2023-701018

特許第７２５２３７６号発明「電圧又は電流を補償する装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２５２３７６号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第７２５２３７６号の請求項１～５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２５２３７６号の請求項１～５に係る特許についての出願は、２０２０年４月１７日（パリ条約による優先権主張 ２０１９年４月１７日、同年同月２３日、ともに韓国）を国際出願日とする出願であって、令和５年３月２７日にその特許権の設定登録がされ、同年４月４日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、同年９月２５日に特許異議申立人角田朗（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、当審は、同年１２月１５日付けで取消理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である令和６年３月１５日に意見書の提出及び訂正の請求を行ったところ、同年４月２４日に訂正請求書についての手続補正書（方式）が提出され（以下、この手続補正書（方式）によって訂正された訂正の請求を、「本件訂正請求」といい、当該手続補正書（方式）によって訂正された訂正請求書を、「訂正請求書」という。）、本件訂正請求に対して、申立人は、同年６月１８日に意見書（以下、「申立人意見書」という。）を提出した。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、以下の（１）～（４）のとおりである。（なお、下線は、訂正請求書において特許権者によって付加されたものである。） （１）訂正事項１（請求項１に係る訂正） 訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１に対し、次のア～エに示す訂正事項（以下、それぞれ、「訂正事項１－１」～「訂正事項１－４」という。）からなる。 ア 訂正事項１－１ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記大電流経路上に配置される１次側と、前記１次側を流れる前記第１の電流を感知して前記第１の電流に対応する出力信号を生成する２次側とを含む検出変圧器」 とあるのを、 「前記大電流経路上に配置される検出変圧器の１次側と、前記検出変圧器の１次側を流れる前記第１の電流を感知して前記第１の電流に対応する出力信号を生成する検出変圧器の２次側とを含む検出変圧器」に訂正する。 請求項１の記載を引用する請求項２－５も同様に訂正する。 イ 訂正事項１－２ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記増幅電流に基づいて補償電流を生成し、前記補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す補償部」 とあるのを、 「補償変圧器の１次側と、前記補償変圧器の１次側と絶縁され前記大電流経路に接続される補償変圧器の２次側とを含む補償変圧器を備え、前記増幅部と接続され前記補償変圧器の１次側を流れる前記増幅電流に基づいて補償電流を前記補償変圧器の２次側に誘導し、前記補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す補償部」に訂正する。 請求項１の記載を引用する請求項２－５も同様に訂正する。 ウ 訂正事項１－３ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記出力信号を生成する前記検出変圧器の出力端に並列に接続される第１の外乱保護部、及び前記補償部の入力端に並列に接続される第２の外乱保護部」 とあるのを、 「前記出力信号を生成する前記検出変圧器の前記２次側に並列に接続される第１の外乱保護部、及び前記補償変圧器の前記１次側に並列に接続される第２の外乱保護部」に訂正する。 請求項１の記載を引用する請求項２－５も同様に訂正する。 エ 訂正事項１－４ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記２次側の電流経路のそれぞれ」 とあるのを、 「前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記検出変圧器の前記２次側の電流経路のそれぞれ」に訂正する。 請求項１の記載を引用する請求項２－５も同様に訂正する。 （２）訂正事項２（請求項２に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項２に 「前記第１の外乱保護部及び前記第２の外乱保護部は、前記検出変圧器の出力端及び前記補償部の入力端に、所定の臨界電圧未満の電圧が印加される場合、第１のインピーダンスを有し、前記検出変圧器の出力端及び前記補償部の入力端に、前記所定の臨界電圧以上の電圧が印加される場合、前記第１のインピーダンスよりも低い第２のインピーダンスを有する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。」 とあるのを、 「前記第１の外乱保護部及び前記第２の外乱保護部は、前記検出変圧器の前記２次側及び前記補償変圧器の前記１次側に、所定の臨界電圧未満の電圧が印加される場合、 第１のインピーダンスを有し、前記検出変圧器の前記２次側及び前記補償変圧器の前記１次側に、前記所定の臨界電圧以上の電圧が印加される場合、前記第１のインピーダンスよりも低い第２のインピーダンスを有する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。」に訂正する。 （３）訂正事項３（請求項４に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項４に 「前記第１の外乱保護部において、前記１次側は、前記少なくとも２つ以上の大電流経路に印加された電圧に基づいて、前記２次側に誘導した臨界電圧以上の電圧を前記臨界電圧以下の電圧に制限し、前記増幅部に送信する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。」 とあるのを、 「前記第１の外乱保護部において、前記検出変圧器の前記１次側は、前記少なくとも２つ以上の大電流経路に印加された電圧に基づいて、前記検出変圧器の前記２次側に誘導した臨界電圧以上の電圧を前記臨界電圧以下の電圧に制限し、前記増幅部に送信する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。」に訂正する。 （４）訂正事項４（請求項５に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項５に 「前記補償部は、前記増幅部の出力端と前記増幅部の基準電位とを接続する経路上に配置される１次側と、前記補償部に含まれ、かつ前記大電流経路に接続される補償コンデンサ部と前記アクティブ補償装置の基準電位とを接続する経路上に配置される２次側とを含み、前記第２の外乱保護部において、前記２次側は、前記少なくとも２つ以上の大電流経路に印加された電圧に基づいて、前記１次側に誘導した臨界電圧以上の電圧を前記臨界電圧以下の電圧に制限し、前記増幅部に送信する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。」 とあるのを、 「前記補償変圧器の１次側は、前記増幅部の出力端と前記増幅部の基準電位とを接続する経路上に配置され、前記補償変圧器の２次側は、前記大電流経路に接続される補償コンデンサ部と前記アクティブ補償装置の基準電位とを接続する経路上に配置され、前記第２の外乱保護部において、前記補償変圧器の前記２次側は、前記少なくとも２つ以上の大電流経路に印加された電圧に基づいて、前記補償変圧器の前記１次側に誘導した臨界電圧以上の電圧を前記臨界電圧以下の電圧に制限し、前記増幅部に送信する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。」に訂正する。 （５）一群の請求項について 訂正前の請求項１～５について、請求項２～５はそれぞれ請求項１を引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～５に対応する訂正後の請求項１～５は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項と認める。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１（訂正事項１－１～１－４） ア 訂正の目的について 訂正事項１－１は、訂正前の請求項１に記載される「１次側」及び「２次側」について、それぞれ、「検出変圧器の１次側」及び「検出変圧器の２次側」と具体的に限定するものである。 訂正事項１－２は、訂正前の請求項１に記載される「増幅電流」につき、「補償変圧器の１次側と、前記補償変圧器の１次側と絶縁され前記大電流経路に接続される補償変圧器の２次側とを含む補償変圧器を備え、前記増幅部と接続され前記補償変圧器の１次側を流れる」ものであることを具体的に限定するとともに、「補償部」における「補償電流」につき、「前記補償変圧器の２次側に誘導」することを具体的に限定するものである。 訂正事項１－３は、訂正前の請求項１に記載される、「第１の外乱保護部」が接続される箇所を「前記検出変圧器の前記２次側」に、「第２の外乱保護部」が接続される箇所を「前記補償変圧器の前記１次側」と具体的に限定するものである。 訂正事項１－４は、訂正前の請求項１に記載される「前記２次側」につき、「前記検出変圧器の」ものであることを具体的に限定するものである。 以上、訂正事項１－１～１－４は、いずれも訂正前の請求項１に記載される「補償部」につき、具体的に限定するものである。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アに示したとおり、訂正事項１－１～１－４を含む訂正事項１は、「補償部」の構成について、具体的に特定するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１は、願書に添付した明細書の記載に基づいて導き出される構成である。 すなわち、訂正事項１－１については、願書に添付した明細書図面の図１８に記載されている。 訂正事項１－２及び１－４については、願書に添付した明細書段落【００５８】～【００５９】に記載されている。 訂正事項１－３については、願書に添付した明細書段落【０２０８】及び図面の図１８に記載されている。 以上の記載から、当該訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件特許明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的について 訂正事項２は、訂正前の請求項２に記載される「前記第１の外乱保護部及び前記第２の外乱保護部」につき、「所定の臨界電圧未満の電圧」又は「前記所定の臨界電圧以上の電圧」が印加される箇所を具体的に限定するものである。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アにおいて指摘したとおり、訂正事項２は、「前記第１の外乱保護部及び前記第２の外乱保護部」につき、「所定の臨界電圧未満の電圧」又は「前記所定の臨界電圧以上の電圧」が印加される箇所を具体的に限定するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合する。 ウ 願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項２は、願書に添付した明細書図面の図１８の記載に基づいて導き出される構成であり、訂正事項２は、本件特許明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 （３）訂正事項３ ア 訂正の目的について 訂正事項３は、訂正前の請求項４に記載される、「前記１次側」及び「前記２次側」につき、それぞれ、「前記検出変圧器の前記１次側」及び「前記検出変圧器の前記２次側」と具体的に限定するものである。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アにおいて指摘したとおり、訂正事項３は、訂正前の請求項４に記載される、「前記１次側」及び「前記２次側」につき、それぞれ、「前記検出変圧器の前記１次側」及び「前記検出変圧器の前記２次側」と具体的に限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合する。 ウ 願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項３は、願書に添付した明細書図面の図１８の記載に基づいて導き出される構成であり、訂正事項３は、本件特許明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 （４）訂正事項４ ア 訂正の目的について 訂正事項４は、訂正前の請求項５に記載される、「前記補償部」に含まれる「１次側」及び「２次側」につき、それぞれ、「補償変圧器の１次側」及び「補償変圧器の２次側」と具体的に限定するとともに、「第２の外乱保護部」における、「前記２次側」及び「前記１次側」につき、それぞれ、「前記補償変圧器の前記２次側」及び「前記補償変圧器の前記１次側」と具体的に限定するものである。 したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アにおいて指摘したとおり、訂正事項４は、訂正前の請求項５に記載される、「前記補償部」に含まれる「１次側」及び「２次側」につき、それぞれ、「補償変圧器の１次側」及び「補償変圧器の２次側」と具体的に限定するとともに、「第２の外乱保護部」における、「前記２次側」及び「前記１次側」につき、それぞれ、「前記補償変圧器の前記２次側」及び「前記補償変圧器の前記１次側」と具体的に限定するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合する。 ウ 願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項４は、願書に添付した明細書図面の図１８の記載に基づいて導き出される構成であり、訂正事項４は、本件特許明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ３ 独立特許要件について 本件異議申立事件においては、訂正前の全ての請求項である請求項１～５に係る特許に対して特許異議の申立てがされているから、訂正事項１～４による訂正は、いずれも特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるところ、訂正後の請求項１～５に係る発明については、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件（「独立特許要件」）は課されない。 ４ むすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項ないし第７項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件特許発明 上記第２のとおり、本件訂正請求による訂正は認められるので、本件訂正請求により訂正された請求項１～５に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」～「本件特許発明５」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。なお、各構成要件の前に付した、「１Ａ」等の記号は、説明のために当審で付加したものであり、それぞれ、「構成要件１Ａ」などということがある。 １ 本件特許発明１ １Ａ 第１の装置に接続される少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに、共通モード（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ）で入力される第１の電流を能動的に補償するアクティブ補償装置であって、 １Ｂ 第２の装置によって供給される第２の電流を前記第１の装置に送信する少なくとも２つ以上の大電流経路と、 １Ｃ 前記大電流経路上に配置される検出変圧器の１次側と、前記検出変圧器の１次側を流れる前記第１の電流を感知して前記第１の電流に対応する出力信号を生成する検出変圧器の２次側とを含む検出変圧器と、 １Ｄ 前記検出変圧器の出力信号を増幅し、増幅電流を生成する増幅部と、 １Ｅ 補償変圧器の１次側と、前記補償変圧器の１次側と絶縁され前記大電流経路に接続される補償変圧器の２次側とを含む補償変圧器を備え、前記増幅部と接続され前記補償変圧器の１次側を流れる前記増幅電流に基づいて補償電流を前記補償変圧器の２次側に誘導し、前記補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す補償部と、 １Ｆ 前記出力信号を生成する前記検出変圧器の前記２次側に並列に接続される第１の外乱保護部、及び前記補償変圧器の前記１次側に並列に接続される第２の外乱保護部と、を備え、 １Ｇ 前記第１の外乱保護部及び前記第２の外乱保護部は、過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子を含み、 １Ｈ 前記ＴＶＳダイオード素子の接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）は、数百ｐＦ以下であり、 １Ｉ 前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記検出変圧器の前記２次側の電流経路のそれぞれは、コアの中央ホールを１回だけ通過し又は前記コアに１回だけ巻き取られるアクティブ補償装置。 ２ 本件特許発明２ ２Ａ 前記第１の外乱保護部及び前記第２の外乱保護部は、 ２Ｂ 前記検出変圧器の前記２次側及び前記補償変圧器の前記１次側に、所定の臨界電圧未満の電圧が印加される場合、第１のインピーダンスを有し、 ２Ｃ 前記検出変圧器の前記２次側及び前記補償変圧器の前記１次側に、前記所定の臨界電圧以上の電圧が印加される場合、前記第１のインピーダンスよりも低い第２のインピーダンスを有する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。 ３ 本件特許発明３ ３Ａ 前記コアは開閉可能なクランプ構造である、請求項１に記載のアクティブ補償装置。 ４ 本件特許発明４ ４Ａ 前記第１の外乱保護部において、 ４Ｂ 前記検出変圧器の前記１次側は、前記少なくとも２つ以上の大電流経路に印加された電圧に基づいて、前記検出変圧器の前記２次側に誘導した臨界電圧以上の電圧を前記臨界電圧以下の電圧に制限し、前記増幅部に送信する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。 ５ 本件特許発明５ ５Ａ 前記補償変圧器の１次側は、前記増幅部の出力端と前記増幅部の基準電位とを接続する経路上に配置され、 ５Ｂ 前記補償変圧器の２次側は、前記大電流経路に接続される補償コンデンサ部と前記アクティブ補償装置の基準電位とを接続する経路上に配置され、 ５Ｃ 前記第２の外乱保護部において、 ５Ｄ 前記補償変圧器の前記２次側は、前記少なくとも２つ以上の大電流経路に印加された電圧に基づいて、前記補償変圧器の前記１次側に誘導した臨界電圧以上の電圧を前記臨界電圧以下の電圧に制限し、前記増幅部に送信する、請求項１に記載のアクティブ補償装置。 第４ 異議申立理由の概要 申立人は、以下の証拠（甲第１号証～甲第９号証）を提出し、本件特許の請求項１～４に係る発明は、以下の１に示す理由により、本件特許の請求項１～５に係る発明は、以下の２～４に示す理由により、取り消すべきものである旨主張する。 １ 特許法第２９条第２項（申立理由１） （１）申立理由１－１ 本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載された事項、及び甲第３号証～甲第７号証に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるので、同法第１１３条第２号の規定により取り消すべきものである。 以下、この特許異議申立理由を、「申立理由１－１」という。 （２）申立理由１－２ 本件特許の請求項２及び４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載された事項、及び甲第３号証～甲第８号証に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるので、同法第１１３条第２号の規定により取り消すべきものである。 以下、この特許異議申立理由を、「申立理由１－２」という。 （３）申立理由１－３ 本件特許の請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載された事項、並びに甲第３号証～甲第７号証及び甲第９号証に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるので、同法第１１３条第２号の規定により取り消すべきものである。 以下、この特許異議申立理由を、「申立理由１－３」という。 （証拠） 甲第１号証 ： 特開２００５－１２４３３９号公報 甲第２号証 ： 特開２００４－０３２８８５号公報 甲第３号証 ： 特開２０１０－０５７２６８号公報 甲第４号証 ： 米国特許出願公開第２０１６／００１３６３８号明細書 甲第５号証 ： 特開２００６－００６０３８号公報 甲第６号証 ： 国際公開第２０１８／１０９８０１号 甲第７号証 ： 国際公開第２０１８／２３６５７０号 甲第８号証 ： 国際公開第２０１８／１１３３４６号 甲第９号証 ： 特開２００５－１４３２１６号公報 以降において、上記甲第１号証～甲第９号証の各々を、「甲１」～「甲９」という場合がある。 ２ 特許法第３６条第４項第１号（申立理由２） 本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件特許の請求項１～５に係る発明につき、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえず、本件特許の請求項１～５に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 以下、この特許異議申立理由を、「申立理由２」という。 ３ 特許法第３６条第６項第２号（申立理由３） 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～５の記載は明確でなく、本件特許の請求項１～５に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反してなされたものであるので、同法第１１３条第４号の規定により取り消すべきものである。 以下、この特許異議申立理由を、「申立理由３」という。 ４ 特許法第３６条第６項第１号（申立理由４） 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～５記載された事項は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものではなく、本件特許の請求項１～５に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反してなされたものであるので、同法第１１３条第４号の規定により取り消すべきものである。 以下、この特許異議申立理由を、「申立理由４」という。 第５ 各証拠に記載された事項 １ 甲第１号証 （１）甲１に記載された事項 甲１には、次のア～クに示す事項が記載されている。（下線は当審で付加。以下同様。） ア 「【００２０】 （実施形態１） 実施形態１に係る電力変換装置の構成を図１に示す。 本実施形態１に係る電力変換装置は、ノイズフィルタ部１と、整流平滑回路部２と、電力変換回路部３と、ノイズ低減回路部４と、を備える。 【００２１】 ノイズフィルタ部１は、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４と、チョークコイルＬ１と、を備えている。 コンデンサＣ１、Ｃ２は、ノーマルモードノイズを減衰させるアクロスザラインコンデンサであり、交流電源５の一対の電源線であるラインＥ１とＥ２との間に接続されている。 コンデンサＣ３、Ｃ４は、コモンモードノイズを低減させるためのコンデンサであり、ラインＥ２、Ｅ１と接地ラインとの間にそれぞれ接続されている。」 イ 「【００２３】 整流平滑回路部２は、整流回路１１と、コンデンサＣ５と、からなる。 整流回路１１は、交流電源５から供給された交流電圧を整流するものであり、ラインＥ１とラインＥ２とに接続されている。この整流回路１１は、例えば、４つのダイオードからなるブリッジ整流回路によって構成されている。 …中略… 【００２５】 電力変換回路部３は、所定の直流電力を所定の電圧の直流電力に変換し、直流電圧を負荷Ｒ０に供給するものであり、トランスＴと、スイッチング素子Ｑ１と、ダイオードＤ１，Ｄ２と、チョークコイルＬ２と、コンデンサＣ６と、を備え、フォワードコンバータを構成している。」 ウ 「【００３２】 ノイズ低減回路部４は、ノイズを低減するための回路部であり、零相変流器２１と、増幅回路２２と、を備える。 【００３３】 零相変流器２１は、ラインＥ１、Ｅ２間の電流の差を検出することにより、漏れ電流を検出するものである。 【００３４】 漏れ電流によってラインＥ１、Ｅ２間で電流差が生ずる理由は、以下の通りである。もし、ノイズの発生がなく、浮遊容量も存在しなければ、ラインＥ１、ラインＥ２には、それぞれ、電流値が等しく向きが逆向きの電流が流れる。ノイズが発生すると、このノイズは、ノイズの発生源に接続されたラインに重畳し、各ラインに伝播する。また、浮遊容量があると、この浮遊容量も、位置によってばらつきがある。このノイズの伝播と浮遊容量のばらつきにより、各ライン間で電流の不平衡が生ずる。また、コンデンサＣ３、Ｃ４があると、コンデンサＣ３、Ｃ４を介して接地ラインに漏れ電流が流れ、各ライン間での電流の不平衡は、ラインＥ１、Ｅ２に流れる電流の差となって現れてくる。 【００３５】 この電流の差を検出する零相変流器２１の等価回路及び１、２次巻線の構成を図２（ａ）、（ｂ）に示す。零相変流器２１は、図２（ｂ）に示すように、円筒形状を有する磁芯１００ａを備える。零相変流器２１は、この磁芯１００ａの孔に、ラインＥ１、Ｅ２を、２次巻線ｎ２１とともに貫通させることによって構成される。従って、ラインＥ１、Ｅ２は、１次巻線ｎ１１に対応し、１次巻線ｎ１１、２次巻線ｎ２１は、ともに巻数１となり、１次巻線ｎ１１と２次巻線ｎ２１との巻数比は１になる。 【００３６】 磁芯１００ａには、１次及び２次巻線ｎ１１、ｎ２１がともに巻数１であっても、ラインＥ１、Ｅ２の電流差によって飽和しない程度の透磁率、断面積のものが用いられる。このように零相変流器２１が構成されることによって、大電力用の電力変換装置にも、この零相変流器２１の使用が可能となる。 【００３７】 零相変流器２１の２次巻線の端子Ｐ３、Ｐ４は、それぞれ、トランジスタＱ１１、Ｑ１２のエミッタおよびベースに接続される。 【００３８】 零相変流器２１の１次巻線ｎ１１には、図２（ａ）に示すように、ラインＥ１とＥ２とに流れる電流の差として１次電流Ｉ1が流れ、２次巻線ｎ２１には、１次電流Ｉ1に基づいて電流Ｉ2が誘起される。図２（ａ）に示すように、２次巻線ｎ２１には、この誘起電流Ｉ2が接地ラインへと流れる。 【００３９】 次に、この漏れ電流を相殺する原理を図３に基づいて説明する。 尚、この図３において、コンデンサＣ５１、Ｃ５２は、それぞれ、負荷Ｒ０の静電容量、コモンモードノイズ用のコンデンサＣ３に相当するものである。また、ダイオードＤ５１、スイッチＳＷは、それぞれ、図１の整流回路１１、スイッチング素子Ｑ１に相当するものである。また、漏れ電流Ｉs1、Ｉs2は、それぞれ、スイッチＳＷのスイッチングにより交流電源５から流入する漏れ電流、電力変換装置内で伝播する漏れ電流を示す。 【００４０】 本実施形態１に係る電力変換装置は、零相変流器２１が検出した漏れ電流に対応する補償電流Ｉrを、零相変流器２１の検出点よりも交流電源５側の接地ラインに供給する。 【００４１】 即ち、本実施形態１に係る電力変換装置は、零相変流器２１の漏れ電流Ｉs2の検出点をｂとすると、その検出電流に基づいて供給する補償電流Ｉrの注入点をａとする。 【００４２】 このように構成された場合、次の関係式が成り立つようにする。 ｉs1－Ａ2×ｉr＝０ 但し、Ａ2：増幅回路ＡＭＰの増幅率 従って、 ｉr＝Ａ2×ｉs2 【００４３】 この式が示すように、漏れ電流Ｉs1を補償電流Ｉrで相殺するためには、増幅回路ＡＭＰの増幅率Ａ2を１にすればよく、増幅率Ａ2は低くてもよく、増幅回路の発振といった不都合は生じない。 【００４４】 但し、増幅率が正確に１になるように増幅回路２２を構成する必要がある。 増幅率が正確に１になるように、増幅回路２２をオペアンプ等を用いて構成すると、増幅回路２２の構成が複雑になる。本実施形態１では、図１に示すように、簡易な構成で増幅率が１となるように増幅回路２２が構成されている。 【００４５】 増幅回路２２は、零相変流器２１の２次巻線ｎ２１で発生した誘起電流Ｉ2を増幅するものであり、トランジスタＱ１１、Ｑ１２と、コンデンサＣ８と、からなる。」 エ 「【００４８】 コンデンサＣ８は、補償電流を接地ラインに供給するためのものであり、トランジスタＱ１１、Ｑ１２のベースと接地ラインとの間に接続されている。」 オ 「【００６６】 また、零相変流器２１が電力変換装置内で伝播する漏れ電流を検出し、補償電流Ｉrを、零相変流器２１の検出点よりも交流電源５側の接地ラインに、漏れ電流を相殺する方向に供給するようにした。」 カ 「図１ ［図：0001415282000001.jpg］ 」 キ 「図２ ［図：0001415282000002.jpg］ 」 ク 「図３ ［図：0001415282000003.jpg］ 」 （２）甲１発明 上記（１）の記載事項（下線部）から、甲１には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。 「ノイズフィルタ部１と、整流平滑回路部２と、電力変換回路部３と、ノイズ低減回路部４と、を備えた電力変換装置であって（【００２０】、図１）、 ノイズフィルタ部１は、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４とを備え、コンデンサＣ１、Ｃ２は、ノーマルモードノイズを減衰させるアクロスザラインコンデンサであり、交流電源５の一対の電源線であるラインＥ１とＥ２との間に接続され、コンデンサＣ３、Ｃ４は、コモンモードノイズを低減させるためのコンデンサであり、ラインＥ２、Ｅ１と接地ラインとの間にそれぞれ接続され（【００２１】）、 整流平滑回路部２は、整流回路１１と、コンデンサＣ５と、からなり（【００２３】）、 電力変換回路部３は、所定の直流電力を所定の電圧の直流電力に変換し、直流電圧を負荷Ｒ０に供給し（【００２５】）、 ノイズ低減回路部４は、ノイズを低減するための回路部であり、零相変流器２１と、増幅回路２２と、を備え（【００３２】）、 零相変流器２１は、ラインＥ１、Ｅ２間の電流の差を検出することにより、漏れ電流を検出し（【００３３】）、 ラインＥ１、Ｅ２間でノイズが発生すると、このノイズは、ノイズの発生源に接続されたラインに重畳し、各ラインに伝播し、また、浮遊容量があると、この浮遊容量も、位置によってばらつきがあり、このノイズの伝播と浮遊容量のばらつきにより、各ライン間で電流の不平衡が生じ、コンデンサＣ３、Ｃ４があると、コンデンサＣ３、Ｃ４を介して接地ラインに漏れ電流が流れ、各ライン間での電流の不平衡は、ラインＥ１、Ｅ２に流れる電流の差となって現れるため電流差が生じ（【００３４】）、 零相変流器２１は、円筒形状を有する磁芯１００ａを備え、この磁芯１００ａの孔に、ラインＥ１、Ｅ２を、２次巻線ｎ２１とともに貫通させることによって構成され、ラインＥ１、Ｅ２は、１次巻線ｎ１１に対応し、１次巻線ｎ１１、２次巻線ｎ２１は、ともに巻数１となり、１次巻線ｎ１１と２次巻線ｎ２１との巻数比は１になり（【００３５】、図２）、磁芯１００ａには、１次及び２次巻線ｎ１１、ｎ２１がともに巻数１であっても、ラインＥ１、Ｅ２の電流差によって飽和しない程度の透磁率、断面積のものが用いられ（【００３６】）、 零相変流器２１の２次巻線の端子Ｐ３、Ｐ４は、それぞれ、トランジスタＱ１１、Ｑ１２のエミッタおよびベースに接続され（【００３７】）、 零相変流器２１の１次巻線ｎ１１には、ラインＥ１とＥ２とに流れる電流の差として１次電流Ｉ1が流れ、２次巻線ｎ２１には、１次電流Ｉ1に基づいて電流Ｉ2が誘起され、２次巻線ｎ２１には、この誘起電流Ｉ2が接地ラインへと流れ（【００３８】、図２）、漏れ電流Ｉs1、Ｉs2は、それぞれ、スイッチＳＷのスイッチングにより交流電源５から流入する漏れ電流、電力変換装置内で伝播する漏れ電流を示し（【００３９】、図３）、 電力変換装置は、零相変流器２１が検出した漏れ電流に対応する補償電流Ｉrを、零相変流器２１の検出点よりも交流電源５側の接地ラインに供給し（【００４０】）、 漏れ電流Ｉs1を補償電流Ｉrで相殺するために（【００４３】）増幅率が１となるように増幅回路２２が構成され（【００４４】）、 増幅回路２２は、零相変流器２１の２次巻線ｎ２１で発生した誘起電流Ｉ2を増幅するものであり、トランジスタＱ１１、Ｑ１２と、コンデンサＣ８と、からなり（【００４５】）、 コンデンサＣ８は、補償電流を接地ラインに供給するためのものであり、トランジスタＱ１１、Ｑ１２のベースと接地ラインとの間に接続され（【００４８】）、 零相変流器２１が電力変換装置内で伝播する漏れ電流を検出し、補償電流Ｉrを、零相変流器２１の検出点よりも交流電源５側の接地ラインに、漏れ電流を相殺する方向に供給するようにした（【００６６】） 電力変換装置。」 ２ 甲第２号証 （１）甲２に記載された事項 甲２には次の事項が記載されている。 ア 「【００４０】 零相変流器１３は、磁芯１３ａと２次巻線ｎ２１とを備える図２（ｂ）に示す貫通形変流器１３ｂに、図２（ｃ）に示すようにラインＥ１，Ｅ２を磁芯１３ａに巻き回して構成される。」 イ 「図２ ［図：0001415282000004.jpg］ 」 （２）甲２記載事項 上記（１）の記載から、甲２には次の事項（以下、「甲２記載事項」という。）が記載されているといえる。 「ラインＥ１、Ｅ２を零相変流器の磁芯に１回だけ巻き取ること。」 ３ 甲第３号証 （１）甲３に記載された事項 甲３には次の事項が記載されている。 ア 「【００１８】 図１において、三相交流電源１の交流出力は、伝導性ノイズを測定するために設けられたＬＩＳＮ (line impedance stabilization network; 擬似電源回路網)２と、ケーブル３とを介して整流器４に入力され、この整流器４によって直流に変換される。そして、整流器４の直流出力は、平滑用コンデンサ５によって平滑された後、電圧形ＰＷＭインバータ６に入力され、このＰＷＭインバータ６に設けられた電力用半導体素子のスイッチング動作によって三相の交流電圧に変換される。そして、このインバータ６の三相交流出力が誘導電動機７に供給される。なお、誘導電動機７のフレームは接地線を介して接地端子に接続されている。 【００１９】 制御電圧源８は、コモンモードトランス９と、プッシュプル形のエミッタフォロワ回路１０と、オペレーショナルアンプ１１と、エミッタフォロワ回路１０およびオペレーショナルアンプ１１に電源を供給する正側電源１２、負側電源１３とを備えている。 コモンモードトランス９は、一次コイルが電源１２、１３の中性点とエミッタフォロワ回路１０の出力との間に介装され、二次コイルがケーブル３の途中に介装されている。エミッタフォロワ回路１０は、コンプリメンタリトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２によって構成され、その入力にオペレーショナルアンプ１１の出力が接続されている。オペレーショナルアンプ１１は、接地ラインが電源１２、１３の中性点と接続されている。 【００２０】 次に、保護回路１５について説明する。上記三相ケーブル３には、互いに等しい容量を有する３つの接地コンデンサ１４の一端が接続されている。保護回路１５は、上記各接地コンデンサ１４の他端と接地点との間に介装された分圧用コンデンサ１６と、この分圧用コンデンサ１６に並列接続された分圧用コンデンサ１７，１８の直列回路と、分圧用コンデンサ１７に並列接続されたツェナダイオード１９，２０の直列回路とを備えている。ツェナダイオード１９，２０は、互いの方向が逆となる形態で接続されているので、正負の過大電圧がオペレーショナルアンプ１１の入力に加わるのを防止する。なお、接地コンデンサ１４は、通常は設置点に直接接続されるが、本実施形態ではこの接地コンデンサ１４をコモンモード電圧の検出手段として用いているので、上記するように、分圧用コンデンサ１６～１８を介して接地されている。 なお、この保護回路１５は、接地コンデンサ１４で検出されるコモンモード電圧によってオペレーショナルアンプ１１、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２などの能動素子が破壊されるのを防止するために設けられている。 …中略… 【００２５】 上記ＰＷＭインバータ６の浮遊容量Ｃｂは非常に小さいので、接地コンデンサ１４と電動機の浮遊容量Ｃｍは直列に繋がっていると見なすことができる。従って、接地コンデンサ１４で検出されるコモンモード電圧をＶ１とすると、このコモンモード電圧Ｖ１は、ＰＷＭインバータ６から出力されるコモンモード電圧Ｖinvを接地コンデンサ１４（Ｃｙ）と電動機の浮遊容量Ｃｍとで分圧したものとなる。つまり、電圧Ｖ１とＶinvにはＶ１＜Ｖinvという関係が成立する。 コモンモードトランス９は、接地コンデンサ１４で検出される電圧Ｖ１とは極性が逆で大きさが等しい電圧Ｖ２を二次巻線に誘起し、この電圧Ｖ２によって電圧Ｖ１を打ち消すので、電源１側への漏れ電流Ｉ１，Ｉ２およびＩ３（伝導性ノイズ）を低減もしくはなくすことができる。そして、図２の等価回路から明らかなように、電源１側での漏れ電流の低減は、結果的に電動機７の漏れ電流Ｉｍも低減することになる。」 イ 「図１ ［図：0001415282000005.jpg］ 」 （２）甲３記載事項 上記（１）の記載から、甲３には次の事項（以下、「甲３記載事項」という。）が記載されているといえる。 「互いの方向が逆となる形態で接続されているツェナダイオード１９，２０の直列回路によって、過大電圧がオペレーショナルアンプ１１の入力に加わるのを防止し、 コモンモードトランス９は、接地コンデンサ１４で検出される電圧Ｖ１とは極性が逆で大きさが等しい電圧Ｖ２を二次巻線に誘起し、この電圧Ｖ２によって電圧Ｖ１を打ち消すので、電源１側への漏れ電流Ｉ１，Ｉ２およびＩ３（伝導性ノイズ）を低減もしくはなくすことができること。」 ４ 甲第４号証 （１）甲４に記載された事項 甲４には次の事項が記載されている。 ア 「[0024]Description is made with respect to various embodiments in a specific context, namely integrated circuits (ICs), and more particularly, transient voltage, including electrostatic discharge (ESD) and surge event, protection devices and circuits. Some of the various embodiments described herein include ESD protection components, transient voltage suppression (TVS) diodes, and single stage ESD protection devices. In other embodiments, aspects may also be applied to other applications involving any type of ESD circuit according to any fashion as known in the art. Further, the terms transient voltage, ESD, and surge, are used repeatedly herein to describe generic voltage transients or specific known types of voltage transients. It should be understood that embodiment protection circuits described herein may be applied to protecting components or devices from any type of voltage transient including ESD events and surge events as defined in numerous standards and understood by those of skill in the art. Thus, description in reference to a specific voltage transient, such as an ESD event or a surge event, may also be applied to any other voltage transients. [0025]According to various embodiments, a single stage ESD protection circuit is disclosed which maintains high performance and includes low parasitic capacitance and decreased area. In the semiconductor industry, the feature size or dimension is continually decreasing. As a result of the feature size shrinking with each new technology node, the ESD sensitivity of semiconductor circuits is simultaneously increasing. According to various embodiments, efficient ESD protection circuits are disclosed herein that address the increasing sensitivity of semiconductor circuits while reducing detrimental effects on signal integrity (SI). According to some examples, such single stage ESD protection circuits are especially useful for high-speed signal lines, audio output stages, low noise amplifiers, or other highly ESD sensitive signal lines, for example. According to various embodiments described herein in reference to the figures, numerous advantages will be apparent to one of skill in the art. The ESD protection circuits described herein may be applied to any type of voltage transient protection, such as surge event protection, for example. [0026]FIG. 1a illustrates a system block diagram of an embodiment ESD protection system 100 including a single stage ESD protection circuit 102 and a device under protection (DUP) 104. According to various embodiments, each ESD stage provides a path to ground through a discharge or surge device. Thus, single stage ESD protection circuit 102 provides a single current path to ground through a single discharge or surge device, such as a transient voltage suppression (TVS) diode. In various embodiments, input signals intended for DUP 104 first pass through single stage ESD protection circuit 102. For this reason, during normal operation, it is advantageous that an ESD protection circuit introduces minimal impedance, including resistance and parasitic capacitance, compared to an ESD circuit having more than one stage. Thus, single stage ESD protection circuit 102 includes a minimal impedance. During a transient voltage event, such as an ESD or surge event, when an ESD or a surge current is received at an input node IN, single stage ESD protection circuit 102 clamps the voltage at output node OUT to a lower voltage by diverting a major portion IDIS of the ESD current to ground. [0027]In various embodiments, DUP 104 may be any circuit being protected from ESD or surge events and may include some additional ESD protection. For example, DUP 104 includes an ESD circuit capable of protecting DUP 104 from small magnitude ESD events at node OUT (such as before single stage ESD protection circuit 102 is coupled to node OUT). Such smaller events may include human body model (HBM) level ESD events defined by the ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 standard, for example. In comparison, single stage ESD protection circuit 102 may be capable of protecting