2023-700219

特許第７１３３７６４号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１３３７６４号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１３３７６４号の請求項１～６に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和２年３月２３日（優先権主張 平成３１年３月２８日）に出願された特許出願（特願２０２０－５１４４６号、以下、「原出願」という。）の一部を、令和２年１１月２５日に特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０２０－１９５０９３号）としたものであって、令和４年９月１日にその特許権の設定登録がされ、令和４年９月９日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年 ２月２７日 ： 特許異議申立人清水朋子による請求項１～６に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ５年 ３月 ９日 ： 特許異議申立人鈴木啓子による請求項１～６に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ５年 ６月１６日付け： 取消理由通知書 令和 ５年 ８月１８日 ： 特許権者による意見書（以下、「意見書Ａ」という。）の提出 令和 ５年１１月２９日付け： 取消理由通知書（決定の予告） 令和 ６年 ２月 １日 ： 特許権者による意見書（以下、「意見書Ｂ」という。）の提出 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明６」という。）は、本件特許に係る願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～６に記載された、次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 セラミック誘電体基板と、 前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、 前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、 を備え、 前記樹脂材料は、シリコーンを含み、 前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有し、 ２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．８０以上であり、 前記伸び率α１は、１２０％以上であり、 前記伸び率α２は、１５０％以上であることを特徴とする静電チャック。 【請求項２】 前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する、請求項１記載の静電チャック。 【請求項３】 －６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。 【請求項４】 ２５℃における前記接合層の弾性率γ２に対する－６０℃における前記接合層の弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項５】 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。 【請求項６】 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項５記載の静電チャック。」 第３ 取消理由の概要 請求項１～６に係る特許に対して、当審が令和５年１１月２９日付けの取消理由通知書（決定の予告）において特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 １ （実施可能要件）本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の発明の詳細な説明には、本件発明１～６について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえないから、請求項１～６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 よって、請求項１～６に係る特許は、取り消されるべきものである。 第４ 当審の判断 １ 取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由について （１）本件発明１について ア 判断手法 本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件に適合するというためには、物の発明にあっては、当業者が本件特許明細書の発明の詳細な説明及び本件特許に係る願書に添付した図面（以下、単に「図面」ともいう。）の記載並びに出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されていることが必要であると解される。 イ 本件発明１は、「樹脂材料を含む接合層」を備え、「前記樹脂材料は、シリコーンを含み、前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」するものであるところ、その他の組成等については特定されておらず、「２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．８０以上であり」、「前記伸び率α１は、１２０％以上であり」、「前記伸び率α２は、１５０％以上である」という３つの特性（パラメータ）により特定されている。 ウ 本件発明１が備える「接合層」の組成について、本件特許明細書の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」ともいう。）には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【００３５】 接合層６０は、樹脂材料を含む。実施形態において、接合層６０は、極低温下において柔軟性を保つことが可能に構成される。例えば、接合層６０は、シリコーン系、アクリル系、変性シリコーン系、あるいはエポキシ系の高分子材料であって炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び酸素（Ｏ）の少なくとも１つを主成分とする高分子材料を含む。 ここで、本願明細書において、「極低温」とは、－６０℃以下の低温環境をいう。具体的には、－６０℃～－１２０℃をいう。 【００３６】 接合層６０は、シリコーンを含むことが好ましい。接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。 【００３７】 接合層６０において、シリコーンとして、シロキサン骨格に種々の官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることができる。より具体的には、シロキサン骨格に結合した官能基は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つを含むことが好ましい。