2022-700064

特許第６９１６３０６号発明「薬液、基板の処理方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９１６３０６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２２〕について訂正することを認める。 特許第６９１６３０６号の請求項１～２２に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９１６３０６号の請求項１～２２に係る特許についての出願は、２０１８年（平成３０年）１２月１９日（優先権主張 平成３０年１月１２日）を国際出願日として出願され、令和３年７月１９日にその特許権の設定登録がされ、同年８月１１日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、令和４年１月２６日に特許異議申立人河井清悦により特許異議の申立てがされ、当審は、同年４月２６日付けで取消理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である同年６月２７日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）に対して、特許異議申立人河井清悦に期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許異議申立人河井清悦は応答しなかった。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「である、薬液。」とあるのを、「である、薬液であって、前記過ヨウ素酸類の含有量が、前記薬液全質量に対して、４０．０質量％以下であり、ｐＨが８．０以下である、薬液。」と訂正する（請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２～２２も同様に訂正する。）。 本件訂正請求は、一群の請求項〔１～２２〕に対して請求されたものである。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１のうち、過ヨウ素酸類の含有量を、薬液全質量に対して、４０．０質量％以下へと限定する訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正事項１のうち、薬液のｐＨを８．０以下へと限定する訂正も、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１の「前記過ヨウ素酸類の含有量が、前記薬液全質量に対して、４０．０質量％以下であり」の訂正は、願書に添付した明細書の段落【００１５】に基づくものである。 訂正事項１の「ｐＨが８．０以下である」の訂正は。願書に添付した明細書の段落【００９１】に記載の表１中の実施例Ａ２３及びＡ２９などに基づくものである。 よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１は、訂正前の請求項１の発明特定事項を概念的により下位の内容とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ３ 小括 上記のとおり、訂正事項１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第４項、第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２２〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～２２に係る発明（以下、順にそれぞれ「本件発明１」～「本件発明２２」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～２２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 基板上の遷移金属含有物を除去するために用いられる薬液であって、 過ヨウ素酸及びその塩からなる群から選択される１種以上の過ヨウ素酸類と、 ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物と、を含み、 前記アニオンを含む化合物の含有量が、前記薬液全質量に対して、５質量ｐｐｂ～１質量％である、薬液であって、 前記過ヨウ素酸類の含有量が、前記薬液全質量に対して、４０．０質量％以下であり、 ｐＨが８．０以下である、薬液。 【請求項２】 前記過ヨウ素酸類が、オルト過ヨウ素酸、オルト過ヨウ素酸の塩、メタ過ヨウ素酸、及び、メタ過ヨウ素酸の塩からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の薬液。 【請求項３】 前記過ヨウ素酸類の含有量が、前記薬液全質量に対して、３７．０質量％以下である、請求項１又は２に記載の薬液。 【請求項４】 前記過ヨウ素酸類の含有量が、前記薬液全質量に対して、２．０～８．０質量％である、請求項１～３のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項５】 前記過ヨウ素酸類の含有量に対する、前記アニオンを含む化合物の含有量の比が、１×１００～１×１０８である、請求項１～４のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項６】 前記アニオンを含む化合物が、ヨウ素酸、テトラメチルアンモニウムヨウ素酸、テトラエチルアンモニウムヨウ素酸、テトラブチルアンモニウムヨウ素酸、ヨウ素酸アンモニウム、ヨウ化水素、テトラメチルアンモニウムヨウ化物、テトラエチルアンモニウムヨウ化物、テトラブチルアンモニウムヨウ化物、ヨウ化アンモニウム、及び、三ヨウ化窒素からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項７】 前記アニオンを含む化合物が、水素カチオン、テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、及び、テトラブチルアンモニウムカチオンからなる群から選択されるカチオンを含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項８】 前記遷移金属含有物が、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｗ、及び、Ｉｒからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項９】 前記遷移金属含有物が、Ｒｕ含有物を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項１０】 更に、ｐＨ調整剤を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項１１】 前記ｐＨ調整剤が、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラブチルアンモニウム水酸化物、アンモニア水、水溶性アミン、硫酸、塩酸、酢酸、硝酸、フッ酸、過塩素酸、及び、次亜塩素酸からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１０に記載の薬液。 