2022-700637

特許第６９９７１０４号発明「高周波プリント配線板用基材」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９９７１０４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－９〕について訂正することを認める。 特許第６９９７１０４号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９９７１０４号の請求項１ないし９に係る発明についての出願は、２０１８年６月２０日（優先権主張 平成２９年８月８日）を国際出願日とする出願であって、令和３年１２月２０日にその特許権が設定登録され、令和４年１月１７日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立てでの経緯は、次のとおりである。 令和４年 ７月１３日 ：特許異議申立人 北岡弘章による請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立て 令和４年 ７月１５日 ：特許異議申立人 河井清悦による請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立て 令和４年 ７月１５日 ：特許異議申立人 神保良男による請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立て 令和４年 ９月２０日付け：取消理由通知 令和４年１１月２５日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和５年 １月１７日 ：特許異議申立人 河井清悦による意見書の提出 令和５年 １月１８日 ：特許異議申立人 神保良男による意見書の提出 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和４年１１月２５日の訂正請求の趣旨は、特許第６９９７１０４号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを求めるものであり、その訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は次のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に記載された「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下である」を「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下であり、上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」に訂正する。（請求項１を引用する請求項３ないし９も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に記載された「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下である」を「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下であり、上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である」に訂正する。（請求項２を引用する請求項３ないし９も同様に訂正する。） （３）一群の請求項について 本件訂正前の請求項３ないし９は、訂正の対象となる請求項１を引用しているものであるから、請求項１、３ないし９は一群の請求項を構成する。 また、本件訂正前の請求項３ないし９は、訂正の対象となる請求項２を引用しているものであるから、請求項２ないし９は一群の請求項を構成する。 そして、請求項１及び請求項２は、ともに、請求項３ないし９に引用されているので、請求項１ないし９は一群の請求項を構成する。 本件訂正請求は、一群の請求項〔１－９〕に対して請求されたものである。 ２ 訂正の適否についての判断 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、「無機フィラー」を「平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下」に限定するものである。 したがって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 願書に添付した明細書の段落【００３１】には「無機フィラーの平均粒子径の下限としては、０．１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。また、無機フィラーの平均粒子径の上限としては、１０μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。」と記載されているので、訂正事項１は、新規事項の追加に該当しない。 また、訂正事項１は、請求項１の記載を限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、「無機フィラー」を「平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下」に限定し、「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」を「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下」に限定するものである。 したがって、訂正事項２は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 願書に添付した明細書の段落【００３１】には「無機フィラーの平均粒子径の下限としては、０．１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。また、無機フィラーの平均粒子径の上限としては、１０μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。」と記載されており、同明細書の段落【００３２】には「誘電体層２におけるフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比（無機フィラー／フッ素樹脂）の下限としては、１．０が好ましく、１．１がより好ましく、１．２がさらに好ましく、１．３が特に好ましい。上記質量比の上限としては、例えば３．０であり、２．０が好ましい。」と記載されているので、訂正事項２は、新規事項の追加に該当しない。 また、訂正事項２は、請求項２の記載を限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （３）まとめ 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項および第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－９〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１ないし９に係る発明（以下「本件発明１ないし９」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材であって、 上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下であり、 上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下であり、 上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である高周波プリント配線板用基材。 【請求項２】 フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材であって、 上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下であり、 上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下であり、 上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、 上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である高周波プリント配線板用基材。 【請求項３】 上記フッ素樹脂の軟化温度が２５０℃以上３１０℃以下である請求項１又は請求項２に記載の高周波プリント配線板用基材。 【請求項４】 上記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン又はこれらの組み合わせである請求項３に記載の高周波プリント配線板用基材。 【請求項５】 上記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体である請求項４に記載の高周波プリント配線板用基材。 【請求項６】 上記誘電体層中の上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の高周波プリント配線板用基材。 【請求項７】 上記無機フィラーがシリカを含む請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の高周波プリント配線板用基材。 【請求項８】 厚み方向の線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の高周波プリント配線板用基材。 【請求項９】 誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化が２％以下である請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の高周波プリント配線板用基材。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 訂正前の請求項１ないし９に係る特許に対して、当審が令和４年９月２０日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 （サポート要件）本件特許は、明細書又は特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 記 ・請求項１ないし９ 発明の詳細な説明には「無機フィラーの平均粒子径の下限としては、０．１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。また、無機フィラーの平均粒子径の上限としては、１０μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。無機フィラーの平均粒子径が上記下限未満であると、フッ素樹脂の柔軟性等の特性が低下する場合がある。一方、無機フィラーの平均粒子径が上記上限を超える場合、高周波プリント配線板用基材の誘電体層における特性の部分ごとのばらつきが大きくなる場合がある。」（【００３１】）と記載されている。 一方、請求項１には「無機フィラー」の平均粒子径について何ら特定されていないため、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された作用効果を満たさないものまで含まれることになる。 また、請求項２についても、「無機フィラー」の平均粒子径について何ら特定されておらず、上記と同様である よって、請求項１に係る発明、請求項２に係る発明、及び、請求項１又は２を引用する請求項３ないし９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 ・請求項２ないし９ 発明の詳細な説明には「誘電体層２におけるフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比（無機フィラー／フッ素樹脂）の下限としては、１．０が好ましく、１．１がより好ましく、１．２がさらに好ましく、１．３が特に好ましい。上記質量比の上限としては、例えば３．０であり、２．０が好ましい。フッ素樹脂と無機フィラーとの質量比を上記範囲とすることで、誘電体層２の熱収縮を小さくすることができ、その結果、熱プレス後の残留応力が小さくなり、より高い接着力を得ることができる。また、当該高周波プリント配線板用基材の反りを抑制することができる。」（【００３２】）と記載されている。 一方、請求項２の記載はフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比について如何なる特定もなく、請求項２に係る発明は、フッ素樹脂と無機フィラーとの質量比が発明の詳細な説明に記載された上記範囲をはずれて、発明の詳細な説明に記載された作用効果を満たさないものまで含まれることになる。 よって、請求項２に係る発明、及び、請求項２を引用する請求項３ないし９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 ２ 当審の判断 本件訂正により、本件発明１及び本件発明２の「無機フィラー」は「平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下」になった。 また、本件訂正により、本件発明２の「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」は「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下」になった。 したがって、取消理由通知で指摘したサポート要件に関する記載不備は解消した。 よって、本件発明１ないし９は、発明の詳細な説明に記載されたものである。 ３ 特許異議申立人の意見について （１）特許異議申立人河井清悦による意見について ア 取消理由（第３６条第６項第１号）についての令和５年１月１７日付け意見書での主張は、次のとおりである。 （ア）実施例では、無機フィラーの平均粒子径及びフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比は１点のみしかなく、しかも無機フィラーの平均粒子径は不明である。 （イ）本件発明１及び２では無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下と下限と上限では１００倍も差があり、本件発明２ではフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下と３倍も差がある。 ここで、無機フィラーの平均粒子径が１００倍違う場合や、フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比が３倍違う場合は、フッ素原子に対する無機原子の原子数の比、及び、全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比は大きく変わることが当業者であれば当然理解できる。 そうすると、無機フィラーの平均粒子径及びフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比の広い数値範囲の全体にわたり、「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」及び「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下」を満たし、「接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供する」という課題（【００１０】）を解決できることを当業者が認識できるとは到底いえない。