2020-700709

第１　手続の経緯

特許第６６７０１５６号の請求項１～１１に係る特許についての出願は，平成２８年４月５日に出願され，令和２年３月３日にその特許権の設定登録がされ，令和２年３月１８日に特許掲載公報が発行された。その後，その特許に対し，令和２年９月１７日に特許異議申立人合同会社ＳＡＳ（以下「申立人」という。）は，特許異議の申立てを行った。

第２　本件特許

特許６６７０１５６号の請求項１～１１の特許に係る発明（以下「本件発明１」～「本件発明１１」という。）は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。

「【請求項１】

相対向する電極間に介在され，前記相対向する電極を電気的に接続するために用いられる回路部材接続用シートであって，

前記回路部材接続用シートは，基材と，前記基材の少なくとも一方の面側に積層された粘着剤層と，前記粘着剤層における前記基材とは反対の面側に積層された硬化性の接着剤層とを備え，

前記接着剤層を構成する材料は，硬化前における９０℃での溶融粘度が１．０×１００Ｐａ・ｓ以上，５．０×１０５Ｐａ・ｓ以下であり，硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下であり，

続きを表示（全25行）

前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は，１×１０３Ｐａ以上，１×１０９Ｐａ以下であることを特徴とする回路部材接続用シート。

【請求項２】

前記接着剤層を構成する材料の硬化物は，ガラス転移温度が１５０℃以上，３５０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路部材接続用シート。

【請求項３】

前記接着剤層を構成する材料の硬化物は，熱重量測定による５％質量減少温度が３５０℃以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路部材接続用シート。

【請求項４】

前記基材の厚さ（Ｔ１）に対する前記接着剤層の厚さ（Ｔ２）の比（Ｔ２／Ｔ１）は，０．０１以上，５．０以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の回路部材接続用シート。

【請求項５】

前記接着剤層の厚さ（Ｔ２）の標準偏差は，２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の回路部材接続用シート。

【請求項６】

前記接着剤層の硬化後の２３℃における貯蔵弾性率は，１．０×１０２ＭＰａ以上，１．０×１０５ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の回路部材接続用樹脂シート。

【請求項７】

前記基材の２３℃における引張弾性率は，１００ＭＰａ以上，５０００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の回路部材接続用シート。

【請求項８】

前記接着剤層は，示差走査熱量分析法により昇温速度１０℃／分で測定される発熱開始温度（ＴＳ）が，７０℃～１５０℃の範囲内であり，発熱ピーク温度（ＴＰ）が，ＴＳ＋５～６０℃であることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の回路部材接続用シート。

【請求項９】

前記相対向する電極は，半導体チップに設けられた貫通電極であることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の回路部材接続用シート。

【請求項１０】

請求項１～９のいずれか一項に記載の回路部材接続用シートの前記接着剤層における前記粘着剤層とは反対の面と，バンプを備えた半導体ウエハにおける前記バンプが存在する面とを貼合する工程，　前記半導体ウエハを，前記回路部材接続用シートの前記接着剤層とともにダイシングし，接着剤層付き半導体チップに個片化する工程，　個片化された前記接着剤層付き半導体チップの前記バンプと，電極を備える回路基板の前記電極とが電気的に接合するように，前記接着剤層付き半導体チップを前記回路基板上に載置する工程，および　前記接着剤層付き半導体チップにおける前記接着剤層を硬化して，前記半導体チップと前記回路基板とを接着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項１１】

請求項１～９のいずれか一項に記載の回路部材接続用シートの前記接着剤層における前記粘着剤層とは反対の面と，貫通電極を備えた半導体ウエハの少なくとも一方の面とを貼合する工程，　前記半導体ウエハを，前記回路部材接続用シートの前記接着剤層とともにダイシングし，接着剤層付き半導体チップに個片化する工程，　個片化された複数の前記接着剤層付き半導体チップを，前記貫通電極同士が電気的に接続され且つ前記接着剤層と前記半導体チップとが交互に配置されるように複数積層して，半導体チップ積層体を得る工程，および　前記半導体チップ積層体における前記接着剤層を硬化して，前記半導体チップ積層体を構成する前記半導体チップ同士を接着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」

第３　申立理由の概要

申立人は，主たる証拠として下記の甲第１号証及び第２号証を，従たる証拠として下記の甲第３号証ないし甲第１１号証を提出し，本件特許の請求項１～１１に係る発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものであるから，本件の請求項１～１１に係る特許を取り消すものである旨主張する。

記

甲第９号証：山田文明，“「多機能高密度三次元集積化技術」（２）次世代三次元集積化のための評価解析技術の研究開発＜（２）－Ｂ　熱・積層技術の研究開発＞”第１７５～１９４頁，[online]，２０１３年３月８日，技術研究組合，超先端電子技術開発機構　インターネット<URL:http://aset.la.coocan.jp/kenkyu/kenkyu_sanjigen_index.html>

第４　甲号証の記載

１．甲第１号証の記載及び甲１発明

（１）甲第１号証の記載

甲第１号証には次の記載がある。（下線は当審による。以下同じ。）

「【請求項 １】

１５０℃，０．０５～０．２０回転／分における粘度が１０００～１００００Ｐａ・ｓであり，１００～２００℃，０．３～０．７回転／分における最低粘度が１００Ｐａ・ｓ以上であるアンダーフィルシート。」

「【請求項 ３】

１７５℃で１時間熱硬化処理した後の貯蔵弾性率Ｅ’［ＭＰａ］及び熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］が２５℃において下記式（１）を満たす請求項１又は２に記載のアンダーフィルシート。Ｅ’×α＜２５００００［Ｐａ／Ｋ］ ・・・（１）」

「【請求項 ４】

前記貯蔵弾性率Ｅ’は１００～１００００［ＭＰａ］であり，かつ前記熱膨張係数αは１０～２００［ｐｐｍ／Ｋ］である請求項３に記載のアンダーフィルシート。」

「【００２６】 また，本発明のアンダーフィルシートは，１００～２００℃，０．３～０．７回転／分における最低粘度が１００Ｐａ・ｓ以上であり，好ましくは５００Ｐａ・ｓ以上である。１００Ｐａ・ｓ以上であるので，アウトガスによるボイドの発生を低減できる。

