2016-001630

特願２０１４－１１８１８３「積層体、及びパワーモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１２月２１日出願公開、特開２０１５－２３１０４０〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １．手続の経緯 本願は、平成２６年６月６日の出願であって、平成２７年６月２９日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年９月７日付けで手続補正がなされたが、同年１０月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２８年２月４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。 ２．本願発明 本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２７年９月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 「【請求項１】 基材と、 銅の粉末と、鉄ニッケル合金、タングステン、及びモリブデンのいずれかからなる添加材の粉末とを混合した混合粉末からなり、前記基材の表面との間で塑性変形によるアンカー効果が生じているとともに、前記基材の表面と新生面同士による金属結合が生じており、該表面に密着して積層されてなり、前記添加材の体積含有率が０％より大きく２０％未満である複合材と、 を備えることを特徴とする積層体。」 ３．引用例 （１）原査定の拒絶の理由に引用された、特許４６４５４６４号号（以下、「引用文献１」という。）には、「電子部品の製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。下線は、当審で付与した。 ア．「【特許請求の範囲】【請求項１】 固相状態の金属粉末を圧縮ガスと共に、基材表面に吹き付けて、前記金属粉末から被膜を前記基材表面に形成する電子部材の製造方法であって、 前記圧縮ガスに、少なくとも酸素ガスを含むガスを用い、 前記金属粉末に、該金属粉末よりも硬質の硬質粉末をさらに混合した混合粉末を用い、 該混合粉末は、前記被膜中の硬質粉末からなる粒子の割合が１０～５０体積％となるように、前記硬質粉末を含むことを特徴とする電子部材の製造方法。」 イ．「【技術分野】【０００１】 固相状態の金属粉末をガス圧縮と共に基材表面に吹き付けて、前記金属粉末の組成を含む被膜を形成する電子部材の製造方法であって、特に、部材の熱伝導性及び電気伝導性を向上することができる電子部材の製造方法に関する。 【背景技術】【０００２】 従来から、車両のインバータなどに使用されるパワーモジュール９０は、図１２に示すように、様々な電子部品から構成されており、一般的には、シリコン素子からなるパワー素子９１と、ろう付け部９２を介してパワー素子９１を固定した窒化アルミニウムからなる絶縁基板９３と、アルミニウム合金からなるヒートシンク部材９４と、を主に備えている。そして、このようなパワーモジュール９０には、パワー素子９１から発熱した熱を絶縁基板９３を介してヒートシンク部材９４に伝達し放熱すると共に絶縁基板９３とヒートシンク部材９４との熱膨張さを緩和するために、銅－モリブデン（Ｃｕ－Ｍｏ）からなる緩衝部材９５がさらに配設されている。また、この緩衝部材９５を固定するために、絶縁基板９３と緩衝部材９５との間には、ろう付け部９６が設けられ、緩衝部材９５とヒートシンク部材９４との間には、シリコングリース９７が設けられている。 【０００３】 このように構成されたパワーモジュール９０は、特に緩衝部材９５を固定するシリコングリース９７の熱伝導性が高くないため、このシリコングリース９７はパワー素子９１の熱をヒートシンク部材９４に伝える障害となっている。このことを回避するには、ヒートシンク部材９４の表面に、直接的に溶射などにより緩衝部材９５を被膜として形成した部材（電子部材）を製造することが考えられる。 【０００４】 一方、近年コールドスプレー法と呼ばれる被膜形成法が提案されている。