2022-001873

特願２０１９－２２０８３２「リソグラフィ装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年 ３月２６日出願公開、特開２０２０－ ４６６８０〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１５年（平成２７年）２月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年（平成２６年）２月２４日（以下「優先日」という。）欧州特許庁）を国際出願日とする出願である特願２０１６－５４５２８０号の一部を２０１９年（令和１年）１２月６日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和１年１２月２５日 ：手続補正書の提出 令和２年１２月２３日付け：拒絶理由通知 令和３年 ６月２２日 ：意見書、手続補正書の提出 令和３年１０月 ５日付け：拒絶査定 令和４年 ２月 ８日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和４年２月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年 ２月 ８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。） 「【請求項１】 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターン付きエリアを備えるマスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、 基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブルと、 前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影し、前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムである、投影システムと、 を備え、 前記第２方向における前記縮小率は４．５×より大きく、 前記スキャン方向における前記縮小率は、６×より大きく且つ８×より小さく、 前記マスクの前記パターン付きエリアは、１０４ｍｍを超える前記第２方向における範囲及び１３２ｍｍ以下である前記スキャン方向における範囲を有する、 リソグラフィ装置。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、令和３年６月２２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。 「【請求項１】 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターン付きエリアを備えるマスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、 基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブルと、 前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影し、前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムである、投影システムと、 を備え、 前記第２方向における前記縮小率は４．５×より大きく、 前記スキャン方向における前記縮小率は、６×より大きく且つ８×より小さい、 リソグラフィ装置。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「パターン付きエリア」について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特表２０１３－５４１７２９号公報（平成２５年１１月１４日公開。以下「引用文献」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（なお、下線は当審が付したものである。） （ア） 「【請求項１】 投影露光系（１）のための結像光学系（９）であって、 少なくとも１つのアナモフィック結像投影レンズ系（２６，２７）を有し、 前記少なくとも１つの投影レンズ系（２６，２７）は、２つの主要平面の方向に同符号結像スケールを有する、 ことを特徴とする結像光学系（９）。」 「【請求項５】 第１の方向の第１の結像スケールと、該第１の結像スケールの少なくとも１．５倍大きい第２の方向の第２の結像スケールとを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の結像光学系（９）。」 「【請求項１０】 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の結像光学系（９）を有し、 放射線（１４）を放射線源（３）から物体視野（５）に伝達するための照明光学系（４）を有する、 ことを特徴とする光学系。 