「【００４２】 アンダーフィルシートの構成材料として，熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。」

「【００６４】

［裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート］

本発明の裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシートは，裏面研削用テープと，前述のアンダーフィルシートとを備える。

【００６５】

図１は，裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０の断面模式図である。図１に示すように，裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０は，裏面研削用テープ１と，裏面研削用テープ上に積層されたアンダーフィルシート２とを備えている。なお，アンダーフィルシート２は，図１に示したように裏面研削用テープ１の全面に積層されていなくてもよく，半導体ウェハ３（図２Ａ参照）との貼り合わせに十分なサイズで設けられていればよい。

【００６６】

（裏面研削用テープ）

裏面研削用テープ１は，基材１ａと，基材１ａ上に積層された粘着剤層１ｂとを備えている。なお，アンダーフィルシート２は，粘着剤層１ｂ上に積層されている。」

「【００７２】

粘着剤層１ｂの形成に用いる粘着剤は，ダイシングの際にアンダーフィルシートを介して半導体ウェハ又は半導体チップをしっかり保持し，ピックアップ時にアンダーフィルシート付きの半導体チップを剥離可能に制御できるものであれば特に制限されない。例えば，アクリル系粘着剤，ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。上記感圧性接着剤としては，半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から，アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。」

「【００９１】

（裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシートを用いる半導体装置の製造方法）

次に，裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０を用いる半導体装置の製造方法について説明する。図２は，裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０を用いる半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。

具体的には，当該半導体装置の製造方法は，半導体ウェハ３の接続部材４が形成された回路面３ａと裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０のアンダーフィルシート２とを貼り合わせる貼合せ工程，半導体ウェハ３の裏面３ｂを研削する研削工程，半導体ウェハ３の裏面３ｂにダイシングテープ１１を貼りつけるウェハ固定工程，裏面研削用テープ１を剥離する剥離工程，半導体ウェハ３をダイシングしてアンダーフィルシート２付きの半導体チップ５を形成するダイシング工程，及びアンダーフィルシート２付きの半導体チップ５をダイシングテープ１１から剥離するピックアップ工程，被着体６と半導体チップ５の間の空間をアンダーフィルシート２で充填しつつ接続部材４を介して半導体チップ５と被着体６とを電気的に接続する接続工程，及びアンダーフィルシート２を硬化させる硬化工程を含む。」

「【００９８】

貼り合わせの温度は，好ましくは６０℃以上であり，より好ましくは７０℃以上である。６０℃以上であると，アンダーフィルシート２の粘度が低下し，半導体ウェハ３の凹凸を空隙なく充填できる。また，貼り合わせの温度は，好ましくは１００℃以下であり，より好ましくは８０℃以下である。１００℃以下であると，アンダーフィルシート２の硬化反応を抑制したまま貼り合わせが可能となる。」

「【０１０９】

＜接続工程＞

接続工程では，被着体６と半導体チップ５の間の空間をアンダーフィルシート２で充填しつつ接続部材４を介して半導体チップ５と被着体６とを電気的に接続する（図２Ｇ参照）。具体的には，積層体２０の半導体チップ５を，半導体チップ５の回路面３ａが被着体６と対向する形態で，被着体６に常法に従い固定させる。例えば，半導体チップ５に形成されている接続部材４を，被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材７に接触させて押圧しながら導電材７を溶融させることにより，半導体チップ５と被着体６との電気的接続を確保し，半導体チップ５を被着体６に固定させることができる。半導体チップ５の回路面３ａにはアンダーフィルシート２が貼り付けられているので，半導体チップ５と被着体６との電気的接続と同時に，半導体チップ５と被着体６との間の空間がアンダーフィルシート２により充填されることになる。」

「【０１１６】

＜半導体装置＞

半導体装置３０では，半導体チップ５と被着体６とが，半導体チップ５上に形成された接続部材４及び被着体６上に設けられた導電材７を介して電気的に接続されている。また，半導体素子５と被着体６との間には，その空間を充填するようにアンダーフィルシート２が配置されている。」

「【０１３４】

（熱膨張率αの測定）

熱膨張率αは，熱機械測定装置（ティーエーインスツルメント社製：形式Ｑ－４００ＥＭ）を用いて測定した。具体的には，測定試料のサイズを長さ１５ｍｍ×幅５ｍｍ×厚さ２００μｍとし，測定試料を上記装置のフィルム引張測定用治具にセットした後，－５０～３００℃の温度域で，引張荷重２ｇ，昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下におき，２０℃～６０℃での膨張率から熱膨張係数αを算出した。」

（２）甲１発明

上述の甲第１号証の摘記によれば，甲第１号証には以下の事項が記載されているものと理解できる。

ア　裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０は，裏面研削用テープ１と，裏面研削用テープ上に積層されたアンダーフィルシート２とを備えていること。（段落００６４，００６５）

イ　裏面研削用テープ１が，基材１ａと，基材１ａ上に積層された粘着剤層１ｂとを備えており，粘着剤層１ｂ上にアンダーフィルシート２が積層されていること。（段落００６６）

ウ　アンダーフィルシートの構成材料として熱硬化性樹脂を使用すること。（段落００４２）

エ　被着体６と半導体チップ５の間の空間をアンダーフィルシート２で充填しつつ接続部材４を介して半導体チップ５と被着体６とを電気的に接続する接続工程を含む半導体装置の製造方法において，裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０を用いること。（段落００９１）

オ　上記エの接続工程において，半導体チップ５の回路面が被着体６と対向する形態で固定されること。（段落０１０９）

カ　上記エの接続工程において，半導体チップ５に形成されている接続部材４を，被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材７に接触させて押圧しながら導電材７を溶融させることにより，半導体チップ５と被着体６との電気的接続を確保すること。それにより，半導体チップ５と被着体６とが，半導体チップ５上に形成された接続部材４及び被着体６上に設けられた導電材７を介して電気的に接続されること。（段落０１０９，０１１６）

