2025-700652

特許第７６０５２３６号発明「セラミックス基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６０５２３６号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７６０５２３６号（以下「本件特許」という。）の請求項１～３に係る特許についての出願は、令和４年３月２９日の出願である特願２０２２－５４６５４号（以下「原出願」という。）の一部を令和５年３月６日に新たな特許出願としたものであって、令和６年１２月１６日にその特許権の設定登録がされ、同年１２月２４日に特許掲載公報が発行された。その後、その全請求項（請求項１～３）に係る特許に対し、令和７年６月２０日に特許異議申立人 廣瀬 妙子（以下「特許異議申立人」という。）により、特許異議の申立てがなされたものである。 第２ 本件の特許請求の範囲と本件発明 本件の特許請求の範囲の請求項１～３に係る発明（以下、それぞれを「本件発明１」～「本件発明３」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、以下の請求項１～３に記載されたとおりのものと認める。 なお、後の参照の便宜のために、本件発明１については１Ａ～１Ｆ′に、本件発明３については３Ａ、３Ｂに分説し、「発明特定事項１Ａ」のようにして参照する。 【請求項１】（本件発明１） １Ａ 矩形状で平板状の窒化珪素基板と、 １Ｂ 前記窒化珪素基板の第１の主面に設けられた第１のろう材層と、 １Ｃ 前記窒化珪素基板の第２の主面に設けられた第２のろう材層と、 １Ｄ 前記第１のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第１の主面側に固定され、電気回路部品が搭載される第１の金属層と、 １Ｅ 前記第２のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第２の主面側に固定され、前記電気回路部品で発生した熱を放熱する第２の金属層と １Ｆ からなるセラミックス基板において、 １Ｇ 前記第１の金属層および前記第２の金属層は、同種の金属であって、それぞれの厚さの差は、０．０２ｍｍ以下であり、 １Ｈ 前記第１のろう材層および前記第２のろう材層は、いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さ、及び前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さのうち、厚い方をＴａ（μｍ：小数第１位）とし、薄い方をＴｂ（μｍ：小数第１位）としたとき、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たし、 １Ｉ 前記窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下とした、 １Ｆ′ セラミックス基板。 【請求項２】（本件発明２） 前記第１の金属層と前記第２の金属層は、銅板からなる、 請求項１に記載のセラミックス基板。 【請求項３】（本件発明３） ３Ａ 前記第１のろう材層及び前記第２のろう材層は、銀を含まない、 ３Ｂ 請求項１又は２の何れか１項に記載のセラミックス基板。 第３ 証拠方法及び申立理由 特許異議申立人は、特許異議申立書とともに以下の１に示す甲第１号証～甲第７号証（以下、それぞれ「甲１」～「甲７」という。）を提出し、以下の２に示す申立理由により、本件発明に係る特許を取消すべきものである旨主張する。 １ 証拠方法 甲１ 特開２０００－５８７２３号公報 甲２ 国際公開第２０１８／２２１４９２号 甲３ 特開平４－１７００８９号公報 甲４ 国際公開第２０２１／０９５８４３号 甲５ 特開２００３－２８３０６４号公報 甲６ 国際公開第２０１７／２１３２０７号 甲７ 特開２０２２－１６５０４６号公報 ２ 申立理由 特許異議申立書に記載された申立理由の概要は、以下の申立理由１～３のとおりである。 （１）申立理由１ 本件発明１～３は、以下のアの点で、特許請求の範囲の記載が不備のため、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（同法第１１３条第４号） ア 本件発明１において、反り量の定義が窒化珪素基板のサイズとの関係で不明瞭であるため、反り量が明確に特定できない点（５頁１１～１９行目）（本件発明２及び３についても同様） 本件発明１は、「窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下とした」構成を特定している。 しかしながら、本件発明１は、窒化珪素基板のサイズについて何ら特定されておらず、窒化珪素基板の各辺の長さが１００ｍｍ未満の態様を含んでいる。そして、例えば「各辺が１００ｍｍ以上である窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量」の場合と、「各辺が１００ｍｍ未満である窒化珪素基板において、各辺を１００ｍｍに換算したときの各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量」の場合が考えられるため、反り量の定義が不明瞭である。 （２）申立理由２ 本件発明１～３は、以下ア～ウの点で、明細書又は特許請求の範囲の記載が不備のため、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（同法第１１３条第４号） ア 本件発明１が、第１、２のろう材層、第１、２の金属層と寸法との関係で、課題が解決できるか定かでない点（５頁９、１０行目、５頁２０行目～６頁１４行目）（本件発明２及び３についても同様） 本件発明１では、第１のろう材層、第２のろう材層、第１の金属層、第２の金属層のサイズについて特定されていない。 一方、本件発明の課題は、本件特許明細書の［０００７］からみて、「コストを抑制しながらも、反りを抑制する」ことであると認められる。そして、本件特許明細書の発明の詳細な説明では、［００３１］に「絶縁基材２は、長辺方向の長さＬ１が１９０．５ｍｍ、短辺方向の長さＬ２が１３８．０ｍｍ、長さＴ０が０．３２ｍｍである。第１の金属板４０１及び第２の金属板４０２は、矩形状の平板であり、長辺方向の長さＬ１１，Ｌ２１が１８８．４ｍｍ、短辺方向の長さＬ１２，Ｌ２２が１３３．６ｍｍ、厚さＴ１０，Ｔ２０が０．８ｍｍである。第１のろう材層３１及び第２のろう材層３２は、第１の金属板４０１及び第２の金属板４０２と同じ大きさで形成されている」ことが記載されていることからもわかるとおり、各サイズについて１つの組み合わせしか実施例に記載が無い。そうすると、各サイズのその他の組み合わせの場合に上記課題を解決して「コストを抑制しながらも、反りを抑制する」という効果を得ることが可能であるかどうかについては、本件特許明細書の実施例で何ら証明されていない。 イ 本件発明１の「窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下」とすることは、発明の詳細な説明において比較例および実施例としては記載されていない点（６頁１５行目～７頁５行目）（本件発明２及び３についても同様）（下線は強調のため当審にて付与、以下同様） 本件特許明細書の［００３８］には「この比較例では、実施例よりも絶縁基材２の反りが大きく、絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量が０．