接合層６０にこのような官能基を含むシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」 エ 上記【００３５】～【００３７】には、「接合層」における樹脂材料については、シリコーンを含むことが好ましいこと、接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと、さらに、シリコーンとして、シロキサン骨格に種々の官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることができること、より具体的には、シロキサン骨格に結合した官能基は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つを含むことが好ましいこと、接合層６０にこのような官能基を含むシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができることが記載されている。 そうすると、発明の詳細な説明には、接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと、また、接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができることは、一応記載されているといえる。 しかし、上記【００３５】～【００３７】には、「接合層」としての「シリコーン」について、その具体的な組成、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されていない。 また、上記【００３５】～【００３７】には、「接合層」としての「シリコーン」のシロキサン骨格に結合する官能基の種類が、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１」（以下、「伸び率α１」ともいう。）、「２５℃における前記接合層の伸び率α２」（以下、「伸び率α２」ともいう。）、及び「２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２」（以下、「伸び率の比α１／α２」ともいう。）にどのように寄与するのかについては何ら記載も示唆もされていない。 さらに、上記【００３５】～【００３７】には、「接合層」としての「シリコーン」の組成、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量が、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」にどのように寄与するかについても何ら記載も示唆もされていない。 オ 次に、本件発明１の「接合層」の「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」について、発明の詳細な説明及び図面には、以下の記載がある。 「【００８６】 図５及び図６は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表すグラフである。 図６は、図５のＡ部を拡大したグラフである。 図７は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。 実施例１は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。参考例１は、実施例１とは物性が異なる接合層６０を有する静電チャックの一例である。 【００８７】 図２（ａ）～図２（ｃ）及び図３に示した測定・算出方法で測定・算出した実施例１及び参考例１の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図５～図７に示す。 【００８８】 また、実施例１及び参考例１に対して、剥離／割れ試験を行った結果を図７に示す。剥離／割れ試験では、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０とを接合層６０で接合したサンプルを作製し、サンプルを－６０℃に少なくとも３０００時間放置した後、室温に戻し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離の有無、及び、セラミック誘電体基板１１の割れの有無を評価した。接合層６０の剥離の有無は、接合層６０の断面を顕微鏡で観察しクラックなどの有無を評価する直接観察と、超音波を当てて接合層６０の内部のクラックなどの有無を評価する超音波探傷と、で行った。直接観察及び超音波探傷の少なくともいずれかでクラックが見られたものを剥離「あり」、直接観察及び超音波探傷の両方でクラックが見られなかったものを剥離「なし」と評価した。また、セラミック誘電体基板１１の割れの有無は、セラミック誘電体基板１１を目視で観察し、割れが見られたものを割れ「あり」、割れが見られなかったものを割れ「なし」と評価した。 【００８９】 図５～図７に表したように、参考例１において、伸び率α１は１０７％、伸び率α２は１９５％、伸び率αの比α１／α２は０．５である。参考例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【００９０】 これに対し、実施例１において、伸び率α１は２２５％、伸び率α２は１９０％、伸び率αの比α１／α２は１．２である。実施例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【００９１】 このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【００９２】 また、図５～図７に表したように、参考例１において、接合強度β１は２９．８ＭＰａ、接合強度β２は０．５６ＭＰａ、接合強度βの比β１／β２は５３．２である。参考例１においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【００９３】 これに対し、実施例１において、接合強度β１は１．４２ＭＰａ、接合強度β２は０．８３ＭＰａ、接合強度βの比β１／β２は１．７である。実施例１においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【００９４】 このように、接合層６０の接合強度β１を０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【００９５】 また、図５～図７に表したように、参考例１において、弾性率γ１は２８ＭＰａ、弾性率γ２は０．２９ＭＰａ、弾性率γの比γ１／γ２は９６．６である。参考例１においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【００９６】 これに対し、実施例１において、弾性率γ１は０．６３ＭＰａ、弾性率γ２は０．４４ＭＰａ、弾性率γの比γ１／γ２は１．４である。実施例１においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【００９７】 このように、接合層６０の弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、または、弾性率γの比γ１／γ２を０．６以上３０以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【００９８】 図８は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。 