2022-700606

特許第６９９２３６４号発明「窒化ケイ素焼結基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９９２３６４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－７〕について訂正することを認める。 特許第６９９２３６４号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９９２３６４号（以下、「本件特許」という。）に係る出願は、２０１７年（平成２９年）９月２６日を出願日とする特許出願であって、令和３年１２月１３日にその特許権の設定登録がされ、令和４年１月１３日に特許掲載公報が発行された。 その後、本件特許の請求項１～７に係る特許に対し、特許異議申立人（以下、「申立人」という。）である青木眞理により、同年７月８日に特許異議の申立てがされた。 以降の手続の経緯は、次のとおりである。 令和４年 ９月 ６日付け：取消理由通知 同年１１月 ８日 ：意見書の提出及び訂正の請求（特許権者） 同年１２月２３日 ：意見書の提出（申立人） 令和５年 ２月 １日付け：取消理由通知（決定の予告） 同年 ４月 ６日 ：意見書の提出及び訂正の請求（特許権者） なお、令和５年４月６日の訂正の請求について、申立人に期間を指定して意見を求めたところ、申立人から、意見等の提出はなかった。 第２ 訂正の適否についての判断 令和５年４月６日に特許権者より請求された訂正は適法になされたものと判断する。 以下、その理由につき詳述する。 １ 訂正の内容 令和５年４月６日に提出された訂正請求書における訂正請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）の趣旨は、特許請求の範囲を本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを求めるものであり、その内容は、次の訂正事項１～４からなる（下線は訂正箇所。）。 なお、本件訂正請求があったので、令和４年１１月８日の訂正請求については、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「直径１０２ｍｍ（４インチ）以上の円形の主面を有し」と記載されているのを、「直径１０２ｍｍ（４インチ）以上２５０ｍｍ以下の直径ｄを有する円形の主面を有する窒化ケイ素焼結基板であって、窒化ケイ素焼結体から切り出してなり」に訂正する。 （請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～７についても同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１から「前記主面は、加工しろがない場合には円形であり、加工しろがある場合には円形の直径に加工しろの寸法を加えた円形であり」との記載を削除して、「前記窒化ケイ素焼結体の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）、円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、」との記載を追加し、「前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ/ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下であり」と記載されているのを「Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率において、前記中央部の密度ｄｃと前記端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下であり」に訂正する。 （請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～７についても同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項２に「前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上である」と記載されているのを、「Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度において前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上である」に訂正する。 （請求項２を直接的又は間接的に引用する請求項４～７についても同様に訂正する。） （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項３に「前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であり」と記載されているのを、「Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度において前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であり」に訂正する。 （請求項３を直接的又は間接的に引用する請求項４～７についても同様に訂正する。） ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、円形の主面を有する窒化ケイ素基板について、直径の上限が２５０ｍｍであって、窒化ケイ素焼結体から切り出してなるものに限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、そして、上記限定は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、上記直径が２５０ｍｍの窒化ケイ素基板については、願書に添付した明細書（下線は当審で付与した。以下同様。）の【０１１４】に、円形の窒化ケイ素基板を「窒化ケイ素焼結基板の１辺は最大で２２０ｍｍ（８．７インチ）であるが、一辺が２５０ｍｍの（９．８インチ）正方形形状を有する窒化ケイ素焼結基板から作成」できることが記載されており、円形の窒化ケイ素焼結基板を窒化ケイ素焼結体から切り出して作成することは、願書に添付した明細書の【００３７】に、「円形の窒化ケイ素焼結基板１０１を加工により切り落とす前の窒化ケイ素焼結体１０１’」と記載されているから、訂正事項１は、これらから新たな技術的事項が導入されるものとはいえない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、令和４年９月６日付けの取消理由通知の理由２（明確性要件違反）の、「「中央部」及び「端部」の範囲の取り方によって、中央部の密度ｄｃ、端部の密度ｄｅ、中央部のボイド率ｖｃ、端部のボイド率ｖｅの値は異なり、一義的に定まらず、本件発明１は不明確である。」、「「加工しろがある場合には円形の直径に加工しろの寸法を加えた円形」との記載により特定される主面の大きさは明確でない。」などの指摘、令和５年２月１日付け取消理由通知（決定の予告）の理由の、「「円形」の主面を有する窒化ケイ素基板については、・・・「正方形」の窒化ケイ素焼結基板を加工したものが示されているにとどまる。」、「測定方法が異なる正方形の窒化ケイ素焼結基板での測定値に基づいて、円形の窒化ケイ素焼結基板での数値を推測できるとはいえない」などの指摘を踏まえて行なったものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、上記訂正事項２によって、窒化ケイ素焼結基板に関する、中央部の密度ｄｃ、端部の密度ｄｅ、中央部のボイド率ｖｃ、端部のボイド率ｖｅ、さらには、主面の大きさが明確に特定されるものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、「窒化ケイ素焼結体の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）」については、願書に添付した明細書の【００３８】に「窒化ケイ素焼結体１０１’の中央部及び端部の密度及びボイド率は以下のようにして求める。図２(b)に示すように、窒化ケイ素焼結体１０１’（一辺がＬ１、他の一辺がＬ２）において、窒化ケイ素焼結体１０１’（一辺がＬ１、他の一辺がＬ２）において、絶縁基板として使用しない部分（１ｃｍ幅）を除いた四角形１１０’を仮定し、四角形１１０’内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置する。ここで、中央の円Ｃ２２は、正方形の中心、つまり、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、正方形１１０’の頂点近傍でかつ２つの辺に接する直径３ｃｍの円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置する。また、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように、円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。」と記載されており、そして、「円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率」については、願書に添付した明細書の【００３９】に「窒化ケイ素焼結体１０１’の密度及びボイド率は、上記のように配置した９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を窒化ケイ素焼結体１０１’からレーザ加工によって切り出して測定する。中央部の密度及びボイド率とは、円Ｃ２２の切片の密度であり、端部の密度及びボイド率とは、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片を測定した値のうち、最も小さい値である」と記載されているから、訂正事項２は、これらから新たな技術的事項が導入されるものとはいえない。 （３）訂正事項３、４について 訂正事項３、４は、訂正前の請求項２、３において、訂正事項２に整合させて「前記端部の密度」を明確にするものであるから、上記（２）で述べたとおり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、そして、新たな技術的事項を導入するものではない。 （４）一群の請求項について 訂正前の請求項２～７は請求項１を直接的又は間接的に引用するものであるから、請求項１～７は一群の請求項である。そして、上記訂正事項１～４は、その一群の請求項１～７においてなされたものであるから、特許法第１２０条の５第４項で規定する当該一群の請求項ごとに請求されているものである。