及び図面によれば、甲第４号証には、次の技術事項（以下、「甲第４号証の技術事項」という。）が記載されている。 「絶縁層２１０上に金属層が形成された銅箔積層板にキャパシタを形成するために金属層の一部をエッチングで除去して下部電極２２０を形成する場合、誘電層２４０に接する下部電極２２０の上端部が絶縁層２１０に接する下部電極２２０の下端部に比して面積が狭く形成されること。」 （５）甲第５号証 甲第５号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００６９】 図５Ａ（ａ）に示すように、シリコン基板などの基板５０１上に、プラズマＣＶＤを用いて、膜厚が３μｍのＳｉＯ２膜（Ｐ－ＳｉＯ２膜）５０２を形成する。次に、スパッタリングにより、膜厚が０．１μｍのＴｉ膜５０３と、膜厚が０．３μｍのＣｕ膜５０４ａを成膜する。Ｔｉ膜５０３は、基板５０１にＣｕが拡散しないようにするためのバリアメタル膜としての役割を果たす。また、Ｃｕ膜５０４ａは、電解メッキによりＣｕを成長させるためのシードとしての役割を果たす。なお、ここでは、Ｔｉ以外のバリアメタルの材料として、ＴｉＮや高融点金属のＴａなどを用いることも可能である。 【００７０】 次に、図５Ａ（ｂ）に示すように、Ｃｕ膜５０４ａの上にフォトレジストを塗布した後に、露光及び現像を行うことにより配線パターン５０５を形成する。その後、電解メッキを用いて配線パターン５０５より露出しているＣｕ膜５０４ａ上に膜厚が４．４μｍとなるようにＣｕ膜５０４を成長させる。なお、本実施形態では、ここでのＣｕは第１層の配線材料として用いられ、配線の厚さの設計寸法値は４．０μｍとしている。 【００７１】 次に、Ｃｕを成長させた後に配線パターン５０５を形成するフォトレジストを有機溶媒により除去し、図５Ａ（ｃ）の構造を得る。なお、フォトレジストの除去には、有機溶媒を用いる代わりに、酸素プラズマによるアッシングを用いることもできる。 【００７２】 次に、図５Ａ（ｄ）に示すように、配線パターン５０５により覆われていたＣｕ膜５０４ａの部分及びＴｉ膜５０３の部分を、酸性の水溶液によって除去し、第１層におけるＣｕ配線５０４ｂを形成する。配線パターン５０５により覆われていた部分のＣｕ膜５０４ａの除去により、膜厚が４．４μｍであったＣｕ膜５０４の膜厚は約４．０μｍに減少し、設計寸法値を達成することができる。なお、酸性の水溶液を用いてＣｕ膜５０４ａ及びＴｉ膜５０３を除去する代わりに、イオンミリングを用いることもできる。 【００７３】 酸性の水溶液を用いる場合には、図６に示すようにアンダーカット６０１が大きくなり、特に配線の幅が５μｍ以下になると、Ｃｕ配線５０４ｂと下地の基板との間での十分な密着性が取れなくなり、Ｃｕ配線が自身の応力などによって剥離してしまうことがある。一方、イオンミリングを用いる場合には、このようなアンダーカットが起こり難いので、微細な配線形成が可能となる。」 図５Ａ 「 ［図：0001384049000015.jpg］ 」 図６ 「 ［図：0001384049000016.jpg］ 」 上記記載及び図面によれば、甲第５号証には、次の技術事項（以下、「甲第５号証の技術事項」という。）が記載されている。 「基板５０１上にＴｉ膜５０３と、Ｃｕ膜５０４ａを成膜し、Ｃｕ膜５０４ａの上にフォトレジストを塗布した後に、露光及び現像を行うことにより配線パターン５０５を形成し、電解メッキを用いて配線パターン５０５より露出しているＣｕ膜５０４ａ上にＣｕ膜５０４を成長させ、Ｃｕを成長させた後に配線パターン５０５を形成するフォトレジストを除去し、配線パターン５０５により覆われていたＣｕ膜５０４ａの部分及びＴｉ膜５０３の部分を、酸性の水溶液によって除去し、Ｃｕ配線５０４ｂを形成する場合には、アンダーカット６０１が大きくなり、Ｃｕ配線５０４ｂと下地の基板との間での十分な密着性が取れなくなること。」 （６）甲第６号証 ア 甲第６号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００２０】 図１に示すように電子部品１０は、ガラスコア基板２０を有している。このガラスコア基板２０の上面には、第１上側多層配線層１３０Ａ、第２上側多層配線層１３０Ｂが順次積層配置されている。また、ガラスコア基板２０の下面には、第１下側多層配線層１３０Ｃ、第２下側多層配線層１３０Ｄが順次積層配置されている。 【００２１】 ガラスコア基板２０は、ガラス基材１００を有している。ガラス基材１００には貫通孔１０１が形成されており、この貫通孔１０１内壁面及びガラス基材１００の両面にわたってシード金属層１０２が形成されている。さらにシード金属層１０２は、銅めっき層（導体部）１０３によって覆われている。銅めっき層１０３の所定位置には外部接続端子１０４及びＭＩＭキャパシタ１０９が形成されている（図１７参照）。 【００２２】 ＭＩＭキャパシタ１０９は、図１７に示すように、銅めっき層１０３上全面に下部電極１１０、誘電体層１１１、上部電極１１２、シード金属層１１３を順次設けられている。シード金属層１１３の上部には上部電極１１４が形成されている。 【００２３】 上述したガラス基材１００の両面にわたって絶縁樹脂層１２０が形成され、銅めっき層１０３、外部接続端子１０４、ＭＩＭキャパシタ１０９を覆っている。 【００２４】 第１上側多層配線層１３０Ａは、絶縁樹脂層１３１を備えている。絶縁樹脂層１３１にはビアホール１３２や、導体回路１３３が形成されている。導体回路１３３の所定部位には外部接続端子１３４が形成されている。なお、第２上側多層配線層１３０Ｂ、第１下側多層配線層１３０Ｃ、第２下側多層配線層１３０Ｄについても同様である。」 「【００６４】 図１９は本発明の第３の実施形態に係る電子部品１０Ｂを示す縦断面図である。なお、なお、以下の説明において、図１及び図１８と同一要素又は同一機能を有する各部分には、同一符号を用いて、重複する説明は省略する。 【００６５】 電子部品１０Ｂにおいては、はんだボール１３５が両面にあっても良い。さらに半導体チップ１５０やチップ部品１５１を搭載してもよい。」 図１ 「 ［図：0001384049000017.jpg］ 」 図１７ 「 ［図：0001384049000018.jpg］ 」 図１９ 「 ［図：0001384049000019.jpg］ 」 イ 図１７によれば、下部電極１１０と誘電体層１１１の縁部を揃えることが見て取れる。 よって、上記記載及び図面によれば、甲第６号証には、次の技術事項（以下、「甲第６号証の技術事項１」という。）が記載されている。 「ガラスコア基板２０に形成され、下部電極１１０、誘電体層１１１、上部電極１１２、シード金属層１１３が順次設けられたＭＩＭキャパシタ１０９において、下部電極１１０と誘電体層１１１の縁部を揃えること。」 ウ また、上記記載及び図面によれば、甲第６号証には、次の技術事項（以下、「甲第６号証の技術事項２」という。）も記載されている。 「ガラスコア基板２０は、ガラス基材１００を有し、ガラス基材１００には貫通孔１０１が形成され、貫通孔１０１内壁面及びガラス基材１００の両面にわたってシード金属層１０２が形成されて、シード金属層１０２は、銅めっき層（導体部）１０３によって覆われ、銅めっき層１０３上全面にＭＩＭキャパシタ１０９の下部電極１１０を設けること。」 エ 図１９によれば、ガラスコア基板２０に半導体チップ１５０を搭載することが見て取れる。 よって、上記記載及び図面によれば、甲第６号証には、次の技術事項（以下、「甲第６号証の技術事項３」という。）も記載されている。 「上面に第１上側多層配線層１３０Ａ、第２上側多層配線層１３０Ｂが順次積層配置され、下面に第１下側多層配線層１３０Ｃ、第２下側多層配線層１３０Ｄが順次積層配置されたガラスコア基板２０に半導体チップ１５０を搭載すること。」 （７）甲第７号証 ア 甲第７号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００２３】 キャパシタ１０Ａ，１０Ｂは、各々、電極膜１１，１２および誘電体膜１３からなる積層構造を有する。キャパシタ１０Ａ，１０Ｂの積層構成を図５に示す。 （省略） 【００３９】 次に、図７（ｃ）に示すように、レジストパターン６６および誘電体膜１３をマスクとして利用して、露出している金属膜６３をエッチング除去する。これにより、キャパシタ１０の電極膜１１および第１配線部４１がパターン形成される。エッチング手法としては、イオンミリング法やウエットエッチング法を採用することができる。本工程の後、レジストパターン６６を除去する。 【００４０】 次に、図８（ａ）に示すように、所定のレジストパターン（図示略）を使用して行う電気めっき法により、所定箇所に導電材料を成長させる。これにより、キャパシタ１０の電極膜１２、コイルインダクタ２０、および電極パッド３０の本体部を形成することができる。 【００４１】 次に、図８（ｂ）に示すように、保護膜５０を形成する。保護膜５０は、電極膜１２の一部、第１配線部４１の一部、および電極パッド３０の本体部の一部を露出させるための開口部５１，５２，５３を有する。 【００４２】 次に、図８（ｃ）に示すように、所定のレジストパターン（図示略）を使用して行う電気めっき法により、所定箇所に導電材料を成長させる。これにより、第２配線部４２、第３配線部４３、および電極パッド３０の表層部を形成することができる。以上のようにして、図１に示す集積型電子部品Ｘを製造することができる。」 図７（ｃ） 「 ［図：0001384049000020.jpg］ ［図：0001384049000021.jpg］ 」 図８ｃ 「 ［図：0001384049000022.jpg］ 」 イ 図７ｃ、図８ｃによれば、誘電体膜１３の下面側に位置する電極膜１１の側面を誘電体膜１３が覆うことが見て取れる。 よって、上記記載及び図面によれば、甲第７号証には、次の技術事項（以下、「甲第７号証の技術事項」という。）が記載されている。 「電極膜１１，１２および誘電体膜１３からなる積層構造を有するキャパシタにおいて、誘電体膜１３の下面側に位置する電極膜１１の側面を誘電体膜１３が覆うこと。」 （８）甲第８号証 ア 甲第８号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００３６】 無機誘電体層５上に、コンデンサ用上部電極３２が直接設けられ、上部電極３２は、無機誘電体層５を介して下部電極３１に対向する。このように、下部電極３１と、上部電極３２と、下部電極３１と上部電極３２との間の無機誘電体層５とが、コンデンサ３を構成する。 （省略） 【００３８】 無機誘電体層５上に、第１コイル導体２１が直接設けられ、第１コイル導体２１は、上部電極３２に電気的に接続される。上部電極３２および第１コイル導体２１を覆うように、無機誘電体層５上に、第２絶縁層４２が設けられる。第２絶縁層４２上に、第２コイル導体２２が設けられ、第２コイル導体２２を覆うように、第２絶縁層４２上に、第３絶縁層４３が設けられる。 （省略） 【００６７】 図７に示すように、第３実施形態の電子部品１０Ｂにおいて、無機誘電体層５の厚みＴ５０は、一定であり、無機誘電体層５は、下部電極３１の形状に追従して、形成される。このような構成においても、第１実施形態と同様に、コイル２は、無機誘電体層５上に設けられているので、コイル２（インダクタ）の配線間の浮遊容量が、無機誘電体層５において増加せず、コイル２の性能の低下を抑制できる。」 図７ 「 ［図：0001384049000023.jpg］ 」 イ 図７によれば、下部電極３１の側面を無機誘電体層５が覆うことが見て取れる。 よって、上記記載及び図面によれば、甲第８号証には、次の技術事項（以下、「甲第８号証の技術事項」という。）が記載されている。 「下部電極３１と、上部電極３２と、下部電極３１と上部電極３２との間の無機誘電体層５とから構成されるコンデンサ３において、下部電極３１の側面を無機誘電体層５が覆うこと。」 （９）甲第９号証 ア 甲第９号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００９６】 まず、上述の実施の形態の場合と同様に、基板１２を準備する。また、基板１２の第１面１３上、第２面１４及び側壁２１上に、例えば無電解めっきによって下地層３６２を形成する。続いて、下地層３６２上に部分的にレジスト層３７を形成する。その後、レジスト層３７を露光及び現像して、図１９に示すように、レジスト層３７に開口部３７ｃを形成する。レジスト層３７は、開口部３７ｃに面する側面３７ｆを含む。側面３７ｆは、下地層３６２に接する裾野部３７ｈを含んでいてもよい。裾野部３７ｈは、開口部３７ｃ側に突出するとともに、開口部３７ｃ側に向かうにつれて厚みが小さくなる形状を有する。このような裾野部３７ｈは、例えば、ネガ型の感光性樹脂をレジスト層３７として用いる場合に形成され得る。 【００９７】 次に、電解めっきによって、レジスト層３７によって覆われていない下地層３６２上に本体層３６３を形成する。続いて、図２０に示すように、レジスト層３７を除去する。本体層３６３は、レジスト層３７の側面３７ｆに対応する形状を有する側面３６３ｆと、レジスト層３７の裾野部３７ｈに対応する形状を有する下側湾曲部３６３ｈとを有する。 【００９８】 次に、図２１に示すように、下地層３６２のうちレジスト層３７によって覆われていた部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。この際、下地層３６２がサイドエッチングされることにより、下地層３６２の側面３６２ｆが、本体層３６３の側面３６３ｆよりも内側に位置するようになる。また、下地層３６２に比べてエッチングレートは低いが、本体層３６３もエッチングされる。この結果、図２１に示すように、本体層３６３の側面３６３ｆの上側にも上側湾曲部３６３ｇが形成され得る。」 図１９ 「 ［図：0001384049000024.jpg］ 」 図２０ 「 ［図：0001384049000025.jpg］ 」 図２１ 「 ［図：0001384049000026.jpg］ 」 イ 上記記載及び図面によれば、甲第９号証には、次の技術事項（以下、「甲第９号証の技術事項」という。）が記載されている。 「基板１２の第１面１３上に下地層３６２を形成し、下地層３６２上に部分的にレジスト層３７を形成し、レジスト層３７に開口部３７ｃを形成し、レジスト層３７によって覆われていない下地層３６２上に本体層３６３を形成し、レジスト層３７を除去し、下地層３６２のうちレジスト層３７によって覆われていた部分を、ウェットエッチングにより除去する際、下地層３６２がサイドエッチングされることにより、下地層３６２の側面３６２ｆが、本体層３６３の側面３６３ｆよりも内側に位置すること。」 （１０）甲第１０号証 ア 甲第１０号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００１４】 以下の実施形態では、本発明に係る配線基板を詳細に説明するが、本発明はこうした実施形態に限定されるものではない。図１は、本発明の配線基板の一例を示す断面図である。本発明の配線基板１０は、例えば半導体からなる基体１１と、この基体１１の一面１１ａに形成された絶縁層１２と、この絶縁層１２の一面１２ａに所定のパターンで形成された帯状の導電層１４とから概略構成されている。 【００１５】 また、絶縁層１２の一面１２ａには、導電層１４で覆われる凹部１３が形成されている。さらに、導電層１４と絶縁層１２との間には、密着層１５および給電層１６が配されている。 【００１６】 このような構成の配線基板１０によれば、絶縁層１２の一面１２ａに形成された凹部１３によって導電層１４の下面側が絶縁層１２の内側に食い込むので、導電層１４の形成時に、導電層１４と絶縁層１２との間に配された密着層１５や給電層１６が、導電層１４の配線幅Ｗ１よりも内側まで抉られてしまっても、導電層１４が絶縁層１２から剥離してしまうことが防止される。」 図１ 「 ［図：0001384049000027.jpg］ ［図：0001384049000028.jpg］ 」 イ 上記記載及び図面によれば、甲第１０号証には、次の技術事項（以下、「甲第１０号証の技術事項」という。）が記載されている。 「基体１１と、この基体１１の一面１１ａに形成された絶縁層１２と、この絶縁層１２の一面１２ａに所定のパターンで形成された帯状の導電層１４とから構成されている配線基板１０において、導電層１４と絶縁層１２との間には、密着層１５および給電層１６が配され、導電層１４の形成時に、導電層１４と絶縁層１２との間に配された密着層１５や給電層１６が、導電層１４の配線幅Ｗ１よりも内側まで抉られること。」 （１１）甲第１１号証 ア 甲第１１号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００１７】 図２に示すように、強誘電体キャパシタ１０１は、２個ずつが１つの共通の下部電極２１を有し、下部電極２１上に２個に分離された上部電極２５が配置され、下部電極２１と上部電極２５との間に、上部電極２５に対応して分離された強誘電体膜２３が配置された構成をなす。対をなす強誘電体キャパシタ１０１の外側の側面は、２段の傾きを有している。下側、すなわち、下部電極２１の側面の傾き（下部電極２１の下面等に対する傾斜角）は、上側、すなわち、上部電極２５及び強誘電体膜２３の側面の傾きよりも緩やかである。そして、下部電極２１の側面に連なる層間絶縁膜１３の表面は、下部電極２１の下面よりわずかに下側に形成されている。」 図２ 「 ［図：0001384049000029.jpg］ 」 イ 上記記載及び図面によれば、甲第１１号証には、次の技術事項（以下、「甲第１１号証の技術事項」という。）が記載されている。 「強誘電体キャパシタ１０１は、２個ずつが１つの共通の下部電極２１を有し、下部電極２１上に２個に分離された上部電極２５が配置され、下部電極２１と上部電極２５との間に、上部電極２５に対応して分離された強誘電体膜２３が配置された構成であること。」 （１２）甲第１２号証 ア 甲第１２号証には、図面と共に以下の事項が記載されている。 「【００２２】 図４に示すように、メモリセルアレイ１ａは、基板１０上に順次積層されたトランジスタ層２０、キャパシタ層３０、及び配線層４０を有する。トランジスタ層２０は、上記セルトランジスタＴｒの機能を有する。キャパシタ層３０は、強誘電体キャパシタＣの機能を有する。また、トランジスタ層２０及びキャパシタ層３０は、上記メモリセルＭＣの機能を有する。」 （省略） 【００２８】 キャパシタ層３０は、図４に示すように、第１導電層３１、強誘電体層３２、ストッパー層３３、第２導電層３４、保護層３５、第３、第４コンタクトプラグ層３６、３７、及び層間絶縁層３８を有する。 【００２９】 第１導電層３１は、各々のコンタクト層２５の上面に形成されている。強誘電体層３２は、各々の第１導電層３１の上面にて、第１方向に所定距離をもって２つ形成されている。ストッパー層３３は、第１導電層３１の上面、すなわち、強誘電体層３２と同層に形成されている。ストッパー層３３は、強誘電体層３２の側面に接するように形成されている。第２導電層３４は、強誘電体層３２の上面及びストッパー層３３の上面に形成されている。」 図４ 「 ［図：0001384049000030.jpg］ 」 イ 上記記載及び図面によれば、甲第１２号証には、次の技術事項（以下、「甲第１２号証の技術事項」という。）が記載されている。 「基板１０上に順次積層されたトランジスタ層２０、キャパシタ層３０において、キャパシタ層３０は、第１導電層３１、強誘電体層３２、第２導電層３４を有し、強誘電体層３２は、各々の第１導電層３１の上面にて、第１方向に所定距離をもって２つ形成され、第２導電層３４は、強誘電体層３２の上面に形成されること。」 ４ 申立理由に対する判断 （１）申立理由１（特許法第２９条第１項第３号）及び申立理由２（特許法第２９条第２項）について ア 本件発明１と甲１発明１との対比、判断 （ア）対比 本件発明１と甲１発明１を対比する。 ａ 甲１発明１の「基板２」は「絶縁基板」であるから、本件発明１の「絶縁表面を有する基板」に相当する。 ｂ 甲１発明１の「第１シード層３１１と第１金属層３１２」とを含む「第１電極３１」は、導電層といえ、該「第１電極３１」は「基板２上」に配置されていることは明らかである。 ここで、甲第１号証に、本件発明１の「第１導電層」に含まれる「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分」に相当する構成が記載されているか否か検討する。 （ａ）本件訂正により「第１部分と第２部分との厚さの違いよって形成された段差」との発明特定事項が追加されたように、本件発明１における「第１部分」と「第２部分」とは「段差」を形成するための構成である（本件特許明細書段落【００５５】を参照）。 しかし、甲第１号証には、本件発明１の「第１導電層」に相当する「第１電極３１」に段差を形成させる技術思想は何等記載されていない。 （ｂ）また、甲第１号証に記載された「電子部品１の製造方法」に係る一部記載及び図１、図７Ａを再掲すると以下のとおりである。（下線は、当審で付与した。） 「【００４６】 図６Ｂは、図６Ａに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。レジスト７をパターニングした後、図６Ｂに示すように、第２シード層３３１上に第２金属層３３２を形成する。これにより、第２シード層３３１と第２金属層３３２とを含む第２電極３３が形成される。第２金属層３３２の形成方法および材質は、第１金属層３１２と同じであってもよい。 【００４７】 図６Ｃは、図６Ｂに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。第２電極３３を形成した後、図６Ｃに示すように、レジスト７を剥離する。 【００４８】 図７Ａは、図６Ｃに続く本実施形態による電子部品１の製造方法を示す断面図である。レジスト７を剥離した後、図７Ａに示すように、基板２の上面を全面エッチングすることで、第２シード層３３１の不要部分を除去するとともに、第２電極３３の厚みを減少させる。」 （下線は当審が付与した。） ［図：0001384049000031.jpg］ ［図：0001384049000032.jpg］ 図７Ａを参酌すると、第１金属層３１２に段差らしきものが見て取れるが、「本実施形態による電子部品１を示す断面図」である図１には段差は見当たらない。 そして、図７Ａを説明する段落【００４８】は「第２シード層３３１の不要部分を除去するとともに、第２電極３３の厚みを減少させる」工程を説明するものであり、第１電極３１に「段差」を形成させる工程を説明するものではない。 （ｃ）そして、上記段落【００４６】の「第２金属層３３２の形成方法および材質は、第１金属層３１２と同じであってもよい。」との記載によれば、原則、第１金属層３１２と第２金属層３３２との形成方法及び材質は異なるものであることは明らかであるから、段落【００４８】のように「基板２の上面を全面エッチングすることで、第２シード層３３１の不要部分を除去するとともに、第２電極３３の厚みを減少させ」たとしても、第２金属層３３２と形成方法及び材質が異なる第１金属層３１２における第２シード層３３１が除去して露出した部分がエッチングにより厚みが減少するとはいえない。 （ｄ）よって、甲第１号証には、本件発明１の「第１導電層」に含まれる「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分」に相当する構成が記載されているとはいえない。 以上（ａ）ないし（ｄ）によれば、甲第１号証に、本件発明１の「第１導電層」に含まれる「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分」に相当する構成が記載されているとはいえない。 