2024-006248

特願２０２２－５２９５６５「複数のプラズマユニットを有する処理チャンバ」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年 ６月 ３日国際公開、ＷＯ２０２１／１０８２９４、令和 ５年 １月３１日国内公表、特表２０２３－５０３５７８〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２０年（令和２年）１１月２３日（パリ条約よる優先権主張外国庁受理２０１９年１１月２７日 （ＵＳ）米国、２０２０年 １月１３日 （ＵＳ）米国、２０２０年１１月２３日 （ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 令和 ５年 ７月 ７日付け：拒絶理由通知書 同年１０月１０日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１２月 １日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。） 令和 ６年 ４月１２日 ：審判請求書、手続補正書の提出 同年１０月２５日 ：上申書の提出 令和 ７年 １月１０日付け：拒絶理由通知書（以下、「当審拒絶理由」という。） 同年 ４月２１日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１～１４に係る発明は、令和７年４月２１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１４に記載した事項により特定されるものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 「 【請求項１】 処理チャンバであって、 内部空間を画定する、リッド及び側壁と、 前記内部空間の中に設けられ、基板を支持するように構成されたペデスタルと、 前記ペデスタル内に設けられた第１の電極と、 前記内部空間の中で、前記第１の電極の上方に設けられ、接地されたイオンフィルタと、 前記内部空間の中で、前記イオンフィルタの上方に設けられた、第２の電極又は誘導結合されたプラズマ（ＩＣＰ）コイルと、 前記第１の電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）発生器と、 前記第２の電極又は前記誘導結合されたプラズマ（ＩＣＰ）コイルに接続された第２の高周波（ＲＦ）発生器と、 を備え、 前記第１の電極と前記イオンフィルタにより、前記基板を露出するダイレクトプラズマが生成され、前記第２の電極又は前記誘導結合されたプラズマ（ＩＣＰ）コイルと前記イオンフィルタにより、前記基板を露出するリモートプラズマが生成され、それぞれのプラズマは、互いに独立して生成されることができる、処理チャンバ。」 第３ 原査定の概要 原査定（令和５年１２月１日付け拒絶査定）の拒絶の理由の概要は、次のとおりのものである。 理由１（新規性） この出願の請求項１～１２、１４、１５、１７～１９に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 また、この出願の請求項１２、１３、１５～２０に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の引用文献２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 理由２（進歩性） この出願の請求項１～１２、１４、１５、１７～１９に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、当業者という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 また、この出願の請求項１２、１３、１５～２０に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ 引用文献１．特表２０１４－５３１７５３号公報 引用文献２．特表２０１４－５３２９８８号公報 第４ 当審拒絶理由の概要 当審拒絶理由（令和 ７年 １月１０日付け）の概要は次のとおりである。 理由１（明確性） 本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 理由２（実施可能要件） 本件出願は、発明の詳細な説明の記載について、下記の点で特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 記 ●理由１（明確性）について （１）請求項１ 請求項１に係る発明に、「リモートプラズマユニット」及び「ダイレクトプラズマユニット」として、どのようなものが含まれ、どのようなものが含まれないのか、一義的に把握することができない。 