実施例２～１４は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。 実施例１及び参考例１と同様にして測定・算出した実施例２～１４の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図８に示す。また、実施例１及び参考例１と同様にして剥離／割れ試験を行った結果を図８に示す。 【００９９】 図８に表したように、実施例２～１４において、伸び率α１は１７５％以上２４７％以下、伸び率α２は１５０％以上２８０％以下、伸び率αの比α１／α２は０．８０以上１．１７以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１００】 このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１０１】 図８に表したように、実施例２～１４において、接合強度β１は０．７０ＭＰａ以上１．９０ＭＰａ以下、接合強度β２は０．５１ＭＰａ以上１．６０ＭＰａ以下、接合強度βの比β１／β２は０．８以上１．９以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１０２】 このように、接合層６０の接合強度β１を０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１０３】 図８に表したように、実施例２～１４において、弾性率γ１は０．３４ＭＰａ以上１．０２ＭＰａ以下、弾性率γ２は０．１９ＭＰａ以上０．８１ＭＰａ以下、弾性率γの比γ１／γ２は０．９以上２．１以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１０４】 このように、接合層６０の弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、または、弾性率γの比γ１／γ２を０．６以上３０以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。」 「【図５】 ［図：0001412280000001.jpg］ 【図６】 ［図：0001412280000002.jpg］ 【図７】 ［図：0001412280000003.jpg］ 【図８】 ［図：0001412280000004.jpg］ 」 カ 上記【００８６】～【０１０４】及び【図５】～【図８】には、参考例１では、伸び率α１は１０７％、伸び率α２は１９５％、伸び率αの比α１／α２は０．５であるため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している（【００８９】、【図７】）のに対し、実施例１では、伸び率α１は２２５％、伸び率α２は１９０％、伸び率αの比α１／α２は１．２であるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【００９０】、【図７】）、実施例２～１４では、伸び率α１は１７５％以上２４７％以下、伸び率α２は１５０％以上２８０％以下、伸び率αの比α１／α２は０．８０以上１．１７以下であるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【００９９】、【図８】）、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができること（【０１００】、【図８】）が記載されている。 しかし、上記【００８６】～【０１０４】及び【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 また、上記【００８６】～【０１０４】及び【図５】～【図８】には、上記のとおり、「接合層」の具体的な組成が記載されていないのであるから、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」における樹脂材料が、シリコーンを含むものであること、当該シリコーンとして、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有するものであることも記載されていない。 そうすると、上記エにおいて、発明の詳細な説明（上記【００３５】～【００３７】）に一応記載されているとした、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと」、及び、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができること」は、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」、又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 キ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」である場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な組成、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」にどのように寄与するのかについて、また、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明及び図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であったとはいえない。 ク 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 ａ 「乙１号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における伸び率を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の－６０℃における伸び率は「３５６％」でした。」（意見書Ａ３ページ１５～１８行） 「流動点を調整して－６０℃における伸び率α１を所定値とすることができれば、流動点以上である２５℃の伸び率α２は所定の範囲に定まることになります。」（意見書Ａ４ページ下から１２行目～１０行目。下線は合議体が付与した。以下、同じ。） 「乙１号証に示した通り、伸び率α１が３５６％のシリコーンが本件特許の出願日より前に実在していました。したがって、伸び率の比α１／α２が０．８以上であるシリコーン接着剤が入手可能であったといえます。」（意見書Ａ４ページ下から９行目～７行目） ｂ 「また、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有するシリコーンを用いて、本件特許の請求項に記載した物性値を満たす接合層を得られることは、乙６～乙１０号証などに記載されているように、本件特許の出願当時の技術常識です。 ・・・ このように、フェニル基の含有量を変化させることでシリコーンの低温特性を適宜調節することは、本件特許の出願当時の技術常識であり、当業者であれば、技術常識に基づいてカタログなどから所望の特性を有するシリコーンを適宜選択することができます。つまり、当業者であれば、本件特許の明細書の記載と、本件特許の出願当時の技術常識と、に基づいて、例えばシリコーンに含まれるフェニル基の含有量を変化させることで、本件特許の請求項に記載した物性値を満たす接合層を得ることができます。 