2019-700495

２　訂正の適否についての判断

令和２年３月１９日になされた訂正の請求（以下、「本件訂正」という。）は、以下のとおり、適法になされたものと判断する。

なお、先になされた令和１年１１月２１日付けの訂正の請求については、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。

（１）訂正の内容（当審注：下線を付した部分が訂正箇所である。）

本件訂正は、一群の請求項を構成する請求項１～１１を訂正の単位として請求されたものであり、特許法第１２０条の５第４項の規定に従うものであるところ、その訂正の内容（訂正事項）は、次のとおりである。

ア　訂正事項１

特許請求の範囲の請求項１に「２０～２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有し、２０～２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする」に訂正し、その結果として、請求項１を引用する請求項３～１１も同様に訂正する。

イ　訂正事項２

特許請求の範囲の請求項２に「３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有し、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする」に訂正し、その結果として、請求項２を引用する請求項３～１１も同様に訂正する。

ウ　訂正事項３

特許請求の範囲の請求項５を削除する。

エ　訂正事項４

特許請求の範囲の請求項６における引用項を「請求項５」から「請求項１～４の何れか」に訂正する

オ　訂正事項５

特許請求の範囲の請求項７における引用項を「請求項１～６の何れか」から「請求項１～４、６の何れか」に訂正する。

カ　訂正事項６

特許請求の範囲の請求項８における引用項を「請求項１～７の何れか」から「請求項１～４、６、７の何れか」に訂正する。

キ　訂正事項７

特許請求の範囲の請求項９における引用項を「請求項１～７の何れか」から「請求項１～４、６、７の何れか」に訂正する。

（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否（当審注：「…」は記載の省略を表す。以下、同じ。）

ア　訂正事項１について

本件訂正前の請求項１の「支持ガラス基板」に対しては、ガラス組成についての特定がなかったところ、訂正事項１は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有」するとの特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

また、本件特許の願書に添付した明細書の段落【００２７】には、「本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ ０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有することが好ましい。」という記載があるから、訂正事項１は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。

また、前記の特定事項の付加によって、訂正前の請求項１には包含されていなかった支持ガラス基板が、新たに加わるなどということはないから、訂正事項１は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。

イ　訂正事項２について

訂正事項２は、上記アに示した訂正事項１と同様に、ガラス組成についての特定がなかった、本件訂正前の請求項２の「支持ガラス基板」について、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有」するとの特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

そして、訂正事項２も、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

ウ　訂正事項３について

訂正事項３は、訂正前の請求項５を削除するというものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

また、訂正事項３は、訂正前の請求項５を削除するというものであるから、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。

エ　訂正事項４～７について

訂正事項４～７は、訂正事項３により削除した請求項５を引用しないように、引用請求項の中から請求項５を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

また、訂正事項４～７は、引用請求項の中から請求項５を削除するものであるから、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。

（３）　小括

以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。

よって、本件特許の願書に添付した特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１－１１〕について訂正することを認める。

３　訂正後の本件発明

上記２のとおり本件訂正は適法になされたものと認められるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～４、６～１１に係る発明（以下、項番に合わせて「本件発明１」などといい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１～４、６～１１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。

「【請求項１】

ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有し、２０～２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする支持ガラス基板。

【請求項２】

ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有し、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする支持ガラス基板。

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【請求項３】

半導体パッケージの製造工程で加工される加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。

【請求項４】

ヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１～３の何れかに記載の支持ガラス基板。

【請求項６】

ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５５～７０％、Ａｌ２Ｏ３　２０～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～３％、ＭｇＯ　０～３％、ＣａＯ　０～３％、ＳｒＯ　０～３％、ＢａＯ　０～３％、ＺｎＯ　０～３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１０％、Ｌｉ２Ｏ　０～７％、Ｎａ２Ｏ　０～３％、Ｋ２Ｏ　０～３％、ＴｉＯ２　０～５％、ＺｒＯ２　０～５％、Ｐ２Ｏ５　０～５％を含有することを特徴とする請求項１～４の何れかに記載の支持ガラス基板。