０３ｍｍよりも大きかった。すなわち、第１のろう材層形成工程におけるスクリーン印刷の回数値と、第２のろう材層形成工程におけるスクリーン印刷の回数値とを一致させることにより、第１のろう材層３１の厚みと第２のろう材層３２の厚みとの差を小さくすることができ、絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下にできることが確認された」ことが記載されている。しかしながら、反り量が０．０３ｍｍよりも大きい比較例よりも反りが小さいからといって実施例における反り量が０．０３ｍｍ以下であるとは必ずしも言えない。これは例えば、比較例における実際の反り量が０．０５ｍｍであった場合、実施例における実際の反り量が０．０４ｍｍであった可能性があるからである。 ゆえに、本件特許明細書の発明の詳細の説明には、比較例および実施例における反り量の具体的な数値について記載されているといえない。また、窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下とすることについては、本件特許明細書の実施例で何ら証明されていない。 ウ 本件発明３の「前記第１のろう材層及び前記第２のろう材層は、銀を含まない」とすることは、発明の詳細な説明の実施例として記載おらず、課題を解決できるか証明されていない点（７頁６～１６行目） 本件発明３は、「前記第１のろう材層及び前記第２のろう材層は、銀を含まない」と特定されている。 一方、本件特許明細書の発明の詳細な説明では、［００１４］に「第１のろう材層３１及び第２のろう材層３２は、銅粉及び銀粉をバインダ及び溶剤と共に混成したろう材を、スクリーン印刷法によって絶縁基材２の第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂに塗布して形成したものである」ことが記載されているが、銀を含まないろう材を用いた場合の実施例の記載が無い。そして、ろう材の組成が異なれば、セラミックス基板の反りに影響を及ぼすことは、明らかであるにも関わらず、銀を含まないろう材を用いた場合に「コストを抑制しながらも、反りを抑制する」という課題を解決し、またそのような効果を得ることが可能であるか、本件特許明細書の実施例で何ら証明されていない。 （３）申立理由３ 本件発明１～３は、甲５に記載された発明及び甲１～４、６及び７に記載された事項に基づいて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） 第４ 当審の判断 １ 申立理由１について （１）本件発明１において、反り量の定義が窒化珪素基板のサイズとの関係で不明瞭であるため、反り量が明確に特定できない点（前記「第３」２（１）ア） 本件特許１の「前記窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下とした」（発明特定事項１Ｉ）との発明特定事項において、「反り量」は、「１００ｍｍあたり」にて特定されている。 ここで「各辺に沿った方向の１００ｍｍあたり」の「あたり」とは、「(13)（接尾辞的に）「…に対して」の意。」（広辞苑）であると解されるから、「各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下とした」とは、各辺に沿った方向の「１００ｍｍ」に対する割合として「反り量」が「０．０３ｍｍ以下」であることを表すと解される。これは割合であるがゆえに「窒化珪素基板」の「各辺」が「１００ｍｍ」であることを特定するものではない。（時計が１日あたり２．４秒遅れると表現した場合、遅れは１日経って初めて確定するというわけではなく、１時間あたりで見れば０．１秒遅れるのと同様のことである。） ゆえに、本件発明１の反り量の定義は、窒化珪素基板のサイズに対する割合として明瞭であるから、反り量は明確に特定されており、不明確ではない。 （２）小括 以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張は、採用することができない。 また、本件特許１～３は、いずれも明確ではないという事情はない。 よって、本件発明１～３は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできない。 ２ 申立理由２について （１）本件発明１が、第１、２のろう材層、第１、２の金属層の寸法との関係で、課題が解決できるか定かでない点について（前記「第３」２（２）ア） 本件の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 「【０００５】・・・このため、本発明者らは、反りが発生する原因を鋭意研究し、セラミックス製の基材の各部位における一方の面と他方の面に塗布されたろう材の厚みの違いが反りの発生に関与していることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明は、コストを抑制しながらも、反りを抑制することが可能なセラミックス基板を提供することを目的とする。・・・」 「【００２８】・・・セラミックス基板１は、絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの絶縁基材２の反り量が０．０３ｍｍ以下となっている。」 「【００２９】（実施例） 次に、セラミックス基板１のより具体的な実施例について説明する。・・・」 「【００３８】・・・すなわち、第１のろう材層形成工程におけるスクリーン印刷の回数値と、第２のろう材層形成工程におけるスクリーン印刷の回数値とを一致させることにより、第１のろう材層３１の厚みと第２のろう材層３２の厚みとの差を小さくすることができ、絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下にできることが確認された。」 「【００３９】（実施の形態の作用及び効果） ・・・第１のろう材層形成工程におけるスクリーン印刷の回数値と、第２のろう材層形成工程におけるスクリーン印刷の回数値とを一致させることにより、工程を追加することなく、各測定箇所における第１のろう材層３１の厚さと第２のろう材層３２の厚さとの差を小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、コストを抑制しながらも、反りを抑制することが可能となる。」 段落【０００５】の記載によれば、本件発明１が解決すべき課題は、「コストを抑制しながらも、反りを抑制することが可能なセラミックス基板を提供すること」にあり、反りが発生する原因は、「一方の面と他方の面に塗布されたろう材の厚みの違い」であると理解される。 そして、段落【００３８】の記載によれば、「第１のろう材層３１の厚みと第２のろう材層３２の厚みとの差を小さくすること」により、「絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下にでき」たとされるのだから、２つのろう材の厚みの差を小さくすることにより上記課題を解決したことが理解され、「１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下」は、課題を解決できた状態の反り量であると解される。 