請求項２～２０も、同様である。 ●理由２（実施可能要件）について 本願明細書の翻訳文には、「リモートプラズマユニット」及び「ダイレクトプラズマユニット」について、明確かつ十分に記載されているとはいえないから、本願明細書の翻訳文の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１～２０に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。 ●原査定の理由について 理由１により請求項１～２０に係る発明を明確に把握できないため、原査定の理由（新規性、進歩性）の判断については留保する。 第５ 当審拒絶理由についての検討 本願発明は、「リモートプラズマユニット」及び「ダイレクトプラズマユニット」との発明特定事項を有していない。 したがって、当審拒絶理由は解消した。 第６ 原査定の理由についての検討 １ 引用文献の記載及び引用発明 （１） 引用文献１の記載 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１には、次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【００５９】 図５は、本発明の一実施形態に従って、半導体ウエハ処理装置を示す。装置は、上側プレート５００Ａ、下側プレート５００Ｂ、および、壁５００Ｃによって形成されたチャンバ５００を備える。一実施形態において、壁５００Ｃは、連続的な円筒形の壁５００Ｃを形成する。他の実施形態において、壁５００Ｃは、チャンバ５００の内部空洞５００Ｄがチャンバ５００の外側の外部環境から隔離されうる限りは、他の構成を有してもよい。様々な実施形態において、チャンバ５００の上側プレート５００Ａ、下側プレート５００Ｂ、および、壁５００Ｃは、電気および熱の良好な伝導体であると共に、内部空洞５００Ｄがウエハ処理中に暴露される処理ガスと化学的に適合する金属から形成されてよい。例えば、様々な実施形態において、アルミニウム、ステンレス鋼などの金属が、チャンバ５００の構成要素を形成するために用いられてよい。 ・・・ 【００６１】 デュアルプラズマ処理装置が、チャンバ５００の内部空洞５００Ｄ内に配置される。デュアルプラズマ処理装置は、上側プラズマ生成空間５０３を備えた上側プラズマチャンバ５１２を備える。デュアルプラズマ処理装置は、さらに、下側プラズマ生成空間５０９を備えた下側プラズマチャンバ５１４を備える。上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４は、ガス分配ユニット５１５によって物理的かつ流体的に接続されており、ガス分配ユニット５１５は、上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９を分離するように配置されている。 【００６２】 上側プラズマチャンバ５１２は、上側プラズマチャンバ５１２の周囲を囲むよう規定されると共に上側プレート５００Ａに結合された外部構造部材５０４によって部分的には形成される。上側プラズマチャンバ５１２は、さらに、外部構造部材５０４内の上側プラズマ生成空間５０３の上方に配置されたシャワーヘッド電極５０１を備える。 【００６３】 動作中、高周波（ＲＦ）電力が、ＲＦ電源５０５からシャワーヘッド電極５０１に送られる。一実施形態において、ＲＦ電源５０５は、複数の周波数のＲＦ電力を供給するよう規定されている。一実施形態において、ＲＦ電源５０５の周波数は、５ｋＨｚから５００ＭＨｚの範囲内に設定される。別の実施形態において、ＲＦ電源５０５の周波数は、４００ｋＨｚから６０ＭＨｚの範囲内に設定される。 ・・・ 【００６６】 ガス分配ユニット５１５は、ＲＦ帰還路電極、プラズマ処理ガスマニホルド、流体流バッフルプレート、および、イオンフィルタとして機能することを理解されたい。様々な実施形態において、ガス分配ユニット５１５は、電気および熱の良好な伝導体であると共に、上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９内で実行される処理と化学的に適合する金属、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、シリコン、炭化シリコン、酸化シリコン、酸化イットリウム、または、さらされるプラズマ処理に適切なプラズマ耐性、導電性、および、熱伝導性を提供する基本的に任意のその他の材料、から形成されてよい。 ・・・ 【００７０】 チャック５０７が、チャンバ５００の内部空洞５００Ｄ内で下側プラズマ生成空間５０９の下方に配置されている。一実施形態において、チャック５０７は、チャンバ５００の壁５００Ｃから片持ちされている。一実施形態において、チャック５０７は、静電チャックであり、ＲＦ電力を下側プラズマ生成空間５０９に送るための電極を提供する。チャック５０７は、下側プラズマ生成空間５０９に露出させて、基板５１３（すなわち、ウエハ５１３）を保持するように規定される。一実施形態において、ウエハエッジリング５４９が、チャック５０７上の基板５１３保持領域の周囲に配置されている。様々な実施形態において、ウエハエッジリングは、石英またはシリコンで形成される。また、一実施形態において、導体５４８が、ウエハエッジリング５４９の下に配置され、ウエハエッジリング５４９を通してＤＣバイアスを駆動するように接続されている。 ・・・ 【００７２】 チャック５０７は、さらに、ＲＦ電源５１１から下側プラズマ生成空間５０９にＲＦ電力を供給するよう規定されており、その結果、チャック５０７は、下側プラズマ生成空間５０９のための電極として機能する。下側プラズマチャンバのＲＦ電源５１１は、上側プラズマチャンバのＲＦ電源５０５と分離され、独立していることを理解されたい。したがって、上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９に供給されるＲＦ電力は、別個に独立して制御されうる。 ・・・ 【００７４】 一実施形態において、ＲＦ電源５１１は、ＲＦ電力および複数の周波数を供給するよう規定されている。例えば、ＲＦ電源５１１は、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および、６０ＭＨｚの周波数のＲＦ電力を供給するよう規定されてよい。上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４のためのＲＦ電源５０５および５１１の各々は、ＲＦ電力の伝達を可能にするための自身の整合回路網を通して、それぞれ、シャワーヘッド電極５０１およびチャック５０７に接続されている。上述のように、一実施形態において、ガス分配ユニット５１５は、上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９の両方のためのＲＦ電力帰還路における基準接地電極として機能する。 ・・・ 【００８４】 図６は、本発明の一実施形態に従って、上側プラズマ５０１と下側プラズマ５０３とを含む図５のチャンバ５００を示す。上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４の独立制御は、特にイオン束に対するラジカル束および中性子束の独立制御に関して、ウエハ処理レシピに幅広い可能性を提供することを理解されたい。以下で、２例のウエハ処理を提供する。ただし、本明細書に開示するウエハ処理の例は、例示に過ぎず、本明細書に開示されたデュアルプラズマ処理チャンバ５００の利用に対するいかなる限定を示すものでもないことを理解されたい。」 「【図５】 ［図：0001429541000001.jpg］ 」 （２） 引用文献１に記載された発明 ア 引用文献１の【００６１】及び【００７０】の記載を考慮すると、上記（１）の図５から、上側プラズマ生成空間５０３と下側プラズマ生成空間５０９を分離するように配置されている「ガス分配ユニット５１５」が、チャンバ５００の内部空洞５００Ｄ内で下側プラズマ生成空間５０９の下方に配置されている「チャック５０７」の上方に配置されていることが見て取れる。 イ 上記（１）及び上記アによれば、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。（括弧内は、引用文献１の記載箇所、又は、根拠個所を示す。以下同じ。） 