2019-016515

特願２０１６－５４５２８０号「リソグラフィ装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年８月２７日国際公開、ＷＯ２０１５／１２４４５７号、平成２９年３月　２日国内公表、特表２０１７－５０６３５８号〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１５年（平成２７年）２月１０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１４年（平成２６年）２月２４日　欧州特許庁）を国際出願日とする特願２０１６－５４５２８０号であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２８年　９月　２日　　：翻訳文提出 平成２８年　９月　８日　　：手続補正書、上申書提出 平成３１年　１月　７日付け：拒絶理由通知 平成３１年　４月１０日　　：意見書、手続補正書の提出 令和元年　８月　２日付け：拒絶査定（謄本送達日　同年同月８日　以下「原査定」という。） 令和元年１２月　６日　　：審判請求書、手続補正書の提出 第２　令和元年１２月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和元年１２月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１（補正前の請求項２）の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。 「【請求項１】 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターン付きエリアを備えるマスクと、 前記マスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、 基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブルと、 前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影し、前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムであって、前記第２方向における前記縮小率は４×を超える、投影システムと、 を備え、 前記マスクの前記パターン付きエリアは、前記マスクの丸みをつけたコーナーを有する品質エリア上に配置され、 前記マスクには、ダイを形成するパターンと、スクライブラインを形成するパターンとが設けられている、 リソグラフィ装置。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、平成３１年４月１０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである 「【請求項１】 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターン付きエリアを備えるマスクと、 前記マスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、 基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブルと、 前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影し、前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムであって、前記第２方向における前記縮小率は４×を超える、投影システムと、 を備え、 前記マスクの前記パターン付きエリアは、前記マスクの丸みをつけたコーナーを有する品質エリア上に配置される、 リソグラフィ装置。」 ２　補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「マスク」に関して、「前記マスクには、ダイを形成するパターンと、スクライブラインを形成するパターンとが設けられている」との限定を付加する補正をするものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記「１」「（１）」に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア　引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である特表２０１３－５４１７２９号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。 （ア）「【技術分野】 【０００１】 本発明は、投影露光系のための結像光学系、投影露光系のための照明光学系、及びこの種の結像光学系を有する光学系に関する。本発明は、この種の光学系を有する投影露光系、投影露光系のためのレチクル、この投影露光系を用いて微細構造化構成要素を生成する方法、本方法によって生成される構成要素にも関する。」 （イ）「【課題を解決するための手段】 【０００５】 本発明により、物体側開口数の増大に伴って物体側主ビーム角度を拡大しなければならず、それによって吸収体構造に起因する遮蔽効果、及び層透過に関連付けられた問題、特に、レチクルコーティングに起因する強いアポディゼーション効果がもたらされる場合があることが分かった。