2017-700960

特許第６１１０８１４号発明「エッチング液およびそのキット，これらを用いたエッチング方法，半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６１１０８１４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１ないし１３，１７〕，１４，１５，〔１６，１８ないし２２〕について訂正することを認める。 特許第６１１０８１４号の請求項１ないし３，５ないし９，１１，１２，１４ないし１６，１８ないし２２に係る特許を維持する。 特許第６１１０８１４号の請求項４，１０，１３及び１７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 １．手続の経緯 特許第６１１０８１４号の請求項１ないし２２に係る特許についての出願は，平成２６年５月２８日（優先権主張平成２５年６月４日，平成２５年７月２５日，平成２５年１２月２７日）に特許出願され，平成２９年３月１７日にその特許権の設定登録がされ，その後，その特許について，平成２９年１０月５日に特許異議申立人　田中眞喜子　により特許異議の申立てがされ，平成２９年１２月１日付けで取消理由が通知され，その指定期間内である平成３０年１月３０日に意見書の提出及び訂正の請求があったものである。 ２．訂正の適否についての判断 （１）訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は，以下のアないしテのとおりである。 ア　訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ，硝酸，含フッ素化合物，ならびに，窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂを含有するエッチング液。」 と記載されているのを， 「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液であって， 該エッチング液は，硝酸，含フッ素化合物，ならびに，窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂを含有し， 前記含窒素有機化合物Ａが，下記式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く。）または下記式ｂで表される化合物であり， 【化２】 Ｒａは，水素原子，アルキル基，アルケニル基，アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒｂは，アルキル基，アルケニル基またはアリール基を表す。Ｌａは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｌｂは，単結合，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｒｃは，水素原子またはアルキル基を表す。ｎは０以上の整数を表す。ｎの上限は各環状構造部の置換可能数である。環Ｑ１～Ｑ３は含窒素複素環を表す。式中＊は，結合位置を示す。 Ｒｃ２Ｎ－［Ｌｄ－Ｎ（Ｒｃ）］ｍ－Ｌｄ－ＮＲｃ２　　　・・・　ｂ 式中，Ｒｃは，上記と同様である。ｍは０以上の整数を表す。Ｌｄは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。複数のＲｃ，Ｌｄは，互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のＲｃ，Ｌｄは互いに結合して環を形成していてもよい。 上記エッチング液の全質量に対し，上記硝酸の濃度が３０質量％～８０質量％，上記フッ素化合物の濃度が０．０１質量％～２質量％である，エッチング液。」 に訂正する（請求項１の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項２，３，６～９，１１及び１２も同様に訂正する）。 イ　訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項３に 「前記エッチング液が，硝酸，含フッ素化合物および窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有する」 とあるのを， 「前記エッチング液が，前記硝酸，前記含フッ素化合物および前記の窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有する」 に訂正する（請求項３の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項６～９，１１及び１２も同様に訂正する）。 ウ　訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４を削除する。 エ　訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項５に 「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ，硝酸，含フッ素化合物および窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有し，上記硝酸の濃度が５０質量％～９５質量％であるエッチング液。」 とあるのを， 「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液であって， 該エッチング液は，硝酸，含フッ素化合物および窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有し， 前記含窒素有機化合物Ａが，下記式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または下記式ｂで表される化合物であり， 【化３】 Ｒａは，水素原子，アルキル基，アルケニル基，アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒｂは，アルキル基，アルケニル基またはアリール基を表す。