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～７について訂正することを認める。 第３ 本件特許請求の範囲の記載 上記第２のとおり本件訂正請求は適法になされたものであると認められるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～７に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明７」といい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１～７に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。 「【請求項１】 直径１０２ｍｍ（４インチ）以上２５０ｍｍ以下の直径ｄを有する円形の主面を有する窒化ケイ素焼結基板であって、 窒化ケイ素焼結体から切り出してなり、 前記窒化ケイ素焼結体の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）、円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、 Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率において、前記中央部の密度ｄｃと前記端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下であり、 前記主面の表面粗さＳａが０．７μｍ以下であり、 ０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有し、 焼結助剤として、酸化物換算で２質量％以上５質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物とを用いることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板。 【請求項２】 請求項１に記載の窒化ケイ素焼結基板において、前記中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ３以上であり、Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度において前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板。 【請求項３】 請求項１に記載の窒化ケイ素焼結基板において、前記中央部の密度ｄｃが３．１４０ｇ／ｃｍ３以上であり、Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度において前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．３０％以下であることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板。 【請求項４】 請求項１～３のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板において、前記主面の表面粗さＳａが０．３μｍ以下であることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板。 【請求項５】 請求項１～４のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板において、炭素含有量が０．２０質量％以下であり、窒化ケイ素焼結基板の炭素含有量は非分散型赤外線吸収法によって測定していることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板。 【請求項６】 請求項１～５のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板において、前記主面は、オリエンテーションフラット又はノッチを有することを特徴とする窒化ケイ素焼結基板。 【請求項７】 請求項１～６のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板において、半導体単結晶基板又は半導体単結晶層をボンディングするための基板として用いることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板。」 第４ 取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 当審が特許権者に通知した、令和５年２月１日付けの取消理由（決定の予告）は、みなし取下げされた訂正請求によって訂正された請求項１～７に係る発明に対して通知されたものであり、その概要は、次のとおりである。 （１）取消理由（サポート要件違反） 請求項１～７に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６号第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 要すれば、窒化ケイ素焼結基板の密度およびボイド率として、願書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という。）