2022-700175

特許第６９２８２９７号発明「銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９２８２９７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕、〔５～６〕について訂正することを認める。 特許第６９２８２９７号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９２８２９７号に係る出願は、令和２年１０月６日（優先権主張 令和１年１２月１２日）を出願日とする出願であって、令和３年８月１１日にその請求項１～６に係る発明について特許権の設定登録がされ、同年９月１日に特許掲載公報が発行され、その後、全請求項に係る特許に対して、令和４年２月２８日に特許異議申立人 茂木 早苗（以下、「申立人」という。）により甲第１～５号証を証拠方法として特許異議の申立てがされ、同年３月３１日に申立人より甲第４号証の翻訳文を添付して特許異議申立書の手続補正書（方式）が提出され、同年５月１２日付で当審より取消理由が通知され、その指定期間内である同年７月１１日に特許権者より意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、同年８月２５日に申立人より甲第６～７号証を添付して意見書（以下、「申立人意見書」という。）が提出されたものである。 第２ 本件訂正請求による訂正の適否 １ 訂正の内容 本件訂正請求による訂正（以下、「本件訂正」という。）は、以下の訂正事項１～５からなるものである（当審注：下線は訂正箇所であり、当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に、 「特徴とする記載の銅／セラミックス接合体。」 と記載されているのを、 「特徴とする銅／セラミックス接合体。」 に訂正する（請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２及び３も同様に訂正する。）。 （２）訂正事項２ 本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２に、 「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 と記載されているのを、 「前記セラミックス部材の接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 に訂正する（請求項２を引用する請求項３も同様に訂正する。）。 （３）訂正事項３ 本件訂正前の本件特許明細書の段落【００１４】に、 「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 と記載されているのを、 「前記セラミックス部材の接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 に訂正する。 （４）訂正事項４ 本件訂正前の特許請求の範囲の請求項５に、 「前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 と記載されているのを、 「前記セラミックス基板の接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 に訂正する（請求項５を引用する請求項６も同様に訂正する。）。 （５）訂正事項５ 本件訂正前の本件特許明細書の段落【００２０】に、 「前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 と記載されているのを、 「前記セラミックス基板の接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」 に訂正する。 （６）一群の請求項について 本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２～３は、請求項１を直接的又は間接的に引用するものであるから、本件訂正前の請求項１～３は特許法第１２０条の５第４項に規定される一群の請求項であり、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項６は、請求項５を引用するものであるから、本件訂正前の請求項５～６は特許法第１２０条の５第４項に規定される一群の請求項であり、訂正事項１、２及び４に係る特許請求の範囲の訂正は、特許法第１２０条の５第４項所定の規定に従い、この一群の請求項１～３、５～６を訂正の単位として請求されたものである。 また、訂正事項３及び５に係る明細書の訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第４項所定の規定に従い、この一群の請求項１～３、５～６を訂正の単位として請求されたものである。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１に係る訂正は、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１の「特徴とする記載の銅／セラミックス接合体。」における「記載の」を削除するものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項１に係る訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことは明らかである。 （２）訂正事項２及び４について 訂正事項２及び４に係る訂正は、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２の「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面」の記載及び同請求項５の「前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面」の記載の意味が明瞭でなかったのを、願書に添付した明細書の段落【００５７】及び【図１０】の記載に基づいて、それぞれ「前記セラミックス部材の接合界面」及び「前記セラミックス基板の接合界面」と訂正して記載の意味を明瞭にするものであるから、いずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （３）訂正事項３及び５について 訂正事項３及び５に係る訂正は、前記訂正事項２及び４に係る訂正に伴い、本件訂正後の特許請求の範囲における請求項２及び同請求項５の記載と本件訂正前の明細書の段落【００１４】及び【００２０】の記載とがそれぞれ不整合となっていたところ、これらを整合させて記載を明瞭にするものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 そして、前記（２）に記載したのと同様の理由により、訂正事項３及び５に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （４）独立特許要件について 本件訂正請求においては、全ての請求項に対して特許異議の申立てがされているので、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。 ３ 申立人意見書について （１）申立人意見書における申立人の主張の概要は以下のとおりである。 訂正事項２及び４について、願書に添付した明細書の段落【００５３】～【００５４】によれば、本件特許に係る発明における接合された「銅部材」と「セラミックス部材」の間には所定の厚さを有するろう材の接合層が存在することが推認されるのにも関わらず、本件訂正において接合層の存在を何ら特定せず、更には、接合の相手の部材も特定せずに「セラミックス部材の接合界面」と訂正することは、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものである（１ページ下から１０行～２ページ８行）。 （２）申立人の主張についての当審の判断 以下、前記（１）の主張について検討すると、もともと、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１及び前記請求項１を引用する同請求項２においては、ろう材の接合層は特定されていない。 また、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１及び前記請求項１を引用する請求項２の発明特定事項からみれば、前記請求項２における「セラミックス部材」の接合の相手が「銅部材」であることは明らかであるから、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項２において、ろう材の接合層の存在や接合の相手の部材が特定されていないからといって、訂正事項２及び４に係る訂正が実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものであるとはいえないので、前記（１）の主張は採用できない。 ４ 小括 以上のとおりであるので、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、かつ、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 したがって、訂正後の請求項１～３、５～６について訂正することを認める。 第３ 本件発明 本件訂正が認められることは前記第２に記載したとおりであるので、本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明６」といい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 「【請求項１】 銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、 前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、 この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、 前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下であることを特徴とする銅／セラミックス接合体。 【請求項２】 前記セラミックス部材の接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域における最大押し込み硬さが７０ｍｇｆ／μｍ２以上１３５ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項１に記載の銅／セラミックス接合体。 【請求項３】 前記活性金属がＴｉであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の銅／セラミックス接合体。 【請求項４】 アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、 前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面においては、前記セラミックス基板側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、 この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、 前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下であることを特徴とする絶縁回路基板。 【請求項５】 前記セラミックス基板の接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域における最大押し込み硬さが７０ｍｇｆ／μｍ２以上１３５ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項４に記載の絶縁回路基板。 【請求項６】 前記活性金属がＴｉであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の絶縁回路基板。」 第４ 特許異議申立理由の概要 １ 特許法第２９条第２項所定の規定違反（進歩性欠如）について （１）甲第１号証を主引用例とした場合について 本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１～６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである(特許異議申立書１４ページ１６行～２５ページ６行)。 （２）甲第２号証を主引用例とした場合について 本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１～６に係る発明は、甲第２号証に記載された発明及び甲第１号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである(特許異議申立書２５ページ７行～２９ページ１２行)。 ２ 特許法第３６条第６項第２号所定の規定違反（明確性要件違反）について （１）本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１の「特徴とする記載の」の意味が不明確であるので、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明及び前記請求項１を直接的又は間接的に引用する本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２～３に係る発明は明確でない(特許異議申立書２９ページ１４行～１７行)。 （２）本件特許明細書の段落【００４６】、【００４７】、【００５３】の記載を踏まえると、本件特許に係る発明のセラミックスに含有されるアルミニウムは、一般に用いられるアルミナなどの焼結助剤や、不純物に由来する程度の量では足りず、相当量のアルミニウムが含有されている必要があると推認されるが、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１～６は、「アルミニウム含有セラミックス」にどの程度のアルミニウムが含有されているのかを特定していないので、前記請求項１～６に係る発明は明確でない(特許異議申立書２９ページ１８行～３０ページ８行)。 （３）本件特許明細書の段落【００５６】の記載によれば、本件特許に係る発明においては、Ａｇの濃度が０．４原子％未満のとき、粒界にＡｇが「無」と判断されるのに対して、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１～６はＡｇの濃度を特定していないから、「活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、」との発明特定事項が、Ａｇの濃度が０原子％よりも大きく、０．４原子％未満の場合を含むか否かが明確でないので、前記請求項１～６に係る発明は明確でない(特許異議申立書３０ページ９行～２０行)。 （４）銅部材とセラミック部材とが接合された場合、下記図Ａに示すように、銅部材とセラミック部材との間には所定の厚さを有するろう材の「接合層」が存在すると推認される。 「［図Ａ］ ［図：0001394009000001.jpg］ 」 そして、この場合、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面」は形成されないから、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２において、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」がどの範囲の領域を指すのかが明らかでない。 また、仮に、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面」が、「銅部材」又は「セラミックス部材」と接合層との接合界面をいうとしても、「セラミクス部材」と接合層との接合界面ａと、「銅部材」と接合層との接合界面ｂのどちらの界面を意味しているのかが明らかでないから、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」がどの範囲の領域を指すのかが明らかでない。 同様に、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項５の「前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」も、どの範囲の領域を指すのかが明らかでないので、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２、５に係る発明、及び、前記請求項２、５をそれぞれ引用する本件訂正前の請求項３、６に係る発明は明確でない(特許異議申立書３０ページ２１行～３１ページ最終行)。 ３ 特許法第３６条第６項第１号所定の規定違反（サポート要件違反）について （１）セラミックスは、一般的に、不純物や焼結助剤の成分を含み、焼結助剤であるアルミナに由来するアルミニウム成分を含有するセラミックスも「アルミニウム含有セラミックス」といえるが、本件特許明細書では、「アルミニウム含有セラミックス」としてＡｌＮとＡｌ２Ｏ３しか記載されていない。 そして、本件特許明細書の段落【００４６】、【００４７】、【００５３】の記載を踏まえると、本件特許に係る発明のセラミックスに含有されるアルミニウムは、一般に用いられるアルミナなどの焼結助剤や、不純物に由来する程度の量では足りず、相当量のアルミニウムが含有されている必要があると推認されるにもかかわらず、本件特許明細書には、「アルミニウム含有セラミックス」が焼結助剤に由来する程度の微量なアルミニウムしか含有しない場合に、どのように課題が解決されるのかが何ら記載されていないので、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１～６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されていない発明を包含する(特許異議申立書３２ページ２行～１６行)。 （２）本件特許明細書には、活性金属としてＮｂやＨｆが選択された場合の実施例が記載されていないから、活性金属としてＮｂ又はＨｆが選択された場合の発明が、実質的にサポートされていない(特許異議申立書３２ページ１７行～３３ページ４行)。 ４ 証拠方法 甲第１号証：岡村 久宣ら，「Ｔｉ－ＡｇＣｕろうによるＡｌＮセラミックス接合部の組織及び接合機構」，溶接学会論文集，１９９１年，第９巻，第４号，ｐ．４９４－５０１ 甲第２号証：国際公開第２０１８／０２１４７２号 甲第３号証：長野県工業技術総合センターのホームページ（出力日：令和４年２月２４日）(https://www.gitc.pref.nagano.lg.jp/seimitsu/setubi/se_shuuseki11/se_07kodo.html) 甲第４号証：Hysitron社製「TI 950 TriboIndenter」のカタログのホームページ（出力日：令和４年２月２４日）(http://www.novaanalitik.com/pdf/hysitron-950.pdf)及び訳文 甲第５号証：コスモサイエンス株式会社のホームページ（出力日：令和４年２月２４日）(https://www.cosmo-science.co.jp/tec/01.html) 甲第６号証：日本規格協会編，「ＪＩＳハンドブック ３ 非鉄」，２００８年１月３０日，第１版第１刷，財団法人日本規格協会，ｐ．４７４，４７９ 甲第７号証：株式会社東陽テクニカのホームページ（出力日：令和４年８月２４日）（https://www.toyo.co.jp/microscopy/casestudy/detail/id=11238） 第５ 取消理由の概要 １ 特許法第３６条第６項第２号所定の規定違反（明確性要件違反）について （１）本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１の「特徴とする記載の銅／セラミックス接合体。」の意味が不明確であるので、前記請求項１に係る発明及び本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２～３に係る発明は明確でない。 （２）本件特許明細書の段落【００５３】～【００５４】によれば、本件特許に係る発明における接合された「銅部材」と「セラミックス部材」の間には所定の厚さを有するろう材の接合層が存在することが推認され、その場合、「銅部材とセラミックス部材との接合界面」は形成されないから、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２に係る発明における「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」が、「銅部材」におけるいかなる位置をいうのかが明らかでない。 また、仮に、「銅部材とセラミックス部材との接合界面」が、「銅部材」または「セラミックス部材」と接合層との接合界面をいうものであるとしても、「セラミックス部材」と接合層との接合界面と、「銅部材」と接合層との接合界面のどちらの界面を意味しているのかが明らかでないから、前記請求項２に係る発明における「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」が、「セラミックス部材」と接合層との接合界面から「銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」をいうのか、「銅部材」と接合層との接合界面から「銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」をいうのかが明らかでない。 更に、本件特許明細書の段落【００４１】、【図９Ａ】の記載からみれば、本件特許に係る発明においては、銅板２２、２３及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板１１とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生し、この共晶液相中において、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４中のＴｉとセラミックス基板１１中のＮ（窒素）とが反応してＴｉＮが生成し、これにより、セラミックス基板１１の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる活性金属化合物層４１が形成されるものである。 そうすると、本件特許に係る発明における「銅部材」は、「セラミックス部材」の表面が侵食される形で、「セラミックス部材」側に形成された「活性金属化合物層」と接合するものと認められるのであって、「セラミックス部材」と接合するものとは認められないから、仮に、本件発明において、「銅部材」と「セラミックス部材」の間にろう材の接合層が存在しないとしても、「銅部材とセラミックス部材との接合界面」が形成されないことに変わりがないので、前記請求項２に係る発明における「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」が、「銅部材」におけるいかなる位置をいうのかが明らかでない。 したがって、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２に係る発明は明確でないものであり、同請求項３、５及び６について検討しても事情は同じである。 第６ 特許異議申立理由及び取消理由についての当審の判断 事案に鑑み、前記第４の特許異議申立理由及び第５の取消理由についてまとめて検討する。 １ 特許法第２９条第２項所定の規定違反（進歩性欠如）について （１）甲各号証の記載事項及び甲各号証に記載された発明 ア 甲第１号証の記載事項及び甲第１号証に記載された発明 （ア）甲第１号証には、以下の（１ａ）～（１ｇ）の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。また、「…」は記載の省略を表す。以下、同様である。）。 （１ａ）「１．緒言 窒化アルミニウムセラミックス（以下，ＡｌＮと述べる）は，優れた絶縁特性だけでなく，高い熱伝導率（７０～２５０Ｗ／ｍ・Ｋ）を有し，熱膨張率もシリコンに近い。…半導体装置などへＡｌＮを適用するためには，ＡｌＮ同士あるいは金属材料との信頼性の高い接合技術が必要である。これまでも，ＡｌＮの接合方法として，Ｔｉ－Ｐｄ－ＡｕまたはＴｉ－Ｎｉ－Ａｕなどの薄膜メタライズ１），Ｍｏメタライズなどの厚膜メタライズ２），銅箔との直接接合方法３），活性金属ろうによる接合方法４）などが報告されている。…このため，この活性金属ろうによる接合方法は，酸化物系，窒化物系，炭化物系の各種セラミックスにその適用性が広く検討されている５，６）。