2023-700570

特許第７１８３３７７号発明「ポリイミド系樹脂」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１８３３７７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～９〕、１０について訂正することを認める。 特許第７１８３３７７号の請求項１～１０に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１８３３７７号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～１０に係る特許についての出願は、令和３年１１月２６日に出願され、令和４年１１月２５日に特許権の設定登録がされ、同年１２月５日に特許掲載公報が発行されたものである。 その後、その特許に対し、令和５年６月２日に、特許異議申立人である三宅俊男（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立て（対象請求項：請求項１～１０）がされた。 その後の経緯は、以下のとおりである。 令和５年 ９月２８日付け 取消理由通知書 同年１１月３０日提出 意見書及び訂正請求書（特許権者） 同年１２月１３日付け 訂正請求があった旨の通知書（申立人宛て） 令和６年 １月１１日提出 意見書（申立人） 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである（下線は、訂正箇所を表し、当審が付した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して６０モル％以上であり」とあるのを、 「前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して８０モル％以上であり」に訂正する。 訂正前の請求項１～９において、請求項２～９は、請求項１を直接又は間接的に引用するものであり、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１０に 「前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して６０モル％以上であり」とあるのを、 「前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して８０モル％以上であり」に訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、訂正前の請求項１の「構成単位（Ａ１）」と「構成単位（Ａ２）」との「合計含有量」が、「構成単位（Ａ）」の総量に対して「６０モル％以上」であるのを、「８０モル％以上」であることにしたものであって、上記「構成単位（Ａ）」の総量に対する下限を上げるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、願書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という。）の段落【００３３】には、上記「構成単位（Ａ）」の総量に対する下限として、「８０モル％以上」であることが記載されていたものである。 したがって、訂正事項１は、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、訂正前の請求項１０に記載されていた「構成単位（Ａ１）」と「構成単位（Ａ２）」との「合計含有量」を、「構成単位（Ａ）」の総量に対して「６０モル％以上」であるのを、「８０モル％以上」であることにしたものであって、上記「構成単位（Ａ）」の総量に対する下限を上げるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、本件明細書の段落【００３３】には、上記「構成単位（Ａ）」の総量に対する下限として、「８０モル％以上」であることが記載されていたものである。 したがって、訂正事項２は、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 ３ 独立特許要件 訂正前の全ての請求項１～１０について特許異議申立てがなされているので、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件（いわゆる独立特許要件）は課されない。 ４ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正の請求は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５及び６項の規定に適合するものであるから、訂正後の請求項〔１～９〕、１０について訂正することを認める。 第３ 訂正後の特許請求の範囲の記載 本件訂正請求により訂正された請求項１～１０に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定されるとおりの以下のものである。 「【請求項１】 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有するポリイミド系樹脂を含むポリイミド系フィルムであって、 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）は、エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）を含み、 ジアミン由来の構成単位（Ｂ）は、ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）を含み、 前記構成単位（Ａ１）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、 前記構成単位（Ａ２）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％であり、 前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して８０モル％以上であり、 前記構成単位（Ｂ１）の含有量は、前記構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超え、 前記構成単位（Ａ１）は、式（ａ１） 【化１】 ［図：0001413304000001.jpg］ ［式（ａ１）中、 Ｒａ１は、互いに独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基を表し、 ｓは互いに独立に、０～３の整数を表し、 Ｚは、式（ｚ１）、式（ｚ２）、又は式（ｚ３）： 【化２】 ［図：0001413304000002.jpg］ 〔式（ｚ１）～式（ｚ３）中、Ｒｚ１１～Ｒｚ１４は、互いに独立に、水素原子、又はハロゲン原子を有してもよい１価の炭化水素基を表し、 Ｒｚ２は、互いに独立に、ハロゲン原子を有してもよい１価の炭化水素基を表し、 ｎは１～４の整数を表し、 ｊは、互いに独立に、０～３の整数を表し、 ＊は結合手を表す〕 で表される２価の有機基である］ で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）であり、 前記構成単位（Ｂ１）は、式（ｂ１） 【化３】 ［図：0001413304000003.jpg］ ［式（ｂ１）中、Ｒｂ１は、互いに独立に、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、又は炭素数６～１２のアリール基を表し、 ｐは０～４の整数を表す］ で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ１）であり、 前記ポリイミド系フィルムの１０ＧＨｚにおける誘電正接は０．００３以下である、ポリイミド系フィルム。 【請求項２】 前記構成単位（Ａ２）は、式（ａ２）： 【化４】 ［図：0001413304000004.jpg］ ［式（ａ２）中、Ｒａ２は、互いに独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基を表し、 ｔは、互いに独立に、０～３の整数を表す］ で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ２）である、請求項１に記載のポリイミド系フィルム。 【請求項３】 前記構成単位（Ｂ）は、式（ｂ２）： 【化５】 ［図：0001413304000005.jpg］ ［式（ｂ２）中、Ｒｂ２は、互いに独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基を表し、Ｒｂ２に含まれる水素原子は、互いに独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、 Ｗは、互いに独立に、－Ｏ－、－ＣＨ２―、－ＣＨ２－ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、－ＣＯＯ－、－ＯＯＣ－、－ＳＯ２－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－Ｎ（Ｒｃ）－を表し、Ｒｃは水素原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の一価の炭化水素基を表し、 ｍは２～４の整数を表し、 ｑは互いに独立に、０～４の整数を表す］ で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ２）をさらに含む、請求項１又は２に記載のポリイミド系フィルム。 【請求項４】 前記構成単位（ｂ２）中、ｍが３であり、Ｗが互いに独立に、－Ｏ－又は－Ｃ（ＣＨ３）２－である、請求項３に記載のポリイミド系フィルム。 【請求項５】 前記ポリイミド系樹脂は、ガラス転移温度が２００～２９０℃である、請求項１～４のいずれかに記載のポリイミド系フィルム。 【請求項６】 厚さは５～１００μｍである、請求項１～５のいずれかに記載のポリイミド系フィルム。 【請求項７】 請求項１～６のいずれかに記載のポリイミド系フィルムの片面又は両面に銅箔層を含む積層フィルム。 【請求項８】 請求項１～６のいずれかに記載のポリイミド系フィルムを含むフレキシブルプリント回路基板。 【請求項９】 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位とジアミン由来の構成単位とを含むポリイミド樹脂前駆体溶液を基材上に塗工する工程、及び ２００℃以上５００℃以下の熱処理によって、ポリイミド樹脂前駆体をイミド化する工程を含む、請求項１～６のいずれかに記載のポリイミド系フィルムの製造方法。 【請求項１０】 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有するポリイミド系樹脂であって、 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）は、エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）を含み、 ジアミン由来の構成単位（Ｂ）は、ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）を含み、 前記構成単位（Ａ１）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、 前記構成単位（Ａ２）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％であり、 前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して８０モル％以上であり、 前記構成単位（Ｂ１）の含有量は、前記構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超え、 前記構成単位（Ａ１）は、式（ａ１）： 【化６】 ［図：0001413304000006.jpg］ ［式（ａ１）中、 Ｒａ１は、互いに独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基を表し、 ｓは互いに独立に、０～３の整数を表し、 Ｚは、式（ｚ１）、式（ｚ２）、又は式（ｚ３）： 【化７】 ［図：0001413304000007.jpg］ 〔式（ｚ１）～式（ｚ３）中、Ｒｚ１１～Ｒｚ１４は、互いに独立に、水素原子、又はハロゲン原子を有してもよい１価の炭化水素基を表し、 Ｒｚ２は、互いに独立に、ハロゲン原子を有してもよい１価の炭化水素基を表し、 ｎは１～４の整数を表し、 ｊは、互いに独立に、０～３の整数を表し、 ＊は結合手を表す〕 で表される２価の有機基である］ で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）であり、 前記構成単位（Ｂ１）は、式（ｂ１）： 【化８】 ［図：0001413304000008.jpg］ ［式（ｂ１）中、Ｒｂ１は、互いに独立に、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、又は炭素数６～１２のアリール基を表し、 ｐは０～４の整数を表す］ で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ１）であり、 前記構成単位（Ｂ）は、式（ｂ２）： 【化９】 ［図：0001413304000009.jpg］ ［式（ｂ２）中、Ｒｂ２は、互いに独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基を表し、Ｒｂ２に含まれる水素原子は、互いに独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、 Ｗは、互いに独立に、－Ｏ－、－ＣＨ２－、－ＣＨ２－ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、－ＣＯＯ－、－ＯＯＣ－、－ＳＯ２－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－Ｎ（Ｒｃ）－を表し、Ｒｃは水素原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の一価の炭化水素基を表し、 ｍは２～４の整数を表し、 ｑは互いに独立に、０～４の整数を表す］ で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ２）をさらに含む、ポリイミド系樹脂。」 以下では、本件特許の請求項１～１０に係る発明を、「本件発明１」～「本件発明１０」といい、これらをまとめて「本件発明」ともいう。 第４ 特許異議申立書の申立理由及び当審が通知した取消理由 １ 特許異議申立書（以下、「申立書」ということがある。）の申立理由 （１）申立理由１（甲第１号証を主引例とする進歩性欠如） 本件特許の請求項１～１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、本件特許の出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項１～１０に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 （２）申立理由２（甲第４号証に基づく拡大先願） 本件特許の請求項１～９に係る発明は、本件特許の出願日後に出願公開がされた甲第４号証に示される出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の発明者が本件特許の出願日前の甲第４号証に示される特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許の出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、本件特許の上記請求項に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないから、本件特許の請求項１～９に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し取り消すべきものである。 （３）申立理由３（サポート要件違反） 本件特許の請求項１～１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し取り消すべきものである。 具体的理由の概要は以下のとおり。 本件特許の請求項１及び請求項１０に係る発明において、「構成単位（Ａ１）」、「構成単位（Ａ２）」、及び「構成単位（Ｂ１）」を含むことが特定され、さらに請求項１０に係る発明では「構成単位（Ｂ２）」を含むことが特定されたものであるところ、各々の「構成単位」には、広範な化合物が包含されているところ、実施例で発明の効果が実証されているのは、「構成単位（Ａ１）」である式（ａ１）に含まれるＴＡＨＱとＢＰ－ＴＭＥのみ、「構成単位（Ａ２）」としてＢＰＤＡのみ、「構成単位（Ｂ１）」である式（ｂ１）に含まれるｍ－Ｔｂのみであり、請求項１及び請求項１０の全範囲において、本件発明の課題を解決するかは不明である。 ２ 申立書とともに提出された証拠方法 申立人が、申立書に添付した証拠は、以下のとおりである。 ・甲第１号証：特開２０２１－７４８９４号公報 ・甲第２号証：中国特許出願公開第１１１０９３３２３号明細書 ・甲第３号証：国際公開第２０１８／０６１７２７号 ・甲第４号証：特願２０２１－１０８９６１号（特開２０２３－６３８７号公報） （以下、甲第１号証～甲第４号証をそれぞれ「甲１」～「甲４」という。） ３ 当審が通知した令和５年９月２８日付け取消理由通知の取消理由 当審が通知した取消理由の概要は以下のとおりである。 ・取消理由１（甲４に基づく拡大先願） 本件特許の請求項１～１０に係る発明は、本件特許の出願前の特許出願であって、その出願後に公開がされた出願（甲４）の明細書、特許請求の範囲に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないから、本件特許の上記請求項に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し取り消すべきものである。 第５ 当審の判断 １ 申立理由２（甲４に基づく拡大先願）及び取消理由１（甲４に基づく拡大先願）について 申立理由２（甲４に基づく拡大先願）は、取消理由１と引用文献を同じくするものであるから、併せて検討する。なお、以下、甲４に係る特許出願を「先願」といい、先願の出願日における願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲を、「先願明細書等」という。 （１）先願明細書等に記載された事項及び先願明細書等に記載された発明 ア 先願明細書等に記載された事項 先願明細書等には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】 酸二無水物成分から誘導される酸二無水物残基及びジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含有するポリアミド酸であって、下記の条件(i)～(iii)； 条件(i)： 全酸二無水物残基に対して、下記の式（１）で表される酸二無水物から誘導される酸二無水物残基を２５ｍｏｌ％以上含有すること、 【化１】 ［図：0001413304000010.jpg］ 条件(ii)： 全ジアミン残基に対して、下記の一般式（２）で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を５０ｍｏｌ％以上含有すること、 【化２】 ［図：0001413304000011.jpg］ ［式（２）において、Ｙは独立に水素、炭素数１～３の１価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、ｐ及びｑは独立して０～４の整数を示す。］ 条件(iii)： 全モノマ－成分から誘導される全モノマー残基に対し、ビフェニル骨格を有するモノマー残基の割合が６５ｍｏ１％以上であること、 を満たすこと特徴とするポリアミド酸。 【請求項２】 全ジアミン残基に対して、下記の一般式（３）～（６）で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を１～５０ｍｏｌ％の範囲内で含有する請求項１に記載のポリアミド酸。 【化３】 ［図：0001413304000012.jpg］ ［式（３）～（６）において、Ｒは独立に炭素数１～６の１価の炭化水素基、アルコキシ基又はアルキルチオ基を示し、連結基Ａは独立に－Ｏ－、－ＳＯ２－、－ＣＨ２－又は－Ｃ（ＣＨ３）２－から選ばれる２価の基を示し、連結基Ｘは独立に－ＣＨ２－、－Ｏ－ＣＨ２－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ２Ｈ４－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ３Ｈ６－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ４Ｈ８－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ５Ｈ１０－Ｏ－、－Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）２－ＣＨ２－Ｏ－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＦ３）２－又は－ＳＯ２－を示し、ｍは独立に１～４の整数を示し、ｎは独立に０～４の整数を示すが、式（５）において、連結基Ａが、－ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＦ３）２－又は－ＳＯ２－を含まない場合、ｎのいずれかは１以上である。］ 【請求項３】 請求項１又は２に記載のポリアミド酸をイミド化してなるポリイミド。 【請求項４】 単層又は複数層のポリイミド層を含むポリイミドフィルムであって、 前記ポリイミド層の少なくとも１層が、請求項３に記載のポリイミドを樹脂成分の主成分として含有するものであるポリイミドフィルム。 【請求項５】 第１のポリイミドを樹脂成分の主成分として含有するポリイミド層（Ａ）と、該ポリイミド層（Ａ）に積層されており、前記第１のポリイミドとは異なる第２のポリイミドを樹脂成分の主成分として含有するポリイミド層（Ｂ）と、を含むポリイミドフィルムであって、 前記第１のポリイミドが、酸二無水物成分から誘導される酸二無水物残基及びジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含有するポリイミドであって、 全酸二無水物残基中に、ピロメリット酸二無水物から誘導される残基を５ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下、分子内にケトン基（－ＣＯ－）を有する酸二無水物から誘導される残基を１０ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以下で含有し、且つピロメリット酸二無水物から誘導される残基と分子内にケトン基（－ＣＯ－）を有する酸二無水物から誘導される残基とを合計で８０ｍｏｌ％以上の割合で含有しており、 全ジアミン残基中に、下記の一般式（Ａ１）で表されるジアミン化合物から誘導される残基を５ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下の割合で含有しており、 動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて測定される３００℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１．０×１０８Ｐａ以上且つ３５０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１．０×１０７Ｐａ以上であるポリイミドであり、 前記第２のポリイミドが、請求項３に記載のポリイミドであることを特徴とするポリイミドフィルム。 【化４】 ［図：0001413304000013.jpg］ ［式（Ａ１）において、連結基Ｘ１は単結合又は－ＣＯＮＨ－から選ばれる２価の基を示し、Ｙは独立に水素、炭素数１～３の１価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、ｎ１は０～２の整数を示し、ｐ及びｑは独立して０～４の整数を示す。］ 【請求項６】 温度２４～２６℃、湿度４５～５５％の環境下でスプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ）により測定したときの１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）が、０．００３未満であり、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満である請求項４又は５に記載のポリイミドフィルム。 【請求項７】 絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に設けられている金属層と、を備えた金属張積層板であって、 前記絶縁樹脂層が、請求項４から６のいずれか１項に記載のポリイミドフィルムを含むことを特徴とする金属張積層板。 【請求項８】 絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に設けられている配線層と、を備えた回路基板であって、 前記絶縁樹脂層が、請求項４から６のいずれか１項に記載のポリイミドフィルムを含むことを特徴とする回路基板。」 「【背景技術】 【０００２】 近年、電気、電子機器の高性能、高機能化に伴い、情報の高速伝送化が要求されており、これらに使用される部品や部材にも高速伝送への対応が求められている。高周波信号を伝送する場合、電気信号のロスや信号の遅延時間が長くなるなどの不都合が生じ易くなることから、高周波機器に使用されるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）などの回路基板について、高速伝送化に対応した電気特性を有するように改善が進められている。そのため、ＦＰＣ材料として使用されるポリマーについても、伝送損失を低減すべく、誘電正接を下げる検討がなされている。」 「【０００７】 従って、本発明の目的は、ＦＰＣ材料として要求される低熱膨張性、良好な製膜性を有し、かつ、誘電正接が十分に低いポリイミドフィルムを提供することである。」 「【００３３】 式（１）で表される酸二無水物は、ｐ－ビフェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無二水物）（ＢＰ－ＴＭＥ）として知られるものであり、分子内にビフェニル骨格と、該ビフェニル骨格に結合した２つのエステル構造（－ＣＯ－Ｏ－）を有している。ビフェニル骨格は剛直性を有し、エステル構造はポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有しているため、酸二無水物残基（１）を含有することによって、熱膨張係数の低減（低ＣＴＥ化）が可能になるとともに、分子の秩序構造の向上と運動抑制により誘電正接を効果的に低下させること（低誘電正接化）が可能になる。 【００３４】 本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドにおける酸二無水物残基（１）の含有量は、全酸二無水物残基に対して２５ｍｏｌ％以上であり、２５～１００ｍｏｌ％の範囲内が好ましく、４０～８０ｍｏｌ％の範囲内がより好ましい。酸二無水物残基（１）の含有量が２５ｍｏｌ％未満では、分子の秩序構造の向上と運動抑制による低誘電正接化と低ＣＴＥ化の双方の効果が十分に発揮されない。なお、酸二無水物残基（１）の含有量の上限は１００ｍｏｌ％でもよいが、任意の機能性付与を目的として他の酸二無水物を併用する場合には、その使用量に応じて式（１）で表される酸二無水物の使用量を調節できる。」 「【００３９】 ジアミン残基（２）は、剛直構造を有しているため、ポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有している。ジアミン残基（２）を含有することによって、低吸湿性のポリイミドが得られ、分子鎖内部の水分を低減できるため、誘電正接を下げることができる。また、ジアミン残基（２）は、酸二無水物残基（１）と共通する構造としてビフェニル骨格を含むため、ポリマー全体に秩序構造を付与する作用が大きくなり、しかも、モノマー由来単位の分子量を大きくできるので、イミド基濃度を低減できる。」 「【００４２】 条件(iii)： 全モノマー成分から誘導される全モノマー残基に対し、ビフェニル骨格を有するモノマー残基（ビフェニル骨格含有残基）の割合が６５ｍｏ１％以上であること。 ここで、ビフェニル骨格とは、２つのフェニル基が単結合した骨格である。従って、ビフェニル骨格含有残基とは、例えば、ビフェニルジイル基、ビフェニルテトライル基などを挙げることができる。全モノマー成分から誘導される全モノマー残基に対し、ビフェニル骨格含有残基の割合が６５ｍｏ１％以上であることによって、モノマー由来の剛直構造によりポリマー全体に秩序構造が形成されやすくなり、分子の運動抑制により誘電正接を低下させることができる。ビフェニル骨格含有残基の割合が６５ｍｏ１％未満では、誘電正接が十分に低下しない。このため、例えば回路基板に使用したときに、高速伝送への適応が困難となる。かかる観点から、ビフェニル骨格含有残基の割合は、７０ｍｏ１％以上であることが好ましく、８０ｍｏ１％以上であることがより好ましい。」 「【００４４】 （他の酸二無水物残基） 本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドは、上記の式（１）で表される酸二無水物から誘導される残基のほかに、発明の効果を損なわない範囲で、一般にポリイミドの原料として用いられる酸二無水物の残基を含有することができる。そのような酸二無水物残基として、例えば、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、２,３',３,４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、１,４－フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル)二無水物（ＴＡＨＱ）、２,３,６,７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）、３,３’,４,４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、４,４’－オキシジフタル酸無水物、２,２',３,３'－、２,３,３',４'－又は３,３',４,４'－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２,３',３,４'－ジフェニルエ－テルテトラカルボン酸二無水物、ビス(２,３－ジカルボキシフェニル)エ－テル二無水物、３,３'',４,４''－、２,３,３'',４''－又は２,２'',３,３''－p－テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、２,２－ビス(２,３－又は３,４－ジカルボキシフェニル)－プロパン二無水物、ビス(２,３－又は３.４－ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(２,３－又は３,４－ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、１,１－ビス(２,３－又は３,４－ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、１,２,７,８－、１,２,６,７－又は１,２,９,１０－フェナンスレン－テトラカルボン酸二無水物、２,３,６,７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、２,２－ビス（３,４－ジカルボキシフェニル）テトラフルオロプロパン二無水物、２,３,５,６－シクロヘキサン二無水物、１,２,５,６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１,４,５,８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４,８－ジメチル－１,２,３,５,６,７－ヘキサヒドロナフタレン－１,２,５,６－テトラカルボン酸二無水物、２,６－又は２,７－ジクロロナフタレン－１,４,５,８－テトラカルボン酸二無水物、２,３,６,７－（又は１,４,５,８－）テトラクロロナフタレン－１,４,５,８－（又は２,３,６,７－）テトラカルボン酸二無水物、２,３,８,９－、３,４,９,１０－、４,５,１０,１１－又は５,６,１１,１２－ペリレン－テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン－１,２,３,４－テトラカルボン酸二無水物、ピラジン－２,３,５,６－テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン－２,３,４,５－テトラカルボン酸二無水物、チオフェン－２,３,４,５－テトラカルボン酸二無水物、４,４’－ビス（２,３－ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコ－ル ビスアンヒドロトリメリテ－ト等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される酸二無水物残基が挙げられる。これらの中で、特に、ＢＰＤＡから誘導される酸二無水物残基（以下、「ＢＰＤＡ残基」ともいう。）は、剛直性を有するため、ポリマ－の秩序構造を形成しやすく、分子の運動抑制により誘電正接を低下させることができるため好ましく、ピロメリット酸二無水物から誘導される酸二無水物残基（以下、「ＰＭＤＡ残基」ともいう。）は、低ＣＴＥ化の観点で好ましい。」 「【００５１】 一般式（６）で表される芳香族ジアミンとしては、例えば２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）などを挙げることができる。」 「【００７３】 （ジアミン残基） ポリイミド層（Ａ）を構成するジアミン残基は、全ジアミン残基中に、下記の一般式（Ａ１）で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含有することが好ましい。 【００７４】 【化８】 ［図：0001413304000014.jpg］ 【００７５】 一般式（Ａ１）において、連結基Ｘ１は単結合、又は－ＣＯＮＨ－から選ばれる２価の基を示し、Ｙは独立に水素、炭素数１～３の１価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、ｎ１は０～２の整数を示し、ｐ及びｑは独立して０～４の整数を示す。