2020-700344

特許第６６０８３５２号発明「半導体発光素子およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６６０８３５２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕、〔６～７〕について訂正することを認める。 特許第６６０８３５２号の請求項２～５に係る特許を維持する。 特許第６６０８３５２号の請求項１及び６に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６６０８３５２号（以下「本件特許」という。）の請求項１～７に係る特許についての出願は、平成２８年１２月２０日の出願であって、令和元年１１月１日にその特許権の設定登録がされ、令和元年１１月２０日に特許掲載公報が発行された。 その後の本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和２年 ５月１８日 ：特許異議申立人清水すみ子（以下「申立人」 という。）による特許異議の申立て 令和２年１０月２１日付け：取消理由通知書 令和２年１２月２５日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和３年 ４月１３日 ：申立人による意見書の提出 令和３年 ９月３０日付け：取消理由通知書（決定の予告） 令和３年１２月１７日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 なお、令和４年２月２５日付けで当審から申立人に対し、訂正請求があった旨の通知（特許法第１２０条の５第５項）をするとともに、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人から意見書は提出されなかった。 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和３年１２月１７日提出の訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、次のとおりである（下線は、訂正箇所として特許権者が付したものである。）。 なお、本件訂正は、一群の請求項〔１～５〕、〔６～７〕に対して請求されたものである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に、「前記凹部の形状が、前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿う、請求項１に記載の半導体発光素子。」とあるものについて、独立形式に改め、「導電性支持基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、半導体発光層、およびｎ型ＩｎＰクラッド層が順次設けられ、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と前記型ＩｎＰクラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に、複数の凹部が設けられ、 波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし、 前記凹部の底部が＜０１１＞方位に沿い、 前記凹部の形状が、前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿い、 前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、 前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、 発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つであることを特徴とする半導体発光素子。」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に、「前記光取出し側から平面視して、前記凹部の幅が前記凹部の中心軸方向に沿って周期的に変化し、前記中心軸方向は前記凹部の前記底部に沿う、請求項１に記載の半導体発光素子。」とあるものについて、独立形式に改め、「導電性支持基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層半導体発光層、およびｎ型ＩｎＰクラッド層が順次設けられ、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と、前記型ＩｎＰクラッド層との間に、前記半導体発 光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に、複数の凹部が設けられ、波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外合域を発光波長とし、 前記凹部の底部が＜０１１＞方位に沿い、 前記光取出し側から平面視して、前記凹部の幅が前記凹部の中心軸方向に沿って周期的に変化し、前記中心軸方向は前記凹部の前記底部に沿い、 前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、 前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、 発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つであることを徴とする半導体発光素子。」に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１～３のいずれか１項に記載の」とあるのを、「請求項２、３のいずれか１項に記載の」に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項１～４のいずれか１項に記載の」とあるのを、「請求項２～４のいずれか１項に記載の」に訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６を削除する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７に、「前記粗面化処理工程が、前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層をエッチングしてパターン形成する第１工程と、前記パターン形成された前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層をマスクとして用い、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面をエッチングする第２工程と、を含む、請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。」とあるものについて、独立形式に改め、「ＩｎＰ基板上に、Ｉｎ、ＧａおよびＡｓを含むＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層、ｎ型ＩｎＰクラッド層、半導体発光層、ならびに、ｐ型ＩｎＰクラッド層を順次形成する半導体層形成工程と、 前記ｐ型ＩｎＰクラッド層上に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層を形成する金属反射層形成工程と、 金属接合層が表面に設けられた導電性支持基板を、該金属接合層を介して前記金属反射層に接合する接合工程と、 前記ＩｎＰ基板を除去する基板除去工程と、 該基板除去工程の後、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に複数の凹部を形成する粗面化処理工程と、を含み、 波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし、 前記粗面化処理工程において、前記凹部の底部を＜０１１＞方位に沿わせることを特徴とする半導体発光素子の製造方法であって、 前記粗面化処理工程が、前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層をエッチングしてパターン形成する第１工程と、 前記パターン形成された前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層をマスクとして用い、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面をエッチングする第２工程と、を含む、半導体発光素子の製造方法。」に訂正する。 ２ 訂正要件の判断 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、本件訂正前の請求項１を削除するものである。 そうすると、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項１は、本件訂正前の請求項１を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。 そうすると、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らせば、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項１の小括 よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２に対して、次の内容からなるものである。 （ｉ）本件訂正前の請求項２の記載が本件訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項１の記載を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めること。 （ｉｉ）本件訂正前の請求項１の記載を引用する本件訂正前の請求項２では、「金属反射層」と「ｐ型ＩｎＰ基板」との間の構成を特定していなかったものを、「前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、」と限定すること。 （ｉｉｉ）本件訂正前の請求項１の記載を引用する本件訂正前の請求項２における「半導体発光素子」の「発光」を、「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」と限定すること。 そうすると、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること、及び特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 （ア）上記ア（ｉ）について 当該訂正事項は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとするものであるから、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア（ｉｉ）について 本件明細書には、「コンタクト部形成工程では、まず、半導体積層体３０上にIII－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層４１を形成する（図２（Ｃ））。