2024-700146

特許第７３２９９１７号発明「基板固定装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３２９９１７号の請求項１～８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３２９９１７号の請求項１～８に係る特許についての出願は、平成３０年１１月３０日に出願され、令和５年８月１０日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２１日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和６年２月１９日に特許異議申立人 河原田 隆（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 第２ 本件発明 特許第７３２９９１７号の請求項１～８の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１～８」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 ベースプレートと、 前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、 前記発熱部上に設けられた静電チャックと、を有し、 前記発熱部は、発熱体と、前記発熱体よりも前記静電チャックに近い側に配置された金属層と、前記発熱体及び前記金属層を被覆する樹脂製の絶縁層と、を備え、 前記金属層の側面及び上下面は、全体が前記絶縁層により被覆され、 前記金属層は、電気的に独立しており、 前記金属層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料から形成されている基板固定装置。 【請求項２】 ベースプレートと、 前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、 前記発熱部上に設けられた静電チャックと、を有し、 前記発熱部は、発熱体と、前記発熱体よりも前記静電チャックに近い側に配置された金属層と、前記発熱体及び前記金属層を被覆する樹脂製の絶縁層と、を備え、 前記金属層の側面及び上下面は前記絶縁層により被覆され、 前記金属層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料から形成され、 前記発熱体と前記金属層とが同一の材料により形成され、 前記材料は、コンスタンタンである基板固定装置。 【請求項３】 前記絶縁層は、ビスマレイミドトリアジン樹脂から形成されている請求項１又は２に記載の基板固定装置。 【請求項４】 前記絶縁層は、エポキシ樹脂から形成されている請求項１又は２に記載の基板固定装置。 【請求項５】 前記絶縁層は、アルミナ又は窒化アルミニウムのフィラーを含有し、 前記絶縁層の熱伝導率は、３Ｗ／ｍＫ以上である請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板固定装置。 【請求項６】 前記金属層は、隙間を介して隣接する部分を有する所定形状のパターンである請求項１乃至５の何れか一項に記載の基板固定装置。 【請求項７】 前記所定形状のパターンは、同心円状又は渦巻き状のパターンである請求項６に記載の基板固定装置。 【請求項８】 前記発熱体は、同心円状のパターンである請求項７に記載の基板固定装置。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第４号証を提出し、以下の申立理由１、２により、本件の請求項１～８に係る特許を取り消すべきものである旨申し立てた。 ［証拠］ 甲第１号証：特開２０１６－１３６６１１号公報 甲第２号証：特開２０１７－２１６４４０号公報 甲第３号証：特開２００７－１９４３２０号公報 甲第４号証：特開平６－３０２６７７号公報 １ 申立理由１（新規性欠如） 本件発明１、６～８は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件の請求項１、６～８に係る特許は、同法第１１３条第２号により取消されるべきものである。 ２ 申立理由２（進歩性欠如） 本件発明１～８は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～４号証に記載された事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１～８に係る特許は、同法第１１３条第２号により取消されるべきものである。 第４ 各甲号証の記載事項、及び引用発明 １ 甲第１号証、及び引用発明 （１） 甲第１号証の記載事項 甲第１号証（特開２０１６－１３６６１１号公報）には、以下の記載がある（当審注：下線は引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明の態様は、一般的に、静電チャックに関する。 【背景技術】 【０００２】 エッチング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング、イオン注入、アッシングなどを行うプラズマ処理チャンバ内では、半導体ウェーハやガラス基板などの処理対象物を吸着保持する手段として、静電チャックが用いられている。静電チャックは、内蔵する電極に静電吸着用電力を印加し、シリコンウェーハ等の基板を静電力によって吸着するものである。 【０００３】 このような静電チャックを有する基板処理装置においては、歩留まりの向上および品質の向上のために、ウェーハの温度制御が求められている。ウェーハの温度制御には、２種類の性能が求められる。１つの性能は、ウェーハの面内の温度分布を均一にする温度均一性である。もう１つの性能は、ウェーハの面内の温度に意図的に差をつける温度制御性である。ウェーハの温度制御においては、静電チャックに内蔵されるヒータの性能が重要な要素の１つである。一般的に、温度均一性は、温度制御性とトレードオフの関係にある。 【０００４】 基板処理装置においては、高スループット化がさらに求められている。