このコールドスプレー法は、被膜の材料の融点又は軟化温度よりも低い温度に加熱したガスを、先細末広がり（ラバル）ノズルにより流速を高め、このガス流れの中に被膜の材料となる粉末を投入して加速させ、固相状態のまま基材に高速で衝突させて被膜を形成する方法である。このようなコールドスプレー法の一例として、膨張性の高いヘリウムガス、又は窒素ガスを圧縮し、該圧縮したガスと共に粉末を固相状態のまま、基材の表面に吹き付けて、粉末の組成を含む被膜を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。 （中略） 【０００７】 また、特許文献１に記載の如きコールドスプレー法によれば、溶融を伴う溶射で形成された銅系被膜に比べて、酸化が抑制され熱伝導性が高いものである。しかし、このような方法により得られた被膜は、衝突時における粉末の変形により、該変形した粉末を堆積させた被膜であるので、この変形して堆積された粉末（粒子）同士は、完全な金属結合とはならず、粒子同士に粒界が観察される場合があった。このため粒子同士の結合をさらに高めるためには、基材に衝突する粉末の衝突エネルギを増加させる必要があり、結果として、粒子を衝突させるための圧縮ガスのガス圧力を高くする必要があった。 【０００８】 本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、衝突により変形して堆積された粉末同士の結合を高めると共に、熱膨張性を適度に維持しつつ部材そのものの熱伝導性及び電気伝導性をさらに向上させることができる電子部材の製造方法を提供することにある。」 ウ．「【００１３】 また、本発明に係る電子部材の製造方法は、前記基材表面の吹き付けを、前記金属粉末に、該金属粉末よりも硬質の硬質粉末をさらに含めた粉末により行うことがより好ましい。この硬質粉末をさらに含むことにより、すでに衝突して、堆積された粉末（粒子）の表面に形成される酸化膜に研磨作用を与えることができ、被膜中の酸化膜は低減されて金属粒子同士の金属結合の割合も増加し、熱伝導性及び電気伝導性を向上させることができる。また、この硬質粉末の材質及びその量を調整することにより、低熱膨張率の被膜を形成することも可能である。そして、この粉末は、金属粉末と硬質粉末とを予め混合した粉末をホッパーなどの容器に投入し、スプレーガンを用いてこの投入した混合粉末を基材の表面に吹き付けてもよく、より好ましくは、金属粉末と硬質粉末を別個の容器に投入して、それぞれの粉末の送り量を調整し、スプレーガン内でこれらの粉末を混合し、基材表面に吹き付ける。このように容器を別個にして吹きつけることにより、成膜中の被膜に介在する硬質粉末の割合を調整することができるばかりでなく、研磨材として硬質粉末のみを用いて基材表面にブラスト処理を行うことが好適にできる。 【００１４】 また、この硬質粉末は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上、硬度がＨｖ５００以上の粉末であることが好ましく、特に金属粉末と硬質粉末との好ましい組み合わせとしては、金属粉末は銅系材料からなる粉末であって、前記硬質粉末は、酸化アルミニウムの粉末、炭化ケイ素の粉末、又は、窒化アルミニウムの粉末、のいずれかの粉末からなることが好ましく、また、これらの組み合わせた硬質粉末であってもよい。 【００１５】 このような熱伝導率及び硬度を有した硬質粉末は汎用性があり、銅系の材料を被膜として形成する場合には、このような硬度を有する硬質粉末が、成膜時に生成される酸化銅膜を研磨して成膜中の被膜表面に酸化膜の少ない新生面を形成し、被膜中の酸化物の割合を減少させることができ、被膜中の銅系材料の金属結合の割合を増やすことが可能となる。この結果、たとえ、硬質粉末として酸化アルミニウムの粉末、炭化ケイ素の粉末、窒化アルミニウムの粉末などが、粒子として、被膜中に混在したとしても、これらの硬質粉末を用いないものに比べて、熱伝導率及び電気伝導率を高めることができる。また、この硬質粉末としては、例えば、安価なインバー合金や、モリブデン、タングステン、鋳鉄などの硬質の低熱膨張性の金属であってもよい。 （中略） 【００１７】 さらに好ましくは、前記粉末は、前記被膜中の硬質粉末からなる粒子の割合が１０～７０体積％となるように、前記硬質粉末を含んでいる。