【請求項１２】 前記ｐＨ調整剤が、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラブチルアンモニウム水酸化物、アンモニア水、及び、水溶性アミンからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１０又は１１項に記載の薬液。 【請求項１３】 ｐＨが８．０未満である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項１４】 ｐＨが２．５～５．０である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の薬液。 【請求項１５】 請求項１～１４のいずれか１項に記載の薬液を用いて、基板上の遷移金属含有物を除去する工程Ａを有する、基板の処理方法。 【請求項１６】 前記遷移金属含有物が、Ｒｕ含有物を含む、請求項１５に記載の基板の処理方法。 【請求項１７】 前記工程Ａが、前記薬液を用いて基板上に配置された遷移金属含有配線をリセスエッチング処理する工程Ａ１、前記薬液を用いて遷移金属含有膜が配置された基板の外縁部の前記遷移金属含有膜を除去する工程Ａ２、前記薬液を用いて遷移金属含有膜が配置された基板の裏面に付着する遷移金属含有物を除去する工程Ａ３、前記薬液を用いてドライエッチング後の基板上の遷移金属含有物を除去する工程Ａ４、又は、前記薬液を用いて化学的機械的研磨処理後の基板上の遷移金属含有物を除去する工程Ａ５である、請求項１５又は１６に記載の基板の処理方法。 【請求項１８】 前記工程Ａが、前記工程Ａ１であり、 前記工程Ａ１の後、更に、フッ酸と過酸化水素水との混合液、硫酸と過酸化水素水との混合液、アンモニア水と過酸化水素水との混合液、及び、塩酸と過酸化水素水との混合液からなる群から選択される溶液を用いて、前記工程Ａ１で得られた前記基板を処理する工程Ｂを有する、請求項１７に記載の基板の処理方法。 【請求項１９】 前記工程Ａ１と前記工程Ｂとを交互に繰り返し行う、請求項１８に記載の基板の処理方法。 【請求項２０】 前記工程Ａの後、更に、リンス液を用いて、前記工程Ａで得られた前記基板に対してリンス処理を行う工程Ｃを有する、請求項１５～１７のいずれか１項に記載の基板の処理方法。 【請求項２１】 前記リンス液が、フッ酸、塩酸、過酸化水素水、フッ酸と過酸化水素水との混合液、硫酸と過酸化水素水との混合液、アンモニア水と過酸化水素水との混合液、塩酸と過酸化水素水との混合液、二酸化炭素水、オゾン水、水素水、クエン酸水溶液、硫酸、アンモニア水、イソプロピルアルコール、次亜塩素酸水溶液、王水、超純水、硝酸、過塩素酸、シュウ酸水溶液、及び、オルト過ヨウ素酸水溶液からなる群から選択される溶液である、請求項２０に記載の基板の処理方法。 【請求項２２】 前記薬液の温度が２０～７５℃である、請求項１５～２１のいずれか１項に記載の基板の処理方法。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 本件訂正前の請求項１～２２に係る特許に対して、当審が令和４年４月２６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 理由１ 本件特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 ２ 当審の判断 ●理由１（特許法第３６条第６項第１号）について 理由１は、具体的には、「本件発明１には、薬液が含む「過ヨウ素酸類」の含有量が、「薬液全質量に対して、４０．０質量％以下」ではなく、例えば、「５０．０質量％」である場合や、「薬液」のｐＨが、「８．０未満」ではなく、例えば、「１１．０」である場合も含まれるから、その場合は、本件発明１の課題を解決することはできないので、本件発明１は、本件特許明細書の発明の詳細な説明において、発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えている。 したがって、請求項１において、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されていないため、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求することとなっている。」というものである。 この点について、上記訂正事項１により、薬液が含む「過ヨウ素酸類」の含有量が、「薬液全質量に対して、４０．０質量％以下」に限定され、「薬液」のｐＨが、「８．０以下」に限定された。これにより、本件発明１は、本件発明１の課題を解決することができる。 よって、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものであり、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たす。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許法第２９条第１項第３号（新規性）・第２９条第２項（進歩性）について （１）特許法第２９条第１項第３号（新規性）について 特許異議申立人河井清悦は、特許異議申立書において、訂正前の請求項１～４、６～１７、２２に係る発明は、本件特許出願の優先日前に日本国内において頒布された特開２００１－２４０９８５号公報（以下、「甲第１号証」という。）または特開２００２－１６０５３号公報（以下、「甲第２号証」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない旨を主張する。 （２）特許法第２９条第２項（進歩性）について 特許異議申立人河井清悦は、特許異議申立書において、訂正前の請求項１～２２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明又は甲第２号証に記載された発明及び技術常識並びに周知技術（甲第３号証～甲第７号証）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨を主張する。 ＜甲号証一覧＞ １．甲第１号証：特開２００１－２４０９８５号公報 ２．甲第２号証：特開２００２－１６０５３号公報 ３．甲第３号証：特開平１１－２９３４７８号公報 ４．甲第４号証：特開平１１－２９３４７７号公報 ５．甲第５号証：特開平０７－２６８６５７号公報 ６．甲第６号証：特表２００７－５０８６９２号公報 ７．甲第７号証：国際公開第２０１３／１４７０４６号 （３）甲号証の記載と引用発明等 ア 甲第１号証の記載と甲１発明 （ア）甲第１号証の記載 甲第１号証には、以下の事項が記載されている（下線は合議体が付加した。以下同じ。）。 「【請求項１３】固体表面に供給され、該固体表面のエッチング処理を行なわせる処理液であって、少なくとも前記固体表面に酸素原子を供与する酸化剤を含んでなり、該酸化剤の酸化還元電位が前記固体表面の酸化還元電位よりも高いことを特徴とする処理液。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、固体表面のエッチング処理及びその処理液に係わり、更にはこれらを用いた電子デバイスの製造方法に関する。」 「【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、酸化剤の満たすべき条件は、処理すべき固体の酸化還元電位に比較して、使用する酸化剤の酸化還元電位が高いことである。即ち、従来例である銅のエッチングの場合を例に取れば、化学便覧改訂４版基礎編II（以下文献１と呼ぶ）に記載されているように、Ｃｕ2+／Ｃｕの酸化還元電位が０．３４０Ｖ（標準水素電極基準：以下電位はすべて標準水素電極基準）であるので、ヘキサシアノ鉄（III）イオン（酸化還元電位：０．３６１Ｖ）やペルオキソ二硫酸イオン（酸化還元電位：１．９６Ｖ）によって銅の酸化が促進されるが、ヘキサシアノクロム（III）イオン（酸化還元電位：-１．１４Ｖ）では銅の酸化反応は起きないことになる。 【０００７】従って、最近の半導体デバイスの高集積化や高速化等の進展に伴って使用される金属、例えばルテニウムなどの貴金属のエッチング処理についても上記の電気化学的反応を考慮しなければならない。 【０００８】しかしながら、従来一般的に使用されてきた過酸化水素水は、ルテニウム等の貴金属の溶解に対して用いることは不可能である。即ち、過酸化水素はルテニウムの酸化還元電位より十分に高い酸化還元電位（Ｈ2Ｏ2／Ｈ2ＯのｐＨ＝０での酸化還元電位：１．７６３Ｖ；文献１による）を有するにもかかわらず、過酸化水素水を用いた処理液ではルテニウムに対して十分なエッチング速度を得ることができない。 【０００９】更にまた、従来、銅や鉄等のエッチングに良く用いられてきた、ペルオキソ二硫酸塩や硝酸を含む薬液を用いても、ルテニウム等の貴金属に対して十分なエッチング速度を確保することが困難である。 【００１０】かかる背景に鑑み、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、上記した貴金属に対して十分なエッチング速度を有する処理液の開発が広く望まれており、この実現によって、優れた性能を発揮する半導体デバイスの出現が通信、情報、画像表示等の産業分野の発展に大きく貢献する。」 「【００１１】 【課題を解決するための手段】例えば、白金属の貴金属元素であるルテニウムは極めて酸化されにくいとされ、その酸化処理には酸化力の強い、即ち酸化還元電位の高い酸化剤を用いる必要がある。 ・・・ 【００２２】溶解すべき金属はルテニウムに限定されるものではなく、例えばオスミウムなどの貴金属においても全く同様に考えることが出来る。そして、これらの貴金属の溶解に適した酸化剤は酸素原子供与性の酸化剤を含むものであって、これらに該当するものとして、次亜塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、塩素酸イオン、過塩素酸イオン、次亜臭素酸イオン、亜臭素酸イオン、臭素酸イオン、過臭素酸イオン、次亜ヨウ素酸イオン、亜ヨウ素酸イオン、ヨウ素酸イオン、過マンガン酸イオン、クロム酸イオン、二クロム酸イオン、硝酸イオン、亜硝酸イオン等のイオンおよび過ヨウ素酸の何れかを含有するものであれば良い。 【００２３】ところで、過ヨウ素酸を含む処理液とは、少なくとも＋７価のヨウ素からなるイオン（Ｉ（ＯＨ）6+、ＩＯ4-、Ｈ4ＩＯ6-、Ｈ3ＩＯ62-など）またはオルト過ヨウ素酸（Ｈ5ＩＯ6）のうち何れかを含む処理液を指す。そして、上記した過ヨウ素酸の濃度とは、処理液に含まれる＋７価のヨウ素からなるイオン及びオルト過ヨウ素酸の濃度の総和を指す。 【００２４】上記の酸化剤の中で、ひとつの例として過ヨウ素酸を含む処理液をある条件下で用いると更に効率良くルテニウムまたはオスミウムを溶解させることが可能である。即ち、過ヨウ素酸を含む処理液のｐＨが２以上１０以下、更に望ましくは４以上８以下で、かつ処理液に含まれる過ヨウ素酸の濃度が０．０１ｍｏｌ/Ｌ以上であるとき、工業的規模で電子デバイス等の製造を行う上で十分なスループットを確保することが可能である。 【００２５】そして一般には、オルト過ヨウ素酸としてアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンが十分に低濃度である、若しくはアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩を含まないものを用いることができるので、これらを利用した処理液を半導体製造工程に適用することが可能である。」 「【００２６】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面を用いて詳細に説明する。 【００２７】本実施例が適用される対象物質は、特に限定されるものではないが、例えばルテニウムまたはオスミウムを含有する物質を挙げることができる。また、その対象物質の形状については、膜状、粒子状、その他複雑な構造を有するものであって、特に制限されない。 