2018-700847

特許第６３１７６３６号発明「磁気記録媒体用スパッタリングターゲット」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６３１７６３６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第６３１７６３６号の請求項２～５に係る特許を維持する。 特許第６３１７６３６号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６３１７６３６号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～５に係る特許についての出願は、平成２６年７月９日の出願であって、平成３０年４月６日にその特許権の設定登録がされ、同年４月２５日に特許掲載公報の発行がされたものであり、その後、その特許について、同年１０月１７日付けで特許業務法人藤央特許事務所（以下、「申立人」という。）により下記甲第１、２号証を証拠方法とする特許異議の申立てがされ、同年１２月１９日付けで取消理由が通知され、平成３１年３月８日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、同年４月１２日付けで申立人より意見書の提出がされたものである。 （証拠方法） 甲第１号証：国際公開２０１０／０７４１７１号 甲第２号証：国際公開２０１２／０１４５０４号 第２　訂正の適否についての判断 １．訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に記載された 「ＳｉＯ２はクリストバライトであることを特徴とする請求項１に記載の」を、 「Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％以下、Ｐｔ：１１ｍｏｌ％を超えて２５ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避不純物からなる金属相８４ｍｏｌ％以上９２ｍｏｌ％以下と、ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ２を含む酸化物相８ｍｏｌ％以上１６ｍｏｌ％以下と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、ＳｉＯ２はクリストバライトであることを特徴とする」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に記載された 「０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の」を、 「２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項２に記載の」に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に記載された 「請求項１～３のいずれに記載の」を、 「請求項２又は３のいずれに記載の」に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に記載された 「請求項１～４のいずれかに記載の」を、 「請求項２～４のいずれかに記載の」に訂正する。 ２．訂正要件の判断 （１）訂正事項１、４、５について 訂正事項１は請求項を削除するものであり、訂正事項４、５はそれに伴い選択的引用請求項の一部を削除するものであるから、何れも特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、訂正前の請求項２に記載された発明について、訂正前の請求項１との引用関係を解消して独立形式としたものであって、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすることを目的にするものである。また、金属相を構成するＣｒの量「１０ｍｏｌ％」が上限を意味することを明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的にするものである。さらに、金属相と酸化物相の含有量の数値範囲を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としている。 金属相を構成するＣｒの量「１０ｍｏｌ％」が上限（～以下）を意味することは、本件明細書【００３８】以降に記載されている実施例１において、作製したスパッタリングターゲットの最終組成でＣｒが５．３８ｍｏｌ％及び４．９ｍｏｌ％であることが確認されたと記載されている（【００４３】）ことから自明であり、また、金属相と酸化物相の含有量の数値範囲については、本件明細書【００２０】に、「金属相が８４ｍｏｌ％以上９２ｍｏｌ％以下及び酸化物相が８ｍｏｌ％以上１６ｍｏｌ％以下であることが好ましい。」と記載されていることから、いずれも願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものである。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、ＣｒＴｉ２Ｏ５の含有量の数値範囲を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としている。