【請求項７】

板厚が２．０ｍｍ未満であり、且つ板厚偏差が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１～４、６の何れかに記載の支持ガラス基板。

【請求項８】

少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１～４、６、７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。

【請求項９】

少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、

加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１～４、６、７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

【請求項１０】

加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。

【請求項１１】

加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。」

４　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について

（１）取消理由の概要

本件訂正前（令和１年１１月２１日付けの訂正後）の請求項１～４、７～１１に係る発明に対して、当審が令和２年１月２８日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。

ア　本件訂正前の請求項１～４、７～１１に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、取り消されるべきものである（以下、「取消理由１」という。）。

イ　本件訂正前の請求項１、２、４、７、８に係る発明は、本件特許の出願前に日本国内又は外国において頒布された下記引用例１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件訂正前の請求項１、２、４、７、８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである（以下、「取消理由２」という。）。

ウ　本件訂正前の請求項３、４、７～１１に係る発明は、本件特許の出願前に日本国内又は外国において頒布された下記引用例１～２に記載された発明に基いて、本件特許の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項３、４、７～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである（以下、「取消理由３」という。）。

記

（２）当審の判断

ア　取消理由１について

取消理由１は、サポート要件適合性に関し、次の点を指摘したものである。

すなわち、本件発明の課題は、加工基板の寸法変化が生じ易いとの問題を解決することができる支持基板の提供にあるところ、発明の詳細な説明によれば、本件発明は、支持基板として、表面を平滑化し易く、且つ剛性を有する、ガラス基板を採択すると共に、このガラス基板の熱膨張係数を、２０～２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０－７／℃超で５０×１０－７／℃未満、または、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０－７／℃超で５０×１０－７／℃未満に、厳密に規制することによって、半導体パッケージの高密度実装を行う場合の、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し易くなるため、上記課題を解決し得るとの知見を得たとしながら、その知見を根拠付ける基板の具体例は限られたものであるため、当該知見を、支持ガラス基板のガラス組成について特定していない発明にまで拡張ないし一般化して考えることはできないというものであった。

しかしながら、本件訂正により、当該支持ガラス基板のガラス組成は特定され、本件発明１～４、６～１１は、発明の詳細な説明において、上記課題が解決できることを当業者が認識できる範囲内のものとなったといえる。

よって、本件発明１～４、６～１１は、発明の詳細な説明に記載されたものであるから、上記取消理由１は妥当しない。

イ　取消理由２、３について

（イ）引用例１に記載された発明（引用１発明）

上記ａ～ｂによれば、引用例１には、３次元集積回路のパッケージ封止に利用されるシリコンウェハを薄厚化するための支持用ガラスウエハについて、所望のＴＴＶ（全体厚さバラツキ）属性及び反り属性の両方を有するガラスウェハを研磨によって得ることが困難であるとの問題を解決するための、未研磨ガラスウエハが記載されていると認められる。

また、当該未研磨ガラスウェハは、上記ｃ～ｇによれば、３００ｍｍの外径を有し、かつ研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が２．０μｍ未満であり、そして反りが３０μｍ未満である０．７ｍｍの厚さの未研磨ガラスウェハであって、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウェハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃～３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウエハであるとされており、さらに、半導体ウェハの要求厚さがより薄くなるにつれて、ガラスウェハ７００のＴＴＶを更に小さくする必要があり、１．０μｍ以下のＴＴＶを有する必要があり、また、このガラスウエアは、薄厚化プロセス中に半導体ウェハに接合されて、複合構造で熱サイクルを受けるとされている。

そうすると、引用例１には、次の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されていると認められる。

「３次元集積回路のパッケージ封止に利用されるシリコンウェハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハであって、３００ｍｍの外径を有し、かつ研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が１．０μｍ以下であり、そして反りが３０μｍ未満で、０．７ｍｍの厚さで、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウェハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃～３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウェハ。」

