2025-700121

特許第７５２９００８号発明「静電チャック部材及び静電チャック装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５２９００８号の請求項１～７に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５２９００８号の請求項１～７に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和４年１２月２３日に出願され、令和６年７月２９日にその特許権の設定登録がされ、同年８月６日に特許掲載公報が発行された特許出願である。その後、本件特許に対し、令和７年１月２７日に特許異議申立人金海松（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～７に係る発明（以下、「本件発明１～７」という。）は、それぞれ、願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 一主面が板状試料を載置する載置面である基体と、 前記載置面とは反対側又は前記基体の内部に設けられた静電吸着用電極と、を有し、 前記基体において前記載置面と連続する側周面には、前記載置面の周縁部において周方向に設けられた凸曲面である第１曲面と、 前記第１曲面とは異なる高さ位置において前記周方向に設けられた第２曲面と、を少なくとも有し、 前記基体は、前記載置面の周縁部に沿って設けられた環状突起部を有し、 前記静電吸着用電極の外縁は、平面視において前記環状突起部と重なり、 前記環状突起部の外周側には、前記第１曲面の少なくとも一部が設けられ、 前記環状突起部の内周側には、内周の周方向に設けられた凸曲面である第３曲面を有する静電チャック部材。 【請求項２】 前記外縁は、平面視において前記環状突起部の幅方向中央よりも外周側に位置し、 前記第１曲面の曲率半径は、前記第３曲面の曲率半径よりも大きい請求項１に記載の静電チャック部材。 【請求項３】 前記第１曲面は、前記環状突起部から、前記基体における前記環状突起部の下方の部分にまたがって設けられている請求項２に記載の静電チャック部材。 【請求項４】 下記式（Ａ１）及び（Ａ２）を満たす請求項１に記載の静電チャック部材。 ［静電吸着用電極の厚さ］≦［第１曲面の曲率半径］ …（Ａ１） ［静電吸着用電極の厚さ］≦［第３曲面の曲率半径］ …（Ａ２） 【請求項５】 前記外縁から前記側周面までの距離は、前記静電吸着用電極の上面から前記載置面までの距離以上である請求項１に記載の静電チャック部材。 【請求項６】 前記外縁から前記側周面までの距離は、前記静電吸着用電極の上面から前記載置面までの距離以上である請求項１に記載の静電チャック部材。 【請求項７】 請求項１から６のいずれか１項に記載の静電チャック部材と、 前記静電チャック部材を冷却し前記静電チャック部材の温度を調整するベース部材と、を有する静電チャック装置。」 第３ 特許異議の申立ての理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第６号証（以下、「甲１」～「甲６」という。）を提出し、以下の理由により、請求項１～７に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。なお、甲１及び甲２は、主たる引用例（主引用例）であり、甲３～甲６は、従たる引用例である。 １ 申立理由１（新規性） 本件発明１、７は、甲１又は２に記載された発明であり、また、本件発明４は、甲２に記載された発明であって、本件発明１、４及び７は、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、４及び７に係る特許は、同法同条同項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当する。 ２ 申立理由２（進歩性） 本件発明１～７は、甲１又は甲２に記載された発明と、甲１～６に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当する。 ＜証拠方法＞ 甲１：特開２０２２－１６４０６７号公報 甲２：特開２０２２－１４６２０３号公報 甲３：特開平５－２１７９５１号公報 甲４：特開２００２－１７０８２４号公報 甲５：特開２０２２－１３６８７２号公報 甲６：特開２０２２－５５３０４号公報 第４ 当審の判断 １ 甲１～６の記載、甲１発明 （１）甲１について ア 甲１には、以下の記載がある（下線は、当審において付加した。）。 「【０００３】 このようなステージとして、例えば、ベースプレートに搭載された静電チャックにより、吸着対象物である基板を吸着保持する基板固定装置が提案されている。基板の処理が終了した後、基板は、吸着面に対して垂直方向に昇降可能なリフトピンにより、静電チャックから垂直方向に持ち上げられて取り外される。」 