2022-014187

第１ 手続の経緯

本願は、平成３０年５月３１日に出願された特許出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。

第２ 令和４年９月９日にされた手続補正についての補正の却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

令和４年９月９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。

［理由］

１ 本件補正について（補正の内容）

（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載

本件補正後の請求項６の記載は、次のとおりである。（下線部は、手続補正書の記載のとおりである。）

「【請求項６】

半導体素子（１４）と、前記半導体素子（１４）と電気的に接続する電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）とを有し、前記金属部（１１）上への前記半導体素子（１４）の搭載、前記半導体素子（１４）と前記金属部（１１）との電気的接続、封止材（１９）による封止がなされる半導体装置であって、

前記封止材（１９）の底部から露出する前記金属部（１１）の裏面には、金属で構成され、部分的に突出する突出部（１１ｄ）が設けられており、

前記突出部（１１ｄ）を除く金属部（１１）の裏面と前記封止材（１９）の裏面とが略同一平面上に位置し、

前記突出部（１１ｄ）の表面のみに金属膜（２１）が形成されていることを特徴とする半導体装置。」

（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載

本件補正前の（令和４年３月１５日に提出された手続補正書により補正された）請求項６の記載は、次のとおりである。

「【請求項６】

半導体素子（１４）と、前記半導体素子（１４）と電気的に接続する電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）とを有し、前記金属部（１１）上への前記半導体素子（１４）の搭載、前記半導体素子（１４）と前記金属部（１１）との電気的接続、封止材（１９）による封止がなされる半導体装置であって、

前記封止材（１９）の底部から露出する前記金属部（１１）の裏面には、部分的に突出する突出部（１１ｄ）が設けられており、

前記突出部（１１ｄ）を除く金属部（１１）の裏面と前記封止材（１９）の裏面とが略同一平面上に位置し、

前記突出部（１１ｄ）の表面のみに金属膜（２１）が形成されていることを特徴とする半導体装置。」

２ 補正の適否

本件補正は、本件補正前の請求項６に記載された発明を特定するために必要な事項である金属部（１１）の裏面に設けられる「部分的に突出する突出部（１１ｄ）」について「金属で構成され、」と限定を付加するものであって、補正前の請求項６に記載された発明と補正後の請求項６に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

そこで、本件補正後の請求項６に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。

（１）本件補正発明

本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。

（２）引用文献１の記載、及び引用発明

ア 引用文献１の記載

原査定の拒絶の理由で引用された特開２０００－２１９１９号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付した。）

「【００２５】以上の製造方法により完成された半導体装置１の実装状態を図３に示す。半導体装置１は、実装用突起５とグランド用突起７（図１参照）に対応する金属膜６，８が実装基板１５の実装領域１７に接触するように導電材１６を介して実装される。グランド用突起７に対応する金属膜８が接触する実装領域１７は、接地されている。図３では接地されていることを模式的に示しているが、実際には実装基板１５表面に形成される配線パターンを介して接地部に接続されている。

・・・（中略）・・・

【００２８】図４～図６は本発明の第２の実施形態を説明するための図であり、図４は第２の実施形態に係る半導体装置断面図及び透視図、図５は第２の実施形態に係る製造工程を説明するための断面図、図６は第２の実施形態に係る半導体装置の部分拡大断面図である。本実施形態は、基本的な構造は第１の実施形態と同様であるが、各端子にワイヤーボンディングを施すための平面領域を設けたことを特徴としている。

【００２９】図４（ａ）に示すように、実装用突起２５とグランド用突起２７とが形成されてなる樹脂パッケージ２３内のグランド用突起２７の部分に半導体素子２２が収容されてなるものであり、実装用突起２５とグランド用突起２７の表面とその周辺部に、それぞれ金属膜２６，２８が被着されている。金属膜２６，２８の周辺部は、特に平面領域２６’，２８’としている。

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【００３０】そして、半導体素子２２表面の信号端子と金属膜２６の平面領域２６’とがワイヤー２４により電気的に接続されている。また、樹脂パッケージ２３のグランド用突起２７の部分に封止されている半導体素子２２の底面は、導電性接着剤２９によって金属膜２８に電気的に接触している。半導体装置２１における平面的な構成は、図４（ｂ）の底面図に示すように、中央部にグランド用突起２７に対応する金属膜２８が形成されており、その周辺部に複数の実装用突起２５に対応する金属膜２６が形成されている。