そして、本件発明１の発明特定事項１Ｈは、「第１のろう材層３１の厚みと第２のろう材層３２の厚みとの差を小さくすること」をより具体的に特定したものであり、これにより上記課題は解決されるから、課題解決手段であると解される。加えて、発明特定事項１Ｉは、上記課題を解決した状態を具体的に特定するものであるから、やはり、課題解決手段であると解される。これらの課題解決手段は、金属層の寸法に左右されるものではない。 ゆえに、本件発明１において、第１、２の金属層の寸法が特定されておらずとも、発明特定事項１Ｈ及び発明特定事項１Ｉが特定されているから、「コストを抑制しながらも、反りを抑制することが可能なセラミックス基板を提供することを目的とする」という課題を解決していると認められる。 （２）本件発明１の「窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下」とすることは、発明の詳細な説明において比較例および実施例としては記載されていない点について（前記「第３」２（２）イ） 発明の詳細な説明には、「本実施の形態」として、「セラミックス基板１は、絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの絶縁基材２の反り量が０．０３ｍｍ以下となっている。」（【００２８】）との記載があり、これに続く実施例の説明に、「次に、セラミックス基板１のより具体的な実施例について説明する。」（【００２９】）との記載がある。すなわち、「本実施の形態」では「セラミックス基板１」の「絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの絶縁基材２の反り量が０．０３ｍｍ以下」となっており、「実施例」とは「セラミックス基板１」を「より具体的」にしたものと解される。 ゆえに、段落【００２９】以降に説明される「実施例」においても、セラミックス基板１の絶縁基材２の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量が０．０３ｍｍ以下となっているものと解される。 よって、本件発明１で特定されている「前記窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下」とすること（発明特定事項１Ｉ）は、実施例として発明の詳細な説明に記載されていると認められる。 （３）本件発明３の「前記第１のろう材層及び前記第２のろう材層は、銀を含まない」とすることは、発明の詳細な説明の実施例として記載おらず、課題を解決できるか証明されていない点について（前記「第３」２（２）ウ） 本件発明３が包含する本件発明１は、前記（１）のとおり、課題を解決するための手段が特定されているから、「前記第１のろう材層及び前記第２のろう材層は、銀を含まない」（発明特定事項３Ａ）との特定によらず、「コストを抑制しながらも、反りを抑制することが可能なセラミックス基板を提供することを目的とする」という課題を解決していると認められる。 （４）小括 以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張は、いずれも採用することができない。 また、本件特許１～３は、いずれも発明の詳細な説明に記載されたものではないという事情はない。 よって、本件発明１～３は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできない。 ３ 申立理由３について （１）甲５の記載と甲５発明 甲５には、以下アのとおりの記載がある。また、当該記載に基づき、以下イのとおり甲５発明を認定する。 ア 甲５の記載 甲５には、以下の記載がある。 （ア）「【０００７】 【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。本発明のセラミック回路基板は、セラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及びＣｕを主成分とした放熱層、或いは、セラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層のみがろう材により接合されたものであり、上記「Ｃｕを主成分とする」の意味は、通常、Ｃｕ８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上（１００質量％を含む。）である。このセラミック基板の材料として、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素等を使用することができる。 【０００８】また、上記ろう材は、Ｓｎと、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種（以下活性金属とする。）と、Ｃｕとからなり、Ａｇを含有しないのもである。・・・ 【０００９】即ち、本発明のセラミック回路基板において、ろう材層をＣｕ基とすることにより、金属回路層とセラミック層との耐力耐熱サイクル性を向上させ、更に、エッチングの際に、接合された金属回路板と、それに対応するろう材層とを同時にパターン形成することができる。・・・」 （イ）「【００１１】次に、本発明のセラミック回路基板の製造方法について説明する。まず、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素等により形成されたセラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路板及び放熱板、或いは、Ｃｕを主成分とした金属回路板をろう材より接合する。このとき、金属回路板又は放熱板として、厚さ０．１～０．６ｍｍ程度のものを使用することができる。 ・・・ 【００１６】上記セラミック基板と上記金属回路板及び放熱板との接合は、ペーストろう材を使用する場合、このペーストろう材をセラミック基板の両面又は片面に印刷、乾燥後、真空下で上記セラミック基板の両面に各々金属回路板、放熱板を配置し、或いは、片面のみにペーストろう材が印刷されているときは、ペーストろう材が印刷された面に金属回路板を配置し、その状態で加熱することにより行うことができる。・・・ 【００１７】次に、接合された上記金属回路板及びそれに対応するろう材層をエッチングすることにより、セラミック回路基板が得られる。・・・」 （ウ）「【００２１】 【実施例】以下、本発明を具体化した実施例について説明する。 １．実施例のセラミック回路基板の作製 実施例として、上記所定の金属が上記所定の割合で含有されたろう材で接合されたセラミック回路基板（実施例１～３７）を、次の方法により作製した。即ち、まず、セラミック基板に金属回路及び放熱板、又は金属回路板のみをろう材で接合した。このセラミック基板として表１～５に示される材料、厚さのものを使用し、更に、面の大きさは縦３０ｍｍ、横６０ｍｍとした。また、この金属回路板、放熱板として、面の大きさは縦３０ｍｍ、横６０ｍｍであって、表１～５に示される厚さの無酸素銅板を用いた。」 （エ）「【００２３】 【表１】 ［図：0001428026000001.jpg］ 」 ここで、段落【００２１】に、セラミック基板並びに金属回路及び放熱板に関し、「即ち、まず、セラミック基板に金属回路及び放熱板、又は金属回路板のみをろう材で接合した。