2019-700659

特許第６４８３８０３号発明「磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６４８３８０３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、２〕、〔３～６〕について訂正することを認める。 特許第６４８３８０３号の請求項２、４～６に係る特許を維持する。 特許第６４８３８０３号の請求項１、３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６４８３８０３号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願は、２０１６年（平成２８年）２月２４日（優先権主張　平成２７年３月４日（ＪＰ）日本国）を国際出願日とする出願であって、平成３１年２月２２日にその特許権の設定登録がされ、平成３１年３月２０日に特許掲載公報が発行されたものであり、その後、請求項１～６に係る特許に対して、令和１年８月２２日付けで特許異議申立人神田紀子（以下、「申立人」という。）により、甲第１号証～甲第３号証を証拠方法とする特許異議の申立てがされ、令和１年１２月９日付けで取消理由が通知され、令和２年１月２９日付けで特許権者により、意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、令和２年３月６日付けで申立人により、参考資料１を証拠方法とする意見書（以下、「申立人意見書」という。）の提出がされたものである。 （証拠方法） 甲第１号証：特開２００４－３４６４２３号公報 甲第２号証：国際公開第２０１１／０７０８６０号 甲第３号証：特開２００２－２２６９７０号公報 参考資料１：特開２００３－２７２２４号公報 第２　訂正の適否についての判断 １　訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は以下のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項２に 「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁性材スパッタリングターゲット。」 と記載されているのを、 「Ｃｏ及び／又はＦｅ並びにＢを少なくとも含み、Ｂを１０～５０ａｔ％含有する焼結体からなり、Ａｌ及びＳｉの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であり、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であって、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。」 に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に 「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。」 と記載されているのを、 「Ｃｏ原料及び／又はＦｅ原料並びにＢ原料を溶解鋳造して合金インゴットを作製した後、合金インゴットをガスアトマイズ法により原料粉末を作製し、その後、これを焼結してターゲットとするターゲットの製造方法であって、当該ターゲットは、Ｃｏ及び／又はＦｅ並びにＢを少なくとも含み、Ｂを１０～５０ａｔ％含有する焼結体からなり、Ａｌ及びＳｉの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であり、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であって、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。」 に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項３又は４記載」と記載されているのを、「請求項４記載」に訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項３～５のいずれか一項に記載」と記載されているのを、「請求項４又は５に記載」に訂正する。 なお、訂正事項１及び２の特許請求の範囲に係る訂正は、一群の請求項〔１、２〕に対して請求されたものである。また、訂正事項３～６の特許請求の範囲に係る訂正は、一群の請求項〔３～６〕について請求されたものである。 ２　訂正要件の判断 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、訂正前の請求項２の記載が請求項１の記載を引用するものであったものを、その引用関係を解消して独立形式に改めるものであるから、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項３について 訂正事項３は、訂正前の請求項４の記載が請求項３の記載を引用するものであったものを、その引用関係を解消して独立形式に改めると共に、訂正前の請求項３の「合金インゴットをガスアトマイズ粉により原料粉末を作製し」の記載が「合金インゴットをガスアトマイズ法により原料粉末を作製し」の誤記であることを訂正するものであるから、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」及び「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、願書に添付された明細書の段落【０００８】に「４）Ｃｏ原料及び／又はＦｅ原料並びにＢ原料を溶解鋳造して合金インゴットを作製した後、合金インゴットをガスアトマイズ法により原料粉末を作製し」と記載されていることから、訂正事項３は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （３）訂正事項２及び４について 訂正事項２及び４は、それぞれ、訂正前の請求項１及び３を削除するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載された事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （４）訂正事項５及び６について 訂正事項５及び６は、それぞれ、訂正前の請求項５及び６における選択的引用請求項の一部を削除するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３　むすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第２号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１、２〕、〔３～６〕について訂正することを認める。 