なお、一般式（Ａ１）において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば－ＮＲｘＲｙ（ここで、Ｒｘ，Ｒｙは、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する）であってもよい。 【００７６】 一般式（Ａ１）のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の具体例としては、1,4－ジアミノベンゼン（ｐ－ＰＤＡ）、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ｎ－プロピル－４，４’－ジアミノビフェニル、２’－メトキシ－４，４’－ジアミノベンズアニリド、４，４’－ジアミノベンズアニリド等から誘導されるジアミン残基が挙げられる。これらの中でも、誘電特性の点から２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ｍ－ＴＢ）から誘導されるジアミン残基を好ましく挙げることができる。 【００７７】 一般式（Ａ１）で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基は、ポリイミドの平面性と剛直性とを向上させることで、分子鎖間のスタッキング性を向上させることができる。このため、ジアミン残基の運動性を低下させることができる。この結果、ポリイミドの誘電正接を低くすることができる。また、ポリイミドの分子骨格の平面性についても高めることができるため、面方向の熱膨張係数を低くすることができる。」 「【００９４】 ＜誘電正接＞ 本実施の形態のポリイミドフィルムは、例えば、回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、高周波信号の伝送時における誘電損失を低減するために、フィルム全体として、温度２４～２６℃、湿度４５～５５％の環境下でスプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ）により測定したときの１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）が、０．００３未満であることが好ましい。回路基板の伝送損失を改善するためには、特に絶縁樹脂層の誘電正接を制御することが重要であり、１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）が、０．００３未満であることで、伝送損失を下げる効果が増大する。従って、ポリイミドフィルムを高周波回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合、伝送損失を効率よく低減できる。１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００３以上であると、ポリイミドフィルムを回路基板の絶縁樹脂層として適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスが大きくなるなどの不都合が生じやすくなる。」 「【００９７】 ＜厚み＞ 本実施の形態のポリイミドフィルムの厚みは、特に制限はなく、例えば５～６０μｍの範囲内が好ましく、１５～５０μｍの範囲内がより好ましい。多層ポリイミドフィルムの場合、ポリイミド層（Ａ）の厚みは、例えば１～１５μｍの範囲内が好ましく、２～１０μｍの範囲内がより好ましい。ポリイミド層（Ｂ）は、絶縁樹脂層の全厚みに対して好ましくは５０％超、より好ましくは６０％以上の厚みを有することがよい。」 「【０１１８】 [回路基板] 本発明の金属張積層板は、主にＦＰＣなどの回路基板材料として有用である。金属張積層板の金属層を常法によってパタ－ン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の実施の一形態である回路基板を製造できる。本発明の金属張積層板の金属層が配線に加工されている回路基板も本発明の一態様となる。 すなわち、本実施の形態の回路基板は、単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に設けられている配線層と、を備えており、絶縁樹脂層が、上記ポリイミド層（Ｂ）を含んでいればよい。また、絶縁樹脂層と配線層との接着性を高めるために、絶縁樹脂層における配線層に接する層は、ポリイミド層（Ａ）であることがよい。」 「【実施例】 【０１１９】 以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。 【０１２０】 ［粘度の測定］ Ｅ型粘度計（ブルックフィ－ルド社製、商品名；ＤＶ－ＩＩ＋Ｐｒｏ）を用いて、２５℃における粘度を測定した。トルクが１０％～９０％になるよう回転数を設定し、測定を開始してから２分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。 【０１２１】 ［ガラス転移温度（Ｔｇ）及びポリイミドフィルムの非熱可塑性、熱可塑性の分類］ ガラス転移温度は、５ｍｍ×７０ｍｍのサイズのポリイミドフィルムを、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ：ＴＡインスツルメント社製、商品名；ＲＳＡ Ｇ２）を用いて、３０℃から４００℃まで昇温速度４℃／分、周波数１Ｈｚで測定を行い、弾性率変化（ｔａｎδ）が最大となる温度をガラス転移温度とした。なお、ＤＭＡを用いて測定された３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０９Ｐａ以上であり、ガラス転移温度＋３０℃以内の温度域での貯蔵弾性率が１．０×１０８Ｐａ未満を示すものを「熱可塑性」とし、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０９Ｐａ以上であり、ガラス転移温度＋３０℃以内の温度域での貯蔵弾性率が１．０×１０８Ｐａ以上を示すものを「非熱可塑性」とした。 【０１２２】 ［熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定］ ３ｍｍ×２０ｍｍのサイズのポリイミドフィルムを、サ－モメカニカルアナライザ－（日立ハイテクテクノロジ－社（旧セイコ－インスツルメンツ社製）、商品名；ＴＭＡ／ＳＳ６１００）を用い、５．０ｇの荷重を加えながら一定の昇温速度で３０℃から２６０℃まで昇温させ、更にその温度で１０分保持した後、５℃／分の速度で冷却し、２５０℃から１００℃までの平均熱膨張係数（熱膨張係数）を求めた。 【０１２３】 ［比誘電率及び誘電正接の測定］ ベクトルネットワ－クアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名；Ｅ８３６３Ｃ）及びスプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ共振器）を用いて、周波数１０ＧＨｚにおけるポリイミドフィルムの比誘電率（Ｄｋ）および誘電正接（Ｄｆ）を測定した。 なお調湿時のＤｋ、Ｄｆは、測定に使用したポリイミドフィルムを温度；２４～２６℃、湿度；４５～５５％の条件下で、２４時間放置した後に測定したものである。 また吸水時のＤｋ、Ｄｆは、測定に使用したポリイミドフィルムを純水中下で、４８時間浸漬した後に取り出し、材料表面の純水をふき取った後に測定したものである。 【０１２４】 ［銅箔の表面粗度の測定］ 銅箔の表面粗度は、ＡＦＭ（ブルカ－・エイエックスエス社製、商品名；ＤｉｍｅｎｓｉｏｎＩｃｏｎ型ＳＰＭ）、プロ－ブ（ブルカ－・エイエックスエス社製、商品名；ＴＥＳＰＡ（ＮＣＨＶ）、先端曲率半径１０ｎｍ、ばね定数４２Ｎ／ｍ)を用いて、タッピングモ－ドで、銅箔表面の８０μｍ×８０μｍの範囲で測定し、十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）を求めた。 【０１２５】 ［ピ－ル強度の測定］ 銅張積層板（銅箔／多層ポリイミド層）の銅箔を１０ｍｍ間隔で樹脂の塗工方向に幅１ｍｍに回路加工した後、幅；８ｃｍ×長さ；４ｃｍに切断した。ピ－ル強度は、テンシロンテスタ－（東洋精機製作所社製、商品名；ストログラフＶＥ－１Ｄ）を用いて、切断した測定サンプルのポリイミド層面を両面テ－プによりアルミ板に固定し、回路加工された銅箔を１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で剥離していき、ポリイミド層から１０ｍｍ剥離したときの中央値強度を求め、初期ピ－ル強度とした。 【０１２６】 ［吸湿率の測定］ ポリイミドフィルムの試験片（幅；４ｃｍ×長さ；２５ｃｍ）を２枚用意し、８０℃で１時間乾燥した後に重量を測定した。重量測定後、２３℃／５０％ＲＨの恒温恒湿室に入れ、２４時間以上静置後に重量を測定し次式より吸湿率を求めた。 吸湿率（重量％）＝［（吸湿後重量－乾燥後重量）／乾燥後重量］×１００ 【０１２７】 ［吸水率の測定］ ポリイミドフィルムの試験片（幅；４ｃｍ×長さ；２５ｃｍ）を１枚用意し、８０℃で１時間乾燥した後に重量を測定した。重量測定後、純水中に２４時間以上静置後に取り出し、フィルム表面の純水をふき取った後に重量を測定し、次式より吸水率を求めた。 吸水率（重量％）＝［（吸水後重量－乾燥後重量）／乾燥後重量］×１００ 【０１２８】 [引張り弾性率] ストログラフＲ－１（株式会社東洋精機製作所製）を用いて、幅１２．７ｍｍ×長さ１２７ｍｍのポリイミドフィルムを温度２３℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下、５０ｍｍ／ｍｉｎで引張り試験を実施し算出した。 【０１２９】 ［発泡の有無］ 得られた銅張積層板の外観を目視で観察した際に発泡が生じるか確認を実施した。 【０１３０】 ［フィルム化の可否］ 銅張積層板について、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムとした際に、亀裂等が入らずフィルム単体での扱いができるものを［可］、亀裂が入り容易に割れてしまうものを［不可］とした。 【０１３１】 ［ポリイミド層の厚みの測定］ 銅張積層板について、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムを短冊状に切り出し、樹脂包埋した後、ミクロトームにてフィルム厚み方向の切断を行い約１００ｎｍの超薄切片を作製した。作製した超薄切片について、日立ハイテクテクノロジー社製ＳＥＭ（ＳＵ９０００）のＳＴＥＭ機能を用いて、加速電圧３０ｋＶで観察を行い、ポリイミド各層の厚みを各５点測定し、その平均値を各ポリイミド層の厚みとし、各層の和を多層ポリイミドフィルムの厚みとした。 【０１３２】 ［イミド基濃度の計算］ イミド基部を（－（ＣＯ）２－Ｎ－）とし、以下の式より算出した。 イミド基濃度（重量％）＝（イミド基部分子量／ポリイミドの構造全体の分子量）×１００ 【０１３３】 ［エステル基濃度の計算］ エステル基部を（－ＣＯＯ－）とし、以下の式より算出した。 エステル基濃度（重量％）＝（エステル基部分子量／ポリイミドの構造全体の分子量）×１００ 【０１３４】 ［ビフェニル骨格含有モノマー割合の計算］ ポリイミドにおける全モノマー成分のうち、ビフェニル骨格を有するモノマーが占める割合（単位；ｍｏｌ％）をビフェニル骨格含有モノマー割合とした。 【０１３５】 実施例及び参考例に用いた略号は、以下の化合物を示す。 ＢＰ－ＴＭＥ：ｐ－ビフェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、ＣＡＳ番号１０３４０－８１－５） ２６ＤＨＮ－ＴＭＥ：２，６－ナフタレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、ＣＡＳ番号１１５３８３－００－１） ＴＡＨＱ：ｐ－フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物） ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物 ＢＰＤＡ：３,３',４,４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物 ＢＴＤＡ：３，３’、４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物 ｍ－ＴＢ：２,２'－ジメチル－４,４'－ジアミノビフェニル ＴＰＥ－Ｒ：１,３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン ＢＡＰＰ：２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン ＰＤＡ：ｐ－フェニレンジアミン ＤＭＡｃ：Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド ・・・ 【０１４２】 （合成例７） 窒素気流下で、５００ｍｌのセパラブルフラスコに、１４．８３９５ｇのｍ－ＴＢ（０．０６９９０モル）及び１．５１０３ｇのＢＡＰＰ（０．００３６８モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、１９．３６７０ｇのＢＰ－ＴＭＥ（０．０３６２４モル）、５．３３１１ｇのＢＰＤＡ（０．０１８１２モル）及び３．９５２２ｇのＰＭＤＡ（０．０１８１２モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｇを得た。ポリアミド酸溶液Ｇの溶液粘度は３５，２００ｃｐｓであった。 【０１４３】 （合成例８） 窒素気流下で、５００ｍｌのセパラブルフラスコに、１６．４２８４ｇのｍ－ＴＢ（０．０７７３９モル）及び１．６７２０ｇのＢＡＰＰ（０．００４０７モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、１０．７２０４ｇのＢＰ－ＴＭＥ（０．０２００６モル）、１１．８０３８ｇのＢＰＤＡ（０．０４０１２モル）及び４．３７５４ｇのＰＭＤＡ（０．０２００６モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｈを得た。ポリアミド酸溶液Ｈの溶液粘度は２７，９００ｃｐｓであった。 ・・・ 【０１５７】 （実施例１） 銅箔１（電解銅箔、厚み；１２μｍ、樹脂側の表面粗さＲｚｊｉｓ；０．６μｍ）の上に、ポリアミド酸溶液Ａを硬化後の厚みが約２５μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を１０分間で行い、イミド化を完結し、銅張積層板Ａを得た。この際、フィルム表面に発泡は見られなかった。次に得られた銅張積層板Ａについて、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムＡを調製した。得られたポリイミドフィルムＡのポリイミドの種類、イミド基濃度、エステル基濃度、ビフェニル骨格含有モノマ－割合、発泡の有無及びフィルム化可否に関する記載を表１、フィルム物性デ－タを表１並びに表２に示す。 【０１５８】 （実施例２～８、比較例１、比較例２及び参考例１～１３） 実施例１と同様にポリアミド酸Ｂ～Ｕについて、銅張積層板の作製及び銅箔をエッチング後のポリイミドフィルムについての特性について評価を実施した。得られたポリイミドフィルムのポリイミドの種類、イミド基濃度、エステル基濃度、ビフェニル骨格含有モノマ－割合、発泡の有無及びフィルム化可否に関する記載を表１、フィルム物性デ－タを表１並びに表２に示す。 なお、発泡の発生したもの、及び、フィルム化が出来なかったものについては、フィルム物性デ－タの取得はしていない。 【０１５９】 【表１】 ［図：0001413304000015.jpg］ 【０１６０】 【表２】 ［図：0001413304000016.jpg］ 」 イ 先願明細書等に記載された発明 先願明細書等の実施例における合成例７で得られたポリアミド酸液Ｇを用いた実施例７及び物性が示されている表１、２に着目して、ポイリミドフィルムＧとして整理すると、次の発明が記載されている。 「窒素気流下で、５００ｍｌのセパラブルフラスコに、１４．８３９５ｇのｍ－ＴＢ（０．０６９９０モル）及び１．５１０３ｇのＢＡＰＰ（０．００３６８モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させ、次に、１９．３６７０ｇのＢＰ－ＴＭＥ（０．０３６２４モル）、５．３３１１ｇのＢＰＤＡ（０．０１８１２モル）及び３．９５２２ｇのＰＭＤＡ（０．０１８１２モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｇを得、 銅箔１（電解銅箔、厚み；１２μｍ、樹脂側の表面粗さＲｚｊｉｓ；０．６μｍ）の上に、ポリアミド酸溶液Ｇを硬化後の厚みが約２５μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去し、更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を１０分間で行い、イミド化を完結し、銅張積層板Ａを得、 塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去し、調製したポリイミドフィルムＧ（ポリイミドフィルムを温度；２４～２６℃、湿度；４５～５５％の条件下で、２４時間放置した後の誘電正接が０．００２７、Ｔｇが２３９．６℃）。」（以下、「先願発明１」という。） また、先願明細書等の実施例における合成例７で得られたポリアミド酸液Ｇを用いて、実施例７ではポリイミドフィルムＧが形成されており、該ポリイミドフィルムＧについて、ポリイミドとして整理すると、次の発明が記載されている。 「窒素気流下で、５００ｍｌのセパラブルフラスコに、１４．８３９５ｇのｍ－ＴＢ（０．０６９９０モル）及び１．