2017-701111

特許第６１４０３８４号発明「研磨用組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６１４０３８４号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。

【理　由】 １．手続の経緯 特許第６１４０３８４号の請求項１ないし７に係る特許についての出願は、平成２８年９月２８日（優先権主張　２０１５年９月３０日　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２９年５月１２日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人　豊田　英徳（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 ２．本件特許発明 特許第６１４０３８４号の請求項１ないし７の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 酸素原子と、ケイ素原子と、を含む研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物であって、 平均一次粒子径が３ｎｍ以上８ｎｍ以下である砥粒Ａと、平均一次粒子径が８ｎｍを超える砥粒Ｂと、分散媒と、を含み、 前記研磨用組成物中の砥粒Ｂの含有量は、前記研磨用組成物中の前記砥粒Ａの含有量より多く、 前記砥粒Ａおよび前記砥粒Ｂの平均シラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以下であり、 前記砥粒Ｂのアスペクト比が、１．３を超えて２．０以下である、研磨用組成物。 【請求項２】 ｐＨが２．０以上６．０以下である、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項３】 前記研磨対象物がオルトケイ酸テトラエチルを含む、請求項１または２に記載の研磨用組成物。 【請求項４】 前記砥粒Ａと前記砥粒Ｂとの質量比（砥粒Ａ／砥粒Ｂ）が、０．０１／９９．９９～２０／８０である、請求項１～３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。 【請求項５】 前記砥粒Ａと前記砥粒Ｂとの質量比（砥粒Ａ／砥粒Ｂ）が、０．０１／９９．９９～８／９２である、請求項４に記載の研磨用組成物。 【請求項６】 前記砥粒Ａおよび前記砥粒Ｂの前記研磨用組成物中における含有量（砥粒濃度）が、２質量％以上である、請求項１～５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。 【請求項７】 酸素原子と、ケイ素原子と、を含む研磨対象物を、請求項１～６のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて研磨する、研磨方法。」 （以下「本件発明１」ないし「本件発明７」という。） ３．特許異議申立の理由の概要 特許異議申立人は、証拠として以下の甲第１号証及び甲第２号証を提出し、本件の請求項１ないし７に係る特許発明は、甲第１号証に記載された発明に、甲第２号証に記載の事項を適用することで、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１ないし７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２項の規定により取り消すべきものと主張している。 甲第１号証：国際公開第２０１４／００７０６３号 甲第２号証：国際公開第２０１２／１４１１１１号 ４．刊行物の記載 （１）各甲号証の記載事項 ア　甲第１号証 本件特許出願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能になった甲第１号証には、ＣＭＰ用研磨液について、次の事項が記載されている。 （ア）「［００６３］ （ＩＩ－ｉ．シラノール基密度） 実施形態に係るＣＭＰ用研磨液に使用するシリカ粒子は、シラノール基密度が１．０～２．０個／ｎｍ２である。」 （イ）「［００６９］ （ＩＩ－ｉｉ．二軸平均一次粒子径） 実施形態に係るＣＭＰ用研磨液に使用するシリカ粒子としては、ＣＭＰ用研磨液中での分散安定性が比較的良く、ＣＭＰにより発生する研磨傷の発生数が比較的少ない点で、二軸平均一次粒子径が２０～８０ｎｍであることが好ましく、下限は２５ｎｍ以上であることがより好ましく、上限は７０ｎｍ以下であることがより好ましい。従って、実施形態に係るＣＭＰ用研磨液では、シリカ粒子の分散安定性と研磨傷の抑制性をより高いレベルで両立するためには、二軸平均一次粒子径を２５～７０ｎｍとすることがより好ましく、同様の理由で、３５～７０ｎｍとすることが更に好ましい。」 （ウ）「［００７２］ （ＩＩ－ｉｉｉ．アスペクト比） 本実施形態の研磨液に使用されるシリカ粒子は、好ましい二酸化珪素の研磨速度が得られる点で、粒子のアスペクト比が１．３以上であるが、同様の理由で、前記アスペクト比は１．４以上であることが好ましく、１．５以上であることがより好ましく、１．６以上であることが更に好ましく、１．７以上であることが特に好ましく、１．８以上であることが最も好ましい。なお、シリカ粒子のアスペクト比の上限は、シリカ粒子の分散安定性を充分に確保する観点から３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、２．０以下であることが更に好ましい。」 （エ）「［００８４］ （ＩＶ．媒体） ＣＭＰ用研磨液の媒体としては、シリカ粒子が分散できる液体であれば特に制限されないが、ｐＨ調整時の取り扱い性、安全性、被研磨面との反応性等の点から、本実施形態では水を主成分とするものである。このような水としては、より具体的には、脱イオン水、イオン交換水、超純水等が好ましい。」 （オ）「［０１１７］ 本実施形態のＣＭＰ用研磨液を使用した具体的な研磨方法としては、 ｌｏｗ－ｋ材料と、ｌｏｗ－ｋ材料の少なくとも一部を被覆する二酸化珪素材料とを有する基板の研磨方法であって、二酸化珪素材料を研磨してｌｏｗ－ｋ材料を露出させる研磨工程を含み、研磨工程で、前記ＣＭＰ用研磨液を供給しながら研磨する、研磨方法を挙げることができる。」 上記摘記事項（ア）ないし（オ）からみて、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲１発明＞ 「ｌｏｗ－ｋ材料と、ｌｏｗ－ｋ材料の少なくとも一部を被覆する二酸化珪素材料とを有する基板を研磨するために用いられる、ＣＭＰ用研磨液であって、 二軸平均一次粒子径が２０～８０ｎｍであるシリカ粒子と、媒体と、を含み、 前記シリカ粒子のシラノール基密度が１．０～２．０個／ｎｍ２であり、 前記シリカ粒子のアスペクト比が、１．３以上３．０以下である、ＣＭＰ用研磨液。」 イ　甲第２号証 本件特許出願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能になった甲第２号証には、研磨剤について、次の事項が記載されている。 （ア）「［００１２］ 以下、本発明の実施の形態について説明する。 ［研磨剤］ 本発明に係る研磨剤は、研磨対象物の被研磨面を研磨するための研磨剤であって、平均一次粒子径が５～３０ｎｍの第１の酸化ケイ素微粒子と、平均一次粒子径が４０～１２５ｎｍの第２の酸化ケイ素微粒子と、水とを含み、かつ前記第１の酸化ケイ素微粒子と第２の酸化ケイ素微粒子の合計量に占める前記第１の酸化ケイ素微粒子の割合が０．７質量％以上６０質量％未満である。」 （イ）「［００４０］ （４）研磨対象物 本発明の研磨剤は、研磨対象物の被研磨面を研磨するための研磨剤であり、研磨対象物としては特に制限されない。具体的には、ガラス基板、シリコンウェハ、半導体デバイス配線基板、化合物単結晶基板等が挙げられる。これらのうちでも本発明の研磨剤は、化合物単結晶基板を研磨する際により大きな効果を上げることが可能であり、特に、修正モース硬度による硬度が１０以上の単結晶基板に用いることで、高品質を維持しながらより高い水準での高速研磨研を可能とする効果がより大きく期待できる。」 （ウ）段落［００６７］の［表１］の例１１には、第１のコロイダルシリカの平均一次粒子径を５ｎｍ、第２のコロイダルシリカの平均一次粒子径を８０ｎｍ、第１のコロイダルシリカの配合量を５質量％、第２のコロイダルシリカの配合量を９５質量％とした研磨剤が記載されている。 上記摘記事項（ア）ないし（ウ）からみて、甲第２号証には、以下の技術的事項（以下、「甲２技術」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲２技術＞ 「基板を研磨するための研磨剤における砥粒であるコロイダルシリカについて、第１のコロイダルシリカの平均一次粒子径を５ｎｍ、第２のコロイダルシリカの平均一次粒子径を８０ｎｍ、第１のコロイダルシリカの配合量を５質量％、第２のコロイダルシリカの配合量を９５質量％とする技術。」 ５．判断 （１）　本件発明１について 本件発明１と甲１発明を対比する。 （ア）甲１発明における「ｌｏｗ－ｋ材料と、ｌｏｗ－ｋ材料の少なくとも一部を被覆する二酸化珪素材料とを有する基板」は、本件発明１における「酸素原子と、ケイ素原子と、を含む研磨対象物」に相当し、以下同様に、「ＣＭＰ用研磨液」は、「研磨用組成物」に、「媒体」は「分散媒」に、「二軸平均一次粒子径が２０～８０ｎｍであるシリカ粒子」は、本件発明１における「平均一次粒子径が８ｎｍを超える砥粒Ｂ」に相当する。また、甲１発明の「前記シリカ粒子のシラノール基密度が１．