2025-701089

特許第７６８２９９９号発明「基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置および方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６８２９９９号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７６８２９９９号の請求項１～３に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、２０２１年（令和３年）７月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０２０年８月１４日（ＥＰ）欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、令和７年５月１６日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２６日に特許掲載公報が発行されたものである。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和７年１１月２１日 ：特許異議申立人 麻生 陽一郎（以下、「申立人」という。）による特許異議の申立て 同年１２月２４日 ：申立人による上申書の提出 令和８年 ２月 ４日付け：取消理由通知書 同年 ４月２２日 ：特許権者による意見書の提出 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明３」といい、まとめて「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置であって、 上方ドームと下方ドームとの間のベースリングと、 前記層の堆積中の前記基板ウェーハのキャリアとしてのサセプタと、 プロセスガスを前記基板ウェーハの上面上を通すためのガス入口およびガス出口、送出ガスラインおよびガス供給ラインと、 スリットバルブトンネルおよびスリットバルブドアと、 前記サセプタおよび前記基板ウェーハを上昇させて回すための上昇および回転手段とを含み、 ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）で覆われており、 ステンレススチールの前記装置構成要素は、前記ベースリング、前記ガス入口、前記ガス出口、前記ガス供給ライン、蛇腹および円錐を含む前記送出ガスライン、前記スリットバルブトンネル、前記スリットバルブドア、ならびに、前記上昇および回転手段であり、 標準圧力下で前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されていることを特徴とする、装置。 【請求項２】 単一ウェーハリアクタとして構成されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。 【請求項３】 基板ウェーハ上に半導体材料のエピタキシャル層を堆積させるための方法であって、 前記基板ウェーハは、請求項１または請求項２に記載の装置において前記エピタキシャル層でコーティングされることを特徴とする、方法。」 第３ 取消理由及び申立理由の概要 １ 取消理由通知書に記載した取消理由の概要 本件特許に対して、令和８年２月４日付け取消理由通知書に記載した取消理由の概要は、次のとおりである。 取消理由１（明確性要件） 本件発明１～３は、「官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）」との構成が不明瞭であるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由の概要 特許異議申立書に記載した申立理由のうち、取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由の概要は、次のとおりである。 申立理由１（進歩性） 本件発明１～３は、甲第１号証（以下、申立人が提出した甲第１号証～甲第６号証を、それぞれ「甲１」～「甲６」という。）に記載された発明及び甲２～甲６に記載された周知技術に基いて、本件特許の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、又は、本件発明１～３は、甲２に記載された発明及び甲１、甲３～甲６に記載された周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。 申立理由２（明確性要件） 本件発明１～３は、「円錐を含む前記送出ガスライン」との構成が不明確であるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ３ 証拠一覧 甲１：特開２０１１－１８４７１９号公報 甲２：特開２００９－０４９０４７号公報 甲３：特開２０００－２６９１３７号公報 甲４：特表２０１１－５１７３６８号公報 甲５：特開２０１２－２３５０７４号公報 甲６：特開２００４－２４５２９９号公報 第４ 取消理由１（明確性要件）について １ 本件発明１ （１） 請求項１には、次の記載がある。 「ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）で覆われており、」 （２） 特許権者は、令和８年４月２２日に提出した意見書の第３頁第１９行～第４頁第１４行において、本件特許の願書に添付した明細書の記載及び意見書に添付した参考資料の記載を参照して、上記（１）の「官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）」とは、二酸化ケイ素に類似した非晶質（非結晶性）ケイ素－酸素ネットワークに基づくコーティングであって、二酸化ケイ素に類似した非晶質（非結晶性）ケイ素－酸素ネットワークを、成膜時に炭素を取り込むことで意図的に改質し、非晶質Si-O-C構造としたものを意味すると明確にした。 そうすると、上記（１）の記載は、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえない。 ２ 本件発明２、３について 請求項１を直接又は間接的に引用するものである本件発明２、３も、上記１と同様である。 ３ 取消理由１（明確性要件）についてのまとめ 以上のとおりであるから、取消理由１は解消した。 第５ 申立理由２（明確性要件）について １ 本件発明１について （１） 請求項１には、次の記載がある。 「ステンレススチールの前記装置構成要素は、・・・蛇腹および円錐を含む前記送出ガスライン・・・であり、」 （２） 上記（１）の「蛇腹および円錐を含む前記送出ガスライン」とは、「前記送出ガスライン」が、蛇腹状の部材と、円錐状の部材を含むことを意味するといえる。 また、円錐状の部材とは、その形状が円錐状の部材のことであり、明確に理解することができる。 そうすると、上記（１）の記載は、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえない。 ２ 本件発明２、３について 請求項１を直接又は間接的に引用するものである本件発明２、３も、上記１と同様である。 ３ 申立理由２（明確性要件）についてのまとめ 以上のとおりであるから、申立人の主張する特許異議の申立理由２は理由がない。 第６ 申立理由１（進歩性）について １ 甲号証の記載及び甲号証に記載された発明 （１） 甲１について ア 甲１の記載 甲１には、次の記載がある（下線は当審により付加。以下同じ。）。 「【請求項１】 金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面が耐食性のコーティング膜で覆われた耐食性部材であって、少なくとも、前記コーティング膜は３層以上の構造からなり、前記３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、前記最表層と最下層の間の中間層として、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層を含むものであることを特徴とする耐食性部材。 ・・・ 【請求項４】 少なくとも、チャンバーと、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内にガスを導入するガス導入管と、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタとを具備する気相成長装置であって、少なくとも、 該気相成長装置を構成する部材のうち、金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面は、３層以上の構造からなるコーティング膜で覆われ、該３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、前記最表層と最下層の間の中間層として、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層を含むものであることを特徴とする気相成長装置。 【請求項５】 前記金属製部材の表面の金属は、ステンレスであることを特徴とする請求項４に記載の気相成長装置。 ・・・ 【請求項７】 請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の気相成長装置を用いて、前記サセプタ上にウェーハを載置し、前記ガス導入管から反応性ガスを前記チャンバー内に導入し、該導入された反応性ガスを前記ガス排出管から排出しながら、前記ウェーハ上に気相成長を行うことを特徴とする気相成長方法。」 「【発明を実施するための形態】 【００２９】 以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 【００３０】 図１は、本発明の耐食性部材の実施態様の一例を示す部分断面図である。 図１に示すように、本発明の耐食性部材１５は、金属を含む材料からなる金属製部材１４の金属の表面が耐食性のコーティング膜１０で覆われた耐食性部材１５であって、少なくとも、コーティング膜１０は３層以上の構造からなり、３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層１１、１３で、最表層と最下層の間の中間層は、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層１２である。 【００３１】 最下層の緻密層１３は、ポリシラザンから生成されるガラス質の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の層であるため、堅く強固で緻密であり、ステンレス等の金属の表面との密着性が良く、耐食性も良い。