2023-700221

特許第７１４０２９７号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１４０２９７号の請求項１～１１に係る特許を取り消す。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１４０２９７号の請求項１～１１に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和２年３月２３日（優先権主張 平成３１年３月２８日）に出願された特許出願（特願２０２０－５１４４７号、以下、「原出願」という。）の一部を、令和３年１２月９日に特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０２１－２００２９４号）とし、更にその一部を、令和４年６月２３日に特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０２２－１００８０７号）としたものであって、令和４年９月１２日にその特許権の設定登録がされ、令和４年９月２１日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年 ２月２７日 ： 特許異議申立人清水朋子による請求項１～１１に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ５年 ３月 ９日 ： 特許異議申立人鈴木啓子による請求項１～１１に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ５年 ６月１６日付け： 取消理由通知書 令和 ５年 ８月１８日 ： 特許権者による意見書（以下、「意見書Ａ」という。）の提出 令和 ５年１２月 ６日付け： 取消理由通知書（決定の予告） 令和 ６年 ２月 ６日 ： 特許権者による意見書（以下、「意見書Ｂ」という。）の提出 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～１１に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明１１」という。）は、本件特許に係る願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された、次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 セラミック誘電体基板と、 前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、 前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、 を備え、 前記樹脂材料は、シリコーンを含み、 前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有し、 －６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であって、－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下であることを特徴とする静電チャック。 【請求項２】 前記接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上２．０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。 【請求項３】 セラミック誘電体基板と、 前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、 前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、 を備え、 前記樹脂材料は、シリコーンを含み、 前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有し、 ２５℃における前記接合層の接合強度β２に対する－６０℃における前記接合層の接合強度β１の比β１／β２は、０．６以上１０以下であって、－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下であることを特徴とする静電チャック。 【請求項４】 前記比β１／β２は、０．８以上であることを特徴とする請求項３記載の静電チャック。 【請求項５】 前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する、請求項１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項６】 ２５℃における前記接合層の弾性率γ２に対する－６０℃における前記接合層の弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下であることを特徴とする請求項１～５のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項７】 －６０℃における前記接合層の伸び率α１は、１２０％以上であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項８】 ２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．６０以上であることを特徴とする請求項１～７のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項９】 －６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１．９ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項３～８のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項１０】 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１～９のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項１１】 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１０記載の静電チャック。」 第３ 取消理由の概要 請求項１～１１に係る特許に対して、当審が令和６年１２月６日付けの取消理由通知書（決定の予告）において特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 １（実施可能要件）本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の発明の詳細な説明には、本件発明１～１１について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえないから、請求項１～１１に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 よって、請求項１～１１に係る特許は、取り消されるべきものである。 第４ 当審の判断 １ 取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由について （１）本件発明１について ア 判断手法 本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件に適合するというためには、物の発明にあっては、当業者が本件特許明細書の発明の詳細な説明及び本件特許に係る願書に添付した図面（以下、単に「図面」ともいう。）の記載並びに出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されていることが必要であると解される。 イ 本件発明１は、「樹脂材料を含む接合層」を備え、「前記樹脂材料は、シリコーンを含み、前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」するものであるところ、その他の組成等については特定されておらず、「－６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であって」、「－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下である」という２つの特性（パラメータ）により特定されている。 ウ 本件発明１が備える「接合層」の組成について、本件特許明細書の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」ともいう。）には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【００４５】 接合層６０は、樹脂材料を含む。実施形態において、接合層６０は、極低温下において柔軟性を保つことが可能に構成される。例えば、接合層６０は、シリコーン系、アクリル系、変性シリコーン系、あるいはエポキシ系の高分子材料であって炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び酸素（Ｏ）の少なくとも１つを主成分とする高分子材料を含む。 ここで、本願明細書において、「極低温」とは、－６０℃以下の低温環境をいう。具体的には、－６０℃～－１２０℃をいう。 【００４６】 接合層６０は、シリコーンを含むことが好ましい。接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。 【００４７】 接合層６０において、シリコーンとして、シロキサン骨格に種々の官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることができる。より具体的には、シロキサン骨格に結合した官能基は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つを含むことが好ましい。