基板処理装置の高スループット化を実現するためには、静電チャックに内蔵されるヒータの熱容量は、比較的小さいことが好ましい。 【０００５】 ウェーハ加工のプロセスでは、ＲＦ（Radio Frequency）電圧（高周波電圧）が印加される。ＲＦ電圧が印加されると、一般的なヒータは、高周波の影響を受けて発熱する。すると、温度制御性が低下する。また、ＲＦ電圧が印加されると、漏れ電流が設備側に流れる。そのため、フィルタなどの機構が設備側に必要となる。 ヒータが静電チャックに内蔵される場合には、ヒータの内蔵方法（例えば接着方法）の信頼性が重要な要素の１つである。 【０００６】 プラズマエッチング装置などにおけるプロセスでは、様々な強度および様々な分布のプラズマがウェーハに照射される。プラズマがウェーハに照射される場合には、ウェーハの温度をプロセスに適した温度に制御することが求められる。また、プラズマがウェーハに照射される場合には、温度均一性および温度制御性が求められる。さらに、生産性を向上させるためには、ウェーハの温度を所定の温度に比較的短い時間で到達させることが求められる。急激な温度変化や、熱の供給や、高周波電圧の印加がある場合でも、静電チャックおよびウェーハには高い信頼性が求められる。このような要求を同時に満足することは、困難である。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００７】 【特許文献１】 特開２０１０－４０６４４号公報 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００８】 本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、温度均一性および温度制御性を満足することができる静電チャックを提供することを目的とする。 ・・・（中略）・・・ 【発明を実施するための形態】 【００５５】 以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。 図１は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的斜視図である。 図２は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。 図１では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。図２（ａ）は、例えば図１に表した切断面Ａ１－Ａ１における模式的断面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に表した領域Ｂ１の模式的拡大図である。 【００５６】 本実施形態にかかる静電チャック１０は、セラミック誘電体基板１００と、ヒータプレート２００と、べースプレート３００と、を備える。 セラミック誘電体基板１００は、ベースプレート３００と離れた位置に設けられている。ヒータプレート２００は、ベースプレート３００と、セラミック誘電体基板１００と、の間に設けられている。 【００５７】 ベースプレート３００とヒータプレート２００との間には、接着剤４０３が設けられている。ヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間には、接着剤４０３が設けられている。接着剤４０３の材料としては、比較的高い熱伝導性を有するシリコーン等の耐熱性樹脂が挙げられる。接着剤４０３の厚さは、例えば約０．１ミリメートル（ｍｍ）以上、１．０ｍｍ以下程度である。接着剤４０３の厚さは、ベースプレート３００とヒータプレート２００との間の距離、あるいはヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間の距離と同じである。 【００５８】 セラミック誘電体基板１００は、例えば多結晶セラミック焼結体による平板状の基材であり、半導体ウェーハ等の処理対象物Ｗを載置する第１主面１０１と、第１主面１０１とは反対側の第２主面１０２と、を有する。 【００５９】 ここで、本実施形態の説明においては、第１主面１０１と第２主面１０２とを結ぶ方向をＺ方向、Ｚ方向と直交する方向の１つをＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向ということにする。 ・・・（中略）・・・ 【００６１】 セラミック誘電体基板１００の内部には、電極層１１１が設けられている。電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されている。すなわち、電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されている。電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００に一体焼結されている。 【００６２】 なお、電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されていることに限定されず、第２主面１０２に付設されていてもよい。 【００６３】 静電チャック１０は、電極層１１１に吸着保持用電圧を印加することによって、電極層１１１の第１主面１０１側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持する。 【００６４】 ヒータプレート２００は、ヒータ用電流が流れることによって発熱し、ヒータプレート２００が発熱しない場合と比較して処理対象物Ｗの温度を上げることができる。 ・・・（中略）・・・ 【００７０】 ベースプレート３００は、セラミック誘電体基板１００の第２主面１０２側に設けられ、ヒータプレート２００を介してセラミック誘電体基板１００を支持する。ベースプレート３００には、連通路３０１が設けられている。つまり、連通路３０１は、ベースプレート３００の内部に設けられている。ベースプレート３００の材料としては、例えばアルミニウムが挙げられる。 ・・・（中略）・・・ 【００７６】 図５に表したように、本実施形態のヒータプレート２００は、第１の支持板２１０と、第１の樹脂層２２０と、ヒータエレメント（発熱層）２３０と、第２の樹脂層２４０と、バイパス層２５０と、第３の樹脂層２６０と、第２の支持板２７０と、給電端子２８０と、を有する。図３に表したように、第１の支持板２１０の面２１１（上面）は、ヒータプレート２００の上面を形成する。図４に表したように、第２の支持板２７０の面２７１（下面）は、ヒータプレート２００の下面を形成する。第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、ヒータエレメント２３０などを支持する支持板である。この例において、第１支持板２１０及び第２支持板２７０は、第１の樹脂層２２０と、ヒータエレメント２３０と、第２の樹脂層２４０と、バイパス層２５０と、第３の樹脂層２６０と、を挟み、これらを支持する。 ・・・（中略）・・・ 【００７９】 第１の支持板２１０は、比較的高い熱伝導率を有する。第１の支持板２１０の材料としては、例えばアルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属や、多層構造のグラファイトなどが挙げられる。第１の支持板２１０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．１ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下程度である。より好ましくは、第１の支持板２１０の厚さは、例えば０．３ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下程度である。第１の支持板２１０は、ヒータプレート２００の面内の温度分布の均一化を向上させる。第１の支持板２１０は、ヒータプレート２００の反りを抑制する。第１の支持板２１０は、ヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間の接着の強度を向上させる。 【００８０】 処理対象物Ｗの処理プロセスでは、ＲＦ（Radio Frequency）電圧（高周波電圧）が印加される。高周波電圧が印加されると、ヒータエレメント２３０は、高周波の影響を受けて発熱することがある。すると、ヒータエレメント２３０の温度制御性が低下する。 これに対して、本実施形態では、第１の支持板２１０は、ヒータエレメント２３０およびバイパス層２５０を高周波から遮断する。これにより、第１の支持板２１０は、ヒータエレメント２３０が異常温度に発熱することを抑制することができる。 【００８１】 第２の支持板２７０の材料、厚さ、および機能は、第１の支持板２１０の材料、厚さ、および機能とそれぞれ同じである。第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０と電気的に接合されている。ここで、本願明細書において「接合」という範囲には、接触が含まれる。第２の支持板２７０と、第１の支持板２１０と、の間の電気的な接合の詳細については、後述する。 【００８２】 このように、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、比較的高い熱伝導率を有する。これにより、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、ヒータエレメント２３０から供給される熱の熱拡散性を向上させる。また、第１の支持体２１０及び第２の支持体２７０は、適度な厚さ及び剛性を有することにより、例えば、ヒータプレート２００の反りを抑制する。さらに、第１の支持体２１０及び第２の支持体２７０は、例えば、ウェーハ処理装置の電極などに印加されるＲＦ電圧に対するシールド性を向上させる。例えば、ヒータエレメント２３０に対するＲＦ電圧の影響を抑制する。このように、第１の支持体２１０及び第２の支持体２７０は、熱拡散の機能と、反り抑制の機能と、ＲＦ電圧に対するシールドの機能と、を有する。 【００８３】 第１の樹脂層２２０の材料としては、例えばポリイミドやポリアミドイミドなどが挙げられる。第１の樹脂層２２０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０１ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下程度である。第１の樹脂層２２０は、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０とを互いに接合する。第１の樹脂層２２０は、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０との間を電気的に絶縁する。このように、第１の樹脂層２２０は、電気絶縁の機能と、面接合の機能と、を有する。 【００８４】 第２の樹脂層２４０の材料および厚さは、第１の樹脂層２２０の材料および厚さとそれぞれ同程度である。第３の樹脂層２６０の材料および厚さは、第１の樹脂層２２０の材料および厚さとそれぞれ同程度である。 ・・・（中略）・・・ 【００８７】 ヒータエレメント２３０の材料としては、例えばステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。ヒータエレメント２３０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０１ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下程度である。ヒータエレメント２３０は、バイパス層２５０と電気的に接合されている。一方で、ヒータエレメント２３０は、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０とは電気的に絶縁されている。ヒータエレメント２３０と、バイパス層２５０と、の間の電気的な接合の詳細については、後述する。 【００８８】 ヒータエレメント２３０は、電流が流れると発熱し、処理対象物Ｗの温度を制御する。例えば、ヒータエレメント２３０は、処理対象物Ｗを所定の温度に加熱する。