2019-016151

第２　本願発明

本願の請求項１ないし１７に係る発明は、令和元年２月２６日付けの手続補正により補正された請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。

「【請求項１】

第１電極と、

前記第１電極の一面に配置され、第１ｐ型吸光物質及び第１ｎ型吸光物質を含む吸光層と、

前記吸光層の前記第１電極と接する面と対向する一面に接して配置され、前記吸光層より小さい半値幅を有する第２ｐ型吸光物質又は第２ｎ型吸光物質を含む吸光補助層と、

前記吸光補助層の前記吸光層と接する面と対向する一面に配置される電荷補助層と、

前記電荷補助層の前記吸光補助層と接する面と対向する一面に配置される第２電極とを有し、

前記第２電極の側から光が入射され、前記吸光補助層は、前記吸光層よりも光が入射される前記第２電極の近く配置されることを特徴とする有機光電素子。」

第３　原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由の概要は、以下のものである。

【理由１】（新規性）

この出願の請求項１、３ないし１０に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。

【理由２】（進歩性）

この出願の請求項１ないし１２及び１７に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

また、この出願の請求項１３ないし１６に係る発明は、下記の引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

記

＜引用文献等一覧＞

１．国際公開第２０１４／０８５６３９号

２．特開２００８－２１８４４５号公報

第４　引用文献

１　原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開第２０１４―０８５６３９号(以下「引用文献」という。)には、図面とともに、以下の記載がある（なお、日本語訳は、パテントファミリーの特表２０１５－５３６５７７号公報のものである。下線は当審で付した。以下同じ。）。

(１)「

」(日本語訳　第２頁

特許請求の範囲

１．重なり関係にある二つの電極と、

当該二つの電極の間に配置される混合光活性層（ここで、当該混合光活性層は、第１境界接合面および第２境界接合面を有し、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）エネルギーを有する少なくとも一つのドナー材料および最低空軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーを有する少なくとも一つのアクセプタ材料を含み、前記混合光活性層における前記少なくとも一つのアクセプタ材料の濃度は、前記第１境界接合面で最大であり、前記第２境界接合面に向かって減少し、前記混合光活性層における前記少なくとも一つのドナー材料の濃度は、前記第２境界接合面で最大であり、前記第１境界接合面に向かって減少する）と、

前記混合光活性層に隣接し、前記第１境界接合面に接触する第１光活性層と、

を含み、

当該第１光活性層は、前記少なくとも一つのアクセプタ材料の前記ＬＵＭＯエネルギーの０．３ｅＶ以内であるＬＵＭＯエネルギーを有する材料を含む有機感光性光電子デバイス。)

(２)「

」(日本語訳　第３頁

１８．重なり関係にある二つの電極と、

当該二つの電極の間に配置される混合光活性層（ここで、当該混合光活性層は、第１境界接合面および第２境界接合面を有し、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）エネルギーを有する少なくとも一つのドナー材料および最低空軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーを有する少なくとも一つのアクセプタ材料を含み、前記混合光活性層における前記少なくとも一つのアクセプタ材料の濃度は、前記第１境界接合面で最大であり、前記第２境界接合面に向かって減少し、前記混合光活性層における前記少なくとも一つのドナー材料の濃度は、前記第２境界接合面で最大であり、前記第１境界接合面に向かって減少する）と、

前記混合光活性層に隣接し、前記第２境界接合面に接触する光活性層と、

を含み、

当該光活性層は、前記少なくとも一つのドナー材料の前記ＨＯＭＯエネルギーの０．３ｅＶ以内であるＨＯＭＯエネルギーを有する材料を含む有機感光性光電子デバイス。)