「【００１３】 ・・・（中略）・・・基板固定装置１は、静電チャック３０の吸着面３０ａに、吸着対象物である基板１００（例えば、半導体ウェハ等）を静電気により吸着保持する装置である。」 「【００３２】 図５は、基板固定装置についてより具体的に説明する図であり、図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）は平面図である。図５に示すように、基板固定装置１は、主要な構成要素として、ベースプレート１０と、接着層２０と、静電チャック３０とを有している。 ・・・（中略）・・・ 【００３６】 静電チャック３０は、接着層２０を介して、ベースプレート１０の一方の面に搭載されている。接着層２０は、例えば、シリコーン系接着剤である。接着層２０の厚さは、例えば、０．０１～１．０ｍｍ程度である。接着層２０は、ベースプレート１０と静電チャック３０を接着すると共に、セラミックス製の静電チャック３０とアルミニウム製のベースプレート１０との熱膨張率の差から生じるストレスを低減させる効果を有する。なお、ベースプレート１０に対して静電チャック３０をネジにより固定してもよい。 【００３７】 静電チャック３０は、主要な構成要素として、基体３１と、静電電極３２とを有している。静電チャック３０の平面形状は、基板の形状に応じて決定されるが、例えば、円形である。静電チャック３０の吸着対象物である基板の直径は、例えば、８、１２、又は１８インチである。静電チャック３０は、ジョンセン・ラーベック型静電チャック又はクーロン型静電チャックである。 【００３８】 なお、平面視とは対象物を基体３１の吸着面３０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基体３１の吸着面３０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。 【００３９】 基体３１は誘電体であり、基体３１としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスを用いる。基体３１の厚さは、例えば、０．５～１０ｍｍ程度、基体３１の比誘電率（１ｋＨｚ）は、例えば、９～１０程度である。 【００４０】 静電電極３２は、薄膜電極であり、基体３１に内蔵されている。静電電極３２は、基板固定装置１の外部に設けられた電源に接続され、電源から所定の電圧が印加されると、基板との間に静電気による吸着力を発生させる。これにより、静電チャック３０の基体３１の吸着面３０ａ上に基板を吸着保持できる。吸着保持力は、静電電極３２に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極３２は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極３２の材料としては、例えば、タングステン、モリブデン等を用いる。 【００４１】 基体３１の内部に、基板固定装置１の外部から電圧を印加することで発熱し、基体３１の吸着面３０ａが所定の温度となるように加熱する発熱体を設けてもよい。 【００４２】 基体３１の上面の周縁部には、例えば、平面視リング状の環状突起部３１ａが設けられている。環状突起部３１ａの平面視内側には、円柱形状等の多数の柱状突起部３１ｂが平面視水玉模様状に点在するように設けられている。環状突起部３１ａと柱状突起部３１ｂの上面の高さｈ１は同一であり、高さｈ１は、例えば、１０～３０μｍとすることができる。柱状突起部３１ｂの上面の直径φ１は、例えば、１．０～２．０ｍｍとすることができる。環状突起部３１ａの上面と柱状突起部３１ｂの上面は、吸着対象物が吸着保持される吸着面３０ａを構成する。 【００４３】 静電チャック３０及びベースプレート１０の内部には、静電チャック３０に吸着保持される基板を冷却するガスを供給するガス流路１２が設けられている。ガス流路１２は、ベースプレート１０、接着層２０、及び基体３１の内部に形成された孔である。ガス流路１２の個数は、必要に応じて適宜決定できるが、例えば、１０個～１００個程度である。ガス流路１２には、例えば、基板固定装置１の外部から不活性ガスが導入される。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウムガスやアルゴンガス等を用いることができる。」 「【００４７】 基板１００と吸着面３０ａとの摺動に伴いパーティクルを発生しやすい部分は、吸着面３０ａの周縁部であるため、吸着面３０ａの周縁部に位置する環状突起部３１ａではエッジ角度を鈍角にすることが好ましく、滑らかな曲面にすることがより好ましい。例えば、図６に示すように、吸着面３０ａを構成する環状突起部３１ａの上面（基板１００と接する側の面）の角部は、断面視Ｒ状であることが好ましい。 