０～２．０個／ｎｍ２であ」る点は、本件発明１における「前記砥粒Ｂの平均シラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以下であ」る点に相当する。 そうすると、両者は、 「酸素原子と、ケイ素原子と、を含む研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物であって、 平均一次粒子径が８ｎｍを超える砥粒Ｂと、分散媒と、を含み、 前記砥粒Ｂの平均シラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以下である、研磨用組成物。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点１＞ 本件発明１では、砥粒が、砥粒Ｂのみならず、「平均一次粒子径が３ｎｍ以上８ｎｍ以下である砥粒Ａ」も含み、さらに、「研磨用組成物中の砥粒Ｂの含有量は、前記研磨用組成物中の前記砥粒Ａの含有量より多」いのに対し、甲１発明では、砥粒が、砥粒Ｂのみからなる点。 ＜相違点２＞ 砥粒Ｂのアスペクト比について、本件発明１では、１．３を超えて２．０以下であるのに対し、甲１発明では、１．３以上３．０以下である点。 ＜相違点についての判断＞ 相違点１について検討する。 甲第１号証に記載のＣＭＰ用研磨液は、段落［００１２］及び［００１９］に記載されているように、配線部用金属、バリア材料および二酸化ケイ素の絶縁材料と、Ｌｏｗ－ｋ部材とからなる基板、具体的には、Ｌｏｗ－ｋ部材上に、配線部用金属、バリア材料および二酸化ケイ素の絶縁材料が積層された基板を研磨対象とし、配線部用金属、バリア材料および二酸化ケイ素の絶縁材料の研磨速度に優れる一方でＬｏｗ－ｋ部材の研磨速度を抑制する、という課題を解決するためのものである。 一方、甲第２号証に記載の研磨剤は、具体的には、ガラス基板、シリコンウェハ、半導体デバイス配線基板、サファイア基板や炭化ケイ素基板や窒化ガリウム基板等の化合物単結晶基板を研磨対象とするものであり、甲第１号証に挙げられた、Ｌｏｗ－ｋ材料上に、配線部用金属、バリア材料および二酸化ケイ素の絶縁材料が積層された基板を研磨対象とするものであるとは言えない。 また、甲第２号証に記載の研磨剤は、段落［０００４］及び［０００６］に記載されているように、単結晶基板の化学的機械的研磨の最終段階の研磨において、被研磨面の品質を高品質に維持しながら、効率よく研磨を行うことを課題とするものであり、甲第１号証に記載のＣＭＰ用研磨液が解決しようとする課題とは明らかに異なる。 このように、甲第１号証に記載のＣＭＰ用研磨液と甲第２号証に記載の研磨液とでは研磨対象も課題も異なるから、甲第２号証に記載の技術に接した当業者が、研磨対象や課題の観点で、甲第２号証に記載の甲２技術を、甲第１号証に記載のＣＭＰ用研磨液の粒子に適用しようとする動機付けは見出せない。 さらに、例えば、甲第２号証の段落［００２１］に、粒子径が一種類の数値範囲の粒子のみからなる研磨液よりも、粒子径が二種類の数値範囲の粒子からなる研磨液の方が研磨速度を高くできる旨記載されていることを拠り所として、敢えて甲第２号証に記載の甲２技術を、甲第１号証に記載のＣＭＰ用研磨液の粒子に適用しようとした場合、一見、本件発明１のように構成されるようにも思われる。 しかしながら、そもそも、甲第１号証に記載のＣＭＰ用研磨液は、二軸平均一次粒子径を２０ｎｍ～８０ｎｍという数値範囲で特定しようとするものであるから、それ以外の数値で選択しようとすること、すなわち、本件発明１のように、平均一次粒子径を３ｎｍ以上８ｎｍ以下という数値範囲に特定しようとすることについて、甲第１号証は阻害要因を有していると言える。 そうすると、相違点１に係る本件発明１の構成については、甲１発明と甲第２号証に記載の甲２技術とから、当業者が容易に想到することができたものとはいえない。 したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明と甲第２号証に記載の甲２技術とから、当業者が容易に発明することができたものではない。 （２）本件発明２ないし７について 本件発明２ないし７は、いずれも本件発明１を引用しており、本件発明１の特定事項を全て含み、さらに構成を限定するものであるから、本件発明１と同様の理由で、本件発明２ないし７は、甲１発明及び甲第２号証に記載された甲２技術から、当業者が容易になし得るものではない。 ６．むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１ないし７に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１ないし７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。