2024-700925

特許第７４５８３５４号発明「保持装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４５８３５４号の請求項１～５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許７４５８３５４号の請求項１～５に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、令和３年９月１５日に出願され、令和６年３月２１日にその特許権の設定登録がされ、令和６年３月２９日に特許掲載公報が発行され、その後、本件特許に対し令和６年９月２５日に特許異議申立人 清水朋子（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～５に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明５」という。）は、それぞれ願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 【請求項１】 対象物を保持する保持装置であって、 板状に形成される板状部と、 前記板状部を支持し、前記板状部を主に形成する材料の熱膨張率と異なる熱膨張率を有する材料を主とし、冷却機能を有し、板状に形成されるベース部と、 前記板状部と前記ベース部との間に配置され、接着剤を含み、前記板状部と前記ベース部とを接合する接合部と、 を備え、 前記接合部の熱抵抗は、５．０×１０－４（ｍ２Ｋ／Ｗ）以下であり、 前記接合部の最大せん断応力時ひずみ量は、０．５ｍｍ以上であり、 前記接合部は、前記接着剤と無機フィラーとを含む複合物により構成され、 前記無機フィラーを断面視したときの内接円の半径をＲ１とし、外接円の半径をＲ２とすると、Ｒ２／Ｒ１の値の平均値が１．１０以上であることを特徴とする 保持装置。 【請求項２】 請求項１に記載の保持装置であって、 前記接合部は、該接合部について引張試験を行い、せん断力による変形の長さが０．５ｍｍになるときのせん断応力が、０．１ＭＰａ以上、３．５ＭＰａ以下であることを特徴とする 保持装置。 【請求項３】 請求項１または２に記載の保持装置であって、 前記接合部の剛性率が０．０３ＭＰａ以上、２．０ＭＰａ以下であることを特徴とする 保持装置。 【請求項４】 請求項１から３までのいずれか一項に記載の保持装置であって、 前記接合部は、前記接着剤を含む樹脂層と、前記樹脂層内において前記接合部の面方向に広がるように形成されて、無機材料によって構成される無機シートと、を備えることを特徴とする 保持装置。 【請求項５】 請求項１から４までのいずれか一項に記載の保持装置であって、 前記板状部は、セラミックを主成分とし、前記対象物を保持するための吸着電極を含み、前記対象物を加熱するためのヒータ電極を含まないことを特徴とする 保持装置。 第３ 特許異議申立書に記載された申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第３号証（以下、それぞれ「甲１」～「甲３」という。）を提出し、特許異議申立書（以下「申立書」という。）において、以下の理由により、請求項１～５に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（新規性） 本件発明１～３、５は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件特許の請求項１～３、５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（以下「申立理由１」という。） ２ 申立理由２（進歩性） 本件発明１～３、５は、甲１に記載された発明に基づいて、又は甲１に記載された発明及び甲２に記載された事項に基づいて、その発明の技術分野に属する通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、本件発明４は、甲１に記載された発明に基づいて、又は甲１に記載された発明及び甲３に記載された事項に基づいて、又は甲１に記載された発明及び甲２、甲３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（以下「申立理由２」という。） ３ 申立理由３（明確性） 本件発明１～５は、明確でないから、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない。（以下「申立理由３」という。） ４ 申立理由４（サポート要件） 本件発明１～５は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない。（以下「申立理由４」という。） ［証拠方法］ 甲１：特開２００８－２１８９９２号公報 甲２：特開２０１１－２２２９７８号公報 甲３：特開２０２０－６８２１９号公報 第４ 甲各号証 １ 甲１の記載と甲１発明 （１）甲１の記載 甲１には、以下の記載がある。（強調のため当審が下線を付した。） 「【０００１】 本発明は、静電チャック又はヒータ付静電チャック等の半導体製造装置用サセプターと冷却板を接合する接合剤及びこの接合剤により接合された半導体製造装置用サセプターと冷却板を備える半導体支持装置に関する。」 「【０００８】 本発明に係る接合剤は、付加硬化型シリコーン粘着剤からなる硬化シートにより形成され、付加硬化型シリコーン粘着剤は、１分子に２個以上のビニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、Ｒ３ＳｉＯ１／２（Ｒは脂肪族不飽和結合を有しない炭素数１～６の１価炭化水素基）で表される単位（以下Ｍと表記）とＳｉＯ４／２で表される単位（以下Ｑと表記）とをＲ３ＳｉＯ１／２単位／ＳｉＯ４／２単位のモル比（Ｍ／Ｑ比）が０．６以上１．６以下の範囲内になる割合で含むオルガノポリシロキサンレジンと、ケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、白金触媒と、２０［ｖｏｌ％］以上５０［ｖｏｌ％］以下の含有率を有する熱伝導性フィラーとを含有する。」 「【００２０】 熱伝導性フィラーは、平均粒径が１［μｍ］以下の微細粒子と平均粒径が１０［μｍ］以上３０［μｍ］以下の数値範囲内にある粗粒子とを重量比が３：７以上１：９以下の範囲内になるように混合した粒子により形成されていることが望ましい。これにより、微細粒子が粗粒子の間に充填され、熱伝導性が安定化する。また最密充填化が図れることにより、接合剤の低弾性を維持しつつ半導体製造装置用サセプター及び冷却板との密着性を向上させることができる。なお、熱伝導性フィラーの平均粒径が３０［μｍ］以上になると接合剤表面の平滑性が低下することによって粘着性が低下しやすくなる。 【００２１】 接合剤と半導体製造装置用サセプター及び冷却板の接合面には予めシランカップリング系プライマーを塗布しておくことが望ましい。また半導体製造装置用サセプターは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素（ＢＮ）、イットリアのうちのいずれかにより形成され、冷却板は、アルミニウム合金、真鍮のうちのいずれかにより形成されていることが望ましい。」 「【００２８】 本発明に係る接合剤は、例えば図１に示すような、半導体ウェハ１を支持する半導体製造装置用サセプター２と、冷却媒体供給路３ａに供給された冷却媒体によって半導体製造装置用サセプター２を冷却することにより半導体ウェハ１の温度を制御する冷却板３とを備える半導体支持装置における、半導体製造装置用サセプター２と冷却板３を接合するための接合剤４に適用することができる。なお、図１に示す半導体支持装置では、半導体製造装置用サセプター２，冷却板３，及び接合剤４には、半導体ウェハ１と半導体製造装置用サセプター２の間にガスを供給するためのガスチャンネル５と、リフトピンを挿入して半導体製造装置用サセプター２から半導体ウェハ１を取り外すためのリフトピン穴６が形成されている。 【００２９】 以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。 【００３０】 〔実施例１〕 実施例１では、始めに、分子鎖両末端にビニル基を含有するオルガノポリシロキサンを１００質量部、Ｒ３ＳｉＯ１／２（Ｒは脂肪族不飽和結合を有しない炭素数１～６の１価炭化水素基）で表される単位（以下Ｍと表記）とＳｉＯ４／２で表される単位（以下Ｑと表記）とをＲ３ＳｉＯ１／２単位／ＳｉＯ４／２単位のモル比（Ｍ／Ｑ比）が１．１になる割合で含むオルガノポリシロキサンレジンを１８０質量部、ケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンをビニル基を含有するオルガノポリシロキサンのビニル基に対する成分中のＳｉＨ基のモル比が１５となる量、白金触媒、及び２０［ｖｏｌ％］の含有率を有し、平均粒径０．７［μｍ］の酸化アルミニウム（微細粒子）と平均粒径２０［μｍ］の酸化アルミニウム（粗粒子）とを重量比１０：９０の割合で混合した熱伝導性フィラーからなる混合物をトルエンに溶解させた付加硬化型シリコーン粘着剤をＰＥＴ離型フィルムに塗工し、１００［℃］の熱風循環式乾燥機内にて１０分間硬化後、硬化物をＰＥＴ離型フィルムから剥離することにより厚さ１２０［μｍ］の実施例１の接合剤を得た。