次いで、コンタクト層４１上の一部にオーミック金属部４３を形成すると共に、コンタクト層４１の表面に露出領域Ｅ１を残す（図３（Ａ））。さらに、露出領域Ｅ１におけるコンタクト層４１を、半導体積層体３０の表面が露出するまで除去して、オーミック金属部４３およびコンタクト層４１ａからなるコンタクト部４０を形成すると共に、半導体積層体３０の露出面Ｅ２を形成する（図３（Ｂ））。」、「誘電体層形成工程では、半導体積層体３０の露出面Ｅ２上の少なくとも一部に誘電体層５０を形成する（図３（Ｃ））。金属反射層形成工程では、誘電体層５０およびコンタクト部４０上に、半導体発光層３５から放射される光を反射する金属反射層６０を形成する（図４（Ａ））。」（【００３７】・【００３８】）と記載されている。 よって、上記ア（ｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （ウ）上記ア（ｉｉｉ）について 本件明細書には、「発光スペクトルにおいて極小値があるということは、波長スペクトルが分裂していることを意味し、ピークが複数存在することとなる。図１５（Ａ），（Ｂ）を対比すると、粗面化処理をしていない比較例１では極小値が４つあったところ、粗面化処理を行った実施例１では極小値は１つであることが確認できる。また、図１６（Ａ），（Ｂ）を対比すると、粗面化処理をしていない比較例２では極小値が５つあったところ、粗面化処理を行った実施例２では極小値は１つであることが確認できる。」、「さらに、実施例１，２と同様にして実施例３の発光スペクトルを測定した。結果を図１８に示す。実施例３，では、極小値が２つとなっており、マルチピークが緩和できたことを確認した。」（【００９７】・【０１０１】）と記載されており、本件明細書には、実施例１～３として、発光スペクトルの極小値が１つ又は２つである半導体発光素子が記載されている。 よって、上記ア（ｉｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （エ）小括 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項２の小括 よって、訂正事項２は、訂正要件を満たす。 （３）訂正事項３について ア 訂正の目的 訂正事項３は、本件訂正前の請求項３に対して、次の内容からなるものである。 （ｉ）本件訂正前の請求項３の記載が本件訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項１の記載を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めること。 （ｉｉ）本件訂正前の請求項１の記載を引用する本件訂正前の請求項３では、「金属反射層」と「ｐ型ＩｎＰ基板」との間の構成を特定していなかったものを、「前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、」と限定すること。 （ｉｉｉ）本件訂正前の請求項１の記載を引用する本件訂正前の請求項３における「半導体発光素子」の「発光」を、「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」と限定すること。 そうすると、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること、及び特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 （ア）上記ア（ｉ）について 当該訂正事項は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとするものであるから、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア（ｉｉ）について 上記（２）イ（イ）に記載のとおりである。 よって、上記ア（ｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （ウ）上記ア（ｉｉｉ）について 上記（２）イ（ウ）に記載のとおりである。 よって、上記ア（ｉｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。 （エ）小括 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項３の小括 よって、訂正事項３は、訂正要件を満たす。 （４）訂正事項４について ア 訂正の目的 訂正事項４は、本件訂正前の請求項４が引用していた請求項のうち、請求項１を削除するものである。 そうすると、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項３は、本件訂正前の請求項４が引用していた請求項のうち、請求項１を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。 そうすると、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項４の小括 よって、訂正事項４は、訂正要件を満たす。 （５）訂正事項５について ア 訂正の目的 訂正事項５は、本件訂正前の請求項５が引用していた請求項のうち、請求項１を削除するものである。 そうすると、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項５は、本件訂正前の請求項５が引用していた請求項のうち、請求項１を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。 そうすると、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項５の小括 よって、訂正事項５は、訂正要件を満たす。 （６）訂正事項６について ア 訂正の目的 訂正事項６は、本件訂正前の請求項６を削除するものである。 そうすると、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項６は、本件訂正前の請求項６を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。 そうすると、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らせば、訂正事項６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項６の小括 よって、訂正事項６は、訂正要件を満たす。 （７）訂正事項７について ア 訂正の目的 訂正事項７は、本件訂正前の請求項７の記載が本件訂正前の請求項６の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項６の記載を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めるための訂正である。 そうすると、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とする訂正である。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項７は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとするものであるから、新規事項を追加するものではない。 そうすると、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らせば、訂正事項７は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 したがって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 訂正事項７の小括 よって、訂正事項７は、訂正要件を満たす。 ３ 訂正の適否の小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕、〔６～７〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～７に係る発明（以下「本件発明１～７」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 ＜本件発明１＞ （削除） ＜本件発明２＞ 「導電性支持基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、半導体発光層、およびｎ型ＩｎＰクラッド層が順次設けられ、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と前記ｐ型ＩｎＰクラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に、複数の凹部が設けられ、 波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし、 前記凹部の底部が＜０１１＞方位に沿い、 前記凹部の形状が、前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿い、 前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、 前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、 発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つであることを特徴とする半導体発光素子。」 ＜本件発明３＞ 「導電性支持基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層半導体発光層、およびｎ型ＩｎＰクラッド層が順次設けられ、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層との間に、前記半導体発 光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に、複数の凹部が設けられ、波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外合域を発光波長とし、 前記凹部の底部が＜０１１＞方位に沿い、 前記光取出し側から平面視して、前記凹部の幅が前記凹部の中心軸方向に沿って周期的に変化し、前記中心軸方向は前記凹部の前記底部に沿い、 前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、 前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、 発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つであることを徴とする半導体発光素子。」 ＜本件発明４＞ 「前記複数の凹部が規則的に配列される、請求項２、３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。」 ＜本件発明５＞ 「前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面において、隣り合う前記凹部の間が平坦面である、請求項２～４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。」 ＜本件発明６＞ （削除） ＜本件発明７＞ 「ＩｎＰ基板上に、Ｉｎ、ＧａおよびＡｓを含むＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層、ｎ型ＩｎＰクラッド層、半導体発光層、ならびに、ｐ型ＩｎＰクラッド層を順次形成する半導体層形成工程と、 前記ｐ型ＩｎＰクラッド層上に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層を形成する金属反射層形成工程と、 金属接合層が表面に設けられた導電性支持基板を、該金属接合層を介して前記金属反射層に接合する接合工程と、 前記ＩｎＰ基板を除去する基板除去工程と、 該基板除去工程の後、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に複数の凹部を形成する粗面化処理工程と、を含み、 波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし、 前記粗面化処理工程において、前記凹部の底部を＜０１１＞方位に沿わせることを特徴とする半導体発光素子の製造方法であって、 前記粗面化処理工程が、前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層をエッチングしてパターン形成する第１工程と、 前記パターン形成された前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体エッチングストップ層をマスクとして用い、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面をエッチングする第２工程と、を含む、半導体発光素子の製造方法。」 第４ 取消理由の概要 １ 令和３年９月３０日付け取消理由（決定の予告）で通知した取消理由の概要 当審が令和３年９月３０日付け取消理由通知書（以下、単に「取消理由通知書」という。）により特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 「（進歩性）本件訂正前の請求項２～５に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の甲第１号証、甲第１１号証、甲第１２号証に記載されたいずれかの発明及び周知技術（甲第６号証～甲第８号証及び甲第１２号証）に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項２～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ［引用文献等一覧］ 甲第１号証：特開２０１３－３０６０６号公報 甲第６号証：ADACHI, Sadao et al., "Chemical Etching Characteristics of (001) InP", Journal of the Electrochemical Society, Volume 128, Issue 6, pp. 1342-1349 （1981）. 甲第７号証：R. Klockenbrink et al., "Wet Chemical Etching of Alignment V‐Grooves in （100） InP through Titanium or In0.53Ga0.47As Masks", Journal of the Electrochemical Society, Volume 141, Issue 6, pp. 1594-1599 （1994） 甲第８号証：特開２０１０－１１８４３１号公報 甲第１１号証：特開２０１４－１９５０５５号公報 甲第１２号証：特開２０１２－２３１０００号公報」 ２ 令和２年１０月２１日付け取消理由の概要 当審が令和２年１０月２１日付け取消理由通知書により特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 「１（新規性） 本件特許発明１、４～６は、甲第１号証に記載された発明であり、本件特許発明１、４は、甲第１１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２（進歩性） 本件特許発明１～６は、甲第１号証、甲第１１号証又は甲第１２号証に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１～６は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。」 第５ 取消理由通知に記載した取消理由に対する当審の判断 １ 各甲号証に記載された事項 （１）甲第１号証（特開２０１３－３０６０６号公報）に記載された事項 ア 甲第１号証には、図面と共に、次の記載がなされている（下線は当審が付与した。以下同じ。）。 「【請求項１】 支持基板を有する支持構造体と発光層を有する発光構造体とが接合層を介して接合され、 前記発光構造体は、 前記接合層の上に配置され、金属材料からなる反射層と前記発光層が発する光の波長に対して光学的に透明な材料からなる透明層とを備える第１反射部と、 前記第１反射部の上に配置され、一部が光取り出し面となる面を有する第１導電型クラッド層と前記第１導電型とは異なる導電型の第２導電型クラッド層との間に挟まれる前記発光層を備える半導体積層部と、 前記第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、 前記半導体積層部は、 前記電極と前記第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備えることを特徴とする半導体発光素子。」 「【００２３】 図１に示すように、半導体発光素子１は、例えば支持基板２００を有する支持構造体２０と、発光層１４２を有する発光構造体１０と、が支持構造体２０側の接合層２２０及び発光構造体１０側の接合層１８０を介して接合され、金属材料からなる反射層としての金６３を有するＭＲ（Metal Reflector）型の半導体発光素子として構成されている。」 「【００２５】 ［支持構造体］ 支持構造体２０は、例えばｐ型Ｓｉ等の導電性を有する半導体材料からなる支持基板２００を有する。…（後略）…。」 「【００２８】 ［発光構造体］ （第１反射部） …（前略）…。また、発光構造体１０は、バリア層１７０を介して接合層１８０の上に配置され、金属材料からなる反射層としての金属層１６３と発光層１４２が発する光の波長に対して光学的に透明な材料からなる透明層１６１とを備える第１反射部を有する。」 「【００３０】 透明層１６１は、例えば発光層１４２が発する所定波長の光に対して高い透過性を有するＳｉＯ２等の電気絶縁性を有する材料からなり、透明層１６１における上記光の吸収損失を抑えることができる。透明層１６１の厚さは、透明層１６１での光の吸収が少なくなるよう設定されている。 【００３１】 また、透明層１６１の一部には、表面電極３１０ｃと裏面電極３２０ｃとを電気的に接続する界面電極１６２が形成されている。界面電極１６２は、例えば表面電極３１０ｃの直下の位置を避け、ドット状に分散して配置される。また、界面電極１６２は、例えばＡｕＺｎ合金等の金属材料からなり、後述するｐ型コンタクト層１５０とオーミック接合している。」 「【００３３】 （ダブルヘテロ構造） 半導体積層部１０ｓは、透明層１６１上に、例えばｐ型ＧａＰ等の化合物半導体からなる第２導電型コンタクト層としてのｐ型コンタクト層１５０を備える。また、半導体積層部１０ｓは、ｐ型コンタクト層１５０を介して第１反射部の上に配置され、一部が光取り出し面１４１ｓとなる面を有する第１導電型クラッド層としてのｎ型クラッド層１４１と第１導電型とは異なる導電型の第２導電型クラッド層としてのｐ型クラッド層１４３との間に挟まれる発光層１４２を備える。…（後略）…。」 「【００３８】 …（前略）…。光取り出し面１４１ｓは、例えば発光層１４２が発した光の一部を乱反射させるような凹凸部１４１ｒを有する。凹凸部１４１ｒは、例えばｎ型クラッド層１４１の表面を粗面化して得られた規則的、或いは不規則な凹凸形状を有する。…（後略）…。」 「【００４０】 （第２反射部） また、半導体積層部１０ｓは、半導体積層部１０ｓの上面の一部に形成される表面電極３１０ｃとｎ型クラッド層１４１との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部としてのｎ型ＤＢＲ層１３０を備える。ｎ型ＤＢＲ層１３０の詳細構造については後述する。」 「【００５５】 図２（ａ）に示すように、表面電極３１０ｃから裏面電極３２０ｃに向けて電流を導入すると、図中に例示する電流Ｅ１，Ｅ２のように、電流は透明層１６１の一部に形成された界面電極１６２を介して流れ、その際、電流の通過位置で発光層１４２から放射状に光を発する。図２（ｂ１），（ｃ１）に示すように、上記光の一部は光取り出し面１４１ｓから半導体発光素子１の外部へと放射されるほか（Ｌ１）、表面電極３１０ｃの下面側（Ｌ２）や、金属層１６３側へ（図示せず）と向かう光も存在する。」 「【００７６】 （エピタキシャルウエハの製造） まずは、図３（ａ）に示すように、例えばＭＯＶＰＥ法により、成長基板１００上に複数のエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウエハ１ｅを製造する。すなわち、例えばｎ型ＧａＡｓ基板等の成長基板１００上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ等からなるエッチングストップ層１１０、ｎ型ＧａＡｓ等からなるｎ型コンタクト層１２０、ｎ型のＡｌＡｓ／ＡｌＮＧａ１－ＮＡｓ等からなるｎ型ＤＢＲ層１３０、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ等からなるｎ型クラッド層１４１、アンドープＡｌＧａＩｎＰ等からなる発光層１４２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ等からなるｐ型クラッド層１４３、ｐ型ＧａＰ等からなるｐ型コンタクト層１５０を、この順に成長させる。これにより、例えばピーク波長が６３０ｎｍの赤色光を発するエピタキシャルウエハ１ｅが得られる。」 「【００８４】 次に、真空蒸着法やスパッタ法等を用いて、図３（ｄ）に示すように、例えばＡｕ等からなる金属層１６３を蒸着する。」 【００８５】 以上の構造により、反射層としての金属層１６３と一部に界面電極１６２が形成された透明層１６１とを備える第１反射部が構成される。 【００８６】 続いて、図３（ｅ）に示すように、真空蒸着法やスパッタ法等を用いて、例えばＰｔ等からなるバリア層１７０と、Ａｕ等からなる接合層１８０とを、この順に蒸着する。以上の構造により、発光構造体１０の主要部が構成される。 