2018-012883

特願２０１４－１９４８３６「太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　４月２８日出願公開、特開２０１６－　６６７０９〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２６年９月２５日の出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。 平成３０年　３月２７日：拒絶理由の通知 平成３０年　６月　１日：意見書、手続補正書の提出 平成３０年　６月２５日：拒絶査定 平成３０年　９月２７日：審判請求書、手続補正書の提出 令和　元年　５月２９日：拒絶理由の通知 令和　元年　７月３０日：意見書、手続補正書の提出 第２　本願発明 本願の請求項１ないし３に係る発明は、令和元年７月３０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 「【請求項１】 主面を有する一導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の前記主面上に形成される一導電型の第１の半導体層と、 前記半導体基板の前記主面上に形成される他導電型の第２の半導体層と、 前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる領域において、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられる絶縁層とを備え、 前記第１の半導体層が前記半導体基板と接合する第１の領域と、 前記第２の半導体層が前記半導体基板と接合する第２の領域と、 前記絶縁層が設けられる第３の領域とを有し、 前記第１の領域が、所定方向に延びる複数の第１のフィンガー部と、前記複数の第１のフィンガー部の一方端を接続する第１のバスバー部とを有し、 前記第２の領域が、前記所定方向に延びる複数の第２のフィンガー部と、前記複数の第２のフィンガー部の一方端を接続する第２のバスバー部とを有し、 前記第１のフィンガー部及び前記第２のフィンガー部が互いに間挿し合っており、 前記第３の領域が、前記第１のフィンガー部において前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる前記領域に位置するとともに、前記第１のバスバー部において前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる前記領域に位置し、 前記第１のバスバー部に位置する前記第３の領域の前記絶縁層は、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の下方に位置し、 前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層はアモルファスシリコンを含み、 前記絶縁層は窒化ケイ素を含む、太陽電池。」 第３　拒絶の理由 令和元年５月２９日付けで当審が通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。 ［理由１］（新規性）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ［理由２］（進歩性）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 ●理由１（新規性）、理由２（進歩性）について ・請求項　　　１－３ ・引用文献等　１ ・請求項　　　１－３ ・引用文献等　２ ＜引用文献等一覧＞ 引用文献１．特開２０１２－３３８１０号公報 引用文献２．特開２０１３－３０６１５号公報 第４　引用文献について １　引用文献１の記載 引用文献１には、以下の事項が記載されている（下線は、当審で付した。以下同様。）。 「【００１４】 半導体基板１０は、ｎ型またはｐ型の導電型を有する結晶性半導体基板により構成されている。結晶性半導体基板の具体例としては、例えば、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などの結晶シリコン基板が挙げられる。 【００１５】 なお、太陽電池がＨＩＴ構造を有するものでない場合は、半導体基板を結晶性半導体基板以外の半導体基板により構成することができる。例えば、ＧａＡｓやＩｎＰなどからなる化合物半導体基板を半導体基板１０に替えて用いることができる。以下、本実施形態では、半導体基板１０がｎ型の単結晶シリコン基板により構成されている例について説明する。」 「【００２０】 半導体基板１０の裏面１０ｂの上には、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが形成されている。