また、引用する請求項について請求項１であったものを請求項２とする訂正については、訂正前の請求項１と請求項２との関係から実質的に「ＳｉＯ２はクリストバライトであること」をさらに特定したものであるといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的としている。 ＣｒＴｉ２Ｏ５の含有量の数値範囲については、本件明細書【００４３】に実施例１において作製したスパッタリングターゲットの最終組成でＣｒＴｉ２Ｏ５の含有量が２ｍｏｌ％であることが確認されたと記載されており、ＳｉＯ２はクリストバライトであることも同じ実施例１で確認されたと記載されている（【００４１】【００４２】）ことから、いずれも願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものである。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）その他 訂正前の請求項２～５が、訂正前の請求項１を引用するものであるから、訂正事項１～５の特許請求の範囲の訂正は、一群の請求項１～５について請求されたものである。 また、本件訂正請求においては、全ての請求項に対して特許異議の申立てがされているので、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。 ３．むすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項並びに同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正を認める。 第３　特許異議申立について １．本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項２～５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明２～５」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項２～５に記載された次の事項により特定されるとおりのものであると認める（当審注：下線は当審が付与した。）。 「　【請求項１】 （削除） 【請求項２】 Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％以下、Ｐｔ：１１ｍｏｌ％を超えて２５ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避不純物からなる金属相８４ｍｏｌ％以上９２ｍｏｌ％以下と、ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ２を含む酸化物相８ｍｏｌ％以上１６ｍｏｌ％以下と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、ＳｉＯ２はクリストバライトであることを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。 【請求項３】 ＣｒＴｉ２Ｏ５の含有量が２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。 【請求項４】 前記酸化物相が、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択される１種以上をさらに含むことを特徴とする請求項２又は３のいずれに記載の磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。 【請求項５】 相対密度が９７％以上であることを特徴とする請求項２～４のいずれかに記載の磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。」 ２．取消理由の概要 訂正前の請求項１～５に係る特許に対して通知した取消理由の概要は以下のとおりである。 理由１（明確性） 本件特許は、特許請求の範囲の記載が以下の（ア）、（イ）の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものである。 （ア）特許請求の範囲の【請求項１】における「Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％」との記載は明瞭でない。 （イ）特許請求の範囲の【請求項１】における「ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ２を含む酸化物相０ｍｏｌ％を超えて」及び【請求項３】における「ＣｒＴｉ２Ｏ５の含有量が０ｍｏｌ％を超えて」については、０ｍｏｌ％に限りなく近いものを含むものであると解されるところ、有意な量がどの程度であるかが明瞭でなく、発明が明確でない。例えば、本件明細書及び図面において、比較例１に係る図２について、微量の「ＣｒＴｉ２Ｏ５」さえも、その存在を否定するものであるか否かの客観的な判断根拠が不明である。 