の【０１１４】～【０１１７】には、正方形の窒化ケイ素焼結基板について、中央部、端部の密度、ボイド率が記載されているが、円形の主面を有するものについては、正方形の窒化ケイ素焼結基板を加工したものが示されているにすぎない。 ここで、本件明細書には、円形の主面を有する窒化ケイ素焼結基板について、（ｄ’×０．２）の直径を有する円の切片から、中央部及び端部の密度及びボイド率を求めるのに対し、正方形の窒化ケイ素焼結基板では、直径３ｃｍの円の切片から中央部及び端部の密度及びボイド率を求めるものであることが記載され（【００３３】～【００３５】、図２ａ）、また、円形の窒化ケイ素焼結基板１０１の中央部及び端部の密度及びボイド率は、便宜的に、円形の窒化ケイ素焼結基板１０１を加工により切り落とす前の窒化ケイ素焼結体１０１’の中央部及び端部の測定値から推測することができる（このような方法で測定しても差しつかえない）ことが記載されている（【００３７】）。 しかし、円形の主面を有する窒化ケイ素焼結基板では、（ｄ’×０．２）の直径を有する円の切片から、中央部及び端部の密度及びボイド率を求めるのに対し、正方形の窒化ケイ素焼結基板では、直径３ｃｍの円の切片から中央部及び端部の密度及びボイド率を求めるものである。 そうすると、測定方法が異なる正方形の窒化ケイ素焼結基板での測定値に基づいて、円形の窒化ケイ素焼結基板での数値を推測できるとはいえない。 また、【００３７】で示される推定についても、焼結基板が円形の場合における（ｄ’×０．２）の直径と、焼結基板が四角形の場合における直径３ｃｍが同じ場合、すなわちｄ’＝１５０ｍｍ以外の場合を除いて、必ずしもその推測が成り立つとはいえない。 したがって、請求項１における円形の主面を有する窒化ケイ素焼結基板における中央部および端部の密度及びボイド率を特定する発明特定事項は本件明細書に開示されたものとはいえないことから、発明の詳細な説明に記載されたものではない。また、請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～７についても事情は同じであるから、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 ２ 当審の判断 （１）取消理由（サポート要件）について 本件訂正請求によって、本件発明１において、円形の主面を有する窒化ケイ素焼結基板の中央部及び端部の密度およびボイド率は「窒化ケイ素焼結体の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置・・・（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）」して測定することが特定された。 ここで、本件明細書の【００３８】には「窒化ケイ素焼結体１０１’の中央部及び端部の密度及びボイド率は以下のようにして求める。図２(b)に示すように、窒化ケイ素焼結体１０１’（一辺がＬ１、他の一辺がＬ２）において、絶縁基板として使用しない部分（１ｃｍ幅）を除いた四角形１１０’を仮定し、四角形１１０’内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置する。ここで、中央の円Ｃ２２は、正方形の中心、つまり、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、正方形１１０’の頂点近傍でかつ２つの辺に接する直径３ｃｍの円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置する。また、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように、円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。」と記載されており、【００９５】には、実施例として「表１に示す１辺の長さを有する正方形の窒化ケイ素焼結基板」を作成したことが、【００９９】には「作製した窒化ケイ素焼結基板の密度、密度比、ボイド率、・・・を測定した」ことが記載されている。そうすると、本件発明１の上記窒化ケイ素焼結基板の中央部及び端部の密度およびボイド率の測定方法は、本件明細書に記載され、実施例においても採用されている方法となっている。 よって、本件発明１の中央部、端部の密度及びボイド率の測定方法は、本件明細書に開示されたものであるといえることから、発明の詳細な説明に記載されたものである。また、請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～７についても同様である。 したがって、上記取消理由は理由がない。 第５ 取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について 特許異議申立理由（以下、「申立理由」という）は、概略、以下のとおりである。 １ 申立理由 （１）申立理由１（明確性） 訂正前の請求項１～７に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６号第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 要すれば、以下のア～ウの点である。 ア 訂正前の請求項１を引用する請求項である訂正前の請求項６には、窒化ケイ素焼結基板が「オリエンテーションフラット又はノッチを有する」とされているところ、訂正前の請求項１の「直径１０２ｍｍ（４インチ）以上の円形の主面を有する」窒化ケイ素焼結基板とは、オリエンテーションフラット又はノッチを設けた箇所であっても１０２ｍｍ以上あることを示しているのか不明である。 