（意見書３頁１６行ないし３頁最終行） イ 当審の判断 ａ 上記（ア）の主張について 「実施例では、無機フィラーの平均粒子径及びフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比が１点のみしかなく、無機フィラーの平均粒子径は不明である」ことが、サポート要件を満たしていないとする理由が不明であるが、本件発明１及び２が発明の詳細な説明に記載されたものであるか検討する。 （ａ）無機フィラーの平均粒子径が１点のみしかなく、無機フィラーの平均粒子径は不明であることについて 発明の詳細な説明の段落【００３１】には、無機フィラーの平均粒子径の下限は０．１μｍであり、下限未満であるとフッ素樹脂の柔軟性等の特性が低下する場合があること、無機フィラーの平均粒子径の上限は１０μｍであり、上限を超えると高周波プリント配線板用基材の誘電体層における特性の部分ごとのばらつきが大きくなる場合があることが記載されているから、「無機フィラーの平均粒子径を０．１μｍ以上１０μｍ以下」にすることの技術的な理由が明確に記載されている。 そして、実施例の無機フィラーはシリカフィラー（デンカ社の「ＦＢ３ＳＤＣ」）である（【００７６】）。ここで、デンカ社の「ＦＢ３ＳＤＣ」は平均粒子径が３．４μｍであるから（特開２０１１－２２８５２５号公報（【００６５】参照））、実施例には、無機フィラーとして、平均粒子径が３．４μｍのシリカシフィラーを用いた例が記載されている。 そうすると、本件発明１及び２の「無機フィラーの平均粒子径を０．１μｍ以上１０μｍ以下」にすることの技術的理由は、発明の詳細な説明の段落【００３１】に記載されており、平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを満たす、平均粒子径３．４μｍの無機フィラーを使用した高周波プリント配線板用基材が、優れ特性を示すことが実施例により示されているので、本件発明１及び２は発明の詳細な説明に記載されたものである。 （ｂ）フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比が１点のみしかないことについて 発明の詳細な説明の段落【００３２】には、フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比の下限を１．０、上限を３．０にすることで、誘電体層の熱収縮を小さくすることができた結果、熱プレス後の残留応力が小さくなり、より高い接着力を得ることができる。さらに、高周波プリント配線板用基材の反りを抑制することができると、「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下」にすることの技術的な理由が明確に記載されている。 そして、実施例（【００７６】）には、フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比を１．４にしたものが記載されている。 そうすると、本件発明２の「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下」にすることの技術的理由は、発明の詳細な説明の段落【００３２】に記載されており、質量比が１．０以上３．０以下を満たす、質量比１．４の高周波プリント配線板用基材が、優れ特性を示すことが実施例により示されているので、本件発明２は発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、上記（ア）の主張を採用することができない。 ｂ 上記（イ）の主張について （ａ）本件発明１では、無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下と下限と上限では１００倍も差があることについて 本件発明１は、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比を０．０８以下にすることによって、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の平滑銅箔に対しても、接着力を高めることができることを見いだして（【００１０】、【００１１】）、「接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供する」という課題（【００１０】）を解決したのである。 そして、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比は、無機フィラーの平均粒子径に直接連動して変化する値でないので、無機フィラーの平均粒子径に関係なく、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下になっていれさえすれば、上記課題を解決できることは明らかである。 そうすると、たとえ、本件発明１において無機フィラーの平均粒子径が下限と上限では１００倍も差があろうとも上記課題を解決できるので、本件発明１は発明の詳細な説明に記載されたものである。 （ｂ）本件発明２では、無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下と下限と上限では１００倍も差があり、フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下と３倍も差があることについて 本件発明２は、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下にすることによって、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の平滑銅箔に対しても、接着力を高めることができることを見いだして（【００１２】、【００１３】）、「接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供する」という課題（【００１０】）を解決したのである。 そして、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比と、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の割合は、無機フィラーの平均粒子径やフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比に直接連動して変化する値でないので、無機フィラーの平均粒子径及びフッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比に関係なく、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下になっていれさえすれば、上記課題を解決できることは明らかである。 そうすると、たとえ、本件発明２において無機フィラーの平均粒子径が下限と上限では１００倍も差がり、フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比が３倍も差があろうとも上記課題を解決できるので、本件発明２は発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、上記（イ）の主張を採用することができない。 （２）特許異議申立人神保良男による意見について ア 取消理由（第３６条第６項第１号）についての令和５年１月１８日付け意見書での主張は、次のとおりである。 （ア）請求項１及び２において「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」ことが追加されているが、実施例には、無機フィラーとしてシリカフィラー（デンカ社の「ＦＢ３ＳＤＣ」）を使用した旨の記載はあるものの、この無機フィラーの平均粒子径は不明である。仮にこの無機フィラーの平均粒子径が特定されたとしても、実際に使用されているのは１種類の無機フィラーの場合だけであり、「平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下」の範囲まで、フッ素樹脂の柔軟性等の特性が維持され、誘電体層における特性のばらつきを抑制した高周波プリント配線板用基材が得られることを当業者は認識することができない。（意見書１頁８行ないし２頁１３行） （イ）請求項２において「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である」ことが追加されているものの、フッ素樹脂及び無機フィラーの種類については何ら特定されていない。 フッ素樹脂にしても無機フィラーにしても質量と体積の関係は一律でないところ、フッ素樹脂と無機フィラーの質量比を特定するのであれば、誘電体層の熱収縮を小さくし、また、熱プレス後の残留応力を小さくして、高い接着力を得ると共に、高周波プリント配線板用基材の反りを抑制することに鑑みれば、フッ素樹脂及び無機フィラーの種類についてそれぞれ具体的に特定する必要がある。（意見書２頁１４行ないし３頁２６行） イ 当審の判断 上記（ア）の主張について 上記「（１）イ ａ（ａ）」で判断したとおり、本件発明１及び２の「無機フィラーの平均粒子径を０．１μｍ以上１０μｍ以下」にすることの技術的理由は、発明の詳細な説明の段落【００３１】に記載されており、当該無機フィラーを使用した高周波プリント配線板用基材が、優れ特性を示すことが実施例により示されているので、本件発明１及び２は発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、上記（ア）の主張を採用することができない。 上記（イ）の主張について 発明の詳細な説明の段落【００３２】には、フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比の下限を１．０、上限を３．０にすることで、誘電体層の熱収縮を小さくし、また、熱プレス後の残留応力を小さくして、高い接着力を得ると共に、高周波プリント配線板用基材の反りを抑制することができると記載されている。 ここで、フッ素樹脂に対する無機フィラーの質量比は、フッ素樹脂及び無機フィラーの種類に関係なく求めることができる値であるので、フッ素樹脂及び無機フィラーの種類を特定する必要がないことは明らかである。 よって、上記（イ）の主張を採用することができない。 ４ まとめ 以上のことより、当該取消理由通知書に記載した取消理由により、本件発明１ないし９に係る特許を取り消すことはできない。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 訂正前の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議申立理由のうち、取消理由通知において採用しなかった申立理由の概要は、以下のとおりである。 （１）特許異議申立人北岡弘章による申立理由 ア 申立理由１ 請求項１ないし９に係る発明は、引用文献１Ａに記載された発明である。または、引用文献１Ａに記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、請求項１ないし９に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。または、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 イ 申立理由２ 請求項１ないし９に係る発明は、引用文献７Ａに記載された発明である。または、引用文献７Ａに記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、請求項１ないし９に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。または、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ウ 申立理由３ 請求項９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないため、請求項９に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 エ 申立理由４ 請求項９に係る発明は明確でないため、請求項９に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 証拠方法 引用文献１Ａ：特開２００１－１７６３２９号公報（甲第１号証） 引用文献２Ａ：特開２００４－２４４６５６号公報 （甲第２号証） 引用文献３Ａ：特開２００６－１７９５３７号公報（甲第３号証） 引用文献４Ａ：旭硝子社製、フルオンＰＴＦＥ、ＣＤグレード全製品、製品安全データシート、改訂２００４年１月７日（甲第４号証） 引用文献５Ａ：特開２０１７－１３２８９８号公報（甲第５号証） 引用文献６Ａ：特開２０１７－１１９８６５号公報（甲第６号証） 引用文献７Ａ：特開２００２－１４１６３０号公報（甲第７号証） 引用文献８Ａ：国際公開第２０１６／１８１９３６号（甲第８号証） 引用文献９Ａ：国際公開第２０１６／２１６６６号（甲第９号証） 引用文献１０Ａ：特開２００７－３１４７２０号公報（甲第１０号証） （２）特許異議申立人河井清悦によるによる申立理由 ア 申立理由１ 請求項１ないし９に係る発明は、引用文献１Ｂに記載された発明、及び、引用文献２Ｂないし引用文献４Ｂに記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし９係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 イ 申立理由２ 請求項１ないし９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないため、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ウ 申立理由３ 請求項１ないし９に係る発明について、発明の詳細な説明の記載が当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでないめ、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 エ 申立理由４ 請求項１ないし９に係る発明は明確でないため、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 証拠方法 引用文献１Ｂ：特開２０１３－２０１３４４号公報（甲第１号証） 引用文献２Ｂ：特開２０１４－１２７６４４号公報（甲第２号証） 引用文献３Ｂの１：特開２０１６－４６４３３号公報（甲第３の１号証） 引用文献３Ｂの２：国際公開第２０１６／２１６６６号（甲第３の２号証） 引用文献４Ｂ：特許第４９３８９１０号公報（甲第４号証） （３）特許異議申立人神保良男によるによる申立理由 ア 申立理由１ 請求項１ないし４、６ないし９に係る発明は、引用文献１Ｃに記載された発明、及び、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし４、６ないし９係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 イ 申立理由２ 請求項１ないし３、６ないし８に係る発明は、引用文献５Ｃに記載された発明、及び、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし３、６ないし８係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ウ 申立理由３ 請求項１ないし９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないため、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 証拠方法 引用文献１Ｃ：米国再発行特許発明第３６３９６号明細書（甲第１号証） 引用文献２Ｃ：特開２０１７－１２８８０４号公報 （甲第２号証） 引用文献３Ｃ：特開２０１７－１３０６５８号公報（甲第３号証） 引用文献４Ｃ：国際公開第２０１２／１６１１６２号（甲第４号証） 引用文献５Ｃ：特許第５２３５２１１号公報（甲第５号証） ２ 特許異議申立人北岡弘章による申立理由について （１）引用文献の記載 ア 引用文献１Ａには、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付与したものである。