2025-700395

特許第７５６７８０２号発明「半導体用接着剤及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５６７８０２号の請求項１～２８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５６７８０２号の請求項１～２８に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、２０２０年（令和２年）９月１６日（優先権主張 令和１年９月３０日）を国際出願日とする出願であって、令和６年１０月７日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１６日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１～２８に係る特許に対し、令和７年４月８日に特許異議申立人 弁理士法人朝日奈特許事務所（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～２８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明２８」といい、まとめて、「本件発明」ともいう。）は、その特許請求の範囲の請求項１～２８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、請求項１、１２の分説の符号１Ａ、１Ｂ、１２Ａは、当審で付したものであり、これらの構成を、以下、「構成要件１Ａ」、「構成要件１Ｂ」、「構成要件１２Ａ」ともいう。 「【請求項１】 １Ａ：熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応基を有する硬化剤及び酸基を有するフラックス化合物を含む半導体用接着剤であって、 １Ｂ：前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が、２０Ｊ／ｇ以下である、半導体用接着剤。 【請求項２】 前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量が、１００００以上である、請求項１に記載の半導体用接着剤。 【請求項３】 前記熱可塑性樹脂の含有量が、前記半導体用接着剤の固形分全量を基準として、１～３０質量％である、請求項１又は２に記載の半導体用接着剤。 【請求項４】 前記硬化剤が、アミン系硬化剤を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項５】 前記硬化剤が、イミダゾール系硬化剤を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項６】 前記硬化剤の含有量が、前記半導体用接着剤の固形分全量を基準として、２．３質量％以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項７】 前記フラックス化合物の融点が、２５～２３０℃である、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項８】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項９】 前記熱硬化性樹脂が、３５℃で液状のエポキシ樹脂を実質的に含有しない、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項１０】 フィルム状である、請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項１１】 加圧雰囲気下で熱を加えることにより当該半導体用接着剤を硬化させ、硬化した当該半導体用接着剤によって半導体チップの接続部を封止するために用いられる、請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項１２】 １２Ａ：当該半導体用接着剤の最低溶融粘度が４００～２５００Ｐａ・ｓである、請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項１３】 前記硬化剤全量中の前記反応基のモル数に対する、前記フラックス化合物全量中の前記酸基のモル数の比が０．０１～４．８である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。 【請求項１４】 熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、反応基を有する硬化剤と、酸基を有するフラックス化合物と、を混合する工程を備え、 前記工程では、前記硬化剤全量中の反応基のモル数に対する、前記フラックス化合物全量中の前記酸基のモル数の比が０．０１～４．８となるように、前記硬化剤及び前記フラックス化合物を配合する、請求項１～１３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項１５】 前記フラックス化合物が、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びトリカルボン酸からなる群より選択される少なくとも一種を含み、 前記工程では、前記硬化剤全量中の前記反応基のモル数に対する、前記モノカルボン酸のモル数の比が０．０１～４．８となり、前記硬化剤全量中の前記反応基のモル数に対する、前記ジカルボン酸のモル数の比が０．０１～２．４となり、前記硬化剤全量中の前記反応基のモル数に対する、前記トリカルボン酸のモル数の比が０．０１～１．６となるように、前記硬化剤及び前記フラックス化合物を配合する、請求項１４に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項１６】 前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量が、１００００以上である、請求項１４又は１５に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項１７】 前記熱可塑性樹脂の配合量が、前記半導体用接着剤の固形分全量を基準として、１～３０質量％である、請求項１４～１６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項１８】 前記硬化剤が、アミン系硬化剤を含む、請求項１４～１７のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項１９】 前記硬化剤が、イミダゾール系硬化剤を含む、請求項１４～１８のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項２０】 前記硬化剤の配合量が、前記半導体用接着剤の固形分全量を基準として、２．