2025-700579

特許第７５９３９０３号発明「Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５９３９０３号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５９３９０３号の請求項１ないし６に係る特許についての出願は、令和３年９月２日（優先権主張 令和２年１２月２２日）に出願され、令和６年１１月２５日にその特許権の設定登録がなされ、同年１２月３日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１ないし６に係る特許に対して、令和７年６月２日に特許異議申立人 橋田 奈美子により特許異議の申立てがなされたものである。 第２ 本件発明 特許第７５９３９０３号の請求項１ないし６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明６」という。）は、それぞれ特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。 「【請求項１】 希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ及びＢを含有するＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石であって、 前記Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石は、Ｒとして、少なくともＮｄを含有し、 前記Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石は、Ｔとして、少なくともＦｅを含有し、 前記Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石は、複数の主相粒子と、複数のＲリッチ相と、を備え、 前記主相粒子は、少なくともＲ、Ｔ及びＢを含有し、 前記Ｒリッチ相は、少なくともＲを含有し、 前記Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石の断面において観察される前記主相粒子は、扁平であり、 前記断面は、前記Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石の磁化容易軸方向に略平行であり、 前記Ｒリッチ相は、複数の前記主相粒子の間に位置し、 前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値は、３０μｍ以上１０００μｍ以下であり、 前記断面において観察される前記主相粒子の短軸の長さの平均値は、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、 Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石。 【請求項２】 Ｒの含有量は、２８質量％以上３３質量％以下であり、 Ｂの含有量は、０．８質量％以上１．１質量％以下である、 請求項１に記載のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石。 【請求項３】 複数の扁平な前記主相粒子が、前記磁化容易軸方向に沿って積み重なっている、 請求項１又は２に記載のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石。 【請求項４】 熱間加工磁石である、 請求項１～３のいずれか一項に記載のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石。 【請求項５】 前記Ｒリッチ相におけるＲの濃度は、前記断面におけるＲの濃度の平均値よりも高く、 Ｒの濃度の単位は、原子％である、 請求項１～４のいずれか一項に記載のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石。 【請求項６】 前記Ｒリッチ相におけるＲの濃度は、前記主相粒子におけるＲの濃度よりも高く、 Ｒの濃度の単位は、原子％である、 請求項１～５のいずれか一項に記載のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石。」 第３ 申立理由の概要 １．申立理由１（実施可能要件） 本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項１ないし６に係る発明を当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、請求項１ないし６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （以下、参考文献） 甲第１号証：" Improvement of magnetic performance of hot-deformed Nd-Fe-B magnets by secondary deformation process after Nd-Cu eutectic diffusion" Tieqiao Zhang et al., Acta Materialia, Volume 118(2016), p.374-382 甲第２号証："Anisotropic behavior of grain boundary diffusion in hot-deformed Nd-Fe-B magnet" Tieqiao Zhang et al., Scripta Materialia 129(2017), p.1-5 ２．