2023-700351

特許第７１５４５１７号発明「イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１５４５１７号の請求項１～１４に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１５４５１７号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～１４に係る特許についての出願は、令和４年２月１８日に出願され、同年１０月７日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１８日に特許掲載公報が発行された。 その後、その請求項１～１４に係る特許について、令和５年４月７日に特許異議申立人 藤央弁理士法人（以下、「申立人１」という。）により特許異議の申立てがされ、同年同月１７日に特許異議申立人 佐藤 徹（以下、「申立人２」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 その後の手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ５年 ７月２６日付け 取消理由通知 同年 ９月２５日 特許権者による意見書の提出 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～１４に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」などといい、これらをまとめて「本件発明」という。）は、本件特許の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～１４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 Ｘ線回折パターンにおけるＹ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比が８０％以上であり、 気孔率が１．５体積％未満であり、 ビッカース硬さが５００ＭＰａ以上である、イットリウム質保護膜。 【請求項２】 フッ素の含有量が３５～６０原子％である、請求項１に記載のイットリウム質保護膜。 【請求項３】 結晶子サイズが３０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のイットリウム質保護膜。 【請求項４】 厚さが０．３μｍ以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載のイットリウム質保護膜。 【請求項５】 Ｙ５Ｏ４Ｆ７の（１５１）面のロッキングカーブの半値幅が４０°以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載のイットリウム質保護膜。 【請求項６】 基材と、 前記基材の表面である成膜面に配置された、請求項１～５のいずれか１項に記載のイットリウム質保護膜と、を有する部材。 【請求項７】 前記基材が、セラミックスおよび金属からなる群から選ばれる少なくとも１種で構成され、 前記セラミックスが、ガラス、石英、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムおよび酸窒化アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、 前記金属が、アルミニウムおよびアルミニウムを含有する合金からなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項６に記載のイットリウム質保護膜と、を有する部材。 【請求項８】 前記成膜面の表面粗さが、算術平均粗さＲａで、０．６μｍ以下である、請求項６または７に記載の部材。 【請求項９】 前記成膜面の最大長さが３０ｍｍ以上である、請求項６～８のいずれか１項に記載の部材。 【請求項１０】 前記基材と前記イットリウム質保護膜との間に、１層以上の下地層を有し、 前記下地層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３およびＧｄ２Ｏ３からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を含有する、請求項６～９のいずれか１項に記載の部材。 【請求項１１】 前記基材と前記イットリウム質保護膜との間に、２層以上の前記下地層を有し、 前記酸化物は、隣接する前記下地層どうしで互いに異なる、請求項１０に記載の部材。 【請求項１２】 前記基材が、前記成膜面として、最大長さを規定する第一成膜面と、前記第一成膜面とは異なる第二成膜面と、を有し、 前記第一成膜面と前記第二成膜面とのなす角が、２０°～１２０°であり、 前記成膜面の全面積に対する前記第二成膜面の面積の割合が、６０％以下である、請求項６～１１のいずれか１項に記載の部材。 【請求項１３】 プラズマエッチング装置またはプラズマＣＶＤ装置の内部で使用される、請求項６～１２のいずれか１項に記載の部材。 【請求項１４】 請求項１～５のいずれか１項に記載のイットリウム質保護膜を製造する方法であって、 真空中において、酸素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素のイオンを照射しながら、蒸発源を蒸発させて基材に付着させ、 前記蒸発源として、Ｙ２Ｏ３およびＹＦ３を用いる、イットリウム質保護膜の製造方法。」 第３ 取消理由について １ 取消理由の概要 取消理由通知書で通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 本件発明が明確といえるためには、計算の元となる「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」及び「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」の測定方法が明確でなければならないところ、下記（１）、（２）の点で明確とはいえない。 （１） 「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」を求めるにあたり、当該「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク」と重なる「ＹＯＦ」及び「ＹＦ３」のピークを、(ｉ)「Ｙ６Ｏ５Ｆ８」、「Ｙ７Ｏ６Ｆ９」と同様に、「全てＹ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う」のか、又は(ｉｉ)何らかの手段により分離し、当該「ＹＯＦ」及び「ＹＦ３」のピークによる寄与を減算するのか、明らかとはいえず、本件発明を一義的に把握することができない。 （２） 本件発明に係る「Ｘ線回折パターンにおけるＹ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比」の元となる「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」を求める際に、(ｉ)「ＹＦ３」のメインピークを、「全てＹ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う」のか、又は(ｉｉ)何らかの手段でもって、「メインピークがＹ５Ｏ４Ｆ７と重なる」部分における「ＹＦ３」のメインピークによる寄与を減算するのか、明らかとはいえず、本件発明を一義的に把握することができない。 ２ 取消理由に対する当審の判断 特許権者の主張を踏まえ、改めて取消理由について検討する。 （１）本件明細書の記載事項 願書に添付された明細書（以下、「本件明細書」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【００１８】 Ｙ５Ｏ４Ｆ７ピーク強度比は、保護膜のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンにおいて、以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計を１００とした場合における、Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度の割合（単位：％）である。 Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク位置には、Ｙ６Ｏ５Ｆ８結晶のピークとＹ７Ｏ６Ｆ９結晶のピークとが重なって表れるため、微量のＹ６Ｏ５Ｆ８およびＹ７Ｏ６Ｆ９が生成している可能性も排除できないが、Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク位置にあるピークは、全てＹ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う。 各結晶相のメインピークは、Ｙ２Ｏ３は２θ＝２９．２°付近、ＹＯＦは２θ＝２８．１°付近、Ｙ５Ｏ４Ｆ７は２θ＝２８．１°付近に表れる。 ＹＦ３は、メインピークがＹ５Ｏ４Ｆ７と重なることから、ＹＦ３結晶が存在する場合には、ＹＦ３結晶の第二メインピークである２θ＝２４．５°付近のピークの強度を１．３倍にしてメインピーク相当に換算し、これを、ＹＦ３のメインピーク強度とする。」 （２）判断 ア 本件発明が明確といえるためには、請求項１に記載された「Ｘ線回折パターンにおけるＹ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比」が一義的に把握できることを要する。 そして、上記（１）によれば、当該ピーク強度比は「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」に対する「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」の割合であるから、本件発明が明確といえるには、当該「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」及び当該「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」の両者が明らかでなければならない。 イ そこで、「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」及び「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」の意義について、上記（１）の記載を検討する。 （ア）「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」について 上記（１）より、２θ＝２８．１°付近で、Ｙ５Ｏ４Ｆ７、Ｙ６Ｏ５Ｆ８、Ｙ７Ｏ６Ｆ９、ＹＯＦ及びＹＦ３のメインピークが重なることが理解できる。 そして、上記（１）によれば、本件明細書【００１８】における第２段落には、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク位置には、Ｙ６Ｏ５Ｆ８結晶のピークとＹ７Ｏ６Ｆ９結晶のピークとが重なって表れるため、・・・Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク位置にあるピークは、全てＹ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う。」と記載されているから、Ｙ６Ｏ５Ｆ８、Ｙ７Ｏ６Ｆ９のメインピークは、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う」ことが明らかである。 一方、同第２段落には、ＹＯＦ、ＹＦ３が明記されておらず、一見すると、ＹＯＦ、ＹＦ３の取扱いが不明である。しかしながら、本件明細書【００１８】の記載が、全体として、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比」の定義を記載した段落であることを踏まえると、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク位置にあるピークは、全てＹ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う。」との記載は、Ｙ６Ｏ５Ｆ８、Ｙ７Ｏ６Ｆ９だけでなく、ＹＯＦ、ＹＦ３にも及ぶと解するのが相当である。 