イ 訂正前の請求項１の「前記面取り部の壁面がレーザ加工面」は、面取り部の壁面の製造方法を規定しているが、面取り部の壁面をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際できない理由が不明であるため、その記載が不明である。 ウ 訂正前の請求項１において「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下」、「ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」とされているが、ｄｃ／ｄｅ＝１．０、ｖｅ／ｖｃ１．０である場合を含むのか不明である。 したがって、訂正前の請求項１に係る発明は不明確であるし、訂正前の請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～７についても同様である。 （２）申立理由２（進歩性） 訂正前の請求項１～７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～６号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることから、それらの特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 証拠一覧 甲第１号証：特開２００３－１９２４４５号公報 甲第２号証：特開２００６－２８２５００号公報 甲第３号証：特開平１０－１５４８５６号公報 甲第４号証：特開２０１０－７６９４８号公報 甲第５号証：特開２０１６－３７６１１号公報 甲第６号証：特開２００１－１３５５８０号公報 以下、「甲第○号証」を「甲○」という。 なお、主たる証拠は甲１であり、甲２はセラミック焼結体の大きさ、甲３はセラミックス基板に窒化ケイ素焼結体基板を用いる際の金属回路の厚み、甲４はセラミックス焼結助剤、甲５は金属中の炭素の含有量の測定方法、甲６は基板にオリエンテーションフラットを設けることについて記載されたものである。 ２ 各証拠について （１）甲１について ア 甲１には以下の記載がある（下線は当審で付与した。以下、同様。） （ア）「【００１４】本発明は上記のような課題要請に対処するためになされたものであり、窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加えて、特に基板を構成する焼結体中に実質的に気孔（ポア）が形成されず、また表面粗さが小さいために、加工時に脱粒が生じにくく、さらにこの薄い窒化けい素基板を用いて各種パワーモジュールや回路基板を構成した場合でもリーク電流量を効果的に抑制することができ、さらに基板表面に薄膜を形成した場合においても薄膜の膨れや剥離を防止でき、電子機器に使用した場合においても、その絶縁性、耐久性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な窒化けい素基板、その製造方法およびそれを用いた薄膜付き窒化けい素基板を提供することを目的とする。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を達成するため、従来の窒化けい素セラミックス基板を使用したモジュールにおいてリーク電流が発生する要因を究明し、以下のような知見を得た。」 （イ）「【０１００】実施例１～７ 実施例１～７として酸素量１．１質量％、不純物陽イオン元素としてＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．１０質量％含有し、α相型窒化けい素９７％を含む平均粒径０．５５μｍのＳｉ３Ｎ４（窒化けい素）原料粉末に対して、焼結助剤として平均粒径０．９μｍのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末と、平均粒径０．５μｍのＥｒ２Ｏ３（酸化エルビウム）粉末と、平均粒径１．０μｍのＴｉＯ２（酸化チタン）粉末と、平均粒径０．５μｍのＭｇＯ（酸化マグネシウム）粉末とを表１に示す基板組成となるように添加し、エチルアルコール中で粉砕媒体として窒化けい素製ボールを用いて９６時間湿式混合したのち乾燥して原料混合体を調製した。 【０１０１】次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定量添加し調合造粒粉としたのち、１３０ＭＰａの成形圧力でプレス成形し、成形体を多数製作した。次に得られた成形体を４５０℃の空気気流中において４時間脱脂したのち、表１に示す焼結条件により焼結した後に、１５００℃まで温度降下するまでの冷却速度をそれぞれ表１に示す値に設定して焼結体を冷却した。さらに、表１に示すＨＩＰ条件により焼結体に熱間静水圧プレス処理を実施することにより、各基板をさらに緻密化せしめた。さらに、各基板に対して、表面加工を実施することにより、表１に示す、厚さおよび表面粗さとなるように調整し、それぞれ実施例１～７に係る窒化けい素基板を調製した。なお、各基板のサイズは縦５０ｍｍ×横４０ｍｍに統一した。 ・・・ 【０１０３】こうして得られた実施例１～７および比較例１に係る各窒化けい素基板について、表面粗さ、粒界相の最大径、気孔率、気孔の有無およびリーク電流値を測定して表１に示す結果を得た。 