【００２８】また、酸化剤の濃度や処理条件（加熱温度、攪拌方法等）についてはその詳細を以下の実施例の中で詳細に例示するが、その要旨を越えない限りこれらの実施例に限定されるものではない。 【００２９】（第１の実施例）貴金属の代表例としてルテニウム金属を用い、種々のイオンを含む酸化剤に対するエッチング効果を検討し、その結果を表１に纏めた。 【００３０】エッチングは良く知られた方法を用いて実施した。即ち、シリコンウエーハ（３０×４０ｍｍ）上にルテニウム薄膜（膜厚２００ｎｍ）を通常のスパッタリング法を用いて形成し、そのルテニウム薄膜の一部にホトレジスト膜を良く知られた方法で塗布・ベークした後、このウエーハを室温にて酸化剤を含む溶液に約１分～３０分間浸漬させる。その後、十分に水洗洗浄してからホトレジスト膜を良く知られた方法で除去した後、ルテニウム薄膜の表面に形成されたエッチング段差を一般に使用される触針式段差計を用いて計測した。尚、膜厚計測は上記の方法に限らず、例えば蛍光Ｘ線を用いた方法であっても何ら差し支えない。 【００３１】 ［図：0001393090000001.jpg］ 【００３２】この結果からも明らかのように、過酸化水素水、ペルオキソ二硫酸イオン、硝酸、ヨウ素を含む酸化剤を用いた場合にはルテニウム薄膜の溶解は殆ど認められないが、次亜塩素酸、臭素酸、及び過ヨウ素酸を用いた場合にはルテニウム薄膜の著しいエッチングが認められた。これらの酸化剤はいずれも下記の反応において、酸素原子を放出する。 【００３３】 ＣｌＯ- → Ｃｌ- + （Ｏ） （数２） ＢｒＯ3- → Ｂｒ- ＋３（Ｏ） (数３） ＩＯ4- → ＩＯ3- ＋（Ｏ） （数４） Ｈ4ＩＯ6- → ＩＯ3- ＋ ２Ｈ2Ｏ＋（Ｏ） （数５） 一方、ルテニウム金属の酸化に十分な酸化還元電位を有する酸化剤であってもルテニウム金属のエッチングが殆ど確認できないものがある。例えば、前記したペルオキソ二硫酸の反応は（数１）に示すように、また、ヨウ素は下記の反応式からもわかるように、酸素原子を放出しない。 【００３４】 Ｉ2 ＋ ２ｅ- → ２Ｉ- （数６） 従って、ルテニウム金属と結合すべき酸素原子が上記した酸化剤から供給されないので、ルテニウム金属のエッチング反応が進行しない、または通常の方法では確認されないほどエッチング反応が遅いと結論される。」 （イ）甲１発明 ａ 上記（ア）の記載事項から、甲第１号証には、次の技術的事項が記載されている。 （ａ）甲第１号証には、ルテニウムを含有する物質をエッチングするための酸化剤を含む処理液に関して記載されていること（【請求項１３】、【０００１】、【００２６】）。 （ｂ）シリコンウエーハ上に、ルテニウム薄膜を形成し、このウェーハを室温にて当該酸化剤を含む溶液に浸漬させて、ルテニウム薄膜をエッチングすること（【００３０】）。 （ｃ）酸化剤は、過ヨウ素酸を含有し、過ヨウ素酸を含む処理液を、ｐＨが４以上８以下で、かつ処理液に含まれる過ヨウ素酸の濃度が０．０１ｍｏｌ/Ｌ以上である条件で用いること（【００２２】、【００２４】）。 （ｄ）酸化剤として、過ヨウ素酸イオンを含む酸化剤を用いた場合にはルテニウム薄膜の著しいエッチングが認められ、この酸化剤は、「ＩＯ4- → ＩＯ3- ＋（Ｏ） （数４）」、「Ｈ4ＩＯ6- → ＩＯ3- ＋ ２Ｈ2Ｏ＋（Ｏ） （数５）」の反応において、酸素原子を放出するものであること（【００３１】、【００３２】、【００３３】）。 ｂ 上記ａによれば、甲第１号証には、以下の発明(以下、「甲１発明」という。)が、記載されていると認められる。 「ルテニウムを含有する物質をエッチングするための酸化剤を含む処理液であって、 シリコンウエーハ上に形成されたルテニウム薄膜をエッチングするものであり、 酸化剤として過ヨウ素酸を含有し、 ｐＨが４以上８以下で、かつ過ヨウ素酸の濃度が０．０１ｍｏｌ/Ｌ以上である条件で用いられ、 酸化剤は、「ＩＯ4- → ＩＯ3- ＋（Ｏ） （数４）」、「Ｈ4ＩＯ6- → ＩＯ3- ＋ ２Ｈ2Ｏ＋（Ｏ） （数５）」の反応において、酸素原子を放出するものである、処理液。」 イ 甲第２号証の記載と甲２発明 （ア）甲第２号証の記載 甲第２号証には、以下の事項が記載されている。 「【請求項３】 以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法； （ａ）半導体基板上に遷移金属含有膜を堆積する工程、 （ｂ）前記遷移金属含有膜をオルト過ヨウ素酸および硝酸を有する溶液によってパターニングすることにより所定の電極配線を形成する工程。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造技術に関し、例えばルテニウム（Ｒｕ）等のような遷移金属膜をパターニングする工程を有する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。」 「【００２２】また、本発明は、前記ハロゲン化オキソ酸を有する溶液が、オルト過ヨウ素酸を有する溶液とするものである。 【００２３】また、本発明は、前記ハロゲン化オキソ酸を有する溶液が、オルト過ヨウ素酸および硝酸を有する溶液とするものである。 ・・・ 【００２６】また、本発明は、前記遷移金属が、ルテニウムとするものである。」 「【００４８】（実施の形態１）本発明の技術思想は、遷移金属含有膜をハロゲン化オキソ酸を有する溶液によってパターニングすることにより所定の電極配線を形成する技術である。 【００４９】まず、本実施の形態の説明の前に、本発明の経緯および上記溶液の組成等について説明する。本発明者らは、１Ｇ（ギガ）ビットＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）のキャパシタ電極としてルテニウム等のような白金族金属（遷移金属）を用いるにあたり、ルテニウムの汚染除去を目的とした洗浄液の開発を行った。しかし、本発明者らは、半導体装置の製造プロセスで一般的に用いられている洗浄液は、ルテニウム等のような白金族金属を溶解させることが困難であることを見出した。 【００５０】図１は、半導体製造プロセスで使用されている各種洗浄液によるルテニウムのエッチングレートを示している。試料は、膜厚１００nmのルテニウム膜を堆積した３cm×４cm角のシリコンチップを使用し、１分間当たりにエッチングされるＲｕ膜の厚さを測定した。図示のように、いずれの洗浄液を使用した場合も、ルテニウムのエッチングレートは０．１nm／分以下であった。なお、０．