2016-005688

特願２０１１－２５７４３７「トランジスタの製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月１０日出願公開、特開２０１３－１１５０９８〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２３年１１月２５日の出願であって、平成２６年１０月２３日付で審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２７年１０月１６日付で拒絶理由が通知され、同年１１月１７日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、平成２８年１月１２日付で拒絶査定がなされたものである。 これに対して、平成２８年４月１８日付けで審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、当審において平成２９年１月２４日付で拒絶理由が通知され、同年３月２９日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。 第２　本願発明 本願の請求項１に係る発明は、平成２９年３月２９日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。 「ゲート電極を形成する工程と、 絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に、フォトリソグラフィー法を用いてエッチングストッパ層を形成する工程と、 前記エッチングストッパ層上および前記半導体層上にコンタクト材料膜を形成する工程と、 前記コンタクト材料膜上に、平面視において、前記コンタクト材料膜の面形状を全て覆う一対のソース・ドレイン電極を形成する工程と、 前記コンタクト材料膜をエッチングすることにより、前記エッチングストッパ層上において対向し、それぞれが前記エッチングストッパ層の上面から前記半導体層の上面まで連続して、または一部が分断されて設けられた一対のコンタクト層を形成するとともに、各コンタクト層を介して前記一対のソース・ドレイン電極を前記半導体層に電気的に接続する工程と を含み、 平面視における前記エッチングストッパ層の形成領域以外の領域では、 前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とが一致し、 前記一対のソース・ドレイン電極は、前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とを覆って、かつ前記絶縁層に接して形成されている トランジスタの製造方法。」 第３　当審の拒絶理由の概要 当審において平成２９年１月２４日付で通知した拒絶理由（以下、「当審の拒絶の理由」という。）のうち特許法第２９条第２項に関する拒絶理由（理由Ｂ）の概要は以下のとおりである。 「Ｂ．この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 ＜引用文献等一覧＞ 引用例１：特開２００５－３４６０４３号公報 引用例２：特開２００８－７７０７４号公報 引用例３：特開２０１１－７７５００号公報 引用例４：特開２０１１－１５９９０９号公報 請求項１，２，４，６，７，９，１０ 引用例：１－３ 備考 引用例１の「（実施の掲載４）」として記載された発明と、上記請求項に記載された発明は、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ［相違点１］ 上記請求項に記載された発明は「一対のソース・ドレイン電極」が、「平面視において、前記一対のコンタクト層の面形状を全て覆」っており、また、「平面視における前記エッチングストッパ層の形成領域以外の領域では、」「前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とを覆って、かつ前記絶縁層に接して形成されている」のに対して、引用例１の「（実施の掲載４）」として記載された発明は、どのような構成になっているのか不明である点。 上記相違点について検討する。 ［相違点１］について 引用例１図１２（Ｂ），図１４、および引用例２図９，図１０に記載されているように、平面視において、一対のソース・ドレイン電極が、一対のコンタクト層の面形状を全て覆い、また、一対のソース・ドレイン電極の分離された部分を除き、一対のコンタクト層の端面と半導体層の端面とを覆って、かつ絶縁層に接するようにすることは、公知の構成である。 そして、引用例１の「（実施の掲載４）」として記載された発明において、該公知技術を採用し、上記請求項に記載された発明と同様の構成とすることは、当業者が適宜為し得たことである。 