キ　半導体素子５と被着体６との電気的接続を行った後，アンダーフィルシート２を加熱により硬化させること。（段落０１１３）

ク　アンダーフィルシートの１００～２００℃，０．３～０．７回転／分における最低粘度が１００Ｐａ・ｓ以上であること。（請求項１，段落００２６）

ケ　１７５℃で１時間熱硬化処理した後のアンダーフィルシートが，－５０～３００℃の温度域で，引張荷重２ｇ，昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下におき，２０℃～６０℃での膨張率から算出した熱膨張係数αが１０～２００［ｐｐｍ／Ｋ］であること。（請求項３～４，段落０１３４）

以上ア～ケによれば，甲第１号証には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。

「半導体チップ５の回路面と被着体６を対向する形態で固定し，前記被着体６と前記半導体チップ５の間の空間をアンダーフィルシート２で充填しつつ半導体チップ５に形成されている接続部材４を被着体６上に設けられた導電材７とが電気的に接続される接続工程を含む半導体装置の製造方法に用いられる裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０であって，

前記裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０は，基材１ａと，基材１ａ上に積層された粘着剤層１ｂと，前記粘着剤層１ｂ上に積層された，熱硬化性樹脂からなるアンダーフィルシート２とを備え，

前記アンダーフィルシート２は，１００～２００℃，０．３～０．７回転／分における最低粘度が１００Ｐａ・ｓ以上であり，１７５℃で１時間熱硬化処理した後，－５０～３００℃の温度域で，引張荷重２ｇ，昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下におき，２０℃～６０℃での膨張率から算出した熱膨張係数αが１０～２００［ｐｐｍ／Ｋ］である，

裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０。」

２．甲第２号証の記載及び甲２発明

（１）甲第２号証の記載

甲第２号証には次の記載がある。

「【００１１】

以下，本発明のダイシングテープ一体型接着シート，半導体装置，多層回路基板及び電子部品に関して説明する。

本発明のダイシングテープ一体型接着シートは，支持体の第一の端子と，被着体の第二の端子を，半田を用いて電気的に接続し，前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルムと，ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって， 前記接着フィルムを前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］，接着フィルムに掛ける圧力をＰ［ＭＰａ］，前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき，１．２×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０９の関係を満足し，前記貼り付け温度Ｔは，６０～１５０℃，前記圧力Ｐは，０．２～１．０ＭＰａ，前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度ηは，０．１～１００，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする。 また，本発明の半導体装置，多層回路基板および電子部品は，第一の端子を有する支持体と，第二の端子を有する被着体とを，上記接着フィルムの硬化物により，電気的に接続し，前記支持体と前記被着体とを接着したものである。」

「【０１０３】

（ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法）

以上説明したようなダイシングテープ一体型接着シート１０の一実施形態について以下に詳述する。

【０１０４】

続きを表示（全19行）

まず，図１（ａ）に示す基材４ａを用意し，この基材４ａの一方の面上に介在層１を成膜する。これにより，基材４ａと介在層１との積層体６１を得る。介在層１の成膜は，前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し，その後塗布膜を乾燥させる方法や，第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また，紫外線等の放射線を照射することにより，塗布膜を硬化させるようにしてもよい。

【０１０５】

上記塗布法としては，例えば，ナイフコート法，ロールコート法，スプレーコート法，グラビアコート法，バーコート法，カーテンコート法等が挙げられる。

【０１０６】

また，積層体６１と同様にして，図１（ａ）に示すように，用意した基材４ｂの一方の面上に接着フィルム３を成膜し，これにより，基材４ｂと接着フィルム３との積層体６２を得る。

【０１０７】

さらに，各積層体６１，６２と同様にして，図１（ａ）に示すように，用意した支持フィルム４の一方の面上にダイシングテープの粘着層２を成膜し，これにより，支持フィルム４とダイシングテープの粘着層２との積層体（ダイシングテープ）６３を得る。

【０１０８】

次いで，図１（ｂ）に示すように，介在層１と接着フィルム３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し，積層体６４を得る。この積層は，例えばロールラミネート法等により行うことができる。

【０１０９】

次いで，図１（ｃ）に示すように，積層体６４から基材４ａを剥離する。そして，図１（ｄ）に示すように，前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して，基材４ｂを残して，前記接着フィルム３および前記介在層１の有効領域の外側部分を除去する。ここで，有効領域とは，その外周が，半導体ウエハー７の外径よりも一回り小さい，若しくは外径よりも大きく，かつ，ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。

【０１１０】

次いで，図１（ｅ）に示すように，介在層１の露出面にダイシングテープ２が接するように，基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後，基材４ｂを剥離することにより，図１（ｆ）に示すダイシングテープ一体型接着シート１０が得られる。

【０１１１】

以上，支持フィルムに直接ダイシングテープ２を成膜する方法の一実施形態について上述したが，これ以外に支持フィルム上にダイシングテープの粘着層２，介在層１，接着フィルム３を所望の順に形成して，ダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。また，接着フィルム３の基材４ｂをそのまま介在層として適用し，支持フィルム上にダイシングテープの粘着層２，介在層１（基材４ｂ），接着フィルム３を所望の順に形成して，ダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。」

「【０１１４】

（半導体装置，多層回路基板および電子部品）

次に，上述したダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造した半導体装置，多層回路基板および電子部品について説明する。［１］図２（ａ）に示すように，上述したようなダイシングテープ一体型接着シート１０の接着フィルム３と，半導体ウエハー７とを密着させつつ，ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー(支持体)７とを積層する（第１の工程）。ここで，半導体ウエハー（支持体）７において，接着フィルム３と接着する面は，第一の端子(図示せず)を有するものである。なお，図２に示すダイシングテープ一体型接着シート１０では，接着フィルム３の平面視における大きさおよび形状が，半導体ウエハー７の外径よりも一回り小さい，若しくは外径よりも大きく，かつ，ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に，あらかじめ設定されている。このため，半導体ウエハー７の下面全体が接着フィルム３の上面全体と密着し，これにより半導体ウエハー７がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されることとなる。この半導体ウエハー７の第１の端子を接着フィルム３で覆うように，ダイシングテープ一体型接着シート１０をラミネートする（図２（ｂ））。