図１に示すように、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とのそれぞれは、くし歯状に形成されている。ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とは互いに間挿し合うように形成されている。このため、裏面１０ｂ上において、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とは、交差幅方向ｙに垂直な方向ｘに沿って交互に配列されている。方向ｘにおいて隣り合うＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とは接触している。すなわち、本実施形態では、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とによって、裏面１０ｂの実質的に全体が被覆されている。なお、ＩＮ積層体１２の幅Ｗ１（図２を参照）と、方向ｘにおけるＩＮ積層体１２の間隔Ｗ２とのそれぞれは、例えば、１００μｍ～１．５ｍｍ程度とすることができる。幅Ｗ１と間隔Ｗ２とは、互いに等しくてもよいし、異なっていてもよい。 【００２１】 ＩＮ積層体１２は、裏面１０ｂの上に形成されているｉ型非晶質半導体層１２ｉと、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの上に形成されているｎ型非晶質半導体層１２ｎとの積層体により構成されている。ｉ型非晶質半導体層１２ｉは、上記ｉ型非晶質半導体層１７ｉと同様に、水素を含むｉ型アモルファスシリコンからなる。ｉ型非晶質半導体層１２ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型非晶質半導体層１２ｉの厚みは、例えば、数Å～２５０Å程度とすることができる。 【００２２】 ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、上記ｎ型非晶質半導体層１７ｎと同様に、ｎ型のドーパントが添加されており、半導体基板１０と同様に、ｎ型の導電型を有する。具体的には、本実施形態では、ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、水素を含むｎ型アモルファスシリコンからなる。ｎ型非晶質半導体層１２ｎの厚みは、特に限定されない。ｎ型非晶質半導体層１２ｎの厚みは、例えば、２０Å～５００Å程度とすることができる。 【００２３】 ＩＮ積層体１２の方向ｘにおける中央部を除く両端部の上には、絶縁層１８が形成されている。ＩＮ積層体１２の方向ｘにおける中央部は、絶縁層１８から露出している。絶縁層１８の方向ｘにおける幅Ｗ３は特に限定されず、例えば、幅Ｗ１の約１／３程度とすることができる。また、絶縁層１８間の方向ｘにおける間隔Ｗ４も特に限定されず、例えば、幅Ｗ１の約１／３程度とすることができる。 【００２４】 本実施形態では、絶縁層１８は、窒化シリコンにより形成されている。もっとも、絶縁層１８の材質は、特に限定されない。絶縁層１８は、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどにより形成してもよい。また、絶縁層１８は、水素を含んでいてもよい。 【００２５】 ＩＰ積層体１３は、裏面１０ｂのＩＮ積層体１２から露出した部分と、絶縁層１８の端部との上に形成されている。このため、ＩＰ積層体１３の両端部は、ＩＮ積層体１２と高さ方向ｚにおいて重なっている。 【００２６】 ＩＰ積層体１３は、裏面１０ｂの上に形成されているｉ型非晶質半導体層１３ｉと、ｉ型非晶質半導体層１３ｉの上に形成されているｐ型非晶質半導体層１３ｐとの積層体により構成されている。 【００２７】 ｉ型非晶質半導体層１３ｉは、水素を含むｉ型アモルファスシリコンからなる。ｉ型非晶質半導体層１３ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型非晶質半導体層１３ｉの厚みは、例えば、数Å～２５０Å程度とすることができる。 【００２８】 ｐ型非晶質半導体層１３ｐは、ｐ型のドーパントが添加されており、ｐ型の導電型を有する非晶質半導体層である。具体的には、本実施形態では、ｐ型非晶質半導体層１３ｐは、水素を含むｐ型のアモルファスシリコンからなる。ｐ型非晶質半導体層１３ｐの厚みは、特に限定されない。ｐ型非晶質半導体層１３ｐの厚みは、例えば、２０Å～５００Å程度とすることができる。 【００２９】 このように、本実施形態では、結晶性の半導体基板１０とｐ型非晶質半導体層１３ｐとの間に、実質的に発電に寄与しない程度の厚みのｉ型非晶質半導体層１３ｉが設けられたＨＩＴ構造が構成されている。