接合層６０にこのような官能基を含むシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」 エ 上記【００４５】～【００４７】には、「接合層」における樹脂材料については、シリコーンを含むことが好ましいこと、接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと、さらに、シリコーンとして、シロキサン骨格に種々の官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることができること、より具体的には、シロキサン骨格に結合した官能基は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つを含むことが好ましいこと、接合層６０にこのような官能基を含むシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができることが記載されている。 そうすると、発明の詳細な説明には、接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと、また、接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができることは、一応記載されているといえる。 しかし、上記【００４５】～【００４７】には、「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量、並びに、「シリコーン」を含む「接合層」について、その製造方法及び製造条件は全く記載されていない。 また、上記【００４５】～【００４７】には、「接合層」が含む「シリコーン」のシロキサン骨格に結合する官能基の種類が、「－６０℃における前記接合層の接合強度β１」（以下、「接合強度β１」ともいう。）及び「－６０℃における前記接合層の伸び率α１」（以下、「伸び率α１」ともいう。）にどのように寄与するのかについては何ら記載も示唆もされていない。 さらに、上記【００４５】～【００４７】には、「接合層」が含む「シリコーン」の成分やその配合、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量、並びに、「シリコーン」を含む「接合層」の製造方法及び製造条件が、「接合強度β１」及び「伸び率α１」にどのように寄与するかについても何ら記載も示唆もされていない。 オ 次に、本件発明１の「接合層」の「接合強度β１」及び「弾性率γ１」について、発明の詳細な説明及び本件特許に係る願書に添付した図面には、以下の記載がある。 「【００９６】 図５及び図６は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表すグラフである。 図６は、図５のＡ部を拡大したグラフである。 図７は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。 実施例１は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。参考例１は、実施例１とは物性が異なる接合層６０を有する静電チャックの一例である。 【００９７】 図２（ａ）～図２（ｃ）及び図３に示した測定・算出方法で測定・算出した実施例１及び参考例１の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図５～図７に示す。 【００９８】 また、実施例１及び参考例１に対して、剥離／割れ試験を行った結果を図７に示す。剥離／割れ試験では、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０とを接合層６０で接合したサンプルを作製し、サンプルを－６０℃に少なくとも３０００時間放置した後、室温に戻し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離の有無、及び、セラミック誘電体基板１１の割れの有無を評価した。接合層６０の剥離の有無は、接合層６０の断面を顕微鏡で観察しクラックなどの有無を評価する直接観察と、超音波を当てて接合層６０の内部のクラックなどの有無を評価する超音波探傷と、で行った。直接観察及び超音波探傷の少なくともいずれかでクラックが見られたものを剥離「あり」、直接観察及び超音波探傷の両方でクラックが見られなかったものを剥離「なし」と評価した。また、セラミック誘電体基板１１の割れの有無は、セラミック誘電体基板１１を目視で観察し、割れが見られたものを割れ「あり」、割れが見られなかったものを割れ「なし」と評価した。 【００９９】 図５～図７に表したように、参考例１において、伸び率α１は１０７％、伸び率α２は１９５％、伸び率αの比α１／α２は０．５である。参考例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【０１００】 これに対し、実施例１において、伸び率α１は２２５％、伸び率α２は１９０％、伸び率αの比α１／α２は１．２である。実施例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１０１】 このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１０２】 また、図５～図７に表したように、参考例１において、接合強度β１は２９．８ＭＰａ、接合強度β２は０．５６ＭＰａ、接合強度βの比β１／β２は５３．２である。参考例１においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【０１０３】 これに対し、実施例１において、接合強度β１は１．４２ＭＰａ、接合強度β２は０．８３ＭＰａ、接合強度βの比β１／β２は１．７である。実施例１においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１０４】 このように、接合層６０の接合強度β１を０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１０５】 また、図５～図７に表したように、参考例１において、弾性率γ１は２８ＭＰａ、弾性率γ２は０．２９ＭＰａ、弾性率γの比γ１／γ２は９６．６である。参考例１においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【０１０６】 これに対し、実施例１において、弾性率γ１は０．６３ＭＰａ、弾性率γ２は０．４４ＭＰａ、弾性率γの比γ１／γ２は１．４である。実施例１においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１０７】 このように、接合層６０の弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、または、弾性率γの比γ１／γ２を０．６以上３０以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１０８】 図８は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。 実施例２～１４は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。 実施例１及び参考例１と同様にして測定・算出した実施例２～１４の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図８に示す。また、実施例１及び参考例１と同様にして剥離／割れ試験を行った結果を図８に示す。 【０１０９】 図８に表したように、実施例２～１４において、伸び率α１は１７５％以上２４７％以下、伸び率α２は１５０％以上２８０％以下、伸び率αの比α１／α２は０．８０以上１．１７以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１１０】 このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１１１】 図８に表したように、実施例２～１４において、接合強度β１は０．７０ＭＰａ以上１．９０ＭＰａ以下、接合強度β２は０．５１ＭＰａ以上１．６０ＭＰａ以下、接合強度βの比β１／β２は０．８以上１．９以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１１２】 このように、接合層６０の接合強度β１を０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１１３】 図８に表したように、実施例２～１４において、弾性率γ１は０．３４ＭＰａ以上１．０２ＭＰａ以下、弾性率γ２は０．１９ＭＰａ以上０．８１ＭＰａ以下、弾性率γの比γ１／γ２は０．９以上２．１以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１１４】 このように、接合層６０の弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、または、弾性率γの比γ１／γ２を０．６以上３０以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。」 「【図５】 ［図：0001412282000001.jpg］ 【図６】 ［図：0001412282000002.jpg］ 【図７】 ［図：0001412282000003.jpg］ 【図８】 ［図：0001412282000004.jpg］ 」 カ 上記【００９６】～【０１１４】及び【図５】～【図８】には、参考例１では、接合強度β１は２９．８ＭＰａであり、弾性率γ１は２８ＭＰａであるため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している（【０１０２】、【０１０５】、【図７】）のに対し、実施例１では、接合強度β１は１．４２ＭＰａであり、弾性率γ１は０．６３ＭＰａであるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【０１０３】、【０１０６】、【図７】）、実施例２～１４では、接合強度β１は０．７０ＭＰａ以上１．９０ＭＰａ以下であり、弾性率γ１は０．３４ＭＰａ以上１．０２ＭＰａ以下であるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【０１１１】、【０１１３】、【図８】）、接合層６０の接合強度β１を０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができること（【０１１２】）が記載されている。 また、上記【図７】、【図８】には、接合強度β１が０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であって、弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下である実施例１～３、５、１１～１４が記載されている。 