理由２（新規性） 本件特許の請求項１、３、４に係る発明は、甲第１号証（国際公開２０１０／０７４１７１号）に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、３、４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ３．取消理由に対する当審の判断 （１）取消理由１（明確性）について 上記（ア）の点の不備については、訂正事項２に係る訂正により、「１０ｍｏｌ％以下」と明確になったので、解消した。 上記（イ）の点の不備については、訂正事項２に係る訂正により、「ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ２を含む酸化物相８ｍｏｌ％以上１６ｍｏｌ％以下」と明確になり、さらに、訂正事項３に係る訂正により、「ＣｒＴｉ２Ｏ５の含有量が２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下」と明確になったので、解消した。 よって、取消理由１は理由がない。 （２）取消理由２（新規性）について 訂正事項１に係る訂正により、請求項１は削除された。また、訂正事項３、４に係る訂正により、本件発明３、４は、いずれも本件発明２の発明特定事項をすべて含むものとなった。 そこで、本件発明２と甲第１号証に記載された発明とを対比し、新規性について判断する。 ア．甲第１号証の記載事項及び引用発明 甲第１号証には、以下の（ア）～（キ）の記載がある。 （ア） 「　　　　　　　請求の範囲 ［請求項１］ ＣｏおよびＰｔ、またはＣｏ、ＣｒおよびＰｔと、ＳｉＯ2および／またはＴｉＯ2と、Ｃｏ3Ｏ4および／またはＣｏＯとを含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。 ［請求項２］ Ｃｏ3Ｏ4および／またはＣｏＯの含有量が０．１～１０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。 ［請求項３］ 原料粉末を１０００℃以下で焼結することにより得られることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。 ［請求項４］ 相対密度が９４％以上であることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。 ［請求項５］ 請求項１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いてスタッパリングを行うことにより得られた磁気記録膜。 ［請求項６］ 請求項１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いてスタッパリングを行うことを特徴とする磁気記録膜の形成方法。」 （イ） 「［００２７］　本発明に係るスパッタリングターゲットに含有されるＣｏ3Ｏ4およびＣｏＯ等の酸化物の量としては、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対して０．１～１０ｍｏｌ％が好ましく、より好ましくは０．２～３ｍｏｌ％であり、さらに好ましくは０．４～２ｍｏｌ％であり、特に好ましくは０．６～１．２ｍｏｌ％である。酸化物の含有量が、０．１ｍｏｌ％より少ないと、スパッタリング時に酸素原子をＳｉおよびＴｉに十分に供給することができず、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2の還元を十分に抑制することができない場合があり、１０ｍｏｌ％より多いと、スパッタリング時に酸素原子をＳｉおよびＴｉに供給しなかった酸化物がターゲット中に多量に残存し、これがスパッタリングに悪影響を与え、形成された磁気記録膜の保磁力を低下させる場合がある。 ［００２８］　本発明に係るスパッタリングターゲットは、前記酸化物以外に、ＣｏおよびＰｔ、またはＣｏ、ＣｒおよびＰｔ、ならびにＳｉＯ2および／またはＴｉＯ2を含有する。 ［００２９］　ＣｏおよびＰｔ、またはＣｏ、ＣｒおよびＰｔは、本ターゲットにおいて磁性相を構成する成分である。すなわち、本ターゲットは、ＣｏおよびＰｔを磁性相の必須成分として含有し、Ｃｒを磁性相の任意成分として含有する。これらの組成は、従来の磁気記録膜用スパッタリングターゲットにおけるこれらの組成と同様にすることができる。たとえば、ターゲットに含まれるＣｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対し、Ｃｏの比率を５０～８０モル％、Ｃｒの比率を０～２５モル％、Ｐｔの比率を１０～２５モル％とすることができる。なお、本ターゲットは、本発明の目的が達成できる限り、磁性相の成分としてＣｏ、ＣｒおよびＰｔ以外の成分を含有することができる。」 （ウ） 「［００３１］　ＳｉＯ2および／またはＴｉＯ2は、本ターゲットにおいて非磁性相を構成する成分である。すなわち、本ターゲットは、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、またはＳｉＯ2およびＴｉＯ2を非磁性相の必須成分として含有する。これらの組成は、従来の磁気記録膜用スパッタリングターゲットにおけるこれらの組成と同様にすることができる。