Ｌａは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｌｂは，単結合，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｒｃは，水素原子またはアルキル基を表す。ｎは０以上の整数を表す。ｎの上限は各環状構造部の置換可能数である。環Ｑ１～Ｑ３は含窒素複素環を表す。式中＊は，結合位置を示す。 Ｒｃ２Ｎ－［Ｌｄ－Ｎ（Ｒｃ）］ｍ－Ｌｄ－ＮＲｃ２　　　・・・　ｂ 式中，Ｒｃは，上記と同様である。ｍは０以上の整数を表す。Ｌｄは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。複数のＲｃ，Ｌｄは，互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のＲｃ，Ｌｄは互いに結合して環を形成していてもよい。 上記エッチング液の全質量に対し，上記硝酸の濃度が５０質量％～８０質量％，上記フッ素化合物の濃度が０．０１質量％～２質量％である，エッチング液。」 に訂正する（請求項５の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項６～９，１１及び１２も同様に訂正する）。 オ　訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項６に 「前記含窒素有機化合物の分子量が１００～２０，０００である請求項１～５のいずれか１項に記載のエッチング液。」 とあるのを， 「前記含窒素有機化合物Ａの分子量が１００～２０，０００である請求項１～３および５のいずれか１項に記載のエッチング液。」 に訂正する（請求項６の記載を引用する請求項７～９，１１及び１２も同様に訂正する）。 カ　訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項７に 「前記含窒素有機化合物の分子量が１，０００以上２０，０００以下である請求項１～６のいずれか１項に記載のエッチング液。」 とあるのを， 「前記含窒素有機化合物Ａの分子量が１，０００以上２０，０００以下である請求項１～３，５および６のいずれか１項に記載のエッチング液。」 に訂正する（請求項７の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項８，９，１１及び１２も同様に訂正する）。 キ　訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項８に 「前記含窒素有機化合物の含有量が，前記含フッ素化合物１００質量部に対して，０，０１質量部以上２５質量部以下である請求項１～７のいずれか１項に記載のエッチング液。」 とあるのを， 「前記含窒素有機化合物Ａの含有量が，前記含フッ素化合物１００質量部に対して，０．０１質量部以上２５質量部以下である請求項１～３および５～７のいずれか１項に記載のエッチング液。」 に訂正する（請求項８の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項９，１１及び１２も同様に訂正する）。 ク　訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項９に 「前記含窒素有機化合物の濃度が０．０００１質量％～５質量％である請求項１～８のいずれか１項に記載のエッチング液。」 とあるのを， 「前記含窒素有機化合物Ａの濃度が０．０００１質量％～５質量％である請求項１～３および５～８のいずれか１項に記載のエッチング液。」 に訂正する（請求項９の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項１１及び１２も同様に訂正する）。 ケ　訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項１０を削除する。 コ　訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１１に 「前記含窒素有機化合物が，ポリエチレンイミン，ポリビニルアミン，ポリアリルアミン，ポリビニルイミダゾール，ポリヘキサジメトリン，ポリ（４－ビニルピリジン），ポリヒスチジン，ポリアルギニン，ポリジメチルジアリルアンモニウム，ポリリシン，ポリオルニチン，ジエチレントリアミン，テトラエチレンペンタミン，ペンタエチレンヘキサミンまたはポリジアリルアミンである請求項１～１０のいずれか１項に記載のエッチング液。」 とあるのを， 「前記含窒素有機化合物Ａが，ポリエチレンイミン，ポリビニルアミン，ポリアリルアミン，ポリビニルイミダゾール，ポリヘキサジメトリン，ポリ（４－ビニルピリジン），ポリヒスチジン，ポリアルギニン，ポリジメチルジアリルアンモニウム，ポリリシン，ポリオルニチン，ジエチレントリアミン，テトラエチレンペンタミン，ペンタエチレンヘキサミンまたはポリジアリルアミンである請求項１～３および５～９のいずれか１項に記載のエッチング液。」 に訂正する（請求項１１の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項１２も同様に訂正する）。 サ　訂正事項１１ 特許請求の範囲の請求項１２に 「前記含フッ素化合物が，フッ化水素酸，フッ化アンモニウム，フッ化テトラメチルアンモニウム，テトラフルオロホウ酸，ヘキサフルオロリン酸，ヘキサフルオロケイ酸，テトラフルオロホウ酸アンモニウム，ヘキサフルオロリン酸アンモニウムおよびヘキサフルオロケイ酸アンモニウムからなる群より選ばれる請求項１～１１のいずれか１項に記載のエッチング液。」 とあるのを， 「前記含フッ素化合物が，フッ化水素酸，フッ化アンモニウム，フッ化テトラメチルアンモニウム，テトラフルオロホウ酸，ヘキサフルオロリン酸，ヘキサフルオロケイ酸，テトラフルオロホウ酸アンモニウム，ヘキサフルオロリン酸アンモニウムおよびヘキサフルオロケイ酸アンモニウムからなる群より選ばれる請求項１～３，５～９および１１のいずれか１項に記載のエッチング液。」 に訂正する。 