【００３１】尚、金属膜２６，２８の周辺部にはそれぞれ平面領域２６’，２８’が設けられている。この平面領域２６ａ’２８’はワイヤーボンディングのための領域であり、特にこのような領域を形成する理由は後に述べる。本実施形態においても第１の実施形態と同様、半導体素子２２は例えばシリコンからなる半導体基板をベースに作られたものであり、この半導体素子２２の底面の導電性接着剤は銀ペーストを使用している。この構成により半導体基板から銀ペーストを介したグランド経路ができている。

【００３２】次に本実施形態に係る製造方法を図５を参照しながら説明する。まず、図５（ａ）の如く銅材等からなる金属板３１表面に所定パターンの第１のレジスト３２を被着させる。金属板３１の裏面側にはその全面にレジストを被着している。次に、第１のレジスト３２をマスクにして金属板３１の露出部をハーフエッチングすることにより、図５（ｂ）に示す凹部３３ａ，３３ｂを形成する。

【００３３】その後、ハーフエッチングにより形成した凹部３３ａ，３３ｂ内にメッキを施すことにより、図５（ｃ）に示す第１の金属膜２６ａ，２８ａを形成する。そして、第１のレジスト３２の一部を除去する、或いは第１のレジスト３２を全て剥離して新たなパターンのレジストを被着することにより、図５（ｄ）に示すような第２のレジスト３４を形成する。

【００３４】この状態において、第２のレジストをマスクにして露出する表面に再度メッキを施すことにより、図５（ｅ）に示す第２の金属膜２６ｂ，２８ｂを形成する。この第２の金属膜２６ｂ，２８ｂの周辺部には、図４で説明した平面領域が設けられている。更に、図５（ｆ）に示すように、裏面のレジスト及び第２のレジストを除去してリードフレーム３４を完成させた後、このリードフレーム３４の凹部３３ｂに対応する金属膜２８上に、銀ペーストからなる導電性接着剤２９を介して半導体素子２２を搭載し、半導体素子２２の表面の接続端子と凹部１３ａに対応する第２の金属膜２６ｂの平面領域との間をワイヤー２４をボンディングすることにより、電気的に接続する。

【００３５】次に、通常のモールド金型を用いた封止技術によって、図５（ｇ）に示す如く樹脂パッケージ２３を形成する。最後に、金属板３１をエッチングにより除去して、図５（ｈ）の如く半導体装置２１を完成させる。尚、本実施形態の製造方法においても、複数の半導体装置２１を同時に形成した後、ダイシングすることで個片化するものである。

・・・（中略）・・・

【００４０】図６に示すとおり、実装用突起２５（図４参照）に対応する第１の金属膜２６ａはＡｕ膜２６ａ－１とＰｄ膜２６ａ－２からなり、第２の金属膜２６ｂはＮｉ膜２６ｂ－１とＰｄ膜２６ｂ－２から構成されている。尚、グランド用突起２７（図４参照）に対応する第１の金属膜２８ａと第２の金属膜２８ｂも同様な材料からなる多層構造になっている。」

「【図３】

［図：0001400227000001.jpg］

」

「【図４】

［図：0001400227000002.jpg］

」

「【図５】

［図：0001400227000003.jpg］

」

イ 引用発明

（ア） 引用文献１には、段落００３２～００３５、図５に示される製造方法により製造される、第２の実施形態の半導体装置２１の、グランド用突起２７の実装基板に対する実装状態についての具体的な記載は無いが、図３についての段落００２５の第１の実施形態についての記載と同様に、実装基板の実装領域に接触するように導電材を介して実装され接地されるといえる。

（イ） 上記（ア）を踏まえると、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。

「銅材等からなる金属板３１表面に所定パターンの第１のレジスト３２を被着させ（図５（ａ）、段落００３２）、

第１のレジスト３２をマスクにして金属板３１の露出部をハーフエッチングすることにより、凹部３３ｂを形成し（図５（ｂ）、段落００３２）、 ハーフエッチングにより形成した凹部３３ｂ内にメッキを施すことにより、第１の金属膜２８ａを形成し（図５（ｃ）、段落００３３）、