たとえば、ターゲットに含まれる各成分、すなわち磁性相を構成する各成分および非磁性相を構成する各成分のモル数の合計に対し、ＳｉＯ2のみが含まれる場合は、その比率を１～１５ｍｏｌ％とすることができ、ＴｉＯ2のみが含まれる場合は、その比率を１～１５ｍｏｌ％とすることができ、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2の両方が含まれる場合は、ＳｉＯ2の比率とＴｉＯ2の比率との合計を１～２０ｍｏｌ％とすることができる。なお、本ターゲットは、本発明の目的が達成できる限り、非磁性相の成分としてＳｉＯ2およびＴｉＯ2以外の成分を含有することができる。 ［００３２］　本発明に係るスパッタリングターゲットの相対密度は、９４％以上であることが好ましく、９７％以上であることがより好ましい。前記相対密度の上限値については特に限定されないが、通常１００％以下である。上記相対密度の値を有するターゲット、いわゆる高密度のターゲットであると、該ターゲットをスパッタリングしたときの熱衝撃や温度差などに起因するターゲットの割れが生じにくく、ターゲット厚を無駄なく有効に活用することができる。また、パーティクルおよびアーキングの発生を有効に低減することができ、スパッタリング速度を向上させることもできる。 ［００３３］　なお、前記相対密度は、焼結後のスパッタリングターゲットについてアルキメデス法に基づき測定した値である。」 （エ） 「［００３４］　本発明に係るスパッタリングターゲットは、従来の磁気記録膜用スパッタリングターゲットと同様にして製造することができる。すなわち、Ｃｏ粉末およびＰｔ粉末、またはＣｏ粉末、Ｃｒ粉末およびＰｔ粉末と、ＳｉＯ2粉末および／またはＴｉＯ2粉末と、Ｃｏ3Ｏ4粉末および／またはＣｏＯ粉末とを所定の組成比となるように混合して原料粉末を作製し、これを焼結することにより製造することができる。 ［００３５］　焼結温度については、本発明の目的を達成することができる限り特に制限はないが、１０００℃以下であることが好ましい。１０００℃より高い温度で焼結すると、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2やＣｏ3Ｏ4等の酸化物が焼結時に還元され、たとえばＣｏ3Ｏ4の還元により生成した酸素原子がＣｒ原子と結合するなどの現象が起き、スパッタリングターゲットの性能が低下する場合がある。 ［００３６］　焼結方法に特に制限はなく、従来スパッタリングターゲットの焼結方法として多く採用されているホットプレス（ＨＰ）法を用いてもよいが、通電焼結法を用いることが好ましい。 ［００３７］　本発明に係るスパッタリングターゲットは、従来の磁気記録膜用スパッタリングターゲットと同様にしてスパッタリングすることができる。」 （オ） 「［００３９］ （実施例１～３１および３４～４５、比較例１～９） ［スパッタリングターゲットの製造］ 平均粒径１．５μｍのＣｏ粉、平均粒径３．０μｍのＣｒ粉、平均粒径１．５μｍのＰｔ粉、平均粒径１．０μｍのＳｉＯ2粉、平均粒径３．０μｍのＴｉＯ2粉、平均粒径１．０μｍのＣｏ3Ｏ4粉および平均粒径３μｍのＣｏＯ粉を表１の組成になるように混合し、混合粉を得た。混合にはボールミルを用いた。なお、表１におけるＣｏ、ＣｒおよびＰｔの組成比は、磁性相を構成するＣｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対するモル％を意味し、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、　Ｃｏ3Ｏ4およびＣｏＯの組成比は、前記混合粉に含まれる全成分のモル数の合計に対するモル％を意味する。したがって、混合粉に含まれる全成分の組成比を、混合粉に含まれる全成分のモル数の合計に対するモル％で表せば、たとえば実施例１の場合には、「５９．７３５mol％Ｃｏ－１８．３８mol％Ｃｒ－１３．７８５mol％Ｐｔ－４mol％ＳｉＯ2－４mol％ＴｉＯ2－０．１mol％Ｃｏ3Ｏ4」となる。 ［００４０］　得られた混合粉を、通電焼結装置を用いて下記の条件で焼結した。 ［００４１］　＜焼結条件＞ 結雰囲気：真空 昇温速度：８００℃／ｈｒ 焼結温度：表１の通り 焼結保持時間：１ｈｒ 圧力：５０ＭＰａ 降温速度：４００℃／ｈｒ（最高焼結温度から２００℃まで） 得られた焼結体を切削加工することにより、φ４インチのスパッタリングターゲットを得た。」 （カ） 「［００４５］　［パーティクル数の評価］ 前記スパッタリングターゲットおよび下地膜形成用のＣｏ－Ｚｒ－ＮｂならびにＲｕターゲットを用いて、以下の製膜条件下でスパッタリング処理を施した。 ［００４６］　スパッタリング中に発生したパーティクルの数を測定し、下記の基準で評価した。結果を表１に示した。 ［００４７］　＜製膜条件＞ 製膜装置：枚葉式スパッタリング装置（型式：ＭＳＬ－４６４、トッキ（株）製） 膜構成（膜厚）：ガラス基板／Ｃｏ－Ｚｒ－Ｎｂ（２０ｎｍ）／Ｒｕ（１０ｎｍ）／磁気記録膜（１５ｎｍ） プロセスガス：Ａｒ プロセス圧力：０．２～５．０Ｐａ 投入電力：２．５～５．