硬質粉末からなる粒子（硬質粒子）をこのような割合で被膜中に含むことにより、被膜の低熱膨張性を確保しつつ、熱伝導性及び電気伝導性を確保することができる。この被膜中の硬質粉末からなる粒子が１０体積％よりも小さい場合には、硬質粉末により成膜時の堆積された金属粉末表面の酸化膜を効果的に研磨することができず、被膜の熱伝導率及び電気伝導率はあまり向上することはない。さらに７０体積％よりも大きい場合には、硬質粒子の割合が大きいため金属粉末の結合を阻害してしまい被膜が形成されない。また、被膜中の硬質粒子を２０～５０体積％含有していることがさらに望ましい。この範囲の含有量であれば、適度な熱膨張率を確保しつつ、熱伝導性及び電気伝導性を向上させることができる。すなわち、硬質粉末が２０体積％よりも小さい場合には、硬質粒子による効果的な研磨作用を得ることができず、被膜の熱伝導率及び電気伝導率は低下してしまい、さらに、硬質粉末が、５０体積％より大きい場合には、被膜中に介在する硬質粒子も増加することにより、硬質粒子を構成する材料の熱伝導率の影響を受けるため被膜の熱伝導率及び電気伝導率は低下してしまう。 （中略） 【００２３】 このような被膜が形成されたヒートシンク部材は、ヒートシンク部材の表面に直接被膜を形成するので、熱伝導を阻害するシリコングリースを設ける必要がなく、発熱したパワー素子の熱をヒートシンク部材に好適に伝えることができる。 【００２４】 さらに、このようなパワーモジュールは、機器に高い信頼性が要求される車両用インバータに用いられることが好ましい。」 エ．「【００２７】 本発明を以下の実施例により説明する。 （実施例１） 酸素を含むガスとしてエア（大気）を圧縮し、粉末粒度５～５３μｍの銅からなる固相状態の金属粉末をこの圧縮したエア（圧縮ガス）と共に、大きさ３０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ５ｍｍのアルミニウム合金（ＪＩＳ規格：Ａ６０６３Ｓ－Ｔ１）からなるヒートシンク部材（基材）の表面に吹き付けて、銅粉末からなる被膜がヒートシンク部材の表面に形成された、電子部材を製作した。 【００２８】 具体的には、図１（ａ）に示すように、マスキング用の３０ｍｍ×２０ｍｍの開口部を有した鉄板１１を介して、ヒートシンク部材２１の上方に３０ｍｍの位置に吹き付け用のノズル１２を配置し、ホッパー１３に粉末粒度５～５３μｍの銅粉末を投入するとともに、この銅粉末を２０ｇ／ｍｉｎでノズル１２に供給した。一方、０．７ＭＰａに圧縮したエア（圧縮ガス）をノズル１２に導入すると共に、この圧縮ガスをノズル１２内のヒータ（図示せず）によって加熱し、この加熱したガスにこの銅粉末を供給し、ヒートシンク部材２１の表面において、エア温度４５０℃、飛行中の銅粉末の温度９０℃、ガス流速６５０ｍ／ｓｅｃ、銅粉末の速度３００ｍ／ｓｅｃとなるようにして、ヒートシンク部材に、固相状態の銅粉末を圧縮ガスと共に吹きつけた。そして、図１（ｂ）に示すように、パスピッチ１ｍｍにして、ノズル１２を所定速度（３ｍｍ／ｓｅｃ）で往復運動させて、ヒートシンク部材２１の表面に３．２ｍｍの被膜２２を形成し、この被膜表面を研磨し、被膜厚み３．０ｍｍを有する電子部材２０を製作した。そして、この電子部材２０を被膜２２の厚さ方向に切断し、被膜２０の断面を、光学顕微鏡観察を用いて観察した。この結果を図２（ａ）に示す。 【００２９】 （実施例２） 実施例１と同じヒートシンク部材２１を準備して、このヒートシンク部材２１の表面に被膜を形成した。実施例１と異なる点は、ホッパー１４に銅材料よりも硬い硬質粉末である炭化ケイ素の粉末（粉末粒度５－５３μｍ）を投入し、この被膜中に含まれる炭化ケイ素の粉末の割合が、２０体積％となるように、銅粉末と炭化ケイ素粉末とをノズル１２に供給した点である。そして、実施例１と同じ方法で電子部材を切断し被膜の断面を、光学顕微鏡観察を用いて観察した。この結果を図２（ｂ）に示す。 オ．「【００３１】 （結果１） 図２（ａ）～（ｃ）に示すように、実施例１の電子部材の被膜断面から、銅粉末が堆積して得られた粒界が一部確認でき、この被膜は、比較例１よりも粒界の金属結合が多かった。また、実施例２の電子部材の被膜断面には、粒界がほとんど無く、この被膜は実施例１よりも粒界の金属結合がかなり多かった。