【０１０４】なお、表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１の規格に準拠して測定した。また、粒界相の最大径は以下の方法で測定した。すなわち、窒化けい素基板表面の拡大写真を撮影し、５０μｍ×５０μｍの単位面積領域内において、最も長い対角線を有する粒界相を測定対象としてその対角線長さを求める。この測定操作を、少なくとも３箇所の単位面積領域において実施し、その最長対角線長さを粒界相の最大径とした。 【０１０５】また、気孔率はアルキメデス法により測定した。また、気孔の有無は、基板組織の拡大顕微鏡写真の任意の２００μｍ×２００μｍの単位面積領域内において、気孔の有無を確認し、任意の単位面積を３個所以上測定しても気孔が確認できない場合を気孔「無し」と表示した。 ・・・ 【０１０７】 【表１】 ［図：0001405782000001.jpg］ 」 イ 甲１に記載された発明 上記表１の実施例３には、基板組成がＳｉ３Ｎ４が８７質量％、Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％、ＴｉＯ２が１質量％、ＭｇＯが２質量％、基板厚さが０．３ｍｍ、表面粗さＲａが０．０５μｍ、気孔率が＜０．０１vol％である窒化けい素焼結基板が記載されており、この実施例３に着目すると、甲１には以下の発明が記載されているといえる。 「サイズが縦５０ｍｍ×横４０ｍｍの窒化けい素焼結基板であって、 気孔率は＜０．０１vol％であり、 表面粗さＲａが０．０５μｍであり、 ０．３ｍｍの厚さを有し、 Ｓｉ３Ｎ４が８７質量％、Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％、ＴｉＯ２が１質量％、ＭｇＯが２質量％からなる窒化けい素焼結基板。」（以下、「甲１発明」という。） （２）甲２について 甲２には、以下の事項が記載されている。 「【００５０】 ・・・なお、上記炭化珪素、窒化珪素、窒化ガリウム、酸化亜鉛、酸化ベリリウム及び酸化アルミニウムなどを主成分とする焼結体からなる基板の形状は本発明において円形だけでなく正方形、長方形、あるいはその他多角形など任意の形状のものが使用できる。また、上記炭化珪素、窒化珪素、窒化ガリウム、酸化亜鉛、酸化ベリリウム及び酸化アルミニウムなどを主成分とする焼結体からなる薄膜形成用基板及び炭化珪素、窒化珪素、窒化ガリウム、酸化亜鉛、酸化ベリリウム及び酸化アルミニウムなどを主成分とする焼結体を用いることで作製される薄膜基板は焼結体および薄膜作製において通常用いられている方法を用いることで任意の大きさのものが作製できる。すなわち焼結体の場合例えば外形０．０１ｍｍ～１０００ｍｍ、厚み1μｍ～２０ｍｍ程度のものは容易に作製できる。」 （３）甲３について 甲３には、以下の事項が記載されている。 「【００１２】さらに、本発明は、セラミックス基板に窒化アルミニウム焼結体基板または窒化珪素焼結体基板を用いたことを特徴とする回路基板である。 ・・・ 【００１４】セラミックス基板として材料特性には特に制限はないが、良好な放熱性を示すためには、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上のものが適している。また、基板の曲げ強さについては、回路基板形成後の強さに影響を及ぼすため３５０ＭＰａ以上のものが適当である。このような特性を示すセラミックスとして窒化アルミニウムが知られている。またセラミックス基板の形状は通常矩形であることが多いが、形状は用途によって適宜選択する事が可能であり、菱形、平行四辺形、楕円形等いずれの形状に於いても、本発明は限定されるものではない。 【００１５】セラミックス基板の厚みは、要求される回路基板の強さによって異なるが、通常、０．３ｍｍから１．５ｍｍのものが使われる。セラミックス基板に形成される金属回路もしくは金属回路と金属放熱板について説明すると、その材質は、銅、ニッケル、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の純金属もしくは合金が用いられる。その金属回路又は金属放熱板の厚みは０．１～２．０ｍｍが使われる。」 （４）甲４について 甲４には、以下の事項が記載されている。 「【００２５】 まず、窒化珪素粉末を主成分とする原料粉末に、酸化物のマグネシア（ＭｇＯ）３ｗｔ％、希土類系酸化物の酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を１～５ｗｔ％のセラミックス焼結助剤粉末を加え、これに更に分散剤、粘結助剤（有機バインダー）、溶剤等を添加しボールミルで混合・粉砕し、所定粘度のスラリーを作製した。ここでは希土類酸化物として酸化イットリウムを用いたが、他の希土類酸化物を用いても良い。」 （５）甲５について 甲５には、以下の事項が記載されている。 「【００３０】 ここで、カルボニル鉄粉中に含まれる不純物である窒素、酸素の含有量については、例えば不活性ガス融解法等の方法で測定することができる。また、炭素の含有量については、燃焼・非分散型赤外線吸収法等の方法で測定することができる。」 （６）甲６について 甲６には、以下の事項が記載されている。 ア 「【０００３】しかし、その窒化ガリウム系化合物半導体の成長基板としては、そのほとんどがサファイア、スピネル基板、ＳｉＣなどの異種材料であり、窒化ガリウム系化合物半導体との格子定数差などの問題から良好な窒化ガリウム系化合物半導体の成長が困難な状況下にあった。