してみると、甲１発明１において「基板２上」に配置され、「第１シード層３１１と第１金属層３１２」とを含む「第１電極３１」と本件発明１の「第１導電層」とは、「基板上に配置された第１導電層」である点で共通する。 ただし、第１導電層に関し、本件発明１は「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む」のに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｃ 甲１発明１の「第１誘電体３２」は「第１電極３１上」に配置されていることは明らかである。また、「第１誘電体３２」は絶縁体といえ、「気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で形成され」る「第１誘電体３２」は層状であることは当然のことである。 よって、甲１発明１の「第１電極３１上」に配置され「気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で形成され」る「第１誘電体３２」と本件発明１の「第１絶縁層」とは、「第１導電層上に配置された絶縁層」である点で共通する。 ただし、絶縁層に関し、本件発明１は「前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置され」ているのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｄ 甲１発明１の「第２シード層３３１と第２金属層３３２」とを含む「第２電極３３」は、導電層といえる。 そして、「第２電極３３」は「第１誘電体３２上」に、「第１誘電体３２」は「第１電極３１上」にそれぞれ配置されていることは明らかであるから、「第２電極３３」は「第１誘電体３２」に対して「第１電極３１」とは反対側に配置されるといえる。 よって、甲１発明１の「第１誘電体３２」に対して「第１電極３１」とは反対側に配置され、「第２シード層３３１と第２金属層３３２」とを含む「第２電極３３」と本件発明１の「第２導電層」とは、「前記第１絶縁層に対して前記第１導電層とは反対側に配置された第２導電層」である点で共通する。 ただし、第２導電層に関し、本件発明１は「第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され」るのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｅ 本件発明１は「第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」るのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｆ 本件発明１は「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｇ 本件発明１は「前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む」のに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点で相違する。 ｈ 甲１発明１の「第１電極３１」は「配線としての機能とを兼ね」るものであることから、「第１電極３１」が配置される「基板２」は、配線基板といえ、本件発明１の「配線基板」に相当する。 ｉ 上記ａないしｈによれば、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「絶縁表面を有する基板と、 基板上に配置された第１導電層と、 第１導電層上に配置された絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１導電層とは反対側に配置された第２導電層と、 を備える配線基板。」 ＜相違点５＞ 第１導電層に関し、本件発明１は「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む」のに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点６＞ 絶縁層に関し、本件発明１は「前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置され」ているのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点７＞ 第２導電層に関し、本件発明１は「第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され」るのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点８＞ 本件発明１は「第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」るのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点９＞ 本件発明１は「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点１０＞ 本件発明１は「前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む」のに対し、甲１発明１はその旨特定されていない点。 （イ）判断 ａ 特許法第２９条第１項について 本件発明１と甲１発明１とは上記相違点５ないし相違点１０を有するので、本件発明１は甲第１号証に記載された発明ではない。したがって、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではない。 ｂ 特許法第２９条第２項について まず、上記相違点５について検討する。 上記「（ア）ｂ」で述べたように、甲第１号証には、「第１電極３１」に段差を形成させる技術思想は何等記載されていない。 また、ＭＩＭキャパシタを構成する下部電極に段差を形成させることが周知・慣用であることを示す文献も提示されておらず、さらに、このような段差を甲１発明１の「第１電極３１」に採用する格別な理由も見当たらない。 そうすると、相違点５に係る構成は、甲１発明１に基づいて当業者が容易になし得たものではない。 したがって、本件発明１は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 よって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 イ 本件発明２と甲１発明２との対比、判断 （ア）対比 本件発明２と甲１発明２を対比する。 ａ 甲１発明２の「基板２」は「絶縁基板」であるから、本件発明２の「絶縁表面を有する基板」に相当する。 ｂ 甲１発明２の「第１シード層３１１と第１金属層３１２」とを含む「第１電極３１」は、導電層といえ、該「第１電極３１」は「基板２上」に配置されていることは明らかである。 そして、上記「ア（ア）」で述べたように、甲第１号証に、本件発明１の「第１導電層」に含まれる「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分」に相当する構成が記載されているとはいえないから、甲１発明２における「基板２上」に配置され、「第１シード層３１１と第１金属層３１２」とを含む「第１電極３１」と本件発明１の「第１導電層」とは、「基板上に配置された第１導電層」である点で共通する。 ただし、第１導電層に関し、本件発明２は「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む」のに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｃ 甲１発明２の「第１誘電体３２」は「第１電極３１上」に配置されていることは明らかである。また、「第１誘電体３２」は絶縁体といえ、「気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で形成され」る「第１誘電体３２」は層状であることは当然のことである。 よって、甲１発明２の「第１電極３１上」に配置され「気相成長法、スパッタ法、原子層堆積法等で形成され」る「第１誘電体３２」と本件発明１の「第１絶縁層」とは、「第１導電層上に配置された絶縁層」である点で共通する。 ただし、絶縁層に関し、本件発明２は「前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置され」ているのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｄ 甲１発明２の「第２シード層３３１と第２金属層３３２」とを含む「第２電極３３」は、導電層といえる。 そして、「第２電極３３」は「第１誘電体３２上」に、「第１誘電体３２」は「第１電極３１上」にそれぞれ配置されていることは明らかであるから、「第２電極３３」は「第１誘電体３２」に対して「第１電極３１」とは反対側に配置されるといえる。 よって、甲１発明２の「第１誘電体３２」に対して「第１電極３１」とは反対側に配置され、「第２シード層３３１と第２金属層３３２」とを含む「第２電極３３」と本件発明２の「第２導電層」とは、「前記第１絶縁層に対して前記第１導電層とは反対側に配置された第２導電層」である点で共通する。 ただし、第２導電層に関し、本件発明２は「第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され」るのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｅ 本件発明２は「第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」るのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｆ 本件発明２は「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｇ 甲１発明２の「第１シード層３１１」は「Ｎｉ、Ｃｕ、ＴｉまたはＣｒなどの金属」からなり、「スパッタ、蒸着または無電解めっき法等の成膜方法」で形成され、「第１金属層３１２」は「Ｃｕ」からなり、「電解めっき法」により形成さることから、「第１シード層３１１」と「第１金属層３１２」とは膜質が異なるといえ、本件発明２の「第１膜」と「第２膜」に相当する。 よって、甲１発明２の「第１電極３１」が、「第１シード層３１１」と「第１シード層３１１」と膜質が異なる「第１金属層３１２」を含むことは、本件発明２の「前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含」むことに相当する。 ｈ 甲１発明２において、「第１シード層３１１上に」「第１金属層３１２」が形成され、「第１シード層３１１と第１金属層３１２と」を含む「第１電極３１上」に「第１誘電体３２」が配置されるから、「第１金属層３１２」は「第１シード層３１１」と「第１誘電体３２」とに挟まれて配置されるといえる。 よって、甲１発明２において第１金属層３１２」は「第１シード層３１１」と「第１誘電体３２」とに挟まれて配置されることは、本件発明２の「前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され」ることに相当する。 ｉ 本件発明２は「前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い」のに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点で相違する。 