５１０３ｇのＢＡＰＰ（０．００３６８モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させ、次に、１９．３６７０ｇのＢＰ－ＴＭＥ（０．０３６２４モル）、５．３３１１ｇのＢＰＤＡ（０．０１８１２モル）及び３．９５２２ｇのＰＭＤＡ（０．０１８１２モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｇを得、 銅箔１（電解銅箔、厚み；１２μｍ、樹脂側の表面粗さＲｚｊｉｓ；０．６μｍ）の上に、ポリアミド酸溶液Ｇを硬化後の厚みが約２５μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去し、更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を１０分間で行い、銅張積層板Ａ上に得られた、イミド化したポリイミド。」（以下、「先願発明２」という。） （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と先願発明１とを対比する。 ａ 先願発明１の「ＢＰ－ＴＥＭ」は、ｐ－ビフェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）であり、「ポリイミドフィルムＧ」が形成されたときには、「ＢＰ－ＴＥＭ」由来の構成単位となるから、本件発明１の「テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）」である「エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）」であって、「式（ａ１）で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）」に相当する（当審注：式（ａ１）は省略する。以下同様。）。 ｂ 先願発明１の「ＢＰＤＡ」は、３,３',４,４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物であり、「ポリイミドフィルムＧ」が形成されたときには、「ＢＰＤＡ」由来の構成単位となるから、本件発明１の「テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）」である「ビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）」に相当する。 ｃ 先願発明１の「ｍ－ＴＢ」は、２,２'－ジメチル－４,４'－ジアミノビフェニルであり、「ポリイミドフィルムＧ」が形成されたときには、「ｍ－ＴＢ」由来の構成単位となるから、本件発明１の「ジアミン由来の構成単位（Ｂ）」である「ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）」であって、「式（ｂ１）で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ１）」に相当する（当審注：式（ｂ１）は省略する。以下同様。）。 ｄ 先願発明１の「ポリイミドフィルムＧ」は、本件発明１の「ポリイミド系フィルム」に相当する。 ｅ 上記ａ～ｄによると、先願発明１では、「テトラカルボン酸無水物」として「ＢＰ－ＴＥＭ」及び「ＢＰＤＡ」、「ジアミン」として「ｍ－ＴＢ」を用いて、重合後イミド化して「ポリイミドフィルムＧ」が得られるものであるから、本件発明１の「テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有するポリイミド系樹脂を含むポリイミド系フィルム」に相当する。 ｆ 先願発明１では、テトラカルボン酸無水物として「ＢＰ－ＴＥＭ」（０．０３６２４モル）、「ＢＰＤＡ」（０．０１８１２モル）、及びＰＭＤＡ（０．０１８１２モル）を使用するものであり、「ＢＰ－ＴＥＭ」と「ＢＰＤＡ」を、全テトラカルボン酸無水物中、それぞれ５０モル％（＝０．０３６２４×１００／（０．０３６２４＋０．０１８１２＋０．０１８１２））、２５モル％（＝０．０１８１２×１００／（０．０３６２４＋０．０１８１２＋０．０１８１２））含むことから、本件発明１の「前記構成単位（Ａ１）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、」「前記構成単位（Ａ２）含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％であ」ることに相当する。 ｇ 先願発明１では、ジアミンとして「ｍ－ＴＢ」（０．０６９９０モル）、「ＢＡＰＰ」（０．００３６８モル）を使用するものであり、「ｍ－ＴＢ」を全ジアミン中、９５モル％（＝０．０６９９０×１００／（０．０６９９０＋０．００３６８））を含むことから、本件発明１の「前記構成単位（Ｂ１）の含有量は、前記構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超え」ることに相当する。 ｈ 先願発明１である「ポリイミドフィルムＧ」の１０ＧＨｚにおける誘電正接は０．００２７であるから、本件発明１の「ポリイミド系フィルムの１０ＧＨｚにおける誘電正接は０．００３以下である」ことに相当する。 してみると、本件発明１と先願発明１とは、 「テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有するポリイミド系樹脂を含むポリイミド系フィルムであって、 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）は、エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）を含み、 ジアミン由来の構成単位（Ｂ）は、ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）を含み、 前記構成単位（Ａ１）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、 前記構成単位（Ａ２）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％であり、 前記構成単位（Ｂ１）の含有量は、前記構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超え、 前記構成単位（Ａ１）は、式（ａ１）： （省略） で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）であり、 前記構成単位（Ｂ１）は、式（ｂ１）： （省略） で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ１）であり、 前記ポリイミド系フィルムの１０ＧＨｚにおける誘電正接は０．００３以下である、ポリイミド系フィルム。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１＞ 構成単位（Ａ）の総量に対する、構成単位（Ａ１）と構成単位（Ａ２）との合計含有量に関し、本件発明１が「８０モル％以上」であるのに対し、先願発明１が「７５モル％」である点 イ 判断 ＜相違点１＞について検討する。 先願発明１では、テトラカルボン酸無水物の総量に対して、「ＢＰ－ＴＭＥ」と「ＢＰＤＡ」とを７５モル％含有するものであって、８０モル％以上含有するものでないことから、＜相違点１＞は実質的な相違点である。 ここで、念のため、本件発明１と先願発明１とにおける、上述の５モル％の差（＝８０－７５）が課題解決のための具体化手段における微差であるか否か検討する。 先願発明１は、酸二無水物として、「ＢＰ－ＴＭＥ」を５０モル％、「ＢＰＤＡ」を２５モル％及び「ＰＭＤＡ」を２５モル％含むものである。 そして、先願明細書等には、ＦＰＣ材料として要求される低熱膨張性、良好な製膜性を有し、かつ、誘電正接が十分に低いポリイミドフィルムを提供することを目的とすること（【０００７】）、「ＢＰ－ＴＭＥ」が分子内にビフェニル骨格と該ビフェニル骨格に結合した２つのエステル構造（－ＣＯ－Ｏ－）を有しており、ビフェニル骨格が硬直性を有し、エステル構造がポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有しているため、熱膨張係数の低減（低ＣＴＥ化）が可能になるとともに、分子の秩序構造の向上と運動抑制により誘電正接を効果的に低下させること(低誘電正接化)が可能であること（【００３３】）、「ＢＰＤＡ」及び「ＰＭＤＡ」は他の酸二無水物として例示され、「ＢＰＤＡ」から誘導される酸二無水物残基は剛直性を有するため、ポリマーの秩序構造を形成しやすく、分子の運動抑制により誘電正接を低下させることができること、「ＰＭＤＡ」から誘導される酸二無水物は低ＣＴＥ化の観点で好ましいことが記載されている（【００４４】）。 また、実施例の合成例７では、上述のとおり、酸二無水物として、「ＢＰ－ＴＭＥ」を５０モル％、「ＢＰＤＡ」を２５モル％及び「ＰＭＤＡ」を２５モル％含むものであり、ジアミンと反応させてポリアミド酸溶液Ｇとなり、実施例７として該ポリアミド酸溶液Ｇからポリイミドフィルムを得て、調湿時の誘電正接が０．００２７、ＣＴＥが８．４ｐｐｍ／Ｋであること、合成例８では、酸二無水物として、「ＢＰ－ＴＭＥ」を２５モル％、「ＢＰＤＡ」を５０モル％及び「ＰＭＤＡ」を２５モル％含むものであり、ジアミンと反応させてポリアミド酸溶液となり、実施例８として該ポリアミド酸溶液Ｈからポリイミドフィルムを得て、調湿時の誘電正接が０．００２９、ＣＴＥが２４．２ｐｐｍ／Ｋであることが示されている。 これらの記載によると、先願発明１の課題である、低熱膨張性、製膜性、低誘電正接を達成するために、分子骨格に特徴を有する先願発明１の酸二無水物、つまり「ＢＰ－ＴＭＥ」、「ＢＰＤＡ」及び「ＰＭＤＡ」について、それらの含有割合を最適化していること、実施例から「ＢＰ－ＴＭＥ」、「ＢＰＤＡ」及び「ＰＭＤＡ」の含有割合が変わることで、ポリイミドフィルム中でのポリマーの秩序構造に変化が生じて、誘電正接やＣＴＥが影響を受けることが理解できる。 そうすると、「ＢＰ－ＴＭＥ」、「ＢＰＤＡ」及び「ＰＭＤＡ」の含有割合を最適化するとしても、その含有割合によって、誘電正接やＣＴＥが影響を受けるものであるから、上述の課題を達成させつつ、「ＢＰ－ＴＭＥ」と「ＢＰＤＡ」との含有量の総和を８０モル％以上とするように、つまり、「ＰＭＤＡ」の含有割合を５モル％減らすことが、先願明細書等に記載されているに等しいともいえないから、本件発明１と先願発明１との上述の５モル％の差が、課題解決における具体化手段における微差ともいえない。 してみると、本件発明１と先願発明１とには、実質的な相違点が存在することから、本件発明１は先願発明１と同一であるとはいえない。 ウ 申立人の主張について 申立人は、令和６年１月１１日提出の意見書において、以下の主張をしている。 ａ 先願明細書等の段落【００３３】、【００４４】に記載されるように、先願発明１において、全モノマー残基に対してビフェニル骨格含有残基の割合を「８０モル％以上（８０～１００モル％）」とする場合、本件発明１において構成単位（Ａ１）としてＢＰ－ＴＭＥ由来のものを選択した場合、構成単位（Ａ２）との合計含有量が「前記構成単位（Ａ）の総量に対して８０モル％以上」である場合に該当する。 ｂ 本件発明１と先願発明１とは、課題とその手段が共通しており、両者の効果の点（誘電正接）もほぼ同等であり、相違点１の本件発明１の「８０モル％」と先願発明１の「７５％」との差は僅か「５モル％」にすぎず、このような僅かな差に基づいて発明としての同一性は否定できない。 順に検討する。 ａについてであるが、先願明細書等では、全ての酸二無水物残基及び全てのジアミン残基との全モノマー残基に対するビフェニル骨格含有残基の割合を８０モル％以上とすることが好ましいと記載され、先願発明１は、当該割合は８５．１％（全モノマーの総量に対する、ｍ－ＴＢ、ＢＰ－ＴＭＥ、ＢＰＤＡの合計含有量の割合＝（０．０６９９０＋０．０３６２４＋０．０１８１２）×１００／（０．０６９９０＋０．００３６８＋０．０３６２４＋０．０１８１２＋０．０１８１２））であって、上記の好ましい範囲を満たすところ、申立人の上記主張は、甲１における「全モノマー残基に対するビフェニル骨格含有残基の割合」と、本件発明１における、ジアミン成分を含まない「テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ)の総量に対するＢＰ－ＴＭＥ（ビフェニル骨格含有のエステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１））＋ＢＰＤＡ（ビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２））の割合」とを同一視して議論するものであり採用できない。 ｂについてであるが、僅か５ｍｏｌ％であると主張するも、上記イに示したとおり、実質的に相違するものであり、５モル％の差が課題解決のための具体化手段における微差であるともいえないから、実質的に同一であるとはいえない。 したがって、申立人の当該主張は採用できない。 （３）本件発明２～９について 本件発明２～９は、本件発明１を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明１について述べたのと同じ理由により、本件発明２～９は、先願発明１と同一でない。 （４）本件発明１０について ア 対比 本件発明１０と先願発明２と対比する。 上記（２）アａ～ｃ、ｅ～ｈと同様の相当関係を有するほかは以下のとおりである。 ｊ 先願発明２の「ＢＡＰＰ」は、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパンであり、「イミド化したポリイミド」が形成されたときには、「ＢＡＰＰ」由来の構成単位となるから、本件発明１０の「ジアミン由来の構成単位（Ｂ）」である「式（ｂ２）で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ２）」に相当する（当審注：式（ｂ２）は省略する。以下同様。）。 ｋ 先願発明２の「イミド化したポリイミド」は、本件発明１０の「ポリイミド系樹脂」に相当する。 してみると、本件発明１０と先願発明２とは、 「 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有するポリイミド系樹脂であって、 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）は、エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）を含み、 ジアミン由来の構成単位（Ｂ）は、ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）を含み、 前記構成単位（Ａ１）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、 前記構成単位（Ａ２）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％であり、 前記構成単位（Ｂ１）の含有量は、前記構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超え、 前記構成単位（Ａ１）は、式（ａ１）： （省略） で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）であり、 前記構成単位（Ｂ１）は、式（ｂ１）： （省略） で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ１）であり、 前記構成単位（Ｂ）は、式（ｂ２）： （省略） で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ２）をさらに含む、ポリイミド系樹脂。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１’＞ 構成単位（Ａ）の総量に対する、構成単位（Ａ１）と構成単位（Ａ２）との合計含有量に関し、本件発明１が「８０モル％以上」であるのに対し、先願発明１が「７５モル％」である点 イ 判断 ＜相違点１’＞について検討するも、上記（２）イに示したとおり、＜相違点１’＞は実質的な相違点であるから、本件発明１０は先願発明２と同一であるとはいえない。 ウ 小括 上述のとおり、本件発明１０は、先願明細書等に記載された発明と同一ではない。 ２ 取消理由通知において採用しなかった申立理由について （１）申立理由１（甲１を主引例とする進歩性欠如）について ア 甲１に記載された事項及び甲１に記載された発明 （ア）甲１に記載された事項 甲１には、以下の記載がある。 「【請求項１】 非熱可塑性ポリイミド樹脂層の少なくとも一方の面に熱可塑性ポリイミド樹脂層を有する多層ポリイミドフィルムであって、 前記非熱可塑性ポリイミド樹脂層が、酸二無水物とジアミンの反応物であり、前記酸二無水物中、一般式（１）の繰り返し単位を、３０モル％以上含み、および／または、前記ジアミン中、一般式（２）の繰り返し単位を、３０モル％以上含み、 吸水率が１．２％以下、誘電正接が０．００５以下であることを特徴とする多層ポリイミドフィルム。（但し、一般式（１）及び（２）中、Ｘは一般式（３）中から選ばれる２価の有機基、一般式（２）中、Ｙはエステル基である。一般式（２）及び（３）中、Ｒ1はＨ、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、ｎは１～４の整数である。） 