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特許第６２０６４４６号発明「フレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法、フレキシブルデバイス」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６２０６４４６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１ないし７につきそれぞれ請求項ごとに訂正することを認める。 特許第６２０６４４６号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯・本件特許異議の申立ての趣旨 １．本件特許の設定登録までの経緯 本件特許第６２０６４４６号に係る出願（特願２０１５－１０６３４５号、以下「本願」という。）は、平成２１年３月２日に出願人日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社（以下「特許権者」ということがある。）によりされた特許出願（特願２００９－４７８７６号、以下「原出願」という。）の一部を平成２７年５月２６日に新たに特許出願したものであり、平成２９年９月１５日に特許権の設定登録（請求項の数７）がされ、平成２９年１０月４日に特許公報が発行されたものである。 ２．本件異議申立の趣旨 本件特許につき平成３０年４月４日に特許異議申立人高橋美穂（以下「申立人１」という。）により、また、同日に特許異議申立人野田澄子（以下「申立人２」という。）により、いずれも「特許第６２０６４４６号の特許請求の範囲の全請求項に記載された発明についての特許を取り消すべきである。」という趣旨の本件特許異議の申立てがそれぞれされた。（以下、各人からの申立てをそれぞれ「申立て１」及び「申立て２」ということがある。） ３．以降の手続の経緯 以降の手続の経緯は、以下のとおりである。 平成３０年　６月１２日付け　取消理由通知 平成３０年　８月１４日　　　意見書・訂正請求書 平成３０年　８月２０日付け　通知書（各申立人あて） 平成３０年　９月２１日　　　意見書（申立人１） 同日　　　意見書（申立人２） 平成３０年１２月　６日付け　取消理由通知（決定の予告） 平成３１年　２月１２日　　　意見書・訂正請求書 平成３１年　２月１８日付け　通知書（各申立人あて） 平成３１年　３月１９日　　　意見書（申立人１） 平成３１年　３月２０日　　　意見書（申立人２） 令和　元年　５月２１日付け　取消理由通知（決定の予告） 令和　元年　７月２２日　　　意見書・訂正請求書 令和　元年　７月３１日付け　通知書（各申立人あて） 令和　元年　８月３０日　　　意見書（申立人１） 令和　元年　８月３０日　　　意見書（申立人２） （上記のとおり、令和元年７月２２日に新たな訂正請求がされたから、平成３０年８月１４日付け及び平成３１年２月１２日付けの各訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、いずれも取り下げられたものとみなす。） 第２　申立人が主張する取消理由 各申立人が主張する取消理由はそれぞれ以下のとおりである。 １．申立人１の取消理由 申立人１は、同人が提出した本件異議申立書（以下、「申立書１」という。）において、下記甲第１号証ないし甲第５号証を提示し、具体的な取消理由として、概略、以下の（１）ないし（５）が存するとしている。 （１）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができるものではないから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由１－１」ということがある。） （２）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由１－２」ということがある。） （３）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲第４号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができるものではないから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由１－３」ということがある。） （４）本件特許の請求項１ないし７に係る発明に関して、本件特許に係る明細書（以下「本件特許明細書」という。）の発明の詳細な説明の記載が不備であり、各請求項に係る発明を当業者が実施することができるように記載されておらず、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしていないから、請求項１ないし７に係る発明についての特許は、いずれも特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであって、同法第１１３条第４号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由１－４」ということがある。） （５）本件特許の請求項１ないし７に関して、同各項の記載が不備であり、請求項１ないし７の各記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、同条同項（柱書）の規定を満たしていないから、請求項１ないし７に係る発明についての特許は、いずれも特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであって、同法第１１３条第４号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由１－５」ということがある。） ・申立人１提示の甲号証 甲第１号証：特表２０１０－５０７８２９号公報 （平成２２年３月１１日発行。なお、申立人１は同文献につき「（国際公開第２００８／０５０３００号の国内公表）」と記載しているが、正確には、国際公開と公表公報とは別異の刊行物であり、書証として証拠提示されたのは公表公報であるから、上記のとおり表記し頒布日を認定する。） 甲第２号証：特開２００２－３６３２８３号公報 甲第３号証：今井淑夫著、エレクトロニクス実装学会誌、第４巻、第７号（２００１年）、第６４０～６４６頁 甲第４号証：特開平１１－２７７６９９号公報 甲第５号証：国際公開第２００９／０８１６３０号 （２００９年７月２日国際公開） （以下、上記「甲第１号証」ないし「甲第５号証」をそれぞれ「甲１－１」ないし「甲１－５」と略していうことがある。） また、申立人１は、平成３１年３月１９日付け意見書に添付して、以下の参考資料１ないし３を提示している。 参考資料１：特開平６－１８４４３９号公報 参考資料２：特開平７－９４８３４号公報 参考資料３：特開２００６－３２１２２９号公報 （以下、「参考資料１」ないし「参考資料３」をそれぞれ「参１」ないし「参３」と略していうことがある。） ２．申立人２の取消理由 申立人２は、同人が提出した本件異議申立書（以下、「申立書２」という。）において、下記甲第１号証ないし甲第１０号証を提示し、具体的な取消理由として、概略、以下の（１）ないし（４）が存するとしている。 （１）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができるものではないから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由２－１」ということがある。） （２）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲第１号証に記載された発明に甲第９号証及び甲第１０号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由２－２」ということがある。） （３）本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲第２号証に記載された発明に甲第１号証及び甲第３号証ないし甲第１０号証に記載された事項との組合せに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由２－３」ということがある。） （４）本件特許の請求項１ないし７に関して、同各項の記載が不備であり、請求項１ないし７の各記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、同条同項（柱書）の規定を満たしていないから、請求項１ないし７に係る発明についての特許は、いずれも特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであって、同法第１１３条第４号の規定に該当し、取り消すべきものである。（以下「取消理由２－４」ということがある。） ・申立人２提示の甲号証 甲第１号証：特開２００８－３４７９０号公報 甲第２号証：国際公開第２００８／０５０３００号 甲第３号証：特表２０１０－５０７８２９号公報（甲２の邦訳文として） 甲第４号証：ＨＤ　ＭｉｃｒｏＳｙｓｔｅｍｓ社が２００６年６月１４日の時点で公開していたものと認められる「ＰＩ－２６１１」なる商品名のポリイミドコーティング剤に係るＭＳＤＳ 甲第５号証：ＡＤＶＡＮＣＥＳ　ｉｎ　ＰＯＬＹＩＭＩＤＥ　ＳＣＩＥＮＣＥ　ａｎｄ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，Ｏｃｔ．３０－Ｎｏｖ．１，１９９１，ｐ．１５－３２ 甲第６号証：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．１８，Ｎｏ．２（２００５）ｐ．３２７－３３２ 甲第７号証：Ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔｓ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．２，Ｓｅｃｏｎｄ　Ｑｕａｒｔｅｒ　２０００，ｐ．１６２－１７１ 甲第８号証：Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，３３９（１９９９）ｐ．６８－７３ 甲第９号証：特開平４－２２４８２４号公報 甲第１０号証：特開２００６－２５９７００号公報 （以下、上記「甲第１号証」ないし「甲第１０号証」をそれぞれ「甲２－１」ないし「甲２－１０」と略していうことがある。） また、申立人２は、平成３０年９月２１日付け、平成３１年３月２０日付け及び令和元年８月３０日付けの各意見書に添付して、以下の証拠を追加提示している。 ＜申立人２が追加提示した甲号証＞ 甲第１１号証：特開平５－１７６７２号公報 甲第１２号証：ＳＩＤ　０７　ＤＩＧＥＳＴ，（２００７）ｐ．１６８０－１６８３ 甲第１３号証：特開２０００－２８６５１４号公報 甲第１４号証：特開平８－８０５８０号公報 甲第１５号証：特許庁編「平成１７年度特許出願技術動向調査報告書　液晶表示装置の画質向上技術（要約版）」平成１８年３月発行 甲第１６号証：特開平５－４３８３６号公報 甲第１７号証：特公平６－５１８０３号公報 甲第１８号証：特開２００４－４３８２７号公報 甲第１９号証：繊維と工業、Ｖｏｌ．５０（１９９４）Ｎｏ．３、ｐ．９６～１０１ 甲第２０号証：スリーボンド・テクニカルニュース６，昭和５８年４月１日、株式会社スリーボンド発行、第１～１０頁 （以下、上記「甲第１１号証」ないし「甲第２０号証」をそれぞれ「甲２－１１」ないし「甲２－２０」と略していうことがある。） 第３　当審が通知した取消理由の概要 １．平成３０年６月１２日付け取消理由通知 当審が上記平成３０年６月１２日付けで通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。 「当審は、上記申立て１及び申立て２を併合して審理した上で、 申立人１が主張する上記取消理由１－１並びに申立人２が主張する上記取消理由２－３及び２－４により、本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許はいずれも取り消すべきもの、 と判断する。 以下、各取消理由につき、事案に鑑み、取消理由２－４、取消理由１－１及び取消理由２－３の順で詳述する。 ・・（中略）・・ （３）小括 したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載では、たとえ当業者の技術常識に照らしても、本件特許の請求項１及び同項を引用する請求項２ないし７に記載された事項を具備する発明が、上記解決課題を解決できるであろうと当業者が認識できるものとはいえないから、本件発明１ないし７が、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載したものということはできない。 ３．取消理由２－４についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件の請求項１ないし７の記載は、いずれも特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、同条同法同項（柱書）に規定する要件を満たしていない。 よって、本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 ・・（中略）・・ （６）検討のまとめ 以上のとおりであるから、本件発明１ないし７は、いずれも、甲２－２に記載された発明であるか、甲２－２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件発明１ないし７は、いずれも、特許法第２９条第１項第３号に該当するか、同法同条第２項の規定により、いずれにしても特許を受けることができるものではない。 ４．取消理由１－１及び２－３に係る検討のまとめ 以上のとおりであるから、本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、特許法第２９条に違反してされたものであって、いずれも同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。 ＩＩＩ．当審の判断のまとめ 以上のとおりであるから、申立人１が主張する取消理由１－１並びに申立人２が主張する取消理由２－３及び２－４はいずれも理由があり、本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、いずれも取り消すべきものである。」 ２．平成３０年１２月６日付け取消理由通知（決定の予告） 当審が上記平成３０年１２月６日付けで通知した取消理由（決定の予告）の概要は、以下のとおりである。 「第６　当審の判断 当審は、上記申立て１及び申立て２を併合して審理した上で、 申立人１が主張する上記取消理由１－１及び申立人２が主張する上記取消理由２－３により、本件訂正後の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、依然としていずれも取り消すべきもの、 と判断する。 以下、各取消理由につき詳述する。 取消理由１－１：本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲２－２（下記１．（１）参照。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができるものではないから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。 取消理由２－３：本件特許の請求項１ないし７に係る発明は、いずれも甲２－２に記載された発明に甲２－１及び甲２－３ないし甲２－１０に記載された事項との組合せに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものである。 ・・（中略）・・ （６）検討のまとめ 以上のとおりであるから、本件発明１及び３ないし７は、いずれも、甲２－２に記載された発明であり、本件発明１ないし７は、いずれも、甲２－２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件発明１及び３ないし７は、いずれも、特許法第２９条第１項第３号に該当し、本件発明１ないし７は、いずれも、同法同条第２項の規定により、いずれにしても特許を受けることができるものではない。 ４．取消理由１－１及び２－３に係る検討のまとめ 以上のとおりであるから、本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、特許法第２９条に違反してされたものであって、いずれも同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。」 ３．令和元年５月２１日付け取消理由通知（決定の予告） 当審が上記令和元年５月２１日付けで通知した取消理由（決定の予告）の概要は、以下のとおりである。 「第６　当審の判断 当審は、上記申立て１及び申立て２を併合して審理した上で、 当審が職権で新たに発見した下記取消理由ａにより、本件訂正後の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、いずれも取り消すべきもの、 と判断する。以下、詳述する。 取消理由ａ：本件特許の請求項１ないし７に関して、同各項の記載が不備であり、請求項１ないし７の各記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、同条同項（柱書）の規定を満たしていないから、請求項１ないし７に係る発明についての特許は、いずれも特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであって、同法第１１３条第４号の規定に該当し、取り消すべきものである。 ・・（中略）・・ （３）小括 以上を総合すると、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載では、たとえ当業者の技術常識に照らしても、本件特許の請求項１ないし７に記載された事項を具備する発明が、上記解決課題を解決できるであろうと当業者が認識できるものとはいえないから、本件発明１ないし７が、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載したものということはできない。 ３．取消理由ａについてのまとめ 以上のとおりであるから、本件の請求項１ないし７の記載は、いずれも特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、同条同法同項（柱書）に規定する要件を満たしていない。 よって、本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。」 第４　令和元年７月２２日付けの訂正請求について 上記令和元年７月２２日付けの訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の適否につき検討する。 １．訂正内容 本件訂正は、本件特許に係る特許請求の範囲を、上記訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１ないし７について訂正するものであって、具体的な訂正事項は以下のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に、 「液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物であって、一般式（１） 【化１】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化２】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化３】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～２００，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなるフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。」