フェニル基に加え、メチル基についても、以下が知られています。 ・・・ 低温下のシリコーンに柔軟性を与え、耐寒性を高めるための官能基として、上述のように・・・分子量がおよそその間であるエチル基、プロピル基、ブチル基、またはヘキシル基についても、同様に低温特性が改善されえることが本件特許の出願当時の技術常識です。これは、乙９号証、乙１０号証からも明らかです。 ・・・ つまり、材料に特定のレジン構造を含むオルガノポリシロキサンが使用されていれば、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、・・・分子構造を有するシリコーンにおいても低温特性が改善されることは，本件特許の出願当時の技術常識です。 以上説明したように、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有するシリコーンを用いて、低温特性に優れた（すなわち、本件特許の請求項に記載した物性値を満たす）接合層を得られることは、本件特許の出願当時の技術常識であり」（意見書Ａ４ページ下から２行目～７ページ下から１３行目） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「取消理由通知書では、本件特許の請求項１にかかる発明について、以下のようなご判事を賜りました。 「ｂ（ａ）しかしながら、上記のトーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」は、乙第２号証の６ページ左下欄５～１４行の記載によれば、本件特許に係る原出願の出願時において市販されていたものであり、かつ、シリコーンゴムであるところ、上記の市販のシリコーンゴム「ＳＥ９５５Ｕ」は具体的な成分が不明であるから、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層（以下、「当該接合層」という。）であるとはいえない。 したがって、乙第１号証は、「当該接合層」における「伸び率α１」が「３５６％」であることを示すものではない。 （ｂ）そうすると、「乙１号証に示した通り、伸び率α１が３５６％のシリコーンが本件特許の出願日より前に実在して」おり、かつ、仮に、「流動点を調整して－６０℃における伸び率α１を所定値とすることができれば、流動点以上である２５℃における伸び率α２は所定の範囲に定まることになる」としても、本件特許に係る原出願の出願時において、「伸び率の比α１／α２」が「０．８以上」である「当該接合層」を入手可能であったとはいえない。」 乙１３号証（特開平１０－２１３９７１号公報）には、「ＳＥ９５５Ｕ」が「メチルフェニルシリコーンエラストマー」であることが記載されています。つまり、「ＳＥ９５５Ｕ」は、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料に相当します。すなわち、「ＳＥ９５５Ｕ」を含む接合層は、「当該接合層」に相当します。 そして、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「伸び率α１」が「３５６％」であることが記載されています。 このことから、乙１号証は、「当該接合層」の「伸び率α１」が「３５６％」であることを示すものであるといえます。 また、乙１４号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の２５℃における伸び率α２、及び２５℃における伸び率α２に対する－６０℃における伸び率α１の比α１／α２を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の伸び率α２は「４０３％」であり、伸び率の比α１／α２は「０．８８」でした。 このことから、本件特許に係る原出願の出願時において、「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、「比α１／α２」が「０．８０以上」である接合層を入手可能であったといえます。 したがって、本件特許の明細書の記載と、乙１～乙１４号証などの本件特許に係る原出願の出願時の技術常識と、に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、本件特許の請求項１に記載した物性値を満たす接合層を備えた静電チャックを製造することができると思料いたします。」（意見書Ｂ２ページ２４行～３ページ１６行） ケ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）ａ 乙第１４号証には、乙第１３号証に記載されている「ＳＥ９５５Ｕ」の「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」であることが示されている。 そして、乙第１３号証の【００１６】の「以上の条件に該当するシリコーン系ゴムの例としては、・・・、メチルフェニルシリコーンエラストマー（たとえば、東レシリコーン社製商品名；ＳＥ９５５Ｕ）」との記載によれば、東レシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」は、本件特許に係る原出願の出願時において市販されていたものであり、かつ、メチルフェニルシリコーンエラストマーであるから、乙第１４号証には、メチルフェニルシリコーンエラストマー、すなわち、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンについて、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」であることが記載されているといえるものの、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」であることが記載されているとはいえない。 ｂ そうすると、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の、全ての分子構造を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層（以下、「全ての分子構造を有する当該接合層」ともいう。）について、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」であるとはいえない。 ｃ さらに、「全ての分子構造を有する当該接合層」の「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」であることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるということもできない。 ｄ したがって、本件特許に係る原出願の出願時において、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」である「全ての分子構造を有する当該接合層」を入手可能であったとはいえない。 ｅ また、上記ａを参酌すると、乙第１４号証等の記載から、本件特許に係る原出願の出願時において、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」である「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンは、入手可能であったといえるものの、乙第１４号証には、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」の全ての範囲を満たす「全ての分子構造を有する当該接合層」については記載されていない。 