ｊ 甲１発明２の「第１電極３１」は「配線としての機能とを兼ね」るものであることから、「第１電極３１」が配置される「基板２」は、配線基板といえ、本件発明２の「配線基板」に相当する。 ｋ 上記ａないしｊによれば、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「絶縁表面を有する基板と、 基板上に配置された第１導電層と、 第１導電層上に配置された絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１導電層とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置される、配線基板。」 ＜相違点１１＞ 第１導電層に関し、本件発明２は「第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む」のに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点１２＞ 絶縁層に関し、本件発明２は「前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置され」ているのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点１３＞ 第２導電層に関し、本件発明２は「第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置され」るのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点１４＞ 本件発明２は「第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」るのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点１５＞ 本件発明２は「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」するのに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点１６＞ 本件発明２は「前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い」のに対し、甲１発明２はその旨特定されていない点。 （イ）判断 ａ 特許法第２９条第１項について 本件発明２と甲１発明２とは上記相違点１１ないし相違点１６を有するので、本件発明２は甲第１号証に記載された発明ではない。したがって、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではない。 ｂ 特許法第２９条第２項について まず、相違点１１について検討すると、相違点１１は上記「ア（イ）ｂ」で検討した相違点５と同じであるから、相違点５に対する理由と同じ理由により、相違点１１に係る構成は、甲１発明１に基づいて当業者が容易になし得たものではない。 したがって、本件発明２は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 よって、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 ウ 本件発明３、６ないし８、１０、１５、１７、１８、２０ないし２２、２４と甲１発明１との対比、判断 （ア）特許法第２９条第１項第３号について 本件発明３、６ないし８、１０、１５、１７、１８、２０ないし２２、２４は、上記相違点５ないし１０に係る構成を備えるものであるから、本件発明１と同じ理由により、本件発明３、６ないし８、１０、１５、１７、１８、２０ないし２２、２４は甲第１号証に記載された発明ではない。 したがって、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件発明３、６ないし８、１０、１５、１７、１８、２０ないし２２、２４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものでない。 （イ）特許法第２９条第２項について また、本件発明１と同じ理由により、本件発明３、６ないし８、１０、１５、１７、１８、２０ないし２２、２４は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明３、６ないし８、１０、１５、１７、１８、２０ないし２２、２４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでない。 エ 本件発明２６、２８ないし３０、３５、３７、３８と甲１発明２との対比、判断 （ア）特許法第２９条第１項第３号について 本件発明２６、２８ないし３０、３５、３７、３８は、上記相違点１１ないし１６に係る構成を備えるものであるから、本件発明２と同じ理由により、本件発明２６、２８ないし３０、３５、３７、３８は甲第１号証に記載された発明ではない。 したがって、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件発明２６、２８ないし３０、３５、３７、３８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものでない。 （イ）特許法第２９条第２項について また、本件発明２と同じ理由により、本件発明２６、２８ないし３０、３５、３７、３８は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２６、２８ないし３０、３５、３７、３８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでない。 オ 本件発明４と甲１発明１又は甲１発明２との対比、判断 （ア）本件発明４は、請求項１又は請求項２を引用する請求項４に係る発明であるところ、請求項１を引用する請求項４に係る発明と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（５１頁第２０ないし２６行を参照）において、「甲第１号証に記載のキャパシタは、上部電極となる第２電極３３の縁部は誘電体３２から離れているが、一部が離れていないように設定することも、ＭＩＭキャパシタの、例えば甲第２号証の図１（・・省略・・）、甲第３号証の図２（・・省略・・）にみられるように一般的なものであるから、甲第１号証の第２電極３３の縁部の一部を誘電体３２の縁部と一致させる程度のことは、当業者が適宜なし得ることである。」と主張するが、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項（上記「４」「（２）（３）」）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、請求項１を引用する請求項４に係る発明は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）次に、請求項２を引用する請求項４に係る発明と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記（ア）で述べたように、請求項１を引用する請求項４に係る発明に対する理由と同じ理由により、甲１発明２、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （ウ）よって、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 カ 本件発明５と甲１発明１、本件発明２７と甲２発明２との対比、判断 （ア）本件発明５と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（５２頁第１１ないし１７行を参照）において、「このエッチングの際に、甲第４号証及び甲第５号に記載のように、上層と下層のエッチング偏差により、第１部分と第２部分との境界が上層（誘電体３２）からサイドエッチングされるものであるが、そのエッチング距離はわずかであって、第２導電層の縁部から第１縁部までの距離より小さくなるといえ、請求項５において特定する事項は実質的に甲第１号証が開示するところである。また、甲第１号証の開示事項から当業者が適宜定めることである。」と主張するが、甲第２号証ないし甲第５号証に記載された技術事項（上記「４」「（２）ないし（５）」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第４号証及び甲第５号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、本件発明５は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１及び甲第２号証ないし甲第５号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）次に、本件発明２７と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記（ア）で述べたように、本件発明５に対する理由と同じ理由により、甲１発明２甲第２号証ないし甲第５号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （ウ）よって、本件発明５及び本件発明２７は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証ないし甲第５号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでないから、本件発明５及び本件発明２７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 キ 本件発明９と甲１発明１、本件発明３１と甲１発明２との対比、判断 本件発明９と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、本件発明１と同じ理由により、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、本件発明３１と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違するから、本件発明２と同じ理由により、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 よって、本件発明９、３１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでない。 ク 本件発明１１と甲１発明１、本件発明３２と甲１発明２との対比、判断 （ア）本件発明１１と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（５５頁第２５行ないし５６頁第５行を参照）において「ＭＩＭキャパシタの構造として、下部電極と誘電体の縁部が揃うように配置された構造は、例えば甲第２号証の図１（・・省略・・）、甲第６号証の図１７（・・省略・・）にみられるように一般的なものであるから、、甲第１号証の第１金属層３１２の縁部と誘電体３２の縁部とを一致させる程度のことは、当業者が適宜なし得ることである。そうすると、第１金属層３１２の外縁は、第１の部分の側面および第２の部分の側面を含むものとなることは明らかである。」