シ　訂正事項１２ 特許請求の範囲の請求項１３を削除する。 ス　訂正事項１３ 特許請求の範囲の請求項１６に 「請求項１～１３のいずれか１項に記載のエッチング液を，チタン含有層およびシリコン含有層に接触させて該チタン含有層およびシリコン含有層の除去を行うエッチング方法。」 とあるのを， 「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液を，チタン含有層およびシリコン含有層に接触させて該チタン含有層およびシリコン含有層の除去を行うエッチング方法であって， 該エッチング液は，硝酸，含フッ素化合物，ならびに，窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂを含有し， 前記含窒素有機化合物Ａが，下記式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または下記式ｂで表される化合物であり， 【化６】 Ｒａは，水素原子，アルキル基，アルケニル基，アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒｂは，アルキル基，アルケニル基またはアリール基を表す。Ｌａは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｌｂは，単結合，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｒｃは，水素原子またはアルキル基を表す。ｎは０以上の整数を表す。ｎの上限は各環状構造部の置換可能数である。環Ｑ１～Ｑ３は含窒素複素環を表す。式中＊は，結合位置を示す。 Ｒｃ２Ｎ－［Ｌｄ－Ｎ（Ｒｃ）］ｍ－Ｌｄ－ＮＲｃ２　　　・・・　ｂ 式中，Ｒｃは，上記と同様である。ｍは０以上の整数を表す。Ｌｄは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。複数のＲｃ，Ｌｄは，互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のＲｃ，Ｌｄは互いに結合して環を形成していてもよい。 上記エッチング液の全質量に対し，上記硝酸の濃度が３０質量％～８０質量％，上記フッ素化合物の濃度が０．０１質量％～２質量％であり， 前記シリコン含有層が多結晶シリコンを含有する層またはアモルファスシリコンを含有する層である，エッチング方法。」 に訂正する（請求項１６の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項１８～２２も同様に訂正する）。 セ　訂正事項１４ 特許請求の範囲の請求項１７を削除する。 ソ　訂正事項１５ 特許請求の範囲の請求項１８に 「前記チタン含有層が窒化チタンを含有する層である請求項１６または１７に記載のエッチング方法。」 とあるのを， 「前記チタン含有層が窒化チタンを含有する層である請求項１６に記載のエッチング方法。」 に訂正する（請求項１８の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項１９～２２も同様に訂正する）。 タ　訂正事項１６ 特許請求の範囲の請求項１９に 「前記チタン含有層のエッチング速度で前記シリコン含有層のエッチング速度を除した比率を，１０００～０．１の範囲で調整する請求項１６～１８のいずれか１項に記載のエッチング方法。」 とあるのを， 「前記チタン含有層のエッチング速度で前記シリコン含有層のエッチング速度を除した比率を，１０００～０．１の範囲で調整する請求項１６または１８に記載のエッチング方法。」 に訂正する（請求項１９の記載を直接的に又は間接的に引用する請求項２０～２２も同様に訂正する）。 チ　訂正事項１７ 特許請求の範囲の請求項２１に 「請求項１６～２０のいずれか１項に記載のエッチング方法によりチタン含有層およびシリコン含有層を除去する工程を介して製造する半導体基板の製造方法。」 とあるのを， 「請求項１６および１８～２０のいずれか１項に記載のエッチング方法によりチタン含有層およびシリコン含有層を除去する工程を介して製造する半導体基板の製造方法。」 に訂正する（請求項２１の記載を引用する請求項２２も同様に訂正する）。 ツ　訂正事項１８ 特許請求の範囲の請求項１４に 「エッチング液が，チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ，硝酸を含有する第１液と，含フッ素化合物，および，窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂを含有する第２液とを組み合わせたエッチング液のキット。」 と記載されているのを， 「エッチング液を調液するためのエッチング液のキットであって， 該エッチング液が，チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するために用いられ， 該キットは，硝酸を含有する第１液と，含フッ素化合物，および，窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂを含有する第２液とを組み合わせてなり， 前記含窒素有機化合物Ａが，下記式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く。）または下記式ｂで表される化合物であり， 【化４】 Ｒａは，水素原子，アルキル基，アルケニル基，アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒｂは，アルキル基，アルケニル基またはアリール基を表す。Ｌａは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｌｂは，単結合，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｒｃは，水素原子またはアルキル基を表す。ｎは０以上の整数を表す。ｎの上限は各環状構造部の置換可能数である。環Ｑ１～Ｑ３は含窒素複素環を表す。式中＊は，結合位置を示す。 Ｒｃ２Ｎ－［Ｌｄ－Ｎ（Ｒｃ）］ｍ－Ｌｄ－ＮＲｃ２　　　・・・　ｂ 式中，Ｒｃは，上記と同様である。