申立理由２（サポート要件） 請求項１ないし６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、請求項１ないし６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ３．申立理由３（明確性） 請求項１ないし６に係る発明は、明確でないから、請求項１ないし６に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 第４ 当審の判断 １．申立理由１（実施可能要件）について （１）明細書中のＲリッチ相の間隔の評価方法について ア．特許異議申立人の主張 本件発明１では、「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値は、３０μｍ以上１０００μｍ以下」と規定されているが、この規定における「Ｒリッチ相の間隔の平均値」の評価方法について、本件特許明細書の段落【００３０】に記載されるように、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影される反射電子像の測定領域Ａにおいて、任意の測定点Ｘの輝度から、その測定点Ｘを含む計１１か所の測定点の輝度の移動平均ＩＡＶＥを引いた値が、ＩＡＶＥの何％に当たるかを算出した値は、Ｊ－ＰｌａｔＰａｔより取得した本件特許明細書の図３画像ファイルに示された測定領域Ａ（ｂ）を画像処理ソフトウェア「ImageJ」を用いて算出すると、測定点Ｘにおけるノイズ成分を抽出して提示するものとなるため、Ｒリッチ相に相当するピークを与えるものとはならず、当業者が、Ｒリッチ相の間隔を明確に評価することができないので、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではなく、実施可能要件を満たさない。請求項１を引用する請求項２ないし６に係る発明についても同様である。 イ．判断 上記主張について検討する。 本件発明１で特定される、「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値」の評価方法について、本件特許明細書の段落【００３０】において、輝度が、ＩＡＶＥの１０７％以上である測定点Ｘの位置をＲリッチ相の位置として平均値を評価している。ここで「輝度とは、各測定点における反射電子線の強度（図２中のＩＮＴＥＮＳＩＴＹ）である。輝度の単位は、任意単位（ａ．ｕ．）である。」と記載されているところ、本件特許明細書の段落【００３０】に記載の「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値」の評価は、各測定点における反射電子線の強度から算出されるものであり、特許異議申立人が主張するようなＪ－ＰｌａｔＰａｔより取得した本件特許明細書の図３画像ファイルに示された測定領域Ａ（ｂ）を画像処理ソフトウェア「ImageJ」を用いて算出したものとは、そもそも算出に用いられる元データが同質でないことは明らかであるから、特許異議申立人の上記主張は当を得ないものであって採用できない。 （２）測定領域の設定の妥当性 ア．特許異議申立人の主張 本件発明１では、「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値は、３０μｍ以上１０００μｍ以下」と規定されているが、この規定における「Ｒリッチ相の間隔の平均値」の評価方法について、本件特許明細書の段落【００３０】に記載されるように評価する際に、反射電子像内の測定領域内にＡＢ方向に沿って高輝度領域が２つ以上出現しない場合、高輝度領域の間の間隔を計測することができない。そして、測定領域内に１つしかＲリッチ相に対応づけることができる高輝度領域が含まれないとしても、ＡＢ方向に沿って測定領域の外側の領域にあたる反射電子像の視野外の位置には、測定領域内のＲリッチ相に隣接する別のＲリッチ相が存在するはずであり、本件特許明細書の段落【００３０】にあるとおり、Ｒリッチ相の間隔の平均値（ｉＡＶＥ）を算出するに際し、１つの測定領域内で計測された複数の間隔値に対して平均値を算出したうえで、複数の測定領域の其々におけるＲリッチ相の間隔の平均値を更に平均することで、平均値ｉＡＶＥを得る手法を用いたとしても、測定領域内で間隔値を計測できる測定領域のみを選択するとすれば、隣接するＲリッチ相との間隔が大きく離れている形態について考慮に取り込まれないこととなり、得られたＲリッチ相の間隔の平均値は、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石の構造の特徴を適切に反映するものとはならない。そして、本件特許明細書では、Ｒリッチ相の間隔を計測し、平均値を求める複数の測定領域を、どのような基準のもとで設定するのかについて、何も記載されていないことから、ある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを、明確に判定することができず、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではなく、実施可能要件を満たさない。