とあるのを、 「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化２】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化３】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液。」 と訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に、「フレキシブルデバイス基板が、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬディスプレイ用基板又は電子ペーパー用基板である、請求項１に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。」とあるのを、 「有機ＥＬディスプレイ基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記有機ＥＬディスプレイ基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化４】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化５】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化６】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる有機ＥＬディスプレイ基板形成用塗布液。」 と訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に、「請求項１又は２に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法。」とあるのを、 「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化７】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化８】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化９】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒と、シランカップリング剤とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法。」 と訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に、「ポリイミド樹脂膜の厚さが、１～２０μｍである請求項３に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。」とあるのを、 「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１０】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化１１】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化１２】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法であって、 ポリイミド樹脂膜の厚さがヘ１～２０μｍであるフレキシブルデバイスの製造方法。」 と訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に、「ポリイミド樹脂膜のガラス転移温度が、３００℃以上である請求項３又は４に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。」とあるのを、 「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１３】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化１４】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化１５】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法であって、 ポリイミド樹脂膜のガラス転移温度が、３００℃以上であるフレキシブルデバイスの製造方法。」 と訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に、「ポリイミド樹脂膜の１００℃～２００℃の範囲における熱膨張係数が、２０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項３～５のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。」とあるのを、 「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１６】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化１７】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化１８】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法であって、 ポリイミド樹脂膜の１００℃～２００℃の範囲における熱膨張係数が、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるフレキシブルデバイスの製造方法。」 と訂正する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７に、「請求項１又は２に記載のポリイミド前駆体樹脂組成物から得られるポリイミド樹脂膜。」とあるのを、 「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１９】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化２０】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化２１】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液から得られるポリイミド樹脂膜。」 と訂正する。 ２．検討 なお、以下の検討において、この訂正請求による訂正を「本件訂正」といい、本件訂正前の特許請求の範囲における請求項１ないし７を「旧請求項１」ないし「旧請求項７」、本件訂正後の特許請求の範囲における請求項１ないし７を「新請求項１」ないし「新請求項７」という。 （１）訂正の目的要件について ア．訂正事項１について 上記訂正事項１による訂正の目的につき検討すると、訂正事項１に係る訂正では、旧請求項１の「液状の」「塗布成膜」するための「ポリイミド前駆体樹脂組成物」に係る発明について、旧請求項１の「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板」の「表示デバイス」なる用途につき、旧請求項２に記載された事項に基づき、「液晶ディスプレイ」、「有機ＥＬディスプレイ」又は「電子ペーパー」の３種であると限定して、新請求項１では「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液」に係る発明とした上で、当該「塗布液」を使用するデバイス基板の製造方法において「（但し、加熱処理による剥離を除く。）」と剥離工程の一部を除外、「ポリイミド前駆体」の分子量範囲の上限値を旧請求項１における「２００，０００」から、明細書の発明の詳細な説明（特に実施例）の記載に基づき、新請求項１における「８０，０００」に下げることにより、旧請求項１に係る範囲を減縮しているものと認められる。 してみると、旧請求項１から新請求項１に訂正することにより、請求項１の特許請求の範囲が実質的に減縮されていることが明らかであるから、訂正事項１に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。 したがって、上記訂正事項１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる目的要件に適合するものである。 イ．訂正事項２について 上記訂正事項２による訂正の目的につき検討すると、訂正事項２に係る訂正では、旧請求項２の旧請求項１を引用して記載していたものにつき、旧請求項１に記載された事項に対して訂正事項１に係る特許請求の範囲を減縮する訂正を加えたものを書き下して、独立項形式に改めた上、旧請求項２に記載されていた３種のデバイス種別につき「有機ＥＬディスプレイ基板（形成）用」に限定したものと認められる。 してみると、旧請求項２から新請求項２に訂正することにより、引用形式で記載されていたものが独立項形式で記載されたものに改められるとともに、請求項２の特許請求の範囲が実質的に減縮されていることが明らかであるから、訂正事項２に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮及び引用形式を独立項形式に改めることを目的とするものと認められる。 したがって、上記訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる目的要件に適合するものである。 ウ．訂正事項３ないし６について 上記訂正事項３ないし６による各訂正の目的につき検討すると、訂正事項３ないし６に係る各訂正では、旧請求項３ないし６の旧請求項１を引用して記載していたものにつき、旧請求項１に記載された事項に対して訂正事項１に係る特許請求の範囲を減縮する訂正を加えたものを書き下して、新請求項３ないし６の独立項形式に改めたものと認められる。 してみると、旧請求項３ないし６から新請求項３ないし６にそれぞれ訂正することにより、引用形式で記載されていたものが独立項形式で記載されたものに改められるとともに、訂正事項１に係る訂正に伴い、請求項３ないし６の特許請求の範囲が実質的に減縮されていることも明らかであるから、訂正事項３ないし６に係る各訂正は、いずれも特許請求の範囲の減縮及び引用形式を独立項形式に改めることを目的とするものと認められる。 したがって、上記訂正事項３ないし６に係る各訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる目的要件に適合するものである。 エ．訂正事項７について 上記訂正事項７による訂正の目的につき検討すると、訂正事項７に係る訂正では、旧請求項７の旧請求項１を引用して記載していたものにつき、旧請求項１に記載された事項に対して訂正事項１に係る特許請求の範囲を減縮する訂正を加えたものを書き下して、新請求項７の独立項形式に改めたものと認められる。 してみると、旧請求項７から新請求項７に訂正することにより、引用形式で記載されていたものが独立項形式で記載されたものに改められるとともに、訂正事項１に係る訂正に伴い、請求項７の特許請求の範囲が実質的に減縮されていることも明らかであるから、訂正事項７に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮及び引用形式を独立項形式に改めることを目的とするものと認められる。 したがって、上記訂正事項７に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる目的要件に適合するものである。 （２）新規事項の追加及び特許請求の範囲の実質的拡張・変更について 上記（１）に示したとおり、訂正事項１に係る訂正により、新請求項１及び新請求項１に記載された事項を書き下してなる新請求項２ないし７の特許請求の範囲が、旧請求項１及び同項を引用する旧請求項２ないし７の特許請求の範囲に対して実質的に減縮されていることが明らかであるから、上記訂正事項１ないし７による各訂正は、いずれも新たな技術的事項を導入しないものであり、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものではないことが明らかである。 してみると、上記訂正事項１ないし７による各訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定を満たすものである。 （３）一群の請求項等について 本件訂正前の旧請求項２ないし７は、いずれも旧請求項１を引用するものであるから、本件訂正前の請求項１ないし７は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 （４）独立特許要件について なお、本件の特許異議の申立ては、いずれも、旧請求項１ないし７に係る全ての発明についての特許につき、申立てがされているから、訂正の適否の検討において独立特許要件につき検討すべき請求項が存するものではない。 ３．訂正に係る検討のまとめ 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項１ないし７について訂正を認める。 第５　訂正後の本件特許に係る請求項に記載された事項 上記訂正後の本件特許に係る請求項１ないし７には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】 液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化２】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化３】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液。 【請求項２】 有機ＥＬディスプレイ基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記有機ＥＬディスプレイ基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化４】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化５】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化６】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒と、シランカップリング剤とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる有機ＥＬディスプレイ基板形成用塗布液。 【請求項３】 液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化７】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化８】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化９】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法。 【請求項４】 液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１０】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化１１】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化１２】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製浩方法であって、 ポリイミド樹脂膜の厚さが、１～２０μｍであるフレキシブルデバイスの製造方法。 【請求項５】 液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１３】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化１４】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化１５】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法であって、 ポリイミド樹脂膜のガラス転移温度が、３００℃以上であるフレキシブルデバイスの製造方法。 【請求項６】 液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１６】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化１７】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化１８】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜してポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法であって、 ポリイミド樹脂膜の１００℃～２００℃の範囲における熱膨張係数が、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるフレキシブルデバイスの製造方法。 【請求項７】 液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程と、を含む、表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる前記液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液であって、一般式（１） 【化１９】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【化２０】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい）、Ｒ２は 【化２１】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミン残基であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物残基ではない。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液から得られるポリイミド樹脂膜。」 （以下、上記訂正後の請求項１ないし７に係る各発明につき、項番に従い「本件発明１」ないし「本件発明７」という。また、併せて「本件発明」と総称することがある。） 第６　当審の判断 当審は、上記申立て１及び申立て２を併合して職権により審理した上で、 申立て１及び申立て２において申立人１及び２がそれぞれ主張する各取消理由及び当審が通知した取消理由は、いずれも理由がなく、本件訂正後の請求項１ないし７に係る発明についての特許は、いずれも取り消すことができず、維持すべきもの、 と判断する。以下、詳述する。 Ｉ．各甲号証に記載された事項及び記載された発明 申立人１が主張する取消理由１－１、１－２及び１－３、申立人２が主張する取消理由２－１、２－２及び２－３並びに当審が平成３０年６月１２日付け及び平成３０年１２月６日付けでそれぞれ通知した取消理由は、いずれも各甲号証に記載された発明に基づいて、特許法第２９条に違反して特許されたことをいうものであるから、各甲号証に記載された事項を確認し、当該記載事項に基づき、主たる引用発明の認定を行う。 １．申立人１が提示した各甲号証について （１）甲１－１ 平成３０年６月１２日付け取消理由通知においても示したとおり、申立人１が提示した甲１－１は、本願に係る原出願の出願日の後に公表された公表公報であり、特許法第２９条第１項第３号に規定される「特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物」ではないから、取消理由１－１等に係る主たる証拠とすることはできない。 