と主張するが、甲２号証及び甲第６号証に記載された技術事項（上記「４」「（２）」「（６）イ」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第２号証及び甲第６号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、本件発明１１は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１、甲第２号証及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）次に、本件発明３２と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記（ア）で述べたように、本件発明１１に対する理由と同じ理由により、甲１発明２、甲第２号証及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （ウ）よって、本件発明１１及び本件発明３２は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでないから、本件発明１１及び本件発明３２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 ケ 本件発明１２と甲１発明１、本件発明３３と甲２発明２との対比、判断 （ア）本件発明１２は、請求項１１を引用する請求項１２に係る発明であるところ、本件発明１２と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（５６頁第１６ないし２０行を参照）において「ＭＩＭＩキャパシタの構造として、絶縁層が下部電極の側面を覆うようにして形成された構造は、例えば甲第７号証の図７（ｃ）（・・省略・・）、甲第８号証の図７（・・省略・・）にみられるように特別なものではないから、このような構造を採用する程度のことは、当業者が適宜なし得ることである。」と主張するが、甲第７号証及び甲第８号証に記載された技術事項（上記「４」「（７）、（８）」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第７号証及び甲第８号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、本件発明１２は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１、甲第２号証に記載された技術事項、甲第６号証ないし甲第８号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）次に、本件発明３３は、請求項３２を引用する請求項３３に係る発明であるところ、本件発明３３と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記（ア）で述べたように、本件発明１２に対する理由と同じ理由により、甲１発明２、甲第２号証に記載された技術事項、甲第６号証ないし甲第８号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （ウ）よって、本件発明１２及び本件発明３３は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載された技術事項、甲第６号証ないし甲第８号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでないから、本件発明１２及び本件発明３３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 コ 本件発明１３と甲１発明１、本件発明３４と甲２発明２との対比、判断 （ア）本件発明１３は、請求項１１及び請求項１２を引用する請求項１３に係る発明であるところ、本件発明１３と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（５７頁第５ないし１０行を参照）において「ＭＩＭキャパシタの構造として、絶縁層が上部電極と下部電極の側面に挟まれる構造は、例えば甲第２号証の図１（・・省略・・）、甲第３号証の図２（・・省略・・）にみられるように特別なものではないから、このような構造を採用する程度のことは、当業者が適宜なし得ることである。」と主張するが、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項（上記「４」「（２）、（３）」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、本件発明１３は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項、及び、甲第６号証ないし甲第８号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）次に、本件発明３４は、請求項３２及び請求項３３を引用する請求項３４に係る発明であるところ、本件発明３４と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記（ア）で述べたように、本件発明１３に対する理由と同じ理由により、甲１発明２、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項、及び、甲第６号証ないし甲第８号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （ウ）よって、本件発明１３及び本件発明３４は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術事項、及び、甲第６号証ないし甲第８号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでないから、本件発明１３及び本件発明３４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 サ 本件発明１６と甲１発明１又は甲１発明２との対比、判断 （ア）特許法第２９条第１項第３号について 本件発明１６は、請求項１及び請求項１５又は請求項２及び請求項１５を引用する請求項１６に係る発明であるところ、請求項１及び請求項１５を引用する請求項１６に係る発明と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、請求項１及び請求項１５を引用する請求項１６にかかる発明は、甲第１号証に記載された発明ではない。 また、請求項２及び請求項１５を引用する請求項１６にかかる発明と甲１発明２とは、少なくとも上記相違点１１ないし１６にかかる点で相違するから、請求項２及び請求項１５を引用する請求項１６にかかる発明は、甲第１号証に記載された発明ではない。 したがって、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件発明１６にかかる特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではない。 （イ）特許法第２９条第２項について ａ まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（５８頁第９ないし１３行を参照）において「シード層（下地層、給電層）と下部電極（本体層、導電層）の側面にエッチングレートの違いにより窪みが形成されることは甲第９号証及び甲第１０号証に記載されているように、周知の技術事項である。そして、甲第１号証に記載された第１電極３１は第１シード層３１１に第１金属層３１２を形成したものであるから、相違点１３は実質的に甲第１号証に記載されている。」と主張するが、甲第９号証及び甲第１０号証に記載された技術事項（上記「４」「（９）（１０）」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第９号証及び甲第１０号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、請求項１及び請求項１５を引用する請求項１６に係る発明は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１、甲第９号証及び甲第１０号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 ｂ 次に、請求項２及び請求項１５を引用する請求項１６に係る発明と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記ａで述べたように、請求項１及び請求項１５を引用する請求項１６に係る発明に対する理由と同じ理由により、甲１発明２、甲第９号証及び甲第１０号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 ｃ よって、本件発明１６は、甲第１号証に記載された発明、甲第９号証及び甲第１０号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 シ 本件発明１９と甲１発明１、本件発明３６と甲２発明２との対比、判断 （ア）本件発明１９と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（６０頁第６ないし１１行を参照）において「ＭＩＭキャパシタの構造として、絶縁層に対して下部電極の反対側に上部電極を複数揃える構造は、例えば甲第１１号証の図２（・・省略・・）、甲第１２号証の図４（・・省略・・）にみられるように特別なものではないから、このような構造を採用する程度のことは、当業者が適宜なし得ることである。」と主張するが、甲第１１号証及び甲第１２号証に記載された技術事項（上記「４」「（１１）、（１２）」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第１１号証及び甲第１２号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、本件発明１９は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１、甲第１１号証及び甲第１２号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）次に、本件発明３６と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記（ア）で述べたように、本件発明１９に対する理由と同じ理由により、甲１発明２、甲第１１号証及び甲第１２号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （ウ）よって、本件発明１９及び本件発明３６は、甲第１号証に記載された発明、甲第１１号証及び甲第１２号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでないから、本件発明１９及び本件発明３６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない ス 本件発明２３と甲１発明１又は甲１発明２との対比、判断 （ア）特許法第２９条第１項第３号について 本件発明２３は、請求項１及び請求項２１又は請求項２及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明であるところ、請求項１及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明と甲１発明１とは、少なくとも上記相違点５ないし１０に係る点で相違するから、請求項１及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明ではない。 また、請求項２及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明と甲１発明２とは、少なくとも上記相違点１１ないし１６に係る点で相違するから、請求項２及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明ではない。 