次に、本接合剤を種々の形状のアルミニウム（Ａｌ）角板と窒化アルミニウム（ＡｌＮ）角板に１００［℃］，１．４［ＭＰａ］で１０分間加熱加圧接合することにより実施例１の接合体を得た。 ・・・（中略）・・・ 【００３４】 〔実施例５〕 実施例５では、熱伝導性フィラーの含有率を３３［ｖｏｌ％］とした以外は実施例１と同じ条件で製造することにより、実施例５の接合体を得た。 【００３５】 〔実施例６〕 実施例６では、微細粒子と粗粒子の重量比を２０：８０とした以外は実施例５と同じ条件で製造することにより、実施例６の接合体を得た。 【００３６】 〔実施例７〕 実施例７では、ＡｌとＡｌＮの接合面に予めシランカップリング系プライマーを塗布した以外は実施例６と同じ条件で製造することにより、実施例７の接合体を得た。 ・・・（中略）・・・ 【００４３】 〔実施例１４〕 実施例１４では、熱伝導性フィラーの材質を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とした以外は実施例７と同じ条件で製造することにより、実施例１４の接合体を得た。」 「【００５６】 ［せん断剥離試験］ 幅２５［ｍｍ］×長さ３５［ｍｍ］×厚さ１０［ｍｍ］のＡｌＮ製角板１１とＡｌ製角板１２の間に、上記実施例１～１５及び比較例１～８の各接合剤を２５×２５［ｍｍ］の大きさに切り出したものを挟み、１００［℃］，１４［ａｔｍ］で加熱加圧して接合体を作製した。そして図２に示すようなせん断剥離試験装置を用いて、室温及び１５０［℃］における各接合体のせん断剥離強度とせん断伸びを測定した。測定結果を以下の表１に示す。なお、φ３００ｍｍサイズの実体接合体においては、接合界面の気密性を保持するために、せん断剥離強度が室温で０．５［ＭＰａ］以上、１５０［℃］で０．２［ＭＰａ］以上、またせん断伸びについては室温，１５０［℃］共に０．０４以上を目標値とすることが経験的にわかっている。 【００５７】 ・・・（中略）・・・ 【表１】 ［図：0001418272000001.jpg］ 」 「【００５８】 ［熱伝導率の熱劣化試験］ φ１０×ｔ１［ｍｍ］のＡｌＮ製円板とφ１０×ｔ２［ｍｍ］のＡｌ製円板の間に実施 例１，５～９及び比較例１，４，７～１１の各接合剤を２５×２５［ｍｍ］の大きさに切り出したものを挟み、１００［℃］，１４［ａｔｍ］で加熱加圧して接合体を作製した。そして、１５０［℃］の状態に５００時間保持する耐久試験を行った後の各接合体の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定し、熱伝導率の熱劣化を測定した。そして、測定された接合体全体の熱伝導率から既知であるＡｌＮ（９０［Ｗ／ｍＫ］）及びＡｌ（１６０［Ｗ／ｍＫ］）の熱伝導率を除くことにより接合剤単体及び接合界面の熱抵抗を加味した接合層の熱伝導率を算出した。測定結果を以下の表２に示す。熱伝導率の目標値は０．３０［Ｗ／ｍＫ］以下（当審注：【表１】の実施例１～１５の熱伝導率λの値からみて、「以下」は「以上」の誤記と認める。）である。 【００５９】 比較例１，４，７～１１の接合体では、接合剤の熱伝導率が耐久試験後に低下するのに対して、実施例１，５～９，１１～１５の接合体では、耐久試験前後で接合剤の熱伝導率の低下は認められなかった。 ・・・（中略）・・・ 【表２】 ［図：0001418272000002.jpg］ 」 「【図１】 ［図：0001418272000003.jpg］ 」 （２）甲１発明 上記（１）の記載によれば、甲１には、実施例１４の接合体を接合剤４とする半導体支持装置についての次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているといえる。（括弧内は、甲１の引用箇所を示す。） ［甲１発明］ 「半導体ウェハ１を支持する半導体製造装置用サセプター２と、 冷却媒体供給路３ａに供給された冷却媒体によって半導体製造装置用サセプター２を冷却することにより半導体ウェハ１の温度を制御する冷却板３と、 半導体製造装置用サセプター２と冷却板３を接合するための接合剤４と を備える半導体支持装置（【００２８】）であって、 半導体製造装置用サセプター２は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素（ＢＮ）、イットリアのうちのいずれかにより形成され、冷却板３は、アルミニウム合金、真鍮のうちのいずれかにより形成されており、（【００２１】） 接合剤４は、熱伝導性フィラーを含有する付加硬化型シリコーン粘着剤であり、（【０００８】） 熱伝導性フィラーは、平均粒径０．