１nm／分は、ここで使用した機器の測定限界値である。この結果から、半導体製造プロセスで使用されている既知の洗浄液では、ルテニウムを除去できないことが判る。 【００５１】ここで、ルテニウムの溶解メカニズムについて説明する。ルテニウム膜を除去するためには、ルテニウムを溶解することのできる薬液を用いる必要があるが、ルテニウムを溶解するためには、ルテニウムを酸化させる必要がある。ルテニウムの酸化反応は、次式に示すとおりであり、 Ｒｕ＋４Ｈ2Ｏ→ＲｕＯ4＋８Ｈ+＋８ｅ-（ｐＨ＝０） Ｒｕ＋８ＯＨ-→ＲｕＯ4＋４Ｈ2Ｏ＋８ｅ-（ｐＨ＝１４） このとき必要な酸化還元電位（Ｅ）は、酸性水溶液（ｐＨ＝０）中で１．１３Ｖ、アルカリ性水溶液（ｐＨ＝１４）中で０．３０Ｖである。従って、ルテニウムを酸化させるためには、酸性水溶液中で１．１３Ｖ以上、またはアルカリ性水溶液中で０．３０Ｖ以上の酸化還元電位を持った酸化剤が必要である。 【００５２】図２は、上記の値より大きい酸化還元電位を持った各種酸化剤（ヨウ素を除く）の所定濃度におけるルテニウムのエッチングレートを示している。なお、使用した試料およびエッチングレートの測定方法は、前記図１と同じである。 【００５３】図示のように、ここでは酸性で大きいエッチングレートを示す酸化剤は、オルト過ヨウ素酸（Ｈ5ＩＯ6）のみである。また、アルカリ性で大きいエッチングレートを示す酸化剤は、次亜塩素酸、メタ過ヨウ素酸およびオルト過ヨウ素酸の３種である。しかし、アルカリ性で大きいエッチングレートを示す酸化剤のうち、次亜塩素酸およびメタ過ヨウ素酸は、ナトリウム（Ｎａ）のようなアルカリ金属の塩であるため、アルカリ金属による汚染を嫌う半導体製造プロセスでは使用できない。従って、これらの酸化剤のうち、ルテニウム膜の洗浄液として使用できる酸化剤は、実質的にオルト過ヨウ素酸のみといえる。酸性で使用される酸化剤の利点としては、アルカリ性で使用される酸化剤と異なり、溶質との間で塩を生成することがない点が挙げられる。 【００５４】図３は、各種濃度のオルト過ヨウ素酸水溶液（温度６０℃）とルテニウムのエッチングレート（nm／min）との関係を示すグラフである。図示のように、ルテニウムのエッチングレートはオルト過ヨウ素酸の濃度の増加に伴い増加することが判る。従って、オルト過ヨウ素酸水溶液をルテニウム膜の洗浄液として使用する場合は、オルト過ヨウ素酸の濃度を約１０wt％～飽和濃度の範囲とすればよい。 【００５５】また、本発明者は、上記オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を混合することによって、Ｒｕのエッチングレートがさらに大きくなるという知見を得た。 【００５６】図４は、濃度４７wt％のオルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を添加した水溶液（温度６０℃）を使ってルテニウムをエッチングしたときの硝酸濃度とエッチングレートとの関係を示すグラフである（試料は前記図１で使用したものと同じ）。図示のように、硝酸濃度が～２mol／ｌの範囲では、硝酸の添加量にほぼ比例してルテニウムのエッチングレートが増加した。 ・・・ 【００５９】このことから、ルテニウム膜の洗浄液として、オルト過ヨウ素酸と硝酸とを含んだ水溶液を使う場合は、オルト過ヨウ素酸濃度および硝酸濃度がそれぞれ２０wt％～４０wt％の範囲、好ましくはオルト過ヨウ素酸濃度および硝酸濃度がそれぞれ２５wt％～３５wt％の範囲の水溶液を使うことにより、洗浄液の濃度変化によるルテニウムのエッチングレートの変動を抑制することができ、プロセスマージンを広く取ることが可能となる。すなわち、上記濃度範囲のオルト過ヨウ素酸＋硝酸混合水溶液を使用することが好ましい。 【００６０】オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を混合することによって、ルテニウムのエッチングレートが大きくなる理由は、次のようであると推定される。すなわち、オルト過ヨウ素酸（Ｈ5ＩＯ6）は、水溶液中で次式で示される電離平衡状態にある。 【００６１】Ｈ5ＩＯ6 ⇔ Ｈ4ＩＯ6-＋Ｈ+ Ｈ4ＩＯ6- ⇔ Ｈ3ＩＯ62-＋Ｈ+ Ｈ3ＩＯ62- ⇔ Ｈ2ＩＯ63-＋Ｈ+ Ｈ4ＩＯ6- ⇔ ＩＯ4-＋Ｈ2Ｏ ２Ｈ3 ＩＯ62- ⇔ Ｈ2Ｉ2Ｏ104-＋２Ｈ2Ｏ 水溶液中に含まれるこれらの分子やイオン種のうち、ルテニウムを酸化する能力を備えているのはオルト過ヨウ素酸（Ｈ5ＩＯ6）のみである。このオルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を加えると、水溶液中には硝酸に由来するプロトン（Ｈ+）の濃度が高くなるために、上記の平衡が左辺側に進む。その結果、ルテニウムを酸化することのできるオルト過ヨウ素酸（Ｈ5ＩＯ6）の濃度が高くなり、ルテニウムのエッチングレートが大きくなるものと推定される。 【００６２】従って、硝酸に限らず上記の平衡を左辺側に進めるような酸を添加することにより、ルテニウムのエッチングレートを大きくすることができる。例えば図７は、オルト過ヨウ素酸水溶液に市販の各種酸を添加した場合のルテニウムのエッチングレートの変化を示している。図示のように、硝酸だけでなく酢酸やリン酸を添加した場合でもルテニウムのエッチングレートが大きくなることが分かる。 【００６３】ルテニウムのエッチングレートを大きくする酸としては、例えば上記酢酸やＨギ酸（ＣＯＯＨ）に代表されるカルボン酸；フッ化水素（ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）などのハロゲン化水素酸；塩素酸（ＨＣｌＯ3）、過塩素酸（ＨＣｌＯ4）、臭素酸（ＨＢｒＯ3）、過臭素酸（ＨＢｒＯ4）などのハロゲン化オキソ酸；・・・などの６族元素水素化物；・・・などの硫黄のオキソ酸；・・・などのポリリン酸、・・・などのリンのオキソ酸；・・・などを例示することができる。なお、硫酸の添加ではルテニウムのエッチングレートは低下する。塩酸は、塩素発生等の不都合が生じる。過酸化水素はヨウ素析出等の不都合が生じる。また、オルト過ヨウ素酸の単体またはそれに硝酸を添加した溶液を洗浄液として使用することにより、ルテニウムのエッチングレートを大幅に向上させることが可能なことについては、例えば本発明者による特願平１１-２４５１４３号公報（平成１１年８月３１日出願）に詳細に記載されている。 