【請求項１１】 請求項１０に記載の光学系を有し、 放射線源（３）を有する、 ことを特徴とする投影露光系（１） 【請求項１２】 走査方向に変位させることができる、レチクル（７）を保持するレチクルホルダ（８）を有し、 結像光学系（９）の走査方向の結像スケールが、それに垂直な方向のものよりも小さい、 ことを特徴とする請求項１１に記載の投影露光系（１）。 【請求項１３】 請求項１１又は請求項１２に記載の投影露光系のためのレチクル（ ７ ） であって、 少なくとも１０４ｍｍの幅と、 １３２ｍｍよりも大きい長さと、 を有することを特徴とするレチクル（ ７ ）。」 「【００１２】 請求項５により、第１の方向の結像スケールは、第２の方向の結像スケールの少なくとも１．５倍大きい。第１の方向の結像スケールは、特に、第２の方向の結像スケールの少なくとも２倍大きい。この場合及び以下において、結像スケールは、物体サイズに対する結像サイズの比、すなわち、物体視野内の結像される構造のサイズに対する投影レンズ系の像視野内の結像される構造のサイズを意味すると捉えられたい。その結果、所定のレチクル、特に、所定のサイズのレチクルにおける所定の幅を有する照明視野を全幅にわたって走査方向と垂直に露光することができる。照明視野の幅に対して垂直な方向の小さい結像スケール、すなわち、強度の縮小は、特に、高い走査速度によって別途補償することができ、従って、不利な効果はない。走査方向に対して垂直な方向の減ぜられた結像スケールは、スループット損失を招かない。」 「【００２０】 走査方向の臨界寸法が、この方向に対して垂直な臨界寸法と異なるレチクルは、アナモフィック結像投影光学系における使用に特に適切である。レチクル上の結像される構造とその合計サイズの両方が、好ましくは、走査方向又はそれに対する垂直方向において異なる結像スケールに従って構成される。より大きい縮小を考慮するために、レチクルは、特に走査方向に相応により大きく構成される。」 「【００２４】 図１は、マイクロリソグラフィのための投影露光系１の構成要素を子午断面内に略示している。投影露光系１の照明系２は、放射線源３以外に、物体視野５を物体平面６内に露光するための照明光学系を含む。物体視野５に配置され、抜粋的にしか示していないレチクルホルダ８によって保持されるレチクル７が、この物体視野内で露光される。 【００２５】 図１には概略的にしか示していない投影光学系９は、物体視野５を像平面１１の像視野１０に結像するのに使用される。従って、投影光学系９を結像光学系とも呼ぶ。像平面１１の像視野１０の領域に配置され、同じく概略的にしか示していないウェーハホルダ１３によって保持されるウェーハ１２の感光層上に、レチクル７上の構造が結像される。 【００２６】 放射線源３は、ＥＵＶ放射線１４を放出するＥＵＶ放射線源である。ＥＵＶ放射線源３の放出される有利放射線の波長は、５ｎｍから３０ｎｍの範囲にある。リソグラフィに使用され、適切な光源に対して利用可能な他の波長も可能である。放射線源３は、プラズマ光源、例えば、ＤＰＰ光源又はＬＰＰ光源とすることができる。シンクロトロンに基づく放射線源を放射線源３として使用することができる。当業者は、この種の放射線源に関する情報を例えばＵＳ６８５９５１５Ｂ２に見出すことができるであろう。ＥＵＶ放射線源３からのＥＵＶ放射線１４を光束にするために、コレクター１５が設けられる。」 「【００３０】 照明光学系４は、伝達光学系２３を形成する更に別のミラー２０、２１、及び２２を有することができる。伝達光学系２３の最後のミラー２２は、かすめ入射ミラーである。瞳ファセットミラー１８と伝達光学系２３は、照明光を物体視野５内に伝達するための後続光学系を形成する。瞳ファセットミラー１８が投影光学系９の入射瞳に配置される場合には、伝達光学系２３を不要にすることができる。」 「【００３５】 レチクルホルダ８は、投影露光系においてレチクル７を物体平面６内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができる。それに応じてウェーハホルダ１３は、ウェーハ１２を像平面１１内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができる。その結果、レチクル７及びウェーハ１２を一方で物体視野５を通じて、他方で像視野１０を通じて走査することができる。図内の変位方向は、ｙ方向と平行である。下記ではこの変位方向を走査方向とも呼ぶ。レチクル７及びウェーハ１２の走査方向の変位は、好ましくは、互いに対して同期して発生させることができる。」 「【００５９】 投影光学系９は、ｙ方向、すなわち、走査方向に１：８の結像スケールを有し、すなわち、物体視野５内のレチクル７は、走査方向に像視野１０内のその像の８倍大きい。投影光学系９は、ｘ方向、すなわち、走査方向と垂直に１：４の結像スケールを有する。従って、投影光学系９は縮小系である。投影光学系９の像側開口数は０．５である。投影光学系９の像側開口数は、特に、少なくとも０．４である。像視野１０は、２ｍｍ×２６ｍｍのサイズを有し、２ｍｍは走査方向におけるものであり、２６ｍｍは、走査方向に対して垂直なものである。特に、走査方向には、像視野１０は、異なるサイズを有することができる。像視野１０のサイズは、少なくとも１ｍｍ×１０ｍｍである。走査方向と垂直に像視野１０は、特に１３ｍｍよりも大きい幅を有する。像視野１０は、特に矩形である。