DUP 104 from large magnitude ESD events, such as system level ESD events defined by, e.g., the IEC 61000-4-2 standard. [0028]In some embodiments, the ESD protection circuit is also capable of protecting DUP 104 from larger surge events defined by the IEC61000-4-5 standard. As is described further herein below, ESD protection system 100 may include numerous components with numerous protected nodes and numerous ICs with numerous input or output pins. [0029]FIG. 1b illustrates a schematic diagram of an embodiment ESD protection system 101 that is an implementation of ESD protection system 100 shown in FIG. 1a. According to various embodiments, ESD protection system 101 includes ESD diode 106, resistor 108, and DUP 104. In such embodiments, ESD protection circuit 102 as described in FIG. 1a is implemented as ESD diode 106 and resistor 108. During normal operation, input signals on input node IN pass through resistor 108 to DUP 104. During an ESD event, an ESD current IESD is injected into input node IN. A first current I1, which is the major portion of ESD current IESD, is conducted to ground through ESD diode 106. The remainder of ESD current IESD is conducted through resistor 108 to DUP 104 as a second current I2. The majority of the second current I2 is conducted to ground through second ESD diode 105 included in DUP 104. [0030]In various embodiments, ESD diode 106 is any type of transient voltage suppression (TVS) diode. As discussed above, ESD diode 106 is capable of conducting a large system level ESD current to ground. For example, ESD diode 106 may be capable of discharging a 20 kV surge to ground. In other embodiments, ESD diode 106 is capable of discharging an 8 kV surge to ground. Further, the second ESD diode 105 is capable of conducting smaller HBM level ESD currents to ground. ESD diode 106 may be a discrete or external high level ESD protection component on a separate IC while ESD diode 105 is a semiconductor component integrated in DUP 104, which may be on a single IC. As a portion of DUP 104, ESD diode 105 may only be capable of protecting DUP 104 from HBM level ESD events. Thus, ESD diode 106 may be a stronger or more robust ESD component designed to withstand and dissipate transient voltages as high as 15 or 30 kV while ESD diode 105 may be a less robust ESD component designed as a portion of DUP 104 to withstand and dissipate HBM level transient voltages of about 2 kV. In some embodiments, ESD diode 105 may be able withstand transient voltages ranging from 2 kV up to 10 kV. In other embodiments, each ESD component may dissipate higher or lower transient voltages. In various embodiments, the dynamic on resistance Rdyn of ESD diode 105 is larger than the on resistance of ESD diode 106. In a specific embodiment, the dynamic on resistance Rdyn of ESD diode 106 is between 100 and 500 m while the dynamic on resistance Rdyn of ESD diode 105 is between 1 and 5. In another specific example, the dynamic on resistance Rdyn of ESD diode 106 may range as high as 1.5 while the dynamic on resistance Rdyn of ESD diode 105 is greater than 1.5 and less than 5. Alternatively, the dynamic on resistance Rdyn for ESD diodes 105 and 106 may be outside these ranges.」 （当審訳： 「[0024]特定の状況における様々な実施形態、すなわち集積回路（ＩＣ）、より具体的には、静電気放電（ＥＳＤ）及びサージ事象を含む過渡電圧、保護デバイス及び回路に関して説明する。本明細書で説明されるさまざまな実施形態のいくつかには、ＥＳＤ保護コンポーネント、過渡電圧抑制（ＴＶＳ）ダイオード、及び単段ＥＳＤ保護デバイスが含まれる。他の実施形態では、態様は、当技術分野で知られている任意の方式による任意のタイプのＥＳＤ回路を伴う他の用途にも適用され得る。さらに、過渡電圧、ＥＳＤ、及びサージという用語は、一般的な過渡電圧又は特定の既知のタイプの過渡電圧を説明するために、本明細書で繰り返し使用される。本明細書に記載される実施形態の保護回路は、多数の規格で定義され当業者によって理解されるように、ＥＳＤ事象及びサージ事象を含む任意のタイプの電圧過渡現象からコンポーネントまたはデバイスを保護するために適用され得ることを理解されたい。したがって、ＥＳＤ現象又はサージ現象などの特定の電圧過渡現象に関する説明は、他の電圧過渡現象にも適用できる。 [0025]様々な実施形態によれば、高性能を維持し及び低い寄生容量及び減少した面積を含む単段ＥＳＤ保護回路が開示される。半導体業界では形状サイズ又は寸法が継続的に縮小している。新しい技術が登場するたびに形状サイズが縮小した結果、半導体回路のＥＳＤ感度も同時に増加している。様々な実施形態によれば、シグナルインテグリティ（ＳＩ）に対する悪影響を低減しながら、半導体回路の感度の増大に対処する効率的なＥＳＤ保護回路が本明細書に開示される。いくつかの例によれば、そのような単段ＥＳＤ保護回路は、例えば高速信号線、オーディオ出力段、低雑音増幅器、又は他の非常にＥＳＤに敏感な信号線に有用である。図面を参照して本明細書に記載される様々な実施形態によれば、当業者には多くの利点が明らかとなるであろう。本明細書で説明するＥＳＤ保護回路、例えばサージ事象保護など、あらゆる種類の電圧過渡保護に適用することができる。 [0026]図１ａは、単段ＥＳＤ保護回路１０２及び保護対象デバイス（ＤＵＰ）１０４を含む一実施形態のＥＳＤ保護システム１００のシステムブロック図を示す。様々な実施形態によれば、各ＥＳＤステージは、放電又はサージ装置を介してアースヘの経路を提供する。したがって、単段ＥＳＤ保護回路１０２は、過渡電圧抑制（ＴＶＳ）ダイオードなどの単一の放電又はサージ装置を介してアースヘの単一の電流経路を提供する。様々な実施形態において、ＤＵＰ１０４に向けられた入力信号は、まず単段ＥＳＤ保護回路１０２を通過する。このため、通常動作中、ＥＳＤ保護回路は、複数の段を有するＥＳＤ回路と比較して、抵抗及び寄生容量を含む最小限のインピーダンスを導入することが有利である。したがって、単段ＥＳＤ保護回路１０２は最小限のインピーダンスを含む。ＥＳＤ又はサージ事象などの過渡電圧事象中に、ＥＳＤ又はサージ電流が入カノードＩＮで受け取られると、単段ＥＳＤ保護回路１０２は、ＥＳＤ電流の大部分ＩＤＩＳをグランドに流すことによって、出力ノードＯＵＴの電圧をより低い電圧にクランプする。 [0027]様々な実施形態において、ＤＵＰ１０４は、ＥＳＤ又はサージ事象から保護される任意の回路であってもよく、何らかの追加のＥＳＤ保護を含んでもよい。例えば、ＤＵＰ１０４は、（単段ＥＳＤ保護回路１０２がノードＯＵＴに結合される前など）ノードＯＵＴにおける小さな大きさのＥＳＤ事象からＤＵＰ１０４を保護することができるＥＳＤ回路を含む。このような小規模な事象には、例えば、ＡＮＳＩ／ＥＳＤＡ／ＪＥＤＥＣＪＳ－００１規格によって定義された人体モデル（ＨＢＭ）レベルのＥＳＤ事象が含まれる場合がある。比較すると、単段ＥＳＤ保護回路１０２は、例えばＩＥＣ６１０００－４－２規格によって定義されるシステムレベルのＥＳＤ事象などの大きな規模のＥＳＤ事象からＤＵＰ１０４を保護することができる。 [0028]いくつかの実施形態では、ＥＳＤ保護回路は、ＩＥＣ６１０００－４－５規格によって定義されるより大きなサージ事象からＤＵＰ１０４を保護することもできる。以下でさらに説明するように、ＥＳＤ保護システム１００は、多数の保護ノードを有する多数のコンポーネントと、多数の入力又は出カピンを有する多数のＩＣとを含むことができる。 [0029]図１ｂは、図１ａに示されるＥＳＤ保護システム１００の実施形態であるＥＳＤ保護システム１０１の実施形態の概略図を示す。様々な実施形態によれば、ＥＳＤ保護システム１０１は、ＥＳＤダイオード１０６、抵抗器１０８、及びＤＵＰ１０４を含む。このような実施形態では、図１ａで説明したようなＥＳＤ保護回路１０２がＥＳＤダイオード１０６及び抵抗器１０８として実装される。通常動作中、入カノードＩＮ上の入力信号は抵抗器１０８を通ってＤＵＰ１０４に流れる。ＥＳＤ事象中、ＥＳＤ電流ＩＥＳＤが入力ノードＩＮに注入される。ＥＳＤ電流ＩＥＳＤの大部分である第１の電流Ｉ１は、ＥＳＤダイオード１０６を介してグランドに伝導される。ＥＳＤ電流ＩＥＳＤの残りは、抵抗器１０８を介して第２の電流Ｉ２としてＤＵＰ１０４に流れる。第２の電流Ｉ２の大部分は、ＤＵＰ１０４に含まれる第２のＥＳＤダイオード１０５を介してグランドに伝導される。 [0030]様々な実施形態において、ＥＳＤダイオード１０６は、任意のタイプの過渡電圧抑制（ＴＶＳ）ダイオードである。上で論じたように、ＥＳＤダイオード１０６は、大きなシステムレベルのＥＳＤ電流をグランドに流すことができる。例えば、ＥＳＤダイオード１０６は、２０ｋＶのサージをアースに放電することができる。他の実施形態では、ＥＳＤダイオード１０６は、８ｋＶのサージをアースに放電することができる。さらに、第２のＥＳＤダイオード１０５は、より小さいＨＢＭレベルのＥＳＤ電流をグランドに流すことができる。ＥＳＤダイオード１０６は、別個のＩＣ上のディスクリート又は外部高レベルＥＳＤ保護コンポーネントであり得るが、ＥＳＤダイオード１０５は、単一のＩＣ上にあり得るＤＵＰ１０４に統合された半導体コンポーネントであり得る。ＤＵＰ１０４の一部として、ＥＳＤダイオード１０５は、ＨＢＭレベルのＥＳＤ事象からＤＵＰ１０４を保護することしかできない場合がある。したがって、ＥＳＤダイオード１０６は、１５ｋＶ又は３０ｋＶもの高さの過渡電圧に耐えて散逸するように設計された、より強力又はより堅牢なＥＳＤコンポーネントであり得る。一方、ＥＳＤダイオード１０５は、約２ｋＶのＨＢＭレベルの過渡電圧に耐えて放散するようにＤＵＰｌ０４の一部として設計された、それほど堅牢ではないＥＳＤコンポーネントであってもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤダイオード１０５は、２ｋＶからｌ０ｋＶまでの範囲の過渡電圧に耐えることができる。他の実施形態では、各ＥＳＤコンポーネントは、より高い又はより低い過渡電圧を放散することができる。様々な実施形態において、ＥＳＤダイオード１０５の動的オン抵抗Ｒｄｙｎは、ＥＳＤダイオード１０６のオン抵抗よりも大きい。特定の実施形態では、ＥＳＤダイオード１０６の動的オン抵抗Ｒｄｙｎは１００及び５００ｍΩであり、ＥＳＤダイオード１０５の動的オン抵抗Ｒｄｙｎは１と５Ωの間である。別の特定の例では、ＥＳＤダイオード１０６の動的オン抵抗Ｒｄｙｎは１．５Ωまでの範囲であり得るが、ＥＳＤダイオード１０５の動的オン抵抗ＲｄＹｎは１．５より大きく５Ωより小さい。あるいは、ＥＳＤダイオード１０５及び１０６の動的オン抵抗Ｒｄｙｎは、これらの範囲外であってもよい。」 イ 「[0041]FIGS. 4a, 4b, 4c, and 4d illustrate schematics of various embodiment ESD devices 110 as described in reference to FIG. 3. According to various embodiments, any of the ESD devices shown in FIG. 4a, 4b, 4c, or 4d may be included in ESD protection circuit 102. ESD device 110 may include a Zener diode, such as a TVS diode, as shown in FIG. 4a, ESD device 110 may include series connected opposing Zener diodes as shown in FIG. 4b, ESD device 110 may include a parallel diode structure as shown in FIG. 4c, or ESD device 110 may include a thyristor as shown in FIG. 4d. The parallel structure shown in FIG. 4c may include a first diode with a first orientation coupled in parallel with a second diode with a second orientation, opposite the first orientation. The second diode may also be coupled with a series connected opposing Zener diode. In various embodiments, the various ESD devices 110 may include bi-directional structures of two ESD devices each, with one ESD device coupled in each direction. In alternative embodiments, further combinations are also envisioned. The various blocking diodes may also be formed as 2 terminal or 3 terminal thyristors in various embodiments. In other embodiments, MOS transistors may be used as fast switching ESD devices in place of the blocking diodes described herein.」 （当審訳： [0041]図４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、図３を参照して説明したさまざまな実施形態のＥＳＤデバイス１１０の概略図を示す。様々な実施形態によれば、図４ａ、４ｂ、４ｃ又は４ｄに示されるＥＳＤデバイスのいずれもＥＳＤ保護回路１０２に含まれてもよい。ＥＳＤ装置１１０は、図４ａに示すように、ＴＶＳダイオードなどのツェナーダイオードを含むことができる。ＥＳＤ装置１１０は、図４ｂに示すように、直列接続された対向するツェナーダイオードを含むことができる。ＥＳＤデバイス１１０は、図４ｃに示されるように並列ダイオード構造を含んでもよい。またはＥＳＤデバイス１１０は、図４ｄに示されるようにサイリスタを含んでもよい。図４ｃに示される並列構造は、第１の配向を有する第１のダイオードと、第１の配向とは反対の第２の配向を有する第２のダイオードとを並列に結合することができる。第２のダイオードは、直列接続された対向するツェナーダイオードと結合されてもよい。様々な実施形態において、様々なＥＳＤ装置１１０は、各方向に１つのＥＳＤ装置が結合された、それぞれ２つのＥＳＤ装置の双方向構造を含み得る。代替実施形態では、さらなる組み合わせも想定される。さまざまなブロッキングダイオードは、さまざまな実施形態において、２端子又は３端子サイリスタとして形成されてもよい。他の実施形態では、本明細書で説明するブロッキングダイオードの代わりに、ＭＯＳトランジスタを高速スィッチングＥＳＤデバイスとして使用することができる。」 ウ 「図４ ［図：0001415282000006.jpg］ 」 ５ 甲第５号証 （１）甲５に記載された事項 甲５には次の事項が記載されている。 ア 「【００２８】 インバータ１のＵ相とＶ相の出力点に分圧抵抗（Ｒ２）２２，（Ｒ３）２３を直列に接続して分圧するようにしてある。同接続点と抵抗（Ｒ３）２３の他方とに並列に、ＲＣフィルタを構成する抵抗（Ｒ１）２４、コンデンサ（Ｃ１）２５が接続されている。コンデンサ２５の両端には、逆直列に接続した２つのツェナーダイオード（ＴＤ１）２６，（ＴＤ２）２７が接続されている。この２つのツェナーダイオード２６，２７の両端の電圧は、絶縁アンプ２８の入力端に接続されている。絶縁アンプ２８の出力は、ＡＤ変換器６－１の入力となるように接続されている。」 イ 「【００４４】 本実施の形態はまた、電圧検出器４内に、抵抗（Ｒ１）２４、コンデンサ（Ｃ１）２５によるＲＣフィルタの出力電圧をリミットするツェナーダイオード２６，２７を備えている。ＲＣフィルタのコンデンサ２５の電圧がツェナーダイオードのクランプ電圧を超える場合、この電圧にリミットする。」 ６ 甲第６号証 （１）甲６に記載された事項 甲６には次の事項が記載されている。 ア 「[0042] 実施の形態３． 図１２は、本発明の実施の形態３における増幅回路６３を示す回路図である。本実施の形態３は、増幅回路６３がアバランシェダイオード対６３６を有している点で、実施の形態１と相違する。本実施の形態３では、実施の形態１と同一の部分は同一の符号を付して説明を省略し、実施の形態１との相違点を中心に説明する。 [0043] 本実施の形態３は、雷等のサージ電圧が印加された場合の対策が施された電力変換装置２について例示している。第１の交流電力の電線に雷等の大きなサージ電圧が重畳された場合、電流注入回路６４が交流電力と絶縁されているものの、増幅回路６３に大きな電圧が印加される。通例、サージ電圧対策として、大抵抗値を有する抵抗、大静電容量を有するコンデンサ、又はバリスタ等が使用される。しかし、増幅回路６３は、高周波数成分を有するコモンモードノイズ電流を取り扱うため、大抵抗値を有する抵抗及び大静電容量を有するコンデンサを採用することは困難である。また、バリスタでは、効果が発揮されるまでに多大な時間を要する。 [0044] そこで、本実施の形態３では、図１２に示すように、増幅回路６３が、増幅回路６３から出力される電流が流れる電線と共通電位５１４との間に設けられ、互いに逆方向に接続されたアバランシェダイオード対６３６を有している。ここで、アバランシェダイオード対６３６の数は、サージ電圧を共通電位５１４に回避させる電流量に基づいて決定される。 [0045] このように、本実施の形態３は、サージ電圧対策が施されているため、実施の形態１及び実施の形態２の効果に加えて、コモンモードノイズ電流対策とサージ電圧対策とを両立するという効果を得ることができる。なお、本実施の形態３は、アバランシェダイオード対５３６の代わりに、ツェナーダイオード対を用いても、同様の効果を奏する。」 イ 「図５ ［図：0001415282000007.jpg］ 」 ウ 「図１２ ［図：0001415282000008.jpg］ 」 ７ 甲第７号証 （１）甲７に記載された事項 甲７には次の事項が記載されている。 ア 「[0035] FIG. 4 illustrates a transient signal protection configuration 400 that includes an active clamp circuit 414 for providing protection for an audio codec chip 410 that may include a pair of HPH PA channels, one for each channel in a stereo configuration. However, only one HPH PA, an HPH PA 412, is shown to avoid complicating the discussion. The HPH PA 412 is coupled to an audio codec chip output node 420 of the audio codec chip 410. Support circuitry outside of the audio codec chip 410 that is inline between an HPH port and the audio codec chip 410 includes a resistor 422 and a TVS diode 424.」 （当審訳： [0035]図４は、ステレオ構成における各チャネルに１つずつ、一対のＨＰＨＰＡチャネルを含み得るオーディオコーデックチップ４１０を保護するためのアクティブクランプ回路４１４を含む過渡信号保護構成４００を示す。ただし、説明が複雑になるのを避けるために、ＨＰＨＰＡ４１２という１つのＨＰＨＰＡだけが示されている。ＨＰＨＰＡ４１２は、オーディオコーデックチップ４１０のオーディオコーデックチップ出カノード４２０に結合される。ＨＰＨポートとオーディオコーデックチップ４１０との間にインラインであるオーディオコーデックチップ４１０の外部のサポート回路は、抵抗器４２２およびＴＶＳダイオード４２４を含む。） イ 「図４ ［図：0001415282000009.jpg］ 」 ８ 甲第８号証 （１）甲８に記載された事項 甲８には次の事項が記載されている。 ア 「 ［図：0001415282000010.jpg］ 」（４ページ３～６行） （当審訳： この用途では、TVSトランジスタ202のクランプ電圧は、接続ポートに伝送されるデータ信号の最大電圧よりも大きい。TVSトランジスタ202両端の電圧がクランプ電圧よりも大きいときは、TVSトランジスタ202のインピーダンスが瞬時に低くなり、その結果TVSトランジスタ202は導通状態になる。TVSトランジスタ202両端の電圧がクランプ電圧よりも小さいときは、TVSトランジスタ202のインピーダンスが瞬時に高くなり、その結果TVSトランジスタ202は非導通状態になる。） イ 「 ［図：0001415282000011.jpg］ 」（４ページ８～１７行） （当審訳： 実際の適用工程では、複数のシナリオ、例えば、保護される装置が別の装置に接続されるシナリオ、または保護される回路と別の装置との間でデータ信号の伝送が開始されるシナリオでは、保護される装置内で比較的強いサージが生成される場合がある。保護される装置内で比較的強いサージが生成されると、サージはまずコンデンサ201を通過し、コンデンサ201は、サージのエネルギーを削減するために、サージの直流部をフィルタで除去することができる。コンデンサ201がサージの直流部をフィルタで除去した後も、サージはまだ比較的強いエネルギーを有する。結果として、TVSトランジスタ両端のサージが原因で生じた電圧は、TVSトランジスタ202のクランプ電圧よりも大きくなる。したがって、TVSトランジスタ202のインピーダンスが瞬時に極めて低くなり、その結果、TVSトランジスタ202は導通状態になる。TVSトランジスタ202は、インターフェースチップに並列に接続され、TVSトランジスタ202のインピーダンスは極めて低い。したがって、サージはインターフェースチップには流れずに、TVSトランジスタ202に流れる。サージがTVSトランジスタに流れると、サージはTVSトランジスタ202を通過した後に接地されるので、サージのエネルギーの大部分が接地される。この場合、TVSトランジスタ202は、TVSトランジスタ202両端の電圧を比較的低電圧に制限する。インターフェースチップは、TVSトランジスタ202に並列に接続される。したがって、インターフェースチップ両端の電圧は、TVSトランジスタ両端の電圧と等しい。） ウ 「図１ ［図：0001415282000012.jpg］ 」 エ 「図２ ［図：0001415282000013.jpg］ 」 ９ 甲第９号証 （１）甲９に記載された事項 甲９には次の事項が記載されている。 ア 「【０００３】 図５は一般的なインバータ制御装置の概略図を示しており、直流電源１はインバータ回路２へ直流電圧を供給し、トランジスタＴｒ１～Ｔｒ６と逆並列接続されたダイオードｄ１～ｄ６で構成されるインバータ回路２では、直流電圧をＰＷＭ制御によって交流に変換し、三相交流モータ３を運転する。インバータ回路２のトランジスタを駆動するＰＷＭ制御方式については、一般的なものであり、その説明および図５における駆動回路部分を省略する。 【０００４】 直流を交流に変換する際のＰＷＭ出力電圧パルスにおける急峻な変化は、図５に示すモータケーブルの対地間浮遊容量Ｃ0やモータコイルの対フレーム間浮遊容量Ｃmを介して流れるコモンモード電流となり、モータに設置されたセンサ類の誤動作、インバータ制御装置自身の誤動作といった弊害を発生させている。このコモンモード電流は、インバータの出力側の電位が対地間で変動するコモンモード電圧によって発生する。」 イ 「【００１１】 コモンモード電流を低減する手段として、各種フィルタが実用化されており、種類としてはＬＣＲなどの受動素子を用いたパッシブ方式と半導体素子を用いたアクティブ方式がある。」 ウ 「【００１４】 図９を用いて第二の従来例を説明する。図９は、電流形のアクティブ方式と呼ばれるものである。直流電源１のＰ側とＮ側ラインをクランプするように設置された電流センサ５は、Ｐ側電流とＮ側電流の不平衡電流、つまり、ケーブルやモータの浮遊容量を介して流れるコモンモード電流Ｉg1を検出する。直流ラインのＰ側とＮ側に接続されたプッシュプル型トランジスタ回路４は、コンデンサ６を介してモータフレームに接続される。なお、コンデンサ６は、直流成分をカットするために接続されている。電流センサ５で検出されたコモンモード電流は、トランジスタ回路４で増幅され、コンデンサを介して逆極性の電流Ｉg2をモータフレームに注入することで、Ｉg1＋Ｉg2＝0となりコモンモード電流をキャンセルしている。」 エ 「図５ ［図：0001415282000014.jpg］ 」 オ 「図９ ［図：0001415282000015.jpg］ 」 第６ 取消理由通知の概要 訂正前特許請求の範囲の請求項１～５に対して、当審が通知した、令和５年１２月１５日付けの取消理由通知（以下、「取消理由通知」という。）の要旨は、次のとおりである。 １ 本件特許は、明細書又は特許請求の範囲の記載が下記（１）～（３）の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号、第６項第１号及び第６項第２項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（以下、「取消理由１」という。） （１）特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について（取消理由１－１） 請求項１には、「前記ＴＶＳダイオード素子の接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）は、数百ｐＦ以下」（以下、「引用記載１」という。）と特定されているが、願書に添付した明細書及び図面には、引用記載１のうち、「ＴＶＳダイオード素子の接合容量」がどれくらいの範囲のものであれば、引用記載１に含まれるかについての記載が無く、引用記載１を含む本件特許発明１及び本件特許発明１を引用する本件特許発明２～５を、当業者が容易にその実施をすることができる程度の記載が無い。 以下、この取消理由を「取消理由１－１」という。 （２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について（取消理由１－２） 請求項１には、上記引用記載１が特定されているところ、願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、ＴＶＳダイオードの接合容量を数百ｐＦ以下どれほどの容量であれば、増幅部１３０Ａの性能減少を最小限に抑えることができるのかについての記載は無く、したがって、本件特許発明１及び本件特許発明１を引用する本件特許発明２～５は、願書に添付された明細書の発明の詳細な説明に記載されたものとはいえない。 以下、この取消理由を「取消理由１－２」という。 （３）特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について（取消理由１－３） 請求項１には、上記引用記載１が特定されているところ、ＴＶＳダイオードの接合容量が数百ｐＦ以下どの範囲（何ｐＦまで）を意味するものか不明確であり、引用記載１を含む本件特許発明１、及び本件特許発明１を引用する本件特許発明２～５は、不明確である。 以下、この取消理由を「取消理由１－３」という。 ２ 本件特許発明１は、甲１に記載された発明及び甲３～甲７に記載された発明に基づいて、本件特許発明２及び４は、甲１に記載された発明及び甲３～甲８に記載された発明に基づいて、本件特許発明３は、甲１に記載された発明及び甲３～甲９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。よって、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定により、取り消されるべきものである。