(３)「

「(日本語訳

【００４０】

図１に示すように、いくつかの実施形態において、混合光活性層１３０は、電極１１０に隣接し、接触する。他の実施形態において、デバイスは、電極１１０および混合光活性層１３０の間に、少なくとも一つのバッファ層をさらに含んでもよい。少なくとも一つのバッファ層は、混合光活性層１３０に隣接して配置されてもよく、混合光活性層１３０に接触してもよい。バッファ層は、電極１１０に対する正孔の輸送を阻止しないように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、バッファ層は正孔輸送材料である。いくつかの実施形態において、バッファ層は、励起子阻止の正孔輸送材料である。バッファ層は、有機材料などの、本技術分野において周知である材料を含んでもよい。いくつかの実施形態において、バッファ層は、金属酸化物である。いくつかの実施形態において、バッファ層は、導電性ポリマーである。バッファ材料の例は、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ＣｒＯ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）およびポリ（スチレンスルホン酸塩）（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態において、バッファ層は、自己組織化単分子膜である。)

(４)「

」(日本語訳

【００４２】

本開示の混合光活性層１３０は、本願で定義されるような傾斜ヘテロ接合層である。それは、ＨＯＭＯエネルギーを有する少なくとも一つのドナー材料およびＬＵＭＯエネルギーを有する少なくとも一つのアクセプタ材料を含む。適切なドナー材料の例は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、クロロアルミニウムフタロシアニン（ＣｌＡｌＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）および他の修飾されたフタロシアニンなどのフタロシアニン、ホウ素サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）などのサブフタロシアニン、ナフタロシアニン、メロシアニン色素、ホウ素ジピロメテン（ＢＯＤＩＰＹ）色素、ポリ（３－ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）などのチオフェン、低バンドギャップポリマー、ペンタセンおよびテトラセンなどのポリアセン、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）、スクアライン（ＳＱ）色素、ならびにテトラフェニルジベンゾペリフランテン（ＤＢＰ）を含むが、これらに限定されない。他の有機ドナー材料は、本開示において考慮される。)

(５)「

」(日本語訳

【００４４】

本開示における適切なアクセプタ材料の例は、ポリマーまたは非ポリマーペリレン、ポリマーまたは非ポリマーナフタレン、ならびにポリマーまたは非ポリマーフラーレンおよびフラーレン誘導体（たとえばＰＣＢＭ、ＩＣＢＡ、ＩＣＭＡなど）を含むが、これらに限定されない。Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ８２、Ｃ８４またはそれらの誘導体、たとえばフェニル－Ｃ６１－酪酸－メチルエステル（［６０］ＰＣＢＭ ）、フェニル－Ｃ７１－酪酸－メチルエステル（［７０］ＰＣＢＭ）もしくはチエニル－Ｃ６１－酪酸－メチルエステル（［６０］ＴｈＣＢＭ）、ならびに３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸－ビスベンズイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１６ＣｕＰｃ）およびそれらの誘導体などの他のアクセプタから選択されたものに限定されない。他の有機アクセプタ材料は、本開示において考慮される。)

(６)「

」(日本語訳

【００５５】

図３に示すように、いくつかの実施形態において、混合光活性層２３０は、電極２５０に隣接し、接触する。他の実施形態において、デバイスは、電極２５０および混合光活性層２３０の間に、少なくとも一つのバッファ層をさらに含んでもよい。少なくとも一つのバッファ層は、混合光活性層に隣接して配置されてもよく、混合光活性層に接触してもよい。バッファ層は、電極２５０に対する電子の輸送を阻止しないように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、バッファ層は電子輸送材料である。いくつかの実施形態において、バッファ層は、励起子阻止の電子輸送材料である。バッファ層は、有機材料などの、本技術分野において周知である材料を含んでもよい。バッファ材料の例は、バソキュプロイン（ＢＣＰ）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、１，４，５，８－ナフタレン－　テトラカルボン酸－二無水物（ＮＴＣＤＡ）、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸ビス－ベンズイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢｉ）、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ）（Ｒｕ（ａｃａｃ）３）、アルミニウム（ＩＩＩ）フェノラート（Ａｌｑ２ＯＰＨ）、Ｎ，Ｎ`－ジフェニル－Ｎ，Ｎ`－ビス－アルファ－ナフチルベンジジン（ＮＰＤ）、アルミニウムトリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ３）およびカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態において、バッファ層は、自己組織化単分子膜である。)