【００４８】 具体的には、静電チャック３０の環状突起部３１ａは、その上面と側面との交差によって規定されるエッジ部に約０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されていることが好ましい。Ｒが０．０１ｍｍを下回ると、エッジ部にシャープさが増加する結果、パーティクルの発生する度合いが増加し、デチャック特性も低下する。このような特性の変化は、Ｒが付与された部分の大きさにも依存する。本発明者の知見によると、環状突起部３１ａにおいて、Ｒをもった部分は、環状突起部３１ａの高さｈ１の約１／４以上を占めていることが好ましい。この部分が１／４を下回ると、Ｒの働きが十分とならず、したがって、パーティクルの発生する度合いが増加し、デチャック特性も低下する。」 「 ［図：0001423532000001.jpg］ ［図：0001423532000002.jpg］ 」 イ 上記アによれば、以下のことがいえる。 （ア）段落００３７には、「静電チャック３０は」「基体３１と、静電電極３２とを有している。」と記載され、段落００４２には、「基体３１の上面の周縁部には」「平面視リング状の環状突起部３１ａが設けられている。」と記載され、図５より、静電電極３２の外縁は、環状突起部３１ａと重なることが見て取れる。 （イ）段落００４８には、「環状突起部３１ａは、その上面と側面との交差によって規定されるエッジ部に約０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されていることが好ましい。」と記載され、図６より、環状突起部３１ａは、その上面と、内周側及び外周側の側面との交差によって規定されるエッジ部にアール（Ｒ）が付与されることが見て取れる。 （ウ）上記ア並びに上記（ア）及び（イ）によれば、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。なお、括弧内は、引用段落等を示す。 ＜甲１発明＞ 「静電チャック３０であって、基体３１と、静電電極３２とを有し、 平面形状が円形であり、（段落００３７） 基体３１は誘電体であり、（段落００３９） 静電電極３２は、薄膜電極であり、基体３１に内蔵され、電源から所定の電圧が印加され、吸着対象物である基板としての半導体ウェハとの間に静電気による吸着力を発生させることにより、基体３１の吸着面３０ａ上に半導体ウェハを吸着保持するものであり、（段落００１３、段落００４０） 基体３１の上面の周縁部には、平面視リング状の環状突起部３１ａが設けられ、静電電極３２の外縁は、環状突起部３１ａと重なり、 環状突起部３１ａの平面視内側には、円柱形状等の多数の柱状突起部３１ｂが平面視水玉模様状に点在するように設けられ、 環状突起部３１ａと柱状突起部３１ｂの上面の高さｈ１は同一であり、高さｈ１は、１０～３０μｍとすることができ、柱状突起部３１ｂの上面の直径φ１は、１．０～２．０ｍｍとすることができ、環状突起部３１ａの上面と柱状突起部３１ｂの上面は、半導体ウェハが吸着保持される吸着面３０ａを構成し、（段落００１３、段落００４２、（ア）） 静電チャック３０の内部には、吸着保持される半導体ウェハを冷却するガスを供給するガス流路１２が設けられ、（段落００１３、段落００４３） 環状突起部３１ａは、その上面と、内周側及び外周側の側面との交差によって規定されるエッジ部に約０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されている、（段落００４８、（イ）） 静電チャック３０。」 （２）甲２について 甲２には、以下の記載がある。 「【００１５】 処理容器１０内には、基板としてのウェハＷを載置させる基板載置台２０が設けられている。基板載置台２０は、基台２１と、基台２１の上部に設けられ載置部２２を有している。載置部２２は、誘電体、例えばセラミックからなり、後述のように静電チャックとしての機能を有し、載置部２２に支持されたウェハＷを吸着する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハである。」 「【００１８】 載置部２２は、導電膜からなるシート状の静電吸着用の電極４０を、誘電体である誘電層部４１内に設けた構成を有している。かかる構成を有する載置部２２は、誘電体中に片極のみが形成された、いわゆる単極型の静電チャックとしての機能を有している。電極４０には、直流電源４３がスイッチ４４を介して接続されている。そして直流電源４３から電極４０に直流電圧を印加することにより、静電気力、すなわちクーロン力でウェハＷを載置部２２の上面に吸着保持することができる。載置部２２は、接着層Ｎにより基台２１に接着されている。」 「【００２３】 基台２１の内部には冷媒管５０が設けられている。この冷媒管５０には、配管５１、５２を介して、チラーユニット５３から所定温度の冷媒、例えば冷水が循環供給される。」 「【００３１】 載置部２２の上面の周辺部には、ウェハＷの周辺部を支持する第２の支持部１２０が設けられている。