しかし、上記【００９６】～【０１１４】及び【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～３、５、１１～１４の「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「接合強度β１」及び「弾性率γ１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 また、上記【００９６】～【０１１４】及び【図５】～【図８】には、上記のとおり、「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合が記載されていないのであるから、参考例１及び実施例１～３、５、１１～１４の「接合層」における樹脂材料が、シリコーンを含むものであること、当該シリコーンとして、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有するものであることも記載されていない。 そうすると、上記エにおいて、発明の詳細な説明（上記【００４５】～【００４７】）に一応記載されているとした、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと」、及び、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができること」は、いずれも上記実施例１～３、５、１１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」、又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～３、５、１１～１４において裏付けられているとはいえない。 キ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」を含む場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な成分やその配合、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「接合強度β１」及び「弾性率γ１」にどのように寄与するのかについて、また、「接合強度β１」及び「弾性率γ１」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明及び図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であったとはいえない。 ク 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 「乙１号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度及び弾性率を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度は「０．３５６ＭＰａ」、－６０℃における弾性率は「０．１ＭＰａ」でした。」（意見書Ａ４ページ１８～２１行） 「本件特許の出願以前に、－６０℃における接合強度β１が０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であって、－６０℃以上における弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下であるシリコーン接着剤が入手可能であり、当業者であれば、本件明細書及び本件特許の出願当時の技術常識に沿って、請求項１に係る静電チャックを製造することができます。」（意見書Ａ４ページ下から１１行目～７行目） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「乙１３号証（特開平１０－２１３９７１号公報）には、「ＳＥ９５５Ｕ」が「メチルフェニルシリコーンエラストマー」であることが記載されています。つまり、「ＳＥ９５５Ｕ」は、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料に相当します。すなわち、「ＳＥ９５５Ｕ」を含む接合層は、「当該接合層」に相当します。 そして、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「接合強度β１」が「０．３５６ＭＰａ」であり、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されています。 本願明細書では、接合強度は、「０．４ＭＰａ」のように、小数第一位まで記載されています。数値の丸め方の規格であるＪＩＳ Ｚ ８４０１：２０１９に基づいて、「０．３５６ＭＰａ」を丸めの幅：０．１で丸めると、「０．４ＭＰａ」になります。 なお、ＪＩＳ Ｚ ８４０１：２０１９には、数値の丸め方の規則として、以下の２つの規則があります ・規則Ａ：丸めた数値として丸めの幅の偶数倍の方を選ぶ。 ・規則Ｂ：丸めた数値として大きい整数倍の方を選ぶ。ただし、負の数値を対象とする場合は、その絶対値に適用する。 規則Ａを適用して、「０．３５６ＭＰａ」を丸めの幅：０．１で丸めると、小数第一位が「３」（奇数）であるため、「０．４ＭＰａ」になります。 規則Ｂを適用して、「０．３５６ＭＰａ」を丸めの幅：０．１で丸めると、小数第一位が「３」であるため、「０．４ＭＰａ」になります。 このように、規則Ａ、Ｂのいずれを適用した場合でも、「０．３５６ＭＰａ」を丸めの幅：０．１で丸めると、「０．４ＭＰａ」になります。 つまり、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であることが記載されています。 このことから、乙１号証は、「当該接合層」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であり、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることを示すものであるといえます。 したがって、本件特許の明細書の記載と、乙１～乙１４号証などの本件特許に係る原出願の出願時の技術常識と、に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、本件特許の請求項１に記載した物性値を満たす接合層を備えた静電チャックを製造することができると思料いたします。」（意見書Ｂ３ページ１５行～４ページ５行） ケ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）ａ 本件発明１において、「－６０℃における前記接合層の接合強度β１は０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」であるところ、本件特許明細書（特に、【０００８】、【００６６】、【００６７】、【０１０４】、【０１１２】）には、「接合強度β１」について、「０．４ＭＰａ以上」が好ましい旨が記載されているものの、その下限値である「０．４ＭＰａ」の「０．４」について、ＪＩＳ Ｚ ８４０１：２０１９に基づいて、丸めの幅：０．１で丸めた値であることは、記載も示唆もされていないし、そのことが本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるともいえない。 ｂ 一方、乙第１号証の「実験成績証明書」には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「接合強度β１」が「０．３５６ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが示されているものの、「接合強度β１」の値について、ＪＩＳ Ｚ ８４０１：２０１９に基づいて、丸めの幅：０．１で丸めることが本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるともいえない。 そうすると、乙第１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが示されているといえるものの、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であることが示されているとはいえない。 ｃ したがって、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であるシリコーンを入手可能であったとはいえない。 よって、乙第１号証を参酌しても、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の接合層を得られるとはいえない。 （イ）なお、仮に、乙第１号証には、乙第１３号証に記載されている「ＳＥ９５５Ｕ」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが示されているとして以下検討する。（下線は合議体が付与した。以下、同じ。） ａ 乙第１３号証の【００１６】の「以上の条件に該当するシリコーン系ゴムの例としては、・・・、メチルフェニルシリコーンエラストマー（たとえば、東レシリコーン社製商品名；ＳＥ９５５Ｕ）」との記載によれば、東レシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」は、本件特許に係る原出願の出願時において市販されていたものであり、かつ、メチルフェニルシリコーンエラストマーであるから、乙第１号証には、メチルフェニルシリコーンエラストマー、すなわち、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層について、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であり、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているといえるものの、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているとはいえない。 ｂ そうすると、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の、全ての分子構造を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層（以下、「全ての分子構造を有する当該接合層」ともいう。）