しかしながら、緻密であるがゆえに単体で厚く形成すると熱応力等によるクラックを生じやすいため、緻密層１３上にアルコキシシランから生成される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の柔軟層１２を形成することで、クラックを防止できる。しかし、この柔軟層１２は多量の有機物を含むことから耐食性に欠けるため、さらに柔軟層１２上にポリシラザンから生成される最表層の緻密層１１を形成することで、柔軟層１２を緩衝層としてクラックが入りにくく、耐食性も高い３層以上の構造のコーティング膜１０となる。このようなコーティング膜１０により、金属製部材１４の耐食性を大きく向上させた本発明の耐食性部材１５となる。 【００３２】 このような、本発明の耐食性部材は、半導体製造プロセスに用いられる各種反応性ガスや腐食性ガス等、あるいは各種処理液に直接接触するか接触する可能性が大である部材として用いることができ、例えば、エッチング装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置、イオン注入装置等の各種装置のチャンバー等に用いることができる。 その他、ロードロックチャンバー、トランスファーチャンバー、プロセスチャンバーなどの内壁、搬送用ロボット、ゲートバルブ、ゲートバルブを構成するシャッター、ガス供給系もしくは排気系の配管、ガス供給系もしくは排気系で使用されるバルブ、レギュレータ、圧力センサー、マスフローコントローラー、フィルタ、逆止弁、マニフォールドなどを構成する金属製部材に本発明のコーティング膜をコーティングして本発明の耐食性部材とすることができる。また、腐食性ガス・液体保管用ボトルあるいはボンベについても、本発明を適用することにより顕著な腐食性改善効果を期待できる。 【００３３】 以下、特に本発明の耐食性部材を気相成長装置に用いた例として、本発明の気相成長装置について説明する。図２は、本発明の気相成長装置の実施態様の一例を示す概略図である。 【００３４】 図２に示す気相成長装置２４のチャンバー（反応容器）２６は、例えばＳＵＳからなるチャンバーベース２５と、チャンバーベース２５を上下から挟む透明石英部材２７、２８とから形成される。このチャンバー２６内には、チャンバーベース２５をカバーする不透明石英部材１６、２９と、ウェーハＷを上面で支持するサセプタ１７とを備えている。 【００３５】 このサセプタ１７はウェーハ回転機構１８に接続されており、気相成長中はサセプタ１７を回転させて、エピタキシャル層をウェーハＷ上に膜厚均一に気相成長させる。このウェーハ回転機構１８内部はＳＵＳが使われており、ウェーハ回転機構１８内部をパージするパージガス導入管１９が設けられている。 チャンバー２６には、チャンバー２６内に原料ガス及びキャリアガス（例えば、水素）を含む気相成長ガスをサセプタ１７の上側の領域に導入して、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管２０、２１が接続されている。 また、チャンバー２６のガス導入管２０、２１が接続された側の反対側には、チャンバー２６内からガスを排出するガス排出管２２、２３が接続されている。 【００３６】 そして、本発明の気相成長装置を構成する部材のうち、金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面は、３層以上の構造からなるコーティング膜で覆われ、３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、最表層と最下層の間の中間層は、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層である。 このコーティングされる金属製部材としては、ＨＣｌガス等の反応性ガスと接触する部材が好ましく、例えば、チャンバーベース２５、ガス導入管２０、２１、ガス排出管２２、２３等の反応性ガスに対して露出された面をコーティングすることが好ましい。 ・・・ 【００３８】 また、本発明の気相成長方法は、上記した本発明の気相成長装置を用いて、サセプタ上にウェーハを載置し、ガス導入管から反応性ガスをチャンバー内に導入し、導入された反応性ガスをガス排出管から排出しながら、ウェーハ上に気相成長を行う。 このような気相成長方法であれば、パーティクルの発生や、金属不純物汚染の無い気相成長を行うことができるため、高品質のエピタキシャルウェーハを作製することができる。 ・・・ 【００４５】 本発明のコーティング方法では、金属製部材の金属の表面上にポリシラザン溶液を塗布して熱処理することにより最下層の緻密層を形成し、当該緻密層上にアルコキシシラン溶液を塗布して熱処理することにより中間層の柔軟層を形成し、その後柔軟層上にポリシラザン溶液を塗布して熱処理することにより最表層の緻密層を形成する。なお、本発明のコーティング方法では、３層以上のコーティング膜であればよく、柔軟層上に緻密層を２層形成する等により４層以上の構造とすることもできる。また、その他中間層として、他の種の層をさらに設けることが可能である。 ・・・ 【００４７】 ポリシラザンとしては、少なくとも分子内にＳｉ－Ｎ結合を有するもので、下記化学式（１）で表される骨格を繰り返し単位として鎖状に結合した鎖状ポリマー、あるいは環状に結合した環状ポリマーである。また、それらポリマーを２種類以上を混合したものでもよい。 【化１】 ［図：0001436206000001.jpg］ （但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基のいずれか１種である） 【００４８】 本発明に用いるポリシラザンとしては、最も緻密性を持つ膜が形成されるＲ１、Ｒ２、Ｒ３が全て水素であるペルヒドロポリシラザンもしくは、緻密性を持ちながらも比較的柔軟性も併せ持つ膜が形成され、前駆体の中で最も入手が容易であるＲ１，Ｒ２が水素、Ｒ３がメチル基であるポリメチルヒドロシラザンが望ましい。 【００４９】 また、柔軟層の出発原料となるアルコキシシランを含む柔軟層形成用塗布液（アルコキシシラン溶液）は、例えば各所定量のアルコキシシランを有機溶媒に溶解した溶液を用いることができる。 この有機溶媒は、アルコキシシランの反応に悪影響を与えないものであればよく、アセトン、ｎ－ブチルケトン、ｉ－ブチルケトン等、ケトン類が好適に用いられる。 【００５０】 アルコキシシランは、少なくとも分子内にＯ－Ｓｉ－Ｏ結合を有するもので、下記化学式（２）で表されるモノマーまたは、下記化学式（３）で表される骨格を繰り返し単位として鎖状に結合した鎖状ポリマー、あるいは環状に結合した環状ポリマーである。 【化２】 ［図：0001436206000002.jpg］ 【化３】 ［図：0001436206000003.jpg］ （但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基のいずれか１種である） 【００５１】 本発明に用いるアルコキシシランとしては、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４を全てメチル基としたメチルシリケートが最も望ましい。 ・・・ 【００５４】 本発明における熱処理としては、溶液を上記のように塗布した後、ポリシラザン溶液又はアルコキシシラン溶液の塗布膜を乾燥させて、例えば、溶液が塗布された金属性部材を、大気中あるいは水蒸気を含む雰囲気中で、８０～４００℃の温度範囲で３０～１８０分加熱処理する。 ポリシラザン溶液の塗布膜は、上記加熱処理プロセスで、加熱処理の初期段階においては、ペルヒドロポリシラザンやポリオルガノシラザンの反応が進行すると、Ｓｉ－Ｏ結合の他に、Ｓｉ－Ｎ結合、Ｓｉ－Ｈ結合、Ｓｉ－Ｒ結合等を含む重合体が形成される。この段階では、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）が充分形成されていないために、セラミックスへの転化が不十分なものである。加熱処理が更に進行すると、前記重合体が水や酸素と反応することで反応物の酸化、水蒸気による加水分解が進行し、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）あるいはＳｉ－Ｎ結合が形成されて、緻密性を有するセラミックスに転化して緻密層となる。また、アルコキシシラン溶液の塗布膜は、上記加熱処理プロセスで、加熱処理が進行すると、アルコキシシランが水や酸素と反応し、アルキル基等がアルコールとして脱離することで、柔軟性を有するセラミックスに転化して柔軟層となる。また、塗布膜を乾燥させた後、触媒を使用することにより低温で反応を行わせることもできる。」 「【００６８】 （比較例２） ポリメチルヒドロシラザン溶液をスピンコート法によりステンレススチール板の表面に塗布し、その後、大気中、３５０℃にて１時間熱処理を行い、有機質シリカ層とした。この有機質シリカ層の膜厚は０．８μｍであった。」 「【図２】 ［図：0001436206000004.jpg］ 」 イ 甲１発明 （ア） 上記アの【００３３】には「本発明の耐食性部材を気相成長装置に用いた例として、本発明の気相成長装置について説明する。図２は、本発明の気相成長装置の実施態様の一例を示す概略図である。」と記載されている。 （イ） 上記アの【００３４】には「気相成長装置２４のチャンバー（反応容器）２６は、例えばＳＵＳからなるチャンバーベース２５と、チャンバーベース２５を上下から挟む透明石英部材２７、２８とから形成される。このチャンバー２６内には、チャンバーベース２５をカバーする不透明石英部材１６、２９と、ウェーハＷを上面で支持するサセプタ１７とを備えている。」と記載されている。 （ウ） 上記アの【００３５】には「このサセプタ１７はウェーハ回転機構１８に接続されており、気相成長中はサセプタ１７を回転させて、エピタキシャル層をウェーハＷ上に膜厚均一に気相成長させる。このウェーハ回転機構１８内部はＳＵＳが使われており、ウェーハ回転機構１８内部をパージするパージガス導入管１９が設けられている。」と記載されている。 （エ） 上記（イ）のとおり、【００３４】には「図２に示す気相成長装置２４のチャンバー（反応容器）２６は、例えばＳＵＳからなるチャンバーベース２５と、チャンバーベース２５を上下から挟む透明石英部材２７、２８とから形成される。」と記載され、上記アの【００３５】には「チャンバー２６には、チャンバー２６内に原料ガス及びキャリアガス（例えば、水素）を含む気相成長ガスをサセプタ１７の上側の領域に導入して、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管２０、２１が接続されている。 