３質量％以下である、請求項１４～１９のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項２１】 前記フラックス化合物の融点が、２５～２３０℃である、請求項１４～２０のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項２２】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含有する、請求項１４～２１のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項２３】 前記熱硬化性樹脂が、３５℃で液状のエポキシ樹脂を実質的に含有しない、請求項１４～２２のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項２４】 前記熱可塑性樹脂と、前記熱硬化性樹脂と、前記硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む混合物をフィルム状に成形する工程を更に備える、請求項１４～２３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の製造方法。 【請求項２５】 半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、請求項１～１３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤を、熱を加えることにより硬化させ、硬化した前記半導体用接着剤により前記接続部の少なくとも一部を封止する封止工程を備える、半導体装置の製造方法。 【請求項２６】 前記封止工程の前に、 ステージ上に複数の半導体チップを配置する工程と、 前記ステージを６０～１５５℃に加熱しながら、前記ステージ上に配置された前記複数の半導体チップのそれぞれの上に、前記半導体用接着剤を介して他の半導体チップを順次配置し、前記半導体チップ、前記半導体用接着剤及び前記他の半導体チップを有しこれらがこの順に積層されてなる積層体を複数得る仮固定工程と、を更に備える、請求項２５に記載の半導体装置の製造方法。 【請求項２７】 前記封止工程の前に、 ステージ上に配線回路基板又は半導体ウェハを配置する工程と、 前記ステージを６０～１５５℃に加熱しながら、前記ステージ上に配置された前記配線回路基板又は半導体ウェハの上に、前記半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを順次配置し、前記配線回路基板、前記半導体用接着剤及び複数の前記半導体チップを有しこれらがこの順に積層されてなる積層体、又は、前記半導体ウェハ、前記半導体用接着剤及び複数の前記半導体チップを有しこれらがこの順に積層されてなる積層体を得る仮固定工程と、を更に備える、請求項２５に記載の半導体装置の製造方法。 【請求項２８】 接続部を有する半導体チップと、接続部を有する配線回路基板と、を備え、前記半導体チップの接続部と前記配線回路基板の接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、 接続部を有する複数の半導体チップを備え、それぞれの前記半導体チップの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置であって、 前記接続部の少なくとも一部が、請求項１～１３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤の硬化物によって封止されている、半導体装置。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第１３の３号証（以下、「甲１」～「甲１３の３」という。）を提出し、以下の理由により、本件特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（進歩性） 本件発明１～２８は、甲１に記載された発明、甲２に記載された事項及び周知技術（甲３～甲１３の３）に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 申立理由２（実施可能要件） 本件特許に係る願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１～２８について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、本件特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ３ 申立理由３（サポート要件） 本件発明１～２８は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ［証拠方法］ 甲１：特開２０１８－１４５３４６号公報 甲２：特開２０１７－９８３０９号公報 甲３：特開２００７－２１１２４４号公報 甲４の１：一般財団法人日本環境衛生センターのウェブサイト、日本環境衛生センター所報論文集、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.jesc.or.jp/library/tabid/156/Default.aspx> 甲４の２：麻戸敏男、外１名、「熱分析装置による測定値の変動要因」、日本環境衛生センター所報論文集、１９７８年、Ｎｏ．