… 本研究では，ＡｌＮとＴｉ－ＡｇＣｕろうとの接合界面近傍の組織や反応生成物の同定，並びに反応生成物の成長に及ぼすＴｉ添加量，加熱温度，加熱時間などの影響について検討し，これらの結果から，接合機構についての考察を行った。」（４９５ページ左欄１行～３５行） （１ｂ）「２．実験方法 ２．１ 使用材料及び接合方法 Ｔａｂｌｅ １に実験に使用したＡｌＮの特性を示す。…このＡｌＮを接合機構の解明用には厚さ２ｍｍ，２５ｍｍ角，表面粗さ（Ｒａ）０．３μｍに，また，接合部の強度評価用には，Ｆｉｇ．１に示すような寸法に加工して用いた。… ＡｌＮの接合に用いたろう材は，共晶銀ろう（７２ｍａｓｓ％Ａｇ－２８ｍａｓｓ％Ｃｕ）粉末にＴｉ粉末を最大２０ｍａｓｓ％添加し，さらに，これに有機バインダーを添加してペースト状にしたもので，以下，このろう材をＴｉ－ＡｇＣｕろうと述べる。 ＡｌＮとＴｉ－ＡｇＣｕろうとの接合界面近傍の組織及び反応生成物を調査するため，前述の寸法に加工したＡｌＮ表面にペースト状のＴｉ－ＡｇＣｕろうを１００μｍ厚さに印刷し，これを６．６×１０－３Ｐａ（５×１０－５Ｔｏｒｒ）の真空炉中でろう材の融点（約１０７３～１１７３Ｋ）より約５０Ｋ高い温度で１８０ｓ間加熱した。この場合の加熱及び冷却速度は４．７～５．０Ｋ／ｓである。これによって，ＡｌＮ表面に厚さが５０～６０μｍのメタライズ層が形成される。 … ２．２ 接合部の調査方法 前述の方法でＡｌＮ表面にＴｉ－ＡｇＣｕろうのメタライズ層が形成された試験片を接合面に直角方向に切断し，接合部の観察用試料とした。この試料について，ＡｌＮとメタライズ層との接合界面近傍を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察した。さらにエネルギー分散型Ｘ線分光分析法（ＥＤＸ）及び波長分散型Ｘ線分光分析法（ＷＤＸ）により元素分析し，接合部の組織を同定した。また，接合界面近傍の反応生成物は，Ｘ線回折法及び電子線回折法により同定し，これらの結果から，接合機構について考察した。」（４９５ページ左欄３６行～右欄１９行） （１ｃ）「３ 実験結果と検討 ３．１ 接合界面近傍の組織及び元素濃度 Ｆｉｇ．２にＡｌＮと３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろうとの接合部（以下，ＡｌＮ／３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろう接合部と略称）断面の光学顕微鏡写真を示す。ＡｌＮとの界面近傍に見られるろう材中の変色層は，後述するように，ろう材中のＴｉが接合界面に凝集して生成した反応層である。 … Ｆｉｇ．５はＡｌＮ／３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろう接合界面近傍の各元素の分析結果を示す。接合界面近傍でＴｉの濃度が最も高いが，Ｔｉに次いでＣｕも高い。また，Ａｌも接合界面近傍で観察されるが，これはＴｉ－ＡｇＣｕろうとの反応によってＡｌＮの一部が分解し，そのＡｌがろう材中に拡散したものと考えられる。 一方，Ａｇは接合界面近傍ではほとんど観察されず，接合界面から約３μｍ以上離れたろう材の表面近傍でＡｇの濃度が高くなっている。この結果から，ろう材の表面近傍は，ＡｇとＣｕとの共晶合金になっていることが推察される。 ３．２ 反応生成物の同定及び接合構造 Ｆｉｇ．６はＡｌＮ／３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろう接合界面近傍のＴＥＭ像を示す。Ｆｉｇ．７はＦｉｇ．６のＡ部をさらに拡大したＴＥＭ像とその部分の電子線回折パターンを示す。Ｆｉｇ．８はＢ部のＥＤＸによる元素分析結果を示す。この場合のＥＤＸの元素分析用のビーム径は約０．３μｍである。Ｆｉｇ．６のＴＥＭ像に示すように、ＡｌＮに接して観察される厚さ０．３μｍの層（Ａ部）は，Ｆｉｇ．７の電子線回折結果から多結晶のＴｉＮと同定される。また，ＴｉＮに接して観察されるろう材側のＢ部では，ＴｉとＣｕの他にＡｇとＡｌもわずかに検出されていることから，Ｃｕ－Ｔｉ系やＡｌ－Ｃｕ系などの金属間化合物が生成されているものと推察される。これを確認するため，次にＸ線回折法による反応生成物の同定を行った。…Ｆｉｇ．９に示すように，ＴｉＮの他にＣｕＴｉ，Ｃｕ２Ｔｉ，ＣｕＴｉ２，ＡｌＣｕ，Ｔｉ２ＡｌＮなどが同定された。これらは，Ｆｉｇ．６の電子線回折結果及びＦｉｇ．８のＥＤＸ分析結果からも十分推察される結果である。」（４９５ページ右欄２３行～４９７ページ左欄１５行） （１ｄ）「 ［図：0001394009000002.jpg］ 」（４９６ページ左欄） （１ｅ）「 ［図：0001394009000003.jpg］ 」（４９６ページ右欄） （１ｆ）「 ［図：0001394009000004.jpg］ 」（４９７ページ左欄） （１ｇ）「 ［図：0001394009000005.jpg］ ［図：0001394009000006.jpg］ 」（４９７ページ右欄） （イ）前記（ア）（１ｂ）～（１ｆ）によれば、甲第１号証には、次の事項が開示されている。 接合機構の解明用のＡｌＮは、厚さ２ｍｍ、２５ｍｍ角、表面粗さ（Ｒａ）０．３μｍに加工して用いたものである。 また、前記ＡｌＮに用いたろう材は、共晶銀ろう（７２ｍａｓｓ％Ａｇ－２８ｍａｓｓ％Ｃｕ）粉末にＴｉ粉末を最大２０ｍａｓｓ％添加し、さらに、これに有機バインダーを添加してペースト状にしたＴｉ－ＡｇＣｕろうであって、ＡｌＮとＴｉ－ＡｇＣｕろうとの接合界面近傍の組織及び反応生成物を調査するため、前述の寸法に加工したＡｌＮ表面にペースト状のＴｉ－ＡｇＣｕろうを１００μｍ厚さに印刷し、これを６．６×１０－３Ｐａ（５×１０－５Ｔｏｒｒ）の真空炉中でろう材の融点（約１０７３～１１７３Ｋ）より約５０Ｋ高い温度で１８０ｓ間加熱し、この場合の加熱及び冷却速度は４．７～５．０Ｋ／ｓであり、これによって、ＡｌＮ表面に厚さが５０～６０μｍのメタライズ層として形成されるものである。 そして、前述の方法でＡｌＮ表面にＴｉ－ＡｇＣｕろうのメタライズ層が形成された試験片を接合面に直角方向に切断し、接合部の観察用試料とした試料について、ＡｌＮとメタライズ層との接合界面近傍を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察し、さらにエネルギー分散型Ｘ線分光分析法（ＥＤＸ）及び波長分散型Ｘ線分光分析法（ＷＤＸ）により元素分析して、接合部の組織を同定し、また、接合界面近傍の反応生成物をＸ線回折法及び電子線回折法により同定した結果から、接合機構について考察したところ、(i)ＡｌＮと３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろうとの接合部（以下、ＡｌＮ／３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろう接合部と略称）断面のＡｌＮとの界面近傍にみられるろう材中の変色層は、ろう材中のＴｉが接合界面に凝集して生成した反応層であり、(ii)ＡｌＮ／３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろう接合界面近傍の各元素の分析結果によれば、接合界面近傍でＴｉの濃度が最も高いが、Ｔｉに次いでＣｕも高く、また、Ａｌも接合界面近傍で観察されるが、これはＴｉ－ＡｇＣｕろうとの反応によってＡｌＮの一部が分解し、そのＡｌがろう材中に拡散したものと考えられ、一方、Ａｇは接合界面近傍ではほとんど観察されず、接合界面から約３μｍ以上離れたろう材の表面近傍でＡｇの濃度が高くなっていることから、ろう材の表面近傍は、ＡｇとＣｕとの共晶合金になっていることが推察され、(iii)更に、ＡｌＮに接して観察される厚さ０．３μｍの層（Ａ部）は、多結晶のＴｉＮと同定され、ＴｉＮに接して観察されるろう材側のＢ部では、ＴｉとＣｕの他にＡｇとＡｌもわずかに検出されていることから、Ｃｕ－Ｔｉ系やＡｌ－Ｃｕ系などの金属間化合物が生成されているものと推察され、Ｘ線回折法による反応生成物の同定を行うと、ＴｉＮの他にＣｕＴｉ、Ｃｕ２Ｔｉ、ＣｕＴｉ２、ＡｌＣｕ、Ｔｉ２ＡｌＮなどが同定された、という検討結果が得られた。 （ウ）前記（イ）によれば、甲第１号証には、 「接合機構の解明用のＡｌＮであって、当該ＡｌＮは、厚さ２ｍｍ、２５ｍｍ角、表面粗さ（Ｒａ）０．３μｍに加工して用いたものであり、 前記ＡｌＮの接合に用いたろう材は、共晶銀ろう（７２ｍａｓｓ％Ａｇ－２８ｍａｓｓ％Ｃｕ）粉末にＴｉ粉末を最大２０ｍａｓｓ％添加し、さらに、これに有機バインダーを添加してペースト状にしたＴｉ－ＡｇＣｕろうであって、ＡｌＮとＴｉ－ＡｇＣｕろうとの接合界面近傍の組織及び反応生成物を調査するため、前述の寸法に加工したＡｌＮ表面にペースト状のＴｉ－ＡｇＣｕろうを１００μｍ厚さに印刷し、これを６．６×１０－３Ｐａ（５×１０－５Ｔｏｒｒ）の真空炉中でろう材の融点（約１０７３～１１７３Ｋ）より約５０Ｋ高い温度で１８０ｓ間加熱し、この場合の加熱及び冷却速度は４．７～５．０Ｋ／ｓであり、これによって、ＡｌＮ表面に厚さが５０～６０μｍのメタライズ層として形成されるものであり、 前述の方法でＡｌＮ表面にＴｉ－ＡｇＣｕろうのメタライズ層が形成された試験片を接合面に直角方向に切断し、接合部の観察用試料とした試料について、ＡｌＮとメタライズ層との接合界面近傍を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察し、さらにエネルギー分散型Ｘ線分光分析法（ＥＤＸ）及び波長分散型Ｘ線分光分析法（ＷＤＸ）により元素分析して、接合部の組織を同定し、また、接合界面近傍の反応生成物をＸ線回折法及び電子線回折法により同定した結果から、接合機構について考察したところ、 ＡｌＮと３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろうとの接合部（以下、ＡｌＮ／３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろう接合部と略称）断面のＡｌＮとの界面近傍にみられるろう材中の変色層は、ろう材中のＴｉが接合界面に凝集して生成した反応層であり、ＡｌＮ／３％Ｔｉ－ＡｇＣｕろう接合界面近傍の各元素の分析結果によれば、接合界面近傍でＴｉの濃度が最も高いが、Ｔｉに次いでＣｕも高く、また、Ａｌも接合界面近傍で観察されるが、これはＴｉ－ＡｇＣｕろうとの反応によってＡｌＮの一部が分解し、そのＡｌがろう材中に拡散したものと考えられるものであり、一方、Ａｇは接合界面近傍ではほとんど観察されず、接合界面から約３μｍ以上離れたろう材の表面近傍でＡｇの濃度が高くなっていることから、ろう材の表面近傍は、ＡｇとＣｕとの共晶合金になっていることが推察されるものであり、 更に、ＡｌＮに接して観察される厚さ０．３μｍの層（Ａ部）は、多結晶のＴｉＮと同定され、ＴｉＮに接して観察されるろう材側のＢ部では、ＴｉとＣｕの他にＡｇとＡｌもわずかに検出されていることから、Ｃｕ－Ｔｉ系やＡｌ－Ｃｕ系などの金属間化合物が生成されているものと推察され、Ｘ線回折法による反応生成物の同定を行うと、ＴｉＮの他にＣｕＴｉ、Ｃｕ２Ｔｉ、ＣｕＴｉ２、ＡｌＣｕ、Ｔｉ２ＡｌＮなどが同定されたものである、接合機構の解明用のＡｌＮ。」の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。 イ 甲第２号証の記載事項及び甲第２号証に記載された発明 （ア）甲第２号証には、以下の（２ａ）～（２ｂ）の記載がある。 （２ａ）「請求の範囲 ［請求項１］ セラミックス部材と、 接合層を介して前記セラミックス部材と接合された銅部材と、を具備し、 前記接合層のナノインデンテーション硬さＨITは１．０ＧＰａ以上２．５ＧＰａ以下である、接合体。」 （２ｂ）「[0010] 図１、図２は、セラミックス－銅接合体の一例を示す図である。図１、図２は、接合体１と、セラミックス基板２と、銅板３（表銅板３１、裏銅板３２）と、接合層４（表面側接合層４１、裏面側接合層４２）と、接合層４の中心部５と、銅板３と接合層４との界面から銅板３の厚さ方向に１００μｍの位置の領域６と、を図示している。 [0011] 図１に示す接合体１はセラミックス基板２の片面に接合された銅板３を有する。… [0012] セラミックス基板２の３点曲げ強度は５００ＭＰａ以上であることが好ましい。…３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上のセラミックス基板としては、窒化珪素基板、高強度化した窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、ジルコニア含有アルミナ基板等が挙げられる。 … [0015] 銅板３の厚さは０．３ｍｍ以上、さらには０．