したがって、本件発明において、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」を得るにあたり、Ｙ６Ｏ５Ｆ８、Ｙ７Ｏ６Ｆ９のメインピークだけでなく、ＹＯＦ、ＹＦ３のメインピークについても「全てＹ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う」ことが明らかである。 （イ）「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」について 上記（１）より、「以下に示す結晶相」とは、Ｙ５Ｏ４Ｆ７、Ｙ６Ｏ５Ｆ８、Ｙ７Ｏ６Ｆ９、Ｙ２Ｏ３、ＹＯＦ及びＹＦ３と理解できる。 そして、上記（ア）で検討したとおり、２θ＝２８．１°付近のピーク（Ｙ６Ｏ５Ｆ８、Ｙ７Ｏ６Ｆ９、ＹＯＦ、ＹＦ３のメインピーク）は、「全てＹ５Ｏ４Ｆ７のピークとして扱う」ものと理解できる。 また、本件明細書【００１８】の第３段落によれば、Ｙ２Ｏ３のメインピークは２θ＝２９．２°付近であることが理解でき、同【００１８】の第４段落によれば、ＹＦ３は２θ＝２４．５°付近のピーク強度を１．３倍にして換算することが理解できる。 そうすると、本件発明において「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」とは、２θ＝２８．１°付近及び２θ＝２９．２°付近のピーク強度に、さらに２θ＝２４．５°付近のピーク強度を１．３倍したものを加えることで得られることが理解できる。 ウ 上記ア、イで検討したとおり、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のメインピーク強度」及び「以下に示す結晶相のメインピーク強度の合計」の意義が明確であるから、これらの比である本件発明に係る「Ｘ線回折パターンにおけるＹ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比」も一義的に把握できるといえる。 （３）小括 以上のとおりであるから、取消理由に理由はない。 第４ 特許異議申立理由について １ 特許異議申立理由の概要 （１）申立人１による申立理由 ア 申立人１が主張する特許異議申立理由は、概略、以下のとおりである。 ここで、申立人１が提出した証拠方法は、次のものである。 甲第１号証：特開２０１８－１８４６５７号公報 甲第２号証：特表２０２０－５２５６４０号公報 甲第３号証：特許第６９７６２１５号公報 甲第４号証：特開２０１９－１９４１３号公報 甲第５号証：国際公開第２０１８／０８３８５４号 甲第６号証：特開２０１９－１４７９９５号公報 甲第７号証：特開２０２１－７７８９９号公報 甲第８号証：登録実用新案第３２２４０８４号公報 甲第９号証：日本学術振興会薄膜第１３１委員会編，薄膜ハンドブック， 第２版第１刷，株式会社オーム社，ｐ．３３６，平成２０年 ３月２５日 甲第１０号証：特願２０２２－２４１０３号における令和４年７月２１日 提出の意見書（請求項１の解釈のため） 以下、申立人１が提出した甲第１号証～甲第１０号証をそれぞれ「甲１」～「甲１０」という。 イ 申立理由１（甲１を主たる証拠とした進歩性欠如） 本件発明１～１４は、甲１に記載された発明及び甲２～９に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）申立人２による申立理由 ア 申立人２が主張する特許異議申立理由は、概略、以下のとおりである。 ここで、申立人２が提出した証拠方法は、次のものである。 甲第１号証：特開２０１８－８２１５５号公報 甲第２号証：明渡純，エアロゾルデポジション法の電子デバイスへの応用 展開，表面技術，５６巻，１０号，ｐ．２４～３０， ２００５年 甲第３号証：登録実用新案第３２２４０８４号公報 甲第４号証：韓国公開特許第１０－２０１１－０１１８９３９号公報 甲第５号証：甲第４号証の翻訳文 以下、申立人２が提出した上記甲第１号証～甲第５号証をそれぞれ「甲１’」～「甲５’」という。また、申立人２が提出した甲３’は、申立人１が提出した甲８と同じ証拠である。 イ 申立理由２－１（サポート要件違反） 請求項１～１３に係る特許は、イットリウム質保護膜の成膜方法について何ら特定しておらず、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ウ 申立理由２－２（甲１’を主たる証拠とした新規性、進歩性欠如） 本件発明１～４、６～８、１０、１３は、甲１’に記載された発明であるから、請求項１～４、６～８、１０、１３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 本件発明１～４、６～１３は、甲１’に記載された発明及び甲２’、甲３’に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到することができたものであるから、請求項１～４、６～１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 エ 申立理由２－３（甲４’を主たる証拠とした新規性、進歩性欠如） 本件発明１は、甲４’に記載された発明であるか、又は甲４’に記載された発明に基いて、当業者が容易に想到し得たものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項又は同条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 各甲号証の記載 （１）甲１の記載事項 甲１には、以下の事項が記載されている。 ア 「【０００９】 本発明のオキシフッ化イットリウム溶射膜は、Ｘ線回折法により得られる回折スペクトルにおいて、オキシフッ化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計を１００としたとき、フッ化イットリウム及び酸化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計が１０未満であることを特徴とする。 ・・・ 【００２７】 本発明のオキシフッ化イットリウム溶射膜は、Ｙ５Ｏ４Ｆ７以外の成分としては、ＹＯＦ、Ｙ７Ｏ６Ｆ９、Ｙ６Ｏ５Ｆ８が挙げられる。」 