2025-700448

特許第７５７１３２９号発明「ＭＦＩ型ゼオライト及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５７１３２９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 特許第７５７１３２９号の請求項１、２、４、５に係る特許を維持する。 特許第７５７１３２９号の請求項３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５７１３２９号の請求項１～６に係る特許についての出願は、令和６年４月４日（優先権主張 令和５年４月７日、同年１１月２２日）の出願であり、令和６年１０月１１日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２２日に特許掲載公報が発行され、その後、令和７年４月２１日に、その請求項１～５に係る特許を対象として特許異議申立人 株式会社レゾナックユニバーサル（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされたものである。その後の主な経緯は以下のとおりである。 令和７年 ６月２４日付け 取消理由通知 同年 ８月２０日 特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ９月２９日 申立人による意見書の提出 （以下、「申立人意見書」という。） 同年１０月２０日付け 申立人に対する審尋 同年１１月 ７日 申立人による回答書の提出 （以下、「申立人回答書」という。） 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和７年８月２０日提出の訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）は、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを求めるものであって、その具体的な訂正事項は以下のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「アルミナに対するシリカのモル比が５０以上３０００以下である、ＭＦＩ型ゼオライト。」 と記載されているのを、 「アルミナに対するシリカのモル比が５０以上３０００以下であり、体積粒度分布におけるＤ９０とＤ１０の差分を２で割って求めた値である標準偏差が１０μｍ以下である、ＭＦＩ型ゼオライト。」 に訂正する。請求項１を直接又は間接的に引用する請求項２、４及び５についても同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に 「平均結晶径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である」 と記載されているのを、 「一次粒子１００±１０個の最長径の平均値である平均結晶径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である」 に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項６に 「シリカ源、アルミナ源、アルカリ源、ノルマルブチルアミン及び水を含む組成物を」 と記載されているのを、 「積算体積粒度分布におけるＤ５０が０．５μｍ以上５.０μｍ以下であり、なおかつ、粉末Ｘ線回折パターンにおける、（１０１）面のピーク高さに対する（０２０）面のピーク高さが６５％以上９５％以下であり、アルミナに対するシリカのモル比が５０以上３０００以下である、ＭＦＩ型ゼオライトの製造方法であって、 シリカ源、アルミナ源、アルカリ源、ノルマルブチルアミン及び水を含む組成物を」 に訂正するとともに、同請求項６に 「水熱処理する工程を含む、請求項１又は２のいずれかに記載のＭＦＩ型ゼオライトの製造方法。」 と記載されているのを、 「水熱処理する工程を含む、ＭＦＩ型ゼオライトの製造方法。」 に訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、本件明細書【００３２】の「本実施形態のＭＦＩ型ゼオライトは、その体積粒度分布における標準偏差・・・が、１０μｍ以下である」との記載及び同【００３３】の「本実施形態における「標準偏差」とは、積算体積粒度分布における、Ｄ９０とＤ１０の差分を２で割って求めた値であ」る旨の記載に基づき、本件訂正前の請求項１の「ＭＦＩ型ゼオライト」を、上記「標準偏差」が「１０μｍ以下である」ものに限定する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、本件訂正前の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、本件明細書【００２２】の「「平均結晶径」とは、一次粒子の粒子径の平均値であ」るとの記載及び同【００２３】の「平均結晶径は、・・・一次粒子１００個±１０個を抽出し、抽出した各一次粒子の最長径を測定し、その平均値を求め、これを平均結晶径とす」る旨の記載に基づき、本件訂正前の請求項４の「平均結晶径」の定義が、上記明細書に記載されたとおりのものであることを特定する訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものといえ、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４について 訂正事項４は、訂正前の請求項６について、訂正前の請求項１、２との引用関係を解消するとともに、当該請求項６の製造方法により製造されるＭＦＩ型ゼオライトが、訂正前に引用していた請求項１、２のうち、請求項１の「積算体積粒度分布におけるＤ５０が０．５μｍ以上５.０μｍ以下であり、なおかつ、粉末Ｘ線回折パターンにおける、（１０１）面のピーク高さに対する（０２０）面のピーク高さが６５％以上９５％以下であり、アルミナに対するシリカのモル比が５０以上３０００以下である」ものに限定する訂正といえる。そのため、訂正事項４は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることと、特許請求の範囲の減縮とを目的とするものといえ、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 一群の請求項 訂正前の請求項２～６は、請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから、請求項１～６は、一群の請求項である。 ４ 独立特許要件の適否 （１）訂正事項１～３について 訂正事項１～３により訂正される請求項１～５は、特許異議の申立てがされている請求項であるから、訂正事項１～３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項４について 訂正事項４は、特許異議の申立てがされていない請求項を対象としており、また、上記２（４）のとおり、その訂正の目的に特許請求の範囲の減縮を含むものといえるから、独立特許要件の適否を検討する必要がある。 本件訂正後の請求項６に係る発明は、「シリカ源、アルミナ源、アルカリ源、ノルマルブチルアミン及び水を含む組成物を、１００℃以上１５０℃以下、０．１５ＭＰａ以上で水熱処理した後に、０．１０ＭＰａ／時間以上の減圧速度で減圧しながら１００℃以上１５０℃以下で水熱処理する工程」を含む方法の発明である。 一方、本件特許異議申立てにより提出されたいずれの証拠においても、上記請求項６に規定される２段階の「水熱処理」を行うことは記載も示唆もされていないから、本件訂正後の請求項６に係る発明は、新規性及び進歩性を有しており、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反するとの理由により特許を受けることができないものではない。また他に、当該発明が特許を受けることができないとする理由もない。 したがって、本件訂正後の請求項６に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであり、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 ５ 小括 本件訂正は、上述のとおり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同条第４項の規定に従い、一群の請求項について訂正するものであり、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項～第７項の規定に適合するものである。 よって、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり、本件訂正は認められるので、本件の請求項１～５に係る発明は、次のとおり特定されるものである。 