2022-700261

特許第６９４３３１５号発明「防汚基材」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９４３３１５号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１５、１７〕、１６について訂正することを認める。 特許第６９４３３１５号の請求項１、４～７、９～１６に係る特許を維持する。 特許第６９４３３１５号の請求項２、３、８、１７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９４３３１５号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１７に係る特許についての出願は、令和２年５月１８日（優先権主張 令和１年５月２２日 日本国、令和１年９月２日 日本国）を出願日とする出願であって、令和３年９月１３日にその特許権の設定登録がされ（特許掲載公報令和３年９月２９日発行）、その後、その特許について、令和４年３月２８日に特許異議申立人宮本邦彦（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、令和４年５月３０日付けで取消理由が通知され、令和４年８月１日に特許権者から意見書の提出及び訂正の請求（以下「本件訂正請求」といい、訂正自体を「本件訂正」という。）がされ、令和４年９月１３日に申立人から意見書が提出されたものである。 第２ 本件訂正請求について １．訂正の内容 本件訂正請求は、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１５、１７〕、１６について訂正することを求めるものである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１において、「前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、」との発明特定事項を加える。（請求項１の記載を引用する請求項４～７、９～１５も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１において、「前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである、」との発明特定事項を加える。（請求項１の記載を引用する請求項４～７、９～１５も同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項４において、「請求項１～３のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１に記載の物品。」と訂正する。（請求項４の記載を引用する請求項５～７、１０～１５も同様に訂正する。） （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項５において、「請求項１～４のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１または４に記載の物品。」と訂正する。（請求項５の記載を引用する請求項６、７、１０～１５も同様に訂正する。） （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項６において、「請求項１～５のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１、４～５のいずれか１項に記載の物品。」と訂正する。（請求項６の記載を引用する請求項７、１０～１５も同様に訂正する。） （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項７において、「請求項１～６のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１、４～６のいずれか１項に記載の物品。」と訂正する。（請求項７の記載を引用する請求項１０～１５も同様に訂正する。） （９）訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項８を削除する。 （１０）訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１０において、「請求項１～９のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１、４～７、および９のいずれか１項に記載の物品。」と訂正する。（請求項１０の記載を引用する請求項１１～１５も同様に訂正する。） （１１）訂正事項１１ 特許請求の範囲の請求項１２において、「請求項１～１１のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１、４～７、９～１１のいずれか１項に記載の物品。」と訂正する。（請求項１２の記載を引用する請求項１３～１５も同様に訂正する。） （１２）訂正事項１２ 特許請求の範囲の請求項１３において、「請求項８～１２のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項９～１２のいずれか１項に記球の物品。」と訂正する。（請求項１３の記載を引用する請求項１４、１５も同様に訂正する。） （１３）訂正事項１３ 特許請求の範囲の請求項１４において、「請求項１～１３のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１、４～７、９～１３のいずれか１項に記載の物品。」と訂正する。（請求項１４の記載を引用する請求項１５も同様に訂正する。） （１４）訂正事項１４ 特許請求の範囲の請求項１５において、「請求項１～１３のいずれか１項に記載の物品。」とあるのを、「請求項１、４～７、９～１３のいずれか１項に記載の物品。」と訂正する。 （１５）訂正事項１５ 特許請求の範囲の請求項１６において、「ここに、前記他の金属は、ＴａまたはＮｂであり、」との発明特定事項を加える。 （１６）訂正事項１６ 特許請求の範囲の請求項１７を削除する。 ２．一群の請求項について 訂正前の請求項２～１５、１７は、請求項１の記載を直接的又は間接的に引用するものであり、いずれも、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものであるから、訂正後の請求項１～１５、１７は、一群の請求項を構成するものである。 ３．訂正の適否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載されていた「複合酸化物」について「ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であ」ると限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 訂正事項１は、本件特許の願書に添付された明細書又は特許請求の範囲（以下「本件特許明細書等」という。）の段落【００２２】の記載及び請求項８の記載からみて、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内のものである。 さらに、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、訂正前の請求項１に記載されていた「複合酸化物」について「ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 訂正事項２は、本件特許明細書等の段落【００１８】の記載からみて、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内のものである。 さらに、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３、４、９、１６について 訂正事項３、４、９、１６は、それぞれ訂正前の請求項２、３、８、１７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、訂正事項３、４、９、１６は、本件特許明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。 （４）訂正事項５～８、１０～１４について 訂正事項５～８、１０～１４は、訂正事項３、４、９により、訂正前の請求項２、３、８を削除することに伴い、それらの請求項を引用する請求項において、それらの請求項を引用しないものと訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当する。 また、訂正事項５～８、１０～１４は、本件特許明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。 （５）訂正事項１５について 訂正事項１５は、訂正前の請求項１６に記載されていた「他の金属」について「ＴａまたはＮｂであ」ると限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 訂正事項１５は、本件特許明細書等の段落【００２２】の記載からみて、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内のものである。 さらに、訂正事項１５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ４．本件訂正請求についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げられた事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件訂正は適法なものであり、結論のとおり、本件特許の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１５、１７〕、１６について訂正することを認める。 第３ 本件特許発明 上記のとおり、本件訂正請求が認められるから、本件特許の請求項１、４～７、９～１６に係る発明（以下「本件発明１」等といい、また、本件発明１、４～７、９～１６を総称して「本件発明」ともいう。）は、それぞれ、本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１、４～７、９～１６に記載された、次のとおりのものである。 【請求項１】 基材と、 前記基材上に位置する、中間層と、 前記中間層の直上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と を有して成り、 前記基材は、ガラス基材であり、 前記中間層は、Ｓｉを含む複合酸化物を含み、 前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）： 【化１】 ［図：0001395210000001.jpg］ ［式中： ＲＦ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ１－ＲＦ－Ｏｑ－であり； ＲＦ２は、－Ｒｆ２ｐ－ＲＦ－Ｏｑ－であり； Ｒｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－１６アルキル基であり； Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－６アルキレン基であり； ＲＦは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり； ｐは、０または１であり； ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり； ＲＳｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； 少なくとも１つのＲＳｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； ＸＡは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基であり； αは、１～９の整数であり； βは、１～９の整数であり； γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］ で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物であり、 前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、 前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである、 物品。 【請求項４】 前記中間層において、前記表面処理層に近い最表面から０．１ｎｍ～１０ｎｍにおけるＳｉと他の金属とのモル比は、１０：９０～９９．９：０．１である、請求項１に記載の物品。 【請求項５】 前記複合酸化物において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、１０：９０～９９．９：０．１である、請求項１または４に記載の物品。 【請求項６】 前記複合酸化物において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、１３：８７～９３：７である、請求項１、４～５のいずれか１項に記載の物品。 【請求項７】 前記複合酸化物において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、４５：５５～７５：２５である、請求項１、４～６のいずれか１項に記載の物品。 【請求項９】 Ｒｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１－１６パーフルオロアルキル基であり、 Ｒｆ２は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ１－６パーフルオロアルキレン基である、 請求項１に記載の物品。 【請求項１０】 ＲＦは、各出現においてそれぞれ独立して、式： －（ＯＣ６Ｆ１２）ａ－（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ－（ＯＣ４Ｆ８）ｃ－（ＯＣ３ＲＦａ６ ）ｄ－（ＯＣ２Ｆ４）ｅ－（ＯＣＦ２）ｆ－ ［式中、ＲＦａは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子であり、 ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］ で表される基である、請求項１、４～７、および９のいずれか１項に記載の物品。 【請求項１１】 ＲＦａは、フッ素原子である、請求項１０に記載の物品。 【請求項１２】 ＲＦは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）または（ｆ３）： －（ＯＣ３Ｆ６）ｄ－ （ｆ１） ［式中、ｄは１～２００の整数である。］ －（ＯＣ４Ｆ８）ｃ－（ＯＣ３Ｆ６）ｄ－（ＯＣ２Ｆ４）ｅ－（ＯＣＦ２）ｆ－ （ｆ２） ［式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～３０の整数であり； ｅおよびｆは、それぞれ独立して、１～２００の整数であり； ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、１０～２００の整数であり； 添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］ －（Ｒ６－Ｒ７）ｇ－ （ｆ３） ［式中、Ｒ６は、ＯＣＦ２またはＯＣ２Ｆ４であり； Ｒ７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から選択される２または３つの基の組み合わせであり； ｇは、２～１００の整数である。］ で表される基である、請求項１、４～７、９～１１のいずれか１項に記載の物品。 【請求項１３】 ＲＳｉは、下記式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、または（Ｓ４）： 【化２】 ［図：0001395210000002.jpg］ ［式中： Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり； Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり； ｎ１は、（ＳｉＲ１１ｎ１Ｒ１２３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｘ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基であり； Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり； ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２～１０の整数であり； Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子であり； Ｒａ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ１－ＳｉＲ２１ｐ１Ｒ２２ｑ１Ｒ２３ｒ１であり； Ｚ１は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり； Ｒ２１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ１’－ＳｉＲ２１’ｐ１’Ｒ２２’ｑ１’Ｒ２３’ｒ１’であり； Ｒ２２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり； Ｒ２３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり； ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｚ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり； Ｒ２１’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ１”－ＳｉＲ２２”ｑ１”Ｒ２３”ｒ１”であり； Ｒ２２’は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり； Ｒ２３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり； ｐ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｑ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｒ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｚ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり； Ｒ２２”は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり； Ｒ２３”は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり； ｑ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｒ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｒｂ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり； Ｒｃ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり； ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｒｄ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ２－ＣＲ３１ｐ２Ｒ３２ｑ２Ｒ３３ｒ２であり； Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり； Ｒ３１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ２’－ＣＲ３２’ｑ２’Ｒ３３’ｒ２’であり； Ｒ３２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ３－ＳｉＲ３４ｎ２Ｒ３５３－ｎ２ であり； Ｒ３３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり； ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｚ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり； Ｒ３２’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ３－ＳｉＲ３４ｎ２Ｒ３５３－ｎ２であり； Ｒ３３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり； ｑ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｒ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり； Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり； Ｒ３５は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり； ｎ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； Ｒｅ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ３－ＳｉＲ３４ｎ２Ｒ３５３－ｎ２であり； Ｒｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり； ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり； ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。］ で表される基である、請求項９～１２のいずれか１項に記載の物品。 【請求項１４】 α、β、およびγは、１である、請求項１、４～７、９～１３のいずれか１項に記載の物品。 【請求項１５】 ＸＡは、それぞれ独立して、３価の有機基であり、 αは１かつβは２であるか、αは２かつβは１であり、 γは２である、 請求項１、４～７、９～１３のいずれか１項に記載の物品。 【請求項１６】 基材と、その上に形成された含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層とを有して成る物品の製造方法であって、 上記基材上に、Ｓｉと他の金属を同時に蒸着させて、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層を形成すること、ここに、前記他の金属は、ＴａまたはＮｂであり、および 上記中間層の直上に、表面処理層を形成すること を含み、 前記基材は、ガラス基材であり、 前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）： 【化３】 ［図：0001395210000003.jpg］ ［式中： ＲＦ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ１－ＲＦ－Ｏｑ－であり； ＲＦ２は、－Ｒｆ２ｐ－ＲＦ－Ｏｑ－であり； Ｒｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－１６アルキル基であり； Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－６アルキレン基であり； ＲＦは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり； ｐは、０または１であり； ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり； ＲＳｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； 少なくとも１つのＲＳｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； ＸＡは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基であり； αは、１～９の整数であり； βは、１～９の整数であり； γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］ で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物である、 方法。 第４ 取消理由及び特許異議の申立ての理由について １．特許権者に通知した取消理由 本件発明に対して、特許権者に通知した取消理由の要旨は以下のとおりである。 （１）理由１ 本件特許の請求項１～１７に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された次の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 甲第１号証：特開２００４－２１５５０号公報 甲第２号証：再公表特許ＷＯ２０１６／１９００４７号公報 甲第３号証：再公表特許ＷＯ２０１４／１２９３３３号公報 甲第４号証：特表２００９－５１９１４９号公報 以下、甲第１号証を「甲１」といい、甲第２号証以降も同様にいう。 （２）理由２ 本件特許の請求項１～１７に係る発明は、下記の点で発明の詳細な説明に記載されたものでなく、本件特許の請求項１～１７に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 本件特許の発明の詳細な説明の記載から、ＳｉとＴａの複合酸化物以外の複合酸化物について、本件発明の課題（より高い摩擦耐久性や耐薬品性）を解決し得るとは認識できず、このＳｉとＴａの複合酸化物以外の複合酸化物を含む本件発明は、サポート要件を満たしていない。 ２．取消理由についての判断 （１）甲３を主引用例とする理由１について ア 甲３の記載事項、甲３に記載された発明 （ア）「【請求項１】 透明基体と、 前記透明基体上に積層された低反射膜と、 前記低反射膜上に積層された防汚膜と、を有しており、 前記防汚膜の表面粗さＲａが３ｎｍ以下である光学部品。 【請求項２】 前記透明基体がガラス基板である請求項１に記載の光学部品。」 「【請求項５】 前記低反射膜が高屈折率層と低屈折率層との積層体であり、 前記高屈折率層が窒化ケイ素層であり、 前記低屈折率層が、ＳｉとＳｎとの混合酸化物を含む材料、ＳｉとＺｒとの混合酸化物を含む材料、ＳｉとＡｌとの混合酸化物を含む材料、のいずれかである、請求項１乃至３何れか一項に記載の光学部品。」 （イ）「【００１５】 本実施形態の光学部品について図１を用いて説明する。図１は、本実施形態の光学部品１０の断面図を模式的に示したものであり、透明基体１１上に低反射膜１２と、該低反射膜１２上に防汚膜１３が積層された構成を有している。光学部品１０を構成する各部材について以下に説明する。」 （ウ）「【００３４】 特に反射防止性能を高めるためには、低反射膜は複数の層が積層された積層体であることが好ましく、例えば該積層体は全体で２層以上６層以下の層が積層されていることが好ましく、２層以上４層以下の層が積層されていることがより好ましい。ここでの積層体は、上記の様に高屈折率層と低屈折率層とを積層した積層体であることが好ましく、高屈折率層、低屈折率層各々の層数を合計したものが上記範囲であることが好ましい。 【００３５】 高屈折率層、低屈折率層の材料は特に限定されるものではなく、要求される反射防止の程度や生産性等を考慮して選択できる。高屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）から選択された１種以上を好ましく利用できる。低屈折率層を構成する材料としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、ＳｉとＳｎとの 混合酸化物を含む材料、ＳｉとＺｒとの混合酸化物を含む材料、ＳｉとＡｌとの混合酸化 物を含む材料から選択された１種以上を好ましく利用できる。」 （エ）「【００４９】 次に防汚膜１３について説明する。防汚膜１３はフッ素含有有機ケイ素化合物により構成できる。 【００５０】 ここで、フッ素含有有機ケイ素化合物について説明する。本実施形態で用いるフッ素含有有機ケイ素化合物としては、防汚性、撥水性、撥油性を付与するものであれば特に限定されず使用できる。 【００５１】 このようなフッ素含有有機ケイ素化合物としては例えば、ポリフルオロポリエーテル基、ポリフルオロアルキレン基及びポリフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有するフッ素含有有機ケイ素化合物を好ましく利用できる。なお、ポリフルオロポリエーテル基とは、ポリフルオロアルキレン基とエーテル性酸素原子とが交互に結合した構造を有する２価の基のことである。 【００５２】 このポリフルオロポリエーテル基、ポリフルオロアルキレン基及びポリフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有するフッ素含有有機ケイ素化合物の具体例としては、下記一般式（Ｉ）～（Ｖ）で表される化合物等が挙げられる。 【００５３】 【化１】 ［図：0001395210000004.jpg］ 式中、Ｒｆは炭素数１～１６の直鎖状のポリフルオロアルキル基（アルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基等）、Ｘ は水素原子又は炭素数１～５の低級アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基等）、Ｒ１は加水分解可能な基（例えば、アミノ基、アルコキシ基等）又はハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）、ｍは１～５０、好ましくは１～３０の整数、ｎは０～２、好ましくは１～２の整数、ｐは１～１０、好ましくは１～８の整数である。 【００５４】 ＣｑＦ２ｑ＋１ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＮＨ２)３ （ＩＩ） ここで、ｑは１以上、好ましくは２～２０の整数である。 【００５５】 一般式（ＩＩ）で表される化合物としては例えば、ｎ－トリフロロ（１，１，２，２－テトラヒドロ）プロピルシラザン（ｎ－ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＮＨ２）３）、ｎ－ヘプタフロロ（１，１，２，２－テトラヒドロ）ペンチルシラザン（ｎ－Ｃ３Ｆ７ＣＨ２Ｃ Ｈ２Ｓｉ（ＮＨ２）３）等を例示できる。 【００５６】 Ｃｑ’Ｆ２ｑ’＋１ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ (ＩＩＩ) ここで、ｑ'は１以上、好ましくは１～２０の整数である。 【００５７】 一般式(ＩＩＩ)で表される化合物としては、２－（パーフルオロオクチル）エチルトリメトキシシラン（ｎ－Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３）等を例示できる。 【００５８】 【化２】 ［図：0001395210000005.jpg］ 式（ＩＶ）中、Ｒｆ２は、－（ＯＣ３Ｆ６）ｓ－（ＯＣ２Ｆ４）ｔ－（ＯＣＦ２）ｕ－（ｓ、ｔ、ｕはそれぞれ独立に０～２００の整数）で表わされる２価の直鎖状ポリフルオロポリエーテル基であり、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立に炭素原子数１～８の一価炭化水素基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基等）である。Ｘ２、Ｘ３は独立に加水分解可能な基（例えば、アミノ基、アルコキシ基、アシロキシ基、アルケニルオキシ基、イソシアネート基等）またはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）であり、ｄ、ｅは独立に１～２の整数であり、ｃ、ｆは独立に１～５（好ましくは１～２）の整数であり、ａおよびｂは独立に２または３である。 【００５９】 化合物(ＩＶ)が有するＲｆ２においてｓ＋ｔ＋ｕは、２０～３００であることが好ましく、２５～１００であることがより好ましい。また、Ｒ２、Ｒ３としては、メチル基、エチル基、ブチル基がより好ましい。Ｘ２、Ｘ３で示される加水分解性基としては、炭素数１～６のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。また、ａおよびｂはそれぞれ３が好ましい。 【００６０】 【化３】 ［図：0001395210000006.jpg］ 式（Ｖ）中、ｖは１～３の整数であり、ｗ、ｙ、ｚはそれぞれ独立に０～２００の整数であり、ｈは１または２であり、ｉは２～２０の整数であり、Ｘ４は加水分解性基であり 、Ｒ４は炭素数１～２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり、ｋは０～２の整数である。ｗ＋ｙ＋ｚは、２０～３００であることが好ましく、２５～１００であることがより好ましい。また、ｉは２～１０であることがより好ましい。Ｘ４は、炭素数１～６のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。Ｒ４としては、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましい。 【００６１】 また、市販されているポリフルオロポリエーテル基、ポリフルオロアルキレン基及びポリフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有するフッ素含有有機ケイ素化合物として、ＫＰ－８０１（商品名、信越化学社製）、ＫＹ１７８（商品名、信越化学社製）、ＫＹ－１３０（商品名、信越化学社製）、ＫＹ１８５（商品名、信越化学社製）、オプツ－ル（登録商標）ＤＳＸおよびオプツール（登録商標）ＡＥＳ（いずれも商品名、ダイキン社製）などが好ましく使用できる。」 （オ）「【００８３】 まず、各実験例の防汚膜について以下の手順により擦り試験を行った。 【００８４】 底面が１０ｍｍ×１０ｍｍである平面金属圧子の表面に、スチールウール＃００００を装着して、サンプルを擦る摩擦子とした。 【００８５】 次に、上記摩擦子を用い、平面摩耗試験機３連式（大栄科学精器社製、型式：ＰＡ－３００Ａ）にて擦り試験を行った。具体的には、まず上記摩擦子の底面がサンプルの防汚膜面に接触するよう摩耗試験機に取り付け、摩擦子への加重が１０００ｇとなるように重りを載せ、平均速さ６４００ｍｍ／ｍｉｎ、片道４０ｍｍで往復摺動した。