【化１】 ［図：0001413304000017.jpg］ 【化２】 ［図：0001413304000018.jpg］ 【化３】 ［図：0001413304000019.jpg］ 【請求項２】 前記非熱可塑性ポリイミドフィルムは、前記ジアミンとして炭素数３６の脂肪族ジアミン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４'－ジアミノ－２，２'－ジメチルビフェニル、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパンから選ばれる少なくとも１種のジアミンを含むことを特徴とする請求項１記載の多層ポリイミドフィルム。 【請求項３】 前記非熱可塑性ポリイミドフィルムは、前記酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物から選ばれる酸二無水物を含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の多層ポリイミドフィルム。」 「【０００８】 したがって、本発明の目的は、ＦＰＣに求められる基本的な特性を損なうことなく、吸水率や誘電正接が小さく、それらの特性が均一に発現される、高周波回路基板に用いることが可能なポリイミドフィルムを提供することである。」 「【００１９】 一般式（１）以外に用いることのできる酸二無水物については、特に限定されるものではないが、具体的には、・・・、２，２'，３，３'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、・・・及びそれらの類似物等などが挙げられる。その中でも、・・・や３，３'，４，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を使用することが好ましい。 【００２０】 ・・・ 【００２１】 一般式（１）以外に用いることのできる酸二無水物は、一般式（２）のジアミンを用いない場合には、０モル％～７０モル％であることが好ましく、０モル％～５０モル％であることがより好ましく、０モル％～３０モル％であることが更に好ましい。」 「【００２３】 一般式（２）以外に用いることにできるジアミンについては特に限定されるものではないが、炭素数３６の脂肪族ジアミン、２，２－ビス｛４－（４－アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、パラフェニレンジアミン、４，４'－ジアミノジフェニルプロパン、４,４'－ビス(４－アミノフェノキシ)ビフェニル、４，４'－ジアミノジフェニルメタン、４，４'－ジアミノジフェニルスルフィド、２，２'－ジメチル－４，４'－ジアミノビフェニル、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパン、３，３'－ジヒドロキシ－４，４'－ジアミノ－１，１'－ビフェニル、４，４'－ジアミノ－２，２'－ジメチルビフェニル、４，４'－ジアミノ－３，３'－ジメチルビフェニル、４，４'－ジアミノ－３，３'－ヒドロキシビフェニル、１，４－ジアミノベンゼン、１，３－ジアミノベンゼン、４，４'－ビス（４－アミノフェノキシ）、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、２，２－ビス｛４－（４－アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼンなどが挙げられる。 【００２４】 上記ジアミンのなかで、炭素数３６の脂肪族ジアミン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４'－ジアミノ－２，２'－ジメチルビフェニル、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパンから選ばれる少なくとも１種のジアミンを含むことが好ましい。 【００２５】 一般式（２）以外に用いることのできるジアミンは、一般式（１）の酸二無水物を用いる場合には、０モル％～１００モル％であることが好ましく、３０モル％～１００モル％であることがより好ましく、５０モル％～１００モル％であることが更に好ましい。」 「【００３４】 （非熱可塑性ポリイミド樹脂層の製造方法） 本発明の非熱可塑性ポリイミド樹脂層を得るには、以下の工程 ｉ）有機溶剤中で芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させてポリアミック酸溶液を得る工程、 ｉｉ）上記ポリアミック酸溶液を含む製膜ドープを支持体上に流延する工程、 ｉｉｉ）支持体上で加熱した後、支持体からゲルフィルムを引き剥がす工程、 ｉｖ）更に加熱して、残ったアミック酸をイミド化し、かつ乾燥させる工程、 を含むことが好ましい。」 「【００４７】 （フレキシブル金属箔積層体） このようにして得られる多層ポリイミドフィルムは、多層ポリイミドフィルムの少なとも片面に金属箔を設けてフレキシブル金属箔積層体とすることができる。多層ポリイミドフィルム上に金属箔を形成する手段としては、 ａ）上述のようにして多層ポリイミドフィルムを得た後、加熱加圧により金属箔を貼り合せてフレキシブル金属箔積層体を得る手段、 ｂ）金属箔上に、ポリアミック酸を含有する有機溶剤溶液をキャストし、加熱により溶剤除去、イミド化を行ってフレキシブル金属箔積層体を得る手段、 ｃ）金属箔上に、非熱可塑性ポリイミドを含有する溶融液をキャストし、冷却することによりフレキシブル金属箔積層体を得る手段、が挙げられる。 これらのうち、非熱可塑性ポリイミドに溶融性を持たせると、得られるフレキシブル金属箔積層体の半田耐熱性や加熱収縮率などが悪化する可能性があるため、ａ）もしくはｂ）の手段を用いることが好ましい。非熱可塑性ポリイミドが溶剤可溶性のものであるなら、ポリアミック酸を含有する有機溶剤溶液の代わりに非熱可塑性ポリイミドを含有する有機溶剤溶液を用いても良い。ａ）ならびにｂ）の詳細について、以下説明する。」 「【００５４】 （フレキシブルプリント基板） 本発明に係るフレキシブル金属張積層体の金属層をエッチングして得られるフレキシブルプリント基板は、速い伝送速度、小さい伝送損失の高周波回路基板となる。」 「【実施例】 【００５５】 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 なお、合成例、実施例及び比較例におけるポリイミドフィルムの誘電率、誘電正接、吸水率、フィルムの厚みの評価方法は次の通りである。 【００５６】 （誘電率、誘電正接の測定） 測定装置として、空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置（（株）関東電子応用開発製）を用い、ポリイミドフィルムの誘電率および誘電正接を下記条件化で測定した。 測定周波数：１０ＧＨｚ 測定条件：温度２２℃～２４℃、湿度４５％～５５％ 測定試料：前記測定条件下で、２４時間放置した試料を使用した。 【００５７】 （吸水率の測定） ５０℃で３０分乾燥したポリイミドフィルムを２２～２４℃の水に２４時間浸漬した後、フィルム表面の水分を拭き取り、水浸漬前後の質量増加分から吸水率（％）を算出した。 【００５８】 （フィルムの厚みの測定） 接触式厚み計Ｍｉｔｓｕｔｏｙｏ社製ＬＡＳＥＲＨＯＬＯＧＡＧＥを使用してフィルムの厚みを測定した。 【００５９】 実施例及び比較例に用いた略号は、以下の化合物を示す。 ＯＤＡ：４，４'－ジアミノジフェニルエーテル ｍ‐ＴＢ：２,２’‐ジメチル‐４,４’‐ジアミノビフェニル ＢＡＰＰ：２,２‐ビス（４‐アミノフェノキシフェニル）プロパン ＴＰＥ‐Ｒ：１,３‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン ＢＡＰＴ：ビス（４－アミノフェニル）テレフタレート ＰＤＡ：パラフェニレンジアミン ＤＤＡ：ダイマー酸型ジアミン（クローダジャパン株式会社製、商品名；ＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７４、炭素数；３６、アミン価；２０５ｍｇＫＯＨ／ｇ、ダイマー成分の含有量；９５重量％以上） ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物 ＢＰＤＡ：３,３’,４,４’ ‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物 ＴＭＨＱ：パラフェニレンビス（トリメリテート無水物） ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド ＤＭＡｃ：Ｎ,Ｎ‐ジメチルアセトアミド 【００６０】 （非熱可塑性ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）の合成） （合成例１） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３３０．３９ｇ、ＴＰＥ－Ｒ１３．３０ｇ、ｍ－ＴＢ７．２５ｇを加え、攪拌しながらＴＭＨＱ１５．６６ｇ及びＰＭＤＡ８．２０ｇを徐々に添加し、溶解したことを目視で確認後、３０分間攪拌を行った。その後、ＰＤＡ３．６９ｇを加えた後、攪拌しながらＰＭＤＡ８．４５ｇを徐々に添加し、ＰＭＤＡが溶解したことを確認後、３０分間攪した。最後に、０．７５ｇのＰＭＤＡを固形分濃度７．２％となるようにＤＭＦに溶解した溶液を調整し、この溶液を粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６１】 （合成例２） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３３１．２０ｇ、ＴＰＥ－Ｒ６．１０ｇ、ｍ－ＴＢ６．６５ｇ、ＢＡＰＰ８．５７ｇを加え、攪拌しながらＢＰＤＡ１９．３５ｇを徐々に添加し、溶解したことを目視で確認後、３０分間攪拌を行った。その後、ＢＡＰＴ１０．９１ｇを加えた後、攪拌しながらＰＭＤＡ７．７４ｇを徐々に添加し、ＰＭＤＡが溶解したことを確認後、３０分間攪した。最後に、０．６８ｇのＰＭＤＡを固形分濃度７．２％となるようにＤＭＦに溶解した溶液を調整し、この溶液を粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６２】 （合成例３） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３４０．００ｇ、ＯＤＡ１１．９６ｇ、ＢＡＰＴ８．９２ｇを加え、攪拌しながらＴＭＨＱ３７．９４ｇを徐々に添加し、溶解したことを目視で確認後、３０分間攪拌を行った。最後に、１．１７ｇのＴＭＨＱを粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６３】 （合成例４） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＡｃ３４０．００ｇ、ＯＤＡ９．７９ｇ、ＢＡＰＴ８．５２ｇ、ＤＤＡ４．３４ｇを加え、攪拌しながらＴＭＨＱ３６．２３ｇを徐々に添加し、溶解したことを目視で確認後、３０分間攪拌を行った。最後に、１．１２ｇのＴＭＨＱを粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６４】 （合成例５） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３４０．００ｇ、ＯＤＡ２４．３０ｇを加え、攪拌しながらＴＭＨＱ３４．６３ｇを徐々に添加した。ＴＭＨＱが溶解したことを目視で確認後３０分間攪拌を行った。最後に、１．２５ｇのＴＭＨＱを粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６５】 （合成例６） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３４０．００ｇ、ＢＡＰＴ３２．５３ｇを加え、攪拌しながらＢＰＤＡ２６．６５ｇを徐々に添加した。ＢＰＤＡが溶解したことを目視で確認後３０分間攪拌を行った。最後に、０．８２ｇのＢＰＤＡを粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６６】 （合成例７） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３２７．９０ｇ、ＯＤＡ２８．７２ｇを加え、攪拌しながら、ＰＭＤＡ３０．３４ｇを徐々に添加した。ＰＭＤＡが溶解したことを目視で確認後３０分間攪拌を行った。最後に、０．９４ｇのＰＭＤＡを固形分濃度７．２％となるようにＤＭＦに溶解した溶液を調整し、この溶液を粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６７】 （合成例８） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３４０．００ｇ、ＯＤＡ２４．３０ｇを加え、攪拌しながらＢＰＤＡ３４．６３ｇを徐々に添加した。ＢＰＤＡが溶解したことを目視で確認後３０分間攪拌を行った。最後に、１．０７ｇのＢＰＤＡを粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６８】 （合成例９） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３２９．４０ｇ、ＴＰＥ－Ｒ７．３４ｇ、ｍ－ＴＢ８．００ｇ、ＢＡＰＰ１０．３１ｇを加え、攪拌しながらＢＰＤＡ１１．０９ｇ及びＰＭＤＡ９．０４ｇを徐々に添加し、溶解したことを目視で確認後、３０分間攪拌を行った。その後、ＰＤＡ４．０８ｇを加えた後、攪拌しながらＰＭＤＡ９．３２ｇを徐々に添加し、ＰＭＤＡが溶解したことを確認後、３０分間攪した。最後に、０．８２ｇのＰＭＤＡを固形分濃度７．２％となるようにＤＭＦに溶解した溶液を調整し、この溶液を粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が２０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００６９】 （熱可塑性ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）の合成） （合成例１０） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ３２３．０４ｇ、ＢＡＰＰ４３．６１ｇを加え、攪拌しながらＢＰＤＡ４．６９ｇ、ＰＭＤＡ１９．００ｇを徐々に添加し、溶解したことを目視で確認後、３０分間攪拌を行った。最後に、０．７０ｇのＰＭＤＡを固形分濃度７．２％となるようにＤＭＦに溶解した溶液を調整し、この溶液を粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が１０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００７０】 （合成例１１） 室温、窒素雰囲気下で、２０００ｍｌのセパラブルフラスコにＤＭＦ２９９．８２ｇ、ＴＰＥ－Ｒ３２．１８ｇを加え、攪拌しながらＢＰＤＡ３４．１３ｇ、を徐々に添加し、溶解したことを目視で確認後、３０分間攪拌を行った。最後に、１．６９ｇのＢＡＰＰを固形分濃度５．０％となるようにＤＭＦに溶解した溶液を調整し、この溶液を粘度上昇に気を付けながら上記反応溶液に徐々に添加して、２３℃での粘度が１０００ポイズに達した時点で添加、撹拌をやめ、ポリイミド前駆体を得た。 【００７１】 （実施例１） 合成例１で得られた非熱可塑性ポリイミド前駆体（６０ｇ）に、無水酢酸／イソキノリン／ＤＭＦ（重量比２．４８／０．７５／４．２７）からなる硬化剤を３０．０ｇ添加して０℃以下の温度で攪拌・脱泡し、コンマコーターを用いてアルミ箔上に流延塗布した。この樹脂膜を１１０℃×１３０秒で加熱した後、アルミ箔から自己支持性のゲル膜を引き剥がして金属製の固定枠に固定し、２５０℃×１５秒、３５０℃×７９秒で乾燥・イミド化させて厚み１７μｍのポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの誘電率、誘電正接、並びに吸水率を表１に示す。 合成例１０で得られた熱可塑性ポリイミド前駆体を固形分濃度１０重量％になるまで希釈した後、上記で得られたポリイミドフィルムの片面に最終片面厚みが４μｍとなるようにコンマコーターで流延塗布し、１２０℃で１２０秒乾燥した。もう片面も同様に最終厚みが４μｍとなうように熱可塑性ポリイミド前駆体を塗布した後、１２０℃で１２０秒乾燥した。続いて、３５０℃で２０秒間加熱処理を行って、総厚み２５μｍポリイミド積層体を得た。得られたポリイミド積層体の誘電率、誘電正接を表２に示す。 【００７２】 （実施例２～実施例６） 合成例１で得られた非熱可塑性ポリイミド前駆体を合成例２～４に変更する以外は、実施例１と同様にして実施した。得られたポリイミドフィルムの誘電率、誘電正接、並びに吸水率を表１に示す。また、得られたポリイミド積層体の誘電率、誘電正接を表２に示す。 【００７３】 （実施例７） 合成例１０で得られた熱可塑性ポリイミド前駆体を合成例１１に変更する以外は、実施例１と同様にして実施した。得られたポリイミドフィルムの誘電率、誘電正接、並びに吸水率を表１に示す。また、得られたポリイミド積層体の誘電率、誘電正接を表２に示す。 【００７４】 （実施例８） 合成例１で得られた非熱可塑性ポリイミド前駆体を合成例２に変更する以外は、実施例５と同様にして実施した。得られたポリイミドフィルムの誘電率、誘電正接、並びに吸水率を表１に示す。また、得られたポリイミド積層体の誘電率、誘電正接を表２に示す。 【００７５】 （比較例１～３） 合成例１で得られた非熱可塑性ポリイミド前駆体を合成例７～９に変更する以外は、実施例１と同様にして実施した。得られたポリイミドフィルムの誘電率、誘電正接、並びに吸水率を表１に示す。