また、チャンバー２６のガス導入管２０、２１が接続された側の反対側には、チャンバー２６内からガスを排出するガス排出管２２、２３が接続されている。」と記載されている。また、上記アの【図２】から、ＳＵＳからなるチャンバーベース２５に、ガス導入管２０及びガス排出管２２が接続されていることが見て取れる。 そうすると、甲１には、ＳＵＳからなるチャンバーベース２５に、チャンバー２６内に原料ガス及びキャリアガス（例えば、水素）を含む気相成長ガスをサセプタ１７の上側の領域に導入して、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管２０、２１が接続され、チャンバーベース２５のガス導入管２０、２１が接続された側の反対側に、チャンバー２６内からガスを排出するガス排出管２２、２３が接続されていることが記載されているといえる。 （オ） 上記アの【００３５】の記載を踏まえると、上記アの【図２】に描かれている右向きの矢印は、原料ガスとキャリアガスの流れを示すものであるといえるから、上記アの【図２】から、原料ガス及びキャリアガスが、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上を通過することが見て取れる。 （カ） 上記アの【００３６】には「そして、本発明の気相成長装置を構成する部材のうち、金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面は、３層以上の構造からなるコーティング膜で覆われ、３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、最表層と最下層の間の中間層は、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層である。 このコーティングされる金属製部材としては、ＨＣｌガス等の反応性ガスと接触する部材が好ましく、例えば、チャンバーベース２５、ガス導入管２０、２１、ガス排出管２２、２３等の反応性ガスに対して露出された面をコーティングすることが好ましい。」と記載されている。 （キ） 上記アの【００３３】の「本発明の耐食性部材を気相成長装置に用いた例として、本発明の気相成長装置について説明する。」との記載を考慮すると、上記アの【００３０】の「本発明の耐食性部材１５は、金属を含む材料からなる金属製部材１４の金属の表面が耐食性のコーティング膜１０で覆われた耐食性部材１５であって、少なくとも、コーティング膜１０は３層以上の構造からなり、３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層１１、１３で、最表層と最下層の間の中間層は、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層１２である。」との記載、【００３１】の「最下層の緻密層１３は、ポリシラザンから生成されるガラス質の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の層であるため、堅く強固で緻密であり、ステンレス等の金属の表面との密着性が良く、耐食性も良い。しかしながら、緻密であるがゆえに単体で厚く形成すると熱応力等によるクラックを生じやすいため、緻密層１３上にアルコキシシランから生成される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の柔軟層１２を形成することで、クラックを防止できる。しかし、この柔軟層１２は多量の有機物を含むことから耐食性に欠けるため、さらに柔軟層１２上にポリシラザンから生成される最表層の緻密層１１を形成することで、柔軟層１２を緩衝層としてクラックが入りにくく、耐食性も高い３層以上の構造のコーティング膜１０となる。このようなコーティング膜１０により、金属製部材１４の耐食性を大きく向上させた本発明の耐食性部材１５となる。」との記載、及び、【００３２】の「このような、本発明の耐食性部材は、半導体製造プロセスに用いられる各種反応性ガスや腐食性ガス等、あるいは各種処理液に直接接触するか接触する可能性が大である部材として用いることができ、例えば、エッチング装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置、イオン注入装置等の各種装置のチャンバー等に用いることができる。 その他、ロードロックチャンバー、トランスファーチャンバー、プロセスチャンバーなどの内壁、搬送用ロボット、ゲートバルブ、ゲートバルブを構成するシャッター、ガス供給系もしくは排気系の配管、ガス供給系もしくは排気系で使用されるバルブ、レギュレータ、圧力センサー、マスフローコントローラー、フィルタ、逆止弁、マニフォールドなどを構成する金属製部材に本発明のコーティング膜をコーティングして本発明の耐食性部材とすることができる。また、腐食性ガス・液体保管用ボトルあるいはボンベについても、本発明を適用することにより顕著な腐食性改善効果を期待できる。」との記載も、「本発明の耐食性部材を気相成長装置に用いた例として」の「本発明の気相成長装置」に関する記載であるといえる。 （ク） 上記アの【００３８】には「高品質のエピタキシャルウェーハを作製することができる。」と記載されている。 （ケ） 以上によれば、甲１には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。（括弧内の記載は、上記検討箇所を示す。以下同じ。） 「 気相成長装置であって（（ア））、 気相成長装置２４のチャンバー（反応容器）２６は、例えばＳＵＳからなるチャンバーベース２５と、チャンバーベース２５を上下から挟む透明石英部材２７、２８とから形成され（（イ））、 このチャンバー２６内には、ウェーハＷを上面で支持するサセプタ１７とを備え（（イ））、 このサセプタ１７はウェーハ回転機構１８に接続されており、気相成長中はサセプタ１７を回転させて、エピタキシャル層をウェーハＷ上に膜厚均一に気相成長させ（（ウ））、 このウェーハ回転機構１８内部はＳＵＳが使われており（（ウ））、 ＳＵＳからなるチャンバーベース２５に、チャンバー２６内に原料ガス及びキャリアガス（例えば、水素）を含む気相成長ガスをサセプタ１７の上側の領域に導入して、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管２０、２１が接続され、チャンバーベース２５のガス導入管２０、２１が接続された側の反対側に、チャンバー２６内からガスを排出するガス排出管２２、２３が接続されており（（エ））、 原料ガス及びキャリアガスが、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上を通過し（（オ））、 気相成長装置を構成する部材のうち、金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面は、３層以上の構造からなるコーティング膜で覆われ、３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、最表層と最下層の間の中間層は、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層であり（（カ））、 このコーティングされる金属製部材としては、例えば、チャンバーベース２５、ガス導入管２０、２１、ガス排出管２２、２３等の反応性ガスに対して露出された面をコーティングすることが好ましく（（カ））、 最下層の緻密層１３は、ポリシラザンから生成されるガラス質の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の層であるため、堅く強固で緻密であり、ステンレス等の金属の表面との密着性が良く、耐食性も良く（（キ））、 緻密層１３上にアルコキシシランから生成される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の柔軟層１２を形成することで、クラックを防止でき（（キ））、 この柔軟層１２は多量の有機物を含み（（キ））、 ゲートバルブ、ゲートバルブを構成するシャッターを構成する金属製部材にコーティング膜をコーティングし耐食性部材とすることができ（（キ））、 高品質のエピタキシャルウェーハを作製することができる（（ク））、 気相成長装置。」 （２） 甲２について ア 甲２の記載 甲２には、次の記載がある。 「【請求項１】 少なくとも、 チャンバーと、 前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内にガスを導入するガス導入管と、 前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、 前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタと を具備する気相成長装置であって、 該気相成長装置を構成する部材のうち、該部材の少なくとも一部が金属を含む材料からなり、該金属を含む材料からなる部位が、前記チャンバー並びに該チャンバーに連通する前記ガス導入管及び前記ガス排出管の内部に導通されるガスに対して露出されたものである金属露出部材において、前記金属露出部材の露出されている部位の少なくとも一部が保護膜で覆われていることを特徴とする気相成長装置。 【請求項２】 前記保護膜は、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材が塗布され、焼成されて形成された酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。 【請求項３】 前記金属を含む材料が、ステンレスであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の気相成長装置。 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の気相成長装置を用いて、前記サセプタ上にウェーハを載置し、前記ガス導入管から反応ガスを前記チャンバー内に導入しながら前記ウェーハ上に気相成長を行い、反応後のガスを前記ガス排出管から排出することを特徴とする気相成長方法。」 「【００１８】 図１に、本発明を適用することのできる気相成長装置の一例として、枚葉式の気相成長装置の概略断面図を示した。 気相成長装置１０は、内部で気相成長を行うためのチャンバー１７と、チャンバー１７内に連通し、チャンバー１７内に反応ガス等の各種のガスを導入するガス導入管１３と、チャンバー１７内に連通し、チャンバー１７内からガスを排出するガス排出管１６と、チャンバー１７内に配置され、ウェーハＷを載置するサセプタ１２とを具備する。 