そして、図面の【図７】、【図８】に記載されている実施例１～１４の測定結果から、シリコーンにおいて、「伸び率の比α１／α２」と「伸び率α１」と「伸び率α２」との間に特定の相関関係があるとはいえない。 また、シリコーンにおいて、「伸び率の比α１／α２」と「伸び率α１」と「伸び率α２」との間に特定の相関関係があることは、乙第１号証～乙第１４号証には記載も示唆もされていないし、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるともいえない。 そうすると、本件特許に係る原出願の出願時において、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」の全ての範囲を満たす「全ての分子構造を有する当該接合層」を有するシリコーンは、入手可能であったとはいえない。 （イ）以上によれば、本件特許に係る原出願の出願時において、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」である「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンが入手可能であり、かつ、上記ク（ア）ａ及びｂにおいて特許権者が主張するように、「流動点を調整して－６０℃における伸び率α１を所定値とすることができれば、流動点以上である２５℃における伸び率α２は所定の範囲に定まることになる」ものであり、さらに、「フェニル基の含有量を変化させることでシリコーンの低温特性を適宜調節すること」、及び、「材料に特定のレジン構造を含むオルガノポリシロキサンが使用されていれば、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、・・・分子構造を有するシリコーンにおいても低温特性が改善されること」が、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であったとしても、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （ウ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 コ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （２）本件発明２について 請求項２は、請求項１の記載を引用するとともに、「前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する」との構成を更に限定するものであるから、本件発明２の「接合層」は、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有し、かつ、「シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層である。 一方、上記（１）ケ（ア）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンについて、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」であることが記載されているといえるものの、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有し、かつ、「シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」であることが記載されているとはいえない。 また、「前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する」との構成を更に限定することによって、「接合層」の「伸び率の比α１／α２」を「０．８０以上」、「伸び率α１」を「１２０％以上」、「伸び率α２」を「１５０％以上」に調整することができるとはいえないし、また、そのような技術常識もない。 そうすると、上記（１）で検討したのと同様に、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明２について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （３）本件発明３について ア 請求項３は、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である」との構成を更に限定するものである。 イ 本件発明３の「接合層」の「弾性率γ１」について、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 「【００６６】 実施形態において、－６０℃における接合層６０の弾性率γ１は、例えば、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、好ましくは０．１ＭＰａ以上３ＭＰａ以下、より好ましくは０．１ＭＰａ以上１ＭＰａ以下である。また、弾性率γ１は、好ましくは０．３ＭＰａ以上、より好ましくは０．４ＭＰａ以上である。 【００６７】 弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上であれば、極低温の環境下において、接合層６０が十分な復元性を有するため、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０との間に応力が生じた際にも、セラミック誘電体基板１１の反りを抑制しやすい。これにより、極低温の環境下における、対象物Ｗの面内温度均一性の悪化を抑制できる。 【００６８】 弾性率γ１が１０ＭＰａ以下であれば、極低温の環境下において、接合層６０が硬くなり過ぎることを抑制できる。これにより、極低温の環境下において、セラミック誘電体基板１１にかかる応力を抑制し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できる。」 ウ しかしながら、上記（１）カで検討したように、発明の詳細な説明の【００８６】～【０１０４】及び図面の【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていないものであり、また、更に、同【００８６】～【０１０４】及び同【図７】、【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」の「弾性率γ１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 そして、発明の詳細な説明の【００３６】の「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。」