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特許第７０７５６１２号発明「窒化ケイ素焼結基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０７５６１２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－５〕について訂正することを認める。 特許第７０７５６１２号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０７５６１２号（以下、「本件特許」という。）に係る出願は、２０１７年（平成２９年）９月２６日を出願日とする特願２０１７－１８４９０８号の一部を令和３年１１月１７日に新たな特許出願としたものであって、令和４年５月１８日に特許の設定登録がされ、同年同月２６日に特許掲載公報が発行された。 その後、本件特許の請求項１～５に係る特許に対し、特許異議申立人（以下、「申立人」という。）である青木眞理により、同年１１月２５日に特許異議の申立てがされた。 以降の手続の経緯は、次のとおりである。 令和５年 ２月 １日付け：取消理由通知 同年 ４月 ６日 ：意見書の提出及び訂正の請求（特許権者） なお、令和５年４月６日の訂正の請求について、申立人に期間を指定して意見を求めたところ、申立人から、意見等の提出はなかった。 第２ 訂正の適否についての判断 令和５年４月６日に特許権者より請求された訂正は適法になされたものと判断する。 以下、その理由につき詳述する。 １ 訂正の内容 令和５年４月６日に提出された訂正請求書における訂正請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）の趣旨は、特許請求の範囲を本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを求めるものであり、その内容は、次の訂正事項１～３からなる（下線は訂正箇所。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有し」と記載されているのを、「１辺１２０ｍｍの正方形よりも大きく、１辺２５０ｍｍの正方形以下の大きさの形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板であって」に訂正する。 （請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～５についても同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に、「前記窒化ケイ素焼結基板の主面のうち周囲１ｃｍを除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）、円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、」との記載を追加し、 「前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ/ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、 端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下であり、」との記載を「Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率において、前記中央部の密度ｄｃと前記端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下であり、」に訂正する。 （請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～５についても同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項５に「前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上である」と記載されているのを、「Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度において前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上である」に訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、窒化ケイ素焼結基板について、１辺２５０ｍｍの正方形以下の大きさの形状の主面を有するものに限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、そして、上記限定は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、上記１辺２５０ｍｍの正方形以下の大きさの形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板については、願書に添付した明細書（下線は当審で付与した。以下同様。）の【０１０９】に「参考例の窒化ケイ素焼結基板の１辺は最大で２２０ｍｍ（８．７インチ）であるが、一辺が２５０ｍｍの（９．８インチ）正方形形状を有する窒化ケイ素焼結基板を作製」と記載されているから、訂正事項１は、これにより新たな技術的事項が導入されるものとはいえない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、令和５年２月１日付けの取消理由通知の理由２（明確性要件違反）の、「「中央部」及び「端部」の範囲の取り方によって、中央部の密度ｄｃ、端部の密度ｄｅ、中央部のボイド率ｖｃ、端部のボイド率ｖｅの値は異なり、一義的に定まらず、本件発明１は不明確である。」