０Ｗ／ｃｍ２ 基板温度：室温～５０℃ ＜パーティクル数の評価基準＞ ○：良好に使用できる △：使用できる ×：使用できない 」 （キ） 「［００４８］　（実施例３２、３３） 通電焼結装置の代わりにホットプレス焼結装置を用いた以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを得た。 ［００４９］　このスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして相対密度の測定、パーティクル数の評価および保磁力の測定を行った。結果を表１に示した。 ［００５０］ ［表１］ 」 甲第１号証には、上記摘示（ア）より、「Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔと、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２と、Ｃｏ3Ｏ4および／またはＣｏＯとを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」の発明が記載されている。そして、上記摘示（イ）より、「Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対し、Ｃｏの比率を５０～８０モル％、Ｃｒの比率を０～２５モル％、Ｐｔの比率を１０～２５モル％とすることができ」、「本ターゲットは、ＣｏおよびＰｔを磁性相の必須成分として含有し、Ｃｒを磁性相の任意成分として含有」し、「Ｃｏ3Ｏ4およびＣｏＯ等の酸化物の量としては、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対して０．１～１０ｍｏｌ％が好ましく」、上記摘示（ウ）より、「ＳｉＯ２および／またはＴｉＯ２は、本ターゲットにおいて非磁性相を構成する成分である。・・・磁性相を構成する各成分および非磁性相を構成する各成分のモル数の合計に対し、・・・ＳｉＯ２およびＴｉＯ２の両方が含まれる場合は、ＳｉＯ２の比率とＴｉＯ２の比率との合計を１～２０ｍｏｌ％とすることができ」るものであり、上記摘示（オ）、（キ）より、スパッタリングターゲットはこれら各成分からなる混合粉を焼結して得られるものであるから、これらを総合すると、甲第１号証には、 「磁性相を構成するＣｏ、ＣｒおよびＰｔと、非磁性相を構成するＳｉＯ２およびＴｉＯ２と、酸化物のＣｏ3Ｏ4および／またはＣｏＯとを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、 Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対し、Ｃｏの比率が５０～８０モル％、Ｃｒの比率が０～２５モル％、Ｐｔの比率が１０～２５モル％であり、 磁性相を構成する各成分および非磁性相を構成する各成分のモル数の合計に対し、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２の両方が含まれる場合のＳｉＯ２の比率とＴｉＯ２の比率との合計が１～２０ｍｏｌ％であり、 酸化物のＣｏ3Ｏ4およびＣｏＯの量が、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対して０．１～１０ｍｏｌ％であり、 これら各成分からなる混合粉を焼結して得られる前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 そして、引用発明に関し、上記摘示（オ）、（キ）には、実施例４０、４１及び比較例７の開示があり、各成分の具体的な数値を入れて書き下すと以下のようになる。 実施例４０ 「磁性相を構成するＣｏ、ＣｒおよびＰｔと、非磁性相を構成するＳｉＯ２およびＴｉＯ２と、酸化物のＣｏＯとを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、 Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対し、Ｃｏの比率が７０モル％、Ｃｒの比率が１０モル％、Ｐｔの比率が２０モル％であり、 非磁性相を構成する各成分の量が、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対し、ＳｉＯ２の比率８ｍｏｌ％、ＴｉＯ２の比率７ｍｏｌ％で合計が１５ｍｏｌ％、酸化物のＣｏＯの量が４．０ｍｏｌ％であり、 これら各成分からなる混合粉を９３０℃で焼結して得られる前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」（以下、「引用発明４０」という。） 実施例４１ 「磁性相を構成するＣｏ、ＣｒおよびＰｔと、非磁性相を構成するＳｉＯ２およびＴｉＯ２と、酸化物のＣｏ3Ｏ4とを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、 Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対し、Ｃｏの比率が７０モル％、Ｃｒの比率が１０モル％、Ｐｔの比率が２０モル％であり、 非磁性相を構成する各成分の量が、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対し、ＳｉＯ２の比率８ｍｏｌ％、ＴｉＯ２の比率７ｍｏｌ％で合計が１５ｍｏｌ％、酸化物のＣｏ3Ｏ4の量が１．