2017-700997

特許第６１１７５４１号発明「紫外線発光素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６１１７５４１号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－２５〕について訂正することを認める。 特許第６１１７５４１号の請求項１ないし２５に係る特許を維持する。

【理　由】 １　手続の経緯 特許第６１１７５４１号の請求項１ないし２５に係る特許についての出願は、平成２４年１２月１３日に出願され、平成２９年３月３１日にその特許権の設定登録がされ、同年４月１９日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、同年１０月１８日に特許異議申立人田島仁により特許異議の申立てがされ、同年１１月１６日に特許異議申立人田島仁により上申書が提出され、当審は、平成３０年２月２６日付け（３月１日発送）で取消理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である同年５月２９日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、当審は、同年６月１９日付け（６月２２日発送）で訂正拒絶理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である同年８月３日に意見書及び手続補正書を提出した。 なお、同年８月１４日付けで当審から特許異議申立人に特許法第１２０条の５第５項の規定に基づく書面等を送付し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許異議申立人から応答はなかった。 ２　訂正の適否についての判断 （１）訂正の趣旨及び訂正の内容 平成３０年８月３日付け手続補正によって補正された、平成３０年５月２９日付けの本件訂正請求書における請求の趣旨は、「特許第６１１７５４１号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正明細書及び特許請求の範囲とおり、訂正後の請求項１～２５について訂正することを求める。」というものであり、その訂正（以下、「本件訂正」という。また、平成３０年８月３日付け手続補正によって補正された、平成３０年５月２９日付けの本件訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。）の内容は以下のア～サのとおりである（下線部は訂正箇所を示す。以下、同じ。） ア　訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層と、を含み」と記載されているのを、「前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層と、前記第１電極層の上に配置される第１電極と、前記第２電極層の上に配置される第２電極と、を含み」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２～１５、１７～２０及び２２～２５も同様に訂正する）。 イ　訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に「前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（closed-loop shape）であり」と記載されているのを、「前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、第１領域は、第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み、前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（closed-loop shape）であり」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２～１５、１７～２０及び２２～２５も同様に訂正する）。 ウ　訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１に「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置され」と記載されているのを、「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の前記メサエッチングによって露出された側面に接して配置され」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２～１５、１７～２０及び２２～２５も同様に訂正する）。 エ　訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１１に「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域と前記活性層が接しない周辺領域を含む」と記載されているのを、「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域を含み、前記第１領域は前記活性層と接しない」に訂正する（請求項１１の記載を引用する請求項１２も同様に訂正する）とともに、特許請求の範囲の請求項１２に「前記中央領域は前記周辺領域に対して下方に突出する」と記載されているのを、「前記中央領域は前記第１領域に対して下方に突出する」に訂正する。 オ　訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項１４に「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または小さい」と記載されているのを、「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または前記第１電極層の面積より小さい」に訂正する。 カ　訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項１６を削除する。 キ　訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項１７を請求項１６の従属形式請求項から請求項１の従属請求項に変更する。 ク　訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項２１を削除する。 ケ　訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項２４に「前記第２反射層」及び「第１反射層」と記載されているのを、それぞれ「前記第２電極層」及び「前記第１電極層」に訂正する。 