本発明により、アナモフィック結像光学系、特に、アナモフィック結像投影レンズ系を用いて、所定のサイズのレチクルを物体視野から所定の照明視野上に所定の結像スケールで結像することができ、この照明視野は、第１の結像スケールの方向に完全に照明され、一方、第２の方向の減ぜられた像結像スケールは、投影露光系のスループットに対して悪影響を持たず、適切な解決法によって補償することができることが更に分かった。 【０００６】 従って、アナモフィックレンズ系は、結像されるレチクルの大きさを第１の方向に大きくする必要なく、更に投影露光系のスループットの低下が発生することなく、この第１の方向に大きい物体側開口数を有する像面の完全な照明と、照明光の傾斜入射によってもたらされる結像品質の損失の最小化の両方を可能にする。」 （ウ）「【００１９】 請求項１０に記載の光学系及び請求項１１に記載の投影露光系の利点は、結像光学系に関連して上述したものに対応する。結像光学系の走査方向の結像スケールが走査方向に対して垂直な結像スケールよりも小さい請求項１２に記載の投影露光系を使用すると、走査方向のスループット損失を高い走査速度によって完全に補償することができる。結像光学系９の走査方向の結像スケールは、特に、この方向に対して垂直な結像スケールの最大で半分の大きさである。走査方向とそれに対する垂直方向とにおける結像スケール比は、特に、１：２、１：３、１：４、１：５、１：６、１：８、１：１０、２：３、２：５、又は３：４である。放射線源は、ＥＵＶ（極紫外）光源、例えば、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）光源又はＧＤＰ（ガス放電生成プラズマ）光源とすることができる。 【００２０】 走査方向の臨界寸法が、この方向に対して垂直な臨界寸法と異なるレチクルは、アナモフィック結像投影光学系における使用に特に適切である。レチクル上の結像される構造とその合計サイズの両方が、好ましくは、走査方向又はそれに対する垂直方向において異なる結像スケールに従って構成される。より大きい縮小を考慮するために、レチクルは、特に走査方向に相応により大きく構成される。」 （エ）「【発明を実施するための形態】 【００２４】 図１は、マイクロリソグラフィのための投影露光系１の構成要素を子午断面内に略示している。投影露光系１の照明系２は、放射線源３以外に、物体視野５を物体平面６内に露光するための照明光学系を含む。物体視野５に配置され、抜粋的にしか示していないレチクルホルダ８によって保持されるレチクル７が、この物体視野内で露光される。 【００２５】 図１には概略的にしか示していない投影光学系９は、物体視野５を像平面１１の像視野１０に結像するのに使用される。従って、投影光学系９を結像光学系とも呼ぶ。像平面１１の像視野１０の領域に配置され、同じく概略的にしか示していないウェーハホルダ１３によって保持されるウェーハ１２の感光層上に、レチクル７上の構造が結像される。 【００２６】 放射線源３は、ＥＵＶ放射線１４を放出するＥＵＶ放射線源である。ＥＵＶ放射線源３の放出される有利放射線の波長は、５ｎｍから３０ｎｍの範囲にある。リソグラフィに使用され、適切な光源に対して利用可能な他の波長も可能である。放射線源３は、プラズマ光源、例えば、ＤＰＰ光源又はＬＰＰ光源とすることができる。シンクロトロンに基づく放射線源を放射線源３として使用することができる。当業者は、この種の放射線源に関する情報を例えばＵＳ　６　８５９　５１５　２に見出すことができるであろう。ＥＵＶ放射線源３からのＥＵＶ放射線１４を光束にするために、コレクター１５が設けられる。・・・ 【００３５】 レチクルホルダ８は、投影露光系においてレチクル７を物体平面６内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができる。それに応じてウェーハホルダ１３は、ウェーハ１２を像平面１１内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができる。その結果、レチクル７及びウェーハ１２を一方で物体視野５を通じて、他方で像視野１０を通じて走査することができる。図内の変位方向は、ｙ方向と平行である。下記ではこの変位方向を走査方向とも呼ぶ。レチクル７及びウェーハ１２の走査方向の変位は、好ましくは、互いに対して同期して発生させることができる。」 （オ）「【００５９】 投影光学系９は、ｙ方向、すなわち、走査方向に１：８の結像スケールを有し、すなわち、物体視野５内のレチクル７は、走査方向に像視野１０内のその像の８倍大きい。投影光学系９は、ｘ方向、すなわち、走査方向と垂直に１：４の結像スケールを有する。従って、投影光学系９は縮小系である。投影光学系９の像側開口数は０．５である。投影光学系９の像側開口数は、特に、少なくとも０．４である。像視野１０は、２ｍｍ×２６ｍｍのサイズを有し、２ｍｍは走査方向におけるものであり、２６ｍｍは、走査方向に対して垂直なものである。特に、走査方向には、像視野１０は、異なるサイズを有することができる。像視野１０のサイズは、少なくとも１ｍｍ×１０ｍｍである。走査方向と垂直に像視野１０は、特に１３ｍｍよりも大きい幅を有する。像視野１０は、特に矩形である。投影光学系９は、特に少なくとも１３ｍｍ、特に１３ｍｍよりも大きい、特に少なくとも２６ｍｍの像側走査スロット幅を有する。投影光学系９は、視野中心点において６°の物体側主ビーム角度を有する。視野中心点における物体側主ビーム角度は、特に最大で７°である。投影光学系９は、２０００ｍｍの光学全長を有する。」 （カ）「【００９４】 微細構造化構成要素及びナノ構造化構成要素を生成するために、投影露光系１は、以下の通りに使用される。