７［μｍ］の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）（微細粒子）と平均粒径２０［μｍ］の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）（粗粒子）とを重量比２０：８０の割合で混合したものであり、（【００３０】、【００３５】、【００４３】、【表１】） 接合剤４は、 厚さ１２０［μｍ］で、２５×２５［ｍｍ］の接合剤４を加熱加圧して作製した接合体の熱伝導率λは、０．６５［Ｗ／ｍＫ］（耐久試験前）及び０．６４［Ｗ／ｍＫ］（耐久試験後）であり、（【００３０】、【００５８】、【表２】 ２５×２５［ｍｍ］の接合剤４を加熱加圧して作製した接合体のせん断伸びは、０．０６２（室温）及び０．０４９（１５０℃）である、（【００５６】、【表１】） 半導体支持装置。」 ２ 甲２の記載と甲２記載事項 （１）甲２の記載 甲２には、以下の記載がある。 「【００７１】 （接合剤） 接合剤とは、セラミック板と温調プレート、セラミック板とヒータとを接着する接合剤である。 ・・・（中略）・・・ 【００７２】 （無定形フィラー） 無定形フィラーは、接合剤の熱伝導率の増加を図るための添加材である。このため、その形状は、無定形であることが好ましい。接合剤の主剤と無定形フィラーを混合分散させた接合剤では、主剤のみの接合剤に比べ、熱伝導率が高くなる。例えば、接合剤の主剤単体では、熱伝導率が０．２（Ｗ／ｍＫ）程度であったのに対して、シリコーン主剤とアルミナ無定形フィラーを混合した場合、熱伝導率が０．８～１．７（Ｗ／ｍＫ）まで増加する。また、接合剤の主剤への充填率を向上するため、２種類以上の平均径の無定形フィラーを混合分散させてもよい。無定形フィラーの材質は、無機材料である。具体的な材質としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、シリカ等が該当する。無定形フィラーと接合剤の主剤との親和性を高めるために、無定形フィラー表面を処理する場合もある。無定形フィラーの重量濃度は、接合剤の主剤に対し、７０～８０（ｗｔ％）である。 【００７３】 （球形フィラー） 球形フィラーは、接合剤の厚みを制御するための添加材である。接合剤の厚さをコントロールするためは、その形状は球形であることが好ましい。球形フィラーの材質は無機材料である。但し、球形フィラーの材質と無定形フィラーの材質とは異なる。球形フィラーの材質は、例えば、ガラス等が該当する。フィラー形状が球形になると、接合剤への混合分散が容易になる。さらに、接着時において、球形フィラーと、セラミック板との間に無定形フィラーが存在しても、球形フィラーの形状が球形であるために、無定形フィラーが接合剤中で動き易くなる。球形フィラーの形状は、真球形に近く、かつ、直径の分布が狭い方が好ましい。これにより、接合剤の厚さをより正確にコントロールできる。また、無定形フィラーよりも球形フィラーの径が大きいことが、接合剤をコントロールする上でより好ましい。 【００７４】 球形フィラーの「球形」とは、真球状のみならず、真球状に近似した形状、すなわち、全体の９０％以上の粒子が形状因子１．０～１．４の範囲にあるものをいう。ここで、形状因子とは、顕微鏡で拡大し観察した数百個（例えば、２００個）の粒子の長径と、長径に直交する短径の比の平均値より算出される。したがって、完全な球形粒子のみであれば形状因子は１．０であり、この形状因子が１．０から外れるほど非球形となる。また、ここでいう無定形とは、この形状因子１．４を超えるものをいう。」 （２）甲２記載事項 上記（１）の「無定形フィラーは、接合剤の熱伝導率の増加を図るための添加材である。」（【００７２】）、及び「形状因子とは、顕微鏡で拡大し観察した数百個（例えば、２００個）の粒子の長径と、長径に直交する短径の比の平均値より算出される。・・・（中略）・・・ここでいう無定形とは、この形状因子１．４を超えるものをいう。」（【００７４】）との記載によれば、甲２には、「接合剤の熱伝導率の増加を図るため、形状因子が１．４を超える無定形フィラーを添加すること。」（以下、「甲２記載事項」という。）が記載されているといえる。 ３ 甲３の記載 甲３には、以下の記載がある。 「【０００９】 本保持装置では、前記接合部は、少なくとも第１の接合層と第２の接合層とを含んでいる。第１の接合層は、金属および無機材料の少なくとも一種により形成された繊維を含有し、かつ、断熱性が第２の接合層の断熱性より高い。