コ　訂正事項１０ 明細書の段落【００５６】に「メサエッチングされて露出した第１導電型半導体層１５の周辺領域を第１領域４１と命名し、メサエッチングされず、そのままに残った活性層１７と第２導電型半導体層１９またはメサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５だけでなく、上記露出していない第１導電型半導体層１５の中央領域に対応する活性層１７及び第２導電型半導体層１９が形成された領域を第２領域４３と命名する。」と記載されているのを、「メサエッチングされて露出した第１導電型半導体層１５の周辺領域を第１領域４１と命名し、メサエッチングされず、そのままに残った活性層１７と第２導電型半導体層１９またはメサエッチングにより露出されていない第１導電型半導体層１５だけでなく、上記露出していない第１導電型半導体層１５の中央領域に対応する活性層１７及び第２導電型半導体層１９が形成された領域を第２領域４３と命名する。」に訂正する。 サ　訂正事項１１ 明細書の段落【０１１７】に「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる。」と記載されているのを、「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる。」に訂正する。 （２）本件訂正請求は、一群の請求項〔１～２５〕に対して請求されたものである。また、明細書に係る訂正は、一群の請求項〔１～２５〕について請求されたものである。 したがって、訂正前の請求項１～２５は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項に該当する。 よって、訂正事項１～１１に係る訂正の請求は、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。 （３）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 ア　訂正事項１について （ア）訂正の目的の適否 訂正前の請求項１に係る特許発明では、「紫外線発光素子」が「第１電極」及び「第２電極」を含むことについては何ら特定されていない。 これに対して、訂正事項１は、請求項１に、紫外線発光素子が「前記第１電極層の上に配置される第１電極と、前記第２電極層の上に配置される第２電極と、」を含むことを限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項１は、明細書の段落【００９２】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１は、訂正後の請求項１に係る発明並びに訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２～１５、１７～２０及び２２～２５に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 イ　訂正事項２について （ア）訂正の目的の適否 訂正前の請求項１に係る特許発明では、「前記第１導電型半導体層の第１領域」については何ら特定されていない。 これに対して、訂正事項２は、請求項１に、「前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み、」との記載を追加することにより、「第１領域」が、「前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含」むことを限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項２は、明細書の段落【００５３】～【００５６】並びに図面の図４及び６に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項２は、請求項１～１５、１７～２０及び２２～２５に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 ウ　訂正事項３について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項３は、訂正前の請求項１における「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置され」との記載を「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の前記メサエッチングによって露出された側面に接して配置され」との記載に訂正することにより、「オーミック層」が「接するように配置される」「第１導電型半導体層の側面」を限定しようとするものである。 よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項３は、明細書の段落【０１０９】及び【０１１７】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項３は、請求項１～１５、１７～２０及び２２～２５に係る発明の技術的範囲を明確にするものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 エ　訂正事項４について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項４は、訂正前の請求項１１における「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域と前記活性層が接しない周辺領域を含む」との記載を、「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域を含み、前記第１領域は前記活性層と接しない」との記載に訂正するとともに、特許請求の範囲の請求項１２における「前記中央領域は前記周辺領域に対して下方に突出する」との記載を、「前記中央領域は前記第１領域に対して下方に突出する」との記載に訂正することにより、訂正前の請求項１１及び１２における「周辺領域」が、訂正後の請求項１～１５、１７～２０及び２２～２５に係る発明における「第１領域」と同一の構成であることを明確にするものである。 よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項４は、明細書の段落【００５６】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項４は、請求項１１及び１２に係る発明の技術的範囲を明確にするものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 オ　訂正事項５について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項５は、訂正前の請求項１４における「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または小さい」との記載を、「前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または前記第１電極層の面積より小さい」との記載に訂正することにより、「オーミック層の面積」と比較されている対象が「第１電極層の面積」であることを明確にするものである。 よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項５は、明細書の段落【０１２０】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項５は、請求項１４に係る発明の技術的範囲を明確にするものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 カ　訂正事項６について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項６は、訂正前の請求項１６の記載を削除するものである。 したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項６は、訂正前の請求項１６の記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項６は、訂正前の請求項１６の記載を削除するのみであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 キ　訂正事項７について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項７は、請求項１７を訂正前の請求項１６を引用する形式から請求項１を引用する形式に変更するものである。 当該訂正事項は、上記カの訂正事項６に付随するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項７は、実質的に見て、請求項１７に係る特許発明の技術的範囲を変更するものではないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項７は、実質的に見て、請求項１７に係る特許発明の技術的範囲を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ク　訂正事項８について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項８は、訂正前の請求項２１の記載を削除するものである。 したがって、訂正事項８は、特許法第１２０条の２第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項８は、訂正前の請求項２１の記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項８は、訂正前の請求項２１の記載を削除するのみであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ケ　訂正事項９について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項９は、訂正前の請求項２４における「前記第２反射層」及び「第１反射層」との記載を、それぞれ「前記第２電極層」及び「前記第１電極層」との記載に訂正するものである。 訂正前の請求項２４が引用する請求項１には「第２反射層」の語句は記載されていないところ、訂正事項９は、訂正前の請求項２４に存在した誤記又は誤訳を解消するとともに、訂正前の請求項２４における「前記第２反射層」及び「第１反射層」がそれぞれ訂正後の請求項１～１５、１７～２０及び２２～２５に係る発明における「第２電極層」及び「第１電極層」と同一の構成であることを明確にするものである。 よって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正、及び／又は、同第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項９は、明細書の段落【００７７】に基づいて導き出される構成であるから、当該訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項９は、請求項２４に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 コ　訂正事項１０について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項１０は、明細書の段落【００５６】における「メサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５」との記載を「メサエッチングにより露出されていない第１導電型半導体層１５」との記載に訂正することにより、段落【００５６】に存在した誤記又は誤訳を訂正するものである。 よって、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項１０は、明細書の段落【００５６】及び図面の図１～７に基づいて導き出される構成であるから、当該訂正事項１０は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１０は、請求項５～１３及び２５に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 サ　訂正事項１１について （ア）訂正の目的の適否 訂正事項１１は、明細書の段落【０１１７】における「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる」との記載を「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされる層１７の側面から離隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされることがある。」との記載に訂正することにより、段落【０１１７】に存在した誤記又は誤訳を訂正するものである。 