このセラミック基板として表１～５に示される材料、厚さのものを使用し、・・・。また、この金属回路板、放熱板として、・・・表１～５に示される厚さの無酸素銅板を用いた。」（【００２１】）と表１を参照しての記載があることから、本表における「セラミック板」とは「セラミック基板」を意味しており、また、「Ｃｕ板厚さ」の「回路側」の列では「金属回路板」の厚さを、「Ｃｕ板厚さ」の「放熱側」の列では「放熱板」の厚さを示していると解される。また、「金属回路板」及び「放熱板」のいずれも「Ｃｕ板」であると認められる。 以上を踏まえれば、本表より、実施例３において、セラミック基板の材料は窒化珪素であり、金属回路板及び放熱板のＣｕ板の厚さはいずれも０．４０ｍｍであると認められる。 イ 甲５発明 前記アの記載によれば、甲５には、実施例３として、以下の発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。その際、以下（ア）及び（イ）を踏まえて認定する。 （ア）「ろう材によ」る「接合」と「ろう材層」の関連性について 段落【０００９】は、「即ち、本発明のセラミック回路基板において、ろう材層をＣｕ基とすることにより」と、「即ち」との文言により、この記載より前の記載を言い換える形にて記載されている。そして、この記載より前に「ろう材層」という記載はない。 一方、段落【０００９】より前の段落である段落【０００７】に「セラミック基板上に・・・金属回路層及び・・・放熱層・・がろう材により接合されたもの」との記載があり、また、段落【０００８】には「上記ろう材は、・・・Ｃｕとからなり、」との記載があり、これ以外に「セラミック基板回路」における「Ｃｕ基」の「ろう材層」と関連すると考えられる記載はない。 してみると、「セラミック回路基板」における「ろう材層」は、「セラミック基板上に」「金属回路層及び」「放熱層」「がろう材により接合された」ことにより得られると認められる。 （イ）「金属回路板」と「金属回路層」、及び、「放熱板」と「放熱層」の関連性について 段落【００１１】～【００１６】の「セラミック回路基板の製造方法」に関する記載の中で、段落【００１１】に「・・・セラミック基板上に・・金属回路板及び放熱板・・・をろう材より接合する」と記載され、また、段落【００１６】に「上記セラミック基板と上記金属回路板及び放熱板との接合は、ペーストろう材を使用する場合・・・」と記載され、そして段落【００１７】に「次に、接合された上記金属回路板及びそれに対応するろう材層をエッチングすることにより、セラミック回路基板が得られる。」、「セラミック回路基板」が製造される過程が「金属回路板」及び「放熱板」を用いて記載されている。 これに対し、「セラミック回路基板の製造方法」に関する記載以外の箇所おいては、「金属回路層」及び「放熱層」の記載はあるものの、「金属回路板」及び「放熱板」の記載はない。例えば、段落【０００７】の「セラミック回路基板は、セラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及びＣｕを主成分とした放熱層・・・がろう材により接合されたもの」と記載されており、「金属回路層」及び「放熱層」の記載はあるものの、当該段落に「金属回路板」及び「放熱板」の記載はない。 ここで、「セラミック回路基板の製造方法」によって製造されるものは、当然、「セラミック回路基板」であることを踏まえれば、「セラミック回路基板の製造方法」と「セラミック回路基板」の各構成は対応関係を有しているものと認められる。 そして、「セラミック回路基板の製造方法」における「金属回路板」が、「セラミック回路基板」における「金属回路層」以外と関連しているものであると考えられる記載はなく、同様に、「セラミック回路起案の製造方法」における「放熱板」が、「セラミック回路基板」における「放熱層」以外と関連しているものであると考えられる記載もない。 してみると、「セラミック回路基板の製造方法」における「金属回路板」及び「放熱板」は、それぞれ「セラミック回路基板」の「金属回路層」及び「放熱層」となるものであると認められる。 （ウ）以上により、甲５発明は次のとおりのものと認められる。 なお、後の参照の便宜のため、甲５発明を５ａ～５ａ′に分説し、「構成５ａ」のようにして参照する。 ５ａ セラミック回路基板であって、（【０００７】） ５ｂ セラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及びＣｕを主成分とした放熱層がろう材により接合されたものであり、（【０００７】） ５ｃ ろう材層は、セラミック基板上に金属回路層及び放熱層がろう材により接合されたことにより得られ、（前記（ア）） ５ｄ その製造方法について、（【００１１】） ５ｄ１ セラミック基板の面の大きさは縦３０ｍｍ、横６０ｍｍであり、（【００２１】） ５ｄ２ セラミック基板の材料は窒化珪素であり、金属回路板及び放熱板のＣｕ板の厚さはいずれも０．４０ｍｍであり、（【００２３】【表１】） ５ｄ３ 金属回路板及び放熱板は、それぞれ金属回路層及び放熱層となるものである（前記（イ）） ５ａ′ セラミック回路基板 （２）本件発明１と甲５発明との対比 本件発明１と甲５発明とを対比する。 ア 発明特定事項１Ａについて 発明特定事項１Ａは、「矩形状で平板状の窒化珪素基板と、」というものである。 甲５発明の「セラミック基板」は、「セラミック基板の材料は窒化珪素であ」る（構成５ｄ２）から、本件発明１の「窒化珪素基板」に相当する。 また、甲５発明では「セラミック基板の面の大きさは縦３０ｍｍ、横６０ｍｍであり、」（構成５ｄ１）と特定されており、全体の寸法が縦横の寸法で表されているから、「セラミック基板」が矩形状であることは明らかである。 また、「セラミック基板」は、「基板」であるから、「平板状」であることも明らかである。 よって、本件発明１の「窒化珪素基板」と甲５発明の「セラミック基板」は、いずれも「矩形状で平板状の窒化珪素基板」であるという点で一致している。 イ 発明特定事項１Ｂについて 発明特定事項１Ｂは、「前記窒化珪素基板の第１の主面に設けられた第１のろう材層と、」というものである。 甲５発明の「セラミック基板」が、本件発明１の「窒化珪素基板」に相当することは、前記アのとおりである。 甲５発明において、「ろう材層」は、「セラミック基板上に金属回路層」「がろう材により接合されたことにより得られ」るもの（構成５ｃ）であるから、「セラミック基板」の面である「主面」に設けられていることは明らかである。そして、当該主面を「第１の」と形容し、また、当該主面に設けられた「ろう材層」を「第１の」と形容することは任意である。 よって、本件発明１の「窒化珪素基板」と甲５発明の「セラミック基板」は、いずれもその「第１の主面に」「第１のろう材層」が「設けられ」ている点で一致している。 ウ 発明特定事項１Ｃについて 発明特定事項１Ｃは、「前記窒化珪素基板の第２の主面に設けられた第２のろう材層と、」というものである。 甲５発明の「セラミック基板」が、本件発明１の「窒化珪素基板」に相当することは、前記アのとおりである。 甲５発明において、「ろう材層」は、「セラミック基板上に」「放熱層がろう材により接合されたことによる」もの（構成５ｃ）であるから、「セラミック基板」の面である「主面」に設けられていることは明らかである。