本実施形態のように、ＨＩＴ構造を採用することにより、半導体基板１０とＩＮ積層体１２及びＩＰ積層体１３との接合界面における小数キャリアの再結合を抑制することができる。その結果、光電変換効率の向上を図ることができる。 【００３０】 なお、非晶質半導体層１７、１２、１３のそれぞれは水素を含むものであることが好ましい。 【００３１】 ｎ型非晶質半導体層１２ｎの上には、電子を収集するｎ側電極１４が形成されている。一方、ｐ型非晶質半導体層１３ｐの上には、正孔を収集するｐ側電極１５が形成されている。ｐ側電極１５とｎ側電極１４とは、電気的に絶縁されている。なお、絶縁層１８の上におけるｎ側電極１４とｐ側電極１５との間の間隔Ｗ５は、例えば、幅Ｗ３の１／３程度とすることができる。 【００３２】 上述の通り、本実施形態では、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とのそれぞれはくし歯状に形成されている。このため、ｎ側電極１４及びｐ側電極１５のそれぞれは、バスバー及び複数のフィンガーを含むくし歯状に形成されている。もっとも、ｎ側電極１４及びｐ側電極１５のそれぞれは、複数のフィンガーのみにより構成されており、バスバーを有さない所謂バスバーレス型の電極であってもよい。」 「【００３９】 次に、ステップＳ２において、半導体基板１０の受光面１０ａの上にｉ型非晶質半導体層１７ｉとｎ型非晶質半導体層１７ｎとを形成すると共に、裏面１０ｂの上にｉ型非晶質半導体層２１とｎ型非晶質半導体層２２とを形成する。ｉ型非晶質半導体層１７ｉ，２１及びｎ型非晶質半導体層１７ｎ，２２のそれぞれの形成方法は、特に限定されない。ｉ型非晶質半導体層１７ｉ，２１及びｎ型非晶質半導体層１７ｎ，２２のそれぞれは、例えば、プラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により形成することができる。 【００４０】 次に、ステップＳ３において、ｎ型非晶質半導体層１７ｎの上に絶縁層１６を形成すると共に、ｎ型非晶質半導体層２２の上に絶縁層２３を形成する。なお、絶縁層１６は、ｎ型非晶質半導体層１７ｎの実質的に全体を覆うように形成する一方、絶縁層２３は、例えば、メタルマスクなどを用いて、ｎ型非晶質半導体層２２の一部を覆うように形成する。なお、絶縁層２３は、ｎ型非晶質半導体層２２の実質的に全体を覆うように形成した絶縁層の一部をエッチングすることにより形成してもよい。 【００４１】 本実施形態では、絶縁層２３として、第１の絶縁層２３ａと、第２の絶縁層２３ｂとの積層体を形成する。第１及び第２の絶縁層２３ａ、２３ｂは、ＳｉとＮとの比（Ｓｉ／Ｎ）が、第２の絶縁層２３ｂの方が第１の絶縁層２３ａよりも小さくなるように形成する。このため、絶縁層２３のｎ型非晶質半導体層２２とは反対側の第１の表層２３ＡにおけるＳｉ／Ｎが、絶縁層２３のｎ型非晶質半導体層２２側の第２の表層２３ＢにおけるＳｉ／Ｎよりも小さくなる。より具体的には、第１の絶縁層２３ａの屈折率が２．１～２．３となり、第２の絶縁層２３ｂの屈折率が１．９～２．１となるように、第１及び第２の絶縁層２３ａ、２３ｂを形成することが好ましい。」 「【００４３】 次に、ステップＳ４において、絶縁層２３をマスクとして用いて、ｉ型非晶質半導体層２１とｎ型非晶質半導体層２２とを、ＮａＯＨやＫＯＨ等を含むアルカリ性のエッチング液を用いてエッチングすることにより、ｉ型非晶質半導体層２１及びｎ型非晶質半導体層２２の絶縁層２３により覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、裏面１０ｂのうち、上方に絶縁層２３が位置していない部分を露出させると共に、半導体層２１，２２から、ｉ型非晶質半導体層１２ｉとｎ型非晶質半導体層１２ｎ（図２を参照）とを形成する。」 「【００４９】 次に、ステップＳ６において、裏面１０ｂを覆うように、ｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５とをこの順番で順次形成する。本実施形態では、ステップＳ５において、半導体基板１０の裏面１０ｂが洗浄されているため、半導体基板１０とｉ型非晶質半導体層２４とを好適に接合させることができる。従って、高い光電変換効率を得ることができる。 【００５０】 なお、非晶質半導体層２４，２５の形成方法は特に限定されない。非晶質半導体層２４，２５は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成することができる。 【００５１】 次に、ステップＳ７において、非晶質半導体層２４，２５の第１の絶縁層２３ａの上に位置している部分の一部分をエッチングする。これにより、非晶質半導体層２４，２５からｉ型非晶質半導体層１３ｉとｐ型非晶質半導体層１３ｐとを形成する。」 「【００５５】 次に、図３に示すように、ステップＳ８において第１の絶縁層２３ａのエッチングを行う。