以下、同様。） 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、実質的に低誘電率で、接着性、強度および粘性を改善した低誘電率材料に関する。また、高速演算や高周波回路に最適なプリント配線基板用材料、特にビルドアッププリント配線基板用材料や、テープ巻きなどの電線被覆用材料として好適な低誘電率材料に関する。」 「【００３３】［例１（実施例）］ポリテトラフルオロエチレン樹脂粉体１００質量部に対してフルオロシランカップリング剤処理を施した多孔質真球状シリカゲル（商品名旭硝子社製サンスフェアＨ－３３、細孔容積２．０ｃｍ3／ｇ、平均粒子径３μｍ、長径に対する短径の比率０．９５～１）１００質量部を混合し、混合物（Ｐ１）を得た。この混合物（Ｐ１）を３９０℃で１５ｍｉｎプレス成形して、フッ素樹脂量５０％のシート状硬化物（Ｑ１）を得た。この硬化物（Ｑ１）の誘電率は１．４５であった。」 「【００３９】［例６（実施例）］硬化物（Ｑ１）の片面に、厚さ１８μｍの銅箔を重ね、１８０℃、２時間、２ＭＰａで成形し、厚さ０．５ｍｍの銅張り積層板（Ｓ１）を得た。」 上記記載より、引用文献１Ａには次の発明（以下、「引用発明１Ａ」という。）が記載されている。 「ポリテトラフルオロエチレン樹脂粉体１００質量部に対して多孔質真球状シリカゲル１００質量部を混合して混合物を得て、 混合物をプレス成形してシート状硬化物を得て、 硬化物の片面に銅箔を重ねて成形した高周波回路用銅張り積層板であって、 多孔質真球状シリカゲルの平均粒子径が３μｍである高周波回路用銅張り積層板。」 イ 引用文献２Ａには、図面とともに以下の事項が記載されている。 「【００２４】 本発明の電解銅箔は、その表面の一部がコブ状突起からなる表面粗度が２～４μｍの凹凸面であることを特徴とする。かかる電解銅箔は、メルカプト基を持つ化合物並びにそれ以外の少なくとも１種以上の有機化合物及び塩化物イオンを添加した電解液を用いた電気分解で作成する。このようにして作成した銅箔の樹脂基板と接着する面（被接着面）の表面粗度は２～４μｍの平滑な面に仕上がり、かつ、平滑な被接着面の一部にはコブ状の突起ができており、高周波伝送損失が良好な銅箔として提供することができる。」 「【００３４】 （３）粗化処理後の性能（同一処理条件による処理）粗化処理し、カプセルめっきを施した処理銅箔の性能を表７に示す。 表７ ［図：0001400453000001.jpg］ 」 「【００３８】 上述したように、比較例Ｄにおいては粗化処理を弱くすることにより明らかに接着強度の低下が見られた。本発明による実施例Ｃでは粗化処理を弱くすることにより若干の接着強度の低下は見られたが、比較例Ｄと比較すると十分な接着強度を有している。また、伝送損失は比較例Ｄとほとんど変わらない値である。このことから本発明を用いることにより伝送損失が良好であり、なおかつ高接着強度を有する銅箔、及びそのの製造が可能である。なお、本発明で作成した銅箔は表面粗度が小さく、高接着強度を有するため高周波用途以外のプリント回路用銅箔としても非常に適していることは勿論である。」 上記【００２４】の記載より、引用文献２Ａには次の技術が記載されている。 「樹脂基板と接着する面の表面粗度が２～４μｍである銅箔。」 ウ 引用文献３Ａには、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】 圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I(200)）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（Io(200)）に対し、I(200)／Io(200)>40であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ（以下、Raとする）が0.02μm～0.2μm、十点平均粗さ（以下、Rzとする）が0.1μm～1.5μmであることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔。」 エ 引用文献４Ａには、以下の事項が記載されている。 「ポリテロラフルオロエチレン 含有量（％）１００」（１頁「２．組成、成分情報」の欄） オ 引用文献５Ａには、以下の事項が記載されている。 「【００４８】 金属張り積層板は、以下のセパレート形成方法によっても作製することができる。 まず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＰ（ポリプロピレン）フィルム、ＰＥ（ポリエチレン）フィルムなどの離型フィルム上に、ポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布して塗布層を形成した後、一定の硬化・乾燥条件（温度は８０～１６０℃、時間は１～３０分）で半硬化状態（以下、Ｂステージともいう）になるまで硬化・乾燥させてポリイミド樹脂層を得る。なお、離型フィルムの表面に離型処理を施すことにより、ポリイミド樹脂層との剥離性を向上させることができる。 【００４９】 次に、ポリイミド樹脂層の樹脂面と金属箔の粗面とを貼り合わせて金属張り積層板を作製する。貼り合わせ方法は、プレスによる方法、熱ロールを使用したラミネート方法などを用いることができる。貼り合わせ条件は、温度が２００～３５０℃、圧力が０．５～５ＭＰａの範囲で行うことが好ましい。」 カ 引用文献６Ａには、以下の事項が記載されている。 「【００７１】 ＜接着シートの作製＞ 実施例１の接着剤を、ポリイミドフィルム（商品名「カプトン１００ＥＮ」、膜厚２５μｍ）に、乾燥後の厚みが１２μｍとなるようギャップコーターにて塗布した後、１５０℃で５分間乾燥させることによって接着シートを得た。比較例１の接着剤組成物についても同様にして接着シートを得た。 【００７２】 ＜銅張積層板の作製＞ 次いで、各接着シートの接着面に、１２μｍ厚の圧延銅箔（商品名「ＧＨＦ５－９３Ｆ－ＨＡ－Ｖ２」、ＪＸ金属（株）製、十点平均粗さ（Ｒｚ）：０．４５μｍ）の鏡面側を重ね合わせ、圧力５ＭＰａ、１７０℃及び３０分間の条件で加熱プレスすることにより、積層体を作製した。比較例１の接着剤組成物についても同様にして積層体を得た。」 キ 引用文献７Ａには、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明が属する技術分野】本発明は、接続信頼性に優れ、かつ、配線パターンの接着強度に優れた回路基板およびその製造方法に関する。」 「【００６８】第５の実施の形態では、絶縁体層６０１として、コア部分６０６に、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン）の多孔質シートにエポキシ樹脂にシリカを分散した組成物を含浸した複合材料（厚み３５μｍ、熱膨張係数：２６ｐｐｍ）を、表面部分６０５に、エポキシ樹脂（厚み５μｍ、熱膨張係数：６０ｐｐｍ）を用いた。また、配線層としては、厚み９μｍの電解銅箔を用いた。インナービア６０２の上孔径は５０μｍ、下孔径は４５μｍである（実施例１３）。」 上記記載より、引用文献７Ａには次の発明（以下、「引用発明７Ａ」という。）が記載されている。 「コア部分６０６がフッ素樹脂の多孔質シートにエポキシ樹脂にシリカを分散した組成物を含浸した複合材料で、表面部分６０５がエポキシ樹脂である絶縁体層６０１と、 電解銅箔を用いた配線層からなる回路基板。」 ク 引用文献８Ａには、以下の事項が記載されている。 「［００３１］ 含フッ素共重合体（ａ）を含む組成物は、必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、含フッ素共重合体（ａ）以外の樹脂を含有してもよい。 含フッ素共重合体（ａ）以外の樹脂としては、電気的信頼性の特性を損なわない限り特に限定されるものではないが、たとえば含フッ素共重合体（ａ）以外の含フッ素共重合体、芳香族ポリエステル、ポリアミドイミド、熱可塑性ポリイミド等が挙げられる。含フッ素共重合体（ａ）以外の含フッ素共重合体としては、たとえばテトラフルオロエチレン／フルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体等が挙げられる。 含フッ素共重合体（ａ）以外の樹脂としては、電気的信頼性の観点から、含フッ素共重合体（ただし含フッ素共重合体（ａ）を除く。）が好ましい。この場合、該含フッ素共重合体の融点が２８０℃以上３２０℃以下であると、耐熱性に優れ、後述のプリント基板を高温ではんだリフローしたり、該プリント基板に高温のはんだごてを押し付けたりした際に、熱による含フッ素樹脂層の膨れ（発泡）を抑制できる傾向にある。 含フッ素共重合体（ａ）を含む組成物は、含フッ素共重合体以外の樹脂を含有しないことが、含フッ素樹脂層の低誘電率、低誘電正接等の優れた電気特性を維持する点から好ましい。」 ケ 引用文献９Ａには、以下の事項が記載されている。 「［００１０］ フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン〔ＰＴＦＥ〕、ポリクロロトリフルオロエチレン〔ＰＣＴＦＥ〕、エチレン〔Ｅｔ〕－ＴＦＥ共重合体〔ＥＴＦＥ〕、Ｅｔ－クロロトリフルオロエチレン〔ＣＴＦＥ〕共重合体、ＣＴＦＥ－ＴＦＥ共重合体、ＴＦＥ－ＨＦＰ共重合体（テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体）〔ＦＥＰ〕、ＴＦＥ－ＰＡＶＥ共重合体（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）〔ＰＦＡ〕、及び、ポリビニリデンフルオライド〔ＰＶｄＦ〕からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。 電気特性（誘電率・誘電正接）や耐熱性などの観点から、フッ素樹脂は、ＰＦＡ及びＦＥＰからなる群より選択される少なくとも１種の含フッ素共重合体であることがより好ましい。」 コ 引用文献１０Ａには、以下の事項が記載されている。 「【００６８】 フィルム１およびガラスクロス１（有沢製作所社製、ガラスクロス０６３４ＮＳ、単位面積質量４８．５ｇ／ｍ2 、空隙率４．５％。）を、フィルム１／ガラスクロス１／フィルム１／フィルム１／ガラスクロス１／フィルム１の順序で積層し、高温ラミネーター（ヒラノ技研社製）を用いて、ラミネーション温度３４０℃、ライン速度０．２ｍ／分で熱ラミネーションを行い、厚さ１６８μｍのガラス繊維強化複合材料１（以下、複合材料１と記す。）を得た。該複合材料１の誘電率、誘電正接、熱膨張係数、および弾性率を評価した。結果を表１に示す。 【００６９】 複合材料１および銅箔１（福田金属箔粉工業社製、電解銅箔ＣＦ－Ｔ４Ｘ－ＳＶＲ－１２）を、銅箔１／複合材料１／銅箔１の順序で積層し、真空プレス（北川精機社製）を用い、温度３４０℃、圧力３．７ＭＰａの条件で５分間真空プレスし、厚さ２００μｍのプリント回路基板１を得た。 プリント回路基板１の断面を顕微鏡で観察した結果、ガラスクロス１が複合材料１からなる電気絶縁層（Ａ）の表面から２２μｍの深さに配置されていることを確認した。 プリント回路基板１について、耐熱性、密着性、および伝送損失を評価した。結果を表１に示す。」 （２）当審の判断 ア 申立理由１（引用文献１Ａを主引用例とする特許法第２９条第１項第３号及び特許法第２９条第２項）について （ア）本件発明１について ａ 対比 本件発明１と引用発明１Ａを対比すると、次のことがいえる。 （ａ）引用発明１Ａの「ポリテトラフルオロエチレン樹脂粉体」、「多孔質真球状シリカゲル」は、本件発明１の「フッ素樹脂」、「無機フィラー」に相当する。 引用発明１Ａの「シート状硬化物」は、「ポリテトラフルオロエチレン樹脂粉体」及び「多孔質真球状シリカゲル」を含んでいるので、本件発明１の「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」に相当する。 （ｂ）引用発明１Ａの「シート状硬化物」「の片面に銅箔を重ねて成形した高周波回路用銅張り積層板」は、本件発明１の「この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材」に相当する。 但し、本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ａはそのような特定がない点で相違する。 また、本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明１Ａはそのような特定がない点で相違する。 （ｃ）引用発明１Ａの「多孔質真球状シリカゲルの平均粒子径が３μｍである」ことは、本件発明１の「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」ことに含まれる。 上記（ａ）ないし（ｃ）によれば、本件発明１と引用発明１Ａとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材であって、 上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である高周波プリント配線板用基材。」 （相違点１Ａ） 本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ａはそのような特定がない点。 （相違点２Ａ） 本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明１Ａはそのような特定がない点。 ｂ 第２９条第１項第３号に対する判断 以上のとおり、本件発明１と引用発明１Ａとは相違点１Ａ及び相違点２Ａを有する。 したがって、本件発明１は引用文献１Ａに記載された発明でない。 ｃ 第２９条第２項に対する判断 上記相違点１Ａについて、特許異議申立人北岡弘章は、上記相違点１Ａに係る構成である「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」に対して、引用文献２Ａ及び引用文献３Ａを引用している（異議申立書２６頁下から４行ないし２７頁２５行）。 そこで、上記相違点１Ａに係る構成が、引用発明１Ａ、引用文献２Ａ及び引用文献３Ａに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たことであるか検討する。 引用文献２Ａには、樹脂基板と接着する面の表面粗度が２～４μｍである銅箔が記載されている（【００２４】）。 ここで、引用文献２Ａの「表面粗度」について検討すると、引用文献２Ａには「表面粗度」がどのような物理量を示すのか説明されておらず、引用文献２Ａの表面粗度が２～４μｍである銅箔は、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の銅箔とはいえない。また、仮に引用文献２Ａの「表面粗度」が、「最大高さ粗さ（Ｒｚ）」のことであったとしても、引用文献２Ａの【００３４】及び【００３８】の記載から、表面粗度が２μｍ以下である比較例Ｄにおいて明らかに接着強度が低下することが読み取れるので、引用文献２Ａの記載からは、樹脂基板と接着する最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の銅箔を導き出すことはできない。 さらに加えて、引用文献２Ａの銅箔は、エポキシ樹脂からなるＦＲ－４に貼り付けることを想定したものであり（【００３４】、表７）、銅箔との接着力の小さなポリテトラフルオロエチレン樹脂粉体（フッ素樹脂）を用いた、引用発明１Ａの高周波回路用銅張り積層板に適用する動機はない。 