【００１９】 この他、気相成長装置１０は、サセプタ１２を回転させるためのサセプタ回転機構１５や、ウェーハＷを加熱するための加熱手段（図示せず）等を適宜具備するものでもよい。 サセプタ回転機構１５は、サセプタ１２を回転させることによりウェーハＷを回転させ、気相成長がウェーハ面内において均一に行われるようにするためのものである。 また、加熱手段は、ランプ加熱装置等、種々のものをチャンバーの構造に応じて選択して用いることができる。 また、図１中には、サセプタ１２に形成された貫通孔を貫通し、ウェーハＷをサセプタ１２から持ち上げて保持することができる突起等からなるウェーハ持上機構２０も示している。 【００２０】 また、チャンバー１７は、通常、複数の部材から構成される。例えば、透明石英からなるチャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９や、チャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９を固定し、ガス導入管１３、ガス排出管１６等が備え付けられるチャンバー側部部材１４等を組み合わせて構成される。 チャンバー１７の内部は、上記各部材により、外気から遮断される。 【００２１】 このような構成からなる気相成長装置１０で気相成長を行うには、サセプタ１２上にウェーハＷを載置し、ガス導入管１３から反応ガスを（必要に応じてキャリアガスとともに）チャンバー１７内に導入しながらウェーハＷ上に気相成長を行うともに、反応後のガスをガス排出管１６から排出する。なお、図１中に、矢印で気相成長装置内部のガスのおおまかな流れの様子を示した。 【００２２】 上記したような、複数の部材からなる気相成長装置において、従来、少なくとも一部が金属を含む材料からなる部材であり、金属を含む材料からなる部位が、チャンバー並びに該チャンバーに連通するガス導入管及びガス排出管の内部に導通されるガスに対して露出されるものである金属露出部材が使用されている。 このような金属露出部材としては、通常、ガス導入管１３やガス排出管１６、チャンバー側部部材１４、サセプタ回転機構１５等が挙げられるが、これらに限定されず、様々な種類の気相成長装置が存在する。金属を含む材料の具体的な材質としては、機械的強度や加工性、化学的耐久性、耐熱性等の観点から、ステンレスが一般に使用されている。 【００２３】 そして、本発明の気相成長装置では、金属露出部材の、上記ガス（チャンバー内部のみならず、チャンバーに連通するガス導入管内部及びガス排出管内部に導通されるガスも含む）に対して露出されている部位（以下、金属露出面と呼ぶことがある。）の少なくとも一部が保護膜で覆われているものとする。保護膜の材料は、酸化珪素等の高温でも安定な無機材料が望ましい。また、保護膜の厚さは特に限定されない。一般には保護膜は厚い方がより確実に金属の放出を防止することができるが、薄いものであっても、従来の気相成長装置よりも金属汚染を抑制することができる。 ・・・ 【００２５】 このように金属露出部材を保護膜で覆うには、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（以下、単に液体状シリカガラス材と呼ぶことがある。）を塗布し、これを焼成して形成することによって行うことができる。 液体状シリカガラス材としては、ポリシラザン等のＯＨ基を有しない無機ポリマーが有機溶剤に溶けているもの等を用いることができる。また、必要に応じてアミン、Ｐｄ等の脱水素、酸化機能等を有する触媒等の添加剤を含有する。具体的には、市販の液体状シリカコート材を用いることができ、例えば、（有）エクスシア社製シリカコート型番ＥＰＰ等が挙げられる。 ・・・ 【００２７】 そして、このように塗布した液体状シリカガラス材を焼成して硬化させることにより、酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）となり、これを保護膜とすることができる。 なお、液体状シリカガラス材の硬化方法は、焼成する他に、液体状シリカガラス材の組成等に応じて、空気中に放置することによって有機溶剤が揮発し、無機ポリマーが空気中の水分や酸素と反応して酸化膜としたり、加湿することによっても行うことができるが、上記のように、焼成することによって硬化させることが特に好ましい。焼成によれば、短時間でほぼ完全に酸化膜への転化を行うことができ、その結果、金属露出部材からの金属の放出レベルをより確実に抑制することができるためである。」 「【実施例】 【００３６】 以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 【００３７】 （実施例１） 図１に示したような、枚葉式の気相成長装置１０を構成する各部材のうち、ステンレスからなる部材（具体的には、ガス導入管１３、ガス排出管１６、チャンバー側部部材１４、サセプタ回転機構１５）に対して、保護膜コーティング処理として、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（（有）エクスシア社製シリカコート型番ＥＰＰ）を、ステンレス露出部に塗布したうえで、２００℃、６０分の熱処理を行って酸化膜とした。 【００３８】 このような本発明に従う気相成長装置を用いて、以下のように、チャンバーを大気に開放してメンテナンスをした後、実際に気相成長を行った。 ウェーハＷとして、ＣＺ法で作製された面方位（１００）、直径２００ｍｍ、Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍのシリコン単結晶ウェーハを、サセプタ１２上に載置し、所定の反応温度で反応ガスとしてＳｉＨＣｌ３（シリコン原料）とジボラン（不純物源）をチャンバー１７内に流し、Ｐ型、１０Ωｃｍ、厚さ１０μｍのエピタキシャル層の成長を連続して繰り返し行った。 適当な頻度でウェーハを抜き取り、ライフタイムを測定した。なお、ウェーハのライフタイムは、ウェーハ中の微量の金属に対し敏感なため、結晶の金属汚染の指標として用いられる。」 「【図１】 ［図：0001436206000005.jpg］ 」 イ 甲２発明の認定 （ア） 上記アの【００１８】には「図１に、本発明を適用することのできる気相成長装置の一例として、枚葉式の気相成長装置の概略断面図を示した。 気相成長装置１０は、内部で気相成長を行うためのチャンバー１７と、チャンバー１７内に連通し、チャンバー１７内に反応ガス等の各種のガスを導入するガス導入管１３と、チャンバー１７内に連通し、チャンバー１７内からガスを排出するガス排出管１６と、チャンバー１７内に配置され、ウェーハＷを載置するサセプタ１２とを具備する。」と記載されている。 （イ） 上記アの【００１９】には「この他、気相成長装置１０は、サセプタ１２を回転させるためのサセプタ回転機構１５や、ウェーハＷを加熱するための加熱手段（図示せず）等を適宜具備するものでもよい。 サセプタ回転機構１５は、サセプタ１２を回転させることによりウェーハＷを回転させ、気相成長がウェーハ面内において均一に行われるようにするためのものである。 また、加熱手段は、ランプ加熱装置等、種々のものをチャンバーの構造に応じて選択して用いることができる。 また、図１中には、サセプタ１２に形成された貫通孔を貫通し、ウェーハＷをサセプタ１２から持ち上げて保持することができる突起等からなるウェーハ持上機構２０も示している。」と記載されている。 （ウ） 上記アの【００２０】には「また、チャンバー１７は、通常、複数の部材から構成される。例えば、透明石英からなるチャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９や、チャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９を固定し、ガス導入管１３、ガス排出管１６等が備え付けられるチャンバー側部部材１４等を組み合わせて構成される。」と記載されている。 （エ） 上記アの【００２１】には「このような構成からなる気相成長装置１０で気相成長を行うには、サセプタ１２上にウェーハＷを載置し、ガス導入管１３から反応ガスを（必要に応じてキャリアガスとともに）チャンバー１７内に導入しながらウェーハＷ上に気相成長を行うともに、反応後のガスをガス排出管１６から排出する。なお、図１中に、矢印で気相成長装置内部のガスのおおまかな流れの様子を示した。」と記載されている。 この記載によれば、甲２には、ガス導入管１３から反応ガスを（必要に応じてキャリアガスとともに）チャンバー１７内に導入しながらウェーハＷ上に気相成長を行うとともに、反応後のガスをガス排出管１６から排出することが記載されているといえる。 また、上記の記載を勘案すると、上記アの【図１】から、反応ガスは、サセプタ１２上に載置されたウェーハＷの主表面上を通過することが見て取れる。 （オ） 上記アの【００２２】には「このような金属露出部材としては、通常、ガス導入管１３やガス排出管１６、チャンバー側部部材１４、サセプタ回転機構１５等が挙げられるが、これらに限定されず、様々な種類の気相成長装置が存在する。金属を含む材料の具体的な材質としては、機械的強度や加工性、化学的耐久性、耐熱性等の観点から、ステンレスが一般に使用されている。」と記載されている。 この記載によれば、甲２には、金属露出部材として、ステンレスからなるガス導入管１３やガス排出管１６、チャンバー側部部材１４、サセプタ回転機構１５が挙げられることが記載されているといえる。 （カ） 上記アの【００２３】には「そして、本発明の気相成長装置では、金属露出部材の、上記ガス（チャンバー内部のみならず、チャンバーに連通するガス導入管内部及びガス排出管内部に導通されるガスも含む）に対して露出されている部位（以下、金属露出面と呼ぶことがある。）の少なくとも一部が保護膜で覆われているものとする。保護膜の材料は、酸化珪素等の高温でも安定な無機材料が望ましい。」と記載されている。 （キ） 上記アの【００２５】には「このように金属露出部材を保護膜で覆うには、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（以下、単に液体状シリカガラス材と呼ぶことがある。）を塗布し、これを焼成して形成することによって行うことができる。」と記載されており、【００２７】には「そして、このように塗布した液体状シリカガラス材を焼成して硬化させることにより、酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）となり、これを保護膜とすることができる。」と記載されている。 そうすると、甲２には、金属露出部材を保護膜で覆うには、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（以下、単に液体状シリカガラス材と呼ぶことがある。）