について、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であるとはいえない。 ｃ さらに、「全ての分子構造を有する当該接合層」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるということもできない。 ｄ したがって、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」である「全ての分子構造を有する当該接合層」を入手可能であったとはいえない。 ｅ また、上記ａを参酌すると、乙第１号証等の記載から、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」である「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンは、入手可能であったといえるものの、乙第１号証には、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす「全ての分子構造を有する当該接合層」については記載されていない。 そして、図面の【図７】、【図８】に記載されている実施例１～１４の測定結果から、「全ての分子構造を有する当該接合層」において、「接合強度β１」と「弾性率γ１」との間に特定の相関関係があるとはいえない。 また、「全ての分子構造を有する当該接合層」において、「接合強度β１」と「弾性率γ１」との間に特定の相関関係があることは、乙第１号証～乙第１４号証には記載も示唆もされていないし、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるともいえない。 そうすると、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす「全ての分子構造を有する当該接合層」を有するシリコーンを入手可能であったとはいえない。 ｆ 以上によれば、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」である「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンが入手可能であったとしても、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （ウ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 コ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （２）本件発明２について ア 請求項２は、請求項１の記載を引用するとともに、「前記接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上２．０ＭＰａ以下である」との構成を更に限定するものであるところ、図面の【図７】、【図８】に示された実施例１～３、５、１１～１４は、接合強度β１が０．４ＭＰａ以上２．０ＭＰａ以下であって、弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下である。 しかし、上記（１）で検討したのと同様の理由により、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明２について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 イ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア） 意見書Ａにおける特許権者の主張 「「請求項１について」で述べた通り、本件特許の出願日以前に接合強度β１が０．３５６ＭＰａのシリコーンが実在していたため、当業者であれば請求項２に係る静電チャックを製造することができます。」（意見書Ａ９ページ下から１８行目～１６行目） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「そして、「請求項１について」で述べた通り、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であることが記載されています。 このことから、乙１号証は、「当該接合層」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であることを示すものであるといえます。」（意見書Ｂ４ページ１２～１５行） ウ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について 上記（１）ケで検討したのと同様の理由により、特許権者の上記主張を採用することはできない。 （３）本件発明３について ア 本件発明３は、独立形式請求項に係る発明であり、本件発明１における「－６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であって」との構成を、「２５℃における前記接合層の接合強度β２に対する－６０℃における前記接合層の接合強度β１の比β１／β２は、０．６以上１０以下であって」との構成に替えたものであるところ、本件発明１と同様に、その他の成分等については特定されておらず、「２５℃における前記接合層の接合強度β２に対する－６０℃における前記接合層の接合強度β１の比β１／β２は、０．６以上１０以下であって」、「－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下である」という２つの特性（パラメータ）により特定されている。 イ そうすると、上記（１）エで検討したのと同様に、発明の詳細な説明の【００４５】～【００４７】には、「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量、並びに、「シリコーン」を含む「接合層」について、その製造方法及び製造条件は全く記載されていない。 また、同【００４５】～【００４７】には、「接合層」における樹脂材料の種類、「接合層」が「シリコーン」を含む場合のシロキサン骨格に結合する官能基の種類が、「２５℃における前記接合層の接合強度β２に対する－６０℃における前記接合層の接合強度β１の比β１／β２」（以下、「接合強度の比β１／β２」ともいう。）及び「弾性率γ１」にどのように寄与するのかについては何ら記載も示唆もされていない。 さらに、同【００４５】～【００４７】には、「接合層」が含む「シリコーン」の成分やその配合、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量、並びに、「シリコーン」を含む「接合層」の製造方法及び製造条件が、「接合強度の比β１／β２」及び「弾性率γ１」にどのように寄与するかについても何ら記載も示唆もされていない。 ウ 次に、本件発明３の「接合層」の「接合強度の比β１／β２」及び「弾性率γ１」について、発明の詳細な説明及び図面には、上記【００９６】～【０１１４】、【図５】～【図８】（「接合強度の比β１／β２」については、【０１０２】～【０１１１】）の記載がある。 エ 上記【００９６】～【０１１４】及び【図５】～【図８】には、参考例１では、接合強度の比β１／β２は５３．２であり、弾性率γ１は２８ＭＰａであるため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している（【０１０２】、【０１０５】、【図７】）のに対し、実施例１では、接合強度の比β１／β２は１．７であり、弾性率γ１は０．６３ＭＰａであるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【０１０３】、【０１０６】、【図７】）、実施例２～１４では、接合強度の比β１／β２は０．８以上１．９以下であり、弾性率γ１は０．３４ＭＰａ以上１．０２ＭＰａ以下であるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【０１１１】、【０１１３】、【図８】）が記載されている。 また、上記【図７】、【図８】には、接合強度の比β１／β２が０．６以上１０以下であって、弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下である実施例１～３、５、１１～１４が記載されている。 しかし、上記【００９６】～【０１１４】及び【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～３、５、１１～１４の「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「接合強度の比β１／β２」及び「弾性率γ１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 また、上記【００９６】～【０１１４】及び【図５】～【図８】には、上記のとおり、「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合が記載されていないのであるから、参考例１及び実施例１～３、５、１１～１４の「接合層」における樹脂材料が、シリコーンを含むものであること、当該シリコーンとして、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有するものであることも記載されていない。 そうすると、上記（１）エにおいて、発明の詳細な説明（上記【００４５】～【００４７】）に一応記載されているとした、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと」、及び、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができること」は、いずれも上記実施例１～３、５、１１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」、又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～３、５、１１～１４において裏付けられているとはいえない。 オ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」を含む場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な成分やその配合、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「接合強度の比β１／β２」及び「弾性率γ１」にどのように寄与するのかについて、また、「接合強度の比β１／β２」及び「弾性率γ１」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明及び図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であったとはいえない。 