などの指摘を踏まえて行なったものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、上記訂正事項２によって、窒化ケイ素焼結基板に関する、中央部の密度ｄｃ、端部の密度ｄｅ、中央部のボイド率ｖｃ、端部のボイド率ｖｅ、さらには、主面の大きさが明確に特定されるものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、窒化ケイ素焼結基板の中央部、端部の密度及びボイド率を「窒化ケイ素焼結体の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）」とすることは、願書に添付した明細書の【００３３】に「窒化ケイ素焼結体１０１’の中央部及び端部の密度及びボイド率は以下のようにして求める。図２(b)に示すように、窒化ケイ素焼結体１０１’（一辺がＬ１、他の一辺がＬ２）において、絶縁基板として使用しない部分（１ｃｍ幅）を除いた四角形１１０’を仮定し、四角形１１０’内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置する。ここで、中央の円Ｃ２２は、正方形の中心、つまり、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、正方形１１０’の頂点近傍でかつ２つの辺に接する直径３ｃｍの円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置する。また、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように、円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。」と記載されており、そして、「円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率」については、願書に添付した明細書の【００３４】の「窒化ケイ素焼結体１０１’の密度及びボイド率は、上記のように配置した９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を窒化ケイ素焼結体１０１’からレーザ加工によって切り出して測定する。中央部の密度及びボイド率とは、円Ｃ２２の切片の密度であり、端部の密度及びボイド率とは、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片を測定した値のうち、最も小さい値である」と記載されているから、訂正事項２は、これらにより新たな技術的事項が導入されるものとはいえない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、訂正前の請求項５において、訂正事項２に整合させて「前記端部の密度」を明確にするものであるから、上記（２）で述べたとおり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、そして、新たな技術的事項を導入するものではない。 （４）一群の請求項について 訂正前の請求項２～５は請求項１を直接的又は間接的に引用するものであるから、請求項１～５は一群の請求項である。そして、上記訂正事項１～３はその一群の請求項１～５においてなされたものであるから、特許法第１２０条の５第４項で規定する当該一群の請求項ごとに請求されているものである。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～５について訂正することを認める。 第３ 本件特許請求の範囲の記載 上記第２のとおり本件訂正請求は適法になされたものであると認められるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明５」といい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定される、次のとおりのものである）。 「【請求項１】 １辺１２０ｍｍの正方形よりも大きく、１辺２５０ｍｍの正方形以下の大きさの形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板であって、 前記窒化ケイ素焼結基板の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）、円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、 Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率において、前記中央部の密度ｄｃと前記端部の密度ｄｅの比ｄｃ/ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下であり、 ０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有し、 １０．０以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数を有し、 酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物と、を含む焼結助剤を用いて製造した、 窒化ケイ素焼結基板。 【請求項２】 ８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧を有する、 請求項１に記載の窒化ケイ素焼結基板。 【請求項３】 前記中央部において、炭素含有量が０．２質量％以下である、 請求項１又は２に記載の窒化ケイ素焼結基板。 【請求項４】 曲げ強度が６００ＭＰａ以上であり、 破壊靭性が５．０ＭＰａ・ｍ０．５以上である、 請求項１～３のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板。 【請求項５】 前記中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ３以上であり、Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度において前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上である、 請求項１～４のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板。」 