具体的には、ステップＳ７におけるエッチングにより一部分が除去された非晶質半導体層２４，２５からなる非晶質半導体層１３ｉ、１３ｐの上から、エッチング剤を用いて、第１の絶縁層２３ａの露出部をエッチングにより除去する。これにより、ｎ型非晶質半導体層１２ｎを露出させると共に、第１の絶縁層２３ａから絶縁層１８を形成する。」 図２の記載から、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域において、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３との間に設けられる絶縁層１８を備えていることが、見て取れる。 ２　引用発明 したがって、引用文献１には、以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。 「ｎ型の導電型を有する結晶性半導体基板１０により構成され、 半導体基板１０の裏面１０ｂの上には、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが形成され、 ＩＮ積層体１２は、裏面１０ｂの上に形成されているｉ型非晶質半導体層１２ｉと、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの上に形成されているｎ型非晶質半導体層１２ｎとの積層体により構成され、 ＩＰ積層体１３は、裏面１０ｂの上に形成されているｉ型非晶質半導体層１３ｉと、ｉ型非晶質半導体層１３ｉの上に形成されているｐ型非晶質半導体層１３ｐとの積層体により構成され、 ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域において、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３との間に設けられる絶縁層１８を備え、 半導体基板１０とＩＮ積層体１２及びＩＰ積層体１３とを接合し、 ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とのそれぞれは、くし歯状に形成され、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とは互いに間挿し合うように形成され、 ｎ型非晶質半導体層１２ｎの上には、電子を収集するｎ側電極１４が形成され、ｐ型非晶質半導体層１３ｐの上には、正孔を収集するｐ側電極１５が形成され、 ｎ側電極１４及びｐ側電極１５のそれぞれは、バスバー及び複数のフィンガーを含むくし歯状に形成され、 絶縁層２３として、第１の絶縁層２３ａと、第２の絶縁層２３ｂとの積層体を形成し、絶縁層２３をマスクとして用いて、エッチングすることにより、ｉ型非晶質半導体層２１及びｎ型非晶質半導体層２２の絶縁層２３により覆われている部分以外の部分を除去して、裏面１０ｂのうち、上方に絶縁層２３が位置していない部分を露出させると共に、半導体層２１，２２から、ｉ型非晶質半導体層１２ｉとｎ型非晶質半導体層１２ｎとを形成し、 裏面１０ｂを覆うように、ｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５とをこの順番で順次形成し、ｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５の一部分がエッチングにより除去され、絶縁層２３ａの露出部をエッチングにより除去し、ｎ型非晶質半導体層１２ｎを露出させると共に、第１の絶縁層２３ａから絶縁層１８が形成され、 ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｎ型アモルファスシリコンからなり、ｐ型非晶質半導体層１３ｐは、ｐ型のアモルファスシリコンからなり、 絶縁層１８は、窒化シリコンにより形成されている、 太陽電池。」 第５　対比 本願発明と引用発明を対比する。 １　引用発明の「ｎ型の導電型を有する結晶性半導体基板１０」は、本願発明の「一導電型の半導体基板」に、 引用発明の「『半導体基板１０の裏面１０ｂの上に』『形成され』、『ｎ型非晶質半導体層１２ｎとの積層体により構成され』た『ＩＮ積層体１２』」は、本願発明の「前記半導体基板の前記主面上に形成される一導電型の第１の半導体層」に、 引用発明の「『半導体基板１０の裏面１０ｂの上に』『形成され』、『ｐ型非晶質半導体層１３ｐとの積層体により構成され』た『ＩＰ積層体１３』」は、本願発明の「前記半導体基板の前記主面上に形成される他導電型の第２の半導体層」に、 