したがって、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件発明２３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものでない。 （イ）特許法第２９条第２項について ａ まず上記相違点５について検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（６２頁第１５ないし１９行を参照）において「下部電極が複数の膜を含み、貫通電極は複数の膜を含み、下部電極における基板に最も近い膜が貫通電極における基板に最も近く膜まで、連続して延びるように形成することは、甲第６号証に記載されている（・・省略・・）ように、普通に採用されることであり、相違点２０は実質的に甲第１号証に記載されている。」と主張するが、甲第６号証に記載された技術事項（上記「４」「（６）ウ」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第６号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、請求項１及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 ｂ 次に、請求項２及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記ａで述べたように、請求項１及び請求項２１を引用する請求項２３に係る発明に対する理由と同じ理由により、甲１発明２及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 ｃ よって、本件発明２３は、甲第１号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 セ 本件発明２５と甲１発明１又は甲１発明２との対比、判断 （ア）本件発明２５は、請求項１又は請求項２を引用する請求項２５に係る発明であるところ、請求項１を引用する請求項２５に係る発明と甲１発明１とは、少なくとも相違点５ないし１０に係る点で相違するから、まず、相違点５から検討する。 特許異議申立人は、異議申立書（６３頁第１７ないし２０行を参照）において「電子部品として配線基板に半導体チップを搭載することは、例えば、甲第６号証の記載事エ）オ）に記載のように公知であり、相違点２３は、甲第６号証に基づいて、当業者が容易になし得ることである。」と主張するが、甲第６号証に記載された技術事項（上記「４」「（６）エ」を参照）には、配線基板上に形成されるキャパシタの下部電極に段差を形成することは記載されていない。 してみると、甲１発明１に甲第６号証に記載された技術事項を採用したとしても、相違点５に係る構成を得ることはできない。 したがって、請求項１を引用する請求項２５に係る発明は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明１及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）次に、請求項２を引用する請求項２５に係る発明と甲１発明２とは、少なくとも相違点１１ないし１６に係る点で相違し、相違点１１は相違点５と同じであるから、上記（ア）で述べたように、請求項１を引用する請求項２５に係る発明に対する理由と同じ理由により、甲１発明２及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （ウ）よって、本件発明２５は、甲第１号証に記載された発明及び甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 ソ 特許異議申立人の意見書における主張について （ア）特許異議申立人は令和３年１０月２６日付け意見書において、 ａ「記載事項ａ）ないしｃ）の図７Ａの説明によれば、基板２の上面を全面エッチングする際に第２シード層３３１の不要部分の除去とともに第２電極３３（第２金属層３３２）の厚みを減少させます。その際の現象については次のように理解できます。基板２の上面の全面エッチングは、短絡防止のため第２シード層３３１の不要部分を確実に除去することが必要であり、そのためには第１金属層３１２の上面が少なくとも露出するまでエッチングすることが必要となります。そして、段落【００４６】に記載されているように第２金属層３３２は第１金属層３１２と同じであってもよいものとされることから、第２電極３３（第２金属層３３２）の厚みがエッチングにより減少するように、露出した第１金属層３１２についてもエッチングによりわずかに減少するものと考えられます。そして、この基板２の上面が全面エッチングされた状態として、図７Ａに段差を有する第１金属層３１２が図示されています。すなわち、第１金属層３１２の誘電体３２から露出した部分は誘電体３２が配置される部分よりその厚みが減少しています。なお、この現象は、本件特許明細書の段落【００６８】に記載された「第１上部導電層１２３のうち、第１絶縁層１３から露出している部分の一部を除去して段差１２ｓを形成する。このとき、第１上部導電層１２３から露出されているシード層１２１０についても除去される。すなわち、第１導電層１２のうち、境界１２－１ｐより外側において第２部分１２－２の上面１２－２ｕが形成される。」と同様の現象であります。 したがって、第１金属層３１２は、誘電体３２が配置される部分の第１の厚さおよび第１厚さより薄い第２の厚さを有し、誘電体３２の配置される部分（以下、「第１の部分」といいます。）に隣接する部分（以下、「第２の部分」といいます。）を含むものであります。そして、上記製造方法からみて、第１の部分と第２の部分の厚さの違いによって形成された段差が誘電体３２の縁部に沿って配置されることは明らかであり、上記訂正事項ａ「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」ることが記載されています。」と主張し（３頁１行ないし４頁１８行を参照）、 ｂ 「甲第１号証においては、誘電体３２から露出した第１金属層３１２は誘電体３２をマスクとしてエッチングされて厚みが減少するものです。このエッチングの際に、上層（誘電体３２)と下層（第１金属層３１２)のエッチング偏差により、第１金属層３１２の第１の部分と第２の部分との境界の側面が誘電体３２からサイドエッチングされます。そのため、誘電体の縁部は、第１の部分と第２の部分との境界よりも第2の部分側に位置することは技術的に明らかであり、上記訂正事項ｂ「前記第１絶縁層の縁部は、前記第１部分と前記第２部分との境界よりも前記第２部分側に位置」することは、甲第１号証に接した当業者が想定する事項であります。」と主張する。（４頁１９行ないし５頁２行を参照） （イ）上記ａの点について検討すると、上記「ア（ア）ｂ」で述べたように、甲第１号証には、本件発明１の「第１導電層」に相当する「第１電極３１」に段差を形成させる技術思想は何等記載されておらず、また、段落【００４６】の記載によれば、原則、第１金属層３１２と第２金属層３３２との形成方法及び材質は異なるものであることは明らかであるから、段落【００４８】のように「基板２の上面を全面エッチング」したとしても、第１金属層３１２における第２シード層３３１が除去して露出した部分がエッチングにより厚みが減少するとはいえない。 また、本件特許明細書の段落【００６８】に記載された製造工程は、「第１上部導電層１２３」（本件発明１の「第1導電層」の一部に相当）のうち、第１絶縁層１３から露出している部分の一部を除去して段差１２ｓを形成しつつ、第１上部導電層１２３から露出されている「シード層１２１０」（本件発明１の「第1導電層」の一部に相当）についても除去するエッチング工程であるところ、甲第１号証項に記載された段落【００４８】及び図７Ａは、「第２シード層３３１」（本件発明１の「第２導電層」の一部に相当）の不要部分を除去するとともに、「第２電極３３」（本件発明１の「第２導電層」の一部に相当）の厚みを減少させるエッチング工程であることから、両者はエッチングする対象が異なり、さらにエッチングする理由も異なることから、同様の現象を起こすものとはいえない。 （ウ）上記ｂの点について検討すると、甲第１号証には「誘電体３２から露出した第１金属層３１２は誘電体３２をマスクとしてエッチングされて厚みが減少する」ことは記載されていないし、上記「ア（ア）ｂ」で述べたように、段落【００４６】、【００４８】の記載からしても、「基板２の上面を全面エッチング」したとしても、第１金属層３１２における第２シード層３３１が除去して露出した部分がエッチングにより厚みが減少するとはいえない。 さらに、甲第１号証には、上層（誘電体３２)と下層（第１金属層３１２)のエッチング偏差により、第１金属層３１２の第１の部分と第２の部分との境界の側面が誘電体３２からサイドエッチングされることも記載されていないから、誘電体３２の縁部が、第１の部分と第２の部分との境界よりも第２の部分側に位置するともいえない。 （エ）以上から、特許異議申立人の主張は採用できない。 タ 申立理由１及び申立理由２についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件発明１ないし３、６ないし８、１０、１５ないし１８、２０ないし２４、２６、２８ないし３０、３５、３７、３８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではなく、また、本件発明１ないし１３、１５ないし３８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでもない。 （２）申立理由３（特許法第２９条の２）について ア 甲第１３号証の記載事項、先願発明 甲第１３号証の先願明細書等に記載された記載事項、及び、甲第１３号証の先願明細書等に記載された発明は、上記「第４ ２ （１）」「アないしウ」に記載したとおりである。 イ 本件発明１、２、４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５と先願発明との対比 上記「第４ ２ （１）」で述べたように、本件発明１、２、４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５は、甲第１号証に記載された発明と実質同一ではないので、本件発明１、２、４、１０、１４ないし１７、２１ないし２３、２５に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 ウ 本件発明３と先願発明１、本件発明２６と先願発明２との対比 （ア）本件発明３は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項３を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加したものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（ア）」で述べた点を踏まえれば、本件発明３と先願発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む、配線基板。」 ＜相違点１７＞ 段差に関し、本件発明３は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点１８＞ 本件発明３は、「第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうちの前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている」のに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 まず、相違点１８について検討する。 