しかるに、申立人２が提示した甲２－２（国際公開第２００８／０５０３００号）は、本願に係る原出願の出願日の前に国際公開されたものであり、甲１－１と同一の文献である甲２－３が、甲２－２の訳文として添付されているから、当該甲２－３に係る項で記載事項を確認する。 （２）甲１－２ 甲１－２には、無水ピロメリット酸と３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから選ばれる第１の酸無水物成分としてのいずれかの酸無水物と、第２の酸無水物成分としての２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとからなる酸無水物と、２，２’－ジ置換－４，４’－ジアミノビフェニル類からなる第１の芳香族ジアミン成分と、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパン類と１，１－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）－３－ｔ－ブチル－６－メチルフェニル）ブタンと２，２－ビス（３－アミノ－４－メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパンとα，α’－ビス（４－アミノフェニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれる第２の芳香族ジアミン成分とからなる芳香族ジアミンとを有機溶媒中で反応させることによって得られる重量平均分子量２００００～１０００００のポリアミド酸（【請求項１】、【００７７】）、当該ポリアミド酸を閉環してなるポリイミド樹脂（【請求項２】）、金属箔基材上に上記ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板（【請求項３】）並びに金属箔基材上に上記ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有し、その上に導体層からなるパターン回路を有する回路付きサスペンション基板（【請求項４】）がそれぞれ記載されており、上記ポリアミド酸の溶液を適宜の基材上にキャストし、適宜の雰囲気下、３００～４００℃の温度に数時間加熱して、ポリアミド酸を閉環、イミド化させることによって、ポリイミド樹脂フィルムを得ることができること（【００８２】）も記載されている。 （３）甲１－３ 甲１－３には、種々の芳香族テトラカルボン酸残基と芳香族ジアミン残基とからなるポリイミドのガラス転移温度及び有機溶剤溶解性につき記載されており（第６４１頁「表１」）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸残基と１，４－ジアミノベンゼン（パラフェニレンジアミン）残基とからなるポリイミドが、「Ｕｐｉｌｅｘ－Ｓ」又は「Ｕｐｉｍｏｌ－Ｓ」なる商品名で上市され、いずれもガラス転移温度が３５５℃で有機溶剤不溶性であること（「表１」化学構造式３参照）並びに２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン残基と２，２－ビス（３－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン残基とからなるポリイミドが、「Ｓｉｘｅｆ－３３」なる商品名で上市され、ガラス転移温度２６０℃で有機溶剤可溶性であること（「表１」化学構造式９参照）がそれぞれ記載されている。 （４）甲１－４ ア．甲１－４に記載された事項 甲１－４には、以下の事項が記載されている。 （下線は、元々あるものを除き、当審が付した。） （４ａ） 「【特許請求の範囲】 【請求項１】芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とからなり、ｐ－フェニレンジアミンを必須成分とする芳香族ポリイミド中に微粒子状の無機フィラ－が分散されて、厚みが５－１５０μｍで、寸法安定性が良好で、揮発物含有量が１．０重量％以下で、少なくとも片方の側の表面がプラズマ処理によって改質されたポリイミドフィルムの改質面に金属層が直接あるいは耐熱性接着剤を介して強固に積層されてなる金属層積層フィルム。 ・・（中略）・・ 【請求項５】ポリイミドフィルムがさらに下記の条件 （１）引張弾性率が５００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、 （２）線膨張係数（５０～２００℃）が１．０×１０－５－２．５×１０－５ｃｍ／ｃｍ／℃以下であり、 （３）加熱収縮率（２５０℃×２時間）が０．５％以下であり、 （４）比端裂抵抗値が１１－２５ｋｇ／２０ｍｍ／１０μｍである。 を満足する請求項１に記載の金属層積層フィルム。 【請求項６】常圧プラズマ放電処理が、０．８－１．２気圧の気体雰囲気にて行われたものである請求項１に記載の金属層積層フィルム。 【請求項７】請求項１－６に記載の金属層積層フィルムを使用し、該積層フィルムのポリイミド層および金属層のいずれかに機械的、物理的および化学的処理の少なくとも１つの処理が施されてなる電子部品。」 （４ｂ） 「【０００１】 【発明の属する技術分野】この発明は、芳香族ポリイミドフィルムに金属層が直接あるいは耐熱性接着剤を介して強固に積層された金属層積層フィルムおよびその用途である電子部品に関するものであり、特に、芳香族ポリイミド中に微粒子状の無機フィラ－が分散されたポリイミドフィルムの常圧プラズマ放電処理改質面に金属層が直接あるいは耐熱性接着剤を介して強固に積層された金属層積層フィルム、およびこの金属層積層フィルムを使用した電子部品に関するものである。」 （４ｃ） 「【００１６】 【発明の実施の形態】この発明の金属層積層フィルムについて、代表的な実施の態様を示して詳しく説明する。この発明における芳香族ポリイミドフィルムは、例えば特願平９－６３７５１号明細書に記載されているように次のようにして製造される。先ず３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、または３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物のいずれかの２種の組み合わせ〔線膨張係数（５０～２００℃）が１．０×１０－５－２．５×１０－５ｃｍ／ｃｍ／℃となるように適宜組成を決めればよい。〕からなる芳香族テトラカルボン酸成分とｐ－フェニレンジアミン１種、またはｐ－フェニレンジアミンと４，４－ジアミノジフェニルエ－テルとの２種の組み合わせからなる芳香族ジアミン（ｐ－フェニレンジアミンが１５－１００モル％であることが好ましい。）とをＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドやＮ－メチル－２－ピロリドンなどのポリイミドの製造に通常使用される有機極性溶媒中で、好ましくは１０－８０℃で１－３０時間重合して、ポリマ－の対数粘度（測定温度：３０℃、濃度：０．５ｇ／１００ｍｌ溶媒、溶媒：Ｎ－メチル－２－ピロリドン）が１－５、ポリマ－濃度が１０－２５重量％であり、回転粘度（３０℃）が５００－４５００ポイズであるポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液を得る。 【００１７】次いで、好適にはこのポリアミック酸１００重量部に対して０．０１－３重量％のリン化合物、例えば（ポリ）リン酸エステルおよび／またはリン酸エステルのアミン円などの有機リン含有化合物あるいは無機リン化合物および、好適にはポリアミック酸１００重量部に対して０．１－３重量部のコロイダルシリカ、窒化珪素、タルク、酸化チタン、燐酸水素カルシウムなどの無機フィラ－（好適には平均粒径０．００５－５μｍ、特に０．００５－２μｍ）を添加してポリアミック酸溶液組成物を調製する。これらのリン化合物および無機フィラ－はフィルム層全体に均一に存在させてもよく、あるいは２－３層構造のフィルムを形成する場合には少なくとも片方の表面を含む層に前記の割合で含有させることが好ましい。 【００１８】このポリアミック酸溶液組成物を平滑な表面を有するガラスあるいは金属製の支持体表面に流延して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥する際に、乾燥条件を調整して（好適な条件は温度：１００－１６０℃、時間：１－６０分間）乾燥することにより、固化フィルム中、前記溶媒及び生成水分からなる揮発分含有量が３０－５０重量％、イミド化率が１０－６０重量％である長尺状固化フィルムを形成し、上記固化フィルムを支持体表面から剥離する。 【００１９】前記のようにして得られた固化フィルムを必要であればさらに乾燥して、好ましくは乾燥フィルムの揮発分含有量が１０－４５重量％となるように調整した後、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁を把持した状態で、キュア炉内におけるキュア炉入り口における温度（℃）×滞留時間（分）が前記出願明細書の図１の斜線の範囲内になるように乾燥後、最高加熱温度：４００－５００℃の温度が０．５－３０分となる条件で該乾燥フィルムを加熱して乾燥およびイミド化して、残揮発物量１．０重量％以下、特に０．４重量％以下で、イミド化を完了することによって芳香族ポリイミドフィルムとして好適に製造することができる。」 （４ｄ） 「【００３５】この発明の金属層積層フィルムは、芳香族ポリイミドフィルムが高耐熱性および寸法安定性を有し金属層とフィルムとが強固に接合しているので、ＴＡＢ用あるいはＦＰＣ用に好適に使用することができる。 【００３６】この発明の電子部品は、例えば、前記の金属層積層フィルムに、必要であれば金属層積層テ－プとした後、回路を形成するなどして得ることができる。回路の形成は、金属層積層フィルムの金属面に例えばエッチングレジストを回路パタ－ン状（配線パタ－ン状）に印刷して、配線パタ－ンが形成される部分の金属層の表面を保護するエッチングレジストの配線パタ－ンを形成した後、それ自体公知の方法でエッチング液を使用して配線が形成されない部分の金属をエッチングにより除去し、エッチングレジストを除去することによって行うことができる。また、必要であれば、回路パタ－ン上面に直接あるいはシラカップリング剤のような表面処理剤で処理した後、コ－ト材（液状物）を塗布した後加熱乾燥してコ－ト層を形成する。」 （４ｅ） 「【００３７】 【実施例】（１）芳香族ポリイミドフィルムの製造例（１） 内容積１００リットルの重合槽に、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド５４．６ｋｇを加え、次いで３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８．８２６ｋｇとパラフェニレンジアミン３．２４３ｋｇとを加え、３０℃で１０時間重合反応させてポリマ－の対数粘度（測定温度：３０℃、濃度：０．５ｇ／１００ｍｌ溶媒、溶媒：Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド）が１．６０、ポリマ－濃度が１８重量％であるポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液を得た。このポリアミック酸溶液に、ポリアミック酸１００重量部に対して０．１重量部の割合でモノステアリルリン酸エステルのトリエタノ－ルアミン塩および０．５重量部の割合（固形分基準）で平均粒径０．０８μｍのコロイダルシリカを添加して均一に混合してポリアミック酸溶液組成物を得た。このポリアミック酸溶液組成物の回転粘度は３０００ポイズであった。このポリアミック酸組成物をＴダイ金型のスリットから連続的に、キャスティング・乾燥炉の平滑な支持体に押出して前記溶液の薄膜を形成し、平均温度：１４１℃で乾燥して長尺状固化フィルム（揮発物含有量は２８重量％）を得た。 【００３８】次いで、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁を把持した状態で、キュア炉内でキュアして（入口における温度×滞留時間＝２００℃×２．５分、最高温度×最高温度滞留時間＝４８０℃×３分）、厚み５０μｍ、残揮発物量０．１８重量％、イミド化率９５％以上の長尺状の芳香族ポリイミドフィルム（０．２重量％のＳｉＯ２含有）を連続的に得た。この芳香族ポリイミドフィルムの物性を、次に従って測定した。 引張弾性率：ＡＳＴＭ　Ｄ８８２－６４Ｔ 線膨張係数（５０－２００℃）：３００℃で３０分加熱して応力緩和したサンプルをＴＭＡ装置（引張りモ－ド、２ｇ荷重、試料長１０ｍｍ、２０℃／分）で測定 加熱収縮率（２５０℃、２時間）：ＪＩＳ　Ｃ２３１８ 端裂抵抗（あるいは比端裂抵抗）：ＪＩＳ　Ｃ２３１８ に従って測定した試料（５個）の端裂抵抗（あるいは比端裂抵抗）の平均値を意味する。具体的には、定速緊張形引張試験機の上部厚さ１．００±０．０５ｍｍのＶ字形切り込み板試験金具の中心線を上部つかみの中心線に一致させ、切り込み頂点と下部つかみとの間隔を約３０ｍｍになるように柄を取り付ける。幅約２０ｍｍ、長さ約２００ｍｍの試験片を金具の穴部を通して二つに折り合わせて試験機の下部のつかみにはさみ、１分間に約２００ｍｍの速さで引張り、引き裂けたときの力を端裂抵抗という。試験片を縦方向及び横方向からそれぞれ全幅にわたって５枚とり、端裂抵抗の平均値を求め、端裂抵抗値として示す。比端裂抵抗値はフィルム厚み当たり（１０μｍ換算）の端裂抵抗値を示す。 【００３９】この芳香族ポリイミドフィルムの物性を次に示す。 引張弾性率：８５０ｋｇ／ｍｍ２ 線膨張係数（５０－２００℃）：１．２×１０－５ｃｍ／ｃｍ／℃ 加熱収縮率（２５０℃、２時間）：０．３％以下 端裂抵抗：６６ｋｇ／２０ｍｍ 比端裂抵抗：１３．２ｋｇ／２０ｍｍ／１０μｍ 【００４０】（２）プラズマ放電処理 図１に示したプラズマ処理装置と同様の構成の常圧プラズマ処理装置（但し、プラズマ放電室は一室のみ装備、またプラズマ放電処理は１気圧で実施）を用いて、下記第１表記載のプラズマ放電処理室のガス組成とフィルム走行速度にてプラズマ処理を行った。電圧は２００Ｖ／電極１本。電極内部は水冷（２５℃）。 ・・（中略）・・ 【００４３】（４）金属層積層フィルム（接着剤使用）の作製 プラズマ放電処理を施した芳香族ポリイミドフィルムまたはプラズマ放電処理を施していない芳香族ポリイミドフィルムと銅箔とを、フィルムのそれぞれの表面（フィルム製造時に支持体表面に接触していなかった側の表面であるＡ面、そしてフィルム製造時に支持体表面に接触した側の表面であるＢ面の双方）と接着剤とが接するように、下記の条件で金属層積層フィルムを作製した。 イ）接着剤：熱融着性ポリイミド樹脂（ａ－ＢＰＤＡ／ＴＰＥＲ　Ｔｇ：２４０℃） ロ）銅箔：厚み３０μｍの電解銅箔 ハ）接着条件：銅箔に接着剤を薄く（乾燥後で２０μｍ）塗布し、１３０℃で１５分乾燥後、プラズマ放電処理ポリイミドフィルムを重ね、３００℃、６．５ｋｇ／ｃｍ２で５分間熱圧着し、１８０℃で１時間加熱処理した。 ニ）接着強度測定：Ｔ剥離、剥離速度５０ｍｍ／分 【００４４】上記の条件で作製した金属層積層フィルムのＡ面およびＢ面の各表面の接着強度を第２表に示す。なお、プラズマ放電処理を施していない芳香族ポリイミドフィルムのＡ面とＢ面についての接着強度も併せて第２表に示す。 【００４５】 【表２】（表は省略） 【００４６】 第２表に示した結果から明らかなように、この発明の常圧プラズマ放電処理を施すことによって、ｐ－フェニレンジアミンを含む芳香族ポリイミドフィルムは表面が活性化されて高い接着性を示す。 【００４７】（５）金属層積層フィルム（蒸着－電解メッキ）の作製 プラズマ放電処理を施した芳香族ポリイミドフィルムのそれぞれの表面（フィルム製造時に支持体表面に接触していなかった側の表面であるＡ面、そしてフィルム製造時に支持体表面に接触した側の表面であるＢ面の双方）を、ホルダ－サイズに切り出して蒸着装置内に設置後、基板温度１５０℃、真空度２×１０－４Ｐａ以下、原料銅純度４Ｎ、蒸着速度１０－２５オングストロ－ム／秒の条件で０．２μｍの厚みの銅層を形成した。さらに、その上に電解メッキで１０μｍの銅層を形成した。この積層体について測定した接着強度（２５℃）はいずれも１．５ｋｇ／ｃｍ以上であった。 【００４８】（５）電子部品の作製 上記の積層体である銅張板に常法に従いパタ－ニングを行い、次にエッチング、水洗・乾燥工程を経た後、コ－ト材を塗布・乾燥してフレキシブル回路基板を製造した。製造工程中、接着不良による剥離・カ－ル発生などのトラブルは発生せず、精度よく電子部品を作製することができた。」 イ．甲１－４に記載された発明 甲１－４には、上記記載事項（特に摘示（４ｃ）及び（４ｅ）の下線部）からみて、 「ポリアミック酸溶液組成物をキャスティングにより支持体上に押出して前記溶液組成物の薄膜を形成し、乾燥して固化し、支持体から剥離して固化フィルムとした後、キュアして芳香族ポリイミドフィルムを形成する工程並びに当該芳香族ポリイミドフィルム上に銅層を形成した銅張板にパタ－ニングを行い、エッチング、水洗・乾燥工程を経た後、コ－ト材を塗布・乾燥する工程を含むフレキシブル回路基板の製造方法に用いられるポリアミック酸溶液組成物であって、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（溶媒）中で、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを重合反応させてなるポリアミック酸溶液組成物。」 に係る発明（以下「甲４発明」という。）が記載されている。 （５）甲１－５ 甲１－５には、「Ｕ－ワニスＳ－３０１」なる商品名で上市されている３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸残基とパラフェニレンジアミン残基とからなる「繰り返し単位（Ａ）」のポリイミドを形成し得るポリイミド前駆体のＮ－メチルピロリドン溶剤によるワニス（溶液）を使用して、円柱状芯体外表面にワニスを塗布し、４００℃まで段階的に加熱して、ワニス塗膜の乾燥・閉環固化させてポリイミド樹脂膜を形成した後、当該樹脂膜をチューブとして脱型してなるポリイミドチューブの製造方法が記載されている（［００９７］～［０１０１］及び請求の範囲［５］参照。）。 （６）参１ないし参３について 申立人が提示した上記参１ないし３につき、一応確認すると、上記参１ないし３には、いずれも、ポリイミド樹脂フィルムをシリコン基板などに積層する際に、接着強度の改善を意図して、ポリイミド樹脂（前駆体）に対して、アルコキシシラン化合物を添加使用することが開示されており、当該アルコキシシラン化合物の添加使用が、ポリイミド樹脂と他の材料との接着性改善を意図する当業者の周知技術であるものと認められる。 ２．申立人２が提示した各甲号証について （１）甲２－１ ア．甲２－１に記載された事項 甲２－１には、以下の事項が記載されている。 （１ａ） 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造であって、 キャリアと、 前記キャリア上に形成され、前記キャリアに貼り付けられる第１誘電体層を備えるＩＣ整合基板とを備え、 前記キャリアと前記第１誘電体層との間の付着力により、前記ＩＣ整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方、カット処理の際にＩＣ整合基板が前記キャリアから自然分離されるように、前記キャリアと前記第１誘電体層の材料が選択されることを特徴とするＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造。 【請求項２】 前記キャリアと前記第１誘電体層との間には、何ら付着処理が施されていないことを特徴とする請求項１に記載のＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造。 ・・（中略）・・ 【請求項８】 ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法であって、 キャリアを提供するステップと、 前記キャリアに貼り付けられる第１誘電体層を備えたＩＣ整合基板を、前記キャリア上に形成するステップとを含み、 前記キャリアと前記第１誘電体層との間の付着力により、前記ＩＣ整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方、カット処理の際にＩＣ整合基板が前記キャリアから自然分離されるように、前記キャリアと前記第１誘電体層の材料が選択することを特徴とするＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。 【請求項９】 前記キャリアと前記第１誘電体層との間に、何ら処理を施さないことを特徴とする請求項８に記載のＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。 ・・（中略）・・ 【請求項１３】 前記ＩＣ整合基板を形成するステップは、 前記キャリア上に前記第１誘電体層を形成するステップと、 前記第１誘電体層上に少なくとも一の半導体デバイスを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載のＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造の製造方法。 ・・（中略）・・ 【請求項１５】 電子デバイスの製造方法であって、 請求項８～１４のいずれか１つに記載の方法と、 前記ＩＣ整合基板をカットすることにより、カットされたＩＣ整合基板を前記キャリアから自然分離させて、電子デバイスを形成するステップとを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 【請求項１６】 前記ＩＣ整合基板は、テープ粘着、挟持具による挟み取り、または真空吸着によって、前記キャリアから自然分離されることを特徴とする請求項１５に記載の電子デバイスの製造方法。」 （１ｂ） 「【発明が解決しようとする課題】 【００１１】 本発明は、前述した従来の欠点に鑑みてなされたものであり、ＩＣ整合基板とキャリアとの分離を、容易に、素早く、かつ低コストに実現できるＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造およびその製造方法と、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。」 （１ｃ） 「【００３０】 前述の構造と製造方法において、前記キャリアと前記第１誘電体層の材料を選択することにより、前記キャリアと前記第１誘電体層との間の付着力で、前記ＩＣ整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離せずに、カット処理の際に、カットされたＩＣ整合基板を前記キャリアから自然分離させる。本発明のいわゆる「自然に分離する」とは、外力を加えずに、若しくはわずかな外力を加えることで（例えばテープ粘着、挟持具での挟み取り、真空吸着などの方法）、ＩＣ整合基板とキャリアとが分離して、各部構造が破壊されないことを指す。 【００３１】 この他、本発明における「ＩＣ整合基板」とは、従来のパッケージ用多層薄膜基板とは異なる。具体的には、本発明のＩＣ整合基板は電気接続に用いられる多層配線構造、または、少なくとも一つの半導体デバイス、例えば、受動素子、駆動電子デバイス、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）装置、およびその他の電子デバイスなど、またはその組み合わせなどを備えていてもよい。 【００３２】 本発明の技術手段によれば、従来技術が溶剤やレーザなどの煩雑な方法で多層薄膜基板とキャリアとを積極的に分離する工程を有しているのに対し、本発明は、容易に、素早く、かつ低コストの方法でＩＣ整合基板とキャリアとを分離でき、多層配線構造または少なくとも一つの半導体デバイスを備え、もしくは、その組み合わせである電子デバイスを製造することができる。」 （１ｄ） 「【実施例】 【００３３】 以下、図に示された実施例を参照して、本発明の目的の達成に使われる技術手段と構造の特徴を詳細に説明する。 【００３４】 ［実施例１］ 図２は、本発明の実施例に基づく、ＩＣ整合基板８とキャリア１０との結合構造２８、およびその製造方法、および電子デバイス６の製造方法の工程図である。本実施例に示すＩＣ整合基板８は、多層配線構造を備え、該多層配線構造は両面基板であって、その表面および裏面共に外部と電気接続される。尚、この両面基板は、表面が裏面と電気接続しているが、多層配線構造としてその他の接続方法によって接続してもよく、例えば、片面配線であってもよい。この他、多層配線構造の層数についても、特に制限はなく、各種応用に応じて適宜変更をすることができる。 【００３５】 図２を参照すると、ステップＳ１において、２００ｍｍシリコンウエハをキャリア１０とするが、このキャリアは、あらゆるサイズの基板、シリコンウエハなどを使用してもよい。 【００３６】 図２が示すＳ２からＳ４のステップは、キャリア１０に多層配線構造を有するＩＣ整合基板８を形成する工程図である。まず、ステップＳ２において、キャリア１０上に第１誘電体層１４を形成する。具体的には、いずれの付着処理も施さずに、図２に示したＩＣ整合基板８の第一誘電体層１４を、キャリア１０の全領域上に回転塗布する。次に、ステップＳ３からＳ４で第１誘電体層１４上に金属層２２、２４、２６と、誘電体層１６、１８、２０とを順に交互に積層して多層配線構造を備えるＩＣ整合基板８を形成する。 【００３７】 ＩＣ整合基板８とキャリア１０との結合構造２８において、キャリア１０と第１誘電体層１４の材料を選択することにより、単純に両者間の付着力で（例えば、付着力強化処理が施されていない場合）、ＩＣ整合基板８が製造過程において発生する応力によってキャリア１０から剥離することなく、また、最後のカット処理（ステップＳ５、詳細は後に記載する）の際に、カットされたＩＣ整合基板８をキャリア１０から自然分離させる。本実施例および以下で説明する各実施例において、いわゆる「自然に分離する」とは、外力を加えずに、若しくはわずかな外力を加えることで（例えばテープ粘着、挟持具での挟み取り、真空吸着などの方法）、ＩＣ整合基板とキャリアとを分離して、構造が破壊されないことを指す。 【００３８】 この他、キャリア１０とＩＣ整合基板８の周縁外側に付着する残留誘電体層材料７（図２に示す太い曲線）も、両者を固定して貼り合わせる作用を有する。本実施例によれば、誘電体層１４、１６、１８、２０は、低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，デュポン社製，ＰＩ－２６１１）を使用し、厚みが８μｍである。上金属層２６および下金属層２２は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ構造のＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ）を使用し、後続のはんだボールに電気接続をするために用いられる。中間の金属層２４は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層金属線を使用する。あるいは、各金属層は前記の金属層に限定せず、必要に応じて適切な金属層を使用してもよい。 ・・（中略）・・ 【００４１】 最後に、図２に示すステップＳ５のように、適切な位置でキャリア１０上のＩＣ整合基板８をカットすることにより、ＩＣ整合基板８をキャリア１０から自然分離させて多層配線構造を有する電子デバイス６が形成される。カットされたＩＣ整合基板８とキャリア１０との間には微弱な付着力のみが存在するため、両者は、自然に分離できる。例えば、真空吸着、挟持具による挟み取り、またはテープ粘着などの方法によって容易に両者を分離する。従来技術が溶剤やレーザなどの煩雑な方法で多層薄膜基板とキャリアとを分離して電子デバイスを形成しなければならないのに対し、本実施例は、簡単で迅速な低コストの方法でＩＣ整合基板とキャリアとを分離し、サイズ精密度が高く、軽く、かつ可撓性がよく、多層配線構造を備える電子デバイスを製造することができる。この他、カット処理後、例えば、電子デバイス６の誘電体層の最上層と底層において、エッチング法やレーザドリル法により、導電ビアホールを形成して外部と電気的接続することができる。 【００４２】 ［実施例２］ 図３は、本発明の実施例に基づく、ＩＣ整合基板３８とキャリア３０の結合構造４０、およびその製造方法、および電子デバイス３６の製造方法の工程図である。本実施例で示したＩＣ整合基板３８は、少なくとも一の半導体デバイス３５を備え、例えば、受動素子、駆動電子デバイス、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）装置、およびその他の電子デバイスの少なくとも一つ、もしくは、その組み合わせなどである。注意すべきは、図３では一つの半導体デバイスのみを備えるＩＣ整合基板を示しているが、この分野の通常の知識を有するものであれば分かるように、ＩＣ整合基板は複数の半導体デバイスを備えることが可能であり、後続の工程でカットすることによって数百、数千の電子デバイスを製造することができるが、ここでは表示および説明の簡略化のため、一つで示している。 【００４３】 図３を参照すると、ステップＳ１’において、２００ｍｍシリコンウエハをキャリア３０とするが、キャリアは、あらゆるサイズの基板、シリコンウエハなどを使用してもよい。 【００４４】 図３が示すステップＳ２’、Ｓ３’はキャリア３０上に少なくとも一の半導体デバイスを備えるＩＣ整合基板３８を形成する工程図である。まず、ステップＳ２’において、キャリア３０上に第１誘電体層３４を形成する。具体的には、前記形成ステップはいずれの付着処理も施さず、ＩＣ整合基板３８の第一誘電体層３４をキャリア３０の全領域上に回転塗布する。次に、ステップＳ３’において、第１誘電体層３４上に少なくとも一の半導体デバイス３５を有するＩＣ整合基板３８を形成する。ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造４０において、キャリア３０と第１誘電体層３４の材料を選択し、単純に両者間の付着力によって（例えば、付着力強化処理が施されていない場合）、ＩＣ整合基板３８が製造過程において発生する応力によってキャリア３０から剥離することなく、最後のカット処理（ステップＳ４’、詳細は後に記載する）の際に、カットされたＩＣ整合基板３８をキャリア３０から自然に分離する。この他、キャリア３０とＩＣ整合基板３８の周縁外側に付着する残留誘電体層材料３７（図３に示す太い曲線）も、両者を固定して貼り合わせる作用を有する。本実施例において、誘電体層３４は、低誘電率（＜４）のポリイミドＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，デュポン社製，ＰＩ－２６１１）を使用する。 ・・（中略）・・ 【００４７】 最後に、図３に示すステップＳ４’のように、適切な位置でキャリア３０上のＩＣ整合基板３８をカットすることにより、ＩＣ整合基板３８をキャリア３０から自然分離させて電子デバイス３６を形成する。カットされたＩＣ整合基板３８とキャリア３０との間には微弱な付着力のみが存在するため、この両者は自然に分離できる。例えば、真空吸着、挟持具による挟み取り、またはテープ粘着などの方法によって容易に両者を分離できる。従来技術が溶剤やレーザなどの煩雑な方法で多層薄膜基板とキャリアとを分離して電子デバイスを形成しなければならないのに対し、本実施例は、簡単で迅速な低コストの方法でＩＣ整合基板とキャリアとを分離し、サイズ精密度が高く、軽くて薄く、かつ可撓性がよく、少なくとも一の半導体デバイスを備える電子デバイスを製造することができる。 【００４８】 注意すべきは、本発明においてキャリアは金属（例えば、アルミ）、ガラス、セラミックス、シリコンウエハ、サファイア基板、砒化ガリウム、ポリイミド（例えばＫａｐｔｏｎ、ＰＩ－２６１１等の商用材料）等、あらゆる固体材料でよい。誘電体層の材料は、ポリイミド（ＰＩ）（例えば、ＰＩ－２６１１、Ｄｕｒｉｍｉｄｅ　９００５等の商用材料）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ－ＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ、例えばＣｙｃｌｏｔｅｎｅ　４０２４）、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌ－ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））、液晶ポリマＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｐｏｌｙｍｅｒ）等、あらゆる有機材料であってもよい。下記の表１は、実施例において採用される付着弱化処理と、種々キャリアおよび誘電体層材料の好適な組み合せである。表２は、実施例において付着処理を施していない場合の種々のキャリアおよび誘電体層材料の好適な組み合せである。 【００４９】 【表１】（表は省略） 【００５０】 【表２】 」 イ．甲２－１に記載された発明 甲２－１には、上記記載事項（特に摘示（１ａ）及び（１ｄ）の下線部）からみて、 「シリコンウエハからなるキャリア上に誘電体層を回転塗布により形成する工程、誘電体層上に少なくとも一の半導体デバイスを有するＩＣ整合基板を形成する工程及び最後のカット処理の際にカットされたＩＣ整合基板をキャリアから分離する工程を含むＩＣ整合基板の製造方法に使用する誘電体層形成材料であって、ポリイミドＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，デュポン社製，ＰＩ－２６１１）である塗布用材料。」 に係る発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているものといえる。 （２）甲２－２及び甲２－３ 甲２－２は、本願の出願日前の国際公開に係る英文文献であるところ、甲２－３の公表公報が訳文として提出されているので、甲２－２に記載された事項を甲２－３の訳文に基づき確認し、当該事項に基づいて甲２－２に係る引用発明の認定を行う。（なお、記載箇所の指摘に関しては、甲２－３における段落番号等により行う。また、下線につき、元々あるもの以外は当審が付した。） ア．甲２－２（甲２－３）に記載された事項 （２ａ） 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 薄膜電子装置を製造する方法であって、 湿式成形処理を用いて、剛性担持基板に、プラスチックコーティングを設置するステップであって、前記プラスチックコーティングは、プラスチック基板を形成し、基板面に対して垂直な第１の方向では、前記基板面に平行な第２の方向に比べて、少なくとも３倍大きな熱膨張係数を有する透明プラスチック材料を有するステップと、 前記プラスチック基板上に、薄膜電子素子を形成するステップと、 加熱処理により、前記プラスチック基板は、前記基板面に対して垂直な方向に優先的に延び、これにより、前記プラスチック基板から、前記剛性担持基板を取り外すステップと、 を有する方法。 ・・（中略）・・ 【請求項６】 前記プラスチック材料の、前記剛性担持基板に平行な熱膨張係数は、３０×１０－６／℃であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の方法。 【請求項７】 前記プラスチック材料は、ポリイミドを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の方法。 【請求項８】 前記プラスチック材料は、ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有することを特徴とする請求項７に記載の方法。 【請求項９】 前記取り外すステップは、前記プラスチック基板を、前記剛性担持基板から熱的に剥離することにより行われることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の方法。 ・・（中略）・・ 【請求項１２】 前記剛性担持基板は、ガラス基板を有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の方法。 【請求項１３】 前記湿式成形処理は、スピンオン処理を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一つに記載の方法。 【請求項１４】 アクティブマトリクス表示装置を製造するための、請求項１乃至１３のいずれか一つに記載の方法であって、 前記プラスチック基板上に、薄膜電子素子を形成するステップは、前記プラスチック基板上に、画素回路の配列を形成するステップを有し、 当該方法は、さらに、前記プラスチック基板から前記剛性担持基板を取り外す前に、前記画素回路の配列の上に、表示層を形成するステップを有することを特徴とする方法。 【請求項１５】 さらに、第２の基板配置を製造するステップを有し、 前記画素回路の配列の上に、表示層を形成するステップは、前記第１および第２の基板配置を、両者の間に設置された光電子材料で取り付けるステップを有し、 これにより、前記アクティブマトリクス表示装置は、前記光電気材料が間に挟まれた第１および第２の基板を有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。 ・・（中略）・・ 【請求項２０】 前記プラスチック材料は、ポリイミドを有することを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか一つに記載の薄膜電子装置。 【請求項２１】 前記プラスチック材料は、ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有することを特徴とする請求項２０に記載の薄膜電子装置。」 （２ｂ） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、プラスチック基板上のアクティブマトリクス表示装置のような電子装置の製作に関する。」 （２ｃ） 「【発明が解決しようとする課題】 【００１３】 従って、ガラス基板からの適正なリフトオフが可能であり、基板またはそれに取り付けられた部材に、クラックやバックリング（ｂｕｃｋｌｉｎｇ）の生じない、加熱に耐え得る基板材料に対する要望がある。」 （２ｄ） 「【００１７】 担持基板面に対して垂直な熱膨張係数は、剛性担持基板面に平行な熱膨張係数の少なくとも５倍であることが好ましい。前記垂直な方向の熱膨張係数は、平行な方向の熱膨張係数の少なくとも１０倍であることがより好ましく、１５倍であることがさらに好ましい。 【００１８】 プラスチック層材料は、例えばポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）のようなポリイミドを有することが好ましい。これは、ある方向には、１０５×１０－６／℃（１０５ｐｐｍ／℃）の熱膨張係数を有し、第２の方向には、５×１０－６／℃（５ｐｐｍ／℃）の熱膨張係数を有するように配置することができる材料である。次に、大きな熱膨張係数が、ガラス基板に対して垂直となるように配置され、これは、湿式成形処理、特にスピンコート法のような成膜プロセスによって得ることができる。 【００１９】 取り外し処理は、紫外レーザ光に暴露することにより実施される、熱剥離処理を有しても良い。紫外レーザ光は、２００ｎｍを超える波長を有することが好ましい。剛性担持基板は、ガラス基板を有することが好ましい。」 （２ｅ） 「【００３０】 本発明は、アクティブマトリクス表示装置の製造に特に適しており、本発明の一例について、以下説明する。 【００３１】 図１には、本発明によるプラスチックディスプレイの製造例を概略的に示す。図には、本発明によって改善される、最終取り外し段階が示されている。