比較例１の電子部材の被膜断面には、その粒界は鮮明に確認され、その粒界の金属結合はほとんどなかった。 【００３２】 （考察１） 結果１の断面組織の観察結果から、実施例１の如くエアを圧縮ガスに用いた場合には、この圧縮ガスと共にヒートシンク部材２１の表面に衝突する粉末の衝突エネルギと、この衝突時に酸素ガスと銅粉末２２ａとの酸化発熱反応により発生する発熱エネルギとにより被膜が形成されたため、図２（ｄ）に示すように、これらの変形した粉末同士の界面には、やや厚い酸化膜２２ｃが形成されるものの、金属結合の割合は、図２（ｆ）に示す如き比較例１のものに比べて多くなったと考えられ、この結果、熱伝導性及び電気伝導性の高い被膜を形成することができると考えられる。 【００３３】 さらに実施例２の如く硬質粉末２２ｂを用いた場合には、図２（ｅ）に示すように、硬質粉末２２ｂが、衝突して堆積された粉末（粒子）の表面に形成される酸化膜２２ｃに研磨作用を与えることができるので、被膜中の酸化膜２２ｃは低減して粒子同士の金属結合の割合がさらに増加したと考えられる。」 ・上記アの記載事項によれば、引用文献１の請求項１には、金属粉末に、該金属粉末よりも硬質の硬質粉末をさらに混合した混合粉末を圧縮ガスと共に、基材表面に吹き付けて、混合粉末から被膜を基材表面に形成する電子部材の製造方法において、該混合粉末は、被膜中の硬質粉末からなる粒子の割合が１０～５０体積％となるように、硬質粉末を含むことを特徴とする電子部材の製造方法に係る発明が記載されている。 ・上記イの記載事項によれば、引用文献１は、パワー素子と、絶縁基板と、ヒートシンク部材とを主に備え、パワー素子から発熱した熱を絶縁基板を介してヒートシンク部材に伝達し放熱すると共に絶縁基板とヒートシンク部材との熱膨張さを緩和するために緩衝部材がさらに配設された、車両のインバータなどに使用されるパワーモジュールにおいて、緩衝部材とヒートシンク部材との間に設けられているシリコングリースの熱伝導性が高くないため、このシリコングリースがパワー素子の熱をヒートシンク部材に伝える障害となっていることを回避するため、ヒートシンク部材の表面に、直接的に緩衝部材を被膜として形成してなる電子部材の製造方法に関するものである。 ・上記イ、ウの記載事項によれば、コールドスプレー法により被膜を形成する際に、衝突により変形して堆積された粉末同士の結合を高めると共に、熱膨張性を適度に維持しつつ部材そのものの熱伝導性及び電気伝導性をさらに向上させることができる電子部材の製造方法を提供することを目的として、基材表面の吹き付けを、金属粉末に、該金属粉末よりも硬質の硬質粉末をさらに含めた粉末により行うことで（この硬質粉末をさらに含むことにより）、すでに衝突して、堆積された粉末（粒子）の表面に形成される酸化膜に研磨作用を与えることができ、被膜中の酸化膜は低減されて金属粒子同士の金属結合の割合も増加し、熱伝導性及び電気伝導性を向上させることができること、また、この硬質粉末の材質及びその量を調整することにより、低熱膨張率の被膜を形成することも可能であることが記載されている。 ・上記ウの記載事項によれば、銅系の材料を被膜として形成する場合には、硬質粉末が、成膜時に生成される酸化銅膜を研磨して成膜中の被膜表面に酸化膜の少ない新生面を形成し、被膜中の酸化物の割合を減少させることができ、被膜中の銅系材料の金属結合の割合を増やすことが可能となること、この硬質粉末としては、例えば、安価なインバー合金や、モリブデン、タングステン、鋳鉄などの硬質の低熱膨張性の金属であってもよいこと、さらに粉末は、被膜中の硬質粉末からなる粒子の割合が１０体積％以上５０体積％以下となるように、硬質粉末を含むことにより、被膜の低熱膨張性を確保しつつ、熱伝導性及び電気伝導性を確保することができることが記載されている。 ・上記エ、オの記載事項によれば、引用文献１の実施例として、銅からなる固相状態の金属粉末をこの圧縮したエアと共に、アルミニウム合金からなるヒートシンク部材（基材）の表面に吹き付けて、銅粉末からなる被膜がヒートシンク部材の表面に形成された電子部材（実施例１）と、実施例１と同じヒートシンク部材の表面に被膜を形成された電子部材において、第２のホッパーに銅材料よりも硬い硬質粉末である炭化ケイ素の粉末を投入し、この被膜中に含まれる炭化ケイ素の粉末の割合が、２０体積％となるように、第１ホッパーの銅粉末と第２ホッパーの炭化ケイ素粉末とを吹き付け用のノズルに供給してなる電子部材（実施例２）とを、被膜の厚さ方向に切断し、被膜の断面を光学顕微鏡観察を用いて観察すると、実施例２の電子部材の被膜断面には、粒界がほとんど無く、実施例２の被膜は実施例１よりも粒界の金属結合がかなり多いことが記載されている。 上記アないしオの記載事項によれば、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 「銅からなる固相状態の金属粉末に、該金属粉末よりも硬質の硬質粉末をさらに混合した混合粉末を圧縮したエアと共に、アルミニウム合金からなるヒートシンク部材（基材）の表面に吹き付けて、混合粉末から被膜をヒートシンク部材の表面に形成された電子部材において、硬質粉末として安価なインバー合金や、モリブデン、タングステンなどの硬質の低熱膨張性金属の粉末を投入し、被膜表面に酸化膜の少ない新生面を形成し、被膜中の銅系材料の金属結合の割合を増やすことが可能となり、この被膜中に含まれる硬質の金属粉末の割合が、１０体積％以上５０体積％以下である被膜を備えることを特徴とする電子部材。」 （２）原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００８－３００４５５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、「パワーモジュール」に関して図面とともに以下の記載がある。下線は、当審で付与した。 カ．「【００２１】 金属配線２３は、第１の材料であるＣｕによって構成されており、下敷き導電部材２８の下地となる配線部材である。そして、下敷き導電部材２８は、上記第１の材料（Ｃｕ）と、第１の材料よりも熱膨張係数の小さい第２の材料（Ｓｉ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金）など）を含んでおり、コールドスプレー法を用いて形成されている。後述するように、コールドスプレー法を用いて形成された下敷き導電部材２８は、比較的低温（数百℃）で形成される。また、コールドスプレー法を用いて形成された膜は、緻密であることが確認されている。そして、コールドスプレー法では、膜の堆積能率が大きく、製造コストも安価である。半導体チップ１１の厚みは、０．３ｍｍ～０．５ｍｍであり、下敷き導電部材の厚みは、約０．５ｍｍであり、半田層１４の厚みは約０．１ｍｍであり、金属配線２３の厚みは、約０．４ｍｍであり、絶縁樹脂層２６の厚みは約０．２ｍｍであり、ヒートシンク２１の平板部２１ａの厚みは約５ｍｍであり、フィン部２１ｂの縦方向の長さは約１５ｍｍであり、フィン部２１ｂのピッチは約１．５ｍｍであり、フィン部２１ｂの横方向の厚みは約１．５ｍｍである。 【００２２】 図３は、コールドスプレー法の概略を説明する断面図である。コールドスプレー装置６０Ａは、２つの原料供給管６８Ａ，６８Ｂから投入される２種類の材料（粒子）を混合するミキサー（ホッパー）６７と、圧縮空気を加熱するヒータ６２と、粒子を吹き付けるためのガン６３と、圧縮空気を供給する配管６４，６５とを備えている。そして、ガン６３から約５～３０ｍｍ程度離れた位置に、基板が設置されている。なお、圧縮空気に代えて、ヘリウム，窒素などの圧縮ガスを用いてもよい。 （中略） 【００２５】 本実施の形態によると、第１の材料（Ｃｕ）および第２の材料を含む下敷き導電部材２８の熱膨張係数は、第１の材料からなる金属配線２３と、半導体チップ１１との熱膨張係数の中間的な値になる。したがって、半導体チップ１１と金属配線２３との熱膨張係数差に起因する熱応力によって半田層１４のクラックの発生を抑制することができる。そして、部材間（金属配線２３－下敷き導電部材２８間、および、下敷き導電部材２８－半導体チップ１１間）の接合部の信頼性を高く維持することができる。 【００２６】 特に、下敷き導電部材２８の形成工程で、コールドスプレー法を採用することにより、比較的低温で下敷き導電部材を形成することができる。