【００８７】 （貼り合わせウエハの製造） 一方、図３（ｆ）に示すように、例えばｐ型Ｓｉ等からなる支持基板２００上に、真空蒸着法やスパッタ法等を用いて、Ｔｉ等からなるコンタクト電極２１０と、Ａｕ等からなる接合層２２０とを、この順に蒸着する。以上の構造により、支持構造体２０の主要部が構成される。 【００８８】 次に、例えば熱圧着法等により、上記支持基板２００と先の成長基板１００とを貼り合わせる。…（中略）…。」 【００８９】 この後、図４（ｈ），（ｉ）に示すように、貼り合わせウエハ１ｂから成長基板１００とエッチングストップ層１１０とを、例えば機械的研磨やエッチング液等、又はその組み合わせにより除去する。」 「【００９１】 ｎ型クラッド層１４１の一部が露出した面には、フォトリソグラフィ法等により周期的なドット状のレジストパターン（図示せず）を形成してエッチング液に浸漬し、その後レジストパターンを除去して、図４（ｋ）に示す凹凸部１４１ｒを形成する。…（後略）…。」 「【０１０５】 ＜本発明の第２実施形態＞ 図５に示すように、本発明の第２実施形態に係る半導体発光素子２は、表面電極３１０ｃ側のみならず、界面電極１６２の直上にも第３反射部としてのｐ型ＤＢＲ層１３０ｄを備える。ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄを構成するペア層に含まれる各半導体層は、導電型をｐ型とすれば、上述の実施形態や変形例と同様の材料及び構成を用いることができる。 【０１０６】 半導体発光素子２の製造方法としては、上述の実施形態と同様の手法で、ｐ型コンタクト層１５０までを成長させた後、ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄをさらに成長させ、フォトリソグラフィ法等を用いて例えばドット状にパターニングする。その後、ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄのパターンが形成されたｐ型コンタクト層１５０上の全面に、ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄと界面電極１６２との合計の厚さに略等しくなるよう、透明層１６１を形成し、開口して、ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄ上に、例えばドット状に点在する界面電極１６２を形成する。以後の製造方法は、上述の実施形態と同様である。」 「【０１１９】 また、上述の実施形態においては、ＧａＡｓ基板を成長基板１００とし、半導体積層構造１０ｓを含む複数の半導体層をＧａＡｓ格子整合系材料により構成したが、ＩｎＰ基板を成長基板として、各半導体層をＩｎＰ格子整合系材料により構成することも可能である。」 「図５ ［図：0001391973000001.jpg］ 」 イ 上記アより、以下の技術的事項が認められる。 （ア）上記アの【０１１９】に記載のとおり、「ＩｎＰ基板を成長基板として、各半導体層をＩｎＰ格子整合系材料により構成することも可能である」ことから、甲第１号証には、「半導体積層構造を含む複数の半導体層」を「ＩｎＰ格子整合系材料」により構成した、図１に記載される如き構造の半導体発光素子が記載されているものと認められる。 （イ）上記アの【００９１】に記載のとおり、「フォトリソグラフィ法等により周期的なドット状のレジストパターン（図示せず）を形成してエッチング液に浸漬し」ていることから、「凹凸部１４１ｒ」の形成手段として、レジストパターンを用いたウェットエッチングが記載されていることは明らかであるところ、「周期的なドット状のレジストパターン」について、具体的な構成の明記はなされてはいない。しかしながら、「凹凸部１４１ｒ」を形成するための「レジストパターン」であることに鑑みれば、当該「レジストパターン」には、「周期的なドット状」に「開口」が形成されたものが含まれるものと解される。そして、当該「レジストパターン」が、「周期的なドット状」に「開口」が形成されたものであれば、エッチングにより、ｎ型クラッド層１４１の一部が露出した面には、「凹部」が形成されるものと理解できる。 したがって、甲第１号証には、「ｎ型クラッド層１４１の一部が露出した面」に「ウェットエッチングにより形成された複数の凹部」が設けられた発光素子が記載されているものと認められる。 （ウ）上記アの図５より、「支持基板２００」と「ｐ型クラッド層１４３」との間に、「金属層１６３」を有する構成がみてとれる。 （エ）上記アの【０１０５】及び上記（ア）より、ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄは、ＩｎＰ格子整合系材料を用いるものと認められる。 ウ 甲第１号証に記載された発明 以上より、甲第１号証には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。 ＜甲１発明＞ 「導電性を有する半導体材料からなる支持基板２００を有する支持構造体２０と、発光層１４２を有する発光構造体１０と、が支持構造体２０側の接合層２２０及び発光構造体１０側の接合層１８０を介して接合された、半導体発光素子であって、 半導体発光素子からは、ピーク波長が得られ、 発光構造体１０は、半導体積層部１０ｓを有し、 半導体積層部１０ｓは、一部が光取り出し面１４１ｓとなる面を有するｎ型クラッド層１４１と、第１導電型とは異なる導電型のｐ型クラッド層との間に挟まれる発光層１４２を備え、 半導体積層部１０ｓをＩｎＰ格子整合系材料により構成し、 支持基板２００とｐ型クラッド層１４３との間に、金属材料からなる反射層としての金属層１６３を有し、 金属層１６３と発光層１４２が発する光の波長に対して光学的に透明な材料からなる透明層１６１とを備える第１反射部を有し、 透明層１６１上に、ｐ型コンタクト層１５０を備え、 透明層１６１は、電気絶縁性を有する材料からなり、 透明層１６１の一部には、界面電極１６２が形成されており、界面電極１６２は、金属材料からなり、ｐ型コンタクト層１５０とオーミック接合し、 電流は透明層１６１の一部に形成された界面電極１６２を介して流れ、 ｎ型クラッド層１４１の一部が露出した光取り出し面１４１ｓは、ウェットエッチングにより形成された複数の凹部を有し、 半導体積層部１０ｓの上面の一部に形成される表面電極３１０ｃとｎ型クラッド層１４１との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部としてのｎ型ＤＢＲ層１３０を備え、 界面電極１６２の直上にも第３反射部としてのｐ型ＤＢＲ層１３０ｄを備え、ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄは、ＩｎＰ格子整合系材料用いる、半導体発光素子。」 （２）甲第１１号証（特開２０１４－１９５０５５号公報）に記載された事項 ア 甲第１１号証には、図面と共に、次の記載がなされている。 「【００１５】 半導体発光素子１は、ここでは図２に示すように、基板１１上に、基板側接着層１３と、第１電極側接着層１４と、第１電極１５と、絶縁膜１６と、第２電極１７と、第１保護膜１８と、半導体積層体１９と、第２保護膜２１とが積層された構造を有している。また、基板１１の下面には、裏面接着層１２が設けられている。なお、図２は図１のＡ－Ａ断面に相当するが、ここでは図示の便宜上、図１に示したＡ－Ａ断面上に６個設けられている第１電極１５の突出部１５１を第２電極１７の外部接続部１７ｃ側から順に３個だけ図示し、残り３個は図示を省略している。」 「【００１６】 すなわち、第１実施形態の半導体発光素子１は、基板１１と、基板１１の上方に、上面側から下面側に向かって順に、第１半導体層１９ａ、活性層１９ｃおよび第２半導体層１９ｂが積層された半導体積層体１９とを備え、以下のように構成されている。 第１半導体層１９ａに接続された第１電極１５と、第２半導体層に接続された第２電極１７とは、半導体積層体１９と基板１１との間に設けられている。 …（後略）…。」 「【００１７】 以上のように構成された第１実施形態の半導体発光素子１において、さらに、第１半導体層１９ａの上面に、発光した光を効果的に外部に取り出すために、複数の凹部１９１が形成されている。複数の凹部１９１は、…（後略）…。」 「【００２１】 （基板１１） 基板１１は、電極などの部材を介して貼り合わせられた半導体積層体１９などを支持するためのものである。…（後略）…。」 「【００２２】 基板１１の具体例としては、Ｓｉ基板の他、ＧａＡｓなどからなる半導体基板や、Ｃｕ，Ｇｅ，Ｎｉなどの金属材料、あるいは、Ｃｕ－Ｗなどの複合材料からなる導電性基板などが挙げられる。前記したＳｉ基板を基板１１として用いると、安価でチップ化しやすいという利点があり、前記した導電性基板を基板１１として用いると、基板１１側からの電力供給が可能となるほか、放熱性に優れた素子とすることができるという利点がある。」 「【００４３】 （第２電極１７） 第２電極１７は、第２半導体層１９ｂに電流を供給するためのものである。第２電極１７は、第２半導体層１９ｂがｐ型半導体層である本実施形態においてはｐ電極として機能する。第２電極１７は、図２に示すように、第２半導体層１９ｂの下部に膜状に形成され、絶縁膜１６を挟んで第１電極１５と対向するように配置されている。第２電極１７は、より具体的には、第２半導体層１９ｂと接続される内部接続部１７ｂと、内部接続部１７ｂを介して第２半導体層１９ｂに電気的に接続される配線部１７ａと、配線部１７ａと接続される外部接続部１７ｃとから構成されている。」 「【００４５】 …（前略）…。また、配線部１７ａは、後記する内部接続部１７ｂと同様に、活性層１９ｃからの光に対して反射率の高い材料で、かつ、導電性の高い材料で構成されることが好ましい。」 「【００５７】 半導体積層体１９は、図２に示すように、第１半導体層１９ａ、活性層１９ｃおよび第２半導体層１９ｂが上から順に積層された構造を有している。この第１半導体層１９ａ、第２半導体層１９ｂおよび活性層１９ｃの具体的構成は特に限定されず、例えばＩｎＡｌＧａＰ系、ＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、これらの混晶、ＧａＮ系などの窒化物半導体のいずれかで構成することができる。…（後略）…。」 「【００５８】 ここで、第１半導体層１９ａとは、ｎ型またはｐ型半導体層を指し、第２半導体層１９ｂとは、第１半導体層１９ａとは異なる導電型、すなわちｐ型またはｎ型半導体層を指している。半導体発光素子１は、ここでは好ましい形態として、第１半導体層１９ａがｎ型半導体層で構成され、第２半導体層１９ｂがｐ型半導体層で構成されている。本実施形態の構成では、第２半導体層１９ｂよりも第１半導体層１９ａ内の抵抗を低くすることが好ましく、これにより、第１電極１５に接続された第１半導体層１９ａ中を電流が拡散しやすくなるので、第１電極１５の近傍で起こりやすい傾向にある電流集中を緩和することが可能になる。…（後略）…。」 「【００６５】 ここで、凹部１９１の底部を含む第１半導体層１９ａの上面には、図２に示すように、粗面部１９２が形成されている。この粗面部１９２の凹凸は、凹部１９１よりも浅い高低差で、かつ凹部１９１のピッチよりも狭いピッチでランダムに設けられている。