完成ディスプレイ１０は、ガラス基板１２から取り外され、その後携帯電話１４のような装置に使用される。 【００３２】 図２には、従来の配置の一例を示すが、この場合、ポリイミド層２２がガラス担体１２上にスピンコートされる。ポリイミド層２２は、レーザスピンオフ処理によって、ガラス担体１２から分離された際に、基板を形成する。 【００３３】 図３には、熱レーザリフトオフ処理の間に生じ得る、一つの想定される問題を示す。特に、例えば３５１ｎｍの励起を有する高波長のレーザが照射に使用されると、レーザからの吸収エネルギーは、ポリイミド分子の完全な熱化が生じないまま分散され、最も弱い結合に分離が生じる。材料の局部的な加熱により、図３に示すように、ポリイミド層２２は、バックリングし、これにより、基板の上部の層が損傷を受ける。 【００３４】 以下、本発明に方法の一例について、詳細に説明する。ここでは、ガラス基板からのレーザ取り外し処理を用い、さらにディスプレイのカラーフィルタのインクジェット印刷、およびセル製作の際のＶＡＬＣ（液晶との真空アライメント）処理により、ディスプレイが製作される方法を示す。以下に詳細に示す例は、液晶（ＬＣ）表示セルの製造に関するものであり、これは、２つの対向（アクティブおよびパッシブ）基板の間に挟まれたＬＣ材料を有する。本発明は、多くの他の表示技術および非表示技術に提供することができる。特定の例は、単なる一例に過ぎない。 図４には、ガラス担体板１２と、プラスチック基板として機能するプラスチック層２２とを示す。この形態の基板は、アクティブ板およびパッシブ板のベース部を形成する。 【００３５】 プラスチック層２２は、完成後のセルの壁の一つとなるよう、十分に高強度である必要がある。また、プラスチック層２２は、透明で、理想的には非複屈折性である。また、プラスチック層２２は、レーザエネルギーを吸収し、担体板１２からプラスチック層２２のリフトオフを行うことができる。 【００３６】 本発明は、プラスチック層２２の材料に関し、熱誘起リフトオフ処理に適した特徴を有するプラスチック材料の使用が提案される。 【００３７】 プラスチック層２２の基板材料は、２００ＭＰａ＞の引張強度を有し、非複屈折性である。また、例えばスピンコート法のような湿式成形処理プロセスを用いて、成膜される必要が亜ある。（当審注：「必要がある。」の誤記であるものと解される。） 【００３８】 スピンコート法では、極めて高品質な表面が得られ、必要な場合、極めて薄い層が提供される。より重要なことは、プラスチック層２２の湿式成形が可能なことである。従って、プラスチック層２２は、オフセットリソグラフィまたはシルクスクリーン印刷法のような、ブレードもしくは印刷技術を用いた、塗布法により設置され得る。 【００３９】 プラスチック層２２から形成される基板は、多数の高分子を含む。 【００４０】 高分子は、透明であり、溶液から湿式成形（例えばスピンコート）法で形成されても良いことは良く知られており、透明で好ましくは非複屈折性の膜が製造される。」 （２ｆ） 「【００４５】 図４には、垂直なＣＴＥが平行なＣＴＥよりも大きい、ポリイミドプラスチック層２２を示す。 【００４６】 前述のような特徴を有するプラスチック基板として使用されるポリイミドの一例は、ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）である（ｐ－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ　ｂｉｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｉｍｉｄｅ）。この特定の高分子は、剛性ロッド状鎖を有する。これは、他の材料の示す値に比べて、有意に大きな熱膨張係数の異方性を有する。 【００４７】 使用の際、ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）は、励起波長に暴露しても、歪んだり、クラックまたはバックリングが発生したりせず、これは、例えば２００ｎｍ以上の高波長ＵＶスペクトルであっても同様である。 【００４８】 例えば、ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）は、ある方向では、１０５ｐｐｍ／℃のＣＴＥ値を有し、第２の方向では、約５ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有する。最大ＣＴＥ値は、ガラス担体板１２に対して垂直に整列され、熱またはレーザの印加方向と平行に整列される。 【００４９】 ＣＴＥの大きな異方性は、材料（結晶量から得られる）および成膜処理プロセスの両方の特徴である。スピンコート法では、高分子分子鎖の面内配向が得られ、これは、高異方性に寄与する。 【００５０】 スピンコート法は、高コストなプロセスであり、材料の多くが廃棄される。従って、スリットまたはブレードコーティング法が好ましい。この場合も、面内分子整列が得られ、必要な異方性が生じる。ポリイミドの粘度は、スリットコーティングに適した値に調整される。」 （２ｇ） 「【００７７】 前述の例は、アクティブマトリクス表示装置の製造に関するものである。別の態様では、本発明は、より一般的な、プラスチック基板上に薄膜回路を有する電子装置の製造に関する。従って、本発明は、より一般的には、剛性担持基板によって支持されたプラスチック基板上に、薄膜電子素子を形成することにも関し、その後、剛性担持基板は、プラスチック基板から取り外される。これらの装置は、例えば、太陽電池、大面積ライティングパネル、および着用可能なもしくは医療用のシステムに使用される、可撓性薄膜電子装置を有しても良い。また、プラスチック基板上に、薄膜電子装置（例えばＴＦＴを有する）の処理を行う際に、実質的に従来の基板ハンドリング操作を用いても良い。湿式成形（例えばスピンオン）処理を用いて、平坦で高品質な表面を提供しても良い。 【００７８】 湿式成形（例えばスピンオン）処理では、極めて薄い基板を形成することができる。例えば、基板は、３μｍの厚さで形成されても良い。 【００７９】 前述の詳細な製造方法の一例は、ＬＣＤディスプレイに関係するものである。しかしながら、示された各ステップに対して、多くの変更例が存在することは、当業者には明らかである。 【００８０】 より一般的には、本発明では、まず、基板にプラスチックが設置される。プラスチック層の厚さは、通常、２μｍから５０μｍの範囲である。このプラスチックは、最終的には、ディスプレイのプラスチック基板となり、ディスプレイ用途に使用される。適当な湿式成形処理プロセスは、スピンコーティング法、印刷法、および塗布法である。 ・・（中略）・・ 【００８３】 次に、プラスチック／不動態化層の上に、ＴＦＴが形成される。ＴＦＴ配列の製造は、ａ－Ｓｉまたは低温ポリ－Ｓｉ（ＬＴＰＳ）ＴＦＴ用の、ほぼ標準的な配列処理プロセス条件下で実施することができる。いくつかの細部の処理プロセスの変更を行うことにより、成膜された層の機械適応力を抑制することができる。極めて薄いプラスチック層がコーティングされた、標準的なガラス基板、および標準的な配列処理プロセスの使用は、この処理プロセスが既存のＴＦＴ製作プラントで行われ得ることを意味する。 【００８４】 ＴＦＴは、前述の例のようなＬＣＤのみならず、いくつかの異なるディスプレイタイプの多重化用のアクティブ装置素子として使用しても良い。ディスプレイタイプに関わらず、ＴＦＴ配列が未だガラス上に積層された状態のまま、ディスプレイが製作される。これは、標準的なディスプレイ製造ツールおよび技術が利用できること、ならびにプラスチックの薄膜層の存在によって、いかなる有意な差異も生じないことを意味する。また、この時点では、ディスプレイドライバがディスプレイに結合されても良い。 【００８５】 担体からプラスチック基板を取り外す際に使用されるレーザは、ガラス基板を介して印加され、プラスチックの底部に照射される。このためレーザは、通常の場合、ディスプレイの全面積を網羅するように走査される必要がある。波長が３０８ｎｍおよび３５１ｎｍのパルス化エキシマレーザを使用しても良い。 【００８６】 本発明では、透明プラスチック基板の直接レーザ分離が可能となり、そのような基板は、透明および半透明ＬＣＤ、ならびに高分子ＬＥＤのような、下方放射有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）を含む、全てのタイプのディスプレイに使用することができる。 【００８７】 前述のように、液晶ディスプレイは、本発明による利点が得られる表示技術の一例に過ぎない。 【００８８】 ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）は、本発明の一実施例における好適な材料の例として示されている。また、熱膨張係数の異方性が大きく、同様の特徴を有する材料が、同様の結果を得るために使用され得ることは、当業者には認識される。 【００８９】 別の表示技術の例として、図６には、電気泳動表示材料を使用した、反射性表示装置２００を示す。このタイプのディスプレイの一例は、Ｅインクディスプレイとして知られている。ガラス上のプラスチック層２０４上には、薄膜トランジスタ２０２の配列が形成されている。ＴＦＴ配列は、窒化珪素不動態化層２０６および窒化珪素ゲート絶縁層２０８の上に提供され、高分子不動態化層２１２の上には、ＩＴＯ画素２１０が形成される。ガラス基板は、図６には示されておらず、この図には、最終取り外し後の表示装置が示されている。 ・・（中略）・・ 【００９４】 図６および図７の例は、本発明により製造されるが、多くの他の特定のディスプレイ構造、および他の電子部材構造を、前述の方法を用いて製作しても良いことは、明らかであろう。例えば、適当なディスプレイタイプは、ＯＬＥＤ（有機ＬＥＤ）、ＰＬＥＤ（高分子ＬＥＤ）、ＥＬ（エレクトロルミネッセント）およびＰＤＬＣ（高分子－分散液晶）ディスプレイ、ならびにＬＣＤを含む。」 イ．甲２－２（甲２－３）に記載された発明 上記甲２－２には、上記ア．の記載（特に甲２－３の【請求項１】、【請求項７】及び【請求項８】参照）からみて、 「湿式成形処理を用いて、剛性担持基板に、プラスチックコーティングを設置するステップであって、前記プラスチックコーティングは、プラスチック基板を形成し、基板面に対して垂直な第１の方向では、前記基板面に平行な第２の方向に比べて、少なくとも３倍大きな熱膨張係数を有する透明プラスチック材料を有するステップと、 前記プラスチック基板上に、薄膜電子素子を形成するステップと、 加熱処理により、前記プラスチック基板は、前記基板面に対して垂直な方向に優先的に延び、これにより、前記プラスチック基板から、前記剛性担持基板を取り外すステップと、を有する薄膜電子装置を製造する方法において使用されるプラスチックコーティングであって、ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）である透明プラスチック材料を有するプラスチック基板を形成することができるプラスチックコーティング。」 に係る発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているといえる。 （３）甲２－４ 甲２－４は、ＨＤ　Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ社が２００６年６月１４日の時点で公開していた「ＰＩ－２６１１」なる製品に係るＭＳＤＳ（Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｓａｆｅｔｙ　Ｄａｔａ　Ｓｈｅｅｔ）であり、当該製品が、ｓ－ビフェニル（テトラカルボン酸）二無水物とｐ－フェニレンジアミンとからなるポリマー１０－３０％とＮ－メチル－２－ピロリドン６０％以上とを成分とすることが開示されている（第１頁下段）。 （４）甲２－５ 甲２－５には、ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）とｐ－フェニレンジアミン（ＰＰＤ）とからなるポリアミック酸（ＰＡＡ）である「ＰＩ－２６１１」が、数平均分子量（Ｍｎ）６８１００、重量平均分子量（Ｍｗ）１５７０００を有すること（第２１頁「ＴＡＢＬＥ　Ｉ．」）につき開示されている。 （５）甲２－６ 甲２－６には、「ＰＩ－２６１１」なる製品名の光非反応性のポリイミド前駆体につき、３５０℃で硬化した場合のポリイミドフィルムがガラス転移温度３５０℃で剛性度（ＰＲＣＬ）１００％の物性を有すること（第３２９頁「Ｆｉｇ．１」）が開示されている。 （６）甲２－７ 甲２－７には、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ－フェニレンジアミンとからなるポリイミド（前駆体）につき、波長可変マイクロ波による硬化を行った場合のポリイミドフィルムの物性、特に熱膨張係数につき開示されており、当該ポリイミド（前駆体）として、「ＰＩ－２６１１」なる製品名のＨＤ　Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ社の製品を使用したことが開示されている（「２．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　Ｗｏｒｋ」の欄及び「Ｔａｂｌｅ　２」）。 （７）甲２－８ 甲２－８には、Ｄｕ　Ｐｏｎｔ社の「２６１１」なる製品名のポリ（ｐ－フェニレン　ビフェニレンテトラカルボキシイミド）（ＢＰＤＡ－ＰＤＡ）のポリアミック酸形態のＮ－メチルピロリドン溶液を使用して得たポリイミドの薄いフィルムにつき、厚みと熱膨張の異方性との関係性につき開示されており（文献題名及び「２．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ」）、フィルムの面方向と厚さ方向との熱膨張係数（ＣＴＥ）が異なる挙動を示すことが開示されている（「Ｆｉｇ．６」及び「Ｆｉｇ．８」）。 （８）甲２－９ 甲２－９には、ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓＢＰＤＡ）とｐ－フェニレンジアミンとからなるポリアミック酸の溶液を製造する際に、ｓＢＰＤＡの量を化学量論的理論量の９７～９９．５％とした場合に優れた溶液特性を持つポリアミック酸溶液が得られ、また当該溶液から形成されたフィルム特性が向上することが開示され、分子量２５０００～８００００程度のポリアミック酸が製造できることも開示されている（【００２１】～【００２３】）。 （９）甲２－１０ 甲２－１０には、接着層とカバー層を有するカバーレイ基板において、カバー層ポリアミック酸前駆体として５００００以下の重量平均分子量を有するビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）とｐ－フェニレンジアミンとからなるポリアミック酸（前駆体）を使用することが開示されている（【請求項１】ないし【請求項３】）。 （１０）甲２－１１ 甲２－１１には、ポリエステルとポリイミドから選ばれる縮合ポリマーとベンゾフェノン系の変性剤からなるデバイスの誘電層を構成する組成物が開示されており、当該ポリイミドとして「ＰＩ－２６１１」なる製品名のものが使用されることが開示されている（【請求項１】、【０００４】及び【表１】）。 （１１）甲２－１２ 甲２－１２には、液晶ディスプレイ基板、有機ＥＬディスプレイ基板又は電子ペーパー基板などのフレキシブルデバイス基板として耐熱性、力学的特性などに優れたポリイミドが使用されることが開示され、ガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、さらにその表面上にＴＦＴ等の電気素子を形成した後、ガラス基板を剥離してデバイス基板を形成することも開示されている（「Ｔａｂｌｅ　１」、「Ｆｉｇｕｒｅ　１」など）。 （１２）甲２－１３ 甲２－１３には、銅箔上に２種のポリイミド層が積層され、更に接着剤樹脂層が積層された接着剤付きフレキシブルプリント回路用基板が開示され、当該基板は、半導体素子や電気・電子部品を接着固定するものであることも開示されている（【特許請求の範囲】、【０００１】）。 （１３）甲２－１４ 甲２－１４には、耐熱性樹脂に電気絶縁性の無機フィラーを配合した耐熱性樹脂組成物からなる内層とフッ素樹脂からなる外層とを有する定着用ベルトにおいて、耐熱性樹脂として、ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸／ｐ－フェニレンジアミン単位を有するポリイミドと他のポリイミドとのブレンド物である定着用ベルトが開示されている（【請求項１】）。 （１４）甲２－１５ 甲２－１５には、液晶表示装置の画質向上技術において、基板の材料のみならず、表面処理、偏光板（位相差板）、カラーフィルター、液晶層、光源・駆動の各構成部材の選択により達成されていることが開示されている（「第１－３図」等）。 （１５）甲２－１６ 甲２－１６には、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物とｐ－フェニレンジアミン類を含むジアミンとからなるポリアミック酸溶液ワニスが開示され、当該溶液から形成されるポリイミド樹脂膜が、低熱膨張性で優れたパターン形成能を有し、耐熱性、機械特性及び接着性に優れたものとなることも開示されている（【特許請求の範囲】、【０００１】等）。 （１６）甲２－１７ 甲２－１７には、シランカップリング剤存在下にポリイミド形成材料を反応させて得られたポリアミック酸系重合体及び金属アルコキシドを含む組成物並びに当該組成物を加熱処理温度下で成形してなる成形物が開示され（【請求項１】）、当該ポリイミド形成材料として、ビフェニルテトラカルボン酸化合物及びフェニレンジアミン又はビフェニレンジアミン化合物が使用できることも開示されている（第２頁～第３頁「一般式〔１〕」）。 （１７）甲２－１８ 甲２－１８には、３，３’－ビフェニレンジアミン類とテトラカルボン酸二無水物とからなるポリイミド前駆体が開示され（【請求項１】）、上記テトラカルボン酸二無水物として、ピロメリト酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン－１，２，４，５－テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物などが使用できること（【００４２】）並びに上記３，３’－ビフェニレンジアミン類とともに他のジアミンとして、１，４－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノビフェニルなども使用できること（【００４０】）もそれぞれ開示されている。 （１８）甲２－１９ 甲２－１９には、フレキシブルプリント回路やＩＣ実装用フィルムキャリアのベースフィルムとして有用な「ユーピレックス」なる製品名のポリイミドフィルムが開示され（「１．はじめに」）、当該フィルムの製造において、原料化合物を反応させて一旦ポリアミック酸溶液とし、流延などによりフィルム状に成形した後、加熱しイミド化すること（「３．製造法」）並びに「ユーピレックス－Ｓ」なる製品名のポリイミドフィルムが、ビフェニルテトラカルボン酸残基と１，４－フェニレンジアミン残基とからなるポリイミドであること（「表２」）もそれぞれ開示されている。 （１９）甲２－２０ 甲２－２０には、接着破壊に係る理論が開示され、剥離、すなわち接着破壊時の剥離速度と剥離抵抗との関係につき、剥離速度が十分に低い場合に比して、剥離速度が大きい場合に剥離抵抗が極端に増大することが開示されている（「４－３　剥離のレオロジー」）。 ＩＩ．各取消理由に係る判断 １．取消理由１－１ないし１－３及び２－１ないし２－３について 事案に鑑み、各甲号証に係る発明に基づいて、取消理由１－１ないし１－３及び２－１ないし２－３につき、それぞれ併せて検討する。 （１）甲２発明に基づく検討 ア．