2023-701335

特許第７２９６８６９号発明「静電チャック、基板固定装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２９６８６９号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２９６８６９号の請求項１～６に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和１年１２月１０日を出願日とする出願であって、令和５年６月１５日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２３日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１～６に係る特許に対して、同年１２月１９日に特許異議申立人佐藤義光（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ順に「本件発明１」～「本件発明６」といい、まとめて「本件発明」ともいう。）は、その特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャックであって、 前記吸着対象物の裏面にガスを供給するガス孔を有し、 前記静電電極は、正極及び負極を含み、 平面視で、前記ガス孔の周辺において、前記正極と前記負極は第１の隙間を空けて対向配置され、前記第１の隙間は前記ガス孔で前記正極側の第１の経路と前記負極側の第２の経路に分かれ、前記第１の経路と前記第２の経路は前記ガス孔を挟んで前記ガス孔の外周に沿って延伸し、合流して１つの第２の隙間となり、 平面視で、前記第１の隙間が前記第１の経路と前記第２の経路に分かれる箇所、及び前記第１の経路と前記第２の経路が合流する箇所において、前記正極及び前記負極が形成する角部は丸みを帯びており、 平面視で、前記丸みを帯びた部分を除く前記第１の経路において前記ガス孔と前記正極との第１の距離は一定であり、前記丸みを帯びた部分を除く前記第２の経路において前記ガス孔と前記負極との第２の距離は一定であり、前記第１の距離と前記第２の距離が等しい静電チャック。 【請求項２】 前記第１の隙間における前記正極と前記負極との短手方向の第３の距離と、前記第２の隙間における前記正極と前記負極との短手方向の第４の距離とが等しい請求項１に記載の静電チャック。 【請求項３】 前記第１の距離と、前記第２の距離と、前記第３の距離と、前記第４の距離とが全て等しい請求項２に記載の静電チャック。 【請求項４】 前記ガス孔には、連通する複数の気孔を備えた多孔質体が配置されている請求項１乃至３の何れか一項に記載の静電チャック。 【請求項５】 前記多孔質体は、球状酸化物セラミックス粒子と、前記球状酸化物セラミックス粒子を結着する混合酸化物と、を含む請求項４に記載の静電チャック。 【請求項６】 ベースプレートと、 前記ベースプレートの一方の面に搭載された請求項１乃至５の何れか一項に記載の静電チャックと、を有する基板固定装置。」 第３ 申立理由の概要 １ 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第６号証（以下、「甲１」～「甲６」という。）を提出し、以下の理由により、請求項１～６に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 （１）申立理由（進歩性） ア 本件発明１～３、６は、甲１に記載された発明及び甲２～４に記載された周知技術に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３、６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 イ 本件発明４～５は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項４～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ＜証拠方法＞ 甲１：特開２０１０－２７２７３０号公報 甲２：特開２００１－２２３２６０号公報 甲３：特開２００２－２３１７９３号公報 甲４：特開平７－２５７７５１号公報 甲５：特開２０１７－２１８３５２号公報 甲６：特開２０１９－２９３８４号公報 第４ 当審の判断 １ 甲号証の記載、甲号証に記載された発明 （１）甲１の記載、甲１発明 ア 甲１の記載（下線は合議体が付加した。以下同じ。） 「【０００１】 本発明は静電チャックに係り、さらに詳しくは、半導体ウェハプロセスなどで基板の温度を制御するために各種製造装置に採用される静電チャックに関する。 ・・・ 【００１４】 【図１】 図１は関連技術の静電チャックを示す断面図である。 【図２】 図２は本発明の実施形態の静電チャックを示す断面図である。 