最初に、レチクル７及びウェーハ１２が準備される。次に、投影露光系１を用いて、レチクル７上の構造がウェーハ１２の感光層上に投影される。次に、感光層を現像することにより、ウェーハ１２上に微細構造又はナノ構造が生成され、従って、微細構造化構成要素、例えば、高集積回路の形態にある半導体構成要素が生成される。」 （キ）図１は次のものである。 【図１】 イ　上記アによれば、引用文献には下記各事項が記載れていると認められる。 （ア）「投影露光系１の照明系２は、放射線源３以外に、物体視野５を物体平面６内に露光するための照明光学系を含」み、「物体視野５に配置され、」「レチクルホルダ８によって保持されるレチクル７が、この物体視野内で露光され」（【００２４】）、「像平面１１の像視野１０の領域に配置され、同じく概略的にしか示していないウェーハホルダ１３によって保持されるウェーハ１２の感光層上に、レチクル７上の構造が結像され」（【００２５】）、「放射線源３は、ＥＵＶ放射線１４を放出するＥＵＶ放射線源である」（【００２６】）から、ＥＵＶ放射線を放出するＥＵＶ放射線源により、物体視野内でレチクルを露光して、ウェーハの感光層上に、レチクル上の構造が結像されるといえる。 （イ）「レチクルホルダ８によって保持されるレチクル７が、この物体視野内で露光され」（【００２４】）、「レチクルホルダ８は、投影露光系においてレチクル７を物体平面６内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができ」、「その結果、レチクル７及びウェーハ１２を一方で物体視野５を通じて、他方で像視野１０を通じて走査することができ」、「変位方向は、ｙ方向と平行であ」り、「この変位方向を走査方向とも呼ぶ」（【００３５】）から、レチクルホルダはレチクルを保持するとともに、走査方向に変位することができるといえる。 （ウ）「像平面１１の像視野１０の領域に配置され、同じく概略的にしか示していないウェーハホルダ１３によって保持されるウェーハ１２の感光層上に、レチクル７上の構造が結像され」（【００２５】）、「ウェーハホルダ１３は、ウェーハ１２を像平面１１内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができ」、「その結果、レチクル７及びウェーハ１２を一方で物体視野５を通じて、他方で像視野１０を通じて走査することができ」「変位方向は、ｙ方向と平行であ」り、「この変位方向を走査方向とも呼ぶ」（【００３５】）から、ウェーハホルダはウェーハを保持するとともに、走査方向に変位することができるといえる。 （エ）「レチクルホルダ８は、投影露光系においてレチクル７を物体平面６内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができ」、「それに応じてウェーハホルダ１３は、ウェーハ１２を像平面１１内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができ」、「その結果、レチクル７及びウェーハ１２を一方で物体視野５を通じて、他方で像視野１０を通じて走査することができ」、「変位方向は、ｙ方向と平行であ」り、「この変位方向を走査方向とも呼ぶ」（【００３５】）ものであって、「結像光学系の走査方向の結像スケールが走査方向に対して垂直な結像スケールよりも小さい」「投影露光系を使用すると、走査方向のスループット損失を高い走査速度によって完全に補償することができ」、「走査方向とそれに対する垂直方向とにおける結像スケール比は、」「１：２、１：３、１：４、１：５、１：６、１：８、１：１０、２：３、２：５、又は３：４であ」（【００１９】）って、「走査方向の臨界寸法が、この方向に対して垂直な臨界寸法と異なるレチクルは、アナモフィック結像投影光学系における使用に」「適切であ」り、「より大きい縮小を考慮するために、レチクルは、」「走査方向に相応により大きく構成される」（【００２０】）から、走査方向とそれに対する垂直方向とにおける結像スケール比は、１：２、１：３、１：４、１：５、１：６、１：８、１：１０、２：３、２：５、又は３：４であって、走査方向の臨界寸法が、この方向に対して垂直な臨界寸法と異なるレチクルは、アナモフィック結像投影光学系における使用に適切であり、より大きい縮小を考慮するために、レチクルは、走査方向に相応により大きく構成されるといえる。 （オ）「投影露光系のための結像光学系、投影露光系のための照明光学系、及びこの種の結像光学系を有する光学系に関する」（【０００１】）ものであって、「マイクロリソグラフィのための投影露光系１」（【００２４】）であるから、マイクロリソグラフィ装置であるといえる。 ウ　上記ア及びイから、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＥＵＶ放射線を放出するＥＵＶ放射線源により、物体視野内でレチクルを露光して、ウェーハの感光層上に、レチクル上の構造が結像されるレチクルと（上記「イ」「（ア）」）、 前記レチクルを保持するとともに、走査方向に変位することができるレチクルホルダと（上記「イ」「（イ）」）、 ウェーハを保持するとともに、走査方向に変位することができるウェーハホルダと（上記「イ」「（イ）」）、 光学系が、前記走査方向とそれに対する垂直方向とにおける結像スケール比は、１：２、１：３、１：４、１：５、１：６、１：８、１：１０、２：３、２：５、又は３：４であって、走査方向の臨界寸法がこの方向に対して垂直な臨界寸法と異なるレチクルを使用するアナモフィック結像投影光学系であり、より大きい縮小を考慮するために、レチクルは、走査方向に相応により大きく構成され（上記「イ」「（エ）」）、 前記ウェーハ上に高集積回路の形態にある半導体構成要素が生成される（【００９４】）、 マイクロリソグラフィ装置（上記「イ」「（オ）」）。」 （３）引用発明との対比 ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。 （ア）引用発明の「ＥＵＶ放射線を放出するＥＵＶ放射線源により、物体視野内でレチクルを露光して、ウェーハの感光層上に、レチクル上の構造が結像されるレチクル」は、本件補正発明の「放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターン付きエリアを備えるマスク」と「放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるマスク」の点で一致する。 （イ）引用発明の「前記レチクルを保持するとともに、走査方向に変位することができるレチクルホルダ」は、本件補正発明の「前記マスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造」に相当する。 （ウ）引用発明の「ウェーハを保持するとともに、走査方向に変位することができるウェーハホルダ」は、本件補正発明の「基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブル」に相当する。 （エ）引用発明の「ＥＵＶ放射線を放出するＥＵＶ放射線源により、物体視野内でレチクルを露光して、ウェーハの感光層上に、レチクル上の構造が結像される」ことは、本件補正発明の「前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影」することに相当する。 また、引用発明においては、「光学系が、前記走査方向とそれに対する垂直方向とにおける結像スケール比は、１：２、１：３、１：４、１：５、１：６、１：８、１：１０、２：３、２：５、又は３：４であって、走査方向の臨界寸法がこの方向に対して垂直な臨界寸法と異なるレチクルを使用するアナモフィック結像投影光学系であり、より大きい縮小を考慮するために、レチクルは、走査方向に相応により大きく構成される」のであるから、引用発明の光学系は、走査方向（より大きい縮小）において、前記走査方向に垂直方向（縮小）における縮小率を超える縮小率（より大きい縮小）を有する「アナモフィック結像投影光学系であ」るといえ、本件補正発明の「前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムであ」ることに相当する。 （オ）引用発明の「マイクロリソグラフィ装置」は、本件補正発明の「リソグラフィ装置」に相当する。 イ　以上アでの検討を踏まえると、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるマスクと、 前記マスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、 基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブルと、 前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影し、前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムと、 を備える、 リソグラフィ装置。」 【相違点１】 マスクが、本件補正発明は、「パターン付きエリアを備える」と特定されるのに対して、引用発明は、このように特定されない点。 【相違点２】 投影システムが、本件補正発明は、「第２方向における縮小率は４×を超える」と特定されるのに対して、引用発明は、走査方向に対する垂直方向の具体的な縮小率が特定されない点。 【相違点３】 本件補正発明は、「マスクの前記パターン付きエリアは、前記マスクの丸みをつけたコーナーを有する品質エリア上に配置される」と特定されるのに対して、引用発明は、このように特定されない点。 【相違点４】 本件補正発明は、「マスクには、ダイを形成するパターンと、スクライブラインを形成するパターンとが設けられている」と特定されるのに対して、引用発明は、このように特定されない点。 （４）判断 ア　相違点１、３について検討する。 引用発明の「レチクル」は、「レチクル上の構造」を有しているところ、当該「レチクル上の構造」有しているエリアは、本件補正発明の「パターン付きエリア」に相当する。 したがって、上記相違点１は実質的な相違点ではない。 また、当該「パターン付きエリア」を「レチクル」上の品質エリア（レチクルの品質が保証できる範囲）上に配置することは後記周知文献１～３に見られるとおり周知の技術的事項である。 さらに、「レチクル」上の品質エリアのコーナーをどのような形状とするかは、品質を保証する際に適宜定める事項にすぎず、「レチクル」上の品質エリアのコーナーを丸みをつけたものとすることに格別の技術的困難性は認められない。 （なお、本願の発明の詳細な説明を見ても、本願補正発明において「品質エリア」が「マスクの丸みをつけたコーナーを有する」ことの技術的意義や効果について記載がなく、格別の効果を有するものとも認められない。） イ　相違点２について検討する。 投影光学系において縮小率を１／４（４×）を超えるものとなすことは後記周知文献４～６に見られるとおり周知の技術的事項である。