投影光学系９は、特に少なくとも１３ｍｍ、特に１３ｍｍよりも大きい、特に少なくとも２６ｍｍの像側走査スロット幅を有する。投影光学系９は、視野中心点において６°の物体側主ビーム角度を有する。視野中心点における物体側主ビーム角度は、特に最大で７°である。投影光学系９は、２０００ｍｍの光学全長を有する。 【００６０】 この実施形態における物体視野５は、１６ｍｍ×１０４ｍｍのサイズを有する。この場合、１６ｍｍは走査方向におけるものであり、１０４ｍｍは、走査方向に対して垂直なものである。」 「【００９４】 微細構造化構成要素及びナノ構造化構成要素を生成するために、投影露光系１は、以下の通りに使用される。最初に、レチクル７及びウェーハ１２が準備される。次に、投影露光系１を用いて、レチクル７上の構造がウェーハ１２の感光層上に投影される。次に、感光層を現像することにより、ウェーハ１２上に微細構造又はナノ構造が生成され、従って、微細構造化構成要素、例えば、高集積回路の形態にある半導体構成要素が生成される。 【００９５】 ウェーハ１２上の感光層の露光中に、ウェーハ１２は、ウェーハホルダ１３を用いて走査方向に変位される。この場合、この変位は、特に、レチクルホルダ８を用いたレチクル７の走査方向の変位に対して同期して発生する。投影光学系９の走査方向の縮小結像スケールは、より高い走査速度によって補償することができる。」 （イ） 図１は、次のとおりである。 「【図１】 ［図：0001399941000001.jpg］ 」 イ 上記アから引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。（なお、参考までに、認定に用いた引用文献の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。） 「少なくとも１つのアナモフィック結像投影レンズ系（２６，２７）を有し、 前記少なくとも１つの投影レンズ系（２６，２７）は、２つの主要平面の方向に同符号結像スケールを有し、（【請求項１】） 第１の方向の第１の結像スケールと、該第１の結像スケールの少なくとも１．５倍大きい第２の方向の第２の結像スケールである、結像光学系（９）と、（【請求項２】） 放射線（１４）を放射線源（３）から物体視野（５）に伝達するための照明光学系（４）と、（【請求項１０】） 放射線源（３）と、（【請求項１１】） 走査方向に変位させることができる、レチクル（７）を保持するレチクルホルダ（８）を有し、 結像光学系（９）の走査方向の結像スケールが、それに垂直な方向のものよりも小さく、（【請求項１２】） 少なくとも１０４ｍｍの幅と、１３２ｍｍよりも大きい長さと、からなるレチクル（７）が用いられるものであって、（【請求項１３】） 結像スケールは、物体サイズに対する結像サイズの比、すなわち、物体視野内の結像される構造のサイズに対する投影レンズ系の像視野内の結像される構造のサイズを意味し、（【００１２】） 物体視野５に配置されたレチクルホルダ８によって保持されるレチクル７が、この物体視野内で露光され、（【００２４】） 放射線源３は、ＥＵＶ放射線１４を放出するＥＵＶ放射線源であり、（【００２６】） ＥＵＶ放射線１４は照明光又は結像光とも呼ばれ、（【００２７】） 投影光学系９は、物体視野５を像平面１１の像視野１０に結像するのに使用され、像平面１１の像視野１０の領域に配置されるウェーハホルダ１３によって保持されるウェーハ１２の感光層上に、レチクル７上の構造が結像され、（【００２５】） レチクルホルダ８は、投影露光系においてレチクル７を物体平面６内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができ、それに応じてウェーハホルダ１３は、ウェーハ１２を像平面１１内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができ、（【００３５】） 投影光学系９は縮小系である、（【００５９】） マイクロリソグラフィのための投影露光系１。（【００２４】）」 ウ 上記アから引用文献には、次の技術的事項（以下「引用文献に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。 「投影光学系９は、ｙ方向、すなわち、走査方向に１：８の結像スケールを有し、すなわち、物体視野５内のレチクル７は、走査方向に像視野１０内のその像の８倍大きく、像視野１０は、２ｍｍ×２６ｍｍのサイズを有し、２ｍｍは走査方向におけるものであり、２６ｍｍは、走査方向に対して垂直なものであり、 投影光学系９は、ｘ方向、すなわち、走査方向と垂直に１：４の結像スケールを有し、 走査方向には、像視野１０は、異なるサイズを有することができる。 像視野１０のサイズは、少なくとも１ｍｍ×１０ｍｍであり、（【００５９】） 物体視野５は、１６ｍｍ×１０４ｍｍのサイズを有し、この場合、１６ｍｍは走査方向におけるものであり、１０４ｍｍは、走査方向に対して垂直なものであること。（【００６０】）」 （３）引用発明との対比 ア 本件補正発明の「放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターン付きエリアを備えるマスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、」との特定事項について （ア）引用発明の「レチクル７」、「走査方向」及び「レチクルホルダ８」は、それぞれ本件補正発明の「マスク」、「スキャン方向」及び「サポート構造」に相当する。 （イ）引用発明の「レチクル７上の構造」は、「投影光学系９」により、「ウェーハ１２の感光層上に、」「結像され」るものであることから、引用発明の「レチクル７上の構造」は本件補正発明の「パターン付き放射ビームを形成可能」なものといえる。 （ウ）上記（イ）を踏まえると、引用発明の、「レチクル７」を「露光」する光、及び、「ウェーハ１２の感光層上に、」「結像され」る光は、それぞれ本件補正発明の「放射ビーム」及び「パターン付き放射ビーム」に相当する。 （エ）引用発明において、本件補正発明の「パターン付きエリア」に相当するものが不明である。 （オ）「レチクルホルダ８」（本件補正発明の「サポート構造」に相当。）において、引用発明の「走査方向に変位させることができる」ことは、本件補正発明の「スキャン方向に移動可能である」ことに相当する。 （カ）上記（ア）～（オ）から、引用発明は、「放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能である」「マスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、」との上記特定事項を満たすが、一方で、引用発明の「レチクル７」が本件補正発明の「パターン付きエリアを備える」との特定事項を満たすか不明である。 イ 本件補正発明の「基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブルと、」との特定事項について （ア）引用発明の「ウェーハ１２」及び「『ウェーハ１２』が『保持される』『ウェーハホルダ１３』」は、それぞれ本件補正発明の「基板」及び「『基板を保持する』『基板テーブル』」に相当する。 （イ）「ウェーハホルダ１３」（本件補正発明の「基板テーブル」に相当。）において、引用発明の「変位方向」及びその方向に「変位させる」ことは、それぞれ本件補正発明の「スキャン方向」及びその方向に「移動可能である」ことに相当する。 （ウ）上記（ア）及び（イ）から、引用発明は、上記特定事項を満たす。 ウ 本件補正発明の「前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影し、前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムである、投影システムと、」との特定事項について （ア）引用発明の「結像光学系９」は、本件補正発明の「投影システム」に相当する。 （イ）引用発明の「結像光学系９」において、「『走査方向』『に垂直な方向』」は、本件補正発明の「スキャン方向に垂直な第２方向」に相当する。 （ウ）引用発明において、「投影光学系９は縮小系」であること、及び、「結像スケールは、物体サイズに対する結像サイズの比」を意味するものであること、を踏まえると、引用発明の「結像スケール」は縮小の比率を表すものである。そうすると、引用発明の「結像スケール」は、本件補正発明の「縮小率」と、表記上の差異があるものの、実質的に同一の技術的事項を意味するものといえる。 （エ）上記（ウ）の対比を踏まえると、引用発明の「走査方向の結像スケールが、それに垂直な方向のものよりも小さ」いことは、本件補正発明の「前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する」ことに相当する。 （オ）上記（ア）～（エ）から、引用発明は、上記特定事項を満たす。 エ 本件補正発明の「前記第２方向における前記縮小率は４．５×より大きく、」との特定事項について 引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たしているか不明である。 オ 本件補正発明の「前記スキャン方向における前記縮小率は、６×より大きく且つ８×より小さく、」との特定事項について 引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たしているか不明である。 カ 本件補正発明の「前記マスクの前記パターン付きエリアは、１０４ｍｍを超える前記第２方向における範囲及び１３２ｍｍ以下である前記スキャン方向における範囲を有する、」との特定事項について 引用発明は、本件補正発明の上記特定事項をみたしているかが不明である。 キ 本件補正発明の「リソグラフィ装置」との特定事項について 引用発明の「マイクロリソグラフィのための投影露光系１」は、本件補正発明「リソグラフィ装置」に相当する。 よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たす。 ク 上記ア～キから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターン付きエリアを備えるマスクを支持するとともに、スキャン方向に移動可能であるサポート構造と、 基板を保持するとともに、スキャン方向に移動可能である基板テーブルと、 前記パターン付き放射ビームを前記基板の露光領域上に投影し、前記スキャン方向において、前記スキャン方向に垂直な第２方向における縮小率を超える縮小率を有する投影システムである、投影システムと、 を備える、 リソグラフィ装置。」 