【０１１５】

ダイシングテープ一体型接着シート１０を半導体ウエハー７に積層する方法としては，例えばロールラミネーター，平板プレス，ウエハーラミネーター等が挙げられる。これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため，真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。

【０１１６】

また，ラミネートする条件としては，特に限定されず，ボイドなくラミネートできればよい。具体的には６０～１５０℃で１秒～１２０秒間加熱する条件が好ましく，特に８０～１２０℃で５～６０秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると，貼着性と，樹脂のはみ出しの抑制効果と，樹脂の硬化度とのバランスに優れる。また，加圧条件も特に限定されないが，０．２～２．０ＭＰａが好ましく，特に０．５～１．５ＭＰａが好ましい。

【０１１７】

上記積層の結果，図２（ｂ）に示すように，ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。」

「【０１２１】

続いて，図２（ｃ）に示すように，ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は，円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており，これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして，半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って，ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより，半導体ウエハー７が複数の半導体チップ７１に個片化される（第２の工程）。また，接着フィルム３も同様に，複数の接着フィルム３１に個片化される。このようなダイシングの際には，半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが，半導体ウエハー７の下面がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されているため，上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果，半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。」

「【０１２３】

［３］

［３－１］次に，複数の切り込み８１が形成された積層体８を，図示しないエキスパンド装置により，放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより，図２（ｄ）に示すように，積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり，それに伴って個片化された半導体チップ７１同士の間隔も拡大する。その結果，半導体チップ７１同士が干渉し合うおそれがなくなり，個々の半導体チップ７１をピックアップし易くなる。なお，エキスパンド装置は，このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。

【０１２４】

［３－２］次に，ダイボンダー２５０により，個片化された半導体チップ７１のうちの１つを，ダイボンダーのコレット（チップ吸着部）２６０で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果，図３（ｅ）に示すように，接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離し，半導体チップ７１と接着フィルム３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。

【０１２５】

なお，接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離する理由は，前述したように，ダイシングテープの粘着層２の粘着性が介在層１の粘着性より高いため，支持フィルム４とダイシングテープの粘着層２との界面の密着力，および，ダイシングテープの粘着層２の介在層１との界面の粘着力は，介在層１と接着フィルム３との密着力より大きいからである。すなわち，半導体チップ７１を上方にピックアップした場合，これらの３箇所のうち，最も粘着力の小さい介在層１と接着フィルム３との界面が選択的に剥離することとなる。」

「【０１２８】

［４］

［４－１］次に，半導体チップ７１を搭載（マウント）するための被着体５を用意する。

【０１２９】

続きを表示（全12行）

この被着体５は，前記接着フィルム３と接着する面に第２の端子（図示せず）を有するものである。この被着体５としては，半導体チップ７１を搭載し，半導体チップ７１と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体チップ等が挙げられる。

【０１３０】

なお，第一の端子と第二の端子としては，例えば電極パッド，半田バンプ等が挙げられる。また，第一の端子，第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。

【０１３１】

次いで，図３（ｆ）に示すように，ピックアップされた個片８３を，被着体５上に載置する。この際，半導体チップ７１の第一の端子と，被着体５の第二の端子とを位置合わせしながら，接着フィルム３を介して仮圧着する。 【０１３２】

［４－２］次に，被着体５と半導体チップ７１を半田接合する（第４の工程）。半田接合する条件は，使用する半田の種類にもよるが，例えばＳｎ－Ａｇの場合，２２０～２６０℃で５～５００秒間加熱して半田接合することが好ましく，特に２３０～２４０℃で１０～１００秒間加熱することが好ましい。この半田接合は，半田が融解した後に，接着フィルム３が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち，半田接合は，半田を融解させるが，接着フィルム３の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより，半田接合する際の半田接合部の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。

【０１３３】

次に，接着フィルム３を加熱して硬化させる（第５の工程）。硬化させる条件は，特に限定されないが，１３０～２２０℃で３０～５００分間加熱する条件が好ましく，特に１５０～２００℃で６０～１８０分間加熱する条件が好ましい。」

（２）甲２発明

上述の甲第２号証の摘記によれば，甲第２号証には以下の事項が記載されているものと理解できる。

ア　支持体の第一の端子と，被着体の第二の端子を，半田を用いて電気的に接続し，前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルムと，ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シート。（段落００１１）

イ　貼り付け温度（６０～１５０℃）における接着フィルムの溶融粘度ηは，０．１～１００，０００Ｐａ・ｓであること。（段落００１１）

ウ　支持フィルム４上に粘着層２，介在層１，接着フィルム３を積層して，ダイシングテープ一体型接着シート１０を作製すること。（段落０１０３～０１１１）

エ　ダイシングテープ一体型接着シート１０の接着フィルム３を介して半導体チップ７１の第一の端子と，被着体５の第二の端子とを位置合わせしながら仮圧着し，次に，被着体５と半導体チップ７１を半田接合すること。（段落０１２８～０１３３）

オ　半田接合の後，接着フィルム３を加熱して硬化させること。（段落０１３３）

上記ア～オから，甲第２号証には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているものと認められる。

「支持フィルム４と，前記支持フィルム４上に積層された粘着層２と，前記粘着層２上に積層された介在層１と，前記介在層１上に積層された接着フィルム３とを備えるダイシングテープ一体型接着シート１０であって，

前記接着フィルム３は，半導体チップ７１の第一の端子と被着体５の第二の端子を，半田を用いて電気的に接続し，前記半導体チップ７１と前記被着体５とを接着するものであり，