「【請求項１】 積算体積粒度分布におけるＤ５０が０．５μｍ以上５.０μｍ以下であり、なおかつ、粉末Ｘ線回折パターンにおける、（１０１）面のピーク高さに対する（０２０）面のピーク高さが６５％以上９５％以下であり、アルミナに対するシリカのモル比が５０以上３０００以下であり、体積粒度分布におけるＤ９０とＤ１０の差分を２で割って求めた値である標準偏差が１０μｍ以下である、ＭＦＩ型ゼオライト。 【請求項２】 頻度体積粒度分布曲線がモノモーダル型である、請求項１に記載のＭＦＩ型ゼオライト。 【請求項３】 （削除） 【請求項４】 一次粒子１００±１０個の最長径の平均値である平均結晶径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１又は２のいずれかに記載のＭＦＩ型ゼオライト。 【請求項５】 ＢＥＴ比表面積が３００ｍ２／ｇ以上である、請求項１又は２のいずれかに記載のＭＦＩ型ゼオライト。」 以下、この請求項１～５に係る発明及び特許を、請求項番号に沿って「本件発明１」、「本件特許１」などといい、まとめて「本件発明」、「本件特許」ということがある。 第４ 申立人による特許異議の申立理由の概要 １ 甲第１号証等に基づく新規性欠如 設定登録時の請求項１、５に係る発明は、下記３の甲第１号証及び甲第２号証等から把握される、本件特許の優先日前に公然実施をされた発明であり、特許法第２９条第１項第２号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである（以下、「申立理由１」という。）。 ２ 甲第３号証等に基づく新規性欠如 設定登録時の請求項１～５に係る発明は、下記３の甲第３号証～甲第９号証等から把握される、本件特許の優先日前に公然実施をされた発明であり、特許法第２９条第１項第２号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである（以下、「申立理由２」という。）。 ３ 証拠方法 （１）特許異議申立書とともに提出された証拠 甲第１号証：Ting Xiao, et al., “Organic Structure-Directing Agent-Free Synthesis of Mordenite-Type Zeolites Driven by Al-Rich Amorphous Aluminosilicates”，ACS Omega，Vol.6，PP.5176-5182，２０２０年１０月１６日投稿受理，２０２１年２月１６日公開 甲第２号証：東ソー株式会社ウェブページ内ゼオライト製品一覧表，URL: https://www.tosoh.co.jp/product/assets/synthetic_zeolite_zeolite_grade.pdf，２０２４年１２月２３日閲覧 甲第３号証：特開２０２１－４９５１８号公報（優先日：２０１９年９月１８日，出願日：２０２０年９月１６日） 甲第４号証：申立人，「Ｖ－８２０１製造日報」，２０２２年１２月２日作成 甲第５号証：株式会社住化分析センター，「分析・試験報告書 ＭＦＩゼオライトの分析［１］粒度分布 ＨｉＳｉｖ３０００」，２０２５年３月１９日作成 甲第６号証：株式会社住化分析センター，「分析・試験報告書 ＭＦＩゼオライトの分析［２］粉末ＸＲＤ ＨｉＳｉｖ３０００」，２０２５年３月１９日作成 甲第７号証：株式会社住化分析センター，「分析・試験報告書 ＭＦＩゼオライトの分析［３］ＩＣＰ－ＡＥＳ ＨｉＳｉｖ３０００」，２０２５年３月１９日作成 甲第８号証：株式会社住化分析センター，「分析・試験報告書 ＭＦＩゼオライトの分析［４］比表面積 ＨｉＳｉｖ３０００」，２０２５年３月１９日作成 甲第９号証：株式会社住化分析センター，「分析・試験報告書 ＭＦＩゼオライトの分析［５］ＳＥＭ ＨｉＳｉｖ３０００」，２０２５年３月１９日作成 （２）申立人意見書とともに提出された証拠 甲第１０号証：申立人，「製造指示書」，２０２２年１２月２日作成 甲第１１号証：申立人，「キルン投入～製品抜出依頼書」，２０２３年１月１３日作成 甲第１２号証：申立人，「製品入庫伝票」，２０２３年１月２４日更新 甲第１３号証：申立人，「(株)レゾナックユニバーサル会津工場フロー図」，２０２５年６月２４日作成 （３）申立人回答書とともに提出された証拠 甲第１４号証：申立人，申立人のウェブページ「沿革・年表」，URL: https://www.resu.co.jp/company/history/，２０２５年１１月６日閲覧 甲第１５号証：申立人，ユニオン昭和株式会社（申立人旧社名）のウェブページ「ハイシリカゼオライト生産設備の新設について」のアーカイブ，２０１３年７月２３日公開，２０２５年１１月６日取得 甲第１６号証：申立人，ユニオン昭和株式会社（申立人旧社名）のウェブページ「製品紹介」のアーカイブ，２０１７年９月１０日公開，２０２５年１１月６日取得 甲第１７号証：申立人従業員，実験成績証明書，２０２５年１１月７日作成 以下、甲第１号証を「甲１」などという。 なお、当審では、以下の文献も追加の証拠として提示する。 引用文献Ａ：特開２０２０－１９６８６３号公報（優先日：２０１９年５月２８日、出願日：２０２０年３月１２日） 引用文献Ｂ：特開２０２２－１３６６７４号公報（出願日：２０２１年３月８日） 乙第１号証：特開２０１２－４１２３２号公報（特許権者が令和７年８月２０日に提出した意見書に添付して提出したもの。以下、「乙１」という。） 第５ 令和７年６月２４日付けで通知した取消理由の概要 １ 甲１等に基づく新規性・進歩性欠如 設定登録時の請求項１～５に係る発明は、甲１及び甲２等から把握される、本件特許の優先日前に公然実施をされた発明であり、特許法第２９条第１項第２号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである（以下、「取消理由１」という。）。 また、設定登録時の請求項１～５に係る発明は、甲１及び甲２等から把握される、本件特許の優先日前に公然実施をされた発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである（以下、「取消理由２」という。）。 ２ 甲３等に基づく新規性・進歩性欠如 設定登録時の請求項１～５に係る発明は、甲３～甲９等から把握される、本件特許の優先日前に公然実施をされた発明であり、特許法第２９条第１項第２号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである（以下、「取消理由３」という。）。 また、設定登録時の請求項１～５に係る発明は、甲３～甲９等から把握される、本件特許の優先日前に公然実施をされた発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである（以下、「取消理由４」という。）。 ３ 明確性要件違反 本件特許は、設定登録時の特許請求の範囲の記載が次の点で不備であるため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（以下、「取消理由５」という。）。 設定登録時の特許請求の範囲の請求項３に記載された「標準偏差」は、分散の平方根（すなわち、データ数ｎ、個々のデータの数値ｘｉ、平均値μとしたとき、√［（１／ｎ）Σｉ（ｘｉ－μ）２］により計算される数値）を意味する技術用語であるため、単に「標準偏差」といった場合は、この意味として理解するのが妥当である。 一方、本件明細書【００３３】、【００３４】には、「標準偏差」が、「積算体積粒度分布における、Ｄ９０とＤ１０の差分を２で割って求めた値」すなわち「（Ｄ９０［μｍ］－Ｄ１０［μｍ］）／２）」で求めることができる旨記載されており、上述の意味に整合しない定義が説明されている。 そうすると、上記「標準偏差」は、請求項中の記載から理解される内容と、明細書中の説明内容とが整合していないため、その意味するところが不明確となっている。 第６ 当審の判断 当審は、以下に述べるとおり、上記第４の申立理由１、２及び上記第５の取消理由１～５のいずれの理由によっても、本件特許を取り消すことはできないと判断する。 申立人は、申立人意見書及び申立人回答書において、申立理由２、取消理由３及び４に関する主張のみを行っていることに鑑み、これらの理由について先に検討し、その後、残りの理由について検討する。 １ 申立理由２及び取消理由３、４（甲３等に基づく新規性・進歩性欠如）について （１）各証拠の記載事項 ア 甲３の記載事項 甲３には、以下の記載がある。なお、下線は当審が付したものであり、「・・・」は記載の省略を表す。他の証拠の摘記についても同様である。 「【００３４】 フィラー６は、例えば、ゼオライトなどの無機材料を含む。フィラー６に含まれるゼオライトは、アルミナに対するシリカの比率が高いハイシリカゼオライトであることが好ましい。ハイシリカゼオライトは、耐加水分解性に優れているため、第２溶剤が水である場合に、浸透気化膜１１の用途に適している。