引用発明の「ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域において、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３との間に設けられる絶縁層１８」は、本願発明の「前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる領域において、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられる絶縁層」に、 引用発明の「『半導体基板１０とＩＮ積層体１２とを接合』する領域」は、本願発明の「前記第１の半導体層が前記半導体基板と接合する第１の領域」に、 引用発明の「『半導体基板１０と』『ＩＰ積層体１３とを接合』する領域」は、本願発明の「前記第２の半導体層が前記半導体基板と接合する第２の領域」に、 引用発明の「『絶縁層１８』が設けられる領域」は、本願発明の「絶縁層が設けられる第３の領域」に、 引用発明の「『ｎ型非晶質半導体層１２ｎの上には、電子を収集するｎ側電極１４が形成され、』『ｎ側電極１４』『は、バスバー及び複数のフィンガーを含む』」は、本願発明の「前記第１の領域が、所定方向に延びる複数の第１のフィンガー部と、前記複数の第１のフィンガー部の一方端を接続する第１のバスバー部とを有し」に、 引用発明の「『ｐ型非晶質半導体層１３ｐの上には、正孔を収集するｐ側電極１５が形成され、』『ｐ側電極１５』『は、バスバー及び複数のフィンガーを含む』」は、本願発明の「前記第２の領域が、前記所定方向に延びる複数の第２のフィンガー部と、前記複数の第２のフィンガー部の一方端を接続する第２のバスバー部とを有し」に、 引用発明の「『ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とのそれぞれは、くし歯状に形成され、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とは互いに間挿し合うように形成され、』『ｎ側電極１４及びｐ側電極１５のそれぞれは、』『複数のフィンガーを含むくし歯状に形成され』」は、本願発明の「前記第１のフィンガー部及び前記第２のフィンガー部が互いに間挿し合っており」に、 引用発明の「『ｎ型非晶質半導体層１２ｎの上には、電子を収集するｎ側電極１４が形成され、ｐ型非晶質半導体層１３ｐの上には、正孔を収集するｐ側電極１５が形成され、』『ｎ側電極１４及びｐ側電極１５のそれぞれは、』『複数のフィンガーを含』み、『絶縁層１８』は、『ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域において、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３との間に設けられる』」は、本願発明の「前記第３の領域が、前記第１のフィンガー部において前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる前記領域に位置する」に、 引用発明の「ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、ｎ型アモルファスシリコンからなり、ｐ型非晶質半導体層１３ｐは、ｐ型のアモルファスシリコンからなり」は、本願発明の「前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層はアモルファスシリコンを含み」に、 引用発明の「絶縁層１８は、窒化シリコンにより形成されている」は、本願発明の「前記絶縁層は窒化ケイ素を含む」に、 引用発明の「太陽電池」は、本願発明の「太陽電池」に、 それぞれ相当する。 ２　以上のことから、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 （一致点） 「主面を有する一導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の前記主面上に形成される一導電型の第１の半導体層と、 前記半導体基板の前記主面上に形成される他導電型の第２の半導体層と、 前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる領域において、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられる絶縁層とを備え、 前記第１の半導体層が前記半導体基板と接合する第１の領域と、 前記第２の半導体層が前記半導体基板と接合する第２の領域と、 前記絶縁層が設けられる第３の領域とを有し、 前記第１の領域が、所定方向に延びる複数の第１のフィンガー部と、前記複数の第１のフィンガー部の一方端を接続する第１のバスバー部とを有し、 前記第２の領域が、前記所定方向に延びる複数の第２のフィンガー部と、前記複数の第２のフィンガー部の一方端を接続する第２のバスバー部とを有し、 前記第１のフィンガー部及び前記第２のフィンガー部が互いに間挿し合っており、 前記第３の領域が、前記第１のフィンガー部において前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる前記領域に位置し、 前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層はアモルファスシリコンを含み、 前記絶縁層は窒化ケイ素を含む、太陽電池。」 （相違点） 絶縁層が設けられる第３の領域について、本願発明は「前記第１のバスバー部において前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる前記領域に位置し、前記第１のバスバー部に位置する前記第３の領域の前記絶縁層は、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の下方に位置し」ているのに対し、引用発明は、そのような構成を採用しているのか明らかでない点で一応相違する。 第６　判断 １　引用発明は「ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とのそれぞれは、くし歯状に形成され、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とは互いに間挿し合うように形成され、ｎ型非晶質半導体層１２ｎの上には、電子を収集するｎ側電極１４が形成され、」「ｎ側電極１４及びｐ側電極１５のそれぞれは、バスバー及び複数のフィンガーを含むくし歯状に形成され、」「絶縁層２３として、第１の絶縁層２３ａと、第２の絶縁層２３ｂとの積層体を形成し、絶縁層２３をマスクとして用いて、エッチングすることにより、ｉ型非晶質半導体層２１及びｎ型非晶質半導体層２２の絶縁層２３により覆われている部分以外の部分を除去して、裏面１０ｂのうち、上方に絶縁層２３が位置していない部分を露出させると共に、半導体層２１，２２から、ｉ型非晶質半導体層１２ｉとｎ型非晶質半導体層１２ｎとを形成し」と特定され、絶縁層２３をマスクとして用いて、エッチングし、ＩＮ積層体１２（ｉ型非晶質半導体層１２ｉとｎ型非晶質半導体層１２ｎ）を形成していることから、ＩＮ積層体１２の上のｎ側電極１４のバスバーの部分の高さ方向ｚにおいて重なっている部分にも絶縁層２３が位置している。 ２　次に、引用発明は「裏面１０ｂを覆うように、ｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５とをこの順番で順次形成し、ｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５の一部分がエッチングにより除去され、絶縁層２３ａの露出部をエッチングにより除去し、ｎ型非晶質半導体層１２ｎを露出させると共に、第１の絶縁層２３ａから絶縁層１８が形成され、」と特定されていることから、ｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５の一部分がエッチングにより除去された領域に対応する絶縁層２３ａが除去される領域以外は、絶縁層１８として形成されている。 ３　上記１及び２から、引用発明において、ｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５の一部分がエッチングにより除去された領域に対応する絶縁層２３ａが除去される領域以外は、絶縁層１８として形成されていることになり、依然として、ＩＮ積層体１２の上のｎ側電極１４のバスバーの部分の高さ方向ｚにおいて重なっている部分にも絶縁層１８が位置し、当該絶縁層１８の上にｉ型非晶質半導体層２４とｐ型非晶質半導体層２５との積層体により構成されたＩＰ積層体１３が形成されている。 すなわち、ｎ側電極１４のバスバー上においてもすべてエッチングする必要はないから、ｎ側電極１４のバスバー上のＩＮ積層体１２上の絶縁層１８及びＩＰ積層体１３が除去された部分以外には、絶縁層１８が、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域に位置し、絶縁層１８は、ＩＰ積層体１３の下方に位置していることとなる。 ４　そうすると、上記相違点は、実質的な相違点ではない。 したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ５　また、仮に、上記相違点が実質的な相違点であった場合について検討する。 （１）まず、本願発明の「前記第１のバスバー部において前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とが重なる前記領域に位置し、前記第１のバスバー部に位置する前記第３の領域の前記絶縁層は、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の下方に位置し」の特定事項は、第１のバスバー部の一部のみにおいて第１の半導体層と第２の半導体層とが重なる前記領域に位置し、第１のバスバー部の一部のみに位置する第３の領域の絶縁層は、第１の半導体層又は第２の半導体層の下方に位置する構成を除外するものではない。 （２）引用発明のバスバーについての検討 ア　引用文献１には「【００６２】 次に、図１２に示すように、導電層２６，２７の絶縁層１８の上に位置している部分を分断する。これにより、導電層２６，２７から第１及び第２の導電層１９ａ、１９ｂが形成される。なお、導電層２６，２７の分断は、例えばフォトリソグラフィー法などにより行うことができる。」、「【００７２】 また、第１及び第２の導電層１９ａ、１９ｂの分断を絶縁層１８の上で行うため、第１及び第２の導電層１９ａ、１９ｂの分断時にｎ型非晶質半導体層１２ｎやｐ型非晶質半導体層１３ｐが損傷しにくい。」と記載されていることから、ｐ側電極１５のフィンガーとｎ側電極１４のバスバーとの間の分断する部分にも絶縁層が設けられていると考えるのが自然である。 イ　そして、図２、図１２の記載から、絶縁層１８上の分断する部分の両側にも、絶縁層１８が、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域に位置し、絶縁層１８は、ＩＰ積層体１３の下方に位置していることが見て取れる。 ウ　上記ア、イから、ｐ側電極１５のフィンガーとｎ側電極１４のバスバーとの間の分断する部分の両側、つまり、ｐ側電極１５のフィンガーに対向するｎ側電極１４のバスバーの少なくとも一部においても、絶縁層１８が、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域に位置し、絶縁層１８は、ＩＰ積層体１３の下方に位置するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである （３）そうすると、仮に、本願発明と引用発明との間に差異があるとしても、当業者が引用発明に基づいて容易に想到し得たことであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 第７ 　審判請求人の主張について １　審判請求人は、令和元年７月３０日付けの意見書において、「一方、引用文献１には、このような本願発明のプロセスが開示されていません。つまり、引用文献１では、図８から図９のプロセスにおいて、ｎ側電極１４のフィンガー部上の第１の絶縁層２３ａの上のｉ型非晶質半導体層２４及びｐ型非晶質半導体層２５の一部を除去する際に、ｎ側電極１４のバスバー部上のｉ型非晶質半導体層２４及びｐ型非晶質半導体層２５を残すことについては記載も示唆すらもされていません。むしろ、当業者であれば、バスバー部上にｉ型非晶質半導体層２４及びｐ型非晶質半導体層２５を残すことはせず、フィンガー部と同じようにバスバー部上のｉ型非晶質半導体層２４及びｐ型非晶質半導体層２５をエッチング除去する方が自然であります。」と主張している。 ２　審判請求人は、平成３０年６月１日付けの意見書において、「本願発明の太陽電池に係る絶縁層について、第１のバスバー部の一部のみに形成されることを除外した記載はありません。」と主張しており、上記第６「５」にも記載したように、本願発明は、第３の領域が、第１のバスバー部の一部のみにおいて第１の半導体層と第２の半導体層とが重なる領域に位置し、第１のバスバー部の一部のみに位置する第３の領域の絶縁層は、第１の半導体層又は第２の半導体層の下方に位置する構成を除外するものではない。 ３　次に、引用文献１の図２、図１２の記載から、ｎ側電極１４のフィンガー上のＩＮ積層体１２上の絶縁層１８及びＩＰ積層体１３が除去された部分以外には、絶縁層１８が、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域に位置し、絶縁層１８は、ＩＰ積層体１３の下方に位置していることが見て取れる（図２において、幅Ｗ３の領域のうちｎ側電極１４に対応する領域）。 ４　そして、仮に、審判請求人が主張するように、フィンガー部と同じようにバスバー部を形成する場合を検討する。 そうすると、上記３のフィンガーと同じようにバスバーが形成されるので、ｎ側電極１４のバスバー上のＩＮ積層体１２上の絶縁層１８及びＩＰ積層体１３が除去された部分以外のバスバーにおいて、絶縁層１８が、ＩＮ積層体１２とＩＰ積層体１３とが重なる領域に位置し、絶縁層１８は、ＩＰ積層体１３の下方に位置していることとなる。 以上のとおりであるから、審判請求人の主張を採用することはできない。 第８　むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、又は、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。