このような問題を解決する方法として、Epitaxial Lateral OverGrowth（以下、ＥＬＯＧと記す）により基板上に下地層を導入する方法が提案されている。このＥＬＯＧによる下地層は、上記異種基板若しくはその基板上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体上に、ＳｉＯ2などのマスク若しくは表面に段差を所定のパターン状に設けて、選択的に横方向に成長させて成膜するものである。」 イ 「【００１９】以下、具体例を挙げて説明すると、サファイア基板であれば、主面をＣ面、オリエンテーションフラット面（以下オリフラ面と記す）をＡ面とする基板の場合には、窒化ガリウム系化合物半導体を非マスク領域から選択成長させると、基板面内でオリフラ面に平行な方向に成長の容易な方向をとる傾向にある。このため、溝（マスク領域）のストライプ方向をオリフラ面（Ａ面）に対してほぼ垂直にとることで、良好な横方向の成長を実現し、窒化ガリウム系化合物半導体の成長に有利な表面状態の基板が得られるやすくなる。さらには、主面がＡ面でオリフラ面がＲ面である場合には、上記場合と同様に、基板面内でオリフラ面にほぼ平行な方向が良好な選択成長をなすため、溝（マスク領域）のストライプ方向をオリフラ面にほぼ垂直にすることが良い。また、基板材料がスピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）で、主面が（１１１）面でオリフラ面が（１１０）面であると、窒化ガリウム系化合物半導体は基板面内でオリフラ面に平行な方向に成長しやすい傾向にあるため、このオリフラ面にほぼ垂直に溝（マスク領域）を設けることで、好ましい窒化ガリウム系化合物半導体基板が得られる。」 ３ 当審の判断 （１）申立理由１について ア 上記１（１）アについて 本件発明１では円形の主面を有する基板が１０２ｍｍ以上の直径を有することが特定されているところ、直径とは円の中心から円周部分までの長さを意味するため、オリエンテーションフラットやノッチの有無にかかわらず、円の中心から円周部分までの長さが１０２ｍｍ以上であることを意味することは明らかであり、この点において明確である。 イ 上記１（１）イについて そもそも「前記面取り部の壁面がレーザ加工面」は、本件発明１の特定事項ではないことから、上記１（１）イの申立人の主張は、根拠のないことである。 ウ 上記１（１）ウについて 本件発明１において、「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下」、「ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」とされているのであるから、ｄｃ／ｄｅ＝１．０、ｖｅ／ｖｃ１．０である場合を含むことは明確である。 エ 小括 したがって、本件発明１は明確であり、本件発明１を直接的または間接的に引用する本件発明２～７も明確であるから、申立理由１には理由がない。 （２）申立理由２について ア 本件発明１について （ア）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ａ 厚さについて 甲１発明の「０．３ｍｍの厚さを有し」は本件発明１の「０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有し」を満たす。 ｂ 成分組成について 甲１発明の「Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％」の合計は１０質量％であるから、本件発明１の「酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物」を満たし、甲１発明の「ＭｇＯが２質量％」は本件発明１の「酸化物換算で２質量％以上５質量％以下のＭｇ化合物」を満たし、そして、これらＹ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＭｇＯは焼結助剤として含有されるものである。 そうすると、甲１発明の「Ｓｉ３Ｎ４が８７質量％、Ｙ２Ｏ３が４質量％、Ｅｒ２Ｏ３が６質量％、ＴｉＯ２が１質量％、ＭｇＯが２質量％からなる窒化けい素焼結基板」は本件発明１の「焼結助剤として、酸化物換算で２質量％以上５質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物とを用いることを特徴とする窒化ケイ素焼結基板」に相当する。 ｃ 基板は主面を有するものであるから、甲１発明の「窒化けい素焼結基板」は、本件発明１の「主面を有する窒化ケイ素焼結基板」に相当する。 ｄ したがって、本件発明１と甲１発明は、 「主面を有する窒化ケイ素基板であって、 ０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有し、 焼結助剤として、酸化物換算で２質量％以上５質量％以下のＭｇ化合物と、酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも一種の希土類元素の化合物とを用いる窒化ケイ素焼結基板。