５、５０～５７ページ 甲５：株式会社東ソー分析センターのウェブサイト、［online］、２０２２年１１月１日、インターネット<URL:https://www.tosoh-arc.co.jp/technique/detail/t2032/> 甲６：「２０１１製品案内」、三菱化学株式会社、２０１１年 甲７：三菱ケミカル株式会社のウェブサイト、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:http://www.mcc-epoxy.jp/products/epoxy_jer.html> 甲８：東京化成工業株式会社のウェブサイト、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.tcichemicals.com/JP/ja/p/D1274> 甲９：東京化成工業株式会社のウェブサイト、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.tcichemicals.com/JP/ja/p/P1252> 甲１０：東京化成工業株式会社のウェブサイト、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.tcichemicals.com/JP/ja/p/H1852> 甲１１：東京化成工業株式会社のウェブサイト、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.tcichemicals.com/JP/ja/p/H0794> 甲１２：東京化成工業株式会社のウェブサイト、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.tcichemicals.com/JP/ja/p/E0232> 甲１３の１：J-STAGEのウェブサイト、熱測定、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.jstage.jst.go.jp/browse/jscta/-char/ja> 甲１３の２：J-STAGEのウェブサイト、熱測定、［online］、２０２５年４月７日（印刷日）、インターネット<URL:https://www.jstage.jst.go.jp/browse/jscta/7/1/_contents/-char/ja> 甲１３の３：中川英昭、外１名、「初心者のための熱分析（１）ＤＴＡ，ＤＳＣの原理と測定法」、熱測定、１９８０年、７巻、１号、１１～１７ページ 第４ 申立理由１（進歩性）について １ 甲号証の記載及び甲号証に記載された発明 （１）甲１（特開２０１８－１４５３４６号公報） ア 甲１には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【請求項１】 相対向する電極間に介在され、前記相対向する電極を電気的に接続するために用いられる回路部材接続用シートであって、 前記回路部材接続用シートは、少なくとも硬化性の接着剤層を備え、 前記接着剤層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、イミダゾール系硬化触媒と下記式（１） 【化１】 ［図：0001425805000001.jpg］ の構造を有する化合物とから形成された複合化合物、フラックス成分および無機フィラーを含有する接着剤組成物から形成されたものであることを特徴とする回路部材接続用シート。 【請求項２】 前記接着剤層は、示差走査熱量分析法により測定される反応立ち上がり温度が、１４０℃以上、２５０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路部材接続用シート。 ・・・ 【請求項７】 前記フラックス成分は、カルボキシル基を含有することを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の回路部材接続用シート。」 「【発明の効果】 【００２０】 本発明の回路部材接続用シートは、熱硬化に関する保存安定性に優れるとともに、接着剤層を短時間で硬化させることができる。また、本発明の製造方法によれば、そのような回路部材接続用シートを使用して、高い生産性にて半導体装置を製造することができる。」 「【００６６】 （７）物性等 本実施形態に係る回路部材接続用シート１，２では、硬化前における接着剤層１１の、示差走査熱量分析法により測定される反応立ち上がり温度が、１４０℃以上であることが好ましく、特に１５０℃以上であることが好ましく、さらには１６０℃以上であることが好ましい。また、当該反応立ち上がり温度は、２５０℃以下であることが好ましく、特に２３０℃以下であることが好ましく、さらには２００℃以下であることが好ましい。ここで、反応立ち上がり温度とは、示差走査熱量分析法により取得されるＤＳＣ曲線における、接着剤層１１の硬化反応に起因して生じるピークについて、当該ピークに接する接線の傾きが最大となるときの温度（℃）をいうものとする。すなわち、反応立ち上がり温度とは、接着剤層１１の硬化反応において反応速度が最大となる温度のことをいう。反応立ち上がり温度が１４０℃以上であることで、意図しない段階における接着剤層１１の硬化反応の進行を効果的に抑制することができ、より優れた保管安定性を達成することができる。また、反応立ち上がり温度が２５０℃以下であることで、過度な加熱を要せず、硬化反応を進行させることが可能となる。 ・・・ 【００６９】 上述した、反応立ち上がり温度、反応ピーク温度および反応開始温度は、示差走査熱量計を用いて測定することができる。例えば、厚さ１５ｍｍの接着剤層１１を、示差走査熱量計（ＴＡインスツルメント社製，製品名「Ｑ２０００」）を用いて、昇温速度１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱し、これにより得られるＤＳＣ曲線から求めることができる。」 「【実施例】 【０１００】 以下、実施例および試験例等を示すことにより本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の試験例等に何ら限定されるものではない。 【０１０１】 〔実施例１～２および比較例１～２〕 表１に示す構成成分を含有する接着剤組成物を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が４０質量％となるように希釈し、塗工液を得た。当該塗工液を、シリコーン処理された剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）上に塗布し、得られた塗膜をオーブンにて１００℃で１分間乾燥することで、厚さ４５μｍの接着剤層と剥離フィルムとからなる回路部材接続用シートを得た。 【０１０２】 〔試験例１〕（示差走査熱量分析） 実施例および比較例で作製した回路部材接続用シートを使用して、接着剤層を複数積層することにより、厚さ１５ｍｍの測定用サンプルを作製した。得られた測定用サンプルを、示差走査熱量計（ＴＡインスツルメント社製，製品名「Ｑ２０００」）を用いて、昇温速度１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱した。これによりＤＳＣ曲線を取得し、接着剤層の硬化反応に起因して生じるピークについて、当該ピークの頂点をもたらす温度（反応ピーク温度）（℃）、および当該ピークに接する接線の傾きが最大となるときの温度（反応立ち上がり温度）（℃）を得た。