イ 「【実施例】 ・・・ 【００７０】 ［実施例１］ オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が８．５質量％の粉末原料（粒径：２５μｍ）を準備し、この原料に対し、Ｘ線回折装置（（株）リガク製、ＭｕｌｔｉＦｌｅｘ）を用い、以下に示す条件でＸ線回折スペクトルを測定した。得られたＸ線回折スペクトルを図１（Ａ）に示す。 ・・・ 【００７２】 次に、基材（アルミニウム合金：Ａ６０６１）に対して上記原料をプラズマ溶射して２００μｍの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成した。 ・・・ 【００７４】 形成した溶射膜に対し、上述の原料と同様にしてＸ線回折スペクトルを測定した。得られたＸ線回折スペクトルを図１（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）より、形成した溶射膜においては、Ｙ５Ｏ４Ｆ７及びＹＯＦの結晶相を含むことが分かる。 【００７５】 さらに、形成した溶射膜に対し、大気雰囲気炉を用い、３００℃で２時間のアニール処理を行った。次いで、アニール処理後の溶射膜に対し、上述の原料と同様にしてＸ線回折スペクトルを測定した。得られたＸ線回折スペクトルを図１（Ｃ）に示す。図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）とで回折スペクトルに差異は認められず、プラズマ溶射後の溶射膜は安定していることが分かる。原料、溶射後、及びアニール後の各段階で含まれる結晶相を表１にも示す。」 ウ 「【図１】 ［図：0001404811000001.jpg］ 」 （２）甲２の記載事項 甲２には、常温噴射コーティング方法を用いて形成された、気孔率が０．０１～１．０％のフッ化イットリウムオキシドコーティング膜が記載されている（【００７８】～【００８２】）。 （３）甲３の記載事項 甲３には、ＡＬＤにより第３のプラズマ耐性層形成することが記載され、当該第３のプラズマ耐性層は、Ｙ２Ｏ３、ＹＦ３、Ｙ－Ｏ－Ｆ（例えばＹ５Ｏ４Ｆ７）を含むセラミック化合物で構成されてもよいこと、多孔率１％未満を有してもよいことが記載されている（【００７４】）。 （４）甲４の記載事項 甲４には、イットリウム系フッ化物溶射皮膜について、硬度を３５０～４７０ＨＶとすることが好ましいことが記載されている（【００１７】）。 （５）甲５の記載事項 甲５には、ＹＯＦを含みビッカース硬度が２００ＨＶ０．０１以上である皮膜が記載されている（【００２９】）。 （６）甲６の記載事項 甲６には、実施例５として、主としてＹ５Ｏ４Ｆ７からなる膜であって、その最大結晶径が２８．９ｎｍであるものが記載されている（【００５１】～【００５４】）。 （７）甲７の記載事項 甲７には、耐プラズマ性が求められる膜の形成にあたり、良好な膜の形成のために基材表面のＲａは０．２μｍ以下程度に平滑であることが好ましいこと、例えば、オキシフッ化イットリウムを主成分とするパーティクル層とすることが記載されている（【０００３】、【００４７】、【００５１】）。 （８）甲８（甲３’）の記載事項 甲８には、希土類フッ化物を含有する耐プラズマ性コーティングと基材の間に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等又はそれらの組合せからなるバッファ層を設けることで、耐プラズマ性コーティングのより良好な付着性を得られることが記載されている（【００１７】、【００２４】～【００２７】）。 （９）甲９の記載事項 甲９には、複数の蒸発源を有する蒸発方法（共蒸着法）が記載されている（３３６ページ右欄１９～３７行）。 （１０）甲１’の記載事項 甲１’には、以下の事項が記載されている。 ア 「【００３７】 また、互いに隣接する結晶子同士の間隔は、好ましくは０ｎｍ以上１０ｎｍ未満である。隣接する結晶子同士の間隔とは、結晶子同士が最も近接した間隔のことであり、複数の結晶子から構成される空隙を含まない。結晶子同士の間隔は、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）を用いた観察によって得られる画像から求めることができる。なお、図７に実施形態に係る構造物２０の一例を観察したＴＥＭ像を示す。構造物２０は複数の結晶子２０ｃ（結晶粒子）を含む。」 イ 「【００４５】 以下、本願発明者らの検討について説明する。 図２は、構造物の原料を例示する表である。 本検討においては、図２に示した原料Ｆ１～Ｆ８の８種類の粉体が用いられる。これらの原料は、イットリウムオキシフッ化物の粉体であり、ＹＯＦ、および１：１：２のＹＯＦ（例えばＹ５Ｏ４Ｆ７、Ｙ７Ｏ６Ｆ９など）の少なくともいずれかを含む。また、各原料は、実質的にＹＦ３及びＹ２Ｏ３を含まない。 ・・・ 【００４７】 原料Ｆ１～Ｆ８は、図２に示すメジアン径（Ｄ５０（μｍ））のように、粒径において互いに異なる。なお、メジアン径は、各原料の粒子径の累積分布における５０％の径である。各粒子の径は、円形近似にて求めた直径が用いられる。 これらの原料と、製膜条件（キャリアガスの種類及び流量）と、の組み合わせを変化させて複数の構造物（層状構造物）のサンプルを作製し、耐プラズマ性の評価を行った。なお、この例では、サンプルの作製にはエアロゾルデポジション法を用いている。 【００４８】 図３は、構造物のサンプルを例示する表である。・・・」 ウ 「【００５３】 イットリウムのオキシフッ化物における、菱面体晶のピーク強度に関する割合γ１は、回折角２θ＝１３．８°付近のイットリウムのオキシフッ化物の菱面体晶に起因するピーク強度（ｒ１）と、回折角２θ＝３６．１°付近のイットリウムのオキシフッ化物の菱面体晶に起因するピーク強度（ｒ２）を用いて、ｒ２／ｒ１×１００（％）により算出される。 ・・・ 【００５５】 菱面体晶に対する斜方晶の割合γ２は、回折角２θ＝１３．８°付近のＹＯＦ等を含む菱面体晶のミラー面（００３）に起因するピーク強度（ｒ１）と、回折角２θ＝１６．１°付近のＹ７Ｏ６Ｆ９やＹ５Ｏ４Ｆ７等を含む斜方晶のミラー面（１００）に起因するピーク強度（о）と、を用いて、斜方晶のピーク強度（о）／菱面体晶のピーク強度（ｒ１）×１００（％）により算出される。 