【図３】 図３は本発明の実施形態の静電チャックを示す平面図である。 【図４】 図４（ａ）～（ｄ）は本発明の実施形態の双極タイプのＥＳＣ電極を示す平面図である。 ・・・ 【００２７】 （実施の形態） 図２は本発明の実施形態の静電チャックを示す断面図、図３は同じく静電チャックを示す平面図である。 【００２８】 図２に示すように、本実施形態の静電チャック1では、アルミニウムベース１０の上にセラミックスチャック部２０が配置されている。セラミックスチャック部２０は、セラミックス部２２とその中に内蔵されたＥＳＣ電極２４とにより構成される。セラミックスチャック部２０の上にウェハ５（基板）が載置される。 ・・・ 【００４３】 また、セラミックスチャック部２０及びアルミニウムベース１０の中央部には、ウェハを上下に移動するためのリフトピンが挿通されるリフトピン用開口部１６が３つ設けられている。リフトピンでウェハを上下に移動することにより、搬送ロボットによってウェハを自動搬送することができる。 【００４４】 また、リフトピン用開口部１６からヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスをセラミックスチャック部２０の上側に供給してもよい。セラミックスチャック部２０とウェハとの間に不活性ガスを流すことにより、加熱された静電チャックの熱を効率よくウェハに伝導することができる。あるいは、不活性ガスを供給するガス用開口部を別途設けるようにしてもよい。 【００４５】 図２及び図３の例では、セラミックスチャック部２０に内蔵されるＥＳＣ電極２４（図３の円状破線部）は単極タイプであり、セラミックスチャック部２０の主要部に１つの電極として設けられる。 【００４６】 あるいは、図４（ａ）～（ｄ）に示すような双極タイプのＥＳＣ電極を使用してもよい。図４（ａ）～（ｄ）ではＥＳＣ電極のみが示されている。図４（ａ）では、図３のセラミックスチャック部２０の左右に２つのＥＳＣ電極２４ａ，２４ｂが分離されて配置されている。図４（ｂ）では、図３のセラミックスチャック部２０の中心側と周縁側で２つのＥＳＣ電極２４ａ，２４ｂが分離されて配置されている。 【００４７】 図４（ｃ）では、図３のセラミックスチャック部２０の左右側から２つのＥＳＣ電極２４ａ，２４ｂがくし歯状に延在して分離されて配置されている。また、図４（ｄ）では、図３のセラミックスチャック部２０に渦巻状に２つのＥＳＣ電極２４ａ，２４ｂが湾曲して分離されて配置されている。 【００４８】 図４（ａ）～（ｄ）に示すような双極タイプのＥＳＣ電極２４ａ，２４ｂを採用する場合は、２つの分離されたＥＳＣ電極２４ａ，２４ｂにプラス（＋）及びマイナス（－）の電圧がそれぞれ印加される。」 ・・・ 【００６５】 本実施形態の静電チャック１では、セラミックスチャック部２０の上にウェハ５（基板）が載置され、ＥＳＣ電極２４に所定の電圧が印加され、両者の間に発生した力によってウェハ５がセラミックスチャック部２０の上に静電吸着される。さらに、ヒータ部６０又はヒータ電極６２に所定の電圧が印加されて熱が発生し、ウェハ５が加熱されて所定の温度に制御される。」 「【図２】 ［図：0001409176000001.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001409176000002.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001409176000003.jpg］ 」 イ 甲１の記載事項 甲１には、次の技術事項が記載されている。 （ア）上記アの【００２８】、【００６５】によれば、静電チャック１は、アルミニウムベース１０の上にセラミックスチャック部２０が配置され、セラミックスチャック部２０は、セラミックス部２２と、セラミックス部２２中に内蔵されたＥＳＣ電極２４とにより構成され、セラミックスチャック部２０の上にウェハ５が載置され、ＥＳＣ電極２４に所定の電圧が印加されて、ウェハ５がセラミックスチャック部２０の上に静電吸着されるものである。 （イ）上記アの【００４３】、【００４４】によれば、セラミックスチャック部２０及びアルミニウムベース１０の中央部には、リフトピン用開口部１６が設けられ、リフトピン用開口部１６からヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスをセラミックスチャック部２０の上側に供給し、セラミックスチャック部２０とウェハとの間に不活性ガスを流すことにより、加熱された静電チャックの熱を効率よくウェハに伝導するものである。 （ウ）上記アの【００４５】～【００４８】によれば、セラミックスチャック部２０に内蔵されるＥＳＣ電極２４は、双極タイプのＥＳＣ電極を使用し、上記アの図４（ｃ）では、２つのＥＳＣ電極２４ａ、２４ｂがくし歯状に延在して分離されて配置され、２つの分離されたＥＳＣ電極２４ａ、２４ｂにプラス（＋）及びマイナス（－）の電圧がそれぞれ印加されるものであり、上記アの【００１４】によれば、図４は、双極タイプのＥＳＣ電極を示す平面図であるから、セラミックスチャック部２０に内蔵されるＥＳＣ電極２４は、プラス（＋）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ａと、マイナス（－）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ｂとを有し、平面視において、２つのＥＳＣ電極２４ａ、２４ｂがくし歯状に延在して分離されて配置されるものである。 （エ）上記アの図２から、ウェハ５は、セラミックスチャック部２０のセラミックス部２２の上に載置されることが見て取れる。 ウ 甲１発明 上記イから、甲１には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 「アルミニウムベース１０の上にセラミックスチャック部２０が配置された静電チャック１において、 セラミックスチャック部２０は、セラミックス部２２と、セラミックス部２２中に内蔵されたＥＳＣ電極２４とにより構成され、 ウェハ５が、セラミックス部２２の上に載置され、ＥＳＣ電極２４に所定の電圧が印加されて、セラミックス部２２の上に静電吸着され、 セラミックスチャック部２０及びアルミニウムベース１０の中央部には、リフトピン用開口部１６が設けられ、リフトピン用開口部１６からヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスをセラミックスチャック部２０の上側に供給し、セラミックスチャック部２０とウェハとの間に不活性ガスを流すことにより、加熱された静電チャックの熱を効率よくウェハに伝導し、 セラミックスチャック部２０に内蔵されるＥＳＣ電極２４は、プラス（＋）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ａと、マイナス（－）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ｂとを有し、平面視において、２つのＥＳＣ電極２４ａ、２４ｂがくし歯状に延在して分離されて配置されるものである、 静電チャック１。」 （２）甲２の記載 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体産業において使用される静電チャックに関し、特には、耐電圧が高く、シリコンウエハの吸着力が大きな静電チャックに関する。 ・・・ 【００１０】本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、対向電極の角部に電場が集中しにくく、これに起因して誘電体膜等にクラックが発生することのない静電チャックを提供することを目的とする。 【００１１】 【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、セラミック基板上に電極が形成され、前記電極上にセラミック誘電体膜が設けられた静電チャックにおいて、上記電極は、一対の対向電極からなり、上記対向電極の角部の輪郭は、曲線により構成されてなることを特徴とする。 ・・・ 【００１３】 【発明の実施の形態】本発明の静電チャックは、セラミック基板上にチャック力を誘起するための電極（以下、静電電極と呼ぶ）が形成され、上記静電電極上にセラミック誘電体膜が設けられた静電チャックにおいて、上記静電電極は、一対の対向電極からなり、上記対向電極の角部の輪郭の少なくとも一部は、曲線により構成されてなることを特徴とする。 【００１４】本発明の静電チャックでは、対向電極の角部の輪郭の全部または一部が曲線により構成されており、曲線部分は、直線を組み合わせた屈曲形状のものと比較すると、角部に電場が集中しにくいため、電場の影響によりセラミック誘電体膜に歪みが発生することはなく、これに起因して、クラックが発生することもない。従って、本発明の静電チャックでは、セラミック誘電体膜の耐電圧も結果的に高くなり、静電電極に１～１０ｋＶ等の高電圧を印加することができるため、シリコンウエハの吸着力が大きくなる。 【００１５】図１は、本発明の静電チャックの一実施形態を模式的に示した縦断面図であり、図２は、図１に示した静電チャックにおけるＡ－Ａ線断面図であり、図３は、図１に示した静電チャックにおけるＢ－Ｂ線断面図である。 【００１６】この静電チャック１０１では、平面視円形状のセラミック基板１の表面に、半円弧状部２ａと櫛歯部２ｂとからなるチャック正極静電層２と、同じく半円弧状部３ａと櫛歯部３ｂとからなるチャック負極静電層３とから構成される静電電極層が形成され、この静電電極層上にセラミック誘電体膜４が形成されている。 