このため、第１の接合層により、板状部材から第２の接合層への放熱が抑制され、例えば、第２の接合層の熱による劣化を抑制することができる。また、第２の接合層は、第１の接合層とベース部材との間に配置され、柔軟性が第１の接合層の柔軟性より高い。このため、第２の接合層により、板状部材とベース部材との間の熱膨張差による応力を緩和することができる。従って、本保持装置によれば、接合部における応力緩和性を確保しつつ、接合部全体としての耐熱性を向上させることができる。」 「【００３０】 （第１の接合層３１）： 図４は、接合部３０における第１の接合層３１と第２の接合層３２との境界部分の構成を模式的に示す説明図である。第１の接合層３１は、金属および無機材料の少なくとも一種により形成された繊維３２１を含有する。また、第１の接合層３１の断熱性は、第２の接合層３２の断熱性より高い。・・・」 「【００５８】 また、接合部３０の各部分（第１の接合層３１、第２の接合層３２、各保護部６２～６６）を形成するためのシート状接着剤を作製する。具体的には、第１の接合層３１は、繊維３２１を積層しプレスするなどしてシート状に成形した繊維シートを使用する。・・・」 「【図２】 ［図：0001418272000004.jpg］ 」 第５ 申立理由についての当審の判断 １ 申立理由１（新規性）及び申立理由２（進歩性）について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明の「半導体支持装置」は、「半導体ウェハ１を支持する半導体製造装置用サセプター２」を備えるところ、「半導体ウェハ１」は、本件発明１の「対象物」に相当し、「半導体製造用サセプター２」は、半導体製造に用いられるから、支持した半導体ウェハ１を保持する必要があることは明らかである。そうすると、甲１発明の「半導体支持装置」は、本件発明１の「対象物を保持する保持装置」に相当する。 （イ）甲１発明の「半導体ウェハ１を支持する半導体製造装置用サセプター２」は、板状であることが明らかである半導体ウェハ１を支持するものであり、甲１の【図１】からみても、板状に形成されたものであるといえるから、本件発明１の「板状に形成される板状部」に相当する。 （ウ）甲１発明の「冷却媒体供給路３ａに供給された冷却媒体によって半導体製造装置用サセプター２を冷却することにより半導体ウェハ１の温度を制御する冷却板３」について、冷却板３は、甲１の【図１】からみて、半導体製造装置用サセプター２を下から支持しているといえる。 また、甲１発明の「半導体製造装置用サセプター２は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素（ＢＮ）、イットリアのうちのいずれかにより形成され、冷却板は、アルミニウム合金、真鍮のうちのいずれかにより形成されて」おり、半導体製造用サセプター２は、セラミック製であるといえ、冷却板３は金属製であるといえるから、両者は主として熱膨張率の異なる材料で形成されているといえる。 また、冷却板３の「冷却媒体供給路３ａに供給された冷却媒体によって半導体製造装置用サセプター２を冷却すること」は、冷却機能といえる。 また、冷却板３は、上記のとおり、板状に形成された半導体製造装置用サセプター２を支持するものであり、甲１の【図１】からみても、板状に形成されたものであるといえる。 したがって、甲１発明の「冷却媒体供給路３ａに供給された冷却媒体によって半導体製造装置用サセプター２を冷却することにより半導体ウェハ１の温度を制御する冷却板３」は、本件発明１の「前記板状部を支持し、前記板状部を主に形成する材料の熱膨張率と異なる熱膨張率を有する材料を主とし、冷却機能を有し、板状に形成されるベース部」に相当する。 （エ）甲１発明の「半導体製造装置用サセプター２と冷却板３を接合するための接合剤４」について、接合剤４は、半導体製造装置用サセプター２と冷却板３の間に配置されているといえる。 したがって、甲１発明の「半導体製造装置用サセプター２と冷却板３を接合するための接合剤４」と、本件発明１の「前記板状部と前記ベース部との間に配置され、接着剤を含み、前記板状部と前記ベース部とを接合する接合部」は、「前記板状部と前記ベース部との間に配置され、」「前記板状部と前記ベース部とを接合する接合部」である点で共通する。 （オ）甲１発明の接合剤４は、厚さ１２０［μｍ］で、加熱加圧して作製した接合体の熱伝導率λが０．６５［Ｗ／ｍＫ］（耐久試験前）及び０．６４［Ｗ／ｍＫ］（耐久試験後）である。