(７)「

」(日本語訳

【００７２】

実施例

ドナーとしてホウ素サブフタロシアニン塩化物（ＳｕｂＰｃ）を、アクセプタとしてＣ７０を使用して、４つの有機光起電力デバイスを作製した。図５に示すように、ＳｕｂＰｃは、－５．６ｅＶという深い最高被占軌道（ＨＯＭＯ）エネルギーと、大きい吸光係数を有する。Ｃ７０は、Ｃ６０と比較すると、拡大された吸光スペクトルを有する（図５参照）。４つの有機光起電力デバイスの構造を、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃおよび図６Ｄにそれぞれ示す。傾斜ＨＪセルおよび平面傾斜ＨＪセルを、真空熱蒸着（ＶＴＥ）によって作製した。図６Ａに示す制御デバイスは、傾斜ＨＪ層を唯一の光活性層として含んだ。図６Ｂにおけるデバイスは、傾斜ＨＪ層の下に、１１ｎｍの厚さの純ＳｕｂＰｃ層を有した（ＳｕｂＰｃ－ＧＨＪ）。図６Ｃにおけるデバイスは、傾斜ＨＪ層の上に、８ｎｍの厚さの純Ｃ７０層を有した（ＧＨＪ－Ｃ７０）。図６Ｄにおけるデバイスは、傾斜ＨＪ層を挟む、純ＳｕｂＰｃ層および純Ｃ７０層の両方を有した（ＳｕｂＰｃ－ＧＨＪ－Ｃ７０）。傾斜ＨＪ層は、３０ｎｍの厚さであり、ＳｕｂＰｃおよびＣ７０の積層の比率を、０．０１２ｎｍ／ｓ～０．０１０ｎｍ／ｓ、および０．０２０ｎｍ／ｓ～０．０８０ｎｍ／ｓにそれぞれ連続的に変化させることによって作製された。これらの積層の条件は、傾斜ヘテロ接合層と、ＳｕｂＰｃ層またはＭｏＯ３層のいずれかとの接合面における、約１：１．６というドナー：アクセプタの比率、ならびに傾斜ヘテロ接合層と、Ｃ７０層またはＢＰｈｅｎ層のいずれかとの接合面における、１：８というドナー：アクセプタの比率をもたらした。)

(８)図５は、以下のものである。

(９)図６Ｂ、図６Ｃ及び図６Ｄは、以下のものである。

２　引用文献に記載された発明

(１)上記１（１）及び(２)の記載からして、引用文献には、以下の二つの「有機感光性光電子デバイス」が記載されているものと認められる。

ア　「重なり関係にある二つの電極と、

当該二つの電極の間に配置される混合光活性層と、

前記混合光活性層に隣接し、前記第１境界接合面に接触する第１光活性層と、

を含み、

当該第１光活性層は、前記少なくとも一つのアクセプタ材料の前記ＬＵＭＯエネルギーの０．３ｅＶ以内であるＬＵＭＯエネルギーを有する材料を含む有機感光性光電子デバイス。」(請求項１)

イ　「重なり関係にある二つの電極と、

当該二つの電極の間に配置される混合光活性層と、

前記混合光活性層に隣接し、前記第２境界接合面に接触する光活性層と、

を含み、

当該光活性層は、前記少なくとも一つのドナー材料の前記ＨＯＭＯエネルギーの０．３ｅＶ以内であるＨＯＭＯエネルギーを有する材料を含む有機感光性光電子デバイス。」(請求項１８)

(２)上記１(３)の記載からして、

混合光活性層は、電極に隣接し、接触してもよく、両者の間にＭｏＯ３等の正孔輸送材料からなるバッファ層を含んでもよいことが理解できる。

(３)上記１(４)ないし(６)の記載からして、以下のことが理解できる。

ア　「混合光活性層」は、傾斜ヘテロ接合層であること。

イ　「ドナー材料」は、例えば、「ホウ素サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）」であってもよいこと。