先願発明１では「上部電極１１４」及び「誘電体層１１１」は「凸部上面１０６ｂの内側」に形成にされるところ、先願明細書の段落【００６１】に記載されているように、「誘電体層１１１」は、上部電極１１４をマスクとして凸部上面１０６ｂの内側に形成されるから、先願発明１において、「上部電極１１４」は、その端が「誘電体層１１１」の端と一致するように形成されるから、「上部電極１１４」が「誘電体層１１１」の端から隔離して配置されることはない。 したがって、上記相違点１８は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、上記相違点１７について判断するまでもなく、本件発明３に係る発明は、先願発明１と実質同一ではない。 （イ）本件発明２６は、訂正前の請求項２を引用する訂正前の請求項３を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加し、新たな請求項２６としたものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（イ）」で述べた点を踏まえれば、本件発明２６と先願発明２とは、次の一致点及び相違点を有する。 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い、配線基板。」の点で一致し、 以下の点で相違する。 ＜相違点１９＞ 段差に関し、本件発明２６は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点２０＞ 本件発明２６は「前記第２導電層は、前記第１絶縁層の縁部のうち前記第２部分側に対応する第１縁部から離隔して配置されている」のに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 まず、相違点２０について検討する。 相違点２０は、上記（ア）で述べた相違点１８と同じであるから、相違点１８に対する理由と同じ理由により、相違点２０は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、上記相違点１９について判断するまでもなく、本件発明２６に係る発明は、先願発明２と実質同一ではない。 （ウ）よって、本件発明３、２６は、甲第１３号証の先願明細書等に記載された発明と実質同一ではないので、本件発明３、２６に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 エ 本件発明８と先願発明１、本件発明３０と先願発明２との対比 （ア）本件発明８は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項８を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加したものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（ア）」で述べた点を踏まえれば、本件発明８と先願発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む、配線基板。」 ＜相違点２１＞ 段差に関し、本件発明８は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点２２＞ 本件発明８は、「第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい」のに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 まず、相違点２２について検討する。 甲第１３号証の先願明細書等には、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との境界から下部電極１０５の端の基板表面の法線方向に沿って見た距離と、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との厚みの差との関係性は何等記載されていない。 したがって、相違点２２は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点２１について判断するまでもなく、本件発明８に係る発明は、先願発明１と実質同一ではない。 （イ）本件発明３０は、訂正前の請求項２を引用する訂正前の請求項８を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加し、新たな請求項３０としたものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（イ）」で述べた点を踏まえれば、本件発明３０と先願発明２とは、次の一致点及び相違点を有する。 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い、配線基板。」の点で一致し、 以下の点で相違する。 ＜相違点２３＞ 段差に関し、本件発明３０は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点２４＞ 本件発明３０は「前記第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第１厚さと前記第２厚さとの差より大きい」のに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 まず、相違点２４について検討する。 相違点２４は、上記（ア）で述べた相違点２２と同じであるから、相違点２２に対する理由と同じ理由により、相違点２４は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点２３について判断するまでもなく、本件発明３０に係る発明は、先願発明２と実質同一ではない。 （ウ）よって、本件発明８、３０は、甲第１３号証の先願明細書等に記載された発明と実質同一ではないので、本件発明８、３０に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 オ 本件発明９と先願発明１、本件発明３１と先願発明２との対比 （ア）本件発明９は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項９を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加したものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（ア）」で述べた点を踏まえれば、本件発明９と先願発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含む、配線基板。」 ＜相違点２５＞ 段差に関し、本件発明９は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点２６＞ 本件発明９は、「第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である」のに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 まず、相違点２６について検討する。 甲第１３号証の先願明細書等には、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」と「凸部の上面１０６ｂと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」との境界から下部電極１０５の端の基板表面の法線方向に沿って見た距離と、「凸部以外の下部電極１０５の上面１０６ａと下部電極１０５の下面との間の下部電極１０５の部分」の厚さとの関係性は何等記載されていない。 したがって、相違点２６は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点２５について判断するまでもなく、本件発明９に係る発明は、先願発明１と実質同一ではない。 （イ）本件発明３１は、訂正前の請求項２を引用する訂正前の請求項９を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加し、新たな請求項３１としたものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（イ）」で述べた点を踏まえれば、本件発明３１と先願発明２とは、次の一致点及び相違点を有する。 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄い、配線基板。」の点で一致し、 以下の点で相違する。 ＜相違点２７＞ 段差に関し、本件発明３１は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点２８＞ 本件発明３１は「第１部分と前記第２部分との境界から前記第２部分の縁部までの前記基板の表面の法線方向に沿って見た場合における距離は、前記第２厚さの１０％以上である」のに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 まず、相違点２８について検討する。 相違点２８は、上記（ア）で述べた相違点２６と同じであるから、相違点２６に対する理由と同じ理由により、相違点２８は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点２７について判断するまでもなく、本件発明３１に係る発明は、先願発明２と実質同一ではない。 （ウ）よって、本件発明９、３１は、甲第１３号証の先願明細書等に記載された発明と実質同一ではないので、本件発明９、３１に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 カ 本件発明１８と先願発明１、本件発明３５と先願発明２との対比 （ア）本件発明１８は、訂正前の請求項１及び請求項１７を引用する訂正前の請求項１８を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加したものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（ア）」で述べた点を踏まえれば、本件発明１８と先願発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記第２部分および前記第１絶縁層に接触する第２絶縁層をさらに備え、 前記第１絶縁層は、無機材料を含み、 前記第２絶縁層は、有機材料を含む、配線基板。」 ＜相違点２９＞ 段差に関し、本件発明１８は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点３０＞ 本件発明１８は、「第２絶縁層は、開口を有し、前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている」のに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 まず、相違点３０について検討する。 甲第１３号証の先願明細書の段落【００６１】によれば、「誘電体層１１１」は「上部電極１１４をマスク」として形成されるから、「誘電体層１１１」の端の位置と「上部電極１１４」の端の位置は一致し、「誘電体層１１１」と「上部電極１１４」との間に、本件発明１８の「第２絶縁層」に相当する「絶縁樹脂層１３１」が配置され得ない。 