ここで、熱抵抗［ｍ２Ｋ／Ｗ］は、厚さ［ｍ］を熱伝導率［Ｗ／ｍＫ］で割った値であるから、甲１発明の接合剤４の熱抵抗［ｍ２Ｋ／Ｗ］は、 １２０×１０－６［ｍ］÷０．６４［Ｗ／ｍＫ］＝１．９×１０－４［ｍ２Ｋ／Ｗ］（耐久試験前） １２０×１０－６［ｍ］÷０．６５［Ｗ／ｍＫ］＝１．８×１０－４［ｍ２Ｋ／Ｗ］（耐久試験後） となり、いずれも本件発明１の「前記接合部の熱抵抗は、５．０×１０－４（ｍ２Ｋ／Ｗ）以下」であることに相当する。 （カ）甲１発明の接合剤４は、２５×２５［ｍｍ］で、加熱加圧して作製した接合体の「せん断伸び」が０．０６２（室温）及び０．０４９（１５０℃）であるから、「最大せん断応力時ひずみ量」［ｍｍ］は、 ２５［ｍｍ］×０．０６２＝１．５５［ｍｍ］（室温） ２５［ｍｍ］×０．０４９＝１．２３［ｍｍ］（１５０℃） となり、いずれも本件発明１の「前記接合部の最大せん断応力時ひずみ量は、０．５ｍｍ以上」であることに相当する。 （キ）甲１発明の「熱伝導性フィラー」は、「平均粒径０．７［μｍ］の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）（微細粒子）と平均粒径２０［μｍ］の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）（粗粒子）とを重量比２０：８０の割合で混合したもの」であるから無機フィラーといえる。 そうすると、上記（エ）の検討も考慮すれば、甲１発明の「接合剤４は、熱伝導性フィラーを含有する付加硬化型シリコーン粘着剤」であることと、本件発明１の「前記接合部は、前記接着剤と無機フィラーとを含む複合物により構成され」ることは、「前記接合部は、」「無機フィラー」「を含む複合物により構成され」る点で共通する。 （ク）以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。 ［一致点］ 「対象物を保持する保持装置であって、 板状に形成される板状部と、 前記板状部を支持し、前記板状部を主に形成する材料の熱膨張率と異なる熱膨張率を有する材料を主とし、冷却機能を有し、板状に形成されるベース部と、 前記板状部と前記ベース部との間に配置され、前記板状部と前記ベース部とを接合する接合部と、 を備え、 前記接合部の熱抵抗は、５．０×１０－４（ｍ２Ｋ／Ｗ）以下であり、 前記接合部の最大せん断応力時ひずみ量は、０．５ｍｍ以上であり、 前記接合部は、無機フィラーを含む複合物により構成される 保持装置。」 ［相違点］ ＜相違点１＞ 本件発明１は、「前記無機フィラーを断面視したときの内接円の半径をＲ１とし、外接円の半径をＲ２とすると、Ｒ２／Ｒ１の値の平均値が１．１０以上である」と特定されているのに対し、甲１発明には、このような特定がなされていない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１の接合部は、接着剤を含むのに対し、甲１発明の接合剤４は、粘着剤である点。 イ 判断 （ア）新規性について 本件発明１と甲１発明とは、上記相違点を有するから、本件発明１は、甲１発明ではない。 （イ）進歩性について 相違点１について検討する。 ａ 甲１には、相違点１に係る構成について、記載も示唆もされていないから、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ｂ また、甲１の【００２０】には、「熱伝導性フィラーは、平均粒径が１［μｍ］以下の微細粒子と平均粒径が１０［μｍ］以上３０［μｍ］以下の数値範囲内にある粗粒子とを重量比が３：７以上１：９以下の範囲内になるように混合した粒子により形成されていることが望ましい。これにより、微細粒子が粗粒子の間に充填され、熱伝導性が安定化する。また最密充填化が図れることにより、接合剤の低弾性を維持しつつ半導体製造装置用サセプター及び冷却板との密着性を向上させることができる。」と記載されているところ、甲１発明の「熱伝導性フィラーは、平均粒径０．７［μｍ］の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）（微細粒子）と平均粒径２０［μｍ］の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）（粗粒子）とを重量比２０：８０の割合で混合したもの」であるから、甲１発明は、微細粒子が粗粒子の間に充填され、熱伝導性が安定化しており、最密充填化も達成している。 加えて、甲１発明の接合剤４の熱伝導率（０．６５［Ｗ／ｍＫ］（耐久試験前）及び０．６４［Ｗ／ｍＫ］（耐久試験後））は、熱伝導率の目標値である０．