往復１回で擦り回数１回として、擦り回数が２０００回となるように擦り試験を行った。 【００８６】 その後、防汚膜について以下の手順により水接触角の測定を行った。 【００８７】 防汚膜の水接触角の測定は、自動接触角計（協和界面科学社製、型式：ＤＭ－５０１）を用いて、防汚膜上に純水１μＬを滴下し、その接触角を測定することにより行った。測定に際しては、各試料について防汚膜表面の１０箇所で測定を行い、その平均値を当該試料の水接触角とした。 【００８８】 この際、水接触角が９０°以上を合格とし、９０°未満を不合格として評価した。」 （カ）「【００９６】 次いで低反射膜上に防汚膜を以下の手順により成膜した。 【００９７】 まず、防汚膜材料Ａ（ダイキン社製、商品名：オプツール（登録商標）ＤＳＸ剤）を加熱容器内に導入した。その後、加熱容器内を真空ポンプで１０時間以上脱気して溶液中の溶媒除去を行って、フッ素含有有機ケイ素化合物被膜形成用の組成物とした。 【００９８】 次いで、上記フッ素含有有機ケイ素化合物膜形成用の組成物が入った加熱容器を２７０℃まで加熱した。２７０℃に到達した後、温度が安定するまで１０分間その状態を保持した。 【００９９】 そして、真空チャンバ内に設置した上記低反射膜が積層された透明基体の、低反射膜に対して、前記フッ素含有有機ケイ素化合物膜形成用の組成物が入った加熱容器と接続されたノズルから、フッ素含有有機ケイ素化合物膜形成用の組成物を供給し、成膜を行った。 【０１００】 成膜の際には、真空チャンバ内に設置した水晶振動子モニタにより膜厚を測定しながら行い、透明基体Ａ上に形成したフッ素含有有機ケイ素化合物膜の膜厚が７ｎｍになるまで成膜を行った。」 「【０１２１】 ・・・・ ［例５］ 以下の手順により、光学部品を製造した。 【０１２２】 透明基体として化学強化処理が施されたガラス基体（旭硝子社製、商品名：ドラゴントレイル（登録商標））を用いた。薄膜形成装置には、Ｓｉターゲットを備えたカソード、 Ｓｎ含有Ｓｉターゲットを備えたカソード、プラズマ源、透明基体をセットできる回転ドラムからなる装置を用いた。そして、透明基体の一方の面に以下の手順により低反射膜を成膜した。 【０１２３】 薄膜形成装置の真空度が２×１０－４Ｐａ以下になった後、Ｓｉターゲットにアルゴンガスを８５ｓｃｃｍ、プラズマ源に窒素ガスを１０５ｓｃｃｍで導入した。その後、Ｓｉターゲットのカソードに電力６ｋＷを、プラズマ源に電力０．５５ｋＷを投入してスパッタリングを行い、厚さ２６ｎｍ、屈折率（ｎ）２．０９の高屈折率層を形成した。 【０１２４】 次に、ＳｉターゲットとＳｎ含有Ｓｉターゲットにそれぞれアルゴンガスを４０ｓｃｃｍ、プラズマ源に酸素ガスを１４０ｓｃｃｍで導入した。その後、Ｓｉターゲットのカソードに電力６ｋＷを、Ｓｎ含有Ｓｉターゲットに電力０．６ｋＷを、プラズマ源に電力０．８５ｋＷを投入してスパッタリングを行い、高屈折率層の上に厚さ３０ｎｍ、屈折率（ｎ）１．４９の低屈折率層を形成した。 【０１２５】 この後、この低屈折率層の上に、上述した高屈折率層と同様の材料を用いて、同様の形成方法により、厚さが５０ｎｍの高屈折率層を形成した。さらにこの高屈折率層の上に、上述した低屈折率層と同様の材料を用いて、同様の形成方法により、厚さが８８ｎｍの低屈折率層を形成した。 【０１２６】 このようにして、窒化ケイ素（窒化シリコン）とＳｉとＳｎとの混合酸化物とが合計４層積層された低反射膜を形成した。 【０１２７】 今回は、ＳｉターゲットとＳｎ含有Ｓｉターゲットを用いたが、Ｓｎ含有Ｓｉターゲットだけで低屈折率層を成膜してもよい。また、今回はＳｎ含有Ｓｉターゲットを用いたが、Ｚｒ含有ＳｉターゲットやＡｌ含有Ｓｉターゲットであってもよい。ついで、防汚膜の形成は、例１と同様にして防汚膜を形成した。 【０１２８】 このようにして得られた試料について上記表面粗さの測定、擦り耐久性試験を行った。 結果を表１に示す。」 （キ）「【０１３９】 【表１】 ［図：0001395210000007.jpg］ 」 （ク）「【図１】 ［図：0001395210000008.jpg］ 」 （ケ）甲３に記載された発明 甲３には、特に例５の記載からみて、次の「甲３発明」が記載されていると認められる。 「化学強化ガラスの上に、低反射膜の第４層として、ＳｉとＳｎとの混合酸化物の層を位置させ、その直上に、フッ素含有有機ケイ素化合物のダイキン社製オプツールＤＳＸ剤からなる防汚層を位置させた、光学部品。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲３発明を対比する。 甲３発明の「化学強化ガラス」は本件発明１の「基材」及び「ガラス基材」に相当する。 甲３発明の「低反射膜」の「ＳｉとＳｎとの混合酸化物の層」と、本件発明１の「Ｓｉを含む複合酸化物を含み」、「前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである」、「中間層」とは、「金属酸化物を含む層」という限りで一致する。 甲３発明の「光学部品」は本件発明１の「物品」に相当する。 また、甲３発明の「フッ素含有有機ケイ素化合物のダイキン社製オプツールＤＳＸ剤からなる防汚層」と、本件発明１の「含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層」とは、「フッ素含有有機ケイ素化合物を含む層」という限りで一致する。 そうすると、本件発明１と甲３発明とは、 「基材と、 前記基材上に位置する、金属酸化物を含む層と、 前記金属酸化物を含む層の直上に位置する、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む層とを有して成る、物品。」で一致し、 次の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。 ＜相違点１＞ 「金属酸化物を含む層」に関して、 本件発明１は、「Ｓｉを含む複合酸化物を含み」、「前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである」、「中間層」であるのに対し、 甲３発明は「低反射膜」の「ＳｉとＳｎとの混合酸化物の層」である点。 ＜相違点２＞ 「フッ素含有有機ケイ素化合物を含む層」に関して、 本件発明１が、「含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層」であって、「前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）： 【化１】 ［図：0001395210000009.jpg］ ［式中： ＲＦ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ１－ＲＦ－Ｏｑ－であり； ＲＦ２は、－Ｒｆ２ｐ－ＲＦ－Ｏｑ－であり； Ｒｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－１６アルキル基であり； Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－６アルキレン基であり； ＲＦは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり； ｐは、０または１であり； ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり； ＲＳｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； 少なくとも１つのＲＳｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； ＸＡは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基であり； αは、１～９の整数であり； βは、１～９の整数であり； γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］ で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物であ」のに対し、 甲３発明は、「フッ素含有有機ケイ素化合物のダイキン社製オプツールＤＳＸ剤からなる防汚層」である点。 （イ）上記相違点１について検討する。 甲３には、防汚層に接する低反射膜の層について、「ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するもの」を含むようにすることは、記載も示唆もされていない。 また、他の証拠にも記載も示唆もされていない。 したがって、上記相違点１に係る本件発明１の構成は、甲３発明に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。 （ウ）よって、上記相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲３発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 本件発明４～７、９～１５について 本件発明４～７、９～１５は、本件発明１の発明特定事項をすべて備えるものであるところ、本件発明１が、上記イで述べたように、本件発明１は、甲３発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明４～７、９～１５も、甲３発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 エ 本件発明１６について （ア）甲３には、次の製造方法に係る発明（以下「甲３製造方法発明」という。）も記載されていると認められる。 「化学強化ガラスの上に、低反射膜の第４層として、ＳｉとＳｎとの混合酸化物の層を成膜し、その直上に、フッ素含有有機ケイ素化合物のダイキン社製オプツールＤＳＸ剤からなる防汚層を成膜した、方法。」 この甲３製造方法発明と、本件発明１６を対比すると、表面処理層に係る上記相違点２で相違するほか、次の相違点３で相違する。 ＜相違点３＞ 本件発明１６は、「Ｓｉと他の金属を同時に蒸着させて、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層を形成すること、ここに、前記他の金属は、ＴａまたはＮｂであ」るのに対し、 甲３製造方法発明は、ＳｉとＳｎとの混合酸化物の層を成膜した点。 （イ）この相違点３について検討する。 甲３には、防汚層に接する低反射膜の層として、ＳｉとＴａまたはＮｂの複合酸化物を形成することは、記載も示唆もされていない。 また、他の証拠にも記載も示唆もされていない。 したがって、上記相違点３に係る本件発明１の構成は、甲３製造方法発明に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。 （ウ）よって、上記相違点２について検討するまでもなく、本件発明１６は、甲３製造方法発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）甲４を主引用例とする理由１について ア 甲４の記載事項、甲４に記載された発明 甲４には、以下の事項が記載されている。 （ア）「【請求項１】 少なくとも一つの表面を有する物品であって、前記表面の少なくとも一部を、静的水接触角が少なくとも１１５°に等しくなるような表面粗さを有する超高疎水性膜で被覆され、前記膜は ―物品の表面に付着する少なくとも１種の結合剤で結合されたナノ粒子を含む第１層と、 ―前記第１層の少なくとも一部を被覆する防汚トップコートである第２層と を含むナノ構造膜である物品。」 「【請求項２０】 ナノ粒子が金属または半金属の酸化物、窒化物、フッ化物、またはこれらの混合物の中から選択される無機質のナノ粒子である、請求項１または２のいずれかに記載の物品。 【請求項２１】 無機質のナノ粒子が酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化セリウム、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、またはこれらの混合物のナノ粒子の中から選択される、請求項２０に記載の物品。」 「【請求項２８】 物品が金属、合金、セラミック、ガラス、木材、模造木材、複合材、塗料面、合成ポリマー、石材の中から選択された材料から成る、請求項１または２のいずれかに記載の物品。 【請求項２９】 物品が光学品、好ましくは眼科用レンズまたはレンズブランクである、請求項１または２のいずれかに記載の物品。」 （イ）「【００３１】 本発明のナノ構造膜は二つの層、すなわち、少なくとも１種の結合剤および該結合剤で結合されたナノ粒子を含むナノ構造層と、ナノ構造層を少なくとも部分的に覆う、低エネルギー表面をもたらす防汚トップコートの層とを必須的に含む。本発明の膜は、特定の表面形状をもたらす粒子の入念な選択によって作られる特定の物理的構造、すなわちランダムな凹凸を具えた表面を有する。 【００３２】 本発明によれば、物品の表面に付着する少なくとも１種の結合剤で結合されたナノ粒子の層がナノ構造層を構成する。本発明に関してナノ構造膜または層という語は、表面の凹凸の寸法がナノメートルの範囲に有るような表面粗さを有する膜または層を意味する。表面の凹凸の寸法は用いるナノ粒子の寸法と密接に関連する。」 「【００５４】 好ましくは、本発明の超高疎水性膜に用いるナノ粒子の粒径は１５０ｎｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは７０ｎｍ以下である。その大部分が４０ｎｍ以下の粒径を有するナノ粒子も有用である。好ましくは、ナノ粒子の粒径は１０ｎｍ以上である。これらの条件を全部のナノ粒子が満たすことが好ましい。 【００５５】 好ましい一実施形態において、本発明の膜の第１層は粒径２０～１５０ｎｍ、好ましくは２０～１００ｎｍのナノ粒子を含む。 その際、被覆された本発明の物品の光透過率Ｔは少なくとも可視スペクトル波長域において８５％より高く、より好ましくは９０％より高く、さらに好ましくは９２％を越え、曇り度は０．８未満、好ましくは０．５未満である。 【００５６】 粒径１５０ｎｍ以下のナノ粒子を含む本発明の超高疎水性膜は、それ自体で反射防止特性を有する。好ましくは、被覆された本発明による物品の可視域反射は３％未満であり、２％未満であればなお好い。 【００５７】 ナノ粒子は有機質でも無機質でもよく、両者を混合して用いることも可能である。好ましくは無機ナノ粒子、特に金属もしくは半金属の酸化物、窒化物またはフッ化物のナノ粒子かまたはこのようなナノ粒子の混合物が用いられる。 【００５８】 好適な無機ナノ粒子は、例えば酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３、酸化ケイ素ＳｉＯまたはＳｉＯ２、酸化ジルコニウムＺｒＯ２、酸化チタンＴｉＯ２、酸化アンチモン、酸化タンタルＴａ２Ｏ５、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化セリウム、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、またはこれらの混合物のナノ粒子である。混合酸化物の粒子を用いることも可能である。異なる種類のナノ粒子を用いることで、ヘテロ構造のナノ粒子層の形成が可能となる。好ましくは、ナノ粒子は酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムまたは酸化ケイ素ＳｉＯ２の粒子であり、より好ましくはＳｉＯ２ナノ粒子である。」 （ウ）「【００９１】 ナノ粒子のナノ構造層の少なくとも一部の上にデポジットされる防汚トップコートの層は、低表面エネルギーのトップコートである。」 「【００９４】 本発明による防汚トップコートは好ましくは有機性である。有機性とは、被覆層が該層の総質量の少なくとも４０質量％、好ましくは少なくとも５０質量％の有機材料を含むことを意味する。好ましい防汚トップコートは、少なくとも１種のフッ素化化合物を含有する液状被覆材料から作製される。 【００９５】 疎水性および／または疎油性の表面被膜は大抵の場合、フッ素化された基、特に１個以上のパーフルオロカーボンまたはパーフルオロポリエーテル基を有するシラン主体の化合物を含む。・・・・ 【００９６】 通常の防汚トップコート形成方法では、フッ素化基およびＳｉ－Ｒ基を有する化合物をデポジットし、前記式中Ｒは－ＯＨ基か、または－Ｃｌ、－ＮＨ２、－ＮＨ－もしくは－Ｏ－アルキルといったその前駆物質であり、好ましくはアルコキシ基である。この化合物はデポジットされた表面で直ちに、または加水分解後に側鎖の反応性基によって重合および／または架橋反応し得る。 【００９７】 好ましいフッ素化化合物は、フッ素化炭化水素、パーフルオロカーボン、Ｆ３Ｃ－（ＯＣ３Ｆ６）２４－Ｏ－（ＣＦ２）２－（ＣＨ２）２－Ｏ－ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３などのフッ素化ポリエーテル、およびパーフルオロポリエーテルの中から選択される少なくとも１種の基、特にパーフルオロポリエーテルを有するシランおよびシラザンである。 【００９８】 フルオロシランの中から、式： 【化１】 ［図：0001395210000010.jpg］ 〔式中、ｎは５、７、９または１１であり、Ｒはアルキル基で、典型的にはメチル、エチルおよびプロピル； ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３； 【化２】 ［図：0001395210000011.jpg］ などのＣ１～Ｃ１０アルキル基であり、前記式中ｎ’は７または９であり、Ｒは先に規定したとおりである〕の化合物を挙げることができる。 【００９９】 やはり疎水性および／または疎油性トップコートの作製に有用である、フルオロシラン化合物を含有する組成物が米国特許第６，１８３，８７２号に開示されている。