０ｍｏｌ％であり、 これら各成分からなる混合粉を９３０℃で焼結して得られる前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」（以下、「引用発明４１」という。） 比較例７ 「磁性相を構成するＣｏ、ＣｒおよびＰｔと、非磁性相を構成するＳｉＯ２およびＴｉＯ２とを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、 Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対し、Ｃｏの比率が７０モル％、Ｃｒの比率が１０モル％、Ｐｔの比率が２０モル％であり、 非磁性相を構成する各成分の量が、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対し、ＳｉＯ２の比率８ｍｏｌ％、ＴｉＯ２の比率７ｍｏｌ％で合計が１５ｍｏｌ％であり、 これら各成分からなる混合粉を９３０℃で焼結して得られる前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」 （以下、「引用発明７」という。） イ．本件発明２と引用発明４０、４１、７との対比 まず、本件発明２と引用発明４０とを対比するに、引用発明４０の「Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔ」の大部分は、焼結後に磁性相を構成して、本件発明２の「Ｃｒ、Ｐｔ、残余がＣｏ及び不可避不純物からなる金属相」に概ね相当し、引用発明４０の「Ｃｒ」の一部及び「非磁性相を構成するＳｉＯ２およびＴｉＯ２と、酸化物のＣｏＯと」は、焼結時に本件明細書の【００２５】に記載されている反応の起こることが見込まれるから、焼結後において、本件発明２の「ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ２を含む酸化物相」に概ね相当し、引用発明４０の「磁気記録膜用スパッタリングターゲット」は、本件発明２の「磁気記録媒体用スパッタリングターゲット」に相当すると認められる。 そうすると、本件発明２と引用発明４０とは、 「Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｏの金属相と、ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ２を含む酸化物相と、を含む磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。」の発明である点で一致し、少なくとも、以下の相違点１、２で相違する。 相違点１：本件発明２では、金属相について「８４ｍｏｌ％以上９２ｍｏｌ以下」、酸化物相について「８ｍｏｌ％以上１６ｍｏｌ％以下」と特定されているのに対し、引用発明４０では、非磁性相は１９（１５＋４．０）ｍｏｌ％で残りの磁性相は８１ｍｏｌ％と見積もられる点 相違点２：本件発明２では、「ＳｉＯ２はクリストバライトである」のに対し、引用発明４０では、ＳｉＯ２の結晶構造について明示されておらず、クリストバライトであるか否かは不明である点 また、本件発明２と引用発明４１、７との対比においても、少なくとも同様の相違点２がある。 そこで、相違点２について先に検討する。 ＳｉＯ２の結晶化に係るクリストバライトについては、本件明細書の【０００５】、【００１０】、甲第２号証の［００３１］［００３５］等の記載から、焼結温度が１１２０℃を超え、概ね１２００℃以上の高温とした場合に生成するものであることが技術常識であるといえるから、焼結温度が９３０℃である引用発明４０、４１、７においては、生成していないとみるのが常識的である。 よって、相違点２は実質的なものである。 ウ．小括 以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は甲第１号証に記載された発明ではない。 本件発明３、４は、本件発明２の発明特定事項をすべて含み、さらに技術的限定を付したものであるから、同様に、甲第１号証に記載された発明ではない。 よって、取消理由２は理由がない。 ４．取消理由で採用しなかった異議申立理由について （１）特許法第２９条第２項（進歩性）について 申立人は、訂正前の請求項１～５に係る発明について、甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証の記載事項）に基づく進歩性欠如を主張している。 ア．甲第１号証に記載された引用発明 申立人は、異議申立書１２～１７頁において、甲第１号証に記載された実施例３２に着目した主張をしているので、上記摘示（オ）～（キ）の実施例３２に関し開示されている各成分の具体的な数値を引用発明に適用して書き下すと、実施例３２として以下の発明が記載されているものと認められる。 