本実施の形態では、第２の支持部１２０は、全体として平面視で円環形状を有し、さらに図４に示したように、載置部２２の周縁部を境とする外側部１２０ａと内側部１２０ｂとを有している。第２の支持部１２０は、外側部１２０ａの下側に下方に延出する環状の垂下部１２０ｃを有している。したがって、外側部１２０ａの垂直方向の厚さは内側部１２０ｂの垂直方向の厚さよりも厚い。そして載置部２２の外周側面の一部（外周側面の上部）は、外側部１２０ａから続く垂下部１２０ｃによって覆われている。」 「【図７】 ［図：0001423532000003.jpg］ 」 （３）甲３について 甲３は、以下の記載がある。 「【００１７】また、サセプタの載置面の湾曲した周縁部に重なるように、静電チャックシートの周縁部をも湾曲面に形成することで、静電チャックシートの絶縁フィルムによる絶縁耐圧効果により、サセプタに対する電界集中を一層弱めることができるとともに、静電チャックシート自体への電界集中をなくして焼損・絶縁破壊を効果的に防止することができる。」 「【００１９】 【実施例】以下、図１～図７を参照して本発明の実施例を説明する。図１～図３は本発明の一実施例による枚葉式プラズマエッチング装置の構成を示す図であって、図１は装置全体の構成を示す略断面図、図２は要部の分解斜視図、図３は要部の拡大部分断面図である。 【００２０】この実施例のエッチング装置において、反応容器１０の底面中央部に容器１０と一体的に円筒型でかつ導電性の外支持枠１１ａが形成され、この外支持枠１１ａの内側に円筒型でかつ絶縁性の内支持枠１１ｂが嵌め込まれる。内支持枠１１ｂの内側には円柱形のサセプタ支持台１２が配設され、このサセプタ支持台１２の上にサセプタ１４がボルト１５によって取付される。サセプタ１４およびサセプタ支持台１２のいずれもアルミニウム等の導電性金属からなる。サセプタ支持台１２の内部には冷却ジャケット１２ａが形成されており、導入管１６を通って冷却ジャケット１２ａ内に供給された冷却液は排出管１８を通って装置外部へ排出される。」 「【００２２】サセプタ１４のウエハ載置面には静電チャックシート２０が冠着され、この静電チャックシート２０の上に半導体ウエハ２２が載置される。サセプタ１４の載置面および静電チャックシート２０の径は、半導体ウエハ２２の径よりも小さな径に選ばれている。静電チャックシート２０は、図３に明示されるように、２枚の高分子フィルム２０ａ，２０ｂの間に銅箔等の導電膜２０ｃを封入したものであって、その周縁部２０ｄはウエハ載置面の周縁部１４ｃに重なるように曲率半径の大きな湾曲面に形成されている。この静電チャックシート２０にも、図２に示されるように、冷却ガスたとえばＯ２ を半導体ウエハ２２の裏面に供給するための貫通孔２０ｅが形成されている。」 「【図３】 ［図：0001423532000004.jpg］ 」 （４）甲４について 甲４には、以下の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等に対してマイクロ波により生じたプラズマを作用させて処理を施す際に使用されるプラズマ処理装置に関する。」 「【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記平面アンテナ部材１６から放射されたマイクロ波の多くはこの下方の絶縁板８を透過して処理容器４へ導入されることになるが、一部のマイクロ波はこの絶縁板８内を半径方向へ伝播することになり、この現象を回避することは困難である。この場合、上記絶縁板８の周辺部を保持する支持枠部材１０は、接地されてグランド電位になっていることから、絶縁板８内には、その外周端を節（ノード）とする定在波３０（図５中に模式的に示す）が半径方向に沿って発生することになる。このため、絶縁板８の外周端よりも半径方向内方へ僅かな距離だけ内側に位置する部分には高電圧が発生し、この高電圧部分と上記支持棚部１２との間で局部的に異常放電３２が発生し、これによって支持棚部１２の材料であるアルミニウム母材が削られてしまい、アルミニウム母材中に含まれる他の金属により半導体ウエハＷが金属汚染されたり、或いはパーティクルの発生原因にもなっていた。特に、上記した異常放電３２は、支持棚部１２の内周側の上側角部Ｐ１や下側角部Ｐ２のように直角や鈍角のようにある角度でもって曲がっている部分に電界の集中が生ずることから、これらの角部Ｐ１、Ｐ２において集中的に生ずる、といった問題があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、絶縁板とこれを支持する支持枠部材との間の異常放電の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供することにある。 