また、縮小率を１／４（４×）を超えるものとなすことに格別の技術的困難性はなく、具体的な縮小率は発明を実施するに際して適宜定める選択的事項にすぎない。 そうすると、「走査方向とそれに対する垂直方向とにおける結像スケール比が、１：２、１：３、１：４、１：５、１：６、１：８、１：１０、２：３、２：５、又は３：４であるアナモフィック結像投影光学系」である引用発明において、たとえ走査方向における縮小率が第２方向における縮小率を超えるものであるとしても、（縮小率が相対的に小さい）第２方向における縮小率を１／４（４×）を超えるものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 ウ　相違点４について検討する。 引用発明の「レチクル」において、「レチクル上の構造」は、「ウェーハ上に高集積回路の形態にある半導体構成要素が生成される」ために設けられるパターンであるところ、１回の露光で、当該「高集積回路の形態にある半導体構成要素」（ダイ）を複数生成するために、レチクル上に複数の「高集積回路の形態にある半導体構成要素」（ダイ）を形成するパターンを設けることは後記周知文献７～９に見られるとおり周知の技術的事項である。 また、「ウェーハ上に高集積回路の形態にある半導体構成要素が生成され」た後に、ダイシングにより分離することは技術常識であるから、レチクル上に複数の「高集積回路の形態にある半導体構成要素」（ダイ）を形成するパターンを設ける際にあわせて、当該レチクル上にダイシングのためのスクライブラインを形成するパターンを設けておくことは当然に行うべき技術常識にすぎない。 したがって、引用発明において、「レチクル上の構造」として複数の「高集積回路の形態にある半導体構成要素」（ダイ）を形成するパターンとスクライブラインを形成するパターンを設けて、上記相違点４に係る本件補正発明の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことである。 エ　そして、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知の技術的事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 オ　周知文献 （ア）周知文献１（特開２０１１－１８１８１０号公報） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランクス」という。）の製造方法に関する。」 「【００２５】 ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板では、該ガラス基板の成膜面全体がマスクパターンの形成に用いられるわけではない。例えば、１５２ｍｍ角のガラス基板の場合、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶマスクにおける光学特性の品質保証領域は１３２ｍｍ角の領域である。このため、ＥＵＶマスクブランクスをパターニングしてＥＵＶマスクを作成する際に、レジスト膜が形成される領域は１４２ｍｍ角の領域である。」 （イ）周知文献２（特開２０１２－８９８３７号公報） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、ガラス基板保持手段に関する。本発明のガラス基板保持手段は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、『ＥＵＶマスクブランクス』という。）の製造時や、ＥＵＶマスクブランクスから反射型マスクを作製する際のマスクパターニングプロセスの際、あるいはＥＵＶリソグラフィでの露光時の反射型マスクのハンドリングの際に、ガラス基板を保持するのに好適である。」 「【００４９】 ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板では、該ガラス基板の成膜面全体がマスクパターンの形成に用いられるわけではない。例えば、１５２．４ｍｍ角のガラス基板の場合、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶマスクにおける光学特性の品質保証領域は１３２ｍｍ角の領域である。このため、ＥＵＶマスクブランクスをパターニングしてＥＵＶマスクを作成する際に、レジスト膜が形成される領域は１４２ｍｍ角の領域である。」 （ウ）周知文献３（特開２０１２－２１２０８２号公報） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、基板表面に高さが数十ｎｍ程度の凸状欠陥の発生を抑制するのに有効なマスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法等に関する。」 「【００２０】 本発明において、研磨前の基板の濡れ性（接触角または表面エネルギー）の測定箇所は、基板の有効エリア外も含めることが好ましい。ここで有効エリアとは、この基板にパターン形成用の薄膜を形成してマスクブランクを製造し、そのマスクブランクを用いて転写用マスクを作製する際、薄膜に転写パターンを形成する領域のことをいう。通常、基板のサイズが１５２ｍｍ角の場合では、基板の中心から１３２ｍｍ角内の領域が有効エリアになる。 高さ数十ｎｍ程度の凸状欠陥は、有効エリア内よりもその外側の方がその発生率が高い傾向があるためである。また、研磨前の基板の濡れ性（接触角または表面エネルギー）が有効エリア内で上記本願範囲内であっても、高さ数十ｎｍ程度の凸状欠陥が有効エリア内で発生することがあるからである。 