ハイシリカゼオライトとしては、東ソー社製のＨＳＺ（登録商標）、ユニオン昭和社製のＨｉＳｉｖ（登録商標）、ユニオン昭和社製のＵＳＫＹ及び中村超硬社製のＺｅｏａｌ（登録商標）を用いることができる。 ・・・ 【００９５】 （測定例１） まず、次の方法によって浸透気化膜を作製した。シリコーン樹脂（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製のＹＳＲ３０２２）２．８１０ｋｇ（固形分濃度３０ｗｔ％）、トルエン４．７７８ｋｇ、ハイシリカゼオライト（ユニオン昭和社製のＨｉＳｉｖ３０００）０．８４３ｋｇ、分散剤（日油社製のマリアリムＡＷＳ-０８５１）０．００４ｋｇ、シリコーン硬化触媒（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製のＹＣ６８３１）０．０２８ｋｇ及び硬化遅延剤としてのアセチルアセトン０．０８４ｋｇを混合して塗布液を調製した。次に、塗布液を厚さ１５０μｍの多孔性支持体（日東電工社製のＲＳ-５０）の上に塗布することによって塗布膜（厚さ５００μｍ）を得た。塗布膜を９０℃で４分間加熱し、乾燥させることによって、厚さ６７μｍの分離機能層を作製した。分離機能層において、シリコーン樹脂とハイシリカゼオライトとの重量比は、５０：５０であった。」 イ 甲４の記載事項 甲４の「Ｖ－８２０１製造日報」と題される文書には、以下の記載がある。なお、「日報」は通常、製造日に作成されるものであることから、当該文書の作成日は、下記「製造年月日」の２０２２年１２月２日と推定される。 「 ［図：0001433098000001.jpg］ 」 ウ 甲５～９の記載事項 甲５～９の「ＭＦＩゼオライト」の「分析・試験報告書」には、試料「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」について、下記（ア）～（オ）の分析・試験結果が記載されている。 （ア）粒度分布 「 ［図：0001433098000002.jpg］ 」（甲５の第１／３ページ） 「 ［図：0001433098000003.jpg］ 」（甲５の第２／３ページ） 「 ［図：0001433098000004.jpg］ 」（甲５の第３／３ページの粒度分布図） （イ）粉末ＸＲＤ 「 ［図：0001433098000005.jpg］ 」（甲６の第１／１ページ） 「 ［図：0001433098000006.jpg］ ［図：0001433098000007.jpg］ （中略） ［図：0001433098000008.jpg］ 」（甲６の「添付資料」第３、４ページ） （ウ）モル比（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３） 「 ［図：0001433098000009.jpg］ ［図：0001433098000010.jpg］ ［図：0001433098000011.jpg］ 」（甲７の第１／１ページ） （エ）比表面積 「 ［図：0001433098000012.jpg］ ［図：0001433098000013.jpg］ 」（甲８の第１／１ページ） （オ）ＳＥＭ（走査電子顕微鏡） 「 ［図：0001433098000014.jpg］ 」（甲９の「添付資料」第１ページ） エ 甲１０～１３の記載事項 甲１０の「製造指示書」と題される文書には、以下の記載がある。 「 ［図：0001433098000015.jpg］ 」 甲１１の「キルン投入～製品抜出依頼書」と題される文書には、以下の記載がある。 「 ［図：0001433098000016.jpg］ 」 甲１２の「製品入庫伝票」と題される文書には、以下の記載がある。 「 ［図：0001433098000017.jpg］ 」 甲１３には、以下の「(株)レゾナックユニバーサル会津工場フロー図」が記載されている。 「 ［図：0001433098000018.jpg］ 」 オ 甲１４～１６の記載事項 甲１４は、申立人の沿革・年表を示すウェブページであり、当該年表中に、 「２０２３年 株式会社レゾナックユニバーサルに社名変更 ・・・ ２０１４年 ＵＯＰ社より、ハイシリカゼオライトの製造ライセンス取得し、福島県に会津工場新設 ・・・ １９８９年 ハイシリカゼオライト系吸着剤の販売開始 ・・・ １９８０年 ・・・ユニオン昭和（株）の社名復活」 との記載がある。 甲１５は、ユニオン昭和株式会社及び昭和電工株式会社による２０１３年７月２３日のプレスリリースであり、当該プレスリリース中に、 「ユニオン昭和は従来、ＵＯＰモービル工場（米国アラバマ州）からハイシリカゼオライトを輸入し国内向けに販売を行ってまいりましたが、・・・今回、ＵＯＰグループとして２拠点目となるハイシリカゼオライトの製造拠点を日本に新設することになりました。すでにプラントの設計や一部機器の発注を終えており、新設備での商業運転開始は２０１４年３月を予定しています。」 との記載がある。 甲１６は、２０１７年９月１０日時点でインターネット上に公開されていた、ユニオン昭和株式会社によるハイシリカゼオライトの製品紹介ウェブページであり、製品の一つとして「ＨｉＳｉｖＴＭ３０００」が記載されている。 カ 甲１７の記載事項 甲１７は、申立人従業員が作成した実験成績証明書であり、当該証明書には、同一材料に対して一点法と多点法によってＢＥＴ比表面積を測定した結果が記載されている。 （２）甲３～１７から把握できる公然実施発明 ア 「ＨｉＳｉｖ３０００」の製造販売状況 まず、本件発明の新規性を否定するために申立人が提示した、ハイシリカゼオライト製品「ＨｉＳｉｖ３０００」の製造販売状況等を確認する。 甲１４の「１９８０年 ・・・ユニオン昭和（株）の社名復活」及び「２０２３年 株式会社レゾナックユニバーサルに社名変更」との記載から明らかなとおり、各証拠に記載された「ユニオン昭和」は、申立人の旧社名である。 そして、上記（１）アの甲３【００９５】における「ハイシリカゼオライト（ユニオン昭和社製のＨｉＳｉｖ３０００）」との記載や、上記（１）オの甲１４～１６の記載によれば、申立人は、２０１４年以降、「ＨｉＳｉｖ３０００」という商品名のハイシリカゼオライト製品を自社で製造し販売していたことが把握できる。 イ 「ＨｉＳｉｖ３０００」の物性 上記アのとおり申立人が製造するハイシリカゼオライト製品の「ＨｉＳｉｖ３０００」の物性を確認する。 当該製品について、申立人回答書第５～７ページの５．（３）ア．には、次のとおり記載されている。 「表１に、甲第１６号証の商品案内がなされた当時から優先日までに製造されたＨｉＳｉｖ３０００について、各ロット毎に、製造管理データ（Ｄ５０、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３、比表面積）を示す。 なお、以下の分析値は、以下の分析方法により求めているものである。 １．粒度分布（Ｄ５０） Ｄ５０粒子径の分析方法はレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置（マイクロトラックMT3300EXII、マイクロトラック・ベル株式会社製）を用い、以下の条件で測定している。 測定範囲 ：０．１２２～７０４μｍ 粒子屈折率：１．５４ 粒子透過性：透過 粒子形状 ：非球形 溶媒 ：水 溶媒屈折率：１．３３ 分散処理 ：超音波分散 ２．組成分析 ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３は蛍光Ｘ線分析装置（XRF-1700またはXRF-1800、株式会社島津製作所製）を用い、定性定量分析または定量分析によりＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３量を定量し、測定試料のＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３を算出する。 ３．ＢＥＴ比表面積 ＢＥＴ比表面積は比表面積自動測定装置(BELSORP-MAX またはBELSORP MINI X、マイクロトラック・ベル株式会社製）および吸着ガスとして窒素を用いて測定した。 ミクロ細孔物質（Ｉ型の吸着等温線）のためJIS Z 8830:2013の附属書Ｃに準じ、多点法によりＢＥＴ比表面積を算出した。また、前処理として、測定試料を真空雰囲気にて４３０℃で１時間保持してから、測定を行っている。 ［図：0001433098000019.jpg］ 」 ここで、上記「表１」において、「出荷日」が本件特許の優先日より前であるロット製品（「出荷日」が当該優先日より後である最終行「３９５０２２１２００１」の製品については、下記ウ及びエで確認する。）の各物性の最小値と最大値からすると、当該優先日前に製造され出荷されていた「ＨｉＳｉｖ３０００」は、上記申立人回答書中の「分析方法」によるＤ５０については、２．１９μｍ～２．