（以下、「取消理由２」という。） 第７ 当審の判断 １ 取消理由通知に記載した取消理由１について （１）特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について（取消理由１－１） 特許法第３６条第４項第１号は、発明の詳細な説明の記載は、発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他の当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでなければならないことを規定するものであり、同号の要件を充足するためには、明細書の発明の詳細な説明に、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その発明を実施することができる程度に発明の構成等の記載があることを要する。 以下、この観点に立ち検討する。 ア 発明の詳細な説明の記載について 本件特許明細書等の発明の詳細な説明には、「前記ＴＶＳダイオード素子の接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）」について、段落【０２０９】に、「第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａは、例えば、ＴＶＳダイオード素子を含んでもよい。このとき、ＴＶＳダイオード素子による増幅部１３０Ａの性能減少を最小限に抑えるため、十分に低い（例えば、指定された値以下の）ダイオード接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を有するＴＶＳダイオード素子が使用されてもよい。例えば、ＴＶＳダイオードの接合容量は、数百ｐＦ以下であってもよい。第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２ＡのＴＶＳダイオードが低い接合容量を有しても、絶縁式構造により、その耐久性が確保され得る。」と記載されるとともに、同段落【０２０７】に、「例えば、雷サージなどの外部過電圧Ｓは、大電流経路１１１Ａ及び１１２Ａのうちの少なくとも１つに発生することがある。例えば、図１８のように、第２の大電流経路１１２Ａに外部過電圧Ｓが発生した場合、これは、第１の送信経路Ｐ１又は第２の送信経路Ｐ２を通して磁気エネルギーの形態で増幅部１３０Ａに送信されてもよい。第１の送信経路Ｐ１は、検出変圧器１２０Ａを通じた経路であり、第２の送信経路Ｐ２は、補償変圧器１４０Ａを通じた経路を示す。増幅部１３０Ａの能動素子は、外部の妨害を受けやすいため、保護装置が必要である。」と記載され、段落【０２０９】に記載された、「絶縁式構造」とは、この「検出変圧器１２０Ａ」及び「補償変圧器１４０Ａ」を介した構造を指すものと理解される。 イ 特許権者による意見書の釈明について そして、特許権者は、訂正請求書と同時に提出した意見書において、訂正前の請求項１について訂正事項１による訂正を行ったことにより、「補償変圧器」が設けられることで、その絶縁構造及び磁気飽和現象により、非常に大きい外部過電圧が発生しても、増幅部側には限られたサイズのエネルギーしか送信されず、したがって、補償変圧器の１次側に並列に接続される第２の外乱保護部として用いられる、ＴＶＳダイオード素子は、十分に低い接合容量とすることが出来る旨、検出変圧器の２次側に並列に接続される第１の外乱保護部として用いられる、ＴＶＳダイオード素子も、十分に低い接合容量とすることが出来る旨の主張を行うと共に、「数百ｐＦ以下」との記載は、「数百ｐＦ以下であり０より大きい」ものを含むものであることを釈明した。 ウ むすび 上記本件特許明細書等の説明、及び、意見書における特許権者の釈明により、「接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）」が「数百ｐＦ以下」であるとされる「ＴＶＳダイオード素子」を選択するにあたり、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要するほどに、発明の詳細な説明の記載の欠缺が認められるとまではいうことができない。 したがって、取消理由１－１に関する取消理由は解消した。 （２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について（取消理由１－２） 特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 以下、この観点に立ち検討する。 ア 本件特許明細書等の記載について 本件特許明細書の段落【００２６】、【００３７】～【００３８】及び【０２０３】～【０２１２】、並びに図１及び１８には、次の事項が記載されている。 （ア）「【００２６】 図１は、本発明の一実施例に係るアクティブ補償装置１００を含むシステムの構成を概略的に示す。アクティブ補償装置１００は、第１の装置３００から２つ以上の大電流経路１１１及び１１２を通して共通モード（ＣＭ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ））で入力される第１の電流Ｉ１１及びＩ１２（例えば、ＥＭＩノイズ電流）を能動的に補償してもよい。 …中略… 【００３７】 補償部１６０は、増幅部１３０によって増幅された出力信号に基づいて補償電流を生成してもよい。補償部１６０の出力側は、大電流経路１１１及び１１２に補償電流ＩＣ１及びＩＣ２を流すために大電流経路１１１及び１１２と接続されてもよいが、増幅部１３０とは絶縁され得る。例えば、補償部１６０は、上記の絶縁のために補償変圧器を含んでもよい。例えば、上記の補償変圧器の１次側には、増幅部１３０の出力信号が流れ、補償変圧器の２次側には、上記の出力信号に基づく補償電流が生成されてもよい。 【００３８】 補償部１６０は、第１の電流Ｉ１１及びＩ１２を相殺させるために、２つ以上の大電流経路１１１及び１１２のそれぞれを通して補償電流ＩＣ１及びＩＣ２を大電流経路１１１及び１１２に注入（ｉｎｊｅｃｔ）させたり、又は大電流経路１１１及び１１２から引き出したりしてもよい。一実施例によると、補償電流ＩＣ１及びＩＣ２は、第１の電流Ｉ１１及びＩ１２と同じ大きさを有しかつ位相は反対であってもよい。ただし、これに限定されない。 …中略… 【０２０３】 図１８は、本発明の一実施例に係る補償装置１０２Ａを概略的に示す。電流補償装置１０２Ａは、図２に示された補償装置１００Ａにおいて、外乱保護部１３の例として、第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａのみを加えたものであってもよい。補償装置１０２Ａは、上述した実施例に係る様々な補償装置又は増幅部の全てが適用され得る。第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａによる相異点を中心に説明する。 【０２０４】 図１８を参照すると、補償装置１０２Ａは、検出変圧器１２０Ａ、増幅部１３０Ａ、及び補償部１６０Ａ（例えば、補償変圧器１４０Ａ及び補償コンデンサ部１５０Ａ）に加え、第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａを含んでもよい。 【０２０５】 第１の外乱保護素子１１Ａ及び第２の外乱保護素子１２Ａは、前述した第１の外乱保護部１１及び第２の外乱保護部１２の一例であってもよい。 【０２０６】 第１の外乱保護素子１１Ａ及び第２の外乱保護素子１２Ａは、ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子を含んでもよい。ただし、これに限定されない。 【０２０７】 例えば、雷サージなどの外部過電圧Ｓは、大電流経路１１１Ａ及び１１２Ａのうちの少なくとも１つに発生することがある。例えば、図１８のように、第２の大電流経路１１２Ａに外部過電圧Ｓが発生した場合、これは、第１の送信経路Ｐ１又は第２の送信経路Ｐ２を通して磁気エネルギーの形態で増幅部１３０Ａに送信されてもよい。第１の送信経路Ｐ１は、検出変圧器１２０Ａを通じた経路であり、第２の送信経路Ｐ２は、補償変圧器１４０Ａを通じた経路を示す。増幅部１３０Ａの能動素子は、外部の妨害を受けやすいため、保護装置が必要である。 【０２０８】 第１の外乱保護素子１１Ａは、第１の送信経路Ｐ１に送信される過電圧から増幅部１３０Ａを保護するために、検出変圧器１２０Ａの２次側１２２Ａに並列に接続されてもよい。第２の外乱保護素子１２Ａは、第２の送信経路Ｐ２に送信される過電圧から増幅部１３０Ａを保護するために、補償変圧器１４０Ａの１次側１４１Ａに並列に接続されてもよい。 【０２０９】 第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａは、例えば、ＴＶＳダイオード素子を含んでもよい。このとき、ＴＶＳダイオード素子による増幅部１３０Ａの性能減少を最小限に抑えるため、十分に低い（例えば、指定された値以下の）ダイオード接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を有するＴＶＳダイオード素子が使用されてもよい。例えば、ＴＶＳダイオードの接合容量は、数百ｐＦ以下であってもよい。第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２ＡのＴＶＳダイオードが低い接合容量を有しても、絶縁式構造により、その耐久性が確保され得る。 【０２１０】 第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａ（例えば、ＴＶＳダイオード）は、降伏電圧（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）を有してもよい。例えば、第１の外乱保護素子１１Ａにかかる電圧が降伏電圧未満であるときに、第１の外乱保護素子１１Ａを通して電流が流れなくなってもよい。しかしながら、外部過電圧Ｓにより、第１の外乱保護素子１１Ａの両端に降伏電圧以上の電圧がかかると、第１の外乱保護素子１１Ａのインピーダンスが低くなり、第１の外乱保護素子１１Ａを通して電流が流れてもよい。第２の外乱保護素子１２Ａも、第１の外乱保護素子１１Ａと同様に動作してもよい。 【０２１１】 第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａは、増幅部１３０Ａの入力端及び出力端のうちの少なくとも１つの所定の臨界電圧（例えば、降伏電圧）以上の電圧が印加される場合、上記の所定の臨界電圧以上の電圧による電力の少なくとも一部を消費してもよい。上記の所定の臨界電圧以上の電圧による電力の残りの少なくとも一部は、残りの素子（例えば、増幅部１３０Ａに含まれる素子）によって消費されてもよい。 【０２１２】 一実施例によると、絶縁式構造、及び第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａの結合により、補償装置１０２Ａは、任意のシステムにおいて、独立的なモジュールとして使用され得る。」 （イ）「図１ ［図：0001415282000016.jpg］ 」 （ウ）「図１８ ［図：0001415282000017.jpg］ 」 上記（ア）～（ウ）の記載から、本件特許明細書等からは、次の事項を読み取ることができる。 「アクティブ補償装置は、第１の装置から２つ以上の大電流経路１１１及び１１２を通して共通モード（ＣＭ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ））で入力される第１の電流Ｉ１１及びＩ１２（例えば、ＥＭＩノイズ電流）を能動的に補償するものであって（【００２６】、図１）、 補償部は、増幅部によって増幅された出力信号に基づいて補償電流を生成し、補償部の出力側は、大電流経路１１１及び１１２に補償電流ＩＣ１及びＩＣ２を流すために大電流経路１１１及び１１２と接続され、増幅部とは絶縁され、補償部は、上記の絶縁のために補償変圧器を含み、補償変圧器の１次側には、増幅部の出力信号が流れ、補償変圧器の２次側には、上記の出力信号に基づく補償電流が生成され（【００３７】）、 補償部は、第１の電流Ｉ１１及びＩ１２を相殺させるために、２つ以上の大電流経路１１１及び１１２のそれぞれを通して補償電流ＩＣ１及びＩＣ２を大電流経路１１１及び１１２に注入（ｉｎｊｅｃｔ）させたり、又は大電流経路１１１及び１１２から引き出したりし（【００３８】）、 補償装置１０２Ａは、検出変圧器１２０Ａ、増幅部１３０Ａ、及び補償部１６０Ａに加え、第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａを含み（【０２０３】～【０２０４】、図１８）、 第１の外乱保護素子１１Ａ及び第２の外乱保護素子１２Ａは、ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子であって（【０２０６】）、 第１の外乱保護素子１１Ａは、第１の送信経路Ｐ１に送信される過電圧から増幅部１３０Ａを保護するために、検出変圧器１２０Ａの２次側１２２Ａに並列に接続され、第２の外乱保護素子１２Ａは、第２の送信経路Ｐ２に送信される過電圧から増幅部１３０Ａを保護するために、補償変圧器１４０Ａの１次側１４１Ａに並列に接続され（【０２０８】）、 ＴＶＳダイオード素子による増幅部１３０Ａの性能減少を最小限に抑えるため、十分に低い（例えば、指定された値以下の）ダイオード接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を有するＴＶＳダイオード素子が使用され、ＴＶＳダイオードの接合容量は、数百ｐＦ以下であり、第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２ＡのＴＶＳダイオードが低い接合容量を有しても、絶縁式構造により、その耐久性が確保される（【０２０９】）こと。」 イ 特許請求の範囲の記載について 本件特許の特許請求の範囲には、上記第３の１～５に示した事項が記載されている。 ウ 本件特許発明１の課題について 本件特許明細書の段落【０００１】～【０００７】を参照すると、本件特許は、アクティブ電流（及び／又は電圧）補償装置に関するものであり、２つの装置を接続する２つ以上の大電流経路上に共通モードで入力される電流及び／又は電圧を能動的に補償するアクティブ補償装置に関するものであって（【０００１】）、一般的に、家電用及び産業用の電気製品や電気自動車などの電気機器は、動作中にノイズを放射し、電子機器内における電力変換装置のスイッチング動作により、ノイズが電力線を通して放射され、これらのノイズを放置すると、人体に有害であることだけでなく、周辺の部品や他の電子機器に誤動作又は故障を引き起こし、電子機器が他の機器に与える電磁妨害を、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）と呼び、その中でも、ワイヤ及び基板の配線を経由して送信されるノイズを伝導性放射（ＣＥ（Ｃｏｎｄｕｃｔｅｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ））ノイズといい（【０００２】）、電子機器が周辺部品及び他の機器に故障を起こさずに動作するために、全ての電子製品では、ＥＭＩノイズの放射量を厳しく規制しているので、ほとんどの電子製品は、ノイズの放射量に対する規制を満たすために、ＥＭＩノイズ電流を低減させるノイズ低減装置（例えば、ＥＭＩフィルタ）を必ず含んでおり、エアコンなどの白物家電、電気自動車、航空宇宙、エネルギー貯蔵システム（ＥＳＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｓｙｓｔｅｍ））などでは、ＥＭＩフィルタを必ず含み、従来のＥＭＩフィルタは、伝導性放射（ＣＥ）ノイズの中での共通モード（ＣＭ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ））ノイズを低減させるために、受動フィルタである共通モードチョーク（ＣＭ ｃｈｏｋｅ）を使用する（【０００３】）一方で、ハイパワー製品のリリースに伴い、高出力システム用の電流／電圧補償装置に関するニーズ（ｎｅｅｄｓ）が増加しているところ、高出力／高電流システムで共通モード（ＣＭ）チョークは、磁気飽和現象により、ノイズの低減性能が急激に落ちるため、高出力／高電流システムで磁気飽和を防止し、ノイズ低減性能を維持するよう、従来は共通モードチョークのサイズを大きくしたり、個数を増やしたりする必要があるが、そのため、ハイパワー製品用電流補償装置の大きさ及び価格が非常に増加してしまう問題が発生することを背景とし（【０００４】）、上記のような問題を改善することを本件発明の課題とし、共通モード（ＣＭ）ノイズを低減させる補償装置を提供し（【０００５】）、検出部の大きさを減らし、生産性が向上された補償装置を提供し（【０００６】）、また、ＥＭＩノイズが放射される側の負荷の大きさに関わらず、ＥＭＩノイズが放射される側に補償電流を出力する補償装置を提供することを目的としたもの（【０００７】）であることを読み取ることができる。 