さらに、反応ピーク温度の値から反応立ち上がり温度の値を減じることで、その差（℃）を算出した。これらの結果を表２に示す。 ・・・ 【０１０８】 【表１】 ［図：0001425805000002.jpg］ 【０１０９】 【表２】 ［図：0001425805000003.jpg］ 」 イ 甲１に記載された発明 （ア）上記アの【請求項１】には、「接着剤層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、イミダゾール系硬化触媒と下記式（１） 【化１】 ［図：0001425805000004.jpg］ の構造を有する化合物とから形成された複合化合物、フラックス成分および無機フィラーを含有する接着剤組成物から形成されたものである」と記載され、 同【請求項７】には、「前記フラックス成分は、カルボキシル基を含有することを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の回路部材接続用シート。」と記載されているから、接着剤層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、イミダゾール系硬化触媒と下記式（１） 【化１】 ［図：0001425805000005.jpg］ の構造を有する化合物とから形成された複合化合物、カルボキシル基を含有するフラックス成分および無機フィラーを含有する接着剤組成物であるといえる。 （イ）上記アの【請求項２】には、「前記接着剤層は、示差走査熱量分析法により測定される反応立ち上がり温度が、１４０℃以上、２５０℃以下である」と記載されている。 そして、上記「反応立ち上がり温度」について、同【００６９】には、「上述した、反応立ち上がり温度、反応ピーク温度および反応開始温度は、示差走査熱量計を用いて測定することができる。例えば、厚さ１５ｍｍの接着剤層１１を、示差走査熱量計（ＴＡインスツルメント社製，製品名「Ｑ２０００」）を用いて、昇温速度１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱し、これにより得られるＤＳＣ曲線から求めることができる」と記載されている。 そうすると、接着剤は、昇温速度１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法により測定される反応立ち上がり温度が、１４０℃以上、２５０℃以下であるといえる。 （ウ）以上から、甲１には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。 「熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、イミダゾール系硬化触媒と下記式（１） 【化１】 ［図：0001425805000006.jpg］ の構造を有する化合物とから形成された複合化合物、カルボキシル基を含有するフラックス成分および無機フィラーを含有する接着剤組成物から形成される接着剤であって、 １０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法により測定される反応立ち上がり温度が、１４０℃以上、２５０℃以下である、接着剤。」 （２）甲３（特開２００７－２１１２４４号公報） 甲３には、以下の記載がある。 「【請求項１】 Ｂステージ処理可能なアンダーフィル封止材であって、該封止材はＢステージプロセスの間に第一の温度で固化して半導体ウエハ又はシリコンチップ上に滑らかで非粘着性の表面を生成し、該封止材の実質的に全体が第一の温度よりも高い第二の温度で硬化し、該封止材は、 （ａ）熱硬化性樹脂； （ｂ）イミダゾールホスフェート塩触媒； （ｃ）少なくとも１の溶剤； （ｄ）１以上のフラクシング剤；及び （ｅ）場合によって、界面活性剤、湿潤剤、消泡剤、カップリング剤、無機充填材、接着促進剤、流動添加剤、脱泡剤、及びそれらの混合物からなる群の１以上を含む、アンダーフィル封止材。」 「【００５２】 Ｂステージ処理されたエポキシ－オリゴマー系アンダーフィルシステム（異なる触媒（０．２５％エポキシ重量基準）を有する）のピーク硬化温度及び硬化エンタルピーをＤＳＣ硬化プロファイルから記録し（２０℃／分の温度勾配）、表７に示す。ＤＳＣ試料を室温に冷却した後、それらを再び温度上昇させて（この時点では１０℃／分）硬化後Ｔｇを記録した。ＤＳＣ硬化サーモグラムを図１に示す。 【００５３】 ［図：0001425805000007.jpg］ 」 「【図１】 ［図：0001425805000008.jpg］ 」 （３）甲４の２（麻戸敏男、外１名、「熱分析装置による測定値の変動要因」、日本環境衛生センター所報論文集、１９７８年、Ｎｏ．５、５０～５７ページ） 甲４の２には、以下の記載がある。 「 ［図：0001425805000009.jpg］ 」（５３ページ） （４）甲５（株式会社東ソー分析センターのウェブサイト、２０２２年１１月１日、インターネット<URL:https://www.tosoh-arc.co.jp/technique/detail/t2032/>） 甲５には、以下の記載がある。 「 ［図：0001425805000010.jpg］ 」 （５）甲１３の３（中川英昭、外１名、「初心者のための熱分析（１）ＤＴＡ，ＤＳＣの原理と測定法」、熱測定、１９８０年、７巻、１号、１１～１７ページ） 甲１３の３には、以下の記載がある。 「 ［図：0001425805000011.jpg］ 」（１５ページ右欄５～１３行） なお、甲２は本件発明４等に対して提出された証拠であり、甲６、甲７は本件発明２等に対して提出された証拠であり、甲８、甲９は本件発明７等に対して提出された証拠であり、甲１０～甲１２は本件発明１３に対して提出された証拠であるから摘記を省略する。 ２ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ア 甲１発明の「熱可塑性樹脂」、「熱硬化性樹脂」は、本件発明１の「熱可塑性樹脂」、「熱硬化性樹脂」にそれぞれ相当する。 イ 本件発明１の「反応基を有する硬化剤」について、本件特許に係る願書に添付した明細書及び図面（以下、「本件明細書等」という。）の【００５１】には、「反応基を有する硬化剤（以下、場合により「（ｃ）成分」という。）」と記載され、【００７２】には、「（ｃ）成分としては、例えば、反応基としてアミノ基を有する化合物であるアミン系硬化剤、及び反応基としてイミダゾール基を有する化合物であるイミダゾール系硬化剤が挙げられる。」