【０００５】 【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器と、前記開口の周縁部に沿って設けられると共に前記処理容器の中心方向へ突出されたリング状の支持棚部を有する支持枠部材と、前記支持棚部にその周縁部を支持させて前記開口を気密に覆うように設けた絶縁板と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて複数のマイクロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁板を透過させて前記処理容器内へ導入する平面アンテナ部材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記支持棚部の内周側の角部は、曲面状に成形されていることを特徴とするプラズマ処理装置である。これにより、絶縁板を支持する支持棚部における角部は曲面状になされているので、この部分における電界の集中は緩和されることになり、結果的に、この角部に集中放電が発生することを抑制することが可能となる。」 「【図４】 ［図：0001423532000005.jpg］ 【図５】 ［図：0001423532000006.jpg］ 」 （５）甲５について 甲５には、以下の記載がある。 「【請求項１】 基台と、 前記基台の上に配置され、絶縁材料で形成された基板支持層と、 前記基板支持層内に配置され、平面視で円形状の本体部分と前記本体部分から放射状に突出する複数の突出部分とを有する静電内部電極層と、を備える、 基板支持器。」 「【００１６】 基板支持部（基板支持器ともいう。）１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板（ウェハ）Ｗを支持するための中央領域（基板支持面）１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域（リング支持面）１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。一実施形態において、本体部１１１は、基台５０（図４で後述）及び静電チャック６０（図４で後述）を含む。基台５０は、導電性部材を含む。基台５０の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャック６０は、基台５０の上に配置される。静電チャック６０の上面は、基板支持面１１１ａを有する。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持部１１は、静電チャック６０、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。」 「【００２３】 次に、基板支持部１１の本体部１１１について、図３から図５を用いて更に説明する。図３は、基板支持部１１の本体部１１１の静電チャック６０内の静電電極層６２の形状を示す平面図の一例である。図４は、基板支持部１１の本体部１１１のＡ－Ａ断面図の一例である。図５は、基板支持部１１の本体部１１１のＢ－Ｂ断面図の一例である。なお、図３は、静電チャック６０を基板Ｗの載置面の方向から平面視した際の、静電電極層６２の形状を示す図である。」 「【図４】 ［図：0001423532000007.jpg］ 」 （６）甲６について 甲６には、以下の記載がある。 「【００４４】 図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）に表したように、実施形態に係る静電チャック１０は、セラミック誘電体基板１００と、ヒータ部２００と、べースプレート３００と、を備える。」 「【００４８】 セラミック誘電体基板１００の内部には、電極層１１１が設けられている。電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されている。すなわち、電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されている。電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００に一体焼結されている。」 「【００５１】 電極層１１１は、第１主面１０１及び第２主面１０２に沿って設けられている。電極層１１１は、処理対象物Ｗを吸着保持するための吸着電極である。電極層１１１は、単極型でも双極型でもよい。また、電極層１１１は、三極型やその他の多極型であってもよい。電極層１１１の数や電極層１１１の配置は、適宜選択される。」 「【図２】 ［図：0001423532000008.jpg］ 」 ２ 甲１を主引用例とした場合の申立理由１及び２について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）本件発明１の「板状試料」は、本件明細書の【０００２】によれば、「シリコンウエハ等の板状試料」と記載されている。そして、甲１発明の「半導体ウェハ」はシリコンウエハであることが一般的である。