７２μｍ程度の範囲、同ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３については、９２５～１３９２程度の範囲、同比表面積については、４００ｍ２／ｇ～４３８ｍ２／ｇ程度の範囲で、製造ロット毎に物性のばらつきが生じていたものといえる。 ここで、上記申立人回答書中の「分析方法」は、上記（２）ウ（ア）甲５（Ｄ５０）、同（ウ）甲７（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３）、同（エ）甲８（比表面積）の分析方法と比べて、分析手段や一部の分析条件が異なっており、さらに、上記「表１」最終行の「３９５０２２１２００１」の各物性値と、当該ロットに対する甲５、甲７、甲８の分析結果（下記エ（ア）、（エ）、（オ））とが異なっていることからすれば、本件特許の優先日前に製造され出荷されていた「ＨｉＳｉｖ３０００」において、甲５、甲７、甲８の条件で分析した場合の上記３種の物性値が、（上記「表１」の数値範囲から極端に変わらないとは想定され得るものの）どのような数値であるかを正確に把握することはできないし、これらの物性値の製造ロット毎のばらつき量が、具体的にどのような数値範囲となるかも正確に把握することはできない。 さらに、上記３種の物性がばらついているのであれば、それら以外の物性についても、製造ロット毎のばらつきが生じていると解されるが、上記「表１」及び他の証拠のいずれをみても、本件特許の優先日前に製造され出荷されていた「ＨｉＳｉｖ３０００」における、上記３種以外の物性値が、どのような数値であるかを把握することはできないし、これらの物性値の製造ロット毎のばらつき量が、具体的にどのような数値範囲となるかも把握することはできない。 ウ 「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」の製造状況について 次に、本件発明に係る各種物性が具体的に測定された「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」の製造状況を確認する。 上記（１）イの甲４「Ｖ－８２０１製造日報」や、同エの甲１０「製造指示書」によれば、２０２２年１２月２日に、ロット番号（「ＬＯＴ－ＮＯ」、「Ｌｏｔ Ｎｏ．」）が「６９５０２２１２００１」である「ＨｉＳｉｖ３０００」を製造したことが把握できる。 また、同エの甲１１「キルン投入～製品抜出依頼書」によれば、「Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１」の「キルン投入～製品抜出」が、２０２３年１月１３日近辺に実施され、同エの甲１２「製品入庫伝票」によれば、「ロット番号」「３９５０２２１２００１」の製品が、当該伝票の「更新日時」である２０２３年１月２４日までに「入庫」されたことが把握できる。 ここで、本件特許異議申立書の第１３ページ第４段落～第１４ページ第１段落において、 「ＨｉＳｉｖ３０００のＬｏｔ Ｎｏ．について、製造日報では、「６９５０２２１２００１」となっているが、これは製造中、すなわち製品に至らないケーキ状の中間体等に付されるロット番号であり、乾燥等の処理により製品になったときは、先頭の数字が６から３に変更され、製品のＬｏｔ Ｎｏ．である「３９５０２２１２００１」となる。」 と説明されているところ、上記甲１２のとおり「入庫」された製品は、甲４や甲１０で「６９５０２２１２００１」のロット番号が付されていた中間体等に対して、乾燥等の処理を行うことにより得られ、最終製品としてのロット番号が付された「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」であると理解できる。 また、甲１２の「製品入庫伝票」は、「在庫管理システム」と表記されたアプリケーションの画面であり、申立人の社内における管理伝票であると考えられるところ、当該「入庫」先は、申立人自身の倉庫等であると解するのが自然である。 そして、上記イで触れた申立人回答書「表１」において、最終行「３９５０２２１２００１」の「出荷日」が本件特許の優先日より後であることが記載されており、さらに、申立人回答書第２～３ページ５．（１）イ．において、 「当該ロットのＨｉＳｉｖ３０００は、本件特許の優先日前に、入庫され、顧客の求めに応じて出荷できるようになっておりましたが、実際に、顧客からの発注に基いて、出荷されたのは、優先日の後であり、当該ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）が、本件優先日前に出荷された事実はありません。」 と説明されているところ、「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」は、本件特許の優先日前に製造され、申立人自身の倉庫等に入庫・保管されていたものの、同優先日時点で、第三者には出荷されていなかったことが理解できる。 エ 「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」の物性について さらに、上記ウのとおり製造された「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」について、上記（１）ウの甲５～９に示される各種物性の分析・試験結果を確認する。なお、甲５～９の分析条件は、本件明細書【００９８】～【０１０３】に記載された本件発明の分析条件と一致する（つまり、甲５～９の分析結果の数値は、本件発明の数値と直接対比できるものである）一方、上記イでも述べたとおり、申立人回答書中の「分析方法」の条件とは少なくとも一部が異なるものである。 （ア）上記（１）ウ（ア）の甲５「表－１」によれば、上記「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」の「粒度分布測定（レーザー回折法：湿式）」結果において、「Ｄ５０」が４．０１μｍであることが把握できる。 また、同（ア）の甲５の粒度分布図によれば、その粒度分布曲線がモノモーダル型であることが把握でき、上記「表－１」によれば、（「Ｄ９０」－「Ｄ１０」）／２＝（７．０４－２．６１）／２＝２．２２μｍであることが把握できる。 （イ）上記（１）ウ（イ）の甲６「表１」によれば、上記「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」のＣｕＫα線を用いた粉末ＸＲＤ分析結果において、２θ＝７．９°（ｄｅｇ）付近のピーク高さが１２７８６５５ｃｐｓであり、２θ＝８．８°付近のピーク高さが８３９４０５であることが把握できる。そして、これらの高さから、２θ＝７．９°付近のピーク高さに対する２θ＝８．８°付近のピーク高さの比率が約６５．６％であると算出できる。 （ウ）本件特許異議申立書の第１５、１６ページにも示されるように、上記（１）ウ（イ）の甲６「ＨｉＳｉｖ３０００＿３９５０２２１２００１－ピーク評価・相同定レポート」のピーク一覧表から、次の表のとおり、上記「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」のＸＲＤパターンにおける各格子面間隔に該当するピークの積分強度（ｃｐｓ°）と、格子面間隔３．８７±０．０３のピークに対する、各格子面間隔に該当するピークの相対強度を算出することができる。 ［図：0001433098000020.jpg］ （エ）上記（１）ウ（ウ）の甲７「表２」によれば、上記「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」のモル比（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３）が１３００であることが把握できる。 （オ）上記（１）ウ（エ）の甲８「表－１」によれば、上記「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」のＢＥＴ多点法による比表面積が３３９ｍ２／ｇであり、ＢＥＴ一点法による比表面積が３４０ｍ２／ｇであることが把握できる。 （カ）上記（１）ウ（オ）の甲９「表－１」によれば、上記「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」のＳＥＭ観察で得られた粒子の測長の平均値が２．６６μｍであることが把握できる。 （キ）以上より、「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」は、 「粒度分布測定（レーザー回折法：湿式）結果において、Ｄ５０が４．０１μｍであり、その粒度分布曲線がモノモーダル型であり、（Ｄ９０－Ｄ１０）／２＝２．２２μｍであり、 ＣｕＫα線を用いた粉末ＸＲＤ分析結果において、２θ＝７．９°付近のピーク高さに対する２θ＝８．８°付近のピーク高さの比率が約６５．６％であり、ＸＲＤパターンにおける各格子面間隔に該当するピークの積分強度（ｃｐｓ°）と、格子面間隔３．８７±０．