前記接着フィルム３の貼り付け温度である６０～１５０℃における溶融粘度ηは，０．１～１０００００Ｐａ・ｓである，

ダイシングテープ一体型接着シート１０。」

３．甲第３号証ないし甲第１１号証の記載

（１）甲第３号証の記載

甲第３号証には次の記載がある。

「［0001］ 本発明は，半導体チップを有機基板やリードフレームあるいは他の半導体チップに接着（ダイボンディング）する工程で使用するのに特に適したフィルム状接着剤，半導体接合用接着シート，ならびに該フィルム状接着剤や該接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。」

「［0058］ 支持シートとして用いられる樹脂フィルムとしては，たとえば，ポリエチレンフィルム，ポリプロピレンフィルム，ポリブテンフィルム，ポリブタジエンフィルム，ポリメチルペンテンフィルム，ポリ塩化ビニルフィルム，塩化ビニル共重合体フィルム，ポリエチレンテレフタレートフィルム，ポリエチレンナフタレートフィルム，ポリブチレンテレフタレートフィルム，ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルム，ウレタンアクリレート硬化物フィルム，エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム，アイオノマー樹脂フィルム，エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム，エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム，ポリスチレンフィルム，ポリカーボネートフィルム，ポリイミドフィルム，フッ素樹脂フィルムなどのフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また，これらを着色したフィルムなどを用いることができる。接着剤層がエネルギー線硬化性を有する場合には，エネルギー線の透過性があるものが好ましい。また，支持シートと接着剤層の層間剥離を行う前にも被着体の表面を視認できることが要求される場合には，可視光の透過性がある（透明または半透明である）ことが好ましい。

これらの中でも，樹脂フィルムとしては，２３℃における貯蔵弾性率が，好ましくは１×１０７Ｐａ以上，より好ましくは１×１０８～１×１０９Ｐａである樹脂フィルムを用いることが好ましい。また，引張試験に基づく２３℃における応力緩和率が，好ましくは４０％以上，より好ましくは７０～９０％である樹脂フィルムを用いることが好ましい。貯蔵弾性率や応力緩和率が上記範囲の樹脂フィルムを用いることで，ウエハの裏面研削工程において，ウエハの反りやディンプルの発生を抑制できる。

ここで，引張試験に基づく２３℃における応力緩和率は，以下の方法により測定される。樹脂フィルムを１５ｍｍ×１４０ｍｍにカットしてサンプルを形成する。２３℃，相対湿度５０％の環境下で，万能引張試験機（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製オートグラフＡＧ－１０ｋＮＩＳ）を用いて，このサンプルの両端２０ｍｍを掴み，毎分２００ｍｍの速度で引っ張り，１０％伸張したときの応力Ａ（Ｎ／ｍ２）と，テープの伸張停止から１分後の応力Ｂ（Ｎ／ｍ２）とを測定する。これらの応力Ａ，Ｂの値から，（Ａ－Ｂ）／Ａ×１００（％）を応力緩和率として算出する。

このようなフィルムの特性は，ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムや，ウレタンアクリレート硬化物フィルムで得られやすい。ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムとしては，たとえば特開２００７－８４７２２に開示されているものを用いることができる。ウレタンアクリレート硬化物フィルムとしては，たとえば特開平１１－３４３４６９に開示されているものを用いることができる。」

「[0063] 支持シートは，上記のような樹脂フィルム上に粘着剤層を備える粘着シートであってもよい。接着剤層を粘着剤層から剥離可能とすることを目的として，粘着剤層は，再剥離性を有する公知の粘着剤から構成することができ，紫外線硬化型，加熱発泡型，水膨潤型，弱粘型等の粘着剤を選択することで，接着剤層の剥離を容易とすることができる。特に，ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムを樹脂フィルムの構成層として用いる場合，これらのフィルムは通常柔軟であり自着性を有していることから，これらが接着剤層と直接接触した構成であると層間剥離が困難となることがある。そこで，このような事態を避けるために支持シートを粘着シートとすることが好ましい。

粘着シートの粘着力は，好ましくは１０～１００００ｍＮ／２５ｍｍ，より好ましくは５０～２０００ｍＮ／２５ｍｍである。粘着力は，ＪＩＳＺ０２３７；２００９に準拠して，被着体（ＳＵＳ）に貼付して３０分経過後における粘着シートの１８０°引き剥がし法による粘着力である。粘着シートの粘着力を上記範囲とすることで，粘着剤層から接着剤層を剥離することが容易になる。

また，粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は，好ましくは１×１０４Ｐａ以上，より好ましくは１×１０５～１×１０８Ｐａである。貯蔵弾性率が上記範囲の粘着剤層を用いることで，ウエハの裏面研削工程において，ウエハの反りやディンプルの発生を抑制できる。

また，樹脂フィルムの上面，すなわち粘着剤層が設けられる側の樹脂フィルム表面には粘着剤層との密着性を向上させるために，コロナ処理を施したり，プライマー層を設けてもよい。また，粘着剤層とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。」

（２）甲第４号証の記載

ア　甲第４号証には次の記載がある。

「【０００１】

本発明は，熱硬化型ダイボンドフィルム，ダイシングシート付きダイボンドフィルム，及び半導体装置の製造方法に関する。」

「【００１２】

本発明は，熱伝導性粒子を含み，上記熱伝導性粒子の含有量が，熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上であり，硬化させて得られる硬化物のガラス転移点以下における線膨張係数が５ｐｐｍ／Ｋ～５０ｐｐｍ／Ｋであり，上記硬化物のガラス転移点を超える温度における線膨張係数が１５０ｐｐｍ／Ｋ以下である熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。

【００１３】

本発明では，熱伝導性粒子を比較的多く配合することで，硬化物のガラス転移点以下における線膨張係数を５ｐｐｍ／Ｋ～５０ｐｐｍ／Ｋに調整し，硬化物のガラス転移点を超える温度における線膨張係数を１５０ｐｐｍ／Ｋ以下に調整している。本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムでは，ガラス転移点以下における線膨張係数及びガラス転移点を超える温度における線膨張係数が，リードフレームの主成分である銅の線膨張係数１６．８ｐｐｍ／Ｋに近いため，高温（例えば，２６０℃）加熱を行うリフロー工程において線膨張の差から起こる応力の発生を抑制することが可能で，信頼性に優れた半導体装置が得られる。」