コールドスプレー法では、ヒータ６２で３００～４００℃に加熱された圧縮空気を用いるものの、空気の膨張によって急激に冷却されるので、ヒートシンク２１に衝突する際には、室温～１００℃の低温になっているからである。したがって、加工後に金属配線２３と下敷き導電部材２８との熱膨張係数差に起因する反りを小さく抑制することができる。そして、コールドスプレー法などの溶射法を用いて形成された膜は、緻密であることが確認されており、特に、コールドスプレー法では、膜の堆積能率が高く、製造コストも安価である。 また、複数の材料を複合化する場合、比重の差、融点の差、などが障害となって、不可能であったり、複合化できる範囲が限られる場合がほとんどである。それに対し、本実施の形態のごとく、溶射法を利用することにより、第１の材料および第２の材料を含む下敷き導電部材２８を、ほぼ任意の組成範囲で容易に形成することができる。」 キ．「【００２７】 また、本実施の形態では、図３に示すコールドスプレーを行う際に、初回のスイープの際には、原料供給管６８Ｂからの第２の材料の供給は少なく、下敷き導電部材２８の下端部における第２の材料の組成率は２０Vol％程度である。そして、２回目，３回目，…と、スイープ回数が進むにつれて、原料供給管６８Ｂから供給される第２の材料の割合が増加し、最終のスイープ時には、原料供給管６８Ａからの第２の材料の供給量が増えて、下敷き導電部材２８の上端部における第２の材料の組成率を６０Vol％程度にしている。 【００２８】 このような溶射方法により、金属配線２３に近いほど第１の材料の組成率が大きく、上方部材である半導体チップ１１に近いほど第２の材料の組成率が大きい下敷き導電部材２８の組成分布が実現する。このように、下敷き導電部材２８が、金属配線２３に近いほど第１の材料の組成率が大きく、上方部材である半導体チップ１１に近いほど第２の材料の組成率が大きい組成分布を有していることにより、下敷き導電部材２８と金属配線２３との界面における熱膨張係数差と、下敷き導電部材２８と半導体チップ１１との熱膨張係数差とを共に小さくできるので、より効果的に半田層１４に加わる熱応力を低減することができ、半田層１４のクラックの発生を確実に抑制することができる。また、金属配線２３から半導体チップ１１に至る部材間の接合の信頼性を高めることができる。 【００２９】 本実施の形態では、下敷き導電部材２８における第２の材料の平均組成率は、２０～７０％である。８０％以上の添加の場合、Ｃｕ粉末同士のネットワークが弱くなり、結合力が低下し、下敷き導電部材２８の強度が確保できなくなるおそれがある。電気的な導通を確保するためには、第２の材料の局部的な最大組成率が７０％以下であることが好ましい。なお、初回のスイープの際には、原料供給管６８Ｂからの第２の材料の供給をせずに、下敷き導電部材２８の下端部における第２の材料の組成率が０％であってもよい。ただし、下敷き導電部材２８全体における第２の材料の平均組成率を２０～７０％の範囲に収めるようにすることが好ましい。 【００３０】 なお、下敷き導電部材２８における組成分布が、必ずしも本実施の形態のようになっている必要はない。たとえば、Ｃｕと第２の材料との組成比が１：１の均一組成であっても、第２の材料の熱膨張係数がＣｕの熱膨張係数（１７ｐｐｍ／Ｋ）よりも小さければ、Ｃｕの熱膨張係数と、Ｓｉ，ＳｉＣ等の半導体チップ１１を構成する各材料の熱膨張係数（３～６ｐｐｍ／Ｋ）の間の値になって、半田層１４に加わる熱膨張係数差に起因する熱応力を緩和することができる。 【００３１】 第１の材料がＣｕまたはＣｕ合金で、第２の材料がＳｉ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金）などであることにより、以下のような顕著な効果を発揮することができる。 【００３２】 図７は、Ｃｕに第２の材料（Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金））を添加したときの、添加量(Vol％）に対する熱膨張係数の変化を示すグラフである。図７に示すように、第２の材料の添加量が増すほど、下敷き導電部材２８の熱膨張係数は小さくなる。そして、第２の材料の添加量が２０％以上である場合には、下敷き導電部材２８の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／Ｋ以下である。 