（ウ）本件発明１について

ａ　本件発明１と引用１発明との対比

本件発明１と、引用１発明とを対比すると、引用１発明における「３次元集積回路のパッケージ封止に利用される半導体ウェハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハ」、「研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が１．０μｍ以下であ」ることは、それぞれ、本件発明１における「支持ガラス基板」、「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。

したがって、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。

＜一致点＞

「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。

＜相違点＞

相違点１：本件発明１は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。

相違点２：本件発明１は、「２０～２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウェハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃～３．５ｐｐｍ／℃の範囲であるものの、当該発明特定事項を備えているのか明らかではない点。

ｂ　相違点１についての検討

引用１発明の、熱膨張係数（ＣＴＥ）が３．０ｐｐｍ／℃～３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウエハについて、上記（ア）ｄによれば、「例示的な組成は：ＳｉＯ２：６４．０～７１．０；Ａｌ２Ｏ３：９．０～１２．０；Ｂ２Ｏ３：７．０～１２．０；ＭｇＯ：１．０～３．０；ＣａＯ：６．０～１１．５；ＳｒＯ：０～２．０；ＢａＯ：０～０．１の公称組成（酸化物基準のモル百分率表示）」を有するとされており、実際、組成によって異なる所望のＣＴＥを有することができるとされている。

ここで、前記の例示的な組成の範囲内で取り得る種々のガラス組成について、質量％への換算を行うと、ＳｉＯ２　５７．７～６７．２質量％、Ａｌ２Ｏ３　１４．０～１８．９質量％、ＭｇＯ　０．６～１．９重量％、ＣａＯ　５．０～１０．２質量％、ＳｒＯ　０～３．２質量％、ＢａＯ　０～０．２質量％であると導出できるが、これは本件発明１と異なるガラス組成であり、特に、「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」が１～１５質量％でない点で大きく異なる。

よって、相違点１は実質的な相違点であるから、本件発明１は、引用例１に記載された発明ではない。

次に、相違点１に係る本件発明１の発明特定事項の容易想到性について検討すると、引用例１には、熱膨張係数（ＣＴＥ）が３．０ｐｐｍ／℃～３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウエハについて、本件発明１と同組成とすること、特に「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」を１～１５質量％とすることの記載や示唆はなく、また、ガラスの物性はその組成に影響されることは本件特許の出願時の技術常識であることに照らすと、引用１発明の「所望のＴＴＶ（全体厚さバラツキ）属性及び反り属性の両方を有するガラスウェハをコスト効率良く形成」するという課題（上記（ア）ｂ【００１７】参照）を解決しつつ、本件発明１と同組成とすること、特に「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」を１～１５質量％とすることが、単なる設計変更であるとはいえない（引用１発明の例示的な組成を変更しても、同様の効果を維持できると直ちに認めることはできない。）。

したがって、引用１発明において、未研磨ガラスウエハの組成を本件発明１と同組成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たことではない。

さらに、本件発明１の効果についていうと、当該組成とすることで、加工基板を支持するための支持基板に関し、その加工基板内で半導体パッケージの高密度実装を行う場合に、当該加工基板の寸法変化が生じ易いという課題（本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明【０００２】～【０００８】参照）を解決できるという、本件発明１の格別顕著な効果は、当業者が予測し得たとは到底認められない。

したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。

（エ）本件発明２について

ａ　本件発明２と引用１発明との対比

本件発明２と、引用１発明とを対比すると、引用１発明における「３次元集積回路のパッケージ封止に利用される半導体ウエハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハ」、「研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が１．０μｍ以下であ」ることは、それぞれ、本件発明２における「支持ガラス基板」、「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。

したがって、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。

＜一致点＞

「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。

＜相違点＞

相違点１’：本件発明２は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、前記の発明特定事項を備えていない点。

相違点２’：本件発明２は、「３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウエハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃～３．５ｐｐｍ／℃の範囲であるものの、前記の発明特定事項を備えているのか明らかではない点。