【００５６】 図４（ａ）、図４（ｂ）及び図５は、構造物のサンプルにおけるＸ線回折を示すグラフ図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）及び図５のそれぞれにおいて、横軸は回折角２θを示し、縦軸は強度を示す。図４（ａ）及び図５に示すように、サンプル１～１０は、菱面体晶のイットリウムオキシフッ化物（例えばＹＯＦの多結晶）を含み、各サンプルにおいて回折角２θ＝１３．８°付近にピークＰｒ１が検出される。また、図４（ｂ）に示すように、サンプル３、４、６～１０のそれぞれにおいて、回折角２θ＝３６．１°付近にピークＰｒ２が検出される。サンプル１、２においては、回折角２θ＝３６．１°付近にはピークが検出されない。 【００５７】 また、図４（ａ）及び図５に示すように、サンプル３～７は、斜方晶のイットリウムオキシフッ化物（例えばＹ５Ｏ４Ｆ７またはＹ７Ｏ６Ｆ９の少なくともいずれかの多結晶）を含み、回折角２θ＝１６．１°付近にピークＰоが検出される。サンプル１、２、８～１０においては、回折角２θ＝１６．１°付近にはピークが検出されない。 【００５８】 各サンプルに関して、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すデータにおいてバックグラウンドの強度を除いて前述のピーク強度（ｒ１及びｒ２）を算出し、菱面体晶のピーク強度に関する割合γ１が求められる。また、各サンプルに関して、図５に示すデータにおいてバックグラウンドの強度を除いて前述のピーク強度（ｒ１及びо）を算出し、菱面体晶に対する斜方晶の割合γ２が求められる。求められた割合γ１及び割合γ２を図３に示す。 【００５９】 図３に示すように、割合γ１は、原料と成膜条件との組み合わせによって大きく変化する。本願発明者らは、菱面体晶のイットリウムオキシフッ化物の配向と耐プラズマ性との間に関連性があるという新たな知見を得た。 また、割合γ２も、原料と成膜条件との組み合わせによって大きく変化する。本願発明者らは、このように成膜条件等によって構造物中の化合物の割合が変化することを初めて発見した。例えば、原料Ｆ１～Ｆ５などの酸素含有量の多い原料粉体においては、菱面体晶に対する斜方晶の割合γ２は、５０％以上１００％以下である。これに対して、エアロゾルデポジション法での製膜により、割合γ２は、サンプル１、２において０％となり、サンプル７においては１００％を超える。 なお、サンプル１～１０の全てにおいて、回折角２θ＝２９．１°付近においては、強度のピークが検出されなかった。すなわち、バックグラウンドの強度を除くと、ピーク強度ｒ１に対する、ピーク強度εの割合（ε／ｒ１）は、０％であり、サンプル１～１０は、Ｙ２Ｏ３を含まなかった。」 エ 「【図３】 ［図：0001404811000002.jpg］ 」 オ 「【図７】 ［図：0001404811000003.jpg］ 」 （１１）甲２’の記載事項 甲２’には、エアロゾルデポジション法により形成された膜に関し、ＸＲＤやＥＤＸの分析からも、形成された膜は組成変動も少なく原料微粉の結晶構造を維持していることが記載されている（２４ページ右欄１５行～２５ページ左欄２４行）。 （１２）甲４’の記載事項 甲４’には、和訳にして以下の事項が記載されている。なお、和訳については、申立人２が提出した甲５’を参考にした。 ア 「[0011]前記耐プラズマ結晶質セラミックスコーティング膜はＸ線回折パータンで２θが１６°、２８°又は３２°でピークを示すイットリウム酸フッ素（Ｙ６Ｏ５Ｆ８）膜を含むことができる。」 イ 「[0053]＜実施例１＞ [0054]原料粉末であるＹＦ３粉末を準備してエアロゾル成膜装置のエアロゾル供給部（１０）に装着した。前記ＹＦ３粉末は３．２μｍの平均粒径を有するものを使用した。 [0055]ＹＦ３粉末粒子間の凝集が抑制されながら容易に浮遊され得るように振動子（１８）を利用してＹＦ３粉末を振動させた。この時、振動子（１８）の回転数は２００ｒｐｍに設定した。 [0056]キャリアガス供給部（３０）からキャリアガスをエアロゾル供給部（１０）に供給し、キャリアガスの流量は流量制御手段（ＭＦＣ）を通じて調節しながら導管（３４）を通じてエアロゾル供給部（１０）に供給されるようにしてＹＦ３粉末を浮遊させた。キャリアガスでは窒素（Ｎ２）ガスを使用し、キャリアガスの流量は５Ｌ／ｍｉｎで設定した。 ・・・ [0060]エアロゾル成膜法を利用して成膜されたイットリア系セラミックスコーティング膜を８００℃で空気（Ａｉｒ）雰囲気で１時間熱処理して酸フッ化処理（Ｏｘｙ－Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）した。 ・・・ [0068]図２はガラス基板表面に実施例１によってＹＦ３粉末をエアロゾル成膜法を利用して成膜後熱処理して酸フッ化処理（Ｏｘｙ－Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）したセラミックスコーティング膜のＸ線回折（Ｘ－ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ；ＸＲＤ）パターンを示すグラフである。 [0069]図２を参照すると、熱処理前のＹＦ３粉末は２４°、２７°、３１°でＸ線回折ピークを形成するが、８００℃で空気（Ａｉｒ）雰囲気で熱処理されて形成された結晶質セラミックスコーティング膜は１６°、２８°、３２°付近で新しいピークの形成が見られるし、酸フッ化系（Ｏｘｙ－Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）であるイットリウム酸フッ化物（Ｙ６Ｏ５Ｆ８；Ｙｔｔｒｉｕｍｕ Ｏｘｉｄｅ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）を含む膜が生成されたことを推測することができる。 [0070]図３はガラス基板表面に実施例２によって熱処理して酸フッ化処理したＹＦ３粉末をエアロゾル成膜法を利用して成膜したセラミックスコーティング膜のＸ線回折（Ｘ－ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ；ＸＲＤ）パターンを示すグラフである。 [0071]図３を参照すると、８００℃で空気（Ａｉｒ）雰囲気でＹＦ３粉末を熱処理して形成された結晶質セラミックスコーティング膜は２８°付近で新しいピークの形成が見られるし、酸素フッ化系（Ｏｘｙ－ｆｌｕｏｒｉｄｅ）であるイットリウムフッ化物（Ｙ６Ｏ５Ｆ８；Ｙｔｔｒｉｕｍｕ Ｏｘｉｄｅ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）を含む膜が生成されたことを推測することができる。 [0072]図４はガラス基板表面に実施例２によって熱処理したＹＦ３粉末をエアロゾル成膜法を利用して成膜してセラミックスコーティング膜を形成した場合の断面を示す走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＥＭ）写真である。 [0073]図４を参照すると、スキャニングを連続４回繰り返して４μｍ厚さで形成したナノ結晶質セラミックスコーテイング膜で、走査型電子顕微鏡を利用して断面と表面の状態を確認した結果、気孔がなく緻密化がよく成り立ったことが見られる。」 ウ 「図２ ［図：0001404811000004.jpg］ 図３ ［図：0001404811000005.jpg］ 図４ ［図：0001404811000006.jpg］ 」 ３ 特許異議申立理由に対する当審の判断 （１）申立理由１（甲１を主たる証拠とする進歩性欠如）について ア 甲１に記載された発明 上記２（１）イより、甲１の実施例１におけるオキシフッ化イットリウム溶射膜に着目して整理すると、甲１には以下の発明が記載されているといえる（以下、「甲１発明」という。） 「Ｘ線回折スペクトルが図１（Ｂ）である、 オキシフッ化イットリウム溶射膜。 【図１】 ［図：0001404811000007.jpg］ 」 イ 本件発明１について （ア）対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点１＞ 本件発明１が「気孔率が１．５体積％未満であり、ビッカース硬さが５００ＭＰａ以上」であるのに対し、甲１発明は気孔率及びビッカース硬さが不明である点。 （イ）判断 上記相違点１について検討するに、甲１には気孔率及びビッカース硬さについて記載も示唆もない。また、甲２～甲９をみても、オキシフッ化イットリウム溶射膜において、気孔率を１．５体積％未満とすることは記載も示唆もない。 したがって、甲１～甲９を参酌しても、甲１発明において、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者にとって容易想到の事項とはいえない。 ウ 本件発明２～１４について 本件発明２～１４は、本件発明１の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記イの本件発明１についての検討と同様の理由により、甲１に記載された発明及び甲２～９に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到することができたものとはいえない。 エ 申立人の主張について 申立人１は、「オキシフッ化イットリウムからなるプラズマ耐食性膜において、１％以下の低い気孔率とすることは、」「甲第２号証及び甲第３号証により周知技術といえる。したがって、甲１号証に記載のオキシフッ化物イットリウム溶射膜において、気孔率１％以下とすることは、当業者であれば容易に想到し得る。」と主張している（申立人１の特許異議申立書２７ページ１１～１５行）。 しかしながら、甲２に記載されたフッ化イットリウムオキシドコーティング膜は、常温噴射コーティング方法によるものであり（上記２（２））、また甲３に記載されたプラズマ耐性層はＡＬＤによるものであって（上記２（３））、甲１発明における溶射膜とは製造方法が異なるから、甲１発明に甲２又は甲３に記載された技術的事項を適用することは、当業者であっても容易に想到し得たものとはいえず、上記主張は採用できない。 オ 小括 以上のとおりであるから、申立理由１に理由はない。 （２）申立理由２－１（サポート要件違反）について ア 判断手法 特許請求の範囲の記載が、サポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであるから、以下、この観点に立って検討する。 イ サポート要件適合性の判断 （ア） 本件明細書の【０００７】には、「本発明は、・・・耐プラズマ性に優れるイットリウム質保護膜を提供することを目的とする。」と記載されていることから、本件発明の課題は、耐プラズマ性に優れるイットリウム質保護膜を提供することといえる。 （イ） そして、本件明細書の発明の詳細な説明には、「本実施形態のイットリウム質保護膜は、Ｘ線回折パターンにおけるＹ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比が６０％以上であり、気孔率が１．５体積％未満であり、ビッカース硬さが５００ＭＰａ以上である」こと（【００１３】）が記載されており、詳細には、「本保護膜の耐プラズマ性が優れるという理由から、本保護膜のビッカース硬さは、５００ＭＰａ以上であり、８００ＭＰａ以上が好ましく、１０００ＭＰａ以上がより好ましく、１１００ＭＰａ以上が更に好ましく、１２００ＭＰａ以上がより更に好ましく、１２５０ＭＰａ以上が特に好ましく、１３００ＭＰａ以上が最も好まし」（【００２０】）く、「ビッカース硬さを上記範囲にするためには、保護膜のＹ５Ｏ４Ｆ７ピーク強度比を上述した範囲にすることが好ましい」（【００２１】）ことが記載され、当該Ｙ５Ｏ４Ｆ７ピーク強度比の上述した範囲に関して、具体的には「６０％以上であり、８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９５％以上が更に好ましく、９８％以上がより更に好ましく、９９％以上が特に好ましく、１００％が最も好ましい」（【００１６】）ことが記載されている。 さらに、当該発明の詳細な説明には、「本保護膜の耐プラズマ性が優れるという理由から、本保護膜の気孔率は、１．５体積％未満であり、１．０体積％以下が好ましく、０．５体積％以下がより好ましく、０．３体積％以下が更に好ましく、０．２体積％以下が特に好ましく、０．１０体積％以下が最も好ましい」こと（【００２３】）も記載されている。 これらの記載を併せ考えると、本件明細書の発明の詳細な説明には、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比が６０％以上」であって、「気孔率は、１．