第４ 取消理由通知書に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 当審が特許権者に通知した、令和５年２月１日付けの取消理由の概要は、次のとおりである。 （１）取消理由１（サポート要件違反） 本件訂正前の請求項１～５に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６号第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 要すれば、本件の願書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という。）の【００２０】に、「主面１０１ａが大きくなるほど、窒化ケイ素焼結基板１０１の製造時におけるグリーンシートの端部と中央部との収縮量の差が大きくなるため、耐圧及び絶縁信頼性に端部と中央部とでばらつきが大きくなる」と記載されているところ、本件訂正前の請求項１～５に係る発明において１辺の上限が特定されておらず、１辺が２５０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板については、本件発明の課題を解決できる範囲のものであると認識できない。 （２）取消理由２（明確性） 本件訂正前の請求項１～５に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６号第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 要すれば、本件訂正前の請求項１～５に係る発明は「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する」ことが特定されるのみで、形状が特定されていない窒化ケイ素焼結基板において「中央部」「端部」がどの程度、中央、端であるのか特定されず、中央部、端部の密度及びボイド率が一義的に定まらないため不明確である。 また、本件明細書の記載を勘案すると、「端部の密度及びボイド率とは、円Ｃ１～Ｃ６の切片を測定した値のうち、最も小さい値をいう」「端部の密度及びボイド率とは、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片を測定した値のうち、最も小さい値である」等と記載されている。しかし、密度が大きければボイド率は小さく、密度が小さければボイド率は大きくなり、両者は相反関係にあるから、両者の「最も小さい値」は、技術的意義が不明である。 また、訂正前の請求項１～５に係る発明では焼結基板の形状が特定されておらず、円形である場合と四角形である場合で、測定対象の円の面積が異なっている。そうすると、焼結基板の形状によって密度及びボイド率の値が一義的に決まらないため、訂正前の請求項１～５に係る発明は明確ではない。 ２ 当審の判断 （１）取消理由１（サポート要件）について 本件発明１では、窒化ケイ素焼結基板が、「１辺２５０ｍｍの正方形以下の大きさ」であることが特定されており、本件発明の課題を解決できる範囲のものであると認識できる範囲のものとなっている。本件発明２～５についても同様である。 したがって、上記取消理由１は理由がない。 （１）取消理由２（明確性）について 本件発明１は、１辺「１２０ｍｍの正方形よりも大きく、１辺２５０ｍｍの正方形以下の大きさの形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板」であることが特定されており、「前記窒化ケイ素焼結基板の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）、円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当」することが特定されている。そうすると、窒化ケイ素焼結基板の形状、及び、中央、端部の円の位置及び直径は明確であり、中央部、端部の密度及びボイド率は一義的に定まる。 また、「Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率において」、ｄｃ/ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下、ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下を満たすことが特定されたため、その技術意義は明確である。 よって、本件発明１は明確であり、本件発明２～５についても同様である。 したがって、上記取消理由２は理由がない。 第５ 取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について 特許異議申立理由（以下、「申立理由」という）は、概略、以下のとおりである。 １ 申立理由 （１）申立理由１（明確性） 訂正前の請求項１～５に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６号第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 要すれば、訂正前の請求項１において「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下」、「ｖｅ／ｖｃ」が０．５０以上１．０６以下」とされているが、ｄｃ／ｄｅ＝１．０、ｖｅ／ｖｃ１．０である場合を含むのか不明である。 また、「酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物と、を含む焼結助剤を用いて製造した」との特定は、いわゆるプロダクトバイプロセスクレームになっており、訂正前の請求項１に係る発明は明確ではない。 訂正前の請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～５についても同様である。 （２）申立理由２（進歩性） 訂正前の請求項１～５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるため、その特許は、同法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 証拠一覧 甲第１号証：特開２００３－１９２４４５号公報 甲第２号証：特開２０１４－７３９３７号公報 甲第３号証：国際公開第２０１５／０６０２７４号 甲第４号証：特開２００２－２０１０７５号公報 甲第５号証：特開２０１４－５８４４５号公報 以下、「甲第○号証」を「甲○」という。 なお、主たる証拠は甲１であり、甲２は特定の厚みの基板を作成すること、甲３は絶縁耐力のばらつき、甲４は残留炭素量と破壊靭性、甲５は３点曲げ強度のワイブル係数について記載されたものである。 ２ 各証拠について （１）甲１について ア 甲１には以下が記載ある（下線は当審で付した。以下、同様。）。 （ア）「【００１４】本発明は上記のような課題要請に対処するためになされたものであり、窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加えて、特に基板を構成する焼結体中に実質的に気孔（ポア）が形成されず、また表面粗さが小さいために、加工時に脱粒が生じにくく、さらにこの薄い窒化けい素基板を用いて各種パワーモジュールや回路基板を構成した場合でもリーク電流量を効果的に抑制することができ、さらに基板表面に薄膜を形成した場合においても薄膜の膨れや剥離を防止でき、電子機器に使用した場合においても、その絶縁性、耐久性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な窒化けい素基板、その製造方法およびそれを用いた薄膜付き窒化けい素基板を提供することを目的とする。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を達成するため、従来の窒化けい素セラミックス基板を使用したモジュールにおいてリーク電流が発生する要因を究明し、以下のような知見を得た。」 （イ）「【０１００】実施例１～７ 実施例１～７として酸素量１．１質量％、不純物陽イオン元素としてＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．１０質量％含有し、α相型窒化けい素９７％を含む平均粒径０．５５μｍのＳｉ３Ｎ４（窒化けい素）原料粉末に対して、焼結助剤として平均粒径０．９μｍのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末と、平均粒径０．５μｍのＥｒ２Ｏ３（酸化エルビウム）粉末と、平均粒径１．０μｍのＴｉＯ２（酸化チタン）粉末と、平均粒径０．５μｍのＭｇＯ（酸化マグネシウム）粉末とを表１に示す基板組成となるように添加し、エチルアルコール中で粉砕媒体として窒化けい素製ボールを用いて９６時間湿式混合したのち乾燥して原料混合体を調製した。 【０１０１】次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定量添加し調合造粒粉としたのち、１３０ＭＰａの成形圧力でプレス成形し、成形体を多数製作した。次に得られた成形体を４５０℃の空気気流中において４時間脱脂したのち、表１に示す焼結条件により焼結した後に、１５００℃まで温度降下するまでの冷却速度をそれぞれ表１に示す値に設定して焼結体を冷却した。さらに、表１に示すＨＩＰ条件により焼結体に熱間静水圧プレス処理を実施することにより、各基板をさらに緻密化せしめた。さらに、各基板に対して、表面加工を実施することにより、表１に示す、厚さおよび表面粗さとなるように調整し、それぞれ実施例１～７に係る窒化けい素基板を調製した。なお、各基板のサイズは縦５０ｍｍ×横４０ｍｍに統一した。」 ・・・・ 【０１０３】こうして得られた実施例１～７および比較例１に係る各窒化けい素基板について、表面粗さ、粒界相の最大径、気孔率、気孔の有無およびリーク電流値を測定して表１に示す結果を得た。 【０１０４】なお、表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１の規格に準拠して測定した。また、粒界相の最大径は以下の方法で測定した。すなわち、窒化けい素基板表面の拡大写真を撮影し、５０μｍ×５０μｍの単位面積領域内において、最も長い対角線を有する粒界相を測定対象としてその対角線長さを求める。この測定操作を、少なくとも３箇所の単位面積領域において実施し、その最長対角線長さを粒界相の最大径とした。 【０１０５】また、気孔率はアルキメデス法により測定した。また、気孔の有無は、基板組織の拡大顕微鏡写真の任意の２００μｍ×２００μｍの単位面積領域内において、気孔の有無を確認し、任意の単位面積を３個所以上測定しても気孔が確認できない場合を気孔「無し」と表示した。 ・・・ 【０１０７】 【表１】 ［図：0001405800000001.jpg］ 」 イ 甲１に記載された発明 上記表１の実施例３には、基板組成がＳｉ３Ｎ４が８７質量％、Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％、ＴｉＯ２が１質量％、ＭｇＯが２質量％、基板厚さが０．３ｍｍ、気孔率が＜０．０１vol％である窒化けい素焼結板が記載されており、この実施例３に着目すると、甲１には以下の発明が記載されているといえる。 「サイズが縦５０ｍｍ×横４０ｍｍの窒化けい素焼結基板であって、 気孔率は＜０．０１vol％であり、 ０．３ｍｍの厚さを有し、 Ｓｉ３Ｎ４が８７質量％、Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％、ＴｉＯ２が１質量％、ＭｇＯが２質量％からなる窒化けい素焼結基板。」（以下、「甲１発明」という。） （２）甲２について 甲２には、以下の事項が記載されている。 「【００３４】 （実施例１～１１） 前述の窒化珪素焼結体の製造方法および評価方法にしたがって表１、表２に示す出発原料、混合、成形および焼成条件により窒化珪素焼結体を作製し、空孔の面積を画像解析により計測した。