そうすると、甲１発明の「半導体ウェハ」は、本件発明１の「板状試料」に相当する。 甲１発明において、「基体３１の上面の周縁部には」「環状突起部３１ａが設けられ」、「環状突起部３１ａの平面視内側には」「多数の柱状突起部３１ｂが」「設けられ」、「環状突起部３１ａの上面と柱状突起部３１ｂの上面は、半導体ウェハが吸着保持される吸着面３０ａを構成」することは、上面が半導体ウェハを保持する面である基体３１を有することであるから、当該構成は、本件発明１の「一主面が板状試料を載置する載置面である基体」「を有」することに相当する。 （イ）甲１発明において、「静電電極３２」が「基体３１に内蔵され」、「吸着対象物である基板としての半導体ウェハとの間に静電気による吸着力を発生させる」構成は、基体３１に内蔵された吸着力を発生させる静電電極３２を有することであるから、当該構成は、本件発明１の「前記基体の内部に設けられた静電吸着用電極」「を有」することに相当する。 （ウ）甲１発明において、「基体３１の上面の周縁部には、平面視リング状の環状突起部３１ａが設けられ」る構成は、本件発明１の「前記基体は、前記載置面の周縁部に沿って設けられた環状突起部を有」することに相当する。そして、甲１発明の「環状突起部３１ａは、その上面と、内周側及び外周側の側面との交差によって規定されるエッジ部に約０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されている」構成は、本件発明１の、「前記基体において前記載置面と連続する側周面には、前記載置面の周縁部において周方向に設けられた凸曲面である第１曲面」「を少なくとも有し」、「前記環状突起部の外周側には、前記第１曲面の少なくとも一部が設けられ」、「前記環状突起部の内周側には、内周の周方向に設けられた凸曲面である第３曲面を有する」ことに相当する。 （エ）甲１発明において、「静電電極３２の外縁は、環状突起部３１ａと重な」る構成は、本件発明１の「前記静電吸着用電極の外縁は、平面視において前記環状突起部と重な」ることに相当する。 （オ）甲１発明の「静電チャック３０」は、本件発明１の「静電チャック部材」に相当する。 （カ）上記（ア）～（オ）によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。 ＜一致点＞ 「一主面が板状試料を載置する載置面である基体と、 前記基体の内部に設けられた静電吸着用電極と、を有し、 前記基体において前記載置面と連続する側周面には、前記載置面の周縁部において周方向に設けられた凸曲面である第１曲面と、を少なくとも有し、 前記基体は、前記載置面の周縁部に沿って設けられた環状突起部を有し、 前記静電吸着用電極の外縁は、平面視において前記環状突起部と重なり、 前記環状突起部の外周側には、前記第１曲面の少なくとも一部が設けられ、 前記環状突起部の内周側には、内周の周方向に設けられた凸曲面である第３曲面を有する静電チャック部材。」 ＜相違点＞ 本件発明１は、「前記基体において前記載置面と連続する側周面には」、「前記載置面の周縁部において周方向に設けられた凸曲面である第１曲面」と、「前記第１曲面とは異なる高さ位置において前記周方向に設けられた第２曲面」と「を少なくとも有」するのに対し、甲１発明は、基体３１の外周面の「アール（Ｒ）が付与されている」「エッジ部」に、本件発明１の「第１曲面」を有するといえるものの、それとは異なる高さ位置において、前記周方向に設けられた「第２曲面」を有さない点。 イ 相違点についての検討 （ア）申立理由１（新規性） 本件発明１では、「第１曲面」と「第２曲面」は、異なる高さに位置しているから、ある位置によって、明確に区別されるものであるところ、甲１発明では、「第２曲面」の位置が「第１曲面」に対してどのような位置にあるのか、両者を区別する境界は不明である。 したがって、甲１発明は、本件発明１であるとはいえない。 また、本件明細書の記載をみても、段落０１２０には、「回転砥石を用いて載置面１０ｘの周縁部を研削することで、容易に第１曲面ＣＳ１及び第２曲面ＣＳ２を有する静電チャック部材１０を形成することができる。」と記載されているように、相違点に係る本件発明１の「第２曲面」は、所定の工程により形成される構造であるから、実質的に相違する構成である。 よって、甲１発明は、実質的に本件発明１であるともいえない。 （イ）申立理由２（進歩性） 甲２～甲６の記載は、上記１（２）～（６）のとおりであるところ、甲２～甲６のいずれにも、相違点に係る構成は記載されていない。 よって、甲２～甲６に記載された事項を甲１発明に適用したとしても、本件発明１の構成には至らない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人は、特許異議申立書の第２９頁第１３行～第３０頁第２行において、甲１の図６に基づく下記の参考図１を示し、基体３１は、環状突起部３１ａの外周側に、凸曲面である「第１曲面Ｐｃ１」と、第１曲面Ｐｃ１とは異なる高さ位置において周方向に設けられた「第２曲面Ｐｃ２」とを有する旨主張している。 