ｍは０以上の整数を表す。Ｌｄは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。複数のＲｃ，Ｌｄは，互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のＲｃ，Ｌｄは互いに結合して環を形成していてもよい。 上記エッチング液の全質量に対し，上記硝酸の濃度が３０質量％～８０質量％，上記フッ素化合物の濃度が０．０１質量％～２質量％である，エッチング液のキット。」 に訂正する。 テ　訂正事項１９ 特許請求の範囲の請求項１５に 「エッチング液が，チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ，硝酸，含フッ素化合物および窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有し，上記硝酸の濃度が５０質量％～９５質量％であって， 硝酸を含有する第１液と，含フッ素化合物および窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有する第２液とを組み合わせたエッチング液のキット。」 と記載されているのを， 「エッチング液を調液するためのエッチング液のキットであって， 該エッチング液が，チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するために用いられ， 該エッチング液は，硝酸，含フッ素化合物および窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有し，上記硝酸の濃度が５０質量％～８０質量％，上記フッ素化合物の濃度が０．０１質量％～２質量％であり， 前記キットは，前記硝酸を含有する第１液と，前記含フッ素化合物および前記窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有する第２液とを組み合わせてなり， 前記含窒素有機化合物Ａが，下記式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または下記式ｂで表される化合物である，エッチング液のキット。 【化５】 Ｒａは，水素原子，アルキル基，アルケニル基，アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒｂは，アルキル基，アルケニル基またはアリール基を表す。Ｌａは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｌｂは，単結合，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。Ｒｃは，水素原子またはアルキル基を表す。ｎは０以上の整数を表す。ｎの上限は各環状構造部の置換可能数である。環Ｑ１～Ｑ３は含窒素複素環を表す。式中＊は，結合位置を示す。 Ｒｃ２Ｎ－［Ｌｄ－Ｎ（Ｒｃ）］ｍ－Ｌｄ－ＮＲｃ２　　　・・・　ｂ 式中，Ｒｃは，上記と同様である。ｍは０以上の整数を表す。Ｌｄは，アルキレン基，カルボニル基，イミノ基，アリーレン基，ヘテロ環基，またはそれらの組合せを表す。複数のＲｃ，Ｌｄは，互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のＲｃ，Ｌｄは互いに結合して環を形成していてもよい。」 に訂正する。 （２）訂正の目的の適否，一群の請求項，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 ア　上記訂正事項１は，明細書の記載に基づいて導き出される構成である。 すなわち，（ｉ）エッチング液が「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するための」ものであると特定することで，エッチング液の用途（エッチングの対象）を限定する訂正は，段落［０００４］の「そこで，本発明は，エッチング後の表面荒れを抑えつつ，チタン含有層とシリコン含有層とをともに適度に（好ましくは高い選択性で）除去することができるエッチング液およびそのキット，これらを用いたエッチング方法，半導体基板製品および半導体素子の製造方法の提供を目的とする。」との記載，並びに，段落［００７６］，［００７７］，［００８０］，［００８３］，［００８６］，［００８８］，［００９０］等において，訂正後の請求項１で規定する組成のエッチング液を用いて，チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去したことが記載されていることに基づくものである。 また，（ｉｉ）エッチング液が含有する「含窒素有機化合物Ａ」を，「式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く。）または下記式ｂで表される化合物」であることに特定することで，含窒素有機化合物Ａの構造を限定する訂正は，訂正前の請求項１０の発明特定事項を請求項１に組み込むものであり，「窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａが式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または式ｂで表される化合物」であることは，段落［００１４］～［００２２］に記載されており，さらに，「式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物」から「ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除」くことは，取消理由通知において引用した甲第１号証（米国特許出願公開第２０１０／００３５４３６号明細書）に記載された発明との重なりのみを除くものである。 そして，エッチング液の「硝酸」及び「含フッ素化合物」の，それぞれの濃度を限定する訂正は，エッチング液の全質量に対し，硝酸の濃度を３０質量％～８０質量％とすることは，段落［０００９］の「硝酸は，本実施形態のエッチング液の全質量に対して，・・・（中略）・・・，３０質量％以上含有させることが特に好ましい。