【００１７】また、このチャック正極静電層２およびチャック負極静電層３には、それぞれ直流電源の＋側と－側とが接続され、直流電圧Ｖ２が印加されるようになっている。一方、この静電チャック１０１上には、シリコンウエハ９が載置され、接地されている。 【００１８】この静電電極は、その形状が従来の場合と異なっている。すなわち、チャック正極静電層２及びチャック負極静電層３の角部は、その輪郭が滑らかな曲線により構成されており、尖った部分が存在しない。従って、チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との間に、１～１０ｋＶの直流電圧Ｖ２を印加した際にも、電場が角部に集中することはない。 【００１９】一方、セラミック基板１の内部には、シリコンウエハ９の温度をコントロールするために、図３に示したような平面視同心円形状の抵抗発熱体５が設けられており、抵抗発熱体５の両端には、外部端子ピン６が接続、固定され、電圧Ｖ１が印加されるようになっている。また、図１、２には示していないが、このセラミック基板１には、図３に示したように、測温素子を挿入するための有底孔１１とシリコンウエハ９を支持して上下させる支持ピン（図示せず）を挿通するための貫通孔１２が形成されている。なお、抵抗発熱体５は、セラミック基板の底面に形成されていてもよい。」 「【図１】 ［図：0001409176000004.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001409176000005.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001409176000006.jpg］ 」 （３）甲３の記載 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、主に、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＰＶＤ等の成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチング等のエッチング装置に用いられるウエハ支持部材に関するものである。 ・・・ 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところが、図５（ａ）～（ｃ）に示すようなパタ―ン形状を有する内部電極３４を埋設してなり、隣り合う導体膜３５ａ，３５ｂ間の間隔が狭いウエハ支持部材３１を熱サイクルが加わる環境下で使用すると、板状セラミック体３２中に、導体膜３５ａ，３５ｂのコーナー部を起点としたクラックが発生し、酷いときには板状セラミック体３２が破損するといった課題があった。 ・・・ 【００１０】 【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課題に鑑み、請求項１に係る発明は、板状セラミック体の一方の主面を、ウエハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミック体中に帯状の導体膜を埋設したウエハ支持部材であって、上記帯状の導体膜にはその一部にコーナー部を設けて相対向する領域を形成し、かつ上記コーナー部での相対向する領域の最短距離を２５ｍｍ以下とするとともに、上記コーナー部の角部を円弧状としたことを特徴とする。 ・・・ 【００１８】図２は本発明に係るウエハ支持部材の他の例である静電チャックを示す図で、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のＹ－Ｙ線断面図、（ｃ）は内部電極のパターン形状を示す平面図である。 【００１９】この静電チャックとしてのウエハ支持部材１１は、円盤状をした板状セラミック体１２の上面を、ウエハＷを載せる載置面１３とするとともに、板状セラミック体１２中の載置面１３側近傍には、同図（ｃ）に示すような、櫛歯形状をした一対の導体膜１５ａ，１５ｂを互いの歯部が交互に配置されたパターン形状を有する内部電極１４を同一深さに埋設したもので、上記板状セラミック体１２の下面には上記一対の導体膜１５ａ，１５ｂと電気的に接続される給電端子１６をそれぞれ接合してある。 【００２０】また、内部電極１４をなす一対の導体膜１５ａ，１５ｂは、載置面１３において均一な静電吸着力を発現させるため、導体膜１５ａ，１５ｂ間の距離はできるだけ狭くなるように設計してあり、少なくとも相対向する一方の導体膜１５ｂのコーナー部から他方の導体膜１５ａまでの最短距離Ｌを２５ｍｍ以下とするとともに、上記最短距離Ｌが２５ｍｍ以下である部位に位置する導体膜１１５ｂのコーナー部の角部を円弧状Ｐに形成してある。」 「【図２】 ［図：0001409176000007.jpg］ 」 （４）甲４の記載 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、静電吸引力を用いた浮上体の静電浮上搬送装置及びその静電浮上用電極に関するものである。 ・・・ 【００２０】なお、これは、静電浮上搬送装置の一例に過ぎず、多種多様の搬送工程や搬送位置の変更を行うことができることは言うまでもない。このような静電浮上装置に用いる静電浮上用電極について、以下に説明する。図３は本発明の第１の実施例を示す静電浮上用電極の平面図である。図３に示すように、この実施例の静電浮上用電極１０は、外形はシリコンウエハなどの円板形状を有する浮上体と同様の直径を有する円形状の絶縁基板４からなっている。そして、形も面積も同じ、扇状になっている４つの電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄが、絶縁基板４上に分離帯１１ａ，１１ｂを挟んで、４等分に配置されている。換言すれば、分離帯１１ａ，１１ｂにより、均等に４分割されている。 【００２１】そこで、４つの扇状の電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄに、正電圧と負電圧とが交互に印加されるようになっている。また、電荷の集中を防ぐために、これらの扇状の電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの角部にはＲ１３が形成されている。更に、これらの扇状の電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの外側面には、前記電圧を印加するためのリード線が接続されている。すなわち、扇状の電極１０ａの外側面にはリード線１２ａが、扇状の電極１０ｂの外側面にはリード線１２ｂが、扇状の電極１０ｃの外側面にはリード線１２ｃが、扇状の電極１０ｄの外側面にはリード線１２ｄがそれぞれ接続されている。」 「【図３】 ［図：0001409176000008.jpg］ 」 （５）甲５の記載 「【０００１】 本発明は、焼結体及びその製造方法とその焼結体を備えた静電チャックに関する。 ・・・ 【０００８】 セラミック基板の貫通孔に多孔質体を信頼性よく配置できる新規な構造の焼結体及びその製造方法と静電チャックを提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００９】 以下の開示の一観点によれば、酸化物粒子が焼結されたセラミック基板と、前記セラミック基板に形成された貫通孔であって、前記貫通孔の内壁に露出する前記酸化物粒子の各側面が面一となって配置された前記貫通孔と、前記貫通孔に配置され、球状酸化物セラミック粒子と、前記球状酸化物セラミック粒子を結着する混合酸化物とから形成された多孔質体とを有する焼結体が提供される。 ・・・ 【０１２２】 次に、前述した図２（ａ）及び（ｂ）の焼結体１を使用する静電チャックについて説明する。図６に示すように、実施形態の静電チャック２は、アルミニウムなどから形成されるベース基板４０の上に、前述した図２（ａ）及び（ｂ）と同様な構造の焼結体１が配置されている。 【０１２３】 前述したように、焼結体１は、セラミック基板１０と、その厚み方向に貫通して配置された多孔質体２０からなるガス導管部Ｇとを備えている。 【０１２４】 図６に示すように、実施形態の焼結体１を静電チャック２のチャック部として使用する場合は、セラミック基板１０の内部に静電電極３０及びそれに接続される配線端子３２が配置されている。配線端子３２は、静電電極３０の下面からセラミック基板１０の下面まで延在している。 【０１２５】 静電電極３０及び配線端子３２が内蔵されたセラミック基板１０は、セラミック基板１０を形成するためのグリーンシート内に静電電極３０及び配線端子３２となる材料を配置し、その積層体を焼成することにより得られる。静電電極３０及び配線端子３２の材料としては、タングステンペーストなどが使用される。 【０１２６】 ベース基板４０には、セラミック基板１０に形成された多孔質体２０に連通するガス供給穴４２が貫通して形成されている。また、ベース基板４０には、セラミック基板１０の下面に露出する配線端子３２に接続される中継配線４４が形成されている。 【０１２７】 ベース基板４０と焼結体１のセラミック基板１０とはシリコーン接着剤などによって固定される。 【０１２８】 そして、静電チャック２のセラミック基板１０の上に被吸着物としてウェハ５０が載置される。さらに、外部電源からベース基板４０の中継配線４４及びセラミック基板１０の配線端子３２を介して静電電極３０に所定の電圧が印加される。 【０１２９】 ウェハ５０とセラミック基板１０との間に発生した力によってウェハ５０が静電チャック２に静電吸着される。 【０１３０】 そして、ベース基板４０のガス供給穴４２からセラミック基板１０に形成された多孔質体２０からなるガス導管部Ｇに熱伝導用ガスが供給される。