また、本件特許明細書の段落【０１９７】及び【０２０７】を参照すると、補償装置１０２に外部から、雷や雷サージ（ｌｉｇｈｔｎｉｎｇ ｓｕｒｇｅ）などにより、数ｋＶのパルス電圧が大電流経路１１１及び１１２のうちの少なくとも１つに発生し、このような過電圧／過電流は、検出部１２０又は補償部１６０を通して増幅部１３０に送信されるところ、増幅部１３０は、様々な種類の能動素子を含むため、外部妨害に脆弱であり、過電圧／過電流により誤動作又は故障が発生する場合があり（【０１９７】）、雷サージなどの外部過電圧Ｓは、図１８のように、第２の大電流経路１１２Ａに外部過電圧Ｓが発生した場合、これは、第１の送信経路Ｐ１又は第２の送信経路Ｐ２を通して磁気エネルギーの形態で増幅部１３０Ａに送信され、第１の送信経路Ｐ１は、検出変圧器１２０Ａを通じた経路であり、第２の送信経路Ｐ２は、補償変圧器１４０Ａを通じた経路を示し、増幅部１３０Ａの能動素子は、外部の妨害を受けやすいため、保護装置が必要である（【０２０７】）ことを読み取ることができる。 したがって、本件特許発明１の課題は、上記のような問題、すなわち、伝導性放射（ＣＥ）ノイズの中での共通モード（ＣＭ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ））ノイズを低減させるためＥＭＩフィルタとして、受動フィルタである共通モードチョーク（ＣＭ ｃｈｏｋｅ）を使用する場合、高出力／高電流システムにおいて共通モード（ＣＭ）チョークは、磁気飽和現象により、ノイズの低減性能が急激に落ちてしまう。そのため、高出力／高電流システムで磁気飽和を防止し、ノイズ低減性能を維持するために、従来では共通モードチョークのサイズを大きくしたり、個数を増やしたりすることによって、ハイパワー製品用電流補償装置の大きさ及び価格が非常に増加してしまう問題を解決するとともに、雷や雷サージ（ｌｉｇｈｔｎｉｎｇ ｓｕｒｇｅ）などの過電圧／過電流から、増幅部を保護する点にあるものと認められる。 エ 課題解決手段について 上記ウに示した課題に対し、上記アの記載を参照すると、本件特許発明１では、概ね、構成要件１Ｅに特定される補償部を設けるとともに、構成要件１Ｆに特定される第１外乱保護部及び第２外乱保護部を備え、当該第１外乱保護部及び第２外乱保護部は、構成要件１Ｇ及び１Ｈに特定されるような接合容量を有するＴＶＳダイオードを用いたことによって当該課題を解決するものであることを理解することができる。 よって、本件特許発明１は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものといえる。 また、本件特許発明２～５は、本件特許発明１を直接又は間接的に引用するものであり、同様に、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものといえる。 オ むすび したがって、本件特許明細書等の特許請求の範囲に記載された発明は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であって、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえるから、本件特許発明１～５は、特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとはいえず、取消理由１－２に関する取消理由は解消した。 （３）特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について（取消理由１－３） 特許を受けようとする発明が明確であるか否かは、特許請求の範囲の記載だけではなく、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願当時における技術的常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきものである。 以下、この観点に立ち検討する。 ア 構成要件１Ｈについて 特許請求の範囲の請求項１に記載された、構成要件１Ｈは、構成要件１Ｆにおける「第１の外乱保護部」及び「第２の外乱保護部」が、構成要件１Ｇにおいて、「過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子を含」むものであることが特定され、当該「過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子」の「接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）」が「数百ｐＦ以下であ」ることを特定するものであって、そのこと自体は、当該「接合容量」の上限を定めるものであるから、必ずしも不明確とはいえない。 しかしながら、当該「接合容量」が０より大きいものであることは、本件特許出願時の技術常識からして自明といえるものの、「数百ｐＦ」がどの程度の大きさをいうものかは、特許請求の範囲の請求項１の記載のみからは必ずしも明確とはいえない。 イ 本件特許明細書等の記載について 本件特許明細書の段落【０２０４】～【０２０９】には、 「【０２０４】 図１８を参照すると、補償装置１０２Ａは、検出変圧器１２０Ａ、増幅部１３０Ａ、及び補償部１６０Ａ（例えば、補償変圧器１４０Ａ及び補償コンデンサ部１５０Ａ）に加え、第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａを含んでもよい。 【０２０５】 第１の外乱保護素子１１Ａ及び第２の外乱保護素子１２Ａは、前述した第１の外乱保護部１１及び第２の外乱保護部１２の一例であってもよい。 【０２０６】 第１の外乱保護素子１１Ａ及び第２の外乱保護素子１２Ａは、ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子を含んでもよい。ただし、これに限定されない。 【０２０７】 例えば、雷サージなどの外部過電圧Ｓは、大電流経路１１１Ａ及び１１２Ａのうちの少なくとも１つに発生することがある。例えば、図１８のように、第２の大電流経路１１２Ａに外部過電圧Ｓが発生した場合、これは、第１の送信経路Ｐ１又は第２の送信経路Ｐ２を通して磁気エネルギーの形態で増幅部１３０Ａに送信されてもよい。第１の送信経路Ｐ１は、検出変圧器１２０Ａを通じた経路であり、第２の送信経路Ｐ２は、補償変圧器１４０Ａを通じた経路を示す。増幅部１３０Ａの能動素子は、外部の妨害を受けやすいため、保護装置が必要である。 【０２０８】 第１の外乱保護素子１１Ａは、第１の送信経路Ｐ１に送信される過電圧から増幅部１３０Ａを保護するために、検出変圧器１２０Ａの２次側１２２Ａに並列に接続されてもよい。第２の外乱保護素子１２Ａは、第２の送信経路Ｐ２に送信される過電圧から増幅部１３０Ａを保護するために、補償変圧器１４０Ａの１次側１４１Ａに並列に接続されてもよい。 【０２０９】 第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２Ａは、例えば、ＴＶＳダイオード素子を含んでもよい。このとき、ＴＶＳダイオード素子による増幅部１３０Ａの性能減少を最小限に抑えるため、十分に低い（例えば、指定された値以下の）ダイオード接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を有するＴＶＳダイオード素子が使用されてもよい。例えば、ＴＶＳダイオードの接合容量は、数百ｐＦ以下であってもよい。第１及び第２の外乱保護素子１１Ａ及び１２ＡのＴＶＳダイオードが低い接合容量を有しても、絶縁式構造により、その耐久性が確保され得る。」 と記載され、検出変圧器１２０Ａの２次側１２２Ａに第１の外乱保護素子１１Ａ、補償変圧器１４０Ａの１次側１４１Ａに第２の外乱素子１２Ａがそれぞれ設けられ、第１の外乱保護素子１１Ａ及び第２の外乱素子１２Ａは、例えば、数百ｐＦ以下の接合容量を有するＴＶＳダイオード素子であることが記載されている。 ウ 特許権者による意見書の釈明について その一方、特許権者は、構成要件１Ｈの定める、「前記ＴＶＳダイオード素子の接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）」が「数百ｐＦ以下であ」る点につき、「通常に流通されるＴＶＳダイオード素子であって、接合容量が数百ｐＦ以下であり０より大きいものであれば、適用することが出来」る旨を主張している。 また、「ＴＶＳダイオード素子の接合容量が数百ｐＦ以下であり０より大きい、十分に低い接合容量のものが適用可能な理由は、大電流経路（１１１、１１２）に接続された「補償変圧器（１４０）」によるもので」あり、「大電流経路に接続された２次側１４２と、２次側と「絶縁」された１次側１４１とを含む補償変圧器１４０が設けられることで、大電流経路１１１、１１２から流入するサージパルスは、補償変圧器１４０の絶縁により極めて一部の時間に応じたエネルギーのみが増幅部１３０側に伝達され、その伝達されたエネルギーは補償変圧器１４０の巻線比分だけ電圧降下が発生するため、その結果、非常に小さいサイズのエネルギーであり、また低い電圧のみが増幅部１３０側に伝達」され、「外乱保護部（過渡電圧サプレッサ）としてのＴＶＳダイオード素子（１２Ａ）を補償変圧器の１次側に並列に接続することを考える場合、外乱保護部は、雷サージなどの外部過電圧が発生した際のためのものであり、通常時は通電させないものであ」るから、「当業者であれば、ＴＶＳダイオード素子の接合容量が「数百ｐＦ以下で０より大きい」十分に低いものを選択」することができる旨主張している。 エ むすび 以上、ア～ウの記載及び釈明によれば、「接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）」が「数百ｐＦ以下であ」る「過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子」とは、通常に流通されるものであって、検出変圧器及び補償変圧器の間に配置される増幅部を、大電流経路から流入するサージパルスから保護する程度の接合容量のものを用いることを把握することができるといえるから、本件特許明細書等の特許請求の範囲に記載された発明は、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願当時における技術的常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえず、取消理由１－３に関する取消理由は解消した。 ２ 取消理由通知に記載した取消理由２について （１）本件特許発明１について 本件訂正請求により訂正された本件特許発明１は、上記第３の１に示したとおりのものである。 ア 甲第１号証の記載事項及び甲１発明 取消理由通知において引用した甲１の記載事項及び甲１発明は、上記第５の１に示したとおりである。 イ 対比 本件特許発明１と甲１発明（第５の１（２）参照。）とを対比する。 （ア）構成要件１Ａについて 甲１発明の「電力変換装置」は、「ノイズフィルタ部１と、整流平滑回路部２と、電力変換回路部３と、ノイズ低減回路部４と、を備え」るとともに、当該「電力変換回路部３」は、「所定の直流電力を所定の電圧の直流電力に変換し、直流電圧を負荷Ｒ０に供給」するものであるところ、「整流平滑回路部２」、「電力変換回路部３」及び「負荷Ｒ０」は、「交流電源５の一対の電源線であるラインＥ１とＥ２」に接続された装置といえるから、本件特許発明１の「第１の装置」に相当するものといえ、したがって甲１発明の「交流電源５の一対の電源線であるラインＥ１とＥ２」は、本件特許発明１の「第１の装置に接続される少なくとも２つ以上の大電流経路」に相当する。 甲１発明の「電力変換装置」は、「ノイズを低減するための回路部であ」る「ノイズ低減回路部４」を備え、「漏れ電流に対応する補償電流Ｉr」を、「接地ラインに供給」して、ノイズを低減するものであるとともに、「コモンモードノイズを低減させるためのコンデンサであ」る「コンデンサＣ３、Ｃ４」が「ラインＥ２、Ｅ１と接地ラインとの間にそれぞれ接続され」て、当該ノイズを低減するものである。 甲１発明において「コモンモードノイズを低減」することは、構成要件１Ａの「共通モード（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ）で入力される第１の電流を能動的に補償する」ことにほかならず、甲１発明の「電力変換装置」は、そのような補償を行う“アクティブ補償装置”であるともいえるから、甲１発明は、本件特許発明１の構成要件１Ａの「第１の装置に接続される少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに、共通モード（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ）で入力される第１の電流を能動的に補償するアクティブ補償装置」に相当する構成を有するものといえる。 （イ）構成要件１Ｂについて 甲１発明の「交流電源５」及び「交流電源５の一対の電源線であるラインＥ１とＥ２」は、それぞれ本件特許発明１の「第２の装置」及び「第２の装置によって供給される第２の電流を前記第１の装置に送信する少なくとも２つ以上の大電流経路」に相当するから、甲１発明は、上記（ア）の認定を踏まえれば、本件特許発明１の構成要件１Ｂの「第２の装置によって供給される第２の電流を前記第１の装置に送信する少なくとも２つ以上の大電流経路」に相当する構成を有するものといえる。 （ウ）構成要件１Ｃについて 甲１発明の「零相変流器２１」は、構成要件１Ｃの「検出変圧器」に相当する。 甲１発明の「零相変流器２１」の「円筒形状を有する磁芯１００ａを備え、この磁芯１００ａの孔に、ラインＥ１、Ｅ２を、２次巻線ｎ２１とともに貫通させることによって構成され、ラインＥ１、Ｅ２は、１次巻線ｎ１１に対応」するところ、当該「ラインＥ１、Ｅ２」に対応する「１次巻線ｎ１１」が接続される側は、構成要件１Ｃの「前記大電流経路上に配置される検出変圧器の１次側」に相当する。 また、甲１発明の「２次巻線ｎ２１」が接続される側は、上記認定を踏まえれば、「前記検出変圧器の１次側を流れる前記第１の電流を感知して前記第１の電流に対応する出力信号を生成する検出変圧器の２次側」に相当する。 したがって、甲１発明は、本件特許発明１の構成要件１Ｃの「前記大電流経路上に配置される検出変圧器の１次側と、前記検出変圧器の１次側を流れる前記第１の電流を感知して前記第１の電流に対応する出力信号を生成する検出変圧器の２次側とを含む検出変圧器」に相当する構成を有するものといえる。 （エ）構成要件１Ｄについて 甲１発明の「零相変流器２１の２次巻線ｎ２１で発生した誘起電流Ｉ2」は、上記（ウ）の認定を踏まえると、構成要件１Ｄの「前記検出変圧器の出力信号」に相当する。 甲１発明の「増幅回路２２」は、「零相変流器２１の２次巻線ｎ２１で発生した誘起電流Ｉ2を増幅するものであ」ることから、構成要件１Ｄのうち、「前記検出変圧器の出力信号を増幅」するとの構成と一致する。 また、甲１発明の「増幅回路２２」は、「漏れ電流Ｉs1を補償電流Ｉrで相殺するために増幅率が１となるように」構成されるところ、当該「補償電流Ｉr」は、構成要件１Ｄの「増幅電流」に相当するものといえ、したがって、甲１発明は、本件特許発明１の構成要件１Ｄの「前記検出変圧器の出力信号を増幅し、増幅電流を生成する増幅部」に相当する構成を有するものといえる。 （オ）構成要件１Ｅについて 甲１発明の「ノイズフィルタ部１」に備えられる、「コンデンサＣ３、Ｃ４」は、「コモンモードノイズを低減させるためのコンデンサであり、ラインＥ２、Ｅ１と接地ラインとの間にそれぞれ接続され」るところ、当該「コモンモードノイズ」とは、本件特許発明１の「補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す補償部」によって、「共通モード（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ）で入力される第１の電流を能動的に補償」されるノイズであるといえる。 甲１発明の「補償電流Ｉr」は、「漏れ電流Ｉs1」を「相殺する」ものであるから、構成要件１Ｅの「補償電流」と同等のものといえ、上記（エ）の認定を踏まえると、増幅電流に基づいて補償電流が生成されているといえる。 そして、当該補償電流は、甲１発明においては、「接地ラインに、漏れ電流を相殺する方向に供給」されるところ、これは、「ラインＥ１、Ｅ２間でノイズが発生する」ことによって、「各ライン間で電流の不平衡が生じ」る結果、「接地ライン」に流れる「漏れ電流」を相殺するものであるところ、これは、「ラインＥ１、Ｅ２間でノイズが発生する」ことによって、「各ライン間で電流の不平衡が生じ」る結果、「接地ライン」に流れる「漏れ電流」を相殺するものであることから、上記（イ）の「ラインＥ１、Ｅ２」の認定も踏まえれば、構成要件１Ｅのうち、「前記補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す」との構成を有しているといえる。 一方で、甲１発明の「零相変流器２１と、増幅回路２２と、を備え」る、「ノイズ低減回路部４」は、「ノイズを低減するための回路部」ではあるものの、構成要件１Ｅの、「補償変圧器の１次側と、前記補償変圧器の１次側と絶縁され前記大電流経路に接続される補償変圧器の２次側とを含む補償変圧器を備え」るものとはいえない。 してみれば、甲１発明は、本件特許発明１の構成要件１Ｅの「補償変圧器の１次側と、前記補償変圧器の１次側と絶縁され前記大電流経路に接続される補償変圧器の２次側とを含む補償変圧器を備え、前記増幅部と接続され前記補償変圧器の１次側を流れる前記増幅電流に基づいて補償電流を前記補償変圧器の２次側に誘導し、前記補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す補償部」に対し、下記の点（相違点１）で相違するものの、“前記増幅電流に基づいて補償電流を生成し、前記補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す補償部”点で一致するといえる。 （カ）構成要件１Ｆ～１Ｈについて 甲１発明は、構成要件１Ｆ～１Ｈに係る構成を有するものとはいえない。（相違点２） （キ）構成要件１Ｉについて 甲１発明の「零相変流器２１」は、「円筒形状を有する磁芯１００ａを備え、この磁芯１００ａの孔に、ラインＥ１、Ｅ２を、２次巻線ｎ２１とともに貫通させることによって構成され、ラインＥ１、Ｅ２は、１次巻線ｎ１１に対応し、１次巻線ｎ１１、２次巻線ｎ２１は、ともに巻数１」であり、当該「磁芯１００ａの孔」は、構成要件１Ｉの「コアの中央ホール」に相当し、「１次巻線ｎ１１に対応」する「ラインＥ１、Ｅ２」及び「２次巻線ｎ２１」はそれぞれ構成要件１Ｉの「前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記検出変圧器の２次側の電流経路」に相当するといえる。 そして、「円筒形状を有する磁芯１００ａを備え、この磁芯１００ａの孔に、ラインＥ１、Ｅ２を、２次巻線ｎ２１とともに貫通させる」こと、及び「１次巻線ｎ１１、２次巻線ｎ２１は、ともに巻数１」であることから、甲１発明は、構成要件１Ｉの「前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記検出変圧器の２次側の電流経路のそれぞれは、コアの中央ホールを１回だけ通過」するとの構成を有するといえ、したがって、上記（ア）の認定を踏まえると、甲１発明は、本件特許発明１の構成要件１Ｉの「前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記検出変圧器の前記２次側の電流経路のそれぞれは、コアの中央ホールを１回だけ通過し又は前記コアに１回だけ巻き取られるアクティブ補償装置」との構成を有するものといえる。 （ク）一致点及び相違点 以上、（ア）～（キ）の対比から、本件特許発明１と甲１発明とは、次の一致点及び相違点を有する。 〈一致点〉 １Ａ 第１の装置に接続される少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに、共通モード（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ）で入力される第１の電流を能動的に補償するアクティブ補償装置であって、 １Ｂ 第２の装置によって供給される第２の電流を前記第１の装置に送信する少なくとも２つ以上の大電流経路と、 １Ｃ 前記大電流経路上に配置される検出変圧器の１次側と、前記検出変圧器の１次側を流れる前記第１の電流を感知して前記第１の電流に対応する出力信号を生成する検出変圧器の２次側とを含む検出変圧器と、 １Ｄ 前記検出変圧器の出力信号を増幅し、増幅電流を生成する増幅部と、を備え、 １Ｅ’前記増幅電流に基づいて補償電流を生成し、前記補償電流を前記少なくとも２つ以上の大電流経路のそれぞれに流す補償部と、 １Ｉ 前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記検出変圧器の前記２次側の電流経路のそれぞれは、コアの中央ホールを１回だけ通過し又は前記コアに１回だけ巻き取られるアクティブ補償装置。 〈相違点１〉 本件特許発明１が、「補償変圧器の１次側と、前記補償変圧器の１次側と絶縁され前記大電流経路に接続される補償変圧器の２次側とを含む補償変圧器を備え」るとともに、「補償電流」が、「前記増幅部と接続され前記補償変圧器の１次側を流れる前記増幅電流に基づ」くものであるのに対し、甲１発明は、「零相変流器２１と、増幅回路２２と、を備え」る「ノイズ低減回路部４」は、「ノイズを低減するための回路部」ではあるものの、「補償変圧器」を備える「補償部」を備えるものとはいえない点。 〈相違点２〉 本件特許発明１が、「前記出力信号を生成する前記検出変圧器の前記２次側に並列に接続される第１の外乱保護部、及び前記補償変圧器の前記１次側に並列に接続される第２の外乱保護部と、を備え」（構成要件１Ｆ）るとともに、「前記第１の外乱保護部及び前記第２の外乱保護部は、過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）ダイオード素子を含み、」（構成要件１Ｇ）「前記ＴＶＳダイオード素子の接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）は、数百ｐＦ以下であ」（構成要件１Ｈ）るのに対し、甲１発明はそのような構成を備えるものではない点。 ウ 判断 事案に鑑み、先に相違点１につき検討する。 上記第５の３に示した甲３には、「コモンモードトランス９は、接地コンデンサ１４で検出される電圧Ｖ１とは極性が逆で大きさが等しい電圧Ｖ２を二次巻線に誘起し、この電圧Ｖ２によって電圧Ｖ１を打ち消すので、電源１側への漏れ電流Ｉ１，Ｉ２およびＩ３（伝導性ノイズ）を低減もしくはなくすことができること」が記載されており、当該「コモンモードトランス９」は、相違点１に係る、「補償変圧器」に相当するものといえる。 しかしながら、甲１発明の「ノイズを低減するための回路部」である「ノイズ低減回路部４」は、「トランジスタＱ１１、Ｑ１２のベースと接地ラインとの間に接続され」る、「コンデンサＣ８」によって、「補償電流を接地ラインに供給する」ものであるところ、甲１発明の「ノイズ低減回路部４」において、甲３に記載されたコモンモードトランス９を設ける動機付けが無く、また本件特許出願時において、上記相違点１に係る構成が周知技術であったとする証拠もない。 また、取消理由通知において引用した甲４～７にも、上記相違点１に係る構成は開示されていない。 よって、本件特許発明１は、上記甲１発明及び甲３～甲７に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 エ むすび したがって、本件特許発明１は、相違点２について判断するまでもなく、甲１及び甲３～甲７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、取消理由通知において示した取消理由１によって取り消すべきものとはいえない。 （２）本件特許発明２及び４について 上記訂正請求により訂正された本件特許発明２及び４は、上記第３の２及び４に示したとおりのものである。 ア 甲第１号証の記載事項及び甲１発明 取消理由通知において引用した引用例１（甲１）の記載事項及び甲１発明は、上記第５の１（１）及び（２）に示したとおりである。 イ 対比・判断 本件特許発明２及び４と甲１発明（第５の１（２）参照。）とを対比すると、本件特許発明２は、甲１発明に対して、少なくとも上記（１）イ（ク）に示した相違点１の点で相違し、当該事項は、本件特許出願時の周知技術ともいえない。 また、取消理由通知において引用した甲１及び甲３～甲８にも、相違点１に相当する構成は開示されていない。 よって、本件特許発明２及び４は、上記甲１発明及び甲３～甲８に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ むすび したがって、本件特許発明２及び４は、相違点２について判断するまでもなく、甲１及び甲３～甲８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、取消理由通知において示した取消理由１によって取り消すべきものとはいえない。 （３）本件特許発明３について 上記訂正請求により訂正された本件特許発明３は、上記第３の３に示したとおりのものである。 ア 甲第１号証の記載事項及び甲１発明 取消理由通知において引用した引用例１（甲１）の記載事項及び甲１発明は、上記第５の１（１）及び（２）に示したとおりである。 イ 対比・判断 本件特許発明３は、本件特許発明１を引用するものであり、少なくとも上記（１）イ（ク）に示した相違点１の点で、甲１発明とは異なるものである。 そして、上記（１）ウ及び（２）イに示したとおり、相違点１に係る構成は、甲１及び甲３～甲８のいずれにも記載が無く、また甲９にも記載されておらず、本件特許出願時の周知技術ともいえない。 ウ むすび したがって、本件特許発明３は、相違点２について判断するまでもなく、甲１及び甲３～甲９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、取消理由通知において示した取消理由１によって取り消すべきものとはいえない。 ３ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について 申立人が主張する、取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由についての当審の判断を以下に示す。 （１）申立理由１について 申立理由１は、甲１に記載された発明のほか、甲２に記載された発明、及び甲８及び９に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることを主張するものであるところ、上記２（１）～（３）に示したとおり、上記２（１）イ（ク）に示した相違点１について、甲２、８及び９のいずれにも記載されておらず、また、相違点１に係る構成が、出願時における周知技術であったことを示す証拠も無い。 したがって、申立人が主張する証拠及び理由によっては、本件特許発明１～４を取り消すことはできず、申立理由１については、理由が無い。 ４ 申立人意見書による主張について （１）申立人の主張 申立人は、申立人意見書において、概ね次の主張を行っている。 ア 「数百ｐＦ以下」の記載不備（主張１） 対象特許の請求項１の「数百ｐＦ以下」の下限値は特定されるものの、依然として「数百ｐＦ」の具体的な数値は明確でない。 また、当該ＴＶＳダイオードの接合容量をなるべく小さくするということは、当業者には周知の事項であるところ、当該ＴＶＳダイオードの接合容量が大きいと、波形が鈍ってしまうため、応答特性が悪化するという課題があるため、当該ＴＶＳダイオードの接合容量をなるべく小さく、具体的には数百ｐＦ以下にするということ自体が技術常識である。 ＴＶＳダイオードの接合容量を数百ｐＦ以下の具体的に何ｐＦにするのかは、ＴＶＳダイオードが接続される回路構成に基づいて当業者が適宜設計する事項である。 イ 巻き数比の記載不備（主張２） 訂正後の請求項１には「前記検出変圧器の前記１次側の電流経路及び前記検出変圧器の前記２次側の電流経路のそれぞれは、コアの中央ホールを１回だけ通過し又は前記コアに１回だけ巻き取られる」と記載されているところ、上記の巻数比として考えられる組み合わせは、一次側：二次側が１：１、１：２、２：１の３通りであるが、訂正後の請求項１には１：１の構成も含まれていて、補償変圧器の巻線比分だけ電圧降下が発生しないことから、「非常に小さい大きさのエネルギーのみが増幅部側に送信」されず、ＴＶＳダイオード素子は十分に低い接合容量とすることができない。 よって、本件の請求項１及びそれに従属する請求項２－５に係る特許発明は、当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できない部分を含んでいるため、サポート違反である。 ウ 変圧器の絶縁構造の記載不備（主張３） 変圧器で絶縁されていたとしても大きな電圧によって変圧器の絶縁構造は絶縁破壊が引き起こされる可能性があり、絶縁破壊が起こると、１次側と２次側が電気的に短絡して接続されるところ、「限られたサイズのエネルギーしか送信」される効果は奏さず、大きいエネルギーが送信されてしまう。 よって、本件の請求項１及びそれに従属する請求項２－５に係る特許発明は、当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できない部分を含んでいるため、サポート違反である。 また、明細書および訂正時意見書には変圧器の絶縁構造の具体的構成が開示されておらず、具体的にどの程度の絶縁構造にすればよいのか、当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。 （２）申立人主張についての当審の判断 主張１については、上記第７の１（３）で判断したとおり、「ＴＶＳダイオード素子の接合容量（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）は、数百ｐＦ以下であ」る点に関し、特許請求の範囲の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえない。 また、申立人も主張するとおり、ＴＶＳダイオード素子の接合容量をなるべく小さくすることは周知であり、その接合容量を数百ｐＦ以下とすること自体が技術常識であって、ＴＶＳダイオードの接合容量は、当業者が適宜設計する事項であるから、主張１は採用の限りではない。 主張２及び３については、上記第７の１（２）において判断したとおり、本件特許明細書等の特許請求の範囲に記載された発明は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であって、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえるものであるから、主張２及び３は採用の限りではない。 ５ むすび 以上に示したとおり、本件請求項１～５に係る特許は、特許異議申立書に記載した特許異議申立理由及び証拠によっては取り消すことはできない。さらに、他に本件請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 第８ むすび 以上のとおり、請求項１～５に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由及び証拠によっては取り消すことはできない。 さらに、他に本件請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。