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点１） 窒化ケイ素焼結基板が、本件発明１では、「直径１０２ｍｍ（４インチ）以上２５０ｍｍ以下の直径ｄを有する円形」であって、 「窒化ケイ素焼結体から切り出してなり、 前記窒化ケイ素焼結体の主面のうち周囲１ｃｍ幅を除いた四角形内に直径３ｃｍの９つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１～Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３を３行３列に配置したとき（ただし、中央の円Ｃ２２は、対角に位置する２つの頂点をそれぞれ結ぶ２つの対角線の交点に円Ｃ２２の中心が一致するように配置し、他の８つの円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３は、前記主面の頂点近傍でかつ２つの辺に接するように円Ｃ１１、Ｃ１３、Ｃ３１、Ｃ３３を配置し、これらの円の中間に位置し、かつ、対応する辺に接するように円Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３２を配置する。）、円Ｃ２２の切片の密度及びボイド率が中央部の密度ｄｃ及びボイド率ｖｃに相当し、円Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の密度及びボイド率が端部の密度ｄｅ及びボイド率ｖｅに相当し、 Ｃ１１～Ｃ１３、Ｃ２１、Ｃ２３、Ｃ３１～Ｃ３３の切片の全ての密度及びボイド率において、前記中央部の密度ｄｃと前記端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」であるのに対し、 甲１発明では、「サイズが縦５０ｍｍ×横４０ｍｍ」であって、「気孔率は＜０．０１vol%」である点。 （相違点２） 窒化ケイ素焼結基板の主面が、本件発明１では、「表面粗さＳａが０．７μｍ以下」であるのに対し、甲１発明では「表面粗さＲａが０．０５μｍ」である点。 イ 相違点の判断 （ア）相違点１について検討する。 第５の２（１）ア（ウ）に摘記したとおり、甲１には、「気孔率」を「アルキメデス法により測定した」との記載はあるが、密度を測定した旨の記載はないし、気孔率についても、具体的に窒化ケイ素基板のどの部分についてどのようにして測定したか等、詳細な記載はないため、９つの直径３ｃｍの円を配置し、それらの円の密度やボイド率を測定する本件発明１とは測定位置や測定する物性も異なるものである。 また、本件発明１は、「窒化ケイ素焼結基板のサイズを大きくすると、基板の中央付近と端部とで種々の物性に差が生じ、基板面内での物性の均一性が低下する」（【００２０】）という課題があったところ、「直径１０２ｍｍ（４インチ）以上２５０ｍｍ以下の直径ｄを有する円形の主面を有する」というサイズの大きな窒化ケイ素焼結基板においても、「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」（以下、下線部を「特徴事項」という。）という、基板面内での物性の均一性を達成したものであるのに対し、甲１発明では、サイズが縦５０ｍｍ×横４０ｍｍの窒化ケイ素焼結板を作成しており、基板のサイズが異なっている。 そうすると、相違点１は実質的な相違点である。 （イ）次に、相違点１の容易性について検討する。 焼結基板が小さい場合に基板面内のボイド率がほぼ均一であっても、焼結基板が大きくなるに従って基板面内のボイド率が不均一になることは技術常識である。そうすると、上記特徴事項における「直径１０２ｍｍ（４インチ）以上２５０ｍｍ以下の直径ｄを有する円形の主面を有する」と「ｄｃ／ｄｅが０．９８以上かつ１．０以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、前記端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上１．０６以下」を分けて検討することはできず、あくまでも一つの技術的事項として検討する必要がある。 甲２には、上記第５の２（２）で摘記したとおり、「外形０．０１ｍｍ～１０００ｍｍ程度」の焼結体は容易に作製できることが記載されているが、サイズを大きくしたときの物性の均一性についての記載はなく、上記特徴事項は記載されていない。したがって、甲１発明に甲２に記載されて事項を組み合わせたとしても、本件発明１の窒化ケイ素焼結基板は得られない。 また、甲３～６にも、上記特徴事項は記載されていない。 したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２～６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２～７について 本件発明２～７は、本件発明１を引用するものであって、本件発明１の特定事項を全て含むものであるから、上記（１）に示した理由と同様の理由により、本件発明２～７は、甲１発明及び甲２～６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、本件発明１～７に係る特許は、特許異議申立書に記載された申立理由、及び、取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由によっては、取り消すことができない。 また、他に本件発明１～７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。