カ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 「乙１号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における伸び率及び接合強度を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度は「０．３５６ＭＰａ」、－６０℃における弾性率は「０．１ＭＰａ」でした。」（意見書Ａ４ページ１８～２１行） 「流動点を調整して－６０℃における接合強度β１を所定値とすることができれば、流動点以上である２５℃の接合強度β２は所定の範囲に定まることになります。」（意見書Ａ６ページ３～５行） 「乙１号証に示した通り、接合強度β１が０．３５６ＭＰａのシリコーンが本件特許の出願日より前に実在していました。したがって、接合強度の比β１／β２が０．６以上１０以下であるシリコーン接着剤が入手可能であったといえます。当業者であれば、「接合強度の比β１／β２が０．６以上１０以下」であり、「－６０℃における接合層の弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の接合層を実施することができます。」（意見書Ａ６ページ６～１０行） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「そして、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されています。 このことから、乙１号証は、「当該接合層」の「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることを示すものであるといえます。 また、乙１４号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の２５℃における接合強度β２に対する－６０℃における接合強度β１の比β１／β２を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の接合強度の比β１／β２は「２．８」でした。 このことから、本件特許に係る原出願の出願時において、「比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であり、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」以上０．６３ＭＰａ以下」である接合層を入手可能であったといえます。 したがって、本件特許の明細書の記載と、乙１～乙１４号証などの本件特許に係る原出願の出願時の技術常識と、に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、本件特許の請求項３に記載した物性値を満たす接合層を備えた静電チャックを製造することができると思料いたします。」（意見書Ｂ５ページ２～１６行） キ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）ａ 乙第１４号証の「実験成績証明書」は、乙第１号証の「実験成績証明書」と同じ条件で、α２、β２、γ２、α１／α２、β１／β２、γ１／γ２を追加で測定したものであるところ、上記（１）ケ（イ）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層について、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているといえるものの、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているとはいえない。 ｂ そうすると、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の、全ての分子構造を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層（上記（１）ケ（イ）ｂの「全ての分子構造を有する当該接合層」）について、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であるとはいえない。 ｃ さらに、「全ての分子構造を有する当該接合層」の「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるということもできない。 ｄ したがって、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」である「全ての分子構造を有する当該接合層」を入手可能であったとはいえない。 ｅ また、上記ａを参酌すると、乙第１４号証等の記載から、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」である「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンは、入手可能であったといえるものの、乙第１４号証には、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす「全ての分子構造を有する当該接合層」については記載されていない。 そして、図面の【図７】、【図８】に記載されている実施例１～１４の測定結果から、「全ての分子構造を有する当該接合層」において、「接合強度の比β１／β２」と「弾性率γ１」との間に特定の相関関係があるということはできない。 また、「全ての分子構造を有する当該接合層」において、「接合強度の比β１／β２」と「弾性率γ１」との間に特定の相関関係があることは、乙第１号証～乙第１４号証には記載も示唆もされていないし、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるともいえない。 そうすると、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす「全ての分子構造を有する当該接合層」を有するシリコーンを入手可能であったとはいえない。 （イ）以上によれば、本件特許に係る原出願の出願時において、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」である「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンは、入手可能であったとしても、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （ウ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 ク 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明３について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （４）本件発明４について ア 請求項４は、請求項３の記載を引用するとともに、「前記比β１／β２は、０．８以上である」との構成を更に限定するものであるところ、図面の【図７】、【図８】に示された実施例１～３、５、１１～１４は、接合強度の比β１／β２が０．８以上１０以下であって、弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下である。 しかし、上記（３）で検討したのと同様の理由により、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明４について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 イ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 「「請求項３について」で述べた通り、当業者であれば、本件明細書及び本件特許の出願当時の技術常識に沿って、請求項４に係る静電チャックを製造することができます。」（意見書Ａ９ページ下から１６行目～１４行目） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「また、乙１４号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の２５℃における接合強度β２に対する－６０℃における接合強度β１の比β１／β２を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の接合強度の比β１／β２は「２．８」でした。 このことから、本件特許に係る原出願の出願時において、「比β１／β２」が「０．８以上」である接合層を入手可能であったといえます。」（意見書Ｂ５ページ下から１３行目～８行目） ウ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について 上記（３）キで検討したのと同様の理由により、特許権者の上記主張を採用することはできない。 （５）本件発明５について ア 請求項５は、請求項１～４のいずれか１つの記載を引用するものであるところ、独立形式請求項である、請求項１又は３の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する」との構成を更に限定をするものである。 イ まず、本件発明５のうち、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５に記載された事項により特定される本件発明５について検討する。 本件発明５のうち、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５に記載された事項により特定される本件発明５は、請求項１の記載を引用するとともに、「前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する」との構成を更に限定をするものであるから、本件発明５の「接合層」は、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有し、かつ、「シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層である。 