そして、当該主面を「第２の」と形容し、また、当該主面に設けられた「ろう材層」を「第２の」と形容することは任意である。 よって、本件発明１の「窒化珪素基板」と甲５発明の「セラミック基板」は、いずれもその「第２の主面に」「第２のろう材層」が「設けられ」ている点で一致している。 エ 発明特定事項１Ｄについて 発明特定事項１Ｄは、「前記第１のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第１の主面側に固定され、電気回路部品が搭載される第１の金属層と、」というものである。 甲５発明の「金属回路層」（構成５ｂ）は、「金属回路層」を「第１の」と形容することは任意であることを踏まえると、本件発明１の「第１の金属層」に相当する。 甲５発明において、「金属回路層」は、「セラミック基板上に」「ろう材により接合されたものであ」る（構成５ｂ）から、「セラミック基板」に固定されていると認められる。また前記イのとおり、「セラミック基板」と「金属回路層」との間に「ろう材層」を有していると認められ、また、「ろう材層」は、「セラミック基板」の両方の主面に形成されていると認められる。ゆえに、「金属回路層」は、「ろう材層」を介して「セラミック基板」の主面側に固定されていると認められる。 よって、本件発明１の「窒化珪素基板」と甲５発明の「セラミック基板」について、いずれも「前記第１のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第１の主面側に」「第１の金属層」が「固定され」ている点で一致している。 一方、本件発明１の「第１の金属層」は「電気回路部品が搭載される」のに対し、甲５発明の「金属回路層」においてはそのように特定されていない点で相違している。 オ 発明特定事項１Ｅについて 発明特定事項１Ｅは「前記第２のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第２の主面側に固定され、前記電気回路部品で発生した熱を放熱する第２の金属層と」というものである。 甲５発明の「放熱層」は、金属である「Ｃｕを主成分とした」もの（構成５ｂ）であり、「放熱層」を「第２の」と形容することは任意であることを踏まえると、本件発明１の「第２の金属層」に相当する。 甲５発明の「放熱層」は熱を放熱するものであることは明らかである。そして、前記エでの「金属回路層」（構成５ｂ）同様の検討により、甲５発明の「放熱層」は、「ろう材層」を介して「セラミック基板」の主面側に固定されていると認められる。 よって、本件発明１の「窒化珪素基板」と甲５発明の「セラミック基板」について、いずれも「前記第２のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第２の主面側に」「熱を放熱する第２の金属層」が「固定され」ている点で一致している。 一方、本件発明１の「第２の金属層」が「放熱する」「熱」は「前記電気回路部品で発生した」ものであるに対し、甲５発明において「放熱層」が放熱する熱の発生源については特定されていない点で相違している。 カ 発明特定事項１Ｆについて 発明特定事項１Ｆは「からなるセラミックス基板において」というものである。これは本件発明１の「セラミックス基板」が発明特定事項１Ａ～１Ｅ「からなる」ことを特定するものである。 甲５発明の「セラミックス回路基板」（構成５ａ）は、本件発明１の「セラミックス基板」に相当する。 本件発明１の「セラミックス基板」と甲５発明の「セラミックス回路基板」は、前記ア～オを踏まえれば、「第１の金属層」に「電気回路部品が搭載される」こと（前記エ）、及び、「第２の金属層」が「放熱する」「熱」が「前記電気回路部品で発生した」ものであること（前記オ）を別にすれば、いずれも発明特定事項１Ａ～１Ｅ「からなる」点で一致している。 キ 発明特定事項１Ｇについて 発明特定事項１Ｇは、「前記第１の金属層および前記第２の金属層は、同種の金属であって、それぞれの厚さの差は、０．０２ｍｍ以下であり、」というものである。 甲５発明の「金属回路層」が本件発明１の「第１の金属層」に相当することは前記エのとおりである。 甲５発明の「放熱層」が本件発明１の「第２の金属層」に相当することは前記オとおりである。 甲５発明において、「金属回路層」は「Ｃｕを主成分とし」、「放熱層」は「Ｃｕを主成分とし」たもの（構成５ｂ）であり、その製造方法（構成５ｄ）において、「金属回路板及び放熱板」は「Ｃｕ板」を用いている。ゆえに、「金属回路板及び放熱板は、それぞれ金属回路層及び放熱層となるものである」（構成５ｄ３）ことを踏まえれば、「金属回路層」および「放熱層」は同種の金属であると認められる。 また、甲５発明において、「金属回路板及び放熱板のＣｕ板の厚さはいずれも０．４０ｍｍ」であり（構成５ｄ２）、同じ厚さである。ゆえに、「金属回路板及び放熱板は、それぞれ金属回路層及び放熱層となるものである」（構成５ｄ３）ことを踏まえれば、「金属回路層」および「放熱層」の厚さの差は０．０２ｍｍ以下であることも明らかである。 よって、本件発明１の「前記第１の金属層および前記第２の金属層」と甲５発明の「金属回路層」および「放熱層」は、いずれも「同種の金属であって、それぞれの厚さの差は、０．０２ｍｍ以下であ」る点で一致している。 ク 発明特定事項１Ｈについて 発明特定事項１Ｈは、「前記第１のろう材層および前記第２のろう材層は、いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さ、及び前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さのうち、厚い方をＴａ（μｍ：小数第１位）とし、薄い方をＴｂ（μｍ：小数第１位）としたとき、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たし、」というものである。 甲５発明においても、前記イのとおり、「ろう材層」は「セラミック基板」の両方の主面に形成されていると認められるが、その厚みについては特定されていない。 よって、本件発明１の「前記第１のろう材層および前記第２のろう材層」は、「いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さ、及び前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さのうち、厚い方をＴａ（μｍ：小数第１位）とし、薄い方をＴｂ（μｍ：小数第１位）としたとき、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満た」すのに対し、甲５発明の「セラミック基板」の両方の主面に形成されている「ろう材層」においてその厚みは特定されない点で相違している。 ケ 発明特定事項１Ｉについて 発明特定事項１Ｉは、「前記窒化珪素基板の各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下とした、」というものである。 甲５発明の「セラミック基板」が本件発明１の「窒化珪素基板」に相当することは、前記アのとおりである。 甲５発明の「セラミック基板」において、反り量は特定されていない。 