０３のピークに対する、各格子面間隔に該当するピークの相対強度が次の表のとおりであり、 ［図：0001433098000021.jpg］ モル比（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３）が１３００であり、 ＢＥＴ多点法による比表面積が３３９ｍ２／ｇであり、ＢＥＴ一点法による比表面積が３４０ｍ２／ｇであり、 ＳＥＭ観察で得られた粒子の測長の平均値が２．６６μｍである」 との物性を有するゼオライトであることが把握できる。 オ 上記ア～エから把握できる公然実施発明 上記ウのとおり、「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」は、本件特許の優先日前に製造され、申立人自身の倉庫等に入庫・保管されていたものの、当該優先日時点で、第三者には出荷されていなかったことが理解できる。そして、上記エの各種物性値は、ゼオライト製品の外見等から把握されるようなものではなく、適切な手法による分析を実際に行わなければ認識できないものであるところ、上述のように第三者に出荷されていない状況では、第三者がその物性を分析し、具体的な物性値を認識することができないから、上記ロットの製品自体を根拠に、上記エ（キ）の物性を有するゼオライトが当該優先日前に公然実施されていた発明であるということはできない。 （なお、令和７年６月２４付け取消理由通知（第３の１（５）ケ）では、その時点で提出されていた証拠をもとに、上記ロットの製品が、製造後に販売されていたとするのが合理的であるとして、上記物性を有するゼオライトが公然実施されていたと判断しているが、上記ロットの製品の物性値を上記優先日時点で認識できなかったという事情も踏まえれば、前段落のとおり判断するのが妥当といえる。） 他方、上記ロットより前に製造され、本件特許の優先日時点で第三者に出荷済みの「ＨｉＳｉｖ３０００」製品であれば、当該優先日前に当該製品の物性値を分析して認識することができるため、当該出荷済み製品と同じ物性を有するゼオライトは、公然実施されていた発明であるということができる。 そこで、当該出荷済み製品の物性がどのようなものか検討すると、まず、当該出荷済み製品について、上記イのとおりの物性を有することは把握できるものの、甲５～９の分析条件（本件発明の分析条件と同じ条件であって、申立人回答書の「分析方法」の条件とは異なる条件）により分析した結果は何ら示されておらず、甲５～９の分析による物性値を直接把握することはできない。 ただし、当該出荷済み製品のゼオライト骨格構造について検討すると、当該特性は各種特性を発現する上で前提となるものであるところ、製造時期の相違に関わらず、同じ商品であれば同じ骨格構造を有していると考えるのが合理的である。そして、上記エ（キ）の表に示される、「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」の格子面間隔３．８７±０．０３のピークに対する、各格子面間隔に該当するピークの相対強度は、本件明細書【００３９】の下記【表１】に示されるＭＦＩ構造のＸＲＤパターンにほぼ合致しており、上記エの表中の数値が多少前後しても、下記【表１】に示されるＭＦＩ構造のＸＲＤパターンに合致する範囲内にとどまるため、当該ロット製品の骨格構造は、ＭＦＩ型であるといえ、上記出荷済み製品の骨格構造も、当該ロット製品と同じくＭＦＩ型であるといえる。 「【表１】 ［図：0001433098000022.jpg］ 」 そのため、提出された各証拠から、本件特許の優先日前に公然実施されていたことが把握できるのは、上記エ（キ）の物性を有するゼオライト（令和７年６月２４付け取消理由通知における「公然実施発明２」）ではなく、以下の発明であるといえる。 「以下の＜分析方法＞によるＤ５０が２．１９μｍ～２．７２μｍ程度の範囲、同ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３が９２５～１３９２程度の範囲、同ＢＥＴ比表面積が４００ｍ２／ｇ～４３８ｍ２／ｇ程度の範囲にある、ＭＦＩ型ゼオライト。 ＜分析方法＞ １．粒度分布（Ｄ５０） レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置（マイクロトラックMT3300EXII、マイクロトラック・ベル株式会社製）を用い、以下の条件で測定する。 測定範囲 ：０．１２２～７０４μｍ 粒子屈折率：１．５４ 粒子透過性：透過 粒子形状 ：非球形 溶媒 ：水 溶媒屈折率：１．３３ 分散処理 ：超音波分散 ２．組成分析（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３） 蛍光Ｘ線分析装置（XRF-1700またはXRF-1800、株式会社島津製作所製）を用い、定性定量分析または定量分析によりＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３量を定量し、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３を算出する。 ３．ＢＥＴ比表面積 比表面積自動測定装置(BELSORP-MAX またはBELSORP MINI X、マイクロトラック・ベル株式会社製）および吸着ガスとして窒素を用いて測定する。 なお、ミクロ細孔物質（Ｉ型の吸着等温線）のためJIS Z 8830:2013の附属書Ｃに準じ、多点法によりＢＥＴ比表面積を算出する。また、前処理として、測定試料を真空雰囲気にて４３０℃で１時間保持してから、測定を行う。」 （以下、「公然実施発明２’」という。） （３）本件発明１について ア 対比 本件発明１と公然実施発明２’を対比する。 （ア）公然実施発明２’のゼオライトは、ＭＦＩ型の骨格を有しており、本件発明１の骨格と一致している。 （イ）次に、積算体積粒度分布におけるＤ５０やアルミナに対するシリカのモル比（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３）について対比すると、上記（２）イでも述べたとおり、公然実施発明２’におけるこれらの物性値の＜分析方法＞は、本件発明の分析条件と相違しており、両発明の数値を単純に比較して当否を判断することはできないため、これらの物性値については、一応の相違点とするのが妥当である。 なお、上記（１）カの甲１７の実験成績証明書に記載される、同一材料に対して一点法と多点法によりＢＥＴ比表面積を測定した結果が異なっていることは、この判断を支持するものといえる。 （ウ）さらに、粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンや体積粒度分布におけるＤ９０及びＤ１０について対比すると、公然実施発明２’の物性値を直接的に把握できるのは、上記（２）イで述べた３種のみであり、公然実施発明２’のＸＲＤパターンやＤ９０及びＤ１０は明らかにされていない。 （エ）そうすると、本件発明１と公然実施発明２’は、「ＭＦＩ型ゼオライト」である点で一致し、以下の点で相違しているといえる。 ＜相違点２’－１＞ 積算体積粒度分布におけるＤ５０について、本件発明１では、本件発明の分析条件によるＤ５０が「０．５μｍ以上５．０μｍ以下」であるのに対し、公然実施発明２’では、上記＜分析方法＞によるＤ５０が２．１９μｍ～２．７２μｍ程度であるものの、本件発明の分析条件によるＤ５０が明らかではない点。 ＜相違点２’－２＞ 粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンにおける、（１０１）面のピーク高さに対する（０２０）面のピーク高さについて、本件発明１では、当該ピーク高さ比率が「６５％以上９５％以下」であるのに対し、公然実施発明２’では、粉末Ｘ線回折パターン自体が明らかではない点。 ＜相違点２’－３＞ アルミナに対するシリカのモル比について、本件発明１では、本件発明の分析条件による当該モル比が「５０以上３０００以下」であるのに対し、公然実施発明２’では、上記＜分析方法＞による当該モル比が９２５～１３９２程度であるものの、本件発明の分析条件による当該モル比が明らかではない点。 ＜相違点２’－４＞ 体積粒度分布におけるＤ９０とＤ１０の差分を２で割って求めた値（つまり、（Ｄ９０－Ｄ１０）／２）である標準偏差について、本件発明１では、当該標準偏差が「１０μｍ以下」であるのに対し、公然実施発明２’では、Ｄ９０及びＤ１０自体が明らかではない点。 イ 相違点に対する判断 （ア）事案に鑑み、まず、相違点２’－２について検討する。 上記（２）イで検討したとおり、本件特許の優先日前に公然実施されていた「ＨｉＳｉｖ３０００」、すなわち公然実施発明２’における、Ｄ５０、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３、ＢＥＴ比表面積以外の物性値は何ら示されていないから、公然実施発明２’における当該ピーク高さ比率がどのような数値範囲となるかを直接的に把握することはできない。 