…（後略）…。」 「【００８１】 次に、半導体発光素子１の製造方法は、図７（ｂ）に示すように、水酸化テトラメチルアンモニウム（Tetramethylammoniumhydroxide：ＴＭＡＨ）溶液を用いたウェットエッチングによって、凹部１９１の底部を含む第１半導体層１９ａの上面を粗面化し、粗面部１９２を形成する。…（後略）…。」 「【０１１８】 また、前記した半導体発光素子１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆは、図２に示すように、凹部１９１が六角形状に形成されていたが、その他の多角形状、円形状、楕円形状に形成された構成であってもよい。」 「図２ ［図：0001391973000002.jpg］ 」 「図３ ［図：0001391973000003.jpg］ 」 イ 甲第１１号証に記載された技術的事項 甲第１１号証には、図２に記載される構成を備える半導体発光素子が記載されているところ、【００５７】には、「この第１半導体層１９ａ、第２半導体層１９ｂおよび活性層１９ｃの具体的構成は特に限定されず」と記載され、その材料系の一つとして「ＩｎＰ系」が例示されていることから、甲第１１号証には、「ＩｎＰ系」の材料で構成された半導体発光素子が記載されているものと認められる。 また、第１半導体層１９ａがｎ型半導体層で構成され、「第１半導体層１９ａ、活性層１９ｃおよび第２半導体層１９ｂ」と積層されている構成からみれば、「第１半導体層１９ａ」及び「第２半導体層１９ｂ」は、いわゆる「クラッド層」に相当する層といえる。 ウ 甲第１１号証に記載された発明 以上より、甲第１１号証には次の発明（以下「甲１１発明」という。）が記載されているものと認められる。 ＜甲１１発明＞ 「基板１１と、基板１１の上方に、上面側から下面側に向かって順に、第１半導体層１９ａ、活性層１９ｃおよび第２半導体層１９ｂが積層された半導体積層体１９とを備える半導体発光素子１であって、 半導体積層体１９は、ＩｎＰ系で構成され、 導電性基板を基板１１として用い、 基板１１は、電極などの部材を介して貼り合わせられた半導体積層体１９などを支持するためのものであり、 第１半導体層１９ａがｎ型クラッド層で構成され、第２半導体層１９ｂがｐ型クラッド層で構成され、 第１半導体層１９ａに接続された第１電極１５と、第２半導体層に接続された第２電極１７とは、半導体積層体１９と基板１１との間に設けられ、 第２電極１７は、第２半導体層１９ｂと接続される内部接続部１７ｂと、内部接続部１７ｂを介して第２半導体層１９ｂに電気的に接続される配線部１７ａと、配線部１７ａと接続される外部接続部１７ｃとから構成され、 配線部１７ａは、内部接続部１７ｂと同様に、活性層１９ｃからの光に対して反射率の高い材料で構成され、 第１半導体層１９ａの上面に、発光した光を効果的に外部に取り出すために、複数の凹部１９１が形成され、 凹部１９１の底部を含む第１半導体層１９ａの上面には、粗面部１９２が形成されている、半導体発光素子。」 （３）甲第１２号証（特開２０１２－２３１０００号公報）に記載された事項 ア 甲第１２号証には、図面と共に、次の記載がなされている。 「【００１０】 半導体発光装置１００は、第１半導体層であるｎ型クラッド層５と、第２半導体層であるｐ型クラッド層７と、ｎ型クラッド層５とｐ型クラッド層７との間に設けられた発光層９と、を含む。そして、各半導体層は、支持基板２５の上にｐ電極２１を介して設けられる。」 「【００１４】 半導体発光装置１００では、第１電極であるｎ電極１７と、第２電極であるｐ電極２１と、の間に駆動電流を流すことにより、発光層９から青色の光が放射される。そして、発光層９から放射された光は、透明電極１３を透過して外部に放出される。ｐ電極２１は、発光層９から放射された光をｎ型クラッド層５の方向に反射する。これにより、発光効率を向上させる。」 「【００１５】 一方、ｎ型クラッド層５には薄層部５ａが設けられ、薄層部５ａの下の発光層９へ注入されるキャリア（電子および正孔）の密度を高くするように構成される。すなわち、発光層９から薄層部５ａを介して透明電極１３に至る電流経路の抵抗は、発光層９から薄層部５ａ以外の厚いｎ型クラッド層５を介して透明電極１３に流れる電流経路の抵抗よりも小さい。このため、ｐ電極２１から透明電極１３へ流れる駆動電流の多くが、薄層部５ａを介した電流経路に集中し、薄層部５ａの下の発光層９におけるキャリア密度が、発光層９の他の部分よりも多くなる。」 「【００２０】 例えば、図２（ａ）に示すように、ｎ型クラッド層５に設けられる複数の薄層部５ａは、離間した複数の凹部として形成することができる。その形状は任意であり、同図に示すように矩形でも良いし、円形でも良い。隣り合う薄層部５ａの間隔は、電子または正孔の拡散長以上で、製造過程におけるサイドエッチング等を考慮しても離間して形成できる値(２～１００μｍ)が好ましい。」 「【００３７】 まず、図４（ａ）に示すように、サファイア基板３の上に、ｎ型クラッド層５と、超格子層６と、発光層９と、ｐ型クラッド層７と、を順に成長したウェーハ１０ａを形成する。これらの層は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Meta Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。」 「【００４０】 次に、図４（ｂ）に示すように、ｐ型クラッド層７の上に、電流ブロック層２３と、ｐ電極２１ａとを形成する。電流ブロック層２３には、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。ｐ電極２１ａには、ｐ型クラッド層７の側から、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｇ、白金（Ｐｔ）およびＡｕを順に積層した多層膜を用いることができる。 【００４１】 次に、図５（ａ）に示すように、ウェーハ１０ａと、ウェーハ１０ｂと、を貼り合わせる。ウェーハ１０ｂは、支持基板２５と、その表面に形成されたｐ電極２１ｂと、を含む。支持基板２５には、例えば、ｐ型シリコン基板、もしくは、ｐ型ゲルマニウム基板を用いることができる。ｐ電極２１ｂには、例えば、Ａｕを用いる。そして、同図に示すように、ｐ電極２１ａの表面と、ｐ電極２１ｂの表面と、を接触させ、両ウェーハの裏面側から加重を加えることにより、ｐ電極２１ａとｐ電極２１ｂとを接合する。ｐ電極２１は、一体となったｐ電極２１ａおよびｐ電極２１ｂを含む。 【００４２】 続いて、ウェーハ１０ａの裏面側から、例えば、ＹＡＧレーザを照射し、ｎ型クラッド層５の一部の結晶を解離させ、図５（ｂ）に示すように、サファイア基板３をｎ型クラッド層５から分離する。 【００４３】 次に、図６（ａ）に示すように、サファイア基板３を分離して露出させたｎ型クラッド層５の表面５ｂにエッチングマスク３１を形成する。続いて、ｎ型クラッド層５を、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いてエッチングし、薄層部５ａを形成する。」 「【００５３】 以上、第１および第２の実施形態では、窒化物半導体を材料とする半導体発光装置を例に説明したが、半導体材料は窒化物半導体に限られる訳ではない。例えば、ＧａＡｓ系、あるいは、ＩｎＰ系などの化合物半導体を材料とする発光装置であっても良い。」 「図１ ［図：0001391973000004.jpg］ 」 イ 甲第１２号証に記載された技術的な事項 甲第１２号証には、図１に記載された構成を備える半導体発光素子が記載されているところ、【００５３】には、「半導体材料は窒化物半導体に限られる訳ではない」と記載され、その材料系の一つとして「ＩｎＰ系」が例示されていることから、甲第１２号証には、「ＩｎＰ系」で構成された半導体発光素子が記載されているものと認められる。 ウ 甲第１２号証に記載された発明 上記ａ～ｂより、甲第１２号証には次の発明（以下「甲１２発明」という。）が記載されているものと認められる。 ＜甲１２発明＞ 「半導体発光装置１００は、第１半導体層であるｎ型クラッド層５と、第２半導体層であるｐ型クラッド層７と、ｎ型クラッド層５とｐ型クラッド層７との間に設けられた発光層９と、を含む半導体発光装置であって、 各半導体層は、ＩｎＰ系の化合物半導体を材料とし、 各半導体層は、支持基板２５の上にｐ電極２１を介して設けられ、 支持基板２５には、ｐ型シリコン基板、もしくは、ｐ型ゲルマニウム基板を用い、 ｐ電極２１は、発光層９から放射された光をｎ型クラッド層５の方向に反射し、 ｎ型クラッド層７５には薄層部５ａが設けられ、 ｎ型クラッド層５に設けられる複数の薄層部５ａは、離間した複数の凹部として形成することがでる、半導体発光装置。」 ２ 甲１発明に基づく進歩性 （１）本件発明２について ア 対比 （ア）甲１発明の「支持基板２００」は、「導電性を有する半導体材料からなる」基板であるから、本件発明２の「導電性支持基板」に相当し、甲１発明の「発光層１４２」は、本件発明２の「半導体発光層」に相当する。 また、甲１発明の「ｐ型クラッド層１４３」及び「ｎ型クラッド層１４１」は、本件発明２の「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」である点で一致するといえ、甲１発明の「ｎ型クラッド層１４１」は、「一部が光取り出し面１４１ｓとなる面を有する」ことから、本件発明２の「光取出し側とする」との構成を満たすといえる。 （イ）甲１発明の「金属層１６３」は「金属材料からなる反射層として」機能しているところ、「発光層１４２」からの光を反射していることは明らかであるから、甲１発明の「金属層１６３」は、本件発明２の「金属反射層」に相当し、「前記導電性支持基板と、前記ｐ型クラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する」との特定を満たすものである。 （ウ）甲１発明は、「金属層１６３と発光層１４２が発する光の波長に対して光学的に透明な材料からなる透明層１６１とを備える第１反射部を有し」、「透明層１６１上に、ｐ型コンタクト層１５０を備え」、「透明層１６１は、電気絶縁性を有する材料からなり」、「透明層１６１の一部には、界面電極１６２が形成されており、界面電極１６２は、金属材料からなり、ｐ型コンタクト層１５０とオーミック接合し」、「電流は透明層１６１の一部に形成された界面電極１６２を介して流れ」、「界面電極１６２の直上にも第３反射部としてのｐ型ＤＢＲ層１３０ｄを備え、ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄは、ＩｎＰ格子整合系材料用いることができる」と特定されており、界面電極１６２を介して電流が流れることに鑑みれば、金属層１６３と界面電極１６２とは「オーミック接触」しているものと理解できる。 そうすると、甲１発明の「透明層１６１」、「界面電極１６２」、「ｐ型ＤＢＲ層１３０ｄ」及び「界面電極１６２及びｐ型ＤＢＲ層１３０ｄ」は、それぞれ、本件発明２の「誘電体層」、「オーミック金属部」、「ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体」及び「コンタクト部」に相当し、「透明層１６１」及び「界面電極１６２及びｐ型ＤＢＲ層１３０ｄ」は、並列して設けられているといえる。 