なお、「コンタクト層」を「前記エッチングストッパ層の上面から前記半導体層の上面まで」「一部が分断されて設け」ることは、引用例３図４に記載されているように公知の技術であるから、引用例１の「（実施の掲載４）」として記載された発明において、該公知技術を採用することに格別の困難性は認められない。」 第４　当審の判断 １　引用例について （１）引用例１ ア　引用例１の記載について 当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００５－３４６０４３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。） （ア）「【０００１】 本発明は、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて形成した画素電極を有する表示装置その作製方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 従来、ガラス基板上の薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」ともいう。）に代表される半導体素子によって構成される所謂アクティブマトリクス駆動方式の表示パネルは、フォトマスクを使った露光工程（以下、フォトリソグラフィー工程と示す。）によりパターニングした後、各種薄膜をエッチングすることにより製造されている。 【０００３】 フォトリソグラフィー工程は、レジストを基板全面に塗布しプリベークを行った後、フォトマスクを介して紫外線等を照射し、現像によってレジストパターンを形成する。この後、該レジストパターンをマスクパターンとして膜パターンとなるべき部分に存在する薄膜（半導体材料、絶縁体材料、又は導電体材料で形成される膜）をエッチング除去して、半導体領域、電極、配線等の膜パターンを形成し、半導体素子を形成している。 【０００４】 また、成膜に要する原料のロスを低減するため、レジストをノズルから細径の線状に連続吐出できる装置を用いて、半導体ウェハ上に成膜を行う技術が特許文献１に記載されている。 【特許文献１】特開２０００－１８８２５１号公報 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 しかしながら、従来のフォトリソグラフィー工程を用いた膜パターンの形成工程において、スピンコート法を用いてマスクパターンの原料であるレジストを基板上に塗布するため、レジストの材料の大部分が無駄になると共に、マスクパターン形成するための工程数が多く、スループットが低下するという問題がある。 【０００６】 また、フォトリソグラフィー工程に用いられる露光装置は、大面積基板を一度に露光処理することが困難である。このため、大面積基板を用いた表示装置のアクティブマトリクス基板の作製方法においては、複数の露光回数を必要であり、隣り合うパターンとの不整合が生じることにより、歩留まりが低下するという問題がある。 【０００７】 本発明は、このような状況に鑑みなされたものであり、少ない工程数で、且つ歩留まり高く表示装置を作製する方法を提供する。」 （イ）「【００６６】 （実施の形態３） 本実施の形態では、表示装置のアクティブマトリクス基板の作製方法について図３を用いて説明する。本実施の形態では、画素駆動素子として、ボトムゲートのチャネルエッチ型ＴＦＴを用いて説明する。なお、実施の形態１を用いて第２の導電層３０１を形成するがこれに限定されず、実施の形態２を用いることができる。 ・・・　中　略　・・・ 【００８４】 第２の半導体膜３０５は導電性を有する。ｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、１５属の元素、代表的にはリンまたはヒ素を添加する。また、ｐチャネルＴＦＴを形成する場合には、１３属の元素、代表的にはボロンを添加する。第２の半導体膜は、珪化物気体にボロン、リン、ヒ素のような１３属又は１５属の元素を有する気体を加えたプラズマＣＶＤ法で成膜する。また、半導体膜を成膜したのち、１３属または１５属の元素を有する組成物を半導体膜上に塗布しレーザビームを照射して導電性を有する第２の半導体膜を形成することができる。レーザビームとしては、公知のパルス発振のレーザ又は連続発振のレーザから射出されるレーザビームを適宜用いる。 【００８５】 次に、第２の半導体膜３０５上に第３のマスクパターン３０６を形成する。第３のマスクパターンは、耐熱性高分子材料を用いて形成することが好ましく、芳香環又は複素環を主鎖にもち、脂肪族部分に少なくとも高極性のヘテロ原子基を含む高分子を液滴吐出により吐出して形成することが好ましい。