そこで、上記（２）エ（イ）及び（キ）で確認した「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」のＸＲＤパターンを参照する。 ここで、当該ロット製品は、ＭＦＩ型の骨格を有するところ、本件明細書【００３６】のとおり、ＭＦＩ型ゼオライトのＸＲＤパターンにおいて、「（１０１）面のピーク」は、「格子面間隔ｄが１１．１０±０．５０Åに相当するＸＲＤピーク」を示し、「（０２０）面のピーク」は、「格子面間隔ｄが９．９７±０．１０Åに相当するＸＲＤピーク」を示す。そして、Ｘ線回折におけるブラッグの条件２ｄ・ｓｉｎθ＝λ（ｄは格子面間隔、θは入射角、λはＸ線波長）を踏まえると、ＣｕＫα特性Ｘ線（λ＝約１．５４Å）を用いたＸＲＤでは、「格子面間隔ｄが１１．１０±０．５０Åに相当するＸＲＤピーク」は、２θ＝約７．９°のピークであり、「格子面間隔ｄが９．９７±０．１０Åに相当するＸＲＤピーク」は、２θ＝約８．８°のピークである。 そのため、上記（２）エ（イ）及び（キ）の「２θ＝７．９°付近のピーク」は「（１０１）面のピーク」に相当し、「２θ＝８．８°付近のピーク」は「（０２０）面のピーク」に相当するから、上記ロット製品の「２θ＝７．９°付近のピーク高さに対する２θ＝８．８°付近のピーク高さの比率」は、本件発明１の「粉末Ｘ線回折パターンにおける、（１０１）面のピーク高さに対する（０２０）面のピーク高さ（の比率）」に相当し、その数値は約６５．６％である。 そして、上記ロット製品と同じ商品である公然実施発明２’の上記ピーク高さ比率は、上記ロット製品の数値と近縁といえる可能性はある。 しかしながら、上記（２）イで検討したとおり、Ｄ５０、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３、ＢＥＴ比表面積以外の物性値の製造ロット毎のばらつき量が、具体的にどのような数値範囲となるかを把握することはできないし、しかも、「約６５．６％」からわずかに減少するだけで、本件発明１の下限値「６５％」未満となることを踏まえれば、公然実施発明２’の当該ピーク高さ比率が、本件発明１の規定する数値範囲内であると判断することはできない。 加えて、本件明細書【００６２】～【００９６】、【０１０６】～【０１５８】（実施例１～５）によれば、所定の原料組成物に対し、本件請求項６（上記第２の４（２）参照）に記載された２段階の「水熱処理」を含む、所定条件の複数工程の処理を施すことで、本件発明１の規定に合致する物性を得られることが理解されるところ、公然実施発明２’が上述と同一の製造工程により得られたものであれば、本件発明１と同一の物性を有するといえる可能性があるが、公然実施発明２’の具体的な製造条件を把握できる証拠はないため、製造条件を根拠に、上記ピーク高さ比率の具体的な数値を推定することもできない。 したがって、相違点２’－２は、実質的な相違点である。 （イ）相違点２’－２に係る構成につき、本件明細書【００３４】等に示されるように、本件発明１は、ゼオライトの有機化合物に対する吸着性能を高くするという技術的意義のもと、上記ピーク高さ比率を６５％以上９５％以下としている。 一方、提出された各甲号証や引用文献Ａ、Ｂのいずれにも、当該技術的意義のもとに上記ピーク高さ比率を所定範囲内とする技術思想は全く開示されておらず、公然実施発明２’において、当該ピーク高さ比率を本件発明１の数値範囲内に調整しようとする動機は生じ得ない。 したがって、相違点２’－２に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものではない。 ウ 小括 以上のとおり、相違点２’－２に係る構成は、実質的な相違点であるし、当業者が容易に想到し得たものでないから、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、公然実施発明２’ではないし、公然実施発明２’に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （４）本件発明２、４、５について 本件発明２、４、５は、本件発明１の特定事項を全て備えるものであるから、公然実施発明２’ではないし、公然実施発明２に基づいて当業者が容易に想到できたものでもない。 （５）申立人の主張について ア 申立人の主張の概要 （ア）申立人意見書第１４ページにおいて、申立人は次のとおり主張している。 「ＨｉＳｉｖ３０００というゼオライトについては、本件特許の優先日前から市場に供されており、顧客の求めに応じて出荷されていることから、分析を行ったＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）についても、他のＨｉＳｉｖ３０００と同様入庫した段階で、既に顧客の求めに応じて出荷できる状態、すなわち不特定の者が知り得る状況になっているといえる」 （イ）申立人回答書第４ページにおいて、申立人は次のとおり主張している。 「２０１４年以降に国内で製造し、販売されたものは、後述の表１でわかりますように、一定の品質を維持するように製造され、管理されているものであります。・・・ そうすると、製造販売されているＨｉＳｉｖ３０００は、分析されたＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）と同様な物性を有するものであることがわかります。 そして、このようなＨｉＳｉｖ３０００は、甲第１６号証にも示されているように、優先日以前に、製品の案内がなされ（譲渡のための申出ともいえる）、現実に製造販売されていたものであります。そうであれば、製造販売されていたＨｉＳｉｖ３０００は、分析したＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）と同様な物性値を有するものでありますから、このような物性を有するＨｉＳｉｖ３０００が、優先日以前から製造販売されていたこと、すなわち公然実施されていたことがわかります。 要するに、２０１４年以降に製造され、販売されているＨｉＳｉｖ３０００には、ロット間のバラツキはありますものの、一定の範囲の物性値を示すものでありますが、分析したＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）と同様の物性値を有しているものであるということができます。」 イ 申立人の主張に対する判断 （ア）上記ア（ア）の主張について 上記（２）オでも述べたとおり、本件発明が規定する各種物性は、ゼオライト製品の外見等から把握されるようなものではなく、適切な手法による分析を実際に行わなければ認識できないものであるところ、申立人自身の倉庫等に入庫・保管され、第三者に出荷されていない状況では、第三者がその物性を分析し、具体的な物性値を認識することができないため、そのような状況にあった「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」の物性値が、本件特許の優先日以前に、不特定の者に知られ得る状況になっていたとはいえない。 （イ）上記ア（イ）の主張について 上記ア（イ）の主張は、要するに、「２０１４年以降に製造され、販売されているＨｉＳｉｖ３０００」は、「ロット間のバラツキ」があるものの「一定の品質を維持するように製造され、管理されて」いるものであるところ、「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」と「同様の物性値」を有している「ＨｉＳｉｖ３０００」は、本件特許の優先日以前に公然実施されていたことを主張するものといえる。 確かに、上記（２）イに示した申立人回答書第７ページ表１も参照すれば、「ＨｉＳｉｖ３０００」が、「一定の品質を維持」しており、上記ロットの製品と「同様の物性値」を有しているということは推定できるといえる。しかし、上記（２）イでも検討したとおり、「２０１４年以降に製造され、販売されているＨｉＳｉｖ３０００」については、Ｄ５０、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３、ＢＥＴ比表面積以外の物性値は何ら示されていないから、ＸＲＤパターンにおける所定位置のピーク高さ比率の具体的な物性値を特定することはできないし、当該ピーク高さ比率の製造ロット毎のばらつき量が、具体的にどのような数値範囲となるかを把握することもできない。 したがって、上記（３）イで検討したとおり、「２０１４年以降に製造され、販売されているＨｉＳｉｖ３０００」の当該ピーク高さ比率が、「ＨｉＳｉｖ３０００（Ｌｏｔ Ｎｏ．３９５０２２１２００１）」の数値である「約６５．９％」と変わらないほどに「一定の品質に維持」されているものとすることはできない。 ウ 小括 以上のとおりであるから、申立人の主張を踏まえても、甲３等から把握される公然実施発明２’によって、本件発明１～５の新規性・進歩性が否定されることにはならない。 ２ 申立理由１及び取消理由１、２（甲１等に基づく新規性・進歩性欠如）について （１）各証拠の記載事項 ア 甲１の記載事項 甲１には、以下の記載がある。 （ア）「 ［図：0001433098000023.jpg］ （甲１の部分翻訳文：図４．ＭＦＩシードと、異なるＳｉ／Ａｌ比を有する合成ゲルとを用いて、水熱合成的に合成された固体生成物のＸＲＤパターン。）」 （第５１８０ページ左欄） （イ）「 ［図：0001433098000024.jpg］ （甲１の部分翻訳文：ＡＰ２からのＭＦＩ型ゼオライトのＯＳＤＡ－なしの合成。 ＭＦＩ型ゼオライトを合成するにあたり、ＡＰ２、シリカ、ＮａＯＨ水溶液、および脱イオン水をテフロン張りの高圧反応容器に、モル比Ｓｉ／Ａｌ／ＮａＯＨ／Ｈ２Ｏ＝1／0.02～0.05／0.2／30で充填した。混合物を室温で48時間攪拌した。水熱処理前に、市販されているＭＦＩゼオライト（ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ、東ソー、Ｓｉ／Ａｌ＝750、総ＳｉＯ２に対して５ｗｔ％）、 このもののＸＲＤパターンは図４に示している、をシードとして反応容器に加えた。それぞれの合成ゲルの実際のＳｉ／Ａｌ比は、ＭＦＩシードを添加することによって、２０および５０から２１および５２にそれぞれ変化していることに注意すべきである。水熱反応は、１６０℃に予熱されている電気炉中で、回転速度１０ｒｐｍで１２０時間行った。水熱工程の後、固体の生成物を分離し、脱イオン水を用いて遠心分離により洗浄し、６０℃で一昼夜乾燥し、５５０℃で１２時間焼成して、ＭＦＩ－型ゼオライトを得た。）」 （第５１８０ページ右欄） （ウ）「 ［図：0001433098000025.jpg］ （当審訳：特性。準備試料の結晶相は粉末ＸＲＤ（Ultima IV、リガク、半導体検出器装着、ＣｕＫα放射線（４０ｋＶ、４０ｍＡ）、走査速度：２．０°ｍｉｎ－１）及びSmartLab Studio II version 4.3.282.0ソフトウェア（リガク）により分析された。）」 （第５１８１ページ左欄） イ 甲２の記載事項 東ソー株式会社ウェブページ内で公開された甲２のゼオライト製品一覧表には、以下の記載がある。 「 ［図：0001433098000026.jpg］ 」 ウ 引用文献Ａの記載事項 引用文献Ａには、以下の記載がある。 「【００８４】 ［実施例２～９］ 組成物（Ａ-１）の代わりに組成物（Ａ-２）～（Ａ-９）を用いた以外は、実施例１と同様の操作により、実施例２～９のサンプルを作成し、その光触媒活性を測定した。測定結果を下記表３に示す。なお、組成物（Ａ-３）の製造で無機粒子として使用したゼオライトは、東ソー株式会社製「ＨＳＺ（登録商標）８９１ＨＯＡ」、Ｄ50：４．０μｍであった。」 エ 引用文献Ｂの記載事項 引用文献Ｂには、以下の記載がある。 「【００２４】 無機多孔質微粒子は、物理的にガスを吸着する微粒子であってもよい。この無機多孔質微粒子としては、例えば、アセトアルデヒド等のアルデヒド系の悪臭を物理的に吸着するのに有効な物質であるゼオライトが挙げられ、特に、ゼオライト中の酸化珪素の比率を高めたハイシリカゼオライトが好ましい。ハイシリカゼオライトは疎水性であり、水のような極性物質に対する親和性を失い、臭い成分等の非極性物質をより強く吸着することができる。物理的にガスを吸着する無機多孔質微粒子としては、例えば、ＨＳＺ－６９０ＨＯＡ（東ソー株式会社製、モルデナイト型、シリカ／アルミナ比：２４０、平均粒径１３μｍ、カチオンタイプ：Ｈ、比表面積（ＢＥＴ）：４５０ｍ2／ｇ）、ＨＳＺ－８９０ＨＯＡ（東ソー株式会社製、ＺＳＭ－５型、シリカ／アルミナ比：１５００、平均粒径１０μｍ、カチオンタイプ：Ｈ、比表面積（ＢＥＴ）：３１０ｍ2／ｇ）、ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ（東ソー株式会社製、ＺＳＭ－５型、シリカ／アルミナ比：１５００、平均粒径４μｍ、カチオンタイプ：Ｈ、比表面積（ＢＥＴ）：３１０ｍ2／ｇ）、ＨｉＳｉｖ（ＴＭ）－３０００（ユニオン昭和株式会社製、平均粒径：３μｍ、カチオンタイプ：Ｎａ、細孔径：６Å以下、比表面積（ＢＥＴ）：４００ｍ2／ｇ）、シルトンＭＴ１００（水澤化学工業製 シリカ／アルミナ比：１００、平均粒径３～４．５μｍ 比表面積（ＢＥＴ）：３６０ｍ2／ｇ）、シルトンＭＴ－８０００（水澤化学工業製 シリカ／アルミナ比：８０００、平均粒径０．８μｍ 比表面積（ＢＥＴ）：３９０ｍ2／ｇ）等が挙げられる。」 （２）甲１、２、引用文献Ａ、Ｂから認定できる公然実施発明 ア 上記（１）ア（イ）のとおり、甲１に「市販されているＭＦＩゼオライト（ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ、東ソー・・・）」と記載されていること、上記イのとおり、東ソーより公開されていた製品一覧表中に「ＨＳＺ－８００」シリーズの「８９１ＨＯＡ」タイプというゼオライトが記載されていること、上記ウ、エの公報中に当該ゼオライトの使用例が記載されていること（なお、上記（１）イ及びエ中の「ＺＳＭ－５」は「ＭＦＩ型ゼオライト」のことを指す。）からすると、少なくとも、これらの証拠が作成又は公開された期間である２０１９～２０２４年において、東ソー株式会社製の「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」というＭＦＩ型ゼオライトが市販されていたことが把握できる。 イ 上記（１）ア（ア）の甲１図４には、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」のＸＲＤパターンが示されており、当該ＸＲＤパターンによれば、２θ＝約７．９°のピーク（左から１番目）と２θ＝約８．８°のピーク（左から２番目）が存在しており、２θ＝約７．９°のピークの高さに対する２θ＝約８．８°のピークの高さの比率が、７０～８０％の範囲内にあることが読み取れる。ここで、当該ＸＲＤパターンは、上記（１）ア（ウ）からすれば、「粉末ＸＲＤ（Ultima IV、リガク、半導体検出器装着、ＣｕＫα放射線（４０ｋＶ、４０ｍＡ）、走査速度：２．０°ｍｉｎ－１）及びSmartLab Studio II version 4.3.282.0ソフトウェア（リガク）により分析された」ものである。 ウ 上記（１）イによれば、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」の「ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３比（ｍｏｌ／ｍｏｌ）」は１，５００であり、これは、上記（１）エの「シリカ／アルミナ比：１５００」という記載とも一致しており、上記（１）ア（イ）の「Ｓｉ／Ａｌ＝７５０」という原子比とも整合している。 エ 上記（１）イによれば、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」の「比表面積（ｍ２／ｇ、ＢＥＴ法）」は３１０ｍ２／ｇであり、これは、上記（１）エの「比表面積（ＢＥＴ）：３１０ｍ2／ｇ」との記載とも一致している。 オ 上記（１）イによれば、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」は、「結晶の大きさ（μｍ）」が「２（μｍ）×５（μｍ）」であることが把握できる。 カ 上記（１）ウによれば、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」は、「Ｄ50」が４．０μｍであることが把握でき、「Ｄ50」は、通常、積算体積粒度分布におけるＤ５０（メディアン径）を意味する。 （なお、上記（１）イの甲２には、「粒子の大きさ（μｍ）」が４μｍであることが記載されている。ここで、甲２の「粒子の大きさ」は、「結晶（すなわち一次粒子）の大きさ」と区別されているため、ニ次粒子の大きさを指すと解され、ニ次粒子の大きさは一般にＤ５０を用いて表すから、甲２の記載も、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」のＤ５０が４．０μｍであることを裏付けるものといえる。） キ 加えて、上述のとおり、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」のＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３比や比表面積等が上述の複数の証拠で一致していることから、「ＨＳＺ－８９１ＨＯＡ」は、少なくとも２０１９年～２０２４年の期間において、一定の構造及び特性を有するものであったといえる。 ク 以上より、本件特許の優先日（２０２３年４月７日）前において、次の発明が公然実施されていたと認められる。 「粉末ＸＲＤ（Ultima IV、リガク、半導体検出器装着、ＣｕＫα放射線（４０ｋＶ、４０ｍＡ）、走査速度：２．０°ｍｉｎ－１）及びSmartLab Studio II version 4.3.282.0ソフトウェア（リガク）により分析されたＸＲＤパターンにおいて、２θ＝約７．