各ロットの出発原料の原料粉の総量は、それぞれ１０ｋｇとした。スラリーの混練ロット数を２以上とし、成形速度６００(mm/min.)以下とし、成形体の乾燥速度を０．８（wt%/min.)以下とすることでＨＩＰ処理を含まない製造プロセスにより、表３に示す焼結体を得ることができた。空孔割合０．１～４％であっても十分な絶縁破壊の強さを有する厚さ０．１５～０．２５ｍｍの窒化珪素基板を得ることができた。」 （３）甲３について 甲３には、以下の事項が記載されている。 ア 「【特許請求の範囲】 [請求項1]窒化珪素結晶粒子と粒界相とを具備する熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化珪素基板において、窒化珪素基板の断面組織は、窒化珪素基板の厚さＴ１に対し厚さ方向の粒界相の合計長さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．０１～０．３０であり、基板の表裏に電極を接触して４端子法で測定したときの絶縁耐力の平均値からのばらつきが２０％以下であることを特徴とする窒化珪素基板。 [請求項2]絶縁耐力のばらつきが１５％以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化珪素基板。 [請求項3]絶縁耐力の平均値が１５ｋｖ／ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項２のいずれか１項に記載の窒化珪素基板。」 イ 「[表８] ［図：0001405800000002.jpg］ 」 （４）甲４について 甲４には、以下の事項が記載されている。 ア 「【請求項１】 粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下の窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ～１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上であることを特徴とする窒化けい素セラミックス基板。 【請求項２】 破壊靭性値が６．５ＭＰａ・ｍ１／２以上であることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素セラミックス基板。 ・・・ 【請求項５】 窒化けい素セラミックス基板の厚さが１．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素セラミックス基板。 ・・・ 【請求項７】 前記窒化けい素セラミックス基板は、ＭｇをＭｇＯに換算して０．３～３．０質量％含有することを特徴とする請求項１記載の窒化けい素セラミックス基板。」 イ 「【００７９】しかしながら、成形体に特別な処理を施さない限り、完全に炭素成分を排除することは困難であり、さらに残留炭素は焼結時に窒化けい素や焼結助剤などの添加物と化合して安定な炭化物を形成してしまうことからも完全に排除することは困難である。しかしながら、焼結後のセラミックス基板における残留炭素量が５００ｐｐｍ以下となるように十分に脱脂処理することにより、前記リーク電流の発生を効果的に防止することができる。」 （５）甲５について 甲５には、以下の事項が記載されている。 「【００３０】 次に、成形工程として、上記混合した原料スラリーを脱泡・増粘した後、これを公知のドクターブレード法等により所定厚さの板にシート成形する。このときのシート成形体の板厚は、用途に応じて適宜決定できるが、例えば０．２～１．０ｍｍ程度とすることができる。また、シート成形体寸法については収縮量を考慮し、かつシート成形体を載せるＢＮセッターおよび焼成容器の寸法および容量も考慮して適宜選定する。本発明では、シート成形体寸法は１７０ｍｍ×１４０ｍｍとした。」 ３ 当審の判断 （１）申立理由１について 本件発明１において、「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下」、「ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」とされているのであるから、ｄｃ／ｄｅ＝１．０、ｖｅ／ｖｃ１．０である場合を含むことは明確である。 また、「酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物と、を含む焼結助剤を用いて製造した」との特定は、単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎず、その物の製造方法が記載されているとはいえず、プロダクトバイプロセスクレームには該当しない。 したがって、申立理由１には理由がない。 （２）申立理由２について ア 本件発明１について （ア）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ａ 厚さについて 甲１発明の「０．３ｍｍの厚さを有し」は本件発明１の「０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有し」を満たす。 ｂ 成分組成について 甲１発明の「Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％」の合計は１０質量％であるから、本件発明１の「酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物」を満たし、甲１発明の「ＭｇＯが２質量％」は本件発明１の「酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物」を満たし、そして、これらＹ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＭｇＯは焼結助剤として含有されるものである。 