そのような高分子物質の代表例としてはポリイミド又はポリベンゾイミダゾールなどが挙げられる。ポリイミドを用いる場合には、ポリイミドを含む組成物を、吐出口から第２の半導体膜３０５上に吐出し、２００℃で３０分焼成して形成することができる。」 （ウ）「【０１０２】 （実施の形態４） 本実施の形態では、表示装置のアクティブマトリクス基板の作製方法について図４を用いて説明する。本実施の形態では、画素駆動素子としてボトムゲートのチャネル保護型ＴＦＴを用いて説明する。なお、実施の形態１を用いて第２の導電層３０１を形成するがこれに限定されず、実施の形態２を用いることができる。 【０１０３】 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、実施の形態３と同様の工程により基板１００１上に画素電極として機能する第２の導電層３０１を形成する。この後、第２のマスクパターン１００４を除去する。 【０１０４】 次に、図４（Ｃ）に示すように、実施の形態３と同様に、基板１００１上にゲート電極として機能する第３の導電層３０２を形成した後、第２の導電層３０１及び第３の導電層３０２上にゲート絶縁膜として機能する第１の絶縁層３０３、第１の半導体膜３０４を形成する。次に、第１の半導体膜３０４上であって、且つ第３の導電層３０２に重畳する領域に保護膜４０１を形成する。保護膜４０１の形成方法及び材料は、実施の形態３に示す第３のマスクパターン３０６と同様のものを用いることができる。 【０１０５】 次に、第２の半導体膜（導電性を有する半導体膜）４０５を成膜する。なお、第２の半導体膜４０５は、実施の形態３の第２の半導体膜３０５と同様の材料及び作製方法により形成することができる。次に、第３のマスクパターン４０６を形成する。第３のマスクパターン４０６は、実施の形態３の第３のマスクパターン３０６と同様の材料及び形成方法に形成する。 【０１０６】 次に、第３のマスクパターンを用いて、図４（Ｄ）に示すように、第１の半導体膜および第２の半導体膜をエッチングし、第１の半導体領域４１１及び第２の半導体領域４１３を形成する。この後、第３のマスクパターンを除去する。次に、実施の形態３と同様に開口部３２１を形成する。 【０１０７】 次に、図４（Ｅ）に示すように、第１の半導体領域４１１及び開口部３２１上にソース電極及びドレイン電極として機能する第４の導電層４２２を、導電性材料を用いて形成する。次に、第４の導電層４２２をマスクとして、第１の半導体領域４１１の露出部をエッチングして分断してソース領域及びドレイン領域４１２を形成する。この工程により、保護膜４０１が露出される。 【０１０８】 なお、ソース領域及びドレイン領域の形成方法は、本実施の形態に限られず実施の形態３に示される第１の半導体領域の作製工程を用いても良い。また、本実施の形態のソース領域及びドレイン領域の形成工程を実施の形態３に適用しても良い。 【０１０９】 以上の工程により、表示装置のアクティブマトリクス基板を歩留まり高く作製することができる。」 イ　引用例１発明および引用例１記載事項について 上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。 「画素駆動素子として機能するボトムゲートのチャネル保護型ＴＦＴの作製方法であって、 基板１００１上にゲート電極として機能する第３の導電層３０２を形成し、 第３の導電層３０２上にゲート絶縁膜として機能する第１の絶縁層３０３、第１の半導体膜３０４を形成し、 第１の半導体膜３０４上であって、且つ第３の導電層３０２に重畳する領域に、液滴吐出により吐出して保護膜４０１を形成し、 第２の半導体膜（導電性を有する半導体膜）４０５を成膜し、 第３のマスクパターン４０６を形成し、 第３のマスクパターンを用いて、第１の半導体膜および第２の半導体膜をエッチングし、第１の半導体領域４１１及び第２の半導体領域４１３を形成し、 第３のマスクパターンを除去し、 第１の半導体領域４１１上にソース電極及びドレイン電極として機能する第４の導電層４２２を、導電性材料を用いて形成し、 第４の導電層４２２をマスクとして、第１の半導体領域４１１の露出部を保護膜４０１が露出するまでエッチングして分断してソース領域及びドレイン領域４１２を形成する、 ボトムゲートのチャネル保護型ＴＦＴの作製方法。」 また、上記（ア）の記載から、実質的に次の事項（以下、「引用例１記載事項」という。）が記載されているものと認められる。 「従来、アクティブマトリクス駆動方式の表示パネルは、フォトリソグラフィー工程によりパターニングした後、各種薄膜をエッチングすることにより製造されていたが、フォトリソグラフィー工程に用いられる露光装置では、大面積基板を一度に露光処理することが困難であることから、大面積基板を用いた表示装置のアクティブマトリクス基板の作製方法においては、複数の露光回数を必要であり、歩留まりが低下するという問題があり、このことを解決する為に、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて画素電極形成すること。」 （２）引用例２ ア　引用例２の記載について 当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００８－７７０７４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。 （ア）「【０００４】 本発明は、ＴＦＴ及びそれを用いる電子回路並びにＴＦＴによって形成される表示装置の製造工程においてフォトリソグラフィ工程の回数を削減し、製造工程を簡略化し、一辺が１メートルを越えるような大面積の基板にも、低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。」 （イ）「【００９１】 本発明の実施の形態について、図８乃至図１３を用いて説明する。より詳しくは、本発明を適用した、逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法について説明する。図８乃至図１２の（Ａ）は表示装置画素部の上面図であり、図８乃至図１２の（Ｂ）は、図８乃至図１２の（Ａ）における線Ａ－Ｃによる断面図、（Ｃ）は線Ｂ－Ｄによる断面図である。図１３（Ａ）（Ｂ）も表示装置の断面図である。」 （ウ）「【００９８】 次に、ゲート電極層１０３、１０４（１０４ａ、１０４ｂ）の上にゲート絶縁層１０５を形成する（図８（Ａ）乃至（Ｃ）参照。）。ゲート絶縁層１０５としては、珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。本実施の形態では、窒化珪素膜、酸化珪素膜の２層の積層を用いる。またそれらや、酸化窒化珪素膜の単層、３層以上からなる積層でも良い。好適には、緻密な膜質を有する窒化珪素膜を用いるとよい。また、液滴吐出法で形成される導電層に銀や銅などを用いる場合、その上にバリア膜として窒化珪素膜やＮｉＢ膜を形成すると、不純物の拡散を防ぎ、表面を平坦化する効果がある。なお、低い成膜温度でゲートリーク電流の少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。」 （エ）「【０１１０】 本実施の形態では、半導体層１０８、１０９及び一導電型を有する半導体層１１０、１１１として非晶質半導体層を形成する。本実施の形態では、一導電型を有する半導体膜として、ｎ型を付与する不純物元素であるリン（Ｐ）を含むｎ型を有する半導体膜を形成する。一導電型を有する半導体膜は、ソース領域及びドレイン領域として機能する。一導電型を有する半導体膜は必要に応じて形成すればよく、ｎ型を付与する不純物元素（Ｐ、Ａｓ）を有するｎ型を有する半導体膜やｐ型を付与する不純物元素（Ｂ）を有するｐ型を有する半導体膜を形成することができる。」 （オ）「【０１１４】 次にソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９を形成する。ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９は、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料等を用いることができる。また、透光性を有するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを組み合わせても良い。 【０１１５】 ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９は、スパッタリング法、ＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）、またはプラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いて形成し、マスク層を用いて加工して形成することができる。また、構成物が所望のパターンに転写、または描写できる方法、例えば各種印刷法（スクリーン（孔版）印刷、オフセット（平版）印刷、凸版印刷やグラビア（凹版）印刷など所望なパターンで形成される方法）、液滴吐出法、ディスペンサ法、選択的な塗布法なども用いることができる。」 （カ）「【０１１９】 ゲート絶縁層１０５に形成した開口１０７において、ソース電極層又はドレイン電極層１１７とゲート電極層１０４ａとを電気的に接続させる。ソース電極層又はドレイン電極層１１８の一部は容量素子を形成する。ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９を形成した後、半導体層１０８、１０９、一導電型を有する半導体層１１０、１１１を所望の形状に加工する。本実施の形態では、ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９をマスクとして、半導体層１０８、１０９、一導電型を有する半導体層１１０、１１１をエッチングにより加工し、半導体層１１４、１１５、一導電型を有する半導体層１２０ａ、１２０ｂ、１２１ａ、１２１ｂを形成する。 【０１２０】 以上の工程で逆スタガ型薄膜トランジスタであるトランジスタ１３９ａ、１３９ｂを作製する（図１０（Ａ）乃至（Ｃ）参照。）。」 （キ）図９（Ａ） （ク）図１０（Ａ） （ケ）図１０（Ｂ） （コ）図１０（Ｃ） イ　引用例２記載事項について 上記アには、一導電型を有する半導体層１１０、１１１は、ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９をマスクとしてエッチングされることが記載され、図９（Ａ）には、一導電型を有する半導体層１１０、１１１は、点線で囲まれた領域の中にあることが記載され、また、図１０（Ａ）では、図９（Ａ）の該点線で囲まれたトランジスタの領域に対応する領域にソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９が形成されることが記載され、加えて、図１０（Ｂ）および（Ｃ）には、一導電型を有する半導体層１１０、１１１をエッチングにより加工した一導電型を有する半導体層１２０ａ、１２０ｂ、１２１ａ、１２１ｂの上に、ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９が形成されていること、さらに、ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９は、半導体層１０８、１０９及び一導電型を有する半導体層１２０ａ、１２０ｂ、１２１ａ、１２１ｂの端面を覆い、かつゲート絶縁層１０５に接していることが記載されている。 そうすると、引用例２には、実質的に次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。 「ＴＦＴによって形成される表示装置の製造において、一導電型を有する半導体層１１０、１１１上に、平面視において、前記一導電型を有する半導体層１１０、１１１の面形状を全て覆う一対のソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９が形成され、ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９は、半導体層１０８、１０９及び一導電型を有する半導体層１２０ａ、１２０ｂ、１２１ａ、１２１ｂの端面を覆い、かつゲート絶縁層１０５に接していること。」 ２　対比・判断 （１）本願発明と引用例１発明とを対比する。 ア　引用例１発明の「基板１００１上にゲート電極として機能する第３の導電層３０２を形成」することは、本願発明の「ゲート電極を形成する工程」に相当する。 イ　引用例１発明の「第３の導電層３０２上にゲート絶縁膜として機能する第１の絶縁層３０３、第１の半導体膜３０４を形成」することは、本願発明の「絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層を形成する工程」に相当する。 ウ　引用例１発明の「第１の半導体膜３０４上であって、且つ第３の導電層３０２に重畳する領域に、液滴吐出により吐出して」形成される「保護膜４０１」は、「第４の導電層４２２をマスクとして、第１の半導体領域４１１の露出部を保護膜４０１が露出するまでエッチングして分断してソース領域及びドレイン領域４１２を形成する」から、エッチングストッパとして機能していると認められる。 そうすると、引用例１発明の「第１の半導体膜３０４上であって、且つ第３の導電層３０２に重畳する領域に、液滴吐出により吐出して保護膜４０１を形成」することは、本願発明の「前記半導体層上に、フォトリソグラフィー法を用いてエッチングストッパ層を形成する工程」と、「前記半導体層上に、」「エッチングストッパ層を形成する工程」である点で共通する。 エ　引用例１発明の「第２の半導体膜（導電性を有する半導体膜）４０５」は、「保護膜４０１」および「第１の半導体膜３０４」を形成した後に形成されているから、「保護膜４０１」および「第１の半導体膜３０４」の上に形成されており、また、「第２の半導体膜（導電性を有する半導体膜）４０５」は導電性を有しているからコンタクト層としての機能を有していると認められる。 