一方、上記（１）ケ（イ）を参酌すると、仮に、乙第１号証には、乙第１３号証に記載されている「ＳＥ９５５Ｕ」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが示されているとしても、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有し、かつ、「シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが示されているとはいえない。 また、「前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する」との構成を更に限定することによって、「接合層」の「接合強度β１」を「０．４ＭＰａ」、「弾性率γ１」を「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」に調整することができるとはいえないし、また、そのような技術常識もない。 したがって、上記（１）で検討したのと同様の理由により、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明５のうち、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５に記載された事項により特定される本件発明５について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 ウ 次に、本件発明５のうち、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５に記載された事項により特定される本件発明５について検討する。 本件発明５のうち、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５に記載された事項により特定される本件発明５は、請求項３の記載を引用するとともに、「前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する」との構成を更に限定をするものであるから、本件発明５の「接合層」は、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有し、かつ、「シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層である。 一方、上記（３）キ（ア）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンについて、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているといえるものの、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有し、かつ、「シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているとはいえない。 また、「前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する」との構成を更に限定することによって、「接合層」の「接合強度の比β１／β２」を「０．６以上１０以下」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」に調整することができるとはいえないし、また、そのような技術常識もない。 したがって、上記（３）で検討したのと同様の理由により、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する本件発明５について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （６）本件発明６について ア 請求項６は、請求項１～５のいずれか１つの記載を引用するものであるところ、独立形式請求項である、請求項１又は３の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「２５℃における前記接合層の弾性率γ２に対する－６０℃における前記接合層の弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下である」との構成を更に限定するものである。 イ 本件発明６の「接合層」の弾性率γ２に対する弾性率γ１の「比γ１／γ２」（以下、「弾性率の比γ１／γ２」ともいう。）について、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 「【００８２】 弾性率γ２に対する弾性率γ１の比γ１／γ２は、例えば、０．６以上３０以下、好ましくは０．６以上１０以下、より好ましくは０．６以上３以下である。また、比γ１／γ２は、好ましくは０．８以上、より好ましくは０．９以上である。また、比γ１／γ２は、好ましくは２．１以下である。 【００８３】 弾性率γの比γ１／γ２が０．６以上であれば、室温でも極低温の環境下でも、接合層６０が十分な復元性を維持するため、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０との間に応力が生じた際にも、セラミック誘電体基板１１の反りを抑制しやすい。これにより、室温から極低温の環境下においた際に、対象物Ｗの面内温度均一性の悪化を抑制できる。 【００８４】 弾性率γの比γ１／γ２が３０以下であれば、室温でも極低温の環境下でも、接合層６０が硬くなり過ぎることを抑制できる。これにより、室温から極低温の環境下においた際に、セラミック誘電体基板１１にかかる応力を抑制し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できる。」 ウ しかしながら、上記（１）カ、（３）エで検討したように、発明の詳細な説明の【００９６】～【０１１４】及び図面の【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 そして、発明の詳細な説明の【００４６】の「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。」との記載、及び同【００４７】の「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」との記載は、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」、又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 エ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び、「接合層」が「シリコーン」を含む場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な成分やその配合、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」及び「弾性率γ１」並びに「弾性率の比γ１／γ２」にどのように寄与するのかについて、また、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」及び「弾性率γ１」並びに「弾性率の比γ１／γ２」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明又は図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」又は「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」又は「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であったとはいえない。 オ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア） 意見書Ａにおける特許権者の主張 ａ 「乙１号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度及び弾性率を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度は「０．３５６ＭＰａ」、－６０℃における弾性率は「０．１ＭＰａ」でした。」（意見書Ａ４ページ１８～２１行） ｂ 「乙１１号証（日本ゴム協会誌第６２巻第１２号「最近のミラブル型シリコーンゴム」）の図６には、・・・つまり、シリコーンでは、流動点以上の温度において、弾性率の変化が少ないことは、本件出願当時の技術常識といえます。 ・・・ また、乙１２号証（特開２０００－２５８１６３号公報）には、シロキサン骨格にフェニル基やメチル基などの官能基が結合したシリコーンの流動点と弾性率との間に特定の相関関係があることが示されています。 ・・・ つまり、乙１２号証には、シロキサン骨格にフェニル基などの官能基が結合したシリコーンの流動点と弾性率との間に特定の相関関係があり、フェニル基の含有量を調整して流動点を調整することで低温環境における弾性率を調整できることが示されています。 以上述べた通り、乙３号証、乙１１号証及び乙１２号証には、流動点（ガラス転移点）を境に弾性率が大きく変わること、及び、シリコーンでは流動点以上において弾性率が大きく変化しないことが記載されています。つまり、シリコーンにおいて、弾性率の調整に重要なのは流動点であって、流動点を調整して－６０℃における弾性率γ１を所定値とすることができれば、流動点以上である２５℃の弾性率γ２は所定の範囲に定まることになります。 乙１号証に記載の通り、弾性率γ１が０．１ＭＰａのシリコーンが本件特許の出願日より前に実在していました。したがって、本件特許出願以前に、弾性率の比γ１／γ２が０．６以上３０以下であるシリコーン接着剤が入手可能であったといえます。 よって、当業者であれば、本件明細書及び本件特許の出願当時の技術常識に沿って、請求項６に係る静電チャックを製造することができます。」（意見書Ａ１０ページ１４行～１２ページ４行） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「また、乙１４号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の２５℃における弾性率γ２に対する－６０℃における弾性率γ１の比γ１／γ２を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の弾性率の比γ１／γ２は「３．