ｂ　相違点１’についての検討

相違点１’は上記（ウ）ａの相違点１と同様の相違点であるので、相違点１’についても上記（ウ）ｂでの検討と同様、実質的なものであるとともに、当該相違点１’に係る本件発明２の発明特定事項は容易想到のものではない。

したがって、本件発明２は、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。

（オ）本件発明３、４、６～１１と引用１発明との対比・判断

本件発明３、４、６～１１は、上記（ウ）、（エ）において、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもないと判断した本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用するものであるから、これらの発明と同様、本件発明３、４、６～１１についても、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。

ウ　異議申立人の意見について

本件発明１～４に相当する本件訂正前の請求項５に係る発明について、当審は既に、令和１年９月２５日付け取消理由通知において特許法第２９条第１項又は特許法第２９条第２項所定の規定違反とはしていないが、この点について、令和２年１月６日提出の異議申立人の意見書に、特段の意見はなかった。

５　上記取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について

（１）上記取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由

異議申立人が、特許異議申立書において主張する特許異議申立理由のうち、当審が令和２年１月２８日付けで特許権者に通知した取消理由において採用しなかった特許異議申立理由は、以下のとおりである。

申立理由１：設定登録時の請求項１～１１に係る発明は、甲第１号証に記載の発明であるか、又は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項または第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。

＜甲号証一覧＞

なお、甲第６～９号証は、周知技術などについて主張するための証拠である。

以下、これら申立理由１、２について検討する。

（４）　申立理由１についての判断

ア　本件発明１について

（ア）本件発明１と甲第１号証発明との対比

本件発明１と、甲第１号証発明とを対比すると、甲第１号証発明における「半導体ウエハ等の基板の加工工程においてその基板を支持するサポートプレートであって、」「ガラスでな」る「サポートプレート」は、本件発明１における「支持ガラス基板」に相当し、また、甲第１号証発明における「厚さ０．７ｍｍで面内の厚さのバラツキが１μｍ以下」であることは、本件発明１における「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。

してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。

＜一致点＞

「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。

＜相違点＞

相違点３：本件発明１は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、当該発明特定事項を備えていない点。

相違点４：本件発明１は、「２０～２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、熱膨張係数が、シリコン基板の熱膨張係数の３．２×１０－６に近似している、３．７×１０－６または３．４×１０－６であるものの、当該発明特定事項を備えているのか明らかではない点。

（イ）　相違点３についての検討

相違点３は実質的な相違点であるから、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではない。

次に、相違点３に係る本件発明１の発明特定事項の容易想到性について検討する。

甲第１号証には、サポートプレートのガラス組成について何ら記載や示唆はなく、また、ガラスの物性はその組成に影響されることは本件特許の出願時の技術常識であり、「サポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくする」という課題（上記（２）ア（イ）参照）を解決しつつ、本件発明１と同組成とすることが、単なる設計変更であるともいえない。

さらに、本件発明１のガラス組成に関し、上記（２）イのとおり、甲第２号証の実施例３（上記（２）イ（オ）参照）には、ＳｉＯ２　６６．３重量％、Ａｌ２Ｏ３　２３．４重量％、Ｂ２Ｏ３　３．０重量％、ＭｇＯ　０．８重量％、ＣａＯ　０．５重量％、Ｌｉ２Ｏ　４．２重量％、Ｎａ２Ｏ　０．８重量％、ＺｒＯ２　０．５重量％、ＳｎＯ２　０．５重量％であり、熱膨張係数α２０／３００が４．２８・１０６／Ｋであり、ハードディスクメモリ基板等に使用される平板フロートガラス（上記（２）イ（エ）参照）が記載されている。