また、引用文献３Ａには、粗化処理面の算術平均粗さＲａが0.02μm～0.2μm、十点平均粗さＲｚが0.1μm～1.5μmである高周波回路用粗化処理圧延銅箔が記載されているが（請求項１）、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の銅箔は記載されていない。 したがって、上記相違点１Ａに係る構成は、引用発明１Ａ、引用文献２Ａ及び引用文献３Ａに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用文献１Ａに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （イ）本件発明２について ａ 対比 上記「（ア）ａ」の本件発明１と引用発明１Ａの対比を踏まえると、本件発明２と引用発明１Ａとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材であって、 上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、 上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である高周波プリント配線板用基材。」 （相違点３Ａ） 本件発明２は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ａはそのような特定がない点。 （相違点４Ａ） 本件発明２は「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下」であるのに対して、引用発明１Ａはそのような特定がない点。 ｂ 第２９条第１項第３号に対する判断 以上のとおり、本件発明２と引用発明１Ａとは相違点３Ａ及び相違点４Ａを有する。 したがって、本件発明２は引用文献１Ａに記載された発明でない。 ｃ 第２９条第２項に対する判断 上記相違点３Ａは、上記相違点１Ａと同じである。 したがって、上記相違点３Ａに係る構成は、引用発明１Ａ、引用文献２Ａ及び引用文献３Ａに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、引用文献１Ａに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）本件発明３ないし９について 本件発明３ないし９は、本件発明１又は本件発明２の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものであるから本件発明１又は本件発明２と同様の理由により、引用文献１Ａに記載された発明でない。また、本件発明３ないし９は、引用文献１Ａに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 申立理由２（引用文献７Ａを主引用例とする特許法第２９条第１項第３号及び特許法第２９条第２項）について （ア）本件発明１について ａ 対比 本件発明１と引用発明７Ａを対比すると、次のことがいえる。 （ａ）引用発明７Ａの「シリカ」は、本件発明１の「無機フィラー」に相当する。 そうすると、引用発明７Ａの「フッ素樹脂の多孔質シートにエポキシ樹脂にシリカを分散した組成物を含浸した複合材料で」ある「コア部分６０６」は、本件発明１の「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」に相当する。 （ｂ）引用発明７Ａの「フッ素樹脂の多孔質シートにエポキシ樹脂にシリカを分散した組成物を含浸した複合材料で」ある「コア部分６０６」と「電解銅箔を用いた配線層からなる回路基板」と本件発明１とは、「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材」である点で共通する。 但し、銅箔が、本件発明１は「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」「の少なくとも一方の面に積層され」ているのに対して、引用発明７Ａは「表面部分６０５がエポキシ樹脂である絶縁体層６０１」に「電解銅箔」が積層されている点で相違する。 また、本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点で相違する。 さらに、本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点で相違する。 （ｃ）本件発明１は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」のに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点で相違する。 上記（ａ）ないし（ｃ）によれば、本件発明１と引用発明１Ａとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材。」 （相違点５Ａ） 銅箔が、本件発明１は「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」「の少なくとも一方の面に積層され」ているのに対して、引用発明７Ａは「表面部分６０５がエポキシ樹脂である絶縁体層６０１」に「電解銅箔」が積層されている点。 （相違点６Ａ） 本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点。 （相違点７Ａ） 本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点。 （相違点８Ａ） 本件発明１は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」のに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点。 ｂ 第２９条第１項第３号に対する判断 以上のとおり、本件発明１と引用発明７Ａとは相違点５Ａないし相違点８Ａを有する。 したがって、本件発明１は引用文献７Ａに記載された発明でない。 ｃ 第２９条第２項に対する判断 上記相違点６Ａについて 上記相違点６Ａは、上記相違点１Ａと同じである。 したがって、上記相違点６Ａに係る構成は、引用発明７Ａ、引用文献２Ａ及び引用文献３Ａに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用文献７Ａに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （イ）本件発明２について ａ 対比 上記「（ア）ａ」の本件発明１と引用発明７Ａの対比を踏まえると、本件発明２と引用発明７Ａとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材。」 （相違点９Ａ） 銅箔が、本件発明１は「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」「の少なくとも一方の面に積層され」ているのに対して、引用発明７Ａは「表面部分６０５がエポキシ樹脂である絶縁体層６０１」に「電解銅箔」が積層されている点。 （相違点１０Ａ） 本件発明２は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点。 （相違点１１Ａ） 本件発明２は「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下」であるのに対して、引用発明１Ａはそのような特定がない点。 （相違点１２Ａ） 本件発明２は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」のに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点。 （相違点１３Ａ） 本件発明２は「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である」のに対して、引用発明７Ａはそのような特定がない点。 ｂ 第２９条第１項第３号に対する判断 以上のとおり、本件発明２と引用発明７Ａとは相違点９Ａ及び相違点１３Ａを有する。 したがって、本件発明２は引用文献７Ａに記載された発明でない。 ｃ 第２９条第２項に対する判断 上記相違点１０Ａは、上記相違点１Ａと同じである。 したがって、上記相違点１０Ａに係る構成は、引用発明７Ａ、引用文献２Ａ及び引用文献３Ａに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、引用文献７Ａに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）本件発明３ないし９について 本件発明３ないし９は、本件発明１又は本件発明２の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものであるから本件発明１又は本件発明２と同様の理由により、引用文献７Ａに記載された発明でない。また、本件発明３ないし９は、引用文献７Ａに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 申立理由３（第３６条第６項第１号）について （ア）特許異議申立人北岡弘章の主張 本件発明９に「誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化が２％以下である」ことが特定されている。 一方、本件明細書には、誘電率の測定条件は何ら記載されておらず、係る測定方法も周知でない。また、実施例において誘電率の測定もない。 したがって、「誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化が２％以下である」とのみ特定することによって、本件特許発明の課題が解決できるとは認められず、本件発明９の範囲まで本件明細書において開示された内容を拡張ないし一般化できない。（特許異議申立書４４頁８ないし２２行） （イ）当審の判断 誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化の割合は、２５℃から１２０℃の範囲で最小の誘電率と最大の誘電率との比較により求める値であるから測定条件に依存しない値である。そして、誘電率の測定方法は周知である。 さらに、本件明細書の段落【００１８】には、誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化が２％以下であると、高周波デバイスの伝導特性、アンテナ特性等の変化を抑制することができることが記載されている。 したがって、本件発明９において「誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化が２％以下である」と特定することによって、本件特許発明の課題は解決できる。 よって、上記主張を採用することができない。 エ 申立理由４（特許法第３６条第６項第２号）について （ア）特許異議申立人北岡弘章の主張 本件発明９に「誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化が２％以下である」ことが特定されている。 一般的に誘電率は温度依存性と周波数依存性を有するが、本件明細書には、誘電率の測定条件として周波数が開示されていない。 したがって、本件発明９の発明特定事項の内容に技術的に不備があり、本件発明９はその発明が不明確である。（特許異議申立書４４頁２３ないし最終行） （イ）当審の判断 誘電率の２５℃から１２０℃の範囲での温度による変化の割合は、２５℃から１２０℃の範囲で最小の誘電率と最大の誘電率との比較により求める値であるから、周波数などの測定条件に依存しない値である。 したがって、本件発明９の発明特定事項に技術的な不備はない。 よって、上記主張を採用することができない。 オ まとめ したがって、特許異議申立人北岡弘章の申立理由１ないし４にかかる主張は、採用することができない。 ３ 特許異議申立人河井清悦による申立理由について （１）引用文献の記載 ア 引用文献１Ｂには、以下の事項が記載されている。 「【００２２】 即ち、表皮の深さは、周波数が高くなるに従い浅くなる。例えば、銅の場合の表皮の深さｄは、ｄ＝６．６０×１０－２／√ｆとなり、周波数の平方根に反比例する。ＧＨｚ帯以上の周波数に対しては、表面粗さＲｚ（十点平均粗さ：ＪＩＳ Ｂ０６０１－１９９４）を２．０μｍ以下に調節することにより、伝送遅延や伝送損失を充分に小さくすることができる。」 「【００３０】 本発明によれば、リフロー時の反りの発生が充分に抑制されると共に、誘電体層の比誘電率が抑制され、充分に優れた高周波特性を発揮させることができるフッ素樹脂基板を提供することができる。」 「【００３３】 １．フッ素樹脂基板の構成 図１は本実施の形態のフッ素樹脂基板の構成を模式的に示す断面図であり、フッ素樹脂基板１は、金属導体１２と、金属導体１２に密着された誘電体層１１を備えている。また、誘電体層１１は、フッ素樹脂１１ａとガラス製の中空ビーズ１１ｂとからなる。」 「【００３８】 また、中空ビーズ１１ｂのフッ素樹脂１１ａへの添加量が少な過ぎる場合には誘電体層１１の反りの発生を防止することができず、一方、多過ぎる場合には、金属導体１２に密着しない。中空ビーズの添加量は、求められる誘電体層の特性、中空ビーズの比誘電率と共に、上記のことを考慮して適宜適切な値に設定される。具体的には、フッ素樹脂１００質量部に対して、１～５０質量部程度が好ましい。」 「【００４２】 ３．金属導体 次に、金属導体１２について説明する。金属導体１２には粗面化処理されていないＣｕ箔、具体的には、表面粗さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１－１９９４）が２．０μｍ以下の表面が平滑なＣｕ箔が好ましく用いられる。これにより、前記のように表皮効果による伝送遅延、伝送損失が低減される。また、金属導体１２にプライマー処理を施さないことがさらに好ましい。なお、厚みは１～２０００μｍに設定され、好ましくは１０～３００μｍに設定される。これにより、十分な強度が確保されるとともに、適切な厚みで表皮効果を利用することができる。」 上記記載より、引用文献１Ｂには次の発明（以下、「引用発明１Ｂ」という。）が記載されている。 「金属導体１２と、金属導体１２に密着された誘電体層１１を備えている高周波用フッ素樹脂基板１であって、 誘電体層１１は、フッ素樹脂１１ａとガラス製の中空ビーズ１１ｂとからなり、 中空ビーズの添加量は、フッ素樹脂１００質量部に対して、１～５０質量であり、 金属導体１２は、十点平均粗さが２．０μｍ以下のＣｕ箔である高周波用フッ素樹脂基板１。」 イ 引用文献２Ｂには、以下の事項が記載されている。 「【０１１９】 〔測定・評価用サンプルの調製〕 （１）回路基板の下地処理 内層回路の形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔厚さ１８μｍ、基板厚さ０．３ｍｍ、松下電工（株）製「Ｒ５７１５ＥＳ」）の両面を、メック（株）製「ＣＺ８１００」に浸漬し１μｍエッチングして銅表面の粗化処理を行った。」 ウ 引用文献３Ｂの１には、以下の事項が記載されている。 「【００５７】 ＜導電パターン＞ 導電パターン３は、誘電体層２の表面に積層され、当該プリント配線板の回路を構成する。 【００５８】 上記導電パターンの主成分としては、例えば無酸素銅等の銅、アルミニウム、銀、金、ニッケル、これらの合金、ステンレス鋼などが挙げられる。これらの中で、銅又は銅合金が好ましく、銅がより好ましい。」 「【００６０】 導電パターン３の誘電体層２側面の十点平均粗さＲｚの上限としては、１μｍであり、０．９μｍが好ましく、０．８μｍがより好ましい。一方、上記Ｒｚの下限としては、０．１μｍが好ましく、０．３μｍがさらに好ましい。上記Ｒｚが上記上限を超えると、表皮効果により伝送速度の低下や伝送損失の増大を招くおそれがある。逆に、上記Ｒｚが上記下限未満の場合、当該プリント配線板１の製造コストが増加するおそれがある。」 エ 引用文献３Ｂの２には、以下の事項が記載されている。 