よって、甲１発明は、本件発明２の「前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり」との構成と、「前記金属反射層および前記ｐ型」「クラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり」との点で一致する。 （エ）以上より、本件発明２と甲１発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「導電性支持基板上に、ｐ型クラッド層、半導体発光層、およびｎ型クラッド層が順次設けられ、前記ｎ型クラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と、前記ｐ型クラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記金属反射層および前記ｐ型クラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、 前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、 前記ｎ型クラッド層の表面に、複数の凹部が設けられた、半導体発光素子。」 ＜相違点＞ ・相違点１ 「発光波長」の「波長域」について、本件発明２では、「波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし」と、波長域を特定しているのに対して、甲１発明では、波長域は特定されていない点。 ・相違点２ 「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」について、本件発明２では、「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と、クラッド層の材料を特定しているのに対して、甲１発明では、クラッド層の材料は特定されていない点。 ・相違点３ 「凹部の底部」について、本件発明２では、「凹部の底部が＜０１１＞方位に沿う」と特定しているのに対して、甲１発明では、凹部の底部の構成は特定されていない点。 ・相違点４ 「凹部の形状」について、本件発明２では、「前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿う」と特定しているのに対して、甲１発明では、凹部の形状は特定されていない点。 ・相違点５ 本件発明２では、「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」と特定されているのに対し、甲１発明では、そのように特定されていない点。 イ 判断 事案に鑑み、相違点５について検討する。 （ア）甲１発明の発光スペクトルについて、甲１発明は、ピーク波長が得られるものであるところ、発光ダイオードの発光スペクトルは、一般に単峰性であることが技術常識であるから、甲１発明の発光スペクトルのピークは一つ（単峰性）であると解するのが自然である。 （イ）そうすると、甲１発明において相違点５に係る構成に至るためには、甲１発明の発光スペクトルを、「単峰性（極小値を有しない）」であるものから、「極小値が１つ又は２つ」であるものに変更すれば足りるものと解される。 そこで、そのように変更し得るかについて検討すると、甲第１号証には、「多峰性（極小値が１つ以上）」について記載はなく、発光スペクトルが単峰性のものを多峰性とすることは技術常識ともいえないので、甲１発明の発光スペクトルを、「多峰性（極小値が１つ以上）」とする動機は認められない。 よって、甲１発明を、相違点５に係る「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」ものとすることは、当業者が容易になし得たとはいえないものである。 ウ 本件発明２についての小括 したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明３～５について これらの各発明は、いずれも、甲１発明との間に相違点５を含むものであるから、上記（１）と同様の理由により、甲１発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）甲１発明に基づく進歩性についての小括 以上のとおりであるから、この取消理由によっては、本件発明２～５に係る特許を取り消すことはできない。 ３ 甲１１発明に基づく進歩性 （１）本件発明２について ア 対比 （ア）甲１１発明の「基板１１」は、「導電性基板」であるから、本件発明２の「導電性支持基板」に相当し、甲１１発明の「活性層１９ｃ」は、本件発明２の「半導体発光層」に相当する。 また、甲１１発明の「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」は、本件発明２の「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」である点で一致し、甲１１発明の「ｎ型クラッド層」の上面には、「発光した光を効果的に外部に取り出すために、複数の凹部１９１が形成され」ていることから、甲１１発明の「ｎ型クラッド層」は、本件発明２の「光取出し側とする」との特定を満たすものであり、当該「複数の凹部１９１」は、本件発明２の「複数の凹部」に相当するといえる。 （イ）甲１１発明の「第２電極１７」は、「第２半導体層１９ｂと接続される内部接続部１７ｂと、内部接続部１７ｂを介して第２半導体層１９ｂに電気的に接続される配線部１７ａと、配線部１７ａと接続される外部接続部１７ｃとから構成され」ており、「配線部１７ａは、内部接続部１７ｂと同様に、活性層１９ｃからの光に対して反射率の高い材料で構成され」ていることから、本件発明２の「金属反射層」に相当し、「前記導電性支持基板と、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する」との特定を満たすものである。 （ウ）上記（ア）～（イ）のとおりであるから、本件発明２と甲１１発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「導電性支持基板上に、ｐ型クラッド層、半導体発光層、およびｎ型クラッド層が順次設けられ、前記ｎ型クラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と、前記ｐ型クラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記ｎ型クラッド層の表面に、複数の凹部が設けられた、半導体発光素子。」 ＜相違点＞ ・相違点１ 「発光波長」の「波長域」について、本件発明２では、「波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし」と、波長域を特定しているのに対して、甲１１発明では、波長域は特定されていない点。 ・相違点２ 「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」について、本件発明２では、「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と、クラッド層の材料を特定しているのに対して、甲１１発明では、クラッド層の材料は特定されていない点。 ・相違点３ 「凹部の底部」について、本件発明２では、「凹部の底部が＜０１１＞方位に沿う」と特定しているのに対して、甲１１発明では、凹部の底部の構成は特定されていない点。 ・相違点４ 「凹部の形状」について、本件発明２では、「前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿う」と特定しているのに対して、甲１１発明では、凹部の形状は特定されていない点。 ・相違点５ 本件発明２では、「前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり」と特定されているのに対し、甲１１発明では、そのように特定されていない点。 ・相違点６ 本件発明２では、「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」と特定されているのに対し、甲１１発明では、そのように特定されていない点。 イ 判断 事案に鑑み、相違点６について検討する。 （ア）甲１１発明の発光スペクトルについて、甲第１１号証に発光スペクトルについての記載はなく、発光ダイオードの発光スペクトルは、一般に単峰性であることが技術常識である。そして、甲第１１号証に、発光スペクトルや発光波長について明記されていない以上、上記技術常識に倣うと、甲１１発明の発光スペクトルのピークは一つ（単峰性）であると解するのが自然である。 （イ）そうすると、甲１１発明において相違点６に係る構成に至るためには、甲１１発明の発光スペクトルを、「単峰性（極小値を有しない）」であるものから、「極小値が１つ又は２つ」であるものに変更すれば足りるものと解される。 そこで、そのように変更し得るかについて検討すると、甲第１１号証には、「多峰性（極小値が１つ以上）」について記載はなく、発光スペクトルが単峰性のものを多峰性とすることは技術常識ともいえないので、甲１１発明の発光スペクトルを、「多峰性（極小値が１つ以上）」とする動機は認められない。 よって、甲１１発明を、相違点６に係る「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」ものとすることは、当業者が容易になし得たとはいえないものである。 ウ 本件発明２についての小括 したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１１発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明３～５について これらの各発明は、いずれも、甲１１発明との間に相違点６を含むものであるから、上記（１）と同様の理由により、甲１１発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）甲１１発明に基づく進歩性についての小括 以上のとおりであるから、この取消理由によっては、本件発明２～５に係る特許を取り消すことはできない。 ４ 甲１２発明に基づく進歩性 （１）本件発明２について ア 対比 （ア）甲１２発明の「支持基板２５」は、「ｐ型シリコン基板、もしくは、ｐ型ゲルマニウム基板」であるから、本件発明２の「導電性支持基板」に相当し、甲１２発明の「発光層９」は、本件発明２の「半導体発光層」に相当する。 また、甲１２発明の「ｐ型クラッド層７」及び「ｎ型クラッド層５」は、本件発明２の「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」である点で一致するといえ、「ｐ電極２１」は、「発光層９から放射された光をｎ型クラッド層５の方向に反射し」ていることから、光がｎ型クラッド層５から取り出されていることは明らかであり、甲１２発明の「ｎ型クラッド層５」は、本件発明２の「光取出し側とする」との特定を満たすといえる。 （イ）甲１２発明の「ｐ電極２１」は、「発光層９から放射された光をｎ型クラッド層５の方向に反射し」ていることから、本件発明２の「金属反射層」に相当し、「前記導電性支持基板と、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する」との特定を満たすものである。 （ウ）上記（ア）～（イ）のとおりであるから、本件発明２と甲１２発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「導電性支持基板上に、ｐ型クラッド層、半導体発光層、およびｎ型クラッド層が順次設けられ、前記ｎ型クラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と、前記ｐ型クラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記ｎ型クラッド層の表面に、複数の凹部が設けられた、半導体発光素子。」 ＜相違点＞ ・相違点１ 「発光波長」の「波長域」について、本件発明２では、「波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし」と、波長域を特定しているのに対して、甲１２発明では、波長域は特定されていない点。 ・相違点２ 「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」について、本件発明２では、「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と、クラッド層の材料を特定しているのに対して、甲１２発明では、クラッド層の材料は特定されていない点。 ・相違点３ 「凹部の底部」について、本件発明２では、「凹部の底部が＜０１１＞方位に沿う」と特定しているのに対して、甲１２発明では、凹部の底部の構成は特定されていない点。 ・相違点４ 「凹部の形状」について、本件発明２では、「前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿う」と特定しているのに対して、甲１２発明では、凹部の形状は特定されていない点。 ・相違点５ 本件発明２では、「前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり」と特定されているのに対し、甲１２発明では、そのように特定されていない点。 ・相違点６ 本件発明２では、「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」と特定されているのに対し、甲１２発明では、そのように特定されていない点。 イ 判断 事案に鑑み、相違点６について検討する。 （ア）甲１２発明の発光スペクトルについて、甲第１２号証に発光スペクトルについての記載はなく、発光ダイオードの発光スペクトルは、一般に単峰性であることが技術常識である。そして、甲第１２号証に、発光スペクトルや発光波長について明記されていない以上、上記技術常識に倣うと、甲１２発明の発光スペクトルのピークは一つ（単峰性）であると解するのが自然である。 （イ）そうすると、甲１２発明において相違点６に係る構成に至るためには、甲１２発明の発光スペクトルを、「単峰性（極小値を有しない）」であるものから、「極小値が１つ又は２つ」であるものに変更すれば足りるものと解される。 そこで、そのように変更し得るかについて検討すると、甲第１２号証には、「多峰性（極小値が１つ以上）」について記載はなく、発光スペクトルが単峰性のものを多峰性とすることは技術常識ともいえないので、甲１２発明の発光スペクトルを、「多峰性（極小値が１つ以上）」とする動機は認められない。 よって、甲１２発明を、相違点６に係る「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」ものとすることは、当業者が容易になし得たとはいえないものである。 ウ 本件発明２についての小括 したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１２発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明３～５について これらの各発明は、いずれも、甲１２発明との間に相違点６を含むものであるから、上記（１）と同様の理由により、甲１１発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）甲１２発明に基づく進歩性についての小括 以上のとおりであるから、この取消理由によっては、本件発明２～５に係る特許を取り消すことはできない。 ５ 取消理由通知に記載した取消理由に対する当審の判断の小括 以上のとおり、取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件発明２～５に係る特許を取り消すことはできない。 第６ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 甲第１０号証に記載された発明に基づく新規性欠如・進歩性欠如 （１）本件発明２について ア 甲第１０号証（特開２０１２－８４７２７号公報）に記載された事項 （ア）甲第１０号証には、図面と共に、次の記載がなされている。 「【請求項１】 第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造と、 前記半導体積層構造の一方の面上に設けられ、線形状の線状表面電極部を有する表面電極と、 前記半導体積層構造の前記表面電極が設けられる側の反対の面側に設けられ、前記発光層が発する光を反射する反射層と、 前記半導体積層構造と前記反射層との間に設けられる誘電体層と、 前記半導体積層構造と前記反射層とを電気的に接続し、線形状の線状界面電極部を有する界面電極とを備え、 前記線状表面電極部と前記線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、 前記半導体積層構造が、前記半導体積層構造の前記反射層の反対側の表面に、前記予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝を有する発光素子。」 「【請求項５】 前記第１半導体層が、前記発光層の反対側の表面に凹凸部を有する請求項４に記載の発光素子。」 「【００１８】 （発光素子１の構造の概要） 本実施の形態に係る発光素子１は、例えば、赤色光又は赤外光を放射する発光素子としての発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）である。発光素子１は、図１Ｂに示すように、発光層としての活性層１３を有すると共に、平面視にて予め定められた一の方向に沿って直線状に延びる溝８０を一方の面に有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面上であって溝８０が設けられている領域を除く領域にオーミック接合する表面電極５０と、半導体積層構造１０の他方の面側に設けられ、活性層１３が発する光を反射する反射層３２と、半導体積層構造１０と反射層３２との間に設けられる誘電体層としての絶縁層３０と、絶縁層３０の一部を貫通し、半導体積層構造１０と反射層３２とを電気的に接続する界面電極４０とを備える。 【００１９】 また、発光素子１は、反射層３２の絶縁層３０に接している側の反対側に導電性を有する支持基板２０を備え、支持基板２０の反射層３２の反対側の面の略全面には、支持基板２０にオーミック接合する裏面電極５５が設けられる。そして、発光素子１は、反射層３２の半導体積層構造１０の側の反対側に設けられる半導体積層構造側接合層３６と、支持基板２０の裏面電極５５の反対側に設けられる支持基板側接合層２４とを備える。半導体積層構造側接合層３６と支持基板側接合層２４とはそれぞれ主として金属材料を用いて形成されており、両層が互いに接合することにより半導体積層構造１０が支持基板２０に支持される。更に、表面電極５０の表面の一部には、ワイヤーボンディング用パッドとしてのパッド電極６０が設けられる。」 「【００２４】 （半導体積層構造１０） 半導体積層構造１０は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であるＡｌＧａＩｎＰ系半導体（すなわち、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ［ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１］）からなる複数の化合物半導体層を有して形成される。具体的に、半導体積層構造１０は、不純物であるドーパントがドープされていないアンドープのＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体から形成される活性層１３を、第１導電型としてのｎ型のＡｌＧａＩｎＰを含んで形成されるｎ型クラッド層１４と、第２導電型としてのｐ型のＡｌＧａＩｎＰを含んで形成される第２半導体層としてのｐ型クラッド層１２とで挟んだ構成を有する。」 【００２５】 また、半導体積層構造１０は、ｐ型クラッド層１２の活性層１３の反対側に設けられるｐ型コンタクト層１１と、ｎ型クラッド層１４の活性層１３の反対側に設けられる第１半導体層としてのｎ型電流分散層１５と、ｎ型電流分散層１５のｎ型クラッド層１４の反対側に設けられるｎ型コンタクト層１６とを更に有する。ここで、発光素子１に供給された電流が表面電極５０から界面電極４０に流れる場合に、当該電流が表面電極５０の直下の活性層１３に集中して流れることを抑制し、活性層１３の面方向に電流を分散させることにより発光素子１の発光出力を向上させるべく、ｎ型電流分散層１５は、ｐ型クラッド層１２の体積抵抗率より低い体積抵抗率を有する化合物半導体から構成する。なお、体積抵抗率は、Ｖａｎ ｄｅｒ ｐａｕｗ法により測定することができる。また、過電流を応用した非接触式抵抗測定方法を用いることもできる。」 「【００３２】 （反射層３２） 反射層３２は、半導体積層構造１０の表面電極５０が設けられる側の反対の面側に設けられる。反射層３２は、活性層１３が発する光に対して高い反射率を有する導電性材料から形成される。具体的に、反射層３２は、Ａｕを含む金属材料を用いて形成することができる。一例として、反射層３２は、Ａｕから形成することができる。反射層３２は、活性層１３が発した光のうち、反射層３２に達した光を活性層１３側に向けて反射する。」 「図１Ｂ ［図：0001391973000005.jpg］ 」 （イ）上記（ア）の【００２５】を参酌しつつ、図１Ｂより、導電性を有する支持基板２０上に、ｐ型クラッド層１２、活性層１３、ｎ型クラッド層１４、及び凹凸部を有するｎ型電流分散層１５をこの順に備え、ｎ型クラッド層１４側より光は取り出される発光素子１がみてとれる。 （ウ）甲第１０号証に記載された発明 以上より、甲第１０号証には次の発明（以下「甲１０発明」という。）が記載されているものと認められる。 ＜甲１０発明＞ 「第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造と、 前記半導体積層構造の一方の面上に設けられ、線形状の線状表面電極部を有する表面電極と、 前記半導体積層構造の前記表面電極が設けられる側の反対の面側に設けられ、前記発光層が発する光を反射する反射層と、 前記半導体積層構造と前記反射層との間に設けられる誘電体層と、 前記半導体積層構造と前記反射層とを電気的に接続し、線形状の線状界面電極部を有する界面電極とを備え、 前記線状表面電極部と前記線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、 前記半導体積層構造が、前記半導体積層構造の前記反射層の反対側の表面に、前記予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝を有し、 前記第１半導体層が、前記発光層の反対側の表面に凹凸部を有し、 発光素子は、赤外光を放射する発光ダイオードであり、 凹凸部は、ｎ型電流分散層１５に形成され、 反射層３２は、Ａｕを含む金属材料を用いて形成し、 半導体積層構造１０が支持基板２０に支持され 導電性を有する支持基板２０上に、ｐ型クラッド層１２、活性層１３、ｎ型クラッド層１４、及びｎ型電流分散層１５をこの順に備え、ｎ型クラッド層１４側より光は取り出され、支持基板２０とｐ型クラッド層１２との間に反射層３２を有する、発光素子。」 イ 対比 （ア）甲１０発明の「導電性を有する支持基板２０」は、本件発明２の「導電性支持基板」に相当し、甲１０発明の「活性層１３」は、本件発明２の「半導体発光層」に相当する。 また、甲１０発明の「ｐ型クラッド層１２」及び「ｎ型クラッド層１４」は、本件発明２の「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」である点で一致するといえ、「ｎ型クラッド層１４側より光は取り出され」るので、甲１０発明の「ｎ型クラッド層１４」は、本件発明２の「光取出し側とする」との構成を満たすといえる。 （イ）甲１０発明の「反射層３２」は、「前記半導体積層構造の前記表面電極が設けられる側の反対の面側に設けられ」、「発光層が発する光を反射する」「Ａｕを含む金属材料」であるから、本件発明２の「金属反射層」に相当し、引用発明の「半導体積層構造１０」が「支持基板２０に支持され」ていることを踏まえると、本件発明２の「前記導電性支持基板と、前記ｐ型クラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する」との特定を満たすものである。 （ウ）甲１０発明は、「前記半導体積層構造と前記反射層との間に設けられる誘電体層と、前記半導体積層構造と前記反射層とを電気的に接続し、線形状の線状界面電極部を有する界面電極とを備え」と特定されている。 そうすると、甲１０発明の「誘電体層」及び「界面電極」は、それぞれ、本件発明２の「誘電体層」及び「コンタクト部」に相当し、「誘電体層」及び「界面電極」は、並列して設けられているといえる。 よって、甲１０発明は、本件発明２の「前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し」との構成と、「前記金属反射層および前記ｐ型」「クラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し」との点で一致する。 （エ）甲１０発明では、「凹凸部は、ｎ型電流分散層１５に形成され」ているから、本件発明２の「前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に、複数の凹部が設けられ」との構成と、「ｎ型層の表面に、複数の凹部が設けられ」との点で一致する。 （オ）以上より、本件発明２と甲１０発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「導電性支持基板上に、ｐ型クラッド層、半導体発光層、およびｎ型クラッド層が順次設けられ、前記ｎ型クラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と、前記ｐ型クラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 ｎ型層の表面に、複数の凹部が設けられ、 前記金属反射層および前記ｐ型クラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有する半導体発光素子。」 「導電性支持基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、半導体発光層、およびｎ型ＩｎＰクラッド層が順次設けられ、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層を光取出し側とする半導体発光素子であって、 前記導電性支持基板と前記型ＩｎＰクラッド層との間に、前記半導体発光層から放射される光を反射する金属反射層をさらに有し、 前記ｎ型ＩｎＰクラッド層の表面に、複数の凹部が設けられ、 波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし、 前記凹部の底部が＜０１１＞方位に沿い、 前記凹部の形状が、前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿い、 前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、 前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり、 発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つであることを特徴とする半導体発光素子。」 ＜相違点＞ ・相違点１ 「発光波長」の「波長域」について、本件発明２では、「波長１０００ｎｍ～２２００ｎｍの近赤外領域を発光波長とし」と、波長域を特定しているのに対して、甲１０発明では、波長域は特定されていない点。 ・相違点２ 「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」について、本件発明２では、「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」と、クラッド層の材料を特定しているのに対して、甲１０発明では、クラッド層の材料は特定されていない点。 ・相違点３ 「複数の凹凸部」について、本件発明２では、「ｎ型ＩｎＰクラッド層」の表面に形成されているのに対して、甲１０発明では、「ｎ型電流分散層１５」の表面に形成されている点。 ・相違点４ 「凹部の底部」について、本件発明２では、「凹部の底部が＜０１１＞方位に沿う」と特定しているのに対して、甲１０発明では、凹部の底部の構成は特定されていない点。 ・相違点５ 「凹部の形状」について、本件発明２では、「前記光取出し側から平面視して楕円状であり、前記楕円状の長軸が前記凹部の前記底部に沿う」と特定しているのに対して、甲１０発明では、凹部の形状は特定されていない点。 ・相違点６ 本件発明２では、「前記金属反射層および前記ｐ型ＩｎＰクラッド層の間に並列して設けられた誘電体層およびコンタクト部と、を有し、前記コンタクト部は、前記金属反射層上のオーミック金属部と、該オーミック金属部上のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層と、からなり」と特定されているのに対し、甲１０発明では、そのように特定されていない点。 ・相違点７ 本件発明２では、「発光スペクトルにおいて、極小値が１つ又は２つである」と特定されているのに対し、甲１０発明では、そのように特定されていない点。 ウ 判断 事案に鑑み、相違点２について検討する。 申立人は、甲第１０号証の「半導体積層構造１０は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であるＡｌＧａＩｎＰ系半導体（すなわち、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ［ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１］）からなる複数の化合物半導体層を有して形成される」（【００２４】）との記載より、半導体積層構造１０を構成する「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」が、「ｐ型ＩｎＰクラッド層」及び「ｎ型ＩｎＰクラッド層」（ｙ＝０）で形成され得ることが開示されていると主張している。 しかしながら、「ＡｌＧａＩｎＰ系半導体」からなる半導体発光素子は、ＧａＡｓ基板上に形成され、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなる活性層を備えるものであることが技術常識であるから、バンドギャップの関係を踏まえると、そのクラッド層が「ＩｎＰ」より構成されることはない。そして、他の記載及び周知技術を参酌しても、甲１０発明の「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」を、「ＩｎＰ」により構成する動機は認められない。 よって、甲１０発明の「ｐ型クラッド層」及び「ｎ型クラッド層」を、相違点２に係る本件発明２の構成とすることは、当業者が容易になし得たものではない。 エ 本件発明２についての小括 したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１０発明ではなく、甲１０発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （２）本件発明３～５について これらの各発明は、いずれも、甲１０発明との間に相違点２を含むものであるから、上記（１）と同様の理由により、本件発明３～５は、甲１０発明ではなく、甲１０発明、技術常識及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （３）甲第１０号証に記載された発明に基づく新規性欠如・進歩性欠如についての小括 以上のとおりであるから、この取消理由によっては、本件発明２～５に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由についての小括 以上のとおり、取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由によっては、本件発明２～５に係る特許を取り消すことはできない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載された取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、本件発明２～５に係る特許を取り消すことはできない。そして、他に、本件発明２～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 本件発明１及び６に係る特許は、本件訂正により削除され、特許異議の申立てについて、当該各発明に係る特許に対する申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。