よって、本件発明１の「窒化珪素基板」は、その「各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下」であるのに対し、甲５発明の「セラミック基板」において反り量は特定されていない点で相違している。 コ 発明特定事項１Ｆ′について 発明特定事項１Ｆ′は、「セラミックス基板。」というものである。 甲５発明の「セラミック回路基板」（構成５ａ）は、本件発明１の「セラミックス基板」に相当する。 サ 一致点及び相違点について 前記ア～コによれば、本件発明１と甲５発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。 （ア）一致点 「 矩形状で平板状の窒化珪素基板と、 前記窒化珪素基板の第１の主面に設けられた第１のろう材層と、 前記窒化珪素基板の第２の主面に設けられた第２のろう材層と、 前記第１のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第１の主面側に固定された第１の金属層と、 前記第２のろう材層を介して前記窒化珪素基板の前記第２の主面側に固定された第２の金属層とからなるセラミックス基板において、 前記第１の金属層および前記第２の金属層は、同種の金属であって、それぞれの厚さの差は、０．０２ｍｍ以下である セラミックス基板。」 （イ）相違点１ 本件発明１の「第１の金属層」は「電気回路部品が搭載され」、「第２の金属層」が「放熱する」「熱」は「前記電気回路部品で発生した」ものであるのに対し、甲５発明の「金属回路層」においてはそのように特定されておらず、また、「放熱層」が放熱する熱の発生源については特定されていない点。（発明特定事項１Ｄ、１Ｅ） （ウ）相違点２ 本件発明の「前記第１のろう材層および前記第２のろう材層」は、「いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さ、及び前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さのうち、厚い方をＴａ（μｍ：小数第１位）とし、薄い方をＴｂ（μｍ：小数第１位）としたとき、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満た」すのに対し、甲５発明の「セラミック基板」の両方の主面に形成されている「ろう材層」においてその厚みは特定されない点。（発明特定事項１Ｈ） （エ）相違点３ 本件発明の「窒化珪素基板」は、その「各辺に沿った方向の１００ｍｍあたりの反り量を０．０３ｍｍ以下」であるのに対し、甲５発明の「セラミック基板」において反り量は特定されていない点。（発明特定事項１Ｉ） （３）相違点（相違点２）についての判断 事案にかんがみ、前記（２）サに示した相違点のうち、相違点２（前記（２）サ（ウ））について検討する。 ア 当審の判断 甲１～４及び６のいずれにも、「第１のろう材層と第２のろう材層は、いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さ、及び前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さのうち、厚い方をＴａ（μｍ：小数第１位）とし、薄い方をＴｂ（μｍ：小数第１位）としたとき、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満た」す（発明特定事項１Ｈ）ようにすることは記載も示唆もされていない。 よって、相違点２は、甲５発明及び甲１～４及び６に記載された事項に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に想到することができたものであるとはいえない。 また、前記第１のとおり、本件特許についての出願は、原出願の一部を新たな特許出願としたものであり、特許法４４条２項の規定により原出願の出願時（令和４年３月２９日）にしたものとみなされる一方、甲７の公開日は令和４年１０月３１日であるから、甲７に記載された発明は、原出願の出願後に公衆に利用可能となったものであり、特許法２９条１項３号に掲げる発明に該当しない。ゆえに、本件発明１が、甲７に記載された発明に基づいて特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるということはできない。 イ 特許異議申立人の主張と検討 特許異議申立書での特許異議申立人の主張及びそれに対する当審の判断は以下のとおりである。 （ア）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、特許異議申立書（２６頁１４行目～２９頁１４行目）において、相違点２（発明特定事項１Ｈ）の構成と関連して、以下の点を主張している。 a 発明特定事項１Ｈは、甲２、甲３、甲６及び甲７に記載された周知技術である点（２６頁１４～２２行目） 第１のろう材層および第２のろう材層を、いずれの箇所においても厚さを１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下とし、任意の箇所における第１のろう材層の厚さと任意の箇所の裏側にあたる箇所の第２のろう材層の厚さのうち、厚い方をＴａ(μｍ：小数第１位)とし、薄い方をＴｂ(μｍ：小数第１位)としたとき、(Ｔａ－Ｔｂ)／Ｔａ≦０．２の関係式を満たすこと（発明特定事項１Ｈ）は、例えば甲２の［００１７］及び［図１］や甲３の［特許請求の範囲］及び［第１表］、甲６の［００１０］、［００１１］、［００１２］、［００１３］、［００５５］、［００５６］、［００６３］、［００７１］、及び、甲７等の［００６２］等に記載された周知技術である。 b 甲２に記載された事項に基づき、甲１に記載されている銅回路の接合層と放熱銅板の接合層の厚さの差は４μｍであり、また（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たすといえる点（２６頁２３行目～２７頁１１行目） 甲２の図１は、セラミックス基板１と、金属板と、Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｎろう材層組織３と、Ｃｕリッチ相４と、接合界面５と、を有するセラミックス回路基板の断面を示している。また甲２では、接合層をＡｇ－Ｃｕ－Ｓｎろう材層組織３としている。図１では、Ｃｕリッチ相が黒色であるから、白色に見えるのはＡｇリッチ相である。Ａｇリッチ相の厚さの最小値と最大値の差は下記図の赤線に示すように４μｍ以下である。つまり、活性金属ろう材ペーストの塗布量が同じであれば、活性金属ろう材層の厚さは、大きくばらつくものではない。そのため、甲１における銅回路の接合層と放熱銅板の接合層の厚さの差も４μｍ以下であることは明らかである。また、甲１の段落【００１３】には「接合層厚さは１０～２０μｍ」とあるように、この範囲で活性金属ろう材ペーストの塗布量をこの範囲で同じにすれば、表裏の接合層厚さの差は４μｍ以下になる。この場合、例えば厚い方の接合層厚さが２０μｍであるとともに接合層厚さの差が４μｍであると仮定すると、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦（２０－１６）／２０＝０．２となり、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たす。 ［図：0001428026000002.jpg］ c 甲６に、接合前と接合後を比較しても厚さは４μｍ以上変化しないことが示されている点（２７頁１２行目～２７頁１５行目） 甲６の段落[0071]の[表１]において、「ろう材層厚さ」と「接合層厚さ」とを比較すると、これらに大きな変化はない。このことは、接合前と接合後を比較しても厚さは４μｍ以上変化しないことを示している。 d 甲６に、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たす試料が記載されている点（２７頁１６行目～２８頁１５行目） 甲６の段落[0009]、[0010]、[0011]、[0012]、[0013]、[0055]、[0056]、[0063]等の記載から、甲６の実施例ではバルク状活性金属ろう材を用いていることは明らかである。また、段落[0071]の[表１]では比較例（活性金属ろう材ペースト）の接合層厚さについて具体的な記載はないが、段落[0063]に示されているように「略同じ」であるから接合層厚さも略同じであることは明らかである。 さらに、[表１]において、試料Ｎｏ．１、２、７における接合層の厚さが１１．２～２０．４μｍであることが記載されており、前述のとおり、厚さの変化も４μｍ以上変化しないことから、接合層の厚さの差が４．０μｍ以下であることは明らかである。この場合、例えば接合層厚さが２０μｍであるとともに接合層厚さの差が４μｍであると仮定すると、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦（２０－１６）／２０＝０．２となり、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たす。なお、甲６には、反り量に関して記載されていないが、本件発明１は、前述のとおり第１のろう材層、第２のろう材層、第１の金属層、第２の金属層のそれぞれの厚さと、これらの厚さの差を制御し、セラミックス基板の反り量を制御するものであるから、これらの厚さが同等の範囲であれば、得られる反り量も同等の値であることは明らかである。 e 甲７に、「前記第１のろう材層および前記第２のろう材層は、いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さと前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さとの差が４．０μｍ以下である」構成を満たす試料が記載されており、また当該試料が（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たしている点（２８頁１６行目～２９頁１４行目） 甲７には、【請求項１】～【請求項３】、【００６１】、【００６８】、【００７１】の【表２】等の記載から、試料Ｎｏ．４～６において、回路層側、金属層側の活性金属化合物層、Ａｇ－Ｃｕ合金層のライン分析により測定された厚さが開示されている。ここで、接合層の厚さは、以下の表に示すとおり、活性金属化合物層の厚さとＡｇ－Ｃｕ合金層の厚さの合計となる。 ［図：0001428026000003.jpg］ 試料Ｎｏ．４とＮｏ．５は本件特許発明１における「前記第１のろう材層および前記第２のろう材層は、いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さと前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さとの差が４．０μｍ以下である」構成を満たしている。この場合、例えば厚い方の接合層厚さが１５．２１μｍであり、薄い方の接合層厚さが１３．１６μｍであるとともに接合層厚さの差が２．０５μｍであると仮定すると、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦（１５．２１－１３．１６）／１５．２１＝０．１３となり、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たす。なお、甲７には反り量について記載されていないが、本件発明１は、前述のとおり第１のろう材層、第２のろう材層、第１の金属層、第２の金属層のそれぞれの厚さと、これらの厚さの差を制御し、セラミックス基板の反り量を制御するものであるから、これらの厚さが同等の範囲であれば、得られる反り量も同等の値であることは明らかである。 （イ）特許異議申立人の主張についての検討 a 発明特定事項１Ｈは、甲２、甲３、甲６及び甲７に記載された周知技術である点について（前記イ（ア）a） 発明特定事項１Ｈは、甲２、甲３、甲６及び甲７のいずれにも記載されていない。また、発明特定事項１Ｈが周知技術であるといえる事情はない。 b 甲２に記載された事項に基づき、甲１に記載されている銅回路の接合層と放熱銅板の接合層の厚さの差は４μｍであり、また（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たすといえる点について（前記イ（ア）b） まず、甲２の図１を以下に示す。 ［図：0001428026000004.jpg］ 甲２の図１には、長さ４μｍの赤線は記載されていないため、特許異議申立書に示されている図は、特許異議申立人が、図１に対し、図中右下に示されている１０μｍの長さを示すスケールに基づいて赤線を追記したものであると認められる。 しかし、図１は、段落[0011]に記載されているとおり、セラミックス回路基板の一例であり、また図１は１０μｍのスケールからもわかるように、その一部分を示しているものであることを踏まえれば、図１が一般論として、セラミックス回路基板のその全体においてろう材層（接合層）の厚さの最小値と最大値の差が４μｍ以下であることを示しているものとは認められない。また、甲２には、図１以外のその他の箇所においても、ろう材層の厚さの最小値と最大値については記載も示唆もされていない。よって、甲２に基づくろう材層の厚さの最小値と最大値の差が４μｍであるとの主張、及び、当該主張に基づく他の主張は、採用することができない。 なお、念のため付言すると、甲２の図１に基づき、甲１における銅回路の接合層と放熱銅板の接合層の厚さの差が４μｍ以下であることは明らかである旨主張している点についても、甲２の記載は甲１の接合層に関する記載を説明していると認められる事情はないため、当該主張も採用することはできず、仮にそのような事情があったとしても、甲１に記載されている接合層を、甲５発明に採用する動機も特段存在しないため、相違点２について当業者が容易に想到し得たものであるといえる根拠になるものではない。 c 甲６に、接合前と接合後を比較しても厚さは４μｍ以上変化しないことが示されている点について（前記イ（ア）c） 甲６には以下（a）のとおりの記載があり、これに基づき（b）のとおり判断する。 （a）甲６の記載 甲６には、以下の記載がある。 「[0013] 即ち、本発明は、セラミックス基板と、前記セラミックスの一方の面に接合層を介して接合された銅系材料からなる銅回路と、前記セラミックスの他方の面に接合層を介して接合された銅系材料からなる銅放熱板よりなるセラミックス回路基板において、前記接合層は、Ａｇを必須成分とすると共に少なくとも２種以上の金属からなるろう材成分と、少なくとも１種以上の活性金属成分とからなり、前記活性金属の含有量が、接合層全体の金属元素量に対して０．