を塗布し、これを焼成して形成することによって酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）を形成することによって行うことができることが記載されているといえる。 （ク） 上記アの【００３６】に「以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明する」と記載されているとおり、実施例の記載は本発明をより具体的に説明するものである。 そして、上記アの【００３８】には「ウェーハＷとして、ＣＺ法で作製された面方位（１００）、直径２００ｍｍ、Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍのシリコン単結晶ウェーハを、サセプタ１２上に載置し、所定の反応温度で反応ガスとしてＳｉＨＣｌ３（シリコン原料）とジボラン（不純物源）をチャンバー１７内に流し、Ｐ型、１０Ωｃｍ、厚さ１０μｍのエピタキシャル層の成長を連続して繰り返し行った。」と記載されている。 （ケ） 以上によれば、甲２には次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。 「 枚葉式の気相成長装置であって（（ア））、 内部で気相成長を行うためのチャンバー１７と、チャンバー１７内に連通し、チャンバー１７内に反応ガス等の各種のガスを導入するガス導入管１３と、チャンバー１７内に連通し、チャンバー１７内からガスを排出するガス排出管１６と、チャンバー１７内に配置され、ウェーハＷを載置するサセプタ１２とを具備し（（ア））、 サセプタ１２を回転させるためのサセプタ回転機構１５を適宜具備するものであってもよく（（イ））、 サセプタ１２に形成された貫通孔を貫通し、ウェーハＷをサセプタ１２から持ち上げて保持することができる突起等からなるウェーハ持上機構２０を具備し（（イ））、 チャンバー１７は、透明石英からなるチャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９と、チャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９を固定し、ガス導入管１３、ガス排出管１６等が備え付けられるチャンバー側部部材１４等を組み合わせて構成され（（ウ））、 ガス導入管１３から反応ガスを（必要に応じてキャリアガスとともに）チャンバー１７内に導入しながらウェーハＷ上に気相成長を行うとともに、反応後のガスをガス排出管１６から排出し（（エ））、 反応ガスは、サセプタ１２上に載置されたウェーハＷの主表面上を通過し（（エ））、 金属露出部材として、ステンレスからなるガス導入管１３やガス排出管１６、チャンバー側部部材１４、サセプタ回転機構１５が挙げられ（（オ））、 金属露出部材の、上記ガス（チャンバー内部のみならず、チャンバーに連通するガス導入管内部及びガス排出管内部に導通されるガスも含む）に対して露出されている部位（以下、金属露出面と呼ぶことがある。）の少なくとも一部が保護膜で覆われており、保護膜の材料は、酸化珪素等の高温でも安定な無機材料が望ましく（（カ））、 金属露出部材を保護膜で覆うには、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（以下、単に液体状シリカガラス材と呼ぶことがある。）を塗布し、これを焼成して形成することによって酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）を形成することによって行うことができ（（キ））、 ウェーハＷとして、ＣＺ法で作製された面方位（１００）、直径２００ｍｍ、Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍのシリコン単結晶ウェーハを、サセプタ１２上に載置し、所定の反応温度で反応ガスとしてＳｉＨＣｌ３（シリコン原料）とジボラン（不純物源）をチャンバー１７内に流し、Ｐ型、１０Ωｃｍ、厚さ１０μｍのエピタキシャル層の成長を行うことができる（（ク））、 枚葉式の気相成長装置。」 （３） 甲３～甲６について ア 甲３の記載 甲３には、次の記載がある。 「【００１４】 図１及び図２は、本発明による半導体製造装置であるエピタキシャル成長装置を概略的に示している。図示のエピタキシャル成長装置１０はシリコンウェハＷを１枚ずつ処理する枚葉式であり、石英ガラスで構成された処理チャンバ１２を備え、この処理チャンバ１２内にウェハＷを支持するためのサセプタ（ウェハ支持台）１４が配設されている。 ・・・ 【００１７】 また、このエピタキシャル成長装置１０は、ウェハ搬送時にサセプタ１４上にウェハＷを降ろし或いはウェハＷをサセプタ１４から持ち上げるために、ウェハ搬送手段の一部をなすリフト機構２２が設けられている。リフト機構２２は、サセプタ支持シャフト１６の主軸を囲むように配置された上下動可能なリフトチューブ２４と、このリフトチューブ２４を上下動させる駆動装置（図示しない）と、リフトチューブ２４から放射状に延びる３本のリフトアーム２６と、各リフトアーム２６の先端から垂直上方に延設されたリフトピン２８とから構成されている。各リフトピン２８は、サセプタ１４の凹部１８の適所に形成された貫通孔３０に挿通可能となっている。このようなリフト機構２２においては、駆動装置を制御してリフトチューブ２４及びリフトアーム２６を上下させると、リフトピン２８の上端がサセプタ１４の上面の下方位置と上方位置との間で上下し、サセプタ１４とリフトピン２８の上端との間でウェハＷの載せ変えを行うことができる。 【００１８】 処理チャンバ１２の外部には、処理チャンバ１２に対してウェハＷを搬入及び搬出するための搬送ロボット（ウェハ搬送手段）が配設されている。この搬送ロボットは、図２に示すように、ウェハＷを載せて水平に支持するブレード３２を備えており、ブレード３２は処理チャンバ１２の側部に設けられたスリットバルブ（開閉扉）３４を通してサセプタ１４の上方位置に挿入され得るようになっている。ウェハＷは、ブレード３２を処理チャンバ１２内に挿入した状態で、リフトピン２８の上端に受け渡される。 ・・・ 【００２１】次に、上記構成において、本発明によるウェハ取扱方法を用いてウェハＷを搬送し、処理チャンバ１２内でエピタキシャル成長を行う場合について説明する。」 「【００３３】 【実施例】次に、上記方法の実施例について述べる。この実施例では、半導体製造装置としてアプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドにより「Ｅｐｉ Ｃｅｎｔｕｒａ」という商標名で製造、販売されているエピタキシャル成長装置を使用した。また、１５０ｍｍ径のウェハを使用し、処理チャンバに対するウェハの搬入時及び搬出時（ウェハがブレードに載置されている間）、並びに、リフトピンによりウェハが支持されている間に限って、上部のハロゲンランプを消灯した。下部のハロゲンランプは、ウェハの搬入から搬出までの間、常時、フルパワーで点灯状態とした。」 「【図１】 ［図：0001436206000006.jpg］ 」 イ 甲４の記載 甲４には、次の記載がある。 「【０００１】 （発明の分野） 本発明の実施形態は、概ね、半導体処理システムに関する。特に、本発明の実施形態は半導体製造中に基板の背面からポリマーを除去するのに用いられる半導体処理システムに関する。 ・・・ 【００２０】 加熱エレメント１２８は基板支持アセンブリ１２６内にあり、基板支持アセンブリ１２６に置かれた基板１１０の温度制御を行う。この加熱エレメント１２８は図示されてないスリップリングを介して基板支持アセンブリ１２６に結合された電源１１６により制御される。回転可能なシャフト１１２は処理チャンバ１００の底１７０を貫通して上側に伸び、基板支持アセンブリ１２６に結合される。上下動及び回転の機構１１４はシャフト１１２に結合し、チャンバの天井１７８に対する、基板支持アセンブリ１２６の回転及び上下動を制御する。ポンプシステム１２０はプロセスチャンバ１００に結合され、排気、及び、プロセスの圧力の維持を行う。」 「【図１】 ［図：0001436206000007.jpg］ 」 ウ 甲５の記載 甲５には、次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 この発明は、バレル型気相成長装置、詳しくは半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を気相成長させるバレル型気相成長装置に関する。 ・・・ 【００２１】 ベルジャ１１は、石英からなり、かつ円筒形状の胴部の下端部が徐々に先細りとなったシリンダで、その上端部の開口が蓋体１７により閉蓋されている。 ガス導入管１４は、蓋体１７の外周部の一部に形成され、蓋体１７の下部の内周面と外周面とを連通するガス導入口１７ａに装着されている。 また、ベルジャ１１の胴部の外周の全域には、前記多数のハロゲンランプ１５が配設されている。 サセプタ１３は、反応室１２の内部空間に、回転軸１８を中心にして回転自在に吊下されている。 サセプタ１３は六角錐台型の筒体で、６つの周側面には上下２段（合計１２箇所）にザグリ１９がそれぞれ形成されている。各ザグリ１９は、シリコンウェーハＷを載置する正面視して円形の浅い凹部である。 ガス排気管１６は、ベルジャ１１の下端部の排気口にフランジ２０ａを介して連通された上流側配管部２０と、真空発生装置の吸気部に下流側の開口部が連通され、かつ途中部分に水冷式排気ライン、熱交換器などが連通された下流側配管部２１と、これらの上，下流側配管部２０、２１をフレキシブルに連通する蛇腹配管２２と、蛇腹配管２２の内部に収納されるスリーブ２３とを有している（図２および図４）。 【００２２】 蛇腹配管２２は、ステンレスからなる伸縮自在なチューブで、その両端の開口部にフランジ２２ａを形成している。したがって、上，下流側配管部２０、２１と蛇腹配管２２とは、互いのフランジを介して連結される。 スリーブ２３は、ステンレスからなる円柱体に中グリ加工などを行って作製したもので（図１および図２）、スリーブ２３の外径は、通常時の使用状態における蛇腹配管２２の内径より短い（図２および図４）。また、スリーブ２３の上流側の開口部には、段差状に大径化した拡径部２３ａが、スリーブ２３と同一素材で一体形成されている。拡径部２３ａの厚さは、スリーブ２３の通常部分の厚さと同一である。」 「【図１】 ［図：0001436206000008.jpg］ ・・・ 【図４】 ［図：0001436206000009.jpg］ 」 エ 甲６の記載 甲６には、次の記載がある。 「【０００２】 【従来の技術】 半導体製造装置や液晶製造装置等では、各種真空処理システムを利用し、真空環境下において、ウエハーや液晶ガラス等を製造している。