「[0007] 本発明の回路基板は表面粗度が極めて低い銅箔を用いているため、高周波帯においても伝送損失が極めて少なく、また、接着用フィルムを用いなくとも、フッ素樹脂フィルム層と金属との接着性及び寸法安定性に優れている。 [0008] 本発明において用いられる銅箔としては、少なくとも一方の面の二次元表面粗度（Ｒａ）が０．２μｍ未満の範囲内にあることが好ましく、０．１５μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。表面粗度が０．２μｍ以上あると伝送損失が大きくなり、実用性能を満足しないことがある。銅箔の種類には電解箔と圧延箔があるが、どちらでも使用することができる。銅箔の厚さとしては通常５～５０μｍであり、好ましくは８～４０μｍである。」 オ 引用文献４Ｂには、以下の事項が記載されている。 「【０１１１】 （銅張り積層板及び多層基板） 上記エポキシ樹脂材料は、銅張り積層板を得るために好適に用いられる。上記銅張り積層板の一例として、銅箔と、該銅箔の一方の表面に積層されたＢステージフィルムとを備える銅張り積層板が挙げられる。この銅張り積層板のＢステージフィルムが、上記エポキシ樹脂材料により形成される。該Ｂステージフィルムを予備硬化させることにより、予備硬化物を有する銅張り積層板を得ることができる。 【０１１２】 上記銅張り積層板の上記銅箔の厚さは特に限定されない。上記銅箔の厚さは、１～５０μｍの範囲内であることが好ましい。また、エポキシ樹脂材料を硬化させた硬化物と銅箔との接着強度を高めるために、上記銅箔は微細な凹凸を表面に有することが好ましい。凹凸の形成方法は特に限定されない。上記凹凸の形成方法としては、公知の薬液を用いた処理による形成方法等が挙げられる。」 （２）当審の判断 ア 申立理由１（特許法第２９条第２項）について （ア）本件発明１について ａ 対比 本件発明１と引用発明１Ｂを対比すると、次のことがいえる。 （ａ）引用発明１Ｂの「ガラス製の中空ビーズ１１ｂ」は、本件発明１の「無機フィラー」に相当する。 引用発明１Ｂの「フッ素樹脂１１ａとガラス製の中空ビーズ１１ｂとからな」る「誘電体層１１」は、本件発明１の「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」に相当する。 （ｂ）引用発明１Ｂの「金属導体１２と、金属導体１２に密着された誘電体層１１を備えている高周波用フッ素樹脂基板１」は、本件発明１の「この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材」に相当する。 但し、本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｂは「十点平均粗さが２．０μｍ以下のＣｕ箔」である点で相違する。 また、本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明１Ｂはそのような特定がない点で相違する。 さらに、本件発明１は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」であるのに対して、引用発明１Ｂはそのような特定がない点で相違する。 上記（ａ）ないし（ｂ）によれば、本件発明１と引用発明１Ａとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材。」 （相違点１Ｂ） 本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｂは「十点平均粗さが２．０μｍ以下のＣｕ箔」である点。 （相違点２Ｂ） 本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明１Ｂはそのような特定がない点。 （相違点３Ｂ） 本件発明１は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」であるのに対して、引用発明１Ｂはそのような特定がない点。 ｂ 判断 上記相違点１Ｂについて 引用文献２Ｂには、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板の銅表面の粗化処理を行ったことが記載されている（【０１１９】）。 引用文献３Ｂの１には、誘電体層側の面の十点平均粗さＲｚが０．１μｍから１μｍである銅の導電パターンが記載されている（【００６０】）。 引用文献３Ｂの２には、一方の面の二次元表面粗度（Ｒａ）が０．２μｍ未満の銅箔が記載されている（［０００８］）。 引用文献４Ｂには、微細な凹凸を表面に有する銅箔が記載されている（【０１１２】）。 しかしながら、引用文献２Ｂ、引用文献３Ｂの１、引用文献３Ｂの２及び引用文献４Ｂには、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の銅箔は記載されていない。 したがって、上記相違点１Ｂに係る構成は、引用発明１Ｂ、引用文献２Ｂないし引用文献４Ｂに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用文献１Ｂに記載された発明、引用文献２Ｂないし引用文献４Ｂに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （イ）本件発明２について ａ 対比 上記「（ア）ａ」の本件発明１と引用発明１Ｂの対比を踏まえると、本件発明２と引用発明１Ｂとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材。」 （相違点４Ｂ） 本件発明２は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｂは「十点平均粗さが２．０μｍ以下のＣｕ箔」である点。 （相違点５Ｂ） 本件発明２は「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下」であるのに対して、引用発明１Ｂはそのような特定がない点。 （相違点６Ｂ） 本件発明２は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」であるのに対して、引用発明１Ｂはそのような特定がない点。 （相違点７Ｂ） 本件発明２は「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下」であるのに対して、引用発明１Ｂは「中空ビーズの添加量は、フッ素樹脂１００質量部に対して、１～５０質量であ」る点。 ｂ 判断 上記相違点４Ｂは、上記相違点１Ｂと同じである。 したがって、上記相違点４Ｂに係る構成は、引用発明１Ｂ、引用文献２Ｂないし引用文献４Ｂに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、引用文献１Ｂに記載された発明、引用文献２Ｂないし引用文献４Ｂに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）本件発明３ないし９について 本件発明３ないし９は、本件発明１又は本件発明２の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものであるから本件発明１又は本件発明２と同様の理由により、引用文献１Ｂに記載された発明、引用文献２Ｂないし引用文献４Ｂに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 申立理由２（第３６条第６項第１号）について （ア）特許異議申立人河井清悦の主張 ａ 本件特許発明の請求項１、２では「フッ素樹脂」の種類および「無機フィラー」の種類並びに粒子径等の特性、「フッ素樹脂」に対する「無機フィラー」の割合が何ら特定されていない。 ここで、用いるフッ素樹脂の種類や無機フィラーの種類、フッ素樹脂に対する無機フィラーの割合によって、請求項１の構成（１Ｄ）「誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比」が大きく変わることは、当業者にとって自明な技術常識である。 また、無機フィラーの種類並びに粒子径等の特性、フッ素樹脂に対する無機フィラーの割合によって、請求項２の構成（２Ｄ）「所定に領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積」が大きく変わることは、当業者にとって自明な技術常識である。 このように、本件特許発明の詳細な説明においては、出願時の技術常識に照らしても、任意のフッ素樹脂や任意の無機フィラーを用いた場合や、任意のフッ素樹脂に対する無機フィラーの割合である場合にまで、本件特許発明の課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は説明が記載されていない。 そのため、本件特許発明の請求項１、２のように、「フッ素樹脂」の種類および「無機フィラー」の種類並びに粒子径等の特性、「フッ素樹脂」に対する「無機フィラー」の割合について、何ら特定しない範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を一般化できるとはいえない。 つまり、本件特許発明の請求項１、２は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されていない。（特許異議申立書４２頁下から４行ないし４４頁下から６行） ｂ 本件特許発明の請求項１、２では「フッ素樹脂」の種類および「無機フィラー」の種類並びに粒子径等の特性、「フッ素樹脂」に対する「無機フィラー」の割合が何ら特定されていない。 ここで、用いるフッ素樹脂の種類や無機フィラーの種類、フッ素樹脂に対する無機フィラーの割合によって、請求項１の構成（１Ｄ）のパラメータ「誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比」が大きく変わることは、当業者にとって自明な技術常識である。 また、無機フィラーの種類並びに粒子径等の特性、フッ素樹脂に対する無機フィラーの割合によって、請求項２の構成（２Ｄ）のパラメータ「所定の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積」が大きく変わることは、当業者にとって自明な技術常識である。 してみると、請求項１、２に係る発明のように、「フッ素樹脂」の種類および「無機フィラー」の種類並びに粒子径等の特性、「フッ素樹脂」に対する「無機フィラー」の割合が特定されていない場合にも、接着力が良好で、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材とできることを合理的に推測することは困難である。 つまり、「フッ素樹脂」の種類および「無機フィラー」の種類並びに粒子径等の特性、「フッ素樹脂」に対する「無機フィラー」の割合について、何ら特定しない範囲まで発明を拡張ないし一般化できるといえない。（特許異議申立書４４頁下から５行ないし４６頁１行） （イ）当審の判断 上記ａの主張について （ａ）本件発明１について 本件訂正請求により、本件発明１は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」という発明特定事項が追加された。 そして、本件発明１は、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比を０．０８以下にすることによって、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の平滑銅箔に対しても、接着力を高めることができることを見いだして（【００１０】、【００１１】）、「接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供する」という課題（【００１０】）を解決したのである。 そうすると、用いるフッ素樹脂や無機フィラーの種類等に関係なく、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下になっていれさえすれば、上記課題を解決できることは明らかである。 したがって、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されている。 （ｂ）本件発明２について 本件訂正請求により、本件発明２は「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である」という発明特定事項が追加された。 そして、本件発明２は、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下にすることによって、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の平滑銅箔に対しても、接着力を高めることができることを見いだして（【００１２】、【００１３】）、「接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供する」という課題（【００１０】）を解決したのである。 そうすると、用いるフッ素樹脂や無機フィラーの種類に関係なく、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下になっていれさえすれば、上記課題を解決できることは明らかである。 したがって、本件発明２は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されている。 よって、上記ａの主張を採用することができない。 上記ｂの主張について 上記ａの主張で判断したように、どのようなフッ素樹脂や無機フィラーを用いるかに関係なく、本件発明１は、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下に、本件発明２は、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下になってさえすれば、接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供するという課題を解決できるのであるから、「フッ素樹脂」の種類および「無機フィラー」の種類等について特定する必要はない。 よって、上記ｂの主張を採用することができない。 ウ 申立理由３（第３６条第４項第１号）について （ア）特許異議申立人河井清悦の主張 本件特許発明の請求項１、２では「フッ素樹脂」の種類および「無機フィラー」の種類並びに粒子径等の特性、「フッ素樹脂」に対する「無機フィラー」の割合が何ら特定されていない。 してみると、請求項１，２の高周波プリント配線板用基材について、どのような種類のフッ素樹脂を用い、どのような種類および特性の無機フィラーを用い、フッ素樹脂に対する無機フィラーの割合をどのような割合とすればよいのか、合理的に推測することは困難であり、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤が必要である。（特許異議申立書４６頁９行ないし４８頁４行） （イ）当審の判断 上記「イ （イ）」で検討したように、どのようなフッ素樹脂や無機フィラーを用いるかに関係なく、本件発明１は、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下に、本件発明２は、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下になってさえすれば、接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供するという課題を解決できるのである。 そうすると、本件発明１、２において、フッ素樹脂および無機フィラーの種類等の特定がなくとも、過度の試行錯誤は必要ない。 よって、上記主張を採用することができない。 エ 申立理由４（第３６条第６項第２号）について （ア）特許異議申立人河井清悦の主張 ａ 本件特許発明の請求項１は「（１Ｄ）上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下である高周波プリント配線板用基材。」