同様に、上記（２）ウのとおり、甲第３号証の実施例Ｎｏ．６～８（上記（２）ウ（ウ）参照）には、ＳｉＯ２　６５．０～６８．０重量％、Ａｌ２Ｏ３　２０．５～２２．０重量％、Ｐ２Ｏ５　１．０～１．５重量％、ＭｇＯ　１．０重量％、Ｌｉ２Ｏ　４～４．５重量％、Ｎａ２Ｏ　０．５重量％、Ｋ２Ｏ　０．５重量％、ＺｒＯ２　２．０重量％、ＳｎＯ２　０．５～０．８重量％であり、フラットパネルディスプレイ装置や電子部品に用いられるガラス基板に使用されるガラス基板（（２）ウ（エ）参照）が記載されている。

しかしながら、甲１号証発明は、「半導体ウエハ等の基板の加工工程においてその基板を支持するサポートプレートであって、」「ガラスでな」る「サポートプレート」であるのに対し、甲第２号証に記載の平板フロートガラス及び甲第３号証に記載のガラス基板はいずれも、そのようなサポートプレートではなく、甲１号証発明とは技術分野が異なる。

また、甲第１号証発明は、「サポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくする」ことを課題（上記（２）ア（イ）参照）としているのに対し、甲第２号証記載のものは、「化学的及び熱的に焼戻し可能で経済的かつ環境的にやさしい製造に適した高耐熱性アルミノケイ酸リチウム平板フロートガラスを提供すること」（上記（２）イ（イ）参照）、甲第３号証記載のものは「酸化錫を用いて泡品位に優れた珪酸塩ガラスを容易に製造する方法を提供する」こと（上記（２）ウ（ア）参照）を、それぞれ課題としており、いずれも甲１号証発明とは課題が異なる。

そして、甲第１号証発明と、甲第２号証及び甲第３号証に記載されたものとでは、上記のとおり技術分野及び課題が異なることから、これに付随してガラス組成が果たす作用や機能が異なることも明らかである。

さらに、ガラスの物性はその組成に影響されるという本件特許の出願時の技術常識からすれば、甲第１号証発明において、当該甲第１号証発明とは技術分野も課題も作用機能も異なる甲第２号証や甲第３号証に記載のガラス組成を採用した場合、「サポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくする」という甲第１号証発明の効果を維持できるかは不明である。

これらを考え合わせると、甲第１号証発明において、甲第２号証又は甲第３号証に記載されたガラス組成を採用することは、動機付けが存在せず、当業者といえども容易に想到し得たことではないというほかない。

そして、仮に甲第１号証発明に甲第２号証又は甲第３号証に記載されたガラス組成を転用することに想到し得たとしても、その結果として、加工基板を支持するための支持基板に関し、その加工基板内で半導体パッケージの高密度実装を行う場合に、当該加工基板の寸法変化が生じ易いという課題（本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明【０００２】～【０００８】参照）を解決できるという、本件発明１の格別顕著な効果が得られることを、当業者が予測し得たとまでは認められない。

また、甲第４号証（上記（２）エ参照）は、本件発明１のガラス組成に相当するガラス組成が記載されたものではないので、これによって、相違点３に係る本件発明１の発明特定事項が、当業者において容易に想到し得るものではないことは明らかである

したがって、相違点４について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

なお、甲第６号証～甲第９号証は、本件発明１のガラス組成に相当するガラス組成が記載されたものではない。

イ　本件発明２について

（ア）　本件発明２と甲第１号証発明との対比

本件発明２と、甲第１号証発明とを対比すると、甲第１号証発明における「半導体ウエハ等の基板の加工工程においてその基板を支持するサポートプレートであって、」「ガラスでな」る「サポートプレート」は、本件発明２における「支持ガラス基板」に相当し、また、甲第１号証発明における「厚さ０．７ｍｍで面内の厚さのバラツキが１μｍ以下」であることは、本件発明２における「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。

してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。

＜一致点＞

「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。

＜相違点＞

相違点３’：本件発明２は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～５％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１～１５％、Ｌｉ２Ｏ　０～１０％、Ｎａ２Ｏ　０～５％、Ｋ２Ｏ　０～５％、ＴｉＯ２　０～７％、ＺｒＯ２　０～７％、Ｐ２Ｏ５　０～１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、当該発明特定事項を備えていない点。