例えば、ヒータエレメント２３０は、処理対象物Ｗの面内の温度分布を均一にする。例えば、ヒータエレメント２３０は、処理対象物Ｗの面内の温度に意図的に差をつける。 【００８９】 バイパス層２５０は、第１の支持板２１０と略平行に配置され、第２の支持板２７０と略平行に配置されている。バイパス層２５０は、複数のバイパス部２５１を有する。バイパス層２５０は、例えば８つのバイパス部２５１を有する。バイパス部２５１の数は、「８」には限定されない。バイパス層２５０は、板状を呈する。これに対して、ヒータエレメント２３０は、帯状のヒータ電極２３９を有する。バイパス層２５０の面（バイパス部２５１の面２５１ａ）に対して垂直にみたときに、バイパス層２５０の面積は、ヒータエレメント２３０の面積（ヒータ電極２３９の面積）よりも広い。この詳細については、後述する。 【００９０】 バイパス層２５０は、導電性を有する。バイパス層２５０は、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０とは電気的に絶縁されている。バイパス層２５０の材料としては、例えばステンレスを含む金属などが挙げられる。バイパス層２５０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０３ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下程度である。バイパス層２５０の厚さは、第１の樹脂層２２０の厚さよりも厚い。バイパス層２５０の厚さは、第２の樹脂層２４０の厚さよりも厚い。バイパス層２５０の厚さは、第３の樹脂層２６０の厚さよりも厚い。 ・・・（中略）・・・ 【０１０９】 図９は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的分解図である。 図１０は、本実施形態にかかる静電チャックを表す電気回路図である。 図１０（ａ）は、第１の支持板と第２の支持板とが電気的に接合された例を表す電気回路図である。図１０（ｂ）は、第１の支持板と第２の支持板とが電気的に接合されていない例を表す電気回路図である。 【０１１０】 図９および図１０（ａ）に表したように、第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０と電気的に接合されている。第１の支持板２１０と第２の支持板２７０との接合は、例えば、溶接、レーザ光を利用した接合、半田付け、あるいは接触などにより行われる。 【０１１１】 例えば、図１０（ｂ）に表したように、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に確実に接合されていないと、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に接合されたり、あるいは電気的に接合されなかったりすることがある。すると、プラズマを発生させたときのエッチングレートにばらつきが生ずることがある。また、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に接合されていなくとも、プラズマを発生させると電流がヒータエレメント２３０に流れ、ヒータエレメント２３０が発熱することがある。言い換えれば、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に確実に接合されていないと、ヒータエレメント２３０がヒータ用電流以外の電流により発熱することがある。 【０１１２】 これに対して、本実施形態にかかる静電チャック１０では、図１０（ａ）に表したように、第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０と電気的に接合されている。これにより、電流が第１の支持板２１０から第２の支持板２７０へ流れ、あるいは電流が第２の支持板２７０から第１の支持板２１０へ流れ、プラズマを発生させたときのエッチングレートにばらつきが生ずることを抑えることができる。また、ヒータエレメント２３０がヒータ用電流以外の電流により発熱することを抑えることができる。 【０１１３】 さらに、ヒータエレメント２３０およびバイパス層２５０を高周波から遮断することができる。これにより、ヒータエレメント２３０が異常温度に発熱することを抑制することができる。また、ヒータプレート２００のインピーダンスを抑えることができる。 ・・・（中略）・・・ 【０１２３】 ヒータエレメント２３０は、例えば帯状のヒータ電極２３９を有する。図１２（ａ）に表した具体例では、ヒータ電極２３９は、略円を描くように配置されている。ヒータ電極２３９は、第１の領域２３１と、第２の領域２３２と、第３の領域２３３と、第４の領域２３４と、に配置されている。第１の領域２３１は、ヒータエレメント２３０の中央部に位置する。第２の領域２３２は、第１の領域２３１の外側に位置する。第３の領域２３３は、第２の領域２３２の外側に位置する。第４の領域２３４は、第３の領域２３３の外側に位置する。 ・・・（中略）・・・ 【０１５８】 図１８（ａ）および図１８（ｂ）に表した変形例では、第１の支持板２１０ａは、複数の支持部に分割されている。より具体的には、図１８（ａ）に表した変形例では、第１の支持板２１０ａは、同心円状に複数の支持部に分割され、第１の支持部２１６と、第２の支持部２１７と、第３の支持部２１８と、第４の支持部２１９と、を有する。図１８（ｂ）に表した変形例では、第１の支持板２１０ｂは、同心円状かつ放射状に複数の支持部に分割され、第１の支持部２１６ａと、第２の支持部２１６ｂと、第３の支持部２１６ｃと、第４の支持部２１６ｄと、第５の支持部２１６ｅと、第６の支持部２１６ｆと、第７の支持部２１７ａと、第８の支持部２１７ｂと、第９の支持部２１７ｃと、第１０の支持部２１７ｄと、第１１の支持部２１７ｅと、第１２の支持部２１７ｆと、を有する。」 