また、得られたポリイミド積層体の誘電率、誘電正接を表２に示す。 【００７６】 【表１】 ［図：0001413304000020.jpg］ 【００７７】 【表２】 ［図：0001413304000021.jpg］ 」 （イ）甲１に記載された発明 甲１の特許請求の範囲において、請求項１を引用する請求項２を、さらに引用する請求項３である多層ポリイミドフィルムに着目すると、甲１には以下の発明が記載されている。 「非熱可塑性ポリイミド樹脂層の少なくとも一方の面に熱可塑性ポリイミド樹脂層を有する多層ポリイミドフィルムであって、 前記非熱可塑性ポリイミド樹脂層が、酸二無水物とジアミンの反応物であり、前記酸二無水物中、一般式（１）の繰り返し単位を、３０モル％以上含み、および／または、前記ジアミン中、一般式（２）の繰り返し単位を、３０モル％以上含み、 吸水率が１．２％以下、誘電正接が０．００５以下であることを特徴とする多層ポリイミドフィルム（但し、一般式（１）及び（２）中、Ｘは一般式（３）中から選ばれる２価の有機基、一般式（２）中、Ｙはエステル基である。一般式（２）及び（３）中、Ｒ1はＨ、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、ｎは１～４の整数である。）であって、 【化１】 ［図：0001413304000022.jpg］ 【化２】 ［図：0001413304000023.jpg］ 【化３】 ［図：0001413304000024.jpg］ 前記非熱可塑性ポリイミドフィルムは、前記ジアミンとして炭素数３６の脂肪族ジアミン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４'－ジアミノ－２，２'－ジメチルビフェニル、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパンから選ばれる少なくとも１種のジアミンを含み、 前記非熱可塑性ポリイミドフィルムは、前記酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物から選ばれる酸二無水物を含むことを特徴とする多層ポリイミドフィルム。」（以下、「甲１発明」という。） イ 甲２に記載された事項 甲２には、以下の記載がある。 「 ［図：0001413304000025.jpg］ 」 （当審訳： １．回路基板の製造方法であって、前記回路基板は可撓性絶縁基材、及び前記可撓性絶縁基材の少なくとも一面に被覆された金属箔を含み、前記製造方法は以下のステップを含むことを特徴とする： 可撓性絶縁基材の少なくとも片面に表面改質処理を行い、その表面に金属イオンを吸着させることができる； 表面改質された可撓性絶縁基材の表面に金属イオンを吸着する； 金属イオンを吸着したフレキシブル絶縁基材を還元処理する； 及び還元処理された可撓性絶縁基材の表面樹脂層を除去し、続いて金属層をめっきする回路基板の製造方法。 ２．前記フレキシブル絶縁基材は、吸水率が０．８％以下であり、誘電率が３．５以下であり、誘電正接が０．００５以下であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。 ３．前記可撓性絶縁基材はポリイミドであり、前記ポリイミドは酸二無水物とジアミンを反応させて得られ、前記ポリイミドの繰り返し単位構造はイミド結合とエステル結合を有し、且つ各単位構造のエステル基の濃度は６％以上２５％未満であり、イミド基の濃度は１５％以上３０％未満であり、前記ポリイミドは少なくとも一種類の各イミド基の間に三つ又は四つのベンゼン環を含む繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。 ４．前記ポリイミド中のフッ素原子の合有量は２０％以下であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。 ５．前記酸二無水物はp―フェニレンビス（トリメリット酸エステル二無水物）及び／又は4,4'―ビス（1,3-ジオキソ-1,3―ジヒドロイソベンゾフラン―5-イルカルボニルオキシ）ビフェニルを含み、好ましくは、その総量は酸二無水物の総モル数の５０％以上である； 前記ジアミンは2,2'―ビス（トリフルオロメチル）ジアミノビフェニル、ジアミノジフェニルエーテル、2,2'―ジメチルジアミノビフェニル、フェニレンジアミンのうちのいずれか一種又はその任意の組み合わせを含み、好ましくは、その総量はジアミンの総モル数の８０％以上である； 好ましくは、酸二無水物の総量とジアミンの総量のモル比は０．９９５：１．００５～１．００５～０．９９５であることを特徴とする請求項３又は４に記載の製造方法。 ６．回路基板はフレキシブル銅張積層板であり、前記金属イオンは銅イオンであり、前記金属層は銅層である請求項１～５のいずれか１項に記載の製造方法。） 「 ［図：0001413304000026.jpg］ 」 （当審訳： [0022] 通信速度の高速化に伴い、従来から用いられているFPCの絶縁材料であるポリイミド(PI)樹脂の誘電率(Dielectric constant:Dk)及び誘電正接（又は損失係数 Dissipation factor:Df)を低くする必要がある。また、PIは吸水率が高く、吸水の影響を受けてDk及びDfの値が変動するため、吸水率の低いPIが必要となる。これに対し、本発明者らは、PI樹脂の骨格を変更することにより、汎用PIに比べて低誘電率、低誘電正接、かつ低吸水のPIを開発したが、配線を形成する銅箔との密着性を確保することはできなかった。本発明者は、銅箔表面を粗化する方法を試みたが、溝体表面での高周波での電気信号損失を招くため、使用できなかった。さらに、本発明者らは、FPC基材（回路基板）の製法を検討し、高速通信に対応する低誘電率、低誘電正接、かつ低吸水のPIに最適な回路基板製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。） 「 ［図：0001413304000027.jpg］ ［図：0001413304000028.jpg］ 」 （当審訳： [0041] 酸二無水物は、第１の酸二無水物を含み、第１の酸二無水物は、２つの酸無水物基（アシルオキシカルボニル基）の間に３つ又は４つのベンゼン環を有してもよく、エステル基を有してもよい。第１の酸二無水物としては、例えば、p―フェニレンビス（トリメリット酸エステルニ無水物）（TAHQ)、4,4'―ビス（1,3-ジオキソ-1,3―ジヒドロイソベンゾフラン-5-イルカルボニルオキシ）ビフェニル(BP-TME)、2,2',3,3',5,5'―ヘキサメチル-[1,1'―ビフェニル］-4,4'―ビス（1,3-ジオキソ-1,3―ジヒドロイソベンゾフラン-5-カルボキシレート）（TMPBP-TME,CAS番号：1042278-26-1)等が挙げられる。これらの第１の酸二無水物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。好ましくは、第１の酸二無水物は、TAHQ及び／又はBP-TMEである。 [0042] 酸二無水物は、第２の酸二無水物をさらに含んでもよい。第２の酸二無水物としては、例えば、3,3',4,4'―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、2,3,3',4'―ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、エチレングリコールビストリメリット酸無水物(TMEG)等が挙げられる。これらの第２の酸二無水物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 [0043] 第１の酸二無水物と第２の酸二無水物とのモル比は、100:0～30:70であってもよく、100:0～50:50であることがより好ましい。 [0044] 第１の酸二無水物および第２の酸二無水物の総モル数は、酸二無水物の総モル数の９０％以上であってもよい。 [0045] 一実施形態では、酸二無水物は、TAHQ、BP-TME、PMDA、BPDAのいずれか１つまたは任意の組み合わせである。酸二無水物の総量は、酸二無水物の総モル数の９０％以上であってもよい。 [0046] ジアミンとしては、例えば、2,2'-ビス（トリフルオロメチル）ジアミノビフェ二ル(TFMB)、ジアミノジフェニルエーテル(ODA)、2,2'―ジメチルジアミノビフェニル(mTBHG)、フェニレンジアミン(PPD)が挙げられる。これらのジアミンは、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。好ましくは、これらのジアミンの総量は、ジアミンの総モル数の８０％以上である。好ましくは、ジアミン中に含フッ素ジアミンを有する。） 「 ［図：0001413304000029.jpg］ ［図：0001413304000030.jpg］ ［図：0001413304000031.jpg］ ［図：0001413304000032.jpg］ ［図：0001413304000033.jpg］ 」 （当審訳： [0066] ポリイミド基材の調製。 [0067] 試験方法： 吸水率：フィルムサンプルを２５℃で水に２４時間浸漬した後の重量と真空乾燥後の重量との差を真空乾燥後の重量で割る； 引張強度、引張伸度、引張弾性：引張試験機(A&D社製；型番TENSILONRTF1350)で測定する； Dk（誘電率）、Df（誘電正接、Tan δ)：空洞共振誘電率測定装置（日本AET社製、空桐共振器型）で測定； CTE（線膨張係数）：熱機械分析装置（日立ハイテクノロジーズグループ製造，型番 TMA7000); ガラス転移温度(Tg)、弾性率(E'）：動的粘弾性測定装置（日立ハイテクノロジ一ズグループの製造；型番DMA7100)により測定した。） [0068] ポリイミドワニスの製造方法 ステンレス製攪拌棒を有する攪拌機、窒素導入管を備えた５００ｍｌのガラス製セパラブルフラスコに、表２に記載のジアミンを入れ、重合用有機溶媒として脱水したNMP(N-メチル-2―ピロリドン）を用意して攪拌した後、この溶液に表２に記載の酸二無水物を加え、８０℃で１時間加熱してポリアミド酸を得た。各モノマーの準備割合は、ジアミン１００ｍｏｌ％に対して、酸二無水物が１００ｍｏｌ％であった。ワニスをドクターブレードコーティングプロセスにより塗膜を形成し、塗膜を室温から０．５ｈ時間で２００℃まで昇温して１時間保温し、次に０．５時間で３５０℃まで昇温して２時間保温し、次に室温まで冷却する（及び焼成条件は同じ）を成膜して、膜（ポリイミド基材）を形成した。得られたフィルムの各性能を表２に示す。 [0069] 各実施例及び比較例において、使用した原料の名称、構造式及び購入源は表１に示すとおりである： 表１、表２は省略） ウ 甲３に記載された事項 甲３には、以下の記載がある。 「[0006] 本発明の目的は、寸法安定性が高く、かつ、低吸湿性を有するとともに、絶縁層の誘電正接を小さくすることにより、伝送損失の低減が可能で、高周波用回路基板に好適に使用することができるポリイミドフィルムを提供することである。」 「[0034] ＢＰＤＡから誘導されるテトラカルボン酸残基（以下、「ＢＰＤＡ残基」ともいう。）及びＴＡＨＱから誘導されるテトラカルボン酸残基（以下、「ＴＡＨＱ残基」ともいう。）は、ポリマーの秩序構造を形成しやすく、分子の運動抑制により誘電正接や吸湿性を低下させることができる。しかし、一方でＢＰＤＡ残基は、ポリイミド前駆体のポリアミド酸としてのゲル膜の自己支持性を付与できるが、イミド化後のＣＴＥを増大させるとともに、ガラス転移温度を低くして耐熱性を低下させる傾向になる。 [0035] このような観点から、第１、第２又は第３の実施の形態のポリイミドフィルムは、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドが、テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して、ＢＰＤＡ残基及びＴＡＨＱ残基の合計を好ましくは３０モル部以上６０モル部以下の範囲内、より好ましくは４０モル部以上５０モル部以下の範囲内で含有するように制御する。ＢＰＤＡ残基及びＴＡＨＱ残基の合計が３０モル部未満では、ポリマーの秩序構造の形成が不十分となって、耐吸湿性が低下したり、誘電正接の低減が不十分となり、６０モル部を超えると、ＣＴＥの増加や面内リタデーション（ＲＯ）の変化量の増大のほか、耐熱性が低下したりするおそれがある。」 「[0043]（ジアミン残基） 第１、第２又は第３の実施の形態において、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、一般式（Ａ１）で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が好ましい。 [0044][化７] ［図：0001413304000034.jpg］ [0045] 式（Ａ１）において、連結基Ｘは単結合若しくは－ＣＯＯ－から選ばれる２価の基を示し、Ｙは独立に水素、炭素数１～３の１価の炭化水素基、若しくはアルコキシ基を示し、ｎは０～２の整数を示し、ｐ及びｑは独立して０～４の整数を示す。ここで、「独立に」とは、上記式（Ａ１）において、複数の連結基Ａ、複数の置換基Ｙ、さらに整数ｐ、ｑが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。なお、上記式（Ａ１）において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば－ＮＲ３Ｒ４（ここで、Ｒ３，Ｒ４は、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する）であってもよい。 [0046] 一般式（Ａ１）で表されるジアミン化合物（以下、「ジアミン（Ａ１）」と記すことがある）は、２つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。ジアミン（Ａ１）は、剛直構造を有しているため、ポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有している。そのため、ガス透過性が低く、低吸湿性のポリイミドが得られ、分子鎖内部の水分を低減できるため、誘電正接を下げることができる。ここで、連結基Ｘとしては、単結合が好ましい。 [0047] ジアミン（Ａ１）としては、例えば、１,４－ジアミノベンゼン（ｐ－ＰＤＡ；パラフェニレンジアミン）、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ｍ－ＴＢ）、２,２’－ｎ－プロピル－４,４’－ジアミノビフェニル（ｍ－ＮＰＢ）、４－アミノフェニル－４’－アミノベンゾエート（ＡＰＡＢ）等を挙げることができる。」 「[0192]（合成例Ａ－２６） 窒素気流下で、３００ｍｌのセパラブルフラスコに、１１．２０４ｇのｍ－ＴＢ（０．０５２８モル）及び０．６７０ｇのＢＡＰＰ（０．００１６モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、５．８４５ｇのＰＭＤＡ（０．０２６８モル）及び１２．２８１ｇのＴＡＨＱ（０．０２６８モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ａ－２６を得た。ポリアミド酸溶液Ａ－２６の溶液粘度は２６，６００ｃｐｓであった。 [0193] 次に、厚さ１２μｍの電解銅箔の片面（表面粗さＲｚ；２．１μｍ）に、ポリアミド酸溶液Ａ－２６を硬化後の厚みが約２５μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を３０分以内で行い、イミド化を完結した。得られた金属張積層板について、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムＡ－２６（非熱可塑性、Ｔｇ；３０４℃、吸湿率；０．４９重量％）を調製した。また、ポリイミドフィルムＡ－２６を構成するポリイミドのイミド基濃度は２６．９重量％であった。 [0194]［実施例Ａ－１］ 厚さ１２μｍの電解銅箔の片面（表面粗さＲｚ；０．６μｍ）に、ポリアミド酸溶液Ａ－１を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次にその上にポリアミド酸溶液Ａ－１５を硬化後の厚みが、約２１μｍとなるように均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、その上にポリアミド酸溶液Ａ－１を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。このようにして、３層のポリアミド酸層を形成した後、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を３０分で行い、イミド化を完結した。得られた金属張積層板について、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、多層ポリイミドフィルムＡ－１（ＣＴＥ；２２ｐｐｍ／Ｋ、吸湿率；０．５４重量％、誘電率；３．５８、誘電正接；０．００３１）を調整した。 ・・・ [0200]［実施例Ａ－２２～実施例Ａ－２３］ 表５に示すポリアミド酸溶液を使用した他は、実施例Ａ－１と同様にして、実施例Ａ－２２～実施例Ａ－２３の多層ポリイミドフィルムＡ－２４～Ａ－２５を得た。得られた多層ポリイミドフィルムＡ－２４～Ａ－２５のＣＴＥ、吸湿率、誘電率、誘電正接を求めた。各測定結果を表５に示す。 [0201] [表５] ［図：0001413304000035.jpg］ 」 「[0262]（合成例Ｃ－１） 窒素気流下で、反応槽に、６０６．３８７重量部のｍ－ＴＢ（２．８５６モル部）及び９２．