と記載されているから、本件発明１の「反応基を有する硬化剤」は、イミダゾール系硬化剤を含むものである。 一方、甲１発明の「イミダゾール系硬化触媒」は、イミダゾール系硬化剤といえる。 そうすると、甲１発明の「イミダゾール系硬化触媒」は、本件発明１の「反応基を有する硬化剤」に相当する。 ウ 本件発明１の「酸基を有するフラックス化合物」について、本件明細書等の【００５１】には、「酸基を有するフラックス化合物（以下、場合により「（ｄ）成分」という。）」と記載され、同【００８３】には、「（ｄ）成分は１以上の酸基を有する。酸基は、例えばカルボキシル基である。」と記載されているから、本件発明１の「酸基を有するフラックス化合物」は、カルボキシル基を有するフラックス化合物を含むものである。 一方、甲１発明の「カルボキシル基を含有するフラックス成分」は、カルボキシル基を有するフラックス化合物であるといえる。 そうすると、甲１発明の「カルボキシル基を含有するフラックス成分」は、本件発明１の「酸基を有するフラックス化合物」に相当する。 エ 甲１の【００２０】（上記１（１）ア）には、「本発明の回路部材接続用シートは、熱硬化に関する保存安定性に優れるとともに、接着剤層を短時間で硬化させることができる。また、本発明の製造方法によれば、そのような回路部材接続用シートを使用して、高い生産性にて半導体装置を製造することができる。」と記載されているから、甲１発明の「接着剤」は、半導体用であるといえる。 したがって、甲１発明の「接着剤」は、本件発明１の「半導体用接着剤」に相当する。 オ 甲１発明の「接着剤」は、「１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法により測定される反応立ち上がり温度が、１４０℃以上、２５０℃以下である」ところ、「１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法」は、１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定であるといえるから、本件発明１と甲１発明とは、「前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定」を行っている点で共通する。 しかし、甲１発明には、「接着剤」の「１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法」により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量は特定されていない。 カ 以上によれば、本件発明１と甲１発明との一致点、相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応基を有する硬化剤及び酸基を有するフラックス化合物を含む半導体用接着剤。」 ＜相違点＞ 相違点１：本件発明１は、「前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が、２０Ｊ／ｇ以下である」のに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 （２）相違点１についての判断 ア（ア）本件発明１の「半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量」について、本件明細書等には以下の記載がある。 「【００５６】 図２及び図３は、ＤＳＣ曲線から６０～１５５℃の発熱量を求める方法を示す模式図である。図２のように、ＤＳＣ曲線が、発熱ピークとして、１５５℃以下の部分を含む発熱ピークＰだけを含む場合、発熱ピークＰのうち、１５５℃以下の部分の発熱量Ｑ１が、６０～１５５℃の発熱量である。発熱量Ｑ１は、発熱ピークＰとベースラインＬ０の延長線Ｌ１とで囲まれる１５５℃以下の領域の面積から求められる。図３のように、ＤＳＣ曲線が、１５５℃以下の領域に発熱ピークＰ以外のピークを更に含む場合、そのピークの発熱量Ｑ２と、発熱ピークＰの１５５℃以下における発熱量Ｑ１との合計が、６０～１５５℃の発熱量である。６０～１５５℃以下の領域においてより多くの発熱ピークが観測される場合、それらの発熱ピークの発熱量も全て足し合わせた発熱量が、６０～１５５℃の発熱量である。」 「【図２】 ［図：0001425805000012.jpg］ 【図３】 ［図：0001425805000013.jpg］ 」 （イ）上記（ア）の記載によれば、本件発明１の「半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量」は、 ａ ＤＳＣ曲線が、発熱ピークとして、１５５℃以下の部分を含む発熱ピークＰだけを含む場合、発熱量Ｑ１は、発熱ピークＰとベースラインＬ０の延長線Ｌ１とで囲まれる１５５℃以下の領域の面積から求められ、 ｂ ＤＳＣ曲線が、１５５℃以下の領域に発熱ピークＰ以外のピークを更に含む場合、そのピークの発熱量Ｑ２と、発熱ピークＰの１５５℃以下における発熱量Ｑ１との合計が、６０～１５５℃の発熱量であり、 ｃ ６０～１５５℃以下の領域においてより多くの発熱ピークが観測される場合、それらの発熱ピークの発熱量も全て足し合わせた発熱量が、６０～１５５℃の発熱量である。 そうすると、本件発明１の「半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量」は、ＤＳＣ曲線における、ベースラインＬ０の延長線Ｌ１と、１５５℃以下のピークとに囲まれた領域の面積であるといえる。 （ウ）しかし、甲１には、ＤＳＣ曲線は記載されていないから、ＤＳＣ曲線における、ベースラインＬ０の延長線Ｌ１と、１５５℃以下のピークとに囲まれた領域の面積は不明である。 そうすると、甲１発明において、「接着剤」を「１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法」により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量も不明である。 また、甲１発明において、「１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法により測定される反応立ち上がり温度が、１４０℃以上、２５０℃以下」であれば、「前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が、２０Ｊ／ｇ以下」となることが技術常識であるとはいえない。 したがって、相違点１は、実質的な相違点である。 （エ）申立人の主張について ａ 申立人は、特許異議申立書の４５ページ下から４行～４６ページ１８行において、「甲１発明において、ＤＳＣにおける反応立ち上がり温度は、示差走査熱量分析法により取得されるＤＳＣ曲線における、接着剤層１１の硬化反応に起因して生じるピークについて、当該ピークに接する接線の傾きが最大となるときの温度（℃）をいい（［００６６］）、反応立ち上がり温度、反応ピーク温度および反応開始温度は、示差走査熱量計を用いて、例えば、厚さ１５ｍｍの接着剤層を、示差走査熱量計（ＴＡインスツルメント社製，製品名「Ｑ２０００」）を用いて、昇温速度１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱し、これにより得られるＤＳＣ曲線から求めることができる（［００６９］）。 ・・・ そうすると、たとえば、甲１発明の具体例である実施例１では、反応立ち上がり温度が１６１．８℃であったことから（［０１０９］の表２）、それまでは、反応が立ち上がらなかったと考えられ、発熱量はほとんどないと考えられる。 その結果、甲１発明は、１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量を測定しさえすれば、２０Ｊ／ｇ以下となり、構成要件１Ｂを具備している蓋然性が高い。」と主張している。 ｂ しかし、甲１発明の「反応立ち上がり温度」について、甲１（上記１（１）ア）の【００６６】には、「反応立ち上がり温度とは、示差走査熱量分析法により取得されるＤＳＣ曲線における、接着剤層１１の硬化反応に起因して生じるピークについて、当該ピークに接する接線の傾きが最大となるときの温度（℃）をいうものとする。」と記載され、同【０１０９】の【表１】には、実施例１の反応立ち上がり温度が１６１．８℃であることが記載されている。 一方、本件明細書等の【００５５】には、「図１は、ＤＳＣ曲線から発熱ピークのオンセット温度を求める方法を示す模式図である。・・・発熱ピークＰの下部におけるベースラインＬ０の延長線Ｌ１と、発熱ピークＰにおいてＤＳＣ曲線が最大勾配を示す点におけるＤＳＣ曲線の接線Ｌ２との交点の温度Ｔが、オンセット温度である。」と記載されている。 以上から、本件明細書等に記載の「発熱ピークＰにおいてＤＳＣ曲線が最大勾配を示す点」における温度が、甲１の「反応立ち上がり温度」に相当するといえ、「発熱ピークＰにおいてＤＳＣ曲線が最大勾配を示す点」と、「反応立ち上がり温度」は、以下の図（本件図面の【図１】に合議体が追記）に示すとおりとなる。 ［図：0001425805000014.jpg］ そして、甲１には、ＤＳＣ曲線は記載されていないから、発熱ピークＰの形状、及び、ベースラインＬ０の値は不明である。 そうすると、甲１において、反応立ち上がり温度が１６１．８℃であるからといって、それまでは、反応が立ち上がらなかったとはいえない。 また、甲１発明において、「１０℃／分で５０℃から３００℃まで加熱する示差走査熱量分析法」により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量（発熱ピークＰとベースラインＬ０の延長線Ｌ１とで囲まれる１５５℃以下の領域の面積）の値も不明であり、その値は必ず２０Ｊ／ｇ以下になっているとはいえない。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 イ（ア）上記アで検討したとおり、相違点１は、実質的な相違点である。 そこで、更に検討するに、本件発明が解決しようとする課題は、本件明細書等の【００１２】の記載によれば、「半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを被搭載部材上に仮固定し、一括して硬化と封止を行うプロセスにおいて、半導体用接着剤中に残存し得るボイドを低減する」ことであり、同【００５３】の「本実施形態の半導体用接着剤は、ＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が２０Ｊ／ｇ以下であることから、上記半導体チップの仮固定を行う温度領域（例えば６０～１５５℃）において硬化が進行し難い。そのため、上記プロセスにおいて本実施形態の半導体用接着剤を用いることで、半導体用接着剤の充分な流動性を維持しながら複数の半導体チップを仮固定することができ、一括硬化時のボイドの発生を低減することが可能となる。」との記載によれば、本件発明は、「前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が、２０Ｊ／ｇ以下である」との構成によって、上記課題を解決し得るものといえる。 （イ）しかし、甲２～甲１３の３のいずれにも、「半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを被搭載部材上に仮固定し、一括して硬化と封止を行うプロセスにおいて、半導体用接着剤中に残存し得るボイドを低減する」との課題を解決するために、「前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が、２０Ｊ／ｇ以下である」との構成とすることは、記載も示唆もされていない。 そうすると、甲１発明において、甲２～甲１３の３に記載された事項を参酌しても、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人は、特許異議申立書の４６ページ１９行～４９ページ１４行において、もし仮に、甲１の開示からは、甲１発明が構成要件１Ｂを具備しているかどうかが定かではないと考えられる場合であっても、甲１発明において構成要件１Ｂを具備させることは、以下のとおり、甲３～甲５に関する技術常識を参照すれば、容易に想到し得る程度にすぎない、すなわち、甲３には、図１として、Ｂステージ処理されたエポキシ－オリゴマー系アンダーフィルシステム（異なる触媒（０．２５％エポキシ重量基準）を有する）のピーク硬化温度及び硬化エンタルピーをＤＳＣ硬化プロファイルから記録し（２０℃／分の温度勾配）、ＤＳＣ試料を室温に冷却した後、それらを再び温度上昇させて（この時点では１０℃／分）硬化後Ｔｇを記録した際のＤＳＣ硬化サーモグラムが開示されており（［００５２］）、甲３発明におけるＤＳＣ測定の際の昇温速度は２０℃／分であり、本件特許発明１の条件（１０℃／分）とは異なるものの、昇温速度が速くなると、ピーク温度が高温側にシフトすることは当業者の技術常識であるから（甲３～甲５）、甲３の図１を再び参照すると、 Ａ 総発熱量：０Ｊ／ｇ Ｂ 総発熱量：２２．４３Ｊ／ｇ（２０Ｊ／ｇ到達にはピーク面積の８９．２％が６０－１５５℃の範囲に入る必要がある） Ｄ 総発熱量：１８．