第３　特許異議の申立てについて １　本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項２、４～６に係る発明（以下、「本件発明２、４～６」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項２、４～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項２】 Ｃｏ及び／又はＦｅ並びにＢを少なくとも含み、Ｂを１０～５０ａｔ％含有する焼結体からなり、Ａｌ及びＳｉの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であり、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であって、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。 【請求項４】 Ｃｏ原料及び／又はＦｅ原料並びにＢ原料を溶解鋳造して合金インゴットを作製した後、合金インゴットをガスアトマイズ法により原料粉末を作製し、その後、これを焼結してターゲットとするターゲットの製造方法であって、当該ターゲットは、Ｃｏ及び／又はＦｅ並びにＢを少なくとも含み、Ｂを１０～５０ａｔ％含有する焼結体からなり、Ａｌ及びＳｉの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であり、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であって、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。 【請求項５】 溶解鋳造して得られた合金インゴットの最終凝固部を切除し、インゴット残部をガスアトマイズ法により原料粉末とすることを特徴とする請求項４記載の磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。 【請求項６】 原料粉末の粒径を５３～３００μｍとすることを特徴とする請求項４又は５に記載の磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。」 ２　取消理由について 令和１年１２月９日付けの取消理由は、訂正前の請求項１及び３に係る特許に対して通知されたものであるところ、上記第２で検討したとおり、訂正により請求項１及び３は削除されたため、取消理由に理由はない。 ３　取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について （１）特許法第２９条第２項に関する申立理由の検討 ア　申立理由 申立人は、訂正前の請求項１～６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、並びに、甲第２号証及び甲第３号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである旨を主張している（特許異議申立書第８頁第１行～第１７頁第１行）。 イ　甲第１号証に記載された発明について 甲第１号証には、 「【請求項１】 断面ミクロ組織においてホウ化物相の存在しない領域に描ける最大内接円の直径が３０μｍ以下であることを特徴とするＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材。 【請求項２】 原子比における組成式が（ＦｅＸＣｏ100－Ｘ）100－ＹＢＹ、５≦Ｘ≦９５、５≦Ｙ≦３０であることを特徴とする請求項１に記載のＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材。 【請求項３】 Ｂを含有するアトマイズ粉末の焼結体であることを特徴とする請求項１もしくは２に記載のＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材。 【請求項４】 Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金アトマイズ粉末の焼結体であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材。 【請求項５】 Ｂを含有するアトマイズ粉末を焼結して作製することを特徴するＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材の製造方法。 【請求項６】 Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金アトマイズ粉末を焼結して作製することを特徴する請求項５に記載のＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材の製造方法。 【請求項７】 熱間静水圧プレスを用いて作製することを特徴とする請求項５もしくは６に記載のＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材の製造方法。」、 「【０００１】 本発明は、軟磁性膜を形成するためのＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材、その製造方法およびそのＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材で成膜した軟磁性膜を有する磁気記録媒体およびトンネル磁気抵抗効果（以下、ＴＭＲという）素子に関するものである。」、 「【００１４】 本発明のターゲット材は、急冷凝固させたＦｅ－Ｂ系合金粉末、Ｃｏ－Ｂ系合金粉末やＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金粉末等を所定の組成比で混合した混合粉末を使用することにより実現できる。組成的もしくは組織的にバラツキの少ないターゲット材を得るためには、所定の組成比に調整したＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金の母合金を急冷凝固し原料粉末として使用することがより好ましい。」、及び、 「【００１７】 本発明のターゲット材の不純物としては、軟磁気特性を低下させる酸素等のガス成分は極力低減することが好ましい。具体的にはＯ≦３００質量ｐｐｍ、Ｎ≦１００質量ｐｐｍが好ましく、より好ましくはＯ≦１５０質量ｐｐｍ、Ｎ≦５０質量ｐｐｍである。」 ことが記載されている。 