７ｍｍ以上であることが好ましい。銅板３を厚くすることにより、放熱性を向上させることができる。回路基板に用いる場合に通電容量を増やすことができる。 … [0017] 接合層４のナノインデンテーション硬さＨITは、１．０～２．５ＧＰａの範囲内であることが好ましい。… … [0020] 実施形態に係る接合体は、柔らかい接合層を有する。そのため、ＴＣＴの高温側が１７５℃以上であっても、優れた耐久性を示す。よって、半導体回路基板に上記接合体を用いたとき、優れた信頼性を得ることができる。 [0021] 銅板３のビッカース硬さＨVは１００以下であることが好ましい。… [0022] 銅板３における、銅板３と接合層４の接合界面から銅板３の厚さ方向に１００μｍ離れた箇所６のナノインデンテーション硬さＨITと接合層のナノインデンテーション硬さＨITの差が０．５ＧＰａ以下であることが好ましい。… … [0024] 接合層４は、Ａｇ－Ｔｉ化合物を有することが好ましい。接合層４は、ＴｉＣを有することが好ましい。Ａｇ－Ｔｉ化合物またはＴｉＣを存在させることにより、接合層４のナノインデンテーション硬さＨITを制御することができる。… [0025] 接合層４のナノインデンテーション硬さＨITを制御するためには、接合ろう材を調整することが好ましい。接合ろう材としては、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、およびＴｉ（チタン）を含むろう材が好ましい。接合層４は、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（錫）、およびＣ（炭素）から選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが好ましい。 [0026] Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉからなるろう材の場合、Ａｇが４０～８０質量％、Ｃｕが１５～４５質量％、Ｔｉが１～１２質量％、Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｔｉ＝１００質量％、の範囲であることが好ましい。… … [0035] Ｔｉは１～１２質量％、さらには５～１１質量％の範囲であることが好ましい。Ｔｉは窒化珪素基板の窒素と反応してＴｉＮ（窒化チタン）相を形成する。ＴｉＮ相の形成は、接合強度を向上させることができる。… … [0038] 接合工程では、上記接合ろう材ペーストを調製し、セラミックス部材上に接合ろう材ペーストを塗布し、その上に銅板３を配置する。接合ろう材ペーストの塗布厚さは１０～４０μｍの範囲であることが好ましい。… [0039] 次に、加熱接合を行う。加熱温度は７００～９００℃の範囲である。非酸化雰囲気中、１×１０－３Ｐａ以下の圧力下で加熱接合を行うことが好ましい。加熱接合工程は加熱温度７００～９００℃の範囲内で１０分以上保持することが好ましい。… [0040] 加熱工程後に冷却速度を５℃／分以上で急冷することが好ましい。… [0041] 次に、必要に応じ、エッチング工程を行う。エッチング工程により銅板３のパターニングを行う。…」 （イ）前記（ア）（２ａ）によれば、甲第２号証には、セラミックス部材と、接合層を介して前記セラミックス部材と接合された銅部材と、を具備し、前記接合層のナノインデンテーション硬さＨITは１．０ＧＰａ以上２．５ＧＰａ以下である、「接合体」が記載されている。 そして、前記（ア）（２ｂ）によれば、前記「接合体」は、セラミックス基板と、銅板と、接合層と、接合層の中心部と、銅板と接合層との界面から銅板の厚さ方向に１００μｍの位置の領域とを有し、セラミックス基板の片面に接合された銅板を有するものであり、セラミックス基板の３点曲げ強度は５００ＭＰａ以上であることが好ましく、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上のセラミックス基板としては、窒化珪素基板、高強度化した窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、ジルコニア含有アルミナ基板等が挙げられるものであり、銅板の厚さは０．３ｍｍ以上が好ましいものであり、接合層は、ナノインデンテーション硬さＨITが１．０～２．５ＧＰａの範囲内であることが好ましい柔らかい接合層であり、銅板のビッカース硬さＨVは１００以下であることが好ましいものであり、銅板における、銅板と接合層の接合界面から銅板の厚さ方向に１００μｍ離れた箇所のナノインデンテーション硬さＨITと接合層のナノインデンテーション硬さＨITの差が０．５ＧＰａ以下であることが好ましいものであり、接合層は、Ａｇ－Ｔｉ化合物を有することが好ましく、ＴｉＣを有することが好ましいものであり、接合層のナノインデンテーション硬さＨITを制御するためには、接合ろう材を調整することが好ましく、接合ろう材としては、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、およびＴｉ（チタン）を含むろう材が好ましいものであり、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉからなるろう材の場合、Ａｇが４０～８０質量％、Ｃｕが１５～４５質量％、Ｔｉが１～１２質量％、Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｔｉ＝１００質量％、の範囲であることが好ましいものである。 また、前記「接合体」の接合工程では、前記接合ろう材ペーストを調製し、セラミックス部材上に接合ろう材ペーストを塗布し、その上に銅板を配置するものであり、接合ろう材ペーストの塗布厚さは１０～４０μｍの範囲であることが好ましいものであり、次に、加熱接合を行うものであり、加熱温度は７００～９００℃の範囲で、非酸化雰囲気中、１×１０－３Ｐａ以下の圧力下で加熱接合を行うことが好ましく、加熱接合工程は加熱温度７００～９００℃の範囲内で１０分以上保持することが好ましいものであり、加熱工程後に冷却速度を５℃／分以上で急冷することが好ましいものであり、次に、必要に応じ、エッチング工程を行って、銅板のパターニングを行うものである。 （ウ）前記（イ）によれば、甲第２号証には、 「セラミックス部材と、接合層を介して前記セラミックス部材と接合された銅部材と、を具備し、前記接合層のナノインデンテーション硬さＨITは１．０ＧＰａ以上２．５ＧＰａ以下である接合体であって、 前記接合体は、セラミックス基板と、銅板と、接合層と、接合層の中心部と、銅板と接合層との界面から銅板の厚さ方向に１００μｍの位置の領域とを有し、セラミックス基板の片面に接合された銅板を有するものであり、 セラミックス基板の３点曲げ強度は５００ＭＰａ以上であることが好ましく、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上のセラミックス基板としては、窒化珪素基板、高強度化した窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、ジルコニア含有アルミナ基板等が挙げられるものであり、銅板の厚さは０．３ｍｍ以上が好ましいものであり、接合層は、ナノインデンテーション硬さＨITが１．０～２．５ＧＰａの範囲内であることが好ましい柔らかい接合層であり、銅板のビッカース硬さＨVは１００以下であることが好ましいものであり、銅板における、銅板と接合層の接合界面から銅板の厚さ方向に１００μｍ離れた箇所のナノインデンテーション硬さＨITと接合層のナノインデンテーション硬さＨITの差が０．５ＧＰａ以下であることが好ましいものであり、接合層は、Ａｇ－Ｔｉ化合物を有することが好ましく、ＴｉＣを有することが好ましいものであり、接合層のナノインデンテーション硬さＨITを制御するためには、接合ろう材を調整することが好ましく、接合ろう材としては、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、およびＴｉ（チタン）を含むろう材が好ましいものであり、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉからなるろう材の場合、Ａｇが４０～８０質量％、Ｃｕが１５～４５質量％、Ｔｉが１～１２質量％、Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｔｉ＝１００質量％、の範囲であることが好ましいものであり、 前記接合体の接合工程では、前記接合ろう材ペーストを調製し、セラミックス部材上に接合ろう材ペーストを塗布し、その上に銅板を配置するものであり、接合ろう材ペーストの塗布厚さは１０～４０μｍの範囲であることが好ましいものであり、次に、加熱接合を行うものであり、加熱温度は７００～９００℃の範囲で、非酸化雰囲気中、１×１０－３Ｐａ以下の圧力下で加熱接合を行うことが好ましく、加熱接合工程は加熱温度７００～９００℃の範囲内で１０分以上保持することが好ましいものであり、加熱工程後に冷却速度を５℃／分以上で急冷することが好ましいものであり、次に、必要に応じ、エッチング工程を行って、銅板のパターニングを行うものである、接合体。」の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されているといえる。 （２）甲第１号証を主引用例とした場合について ア 本件発明１～３について （ア）本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明における「接合機構の解明用のＡｌＮ」は、本件発明１における「アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材」に相当し、甲１発明において「多結晶のＴｉＮと同定され」る「ＡｌＮに接して観察される厚さ０．３μｍの層（Ａ部）」は、本件発明１において「セラミックス部材側」に形成される「Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層」に相当する。 すると、本件発明１と甲１発明とは、「アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成」されるものである点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点１：本件発明１は、「銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に」、「活性金属化合物層が形成されており、この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である」「銅／セラミックス接合体。」との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明は前記発明特定事項を有しない点。 （イ）以下、前記（ア）の相違点１の容易想到性について検討すると、甲第２号証には、「銅／セラミックス接合体」において、活性金属化合物層の活性金属化合物粒子の最大粒子径を１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とすることは記載も示唆もされていないから、当業者は、甲１発明において、前記相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとするには至らない。 してみれば、本件発明１は、甲１発明及び甲第２号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないのであり、本件発明２及び３について検討しても事情は同じである。 イ 本件発明４～６について （ア）前記ア（ア）と同様にして本件発明４と甲１発明とを対比すると、本件発明４と甲１発明とは、「アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス基板側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成」される点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点１’：本件発明４は、「アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面においては、前記セラミックス基板側に」、「活性金属化合物層が形成されており、この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である」「絶縁回路基板」との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明は前記発明特定事項を有しない点。 （イ）以下、前記（ア）の相違点１’の容易想到性について検討すると、前記ア（イ）に記載したのと同様の理由により、当業者は、甲１発明において、前記相違点１’に係る本件発明４の発明特定事項を有するものとするには至らないから、本件発明４は、甲１発明及び甲第２号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないのであり、本件発明５及び６について検討しても事情は同じである。 ウ 小括 したがって、本件発明１～６は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）甲第２号証を主引用例とした場合について ア 本件発明１～３について （ア）本件発明１と甲２発明とを対比すると、甲２発明における「銅板」、「高強度化した窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、ジルコニア含有アルミナ基板」及び「接合体」は、それぞれ、本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」、「アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材」及び「銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体」に相当する。 すると、本件発明１と甲２発明とは、「銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体。」の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点２：本件発明１は、「銅／セラミックス接合体」が、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である」、との発明特定事項を有するのに対して、甲２発明は前記発明特定事項を有しない点。 （イ）以下、前記（ア）の相違点２の容易想到性について検討すると、甲第１号証にも、「銅／セラミックス接合体」において、活性金属化合物粒子の最大粒子径を１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とすることは記載も示唆もされていないから、当業者は、甲２発明において、前記相違点２に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとするには至らない。 してみれば、本件発明１は、甲２発明及び甲第１号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないのであり、本件発明２及び３について検討しても事情は同じである。 イ 本件発明４～６について （ア）前記ア（ア）と同様にして本件発明４と甲２発明とを対比すると、本件発明４と甲２発明とは、「アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板。」の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点２’：本件発明４は、「絶縁回路基板」が、「前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面においては、前記セラミックス基板側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である」、との発明特定事項を有するのに対して、甲２発明は、前記発明特定事項を有しない点。 （イ）以下、前記（ア）の相違点２’の容易想到性について検討すると、前記ア（イ）に記載したのと同様の理由により、当業者は、甲２発明において、前記相違点２’に係る本件発明４の発明特定事項を有するものとするには至らないから、本件発明４は、甲２発明及び甲第１号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないのであり、本件発明５及び６について検討しても事情は同じである。 ウ 小括 したがって、本件発明１～６は、甲第２号証に記載された発明及び甲第１号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）申立人の主張について ア 特許異議申立書における、特に「活性金属化合物粒子の最大粒子径」についての申立人の主張の概要は、以下のとおりである。 （ア）甲第１号証のＦｉｇ．７（（１）ア（ア）（１ｇ））にはＴｉＮ層のＴＥＭ像が記載されており、当該ＴＥＭ像を用いて、本件特許明細書の段落【００３４】、【図６】（下記２（２）イ（ア）ｂ、ｄ）に記載されたのと同様の方法によりＴｉＮ層の粒界を認定し、認定した粒界に基づいて最も大きなＴｉＮ粒子に対応する円の直径を算出すると、その値は１５０ｎｍであったので、甲第１号証には、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径が１５０ｎｍであることが実質的に記載されている。 また、本件発明１に係る「銅／セラミックス接合体」の製造方法と、甲１発明の製造方法とは冷却速度以外に実質的な差異はなく、本件特許明細書の段落【００３８】～【００４０】（下記２（２）イ（ア）ｂ）によれば、活性金属化合物粒子の最大粒子径は加熱温度及び温度積分値に依存し、冷却速度には依存しないとされているから、製造方法の観点からも、甲１発明は、活性金属化合物粒子の粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下であると考えられる（１８ページ５行～１９ページ最終行）。 （イ）本件発明１に係る「銅／セラミックス接合体」の製造方法と甲２発明の製造方法は加圧加重を除き一致し、甲２発明において、本件発明１の製造方法を採用することに格別な困難性はないから、甲１発明において「活性金属化合物粒子の最大粒子径」を１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とすることに困難性はないので、本件発明１は、甲２発明及び甲第１号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（２５ページ下から４行～２７ページ１０行）。 イ 以下、前記アの主張について検討する。 （ア）前記（１）ア（ア）（１ａ）によれば、甲１発明は、ＡｌＮとＴｉ－ＡｇＣｕろうとの接合界面近傍の組織や反応生成物を同定、並びに反応生成物の成長に及ぼすＴｉ添加量、加熱温度、加熱時間などの影響について検討し、これらの結果から、接合機構についての考察を行うためのものであって、ＡｌＮ表面にＴｉ－ＡｇＣｕろうのメタライズ層が形成された試験片にすぎず、「銅／セラミックス接合体」に係るものではない。 すると、仮に、甲第１号証に、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径が１５０ｎｍであることが実質的に記載されているとしても、前記相違点１に係る発明特定事項、すなわち、「銅／セラミックス接合体」において、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径を１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とすることが記載されていないことに変わりはない。 そして、もともと接合機構についての考察を行うための試験片にすぎない甲１発明に銅部材を接合して「銅／セラミックス接合体」とする動機づけは存在しないし、仮に、甲１発明に銅部材を接合して「銅／セラミックス接合体」とすることが、当業者が容易になし得ることであるとしても、また、下記甲１方法により形成されたＴｉ－ＡｇＣｕろうのメタライズ層の活性金属化合物粒子の最大粒子径が１５０ｎｍであるとしても、銅部材の接合を、単にＴｉ－ＡｇＣｕろうのメタライズ層を形成するものである下記甲１方法と同じ方法で行うことを開示する証拠はないし、そのような技術常識も存在しない。 そうすると、甲１発明に銅部材を接合して「銅／セラミックス接合体」としたとしても、そこから進んで、「銅／セラミックス接合体」の活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径を１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とすることは、当業者が容易になし得ることではない。 また、本件特許明細書の段落【００３７】～【００４２】（下記２（２）イ（ア）ｂ）によれば、本件発明１に係る「銅／セラミックス接合体」の製造方法（「本件製造方法」という。）は、低温保持工程においてＣｕとＡｌの共晶点温度以上ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲に加熱すると共に、０．０９８ＭＰａ以上２．９４ＭＰａ以下の加圧加重により加圧するものであり、加熱工程において、ＡｇとＣｕの共晶温度以上８５０℃以下の温度範囲に加熱すると共に、０．０４９ＭＰａ以上２．９４ＭＰａ以下の加圧荷重により加圧するものであって、低温保持工程において、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上に保持することから、銅板及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生し、この共晶液相中において、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＴｉとセラミックス基板１１中のＮ（窒素）とが反応してＴｉＮが生成し、これにより、セラミックス基板の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる活性金属化合物層が形成されるものである。 これに対して、甲１発明においては、ＡｌＮとＴｉ－ＡｇＣｕろうとの接合界面近傍の組織及び反応生成物を調査するために、ＡｌＮ表面に、共晶銀ろう（７２ｍａｓｓ％Ａｇ－２８ｍａｓｓ％Ｃｕ）粉末にＴｉ粉末を最大２０ｍａｓｓ％添加し、さらに、これに有機バインダーを添加してペースト状にしたＴｉ－ＡｇＣｕろうを１００μｍ厚さに印刷し、これを６．６×１０－３Ｐａ（５×１０－５Ｔｏｒｒ）の真空炉中でろう材の融点（約１０７３～１１７３Ｋ）より約５０Ｋ高い温度で１８０ｓ間加熱し、この場合の加熱及び冷却速度は４．７～５．０Ｋ／ｓである方法（「甲１方法」という。）によって、ＡｌＮ表面に厚さが５０～６０μｍのメタライズ層が形成されたものである。 そして、前記本件製造方法と前記甲１方法とを対比すると、これらは、少なくとも、前記本件製造方法は低温保持工程を有するのに対して、前記甲１方法は低温保持工程を有しない点、及び、前記本件製造方法においては、低温保持工程及び加熱工程において加圧加重による加圧を行うのに対して、前記甲１方法は加圧加重による加圧を行わない点で相違するし、前記甲１方法は、銅板及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生し、この共晶液相中において、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＴｉとセラミックス基板１１中のＮ（窒素）とが反応してＴｉＮが生成し、これにより、セラミックス基板の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる活性金属化合物層が形成されるものではなく、単にＡｌＮ表面に厚さが５０～６０μｍのメタライズ層が形成されるものにすぎないから、前記本件製造方法と前記甲１方法とが、冷却速度以外に実質的な差異がないとは到底いえない。 更に、本件特許明細書の段落【００３８】～【００４０】（下記２（２）イ（ア）ｂ）には、加熱工程における加熱温度を低く抑えることにより、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径を小さく抑えることが可能となることが記載されているにすぎず、活性金属化合物粒子の最大粒子径は加熱温度及び温度積分値に依存し、冷却速度には依存しないことが記載も示唆もされるものではないから、製造方法の観点から、甲１発明における活性金属化合物粒子の粒子径が１４４ｎｍ以上１８０ｎｍ以下であるということもできない。 したがって、前記ア（ア）の主張は採用できない。 （イ）甲２発明は、「接合体」の接合工程において、接合ろう材ペーストを調製し、セラミックス部材上に接合ろう材ペーストを塗布し、その上に銅板を配置するものであり、接合ろう材ペーストの塗布厚さは１０～４０μｍの範囲であることが好ましいものであり、次に、加熱接合を行うものであり、加熱温度は７００～９００℃の範囲で、非酸化雰囲気中、１×１０－３Ｐａ以下の圧力下で加熱接合を行うことが好ましく、加熱接合工程は加熱温度７００～９００℃の範囲内で１０分以上保持することが好ましいものであり、加熱工程後に冷却速度を５℃／分以上で急冷することが好ましいものである。 そして、前記（ア）と同様にして、前記本件製造方法と前記接合工程とを対比すると、これらは、少なくとも、前記（ア）と同様の点で相違するから、本件発明１と甲２発明の製造方法が加圧加重を除き一致するものとはいえない。 そして、甲２発明において前記本件製造方法を採用する動機づけは存在しないし、そもそも前記本件製造方法を開示した証拠もないから、甲２発明において前記本件製造方法を採用することは当業者が容易になし得ることではないので、前記ア（イ）の主張も採用できない。 （５）まとめ よって、特許法第２９条第２項所定の規定違反（進歩性欠如）についての前記第４の１（１）及び（２）の特許異議申立理由はいずれも理由がない。 ２ 特許法第３６条第６項第２号所定の規定違反（明確性要件違反）について （１）明確性要件の判断手法 請求項に係る発明が明確性要件に適合するか否かは、当該請求項の記載だけではなく、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願当時における技術常識を基礎として、当該請求項の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるか否かという観点から判断すべきであるから、以下、この観点に立って検討する。 （２）明確性要件についての当審の判断 ア 始めに、前記第４の２（１）の特許異議申立理由及び前記第５の１（１）の取消理由について検討すると、本件訂正により、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１の「特徴とする記載の銅／セラミックス接合体。」は「特徴とする銅／セラミックス接合体。」と訂正されたから、特許請求の範囲の請求項１の記載が第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえない。 そして、このことを前記（１）の判断手法に当てはめれば、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は明確性要件に適合するといえ、本件特許請求の範囲の請求項２～３の記載について検討しても事情は同じであるので、前記第４の２（１）の特許異議申立理由及び前記第５の１（１）の取消理由はいずれも理由がない。 イ 次に、前記第４の２（２）の特許異議申立理由について検討する。 （ア）本件特許明細書には、以下のａ～ｅの記載がある。 ａ「【００１２】 本発明の銅／セラミックス接合体によれば、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面に形成された活性金属化合物層において、活性金属化合物の粒界にＡｌ及びＣｕが存在しているので、接合材に含まれる活性金属がセラミックス部材と十分に反応しており、セラミックス部材と銅部材とが強固に接合されている。そして、反応時に生じた液相（Ａｌ－Ｃｕ共晶液相）を介して活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散しているので、十分な界面反応を促進することができ、セラミックス部材と銅部材とを強固に接合することができる。よって、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。 以上のことから、本発明の銅／セラミックス接合体によれば、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた銅／セラミックス接合体を得ることができる。 … 【００１４】 また、本発明の銅／セラミックス接合体においては、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域における最大押し込み硬さが７０ｍｇｆ／μｍ２以上１３５ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされていることが好ましい。 この場合、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域における最大押し込み硬さが７０ｍｇｆ／μｍ２以上とされているので、接合時に接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス部材と銅部材とが強固に接合されている。一方、前述の領域における最大押し込み硬さが１３５ｍｇｆ／μｍ２以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。 … 【００２０】 また、本発明の絶縁回路基板においては、前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域における最大押し込み硬さが７０ｍｇｆ／μｍ２以上１３５ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされていることが好ましい。 この場合、前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ１０μｍから５０μｍまでの領域における最大押し込み硬さが７０ｍｇｆ／μｍ２以上とされているので、接合時に接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス基板と銅板とが強固に接合されている。一方、前述の領域における最大押し込み硬さが１３５ｍｇｆ／μｍ２以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。」 ｂ「【００３０】 セラミックス基板１１は、絶縁性および放熱性に優れたアルミニウム含有セラミックスで構成されており、本実施形態では、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成されている。このセラミックス基板１１の厚さは、例えば、０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。 … 【００３３】 そして、セラミックス基板１１と回路層１２（金属層１３）との接合界面においては、図２に示すように、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物である活性金属化合物を含む活性金属化合物層４１が形成されている。 この活性金属化合物層４１は、接合材に含まれる活性金属とセラミックス基板１１とが反応することによって形成されたものである。 本実施形態では、活性金属としてＴｉが用いられており、セラミックス基板１１が窒化アルミニウムで構成されていることから、活性金属化合物層４１は、窒化チタン（ＴｉＮ）層となる。 【００３４】 ここで、活性金属化合物層４１の観察結果を図３から図６に示す。図３に示すように、活性金属化合物層４１の内部には、Ａｌ及びＣｕが存在している。また、本実施形態では、接合材に含まれるＡｇも存在している。 そして、図４に示すように、Ａｌ及びＣｕ，Ａｇは、活性金属化合物（本実施形態ではＴｉＮ）の粒界に凝集して存在している。 また、活性金属化合物（本実施形態ではＴｉＮ）の粒界近傍を線分析した結果、図５に示すように、粒界部分においてＡｌ及びＣｕ，Ａｇの濃度が上昇していることが確認される。 さらに、本実施形態においては、図６に示すように、活性金属化合物層４１における活性金属化合物粒子の最大粒子径が１８０ｎｍ以下とされていることが好ましい。すなわち、活性金属化合物層４１においては、粒界領域（金属相）が多く存在していることが好ましい。図６においては、ＴｉＮ粒子が存在し、このＴｉＮ粒子の最大粒子径が１８０ｎｍ以下とされている。なお、活性金属化合物層４１における活性金属化合物粒子の最大粒子径は１５０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１２０ｎｍ以下であることがより好ましい。下限としては、例えば、４ｎｍ以上とするとよい。４ｎｍ未満の粒径とすることは製造上困難である。 … 【００３７】 （積層工程Ｓ０１） まず、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミックス基板１１を準備し、図８に示すように、回路層１２となる銅板２２とセラミックス基板１１との間、及び、金属層１３となる銅板２３とセラミックス基板１１との間に、接合材としてＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４を配設する。 なお、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４としては、例えば、Ｃｕを０ｍａｓｓ％以上３２ｍａｓｓ％以下の範囲内、活性金属であるＴｉを０．５ｍａｓｓ％以上２０ｍａｓｓ％以下の範囲で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成のものを用いることが好ましい。また、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４の厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。 【００３８】 （低温保持工程Ｓ０２） 次に、セラミックス基板１１及び銅板２２，２３を積層方向に加圧した状態で、真空またはアルゴン雰囲気の加熱炉内に装入して加熱して保持する。 ここで、低温保持工程Ｓ０２における保持温度は、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲とされている。また、この低温保持工程Ｓ０２において、上述の保持温度における温度積分値は、３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とする。 また、低温保持工程Ｓ０２における加圧荷重は、０．０９８ＭＰａ以上２．９４ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。 【００３９】 （加熱工程Ｓ０３） 次に、銅板２２、２３とセラミックス基板１１とを加圧した状態で、真空雰囲気の加熱炉内で加熱し、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４を溶融する。 ここで、加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とされている。なお、この加熱温度を低く抑えることにより、活性金属化合物層４１における活性金属化合物粒子の最大粒子径を小さく抑えることが可能となる。加熱温度の上限は８４５℃以下とすることが好ましく、８３５℃以下とすることがより好ましく、８２５℃以下とすることがさらに好ましい。 また、この加熱工程Ｓ０３において、上述の加熱温度における温度積分値は、４℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内とする。好ましくは、４℃・ｈ以上１５０℃・ｈ以下の範囲内とするとよい。 また、この加熱工程Ｓ０３における加圧荷重は、０．０４９ＭＰａ以上２．９４ＭＰａ以下の範囲内とする。 【００４０】 （冷却工程Ｓ０４） そして、加熱工程Ｓ０３の後、冷却を行うことにより、溶融したＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４を凝固させる。 なお、この冷却工程Ｓ０４における冷却速度は、特に限定はないが、２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。 【００４１】 上述の低温保持工程Ｓ０２においては、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上に保持することから、図９Ａに示すように、銅板２２，２３及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板１１とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生する。