実施例３２ 「磁性相を構成するＣｏ、ＣｒおよびＰｔと、非磁性相を構成するＳｉＯ2およびＴｉＯ2と、酸化物のＣｏ3Ｏ4とを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、 Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔのモル数の合計に対し、Ｃｏの比率が６５モル％、Ｃｒの比率が２０モル％、Ｐｔの比率が１５モル％であり、 非磁性相を構成する各成分の量が、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対し、ＳｉＯ2の比率４ｍｏｌ％、ＴｉＯ2の比率４ｍｏｌ％で合計が８ｍｏｌ％であり、酸化物のＣｏ3Ｏ4の量が、スパッタリングターゲットを構成する各成分のモル数の合計に対して１．０ｍｏｌ％であり、 これら各成分からなる混合粉を１２３０℃でホットプレス焼結して得られる前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」 （以下、「引用発明３２」という。） イ．本件発明２と引用発明３２との対比 本件発明２と引用発明３２とを対比するに、引用発明３２の「Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔ」の大部分は、焼結後に磁性相を構成して、本件発明２の「Ｃｒ、Ｐｔ、残余がＣｏ及び不可避不純物からなる金属相」に概ね相当し、引用発明３２の「Ｃｒ」の一部及び「非磁性相を構成するＳｉＯ2およびＴｉＯ2と、酸化物のＣｏ3Ｏ4と」は、焼結時に本件明細書の【００２６】に記載されている反応の起こることが見込まれるから、焼結後において、本件発明２の「ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ2を含む酸化物相」に概ね相当し、引用発明３２の「磁気記録膜用スパッタリングターゲット」は、本件発明２の「磁気記録媒体用スパッタリングターゲット」に相当すると認められる。 また、引用発明３２では、非磁性相が９（８＋１．０）ｍｏｌ％であり、残りの磁性相が９１ｍｏｌ％であるから、それぞれ、本件発明２の酸化物相「８ｍｏｌ％以上１６ｍｏｌ％以下」、金属相「８４ｍｏｌ％以上９２ｍｏｌ以下」に相当する。 そうすると、本件発明２と引用発明３２とは、 「Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｏの金属相９１ｍｏｌ％と、ＣｒＴｉ２Ｏ５及びＳｉＯ２を含む酸化物相９ｍｏｌ％と、を含む磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。」の発明である点で一致し、少なくとも、以下の相違点１、２で相違する。 相違点１：本件発明２では、金属相について「Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％以下、Ｐｔ：１１ｍｏｌ％を超えて２５ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避不純物からなる」と特定されているのに対し、引用発明３２では、混合粉を１２３０℃でホットプレス焼結後、該混合粉中に含まれていた「Ｃｏの比率が６５モル％、Ｃｒの比率が２０モル％、Ｐｔの比率が１５モル％」の大部分が金属相を構成するものである点 相違点２：本件発明２では、「ＳｉＯ２はクリストバライトである」のに対し、引用発明３２では、ＳｉＯ２の結晶構造について明示されておらず、クリストバライトであるか否かは不明である点 まず、相違点１について検討する。引用発明３２において金属相を構成することとなるＣｒの比率について考察するに、焼結前の混合粉のＣｒのうち焼結により酸化物相を構成することとなる量は、上記摘示（エ）から混合粉の酸化物量や焼結条件を考慮して多くとも数モル％程度でしかないから、焼結前の「Ｃｒの比率が２０モル％」からみて金属相を構成することとなるＣｒの比率は１０モル％を超えるものと見積もられる。よって、本件発明２の「Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％以下」とは実質的に相違するといえる。 ここで、引用発明では、焼結前のＣｒ比率について０～２５モル％とできるから、引用発明３２について焼結前のＣｒ比率を１０モル％以下程度とすることは一見すると容易に発想できそうであるが、引用発明は、上記摘示（エ）から、焼結温度は１０００℃以下であることが好ましいとされるものであって、１０００℃より高い温度で焼結した場合のＳｉＯ2、ＴｉＯ2やＣｏ3Ｏ4等の酸化物の還元等により、スパッタリングターゲットの性能低下が懸念される発明である。そして、甲第１号証に開示された実施例１～３１、３４～４５、比較例１～９は、いずれも焼結温度９３０℃かそれ以下であって、焼結温度１０００℃を超えた例は、５０以上開示された実施例・比較例の内、引用発明３２の他は上記摘示（カ）でパーティクル数の評価において劣るものとされている１例（実施例３３）しかない。 してみれば、１０００℃より高い温度で焼結した引用発明３２は、実施例３３とともに、スパッタリングターゲットとして一応使用できるものの性能低下に懸念のある相対的に劣る位置づけのものと把握できるから、引用発明３２をベースに不利な焼結条件を維持したままその焼結前のＣｒ比率のみを変動させるような変更を、当業者が通常試みることであるとはいえない。 よって、引用発明３２において相違点１を解消することは、当業者であっても容易なことではない。 