上限としては・・・（中略）・・・，８０質量％以下がさらに好ましく，」との記載に基づくものであり，また，含フッ素化合物の濃度を０，０１質量％～２質量％とすることは，段落［００１０］の「含フッ素化合物の濃度は，本実施形態のエッチング液の全質量に対して，・・・（中略）・・・０．０１質量％以上がより好ましく，・・・。（中略）・・・。上限としては・・・（中略）・・・，２質量％以下がさらに好ましい。」との記載に基づくものである。 したがって，上記訂正事項１の訂正は，明細書に記載された事項の範囲内において，エッチング液の用途（エッチングの対象），含窒素有機化合物Ａの構造，硝酸及び含フッ素化合物のそれぞれの濃度を限定したものといえる。 すなわち，訂正事項１の訂正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって，新規事項の追加に該当せず，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 イ　訂正事項２，５～８，１０，１１，１５～１７の訂正は，明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であって，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。 ウ　訂正事項３，９，１２，１４の訂正は，請求項を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって，新規事項の追加に該当せず，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 エ　訂正事項４，１８，１９の訂正は，上記アと同様の理由により，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって，新規事項の追加に該当せず，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 オ　訂正事項１３の訂正は，他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするとともに，上記アと同様の理由により，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって，新規事項の追加に該当せず，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 カ　そして，これら訂正は，一群の請求項〔１ないし１３，１６ないし２２〕並びに請求項１４及び１５に対して請求されたものである。 （３）小括 以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号，第３号及び第５号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正後の請求項〔１ないし１３，１７〕，〔１６，１８ないし２２〕及び請求項１４，１５について訂正を認める。 ３．特許異議の申立てについて （１）本件発明 本件訂正請求により訂正された訂正請求項１ないし３，５ないし９，１１，１２，１４ないし１６，１８ないし２２に係る発明（以下「本件発明１ないし３，５ないし９，１１，１２，１４ないし１６，１８ないし２２」という。）は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１ないし３，５ないし９，１１，１２，１４ないし１６，１８ないし２２に記載された事項により特定されるとおりのものである。 （２）取消理由の概要 訂正前の請求項１ないし２２に係る特許に対して平成２９年１２月１日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は，次のとおりである。 ア　請求項１，３，４，６～１０，１２～１６，１８～１９，２１，２２に係る発明は，甲第１号証に記載された発明であって，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないから，その発明に係る特許は取り消すべきものである。 イ　請求項１～２２に係る特許は，明細書又は特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，取り消されるべきものである。 （３）甲号証の記載 甲第１号証（米国特許出願公開第２０１０／００３５４３６号明細書）の【００５１】【００５３】には，調製例３として，「硝酸」，「含フッ素化合物」である，フッ化水素酸，フッ化アンモニウム，「窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物」である，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマー，及び脱イオン水を含有する「エッチング液」が記載されており，【００６０】の表１の実施例３には，前記調整例３で得られたエッチング液が，窒化物層である「Silicon nitride layer」（窒化シリコン層）に対して，４０Å／ｍｉｎのエッチング速度を，また，「シリコン含有層」である酸化シリコン層（ＢＰＳＧ層，ＴＥＯＳ層）に対して，６１４６．１Å／ｍｉｎ（エッチング選択比１５３．７），７４０４Å／ｍｉｎ（エッチング選択比１８０．１）のエッチング速度を有することが示されている。 そして，甲第１号証【００４６】の「窒化物層は，例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）層及び／又は窒化チタン（ＴｉＮ）層を含むことができる。」との記載に照らして，前記調整例３で得られたエッチング液は，「チタン含有層」である窒化チタン（ＴｉＮ）層に対しても，酸化シリコン層に対するエッチング速度に比べては小さいものの，ゼロではない特定のエッチング速度を有するものと理解され，このような理解は技術常識にも沿うものといえる。 