本発明において、研磨前の基板の濡れ性（接触角また表面エネルギー）は、基板の有効エリア外で測定することが好ましい。 高さ数十ｎｍ程度の凸状欠陥は、有効エリア外で、多発する傾向があるからである。有効エリア外で高さ数十ｎｍ程度の凸状欠陥が少ないかゼロの場合は、有効エリア内に関しても高さ数十ｎｍ程度の凸状欠陥がより発生確率が低いと推定される。つまり、高さ数十ｎｍ程度の凸状欠陥が有効エリア内にはなく有効エリア外にある場合と、高さ数十ｎｍ程度の凸状欠陥が有効エリア内になく有効エリア外にもない場合とでは、後者の方がより高品質であると推定される。 本発明においては、例えば、１５２ｍｍ角の基板で、１４９ｍｍの領域を検査する。」 （エ）周知文献４（特開２００８－１７６３２６号公報） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、請求項１の前文による結像光学系に関する。さらに、本発明は、このタイプの結像光学系を備える投影露光装置、このタイプの投影露光装置を備える微細構造構成要素を生産するための方法、この方法により生産される微細構造構成要素、及び結像光学系の使用に関する。」 「【００２８】 レンズ系５は、物体平面４内の物体視野に照明光３を導くために使用される。物体視野は、所定の縮尺により像平面８の像視野７（図３を参照）内で投影光学系６により結像される。投影光学系６は、サイズを１／８に縮小する。他の結像倍率レベルも、可能であり、例えば、４×、５×、６×、又は８×を超える結像倍率レベルでさえ可能である。８×の結像倍率レベルは、ＥＵＶ波長の照明光に特に適しているが、それは、反射マスク上の物体側入射角がこれにより小さいままでよいからである。ＮＡ＝０．５の投影光学系の像側アパーチャでは、物体側に６°未満の照明角が形成される。８×の像倍率レベルでは、それに加えて、いたずらに大きなマスクを使用する必要がない。図２による投影光学系６では、像平面８は、物体平面４に平行に配列される。物体視野と一致する、レチクルとも呼ばれる反射マスク９の一部は、これにより結像される。結像は、基板押さえ１１により支えられているウェハの形態の基板１０の表面で行われる。図１では、投影光学系６に入る照明光３の光線１２は、レチクル９と投影光学系との間に入るように概略として示されており、投影光学系６から出る照明光３の光線１３は、投影光学系６と基板１０との間に入るように概略として示されている。図２による投影光学系６の像視野側開口数は、０．５０である。投影光学系６は、像側でテレセントリックである。」 （オ）周知文献５（特開２００４－３１８０８号公報） 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、基板上にマスクパターンの縮小像を形成する露光装置の投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置及び露光方法に関するものである。」 「【００５０】 レチクルＲにて反射されたＥＵＶ光は、投影光学系ＰＬを通過して、感光基板Ｗ上の円弧形状の露光領域内に、所定の縮小倍率β（例えば｜β｜＝１／４，１／５、１／６）のもとでレチクルＲのパターンの縮小像を形成する。」 （カ）周知文献６（特開２００４－２１４２４２号公報） 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、一般には、露光装置に係り、特に、紫外線や極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用して半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などの被処理体を投影露光する反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法に関する。」 「【００６４】 ここで、本発明の反射型投影光学系１００、１００Ａ及び１００Ｂを用いて照明実験した結果について説明する。図１乃至図３において、ＭＳは物体面位置に置かれた反射型マスク、Ｗは像面位置に置かれたウェハを示している。反射型投影光学系１００、１００Ａ及び１００Ｂにおいて、波長１３．４ｎｍ付近のＥＵＶ光を放射する図示しない照明系によりマスクＭＳが照明され、マスクＭＳからの反射ＥＵＶ光が、第１の反射鏡１１０、第２の反射鏡１２０（凹面鏡）、第３の反射鏡１３０（凸面鏡）、第４の反射鏡１４０（凹面鏡）、第５の反射鏡１５０（凹面鏡）、第６の反射鏡１６０、第７の反射鏡１７０（凸面鏡）、第８の反射鏡（凹面鏡）の順に反射し、像面位置に置かれたウェハＷ上に、マスクパターンの縮小像を形成している。なお、図１に示す反射型投影光学系１００において、ＮＡ＝０．５０、全長＝１３３０ｍｍ、縮小倍率＝１／５倍、物高＝２８５ｍｍ乃至２９０ｍｍ、像高＝５７ｍｍ乃至５８ｍｍの１．０ｍｍ幅の円弧状像面である。」 （キ）周知文献７（特開２０１３－５８７６１号公報） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、基板を保持する保持装置、基板を露光する露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。 「【００７６】 図６は、露光光ＥＬが照射されることによってパターンが形成される基板Ｐ上のショット領域Ｓと、保持部材２０との関係を示す模式図である。なお、図６においては、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ等の図示は省略してある。