７７９重量部のＴＰＥ－Ｒ（０．３１７モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３４０．９４１重量部のＰＭＤＡ（１．５６３モル部）及び４５９．８９２重量部のＢＰＤＡ（１．５６３モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－１を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－１の溶液粘度は２９，１００ｃｐｓであった。 [0263]（合成例Ｃ－２） 窒素気流下で、反応槽に、６０６．３８７重量部のｍ－ＴＢ（２．８５６モル部）及び９２．７７９重量部のＴＰＥ－Ｑ（０．３１７モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３４０．９４１重量部のＰＭＤＡ（１．５６３モル部）及び４５９．８９２重量部のＢＰＤＡ（１．５６３モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－２を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－２の溶液粘度は３２，８００ｃｐｓであった。 [0264]（合成例Ｃ－３） 窒素気流下で、反応槽に、６１６．１５９重量部のｍ－ＴＢ（２．９０２モル部）及び９４．２７５重量部のＴＰＥ―Ｒ（０．３２２モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、４１５．７２３重量部のＰＭＤＡ（１．９０６モル部）及び３７３．８４３重量部のＢＰＤＡ（１．２７１モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－３を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－３の溶液粘度は３１，５００ｃｐｓであった。 [0265]（合成例Ｃ－４） 窒素気流下で、反応槽に、６３７．５０３重量部のｍ－ＴＢ（３．００３モル部）及び６４．８８２重量部のＢＡＰＰ（０．１５８モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３３９．５７１重量部のＰＭＤＡ（１．５５７モル部）及び４５８．０４４重量部のＢＰＤＡ（１．５５７モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－４を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－４の溶液粘度は２４，１００ｃｐｓであった。 [0266]（合成例Ｃ－５） 窒素気流下で、反応槽に、５９１．５９４重量部のｍ－ＴＢ（２．７８７モル部）及び１２７．１０９重量部のＢＡＰＰ（０．３１０モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３３２．６２４重量部のＰＭＤＡ（１．５２５モル部）及び４４８．６７３重量部のＢＰＤＡ（１．５２５モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－５を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－５の溶液粘度は２３，２００ｃｐｓであった。 [0267]（合成例Ｃ－６） 窒素気流下で、反応槽に、６４１．９６８重量部のｍ－ＴＢ（３．０２４モル部）及び５４．８３０重量部のビスアニリン－Ｍ（０．１５９モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３４１．９５０重量部のＰＭＤＡ（１．５６８モル部）及び４６１．２５２重量部のＢＰＤＡ（１．５６８モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－６を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－６の溶液粘度は２６，５００ｃｐｓであった。 [0268]（合成例Ｃ－７） 窒素気流下で、反応槽に、５３８．４３２重量部のｍ－ＴＢ（２．５３６モル部）及び１８５．３５９重量部のＴＰＥ－Ｒ（０．６３４モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、４０８．６９０重量部のＰＭＤＡ（１．８７４モル部）及び３６７．５１９重量部のＢＰＤＡ（１．２４９モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－７を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－７の溶液粘度は３１，１００ｃｐｓであった。 [0269]（合成例Ｃ－８） 窒素気流下で、反応槽に、６７４．４８９重量部のｍ－ＴＢ（３．１７７モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、２７３．０４７重量部のＰＭＤＡ（１．２５２モル部）及び５５２．４６５重量部のＢＰＤＡ（１．８７８モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－８を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－８の溶液粘度は２６，４００ｃｐｓであった。 [0270]（合成例Ｃ－９） 窒素気流下で、反応槽に、４６３．２９０重量部のｍ－ＴＢ（２．１８２モル部）及び２７３．４１４重量部のＴＰＥ－Ｒ（０．９３５モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、４０１．８９１重量部のＰＭＤＡ（１．８４３モル部）及び３６１．４０５重量部のＢＰＤＡ（１．２２８モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－９を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－９の溶液粘度は２９，０００ｃｐｓであった。 ・・・ [0280]（合成例Ｃ－１９） 窒素気流下で、反応槽に、６１０．０５０重量部のｍ－ＴＢ（２．８７４モル部）及び５２．１０４重量部のビスアニリン-Ｍ（０．１５１モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３９９．５２６重量部のＮＴＣＤＡ（１．４９０モル部）及び４３８．３２０重量部のＢＰＤＡ（１．４９０モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－１９を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－１９の溶液粘度は２９，２００ｃｐｓであった。 [0281]（合成例Ｃ－２０） 窒素気流下で、反応槽に、５６０．１９０重量部のｍ－ＴＢ（２．６３９モル部）及び３３．５０３重量部のＢＡＰＰ（０．０８２モル部）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、２９２．２３７重量部のＰＭＤＡ（１．３４０モル部）及び６１４．０７１重量部のＴＡＨＱ（１．３４０モル部）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液Ｃ－２０を調製した。ポリアミド酸溶液Ｃ－２０の溶液粘度は２６，１００ｃｐｓであった。 [0282]［実施例Ｃ－１］ 厚さ１２μｍの電解銅箔の片面（表面粗さＲｚ；０．６μｍ）に、ポリアミド酸溶液Ｃ－１を硬化後の厚みが約２５μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を３０分以内で行い、イミド化を完結した。塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルムＣ－１（ＣＴＥ；１８．１ｐｐｍ／Ｋ、Ｔｇ；３２２℃、吸湿率；０．５７重量％、ＨＡＺＥ；７４．５％、フィルム伸度；４８％、誘電率；３．４２、誘電正接；０．００２８）を調製した。 [0283]［実施例Ｃ－２～実施例Ｃ－９及び参考例Ｃ－１～参考例Ｃ－２］ 表１４及び表１５に示すポリアミド酸溶液を使用した他は、実施例Ｃ－１と同様にして、ポリイミドフィルムＣ－２～Ｃ－１１を調製した。ポリイミドフィルムＣ－２～Ｃ－１１について、ＣＴＥ、Ｔｇ、吸湿率、ＨＡＺＥ、フィルム伸度、誘電率及び誘電正接を求めた。これらの測定結果を表１４及び表１５に示す。 [0284][表１４] ［図：0001413304000036.jpg］ [0285][表１５] ［図：0001413304000037.jpg］ 」 「[0297] [表１７] ［図：0001413304000038.jpg］ 」 エ 本件発明１について （ア）対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 ａ 甲１発明の「酸二無水物」と「ジアミン」の反応物である「非熱可塑性ポリイミド樹脂層」は、上記反応物であるポリイミド樹脂中において、「酸二無水物」、「ジアミン」はそれぞれ「酸二無水物」由来の構成単位、「ジアミン」由来の構成単位となる。そうすると、甲１発明の「酸二無水物」と「ジアミン」の反応物である「非熱可塑性ポリイミド樹脂層」は、本件発明１の「テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）」と「ジアミン由来の構成単位（Ｂ）」とを含有する「ポリイミド系樹脂を含むポリイミド系フィルム」に相当する。 ｂ 上記ａを受けて、甲１発明の上記「酸二無水物」由来の構成単位は、「一般式（１）の繰り返し単位 ［図：0001413304000039.jpg］ （当審注：以下、一般式（１）は省略する。）」を含み、非熱可塑性ポリイミド樹脂層中で「一般式（１）の繰り返し単位」由来の構成単位となる。そうすると、甲１発明の「一般式（１）の繰り返し単位」由来の構成単位は、本件発明１の「エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）」である「式（ａ１）で表されるテトラカルボン酸二無水物由来の構成単位（ａ１） ［図：0001413304000040.jpg］ （当審注：以下、式（ａ１）は省略する。）」に相当する。 してみると、本件発明１と甲１発明とは、 「 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有するポリイミド系樹脂を含むポリイミド系フィルムであって、 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）は、エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）を含み、 前記構成単位（Ａ１）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、 前記構成単位（Ａ１）は、式（ａ１） （省略） で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）である、 、ポリイミド系フィルム。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点２＞ テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）に関し、本件発明１が「エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸二無水物由来の構成単位（Ａ２）を含」むのに対し、甲１発明が「一般式（１）の繰り返し単位」由来の構成単位を必須とし、「ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物から選ばれる」テトラカルボン酸無水物を含む点 ＜相違点３＞ 本件発明１では、「構成単位（Ａ２）の含有量」が「構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％」であって、「構成単位（Ａ）の総量に対する、構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量」が「８０モル％以上」であるのに対して、甲１発明ではそのようなことが不明である点 ＜相違点４＞ ジアミン由来の構成単位（Ｂ）及びその含有量に関し、本件発明１が「ビフェニル骨格含有ジアミン」であって、「構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超え」、「式（ｂ１）（当審注：式（ｂ２）は省略する。以下、同様。）」で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ１）であるのに対し、甲１発明が、「一般式（２）の繰り返し単位」を３０モル％以上含み、「炭素数３６の脂肪族ジアミン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ジアミノ－２，２’－メチルビフェニル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパンから選ばれる少なくとも１種のジアミンを含む」ものである点 ＜相違点５＞ 前記ポリイミド系フィルムの１０ＧＨｚにおける誘電正接に関し、本件発明１が０．００３以下であるのに対して、甲１発明では０．００５以下である点 （イ）判断 ポリイミド系フィルムにおいて誘電正接を低くするには、そのもととなるポリイミドの構成単位の骨格により影響を受けることから、相違点２～５は密接に関係するものであり、以下に、まとめて検討する。 甲１には、酸二無水物中、一般式（１）の繰り返し単位を３０モル％以上含むか、又は、ジアミン中、一般式（２）の繰り返し単位を３０モル％以上含むと、低吸水性かつ低誘電正接のポリイミドを提供するできること（【００１８】）が記載されているものの、実施例において製造された非熱可塑性樹脂の合成例１～９の誘電正接は０．００３２～０．０１５６の範囲であり（【００７６】の表１）、本件発明１の「０．００３以下」の誘電正接を満たすものは記載されていない。 また、実施例において、ｍ－ＴＢ（本件発明１の「構成単位（ｂ１）」）を用いた例（合成例１、２、９）はあるものの、酸二無水物として一般式（１）の繰り返し単位（本件発明の「構成単位（ａ１）」）とビフェニルテトラカルボン酸二無水物（本件発明の「構成単位（Ａ２）」）由来の繰り返し単位の両方を含むポリイミド樹脂層の具体例は記載されていない。 そこで、甲２及び甲３の記載を考慮すれば、甲１発明において、酸二無水物単位として、一般式（１）の構成単位とともにビフェニルテトラカルボン酸二無水物由来の構成単位を含み（相違点２、３）、ジアミン単位として、一般式（２）の繰り返し単位のほか、ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位を選択して（相違点４）、０．００３以下の誘電正接（相違点５）とすることを当業者が容易に想到し得るかについて検討する。 甲２には、誘電正接が０．００５以下のＦＰＣの絶縁材料であるポリイミド樹脂であって（請求項２）、上記ポリイミド樹脂が第１の酸二無水物、第２の酸二無水物及びジアミンからなり（【００２２】、【００４１】～【００４５】）、本件発明１の「構成単位（ａ１）」、「構成単位（Ａ２）」、「構成単位（Ｂ１）」に対応する成分を含む実施例４，７，８，１１，１２では、０．００３４～０．００５０程度の誘電正接を示すことが記載されているところ、上記「構成単位（Ｂ１）」は本件発明１のジアミンとは同じジアミノビフェニル骨格を有するものの置換基が異なる点で相違することを踏まえたとしても、甲１発明において、酸二無水物として本件発明１の「構成単位（ａ１）」及び「構成単位（Ａ１）」の組合せ、並びにジアミノビフェニル骨格を有するジアミンを選択してみたところで、せいぜい０．００３４～０．００５０程度のものしか得られないことを、当業者は想定するものといえる。 また、甲３には、誘電正接を小さくすることにより伝送損失の低減が可能で高周波回路基板に好適に使用できるポリイミドフィルムの提供を課題としていること（【０００６】）、ＢＰＤＡ残基及びＴＡＨＱ残基がポリマーの秩序構造を形成しやすく、分子の運動抑制により誘電正接や吸湿性を低下させること（【００３４】）、テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して、ＢＰＤＡ残基及びＴＡＨＱ残基の合計を好ましくは３０モル部以上６０モル部以下の範囲に制御すること（【００３５】）が記載され、実施例では酸二無水物として本件発明１の「構成単位（ａ１）」又は「構成単位（Ａ２）」、ジアミンとして「構成単位（Ｂ１）」に対応する成分を含む例、つまり、ジアミンとして「構成単位（Ｂ１）」を用いつつ、酸二無水物として「構成単位（ａ１）」及び「構成単位（Ａ２）」を併用する例がないことから、誘電正接を小さくするために、酸二無水物としてＢＰＤＡ残基又はＴＡＨＱ残基が選択されることが理解できても、それらを併用し、かつ、その合計含有量を、本件発明１のように８０モル％以上とする動機付けはないものである。 そうすると、甲１に記載された発明及び甲２，甲３に記載された事項に接したとしても、ジアミンとしてジアミノビフェニル単位（本件発明１の「構成単位（Ｂ１）」）を用い、酸二無水物としてＴＡＨＱ又はＢＰ－ＴＭＥ（本件発明１の「構成単位（ａ１）」）及びＢＰＤＡ（本件発明１の「構成単位（Ａ２）」）を併用し、かつ、それらを酸二無水物の総モル数に対して８０モル％以上の含有割合で用いようとする動機付けがないことに加えて、誘電正接が０．００３以下であることも当業者には想定し得ないものである。 