そして，請求項１に係る発明の「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ」という発明特定事項は，請求項１に係る発明の「エッチング液」の物性（性質）を特定するものであって，「窒化チタン層」及び「シリコン含有層」に対するエッチング速度がゼロでない限り，時間をかけることで，これらの層を除去することができるものといえる。（少なくとも，本件特許の請求項１９に係る発明に照らして，「シリコン含有層」に対するエッチング速度に対して，「窒化チタン層」に対するエッチング速度が，１／１０００程度あれば，請求項１に係る発明の「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ」という発明特定事項を満たしているといえることは明らかである。） 以上の記載によれば，甲第１号証には以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ，硝酸，含フッ素化合物，ならびに，窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有するエッチング液。」 （４）判断 ア　取消理由通知に記載した取消理由について （ア）特許法第２９条第１項第３号について （ｉ）本件発明１について 本件発明１と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く）または請求項１の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂ， エッチング液の全質量に対し，３０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 したがって，本件発明１は，甲第１号証に記載された発明ではない。 （ii）本件発明５について 本件発明５と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項５の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または請求項５の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａ， エッチング液の全質量に対し，５０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 したがって，本件発明５は，甲第１号証に記載された発明ではない。 （iii）本件発明１４について 本件発明１４と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１４の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く）または請求項１４の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂ， エッチング液の全質量に対し，３０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 したがって，本件発明１４は，甲第１号証に記載された発明ではない。 （iv）本件発明１５について 本件発明１５と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１５の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または請求項５の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａ， エッチング液の全質量に対し，５０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 したがって，本件発明１５は，甲第１号証に記載された発明ではない。 （Ｖ）本件発明１６について 本件発明１６と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１６の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く）または請求項１６の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂ， エッチング液の全質量に対し，３０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 したがって，本件発明１６は，甲第１号証に記載された発明ではない。 （vi）本件発明２～３，６～９，１１，１２，１８～２２について 本件発明２～３，６～９，１１，１２，１８～２２は，請求項１，５，１６を直接的に又は間接的に引用する発明であるから，上記（ｉ），（ii），（Ｖ）と同様の理由により，本件発明２～３，６～９，１１，１２，１８～２２は，甲第１号証に記載された発明ではない。 （イ）特許法第３６条第６項第１号について （ｉ）「含窒素有機化合物Ａ」について 当審では，「含窒素有機化合物Ａ」が，「窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する」という技術的特徴を有するものであれば，例えば，生体内に無数に存在するタンパク質，ナイロンなどの合成繊維，アクリル繊維の主成分であるポリアクリルニトリルなどであっても，本件明細書に記載された作用機序によって，本件発明の課題を解決し得るとは理解することができないとの取消理由を通知しているが，平成３０年１月３０日付けの訂正において，「含窒素有機化合物Ａ」が，特定の式で表される化合物であると訂正された結果，この取消理由は解消した。 （ii）「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ」について 当審では，エッチングの用途（エッチングの対象）が特定されていない本件特許発明は，発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えているとの取消理由を通知しているが，平成３０年１月３０日付けの訂正において，「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」と訂正された結果，この取消理由は解消した。 （iii）「硝酸」及び「含フッ素化合物」の濃度について 当審では，「硝酸」及び「含フッ素化合物」の濃度の双方が適切に特定されていない各請求項に記載された発明は，発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えているとの取消理由を通知しているが，平成３０年１月３０日付けの訂正において，「硝酸」及び「含フッ素化合物」の濃度の双方を特定する訂正がされた結果，この取消理由は解消した。 イ　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について （ア）特許異議申立人　田中眞喜子　は，訂正前の特許請求の範囲に関し，特許異議申立書において， （ｉ）請求項１，３～１０，１２～２２に記載の発明は，甲第１号証に記載された発明と，甲第２，３号証に記載された技術から当業者が容易に想到し得たものであり， （ii）請求項１～１８，２１，２２に記載の発明は，甲第２号証に記載された発明であり，あるいは，甲第２号証に記載された発明と，甲第４，５号証に記載された技術から当業者が容易に想到し得たものであり， （iii）請求項１～９，１２～２２に記載の発明は，実施可能要件及び明確性要件に違反する。 したがって，本件特許は，特許法第２９条第２項，第３６条第４項第１号，第６項第２号の要件を満たさないと主張している。 （イ）甲号証の記載 （ｉ）甲第１号証には，「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ，硝酸，含フッ素化合物，ならびに，窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Ａを含有するエッチング液。」の発明（引用発明１）が記載されている。 （ii）甲第２号証には，「金属不純物を除去することができ，硝酸，フッ化水素酸，およびテトラエチレンペンタミンを含有する，シリコン含有基板から微量金属不純物を除去するための組成物。」（引用発明２Ａ）及び「金属不純物を除去することができ，硝酸，フッ化水素酸，およびニリン酸を含有する，シリコン含有基板から微量金属不純物を除去するための組成物。」（引用発明２Ｂ）の発明が記載されている。 （iii）甲第３号証には，高平坦化等の課題を解決するために，含フッ素化合物，硝酸，ポジアクリルアミド，ポジビニルピロリドンなどを含有する金属用研磨液を使用することが示唆されており，甲第４号証には，テトラエチレンペンタミンの分子量が１８９．３であると記載されており，甲第５号証には，ポリビニルピロリドンの構造およびその平均分子量（光散乱分析）が約８，０００～３，０００，０００であることが記載されており，甲第６号証には，エッチング液が，何をエッチングの対象とするものであるのかという点が何ら特定されていないから，サポート要件違反である旨が記載されている。 （ウ）判断 ＜甲第１号証を主引例とした，特許法第２９条第１項第３号及び第２項について＞ （ｉ）本件発明１について 本件発明１と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く）または請求項１の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂ， エッチング液の全質量に対し，３０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 さらに，甲第２号証ないし甲第６号証のいずれにも，前記構成を有する「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」が記載されていない。 そして，当該構成により，本件発明１は，エッチング後の表面荒れを抑えつつ，Ｔｉ含有層とシリコン含有層とを，ともに適度に（好ましくは高い選択性で）除去することができるという顕著な効果を奏するものであり，本件発明１は，甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ii）本件発明５について 本件発明５と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項５の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または請求項５の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａ， エッチング液の全質量に対し，５０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 さらに，甲第２号証ないし甲第６号証のいずれにも，前記構成を有する「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」が記載されていない。 そして，当該構成により，本件発明５は，エッチング後の表面荒れを抑えつつ，Ｔｉ含有層とシリコン含有層とを，ともに適度に（好ましくは高い選択性で）除去することができるという顕著な効果を奏するものであり，本件発明５は，甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （iii）本件発明１４について 本件発明１４と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１４の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く）または請求項１４の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂ， エッチング液の全質量に対し，３０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 さらに，甲第２号証ないし甲第６号証のいずれにも，前記構成を有する「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」が記載されていない。 