請求項１を引用する請求項２～６に係る発明についても同様である。 イ．判断 上記主張について検討する。 まず、そもそもある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを、明確に判定することができるか否かと、請求項１に係る発明を当業者が実施（製造）することができるか否かとは、直接関係のないことである。 また、本件特許明細書の段落【００３０】には、「図２に示されるように、輝度が比較的高い複数の部分（６）がＡＢ方向に沿って並んでいる任意の矩形の測定領域Ａが反射電子像から選定される。」と記載されているように、測定領域はそもそも反射電子像内の測定領域内にＡＢ方向に沿って高輝度領域が２つ以上出現する場所から選定されるものであるため、測定領域を選定する際に、反射電子像内の測定領域内にＡＢ方向に沿って高輝度領域が２つ以上出現しない測定領域は選定されない。さらに、本件特許明細書の段落【００３０】には、「例えば、ＡＢ方向における測定領域Ａの幅は、４００μｍであってよく、磁化容易軸方向Ｃおける測定領域Ａの幅は、１５μｍであってよい。」と記載されているように、上記されている測定領域の大きさは、例示されているものにすぎず、本件特許明細書の段落【０１０７】の表１において、比較例１０のＲリッチ相の間隔の平均値が１００３．５０μｍであることからも、ＡＢ方向における測定領域の幅は４００μｍで固定されるものではなく、輝度が比較的高い複数の部分が測定領域内に収まるように調整されることは、当業者にとって自明である。してみれば、当業者であればある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを明確に判定することはできるものといえ、特許異議申立人の主張は採用できない。 （３）Ｒリッチ相の間隔を平均値で評価することの是非 ア．特許異議申立人の主張 本件発明１では、「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値は、３０μｍ以上１０００μｍ以下」と規定されているが、ＡＢ方向におけるＲリッチ相の密度が比較的高く、Ｒリッチ相の間隔が小さくなった領域と、ＡＢ方向におけるＲリッチ相の密度が低く、Ｒリッチ相の間隔が大きくなった領域とが混在する永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔を、複数の測定領域における値の平均値として求める際に、ＡＢ方向に沿ってＲリッチ相が比較的高密度に分布している領域ばかりを選んでＲリッチ相の間隔を算出する方針をとるとすれば、得られた平均値は、ＡＢ方向に沿ってＲリッチ相が低密度でしか分布しない領域の寄与を正しく反映するものとならず、Ｒリッチ相が低密度でしか分布しない領域の寄与を平均値に取り込むべく、隣接する高輝度領域が大きく離れた位置にも測定領域を設定する方針をとるとしても、測定領隣接するＲリッチ相との位置関係を評価できないほどＲリッチ相の間隔が大きく空いた箇所の寄与までは取り込めないという問題、およびＲリッチ相の密度が高い領域を、どのような比率で平均値に取り込むべきかという問題が残るため、Ｒリッチ相の間隔の平均値は、試料全体におけるＲリッチ相の空間分布、およびそれと相関を有する特性を適切に反映するものとはなりにくいので、ある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを、明確に判定することができず、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではなく、実施可能要件を満たさない。請求項１を引用する請求項２～６に係る発明についても同様である。 イ．判断 上記主張について検討する。 まず、そもそもある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを、明確に判定することができるか否かと、請求項１に係る発明を当業者が実施（製造）することができるか否かとは、直接関係のないことである。 また、上記「（２）イ．」で述べたように、ＡＢ方向における測定領域の幅は４００μｍで固定されるものではなく、輝度が比較的高い複数の部分が測定領域内に収まるように調整されることは、当業者にとって自明であることから、異議申立人が主張する「Ｒリッチ相が低密度でしか分布しない領域の寄与」が平均値に取り込まれることは明らかである。 さらに、本件特許明細書の段落【００３０】、【００９９】には、Ｒリッチ相の間隔の平均値の具体的な測定方法として、５つの測定領域のそれぞれにおけるＲリッチ相の間隔の平均値を更に平均するようにしており、Ｒリッチ相が低密度でしか分布しない領域と、Ｒリッチ相の密度が高い領域とが偏って反映されることを抑制していることから、Ｒリッチ相の間隔の平均値は、試料全体におけるＲリッチ相の空間分布、およびそれと相関を有する特性を反映するものであり、当業者であればある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを明確に判定することはできるものといえ、特許異議申立人の主張は採用できない。 （４）測定領域の大きさ ア．