【相違点１】 本件補正発明は「前記第２方向における前記縮小率は４．５×より大きく、前記スキャン方向における前記縮小率は、６×より大きく且つ８×より小さく」なっているのに対して、引用発明は、そのようになっているのか不明である点。 【相違点２】 マスクについて、本件補正発明は、「パターン付きエリア」を備え、「前記パターン付きエリアは、１０４ｍｍを超える前記第２方向における範囲及び１３２ｍｍ以下である前記スキャン方向における範囲を有する、」のに対して、引用発明は、そのようになっているのか不明である点。 （４）判断 ア 相違点１について （ア） 引用発明は、「第１の方向」と「走査方向の垂直方向」が同じ方向、「第２の方向」及び「走査方向」が同じ方向、をそれぞれ示すところ、引用文献の図１の記載を参酌して、以下、前者の方向を「垂直方向」、後者の方向を「走査方向」という。なお、引用発明の「垂直方向」及び「走査方向」は、それぞれ本件補正発明の「第２方向」及び「スキャン方向」に相当する方向である。 （イ） 引用発明における「結像光学系」の「結像スケール」（本件補正発明の「縮小率」に相当。）は、「垂直方向」「の第１の結像スケールと、該第１の結像スケールの少なくとも１．５倍大きい」「走査方向」「の第２の結像スケール」であり、また、引用文献に記載された技術的事項（上記（２）ウ）では、「結像スケール」は、「走査方向」で「１：８」（本件補正発明の「縮小率」が×８である場合に相当。）、「垂直方向」で「１：４」（本件補正発明の「縮小率」が×４である場合に相当。）と設定することが示されている。 引用発明は、アナモフィック結像投影レンズ系において縮小系の構成を備えるところ、「垂直方向」及び「走査方向」のそれぞれにおいて、どの程度の「結像スケール」（本件補正発明の「縮小率」に相当。）とするかは当業者が適宜設定しうるものであり、その際の「結像スケール」として、「垂直方向」「の第１の結像スケールと、該第１の結像スケールの少なくとも１．５倍大きい」「走査方向」「の第２の結像スケール」との条件の下、それぞれの方向において引用文献に記載された技術的事項で示された「結像スケール」近傍の大きさとすることは当業者が適宜なし得る設計的事項である。 イ 相違点２について 引用発明の「レチクル」は、「レチクル上の構造」を有しているところ、当該「レチクル上の構造」を有しているエリアは、本件補正発明の「パターン付きエリア」に相当する。 また、ＥＵＶ放射線を用いたリソグラフィ装置において、６インチ（約１５２ｍｍ）四方のサイズのレチクルが一般に用いられているところ、引用発明は「少なくとも１０４ｍｍの幅と、１３２ｍｍよりも大きい長さと、からなるレチクル（７）」を用いるものであることを踏まえると、当該引用発明は前記６インチ（約１５２ｍｍ）四方のサイズのレチクル（７）を用いることを想定しているといえ、「レチクル上の構造」を有するエリアのサイズは、前記６インチ（約１５２ｍｍ）四方よりも小さいエリアであることは明らかである。 引用発明において、前記６インチ（約１５２ｍｍ）四方よりも小さいエリア内で「レチクル上の構造」を有するエリアのサイズを調整することは当業者が適宜なし得る事項であり、上記相違点２に係る構成の数値範囲に含まれるサイズとすることは設計的事項である。 ウ 小括 相違点１に係る発明の構成の「縮小率」及び相違点２に係る発明の構成の「パターン付きエリア」のサイズ、は、両者ともに「基板の露光領域」のサイズに影響を与えるものであるところ、当該「基板の露光領域」は、作成しようとする半導体チップのサイズやリソグラフィ装置のスループット等に鑑みて、当業者が適宜設定しうるものである。 相違点１に係る構成の「縮小率」及び相違点２に係る構成の「パターン付きエリア」のサイズのそれぞれは、上記ア及びイで説示したとおり、当業者が適宜調整しうるものである。 そうすると、引用発明において、所定の「基板の露光領域」のサイズが得られるように、相違点１に係る構成の「縮小率」及び相違点２に係る構成の「パターン付きエリア」のサイズを調整し、相違点１及び相違点２に係る発明の構成をなすことは、当業者が容易に想到し得るものである。 エ そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 オ したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和４年２月８日にされた手続補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和３年６月２２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、ことを含むものである。 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献の記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記マスクの前記パターン付きエリアは、１０４ｍｍを超える前記第２方向における範囲及び１３２ｍｍ以下である前記スキャン方向における範囲を有する」との限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。