熱伝導用ガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスが使用される。 【０１３１】 静電チャック２の裏面に接するように冷却ジャケット又はヒータなどの温度調節手段が設けられ、この温度調節手段により静電チャック２を介してウェハ５０が所定の温度に調整される。 【０１３２】 このとき、静電チャック２とウェハ５０との間に熱伝導用ガスを供給することにより、静電チャック２によって効率よくウェハ５０を冷却したり、加熱された静電チャック２の熱を効率よくウェハ５０に伝導することができる。」 「【図２】 ［図：0001409176000009.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001409176000010.jpg］ 」 （６）甲６の記載 「【０００１】 本発明は、セラミックス混合物、多孔質体及びその製造方法、静電チャック及びその製造方法、基板固定装置に関する。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 しかしながら、セラミックスの多孔質体を作製する従来の方法では、加熱前後での（焼成前後での）成形体の収縮率は考慮されていなかった。そのため、例えば、貫通孔内に多孔質体を配置する用途の場合に、多孔質体が貫通孔内から抜け落ちるおそれがあった。 【０００５】 本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、焼成前後での収縮率を低減可能なセラミックス混合物を提供することを課題とする。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 本セラミックス混合物は、酸化物セラミックス粒子、前記酸化物セラミックス粒子の焼成温度よりも低い温度で燃焼して消失する燃焼消失粒子、及び焼成助剤が混合されたペースト状のセラミックス混合物であって、前記酸化物セラミックス粒子に対する前記燃焼消失粒子の体積割合が０％より大きく２０％以下であることを要件とする。 ・・・ 【００１０】 ［基板固定装置の構造］ 図１は、本実施の形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図であり、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の部分拡大図である。 【００１１】 図１を参照するに、基板固定装置１は、主要な構成要素として、ベースプレート１０と、ベースプレート１０上に接着層（図示せず）等を介して設けられた静電チャック２０とを有している。 【００１２】 なお、図１では、ベースプレート１０の上面１０ａと平行な平面に含まれる互いに直交する方向をＸ方向及びＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に垂直な方向（基板固定装置１の厚さ方向）をＺ方向とする。又、ベースプレート１０及び静電チャック２０が積層される方向（Ｚ方向）を積層方向、積層方向（Ｚ方向）に垂直な方向を平面方向（ＸＹ方向）と称する場合がある。 ・・・ 【００１５】 ベースプレート１０には、ベースプレート１０をＺ方向に貫通する貫通孔１４が設けられている。貫通孔１４の個数は、任意に設定することができる。貫通孔１４は、静電チャック２０上に吸着された基板を冷却する不活性ガスを導入するガス流路の一部をなしている。貫通孔１４の平面形状は例えば円形であり、貫通孔１４の直径は、例えば、１ｍｍ～３ｍｍ程度とすることができる。なお、平面形状とは、ベースプレート１０の上面１０ａの法線方向（Ｚ方向）から視た対象物の形状を指す。 ・・・ 【００１７】 静電チャック２０は、基体２１と、静電電極２２と、配線２３と、貫通孔２４と、多孔質体２５とを有している。静電チャック２０は、例えば、ジョンセン・ラーベック型静電チャックである。但し、静電チャック２０は、クーロン力型静電チャックであってもよい。 ・・・ 【００１９】 静電電極２２は、薄膜電極であり、基体２１に内蔵されている。配線２３は、上端が静電電極２２と接続され、下端が基体２１の下面から露出してベースプレート１０内の配線１３の上端と接続されている。静電電極２２は、配線２３及び１３を介して基板固定装置１の外部に設けられた電源に接続され、所定の電圧が印加されると、基板との間に静電気による吸着力が発生し、基体２１上に基板を吸着保持することができる。吸着保持力は、静電電極２２に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極２２は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極２２及び配線２３の材料としては、例えば、タングステン、モリブデン等を用いることができる。 