「【００５３】

ダイボンドフィルム３，３’を硬化させて得られる硬化物のガラス転移点以下における線膨張係数が５ｐｐｍ／Ｋ以上である。５ｐｐｍ／Ｋ以上であるので，リフロー工程において，ダイボンドフィルム３，３’ の線膨張及びリードフレームなどの被着体の線膨張の差から起こる応力の発生を抑制することが可能で，信頼性に優れた半導体装置が得られる。硬化物のガラス転移点以下における線膨張係数は，好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上である。一方，硬化物のガラス転移点以下における線膨張係数が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である。５０ｐｐｍ／Ｋ以下であるので，リフロー工程において，ダイボンドフィルム３，３’の線膨張及びリードフレームなどの被着体の線膨張の差から起こる応力の発生を抑制することが可能で，信頼性に優れた半導体装置が得られる。硬化物のガラス転移点以下における線膨張係数は，好ましくは４０ｐｐｍ／Ｋ以下である。」

「【００５７】

ダイボンドフィルム３，３’を硬化させて得られる硬化物のガラス転移点は好ましくは８０℃以上である。８０℃以上であると，半導体装置の通常の使用温度範囲及び熱サイクル信頼性試験の温度範囲における急激な物性変化を抑制できる。一方，硬化物のガラス転移点は，特には限定されないが，例えば２００℃以下，好ましくは１２０℃以下である。

なお，硬化物のガラス転移点は実施例に記載の方法で測定できる。」

イ　上記によれば，甲第４号証には以下の技術的事項が記載されているものと理解できる。

・熱硬化型のダイボンドフィルムにおいて，硬化物のガラス転移点（８０℃～２００℃）以下における線膨張係数を５ｐｐｍ／Ｋ～５０ｐｐｍ／Ｋに調整することで，リフロー工程における応力の発生を抑制すること。

（３）甲第５号証の記載

甲第５号証には次の記載がある。

「【０００１】

本発明は熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムに関し，より詳細には，半導体チップ等を基板やリードフレーム等の被着体上にダイボンドする際に用いられる熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。」

「【００５３】

また，前記ダイボンドフィルムの熱硬化後のガラス転移点は１７５℃以上であることが好ましく，１８５～２１０℃であることがより好ましい。ガラス転移点を１７５℃以上にすることにより，後述する封止工程に於いて半導体素子が傾斜するのを防止し，また，はんだリフロー工程の際にダイボンドフィルムと被着体の間に剥離が生じるのを防止することができる。ダイボンドフィルムの熱硬化後のガラス転移点の調整は，例えば，熱硬化性樹脂の添加量により可能である。この場合，ガラス転移点を１７５℃以上にするためには，熱硬化性樹脂の添加量は熱可塑性樹脂成分１００重量％に対し，４００～１０００重量％であることが好ましい。」

（４）甲第６号証の記載

甲第６号証には以下の記載がある。

「[0001]　本発明は，接着フィルム，多層回路基板，電子部品及び半導体装置に関するものである。」

「[0033]　一方，本発明において，５％重量加熱減量温度（ｂ）とは，接着フィルムの耐熱性を示す物性のひとつである。５％重量加熱減量温度（ｂ）が高いほど，耐熱性が高くなり好ましい。また，５％重量加熱減量温度（ｂ）が低いことは，加熱による分解物及び揮発物が多いことを示す。すなわち，５％重量加熱減量温度（ｂ）が低いほど，硬化後の接着フィルム中にボイド（気泡）の原因が増加することとなり，ボイドが発生しやすくなる。」

甲第６号証の表１として以下の表が示されている。

（５）甲第７号証の記載

甲第７号証には次の記載がある。

「【０００５】

一方，近年，フリップチップ実装のなかでも，複数の半導体チップを積層してデバイスを飛躍的に高性能化，小型化したＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビヤ／Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ）を使った３次元積層技術が注目されている。ＴＳＶ積層技術においては，一般的に，半導体ウエハ上の格子状に区切られた各接合部位に，接着フィルムを介して複数の貫通電極付き半導体チップ（ＴＳＶチップ）を多層積層したのち，格子状のダイシングラインに沿って半導体ウエハをダイシングすることで多層半導体チップ積層体が製造される。」

（６）甲第８号証の記載

甲第８号証には次の記載がある。

「【００３０】

上記のように，本発明における半導体装置について，図１に記載の実施形態を中心に説明したが，当該実施形態に限定されない。例えば，前記半導体チップの部分には，半導体チップの他に，電子回路が作り込まれた半導体ウエハ及びシリコン基板，または，インターポーザー，リジット基板，フレキシブル基板，リジットフレキシブル基板等のプリント配線板を用いることもでき，前記インターポーザ－の部分には，インターポーザーの他に，半導体チップ，電子回路が作り込まれた半導体ウエハ及びシリコン基板，または，リジット基板，フレキシブル基板，リジットフレキシブル基板等のプリント配線板を用いることができる。また，図１に記載の実施形態は，正方形状の態様について説明したが，長方形状のものも用いることができる。また，本発明の半導体装置は，インターポーザー上に複数の半導体チップを，その厚み方向に複数個積層し，複数の半導体チップ間，および半導体チップとインターポーザー間を電気的に接合する接合部を有し，該接合部を封止する複数の封止層を有し，これらの封止層に本発明のフィルム状の電極接続用樹脂組成物が適用された半導体装置も含まれる。このような半導体装置には，半導体チップにおいて，ＴＳＶチップ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｅａｒ Ｃｈｉｐ）を好適に用いることができる。」