よって、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無 訂正事項１１は、明細書の段落【０１１７】及び図面の図１～７に基づいて導き出される構成であるから、当該訂正事項１１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１１は、請求項１～１５、１７～２０及び２２～２５に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 シ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～２５に係る特許が特許異議の申立ての対象とされているため、訂正事項１～１１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。 （４）明細書又は図面の訂正と関係する請求項についての説明 上記（３）コ（ア）に記載したとおり、訂正事項１０は、誤記又は誤訳の訂正を目的とするものであり、これは請求項５及び６並びに請求項５を引用する請求項７～１３、１６、１７、２４及び２５に関係する訂正である。 また、上記サ（ア）に記載したとおり、訂正事項１１は、誤記又は誤訳の訂正を目的とするものであり、これは請求項１及び請求項１を引用する請求項２～２５に関係する訂正である。 ここで訂正事項１０及び１１に係る請求項の全てを含む一群の請求項である請求項１～２５が訂正請求の対象とされている。 よって、訂正事項１０及び１１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するものである。 （５）小括 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項ないし第６項の規定に適合し、また、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 したがって、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２５〕について訂正することを認める。 ３　訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１ないし２５に係る発明（以下、順に「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明２５」という。）は、本件訂正により訂正された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「　【請求項１】 基板と、 前記基板の上に配置され、多数の化合物半導体層を含み、前記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、 前記第１導電型半導体層の第１領域の上に配置される第１電極層と、 前記第２導電型半導体層の上に配置される第２電極層と、 前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層と、 前記第１電極層の上に配置される第１電極と、 前記第２電極層の上に配置される第２電極と、を含み、 前記第１電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され、 前記第１電極層は前記活性層の周りに沿って配置され、 前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、 前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であり、且つ、前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み、 前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（ｃｌｏｓｅｄ－ｌｏｏｐ　ｓｈａｐｅ）であり、 前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の前記メサエッチングによって露出された側面に接して配置されることを特徴とする、紫外線発光素子。 【請求項２】 前記第１電極層は、１つまたは２つ以上の層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項３】 前記第１電極層は２４０ｎｍ乃至３６０ｎｍの波長を有する紫外線光を反射させる物質を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項４】 前記物質は不透明な金属物質であることを特徴とする、請求項３に記載の紫外線発光素子。 【請求項５】 前記活性層と前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層がオーバーラップする第２領域を含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項６】 前記第１領域に配置された前記第１電極層の上面を含む平面と、前記第２領域に配置された前記第２電極層の下面を含む平面との間の垂直距離は、少なくとも前記第２領域の前記活性層及び前記第２導電型半導体層の厚さより大きいことを特徴とする、請求項５に記載の紫外線発光素子。 【請求項７】 前記第１導電型半導体層は前記活性層の側面を基準に外方に延びることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。 【請求項８】 少なくとも前記活性層と前記第２導電型半導体層の厚さに対応する深さを有するグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。 【請求項９】 前記グルーブは、前記活性層と前記第２導電型半導体層の周りに沿って前記第１導電型半導体層の背面の上に形成されることを特徴とする、請求項８に記載の紫外線発光素子。 【請求項１０】 前記第１電極層の背面は前記活性層の上面より高い位置に配置されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。 【請求項１１】 前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域を含み、 前記第１領域は前記活性層と接しないことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。 【請求項１２】 前記中央領域は前記第１領域に対して下方に突出することを特徴とする、請求項１１に記載の紫外線発光素子。 【請求項１３】 前記活性層及び前記第２導電型半導体層の側面の１つまたは２つ以上の領域は外方に突出することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。 