【００６４】また、本発明者らの新たな研究結果によれば、図８に示すように、オルト過ヨウ素酸と硝酸とを用いた溶液は、例えばルテニウムシリサイド（ＲｕＳｉ；ルテニウムとシリコンとの化合物）、多結晶シリコン、シリコン、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4やプラズマＳｉＮ）および窒化チタン（ＴｉＮ）等のような半導体装置を構成するルテニウム以外の多くの材料をほとんど溶解しないことが確認された。図８は、例えば６０℃に加温したオルト過ヨウ素酸（濃度３０wt％）と硝酸（濃度３０wt％）の混合水溶液を用いた場合であり、ルテニウムシリサイド、多結晶シリコン、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4やプラズマＳｉＮ）および窒化チタン等の溶解速度が、例えば０．１ｎｍ／ｍｉｎ以下に対して、ルテニウムの選択比を２０００以上も得ることができた。 【００６５】そこで、上記したオルト過ヨウ素酸と硝酸とを用いた溶液を、ルテニウム汚染除去液として用いる他、半導体装置の電極配線を形成するルテニウム電極配線の微細加工（パターニング）用のエッチング液として用いた。これにより、ルテニウムをドライエッチング法によってパターニングするのに比べて、以下の効果が得られる。 【００６６】すなわち、異方性ドライエッチングでは除去できないような微細な部分にわたってルテニウムを等方的に除去することができるので、ルテニウムのパターニングを良好に行うことが可能となる。また、ルテニウムのパターニングに際して、ルテニウムを他の構成材料に対して選択的にエッチング除去できるので、他の部分にダメージを与えたり、除去してしまったりすることなく、ルテニウムのパターニングを良好に行うことが可能となる。これらにより、半導体装置の歩留まりを向上させることが可能となる。また、半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。さらに、損傷低減による素子特性の向上を図ることができ、半導体装置の性能を向上させることが可能となる。 【００６７】また、ルテニウムを異方性ドライエッチング処理でパターニングする場合よりも速くパターニングすることが可能となる。また、ルテニウムを異方性ドライエッチング処理でパターニングする場合よりも製造工程の簡略化が可能となる。これらにより、半導体装置の製造上のスループットを向上させることが可能となる。また、ルテニウムを異方性ドライエッチング処理でパターニングする場合よりも安くパターニングすることが可能となる。したがって、半導体装置の製造コストを低減することが可能となる。」 （イ）甲２発明 ａ 上記（ア）の記載事項から、甲第２号証には、次の技術的事項が記載されている。 （ａ）甲第２号証には、半導体基板上に堆積されたルテニウム膜をパターニングするエッチング液に関して記載されていること（【請求項３】、【０００１】、【００５０】）。 （ｂ）ルテニウムを溶解するためには、酸化剤が必要であり、使用できる酸化剤は、酸性で大きいエッチングレートを示す酸化剤であるオルト過ヨウ素酸のみであること（【００５１】、【００５３】）。 （ｃ）オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を混合することによって、Ｒｕのエッチングレートがさらに大きくなること（【請求項３】，【００５５】、【００６０】）。 （ｄ）硝酸に限らず、例えば、上記酢酸やＨギ酸（ＣＯＯＨ）に代表されるカルボン酸；フッ化水素（ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）などのハロゲン化水素酸；塩素酸（ＨＣｌＯ3）、過塩素酸（ＨＣｌＯ4）、臭素酸（ＨＢｒＯ3）、過臭素酸（ＨＢｒＯ4）などのハロゲン化オキソ酸；６族元素水素化物；硫黄のオキソ酸；ポリリン酸、リンのオキソ酸などを添加することにより、ルテニウムのエッチングレートを大きくすることができること（【００６２】、【００６３】）。 ｂ 上記ａによれば、甲第２号証には、以下の発明(以下、「甲２発明」という。)が、記載されている。 「半導体基板上に堆積されたルテニウム膜をパターニングするエッチング液であって、 ルテニウムを溶解するためには、酸化剤として、酸性で大きいエッチングレートを示すオルト過ヨウ素酸を使用し、 オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を混合することによって、Ｒｕのエッチングレートがさらに大きくなり、 硝酸に限らず、例えば、上記酢酸やＨギ酸（ＣＯＯＨ）に代表されるカルボン酸；フッ化水素（ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）などのハロゲン化水素酸；塩素酸（ＨＣｌＯ3）、過塩素酸（ＨＣｌＯ4）、臭素酸（ＨＢｒＯ3）、過臭素酸（ＨＢｒＯ4）などのハロゲン化オキソ酸；６族元素水素化物；硫黄のオキソ酸；ポリリン酸、リンのオキソ酸などを添加することにより、ルテニウムのエッチングレートを大きくすることができる、エッチング液。」 （４）本件発明１と甲１発明との対比・判断 ア 本件発明１と甲１発明とを対比する。 甲１発明の「処理液」、「シリコンウェーハ」、「ルテニウムを含有する物質」、「エッチングする」、「過ヨウ素酸」は、それぞれ本件発明１の「薬液」、「基板」、「遷移金属含有物」、「除去する」、「過ヨウ素酸」から「選択される１種以上の過ヨウ素酸類」に相当する。 したがって、両者は、少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点１＞ 本件発明１は、「過ヨウ素酸及びその塩からなる群から選択される１種以上の過ヨウ素酸類と、ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物と」、を含み、「前記アニオンを含む化合物の含有量が、前記薬液全質量に対して、５質量ｐｐｂ～１質量％である」であるのに対し、甲１発明は、「酸化剤として過ヨウ素酸を含有し」、「酸化剤は、「ＩＯ4- → ＩＯ3- ＋（Ｏ） （数４）」、「Ｈ4ＩＯ6- → ＩＯ3- ＋ ２Ｈ2Ｏ＋（Ｏ） （数５）」の反応において、酸素原子を放出するもの」であるものの、アニオンを含む化合物を含むこと、及び、そのアニオンを含む化合物の処理液全質量に対する濃度は特定されていない点。 ＜相違点２＞ 過ヨウ素酸類の含有量について、本件発明１は、「前記過ヨウ素酸類の含有量が、前記薬液全質量に対して、４０．０質量％以下」であるものの、甲１発明では、「過ヨウ素酸の濃度が０．