この組成物は下記一般式で表わされる、５×１０２～１×１０５の数平均分子量を有するケイ素含有有機フルオロポリマーを含む。 【０１００】 【化３】 ［図：0001395210000012.jpg］ 〔式中、ＲＦはパーフルオロアルキル基であり、Ｚはフッ素原子またはトリフルオロメチル基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅはそれぞれ独立に０または１以上の整数であり、ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは１未満でなく、括弧に入れ、下付き記号ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅを付した反復単位の式中に現われる順番は上記に限定されず、Ｙは水素原子、または炭素数１～４のアルキル基であり、Ｘは水素、臭素またはヨウ素原子であり、Ｒ１はヒドロキシ基、または加水分解可能な置換基であり、Ｒ２は水素原子、または一価の炭化水素基であり、ｌは０、１または２であり、ｍは１、２または３であり、ｎ”は１以上、好ましくは２以上の整数である〕。 【０１０１】 疎水性および／または疎油性表面被膜の形成に好ましく用いられる他の組成物に、フッ素化ポリエーテル基、特にパーフルオロポリエーテル基を有する化合物を含有するものが有る。フッ素化ポリエーテル基を含有する組成物で特に好ましいものは米国特許第６，２７７，４８５号に開示されている。米国特許第６，２７７，４８５号の防汚トップコートはフッ素化シロキサンを含む、少なくとも部分的に硬化した被膜であり、この被膜は式： 【化４】 ［図：0001395210000013.jpg］ 〔式中、ＲＦは一価または二価のポリフルオロポリエーテル基であり、Ｒ１は、場合によっては１個以上のヘテロ原子または官能基を有し、かつ場合によってはハロゲン原子で置換されている、好ましくは炭素数２～１６のアルキレン基、アリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、Ｒ２は低級アルキル基（すなわちＣ１～Ｃ４アルキル基）であり、Ｙはハロゲン原子、低級アルコキシ基（すなわちＣ１～Ｃ４アルコキシ基で、好ましくはメトキシ基またはエトキシ基）または低級アシルオキシ基（すなわち－ＯＣ（Ｏ）Ｒ３で、式中Ｒ３はＣ１～Ｃ４アルキル基）であり、ｘは０または１であり、ｙは１（ＲＦが一価の時）または２（ＲＦが二価の時）である〕のフッ素化シランを少なくとも１種含有する（典型的には溶液状の）被覆組成物の適用によって作製される。好適化合物は典型的には、少なくとも約１０００の分子量（数平均）を有する。好ましくは、Ｙは低級アルコキシ基であり、ＲＦはパーフルオロポリエーテル基である。 【０１０２】 防汚トップコートの作製に用いられる市販組成物には、信越化学工業によって販売されている組成物ＫＹ １３０およびＫＰ ８０１Ｍ、並びにダイキン工業によって販売されている組成物ＯＰＴＯＯＬ ＤＳＸ（パーフルオロプロピレン部分を有するフッ素主体の樹脂）が有る。最も好ましい防汚トップコート用被覆材料はＯＰＴＯＯＬ ＤＳＸである。」 （エ）甲４に記載された発明 甲４には、特に請求項１、請求項２１、請求項２８、請求項２９及び【００９５】の記載からみて、次の「甲４発明」が記載されている認められる。 「ガラスの表面に、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化セリウム等の混合物からなるナノ粒子を含む第１層と、前記第１層を被覆する、フッ素化された基、特に１個以上のパーフルオロカーボンまたはパーフルオロポリエーテル基を有するシラン主体の化合物を含む第２層を含む、光学品。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲４発明を対比する。 本件発明１と甲４発明を対比すると、甲４発明の「ガラス」は本件発明１の「基材」及び「ガラス基材」に相当し、甲４発明の「光学部品」は本件発明１の「物品」に相当する。 甲４発明の「酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化セリウム等の混合物からなるナノ粒子を含む第１層」と、本件発明１の「Ｓｉを含む複合酸化物を含み」、「前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである」、「中間層」とは、「金属酸化物を含む層」という限りで一致する。 また、甲４発明の「第１層を被覆する、フッ素化された基、特に１個以上のパーフルオロカーボンまたはパーフルオロポリエーテル基を有するシラン主体の化合物を含む第２層」と、本件発明１の「中間層の直上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層」とは、「金属酸化物を含む層の直上に位置する、フッ素含有シラン化合物を含む層」という限りで一致する。 そうすると、本件発明１と甲４発明とは、 「基材と、 前記基材上に位置する、金属酸化物を含む層と、 前記金属酸化物を含む層の直上に位置する、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む層を有して成る、物品。」で一致し、 次の＜相違点４＞及び＜相違点５＞で相違する。 ＜相違点４＞ 「金属酸化物を含む層」に関して、 本件発明１は、「Ｓｉを含む複合酸化物を含み」、「前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである」、「中間層」であるのに対し、 甲４発明は、「酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化セリウム等の混合物からなるナノ粒子を含む第１層」である点。 ＜相違点５＞ 「フッ素含有有機ケイ素化合物を含む層」に関して、 本件発明１が、「含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層」であって、「前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）： 【化１】 ［図：0001395210000014.jpg］ ［式中： ＲＦ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ１－ＲＦ－Ｏｑ－であり； ＲＦ２は、－Ｒｆ２ｐ－ＲＦ－Ｏｑ－であり； Ｒｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－１６アルキル基であり； Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－６アルキレン基であり； ＲＦは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり； ｐは、０または１であり； ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり； ＲＳｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； 少なくとも１つのＲＳｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり； ＸＡは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基であり； αは、１～９の整数であり； βは、１～９の整数であり； γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］ で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物であ」のに対し、 甲４発明は、「フッ素化された基、特に１個以上のパーフルオロカーボンまたはパーフルオロポリエーテル基を有するシラン主体の化合物を含む第２層」である点。 （イ）上記相違点４について検討する。 甲４には、第１層について、「ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するもの」を含むようにすることは、記載も示唆もされていない。 また、他の証拠にも記載も示唆もされていない。 したがって、上記相違点４に係る本件発明１の構成は、甲４発明に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。 （ウ）よって、上記相違点５について検討するまでもなく、本件発明１は、甲４発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 本件発明４～７、９～１５について 本件発明４～７、９～１５は、本件発明１の発明特定事項をすべて備えるものであるところ、本件発明１が、上記イで述べたように、本件発明１は、甲４発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明４～７、９～１５も、甲４発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 エ 本件発明１６について （ア）甲４には、次の製造方法に係る発明（以下「甲４製造方法発明」という。）も記載されている。 「ガラスの表面に、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化セリウム等の混合物からなるナノ粒子を含む第１層を成膜し、前記第１層を被覆する、フッ素化された基、特に１個以上のパーフルオロカーボンまたはパーフルオロポリエーテル基を有するシラン主体の化合物を含む第２層を成膜する、方法。」 この甲４製造方法発明と、本件発明１６を対比すると、表面処理層に係る上記相違点５で相違するほか、次の相違点６で相違する。 ＜相違点６＞ 本件発明１６は、「Ｓｉと他の金属を同時に蒸着させて、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層を形成すること、ここに、前記他の金属は、ＴａまたはＮｂであ」るのに対し、 甲４製造方法発明は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化セリウム等の混合物からなるナノ粒子を含む第１層を成膜した点。 （イ）この相違点６について検討する。 甲６には、第１層について、Ｓｉと、ＴａまたはＮｂの複合酸化物を含んで形成することは、記載も示唆もされていない。 また、他の証拠にも記載も示唆もされていない。 したがって、上記相違点６に係る本件発明１６の構成は、甲４製造方法発明に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。 （ウ）よって、上記相違点５について検討するまでもなく、本件発明１６は、甲４製造方法発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）理由２について 本件訂正により、本件発明１の複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものであると特定された。 本件特許の発明の詳細な説明の記載を参酌すると、ＳｉとＴａの複合酸化物については、アルカリ浸漬試験により耐薬品性が、摩擦耐久性試験により摩擦耐久性が確認されており、ＳｉとＴａの複合酸化物を含む中間層を備えたものは、本件発明の「より摩擦耐久性、耐薬品性の高い表面処理層を有する物品を提供する」（本件明細書の段落【０００５】）という課題を解決し得ると認識できるものである。 また、ＳｉとＮｂの複合酸化物についても、本件特許の発明の詳細な説明のＳｉとＮｂの複合酸化物の実施例１０から、比較例のＳｉの酸化物と比べて、アルカリ浸漬試験において耐薬品性が高い傾向があることが把握できる。なお、令和４年８月１日の意見書における、ＳｉとＮｂの複合酸化物が、Ｓｉの酸化物と比べてアルカリ浸漬試験と摩擦耐久性試験に関し良好であるとする、追加試験の結果もこれを裏付けている。 よって、「複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである」との事項を備える本件発明は、サポート要件を満たすものである。 ３．取消理由に採用しなかった特許異議申立理由について （１）甲１を主引用例とする新規性及び進歩性に係る申立理由 ア 甲１に記載された発明 甲１（特に、【００２４】～【００２５】）には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「ガラス等より成る基材４０の上に、フィルム基材１を配置し、 フィルム基材１の上には、第１の屈折率層４、第２の屈折率層５、第３の屈折率層６、第４の屈折率層７及び防汚層がこの順に積層され、第１～第４の屈折率層４～７により反射防止層１０が構成される、積層体。」 イ 対比 本件発明１と甲１発明を対比すると、本件発明１の表面処理層の直下に位置する「中間層」と、甲１発明の防汚層の直下に位置する「第４の屈折率層７」に関し、本件発明１が「Ｓｉを含む複合酸化物を含み」、「前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり、前記複合酸化物は、ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するものである」、「中間層」であるのに対し、甲１発明の「第４の屈折率層７」はそのように特定されていない点（以下「相違点７」という。）で、少なくとも相違する。 ウ 判断 上記相違点７について検討する。 甲１発明の防汚層の直下に位置する「第４の屈折率層７」は、第１～第３の屈折率層４～６とともに反射防止層１０を構成するものであって、甲１には、第１～第４の各屈折率層４～７について、 「【００３８】 そして反射防止層１０は、上述したように異なる屈折率を有する屈折率層を２層以上積層したものを用いることができる。 特に、フィルム基材１又は補助フィルム基材１３側から順に、比較的屈折率の高い第１の屈折率層、比較的屈折率の低い第２の屈折率層、比較的屈折率の高い第３の屈折率層、比較的屈折率の低い第４の屈折率層より構成することによって、即ち第１及び第３の屈折率層の屈折率を、第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大として構成することによって、それらの光干渉効果を利用して反射率を効率良く抑えることができる。」 「【００４１】 そして反射防止層を構成する屈折率層のうち、比較的屈折率の高い第１及び第３の屈折率層の材料としては、１．８５以上の屈折率を持つ光透過性材料であれば特に制限は無いが、ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＩＴＯ及びこれらを主成分とした合金酸化物が一般的に用いられる。即ち、上述のＳｉＮ、ＴｉＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＩＴＯを主成分としてその特性に影響を与えない範囲でＳｉ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ａｌ等の金属を添加したものがあげられる。・・・・ 【００４２】 ・・・・ 比較的屈折率の低い第２及び第４の屈折率層としては、ＭｇＦ2 、ＳｉＯ2 等、またはこれに微量の添加物を混入した材料が用いられるが、スパッタリング法を用いる場合はＳｉＯ2 が最も望ましい。」と記載されている。 甲１において、第４の屈折率層については、第１～第３の屈折率層との組み合わせにおいて、ＳｉＯ2 が最も望ましいとされており、甲１発明の防汚層の直下に位置する「第４の屈折率層」を「ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物であり」、「ＳｉとＴａの酸化物またはＳｉとＮｂの酸化物が均一相を構成するもの」に換える動機付けはなく、他の証拠にも記載ないし示唆はない。 したがって、上記相違点７に係る本件発明１の構成は、甲１発明に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。 よって、本件発明１は甲１発明ではなく、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 本件発明４～７、９～１６についても同様である。 エ 以上より、甲１を主引用例とする新規性及び進歩性に係る理由には理由がない。 （２）甲３、甲４を主引用例とする新規性に係る申立理由 上記２．（１）及び（２）で述べたように、本件発明１と甲３発明との間の相違点１は実質的な相違点であり、本件発明１は甲３発明ではなく、本件発明１と甲４発明との間の相違点４は実質的な相違点であり、本件発明１は甲４発明ではない。 本件発明４～７、１６についても同様である。 以上より、甲３、甲４を主引用例とする新規性に係る理由には理由がない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、本件特許の請求項１、４～７、９～１６に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。また、他に本件特許の請求項１、４～７、９～１６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 本件訂正により、請求項２、３、８、１７に係る特許は削除されたため、請求項２、３、８、１７に対して申立人がした特許異議の申立ては、不適法であって、その補正をすることができないものであることから、特許法第１２０条の８第１項で準用する特許法第１３５条の規定により、却下すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。