ウ　「アクセプタ材料」は、例えば、「Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ８２、Ｃ８４またはそれらの誘導体」であってもよいこと。

エ　混合光活性層は、電極に隣接し、接触してもよく、両者の間にバソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）等の電子輸送材料からなるバッファ層を含んでもよいこと。

(４)上記１(７)の実施例に関する記載を踏まえて、図５及び図６を見ると、以下のことが理解できる。

ア　実施例の「有機感光性光電子デバイス」は、ドナーとしてホウ素サブフタロシアニン塩化物（ＳｕｂＰｃ）を、アクセプタとしてＣ７０を使用した「有機光起電力デバイス」であること。

イ　また、図６Ｂないし図６Ｄからして、以下のことが理解できる。

(ア)「二つの電極」は、「透明電極（ＩＴＯ）」と「アルミニウム電極」であること。

(イ)「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」は、「ＳｕｂＰｃ(ドナー)とＣ７０(アクセプタ)を含む混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」であってもよいこと。

(ウ)「透明電極（ＩＴＯ）」と「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」又は「光活性層」との間に、ＭｏＯ３層を介在してもよいこと。

(エ)「アルミニウム電極」と「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」又は「光活性層」との間に、ＢＰｈｅｎ層を介在してもよいこと。

ウ　図５に示された吸光スペクトルからして、「ＳｕｂＰｃ」と「Ｃ７０」を比較すると、５００～６００ｎｍにおける半値幅は「ＳｕｂＰｃ」の方が小さいこと。

(５)上記(１)ないし(４)の検討からして、引用文献には、請求項１８に関する次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。

「重なり関係にある二つの電極と、

当該二つの電極の間に配置された、ＳｕｂＰｃ(ドナー)とＣ７０(アクセプタ)を含む混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)と、

前記混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)に隣接する光活性層(純ＳｕｂＰｃ層)と、

前記二つの電極は、透明電極（ＩＴＯ）とアルミニウム電極であり、

前記光活性層(純ＳｕｂＰｃ層)と前記透明電極（ＩＴＯ）の間にＭｏＯ３層と、を含む、有機光起電力デバイス。」

(６)また、引用文献には、図６Ｂの実施例に関する次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。

「透明電極（ＩＴＯ）上に、

ＭｏＯ３層と、

純ＳｕｂＰｃ層と、

ＳｕｂＰｃ(ドナー)とＣ７０(アクセプタ)を含む混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)と、

ＢＰｈｅｎ層と、

アルミニウム電極と、がこの順に積層されている、有機光起電力デバイス。」

第５　当審の判断

１　【理由１】（新規性）について

(１)対比

本願発明と引用発明１とを対比すると、以下のことがいえる。

ア　引用発明１の「アルミニウム電極」は、本願発明の「第１電極」に相当する。

引用発明１の「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」は、本願発明の「第１ｐ型吸光物質及び第１ｎ型吸光物質を含む吸光層」に相当する。

引用発明１においては、「アルミニウム電極」と「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」との間に他の層は介在していない。

よって、本願発明と引用発明１とは、

「第１電極と、

前記第１電極の一面に配置され、第１ｐ型吸光物質及び第１ｎ型吸光物質を含む吸光層と、」「を有」する点で一致する。

イ　引用発明１の「光活性層(純ＳｕｂＰｃ層)」は、「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」に隣接し、その半値幅は、引用文献の図５からして「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」の半値幅よりも小さいことは、明らかである。

また、引用発明１においては、「アルミニウム電極」と「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」との間に他の層は介在せず、「光活性層(純ＳｕｂＰｃ層)」の「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」と接する面と対向する面に「ＭｏＯ３層」が位置し、該「ＭｏＯ３層」は、本願明細書の段落【００３８】の「電荷補助層４０は、例えば、有機物、無機物又は有機無機混合物を含むことができる。有機物は、正孔又は電子特性を有する有機化合物であり、無機物は、例えばモリブデン酸化物、タングステン酸化物、ニッケル酸化物のような金属酸化物であり得る。」との記載からして、「電荷補助層」に相当する。