９°のピークと２θ＝約８．８°のピークが存在しており、２θ＝約７．９°のピークの高さに対する２θ＝約８．８°のピークの高さの比率が、７０～８０％の範囲内であり、 ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３比（ｍｏｌ／ｍｏｌ）が１，５００であり、 比表面積（ＢＥＴ法）が３１０ｍ２／ｇであり、 結晶の大きさが２μｍ×５μｍであり、 積算体積粒度分布におけるＤ５０が４．０μｍである、 ＭＦＩ型ゼオライト。」 （以下、「公然実施発明１」という。） ただし、ＸＲＤパターンの特定ピーク高さ以外の各物性値については、それらの具体的な分析条件が不明である。 （３）本件発明１について ア 対比 本件発明１と公然実施発明１を対比する。なお、上記１（２）イで検討したとおり、申立人回答書中の「分析方法」と甲５、甲７、甲８の分析条件の違いによって分析結果が異なっていることを踏まえると、本件発明の物性値についての対比を行うにあたっては、その分析条件も考慮に入れる必要があるといえる。 （ア）公然実施発明１のゼオライトは、ＭＦＩ型の骨格を有しており、本件発明１の骨格と一致している。 （イ）「積算体積粒度分布におけるＤ５０が４．０μｍ」である公然実施発明１は、本件発明１の「積算体積粒度分布におけるＤ５０が０．５μｍ以上５.０μｍ以下」であるとの規定を満足しているものの、公然実施発明１の「Ｄ５０」の分析条件は不明であり、両発明の数値を単純に比較して当否を判断することはできないため、この物性値については、一応の相違点とするのが妥当である。 （ウ）ＸＲＤパターンについて対比する。 上記１（３）イ（ア）での検討と同様に、公然実施発明１における２θ＝約７．９°のピークは「（１０１）面のピーク」に相当し、２θ＝約８．８°のピークは「（０２０）面のピーク」に相当するから、公然実施発明１は、「（１０１）面のピークに対する（０２０）面のピーク高さ」が７０～８０％の範囲内である。 さらに、公然実施発明１のＸＲＤ分析は、その分析装置、線源、加速電流・電圧が本件明細書【００１６】に記載の条件と一致しているところ、上記ピーク高さ比率の数値は、本件発明１の数値と直接対比しても差し支えないといえる。 そうすると、公然実施発明１は、本件発明１の「（１０１）面のピーク高さに対する（０２０）面のピーク高さが６５％以上９５％以下」であるとの規定を満足するものといえる。 （エ）「ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３比（ｍｏｌ／ｍｏｌ）が１，５００」である公然実施発明１は、本件発明１の「アルミナに対するシリカのモル比が５０以上３０００以下である」との規定を満足しているものの、公然実施発明１の当該モル比の分析条件は不明であり、両発明の数値を単純に比較して当否を判断することはできないため、この物性値についても、一応の相違点とするのが妥当である。 （オ）公然実施発明１について、その体積粒度分布におけるＤ９０及びＤ１０や、その差分を２で割った値は、何ら明らかにされていない。 （カ）そうすると、本件発明１と公然実施発明１は、 「粉末Ｘ線回折パターンにおける、（１０１）面のピーク高さに対する（０２０）面のピーク高さが６５％以上９５％以下である、ＭＦＩ型ゼオライト」 である点で一致し、以下の点で相違しているといえる。 ＜相違点１－１＞ 積算体積粒度分布におけるＤ５０について、本件発明１では、本件発明の分析条件によるＤ５０が「０．５μｍ以上５．０μｍ以下」であるのに対し、公然実施発明１では、Ｄ５０が４．０μｍとされているものの、本件発明の分析条件による数値が明らかではない点。 ＜相違点１－２＞ アルミナに対するシリカのモル比について、本件発明１では、本件発明の分析条件による当該モル比が「５０以上３０００以下」であるのに対し、公然実施発明１では、当該モル比が１，５００とされているものの、本件発明の分析条件による数値が明らかではない点。 ＜相違点１－３＞ 本件発明１は、「体積粒度分布におけるＤ９０とＤ１０の差分を２で割って求めた値である標準偏差が１０μｍ以下である」のに対し、公然実施発明１は、当該「標準偏差」の数値が不明である点。 イ 相違点に対する判断 （ア）事案に鑑み、まず、相違点１－３について検討する。 甲１、２、引用文献Ａ、Ｂのいずれにも、公然実施発明１のＤ９０、Ｄ１０、或いは両者の差分を直接把握できるような記載は存在しない。 また、公然実施発明１の「結晶の大きさが２μｍ×５μｍ」であること、当該「結晶の大きさ」は一次粒子の大きさに対応すること、公然実施発明１の「Ｄ５０」は二次粒子の大きさに対応することからすると、公然実施発明１における一次粒子と二次粒子の大きさは概ね等しく、本件発明と同様に、一次粒子があまり凝集していない可能性があるとはいえる。しかしながら、例えば、乙１【００４０】及び【図３】において、一次粒子径が１４ｎｍ、体積換算平均粒径Ｄ５０（つまり、二次粒子径）が１２ｎｍであるとともに、バイモーダル型の二次粒子分布を有する粒子が開示されているように、一次粒子と二次粒子の大きさの差が小さく、一次粒子があまり凝集していない場合においても、バイモーダル型等の分布幅（つまり、Ｄ９０とＤ１０の差分）が広い二次粒子径分布となり得るため、公然実施発明１の「結晶の大きさ」や「Ｄ５０」を根拠に、Ｄ９０とＤ１０の差分の具体的な数値を推定することはできない。 加えて、上記１（３）イ（ア）での検討と同様に、公然実施発明１が上述と同一の製造工程により得られたものであれば、本件発明１と同一の物性を有するといえる可能性があるが、公然実施発明１の具体的な製造条件を把握できる証拠はないため、製造条件を根拠に、Ｄ９０とＤ１０の差分の具体的な数値を推定することもできない。 そのため、公然実施発明１の上記「標準偏差」が「１０μｍ以下」であるといえる根拠はなく、相違点１－３は、実質的な相違点である。 （イ）相違点１－３に係る構成につき、本件明細書【００３２】等に示されるように、本件発明１は、スラリー化した際の粘度を低くするという技術的意義のもと、上記「標準偏差」を１０μｍ以下としている。 一方、提出された各甲号証や引用文献Ａ、Ｂのいずれにも、当該技術的意義のもとに上記「標準偏差」を所定範囲内とする技術思想は全く開示されておらず、公然実施発明１において、当該「標準偏差」を本件発明１の範囲内に調整しようとする動機は生じ得ない。 したがって、相違点１－３に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものではない。 なお、申立人は、公然実施発明１における相違点１－３について、特段の主張を行っていない。 ウ 小括 以上のとおり、相違点１－３に係る構成は、実質的な相違点であるし、当業者が容易に想到し得たものでないから、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、公然実施発明１ではないし、公然実施発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （４）本件発明２、４、５について 本件発明２、４、５は、本件発明１の特定事項を全て備えるものであるから、公然実施発明１ではないし、公然実施発明１に基づいて当業者が容易に想到できたものでもない。 ３ 取消理由５（明確性）について 第５の３のとおり、設定登録時の特許請求の範囲に記載された「標準偏差」は、単に「標準偏差」といった場合に理解される内容と、本件明細書【００３３】、【００３４】の説明内容とが整合していないため、その意味するところが不明確となっていた。 しかし、本件訂正後の請求項１には、「体積粒度分布におけるＤ９０とＤ１０の差分を２で割って求めた値である標準偏差」と記載されており、この定義は、上記明細書の説明内容と整合している。 したがって、本件発明１及びそれを引用する本件発明２、４、５は、「標準偏差」の意味が明確となっているため、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。 第７ むすび 上記第５で検討したとおり、本件特許１、２、４、５は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してされたものであるということはできないし、同法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということもできず、同法第１１３条第２号又は第４号に該当するものではないから、申立理由１、２及び取消理由１～５では、本件特許１、２、４、５を取り消すことはできない。 また、他に本件特許１、２、４、５を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、本件特許３に対する特許異議の申立ては、本件訂正により、当該特許に係る請求項３が削除され、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。