ウ．本件発明２と引用発明４０、４１、７との対比 申立人は、意見書において、本件発明２と引用発明４０、４１、７との対比（上記３．（２）イ．）に関し、甲第１号証の［００３５］（上記摘示（エ））、［００５０］［表１］（上記摘示（キ））によれば、当業者であれば焼結温度を１２３０℃と適宜変更することができるから、相違点２は容易に解消される旨主張している。さらに、申立人は、甲第２号証を引用し、１０００℃以上の焼結によりＳｉＯ２がクリストバライトとなることは周知技術であるとも主張している。 しかし、引用発明は、上記イ．でも述べたとおり、焼結温度は１０００℃以下であることが好ましいとされるものであって、１０００℃より高い温度で焼結した場合のスパッタリングターゲットの性能低下が懸念される発明である。そして、焼結温度１０００℃を超えた例は、甲第１号証に５０以上開示された実施例・比較例の内、実施例３２（１２３０℃）と実施例３３（１１００℃）との僅か２例だけであり、しかも実施例３３は上記摘示（カ）によればパーティクル数の評価において劣るものとされている。 してみれば、引用発明において、１０００℃より高い温度で焼結することを動機づける理由は乏しく、仮に１０００℃以上の焼結条件が周知技術であったとしても、引用発明ではそれが不利な条件であるとされているのだから、当該周知技術の採用が容易なことであるとはいえない。まして好ましい焼結条件を選択した具体例である引用発明４０、４１、７において、焼結温度のみを１２３０℃と変更することは、当業者が適宜なし得る程度のことであるとはいえない。 よって、申立人の主張は採用できない。 エ．小括 以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証の記載事項）に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 本件発明３～５は、本件発明２の発明特定事項をすべて含み、さらに技術的限定を付したものであるから、同様に、甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証の記載事項）に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について 申立人は、訂正前の請求項１に係る発明について、本件特許請求の範囲の請求項１に記載されている「Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％」は、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットにおいて、Ｃｒのモル数が「１０ｍｏｌ％」であると解釈されるところ、本件明細書の実施例１で得られた磁気記録媒体用スパッタリングターゲットにおけるＣｒのモル数は「５．３８ｍｏｌあるいは４．９ｍｏｌ」でしかないから、数値が一致しておらず、本件発明の課題解決の効果が発揮されたことを当業者が理解できない旨主張する。 この主張に関し検討するに、まず、訂正前の請求項１の「Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％」との記載については、明瞭でない点を内在するものであったが、上記した取消理由１において判断したように、本来は「Ｃｒ：０ｍｏｌ％を超えて１０ｍｏｌ％以下」として解釈すべきところのものであったといえる。してみれば、実施例１で得られた磁気記録媒体用スパッタリングターゲットにおけるＣｒのモル数「５．３８ｍｏｌあるいは４．９ｍｏｌ」はこの発明特定事項を満たすものである。 そして、最終組成において金属相のＣｒが１０ｍｏｌ％程度となる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットについては、本件明細書の【００２２】に「本発明の磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、原料となるＣｒ、Ｐｔ及びＣｏ金属粉を所定の配合割合となるように秤量して、合金浴湯を調製し、ガスアトマイズを行って合金アトマイズ粉末を調製し、次いで合金アトマイズ粉末に酸化物粉末を混合分散させて混合粉末を調製し、焼結することによって製造することができる。」と記載されていることから、原料となるＣｒ、Ｐｔ、Ｃｏの金属粉の配合割合を実施例１を参考に逆算して適宜秤量、調製、焼結して製造できることは自明であり、実施例１のものと同様の作用が推認できるから、本件明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるといえる。 よって、申立人の主張は採用できない。 第４　むすび 以上のとおり、本件請求項２～５に係る特許は、当審の通知した取消理由又は特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に本件請求項２～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、本件請求項１は、訂正により削除されたため、同請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。