特許異議申立人の主張 本件特許明細書では、実施例２および比較例８を除く各実施例および比較例について、解析の対象としている反射電子像が掲載されておらず、各反射電子像のサイズも、各反射電子像に設定する測定領域のサイズも明記されていないが、本件特許明細書の段落【００３０】、【００９９】に示されているように、ＡＢ方向における各測定領域の幅を４００μ、磁化容易軸方向Ｃにおける測定領域の幅を１５μｍとしているならば、少なくともＲリッチ相の間隔が上記実施例２の場合よりも大きくなっている各実施例・比較例においては、Ｒリッチ相の間隔の平均値が、実施例２にもまして、試料の組織の特徴を反映していないものと考えられ、実施例４、７～９など、Ｒリッチ相の間隔の平均値が４００μｍを超えている試料は、測定領域の幅よりもＲリッチ相の間隔の方が大きいことになり、掲載されているＲリッチ相の間隔の数値自体も、どのようにして測定されたものであるのか、明らかではないことから、ある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを、明確に判定することができず、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではなく、実施可能要件を満たさない。請求項１を引用する請求項２～６に係る発明についても同様である。 イ．判断 上記主張について検討する。 まず、そもそもある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを、明確に判定することができるか否かと、請求項１に係る発明を当業者が実施（製造）することができるか否かとは、直接関係のないことである。 また、上記「（２）イ．」で述べたように、ＡＢ方向における測定領域の幅は４００μｍで固定されるものではなく、輝度が比較的高い複数の部分が測定領域内に収まるように調整されることは、当業者にとって自明であることから、当業者であればある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値の観点から、そのＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石が、本件発明１に記載されたＲリッチ相の間隔の平均値を満たすか否かを明確に判定することはできるものといえ、特許異議申立人の主張は採用できない。 （５）要件充足の判定の可否 ア．特許異議申立人の主張 甲第１号証および甲第２号証は、本件特許の実施例と同様に、Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系合金粉末を原料とし、成形および熱間加工を行ったうえで、粒界拡散工程を実施する工程を含んで製造されたＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について開示している。これらの永久磁石について、甲第１号証の図４および甲第２号証の図２の反射電子像に示されるとおり、Ｒリッチ相の輝度のムラが大きく、間隔のばらつきも大きい試料にあっては、反射電子像上に測定領域を設定して、高輝度領域の間隔からＲリッチ相の間隔を計測し、その間隔の平均値をとるとすれば、反射電子像を取得する領域、およびその反射電子像上に測定領域を設定する位置に依存して、得られる平均値が大きく変化する可能性があるため、ある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値に関して、本件特許発明に規定された範囲を満たすのか否か、一意に判定できなくなり、Ｒリッチ相の間隔の平均値が有する意味の観点から、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではなく、実施可能要件を満たさない。請求項１を引用する請求項２～６に係る発明についても同様である。 イ．判断 まず、そもそもある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値に関して、本件特許発明に規定された範囲を満たすのか否か、一意に判定できるか否かと、請求項１に係る発明を当業者が実施（製造）することができるか否かとは、直接関係のないことである。 また、上記「（３）イ．」で述べたように、本件特許明細書の段落【００３０】、【００９９】には、Ｒリッチ相の間隔の平均値の具体的な測定方法として、５つの測定領域のそれぞれにおけるＲリッチ相の間隔の平均値を更に平均するようにしており、反射電子像を取得する領域、およびその反射電子像上に測定領域を設定する位置に依存して、得られる平均値が大きく変化する可能性を抑制していることから、当業者であればある任意のＲ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石について、Ｒリッチ相の間隔の平均値に関して、本件特許発明に規定された範囲を満たすのか否かを一意に判定できるものといえ、特許異議申立人の主張は採用できない。 （６）まとめ 以上のとおり、特許異議申立人の主張はいずれも採用することはできず、本件明細書は本件発明について当業者が実施できる程度に記載されているといえるから、本件請求項１ないし６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできない。 ２．申立理由２（サポート要件）について （１）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、概略次のようなサポート要件に関する申立理由を主張している。 