５体積％未満であり」、「ビッカース硬さは、５００ＭＰａ以上」の「イットリウム質保護膜」が記載されているといえる。 （ウ） さらに、上記（イ）で摘記した明細書【００２０】、【００２１】、【００２３】の記載に照らせば、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７のピーク強度比が６０％以上」、「気孔率は、１．５体積％未満」、「ビッカース硬さは５００ＭＰａ以上」であるイットリウム質保護膜は、耐プラズマ性に優れることが理解でき、当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものといえる。 これは、発明の詳細な説明に記載された実施例（【００７８】～【００８７】）の例１～２７にも裏付けられている。具体的には、例１～２０では、Ｙ５Ｏ４Ｆ７ピーク強度比が８９．６～１００％、ビッカース硬さが５０２～１３２０ＭＰａ、気孔率が０～０．６８体積％であるイットリウム質保護膜に関して、耐プラズマ性を評価するエッチング量が７３～１９７ｎｍであることが記載されている（【００８３】、【００８６】【表１】表１（１／３）、同（２／３））。これに対し、例２１～例２７のイットリウム質保護膜は、各々Ｙ５Ｏ４Ｆ７ピーク強度比が６０％以上、気孔率が１．５体積％未満、ビッカース硬さが５００ＭＰａ以上の何れかを満足しないものであり、これらのエッチング量は２０３～５３９ＭＰａと、上記例１～２０よりも耐プラズマ性で劣ることが見て取れる。 （エ） これに対して、本件発明１に係る請求項１の記載は、上記第２のとおりであるから、上記（イ）、（ウ）での検討を踏まえると、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明であり、当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものである。本件発明２～１４についても事情は同じである。 したがって、前記アの判断手法に従えば、本件発明１～１４に係る特許請求の範囲の記載は、サポート要件に適合する。 ウ 申立人の主張 申立人２の主張は、要するに、成膜方法の特定がなく、ＩＡＤ法以外の成膜方法で形成されたイットリウム質保護膜を包含する本件発明の範囲にまで拡張ないし一般化できると解することはできない、というものである（特許異議申立書の６ページ下から６行～９ページ末行）。 しかしながら、前記イで検討したとおり、ＩＡＤ法により成膜されたことを特定せずとも、当業者であれば本件発明が上記課題を解決できることを認識できるから、当該主張は採用できない。 エ 小括 以上のとおりであるから、申立理由２－１に理由はない。 （３）申立理由２－２（甲１’を主たる証拠とする新規性、進歩性欠如）について ア 甲１’に記載された発明 （ア）上記２（１０）イの【００４５】より、原料Ｆ１～Ｆ８の８種類の粉体には、ＹＯＦ及び１：１：２のＹＯＦ（例えば、Ｙ５Ｏ４Ｆ７、Ｙ７Ｏ６Ｆ９など）の少なくともいずれかを含み、また、実質的にＹＦ３及びＹ２Ｏ３を含まないことが理解できる。 （イ）上記２（１０）イの【００４７】、【００４８】、及び同エの【図３】より、原料Ｆ１～Ｆ８を用いたエアロゾルデポジション法により、図３のサンプルが作製されることが理解できる。 図３ ［図：0001404811000008.jpg］ （ウ）上記２（１０）ウの【００５３】より、γ１は菱面体晶のピーク強度に関する割合であり、ｒ１（菱面体晶のイットリウムオキシフッ化物に起因するピーク。２θ＝１３．８°付近。）に対する、ｒ２（菱面体晶のイットリウムオキシフッ化物に起因するピーク。２θ＝３６．１°付近。）の比ｒ２／ｒ１であることが理解できる。 （エ）上記（１０）ウの【００５５】より、γ２は菱面体晶に対する斜方晶の割合であって、ｒ１（ＹＯＦ等の菱面体晶を含むミラー面（００３）に起因するピーク強度。２θ＝１３．８°付近。）に対するｏ（Ｙ７Ｏ６Ｆ９やＹ５Ｏ４Ｆ７等を含む斜方晶のミラー面（１００）に起因するピーク。２θ＝１６．１°付近。）の比ｏ／ｒ１であることが理解できる。 （オ）上記（ア）～（エ）を踏まえ、甲１’のサンプル１に注目して整理すると、甲１’には以下の発明が記載されているといえる（以下、「甲１’発明」という。）。 「 γ１が０％、γ２が０％の構造物であって、 前記構造物は、Ｙ２Ｏ３を含まず、 前記構造物は、ＹＯＦ、及び１：１：２のＹＯＦ（例えばＹ５Ｏ４Ｆ７、Ｙ７Ｏ６Ｆ９など）の少なくともいずれかを含み、実質的にＹＦ３及びＹ２Ｏ３を含まない粉体を原料とし、エアロゾルデポジション法により作製されたものであり、 前記γ１は、菱面体晶のピーク強度に関する割合であって、回折角２θ＝１３．８°付近のイットリウムのオキシフッ化物の菱面体晶に起因するピーク強度（ｒ１）と、回折角２θ＝３６．１°付近のイットリウムのオキシフッ化物の菱面体晶に起因するピーク強度（ｒ２）を用いて、ｒ２／ｒ１×１００（％）により算出されるものであり、 前記γ２は、菱面体晶に対する斜方晶の割合であって、回折角２θ＝１３．８°付近のＹＯＦ等を含む菱面体晶のミラー面（００３）に起因するピーク強度（ｒ１）と、回折角２θ＝１６．１°付近のＹ７Ｏ６Ｆ９やＹ５Ｏ４Ｆ７等を含む斜方晶のミラー面（１００）に起因するピーク強度（о）と、を用いて、斜方晶のピーク強度（о）／菱面体晶のピーク強度（ｒ１）×１００（％）により算出されるものである、構造物。」 イ 本件発明１について 本件発明１と甲１’発明とを対比すると、少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点２＞ 本件発明１が、「気孔率が１．５体積％未満であり、ビッカース硬さが５００ＭＰａ以上である」のに対し、甲１’発明は気孔率及びビッカース硬さが不明である点。 当該相違点２について検討するに、甲１’には構造体の気孔率及びビッカース硬さについて記載も示唆もない。また、甲２’～甲４’をみても、エアロゾルデポジション法により作製されたイットリウムオキシフッ化物の気孔率及びビッカース硬さについて記載も示唆もない。 したがって、本件発明１は甲１’に記載された発明でなく、また甲１’に記載された発明及び甲２’～甲４’に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到することができたものともいえない。 