してみると、相違点２～５は、甲１に記載された発明と、甲１～甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たことではない。 また、本件発明１に係る発明特定事項を有することにより、１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００３以下という優れたポリイミド系フィルムが得られるという効果については、甲１～甲３に記載された事項から当業者は予測し得ないことである。 よって、本件発明１は、甲１に記載された発明と、甲１～甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。 オ 本件発明２～９について 本件発明２～９は、本件発明１を引用するものであるから、これらの発明も、上記エと同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 カ 本件発明１０について （ア）対比 本件発明１０と甲１発明と対比する。 上記エ（ア）ａ、ｂと同様の相当関係を有するほかは以下のとおりである。 ｃ 甲１発明の「ポリイミドフィルム」を構成する「非熱可塑性ポリイミド樹脂層」は、層状（フィルム状）の組成物であり、酸二無水物とジアミンとの反応物であることから、本件発明１０の「ポリイミド系樹脂」に相当するといえる。 してみると、本件発明１０と甲１発明とは、 「 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有するポリイミド系樹脂であって、 テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）は、エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）を含み、 前記構成単位（Ａ１）の含有量は、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、 前記構成単位（Ａ１）は、式（ａ１）： （省略） で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）である、 、ポリイミド系樹脂。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点２’＞ テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）に関し、本件発明１０が「エステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸二無水物由来の構成単位（Ａ２）を含」むのに対し、甲１発明が「一般式（１）の繰り返し単位」由来の構成単位を必須とし、「ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物から選ばれる」テトラカルボン酸無水物を含む点 ＜相違点３’＞ 本件発明１０では、「構成単位（Ａ２）の含有量」が「構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％」であって、「構成単位（Ａ）の総量に対する、構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量」が「８０モル％以上」であるのに対して、甲１発明ではそのようなことが不明である点 ＜相違点４’＞ ジアミン由来の構成単位（Ｂ）及びその含有量に関し、本件発明１０が「ビフェニル骨格含有ジアミン」であって、「構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超え」、「式（ｂ１）」で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ１）であるのに対し、甲１発明が、「一般式（２）の繰り返し単位」を３０モル％以上含み、炭素数３６の脂肪族ジアミン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ジアミノ－２，２’－メチルビフェニル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、２，２－ビス（４－アミノフェノキシフェニル）プロパンから選ばれる少なくとも１種のジアミンを含むである点 ＜相違点５’＞ 本件発明１０が、「構成単位（Ｂ）」として「式（ｂ２）で表されるジアミン由来の構成単位（ｂ２）をさらに含む」のに対し、甲１発明では不明である点 （イ）判断 ポリイミドは、それの構成単位の骨格により影響を受けることから、相違点２’～５’は密接に関係するものであり、まとめて検討するも、上記エ（イ）に示したとおり、甲１に記載された発明及び甲１～甲３に記載された事項に接したとしても、ジアミンとしてジアミノビフェニル単位（本件発明１０の「構成単位（Ｂ１）」）を用い、酸二無水物としてＴＡＨＱ又はＢＰ－ＴＭＥ（本件発明１０の「構成単位（ａ１）」）と、ＢＰＤＡ（本件発明１０の「構成単位（Ａ２）」）とを併用し、かつ、それらを酸二無水物の総モル数に対して８０モル％以上の含有割合で用いようとする動機付けがないことに加えて、さらにジアミンとして「構成単位（ｂ２）」を選択することも当業者には想定し得ないものである。 してみると、相違点２’～５’は、甲１に記載された発明と、甲１～甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たことではない。 また、本件発明１０に係る発明とすることにより、１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００３以下という優れた誘電正接を示すポリイミド系フィルムに適した樹脂が得られるという効果については、甲１～甲３に記載された事項から当業者は予測し得ないことである。 よって、本件発明１０は、甲１に記載された発明と、甲１～甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２）申立理由３（サポート要件違反）について ア 特許法第３６条第６項第１号の判断手法について 特許法第３６条第６項は、「第二項の特許請求の範囲の記載は、次の各号に適合するものでなければならない。」と規定し、その第１号において「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること。」と規定している。 同号は、明細書のいわゆるサポート要件を規定したものであって、特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 イ 本件発明の課題について 本件明細書の段落【０００５】に記載されているように、「高周波帯域での伝送損失の低いＣＣＬを形成し得る、Ｄｆの低いポリイミド系フィルムを形成可能なポリイミド系樹脂、該ポリイミド系フィルム及びその製造方法、並びに該ポリイミド系フィルムを含む積層フィルム及びフレキシブルプリント回路基板を提供すること」が本件発明の課題であると認められる。 ウ 判断 本件発明１が、上記イに示した本件発明の課題を解決するか検討する。 本件明細書には以下の記載がある。 「【００１１】 〔ポリイミド系樹脂〕 本発明のポリイミド系樹脂は、テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）（以下、単に、構成単位（Ａ）と略すことがある）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）（以下、単に、構成単位（Ｂ）と略すことがある）とを含有し、構成単位（Ａ）が、エステル基含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）（以下、単に、構成単位（Ａ１）と略すことがある）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）（以下、単に、構成単位（Ａ２）と略すことがある）を含み、ジアミン由来の構成単位（Ｂ）が、ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）（以下、単に、構成単位（Ｂ１）と略すことがある）を含み、前記構成単位（Ａ１）の含有量が、前記構成単位（Ａ）の総量に対して１５～７５モル％であり、前記構成単位（Ａ２）の含有量が、前記構成単位（Ａ）の総量に対して２５～８５モル％であり、前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量が、前記構成単位（Ａ）の総量に対して６０モル％以上であり、前記構成単位（Ｂ１）の含有量が、前記構成単位（Ｂ）の総量に対して３０モル％を超える。 本明細書中、ポリイミドをＰＩと略すことがある。本発明において「由来の構成単位」とは、「由来する構成単位」を意味し、例えば「テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）」は「テトラカルボン酸無水物に由来する構成単位（Ａ）」を意味する。 【００１２】 本発明者は、ＰＩ系樹脂において、前記構成単位（Ａ１）の含有量が１５～７５モル％、前記構成単位（Ａ２）の含有量が２５～８５モル％、前記構成単位（Ａ１）と前記構成単位（Ａ２）との合計含有量が６０モル％以上、及び前記構成単位（Ｂ１）の含有量が３０モル％超であると、Ｄｆの低いＰＩ系フィルムが得られることを見出した。これは、構成単位（Ａ１）、構成単位（Ａ２）及び構成単位（Ｂ１）の含有量を上記範囲内とすると、ＰＩ系樹脂が分子回転が抑制された高次構造を形成しやすく、またイミド基濃度が低下しやすいことからＰＩ系樹脂の耐吸湿性が向上しやすく、これにより得られるＰＩ系フィルムのＤｆが低減しやすいためだと推定される。 【００１３】 一方、前記構成単位（Ａ１）、構成単位（Ａ２）及びこれらの合計量、並びに構成単位（Ｂ１）の含有量の少なくともいずれかが上記の範囲外であると、得られるＰＩ系フィルムのＤｆは高くなる傾向がある。」 「【００１５】 （エステル基含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）） 構成単位（Ａ）は、エステル基含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）を含む。構成単位（Ａ）が前記構成単位（Ａ１）を含むと、分子配向性を有するエステル結合がＰＩ系樹脂に組み込まれるため、配向しやすく、得られるＰＩ系フィルムのＤｆを低減しやすい。また、線膨張係数（以下、ＣＴＥと記載することがある）を低減しやすく、ＰＩ系フィルムの寸法安定性を高めやすい。さらに、イミド化温度が例えば３５０℃以下の低温であってもＤｆが低くなりやすいため、銅箔との積層構成でＰＩ系樹脂前駆体塗膜を熱イミド化することにより該ＣＣＬを製造しても、銅箔表面の劣化を抑制しやすく、優れた高周波特性を有するＣＣＬが得られやすい。 【００１６】 本発明の一実施形態において、構成単位（Ａ１）は、エステル結合を含有していれば特に制限されず、構成単位（Ａ１）に含有されるエステル結合は１つであっても２つ以上であってもよいが、得られるＰＩ系フィルムのＤｆを低減しやすい観点からは、式（ａ１）： 【化５】 ［図：0001413304000041.jpg］ ［式（ａ１）中、Ｚは２価の有機基を表し、 Ｒａ１は、互いに独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基を表し、 ｓは互いに独立に、０～３の整数を表す］ で表されるテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（ａ１）であることが好ましい。」 「【００２６】 （ビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）） 構成単位（Ａ）は、ビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）を含む。構成単位（Ａ）が前記構成単位（Ａ２）を含むと、ＰＩ系フィルムのＤｆを低減しやすい。」 「【００４５】 （ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）） 構成単位（Ｂ）は、ビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）を含む。構成単位（Ｂ）が前記構成単位（Ｂ１）を含むと、得られるＰＩ系フィルムのＤｆが低減しやすい結果、ＰＩ系フィルムからなる電気回路の伝送損失を低減しやすい。また、構成単位（Ｂ）が前記構成単位（Ｂ１）を含むと、得られるＰＩ系フィルムの屈曲耐性を向上しやすい。 【００４６】 本発明の一実施形態において、構成単位（Ｂ１）は、ビフェニル骨格を含有していれば特に制限されず、構成単位（Ｂ１）に含有されるビフェニル骨格は１つであっても２つ以上であってもよい。本発明の一実施形態において、構成単位（Ｂ１）は、得られるＰＩ系フィルムのＤｆを低減しやすく、屈曲耐性を向上しやすい観点からは、式（ｂ１）： 【化１４】 ［図：0001413304000042.jpg］ ［式（ｂ１）中、Ｒｂ１は、互いに独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基を表し、 ｐは０～４の整数を表す］」 そして、実施例では、式（ａ１）で表される構成単位（ａ１）であるエステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ２）を含むテトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ）、式（ｂ１）で表される構成単位（ｂ１）であるビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）を特定の含有割合で含有してなるポリイミド系フィルムが０．００３以下の誘電正接を示している。 これらの記載によると、Ｄｆの低いポリイミド系フィルムを形成可能なポリイミド系樹脂を得るために、テトラカルボン酸二無水物由来の構成単位（Ａ）とジアミン由来の構成単位（Ｂ）とを含有し、構成単位（Ａ）がエステル結合含有テトラカルボン酸無水物由来の構成単位（Ａ１）及びビフェニル骨格含有テトラカルボン酸無水物の構成単位（Ａ２）を含み、構成単位（Ｂ）がビフェニル骨格含有ジアミン由来の構成単位（Ｂ１）を含み、構成単位（Ａ１）、構成単位（Ａ２）、構成単位（Ｂ１）を特定の含有割合で含み、かつ、構成単位（Ａ１）と構成単位（Ａ２）の合計含有量が特定量以上であるときに、すなわち、本件発明１の発明特定事項を満たすときに、ポリイミド樹脂が分子回転が抑制された高次構造を形成しやすく、またイミド基濃度が低下しやすいことからポリイミド樹脂の耐吸湿性が向上しやすく、これにより得られるポリイミド系フィルムのＤｆが低減しやすいことが理解できる。 そうすると、本件発明１の発明特定事項を満たすことにより、本件発明の課題を解決することが本件明細書に記載されている。 また、本件発明１を直接又は間接的に引用する本件発明２～９、及び同様の発明特定事項を有する本件発明１０についても同様である。 エ 申立人の主張について 申立人は、本件特許の請求項１及び請求項１０に係る発明において、「構成単位（Ａ１）」、「構成単位（Ａ２）」、及び「構成単位（Ｂ１）」を含むことが特定され、さらに請求項１０に係る発明では「構成単位（Ｂ２）」を含むことが特定されたものであるところ、各々の「構成単位」には、広範な化合物が包含されているところ、実施例で発明の効果が実証されているのは、「構成単位（Ａ１）」である式（ａ１）に含まれるＴＡＨＱとＢＰ－ＴＭＥのみ、「構成単位（Ａ２）」としてＢＰＤＡのみ、「構成単位（Ｂ１）」である式（ｂ１）に含まれるｍ－Ｔｂのみであり、請求項１及び請求項１０の全範囲において、本件発明の課題を解決するかは不明であると主張している。 しかしながら、上記ウで示したように、各々の「構成単位」において、特定の結合基や骨格を有することによって、誘電正接を０．００３以下とすることが本件明細書から理解できる。そして、実施例では、それぞれの構成単位の代表例が本件発明の課題を解決することが示されているにすぎないものであって、実施例で用いられた化合物以外では、本件発明の課題が解決できないとはいえない。 したがって、申立人の主張は採用できない。 また、令和６年１月１１日提出の意見書において、実施例で用いた構成単位以外のものの場合や、構成単位（Ａ１）と構成単位（Ａ２）との合計含有量が、構成単位（Ａ）の総量に対して８０モル％以上であることは特定されているものの、実施例では１００ｍｌ％のときだけであるから、８０モル％以上１００モル％未満の場合に、本件発明の課題を解決できるか分からない旨主張している。 しかしながら、上述のとおり、本件発明の課題は、構成単位（Ａ１）及び構成単位（Ａ２）をはじめとした特定の骨格を有するポリイミド系樹脂とすることにより解決することが理解できた上で、本件明細書には構成単位（Ａ１）と構成単位（Ａ２）との合計含有量が８０モル％以上であればポリイミド系フィルムのＤｆを低減することが記載されている（【００３３】）から、８０モル％以上１００モル％未満であっても、本件発明の課題を解決するものと解される。 また、申立人は、本件発明の課題を解決できない可能性のあることを主張するだけであって、具体的な根拠を提示して、本件発明の課題が解決できないことを立証しているわけではない。 よって、当該主張は採用できない。 第６ むすび 請求項１～１０に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した申立理由によっては、取り消すことはできない。 また、他に請求項１～１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。