本件発明１について （ア）対比 本件発明１と甲２発明とを対比すると、本件発明１における「液晶ディスプレイ」、「有機ＥＬディスプレイ」及び「電子ペーパー」は、いずれも「表示デバイス」なる薄型又は薄膜状の電子装置であるものと解するのが自然であるから、甲２発明における「薄膜電子装置」に包含されるものと認められ、また、甲２発明における「湿式成形処理を用いて、・・基板に、プラスチックコーティングを設置する」とは、当該「（液状の）プラスチックコーティング」を基板表面に塗布してコーティング（膜）を形成するものと解するのが自然であるから、当該「プラスチックコーティング」は、本件発明１における「塗布液」に相当するものと認められる。 また、甲２発明における「プラスチック基板」は、樹脂からなる膜状物又は板状物であることが明らかであり、「剛性担持基板」は、コーティングを施す硬質の基板であることが明らかであるから、それぞれ、本件発明１における「樹脂膜」及び「硬質キャリア基板」に相当する。 そして、甲２発明における「湿式成形処理を用いて、剛性担持基板に、プラスチックコーティングを設置するステップであって、前記プラスチックコーティングは、プラスチック基板を形成・・するステップ」、「前記プラスチック基板上に、薄膜電子素子を形成するステップ」及び「前記プラスチック基板から、前記剛性担持基板を取り外すステップ」は、それぞれ、本件発明１における「塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程」、「前記樹脂膜上に回路を形成する工程」及び「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程」に相当するものといえる。 なお、甲２発明における「ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）」は、本件発明１における「一般式（１）（式及びその説明は省略）で表される構造単位を・・有する・・ポリイミド前駆体」に、ポリイミド系樹脂である点で一致するものと認められる。 してみると、本件発明１と甲２発明とは、 「塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と、を含む、デバイス基板の製造法に用いられ、デバイス基板となる基板形成用塗布液であって、ポリイミド系樹脂を含有してなる、デバイス基板となる基板形成用塗布液」 である点で一致し、下記の３点で相違するものと認められる。 相違点１：本件発明１では「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液」であるのに対して、甲２発明では「薄膜電子装置を製造する方法において使用されるプラスチックコーティングであって、・・透明プラスチック材料を有するプラスチック基板を形成することができるプラスチックコーティング」であり、「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液」であると特定されていない点 相違点２：本件発明１では「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程」であるのに対して、甲２発明では「加熱処理により、・・前記プラスチック基板から、前記剛性担持基板を取り外すステップ」である点 相違点３：本件発明１では「一般式（１）（式及びその説明は省略）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる・・塗布液」であるのに対して、甲２発明では「ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）である透明プラスチック材料を有するプラスチック基板を形成することができるプラスチックコーティング」である点 （イ）相違点に係る検討 事案に鑑み、上記相違点３につきまず検討すると、甲２－２には、「高分子は、透明であり、溶液から湿式成形（例えばスピンコート）法で形成されても良いことは良く知られており、透明で好ましくは非複屈折性の膜が製造される」ことが記載されている（第６頁第２９行～第３１行、甲２－３【００４０】）ところ、甲２発明における「ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）」という「プラスチック基板」の材料となる芳香族系ポリイミド高分子は、通常の溶媒には溶解するものでないことが当業者に自明であり、溶液からの湿式成形法によりプラスチック基板を形成しようとする場合、当該ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸形態の樹脂を有機溶媒に溶解した溶液組成物を構成し湿式成形法に供した後、硬化・閉環させてポリイミド樹脂膜（層）とするのが、当業者の技術常識又は慣用手段である（必要ならば甲１－２、甲１－４、甲２－９等を参照）から、甲２発明における「ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）である透明プラスチック材料を有するプラスチック基板を形成することができるプラスチックコーティング」についても、ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミック酸形態の樹脂とそれを溶解できる有機溶剤との溶液組成物であると理解するのが自然である。 そして、上記「ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミック酸形態の樹脂」は、本件発明１における「一般式（１）（Ｒ１基がｐ－フェニレン基、Ｒ２基が３，３’，４，４’－ビフェニレン基（４価））で表される構造単位を１００％有するポリイミド前駆体」に相当することが当業者に自明である。 しかしながら、ポリイミド前駆体の分子量の点につき検討すると、甲２－５にも開示されるとおり、本願出願前において、「ＰＡＡ（ＰＩ－２６１１）」なる重量平均分子量１５７０００を有する「ＢＰＤＡ／ＰＰＤ」（「３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ－フェニレンジアミンとからなる」ことを表す。）ポリアミック酸（溶液）が製品として上市されており、甲２－１などにも開示されているとおり、当該製品のポリイミド前駆体溶液組成物を使用して基板を形成することは当業者に少なくとも公知であるとともに、甲２－９又は甲２－１０にも開示されているとおり、重量平均分子量８０，０００以下のポリイミド前駆体であるポリアミック酸溶液により、カバーレイ層、接着層又は絶縁膜を形成することも当業者に少なくとも公知ではあるが、甲２－２を含む上記全ての甲号証の記載を検討しても、フレキシブルデバイス基板に係る甲２発明における「ポリ（ｐ－フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）（前駆体）」について、「１５，０００～８０，０００」なる範囲内の重量平均分子量を有するものを選択して使用すべき動機となる事項が存するものとは認められない。 してみると、上記相違点３については、実質的な相違点であって、さらに、甲２発明において、当業者が所望に応じて適宜なし得ることということはできない。 （ウ）小括 したがって、本件発明１は、他の相違点につき検討するまでもなく、甲２発明、すなわち甲２－２に記載された発明であるということはできず、甲２－２に記載された発明に基づいて、たとえ他の甲号証に記載された事項を組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。 イ．本件発明２ないし７について 本件発明２ないし７につき検討すると、各発明ともに上記相違点３に係る事項を発明特定事項として含むものであるから、甲２発明との対比検討における上記ア．で示した理由と同一の理由により、他の技術事項についてはさておき、本件発明２ないし７は、甲２発明、すなわち甲２－２に記載された発明であるということはできず、甲２－２に記載された発明に基づいて、たとえ他の甲号証に記載された事項を組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。 ウ．甲２発明に基づく検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１ないし７は、いずれも、甲２－２に記載された発明であるということはできず、甲２－２に記載された発明に基づいて、たとえ他の甲号証に記載された事項を組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、甲２－２（又は甲１－１）に記載された発明を主たる引用発明とする取消理由２－３及び取消理由１－２並びに当審が通知した取消理由１－１はいずれも理由がない。 （２）甲１発明に基づく検討 ア．本件発明１について （ア）対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、本件発明１における「液晶ディスプレイ」、「有機ＥＬディスプレイ」及び「電子ペーパー」は、いずれも「表示デバイス」なる薄型又は薄膜状の電子装置であり、その誘電体からなる基板上にＩＣなどの半導体装置が搭載されているものと解するのが自然であるから、甲１発明における「誘電体層上に少なくとも一の半導体デバイスを有するＩＣ整合基板」に相当するものと認められ、また、甲１発明における「シリコンウエハからなるキャリア上に誘電体層を回転塗布により形成する」とは、「誘電体層形成材料」である「塗布用材料」をシリコンウエハからなるキャリア上に回転塗布して誘電体層（膜）を形成するものと解するのが自然であるから、当該「誘電体層形成材料」である「塗布用材料」は、本件発明１における「塗布液」に相当するものと認められる。 また、甲１発明における「誘電体層」は、樹脂からなる膜状物又は板状物であることが明らかであり、「シリコンウエハからなるキャリア」は、回転塗布を施す硬質の基板であることが明らかであるから、それぞれ、本件発明１における「樹脂膜」及び「硬質キャリア基板」に相当する。 そして、甲１発明における「シリコンウエハからなるキャリア上に誘電体層を回転塗布により形成する工程」、「誘電体層上に少なくとも一の半導体デバイスを有するＩＣ整合基板を形成する工程」及び「最後のカット処理の際にカットされたＩＣ整合基板をキャリアから分離する工程」は、それぞれ、本件発明１における「塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程」、「前記樹脂膜上に回路を形成する工程」及び「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程」に相当するものといえる。 なお、甲１発明における「ポリイミドＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，デュポン社製，ＰＩ－２６１１）」は、本件発明１における「一般式（１）（式及びその説明は省略）で表される構造単位を・・有する・・ポリイミド前駆体」に、ポリイミド系樹脂である点で一致するものと認められる。 してみると、本件発明１と甲１発明とは、 「塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程と、前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程とを含むデバイス基板の製造法に用いられ、デバイス基板となる基板形成用塗布液であって、ポリイミド系樹脂を含有してなる、デバイス基板となる基板形成用塗布液」 である点で一致し、下記の３点で相違するものと認められる。 相違点１’：本件発明１では「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液」であるのに対して、甲１発明では「ＩＣ整合基板の製造方法に使用する誘電体層形成材料」である「塗布用材料」であり、「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液」であると特定されていない点 相違点２’：本件発明１では「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程」であるのに対して、甲１発明では「最後のカット処理の際にカットされたＩＣ整合基板をキャリアから分離する工程」である点 相違点３’：本件発明１では「一般式（１）（式及びその説明は省略）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる・・塗布液」であるのに対して、甲１発明では「ポリイミドＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，デュポン社製，ＰＩ－２６１１）である塗布用材料」である点 （イ）相違点に係る検討 事案に鑑み、上記相違点３’につきまず検討すると、甲１発明における「ポリイミドＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，デュポン社製，ＰＩ－２６１１）」は、甲２－５にも開示されるとおり、重量平均分子量１５７０００を有する「ＢＰＤＡ／ＰＰＤ」（「３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ－フェニレンジアミンとからなる」ことを表す。）ポリアミック酸（溶液）であるから、上記相違点３’は、実質的な相違点である。 そして、甲２－１などにも開示されているとおり、当該製品のポリイミド前駆体溶液組成物を使用して基板を形成することは当業者に少なくとも公知であるとともに、甲２－９又は甲２－１０にも開示されているとおり、重量平均分子量８０，０００以下のポリイミド前駆体であるポリアミック酸溶液により、カバーレイ層、接着層又は絶縁膜を形成することも当業者に少なくとも公知ではあるが、甲２－１を含む上記全ての甲号証の記載を検討しても、ＩＣ整合基板に係る甲１発明における「ポリイミドＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，デュポン社製，ＰＩ－２６１１）」について、「１５，０００～８０，０００」なる範囲内の重量平均分子量を有するものに代替すべき動機となる事項が存するものとは認められない。 してみると、上記相違点３’については、実質的な相違点であって、さらに、甲１発明において、当業者が所望に応じて適宜なし得ることということはできない。 （ウ）小括 したがって、本件発明１は、他の相違点につき検討するまでもなく、甲１発明、すなわち甲２－１に記載された発明であるということはできず、甲２－１に記載された発明に基づいて、たとえ他の甲号証に記載された事項を組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。 イ．本件発明２ないし７について 本件発明２ないし７につき検討すると、各発明ともに上記相違点３’に係る事項を発明特定事項として含むものであるから、甲１発明との対比検討における上記ア．で示した理由と同一の理由により、他の技術事項についてはさておき、本件発明２ないし７は、甲１発明、すなわち甲２－１に記載された発明であるということはできず、甲２－１に記載された発明に基づいて、たとえ他の甲号証に記載された事項を組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。 ウ．甲１発明に基づく検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１ないし７は、いずれも、甲２－１に記載された発明であるということはできず、甲２－１に記載された発明に基づいて、たとえ他の甲号証に記載された事項を組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、甲２－１に記載された発明を主たる引用発明とする取消理由２－１及び２－２はいずれも理由がない。 （３）甲４発明に基づく検討 ア．本件発明１について （ア）対比 本件発明１と甲４発明とを対比すると、甲４発明における「フレキシブル回路基板」は「芳香族ポリイミドフィルム上に」「パタ－ニング」された「銅層を形成した銅張板」であるから、本件発明１における「フレキシブルデバイス基板」に相当するものと認められ、また、甲４発明における「ポリアミック酸溶液組成物をキャスティングにより支持体上に押出して前記溶液組成物の薄膜を形成し、乾燥して固化したフィルムとした後、キュアして芳香族ポリイミドフィルムを形成する」とは、「ポリアミック酸溶液組成物」を「支持体上」に「キャスティングにより」「溶液組成物の薄膜を形成して」、すなわち塗布によるものと同様の溶液薄膜を支持体上に形成した後、「芳香族ポリイミドフィルムを形成する」ものと解するのが自然であるから、当該「ポリアミック酸溶液組成物」は、本件発明１における「塗布液」に相当するものと認められる。 また、甲４発明における「芳香族ポリイミドフィルム」は、芳香族ポリイミド樹脂からなる膜状物又は板状物であることが明らかであり、「支持体」は、溶液薄膜を形成する硬質の基板であることが明らかであるから、それぞれ、本件発明１における「樹脂膜」及び「硬質キャリア基板」に相当する。 そして、甲４発明における「ポリアミック酸溶液組成物をキャスティングにより支持体上に押出して前記溶液組成物の薄膜を形成し、乾燥して固化したフィルムとした後、キュアして芳香族ポリイミドフィルムを形成する工程」及び「芳香族ポリイミドフィルム上に銅層を形成した銅張板にパタ－ニングを行い、エッチング、水洗・乾燥工程を経た後、コ－ト材を塗布・乾燥する工程」は、それぞれ、本件発明１における「塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程」及び「前記樹脂膜上に回路を形成する工程」に相当するものといえる。 なお、甲４発明における「３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを重合反応させてなるポリアミック酸」及び「Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（溶媒）」は、それぞれ、本件発明１における「一般式（１）（式及びその説明は省略）で表される構造単位を・・有する・・ポリイミド前駆体」の一種である点及び「有機溶媒」である点で一致するものと認められる。 してみると、本件発明１と甲４発明とは、 「塗布液を硬質キャリア基板上に塗布成膜して樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に回路を形成する工程とを含むフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、デバイス基板となる基板形成用塗布液であって、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを重合反応させてなるポリイミド前駆体と有機溶媒を含有してなる、デバイス基板となる基板形成用塗布液」 である点で一致し、下記の３点で相違するものと認められる。 相違点１’’：本件発明１では「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ、フレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液」であるのに対して、甲４発明では「フレキシブル回路基板の製造方法に用いられるポリアミック酸溶液組成物」であり、「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板となる液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液」であると特定されていない点 相違点２’’：本件発明１では「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離（但し、加熱処理による剥離を除く。）