（７）甲第９号証の記載

甲第９号証の第１８８頁には，以下のスライドが示されている。

（８）甲第１０号証の記載

甲第１０号証には次の記載がある。

「【０００８】

ここで，「感圧接着剤」とは，適用温度（典型的には－２０℃～６０℃）で粘着性を示す接着剤をいい，「粘着性」とは，適用温度（２０℃～２２℃で測定することが好ましい）において１０ラジアン／秒で測定した貯蔵弾性率（Ｇ’）が３×１０５パスカル未満であることを意味する（ダールキスト基準）。また，「粘着性高分子」とは，前述の「粘着性」を有した高分子であり，高分子の語は，国際純正応用化学連合（ＩＵＰＡＣ）高分子命名法委員会による，「高分子」又は「ポリマー」の定義に従う（http://main.spsj.or.jp/c19/iupac/Recommendations/glossary36.html）。また，「質量％」は「重量％」と表されることもあり，「質量％」と「重量％」とは同義である。」

（９）甲第１１号証の記載

甲第１１号証の表１として，以下の表が示されている。

甲第１１号証の図３５として，以下の図が示されている。

第５　当審の判断

１．本件発明１について

１．１．本件発明１と甲１発明の対比・判断について

（１）一致点及び相違点

本件発明１と甲１発明を比較する。

ア　甲１発明において，「半導体チップ５」及び「被着体６」は「対向する形態で固定」されるから，甲１発明における「半導体チップ５に形成されている接続部材４を被着体６上に設けられた導電材７」は，本件発明１における「相対向する電極」に相当する。

イ　甲１発明における「裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０」は，上記「接続部材４」と「導電材７」とが「電気的に接続される接続工程を含む半導体装置の製造方法に用いられる」ものであり，当該「裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０」の「アンダーフィルシート２」は「前記被着体６と前記半導体チップ５の間の空間を」「充填」するものである。そうすると，甲１発明における「裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート１０」は本件発明１における「回路部材接続用シート」に相当し，両者はともに「相対向する電極間に介在され，前記相対向する電極を電気的に接続するために用いられる」点で一致する。

ウ　甲１発明における「基材１ａ」「粘着剤層１ｂ」及び「熱硬化性樹脂からなるアンダーフィルシート２」が，本件発明１における「基材」「粘着剤層」及び「硬化性の接着剤層」に相当する。なお，アンダーフィルが接着性を有することは技術常識から明らかである。

エ　甲１発明において「前記アンダーフィルシート２は，１００～２００℃，０．３～０．７回転／分における最低粘度が１００Ｐａ・ｓ以上」であることは，本件発明１において「前記接着剤層を構成する材料」は「硬化前における９０℃での溶融粘度が１．０×１００Ｐａ・ｓ以上，５．０×１０５Ｐａ・ｓ以下」であることに対応する。

そうすると，本件発明１と引用発明１は，「接着剤を構成する材料」の「溶融粘度が所定の値」である点で共通する。

オ　甲１発明において「前記アンダーフィルシート２」は「１７５℃で１時間熱硬化処理した後，－５０～３００℃の温度域で，引張荷重２ｇ，昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下におき，２０℃～６０℃での膨張率から算出した熱膨張係数αが１０～２００［ｐｐｍ／Ｋ］である」ことは，本件発明１において「前記接着剤層を構成する材料」は「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」であることに対応する。

そうすると，本件発明１と甲１発明は，「接着剤を構成する材料」の「平均線膨張係数が所定の値」である点で共通する。

カ　本件発明１の「粘着剤層」と甲１発明の「粘着剤層１ｂ」は，いずれも粘着剤の層であるから，「所定の貯蔵弾性率」を有する点で共通する。

上記ア～カによれば，本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。

＜一致点＞

「相対向する電極間に介在され，前記相対向する電極を電気的に接続するために用いられる回路部材接続用シートであって，

前記回路部材接続用シートは，基材と，前記基材の少なくとも一方の面側に積層された粘着剤層と，

前記粘着剤層における前記基材とは反対の面側に積層された硬化性の接着剤層とを備え，

前記接着剤層を構成する材料は，溶融粘度が所定の値であり，硬化物の平均線膨張係数が所定の値であり，

前記粘着剤層の貯蔵弾性率は，所定の値である

ことを特徴とする回路部材接続用シート。」

＜相違点１－１＞

本件発明１では，「前記接着剤層を構成する材料」の「硬化前における９０℃での溶融粘度が１．０×１００Ｐａ・ｓ以上，５．０×１０５Ｐａ・ｓ以下」であるのに対し，甲１発明では「１００～２００℃，０．３～０．７回転／分における最低粘度が１００Ｐａ・ｓ以上」である点。

＜相違点１－２＞

本件発明１では，「前記接着剤層を構成する材料」の「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」であるのに対し，甲１発明では「１７５℃で１時間熱硬化処理した後，－５０～３００℃の温度域で，引張荷重２ｇ，昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下におき，２０℃～６０℃での膨張率から算出した熱膨張係数αが１０～２００［ｐｐｍ／Ｋ］」である点。

＜相違点１－３＞

本件発明１では「前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は，１×１０３Ｐａ以上，１×１０９Ｐａ以下」であるのに対し，甲１発明では，「粘着剤層１ｂ」の貯蔵弾性率が特定されていない点。

（２）相違点についての判断

事案に鑑み，まず相違点１－２について検討する。

甲第４号証（上記第４の３．（２）イ）には，熱硬化型のダイボンドフィルムにおいて，硬化物のガラス転移点（８０℃～２００℃）以下における線膨張係数を５ｐｐｍ／Ｋ～５０ｐｐｍ／Ｋに調整することで，リフロー工程における応力の発生を抑制することが記載されている。しかしながら，甲第４号証には「０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」とすることは記載も示唆もされていない。

また，甲第２～３号証，甲第５～１１号証のいずれにも，接着剤層の「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」とすることは，記載も示唆もされていない。