０１ｍｏｌ/Ｌ以上である条件で用いられ」るものであり、本件発明１のような特定はなされていない点。 イ まず、上記相違点１について、検討する。 （ア）甲１発明は、「酸化剤として過ヨウ素酸を含有し」、「酸化剤は、「ＩＯ4- → ＩＯ3- ＋（Ｏ） （数４）」、「Ｈ4ＩＯ6- → ＩＯ3- ＋ ２Ｈ2Ｏ＋（Ｏ） （数５）」の反応において、酸素原子を放出するもの」であるところ、「ＩＯ4- 」や「Ｈ4ＩＯ6- 」を含み、また、反応において、「ＩＯ3- 」を含むものの、「ＩＯ4- 」や「ＩＯ3- 」はアニオン（陰イオン）であり、アニオンを含む化合物ではない。また、甲１発明では、アニオンを含む化合物の含有量（濃度）についても特定されていない。 したがって、相違点１は実質的な相違点であるといえるから、本件発明１は、甲１発明であるとはいえない。 （イ）甲第１号証には、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」について、記載も示唆もされていない。 また、酸化剤としての過ヨウ素酸としてを含み、ルテニウムを含有する物質をエッチングするための酸化剤を含む処理液において、該過ヨウ素酸に加え、更に、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」を含むものとすることは、技術常識でもない。 更に、甲第３号証～甲第７号証のいずれにも、過ヨウ素酸類と、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」と、を含む薬液は、記載されていない。 したがって、技術常識及び周知技術（甲第３号証～甲第７号証）に基づき、甲１発明において、「過ヨウ素酸」に加え、更に、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」を含むものとする動機付けは当業者にはなく、更に、アニオンを含む化合物の含有量を上記相違点１に係る本件発明１の構成とする動機付けも当業者にはない。 よって、甲１発明において、技術常識及び周知技術（甲第３号証～甲第７号証）に基づいて、上記相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことではない。 以上のとおりであるから、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明並びに技術常識及び周知技術（甲第３号証～甲第７号証）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （５）本件発明１と甲２発明との対比・判断 ア 本件発明１と甲２発明とを対比する。 甲２発明の「エッチング液」、「半導体基板」、「ルテニウム膜」、「溶解する」、「オルト過ヨウ素酸」は、それぞれ本件発明１の「薬液」、「基板」、「遷移金属含有物」、「除去する」、「過ヨウ素酸」から「選択される１種以上の過ヨウ素酸類」に相当する。 したがって、両者は、少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点３＞ 本件発明１は、「過ヨウ素酸及びその塩からなる群から選択される１種以上の過ヨウ素酸類と、ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物と」、を含み、「前記アニオンを含む化合物の含有量が、前記薬液全質量に対して、５質量ｐｐｂ～１質量％である」であるのに対し、甲２発明は、「オルト過ヨウ素酸を使用し、オルト過ヨウ素酸水溶液に硝酸を混合することによって、Ｒｕのエッチングレートがさらに大きくなり、硝酸に限らず、例えば、上記酢酸やＨギ酸（ＣＯＯＨ）に代表されるカルボン酸；フッ化水素（ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）などのハロゲン化水素酸；塩素酸（ＨＣｌＯ3）、過塩素酸（ＨＣｌＯ4）、臭素酸（ＨＢｒＯ3）、過臭素酸（ＨＢｒＯ4）などのハロゲン化オキソ酸；６族元素水素化物；硫黄のオキソ酸；ポリリン酸、リンのオキソ酸などを添加することにより、ルテニウムのエッチングレートを大きくすることができる」ものの、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」を含むこと、及び、そのアニオンを含む化合物のエッチング液全質量に対する濃度は特定されていない点。 ＜相違点４＞ 過ヨウ素酸類の含有量について、本件発明１は、「前記過ヨウ素酸類の含有量が、前記薬液全質量に対して、４０．０質量％以下」であるものの、甲２発明では、「過ヨウ素酸の濃度が０．０１ｍｏｌ/Ｌ以上である条件で用いられ」るものであり、本件発明１のような特定はなされていない点。 ＜相違点５＞ 本件発明１では、「ｐＨが８．０以下である」に対し、甲２発明では、「酸性で大きいエッチングレートを示すオルト過ヨウ素酸を使用」するものの、ｐＨについては特定されていない点。 イ まず、上記相違点３について、検討する。 （ア）甲２発明は、「酸化剤」として、「オルト過ヨウ素酸」を使用し、「硝酸を混合」、ないし、「硝酸に限らず、例えば、酢酸やＨギ酸（ＣＯＯＨ）に代表されるカルボン酸；フッ化水素（ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）などのハロゲン化水素酸；塩素酸（ＨＣｌＯ3）、過塩素酸（ＨＣｌＯ4）、臭素酸（ＨＢｒＯ3）、過臭素酸（ＨＢｒＯ4）などのハロゲン化オキソ酸；６族元素水素化物；硫黄のオキソ酸；ポリリン酸、リンのオキソ酸などを添加する」ものであり、「オルト過ヨウ素酸」に混合ないし添加する化合物として、「硝酸」、及び「酢酸やＨギ酸（ＣＯＯＨ）に代表されるカルボン酸；フッ化水素（ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）などのハロゲン化水素酸；塩素酸（ＨＣｌＯ3）、過塩素酸（ＨＣｌＯ4）、臭素酸（ＨＢｒＯ3）、過臭素酸（ＨＢｒＯ4）などのハロゲン化オキソ酸；６族元素水素化物；硫黄のオキソ酸；ポリリン酸、リンのオキソ酸など」が列記されており、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」との特定はなされていない。また、甲２発明では、アニオンを含む化合物の含有量（濃度）についても特定されていない。 したがって、相違点３は実質的な相違点であるといえるから、本件発明１は、甲２発明であるとはいえない。 （イ）上記（ア）のとおり、甲２発明は、「オルト過ヨウ素酸」に混合ないし添加する化合物として、「硝酸」、及び「酢酸やＨギ酸（ＣＯＯＨ）に代表されるカルボン酸；フッ化水素（ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）などのハロゲン化水素酸；塩素酸（ＨＣｌＯ3）、過塩素酸（ＨＣｌＯ4）、臭素酸（ＨＢｒＯ3）、過臭素酸（ＨＢｒＯ4）などのハロゲン化オキソ酸；６族元素水素化物；硫黄のオキソ酸；ポリリン酸、リンのオキソ酸など」が列記されている。 これらの化合物のうち、「ヨウ化水素（ＨＩ）」が唯一、本件発明１の「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」に該当するものである。また、「ハロゲン化オキソ酸」であって、ハロゲンがヨウ素である、メタ過ヨウ素酸（ＨＩＯ４）やオルト過ヨウ素酸（Ｈ５ＩＯ６）も本件発明１の「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」に該当する。 一方、酸化剤として、オルト過ヨウ素酸を使用し、半導体基板上に堆積されたルテニウム膜をパターニングするエッチング液において、該オルト過ヨウ素酸に加え、更に、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」を含むものとすることは、技術常識ではない。 また、甲第３号証～甲第７号証のいずれにも、過ヨウ素酸類と、「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」と、を含むエッチング液は、記載されていない。 したがって、技術常識及び甲第３号証～甲第７号証に記載された技術的事項に基づき、甲２発明において、「オルト過ヨウ素酸」に混合ないし添加する化合物として、硝酸やその他の多数列記された化合物から、「ヨウ化水素（ＨＩ）」を選択する、あるいは、「ハロゲン化オキソ酸」を選択し、更に、ハロゲンとしてヨウ素を選択し、メタ過ヨウ素酸（ＨＩＯ４）やオルト過ヨウ素酸（Ｈ５ＩＯ６）を混合ないし添加する化合物として採用する動機付けは当業者にはなく、更に、当該化合物の含有量を上記相違点３に係る本件発明１の構成とする動機付けも当業者にはない。 よって、甲２発明において、技術常識及び周知技術（甲第３号証～甲第７号証）に基づいて、上記相違点３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことではない。 以上のとおりであるから、相違点４、５について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明並びに技術常識及び周知技術（甲第３号証～甲第７号証）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （６）よって、特許異議申立人河井清悦の上記（１）及び（２）の主張は、採用することができない。 ２ 特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について 特許異議申立人河井清悦は、特許異議申立書９０～９２ページにおいて、訂正前の請求項１～２２に係る発明に関し、「本件特許明細書の実施例では、薬液について、ｐＨが０～８．０、過ヨウ素酸類の含有量が０．１～３７．０である場合のみが記載されているに過ぎない。」（９１ページ）、「請求項1の薬液として、限定のないｐＨおよび過ヨウ素酸類の含有量について、如何なるｐＨおよび過ヨウ素酸類の含有量とすればよいのか、合理的に推測することは困難であり、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を要するものと思量する。・・・、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。」（９２ページ）と主張する。 しかしながら、本件発明１～２２に関し、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００８０】～【０１１５】には、実施例について説明されており、段落【００９１】の表１には、実施例Ａ１～実施例Ａ３１が示され、当業者であればその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているといえるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たす。 したがって、特許異議申立人河井清悦の主張は、採用することができない。 ３ 特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について 特許異議申立人河井清悦は、特許異議申立書９２～９３ページにおいて、請求項１は、「過ヨウ素酸及びその塩からなる群から選択される１種以上の過ヨウ素酸類と、ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物と、を含み、」という発明特定事項を有しているが、「アニオンを含む化合物」は、上記の「過ヨウ素酸類」とは別に添加されたものであるのか、過ヨウ素酸類から生じたものを含むのか、不明確である旨を主張する。 しかしながら、過ヨウ素酸類から生じるＩＯ３－などは、「アニオンを含む化合物」ではなく、また、本件特許明細書の段落【００１６】、【００１８】～【００２１】、【００４８】、【００８１】～【００８３】等の「特定化合物」に関する記載を参照すれば、請求項１に記載された「ＩＯ３－、Ｉ－、及び、Ｉ３－からなる群から選択される１種以上のアニオンを含む化合物」は、上記記載における「特定化合物」が対応することは明らかである。 したがって、請求項１において、「アニオンを含む化合物」は、上記の「過ヨウ素酸類」とは別に添加されたものであることは、明確であり、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たす。 よって、特許異議申立人河井清悦の主張は、採用することができない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１～２２に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～２２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。