「上側プレート５００Ａ、下側プレート５００Ｂ、および、壁５００Ｃによって形成されたチャンバ５００であって（【００５９】）、 チャンバ５００の内部空洞５００Ｄ内にデュアルプラズマ処理装置が配置され（【００６１】）、 デュアルプラズマ処理装置は、上側プラズマ生成空間５０３を備えた上側プラズマチャンバ５１２と、下側プラズマ生成空間５０９を備えた下側プラズマチャンバ５１４を備え（【００６１】）、 ガス分配ユニット５１５は、上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９を分離するように配置され（【００６１】）、 上側プラズマチャンバ５１２は、シャワーヘッド電極５０１を備え（【００６２】）、 動作中、高周波（ＲＦ）電力が、ＲＦ電源５０５からシャワーヘッド電極５０１に送られ（【００６３】）、 ガス分配ユニット５１５は、イオンフィルタとして機能し（【００６６】）、 チャック５０７は、チャンバ５００の内部空洞５００Ｄ内に配置され、ＲＦ電力を下側プラズマ生成空間５０９に送るための電極を提供するとともに、下側プラズマ生成空間５０９に露出させて、基板５１３（すなわち、ウエハ５１３）を保持するように規定され（【００７０】）、 ガス分配ユニット５１５が、チャック５０７の上方に配置されており（上記ア）、 チャック５０７は、ＲＦ電源５１１から下側プラズマ生成空間５０９にＲＦ電力を供給するよう規定され（【００７２】）、 下側プラズマチャンバのＲＦ電源５１１は、上側プラズマチャンバのＲＦ電源５０５と分離され、独立しており（【００７２】）、 上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４のためのＲＦ電源５０５および５１１の各々は、それぞれ、シャワーヘッド電極５０１およびチャック５０７に接続され（【００７４】）、 ガス分配ユニット５１５は、上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９の両方のためのＲＦ電力帰還路における基準接地電極として機能し（【００７４】）、 上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４の独立制御は、イオン束に対するラジカル束および中性子束の独立制御に関して、ウエハ処理レシピに幅広い可能性を提供する（【００８４】）、 チャンバ５００。」 ２ 対比 （１） 引用発明の「上側プレート５００Ａ」及び「壁５００Ｃ」は、「内部空洞５００Ｄ」を有する「チャンバ５００」を形成するものである。 したがって、引用発明の「内部空洞５００Ｄ」は、本願発明の「内部空間」に相当し、引用発明の「上側プレート５００Ａ」は、本願発明の「リッド」に相当し、引用発明の「壁５００Ｃ」は、本願発明の「側壁」に相当する。 （２） 引用発明の「基板５１３（すなわち、ウエハ５１３）」は、本願発明の「基板」に相当する。 （３） 引用発明の「チャック５０７」は、「チャンバ５００の内部空洞５００Ｄ内に配置され、ＲＦ電力を下側プラズマ生成空間５０９に送るための電極を提供するとともに、下側プラズマ生成空間５０９に露出させて、基板５１３（すなわち、ウエハ５１３）を保持するように規定され」るものであるから、本願発明の「前記内部空間の中に設けられ、基板を支持するように構成されたペデスタル」及び「前記ペデスタル内に設けられた第１の電極」に相当する。 （４） 引用発明の「ガス分配ユニット５１５」は、「チャック５０７の上方に配置」されているものである。 また、引用発明の「ガス分配ユニット５１５」は、「イオンフィルタとして機能」するとともに、「上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９の両方のためのＲＦ電力帰還路における基準接地電極として機能」するものである。 したがって、上記（３）を踏まえると、引用発明の「ガス分配ユニット５１５」は、本願発明の「前記内部空間の中で、前記第１の電極の上方に設けられ、接地されたイオンフィルタ」に相当する。 （５） 引用発明の「ガス分配ユニット５１５」は、「上側および下側プラズマ生成空間５０３および５０９を分離するように配置され」るものであり、引用発明の「シャワーヘッド電極５０１」は、「上側プラズマ生成空間５０３」が備えるものである。 したがって、引用発明の「シャワーヘッド電極５０１」は、本願発明の「前記内部空間の中で、前記イオンフィルタの上方に設けられた、第２の電極」に相当する。 （６） 引用発明は、「動作中、高周波（ＲＦ）電力が、ＲＦ電源５０５からシャワーヘッド電極５０１に送られ」、「チャック５０７は、ＲＦ電源５１１から下側プラズマ生成空間５０９にＲＦ電力を供給するよう規定され」、「上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４のためのＲＦ電源５０５および５１１の各々は、それぞれ、シャワーヘッド電極５０１およびチャック５０７に接続され」るものである。 したがって、引用発明の「ＲＦ電源５１１」は、本願発明の「前記第１の電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）発生器」に相当し、引用発明の「ＲＦ電源５０５」は、本願発明の「前記第２の電極」「に接続された第２の高周波（ＲＦ）発生器」に相当する。 （７） 引用発明の「チャック５０７」は、「チャンバ５００の内部空洞５００Ｄ内に配置され、ＲＦ電力を下側プラズマ生成空間５０９に送るための電極を提供するとともに、下側プラズマ生成空間５０９に露出させて、基板５１３（すなわち、ウエハ５１３）を保持するように規定され」るものであり、「ガス分配ユニット５１５」は、「下側プラズマ生成空間５０９」「のためのＲＦ電力帰還路における基準接地電極として機能」するものである。 したがって、引用発明において、「チャック５０７」と「ガス分配ユニット５１５」により、下側プラズマ生成空間５０９に生成されるプラズマは、本願発明の「前記基板を露出するダイレクトプラズマ」に相当する。 （８） 引用発明の「シャワーヘッド電極５０１」は、「動作中、高周波（ＲＦ）電力が、ＲＦ電源５０５から」送られるものであり、「ガス分配ユニット５１５」は、「上側」「プラズマ生成空間」「５０３」「のためのＲＦ電力帰還路における基準接地電極として機能」するものである。 したがって、引用発明において、「シャワーヘッド電極５０１」と「ガス分配ユニット５１５」により、上側プラズマ生成空間５０３にプラズマが生成されるといえる。 そして、引用発明は、「上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４の独立制御は、イオン束に対するラジカル束および中性子束の独立制御に関して、ウエハ処理レシピに幅広い可能性を提供する」ものであるから、上側プラズマチャンバ５１２を独立制御して、基板５１３（すなわち、ウエハ５１３）の処理を行うものであるといえる。 そうすると、引用発明において、上側プラズマ生成空間５０３に生成されたプラズマは、下側プラズマ生成空間５０９へ流れ、基板５１３（すなわち、ウエハ５１３）の処理を行うといえる。 よって、引用発明において、「シャワーヘッド電極５０１」と「ガス分配ユニット５１５」により、上側プラズマ生成空間５０３に生成されるプラズマは、本願発明の「前記基板を露出するリモートプラズマ」に相当する。 （９） 引用発明は、「下側プラズマチャンバのＲＦ電源５１１は、上側プラズマチャンバのＲＦ電源５０５と分離され、独立しており」、「上側および下側プラズマチャンバ５１２および５１４の独立制御は、イオン束に対するラジカル束および中性子束の独立制御に関して、ウエハ処理レシピに幅広い可能性を提供する」ものであるから、本願発明の「それぞれのプラズマは、互いに独立して生成されることができる」構成となっているといえる。 （１０） 引用発明の「内部空洞５００Ｄ内にデュアルプラズマ処理装置が配置され」る「チャンバ５００」は、本願発明の「処理チャンバ」に相当する。 （１１） 以上のとおりであるから、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致しており、相違点はない。 「 処理チャンバであって、 内部空間を画定する、リッド及び側壁と、 前記内部空間の中に設けられ、基板を支持するように構成されたペデスタルと、 前記ペデスタル内に設けられた第１の電極と、 前記内部空間の中で、前記第１の電極の上方に設けられ、接地されたイオンフィルタと、 前記内部空間の中で、前記イオンフィルタの上方に設けられた、第２の電極と、 前記第１の電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）発生器と、 前記第２の電極に接続された第２の高周波（ＲＦ）発生器と、 を備え、 前記第１の電極と前記イオンフィルタにより、前記基板を露出するダイレクトプラズマが生成され、前記第２の電極と前記イオンフィルタにより、前記基板を露出するリモートプラズマが生成され、それぞれのプラズマは、互いに独立して生成されることができる、処理チャンバ。」 ３ 原査定の理由１（新規性）についての判断 上記２のとおりであり、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ４ 審判請求人の主張について 審判請求の理由において審判請求人は、引用文献１は、本願発明の「前記リモートプラズマユニットと前記ダイレクトプラズマユニットは、互いに独立してそれぞれのプラズマを生成することができる」構成を有しておらず、また、引用文献１に基づいて、上記の構成を得ることもできない旨主張する。 しかしながら、上記２（９）のとおり、引用発明は、本願発明の「それぞれのプラズマは、互いに独立して生成されることができる」との構成となっているといえるから、上記の主張は採用できない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。