上記「１．（１）ア．」に記載のとおり、本件明細書に記載されている方法では、Ｒリッチ相の間隔の平均値として、物理的に意味のある値を得ることができないという点で、本件明細書は、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではなく、上記「１．（２）ア．」、上記「１．（３）ア．」、上記「１．（４）ア．」に記載のとおり、限られた領域の反射電子像において、任意に複数の測定領域を設定し、平均値を算出する方法では、得られた平均値が、材料全体の特徴を適切に評価できる量とならないという点でも、本件明細書は、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではないことから、本件発明１に記載されている「３０μｍ以上１０００μｍ以下」とのＲリッチ相の間隔の平均値は、実施例で解析対象となっている反射電子像をはじめ、本件明細書で言及されている反射電子像から適切に取得されたものであるとは言えないので、本件請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。請求項１を引用する請求項２～６に係る発明についても同様である。 （２）判断 上記「１．（１）イ．」に記載のとおり、本件明細書に記載されている方法によって、Ｒリッチ相の間隔の平均値として、物理的に意味のある値を得ることができないわけではなく、また、上記「１．（２）イ．」、上記「１．（３）イ．」、上記「１．（４）イ．」に記載のとおり、限られた領域の反射電子像において、任意に複数の測定領域を設定し、平均値を算出する方法によって、得られた平均値が、材料全体の特徴を適切に評価できる量とならないわけでもないから、本件請求項１に記載されている「３０μｍ以上１０００μｍ以下」とのＲリッチ相の間隔の平均値は、本件明細書で言及されている反射電子像から適切に取得されたものでないとまではいえない。 よって、本件請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。 （３）まとめ よって、特許異議申立人のサポート要件に関する申立理由についての上記主張は採用することはできず、本件請求項１ないし６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。 ３．申立理由３（明確性要件）について （１）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、概略次のような明確性要件に関する申立理由を主張している。 本件発明１において、「Ｒリッチ相」を、「Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石の磁化容易軸方向に略平行」な「Ｒ‐Ｔ‐Ｂ系永久磁石の断面において観察される」複数の「主相粒子の間に位置する」領域として定義し、そのＲリッチ相について、「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値は、３０μｍ以上１０００μｍ以下であり」と、間隔を規定しているが、本件発明１で「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値」を規定している「主相粒子の間に位置する」Ｒリッチ相が、一次粒子としての「主相粒子の間に位置する」方のＲリッチ相なのか、二次粒子としての「主相粒子の間に位置する」方のＲリッチ相なのか、明らかではないので、本件請求項１に係る発明は明確でない。請求項１を引用する請求項２～６に係る発明についても同様である。 （２）判断 本件明細の段落【００２２】には、「主相粒子４は、一つの結晶粒（つまり一次粒子）と言い換えられえてよい」点が記載され、段落【００２７】には、「図２に示されるように、断面２ｃｓにおいて観察される各主相粒子４は、扁平である。換言すれば、断面２ｃｓにおいて観察される各主相粒子４は、板状であってよい。複数の扁平な主相粒子４は、磁化容易軸方向Ｃに沿って積み重なっていてよい。永久磁石２は、互いに結合した複数の主相粒子４から構成される二次粒子４ａを更に含んでよい。・・・少なくとも一部のＲリッチ相６は、複数の二次粒子４ａの間の粒界に位置してよい。」点が記載されているとおり、本件明細書では一貫して主相粒子４は一次粒子であり、二次粒子４ａと使い分けているので、本件発明１で「前記磁化容易軸方向に略垂直な方向における前記Ｒリッチ相の間隔の平均値」を規定している「主相粒子の間に位置する」Ｒリッチ相は、一次粒子としての「主相粒子の間に位置する」方のＲリッチ相であると理解することができる。 よって、本件請求項１に係る発明は明確であるといえる。 （３）まとめ よって、特許異議申立人の明確性に関する申立理由についての上記主張は採用することはできず、本件請求項１ないし６に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、本件請求項１ないし６に係る特許は、特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１ないし６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。