３」でした。 このことから、本件特許に係る原出願の出願時において、「比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である接合層を入手可能であったといえます。 したがって、本件特許の明細書の記載と、乙１～乙１４号証などの本件特許に係る原出願の出願時の技術常識と、に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、本件特許の請求項６に記載した物性値を満たす接合層を備えた静電チャックを製造することができると思料いたします。」（意見書Ｂ６ページ下から１８行目～９行目） カ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）上記（１）ケ（イ）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層について、「接合強度β１」が「０．３５６ＭＰａ」、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」、「弾性率の比γ１／γ２」が「３．３」であることが示されているといえるものの、上記（１）ケ及び（３）キで検討したのと同様に、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （イ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 キ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明６について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （７）本件発明７について ア 請求項７は、請求項１～６のいずれか１つの記載を引用するものであるところ、独立形式請求項である、請求項１又は３の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、１２０％以上である」との構成を更に限定するものである。 イ 本件発明７の「接合層」の「伸び率α１」について、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 「【００５９】 実施形態において、－６０℃における接合層６０の伸び率α１は、例えば、１２０％以上、好ましくは１７５％以上、より好ましくは２００％以上、さらに好ましくは２２０％以上、さらに好ましくは２４０％以上である。 【００６０】 伸び率α１が１２０％以上であれば、極低温の環境下において、接合層６０が十分な伸び率αを有しているため、接合層６０に十分な柔軟性を確保することができる。これにより、極低温の環境下において、セラミック誘電体基板１１にかかる応力を抑制し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できる。なお、伸び率α１の上限は、特に限定されないが、例えば、１０００％以下である。」 ウ しかしながら、上記（１）カ、（３）エで検討したように、発明の詳細な説明の【００９６】～【０１１４】及び図面の【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていないものであり、また、更に、同【００９６】～【０１１４】及び同【図７】、【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」の「伸び率α１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 そして、発明の詳細な説明の【００４６】の「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。」との記載、及び同【００４７】の「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」との記載は、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 エ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」を含む場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な成分やその配合、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」、並びに「伸び率α１」にどのように寄与するのかについて、また、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」、並びに「伸び率α１」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明又は図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であったとはいえない。 オ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 ａ 「乙１号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度及び弾性率を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度は「０．３５６ＭＰａ」、－６０℃における弾性率は「０．１ＭＰａ」でした。また、－６０℃における伸び率は「３５６％」でした。」（意見書Ａ４ページ１８～２１行） 「乙１号証に記載のとおり、－６０℃における伸び率α１が３５６％のシリコーンが本件特許の出願以前から存在していました。よって、当業者であれば、本件明細書及び本件特許の出願当時の技術常識に沿って、請求項７に係る静電チャックを製造することができます。」（意見書Ａ１２ページ下から１１行目～９行目） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「そして、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「伸び率α１」が「３５６％」であることが記載されています。 このことから、乙１号証は、「当該接合層」の「伸び率α１」が「３５６％」であることを示すものであるといえます。」（意見書Ｂ６ページ下から２行目～７ページ２行） カ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）上記（１）ケ（イ）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層について、「接合強度β１」が「０．３５６ＭＰａ」、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」、「伸び率α１」が「３５６％」であることが記載されているといえるものの、上記（１）ケ及び（３）キで検討したのと同様に、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」であり、更に、「伸び率α１」が「１２０％以上」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （イ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」であり、更に、「伸び率α１」が「１２０％以上」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 キ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明７について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （８）本件発明８について ア 請求項８は、請求項１～７のいずれか１つの記載を引用するものであるところ、独立形式請求項である、請求項１又は３の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／αは、０．６０以上である」との構成を更に限定するものである。 イ 本件発明８の「接合層」の伸び率α２に対するα１の「比α１／α２」（以下、「伸び率の比α１／α２」ともいう。）について、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 「【００６３】 また、伸び率α２に対する伸び率α１の比α１／α２は、例えば、０．６０以上、好ましくは０．８０以上、さらに好ましくは０．９０以上である。 【００６４】 伸び率αの比α１／α２が０．６０以上であれば、室温から極低温の環境下においた際に、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０との間の熱膨張率差を緩和することができる。これにより、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できる。なお、伸び率αの比α１／α２の上限は、特に限定されないが、例えば、１．５以下である。」 ウ しかしながら、上記（１）カ、（３）エで検討したように、発明の詳細な説明の【００９６】～【０１１４】及び図面の【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」が含む「シリコーン」の具体的な成分やその配合、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」、並びに「伸び率の比α１／α２」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 そして、発明の詳細な説明の【００４６】の「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。」との記載、及び同【００４７】の「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」との記載は、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」、又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「伸び率の比α１／α２」が「０．