「【図２】（ｂ） ［図：0001410266000001.jpg］ 」 「【図５】 ［図：0001410266000002.jpg］ 」 「【図１０】 ［図：0001410266000003.jpg］ 」 「【図１２】（ａ） ［図：0001410266000004.jpg］ 」 「【図１８】（ａ） ［図：0001410266000005.jpg］ 」 （２） 引用発明 ア 段落０００８、００５６の記載、及び図２（ｂ）から、甲第１号証には、 「ベースプレート３００と、 ベースプレート３００上に設けられたヒータプレート２００と、 ヒータプレート２００上に設けられたセラミック誘電体基板１００と、を備える、 温度均一性および温度制御性を満足することができる静電チャック１０」が記載されているといえる。 イ 図２（ｂ）からヒータプレート２００の側面にも接着剤が設けられていることが見て取れることを踏まえると、段落００５７の記載から、甲第１号証記載の静電チャック１０において、 「ベースプレート３００とヒータプレート２００との間、ヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間、及びヒータプレート２００の側面に、比較的高い熱伝導性を有するシリコーン等の耐熱性樹脂を材料とする接着剤４０３が設けられている」といえる。 ウ 段落００５８～００６３の記載によると、甲第１号証記載のセラミック誘電体基板１００は、「半導体ウェーハ等の処理対象物Ｗを載置する第１主面１０１を有し、内部に設けられた電極層１１１に吸着保持用電圧を印加することによって、電極層１１１の第１主面１０１側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持する」ものといえる。 エ 段落００７６、００７９、００８３、００８７、００８８の記載によると、甲第１号証記載のヒータプレート２００は、 「比較的高い熱伝導率を有するアルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属を材料とし、その面２１１（上面）がヒータプレート２００の上面を形成する第１の支持板２１０と、ポリイミドやポリアミドイミドなどを材料とし、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０とを互いに接合する第１の樹脂層２２０と、ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属などを材料とし、電流が流れると発熱し、処理対象物Ｗの温度を制御するヒータエレメント（発熱層）２３０と、第２の樹脂層２４０と、バイパス層２５０と、第３の樹脂層２６０と、第２の支持板２７０と、給電端子２８０と、を有」するものといえる。 オ 引用発明 以上によると、甲第１号証には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。 「ベースプレート３００と、 ベースプレート３００上に設けられたヒータプレート２００と、 ヒータプレート２００上に設けられたセラミック誘電体基板１００と、を備える、 温度均一性および温度制御性を満足することができる静電チャック１０であって（上記ア）、 ベースプレート３００とヒータプレート２００との間、ヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間、ヒータプレート２００の側面に、比較的高い熱伝導性を有するシリコーン等の耐熱性樹脂を材料とする接着剤４０３が設けられ（上記イ）、 セラミック誘電体基板１００は、半導体ウェーハ等の処理対象物Ｗを載置する第１主面１０１を有し、内部に設けられた電極層１１１に吸着保持用電圧を印加することによって、電極層１１１の第１主面１０１側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持するものであり（上記ウ）、 ヒータプレート２００は、 比較的高い熱伝導率を有するアルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属を材料とし、その面２１１（上面）がヒータプレート２００の上面を形成する第１の支持板２１０と、 ポリイミドやポリアミドイミドなどを材料とし、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０とを互いに接合する第１の樹脂層２２０と、 ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属などを材料とし、電流が流れると発熱し、処理対象物Ｗの温度を制御するヒータエレメント（発熱層）２３０と、 第２の樹脂層２４０と、 バイパス層２５０と、 第３の樹脂層２６０と、 第２の支持板２７０と、 給電端子２８０と、を有し、（上記エ） 第１の支持板２１０は、ヒータエレメント２３０およびバイパス層２５０を高周波から遮断することにより、ヒータエレメント２３０が異常温度に発熱することを抑制することができ（段落００８０）、 第１の支持体２１０及び第２の支持体２７０は、熱拡散の機能と、反り抑制の機能と、ＲＦ電圧に対するシールドの機能と、を有し（段落００８２）、 第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０と電気的に接合されていることにより、電流が第１の支持板２１０から第２の支持板２７０へ流れ、あるいは電流が第２の支持板２７０から第１の支持板２１０へ流れ、プラズマを発生させたときのエッチングレートにばらつきが生ずることを抑えることができ、ヒータエレメント２３０がヒータ用電流以外の電流により発熱することを抑えることができる（段落０１１２）、 静電チャック１０。」 ２ 甲第２号証の記載事項 甲第２号証（特開２０１７－２１６４４０号公報）には次の記載がある。 「【００４２】 図３Ａおよび図３Ｂに示すように、ＥＳＣ４００は、加熱素子トレース４０４を含む加熱層４１６と、セラミック層４１８と、バストレース４０８を含む別個の導体層４２０とを備える。加熱層４１６、セラミック層４１８、および、導体層４２０は、ベースプレート４２２上に形成される。簡単のため、ボンド層（例えば、ボンド層１１４に対応する）は、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ、および、図５Ｂには図示されていない。