３［Ｗ／ｍＫ］を超えているから、甲１発明の微細粒子及び粗粒子を混合した粒子により形成された熱伝導性フィラーに対して、さらに、接合剤４の熱伝導率の増加を図るための上記第４の２（２）の甲２記載事項における無定形フィラーの構成を採用する動機付けがない。 したがって、当業者であっても、甲１発明及び甲２記載事項に基づいて、相違点１に係る本件発明１の構成を想到することができたとはいえない。 よって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 申立人の主張について （ア）申立人の主張の概要 申立人は、申立書において、本件発明１と申立人が認定した甲１発明との相違点１を、 「本件特許発明１が、「Ｄ４．前記無機フィラーを断面視したときの内接円の半径をＲ１とし、外接円の半径をＲ２とすると、Ｒ２／Ｒ１の値の平均値が１．１０以上である」のに対し、 甲１発明は、ｄ３．接合剤４は、粘着剤材質としてシリコーンと、フィラー材質としてＡｌＮを３３ｖｏｌ％含み、ｄ４．接合剤４は、フィラー平均粒子径が２０μｍの粗粒と０．７μｍの細粒とを８０：２０の混合比で含むものの、フィラー材質であるＡｌＮのＲ２／Ｒ１の値の平均値が明確ではない点」（申立書２０頁２～９行） とした上で、以下のとおり主張している。 ａ 申立人は、申立書２１頁（４）オの項において、「通常、無機フィラーは真空ではなく、ある程度の歪みを持って成形される（甲２号証）。このため、甲１発明におけるＡｌＮ（窒化アルミニウム）フィラーも、Ｒ２／Ｒ１の平均値が１．１以上であると考えられる。すると、相違点１は、甲１号証に実質的に記載されているといえる。よって、相違点１は、実質的なものではない。」と主張している。（以下「主張ａ」という。） ｂ 申立人は、申立書２１頁（４）カの項において、「当業者にとって、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）フィラーとして真球のものを用いる動機付けはない。すると、甲１発明に接した当業者であれば、Ｒ２／Ｒ１の平均値が１．１以上のものを用いることに容易に想到し得る。」と主張している。（以下「主張ｂ」という。） ｃ 申立人は、申立書２１頁（４）キ～コの項において、「甲２号証には、無機フィラーには無定形フィラーと球形フィラーが存在し、接合剤の熱伝導率の増加を図るためには、無定形フィラーが好ましい点（甲２号証 段落［００７２］）、球形フィラーであっても全体の９０％におけるＲ２／Ｒ１が１．０～１．４の範囲内にある（したがって、球形フィラーであっても１０％のＲ２／Ｒ１が１．４を超える無定形フィラーを含む）ことが記載されている（甲２号証 段落［００７４］）」（キの項）とした上で、「仮に、甲１発明における微細粒子及び粗粒子が、球形フィラーであったとしても、その９０％におけるＲ２／Ｒ１が１．０～１．４の範囲内にあるのであるから、Ｒ２／Ｒ１の平均値は、１．１以上であると考えられる」（クの項）こと、及び「甲１発明における微細粒子及び粗粒子が好ましいとされる無定形フィラーを含まないことは、想定しにくい。すると、甲１発明における微細粒子及び粗粒子についてのＲ２／Ｒ１の平均値は、１．１以上であると考えられる」（ケの項）から、「本件特許発明１は、甲１発明と実質的に同一であるか、当業者が、甲１発明に基づいて容易に発明できたものである」（コの項）と主張している。（以下「主張ｃ」という。） ｄ 申立人は、申立書２２～２３頁の（５）ア～キの項において、「本件特許発明１は、当業者が、甲１発明における無機フィラーとして、甲２記載事項である無定形フィラーを採用することで、容易に発明できたものである。」と主張する。（以下「主張ｄ」という。） （イ）申立人の主張についての判断 ａ 主張ａについて検討するに、甲２には、「通常、無機フィラーは、真球ではなく、ある程度の歪みをもって成形される」ことは記載されていない。また、他に、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）で形成された無機フィラーのＲ２／Ｒ１の平均値が１．１以上であることが技術常識であることを示す証拠は、提示されていない。 したがって、相違点１は甲１号証に実質的に記載されているとはいえないから、主張ａは採用できない。 ｂ 主張ｂについて検討するに、甲１には、そもそも相違点１のとおり無機フィラーのＲ２／Ｒ１の平均値についての記載はなく、Ｒ２／Ｒ１の平均値が１．１以上のものを用いる動機付けはないから、Ｒ２／Ｒ１の平均値が１．１以上のものを用いることに容易に想到し得るということはできない。 したがって、主張ｂは採用できない。 