する工程」を有するのに対して、甲４発明では「支持体上に押出して前記溶液組成物の薄膜を形成し、乾燥して固化し、支持体から剥離して固化フィルムとした後、キュアして芳香族ポリイミドフィルムを形成する工程並びに当該芳香族ポリイミドフィルム上に銅層を形成した銅張板にパタ－ニングを行い、エッチング、水洗・乾燥工程を経た後、コ－ト材を塗布・乾燥する工程を含む」点 相違点３’’：本件発明１では「一般式（１）（式及びその説明は省略）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体と、有機溶媒とを含有してなる・・塗布液」であるのに対して、甲４発明では「Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（溶媒）中で、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを重合反応させてなるポリアミック酸溶液組成物」であり、ポリアミック酸の構造の割合及び重量平均分子量につき特定されていない点 （イ）相違点に係る検討 事案に鑑み、上記相違点３’’につきまず検討すると、甲４発明における「Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（溶媒）中で、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを重合反応させてなるポリアミック酸溶液組成物」につき、甲１－４には、当該ポリアミック酸の特定測定条件下における対数粘度については記載されているものの、重量平均分子量については記載されていないから、上記相違点３’’は、実質的な相違点である。 そして、甲２－１などにも開示されているとおり、「ＰＩ－２６１１」等の製品のポリイミド前駆体溶液組成物を使用して基板を形成することは当業者に少なくとも公知であるとともに、甲２－９又は甲２－１０にも開示されているとおり、重量平均分子量８０，０００以下のポリイミド前駆体であるポリアミック酸溶液により、カバーレイ層、接着層又は絶縁膜を形成することも当業者に少なくとも公知ではあるが、甲１－４を含む上記全ての甲号証の記載を検討しても、フレキシブルデバイス基板に係る甲４発明における「Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（溶媒）中で、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを重合反応させてなるポリアミック酸」について、「１５，０００～８０，０００」なる範囲内の重量平均分子量を有するものを使用すべき動機となる事項が存するものとは認められない。 してみると、上記相違点３’’については、実質的な相違点であって、さらに、甲４発明において、当業者が所望に応じて適宜なし得ることということはできない。 （ウ）小括 したがって、本件発明１は、他の相違点につき検討するまでもなく、甲４発明、すなわち甲１－４に記載された発明であるということはできない。 イ．本件発明２ないし７について 本件発明２ないし７につき検討すると、各発明ともに上記相違点３’’に係る事項を発明特定事項として含むものであるから、甲４発明との対比検討における上記ア．で示した理由と同一の理由により、他の技術事項についてはさておき、本件発明２ないし７は、甲４発明、すなわち甲１－４に記載された発明であるということはできない。 ウ．甲４発明に基づく検討のまとめ 以上のとおり、本件発明１ないし７は、いずれも、甲１－４に記載された発明であるということはできないから、甲１－４に記載された発明を引用発明とする取消理由１－３は理由がない。 （４）他の甲号証に係る発明について 念のため、甲２－２（甲１－１及び甲２－３）、甲２－１並びに甲１－４以外の他の甲号証に係る発明に基づき、本件発明が、特許法第２９条に違反する点で同法第１１３条第２号の規定に該当するか否かについて検討すると、キャリア基板にポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥・閉環しポリイミド樹脂膜として、デバイス基板を構成する点とその際のポリイミド前駆体として重量平均分子量１５，０００～８０，０００のポリアミック酸を使用する点とを組み合わせるべき動機となる事項が存するものとは認められないから、当該他の甲号証に係る発明に基づいて、本件発明が、特許法第２９条に違反するものということはできない。 （５）取消理由１－１ないし１－３及び２－１ないし２－３に係る小括 以上のとおりであるから、取消理由１－１ないし１－３及び２－１ないし２－３は、いずれも理由がなく、本件発明１ないし７についての特許が、特許法第２９条に違反してされたものということはできない。 ２．取消理由１－５、取消理由２－４及び取消理由ａについて 申立人１が主張する取消理由１－５、申立人２が主張する取消理由２－４及び当審が通知した取消理由ａは、いずれも請求項の記載に係る明細書のサポート要件に係るものであるから、併せて検討する。 （１）本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された事項 本件特許明細書の発明の詳細な説明には、以下の事項が記載されている。 （本ａ） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、低熱膨張、高耐熱性、靭性に優れる、各種フレキシブルデバイスにおいて、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬディスプレイ用基板、電子ペーパー用基板等の表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板、薄膜太陽電池等の受光デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板等のフレキシブルデバイス基板用であるポリイミド前駆体樹脂組成物に関し、特にフレキシブルディスプレイ用基板として有用であるポリイミド前駆体樹脂組成物に関する。また、本発明は前記ポリイミド前駆体樹脂組成物を用いるフレキシブルデバイスの製造方法及び前記製造方法により得られるフレキシブルデバイスに関する。」 （本ｂ） 「【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 しかしながら、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬディスプレイ用基板、電子ペーパー用基板等の表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板、薄膜太陽電池等の受光デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板等のフレキシブルデバイス基板用としては、簡易な工程に適用でき、かつ、要求特性を高度に満足するものは知られていない。即ち、前記フレキシブルデバイス基板用としては、さらなる薄膜化の要求がなされ、また、工程上一旦キャリア基板上に薄膜を形成した状態でその上に各種回路を形成し、その後に剥離することができる液状樹脂組成物が要求されるが、このような工程に用いることができ、かつ、高度な要求特性を有する液状樹脂組成物は知られていない。 本発明は、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー等の表示デバイス、太陽電池の受光デバイスであるフレキシブルデバイスにおいて、ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し、その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに、耐熱性に優れ、熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じず、そしてその後、キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる、液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物、これを用いたフレキシブルデバイス及びその製造方法を提供するものである。」 （本ｃ） 「【発明の効果】 【０００９】 本発明における液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物は、低熱膨張、高耐熱性、高靭性に優れ、表示デバイス又は受光デバイスの基板として適したポリイミド薄膜を形成できる。 また、現在の主流である、ベースフィルムとしてすでにフィルムとして成型されている、厚さの決まったものを用いるのではなく、デバイスの製造に即して塗布成膜する液状の組成物を使用するため、スピンコートやスクリーン印刷などによりガラス基板などのキャリア基板上に塗布できる。この時、塗布膜厚を変化させることにより、樹脂膜（ベースフィルム）の厚さを所望の厚さ、特に薄膜に調整することも可能となり、したがってフレキシブルデバイスのさらなる薄型化も可能となる。これにより、最終製品の小型化、軽量化も可能となる。 また、ガラス基板等のキャリア基板上に薄く塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜として成膜でき、その上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに、耐熱性に優れ、熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じない上、その後キャリア基板から剥がす際には、ポリイミド膜自体にも、その上に形成された回路等にも欠陥を生じることがなく、きれいに剥がせるものである。従って、これを用いた表示デバイス又は受光デバイスとなるフレキシブルデバイスの製造方法は、キャリア基板上に形成されたベースフィルムに直接回路を形成し、その後剥離することが可能となるため、再転写の製造工程を省略することができる。そして得られるフレキシブルデバイスは、薄くても靱性が高く、耐熱性にも優れるものとなる。」 （本ｄ） 「【００１１】 本発明の液状のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物は、キャリア基板上に塗布、乾燥、成膜し、次いで、好ましくは加熱等の手段により、脱水閉環させて、固体状のポリイミド樹脂膜を形成する工程、その上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程、の各工程を含む、フレキシブルデバイスの製造方法に用いられるものである。この方法によれば、前述のように直接固体状のポリイミド樹脂膜（ベースフィルム）へ回路を形成することが可能となり、再転写の製造工程を省略することができる。 本発明における液状のポリイミド前駆体樹脂組成物は、以下の一般式（１）で表される構造を有するポリイミド前駆体と有機溶媒を含む。 一般式（１） 【００１２】 【化４】 （一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は 【００１３】 【化５】 から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲンで置換されても良い）、Ｒ２は 【００１４】 【化６】 から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し、Ｒ１がｐ－フェニレンジアミンに基づく構造単位であるとき、Ｒ２はピロメリット酸無水物に基づく構造単位ではない。） 一般式（１）において、Ｒは、各々独立に水素又は１価の有機基を示し、１価の有機基として、炭素原子数１～２０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などが挙げられる。Ｒ１におけるＲ’としては、炭素原子数１～３のアルキル基等の炭化水素基が挙げられ、そのアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）で置換されていても良い。 ポリイミド前駆体は、一般に１つのテトラカルボン酸残基と１つのジアミン残基から形成される構造単位（括弧でくくられた構造単位）が繰り返し単位となって形成されるが、本発明においては一般式（１）で示される括弧でくくられた構造単位が、全構造単位中４０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、８０～１００％であることが特に好ましい。 ポリイミド前駆体は、一般にテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重合することにより得られる。この重合は両者を有機溶媒中で混合することにより行うことができる。 【００１５】 前記一般式（１）で示される構造を形成するために用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、シクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。その他のテトラカルボン酸二無水物を併用することもでき、その例としては、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，４’－スルフォニルジフタル酸二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物などが挙げられる。一般式（１）で示される構造を形成するテトラカルボン酸二無水物の使用量は、テトラカルボン酸二無水物の総量に対して、４０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、８０～１００％であることが特に好ましい。 【００１６】 また、前記一般式（１）で示される構造単位を形成するために用いられるジアミンとしては、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ベンジジン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル等が挙げられる。その他のジアミンを併用することもでき、そのジアミンとしては、ｐ－キシリレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、１，５－ジアミノナフタレン、３，３’－ジメトキシベンジジン、４，４’－（又は３，４’－、３，３’－、２，４’－）ジアミノジフェニルメタン、４，４’－（又は３，４’－、３，３’－、２，４’－）ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－（又は３，４’－、３，３’－、２，４’－）ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’－（又は３，４’－、３，３’－、２，４’－）ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ベンゾフェノンジアミン、３，３’－ベンゾフェノンジアミン、４，４’－ジ（４－アミノフェノキシ）フェニルスルフォン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、３，３－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジ（３－アミノフェノキシ）フェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、２，２’－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、５，５’－メチレン－ビス－（アントラニル酸）、３，５－ジアミノ安息香酸、３，３’－ジヒドロキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル－６，６’－ジスルホン酸等の芳香族ジアミン、２，６－ジアミノピリジン、２，４－ジアミノピリジン、２，４－ジアミノ－ｓ－トリアジン、２，７－ジアミノベンゾフラン、２，７－ジアミノカルバゾール、３，７－ジアミノフェノチアジン、２，５－ジアミノ－１，３，４－チアジアゾール、２，４－ジアミノ－６－フェニル－ｓ－トリアジン等の複素環式ジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、２，２－ジメチルプロピレンジアミン、１，４－シクロヘキサンジアミンなどが挙げられる、ジアミンであるならば、この限りでなく併用できる。一般式（１）で示される構造を形成するジアミンの使用量は、ジアミンの総量に対して、４０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。 【００１７】 重合に使用する有機溶媒は、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、γ－カプロラクトン、γ－バレロラクトン、ジメチルスルホキシド、１，４－ジオキサン、シクロヘキサノンなどが挙げられ、また、これらは２種以上を併用してもよい。ポリイミド前駆体樹脂組成物を生成後、粘度を調整するために、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールモノエチルアセテート、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、トルエン、キシレン、エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブタノールなどを用いても良く、これらは２種以上を併用してもよい。ポリイミド前駆体樹脂組成物におけるポリイミド前駆体／有機溶媒の質量割合としては、良好な薄膜を形成できる塗布性等の観点から、ポリイミド前駆体／有機溶媒で、５／９５～９５／５が好ましい。 製造されるポリイミド前駆体の分子量としては、硬化膜の伸び及び溶媒への溶解性の観点から、重量平均分子量で、１５，０００～２００，０００が好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミエ－ションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線により換算して算出することができる。」 （本ｅ） 「【００２２】 本発明のフレキシブルデバイスの製造方法においては、以上のようにして形成したポリイミド膜の上に、表示デバイス、受光デバイスに必要な回路を形成する工程を含む。この工程はフレキシブルデバイスの種類により異なる。例えば、ＴＦＴ液晶ディスプレイデバイスを製造する場合には、この上に例えばアモルファスシリコンのＴＦＴを形成することが出来る。ＴＦＴは、ゲート金属層、窒化ケイ素ゲート誘電体層、ＩＴＩ画素電極を含む。さらにこの上に液晶ディスプレイに必要な構造を、公知の方法によって形成することも出来る。本発明において得られるポリイミド樹脂膜は耐熱性、靱性等各種特性に優れるので、回路等を形成する手法は特に制限されない。 以上のようにして、回路等が表面に形成された固体状のポリイミド樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する。剥離方法に特に制限はなく、例えばキャリア基板側からレーザー等を照射することで剥離を行っても良い。本発明により得られるポリイミド樹脂膜は、高い靭性を有するので、キャリア基板（支持体）と単に物理的に剥離することも可能である。 本発明における、フレキシブルデバイスとしては、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーといった表示デバイス、太陽電池、ＣＭＯＳなどの受光デバイスを挙げることが出来る。特に、薄型化かつフレキシブル性を付与したいデバイスへの適用に最適である。」 （本ｆ） 「【実施例】 【００２３】 （実施例１） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、ｐ－フェニレンジアミン５．４１ｇとＮ－メチルピロリドン１８１．０３ｇを仕込み、１５分間、４０℃で加熱攪拌しモノマーを溶解させた。その後ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４．