そうすると、引用例１発明の「第２の半導体膜（導電性を有する半導体膜）４０５を成膜」することは、本願発明の「前記エッチングストッパ層上および前記半導体層上にコンタクト材料膜を形成する工程」に相当する。 オ　引用例１発明の「第１の半導体領域４１１上にソース電極及びドレイン電極として機能する第４の導電層４２２を、導電性材料を用いて形成」することと、本願発明の「前記コンタクト材料膜上に、平面視において、前記コンタクト材料膜の面形状を全て覆う一対のソース・ドレイン電極を形成する工程」は、「前記コンタクト材料膜上に、」「一対のソース・ドレイン電極を形成する工程」である点で共通する。 カ　引用例１発明の「第４の導電層４２２をマスクとして、第１の半導体領域４１１の露出部を保護膜４０１が露出するまでエッチングして分断してソース領域及びドレイン領域４１２を形成する」ことは、本願発明の「コンタクト材料膜」に相当する「第１の半導体領域４１１」をエッチングすることであると認められる。 さらに、引用例１発明は、本願発明の「エッチングストッパ層」に相当する「保護膜４０１」が露出するまでエッチングして「第１の半導体領域４１１」を分断してソース領域及びドレイン領域４１２を形成しているから、このことは、本願発明の「前記エッチングストッパ層上において対向し、それぞれが前記エッチングストッパ層の上面から前記半導体層の上面まで連続して、または一部が分断されて設けられた一対のコンタクト層を形成する」ことに相当する。 加えて、引用例１発明は、「第１の半導体領域４１１上にソース電極及びドレイン電極として機能する第４の導電層４２２を、導電性材料を用いて形成し」ているから、引用例１発明は「第１の半導体領域４１１の露出部を保護膜４０１が露出するまでエッチング」することにより、本願発明の「各コンタクト層を介して前記一対のソース・ドレイン電極を前記半導体層に電気的に接続する」ことと同様のことを行っていると認められる。 そうすると、引用例１発明は、本願発明の「前記コンタクト材料膜をエッチングすることにより、前記エッチングストッパ層上において対向し、それぞれが前記エッチングストッパ層の上面から前記半導体層の上面まで連続して、または一部が分断されて設けられた一対のコンタクト層を形成するとともに、各コンタクト層を介して前記一対のソース・ドレイン電極を前記半導体層に電気的に接続する工程」を有していると認められる。 キ　引用例１発明は、「第３のマスクパターン４０６を形成し、第３のマスクパターンを用いて、第１の半導体膜および第２の半導体膜をエッチングし、第１の半導体領域４１１及び第２の半導体領域４１３を形成し」、その後「第４の導電層４２２をマスクとして、第１の半導体領域４１１の露出部を保護膜４０１が露出するまでエッチングして分断してソース領域及びドレイン領域４１２を形成」ているから、本願発明の「半導体層」に相当する「第１の半導体領域４１１」の端面および本願発明の「コンタクト層」に相当する「第２の半導体領域４１３」の端面は、本願発明の「エッチングストッパ層」に相当する「保護膜４０１」が形成されている領域以外の領域では、平面視において一致していると認められる。 そうすると、引用例１発明は、本願発明の「平面視における前記エッチングストッパ層の形成領域以外の領域では、前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とが一致」する構成と、同様の構成を有していると認められる。 ク 引用例１発明の「画素駆動素子として機能するボトムゲートのチャネル保護型ＴＦＴの作製方法」は、本願発明の「トランジスタの製造方法」に相当する。 ケ　そうすると、本願発明と引用例１発明とは、以下（２）の点で一致し、また、以下（３）の点で相違する。 （２）一致点 「ゲート電極を形成する工程と、 絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に、エッチングストッパ層を形成する工程と、 前記エッチングストッパ層上および前記半導体層上にコンタクト材料膜を形成する工程と、 前記コンタクト材料膜上に、一対のソース・ドレイン電極を形成する工程と、 前記コンタクト材料膜をエッチングすることにより、前記エッチングストッパ層上において対向し、それぞれが前記エッチングストッパ層の上面から前記半導体層の上面まで連続して、または一部が分断されて設けられた一対のコンタクト層を形成するとともに、各コンタクト層を介して前記一対のソース・ドレイン電極を前記半導体層に電気的に接続する工程と を含み、 平面視における前記エッチングストッパ層の形成領域以外の領域では、 前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とが一致する、 トランジスタの製造方法。」 （３）相違点 ［相違点１］ 本願発明は、「フォトリソグラフィー法を用いてエッチングストッパ層を形成」しているのに対して、引用例１発明はフォトリソグラフィー法を用いていない点。 ［相違点２］ 本願発明は、「前記コンタクト材料膜上に、平面視において、前記コンタクト材料膜の面形状を全て覆う一対のソース・ドレイン電極を形成」しているのに対して、引用例１発明のソース・ドレイン電極は、平面視において、前記コンタクト材料膜の面形状を全て覆っているのか不明である点。 ［相違点３］ 本願発明は、「前記一対のソース・ドレイン電極は、前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とを覆って、かつ前記絶縁層に接して形成されている」のに対して、引用例１発明は、対応する構成がどのようになっているのか不明である点。 （４）以下、上記各相違点について検討する。 ア　［相違点１］について 引用例１発明において、「液滴吐出により吐出して保護膜４０１を形成」するのは、引用例１記載事項にあるように、従来用いられていた「フォトリソグラフィー工程」では、大面積基板を用いた表示装置のアクティブマトリクス基板の作製方法においては、歩留まりが低下するという問題があり、それを解決する為に液滴吐出法を採用しているのであるから、大面積基板でない、従来と同等の大きさの基板を用いた際に、「液滴吐出により吐出して保護膜４０１を形成」することに換えて、従来の手法である「フォトリソグラフィー工程」を用いて保護膜４０１を形成することは、当業者が適宜為し得たものであると認められる。 そして引用例１発明に示された「ボトムゲートのチャネル保護型ＴＦＴ」は、大面積基板にのみに用いられるものでないことから、引用例１発明の「ボトムゲートのチャネル保護型ＴＦＴ」を、従来用いられてきた大きさの基板に適用し、その際、「液滴吐出により吐出して保護膜４０１を形成」することに換えて、「フォトリソグラフィー工程」を用いて「保護膜４０１」を形成するようにすることは、当業者が容易に想到し得るものである。 イ　［相違点２］および［相違点３］について 引用例２記載事項（上記１（２）イ）にあるように、「一導電型を有する半導体層１１０、１１１上に、平面視において、前記一導電型を有する半導体層１１０、１１１の面形状を全て覆う一対のソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９が形成され、ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９は、半導体層１０８、１０９及び一導電型を有する半導体層１２０ａ、１２０ｂ、１２１ａ、１２１ｂの端面を覆い、かつゲート絶縁層１０５に接していること」は、公知の技術である。 そして、「一導電型を有する半導体層１１０、１１１」、「一対のソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９」および「ゲート絶縁層１０５」は、それぞれ本願発明の「コンタクト材料膜」、「一対のソース・ドレイン電極」および「絶縁層」に相当するから、本願発明の「前記コンタクト材料膜上に、平面視において、前記コンタクト材料膜の面形状を全て覆う一対のソース・ドレイン電極を形成」すること、および「前記一対のソース・ドレイン電極は、前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とを覆って、かつ前記絶縁層に接して形成」することは、公知の構成であると言える。 そうすると、上記１（１）イ及び上記１（２）イより、引用例１および引用例２は、いずれも表示装置に用いられるトランジスタに関する発明であるから、引用例１発明に該公知の構成を採用し、「前記コンタクト材料膜上に、平面視において、前記コンタクト材料膜の面形状を全て覆う一対のソース・ドレイン電極を形成」し、また、「前記一対のソース・ドレイン電極は、前記一対のコンタクト層の端面と前記半導体層の端面とを覆って、かつ前記絶縁層に接して形成」することは、当業者が容易に為し得たものである。 また、上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用例１発明及び引用例２に記載された公知技術から当業者にとって予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 （５）小括 したがって、本願発明は、引用例１発明および引用例２に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第５　むすび 以上のとおり、本願発明は、引用例１および２記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。