この場合、真空処理室で一つの製造工程が終わると次の工程に移る必要があるが、このとき真空処理室の真空度を保つために、ゲートバルブやスリットバルブと云った開閉システムを備えたシール機構を利用する場合が多い。図１２はゲートバルブ５１の一例を示しており、これらのゲートバルブ５１やスリットバルブは、シールプレート５２と称される金属プレートよりなるハウジングの装着溝にエラストマーやゴム等よりなるゴム状弾性体製シール５３を組み付けたものである。シールプレート５２に使用されるシール５３はスクィーズシールタイプであり、またシールプレート５２が開閉作動したときにシール５３が装着溝から抜け出ることがないように従来は抜け止め対策として、 ▲１▼図１３に示すように、装着溝５４を蟻溝状とし、この蟻溝状の装着溝５４にシール５３としてＯリング５３Ａを装着する、 ▲２▼図１４に示すように、装着溝５４を蟻溝状とし、この蟻溝状の装着溝５４にシール５３として抜け止め対策を施した特殊断面形状シール５３Ｂを装着する（特許文献１参照）、 ▲３▼または図１５に示すように、シール５３を接着剤５５を用いて装着溝５４内に接着する、などの構造が用いられている。」 ２ 甲１を主たる証拠とする進歩性について （１） 本件発明１ ア 本件発明１と甲１発明との対比 （ア） 甲１発明の「ウェーハＷ」は、本件発明１の「基板ウェーハ」に相当する。 また、甲１発明は、「エピタキシャル層をウェーハＷ上に膜厚均一に気相成長させ」て「高品質のエピタキシャルウェーハを作製することができる」ものであるから、この「エピタキシャル層」は、本件発明１の「半導体材料の層」及び「エピタキシャル層」に相当する。 また、甲１発明の「気相成長」は、本件発明１の「堆積」に相当する。 そうすると、甲１発明の「チャンバー２６内に、ウェーハＷを上面で支持するサセプタ１７とを備え」、「気相成長中はサセプタ１７を回転させて、エピタキシャル層をウェーハＷ上に膜厚均一に気相成長させ」るものである「気相成長装置」と、本件発明１の「基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置であって」、「標準圧力下で前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されている」「装置」とは、「基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置であって」、「標準圧力下で前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されている」「装置」である点で共通する。 （イ） 甲１発明の「チャンバーベース２５を上下から挟む透明石英部材２７、２８」は、本件発明１の「上方ドームと下方ドーム」にそれぞれ対応し、甲１発明の「透明石英部材２７、２８」によって挟まれる「チャンバーベース２５」は、本件発明１の「上方ドームと下方ドームとの間のベースリング」に対応する。 （ウ） 甲１発明は、「気相成長中はサセプタ１７を回転させて、エピタキシャル層をウェーハＷ上に膜厚均一に気相成長させ」るものであるから、甲１発明の「ウェーハＷを上面で支持するサセプタ１７」は、本件発明１の「前記層の堆積中の前記基板ウェーハのキャリアとしてのサセプタ」に相当する。 （エ） 甲１発明の「原料ガス及びキャリアガス（例えば、水素）を含む気相成長ガス」は、本件発明１の「プロセスガス」に相当する。 また、甲１発明は、「ＳＵＳからなるチャンバーベース２５に、チャンバー２６内に原料ガス及びキャリアガス（例えば、水素）を含む気相成長ガスをサセプタ１７の上側の領域に導入して、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管２０、２１が接続され、チャンバーベース２５のガス導入管２０、２１が接続された側の反対側には、チャンバー２６内からガスを排出するガス排出管２２、２３が接続されており」、「原料ガス及びキャリアガスが、サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上を通過」するものであるから、甲１発明の「ＳＵＳからなるチャンバーベース２５」は、「ガス導入管２０、２１」が接続された箇所、及び、「ガス排出管２２、２３」が接続された箇所に、本件発明１の「プロセスガスを前記基板ウェーハの上面上を通すためのガス入口およびガス出口」に対応する構成を備えているといえる。 また、甲１発明の「サセプタ１７上に載置されたウェーハＷの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管２０、２１」は、本件発明１の「ガス供給ライン」に相当し、甲１発明の「チャンバー２６内からガスを排出するガス排出管２２、２３」は、本件発明１の「送出ガスライン」に相当する。 （オ） 甲１発明の「サセプタ１７」が接続されている「ウェーハ回転機構１８」と、本件発明１の「前記サセプタおよび前記基板ウェーハを上昇させて回すための上昇および回転手段」とは、「前記サセプタおよび前記基板ウェーハを回すための回転手段」である点で共通する。 （カ） 甲１発明の「ＳＵＳからなるチャンバーベース２５」は、本件発明１の「ステンレススチールの前記装置構成要素」として列記された「前記ベースリング」に対応する。 また、上記（エ）のとおり、甲１発明の「ＳＵＳからなるチャンバーベース２５」は、「ガス導入管２０、２１」が接続された箇所、及び、「ガス排出管２２、２３」が接続された箇所に、本件発明１の「プロセスガスを前記基板ウェーハの上面上を通すためのガス入口およびガス出口」に対応する構成を備えているといえるから、甲１発明の「ＳＵＳからなるチャンバーベース２５」は、本件発明１の「ステンレススチールの前記装置構成要素」として列記された「前記ガス入口、前記ガス出口」に対応する構成を備えているといえる。 また、甲１発明は、「このコーティングされる金属製部材としては、例えば、チャンバーベース２５、ガス導入管２０、２１、ガス排出管２２、２３等の反応性ガスに対して露出された面をコーティングすることが好まし」いものであるから、甲１発明の「ガス導入管２０、２１」、「ガス排出管２２、２３」は、本件発明１の「ステンレススチールの前記装置構成要素」として列記された「前記ガス供給ライン」、「前記送出ガスライン」に相当する。 また、甲１発明の「ウェーハ回転機構１８」は、その「内部はＳＵＳが使われて」いるものであるから、本件発明１の「ステンレススチールの前記装置構成要素」として列記された「回転手段」に対応する。 （キ） 甲１発明の「アルコキシシランから生成される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の柔軟層１２」は、「多量の有機物を含」むものであるから、Si-O-C構造となっているといえる。 また、甲１発明は、「気相成長装置を構成する部材のうち、金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面は、３層以上の構造からなるコーティング膜で覆われ、３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、最表層と最下層の間の中間層は、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層であ」るから、「金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面」は、「３層以上の構造からなるコーティング膜」が含む「柔軟層１２」で覆われるといえる。 そうすると、上記第４のとおり、本件発明１の「官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）」とは、二酸化ケイ素に類似した非晶質（非結晶性）ケイ素－酸素ネットワークに基づくコーティングであって、二酸化ケイ素に類似した非晶質（非結晶性）ケイ素－酸素ネットワークを、成膜時に炭素を取り込むことで意図的に改質し、非晶質Si-O-C構造としたものを意味するものであるから、甲１発明の「多量の有機物を含」むものである「アルコキシシランから生成される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の柔軟層１２」と、本件発明１の「官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）」とは、Si-O-C構造のコーティングである点で共通し、甲１発明は、本件発明１と、ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、Si-O-C構造のコーティングで覆われたものである点で共通するといえる。 （ク） 以上によれば、本件発明１と甲１発明の一致点、相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「 基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置であって、 上方部材と下方部材との間のベースリングと、 前記層の堆積中の前記基板ウェーハのキャリアとしてのサセプタと、 プロセスガスを前記基板ウェーハの上面上を通すためのガス入口およびガス出口、送出ガスラインおよびガス供給ラインと、 前記サセプタおよび前記基板ウェーハを回すための回転手段とを含み、 ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、Si-O-C構造のコーティングで覆われており、 ステンレススチールの前記装置構成要素は、前記ベースリング、前記ガス入口、前記ガス出口、前記ガス供給ライン、前記送出ガスライン、前記スリットバルブトンネル、前記スリットバルブドア、ならびに、前記回転手段であり、 前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されていることを特徴とする、装置。」 ［相違点１］ 本件発明１は、「上方ドームと下方ドーム」を含むのに対し、甲１発明の「チャンバーベース２５を上下から挟む透明石英部材２７、２８」は、ドーム状であるか明らかでない点。 ［相違点２］ 本件発明１は、「スリットバルブトンネルおよびスリットバルブドア」を含むのに対し、甲１発明は、対応する構成を含むか明らかでない点。 ［相違点３］ 本件発明１は、「前記サセプタおよび前記基板ウェーハを上昇させて回すための上昇および回転手段とを含」むのに対し、甲１発明は、「ウェーハ回転機構１８」が「ウェーハＷを上面で支持するサセプタ１７」を上昇させるものであるのか明らかでない点。 ［相違点４］ 本件発明１は、「ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）で覆われており」、この「官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）」は、アモルファスであるのに対し、甲１発明は、「アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層」であって、「多量の有機物を含」む「アルコキシシランから生成される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の柔軟層１２」がアモルファスであるのか明らかでない点。 ［相違点５］ 本件発明１は、「前記送出ガスライン」が、「蛇腹および円錐を含む」のに対し、甲１発明は、「ガス排出管２２、２３」がそのような構成であるか明らかでない点。 ［相違点６］ 本件発明１は、「標準圧力下で前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されていることを特徴とする、装置」であるのに対し、甲１発明は、「エピタキシャル層をウェーハＷ上に膜厚均一に気相成長させ」る際の雰囲気が「標準圧力下」であるか明らかでない点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点３、５について検討する。 （ア） 相違点３について ａ 甲４は、【０００１】（上記１（３）イ）に「発明の分野」として「本発明の実施形態は、概ね、半導体処理システムに関する。特に、本発明の実施形態は半導体製造中に基板の背面からポリマーを除去するのに用いられる半導体処理システムに関する。」と記載されているとおり、半導体製造中に基板の背面からポリマーを除去するのに用いられる半導体処理システムに関するものであって、気相成長装置に関するものではない。 そうすると、甲４に記載された発明は、気相成長装置に係る発明ではなく、甲１発明とは異なる処理を行う装置に係る発明であって、装置の構成が異なるものであるから、甲１発明に甲４に記載された発明を組み合わせる動機付けがない。 ｂ 甲５は、【０００１】（上記１（３）ウ）に「技術分野」として「この発明は、バレル型気相成長装置、詳しくは半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を気相成長させるバレル型気相成長装置に関する。」と記載され、【００２１】に「サセプタ１３は六角錐台型の筒体で、６つの周側面には上下２段（合計１２箇所）にザグリ１９がそれぞれ形成されている。各ザグリ１９は、シリコンウェーハＷを載置する正面視して円形の浅い凹部である。」と記載されているように、六角錐台型の筒体のサセプタ１３の６つの周側面にシリコンウェーハＷを載置するものであって、甲１発明の「ウェーハＷを上面で支持するサセプタ１７」を備えるものではない。 そうすると、甲１発明に甲５に記載された発明を組み合わせる動機付けがない。 ｃ また、甲２、甲３、甲６には、相違点３に係る本件発明１の構成は記載されていない。 ｄ したがって、申立人が示す証拠によって、甲１発明を相違点３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者にとって容易であったとはいえない。 （イ） 相違点５について ａ 甲５の【００２１】（上記１（３）ウ）に「ガス排気管１６は、ベルジャ１１の下端部の排気口にフランジ２０ａを介して連通された上流側配管部２０と、真空発生装置の吸気部に下流側の開口部が連通され、かつ途中部分に水冷式排気ライン、熱交換器などが連通された下流側配管部２１と、これらの上，下流側配管部２０、２１をフレキシブルに連通する蛇腹配管２２と、蛇腹配管２２の内部に収納されるスリーブ２３とを有している（図２および図４）。」と記載されており、この「蛇腹配管２２」は、本件発明１の「蛇腹」「を含む前記送出ガスライン」に相当するものの、本件発明１の「円錐を含む前記送出ガスライン」は記載されていない。 ｂ また、甲２～甲４、甲６には、相違点５に係る本件発明１の構成は記載されていない。 ｃ したがって、申立人が示す証拠によって、甲１発明を相違点５に係る本件発明１の構成とすることは、当業者にとって容易であったとはいえない。 ウ 申立人の主張 （ア） 相違点３について ａ 申立人は、特許異議申立書の第２１頁第１７行～第１９行において、「甲第１号証に記載の気相成長装置におけるウェーハ回転機構１８において、甲第４号証の図１、段落【００２０】に記載の「基板支持アセンブリ１２６の回転及び上下動を制御」する「上下動及び回転の機構」を適用することに、格別の困難性はない。」と主張する。 ｂ しかしながら、上記イ（ア）ａのとおり、甲１発明に甲４に記載された発明を組み合わせる動機付けがあるとはいえないから、上記の主張は採用できない。 ｃ また、申立人は、特許異議申立書の第１５頁第１０行～第１２行において、甲３の【００３３】の「この実施例では、半導体製造装置としてアプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドにより「Ｅｐｉ Ｃｅｎｔｕｒａ」という商標名で製造、販売されているエピタキシャル成長装置を使用した。」との記載を摘記し、第２１頁第１１行～第１５行において、本件発明１における相違点３に係る本件発明１の構成は、アプライド・マテリアルズ社のセンチュラ（Ｃｅｎｔｕｒａ）（本件明細書の【００１６】参照）の一般的な構成、及び／又は、当業者にとって周知慣用の技術にすぎない旨主張する。 ｄ しかしながら、申立人は、相違点３に係る本件発明１の構成は、アプライド・マテリアルズ社のセンチュラ（Ｃｅｎｔｕｒａ）の一般的な構成であることを立証する証拠を示していない。 また、甲３の【００１７】（上記１（３）ア）には「また、このエピタキシャル成長装置１０は、ウェハ搬送時にサセプタ１４上にウェハＷを降ろし或いはウェハＷをサセプタ１４から持ち上げるために、ウェハ搬送手段の一部をなすリフト機構２２が設けられている。リフト機構２２は、サセプタ支持シャフト１６の主軸を囲むように配置された上下動可能なリフトチューブ２４と、このリフトチューブ２４を上下動させる駆動装置（図示しない）と、リフトチューブ２４から放射状に延びる３本のリフトアーム２６と、各リフトアーム２６の先端から垂直上方に延設されたリフトピン２８とから構成されている。」と記載されており、この構成は、相違点３に係る本件発明１の構成とは異なるものである。 さらに、申立人は、気相成長装置において、相違点３に係る本件発明１の構成を採用することが、周知慣用の技術であることを立証する証拠も示していない。 したがって、上記の主張は採用できない。 （イ） 相違点５について ａ 申立人は、特許異議申立書の第２１頁第２１行～第２３行において、「後述のように、「円錐を含む前記送出ガスライン」は著しく不明確な記載である。以下、「円錐を含む」との事項については、甲第1号証に記載の発明との相違点とはせずに検討を行う。」と主張する。 ｂ しかしながら、上記第５の１（２）のとおり、「円錐を含む前記送出ガスライン」は第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえない。 ｃ そして、上記イ（オ）ａ、ｂのとおり、甲１～甲６には、相違点５に係る本件発明１の構成は記載されていない。 ｄ したがって、申立人が示す証拠によって、甲１発明を相違点５に係る本件発明１の構成とすることは、当業者にとって容易であったとはいえない。 エ 小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１発明及び甲２～甲６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２） 本件発明２、３について 上記第２のとおり、本件発明２、３は、本件発明１の全ての構成を有するものであり、いずれも上記相違点１～６に係る本件発明１の構成を有している。 そうすると、本件発明２、３と甲１発明を対比すると、少なくとも、上記相違点３、５の構成で相違するから、本件発明１について判断したことと同様の理由により、本件発明２、３も、甲１発明及び甲２～甲６に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３） 甲１を主たる証拠とする進歩性についてのまとめ 以上によれば、本件発明１～３は、甲１に記載された発明及び甲２～甲６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ３ 甲２を主たる証拠とする進歩性について （１） 本件発明１ ア 本件発明１と甲２発明との対比 （ア） 甲２発明の「ウェーハＷ」は、本件発明１の「基板ウェーハ」に相当する。 また、甲２発明は、「ウェーハＷとして、ＣＺ法で作製された面方位（１００）、直径２００ｍｍ、Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍのシリコン単結晶ウェーハを、サセプタ１２上に載置し、所定の反応温度で反応ガスとしてＳｉＨＣｌ３（シリコン原料）とジボラン（不純物源）をチャンバー１７内に流し、Ｐ型、１０Ωｃｍ、厚さ１０μｍのエピタキシャル層の成長を行うことができる」ものであり、この「エピタキシャル層」は、本件発明１の「半導体材料の層」及び「エピタキシャル層」に相当する。 また、甲２発明の「気相成長」や「エピタキシャル層の成長」は、本件発明１の「堆積」に相当する。 そうすると、甲２発明の「ウェーハＷとして、ＣＺ法で作製された面方位（１００）、直径２００ｍｍ、Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍのシリコン単結晶ウェーハを、サセプタ１２上に載置し、所定の反応温度で反応ガスとしてＳｉＨＣｌ３（シリコン原料）とジボラン（不純物源）をチャンバー１７内に流し、Ｐ型、１０Ωｃｍ、厚さ１０μｍのエピタキシャル層の成長を行うことができる」ものである「枚葉式の気相成長装置」と、本件発明１の「基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置であって」、「標準圧力下で前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されている」「装置」とは、「基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置であって」、「標準圧力下で前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されている」「装置」である点で共通する。 （イ） 甲２発明の「透明石英からなるチャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９」は、本件発明１の「上方ドームと下方ドーム」にそれぞれ対応し、甲２発明の「チャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９を固定し、ガス導入管１３、ガス排出管１６等が備え付けられるチャンバー側部部材１４」は、本件発明１の「上方ドームと下方ドームとの間のベースリング」に対応する。 （ウ） 甲２発明は、「ウェーハＷとして、ＣＺ法で作製された面方位（１００）、直径２００ｍｍ、Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍのシリコン単結晶ウェーハを、サセプタ１２上に載置し、所定の反応温度で反応ガスとしてＳｉＨＣｌ３（シリコン原料）とジボラン（不純物源）をチャンバー１７内に流し、Ｐ型、１０Ωｃｍ、厚さ１０μｍのエピタキシャル層の成長を行うことができる」ものであるから、甲２発明の「ウェーハＷを載置するサセプタ１２」は、本件発明１の「前記層の堆積中の前記基板ウェーハのキャリアとしてのサセプタ」に相当する。 （エ） 甲２発明の「反応ガス」及び「キャリアガス」は、本件発明１の「プロセスガス」に相当する。 また、甲２発明は、「ガス導入管１３、ガス排出管１６等が備え付けられるチャンバー側部部材１４」を具備し、「反応ガスは、サセプタ１２上に載置されたウェーハＷの主表面上を通過」するものであるから、甲２発明の「チャンバー側部部材１４」は、「ガス導入管１３、ガス排出管１６」が備え付けられる箇所に、本件発明１の「プロセスガスを前記基板ウェーハの上面上を通すためのガス入口およびガス出口」に対応する構成を備えているといえる。 また、甲２発明の「ガス導入管１３」は、本件発明１の「ガス供給ライン」に相当し、甲２発明の「ガス排出管１６」は、本件発明１の「送出ガスライン」に相当する。 （オ） 甲２発明の「サセプタ１２を回転させるためのサセプタ回転機構１５」と、本件発明１の「前記サセプタおよび前記基板ウェーハを上昇させて回すための上昇および回転手段」とは、「前記サセプタおよび前記基板ウェーハを回すための回転手段」である点で共通する。 （カ） 甲２発明の、「金属露出部材として、ステンレスからなる」構成としてて挙げられる「ガス導入管１３やガス排出管１６、チャンバー側部部材１４、サセプタ回転機構１５」は、本件発明１の「ステンレススチールの前記装置構成要素」として列記された「前記ガス供給ライン」、「前記送出ガスライン」、「前記ベースリング」、「前記上昇および回転手段」にそれぞれ対応する。 また、上記（エ）のとおり、甲２発明の「チャンバー側部部材１４」は、「ガス導入管１３、ガス排出管１６」が備え付けられる箇所に、本件発明１の「プロセスガスを前記基板ウェーハの上面上を通すためのガス入口およびガス出口」に対応する構成を備えているといえるから、甲２発明の「チャンバー側部部材１４」は、本件発明１の「ステンレススチールの前記装置構成要素」として列記された「前記ガス入口、前記ガス出口」に対応する構成を備えているといえる。 （キ） 甲２発明は、「金属露出部材の、上記ガス（チャンバー内部のみならず、チャンバーに連通するガス導入管内部及びガス排出管内部に導通されるガスも含む）に対して露出されている部位（以下、金属露出面と呼ぶことがある。）の少なくとも一部が保護膜で覆われ」たものであって、「液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（以下、単に液体状シリカガラス材と呼ぶことがある。）を塗布し、これを焼成して形成することによって酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）を形成することによって行うことができ」るものであるから、甲２発明の「酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）」と、本件発明１の「官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）」とは、シリカ構造のコーティングである点で共通し、甲２発明は、本件発明１と、ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、シリカ構造のコーティングで覆われたものである点で共通するといえる。 （ク） 以上によれば、本件発明１と甲２発明の一致点、相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「 基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置であって、 上方部材と下方部材との間のベースリングと、 前記層の堆積中の前記基板ウェーハのキャリアとしてのサセプタと、 プロセスガスを前記基板ウェーハの上面上を通すためのガス入口およびガス出口、送出ガスラインおよびガス供給ラインと、 前記サセプタおよび前記基板ウェーハを回すための回転手段とを含み、 ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、シリカ構造のコーティングで覆われており、 ステンレススチールの前記装置構成要素は、前記ベースリング、前記ガス入口、前記ガス出口、前記ガス供給ライン、前記送出ガスライン、前記スリットバルブトンネル、前記スリットバルブドア、ならびに、前記回転手段であり、 前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されていることを特徴とする、装置。」 ［相違点７］ 本件発明１は、「上方ドームと下方ドーム」を含むのに対し、甲２発明の「チャンバー上部部材１８及びチャンバー下部部材１９」は、ドーム状であるか明らかでない点。 ［相違点８］ 本件発明１は、「スリットバルブトンネルおよびスリットバルブドア」を含むのに対し、甲２発明は、対応する構成を含むか明らかでない点。 ［相違点９］ 本件発明１は、「前記サセプタおよび前記基板ウェーハを上昇させて回すための上昇および回転手段とを含」むのに対し、甲２発明は、「サセプタ回転機構１５」が「ウェーハＷを載置するサセプタ１２」を上昇させるものであるのか明らかでない点。 ［相違点１０］ 「ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素」を覆う構成は、本件発明１は、「官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）」であるのに対し、甲２発明は、「保護膜の材料は、酸化珪素等の高温でも安定な無機材料が望まし」いものであって、「液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（以下、単に液体状シリカガラス材と呼ぶことがある。）を塗布し、これを焼成して形成することによって酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）」である点。 ［相違点１１］ 本件発明１は、「前記送出ガスライン」が、「蛇腹および円錐を含む」のに対し、甲２発明は、「ガス排出管１６」がそのような構成であるか明らかでない点。 ［相違点１２］ 本件発明１は、「標準圧力下で前記基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるために設計されていることを特徴とする、装置」であるのに対し、甲２発明は、「エピタキシャル層の成長を行う」際の雰囲気が「標準圧力下」であるか明らかでない点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点９～１１について検討する。 （ア） 相違点９について 上記２（１）イ（ア）と同様の理由により、甲２発明を相違点９に係る本件発明１の構成とすることは、当業者にとって容易であったとはいえない。 （イ） 相違点１０について 甲２発明は、「保護膜の材料は、酸化珪素等の高温でも安定な無機材料が望まし」いものであるから、甲２発明の保護膜を、成膜時に炭素を取り込むことで意図的に改質し、相違点１０に係る本件発明１の構成とすることは、当業者にとって容易であったとはいえない。 （ウ） 相違点１１について 上記２（１）イ（イ）と同様の理由により、甲２発明を相違点１１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者にとって容易であったとはいえない。 ウ 申立人の主張 申立人は、令和７年１２月２４日付けの上申書の第２頁の下から８行～最終行において、「甲第２号証の請求項２、【００３７】に記載の「液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材」について、甲第２号証の【００２５】に「液体状シリカガラス材としては、ポリシラザン等のＯＨ基を有しない無機ポリマー・・・等を用いることができる。」と記載されている。これを焼成して得られた膜にはポリマー中の官能基が含まれるものであり、本件発明１の構成要件Ｇにおける「ステンレススチールからなる１つ以上の装置構成要素が、官能性シリカ様コーティング（ａ－ＳｉＯｘ：ＣＨｙ）で覆われており」に相当するといえる。」と主張する。 しかしながら、上記イ（イ）で述べたとおりであるから、上記の主張は採用できない。 エ 小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲２発明及び甲１、甲３～甲６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２） 本件発明２、３について 上記第２のとおり、本件発明２、３は、本件発明１の全ての構成を有するものであり、いずれも上記相違点７～１２に係る本件発明１の構成を有している。 そうすると、本件発明２、３と甲２発明を対比すると、少なくとも、上記相違点９～１２の構成で相違するから、本件発明１について判断したことと同様の理由により、本件発明２、３も、甲２発明及び甲１、甲３～甲６に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３） 甲２を主たる証拠とする進歩性についてのまとめ 以上によれば、本件発明１～３は、甲２に記載された発明及び甲１、甲３～甲６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第７ むすび 以上のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した申立理由によっては、本件の請求項１～３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。