との発明特定事項を有している。 また、本件特許発明の請求項２は「（２Ｄ）上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下である高周波プリント配線板用基材。」との発明特定事項を有している。 ここで、用いるフッ素樹脂の種類や無機フィラーの種類、フッ素樹脂に対する無機フィラーの割合によって、構成（１Ｄ）や構成（２Ｄ）のパラメータが大きく変わることは、当業者にとって自明な技術常識である。 つまり、構成（１Ｄ）や構成（２Ｄ）は、発明特定事項の技術的意味を当業者が理解できず、さらに、出願時の技術常識を考慮すると発明特定事項が不足していることが明らかであるため、発明が不明確である。（特許異議申立書４８頁１３行ないし４９頁１２行） ｂ 構成（２Ｄ）について、「銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積」、「銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積」との記載は、当該領域における「任意の距離」で、無機フィラーの占める総断面積を算出すればよいとすれば、恣意的に構成（２Ｄ）のパラメーターを満たす領域を選択できてしまうことなる。（特許異議申立書４９頁１３ないし２０行） ｃ 構成（２Ｄ）について、研磨断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影して画像を得て面積の比を算出することが記載されているが（明細書段落【００５１】、【００７９】）、どの程度において（どの程度の深さまで）研磨を行うのか記載されていないし、観察倍率（視野の広さ）についても記載されていないため、ある具体的な物が請求項に係る発明に入るか否かを当業者が理解できるように記載されているとはいえない。（特許異議申立書４９頁２１ないし２７行） （イ）当審の判断 上記ａの主張について 本件発明１の「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下であり」及び本件発明２の「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下であり」の記載は明確であり、発明特定事項の技術的意味を当業者が理解できないことはない。 また、上記「イ （イ）」で検討したように、どのようなフッ素樹脂や無機フィラーを用いるかに関係なく、本件発明１は、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下に、本件発明２は、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下になってさえすれば、接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供するという課題を解決できるのである。そうすると、発明特定事項が不足していることはない。 よって、上記ａの主張を採用することができない。 上記ｂの主張について 構成（２Ｄ）の「銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積」の記載によれば、無機フィラーの占める総断面積を求める対象の領域は、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積、つまり、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の全ての領域であり、恣意的に領域を選択できない。 同様に「銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積」の記載によれば、無機フィラーの占める総断面積を求める対象の領域は、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の全ての領域であり、恣意的に領域を選択できない。 よって、上記ｂの主張を採用することができない。 上記ｃの主張について 構成（２Ｄ）の「銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積」、「銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積」の記載よれば、無機フィラーの占める総断面積を求める対象の領域は、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の全ての領域、及び、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の全ての領域であり、この領域が全て露出するまで研磨することは明らかである。 よって、上記ｂの主張を採用することができない。 オ まとめ したがって、特許異議申立人河井清悦の申立理由１ないし４にかかる主張は、採用することができない。 ４ 特許異議申立人神保良男による申立理由について （１）引用文献の記載 ア 引用文献１Ｃには、以下の事項が記載されている。 （ア）「The performance of high speed computers is becoming increasingly limited by current methods of interconnection, from the printed wiring board (PWB) level on up」（１欄３３ないし３５行） （当審訳：高速コンピュータの性能は、プリント配線基板(ＰＷＢ)レベルからの現在の相互接続方法によってますます制限されるようになってきている。） （イ）「The coated ceramic, reinforced fluoropolymer of the present invention offers a low dielectric constant, for low signal propagation delay; low crosstalk and reduced board thickness; low loss at high frequencies, providing significant reduction in rise-time degradation; excellent control of dielectric constant and thickness, vital for impedance control; and improved thermal conductivity for better heat dissipation. The fluoropolymer based PWB substrate of the present invention also exhibits low CTE in the X-Y plane and the material's inherent compliancy and dimensional stability make it suitable for surface mount applications; while its low CTE in the Z direction yields excellent plated-through-hole reliability. These excellent electrical and thermal expansion characteristics make is suitable for high speed digital and microwave applications requiring surface mounted devices and/or multilayer constructions.」（２欄６４行ないし３欄１２行） （当審訳：本発明のコーティングされたセラミック強化フルオロポリマーは、低い誘電率、低い信号伝搬遅延;低いクロストークおよび低減された基板厚さ;高周波数での低い損失を提供し、立ち上がり時間劣化の著しい低減を提供する;インピーダンス制御に不可欠な誘電率および厚さの優れた制御;ならびにより良好な熱放散のための改善された熱伝導率を提供する。本発明のフルオロポリマーベースのPWB基板はまた、X-Y平面において低いCTEを示し、材料の固有のコンプライアンスおよび寸法安定性により、表面実装用途に適したものとなり、Z方向におけるその低いCTEにより、優れためっきスルーホール信頼性が得られる。これらの優れた電気および熱膨張特性は、表面実装デバイスおよび/または多層構造を必要とする高速デジタルおよびマイクロ波用途に適している。） （ウ）「Preferably, the fluoropolymer used in the present invention is polytetrafluoroethylene (PTFE) although examples of other fluoropolymers include copolymers of fluorinated monomers such as hexa fluoropropene (HFP), tetrafluoroethylene (TFE), and perfluoro alkyl vinyl ether (PAVE). A small amount of microfiberglass (i.e., having a mean diameter on the order of 1 micron) is preferred for improved dimensional stability in the X-Y plane. It has been found that relative weight percentages of the respective component materials which provide the electrical and thermal advantages described below are 33-40 weight percent fluoropolymer; 55-71 weight percent ceramic filler with at least 1 weight percent (based upon the weight percent of the ceramic filler) silane coating and 0-2 weight percent microfiberglass. Also, it is clear from a review of TABLES 1-3 that the present invention is defined by a volume fraction of ceramic filler of about 50% of the total substrate material. A preferred composition for the of the present invention is 34-36% fluoropolymer (PIFE), 62-64% silica filler (SiO2) having a 1% percent coating of silane thereon, and 1% microfiberglass. 」（４欄４３ないし６３行） （当審訳：好ましくは、本発明において使用されるフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)であるが、他のフルオロポリマーの例としては、ヘキサフルオロプロペン(HFP)、テトラフルオロエチレン(TFE)、およびパーフルオロアルキルビニルエーテル(PAVE)などのフッ素化モノマーのコポリマーが挙げられる。X-Y平面における寸法安定性を改善するためには、少量のマイクロファイバーガラス(すなわち、1ミクロン程度の平均直径を有する)が好ましい。以下に記載される電気的および熱的利点を提供するそれぞれの成分材料の相対重量%は、33-40重量%のフルオロポリマー、55-71重量%の少なくとも1重量%(セラミック充填剤の重量%に基づく)のシランコーティングを有するセラミックフィラー、および0-2重量%のマイクロファイバーガラスであることが見出された。また、表1-3の検討から、本発明は、全基板材料の約50%のセラミック充填剤の容積率によって定義されることが明らかである。本発明の好ましい組成物は、34-36%のフルオロポリマー(PTFE)、1%のシラン被覆を有する62-64%のシリカ充填剤(SiO2)、および1%のミクロガラス繊維である。追加のセラミック(シリカ)充填剤(PTFEを犠牲にして)は、より低い熱膨張係数をもたらし、したがって、表面実装信頼性を改善する。しかしながら、セラミック充填剤レベルを増加させると、凝集強度が低下し、回路パターンをエッチングした後の寸法変化が大きくなる。少量(1%)のマイクロファイバーガラスは、エッチング後の寸法安定性を改善するようであり、繊維含有量の増加は、シート厚さを2.5ミル以下にする場合に加工上の問題を呈する。） （エ）「Turning now to FIGS. 1 and 2, a PWB is shown generally at 10. PWB 10 includes substrate 12 comprised of the ceramic filled fluoropolymeric material of the present invention as described above with a plurality of conductive traces 14 formed on substrate 12 using any suitable and well known technique.」（５欄５ないし１０行） （当審訳：次に図1および図2を参照すると、PWBが全体的に10で示されている。PWB10は、上述の本発明のセラミックが充填されたフルオロポリマー材料からなる基板12と、任意の適切な周知の技術を用いて基板12上に形成された複数の導電性トレース14とを含む。） （オ）「Samples were made (1) with standard filler size distribution (mean particle diameter of roughly 10-15μm); 」（９欄４５ないし４６行） （当審訳：試料は、(1)標準的なフィラー粒度分布(平均粒径約10-15μm)を有するもの） （カ）「Some key thermal/mechanical properties of several materials are listed in Table 8. The two materials listed at the bottom of the table are reference materials: alumina is often used as a chip carrier material, and copper is usually the metal conductor on a PWB」（１２欄５７ないし６１行） （当審訳：いくつかの材料のいくつかの重要な熱的/機械的特性を表8に列挙する。表の下部に列挙された2つの材料は参照材料であり、アルミナはチップキャリア材料として使用されることが多く、銅は通常PWB上の金属導体である。他の材料はすべて、フルオロポリマー材料(PTFE/ガラス、RO-2800)、特殊強化材(ポリイミド/石英、ポリイミド/KEVLAR)、および従来の材料(ポリイミド/ガラス、エポキシ/ガラス)のカテゴリーに分けることができるPWB材料である。） （キ）上記記載より、引用文献１Ｃにはプリント配線基板に関して、次の事項が記載されている。 ・上記（ア）によれば、ＰＷＢはプリント配線基板のことである。 ・上記（エ）によれば、ＰＷＢ１０は、セラミックが充填されたフルオロポリマー材料からなる基板１２と、基板１２上に形成された複数の導電性トレース１４とを含んでいる。 ・上記（ウ）によれば、フルオロポリマー材料は、３３－４０質量％のフルオロポリマーと、５５－７１質量％のセラミックフィラーを含んでいる。 ・上記（オ）によれば、セラミックフィラーの平均粒子径が約１０－１５μｍである。 ・上記（カ）によれば、ＰＷＢ上の金属導体、即ち導電性トレース１４は銅である。 ・上記（イ）によれば、フルオロポリマーベースのＰＷＢ基板は、高速デジタルおよびマイクロ波用途に適している。 （ク）以上のことより、引用文献１Ｃには次の発明（以下、「引用発明１Ｃ」という。）が記載されている。 「セラミックが充填されたフルオロポリマー材料からなる基板１２と、 基板１２上に形成された導電トレース１４を含むプリント配線基板であって、 フルオロポリマー材料は、３３－４０質量％のフルオロポリマーと、５５－７１質量％のセラミックフィラーを含み、 セラミックフィラーの平均粒子径が約１０－１５μｍであり、 導電トレース１４は銅である、 高速デジタル及びマイクロ波用途に適しているプリント配線基板。」 イ 引用文献２Ｃには、以下の事項が記載されている。 「【００６０】 本発明は一側面において、銅箔の光沢面側の表面について、レーザー顕微鏡で測定される表面粗さＲａ（算術平均粗さ）が０．２５μｍ以下、且つ、レーザー顕微鏡で測定される表面粗さＲｚ（十点平均粗さ）が１．１０μｍ以下であり、２００℃で３０分間加熱した後又は前記１３０℃で３０分間加熱した後に層状構造を有する銅箔である。 なお、本発明において、銅箔の「光沢面」とは、樹脂と積層される側とは反対側の面、或いは、エッチングにより回路パターンを形成する際にエッチング液を塗布される側の面を意味する。」 ウ 引用文献３Ｃには、以下の事項が記載されている。 「【００１５】 本発明の銅箔は一実施形態において、前記銅箔は一方または両方の面に表面処理面を有し、表面処理面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．４０μｍであり、十点平均粗さＲｚが０．２５μｍ～２．０μｍであり、レーザー顕微鏡を用いて測定した三次元表面積をＡ、前記三次元表面積Ａを測定した視野を平面視した際の二次元表面積をＢとした場合に、表面積比Ａ／Ｂが１．５～３．０である。」 エ 引用文献４Ｃには、以下の事項が記載されている。 「［００２５］ 金属導体（金属基材）としては、銅、アルミニウム、鉄、ニッケルや、ＳＵＳ鋼、アルミニウム合金等の合金やこれらの複合体を用いることができるが、これらの内でも、銅やアルミニウムは導電率が特に高いため、これらの箔を金属導体（金属基材）として用いることにより、伝送損失がより小さい高周波回路基板を提供することができる。これらの内でも、導電性、化学的安定性、コストの観点より、銅箔が好ましい。 ［００２６］ 請求項４に記載の発明は、 前記金属導体の表面粗さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１－１９９４）が、２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の高周波回路基板である。」 オ 引用文献５Ｃには、以下の事項が記載されている。 （ア）明細書の記載 「【０００２】 近年、携帯電話に代表される電子機器の小型化、軽量化に対する要求は高まってきており、それに伴い機器の小型化、軽量化に有利なフレキシブル回路基板は電子技術分野において広く使用されるようになってきている。そして、その中でもポリイミド樹脂を絶縁層とするフレキシブル回路基板は、その耐熱性、耐薬品性などが良好なことから従来から広く用いられている。最近の電子機器の小型化により、回路の集積度は上がってきており、情報処理の高速化とも相まって、機器内に生じる熱の放熱手段が注目されている。」 「【０００４】 しかし、これらのポリイミドフィルムを銅箔などの導体層に積層してフレキシブル基板用積層体としようとする場合、通常、エポキシ系接着剤や熱可塑性樹脂を接着剤として用いる必要がある。この接着層の介在は、導体層に生じる熱の放熱を阻害する要因になるばかりでなく、フレキシブル基板として求められる耐熱性、屈曲性などの諸特性の低下を招く。そこで、導体層と絶縁層との実用的接着強度を有し、かつ絶縁層の熱伝導率低下を抑制するフレキシブル基板用積層体やこれらに用いられる熱伝導性ポリイミドフィルムの提供が望まれていた。」 「【０００６】 本発明は、熱伝導特性に優れる絶縁層を有し、導体層と絶縁層との実用的接着強度を有し、更にフレキシブル配線基板として要求される耐熱性、耐屈曲性、寸法安定性の良好なフレキシブル基板用積層体及び熱伝導性ポリイミドフィルムを提供することを目的とする。」 「【００５７】 合成例１～１０ ポリアミック酸Ａ～Ｊを合成するため、攪拌装置を備えた５００ｍlセパラブルフラスコを超音波装置の水浴に浸し、窒素気流下で、高熱伝導性の球状アルミナフィラー（最大粒子径１５μｍ、平均粒子径が０．６μｍのフィラー２０ｗｔ％の混合フィラー、比表面積０．６５ｍ２／ｇ）とＤＭＡｃを加えて、超音波を照射しながら約２時間攪拌した。次に、表１に示したジアミンを攪拌しながら加え溶解させた後、攪拌を維持したまま、表１に示したテトラカルボン酸二無水物を加えた。その後、室温で３．５時間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体となるポリアミック酸Ａ～Ｊの粘稠な溶液を得た。なお、表１～２中のジアミン、テトラカルボン酸二無水物及びフィラーの数値は、各成分の重量部を表す。また、アルミナフィラーの含有率を併せて示すが、合成例１０ではアルミナフィラーを使用していない。」 「【００６４】 【表１】 ［図：0001400453000002.jpg］ 」 「【００６６】 実施例１ 厚み１８μｍの銅箔（圧延銅箔、Ｒｚ＝０．７μｍ）上に、合成例１０で得たポリアミック酸樹脂Ｊの溶液を硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１２０～１４０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に合成例２で得たポリアミック酸樹脂Ｂの溶液を硬化後の厚みが２３μｍとなるように塗布し、１２０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。その後、１３０～３６０℃の温度範囲で、段階的に３０分かけて昇温加熱して、銅箔上に２層のポリイミド層からなるフレキシブル基板用積層体Ｍ１を作製した。銅箔上のポリイミド層の厚みは、銅箔側からＪ/Ｂの順に２／２３μｍである。フレキシブル基板用積層体におけるポリイミド樹脂層の特性を評価するために上記と同様に銅箔をエッチング除去してポリイミド樹脂フィルムＭ１を作製し、ＣＴＥ、熱伝導率、引裂き伝播抵抗（ＴＰＲ）、ＭＩＴをそれぞれ評価した。また、フレキシブル基板用積層体の屈曲性やポリイミド樹脂層と銅箔とのピール強度を評価した。なお、積層体Ｍ１から得られるポリイミド樹脂フィルムをフィルムＭ１とし、以下同様とする。」 （イ）上記記載より、引用文献５Ｃにはフレキシブル基板用積層体に関して、次の事項が記載されている。 ・【００５７】によれば、合成例２のポリアミック酸の溶液は、平均粒子径が０．６μｍの球状アルミナフィラーを含んだものであり、合成例１０のポリアミック酸の溶液は、アルミナフィラーを含んでいないことが読み取れる。 ・【００６６】によれば、銅箔（Ｒｚ＝０．７μｍ）上に、合成例１０で得たポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、その上に合成例２で得たポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２３μｍとなるように塗布し、加熱して、銅箔上に２層のポリイミド層からなるフレキシブル基板用積層体を得たことが読み取れる。 ・表１より、合成例２は、フィラー含有率が５０ｗｔ％であることが読み取れる。 （ウ）引用発明５Ｃ 上記（イ）の記載より、引用文献５Ｃには次の発明（以下、「引用発明５Ｃ」という。）が記載されている。 「Ｒｚが０．２μｍの銅箔上に、アルミナフィラーを含んでいないポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、 その上に、平均粒子径が０．６μｍの球状アルミナフィラーを５０ｗｔ％含んだポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２３μｍとなるように塗布して加熱した、 銅箔と２層のポリイミド層からなるフレキシブル基板用積層体。」 （２）当審の判断 ア 申立理由１（引用文献１Ｃを主引用例とする特許法第２９条第２項）について （ア）本件発明１について ａ 対比 本件発明１と引用発明１Ｃを対比すると、次のことがいえる。 （ａ）引用発明１Ｃの「フルオロポリマー」は、本件発明１の「フッ素樹脂」に相当する。 また、引用発明１Ｃの「セラミック」は「フルオロポリマー材料」に充填されるものであるから、本件発明１の「無機フィラー」に相当する。 したがって、引用発明１Ｃの「セラミックが充填されたフルオロポリマー材料からなる基板１２」は、本件発明１の「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」に相当する。 （ｂ）引用発明１Ｃの「基板１２上に形成された」「銅である」「導電トレース１４を含む」「高速デジタル及びマイクロ波用途に適しているプリント配線基板」は、本件発明１の「この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材」に相当する。 但し、本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｃはそのような特定がない点で相違する。 また、本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明１Ｃはそのような特定がない点で相違する。 さらに、本件発明１の「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｃの「セラミックフィラーの平均粒子径が約１０－１５μｍ」である点で相違する。 上記（ａ）ないし（ｂ）によれば、本件発明１と引用発明１Ｃとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材。」 （相違点１Ｃ） 本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｃはそのような特定がない点。 （相違点２Ｃ） 本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明１Ｃはそのような特定がない点。 （相違点３Ｃ） 本件発明１の「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｃのセラミックフィラーの平均粒子径が約１０－１５μｍ」である点。 ｂ 判断 上記相違点１Ｃについて 引用文献２Ｃには、表面粗さＲａ（算術平均粗さ）が０．２５μｍ以下、且つ、表面粗さＲｚ（十点平均粗さ）が１．１０μｍ以下の銅箔が記載されている（【００６０】）。 引用文献３Ｃには、算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．４０μｍであり、十点平均粗さＲｚが０．２５μｍ～２．０μｍである銅箔が記載されている（【００１５】）。 引用文献４Ｃには、表面粗さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１－１９９４）が、２．０μｍ以下の銅箔が記載されている（［００２５］、［００２６］）。ここで、「ＪＩＳ Ｂ ０６０１－１９９４」の「Ｒｚ」は十点平均粗さであるから、引用文献４Ｃには、十点平均粗さＲｚが、２．０μｍ以下の銅箔が記載されている。 しかしながら、引用文献２Ｃ、引用文献３Ｃ、及び引用文献４Ｃには、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の銅箔は記載されていない。 したがって、上記相違点１Ｃに係る構成は、引用発明１Ｃ、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用文献１Ｃに記載された発明、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ｃ 特許異議申立人神保良男の主張について （ａ）特許異議申立人神保良男は、特許異議申立書において次の主張をしている。 銅箔の表面に無機フィラーが接触する場合、その周りにフッ素樹脂がどの程度存在しうるかを確認するために、次のような論理計算を行った。 まず、無機フィラーが所定の直径Ｒを有する球であるとしたときに、この球が単純立方格子の形態で最密充填となる格子サイズをもとめる。 次に、該格子サイズの底面から０．２５μｍまでの部分で、無機フィラーの占有体積割合を求める。 そして、無機フィラーの占有体積割合に基づいて、原子数比＝（無機フィラーの無機原子の原子数）／（フッ素樹脂のフッ素原子の原子数）を求める。 表１に、直径Ｒが１～１５μｍのそれぞれの無機フィラーにおける原子数比の計算結果を示した。 表１には、次の計算結果が示されている。（抜粋） Ｒが１μｍで、無機原子／フッ素原子の原子数比０．２０２０ Ｒが２μｍで、無機原子／フッ素原子の原子数比０．０９１２ Ｒが３．１μｍで、無機原子／フッ素原子の原子数比０．０５８５ Ｒが１０μｍで、無機原子／フッ素原子の原子数比０．０１６７ Ｒが１５μｍで、無機原子／フッ素原子の原子数比０．０１１１ 以上の計算結果から、平均粒子径が１０～１５μｍを用いる甲第１号証（引用文献１Ｃ）では、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下である蓋然性が高い。（特許異議申立書１１頁２３行ないし１４頁１行） （ｂ）当審の判断 実際の無機フィラーは球形に限らず様々な形状の粒子が存在し、かつ、大から小まで様々な粒径のものが混じったものであるから、無機フィラーを「所定の直径Ｒを有する球」と仮定した計算結果は、無機フィラーの実態を反映しておらず、上記計算結果に基づく主張を採用することができない。 （イ）本件発明２について ａ 対比 上記「（ア）ａ」の本件発明１と引用発明１Ｃの対比を踏まえると、さらに次のことがいえる。 引用発明１Ｃの「フルオロポリマー材料は、３３－４０質量％のフルオロポリマーと、５５－７１質量％のセラミックフィラーを含」むことは、本件発明２の「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である」に含まれる。 したがって、本件発明２と引用発明１Ａとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「フッ素樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備える高周波プリント配線板用基材であって、 上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である高周波プリント配線板用基材。」 （相違点４Ｃ） 本件発明２は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｃはそのような特定がない点。 （相違点５Ｃ） 本件発明２は「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下」であるのに対して、引用発明１Ｃはそのような特定がない点。 （相違点６Ｃ） 本件発明１の「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下」であるのに対して、引用発明１Ｃのセラミックフィラーの平均粒子径がおおよそ１０－１５μｍ」である点。 ｂ 判断 上記相違点４Ｃは、上記相違点１Ｃと同じである。 