申立人は，０～１３０℃における平均線膨張係数（＝熱膨張係数）をどの程度とするかは，当業者が必要に応じて，熱硬化性樹脂，熱硬化剤，硬化促進剤，高分子化合物，無機フィラー，溶剤，その他の添加剤等を所定量配合して混合することで決定し得る設計事項である，と主張する。しかしながら，回路部材接続用シートの接着剤層を構成する材料の硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数は，単なる設計的事項ではなく，上述のとおり，「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」とすることは，甲第１～１１号証のいずれにも，記載も示唆もされていない事項であるから，かかる主張には理由がない。

したがって，相違点１－１及び相違点１－３について検討するまでもなく，本件発明１は，甲１発明及び甲第２号証～甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

１．２．本件発明１と甲２発明の対比・判断について

（１）一致点及び相違点

本件発明１と甲２発明とを比較する。

ア　甲２発明における「支持フィルム４」及び「粘着層２」が，本件発明１における「基材」及び「粘着剤層」に相当する。

イ　甲第２号証の段落０１３３には，「接着フィルム３」を加熱して硬化させることが記載されており，接着フィルム３は熱硬化性であることが理解できる。そうすると，甲２発明における「接着フィルム３」は，本件発明１における「硬化性の接着剤層」に相当する。

ウ　甲２発明の「半導体チップ７１」及び「被着体５」は，「接着フィルム３」により接着され，「半導体チップ７１の第一の端子」と「被着体５の第二の端子」が電気的に接続されるものである。そうすると，上記「接着フィルム３」を備える甲２発明の「ダイシングテープ一体型接着シート１０」は本件発明１における「回路部材接続用シート」に相当し，両者はともに「相対向する電極間に介在され，前記相対向する電極を電気的に接続するために用いられる」点で一致する。

エ　甲２発明の「接着フィルム３」は「貼り付け温度である６０～１５０℃における溶融粘度ηは，０．１～１０００００Ｐａ・ｓ」である。ここで，「貼り付け温度」とは，ダイシングテープ一体型シート１０と半導体ウエハー７とを積層し，ラミネートする温度であるから（甲第２号証の段落０１１４，０１１６（上記第４の２．（１））を参照。），熱硬化前の温度であることは明らかである。そうすると，甲２発明には，硬化前における９０℃での溶融粘度ηが０．１～１．０×１０５Ｐａ・ｓである接着フィルム３が記載されていると理解できる。そうすると，本件発明１と甲２発明とは，ともに「前記接着剤層を構成する材料は，硬化前における９０℃での溶融粘度が１．０×１００Ｐａ・ｓ以上，５．０×１０５Ｐａ・ｓ以下」である点で一致する。

オ　本件発明１の「接着剤層」と甲２発明の「接着フィルム３」は，いずれも「所定の平均線膨張係数」を有する点で共通する。

カ　本件発明１の「粘着剤層」と甲２発明の「粘着剤層１ｂ」は，いずれも粘着剤の層であるから，両者はともに「所定の貯蔵弾性率」を有する点で共通する。

上記ア～カによれば，本件発明１と甲２発明の一致点及び相違点は次のとおりである。

＜一致点＞

「相対向する電極間に介在され，前記相対向する電極を電気的に接続するために用いられる回路部材接続用シートであって，

前記回路部材接続用シートは，基材と，前記基材の少なくとも一方の面側に積層された粘着剤層と，前記粘着剤層における前記基材とは反対の面側に積層された硬化性の接着剤層とを備え，

前記接着剤層を構成する材料は，硬化前における９０℃での溶融粘度が１．０×１００Ｐａ・ｓ以上，５．０×１０５Ｐａ・ｓ以下であり，硬化物の平均線膨張係数が所定の値であり，

前記粘着剤層の貯蔵弾性率は，所定の値である

ことを特徴とする回路部材接続用シート。」

＜相違点２－１＞

本件発明１では，「前記接着剤層を構成する材料」の「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」であるのに対し，甲２発明では，「接着フィルム３」の平均線膨張係数が特定されていない点。

＜相違点２－２＞

本件発明１では「前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は，１×１０３Ｐａ以上，１×１０９Ｐａ以下」であるのに対し，甲２発明では，「粘着層」の貯蔵弾性率が特定されていない点。

（２）相違点についての判断

はじめに相違点２－１について検討する。

相違点２－１は上記１．１（２）で検討した相違点１－２に対応するものである。そして，上記１．１（２）で検討のとおり，甲第４号証には，熱硬化型のダイボンドフィルムにおいて，硬化物のガラス転移点（８０℃～２００℃）以下における線膨張係数を５ｐｐｍ／Ｋ～５０ｐｐｍ／Ｋに調整することは記載されているが，「０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」とすることは記載も示唆もされていない。また，甲第１，３，５～１１号証にも，接着剤層の「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」とすることは記載も示唆もされていない。

申立人は，硬化物のガラス転移点以下における線膨張係数を求めるにあたって，線膨張係数を求める温度域を０～１３０℃とすることは，設計事項である，と主張する。しかしながら，線膨張係数を求める温度域と線膨張係数の限界値は，それぞれ独立して適宜設定し得る単なる設計事項ではなく，上述のとおり，「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」とすることは，甲第１～１１号証のいずれにも，記載も示唆もされていない事項であるから，かかる主張には理由がない。

したがって，相違点２－２について検討するまでもなく，本件発明１は，甲２発明及び甲第１，３～１１号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

２．本件発明２～１１について

本件発明２～１１もまた，「前記接着剤層を構成する材料」の「硬化物の０～１３０℃における平均線膨張係数が４５ｐｐｍ以下」との特定事項を含むから，本件発明１について上記１．に示した理由と同様の理由により，甲１発明及び甲第２～１１号証に記載された技術的事項に基づいて，あるいは，甲２発明及び甲第１，３～１１号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。

３．まとめ

以上のとおり，本件発明１～１１は，甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明，及び，甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，特許法２９条２項の規定に違反して特許された発明とはいえない。

第６　結言

したがって，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１～１１に係る特許を取り消すことはできない。

また，他に請求項１～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。

よって，結論のとおり決定する。