この共晶液相中において、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４中のＴｉとセラミックス基板１１中のＮ（窒素）とが反応してＴｉＮが生成する。これにより、図９Ａ（ａ）、図９Ａ（ｂ）、図９Ａ（ｃ）の順でセラミックス基板１１の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる活性金属化合物層４１が形成される。 【００４２】 そして、図９Ｂに示すように、活性金属化合物層４１において、活性金属化合物（本実施形態ではＴｉＮ）の粒界には共晶液相が存在しており、この共晶液相を拡散のパスとして、セラミックス基板１１側のＡｌ及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４のＡｇ，Ｃｕ，Ｔｉが互いに拡散し、セラミックス基板１１の界面反応が促進されることになる。 その結果、活性金属化合物（本実施形態ではＴｉＮ）の粒界にＡｌ及びＣｕ，Ａｇは、が凝集して存在することになる。 … 【００５３】 （実施例１） まず、表１に示す材質からなるセラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．６３５ｍｍ）を準備した。 このセラミックス基板の両面に、無酸素銅からなる銅板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ）を、表１に示す活性金属を含むＡｇ－Ｃｕ系ろう材（組成：Ｃｕ２８ｍａｓｓ％，活性金属１ｍａｓｓ％、残部がＡｇ及び不可避不純物、厚さ：６μｍ）を用いて、表１に示す条件で銅板とセラミックス基板とを接合し、絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）を得た。なお、接合時の真空炉の真空度は５×１０－３Ｐａとした。 … 【００５９】 【表１】 ［図：0001394009000007.jpg］ 【００６０】 低温保持工程における温度積分値が１８℃・ｈとされた比較例１においては、活性金属化合物層の粒界にＡｌ及びＣｕが確認されず、冷熱サイクル信頼性が「Ｃ」となった。 低温保持工程における温度積分値が０℃・ｈとされた比較例２においては、活性金属化合物層の粒界にＡｌ及びＣｕが確認されず、冷熱サイクル信頼性が「Ｃ」となった。 加熱工程における温度積分値が１．５℃・ｈとされた比較例３においては、銅板とセラミックス基板とを十分に接合することができなかった。このため、その他の評価を中止した。 … 【００６２】 （実施例２） 表２に示す条件で、上述の実施例１と同様の手順により、銅板とセラミックス基板とを接合し、絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）を得た。 得られた絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）について、実施例１と同様の手順により、活性金属化合物層における粒界のＡｌ及びＣｕ、Ａｇの有無、接合界面近傍の最大押し込み硬さ、を評価した。 また、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径、超音波接合性を、以下のようにして評価した。 … 【００６５】 【表２】 ［図：0001394009000008.jpg］ 【００６６】 セラミックス基板がＡｌＮであり、活性金属がＴｉである本発明例１３，１５，１６および参考例１１，１２，１４，１７、セラミックス基板がＡｌ２Ｏ３であり、活性金属がＺｒである本発明例１９，２０および参考例１８をそれぞれ比較すると、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径が小さくなることで、超音波接合時における銅板とセラミックス基板の剥離や、セラミックス基板でのクラックの発生を抑制可能であることが確認される。」 ｃ「【図２】 ［図：0001394009000009.jpg］ 」 ｄ「【図６】 ［図：0001394009000010.jpg］ 」 ｅ「【図９Ａ】 ［図：0001394009000011.jpg］ 」 （イ）前記ａ～ｃ、ｅによれば、本件発明においては、アルミニウムを含有したセラミックス部材と銅部材との接合時に液相（Ａｌ－Ｃｕ共晶液相）を介して活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散しているので、十分な界面反応を促進することができるものであり、「活性金属化合物層」は、接合材に含まれる活性金属とセラミックス基板とが反応することによって形成されるものであり、セラミックス基板が窒化アルミニウムで、活性金属としてＴｉが用いられる場合、「活性金属化合物層」は窒化チタン（ＴｉＮ）層となるものである。 すなわち、本件発明においては、銅板及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生し、この共晶液相中において、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＴｉとセラミックス基板中のＮ（窒素）とが反応してＴｉＮが生成し、これにより、セラミックス基板の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる「活性金属化合物層」が形成されるものである。 すると、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明１の「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面において」、「前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成され」る、との発明特定事項は、アルミニウムを含有したセラミックス部材と銅部材との接合時に発生した液相であるＡｌ－Ｃｕ共晶液相を介して活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散し、前記活性金属とセラミックス部材とが反応することで、「活性金属化合物層」が形成されることをいうものと理解するから、セラミックス部材には、銅部材との接合時に、活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散できる程度のＡｌ－Ｃｕ共晶液相が生じるに足る量のＡｌが含有されるものである。 してみれば、本件発明１において、「アルミニウム含有セラミックス」にどの程度のアルミニウムが含有されているのかが特定されていないとしても、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明１における「アルミニウム含有セラミックス」が、銅部材との接合時に、活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散できる程度のＡｌ－Ｃｕ共晶液相が生じるに足る量のＡｌが含有された「セラミックス」をいうものと理解できるから、特許請求の範囲の請求項１の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえない。 そして、このことを前記（１）の判断手法に当てはめれば、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は明確性要件に適合するといえ、本件特許請求の範囲の請求項２～６の記載について検討しても事情は同じであるので、前記第４の２（２）の特許異議申立理由は理由がない。 ウ 更に、前記第４の２（３）の特許異議申立理由について検討すると、本件特許明細書には、更に以下の記載がある。 「【００５６】 （活性金属化合物層における粒界のＡｇの有無） 活性金属化合物層における粒界を透過型電子顕微鏡 （ＦＥＩ社製 Ｔｉｔａｎ ＣｈｅｍｉＳＴＥＭ）を用いて加速電圧 ２００ｋＶ、倍率５０万倍から７０万倍で、粒界を横切るようにライン分析を実施した。 セラミックス基板がＡｌＮの場合には、Ａｇの濃度がＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｎ及び活性金属元素の合計値を１００原子％としてＡｇの濃度が０．４原子％以上のとき、粒界にＡｇが「有」と判断した。 セラミックス基板がＡｌ２Ｏ３の場合には、Ａｇの濃度がＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｏ及び活性金属元素の合計値を１００原子％としてＡｇの濃度が０．４原子％以上のとき、粒界にＡｇが「有」と判断した。」 前記記載によれば、本件発明においては、セラミックス基板がＡｌＮの場合には、Ａｇの濃度がＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｎ及び活性金属元素の合計値を１００原子％としてＡｇの濃度が０．４原子％以上のとき、粒界にＡｇが「有」と判断し、セラミックス基板がＡｌ２Ｏ３の場合には、Ａｇの濃度がＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｏ及び活性金属元素の合計値を１００原子％としてＡｇの濃度が０．４原子％以上のとき、粒界にＡｇが「有」と判断するものである。 このことからみれば、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明においては、Ｃｕ、Ａｇ、セラミックス基板を構成する元素及び活性金属元素の合計値を１００原子％としてＡｇの濃度が０．４原子％のとき、粒界にＡｇが「有」と判断することを理解できるから、本件発明１においてＡｇの濃度が特定されていないとしても、本件発明１における「活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており」との発明特定事項の意味を理解できるので、特許請求の範囲の請求項１の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえない。 そして、このことを前記（１）の判断手法に当てはめれば、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は明確性要件に適合するといえ、本件特許請求の範囲の請求項２～６の記載について検討しても事情は同じであるので、前記第４の２（３）の特許異議申立理由は理由がない。 エ 最後に、前記第４の２（４）の特許異議申立理由及び第５の１（２）の取消理由について検討すると、本件発明においては、銅板及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生し、この共晶液相中において、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＴｉとセラミックス基板中のＮ（窒素）とが反応してＴｉＮが生成し、これにより、セラミックス基板の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる「活性金属化合物層」が形成されるものであることは、前記イ（イ）に記載したとおりである。 そして、銅板及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生し、セラミックス基板の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる「活性金属化合物層」が形成されることからみれば、アルミニウムを含有したセラミックス部材と銅部材とは、前記ろう材の「接合層」を介することなく接合されるものと理解するのが妥当であるし、前記「活性金属化合物層」はセラミックス部材の一部を構成するものといえるから、本件発明２においては、銅部材と接して「セラミックス部材の接合界面」が形成されるものと解するのが合理的であるので、本件発明２の「前記セラミックス部材の接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」がどの範囲の領域を指すのかは明らかである。 そうすると、本件特許請求の範囲の請求項２の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえないのであって、このことを前記（１）の判断手法に当てはめれば、前記請求項２の記載は明確性要件に適合する。 更に、本件特許請求の範囲の請求項３、５及び６の記載について検討しても事情は同じであるので、前記第４の２（４）の特許異議申立理由及び第５の１（２）の取消理由はいずれも理由がない。 （３）小括 したがって、特許法第３６条第６項第２号所定の規定違反（明確性要件違反）についての特許異議申立理由もいずれも理由がない。 ３ 特許法第３６条第６項第１号所定の規定違反（サポート要件違反）について （１）サポート要件の判断手法 特許請求の範囲の記載が、サポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであるから、以下、この観点に立って検討する。 （２）本件発明の課題 サポート要件の検討にあたり、本件発明の課題についてみると、本件特許明細書には、更に以下の記載がある。 「【０００１】 この発明は、銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板に関するものである。 … 【０００９】 ところで、最近では、絶縁回路基板の用途によっては、従来にも増してさらに厳しい冷熱サイクルが負荷されることがある。 このため、従来よりも厳しい冷熱サイクルが負荷される用途であっても、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル負荷時にもクラックが生じない絶縁回路基板が求められている。 【００１０】 この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板を提供することを目的とする。」 そして、前記記載によれば、本件発明は、絶縁回路基板の用途によっては、従来にも増してさらに厳しい冷熱サイクルが負荷されることがあり、このため、従来よりも厳しい冷熱サイクルが負荷される用途であっても、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル負荷時にもクラックが生じない絶縁回路基板が求められている、という課題（以下、「本件課題」という。）を解決するものであって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板を提供することを目的とするものである。 （３）サポート要件についての当審の判断 ア 本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明１の「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面において」、「前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成され」る、との発明特定事項は、アルミニウムを含有したセラミックス部材と銅部材との接合時に発生した液相であるＡｌ－Ｃｕ共晶液相を介して活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散し、前記活性金属とセラミックス部材とが反応することで、「活性金属化合物層」が形成されることをいうものと理解することは、前記２（２）イ（イ）に記載したとおりである。 イ 一方、前記２（２）イ（ア）ａ（段落【００１２】）によれば、本件発明においては、銅部材とセラミックス部材との接合界面に形成された活性金属化合物層において、活性金属化合物の粒界にＡｌ及びＣｕが存在しているので、接合材に含まれる活性金属がセラミックス部材と十分に反応しており、セラミックス部材と銅部材とが強固に接合されるものであり、反応時に生じた液相（Ａｌ－Ｃｕ共晶液相）を介して活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散しているので、十分な界面反応を促進することができ、セラミックス部材と銅部材とを強固に接合することができ、よって、冷熱サイクル信頼性を向上させることができるので、本件課題を解決することができるものである。 そして、反応時に生じた液相（Ａｌ－Ｃｕ共晶液相）を介して活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散して、十分な界面反応を促進することで、セラミックス部材と銅部材とを強固に接合することは、アルミニウムを含有したセラミックス部材と銅部材との接合時に発生した液相であるＡｌ－Ｃｕ共晶液相を介して活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散し、前記活性金属とセラミックス部材とが反応することで、「活性金属化合物層」が形成されること、すなわち、本件発明１の、「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面において」、「前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成され」る、との発明特定事項にほかならない。 ウ 前記イによれば、当業者は、本件発明１の「前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面において」、「前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成され」る、との発明特定事項により本件課題を解決できることを理解することができる。 そして、本件発明１の前記発明特定事項により本件課題を解決できることは、前記２（２）イ（ア）ｂ（段落【００５３】～【００６６】）の実施例において裏付けられている。 してみれば、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであり、このことを前記（１）の判断手法に当てはめれば、本願特許請求の範囲の請求項１の記載はサポート要件に適合するものといえ、同請求項２～６について検討しても事情は同じであるから、本件特許請求の範囲の記載はサポート要件に適合するといえる。 エ 申立人は、本件特許明細書に、「アルミニウム含有セラミックス」が微量なアルミニウムを含有する場合にどのように課題が解決されるかが記載されていないから、本件特許請求の範囲の記載はサポート要件に適合しない旨を主張している（前記第４の３（１））。 しかし、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明１における「アルミニウム含有セラミックス」が、銅部材との接合時に、活性金属がセラミックス部材側に十分に拡散できる程度のＡｌ－Ｃｕ共晶液相が生じるに足る量のＡｌが含有された「セラミックス」をいうものと理解できることは、前記２（２）イ（イ）に記載したとおりであるから、本件発明１における「アルミニウム含有セラミックス」には、前記Ａｌ－Ｃｕ共晶液相が生じるに足る量のＡｌに満たない、微量なアルミニウムを含有する「セラミックス」は含まれないと解するのが妥当である。 すると、本件特許明細書に、「アルミニウム含有セラミックス」が微量なアルミニウムを含有する場合にどのように課題が解決されるかが記載されていないとしても、もともとそのような「アルミニウム含有セラミックス」は本件発明１に含まれないから、本件特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合しないということはできないので、前記第４の３（１）の特許異議申立理由は理由がない。 オ また、申立人は、活性金属としてＮｂやＨｆを選択した場合の実施例が記載されておらず、実質的なサポートが存在しないから、本件特許請求の範囲の記載はサポート要件に適合しない旨を主張している（前記第４の３（２））。 しかし、前記２（２）イ（ア）ｂ（段落【００３３】、【００５９】の参考例７、８参照。）によれば、本件特許明細書の記載に接した当業者は、ＮｂやＨｆもまた、ＴｉやＺｒと同様に活性金属化合物層を形成することを理解することができるから、活性金属としてＮｂやＨｆを選択した場合の実施例が記載されていないとしても、本件特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合しないということはできないので、前記第４の３（２）の特許異議申立理由も理由がない。 （４）小括 したがって、特許法第３６条第６項第１号所定の規定違反（サポート要件違反）についての特許異議申立理由もいずれも理由がない。 ４ 申立人意見書について ア 申立人意見書における申立人の主張の概要は以下のとおりである。 なお、申立人意見書において、申立人は、本件訂正後の特許請求の範囲の記載や発明の詳細な説明の記載が明確性要件、サポート要件及び実施可能要件を満たさないから、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項所定の独立特許要件を満たさない旨を主張しているが、前記第２の２（４）に記載したとおり、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項所定の規定は適用されないから、前記主張は、独立特許要件に係るものではなく、本件訂正後の特許請求の範囲の記載や発明の詳細な説明の記載が前記明確性要件等を満たさない旨を主張するものと解して検討する。 （ア）本件発明２の「前記セラミックス部材の接合界面」が明らかでないから、「前記セラミックス部材の接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」も明らかでないので、本件発明２は明確性要件を満たさない（２ページ９行～４ページ２行）。 （イ）本件発明２は、「接合時に接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相」が生じていない無酸素銅の硬さを測定した場合も含むから、サポート要件を満たさないし、「前記セラミックス部材の接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域」は、「接合層のみ」、「接合層及び銅部材の両方」、「銅部材のみ」のいずれかであるかが不明確であるから、明確性要件を満たさない。 また、本件発明２においてはセラミックス部材の厚さが特定されていないから、本件発明２はサポート要件を満たさない（４ページ３行～７ページ１８行）。 （ウ）本件特許明細書の記載からは、接合強度が高く、かつ冷熱サイクル信頼性に特に優れた接合体を得るためには、活性金属化合物層において、活性金属化合物の粒界にＡｌ、Ｃｕ及びＡｇが共存する必要があると解されるが、本件発明１においてはこのことが特定されていないから、本件発明１はサポート要件を満たさない。 また、本件特許明細書の記載からは、本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」においては接合層が必要と解されるところ、本件発明１においては接合層の存在が特定されていないので、本件発明１はサポート要件を満たさない（７ページ１９行～１１ページ６行）。 （エ）本件特許明細書の段落【００６０】によれば、実施例と比較例の製法の間には、温度積分値しか相違点がなく、温度積分値の相違のみによってどのように本件発明に係る「銅／セラミックス接合体」が得られるのかが不明であるので、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は実施可能要件を満たさない（１１ページ７行～１６行）。 イ 以下、前記アの主張について検討する。 （ア）本件訂正後の特許請求の範囲の記載が明確性要件及びサポート要件に適合することは、前記２及び３で検討したとおりであり、前記ア（ア）～（ウ）の理由により、本件特許請求の範囲の記載が明確性要件及びサポート要件を満たさないということはできないので、前記ア（ア）～（ウ）の主張はいずれも採用できない。 （イ）また、本件特許明細書の段落【００６０】（２（２）イ（ア）ｂ）の記載は、段落【００５９】の比較例について記載するものにすぎず、本件発明の実施例についての記載ではない。 そして、本件特許明細書の段落【００６２】～【００６６】には、本件発明１～６の発明特定事項を満たす実施例（本発明例１３、１６、１９、２０）が記載されているのであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１～６を実施できる程度に記載されているといえ、実施可能要件を満たすので、申立人の前記ア（エ）の主張も採用できない。 ５ まとめ よって、前記第４の特許異議申立理由及び第５の取消理由はいずれも理由がない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件発明１～６の特許を取り消すことはできない。 また、ほかに本件発明１～６の特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。