ウ 本件発明２～１４について 本件発明２～１４は、本件発明１の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記イの本件発明１についての検討と同様の理由により、甲１’に記載された発明でなく、また甲１’に記載された発明及び甲２’～甲４’に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到することができたものともいえない。 エ 申立人の主張について （ア） 申立人２は、「甲第１号証（当審注：甲１’が対応）の図７（ＴＥＭ像）を見る限り、構造物２０の断面において気孔は確認されないことから、構造物２０の気孔率は少なくとも１．５体積％未満と推認される」（特許異議申立書の１５ページ下から５行～下から３行）と主張する。 しかしながら、上記イのとおり、甲１’には気孔率について記載も示唆もなく、高々１．５体積％の気孔の有無が、甲１’の図７から明らかということもできないから、当該主張は採用できない。 （イ） また、申立人２は、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７を原料に用いて形成されたイットリウムオキシフッ化物皮膜におけるビッカース硬さは、５００ＭＰａよりも遥かに高いのであるから、」ビッカース硬さが５００ＭＰａ以上である点は「相違点にはなり得ない」（特許異議申立書の１６ページ５～８行）とも主張する。 しかしながら、上記ア（オ）のとおり、甲１’発明に係る構造物は、「ＹＯＦ、及び１：１：２のＹＯＦ（例えばＹ５Ｏ４Ｆ７、Ｙ７Ｏ６Ｆ９など）の少なくともいずれかを含み、実質的にＹＦ３及びＹ２Ｏ３を含まない粉体を原料とし、エアロゾルデポジション法により作製されたもの」であって、Ｙ５Ｏ４Ｆ７は１：１：２のＹＯＦの一例として挙げられるにすぎないから、甲１’発明に係る構造物の原料としてＹ５Ｏ４Ｆ７を用いているか否かは不明である。さらに、「Ｙ５Ｏ４Ｆ７を原料に用いて形成されたイットリウムオキシフッ化物皮膜におけるビッカース硬さは、５００ＭＰａよりも遥かに高い」ことは、甲１’に記載されておらず、本件特許の出願時に技術常識であったことを示す証拠もない。 したがって、上記主張は採用できない。 オ 小括 以上のとおりであるから、申立理由２－２に理由はない。 （４）申立理由２－３（甲４’を主たる証拠とする新規性、進歩性欠如）について ア 甲４’に記載された発明 上記２（１２）の記載（特に[0068]、図2）によれば、甲４’の実施例１として、甲４’には以下の発明が記載されているといえる（以下、「甲４’発明」という。）。 「 ＹＦ３粉末をエアロゾル成膜法を利用して成膜後熱処理して酸フッ化処理したセラミックスコーティング膜であって、 Ｘ線回折パターンが図２で示される、セラミックスコーティング膜。 図２ ［図：0001404811000009.jpg］ 」 イ 本件発明１について 本件発明１と甲４’発明とを対比すると、少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点３＞ 本件発明１が「気孔率が１．５体積％未満であり、ビッカース硬さが５００ＭＰａ以上である」のに対し、甲４’発明は気孔率及びビッカース硬さが不明である点。 当該相違点３について検討するに、甲４’にはセラミックスコーティング膜の気孔率及びビッカース硬さについて記載も示唆もない。また、甲１’～甲３’をみても、セラミックスコーティング膜の気孔率及びビッカース硬さについて記載も示唆もない。 したがって、本件発明１は甲４’に記載された発明でなく、また甲４’に記載された発明及び甲１’～甲３’に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到することができたものともいえない。 ウ 本件発明２～１４について 本件発明２～１４は、本件発明１の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記イの本件発明１についての検討と同様の理由により、甲４’に記載された発明でなく、また甲４’に記載された発明及び甲１’～甲３’に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到することができたものともいえない。 エ 申立人の主張について （ア） 申立人２は、甲４’の「段落００２２には「前記結晶質セラミックスコーティング膜は平均表面粗度が１～５００ｎｍ範囲を成す緻密な膜である。」と記載されているし」、甲４’の「図４には、エアロゾルデポジション法を用いて作成された他の実施例についてであるが、結晶質セラミックスコーティング膜の断面画像が示されており、当該画像には気泡が存在していない（段落００７３）。」旨を主張する（特許異議申立書の２８ページ下から１１行～末行）。 しかしながら、甲４’の記載をみても、上記段落００２２でいう「緻密な膜」が、たかだか１．５体積％の気泡も含まない程度の緻密さを意味するかは不明であるし、申立人２も自認するとおり、図４は甲４’における実施例２の断面を示すものであって（上記２（１２）の[0072]）、甲４’における実施例１の結果を示すものでないから、何れも甲４’発明に係るセラミックスコーティング膜の気孔率が１．５体積％未満であることを裏付けるものとはいえず、上記主張は採用できない。 （イ） また、申立人２は、「緻密なイットリウムオキシフッ化物皮膜におけるビッカース硬さは、５００ＭＰａより遥かに高いのであるから」、上記相違点３に係るビッカース硬さに関する点は、相違点にはなり得ない旨を主張する（特許異議申立書の２９ページ５～８行）。 しかしながら、「緻密なイットリウムオキシフッ化物皮膜におけるビッカース硬さは、５００ＭＰａより遥かに高い」ことは、甲４’には記載されておらず、本件特許の出願時に技術常識であったことを示す証拠もない。 したがって、上記主張は採用できない。 オ 小括 以上のとおりであるから、申立理由２－３に理由はない。 第５ むすび 以上のとおり、申立人による特許異議の申立ての理由及び証拠、並びに取消理由通知書に記載した取消理由及び証拠によっては、請求項１～１４に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない よって、結論のとおり決定する。