【請求項１４】 前記オーミック層の面積は、前記第１電極層の面積と同一または前記第１電極層の面積より小さいことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項１５】 前記発光構造物の側面上に配置される保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項１６】（削除） 【請求項１７】 前記第１電極は前記第１電極層より高い電気伝導度を有することを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項１８】 前記保護層は、前記第１領域に配置された前記第１導電型半導体層上に配置されることを特徴とする、請求項１５に記載の紫外線発光素子。 【請求項１９】 前記オーミック層は前記活性層の周りに沿って前記第１導電型半導体層の背面の上に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項２０】 前記オーミック層は前記第１電極層により囲まれることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項２１】（削除） 【請求項２２】 前記オーミック層の幅は前記第１電極層の幅と相異することを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項２３】 前記第１電極層は前記オーミック層の側面と背面を両方ともカバーすることを特徴とする、請求項１に記載の紫外線発光素子。 【請求項２４】 前記第２電極層と前記活性層との間の距離は前記第１電極層と前記活性層との間の距離より大きいことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。 【請求項２５】 フリップ型に構成されたことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線発光素子。」 ４　取消理由通知に記載した取消理由について （１）取消理由の概要 訂正前の請求項１及び２に係る特許に対して、当審が平成３０年２月２６日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 ＜取消理由１＞ 本件特許は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ＜取消理由２＞ 本件特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 記 １　取消理由２（特許法第３６条第６項第２号：明確性要件） 請求項１、１１及び請求項１、１１を直接的又は間接的に引用する請求項２～１０、１２～２５に係る発明が、明確でないから、本件特許発明１、１１及び請求項１、１１を直接的又は間接的に引用する本件特許発明２～１０、１２～２５の特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 ２　取消理由１（特許法第３６条第４項第１号：実施可能要件） （１）明細書の発明の詳細な説明の段落【０１１７】には、「図示してはいないが、上記活性層１７との電気的なショートが発生しなければ、上記オーミック層２５は上記第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成されることもできる。このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる。」と記載されている。下線部の当該記載は、日本語として意味が不明である（「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から離隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされることがある。」の誤訳と認められる。）。 （２）明細書の発明の詳細な説明の段落【００５６】には、「メサエッチングされて露出した第１導電型半導体層１５の周辺領域を第１領域４１と命名し、メサエッチングされず、そのままに残った活性層１７と第２導電型半導体層１９またはメサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５だけでなく、上記露出していない第１導電型半導体層１５の中央領域に対応する活性層１７及び第２導電型半導体層１９が形成された領域を第２領域４３と命名する。」と記載されている。 下線部の当該記載は、日本語として意味が不明である（「メサエッチングにより露出されていない第１導電型半導体層１５」の誤訳と認められる。）。 よって、本件は、明細書の発明の詳細な説明が、当業者が本願の請求項１、５及び請求項１、５を直接的又は間接的に引用する請求項２～４、６～２５に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない特許出願に対してされたものである。 （２）当審の判断 ア　取消理由１（特許法第３６条第４項第１号の違反）について （ア）本件訂正により、訂正前の明細書の段落【０１１７】の「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から遠く離隔するように上記第１導電型半導体層１５をより深くエッチングしてくれることができる。」との記載は、「このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から離隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされることがある。」に変更された。 また、訂正前の段落【００５６】の「メサエッチングによりされていない第１導電型半導体層１５」との記載は、「メサエッチングにより露出されていない第１導電型半導体層１５」に変更された。 それにより、発明の詳細な説明は、当業者が本願の請求項１、５及び請求項１、５を直接的又は間接的に引用する請求項２～４、６～２５に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものとなり、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている。 （イ）以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、取消理由１によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。 イ　取消理由２（特許法第３６条第６項第２号の違反）について （ア）本件訂正の訂正事項４により、訂正前の特許請求の範囲の請求項１１の「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域と前記活性層が接しない周辺領域を含む」との記載は、「前記第１導電型半導体層は前記活性層が接する中央領域を含み、前記第１領域は前記活性層と接しない」に変更され、訂正前の特許請求の範囲の請求項１２の「前記中央領域は前記周辺領域に対して下方に突出する」との記載は、「前記中央領域は前記第１領域に対して下方に突出する」と変更された。 