３７Ｊ／ｇ（２０Ｊ／ｇ到達にはピーク面積の１００％が６０－１５５℃の範囲に入る必要がある） であり、１０℃／ｍｉｎで測定された場合を想定して１５℃低温側にピークシフトさせた場合を検討すると、その場合も発熱量がほぼゼロであることは変わりなく、２０Ｊ／ｇ以下となり得るから、半導体ウエハ等に使用される封止材等の技術分野において、半導体用接着剤のＤＳＣ曲線の６０～１５５℃における発熱量を２０Ｊ／ｇ以下とすることは、技術常識を考慮すれば何ら困難ではなく、その結果、当業者は、甲１発明において、技術常識を参酌することにより、構成要件１Ｂを具備させることについて、何ら困難ではない旨主張している。 ｂ しかし、上記（イ）で検討したとおり、甲３～甲５には、「半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを被搭載部材上に仮固定し、一括して硬化と封止を行うプロセスにおいて、半導体用接着剤中に残存し得るボイドを低減する」との課題を解決するために、「前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が、２０Ｊ／ｇ以下である」との構成とすることは、記載も示唆もされていない。 そうすると、申立人が主張するとおり、昇温速度が速くなると、ピーク温度が高温側にシフトすることが当業者の技術常識であったとしても、甲１発明において、「前記半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が、２０Ｊ／ｇ以下である」との構成とする動機付けがあるとはいえない。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 ウ 小括 以上から、本件発明１は、甲１発明及び甲２～甲１３の３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 本件発明２～２８について 本件発明２～２８は、本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲１に記載された発明及び甲２～甲１３の３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ４ まとめ 以上のとおりであるから、申立理由１（進歩性）には理由がない。 第５ 申立理由２（実施可能要件） １（１）申立人は、特許異議申立書の７６ページ１０行～７７ページ下から５行において、本件明細書等によれば、本件発明１の構成要件１Ａを具備するだけでは、構成要件１Ｂを具備するとはいえず、比較例１～２のように、構成要件１Ａを満たすだけでは構成要件１Ｂを満たさない半導体用接着剤も得られ得るから、いかに当業者であっても、構成要件１Ｂを具備する半導体用接着剤を得るための具体的な構成について理解することができず、本件発明１を実施するためには、過度の試行錯誤を要するものであり、本件発明２～２８についても同様である旨主張している。 （２）しかし、本件明細書等の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」という。）の【００５１】には、「本実施形態の半導体用接着剤は、熱可塑性樹脂（以下、場合により「（ａ）成分」という。）、熱硬化性樹脂（以下、場合により「（ｂ）成分」という。）、反応基を有する硬化剤（以下、場合により「（ｃ）成分」という。）及び酸基を有するフラックス化合物（以下、場合により「（ｄ）成分」という。）を含有する。」と記載され、同【００５２】には、「本実施形態の半導体用接着剤の示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量は、２０Ｊ／ｇ以下である。」と記載され、同【００５７】には、「上記ＤＳＣ曲線を示す本実施形態の半導体用接着剤は、例えば、硬化剤全量中の反応基（フラックス化合物の酸基と反応する基）のモル数に対する、フラックス化合物全量中の酸基のモル数の比が０．０１～４．８となるように、硬化剤及びフラックス化合物を配合することで得ることができる。」と記載されている。 そうすると、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応基を有する硬化剤及び酸基を有するフラックス化合物を含む半導体用接着剤において、例えば、硬化剤全量中の反応基（フラックス化合物の酸基と反応する基）のモル数に対する、フラックス化合物全量中の酸基のモル数の比が０．０１～４．８の範囲で、硬化剤及びフラックス化合物の配合を調整すれば、上記ＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量を２０Ｊ／ｇ以下に調整できるといえる。 そして、発明の詳細な説明の実施例（【０１６０】～【０１８２】）には、構成要件１Ａを具備するとともに、構成要件１Ｂを具備する半導体用接着剤を製造するための具体的な成分や配合量が記載されている。 以上によれば、発明の詳細な説明には、本件発明１の半導体用接着剤を製造し、使用することができる程度に記載されているといえる。 また、発明の詳細な説明には、本件発明１の全ての構成を有する本件発明２～１３の半導体用接着剤、及び、本件発明１の全ての構成を有する本件発明２８の半導体装置について、その半導体用接着剤及び半導体装置を製造し、使用することができる程度に記載されているといえる。 さらに、発明の詳細な説明には、本件発明１の全ての構成を有する本件発明１４～２４の半導体用接着剤の製造方法、及び、本件発明１の全ての構成を有する本件発明２５～２７の半導体装置の製造方法について、その方法を使用することができる程度に記載されているといえる。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 ２（１）申立人は、特許異議申立書の７７ページ下から３行～７９ページ２行において、本件明細書等によれば、構成要件１Ａを具備するだけでは、構成要件１２Ａを具備するとはいえず、比較例２のように、構成要件１Ａを満たすだけでは構成要件１２Ａを満たさない半導体用接着剤も得られ得るから、いかに当業者であっても、構成要件１２Ａを具備する半導体用接着剤を得るための具体的な構成について理解することができず、本件発明１２を実施するためには、過度の試行錯誤を要するものであり、本件発明１３～２８についても同様である旨主張している。 （２）しかし、発明の詳細な説明の実施例（【０１６０】～【０１８２】）には、構成要件１Ａ及び１Ｂを具備するとともに、構成要件１２Ａを具備する半導体用接着剤を製造するための具体的な成分や配合量が記載されている。 