図６に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域であるショット領域Ｓが設定される。マスクＭは、ショット領域Ｓに投影されるパターンが配置されたパターン形成領域ＭＲ（図１参照）を有する。本実施形態においては、１つのショット領域Ｓに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影される。すなわち、１つのショット領域Ｓには、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンに応じたパターンが形成される。例えばマスクＭのパターン形成領域ＭＲに１チップ分のパターン（デバイスパターン）が形成される場合、１つのショット領域Ｓには、１チップ分のパターンが形成される。なお、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに複数チップ分（例えば２つ分）のパターン（デバイスパターン）が形成される場合、１つのショット領域Ｓには、複数チップ分のパターンが形成される。」 （ク）周知文献８（特開２０１１－６６０７９号公報） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、フレア補正方法及び半導体デバイスの製造方法に関するものである。」 【００３６】 （第３の実施形態）本実施形態は、図７に示すような多チップ取りのマスクパターンについてのフレア補正を行う。このマスクには、同一の半導体デバイス（チップ）を形成するためのパターンが、４つ含まれている。すなわち、このマスクパターンを一度露光すると４個のデバイスのパターンを転写でき、このマスクは４チップ取りのマスクとなる。」 ・図７は次のものである。 【図７】 （ケ）周知文献９（特開２００９－２５２８１８号公報） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、例えば、ＥＵＶ（極端紫外: ExtremeUltra Violet）リソグラフィなどに好適であり、特に、露光光がマスク表面に対して斜め入射する方式、いわゆるオフテレセン露光に適した反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法に関する。」 「【００３４】 図２は、本発明に係る反射型マスクのチップレイアウトの他の例を示す平面図である。反射型マスクのマスク露光エリア１０の中に、同一のレイアウトパターンを含む複数（図２の例では６個）の矩形状のチップ領域１１ａ～１１ｆが配置されている。６個のチップ領域１１ａ～１１ｆは、矩形の長手方向がスキャン方向１２に対して平行な向きで、それぞれスキャン方向１２に沿って並ぶようにマトリクス状に配置されている。各チップ領域１１ａ～１１ｆの内部で同じ場所１３ａ～１３ｆには、レイアウト設計上は同じマスクパターンが形成されている。」 「【００３８】 なお、同一のレイアウトパターンを含む複数のチップ領域を配置を設計する場合、図１のチップ配置または図２のチップ配置を採用するかは、チップの大きさとマスク露光エリアの大きさを考慮して、その配置効率を基準に決定すればよい。すなわち、マスク露光エリアに納められるチップ数、あるいは同じチップ数を収めるためのマスク露光エリアの大きさを考慮して決めればよい。」 ・図２は次のものである。 【図２】 カ　したがって、本件補正発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３　本件補正についてのむすび よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３　本願発明について １　本願発明 本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３１年　４月１０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］「１」「（２）」に記載のとおりのものである。 ２　原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、 （理由２）この出願の請求項１～１５に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、 というものである。 引用文献１．特表２０１３－５４１７２９号公報 引用文献２．特開２００８－１７６３２６号公報（周知技術を示す文献） 引用文献３．特開２００４－３１８０８号公報（周知技術を示す文献） 引用文献４．特開２００４－２１４２４２号公報（周知技術を示す文献） 引用文献５．国際公開第２０１３／０４５５９７号（周知技術を示す文献） ３　引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項及び引用発明は、前記第２［理由］「２」「（２）」に記載したとおりである。 ４　対比・判断 本願発明は、上記「第２」［理由］「２」で検討した本件補正発明から、「マスク」に関して、「前記マスクには、ダイを形成するパターンと、スクライブラインを形成するパターンとが設けられている」との限定事項を省いたものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２」［理由］「２」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ５　むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。