【００３３】 図８は、Ｃｕに第２の材料（Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金））を添加したときの、添加量(Vol％）に対する熱伝導率の変化を示すグラフである。図８に示すように、第２の材料の添加量が増すほど、熱伝導率は小さくなるが、第２の材料の添加量が７０％以下であれば、熱伝導率は１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上と、十分大きな値が得られる。 なお、図９は、第１および第２の材料の各種特性を表にして示す図である。」 ３．対比 そこで、本願発明と引用発明とを対比する。 引用発明の「銅からなる固相状態の金属粉末」は、本願発明の「銅の粉末」に相当する。 引用発明の「硬質粉末」は、「インバー合金や、モリブデン、タングステンなどの金属粉末」で、銅からなる金属粉末に混合して「混合粉末」となるものであるから、本願発明の「鉄ニッケル合金、タングステン、及びモリブデンのいずれか」からなる「添加材の粉末」に相当し、銅の粉末と混合して「混合粉末」となる点でも共通する。 引用発明の「アルミニウム合金からなるヒートシンク部材（基材）」は、コールドスプレー法により混合粉末を圧縮したエアと共に、表面に吹き付けられるものであるから、本願発明の「基材」に相当する。 引用発明の「被膜」は、コールドスプレー法により混合粉末を圧縮したエアと共に、基材の表面に吹き付けて、基材表面に形成されるものであるから、本願発明の「複合材」に相当する。 引用発明の「被膜表面に酸化膜の少ない新生面を形成し、被膜中の銅系材料の金属結合の割合を増やすことが可能となり」は、本願発明の「基材の表面と新生面同士による金属結合が生じており」に相当する。 引用発明の「電子部材」は、基材と基材表面に形成された金属被膜とを備えるもので、それは本願発明における基材と基材表面に形成された複合材とを備えるものであるから、本願発明の「積層体」に相当する。 なお、引用発明は、被膜中に含まれる硬質粉末の割合が「１０体積％以上５０体積％以下」であるのに対し、本願発明では、複合材に含まれる添加材の体積含有率は、「０％より大きく２０％未満」である。 したがって、本願発明と引用発明とは、 「基材と、 銅の粉末と、鉄ニッケル合金、タングステン、及びモリブデンのいずれかからなる添加材の粉末とを混合した混合粉末からなり、基材の表面と新生面同士による金属結合が生じており、基材の表面に密着して積層されてなり、添加材の体積含有率が１０％以上２０％未満である複合材と、 を備える積層体。」 である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点１） 本願発明は、複合材について「基材の表面との間で塑性変形によるアンカー効果が生じている」旨、特定するのに対し、引用発明ではそのような特定はなされていない点。 （相違点２） 本願発明は、「添加材の体積含有率が０％より大きく２０％未満である」と特定するのに対し、引用発明では「添加材の体積含有率が１０体積％以上５０体積％以下である」とされている点。 ４．判断 上記相違点について検討する。 （相違点１について） コールドスプレー法は、材料の粉末を、ノズルから噴射し、固相状態のまま基材に衝突させることにより、基材の表面に被膜を形成する方法であり、基材及び被膜となる材料がともに金属である場合、金属材料の粉末が基材に衝突した際に粉末と基材との間で塑性変形が生じてアンカー効果が得られると共に、互いの酸化被膜が破壊されて新生面同士による金属結合が生じることで、密着強度の高い積層体を得ることができる方法である。 引用発明の被膜もコールドスプレー法により形成されているものであるから、引用発明の被膜は、基材の表面との間で塑性変形によるアンカー効果が生じ、基材の表面に金属結合が生じていることは明らかである。 したがって、（相違点１）は明示の記載の有無に過ぎず、引用発明においても同様の効果が生じているものであるから、実質的な相違点ではない。 （相違点２について） 上記カ及びキの記載事項によれば、引用文献２には、 「第１の材料（Ｃｕ）と、第１の材料よりも熱膨張係数の小さい第２の材料（Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金）など）を含んで、コールドスプレー法により、部材間に形成される下敷き導電部材２８（引用発明の被膜に相当）において（段落【００２１】）」、「コールドスプレーを行う際に、初回のスイープの際には、原料供給管からの第２の材料の供給は少なく、２回目，３回目，…と、スイープ回数が進むにつれて、原料供給管６８Ｂから供給される第２の材料の割合が増加し、最終のスイープ時には、原料供給管６８Ａからの第２の材料の供給量が増え（段落【００２７】）」、「下敷き導電部材２８が、金属配線２３に近いほど第１の材料の組成率が大きく、上方部材である半導体チップ１１に近いほど第２の材料の組成率が大きい組成分布を有していることにより、下敷き導電部材２８と金属配線２３との界面における熱膨張係数差と、下敷き導電部材２８と半導体チップ１１との熱膨張係数差とを共に小さくできる（段落【００２８】）」、「初回のスイープの際には、原料供給管６８Ｂからの第２の材料の供給をせずに、下敷き導電部材２８の下端部における第２の材料の組成率が０％であってもよい。ただし、下敷き導電部材２８全体における第２の材料の平均組成率を２０～７０％の範囲に収めるようにすることが好ましい（段落【００２９】）」ことが記載されている。 また、引用文献２の図７には、Ｃｕに第２の材料（Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金）など）を添加したときの、添加量(０～７０体積％）に対する熱膨張係数の変化を示すグラフが、図８には、Ｃｕに第２の材料（Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金）など）を添加したときの、添加量（０～７０体積％）に対する熱伝導率の変化を示すグラフが、それぞれ開示されている。 そうすると、引用文献２には、第１の材料（Ｃｕ）と第２の材料（Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ３２Ｎｉ５Ｃｏ（インバー合金）など）を含んで、コールドスプレー法により、基材表面に被膜を形成する際に、第２の材料の添加量（体積含有率）を０％から徐々に増加することで、基材と積層する他の材料層とにおいて、被膜と基材、被膜と他の材料層、との熱膨張係数差を共に小さくするという技術思想と、その際の選択すべき第２の材料の添加量（体積含有率）として、図７に添加量(０～７０体積％）に対する熱膨張係数の変化を示すグラフと、図８に添加量（０～７０体積％）に対する熱伝導率の変化を示すグラフが、ともに開示されている。 したがって、引用発明に、引用文献２の技術思想を適用して、積層される２つの材料層間の接合部の信頼性を向上するために、必要とされる熱膨張係数や熱伝導率に応じて、第２の材料の添加量（体積含有率）を０％より大きく２０％未満とすることは、望まれる特性に応じて当業者が適宜選択し得る設計的事項である。 なお、本願発明における「添加材の体積含有率が０％より大きく２０％未満である」技術的意義は、本願明細書の段落【００５２】ないし【００５４】の記載から、「（純銅に対する）導電率比（熱伝導率比）を緩衝層１１に好適な５０％以上とすること」及び「熱膨張率を緩衝層１１に好適な１３．０×１０－６／Ｋ以上１６．６×１０－６／Ｋ未満とすること」を満たすことであるが、引用文献２（図７及び図８参照）においても「添加材の体積含有率が０％より大きく２０％未満」の範囲において、「（純銅に対する）導電率比（熱伝導率比）を緩衝層１１に好適な５０％以上とすること」及び「熱膨張率を緩衝層１１に好適な１３．０×１０－６／Ｋ以上１６．６×１０－６／Ｋ未満とすること」を満たすことは明らかであるから、本願発明における添加材の体積含有率の限定に、格別の技術的意義は認められない。 そして、本願発明の作用効果も、引用文献１，２の技術事項から当業者が予測できる範囲のものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 ５．むすび 以上のとおり、本願発明は、引用文献１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。