ｃ 主張ｃについて検討するに、甲２に記載された「球形フィラー」といえる範囲は、甲２において定義されたものであって、「球形フィラー」についての技術常識を示すものではない。また、上記ｂで述べたように、甲１には、無機フィラーのＲ２／Ｒ１の平均値について記載がない。 したがって、甲１の記載から、甲１発明の微細粒子及び粗粒子についてのＲ２／Ｒ１の平均値が１．１以上であるとはいえないから、主張ｃは採用できない。 ｄ 主張ｄについて検討するに、上記イ（イ）ｂで述べたとおり、甲１発明の微細粒子及び粗粒子を混合した粒子により形成された熱伝導性フィラーに対して、さらに、接合剤４の熱伝導率の増加を図るための甲２記載事項における無定形フィラーの構成を採用する動機付けがないから、主張ｄは採用できない。 エ 小括 以上のとおりであるから、本件発明１についての申立理由１及び申立理由２は、理由がない。 （２）本件発明２～５について 本件発明２～５は、上記（１）アで述べた相違点に係る本件発明１の構成を備えるものである。また、甲３には、上記構成について、記載も示唆もされていない。 したがって、上記（１）イ（ア）と同様に、本件発明２、３及び５は、甲１発明ではなく、また、同（イ）で述べたとおり、本件発明２、３及び５は、甲１発明に基づいて、又は甲１発明及び甲２記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもなく、さらに本件発明４は、甲１発明、甲２記載事項及び甲３の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 よって、本件発明２～５についての申立理由１及び申立理由２は、理由がない。 ２ 申立理由３（明確性）について 申立人は、申立書２５～２７頁の「５．明確性要件」の項において、本件発明１の「前記無機フィラーを断面視したときの内接円の半径をＲ１とし、外接円の半径をＲ２とすると、Ｒ２／Ｒ１の値の平均値が１．１０以上であること」における「無機フィラーを断面視したとき」の記載について、無機フィラーのどのような断面についてのものであるか明確でない旨主張している。 しかしながら、本件発明１の記載は、無機フィラーの断面形状における内接円の半径Ｒ１と外接円の半径Ｒ２についてのＲ２／Ｒ１の平均値を特定するものであることが明確であり、無機フィラーの粒子を断面視したときの「Ｒ２／Ｒ１」の求め方は、願書に添付した明細書の段落００２７及び図３に示されるとおりであるから、本件発明１は明確である。 ここで、申立書２５頁下から２行目～２６頁５行の「無機フィラーがバナナのような形状を有する場合」についての主張、及び申立書２６頁７～３１行の本件発明１の「前記無機フィラーを断面視したとき」を接合部のある断面を視認したときであるように解釈することに基づく主張は、無機フィラーがバナナのような形状を有すること、及び接合部のある断面を視認することは本件発明１に記載された事項ではないから、これらの事項に基づく明確性不備の主張は採用できない。 そして、本件発明２～５についても同様である。 よって、申立理由３は、理由がない。 ３ 申立理由４（サポート要件）について 申立人は、申立書２７～２８頁の「６．サポート要件」の項において、本件発明１は、無機フィラーとして、熱伝導性フィラー以外のものも含むもの（申立書２７頁１７～１８行）、及び無機フィラーの含有量が全く特定されていないため、接合部に無機フィラーが本当にわずかしか含まれないものを含むもの（申立書２７頁下から２行目～２８頁４行）を含み、そのような発明は、発明の詳細な説明に記載された発明とはいえない旨主張している。 しかしながら、本件発明１は、無機フィラーを含む接合部について、「前記接合部の熱抵抗は、５．０×１０－４（ｍ２Ｋ／Ｗ）以下」であること、及び「前記接合部の最大せん断応力時ひずみ量は、０．５ｍｍ以上」であることが特定されているから、接合部が前記熱抵抗の範囲及び最大せん断応力時ひずみ量の範囲となるような含有量の熱伝導性フィラーを含むことが特定されているといえる。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 そして、本件発明２～５についても同様である。 よって、申立理由４は、理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及びその証拠によっては、特許７４５８３５４号の請求項１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に特許７４５８３５４号の請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。