逆に、図４Ａおよび図４Ｂにおいて、ＥＳＣ４００は、加熱素子トレース４０４およびバストレース４０８の両方を含む複合加熱／導体層４２４を備える。換言すると、加熱素子トレース４０４およびバストレース４０８が同一平面上にある。したがって、図３Ｂに示すＥＳＣ４００は、導体層４２０を排除し、単一層４２４しか必要としない。単一層４２４のみを有する一部の例では、第１材料の加熱素子トレース４０４と第２材料のバストレース４０８とを含む単一の導体シートが提供されてもよい。単に例として、第１材料は、比較的高い電気抵抗を有する材料（例えば、コンスタンタン、ニッケル合金、鉄合金、タングステン合金など）を含んでよく、第２材料は、比較的低い電気抵抗を有する材料（例えば、銅、タングステン、銀、パラジウム、それらの合金など）を含んでよい。図５Ａおよび図５Ｂにおいて、ＥＳＣ４００は、専用の加熱層４１６を備えない。代わりに、この例では、加熱素子トレース４０４、４１２などが、セラミック層４１８に設けられる。したがって、バストレース４０８は、セラミック層４１８を通してルーティングされる。」 ３ 甲第３号証の記載事項 甲第３号証（特開２００７－１９４３２０号公報）には次の記載がある。 「【０００３】 ところで、この静電チャック装置では、板状試料の温度を所望の一定の温度に維持するためには、板状試料と温度調整用ベース部材との間の熱交換効率を高める必要があり、接合層であるシリコーン系接着剤についても熱伝導性を向上させる必要がある。 そこで、シリコーン系接着剤に各種の高熱伝導性フィラー、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス粉末や、アルミニウム（Ａｌ）等の金属粉末を混入することが行われている。 なかでも、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末は、熱伝導性やハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐久性に優れているので、高熱伝導性フィラーとして好適である（例えば特許文献１、２参照）。」 ４ 甲第４号証の記載事項 甲第４号証（特開平６－３０２６７７号公報）には次の記載がある。 「【００２１】比較例１ 比較のために、上記のチャック機能部とプレート部をメカニカルにクランプするためチャック機能部の外周をクランプ部材でボルト止めしようと試みたところ、 0.7mmのチャック機能部に亀裂が入り、固定することは出来なかった。また、これについては上記のチャック機能部とプレート部とを有機物の中でも熱伝導率の良いといわれるアルミナフィラー入りのシリコーンゴムで接着して静電チャックを作製し、その後、実施例と同様に冷却効果を測定するため、プレート部の下面を０℃に冷却しながらウェハーを吸着させてウェハーの温度を測定したところ、約10秒後にウェハーの中心部の温度は６℃となりそのまま一定の値を示していたし、中心部と外周部の温度差が１℃になるまで約30秒の時間を必要とし温度差がなくなることはなかったので、このような熱伝導率では実作業時間がほぼ１分以内である半導体プロセスには使用することができないことが判った。」 第５ 申立理由の検討 １ 本件発明１について （１） 対比 本件発明１と引用発明とを対比する。 ア 引用発明の「ベースプレート３００」、「ヒータプレート２００」は、本件発明１の「ベースプレート」、「発熱部」にそれぞれ相当する。 また、引用発明の「セラミック誘電体基板１００」は、その「内部に設けられた電極層１１１に吸着保持用電圧を印加することによって、電極層１１１の第１主面１０１側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持するもの」であるから、「静電チャック」といえ、「静電チャック１０」の発明である引用発明は、全体として「基板固定装置」といえる。 そうすると、「ベースプレート３００と、 ベースプレート３００上に設けられたヒータプレート２００と、 ヒータプレート２００上に設けられたセラミック誘電体基板１００と、を備える、 温度均一性および温度制御性を満足することができる静電チャック１０」の発明である引用発明は、「ベースプレートと、 前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、 前記発熱部上に設けられた静電チャックと、」を有する基板固定装置といえる点で、本件発明１と共通する。 イ 発熱部について （ア） 発熱体について 引用発明のヒータプレート２００が有する「電流が流れると発熱し、処理対象物Ｗの温度を制御するヒータエレメント（発熱層）２３０」は、本件発明１の発熱部が備える「発熱体」に相当する。 （イ） 金属層について 引用発明の「第１の支持板２１０」は、「アルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属を材料とし、その面２１１（上面）がヒータプレート２００の上面を形成する」部材であり、ヒータエレメント（発熱層）２３０よりもセラミック誘電体基板１００に近い側に配置されているといえるから、「前記発熱体よりも前記静電チャックに近い側に配置された金属層」といえる。 （ウ） 絶縁層について 引用発明のベースプレート３００とヒータプレート２００との間、及びヒータプレート２００の側面には、「比較的高い熱伝導性を有し、シリコーン等の耐熱性樹脂を材料とする接着剤４０３」が設けられ、引用発明のヒータプレート２００の上面及び側面は接着剤４０３で被覆されているといえるから、「その面２１１（上面）がヒータプレート２００の上面を形成する第１の支持板２１０」についても、その上面及び側面は接着剤４０３により被覆されているといえる。 また、引用発明の「第１の支持板２１０」の下面、及び「ヒータエレメント（発熱層）２３０」は、「第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０とを互いに接合する第１の樹脂層２２０」により被覆されているといえる。 