そうすると、甲１発明の「Ｓｉ３Ｎ４が８７質量％、Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％、ＴｉＯ２が１質量％、ＭｇＯが２質量％からなる窒化けい素焼結基板」は本件発明１の「焼結助剤として、酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物とを用いることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板」に相当する。 ｃ 基板は主面を有するものであるから、甲１発明の「窒化けい素焼結基板」は、本件発明１の「主面を有する窒化ケイ素焼結基板」に相当する。 ｄ したがって、本件発明１と甲１発明は、 「主面を有する窒化ケイ素基板であって、 ０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有し、 酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物と、を含む焼結助剤を用いて製造した、 窒化ケイ素焼結基板。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点１） 窒化ケイ素焼結基板が、本件発明１では、「１辺１２０ｍｍの正方形よりも大きく、１辺２５０ｍｍの正方形以下の大きさの形状」であって、 「窒化ケイ素焼結基板の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）、円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、 Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率において、前記中央部の密度ｄｃと前記端部の密度ｄｅの比ｄｃ/ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」 であるのに対し、甲１発明では、「サイズが縦５０ｍｍ×横４０ｍｍ」であって、「気孔率は＜０．０１vol%」である点。 （相違点２） 窒化ケイ素焼結基板が、本件発明１では、「１０．０以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数を有」するのに対し、甲１発明では、絶縁破壊耐圧のワイブル係数が不明である点。 イ 相違点の検討 （ａ）相違点１について検討する。 第５の２（１）ア（ウ）に摘記したとおり、甲１には、「気孔率」を「アルキメデス法により測定した」と記載の記載はあるが、密度を測定した旨の記載はないし、気孔率についても、具体的に窒化ケイ素基板のどの部分についてどのようにして測定したか等、詳細な記載はないため、９つの直径３ｃｍの円を配置し、それらの円の密度やボイド率を測定する本件発明１とは測定位置や測定する物性も異なるものである。 また、本件発明１は「窒化ケイ素焼結基板のサイズを大きくすると、基板の中央付近と端部とで種々の物性に差が生じ、基板面内での物性の均一性が低下する」（【００１５】）という課題があったところ、「１辺１２０ｍｍの正方形よりも大きく、１辺２５０ｍｍの正方形以下大きさの形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板」という、サイズの大きな窒化ケイ素焼結基板においても、「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」（以下、下線部を「特徴事項」いう。）という、基板面内での物性の均一性を達成したものであるのに対し、甲１発明では、サイズが縦５０ｍｍ×横４０ｍｍの窒化ケイ素焼結板を作成しており、その基板のサイズが異なっている。 そうすると、相違点１は実質的な相違点である。 （ｂ）次に、相違点１の容易性について検討する。 焼結基板が小さい場合に基板面内のボイド率がほぼ均一であっても、焼結基板が大きくなるに従って基板面内のボイド率が不均一になることは技術常識である。そうすると、上記特徴事項における「１辺１２０ｍｍの正方形よりも大きく、１辺２５０ｍｍの正方形以下大きさの形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板」と「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」を分けて検討することはできず、あくまでも一つの技術的事項として検討する必要がある。 甲２には、第５の２（２）の記載事項によれば、「１０ｋｇ」の原料粉末を使用し、「厚さ０．１５～０．２５ｍｍの窒化珪素素基板を得ることができた」ことが記載されているが、甲２には１０ｋｇの原料から、厚さ０．１５～０．２５の基板を何枚作製するは記載されていないし、作製にあたり原料を全部使い切ったかも記載されていないから、得られる窒化珪素基板の大きさがわかるとはいえない。さらに、サイズを大きくしたときの物性の均一性についての記載はないことから、上記特徴事項は記載されていない。したがって、甲１発明に甲２に記載された事項を組み合わせたとしても、本件発明１の窒化ケイ素焼結基板は得られない。 また、甲３～５にも、上記特徴事項は記載されていない。 したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２～５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものではない。 （２）本件発明２～５について 本件発明２～５は、本件発明１を引用するものであって、本件発明１の特定事項を全て含むものであるから、上記（１）に示した理由と同様の理由により、本件発明２～５は、甲１発明及び甲２～５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものではない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、本件発明１～５に係る特許は、特許異議申立書に記載された申立理由、及び、取消理由通知書に記載した取消理由によっては、取り消すことができない。 また、他に本件発明１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。