との記載、及び同【００３７】の「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」との記載は、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」であり、更に、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 エ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」である場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な組成、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」並びに「弾性率γ１」にどのように寄与するのかについて、また、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」並びに「弾性率γ１」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明及び図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」であり、更に、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」であり、更に、「－６０℃における」「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 オ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 「「請求項１について」で述べた通り、本件特許の出願日以前に弾性率γ１が０．１ＭＰａのシリコーンが実在していたため、当業者であれば請求項３に係る静電チャックを製造することができます。」（意見書Ａ８ページ１７～１９行） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「そして、乙１号証には、「ＳＥ９５５Ｕ」の「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されています。 このことから、乙１号証は、「当該接合層」の「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることを示すものであるといえます。 したがって、本件特許の明細書の記載と、乙１～乙１４号証などの本件特許に係る原出願の出願時の技術常識と、に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、本件特許の請求項３に記載した物性値を満たす接合層を備えた静電チャックを製造することができると思料いたします。」（意見書Ｂ３ページ下から６行目～４ページ２行目） カ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）上記（１）ケ（ア）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンについて、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているといえるものの、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層の「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」であることが記載されているとはいえない。 （イ）そうすると、上記（１）ケで検討したのと同様に、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （ウ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 キ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明３について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （４）本件発明４について ア 請求項４は、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「２５℃における前記接合層の弾性率γ２に対する－６０℃における前記接合層の弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下である」との構成を更に限定するものである。 イ 本件発明４の「接合層」の弾性率γ２に対する弾性率γ１の「比γ１／γ２」（以下、「弾性率の比γ１／γ２」ともいう。）について、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 「【００７２】 弾性率γ２に対する弾性率γ１の比γ１／γ２は、例えば、０．６以上３０以下、好ましくは０．６以上１０以下、より好ましくは０．６以上３以下である。また、比γ１／γ２は、好ましくは０．８以上、より好ましくは０．９以上である。また、比γ１／γ２は、好ましくは２．１以下である。 【００７３】 弾性率γの比γ１／γ２が０．６以上であれば、室温でも極低温の環境下でも、接合層６０が十分な復元性を維持するため、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０との間に応力が生じた際にも、セラミック誘電体基板１１の反りを抑制しやすい。これにより、室温から極低温の環境下においた際に、対象物Ｗの面内温度均一性の悪化を抑制できる。 【００７４】 弾性率γの比γ１／γ２が３０以下であれば、室温でも極低温の環境下でも、接合層６０が硬くなり過ぎることを抑制できる。これにより、室温から極低温の環境下においた際に、セラミック誘電体基板１１にかかる応力を抑制し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できる。」 ウ しかしながら、上記（１）カで検討したように、発明の詳細な説明の【００８６】～【０１０４】及び図面の【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていないものであり、また、更に、同【００８６】～【０１０４】及び同【図７】、【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」における「弾性率の比γ１／γ２」の分子である「弾性率γ１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 そして、発明の詳細な説明の【００３６】の「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。」との記載、及び同【００３７】の「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」との記載は、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率α１の比α１／α２」が「０．８０以上」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 エ 以上によれば、発明の詳細な説明及び図面には、「接合層」における好ましい樹脂材料としての「シリコーン」、及び「接合層」が「シリコーン」である場合のシロキサン骨格に結合する好ましい官能基の種類は例示されているものの、その具体的な組成、製造方法及び製造条件、分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、それらが、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」並びに「弾性率γ１」及び「弾性率の比γ１／γ２」にどのように寄与するのかについて、また、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」並びに「弾性率γ１」及び「弾性率の比γ１／γ２」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明及び図面には、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有」する「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」であり、更に、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である「接合層」を製造する方法が、本件特許に係る原出願の出願時において、技術常識であるとはいえない。 