そうすると、発明の詳細な説明には、本件発明１２の半導体用接着剤を製造し、使用することができる程度に記載されているといえる。 また、本件発明１２の全ての構成を有する本件発明１３の半導体用接着剤、及び、本件発明１２の全ての構成を有する本件発明２８の半導体装置についても同様に、発明の詳細な説明には、その半導体用接着剤及び半導体装置を製造し、使用することができる程度に記載されているといえる。 さらに、本件発明１２の全ての構成を有する本件発明１４～２４の半導体用接着剤の製造方法、及び、本件発明１２の全ての構成を有する本件発明２５～２７の半導体装置の製造方法について、発明の詳細な説明には、その方法を使用することができる程度に記載されているといえる。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、申立理由２（実施可能要件）には理由がない。 第６ 申立理由３（サポート要件）について １ 申立人は、特許異議申立書の７９ページ４行～８０ページ最下行において、本件発明１について、硬化剤の種類が異なれば、熱硬化性樹脂の反応基との反応性が異なり、その結果、得られる硬化物の特性（接続信頼性・絶縁信頼性等）が大きく変化することは自明であり、また、本件特許の出願時の技術常識を参酌しても、イミダゾール系硬化剤のわずかな例が開示されていることを以って、その他のあらゆる硬化剤を用いた場合であっても同様の作用効果が得られるといった技術常識は存在しないから、いかに当業者であっても、イミダゾール系硬化剤のみの実施例が開示されていたり、イミダゾール系硬化剤を用いた場合の作用効果に関するわずかな開示が発明の詳細な説明中にあるだけでは、その他の硬化剤を用いた場合においても、本件発明１が課題を解決し得るかどうかについて、把握することはできないため、その結果、本件発明１は、サポート要件を充足しないものであり、本件発明２～２８も同様である旨主張している。 ２ しかし、発明の詳細な説明の【００１２】の記載によれば、本件発明が解決しようとする課題は、「半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを被搭載部材上に仮固定し、一括して硬化と封止を行うプロセスにおいて、半導体用接着剤中に残存し得るボイドを低減する」ことであるところ、同【００５１】には、「本実施形態の半導体用接着剤は、熱可塑性樹脂（以下、場合により「（ａ）成分」という。）、熱硬化性樹脂（以下、場合により「（ｂ）成分」という。）、反応基を有する硬化剤（以下、場合により「（ｃ）成分」という。）及び酸基を有するフラックス化合物（以下、場合により「（ｄ）成分」という。）を含有する。」と記載され、同【００５２】には、「本実施形態の半導体用接着剤の示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量は、２０Ｊ／ｇ以下である。ここで、示差走査熱量測定は、サンプルとなる半導体用接着剤の重量を１０ｍｇとし、測定温度範囲を３０～３００℃とし、昇温速度を１０℃／ｍｉｎとして、空気又は窒素雰囲気で半導体用接着剤を加熱することにより行う。発熱量は、ピーク面積の積分により算出される。」と記載され、同【００５３】には、「従来の半導体用接着剤は、ＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の温度領域に発熱ピークを有している。この温度領域における発熱は、半導体用接着剤中の熱硬化性樹脂とフラックス化合物の反応に由来する発熱であると推察され、この反応が進行すると、半導体用接着剤が部分的に硬化し、流動性が低下すると推察される。一方、通常、半導体用接着剤による半導体チップの仮固定は、半導体用接着剤を例えば６０～１５５℃に加熱して適度に流動させることにより行われる。したがって、半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを被搭載部材（半導体チップ、半導体ウェハ、配線回路基板等）の上に搭載し仮固定した後、加圧条件下で一括して硬化と封止を行うプロセスにおいて従来の半導体用接着剤を用いると、半導体チップを仮固定する際に、半導体用接着剤中の熱硬化性樹脂とフラックス化合物とが反応することで、半導体用接着剤の硬化が部分的に進行し、加圧条件下での一括硬化時に充分に流動しなくなると推察される。本実施形態の半導体用接着剤は、ＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が２０Ｊ／ｇ以下であることから、上記半導体チップの仮固定を行う温度領域（例えば６０～１５５℃）において硬化が進行し難い。そのため、上記プロセスにおいて本実施形態の半導体用接着剤を用いることで、半導体用接着剤の充分な流動性を維持しながら複数の半導体チップを仮固定することができ、一括硬化時のボイドの発生を低減することが可能となる。」と記載されている。 以上の記載によれば、半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを被搭載部材（半導体チップ、半導体ウェハ、配線回路基板等）の上に搭載し仮固定した後、加圧条件下で一括して硬化と封止を行うプロセスにおいて、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応基を有する硬化剤及び酸基を有するフラックス化合物を含む半導体用接着剤であって、半導体用接着剤を１０℃／分の昇温速度で加熱する示差走査熱量測定により得られるＤＳＣ曲線の６０～１５５℃の発熱量が２０Ｊ／ｇ以下である半導体用接着剤（以下、「本件半導体用接着剤」という。）を用いることで、半導体用接着剤の充分な流動性を維持しながら複数の半導体チップを仮固定することができ、一括硬化時のボイドの発生を低減することが可能となるといえる。 そうすると、本件半導体用接着剤は、上記課題を解決し得るものであるといえ、このことは、発明の詳細な説明の実施例（【０１６０】～【０１８２】）において裏付けられている。 そして、本件発明１の半導体用接着剤は、本件半導体用接着剤と同じ構成を有するものである。 したがって、本件発明１は、上記課題を解決し得るものといえる。 また、本件発明２～２８は、本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様に、上記課題を解決し得るものといえる。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、申立理由３（サポート要件）には理由がない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。