それにより、請求項１、１１及び請求項１、１１を直接的又は間接的に引用する請求項２～１０、１２～２５に係る発明は、明確となり、請求項１～２５の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。 （イ）以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、取消理由２によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。 ５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について （１）申立ての理由１（特許法第２９条第２項違反）について ア　特許異議申立人は、特許異議申立書において、本件特許発明１の発明特定事項ＡからＫは、甲１発明～甲３発明と一致し、したがって、本件特許発明１は、甲１発明～甲３発明から当業者にとって容易想到であり、進歩性があるとはいえない、また、本件特許発明２から２５は、甲１発明から甲１１発明に基づいて当業者が容易に想到できたものであり、進歩性があるとはいえない旨（申立ての理由１）を主張している。 イ（ア）甲第１号証（特開２００６－５２１５号公報）は、「基板と、該基板上に配置された半導体層とを有し、該半導体層は、前記基板側から順に積層された第１導電型の半導体層と、発光層と、第２導電型の半導体層と、前記第１および第２導電型の半導体層に接するようにそれぞれ配置された第１および第２の電極とを含み、前記基板は、発光層の放出光に対して透明であり、前記半導体層の端面は、前記第１導電型の半導体層の端面に設けられた、前記基板面に略平行な第１のテラスと、前記第１のテラスよりも前記基板側に設けられた、前記基板面に対して傾斜した端面領域とを含み、前記第１の電極は光反射性であり、前記傾斜した端面領域に配置され、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射することを特徴とする半導体発光素子。」（請求項１参照）を開示している。 （イ）甲第１号証の図２、３、６、２０は、以下のとおりである。 （ウ）また、甲第１号証の図２、３を参照すると、図２０に示された発光素子において、発光層１０２は、ｐ型オーミック電極１０５の下方（基板側に）のｐ型窒化物半導体層１０３のさらに下方にあり、ｎ型オーミック電極１０４はｐ型オーミック電極の周りに沿って配置されていることが見てとれるから、甲第１号証には、ｎ型オーミック電極１０４は発光層の周りに沿って配置されていることが開示されているといえる。 （エ）さらに、甲第１号証には、図２０に示された発光素子において、ｎ形オーミック電極１０４の上にｎ型電極パッド１０７が配置されていることが見てとれる。 （オ）甲第１号証の段落【００２７】、【００３０】、【００３１】の第１の実施の形態についての記載、段落【００５０】～【００５５】（特に段落【００５４】）、【００５９】～【００６１】（特に段落【００６１】）及び段落【０１００】の記載並びに図２、３、６、１０を勘案すると、甲第１号証は、段落【００９６】及び図２０に示された第３の実施の形態について、以下の発明（以下「引用発明」という。）を開示していると認められる。 「基板と、該基板上に配置された半導体層とを有し、該半導体層は、前記基板側から順に積層された第１導電型の半導体層と、発光層と、第２導電型の半導体層と、前記第１および第２導電型の半導体層に接するようにそれぞれ配置された第１および第２の電極とを含み、前記基板は、発光層の放出光に対して透明であり、前記半導体層の端面は、前記第１導電型の半導体層の端面に設けられた、前記基板面に略平行な第１のテラスと、前記第１のテラスよりも前記基板側に設けられた、前記基板面に対して傾斜した端面領域とを含み、前記第１の電極は光反射性であり、前記傾斜した端面領域に配置され、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射する半導体発光素子であって、 予め前記半導体層が形成されたウエハ状の基板にレジスト層を形成した後、レジスト端部を傾斜させ、この基板を、ＲＩＥ装置で前記半導体層を所定の深さまでドライエッチングして、前記半導体層の端面を傾斜形状にし、最後にレジスト層を溶解除去、洗浄すると、第１のテラスまでの形状が前記予め形成された前記半導体層に加工されたものであり、 第１の電極はｎ型オーミック電極であり、ｎ型オーミック電極は発光層の周りに沿って配置され、 ｎ型オーミック電極の上にｎ型電極パッドが配置され、 前記第１のテラスを設けることにより、ｎ型オーミック電極と発光層の端面と距離を基板面と略平行な方向について大きくとり、かつ、層厚方向には接近させ、 波長３８０ｎｍから赤外光を発する、半導体発光素子。」 ウ　本件訂正発明１と引用発明とを対比する。 （ア）甲第１号証には、「半導体層」の具体例として、窒化物半導体層１１が記載されており、また、段落【０１００】の記載及び技術常識を勘案すると、引用発明の「第１導電型の半導体層」、「発光層」及び、「第２導電型の半導体層」は、本件訂正発明１の「多数の化合物半導体層」に相当するとともに、引用発明の「第１導電型の半導体層」、「発光層」、「第２導電型の半導体層」及び「半導体層」は、それぞれ、本件訂正発明１の「第１導電型半導体層」、「活性層」、「第２導電型半導体層」及び「発光構造物」に相当する。 （イ）引用発明の「第１の電極」、「第２の電極」、「ｎ型電極パッド」は、それぞれ本件訂正発明１の「第１電極層」、「第２電極層」、「第１電極」に相当する。また、引用発明１の「第１の電極は光反射性であり」、「前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射する」から、本件訂正発明１と引用発明とは「第１電極層は反射層を含」む点で共通する。 （ウ）引用発明は、「ｎ型オーミック電極は発光層の周りに沿って配置され」たものであるから、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記第１電極層は前記活性層の周りに沿って配置され」たものである点で一致する。 また、引用発明は、「ｎ型オーミック電極と発光層の端面と距離を基板面と略平行な方向について大きくとり、かつ、層厚方向には接近させ」たものであるから、ｎ型オーミック電極（第１電極層）は発光層の側面から離隔するように配置されたものであるといえる。 したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記第１電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され」たものである点で一致する。 （エ）引用発明は、「前記半導体層の端面は、前記第１導電型の半導体層の端面に設けられた、前記基板面に略平行な第１のテラスと、前記第１のテラスよりも前記基板側に設けられた、前記基板面に対して傾斜した端面領域とを含み」、「予め前記半導体層が形成されたウエハ状の基板にレジスト層を形成した後、レジスト端部を傾斜させ、この基板を、ＲＩＥ装置で前記半導体層を所定の深さまでドライエッチングして、前記半導体層の端面を傾斜形状にし、最後にレジスト層を溶解除去、洗浄すると、第１のテラスまでの形状が前記予め形成された前記半導体層に加工されたものであり」、「この基板を、ＲＩＥ装置で前記半導体層を前記所定の深さまでドライエッチングして、前記半導体層の端面を傾斜形状」にすることは、本件訂正発明１の「前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出」することに相当する。引用発明の「第１のテラス」の領域が、本件訂正発明１の「第１領域」に相当する。 したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記第１導電型半導体層の第１領域の上に配置される第１電極層」を含み、「前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域であ」る点で一致する。 （オ）引用発明の半導体発光素子は、「波長３８０ｎｍから赤外光を発する」から、本件訂正発明１の「紫外線発光素子」に相当する。 （カ）以上をまとめると、本件訂正発明１と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基板と、 前記基板の上に配置され、多数の化合物半導体層を含み、前記化合物半導体層は少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、 前記第１導電型半導体層の第１領域の上に配置される第１電極層と、 前記第２導電型半導体層の上に配置される第２電極層と、 前記第１電極層の上に配置される第１電極と、を含み、 前記第１電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され、 前記第１電極層は前記活性層の周りに沿って配置され、 前記第１及び第２電極層のうちの少なくとも１つは反射層を含み、 前記第１領域は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層が順次に、前記第１導電型半導体層も部分的にメサエッチングされたことによって露出した前記第１導電型半導体層の領域である、紫外線発光素子。」 ＜相違点＞ ＜相違点１＞ 本件訂正発明１は、「前記第２電極層の上に配置される第２電極」を含むのに対し、引用発明では、第２の電極の上に配置される「第２電極」を含むことは特定されていない点。 ＜相違点２＞ 本件訂正発明１は、「前記第１導電型半導体層と前記第１電極層との間に配置されるオーミック層」を含み、（前記第１導電型半導体層の）「前記第１領域」は、「前記第１電極と前記第２電極の間の領域であって前記オーミック層が配置されている領域を含み」、「前記オーミック層は、前記活性層の周りに沿って配置される閉ループ形状（ｃｌｏｓｅｄ－ｌｏｏｐ　ｓｈａｐｅ）であり」、「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の前記メサエッチングによって露出された側面に接して配置される」のに対し、引用発明では、そのようなオーミック層を含むことについて特定されていない点。 エ　次に、上記相違点について検討する。 （ア）事案に鑑み、まず、相違点２について検討する。 引用発明において、「第１の電極」（本件訂正発明１の「第１電極層」に相当。）は「ｎ型オーミック電極」であるから、さらに「オーミック層」を配置する動機付けを見出すことはできない。 しかも、引用発明は、「テラスを設けることにより、ｎ型オーミック電極と発光層の端面と距離を基板面と略平行な方向について大きくとり、かつ、層厚方向には接近させ」たものであり、さらに、甲第１号証の段落【００４３】には、図６について、「ｎ型オーミック電極１０４は、光強度が弱い領域１２９の傾斜端面上における最外側位置１０１ａから、サファイア基板１００までの傾斜端面の区間を被覆すればよい。…（略）…ｎ型窒化物半導体層１０１の傾斜端面のみをｎ型オーミック電極１０４で被覆することにより、横伝搬光をサファイア基板１００の裏面（出射面）１００１ａから効率よく取り出すことができる。」と記載されているところ、さらなる「オーミック層」を、「第１導電型の半導体層」（本件訂正発明１の「第１導電型半導体層」に相当。）とｎ型オーミック電極である「第１の電極」との間であって、ドライエッチングして、傾斜形状にされた「半導体層の端面」（本件訂正発明１の「前記メサエッチングされたことによって露出された側面」に相当。）に「接して配置」することを、当業者が容易になし得たとはいえない。 したがって、引用発明において、相違点２に係る本件訂正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことではない。 （イ）よって、相違点１について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 オ　以上のとおりであるから、本件特許発明１ないし２５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反していない特許出願に対してされたものであり、申立ての理由１によっては、本件特許発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。 （２）申立ての理由２（特許法第３６条第４項第１号違反）及び申立ての理由４（特許法第３６条第６項第１号違反）について ア（ア）特許異議申立人は、特許異議申立書において、本件特許発明１の「第１導電型半導体層」は、ｎ型半導体層であると認められる、一方、本件明細書段落【０１１０】に「オーミック層」に使用できるとして記載された素材には、例えば、ＩＴＯ等、ｐ型のオーミック層に用いられる材料が含まれており、ｐ型のオーミック層に用いられる材料を含むオーミック層を備える本件特許発明１は、当業者が製造できるように記載されたものではなく、使用できるように記載されたものでもない、したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件特許発明１を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない旨（申立ての理由２）を主張している。 （イ）また、「オーミック層が第１導電型半導体層の側面に接する」構成を示す実施例の記載がなく、かつ当該実施例と、「オーミック層が第１導電型半導体層の側面に接しない」構成を示す比較例との効果における差異が明らかにされていないので、当業者が本件特許発明１～２５を実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえず、また、本件特許発明１～２５は、発明の詳細な説明に記載された発明とはいえない旨（申立ての理由２、４）を主張している。 イ　上記ア（ア）について、本件明細書の段落【００２１】には、「前記発光構造物２０は多数の化合物半導体層を含むことができる。上記化合物半導体層のうちの１つの層は光を生成する活性層１７であり、他の層は上記活性層１７に供給してくれるための第１キャリア、即ち電子を生成する第１導電型半導体層１５であり、更に他の層は上記活性層１７に供給してくれるための第２キャリア、即ち正孔を生成する第２導電型半導体層１９であることがあるが、これに対して限定するものではない。上記電子と上記正孔との再結合により上記活性層で光が生成できる。」と記載されている。したがって、本件明細書には、第１導電型半導体層１５の供給キャリアと第２導電型半導体層の供給キャリアとの再結合により活性層で光が生成できれば、第１導電型半導体層１５の供給キャリアである第１キャリアは、電子ではなく正孔であってもよく、「第１導電型半導体層１５」は、ｎ型半導体層には限定されない構成が開示されていることと認められる。 そして、本件明細書の段落【０１１０】には、第１導電型半導体層１５により定義された第１領域４１に形成されるオーミック層２５に用いられる物質として、ＩＴＯ等、ｐ型のオーミック層に用いられる材料（甲第１２～１５号証を参照。）が挙げられている。 よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件訂正発明１を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえる。 ウ　上記ア（イ）について、本件訂正後の訂正明細書の段落【０１１７】には、「図示してはいないが、上記活性層１７との電気的なショートが発生しなければ、上記オーミック層２５は上記第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成されることもできる。このような場合、上記第１導電型半導体層１５の背面が上記活性層１７の側面から離隔するように上記第１導電型半導体層１５はより深くエッチングされることがある。」と記載されている（下線は合議体が付加した。以下、同じ。）。 したがって、第１導電型半導体層１５の背面を、活性層１７の側面から離隔するように、第１導電型半導体層１５を十分深くエッチングしてから、オーミック層２５を第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成することにより、本件訂正発明１の「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」との構成を当業者であれば実施することができるものと認められる。 よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件訂正発明１を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであり、また、本件訂正発明１の「オーミック層が第１導電型半導体層の側面に接する」構成は、発明の詳細な説明に記載されたものであるといえる。 エ　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号及び同条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、申立ての理由２、４によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。 （３）申立ての理由３（特許法第３６条第６項第２号違反）について ア　特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の特許請求の範囲に関し、請求項１に記載の「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」は、本件明細書の段落【０１１６】に記載の「上記オーミック層２５は上記活性層１７と最大限近く形成される」ことを満たす種々の構成の中からあえて「オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」構成を選択して特定したことの技術的な理由が不明確であり（構成の不明確性）、また、本件特許発明１において、「オーミック層」が「第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」ように構成することの技術的意義が不明である（技術的意義の不明確性）旨を主張している。 イ　しかしながら、本件訂正後の訂正明細書の段落【０１１７】には、「図示してはいないが、上記活性層１７との電気的なショートが発生しなければ、上記オーミック層２５は上記第１導電型半導体層１５の側面に接するように形成されることもできる。」と記載されており、その他「側面」の語句が記載されている段落【００５７】～【００６２】、図１、２、８、９などを参照すれば、第１導電型半導体層１５の側面には、下記の図５に示されたように、上の側面と下の側面（メサの側面）の両者があるが、請求項１の「前記第１導電型半導体層の側面」とは、例えば、下記の図４では、符号４３が付された第２領域の斜線部を囲む境界に対応する図５の第１半導体層１５の活性層側の下の側面であることは明確である。 したがって、本件訂正発明１の「前記オーミック層は、前記第１導電型半導体層の側面に接するように配置される」の範囲は明確であり、本件訂正発明１を明確に把握できる。 よって、本件訂正発明１ないし２５は、明確である。 ウ　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし２５に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、申立ての理由３によっては、本件訂正発明１ないし２５に係る特許を取り消すことができない。 ６　むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし２５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１ないし２５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。