そうすると、引用発明の「接着剤４０３」及び「第１の樹脂層２２０」は、「ヒータエレメント（発熱層）２３０」及び「第１の支持板２１０」を被覆する樹脂製の絶縁層といえ、また、「第１の支持板２１０」は、その側面及び上下面は全体が「接着剤４０３」及び「第１の樹脂層２２０」により被覆されているといえる。 （エ） 以上を踏まえると、引用発明のヒータプレート２００は、「発熱体と、前記発熱体よりも前記静電チャックに近い側に配置された金属層と、前記発熱体及び前記金属層を被覆する樹脂製の絶縁層と、を備え」、「前記金属層の側面及び上下面は、全体が前記絶縁層により被覆され」る点で、本件発明１の「発熱部」と一致する。 ウ 引用発明の第１の支持板２１０の材料である「アルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属」は、接着剤４０３の材料である「シリコーン等の耐熱性樹脂」、第１の樹脂層２２０の材料である「ポリイミドやポリアミドイミドなど」より熱伝導率の高い材料といえる。 したがって、「接着剤４０３」、「アルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属を材料と」する「第１の支持板２１０」、及び「第１の樹脂層２２０」を有する引用発明は、「前記金属層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料から形成されている」といえる点で、本件発明１と一致する。 （２） 一致点・相違点 上記（１）を踏まえると、本件発明１と引用発明とは次の点で一致し、相違する。 ア 一致点 「ベースプレートと、 前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、 前記発熱部上に設けられた静電チャックと、を有し、 前記発熱部は、発熱体と、前記発熱体よりも前記静電チャックに近い側に配置された金属層と、前記発熱体及び前記金属層を被覆する樹脂製の絶縁層と、を備え、 前記金属層の側面及び上下面は、全体が前記絶縁層により被覆され、 前記金属層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料から形成されている基板固定装置。」 イ 相違点１ 本件発明１の「金属層」が、「電気的に独立して」いるのに対し、引用発明の「第１の支持板２１０」は、「第２の支持板２７０と電気的に接合されている」点。 ウ 以上のとおり、本件発明１と引用発明とは相違点１について相違するから、本件発明１は引用発明ではない。 （３） 相違点１についての判断 引用発明の「第１の支持板２１０」は、「電流が第１の支持板２１０から第２の支持板２７０へ流れ、あるいは電流が第２の支持板２７０から第１の支持板２１０へ流れ、プラズマを発生させたときのエッチングレートにばらつきが生ずることを抑え」、「ヒータエレメント２３０がヒータ用電流以外の電流により発熱することを抑える」ことによって、「温度均一性および温度制御性を満足する」との引用発明の技術的意義を得るために、「第２の支持板２７０と電気的に接合されている」ことを要する。 そして、引用発明において、第１の支持板２１０を第２の支持板から電気的に分離し、独立させることは、上記技術的意義を損なうことになるから、相違点１に係る本件発明の構成とすることには阻害要因が存在する。 したがって、本件発明１は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。 （４） 申立人の主張について 申立人は本件発明１について、次の主張をした。 「（カ）構成要件Ｆについて 先に述べた通り、構成要件Ｆは以下のようなものである。 Ｆ．前記金属層は、電気的に独立しており、 甲第１号証の段落００８７には、「ヒータエレメント２３０は、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０とは電気的に絶縁されている。」との記載がある。また、甲第１号証の段落００９０には、「バイパス層２５０は、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０とは電気的に絶縁されている。」との記載がある。上記記載によれば、第１の支持板２１０（金属層）が、ヒータエレメント２３０や第２の支持板２７０、バイバス層２５０等とは電気的に接続されておらず、所謂「浮き導体」となっていることが理解される。また、甲第１号証の図１０（ｂ）に示される等価回路図を見ても、第１の支持板２１０が浮き導体となっており、他の構成要素とは電気的に独立していることが理解される。従って、甲第１号証には構成要件Ｆが記載されている。」（特許異議申立書１５ページ１～１４行） しかしながら、甲第１号証の段落０１１１の記載によると、図１０（ｂ）は、「プラズマを発生させたときのエッチングレートにばらつきが生ずる」、「プラズマを発生させると電流がヒータエレメント２３０に流れ、ヒータエレメント２３０が発熱する」、「ヒータエレメント２３０がヒータ用電流以外の電流により発熱する」という、「温度均一性および温度制御性を満足する」との引用発明の技術的意義が得られない状態を示すものである。 そうすると、引用発明の第１の支持板２１０が、申立人が主張するとおり、ヒータエレメント２３０及びバイパス層２５０とは電気的に接合されていないとしても、段落０１１２、図１０（ａ）に記載されたとおり、引用発明の第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０とは電気的に接合され、電気的に独立とはいえないから、申立人の主張は採用できない。 また、上記（３）のとおり、引用発明の第１の支持板２１０を電気的に独立とすることには阻害要因が存在する。 （５） 小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、引用発明ではなく、また、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明２について 上記１（１）と同様に本件発明２と引用発明とを対比すると、両者は以下の点で一致し、相違する。 （１） 一致点 「ベースプレートと、 前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、 前記発熱部上に設けられた静電チャックと、を有し、 前記発熱部は、発熱体と、前記発熱体よりも前記静電チャックに近い側に配置された金属層と、前記発熱体及び前記金属層を被覆する樹脂製の絶縁層と、を備え、 前記金属層の側面及び上下面は前記絶縁層により被覆され、 前記金属層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料から形成される基板固定装置。」 （２） 相違点２ 本件発明２において、「前記発熱体と前記金属層とが同一の材料により形成され、 前記材料は、コンスタンタンである」のに対し、 引用発明においては、「ヒータエレメント（発熱層）２３０」が「ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属などを材料」とし、「第１の支持板２１０」が「比較的高い熱伝導率を有し、アルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属を材料」とするものであって、両者がいずれもコンスタンタンで形成されていない点。 （３） 相違点２についての判断 コンスタンタンは、甲第２号証に記載されているとおり、比較的高い電気抵抗を有する材料であるから、引用発明の「電流が流れると発熱し、処理対象物Ｗの温度を制御するヒータエレメント（発熱層）２３０」をコンスタンタンにより形成することは、当業者が容易に想到し得る。 しかしながら、引用発明の第１の支持板２１０は、「ＲＦ電圧に対するシールドの機能」を有し、「ヒータエレメント２３０およびバイパス層２５０を高周波から遮断することにより、ヒータエレメント２３０が異常温度に発熱することを抑制する」ための部材である。 ここで、引用発明の第１の支持板２１０を、ヒータエレメント２３０と同様に比較的高い電気抵抗を有する材料により形成した場合、シールドされていない場合のヒータエレメント２３０と同様に高周波（ＲＦ電圧）によって異常温度に発熱してしまうから、「温度均一性および温度制御性を満足する」との引用発明の技術的意義を得ることができなくなる。 そうすると、引用発明の第１の支持板２１０をコンスタンタンにより形成することには阻害要因があるから、相違点２に係る本件発明２の構成は、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。 （４） 申立人の主張について 申立人は本件発明２について、次の主張をした。 「（キ）構成要件Ｎについて 先に述べた通り、構成要件Ｎは以下のようなものである。 Ｎ．前記発熱体と前記金属層とが同一の材料により形成され、 甲第１号証の段落００８７には、「ヒータエレメント２３０の材料としては、例えばステンレス、チタン、クロム、 ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。」との記載がある。また、甲第１号証の段落００７９には、「第１の支持板２１０ の材料としては、例えばアルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属や、多層構造のグラファイトなどが挙げられる。」との記載がある。 このように、甲第１号証においては、ヒータエレメント２３０（発熱体）の材料として、ステンレス、チタン、クロム、 ニッケル、銅、及びアルミニウムが挙げられており、これらを自由に選択し得ることが示されている。また、第１の支持板２１０（金属層）の材料と して、アルミニウム、銅、及びニッケルが挙げられており、これらを自由に選択し得ることが示されている。 アルミニウム、銅、及びニッケルは、ヒータエレメント２３０（発熱体）の材料、及び第１の支持板２１０（金属層）の材料、のいずれとしても用いることのできる共通の材料として挙げられている。つまり、甲第１号証には、ヒータエレメント２３０（発熱体）と第１の支持板２１０（金属層）とを同一の材料により形成し得ることが実質的に記載されているので、甲第１号証には構成要件Ｎが記載されている。 （ク）構成要件Ｏについて 先に述べた通り、構成要件Ｏは以下のようなものである。 Ｏ．前記材料は、 コンスタンタンである基板固定装置。 甲第１号証には、 ヒータエレメント２３０（発熱体）及び第１の支持板２１０（金属層）の材料として、コンスタンタンを用いることについては記載されていない。 ただし、甲第２号証（特開２０１７－２１６４４０号公報）の段落００４２には、静電チャックを加熱するための加熱素子トレースの材料、である第１材料に関し、「第１材料は、比較的高い電気抵抗を有する材料（例えば、コンスタンタン、ニッケル合金、鉄合金、タングステン合金など）を含んでよく」との記載がある。このように、静電チャックを加熱するための発熱部（ヒーター）の金属材料として、コンスタンタンを用いることは、本件特許の出願時において公知の事項であった。 従って、甲第１号証に記載された発明に、甲第２号証に記載された発明を適用し、ヒータエレメント２３０（発熱体）及び第１の支持板２１０（金属層）の材料としてコンスタンタンを採用することは、当業者が容易になし得たことである。尚、甲第１号証及び甲第２号証は、いずれも静電チャックに関するものであるから、それぞれに記載された構成を組み合わせることについての阻害要因は存在しない。」（特許異議申立書２０ページ６行～２１ページ１３行） しかしながら、上記（３）のとおり、引用発明の第１の支持板２１０をコンスタンタンにより形成することには阻害要因があるから、申立人の主張は採用できない。 ３ 本件発明３～８について 本件発明３～８は、いずれも本件発明１又は本件発明２の発明特定事項を含むから、上記１、２のとおり、少なくとも相違点１又は相違点２について引用発明と相違し、かつ、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものはいえない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～８に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。