そして、甲第１号証の上記記載を、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材に注目して整理すると、甲第１号証には、 「Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系アトマイズ粉末の焼結体からなり、原子比における組成式が（ＦｅＸＣｏ100－Ｘ）100－ＹＢＹ、５≦Ｘ≦９５、５≦Ｙ≦３０であって、酸素含有量が１５０質量ｐｐｍ以下である、軟磁性膜を形成するためのＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材。」 の発明（以下、「甲１発明１」という。）が記載されているといえる。 また、甲第１号証の上記記載を、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材の製造方法に注目して整理すると、甲第１号証には、 「所定の組成比に調整したＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金の母合金からガスアトマイズ法によってＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金アトマイズ粉末を作製し、該合金アトマイズ粉末を熱間静水圧プレス法によって焼結体とし、機械加工してターゲット材とする、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材の製造方法であって、当該Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材は、原子比における組成式が（ＦｅＸＣｏ100－Ｘ）100－ＹＢＹ、５≦Ｘ≦９５、５≦Ｙ≦３０であって、酸素含有量が１５０質量ｐｐｍ以下である、軟磁性膜を形成するためのＦｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金ターゲット材の製造方法。」 の発明（以下、「甲１発明２」という。）が記載されているといえる。 ウ　対比、検討 （ア）本件発明２について 本件発明２と甲１発明１を対比すると、少なくとも、本件発明２では、「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下である」のに対して、甲１発明１では、その点が明らかでない点で相違している（相違点１）。 そこで、当該相違点１について検討するに、甲第２号証、甲第３号証及び参考資料１のいずれにも、Ｃｏ及び／又はＦｅ並びにＢを含む磁性材スパッタリングターゲットの「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量」を「５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下」とすることは記載も示唆もされていない。 そうしてみると、甲第２号証、甲第３号証及び参考資料１の記載を参酌したとしても、甲１発明１において、「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量」を「５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下」とすることは、当業者が容易に想到し得ることであるといえない。 したがって、その他の点を検討するまでもなく、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明、並びに、甲第２号証、甲第３号証及び参考資料１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をできたものといえない。 （申立人の相違点１に関する主張について） 上記相違点１に関して、申立人は、甲第１号証におけるＡｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量は、不純物程度のごく微量であるから、この合計含有量を「５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下」とすることは、数値範囲の好適化にすぎないことを主張している（特許異議申立書第１２頁下から２行～第１３頁第１１行）。 また、申立人は、甲第２号証の表１に記載されていないＢａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの含有量は微量であることから、甲第２号証には、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下であることが実質的に記載されていること、さらに、参考資料１の表１には、ターゲット用合金のガス成分を除く不純物の含有量が２５ｐｐｍであることが記載されているから、参考資料１には、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量を１００ｗｔｐｐｍ以下とすることが実質的に記載されていることを根拠にして、甲１発明１において、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量を「５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下」とすることは、当業者が容易に想到し得ることであることを主張している（特許異議申立書第１３頁第１３～２２行、申立人意見書第５頁下から８行～第６頁第１４行）。 しかしながら、甲第１号証、甲第２号証及び参考資料１のいずれにも、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量を特定する技術思想は記載も示唆もされていないから、この合計含有量を「５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下」とすることは、当業者が想起し得ることではない。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 （イ）本件発明４について 本件発明４と甲１発明２を対比すると、少なくとも、本件発明４では、ターゲットの「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下である」のに対して、甲１発明２では、その点が明らかでない点で相違している（相違点２）。 そこで、上記相違点２について検討するに、上記（ア）での検討と同様に、甲第２号証、甲第３号証及び参考資料１の記載を参酌したとしても、甲１発明２において、ターゲットの「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量」を「５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下」とすることは、当業者が容易に想到し得ることであるといえない。 したがって、その他の点を検討するまでもなく、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明、並びに、甲第２号証、甲第３号証及び参考資料１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をできたものといえない。 （ウ）本件発明５及び６について 本件発明５及び６は、本件発明４を引用するものであって、少なくとも上記相違点２が存在するから、本件発明５及び６も、上記（イ）で検討したとおり、甲第１号証に記載された発明、並びに、甲第２号証、甲第３号証及び参考資料１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をできたものといえない。 （エ）申立人意見書における「進歩性」に係る主張について 申立人は、甲第３号証に記載された発明（甲３発明）を主引例として、本件発明２、４～６は、甲３発明、甲第２号証に記載された事項及び参考資料１に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたことを主張している（申立人意見書第４頁下から１０行～第９頁第４行）。 しかしながら、上記（ア）で検討したとおり、甲第３号証、甲第２号証及び参考資料１のいずれにも、Ｃｏ及び／又はＦｅ並びにＢを含む磁性材スパッタリングターゲットの「Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量」を「５０ｗｔｐｐｍ以上１００ｗｔｐｐｍ以下」とすることは記載も示唆もされていないから、上記（ア）～（ウ）での検討と同様に、本件発明２、４～６は、甲第３号証に記載された発明、並びに、甲第２号証及び参考資料１に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をできたものといえない。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 エ　小括 以上で検討したとおり、請求項２、４～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでないから、申立人の主張する申立理由に理由はない。 （２）特許法第３６条第６項第２号に係る申立理由の検討 申立人は、訂正前の請求項６に係る発明の「原料粉末の粒径を５３～３００μｍとする」との特定事項は、原料粉末の分布の最小値～最大値を示しているのか、あるいは、原料粉末の分布の代表値が５３～３００μｍの範囲内であることを示しているのか不明確であるし、後者である場合には、その代表値が何なのか（モード径なのか、メジアン径なのか、算術平均値なのか、中央値なのか）が不明であるため、その特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである旨を主張している（特許異議申立書第１７頁第２～１２行、申立人意見書第１０頁第１～１１行）。 この点について検討するに、本件特許の願書に添付された明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の段落【００１７】に「このアトマイズ粉末を窒素雰囲気のグローブボックス内で篩分けして、粒径５３～３００μｍとなるように粒径調整を行う。」と記載されていることからして、請求項６に記載された「原料粉末の粒径を５３～３００μｍとする」との特定事項は、篩分けされた原料粉末の粒径分布の最小値（５３μｍ）～最大値（３００μｍ）の範囲を示していることは明らかである。 したがって、請求項６に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから、上記申立理由に理由はない。 ４　申立人意見書における「サポート要件違反」に係る主張の検討 申立人は、本件発明２、４～６では、ターゲット成分として、Ｂの含有量が１０～５０ａｔ％、Ａｌ及びＳｉの合計含有量が５０～１００ｗｔｐｐｍ、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が５０～１００ｗｔｐｐｍとの規定があるが、残余の部分に関して何ら規定がないところ、残余の部分にいかなる元素が用いられても、本件発明２、４～６の課題を解決できることを当業者が理解できないから、本件特許２、４～６は、発明の詳細な説明に記載したものでなく、その特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである旨を主張している（申立人意見書第９頁第５行～末行）。 この点について検討するに、本件発明２、４～６の課題は、本件特許明細書の段落【０００２】～【０００７】の記載からして、粉末焼結法によって製造されるＢを含有する磁性材スパッタリングターゲットにおいて、パーティクルの発生を抑制することといえる。 そして、本件特許明細書の実施例には、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ、Ｆｅ－Ｂ又はＣｏ－Ｂの焼結体からなり酸素含有量が４０～８０ｗｔｐｐｍ、Ａｌ及びＳｉの合計含有量が５０～９０ｗｔｐｐｍ、Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒの合計含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下である磁性材ターゲットが具体的に記載され、当該磁性材ターゲットを使用した場合に発生するパーティクル数が小さくなることも具体的に記載されているし、また、本件特許明細書の段落【０００８】、【０００９】、【００１３】～【００１５】には、酸素の含有量を少なく、また、酸化物を形成しやすい金属不純物（Ａｌ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉ及びＺｒ）の含有量を少なくすることによって、酸化物に起因するパーティクルの発生を抑制できることも記載され、当該パーティクルの発生はターゲット成分に直接関係していないことからして、本件発明２、４～６は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載に基づき上記課題を解決できると当業者が認識できる範囲のものである。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 第４　むすび 以上のとおり、請求項２及び４～６に係る特許は、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、取り消すことができない。また、他に請求項２及び４～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、請求項１及び３に係る特許は、上記のとおり、訂正により削除された。これにより、請求項１及び３に係る特許に対する特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。