よって、本願発明と引用発明１とは、

「吸光層の第１電極と接する面と対向する一面に接して配置され、前記吸光層より小さい半値幅を有する第２ｐ型吸光物質又は第２ｎ型吸光物質を含む吸光補助層と、

前記吸光補助層の前記吸光層と接する面と対向する一面に配置される電荷補助層と、」「を有」する点で一致する。

ウ　引用発明１の「ＭｏＯ３層」は「光活性層(純ＳｕｂＰｃ層)」と「透明電極（ＩＴＯ）」との間に位置し、「透明電極（ＩＴＯ）」側から光が入射することは明らかであるから、本願発明と引用発明１とは、

「電荷補助層の吸光補助層と接する面と対向する一面に配置される第２電極とを有し、

前記第２電極の側から光が入射され、前記吸光補助層は、吸光層よりも光が入射される前記第２電極の近く配置される」点で一致する。

エ　引用発明１の「有機光起電力デバイス」は、本願発明の「有機光電素子」に相当する。

(２)判断

以上(１)の検討からして、本願発明は、引用発明１である。

(３)まとめ

本願発明は、引用発明１である。

２　【理由２】（進歩性）について

(１)対比

本願発明と引用発明２とを対比すると、以下のことがいえる。

ア　引用発明２の「アルミニウム電極」は、本願発明の「第１電極」に相当する。

引用発明２の「ＳｕｂＰｃ(ドナー)とＣ７０(アクセプタ)を含む混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」は、本願発明の「第１ｐ型吸光物質及び第１ｎ型吸光物質を含む吸光層」に相当する。

引用発明２においては、「アルミニウム電極」と「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」との間に「ＢＰｈｅｎ層」が介在する。

よって、本願発明と引用発明２とは、「第１電極と、前記第１電極の一面に配置され、第１ｐ型吸光物質及び第１ｎ型吸光物質を含む吸光層と、」「を有」する点で一致する。

イ　引用発明２においては、「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」と「純ＳｕｂＰｃ層」との間に他の層は介在しておらず、該「純ＳｕｂＰｃ」の半値幅は、引用文献の図５からして、「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」の半値幅よりも小さいことは、明らかである。

よって、本願発明と引用発明２とは、「吸光層の一面に接して配置され、前記吸光層より小さい半値幅を有する第２ｐ型吸光物質又は第２ｎ型吸光物質を含む吸光補助層と、」「を有」する点で一致する。

ウ　引用発明２においては、「純ＳｕｂＰｃ層」の「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」と接する面と対向する面に「ＭｏＯ３層」が位置し、該「ＭｏＯ３層」は、本願明細書の段落【００３８】の「電荷補助層４０は、例えば、有機物、無機物又は有機無機混合物を含むことができる。有機物は、正孔又は電子特性を有する有機化合物であり、無機物は、例えばモリブデン酸化物、タングステン酸化物、ニッケル酸化物のような金属酸化物であり得る。」との記載からして、「電荷補助層」に相当する。

よって、本願発明と引用発明２とは、「吸光補助層の吸光層と接する面と対向する一面に配置される電荷補助層と、」「を有」する点で一致する。

エ　ここで、上記アないしウを整理すると、本願発明と引用発明２とは、

「第１電極と、

前記第１電極の一面に配置され、第１ｐ型吸光物質及び第１ｎ型吸光物質を含む吸光層と、

前記吸光層の一面に接して配置され、前記吸光層より小さい半値幅を有する第２ｐ型吸光物質又は第２ｎ型吸光物質を含む吸光補助層と、

前記吸光補助層の前記吸光層と接する面と対向する一面に配置される電荷補助層と、」「を有」する点で一致する。

オ　引用発明２の「ＭｏＯ３層」は、「純ＳｕｂＰｃ層」と「透明電極（ＩＴＯ）」との間に位置し、「透明電極（ＩＴＯ）」側から光が入射されことは明らかであるから、本願発明と引用発明２とは、