６０以上」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 エ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」を含む場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な成分やその配合、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」、並びに「伸び率の比α１／α２」にどのように寄与するのかについて、また、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」、並びに「伸び率の比α１／α２」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明又は図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「伸び率の比α１／α２」が「０．６０以上」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「伸び率の比α１／α２」が「０．６０以上」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であったとはいえない。 オ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 ａ 「乙１号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度及び弾性率を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における接合強度は「０．３５６ＭＰａ」、－６０℃における弾性率は「０．１ＭＰａ」でした。また、－６０℃における伸び率は「３５６％」でした。」（意見書Ａ４ページ１８～２１行） ｂ 「つまり、シリコーンにおいて、諸特性の調整に重要なのは流動点であって、流動点を調整して－６０℃における伸び率α１を所定値とすることができれば、流動点以上である２５℃の伸び率α２は所定の範囲に定まることになります。」（意見書Ａ１３ページ２１～２４行） ｃ 「乙１号証に示した通り、伸び率α１が３５６％のシリコーンが本件特許の出願日より前に実在していました。したがって、本件特許の出願以前に、伸び率の比α１／α２が０．６以上であるシリコーン接着剤が入手可能であったといえます。 よって、請求項３と同様に、当業者であれば、本件明細書及び本件特許の出願当時の技術常識に沿って、請求項８に係る静電チャックを製造することができます。」（意見書Ａ１３ページ２５～２９行） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「また、乙１４号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の２５℃における弾性率γ２に対する－６０℃における弾性率γ１の比γ１／γ２を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の弾性率の比α１／α２は「０．８８」でした。 このことから、本件特許に係る原出願の出願時において、「比α１／α２」が「０．６０以上」である接合層を入手可能であったといえます。」（意見書Ｂ７ページ下から１１行目～６行目） カ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）上記（１）ケ（イ）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層について、「接合強度β１」が「０．３５６ＭＰａ」、「接合強度の比β１／β２」が「２．８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」であることが記載されているといえるものの、上記（１）ケ及び（３）キで検討したのと同様に、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「伸び率の比α１／α２」が「０．６０以上」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （イ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、又は、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「伸び率の比α１／α２」が「０．６０以上」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 キ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明８について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （９）本件発明９について ア 請求項９は、請求項３～８のいずれか１つの記載を引用するものであるところ、独立形式請求項である、請求項１の記載を間接的に引用する、又は、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「－６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１．９ＭＰａ以下である」との構成を更に限定するものである。 イ まず、本件発明９のうち、請求項１の記載を間接的に引用する請求項９に記載された事項により特定される本件発明９について検討する。 図面の【図７】、【図８】に示された実施例１～３、５、１１～１４は、接合強度β１が０．４ＭＰａ以上１．９ＭＰａ以下であって、弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下である。 しかし、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、請求項１の記載を間接的に引用する本件発明９について、上記（１）で検討したのと同様の理由により、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 ウ 次に、本件発明９のうち、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項９に記載された事項により特定される本件発明９について検討する。 上記（３）で検討したのと同様な理由により、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」を含む場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な成分やその配合、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」にどのように寄与するのかについて、また、「接合強度β１」、「接合強度の比β１／β２」、及び「弾性率γ１」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明及び図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１．９ＭＰａ以下」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「接合強度の比β１／β２」が「０．６以上１０以下」であって、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上０．６３ＭＰａ以下」であり、更に、「－６０℃における」「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ以上１．９ＭＰａ以下」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であったとはいえない。 したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する本件発明９について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 エ 意見書Ｂにおける特許権者の主張 「そして、「請求項１について」で述べた通り、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であることが記載されています。 このことから、乙１号証は、「当該接合層」の「接合強度β１」が「０．４ＭＰａ」であることを示すものであるといえます。」（意見書Ｂ８ページ１７～２０行） オ 意見書Ｂにおける特許権者の主張について 上記（１）ケで検討したのと同様の理由により、特許権者の上記の主張を採用することはできない。 カ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明９について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （１０）本件発明１０、１１について 請求項１０は、請求項１～９のいずれか１つの記載を引用するものであるところ、独立形式請求項である、請求項１又は３の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化「ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも１つを含む」との構成を更に限定するものであり、請求項１１は、請求項１０の記載を引用するものである。 したがって、上記（１）又は（３）で検討したのと同様の理由により、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１０、１１について、当業者が発明の詳細な説明の記載並びに本件特許に係る原出願の出願当時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （１１）まとめ したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１～１１について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、請求項１～１１に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、特許法第１１３条第４号に該当するから、取り消すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。