５質量％以上２．０質量％以下となっており、前記接合層は、前記ろう材成分からなるろう材層と前記活性金属を含む活性金属化合物層とからなり、前記活性金属化合物層が前記セラミックス基板との接合界面に沿って形成されており、更に、前記接合層と前記セラミックス基板との接合面積に占める、前記活性金属化合物層と前記セラミックス基板との接合面積の割合が、８８％以上であることを特徴とするセラミックス回路基板である。」 「[0049] 本発明に係るセラミックス回路基板の製造方法では、以上のようにして製造され用意された複合材料を、セラミックス基板の両面に配置し、加熱して複合材料を接合する。ここで、この活性金属ろう材による接合の条件については、上述した接合層の構成（活性金属化合物層の厚さ及び接合面積）を発現させるものであることが要求される。」 「[0066]第２実施形態：ここでは、組成の異なる複数の活性金属ろう材を使用して回路基板を製造した。第１実施形態と同様にして、下記表１に記載の組成の活性金属ろう材を製造して複合材料を製造した。そして、第１実施形態と同様に回路基板を製造した。」 「[0071] [表1] ［図：0001428026000005.jpg］ 」 （b）判断 前記(a)に基づくと、甲６は、「セラミックス基板と、前記セラミックスの一方の面に接合層を介して接合された銅系材料からなる銅回路と、前記セラミックスの他方の面に接合層を介して接合された銅系材料からなる銅放熱板よりな」り、「前記接合層は、」「ろう材成分からなるろう材層と」「活性金属を含む活性金属化合物層とからなり」「前記活性金属化合物層が前記セラミックス基板との接合界面に沿って形成されて」いる「セラミックス回路基板」（[0013]）が記載されていると認められる。 そして、セラミックス回路基板の製造の際には、「複合材料を、セラミックス基板の両面に配置し」、「接合層の構成を発現させる」「接合の条件」にて「加熱して複合材料を接合」すること（[0049]）も記載されていると認められる。 また、表1は、「第２実施形態」として「組成の異なる複数の活性金属ろう材を使用して回路基板を製造した」際の「活性金属ろう材」の「組成」を記載しているもの（[0066]）と認められ、表1から、それぞれの回路基板を製造した際の「ろう材厚さ」、「接合層厚さ」、「活性金属化合物層」の厚さが記載されているとも認められる。 以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張は必ずしも判然としないが、表1には、特許異議申立人が主張するような、ろう材層の厚さと接合層の厚さとの間に大きな変化がないことについては記載されておらず、また、表1は「接合前と接合後を比較」するものとは解されず、表1には、接合前と接合後を比較して厚さが「４μｍ以上変化しない」ことも示されていない。 よって、甲６に基づく４μｍ以上変化しないとの主張、及び、当該主張に基づく他の主張は、採用することができない。 d 甲６に、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たす試料が記載されている点について（前記イ（ア）d） 甲６には、段落[0039]の記載より、「活性金属ろう材層」に「バルク状」のものを「使用する」ことが記載されていると認められる。また、表1のＮｏ．１、２、７において、接合層の厚さは、１１．２～２０．４μｍの範囲内のものであるとも認められる。 一方、段落[0063]には、「一方、比較例についてみると、接合層の組織そのものは本実施形態と略同じであり、・・・。また、活性金属化合物層の厚さは、０．６μｍであった。・・・」と記載されている。この記載から、「比較例」は「接合層の組織そのものは本実施形態と略同じ」であるものと認められるが、続いて同段落内に「また、活性金属化合物層の厚さは、０．６μｍであった。」と厚さに関する記載もあるため、「比較例についてみると、接合層の組織そのものは本実施形態と略同じ」の記載において「接合層の組織」が膜厚の意を含むかは定かではない。 ゆえに、段落[0063]で「接合層の組織そのものは」「略同じ」と記載されているからといって、実施例と比較例で、接合層厚さも略同じであるが明らかであるとはいえない。また、前記cのとおり、甲６に基づく４μｍ以上変化しないとの主張、及び、当該主張に基づく他の主張は、採用することができない。 よって、甲６に、（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たす試料が記載されているとはいえない。 e 甲７に、「前記第１のろう材層および前記第２のろう材層は、いずれの箇所においても厚さが１１．２μｍ以上２０．４μｍ以下であって、任意の箇所における前記第１のろう材層の厚さと前記任意の箇所の裏側にあたる箇所の前記第２のろう材層の厚さとの差が４．０μｍ以下である」構成を満たす試料が記載されており、また当該試料が（Ｔａ－Ｔｂ）／Ｔａ≦０．２の関係式を満たしている点について（前記イ（ア）e） 前記アのとおり、本件発明１が、甲７に記載された発明に基づいて特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるということはできない。 （ウ）小括 以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張は、いずれも採用することができない。 （４）小括 以上のとおりであるから、その余の相違点（相違点１及び３）について検討するまでもなく、本件発明１は、甲５発明及び甲１～４及び６に記載された事項に基づき、当業者が容易に発明することができたものであるといえない。また、本件発明１が、甲７に記載された発明に基づいて特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるということはできない。 （５）本件発明２、３について 本件発明２及び３は、本件発明１の発明特定事項を全て備え、さらに別の発明特定事項により限定されたものであるから、本件発明２及び３と、甲５発明との間には、前記（２）サに示した相違点がある。 そして、そのうちの相違点２（前記（２）サ（ウ））についての判断は、前記（３）のとおりであるから、本件発明２及び３についても、前記（４）同様、甲５発明及び甲１～４及び６に記載された事項に基づき、当業者が容易に発明することができたものであるといえない。また、本件発明２及び３が、甲７に記載された発明に基づいて特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるということはできない。 （６）小括 以上のとおりであるから、本件発明１～３は、甲５に記載された発明及び甲１～４、６及び７に記載された事項に基づいて、本件特許出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないから、特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるということはできない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、特許異議申立書に記載した申立理由によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。