「電荷補助層の吸光補助層と接する面と対向する一面に配置される第２電極とを有し、

前記第２電極の側から光が入射され、吸光補助層は、吸光層よりも光が入射される第２電極の近く配置される」点で一致する。

カ　引用発明２の「有機光起電力デバイス」は、本願発明の「有機光電素子」に相当する。

キ　以上のことから、本願発明と引用発明２とは、以下の点で一致する。

＜一致点＞

「第１電極と、

前記第１電極の一面に配置され、第１ｐ型吸光物質及び第１ｎ型吸光物質を含む吸光層と、

前記吸光層の一面に接して配置され、前記吸光層より小さい半値幅を有する第２ｐ型吸光物質又は第２ｎ型吸光物質を含む吸光補助層と、

前記吸光補助層の前記吸光層と接する面と対向する一面に配置される電荷補助層と、

前記電荷補助層の前記吸光補助層と接する面と対向する一面に配置される第２電極とを有し、

前記第２電極の側から光が入射され、前記吸光補助層は、前記吸光層よりも光が入射される前記第２電極の近く配置されることを特徴とする有機光電素子。」

ク　一方、両者は、以下の点で相違する。

＜相違点＞

吸光層の配置に関して、

本願発明は、「第１電極の一面に接する」のに対して、

引用発明は、「ＢＰｈｅｎ層(バッファ層)」の一面に接する点。

(２)判断

ア　上記＜相違点＞について検討する。

(ア)引用発明２の「ＢＰｈｅｎ層」はバッファ層であるところ、引用文献の段落[００４７]には「図１に示すように、いくつかの実施形態において、混合光活性層１３０は、電極１１０に隣接し、接触する。他の実施形態において、デバイスは、電極１１０および混合光活性層１３０の間に、少なくとも一つのバッファ層をさらに含んでもよい。少なくとも一つのバッファ層は、混合光活性層１３０に隣接して配置されてもよく、混合光活性層１３０に接触してもよい。」及び段落［００６２］には「図３に示すように、いくつかの実施形態において、混合光活性層２３０は、電極２５０に隣接し、接触する。他の実施形態において、デバイスは、電極２５０および混合光活性層２３０の間に、少なくとも一つのバッファ層をさらに含んでもよい。」と記載されており、一般に、引用文献からは「バッファ層」が必須でないことが読み取れる。

(イ)してみると、引用発明２においても、「混合光活性層(傾斜ヘテロ接合層)」を「ＢＰｈｅｎ層(バッファ層)」を介することなく「アルミニウム電極」上に形成することは、当業者が容易になし得ることである。

イ　上記アのようにした引用発明２は、結果として、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を備えることになる。

ウ　よって、引用発明２において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が引用文献の記載に基づいて容易になし得たことである。

(２)効果

本願発明の効果は、引用発明２の奏する効果から予測し得る範囲内のものである。

(３)まとめ

本願発明は、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものである。

３　審判請求書における主張について

本願発明は、吸光層が第１電極と接しており、吸光層と第１電極との間にバッファ層はなく、吸光層が第１電極と接して配置される場合、イメージセンサのクロストークを減らして感度を改善することができるという効果を奏する旨主張する(第８頁中段)。

しかしながら、本願発明は、イメージセンサに限定されるものではなく、かつ、本願明細書の【００５９】ないし【００７０】に記載された実施例１ないし実施例３の「吸光層」は、電子輸送層を介して下部電極上に形成されたものである。

つまり、「（評価１：外部量子効率（ＥＱＥ）及び半値幅）」及び「（評価２：クロストーク）」の評価は、吸光層が電子輸送層を介して第１電極と接した有機光電素子に基づくものであるから、請求人の主張する効果は、明細書の記載に基づくものではない。

第６　むすび

以上のとおり、本願発明は、引用発明１であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。

また、本願発明は、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　よって、結論のとおり審決する。