オ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張 （ア）意見書Ａにおける特許権者の主張 「乙１１号証（日本ゴム協会誌第６２巻第１２号「最近のミラブル型シリコーンゴム」）の図６には、・・・つまり、シリコーンでは、流動点以上の温度において、弾性率の変化が少ないことは、本件出願当時の技術常識といえます。 ・・・ また、乙１２号証（特開２０００－２５８１６３号公報）には、シロキサン骨格にフェニル基やメチル基などの官能基が結合したシリコーンの流動点と弾性率との間に特定の相関関係があることが示されています。 ・・・ つまり、乙１２号証には、シロキサン骨格にフェニル基などの官能基が結合したシリコーンの流動点と弾性率との間に特定の相関関係があり、フェニル基の含有量を調整して流動点を調整することで低温環境における弾性率を調整できることが示されています。 以上述べた通り、乙３号証、乙１１号証及び乙１２号証には、流動点（ガラス転移点）を境に弾性率が大きく変わること、及び、シリコーンでは流動点以上において弾性率が大きく変化しないことが記載されています。つまり、シリコーンにおいて、弾性率の調整に重要なのは流動点であって、流動点を調整して－６０℃における弾性率γ１を所定値とすることができれば、流動点以上である２５℃の弾性率γ２は所定の範囲に定まることになります。 乙１号証に記載の通り、弾性率γ１が０．１ＭＰａのシリコーンが本件特許の出願日より前に実在していました。したがって、本件特許出願以前に、弾性率の比γ１／γ２が０．６以上３０以下であるシリコーン接着剤が入手可能であったといえます。」（意見書Ａ９ページ１行～１０ページ下から１０行目） （イ）意見書Ｂにおける特許権者の主張 「また、乙１４号証（実験成績証明書）に記載したように、追試験において、トーレシリコーン社製の「ＳＥ９５５Ｕ」の２５℃における弾性率γ２に対する－６０℃における弾性率γ１の比γ１／γ２を測定したところ、「ＳＥ９５５Ｕ」の弾性率の比γ１／γ２は「３．３」でした。 このことから、本件特許に係る原出願の出願時において、「比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」である接合層を入手可能であったといえます。 したがって、本件特許の明細書の記載と、乙１～乙１４号証などの本件特許に係る原出願の出願時の技術常識と、に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、本件特許の請求項４に記載した物性値を満たす接合層を備えた静電チャックを製造することができると思料いたします。」（意見書Ｂ４ページ下から１３行目～４行目） カ 意見書Ａ・意見書Ｂにおける特許権者の主張について （ア）上記（１）ケ（ア）ａを参酌すると、乙第１４号証には、「シロキサン骨格にメチル基及びフェニル基が結合した分子構造」を有するシリコーンについて、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」、「弾性率の比γ１／γ２」が「３．３」であることが記載されているといえるものの、それ以外の「シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造」を有するシリコーンを含む樹脂材料を含む接合層について、「伸び率の比α１／α２」が「０．８８」、「伸び率α１」が「３５６％」、「伸び率α２」が「４０３％」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ」、「弾性率の比γ１／γ２」が「３．３」であることが記載されているとはいえない。 （イ）そうすると、上記（１）ケ及び上記（３）カで検討したのと同様に、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」、又は、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」の全ての範囲を満たす接合層を得られることが、本件特許に係る原出願の出願時の技術常識であるとはいえない。 （ウ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をすることなく、「全ての分子構造を有する当該接合層」であって、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」、又は、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」、「伸び率α１」が「１２０％以上」、「伸び率α２」が「１５０％以上」、「弾性率γ１」が「０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下」、「弾性率の比γ１／γ２」が「０．６以上３０以下」の全ての範囲を満たす接合層を備えた静電チャックを製造できるとはいえない。 よって、特許権者の上記主張を採用することはできない。 キ 以上のとおりであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明４について、当業者が明細書及び図面の記載並びに本件特許に係る原出願の出願時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （５）本件発明５、６について 請求項５は、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用するとともに、「前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも１つを含む」との構成を更に限定するものであり、請求項６は、請求項５の記載を引用するものである。 したがって、上記（１）で検討したのと同様の理由により、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明５、６について、当業者が発明の詳細な説明の記載並びに本件特許に係る原出願の出願当時の技術常識に基づいて、その物を作れるように、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （６）まとめ したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１～６について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、特許法第１１３条第４号に該当するから、取り消すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。