したがって、相違点３０は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点２９について判断するまでもなく、本件発明１８に係る発明は、先願発明１と実質同一ではない。 （イ）本件発明３５は、訂正前の請求項２及び請求項１７を引用する訂正前の請求項１８を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加し、新たな請求項３５としたものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（イ）」で述べた点を踏まえれば、本件発明３５と先願発明２とは、次の一致点及び相違点を有する。 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記第２部分および前記第１絶縁層に接触する第２絶縁層をさらに備え、 前記第１絶縁層は、無機材料を含み、 前記第２絶縁層は、有機材料を含む、配線基板。」 ＜相違点３１＞ 段差に関し、本件発明３５は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点３２＞ 本件発明３５は、「第２絶縁層は、開口を有し、前記第２導電層は、前記開口を規定する前記第２絶縁層の側面と接触し、前記第２導電層と前記第１絶縁層との間の一部に前記第２絶縁層が配置されている」のに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 まず、相違点３２について検討する。 相違点３２は、相違点３０と同じであるから、相違点３０に対する理由と同じ理由により、相違点３２は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点３１について判断するまでもなく、本件発明３５に係る発明は、先願発明２と実質同一ではない。 （ウ）よって、本件発明１８、３５は、甲第１３号証の先願明細書等に記載された発明と実質同一ではないので、本件発明１８、３５に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 キ 本件発明２４と先願発明１、本件発明３８と先願発明２との対比 （ア）本件発明２４は、訂正前の請求項１及び請求項２１を引用する訂正前の請求項２１を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加したものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（ア）」で述べた点を踏まえれば、本件発明２４と先願発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１絶縁層側において同一材料で形成された領域を含み、 前記基板を貫通する貫通電極をさらに備え、 前記貫通電極は、前記第１導電層に電気的に接続する、配線基板。」 ＜相違点３３＞ 段差に関し、本件発明２４は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 ＜相違点３４＞ 本件発明２４は、「前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える」のに対し、先願発明１はその旨特定されていない点。 まず、相違点３４について検討する。 甲第１３号証の先願明細書等には、キャパシタ内蔵ガラス回路基板にインダクタを内蔵させることは記載されていないから、「第１導電層に接続された貫通電極」を含む「インダクタ」を備えることは、課題解決のための具体化手段における微差であるとはいえない。 したがって、相違点３４は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点３３について判断するまでもなく、本件発明２４に係る発明は、先願発明１と実質同一ではない。 （イ）本件発明３８は、訂正前の請求項２及び請求項２１を引用する訂正前の請求項２４を独立形式に改め、さらに、「前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が前記第１絶縁層の縁部に沿って配置され」との発明特定事項を追加し、新たな請求項３８としたものであるから、上記「第４ ２ （１）イ（イ）」で述べた点を踏まえれば、本件発明３８と先願発明２とは、次の一致点及び相違点を有する。 「 絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に配置された第１導電層であって、第１厚さを有する第１部分および当該第１厚さよりも薄い第２厚さを有し当該第１部分に隣接する第２部分を含む第１導電層と、 前記第２部分から離隔して前記第１部分上に配置された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層に対して前記第１部分とは反対側に配置された第２導電層と、 を備え、 前記第１部分と前記第２部分との厚さの違いによって形成された段差が配置され、 前記第１導電層は、第１膜および当該第１膜とは膜質が異なる第２膜を含み、 前記第２膜は、前記第１膜と前記第１絶縁層とに挟まれて配置され、 前記第２部分における前記第２膜は、前記第１部分における前記第２膜よりも薄く、 前記基板を貫通する貫通電極をさらに備え、 前記貫通電極は、前記第１導電層に電気的に接続する、配線基板。」 ＜相違点３５＞ 段差に関し、本件発明３８は「第１絶縁層の縁部に沿って」配置されるのに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 ＜相違点３６＞ 本件発明３８は、「前記第１導電層に接続された前記貫通電極を含むインダクタをさらに備える」のに対し、先願発明２はその旨特定されていない点。 まず、相違点３６について検討する。 相違点３６は、相違点３４と同じであるから、相違点３４に対する理由と同じ理由により、相違点３６は課題解決のための具体化手段における微差ではないため、相違点３５について判断するまでもなく、本件発明３８に係る発明は、先願発明２と実質同一ではない。 （ウ）よって、本件発明２４、３８は、甲第１３号証の先願明細書等に記載された発明と実質同一ではないので、本件発明２４、３８に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 ク 申立理由３についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件発明１ないし４、８ないし１０、１４ないし１８、２１ないし２５、２６、３０、３１、３５、３８に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 （３）申立理由４（特許法第３６条第４項第１号及び同第６項第１号）について ア 特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の請求項４に関して、 「請求項４で特定している「第２導電層の縁部と、第１絶縁層の縁部のうち第２部分側に対応する第１縁部とが揃う」構造は、段落【００５８】の記載によれば、ｄ１が０μｍの場合であるものと一応理解できる。そして、ｄ１が０μｍである場合の実施形態として、第１４実施形態として説明がなされ、第１４実施形態の製造方法についても、段落【０１１７】、【０１１８】、【図４２】及び【図４３】で説明がなされている。しかしながら、ここに記載された製造方法では、第２導電層の縁部と、第１絶縁層の縁部のうち第２部分側に対応する第１縁部とが全て揃う構造になるのであるから、第２導電層の縁部と、第１絶縁層の縁部のうち第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含む構造を示すものではない。そして、発明の詳細な説明に、請求項４で特定されている「第２導電層の縁部と、第１絶縁層の縁部のうち第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含む」構造に関する記載は見当たらない。 したがって、請求項４に記載された発明は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 また、請求項４に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されておらず、その発明を実施するための記載もないから、当業者が請求項４に係る発明をどのように実施すればよいかがわからない。 したがって、請求項４に記載された発明を当業者が実施することができる程度に発明に詳細な説明に記載されておらず、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。」と主張し、訂正前の請求項５に関して、 「請求項５に記載された発明は請求項４を引用するものであるから、請求項４と同様に、特許法第３６条第６項第１号及び特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。」と主張する。（異議申立書第７３頁第１１行ないし同第７４頁６行参照。なお、上記下線部は特許異議申立人が付与している。） イ ここで、本件特許明細書の【００５９】に「境界１２－１ｐ、側面１２－２ｅ、側面１３ｅおよび側面１４ｅは、・・・、第１部分１２－１の縁部、第２部分１２－２の縁部、第１絶縁層１３の縁部および第２導電層１４の縁部、にそれぞれ対応する。」、段落【００５７】に「ｄ１は、第２導電層１４の側面１４ｅと第１絶縁層１３の側面１３ｅとの距離に対応する。」、同段落【００５８】に「ｄ１を小さくするときには、側面１３ｅと側面１４ｅとがほぼ一致し、ｄ１が０μｍになる場合もある。」、同段落【０１１５】に「図４１は、本開示の第１４実施形態に係るキャパシタを示す概略断面図である。図４１に示すキャパシタ１００Ｍは、第１実施形態におけるキャパシタ１００においてｄ１＝０である場合に相当する。すなわち、第１絶縁層１３の側面１３ｅと、第２導電層１４Ｍの側面１４Ｍｅとが同一面を形成し、基板１１の表面の法線方向に沿って見た場合に、側面１３ｅと側面１４Ｍｅとが揃っている。」、同段落【０１１７】に「図４２は、本開示の第１４実施形態に係るキャパシタを製造する方法を説明する図である。・・（省略）・・。」、同段落【０１１８】に「図４３は、本開示の第１４実施形態に係るキャパシタを製造する方法を説明する図である。・・・図４１に示すキャパシタ１００Ｍが実現される。」と記載され、図４によれば、「第２部分１２－２」側に対応する「第１絶縁層１３」の「側面１３ｅ」が見て取れる。 してみると、本件特許明細書及び図面には、「第２導電層の縁部」と、「第１絶縁層の縁部のうち第２部分側に対応する第１縁部」とが全て揃うキャパシタ構造が開示されており、当該キャパシタ構造は、「第２導電層の縁部と、第１絶縁層の縁部のうち第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含む」構造の一例を示していることは明らかである。 そして、上記各段落の記載及び図面からすれば、本件特許明細書には「第２導電層の縁部と、第１絶縁層の縁部のうち第２部分側に対応する第１縁部とが揃う部分を含む」構造を実施することができる程度に記載されているといえる。 したがって、請求項４に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであり、その発明を実施することも記載されている。 ウ 以上から、特許異議申立人の主張を採用することはできない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した異議申立理由によっては、請求項１ないし３８に係る特許を取り消すことはできない。また、他に取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。