そして，当該構成により，本件発明１４は，エッチング後の表面荒れを抑えつつ，Ｔｉ含有層とシリコン含有層とを，ともに適度に（好ましくは高い選択性で）除去することができるという顕著な効果を奏するものであり，本件発明１４は，甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （iv）本件発明１５について 本件発明１５と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１５の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または請求項５の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａ， エッチング液の全質量に対し，５０質量％～８０質量％の濃度の硝酸， 及び０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 さらに，甲第２号証ないし甲第６号証のいずれにも，前記構成を有する「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」が記載されていない。 そして，当該構成により，本件発明１５は，エッチング後の表面荒れを抑えつつ，Ｔｉ含有層とシリコン含有層とを，ともに適度に（好ましくは高い選択性で）除去することができるという顕著な効果を奏するものであり，本件発明１５は，甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （Ｖ）本件発明１６について 本件発明１６と引用発明１とを対比すると，引用発明１のエッチング液は， 請求項１６の式ａ－１～ａ－８のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物（但し，ポリアクリルアミド／アクリル酸コポリマーを除く）または請求項１６の式ｂで表される化合物である窒素有機化合物Ａまたはホスホン酸，１－ヒドロキシエタン－１，１－ビス（ホスホン酸）および二リン酸から選択されるリン含有化合物Ｂ， エッチング液の全質量に対し，３０質量％～８０質量％の濃度の硝酸，及び ０．０１質量％～２質量％の濃度のフッ素化合物 を含有するという構成を有していない。 さらに，甲第２号証ないし甲第６号証のいずれにも，前記構成を有する「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」が記載されていない。 そして，当該構成により，本件発明１６は，エッチング後の表面荒れを抑えつつ，Ｔｉ含有層とシリコン含有層とを，ともに適度に（好ましくは高い選択性で）除去することができるという顕著な効果を奏するものであり，本件発明１６は，甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （vi）本件発明２～３，６～９，１１，１２，１８～２２について 本件発明２～３，６～９，１１，１２，１８～２２は，請求項１，５，１６を直接的に又は間接的に引用する発明であるから，上記（ｉ），（ii），（Ｖ）と同様の理由により，本件発明２～３，６～９，１１，１２，１８～２２は，甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ＜甲第２号証を主引例とした，特許法第２９条第１項第３号及び第２項について＞ 引用発明２Ａ及び引用発明２Ｂは，いずれも，「シリコン含有基板から微量金属不純物を除去するための組成物」に係る発明であって，「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」ではないから，本件発明１～３，５～９，１１，１２，１４～１６，１８，２１，２２は，甲第２号証に記載された発明ではない。 また，甲第１号証及び甲第３ないし６号証の記載を参酌しても，引用発明２Ａ及び引用発明２Ｂに係る「シリコン含有基板から微量金属不純物を除去するための組成物」に係る発明を，「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」として用いる動機を見いだすことはできない。 そして，本件発明１～３，５～９，１１，１２，１４～１６，１８，２１，２２は，エッチング後の表面荒れを抑えつつ，Ｔｉ含有層とシリコン含有層とを，ともに適度に（好ましくは高い選択性で）除去することができるという顕著な効果を奏するものであり，本件発明１～３，５～９，１１，１２，１４～１６，１８，２１，２２は，引用発明２Ａあるいは引用発明２Ｂ及び甲第１号証及び甲第３ないし６号証の記載から当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ＜第３６条第４項第１号，第６項第２号について＞ 平成３０年１月３０日付けの訂正において，「含窒素有機化合物Ａ」が，特定の式で表される化合物に特定され，「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができ」が，「チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去するためのエッチング液」に訂正され，「硝酸」及び「含フッ素化合物」の濃度の双方が特定された結果，この異議申立理由は解消した。 ＜小括＞ 以上のとおりであるから，異議申立理由のうち，取消理由通知において採用しなかった主張は理由がない。 ４．むすび 以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件請求項１ないし３，５ないし９，１１，１２，１４ないし１６，１８ないし２２に係る特許を取り消すことはできない。 また，他に本件請求項１ないし３，５ないし９，１１，１２，１４ないし１６，１８ないし２２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 請求項４，１０，１３及び１７に係る特許は，訂正により，削除されたため，本件特許の請求項４，１０，１３及び１７に対して，特許異議申立人　田中眞喜子　がした特許異議の申立てについては，対象となる請求項が存在しない。 よって，結論のとおり決定する。