したがって、上記相違点４Ｃに係る構成は、引用発明１Ｃ、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、引用文献１Ｃに記載された発明、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）本件発明３、４、６ないし９について 本件発明３、４、６ないし９は、本件発明１又は本件発明２の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものであるから本件発明１又は本件発明２と同様の理由により、本件発明３、４、６ないし９は、引用文献１Ｃに記載された発明、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 申立理由２（引用文献５Ｃを主引用例とする特許法第２９条第２項）について （ア）本件発明１について ａ 対比 本件発明１と引用発明５Ｃを対比すると、次のことがいえる。 （ａ）引用発明５Ｃの「２層のポリイミド層」は樹脂であるので、引用発明５Ｃの「アルミナフィラーを含んでいないポリアミック酸樹脂の溶液を」「塗布し、その上に、」「球状アルミナフィラーを」「含んだポリアミック酸樹脂の溶液を」「塗布して加熱した」「２層のポリイミド層」と本件発明１は、「樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」である点で共通する。 但し、樹脂が、本件発明１は「フッ素樹脂」であるのに対して、引用発明５Ｃは「ポリイミド」である点で相違する。 （ｂ）引用発明５Ｃの「銅箔と２層のポリイミド層からなるフレキシブル基板用積層体」と本件発明１とは、「この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備えるプリント配線板用基材」である点で共通する。 但し、プリント配線板用基材について、本件発明１は「高周波プリント配線板用基材」であるのに対して、引用発明５Ｃは高周波である旨の特定がない点で相違する。 （ｃ）引用発明の「銅箔」は「Ｒｚが０．２μｍ」であるが、「Ｒｚ」について説明がなく、「Ｒｚ」がどのような値であるのか不明である。 そうすると、本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点で相違する。 また、本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点で相違する。 （ｄ）引用発明５Ｃの「球状アルミナフィラー」の「平均粒子径が０．６μｍ」であることは、本件発明１の「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」ことに相当する。 上記（ａ）ないし（ｄ）によれば、本件発明１と引用発明５Ｃとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備えるプリント配線板用基材であって、 上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であるプリント配線板用基材。」 （相違点７Ｃ） 樹脂が、本件発明１は「フッ素樹脂」であるのに対して、引用発明５Ｃは「ポリイミド」である点。 （相違点８Ｃ） プリント配線板用基材について、本件発明１は「高周波プリント配線板用基材」であるのに対して、引用発明５Ｃは高周波である旨の特定がない点。 （相違点９Ｃ） 本件発明１は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点。 （相違点１０Ｃ） 本件発明１は「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」であるのに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点。 ｂ 判断 上記相違点７Ｃについて ポリイミド樹脂を絶縁層とするフレキシブル回路基板は、その耐熱性、耐薬品性などが良好なことから従来から広く用いられているが、ポリイミドフィルムを銅箔などの導体層に積層してフレキシブル基板用積層体としようとする場合、エポキシ系接着剤や熱可塑性樹脂を接着剤として用いる必要がある。この接着層の介在は、導体層に生じる熱の放熱を阻害する要因になるばかりでなく、フレキシブル基板として求められる耐熱性、屈曲性などの諸特性の低下を招くという課題があった（【０００２】、【０００４】）。 引用発明５Ｃは、上記解決するために、熱伝導特性に優れる絶縁層を有し、導体層と絶縁層との実用的接着強度を有する、熱伝導性ポリイミドフィルムを提供することを目的とするものである。（【０００６】） つまり、引用発明５Ｃの目的は、フレキシブル基板用積層体に用いるポリイミドフィルムを改良することである。 そうすると、引用発明５Ｃにおいて、耐熱性、耐薬品性などが良好であって、導体層と絶縁層との実用的接着強度を有する改良済みのポリイミドフィルムに換えて、あえて、銅箔との接着力の小さいフッ素樹脂を用いる動機はない。 したがって、上記相違点７Ｃに係る構成は、引用発明５Ｃ、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用文献５Ｃに記載された発明、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （イ）本件発明２について ａ 対比 本件発明２と引用発明５Ｃを対比すると、次のことがいえる。 （ａ）引用発明５Ｃの「２層のポリイミド層」は樹脂であるので、引用発明５Ｃの「アルミナフィラーを含んでいないポリアミック酸樹脂の溶液を」「塗布し、その上に、」「球状アルミナフィラーを」「含んだポリアミック酸樹脂の溶液を」「塗布して加熱した」「２層のポリイミド層」と本件発明２は、「樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層」である点で共通する。 但し、樹脂が、本件発明２は「フッ素樹脂」であるのに対して、引用発明５Ｃは「ポリイミド」である点で相違する。 （ｂ）引用発明５Ｃの「銅箔と２層のポリイミド層からなるフレキシブル基板用積層体」と本件発明２とは、「この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備えるプリント配線板用基材」である点で共通する。 但し、プリント配線板用基材について、本件発明２は「高周波プリント配線板用基材」であるのに対して、引用発明５Ｃは高周波である旨の特定がない点で相違する。 （ｃ）引用発明の「銅箔」は「Ｒｚが０．２μｍ」であるが、「Ｒｚ」について説明がなく、「Ｒｚ」がどのような値であるのか不明である。 そうすると、本件発明２は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点で相違する。 （ｄ）引用発明５Ｃの「２層のポリイミド層」は「Ｒｚが０．２μｍの銅箔上に、アルミナフィラーを含んでいないポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、その上に、」「球状アルミナフィラーを５０ｗｔ％含んだポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２３μｍとなるように塗布して加熱した」のであるから、２層のポリイミド層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０倍である。 そうすると、引用発明５Ｃの「２層のポリイミド層」は本件発明２と、「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下であ」る点で一致する。 （ｅ）引用発明５Ｃの「球状アルミナフィラー」の「平均粒子径が０．６μｍ」であることは、本件発明１の「上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である」ことに相当する。 （ｆ）引用発明５Ｃの「２層のポリイミド層」は、「アルミナフィラーを含んでいないポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、その上に、」「球状アルミナフィラーを５０ｗｔ％含んだポリアミック酸樹脂の溶液を硬化後の厚みが２３μｍとなるように塗布し」たのであるから、樹脂に対する無機フィラーの質量比が１．０未満である。 そうすると、本件発明２は「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である」のに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点で相違する。 上記（ａ）ないし（ｆ）によれば、本件発明２と引用発明５Ｃとは、次の一致点及び相違点を有する。 （一致点） 「樹脂及び無機フィラーを含む誘電体層と、この誘電体層の少なくとも一方の面に積層される銅箔とを備えるプリント配線板用基材であって、 上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下であり、 上記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であるプリント配線板用基材。」 （相違点１１Ｃ） 樹脂が、本件発明２は「フッ素樹脂」であるのに対して、引用発明５Ｃは「ポリイミド」である点。 （相違点１２Ｃ） プリント配線板用基材について、本件発明１は「高周波プリント配線板用基材」であるのに対して、引用発明５Ｃは高周波である旨の特定がない点。 （相違点１３Ｃ） 本件発明２は「上記銅箔の誘電体層側の面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下」であるのに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点。 （相違点１４Ｃ） 本件発明２は「上記誘電体層における上記フッ素樹脂に対する上記無機フィラーの質量比が１．０以上３．０以下である」のに対して、引用発明５Ｃはそのような特定がない点。 ｂ 判断 上記相違点１１Ｃは、上記相違点７Ｃと同じである。 したがって、上記相違点１１Ｃに係る構成は、引用発明５Ｃ、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、引用文献５Ｃに記載された発明、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）本件発明３、６ないし８について 本件発明３、６ないし８は、本件発明１又は本件発明２の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものであるから本件発明１又は本件発明２と同様の理由により、本件発明３、６ないし８は、引用文献５Ｃに記載された発明、引用文献２Ｃないし引用文献４Ｃに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 申立理由３（第３６条第６項第１号）について （ア）特許異議申立人神保良男の主張 ａ 本件発明２について 本件発明２は、本件明細書の段落【００１３】において、「上記誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する上記無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下」（以下、「発明特定事項〔Ｅ〕」という。）にすることによって、銅箔のＲｚが２μｍ以下の平滑銅箔に対しても接着力を高めることができるとするが、本件発明１の「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下」（以下、「発明特定事項〔Ｃ〕という。」）の場合から外れて、誘電体層の銅箔との接着界面付近における無機フィラーの存在比率を高めたようなときまで、銅箔から離れた領域に比べて無機フィラーの存在量を少なくすれば、高い接着力が得られる根拠を明細書の記載から理解することができない。 また、実施例で示されたＮｏ．１～Ｎｏ．３の高周波プリント配線板用基材は、いずれも本件発明１の発明特定事項〔Ｃ〕を備えるものであり、本件発明２の発明特定事項〔Ｅ〕だけを備えた高周波プリント配線板用基材が高い接着力を発現することを裏付ける実施例は存在しない。 したがって、本件発明２は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。（特許異議申立書６頁１行ないし７頁９行） ｂ 本件発明１について 本件発明１の「上記誘電体層の銅箔側の表層領域における上記フッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する上記無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下である」ことは、実施例で使用される「フッ素樹脂：ＦＥＰ（ダイキン工業社の「ＮＣ－１５００」」（【００７５】）、及び、「無機フィラー：シリカフィラー（デンカ社の「ＦＢ３ＳＤＣ」）」（【００７６】）を使用する場合に限られるものであり、これら以外のフッ素樹脂や無機フィラーについてまで適用されるものではない。（特許異議申立書７頁１０行ないし８頁下から４行） （イ）当審の判断 ａ 本件発明２について 本件発明２は、誘電体層の銅箔と垂直方向の断面において、銅箔からの距離が０μｍ以上２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比が、銅箔からの距離が１８μｍ以上２２μｍ以下の領域における全断面積に対する無機フィラーの占める総断面積の比の０．７倍以下にすることによって、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の平滑銅箔に対しても、接着力を高めることができることを見いだして（【００１２】、【００１３】）、「接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供する」という課題（【００１０】）を解決したのである。 そして、本件明細書には上記課題を解決するためには、必ず、発明特定事項〔Ｃ〕を満たす必要があることは記載されていない。 よって、上記主張を採用することができない。 ｂ 本件発明１について 本件発明１は、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素樹脂のフッ素原子の原子数に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比を０．０８以下にすることによって、最大高さ粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下の平滑銅箔に対しても、接着力を高めることができることを見いだして（【００１０】、【００１１】）、「接着力を向上させることができ、かつ高周波特性に優れる高周波プリント配線板用基材を提供する」という課題（【００１０】）を解決したのである。 そうすると、用いるフッ素樹脂や無機フィラーの種類に関係なく、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下になっていれさえすれば、接着力の向上ができることは明らかである。 したがって、実施例で使用されるＦＥＰ及びシリカフィラー以外のフッ素樹脂や無機フィラーを用いても、誘電体層の銅箔側の表層領域におけるフッ素原子に対する無機フィラーの無機原子の原子数の比が０．０８以下になっていれば上記課題を解決できることが明らかである。 よって、上記主張を採用することができない。 エ まとめ したがって、特許異議申立人神保良男の申立理由１ないし３にかかる主張は、採用することができない。 第６ むすび 以上のとおり、請求項１ないし９に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に請求項１ないし９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。