７１ｇを加え、さらに３０分間攪拌し、粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体の重量平均分子量は７００００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、１３０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ５μｍになるように製膜した。次いで、硬化炉を用い２００℃で３０分間、さらに３５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。イミド化後の膜厚は３μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。 ・・（中略）・・ 【００２５】 （実施例２） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、ｐ－フェニレンジアミン３．８６ｇと１，３－ビス（３－アミノプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン０．１８ｇ、Ｎ－メチルピロリドン８５ｇを仕込み、１５分間、４０℃で加熱攪拌しモノマーを溶解させた。その後ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸無水物１０．１９ｇと１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル酸無水物）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンを０．７８ｇ加え、さらに３０分間攪拌し、粘度２０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は８００００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、１３０℃のホットプレートで４５秒間、次いで１６０℃のホットプレートで４５秒間ベークし、厚さ８μｍになるように製膜した。次いで、実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は５μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。測定条件は実施例１に記載の条件に従った。 【００２６】 （実施例３） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン１１．９９ｇとＮ－メチルピロリドン７７ｇを仕込み、室温（２５℃）で１５分間攪拌しモノマーを溶解した。その後ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１１．０１ｇを加えさらに室温で３０分間攪拌し、粘度７２００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は７２４００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、１００℃のホットプレートで２分間、次いで１３０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ１３μｍになるように製膜した。次いで、実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は９μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。測定条件は実施例１に記載の条件に従った。 【００２７】 （実施例４） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、１，４－ジアミノシクロヘキサン５．５９ｇをＮ－メチルピロリドン８０ｇを仕込み、７０℃で１５分間加熱攪拌しモノマーを溶解した。その後ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４．４１ｇを加え８０℃で３０分間攪拌後、自然冷却し粘度９２００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は５３０００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、１００℃のホットプレートで２分間、次いで１３０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ１５μｍになるように製膜した。次いで、実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は１０μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。測定条件は実施例１に記載の条件に従った。 【００２８】 （実施例５） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン１．４９ｇと１，４－ジアミノシクロヘキサン４．７８ｇ、Ｎ－メチルピロリドン８０ｇを仕込み、７０℃で１５分間加熱攪拌しモノマーを溶解した。その後ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１３．０１ｇと３，３’，４，４’－ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物０．７１ｇを加え８０℃で３０分間加熱攪拌後、自然冷却し液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は８７９００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、１００℃のホットプレートで２分間、次いで１３０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ１５μｍになるように製膜した。次いで、実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は１０μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。測定条件は実施例１に記載の条件に従った。 【００２９】 （比較例１） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル６．０３ｇと１，３－ビス（３－アミノプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン０．３９ｇ、Ｎ－メチルピロリドン８５ｇを仕込み、室温で１５分間攪拌しモノマーを溶解させた。その後ピロメリット酸二無水物３．４６ｇと３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物５．１１ｇを加え、さらに２４時間攪拌した。その後８０℃の加熱攪拌で粘度調整を行い、粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は７６０００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物をガラス基板上にスピンコートで塗布した後、１４０℃のホットプレートで１分間ベークし、厚さ８μｍになるように製膜した。次いで、実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は４μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。測定条件は実施例１に記載の条件に従った。 【００３０】 （比較例２） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン８．０７ｇと１，３－ビス（３－アミノプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン０．２６ｇ、Ｎ－メチルピロリドン６８ｇ、ジイソブチルケトン１７ｇを仕込み、１５分間攪拌した。その後３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物６．６７ｇを加えさらに３０分間攪拌し、粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は８１０００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、１２０℃のホットプレートで３分間ベークし、厚さ１４μｍになるように製膜した。次いで、実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は８μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。測定条件は実施例１に記載の条件に従った。 【００３１】 （比較例３） 窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン８．９３ｇとＮ－メチルピロリドン８５ｇを仕込み、室温で１５分間攪拌しモノマーを溶解した。その後ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物６．０７ｇを加えさらに３０分間攪拌し、粘度５００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は７８１００であった。 得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、８０℃のホットプレートで２分間、次いで１２０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ７μｍになるように製膜した。次いで、実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は３μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。測定条件は実施例１に記載の条件に従った。 【００３２】 ディスプレイデバイスの製造例 上記実施例１～５及び比較例１～３で得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を用いたフレキシブル液晶ディスプレイの製造例を示す。 図１に示すようにキャリア基板としてガラス基板を用い、ガラス基板上に各液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を、スピンコートで塗布した後、１３０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ約５μｍになるように製膜した。次いで、硬化炉を用い２００℃で３０分間、さらに３５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し、固体状の樹脂膜であるポリイミド樹脂フィルムを形成した。この膜厚は３μｍであった。このポリイミド膜上に、既知の方法に従って図２に示すようにＴＦＴ電極を形成することができた。さらにその上に既知の方法に従って、図３に示すように液晶表示素子、カバーフィルムの層を形成することができた。その後、図４に示すようにガラス基板から、フレキシブルデバイスを剥離することができた。 このようにして得られる、実施例のフレキシブル液晶ディスプレイは良好な性能を示したが、比較例のものはポリイミド膜物性が劣るため、信頼性に優れるフレキシブル液晶ディスプレイは得られなかった。 【００３３】 【表１】 表１に示したように、本発明の一般式（１）で表される構成単位を有するポリイミド前駆体を用いた樹脂膜は、ガラス転移温度、熱分解温度、熱膨張率などの熱特性、破断点応力、弾性率、伸びなどの機械特性に優れる。これに対し、一般式（１）で表される構成単位を有さない比較例１～３は、熱特性、機械特性に劣る。また、実施例のポリイミド前駆体は、薄膜の樹脂膜にもかかわらず、その上に形成した各種回路（ＴＦＴ電極、液晶表示素子）にはがれなどの欠陥を生じさせることなくキャリア基板からの剥離性に優れる。」 （２）検討 ア．本件発明の解決課題 本件発明の解決しようとする課題は、本件特許明細書の記載（摘示（本ｂ）及び（本ｃ）参照）からみて、「液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー等の表示デバイス、太陽電池の受光デバイスであるフレキシブルデバイスにおいて、ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し、その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに、耐熱性に優れ、熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じず、そしてその後、キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる、液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物、これを用いたフレキシブルデバイス及びその製造方法」の提供にあるものと認められる。 （２）本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載 本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載のうち実施例（比較例）に係る部分以外の部分（【０００１】ないし【００２２】）の記載を検討すると、本件発明の「一般式（１）・・で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００～８０，０００であるポリイミド前駆体」を使用することにより、上記解決課題に則した「耐熱性に優れ、熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じず、そしてその後、キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる」との効果を奏するに至る具体的作用機序につき、当業者が認識できるような直接的な記載はない。 しかしながら、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載のうち実施例（比較例）に係る部分（【００２３】ないし【００３３】）の記載を検討すると、「【表１】」の結果からみて、本件発明に係る実施例１及び２を含む実施例の場合において、比較例の他のポリイミド前駆体を使用した場合に比して、ポリイミド樹脂膜とした場合の耐熱性に係るガラス転移温度及び熱分解温度が概ね高くなり、熱膨張率が格段に小さくなることが看取でき、破断点応力及び弾性率等の機械的特性についても改善されることが看取できるから、当該実施例（比較例）の結果の対比などにより、本件発明に係る「液晶ディスプレイ基板形成用、有機ＥＬディスプレイ基板形成用又は電子ペーパー基板形成用塗布液から得られるポリイミド樹脂膜」につき、上記解決課題に対応する「熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じず、そしてその後、キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる」との所期の効果を得られるであろうことを当業者が看取できるものと認められる。 してみると、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載に接した当業者は、上記請求項１ないし７に記載された事項を具備する発明につき、上記課題を解決できると認識することができるものというべきである。 （３）小括 以上を総合すると、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件特許の請求項１ないし７に記載された事項を具備する発明が、上記解決課題を解決できるであろうと当業者が認識できるものとはいうべきものであるから、本件発明１ないし７が、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載したものということができる。 ウ．取消理由１－５、取消理由２－４及び取消理由ａについてのまとめ 以上のとおりであるから、本件の請求項１ないし７の記載は、いずれも特許法第３６条第６項第１号に適合するものであり、上記取消理由１－５、取消理由２－４及び取消理由ａは、いずれも理由がない。 ３．取消理由１－４について 上記取消理由１－４に係る申立人１の主張を整理すると、本件発明に係る「回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離・・する工程」につき、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、ポリイミド樹脂膜のキャリア基板と接している面に局所的に熱エネルギーを与える「レーザー照射による剥離方法」と「単なる物理的手段による剥離方法」とのみが具体的方法として記載されているところ、上記本件訂正で除外された加熱処理による剥離に相当する「レーザー照射による剥離方法」はさておき、「単なる物理的手段による剥離方法」に係る具体的方法が本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されていないことにより、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、本件発明１ないし７につき、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない、というものと認められる。 しかるに、申立人１が令和元年８月３０日付け意見書において例示するとおり、「引き剥がし」による剥離は、当業者が典型的に採用するであろう「（単なる）物理的手段による剥離」であって、その際、回路等に損傷が発生しないような条件で行うことも、当業者の技術常識の範囲内のことであるものと認められる。 なお、甲２－１にも見られるとおり、回路を設けたＩＣ回路基板のカット工程において回路基板とキャリアとが自然に分離することも、上記「単なる物理的手段による剥離」に相当するものと解される。 してみると、本件発明の上記剥離工程を行うにあたり、「単なる物理的手段による剥離」を選択した際、その手法又は条件を決定しつつ剥離を行うことは、当業者の通常の創作能力を発揮することにより、過度の試行錯誤を要することなしに実行できるものと解するのが自然である。 したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、本件発明につき、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものということができるから、上記取消理由１－４は理由がない。 ４．他の取消理由の存否について なお、職権により更に検討しても、本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許につき、取り消すべき理由を発見しない。 ５．取消理由に係る検討のまとめ 以上のとおり、申立人１が主張する取消理由１ないし５及び申立人２が主張する取消理由１ないし４並びに当審が通知した取消理由ａは、いずれも理由がなく、そのほかに本件の請求項１ないし７に係る発明についての特許につき、取り消すべき理由を発見しない。 第７　むすび 以上のとおりであるから、特許第６２０６４４６号の特許請求の範囲を令和元年７月２２日付けの訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～７につきそれぞれ請求項ごとに訂正することを認める。 そして、両申立人が主張する理由及び提示する証拠では、上記訂正後の特許第６２０６４４６号の請求項１ないし７に係る特許を取り消すことはできない。 また、そのほかに、上記訂正後の特許第６２０６４４６号の請求項１ないし７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、上記結論のとおり決定する。