【００２０】 貫通孔２４は、基体２１をＺ方向に貫通し、ベースプレートの貫通孔１４と連通している。貫通孔２４の平面形状は例えば円形であり、貫通孔２４の直径は、貫通孔１４の直径と同等とすることができる。 【００２１】 多孔質体２５は、セラミックスを主成分とし、貫通孔２４内に配置されている。多孔質体２５は、複数の酸化物セラミックス粒子２６と、焼成助剤２７と、気孔２８とを有している。 ・・・ 【００２５】 このように、ベースプレート１０の貫通孔１４、及び貫通孔２４内設けられた多孔質体２５の気孔２８により、静電チャック２０上に吸着された基板を冷却する不活性ガスをベースプレート１０の外部から導入するガス流路を形成することができる。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウムガス等を用いることができる。」 「【図１】 ［図：0001409176000011.jpg］ 」 ２ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する ア 甲１発明において、「ＥＳＣ電極２４」は、「ウェハ５が、セラミックス部２２の上に載置され、ＥＳＣ電極２４に所定の電圧が印加されて、セラミックス部２２の上に静電吸着され」るから、甲１発明の「ウェハ５」、「ＥＳＣ電極２４」は、それぞれ、本件発明１の「吸着対象物」、「静電電極」に相当する。 また、甲１発明の「セラミックス部２２」は、「ＥＳＣ電極２４」を「内蔵する」から、本件発明１の「静電電極が内蔵された基体」に相当する。 イ 甲１発明の「静電チャック１」は、「ウェハ５が、セラミックス部２２の上に載置され」「セラミックス部２２の上に静電吸着され」るものであるところ、セラミックス部２２に「ウェハ５」を載置し、ウェハ５を吸着保持するものであるといえるから、本件発明１の「静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャック」に相当する。 ウ 甲１発明の「リフトピン用開口部１６」は、「セラミックスチャック部２０及びアルミニウムベース１０の中央部に」「設けられ、リフトピン用開口部１６からヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスをセラミックスチャック部２０の上側に供給し、セラミックスチャック部２０とウェハとの間に不活性ガスを流すことにより、加熱された静電チャックの熱を効率よくウェハに伝導」することから、セラミックスチャック部２０の上側であるウェハの面、すなわち、ウェハの裏面に不活性ガスを供給するガス孔といえ、本件発明１の「前記吸着対象物の裏面にガスを供給するガス孔」に相当する。 エ 甲１発明の「セラミックスチャック部２０に内蔵されるＥＳＣ電極２４は、プラス（＋）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ａと、マイナス（－）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ｂとを有」することは、「ＥＳＣ電極２４」が、正極となる「ＥＳＣ電極２４ａ」と、負極となる「ＥＳＣ電極２４ｂ」を含むといえるから、本件発明１の「前記静電電極は、正極及び負極を含」むことに相当する。 オ 以上によれば、本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャックであって、 前記吸着対象物の裏面にガスを供給するガス孔を有し、 前記静電電極は、正極及び負極を含む、 静電チャック。」 ＜相違点＞ 相違点１：本件発明１は、「平面視で、前記ガス孔の周辺において、前記正極と前記負極は第１の隙間を空けて対向配置され、前記第１の隙間は前記ガス孔で前記正極側の第１の経路と前記負極側の第２の経路に分かれ、前記第１の経路と前記第２の経路は前記ガス孔を挟んで前記ガス孔の外周に沿って延伸し、合流して１つの第２の隙間とな」るのに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明な点。 相違点２：本件発明１は、「平面視で、前記第１の隙間が前記第１の経路と前記第２の経路に分かれる箇所、及び前記第１の経路と前記第２の経路が合流する箇所において、前記正極及び前記負極が形成する角部は丸みを帯びており、平面視で、前記丸みを帯びた部分を除く前記第１の経路において前記ガス孔と前記正極との第１の距離は一定であり、前記丸みを帯びた部分を除く前記第２の経路において前記ガス孔と前記負極との第２の距離は一定であり、前記第１の距離と前記第２の距離が等しい」のに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明な点。 （２）相違点についての判断 ア 相違点１について （ア）引用発明の「ＥＳＣ電極２４」は、「プラス（＋）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ａと、マイナス（－）の電圧が印加されるＥＳＣ電極２４ｂとを有し、平面視において、２つのＥＳＣ電極２４ａ，２４ｂがくし歯状に延在して分離されて配置される」ものである。 そして、上記１（１）アの図４（ｃ）の２つのＥＳＣ電極２４ａ、２４ｂの間に挟まれるリフトピン用開口部１６及びその周辺の拡大図は、以下のとおりである。（なお図中の「第１の隙間」、「第２の隙間」、「第１の経路」、「第２の経路」、「電極２４ａ」、「電極２４ｂ」、「リフトピン用開口部１６」の文字及び引き出し線は、合議体にて付記した。） 「拡大図 ［図：0001409176000012.jpg］ 」 （イ）上記拡大図から、平面視で、「リフトピン用開口部１６」の周辺において、正極となる「ＥＳＣ電極２４ａ」と、負極となる「ＥＳＣ電極２４ｂ」とが、「第１の隙間」を空けて対向配置されていることが見て取れる。 よって、引用発明と本件発明１とは、「平面視で、前記ガス孔の周辺において、前記正極と前記負極は第１の隙間を空けて対向配置され」る点で共通する。 （ウ）さらに、同拡大図から、「第１の隙間」は、「リフトピン用開口部１６」で、正極となる「ＥＳＣ電極２４ａ」側の「第１の経路」と、負極となる「ＥＳＣ電極２４ｂ」側の「第２の経路」に分岐し、「第１の経路」と「第２の経路」は「リフトピン用開口部１６」を挟んで「リフトピン用開口部１６」の外周に沿って延伸し、合流して「第２の隙間」となることが見て取れる。 したがって、引用発明と本件発明１とは、「前記第１の隙間は前記ガス孔で前記正極側の第１の経路と前記負極側の第２の経路に分かれ、前記第１の経路と前記第２の経路は前記ガス孔を挟んで前記ガス孔の外周に沿って延伸し、合流して１つの第２の隙間とな」る点で共通する。 （エ）よって、上記相違点１は、実質的なものではない。 イ 相違点２についての判断 甲１には、平面視で、「第１の隙間」が「第１の経路」と「第２の経路」に分かれる箇所、及び「第１の経路」と「第２の経路」が合流する箇所において、正極となる「ＥＳＣ電極２４ａ」及び負極となる「ＥＳＣ電極２４ｂ」が形成する角部が丸みを帯びることは記載も示唆もされておらず、上記拡大図からも見て取ることはできず、また、このことが本件特許の出願日前における技術常識であるともいえない。 さらに、甲２～６には、静電チャックにおいて、平面視で、ガス孔周辺における、正極と負極の静電電極の角部を丸みを帯びた形状とする点、すなわち、上記相違点２のうち「平面視で、前記第１の隙間が前記第１の経路と前記第２の経路に分かれる箇所、及び前記第１の経路と前記第２の経路が合流する箇所において、前記正極及び前記負極が形成する角部は丸みを帯びて」いる構成は記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明に、甲２～６に記載された事項を適用しても、相違点２に係る本件発明１の構成は得られない。 （３）申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書の１１ページ第２０行～最終行において、甲１には、ＥＳＣ電極２４ａやＥＳＣ電極２４ｂの角部に丸みを形成することについては記載されていないが、静電チャックに内蔵された静電電極において、放電の抑制等を目的としてその角部に丸みを形成することは、甲２～４に記載されているように周知技術であるから、甲１の図４（ｃ）に示される構成に上記周知技術を適用し、第１の隙間が 第１の経路と第２の経路に分かれる箇所、及び第１の経路と第２の経路が合流する箇所において、ＥＳＣ電極２４ａ及びＥＳＣ電極２４ｂが形成するそれぞれの角部を、丸みを帯びた形状とすることは、当業者が適宜なし得たことである旨主張している。 イ しかし、上記（２）イのとおり、甲２～６には、静電チャックにおいて、平面視で、ガス孔周辺における、正極と負極の静電電極の角部を丸みを帯びた形状とする点は記載されておらず、また、この点が本件特許の出願日前における技術常識であるともいえない。 よって、申立人の前記主張は採用できない。 （４）小括 よって、本件発明１は、甲１発明及び甲２～６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 本件発明２～６について 本件発明２～６は、相違点２に係る本件発明１の構成を有しているから、上記（２）イで検討したのと同様の理由により、本件発明２～６は、甲１発明及び甲２～６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～６に係る発明を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～６に係る発明を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり、決定する。