相違点４’：本件発明２は、「３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０－７／℃超であり、且つ５０×１０－７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、熱膨張係数が、シリコン基板の熱膨張係数の３．２×１０－６に近似している、３．７×１０－６または３．４×１０－６であるものの、当該発明特定事項を備えているのか明らかではない点。

（イ）相違点３’についての検討

相違点３’は上記ア（ア）の相違点３と同様の相違点であるので、相違点３’については上記ア（イ）での検討と同様である。

したがって、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

ウ　本件発明３、４、６～１１について

本件発明３、４、６～１１は、上記ア～イにおいて、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないと判断した本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用するものであるから、これらの発明と同様、本件発明３、４、６～１１についても、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（５）　申立理由２についての判断

ア　本件発明１について

（ア）　本件発明１と甲第５号証発明との対比

本件発明１と甲第５号証発明とは、上記４（２）イ（ウ）ａにおいて認定したのと同様の一致点及び相違点１、２を有する。

（イ）　相違点１についての検討

上記４（２）イ（ウ）ｂで検討したとおり、相違点１は実質的な相違点であり、また、甲第５号証発明の課題を解決しつつ、本件発明１と同組成とすること、特に「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」を１～１５質量％とすることが、単なる設計変更であるとはいえない。

さらに、上記（４）ア（イ）のとおり、甲第２号証及び甲第３号証には、本件発明１のガラス組成に関する記載が認められるものの、甲５号証発明は、「３次元集積回路のパッケージ封止に利用されるシリコンウエハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハ」であるのに対し、甲第２号証に記載の平板フロートガラス及び甲第３号証に記載のガラス基板は、そのような「支持用」のガラスウェハではなく、甲５号証発明とは技術分野が異なるし、甲第５号証発明は、所望のＴＴＶ（全体厚さバラツキ）属性及び反り属性の両方を有するガラスウェハをコスト効率良く形成することを課題としているのに対し、甲第２、３号証に記載されたものは、化学的及び熱的に焼戻し可能で経済的かつ環境的にやさしい製造に適した高耐熱性アルミノケイ酸リチウム平板フロートガラスを提供すること、及び、酸化錫を用いて泡品位に優れた珪酸塩ガラスを容易に製造する方法を提供することをそれぞれ課題としており、甲５号証発明とは課題が異なるものである。

その上、このような技術分野及び課題の違いに起因する、ガラス組成が果たす作用や機能の違いをも考慮すると、当該甲第２号証や甲第３号証に記載のガラス組成を採用した場合にあっても、甲第５号証発明の効果が奏されるとは限らないから、当業者といえども甲第５号証発明において、甲第２号証又は甲第３号証に記載されたガラス組成を採用することには、困難性があるといわざるを得ない。

また、これらの証拠からみて、本件発明１の効果が予測可能であるものとも認められない。

したがって、本件発明１は、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

イ　本件発明２について

（ア）　本件発明２と甲第５号証発明との対比

両者は上記４（２）イ（エ）ａと同様の一致点及び相違点１’、２’を有するものである。

（イ）　相違点１’についての検討

相違点１’は上記ア（ア）の相違点１と同様の相違点であるので、相違点１’については上記ア（イ）での検討と同様である。

したがって、本件発明２は、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

ウ　本件発明３、４、６～１１について

本件発明３、４、６～１１は、上記ア～イにおいて、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないと判断した本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用するものであるから、これらの発明と同様、本件発明３、４、６～１１についても、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

６　むすび

以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項１～４、６～１１に係る特許を取り消すことはできない。

また、他に本件特許の請求項１～４、６～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。

さらに、本件特許の特許請求の範囲の請求項５は、本件訂正により削除された。これにより、当該請求項５に係る特許についての特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。

よって、結論のとおり決定する。