「 ［図：0001423532000009.jpg］ 」 ｂ しかしながら、上記イ（ア）のとおり、本件発明１の「第１曲面」及び「第２曲面」は、「第１」及び「第２」が付されることにより明確に区別されるものであり、異なる高さに位置する別の曲面である。 そして、本件明細書の段落００８１には、「第１実施形態」について「第１曲面ＣＳ１と第２曲面ＣＳ２との間は、載置面１０ｘの方向からの視野に露出する傾斜面１０ａである。」と記載され、「第１曲面ＣＳ１」と「第２曲面ＣＳ２」とが「傾斜面１０ａ」により区別されることが記載されている。また、本件明細書の段落０１４６にも、「凹曲面ＣＳ０は、本発明における「第２曲面」に該当する。」と記載され、さらに段落０１５４にも、「側周面４０ｙは、上端に設けられた第１曲面ＣＳ１と、下端に設けられた凹曲面ＣＳ０とを有する。」と記載され、「第１曲面ＣＳ１」と第２曲面である「凹曲面ＣＳ０」とが側周面４０ｙによって区別されることが記載されている。 一方、上記ａの参考図１に示された「第１曲面Ｐｃ１」及び「第２曲面Ｐｃ２」は、単に連続した単一の曲面の一部であって、両者を区別する境界を一義的に定めることはできない。 したがって、申立人の主張する参考図１の内容について検討しても、甲１発明が相違点に係る構成を有しているとはいえない。 よって、上記ａの申立人の主張を採用することはできない。 ウ 本件発明１についてのまとめ 上記イのとおりであるから、本件発明１は、甲１発明ではなく、また、甲１発明と甲２～６に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２～７について 請求項２～７の記載は、請求項１の記載を引用するものであるところ、本件発明２～７は、本件発明１の構成を全て備えるものである。したがって、本件発明２～７は、上記（１）アで挙げた相違点に係る本件発明１の構成を備えたものであるから、上記（１）イにおける検討と同様の理由により、甲１発明ではなく、また、甲１発明と甲２～６に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）小括 よって、甲１を主引用例とした申立理由１及び２は、理由がない。 ３ 甲２を主引用例とした場合の申立理由１及び２について （１）本件発明１について 上記１（２）のとおり、甲２には、上記２（１）アで挙げた相違点に係る本件発明１の構成は記載されていない。そうすると、上記２（１）イ（ア）における検討と同様の理由により、本件発明１と甲２に記載された発明（以下、「甲２発明」という。）とは、上記２（１）アで挙げた相違点と同様の点で実質的に相違する。 また、上記１（１）及び（３）～（６）のとおり、甲１、甲３～６のいずれにも、上記２（１）アで挙げた相違点に係る本件発明１の構成は記載されていないから、甲１、甲３～６に記載された事項を甲２発明に適用したとしても、本件発明１の構成には至らない。 よって、本件発明１は、甲２発明ではなく、また、甲２発明と甲１、甲３～６に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２～７について 上記２（２）における検討と同様の理由により、本件発明２～７は、甲２発明ではなく、また、甲２発明と甲１、甲３～６に記載された事項とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）申立人の主張について ａ 申立人は、特許異議申立書の第３１頁下から３行～第３２頁第１０行において、甲２の図７に基づく下記の参考図２を示し、第２の支持部１２０の外周側について、第２の支持部１２０は、凸曲面である「第１曲面Ｐｃ１」と、第１曲面Ｐｃ１とは異なる高さ位置において周方向に設けられた「第２曲面Ｐｃ２」とを有する旨主張している。 「 ［図：0001423532000010.jpg］ 」 ｂ しかしながら、上記２（１）イ（ア）及び（ウ）ｂのとおり、本件発明１の「第１曲面」及び「第２曲面」は、「第１」及び「第２」が付されることにより明確に区別されるものであり、異なる高さに位置する別の曲面である。 一方、上記ａの参考図２に示された「第１曲面Ｐｃ１」及び「第２曲面Ｐｃ２」は、単に連続した単一の曲面の一部であって、両者を区別する境界を一義的に定めることはできない。 したがって、申立人の主張する参考図２の内容について検討しても、甲２発明が相違点に係る構成を有しているとはいえない。 よって、上記ａの申立人の主張を採用することはできない。 （４）小括 よって、甲２を主引用例とした申立理由１及び２は、理由がない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～７に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。