第１のレジスト３２の一部を除去することにより、第２のレジスト３４を形成し（図５（ｄ）、段落００３３）、

第２のレジストをマスクにして露出する表面に再度メッキを施すことにより、第２の金属膜２８ｂを形成し、この第２の金属膜２８ｂの周辺部には平面領域が設けられ（図５（ｅ）、段落００３４）、

第２のレジストを除去してリードフレーム３４を完成させた後、このリードフレーム３４の凹部３３ｂに対応する金属膜２８上に、銀ペーストからなる導電性接着剤２９を介して半導体素子２２を搭載し（図５（ｆ）、段落００３４）、

次に、通常のモールド金型を用いた封止技術によって樹脂パッケージ２３を形成し（図５（ｇ）、段落００３５）

金属板３１をエッチングにより除去するこにより製造される半導体装置２１（段落００３５、図５（ｈ））であって、

第１の金属膜２８ａと第２の金属膜２８ｂはグランド用突起２７に対応し（段落００４０）、

グランド用突起２７は、実装基板の実装領域に接触するように導電材を介して実装され接地される（上記（ア））、

半導体装置２１。」

（３）対比

本件補正発明と引用発明とを対比する。

ア 半導体装置について

（ア） 半導体装置２１の発明である引用発明は、「半導体装置」に係る発明である点で本件補正発明と共通する。

（イ） 引用発明の「半導体素子２２」は、本件補正発明の「半導体素子（１４）」に相当する。

（ウ） 「グランド用突起２７に対応し」、「実装基板の実装領域に接触するように導電材を介して実装され接地され」、また、「銀ペーストからなる導電性接着剤２９を介して半導体素子２２を搭載」する引用発明の「第２の金属膜２８ｂ」は、本件補正発明の「前記半導体素子（１４）と電気的に接続する電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）」に相当する。

そして、引用発明は、「金属膜２８上に、銀ペーストからなる導電性接着剤２９を介して半導体素子２２を搭載」するものであるから、第２の金属膜２８ｂ上への半導体素子２２の搭載、及び、半導体素子２２と第２の金属膜２８ｂとの電気的接続がなされているといえる。

（エ） 引用発明は、通常のモールド金型を用いた封止技術によって、樹脂パッケージ２３を形成するものであるから、封止材による封止がなされているといえる。

（オ） 小括

以上によると、引用発明は、「半導体素子（１４）と、前記半導体素子（１４）と電気的に接続する電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）とを有し、前記金属部（１１）上への前記半導体素子（１４）の搭載、前記半導体素子（１４）と前記金属部（１１）との電気的接続、封止材（１９）による封止がなされる半導体装置」である点で本件補正発明と一致する。

イ 突出部（１１ｄ）について

（ア） 引用発明の「第２の金属膜２８ｂ」は、金属で構成されている。

（イ） 引用発明の「第２の金属膜２８ｂ」は、金属板３１表面の第１のレジスト３２をマスクにして形成した凹部３３ｂ内に第１の金属膜２８ａを形成し、その後、第１のレジスト３２の一部を除去することにより形成した第２のレジスト３４をマスクにして、露出する表面に再度メッキを施すことにより形成するものである。

そうすると、引用発明の「第２の金属膜２８ｂ」は、第１のレジスト３２の一部が除去された部分において、第１の金属膜２８ａが形成される、凹部３３ｂに対応する部分に加え、平面領域として金属板３１表面にも形成されるから、樹脂パッケージ２３を形成し、エッチングにより金属板３１を除去した場合に、凹部３３ｂに対応する部分、及び平面領域が樹脂パッケージ２３の底部から露出する。

そして、引用発明の、「第２の金属膜２８ｂ」の凹部３３ｂに対応して形成された部分は、平面領域に対する、部分的に突出する突出部といえる。

（ウ） 小括

以上によると、引用発明は、「前記封止材（１９）の底部から露出する前記金属部（１１）の裏面には、金属で構成され、部分的に突出する突出部（１１ｄ）が設けられており」といえる点で本件補正発明と一致する。

ウ 金属部（１１）と封止材（１９）の裏面について

引用発明において、「第２の金属膜２８ｂ」の平面領域、及び、樹脂パッケージ２３は、いずれも、金属板３１の、凹部３３ｂに対応する部分以外の表面上に形成される。

したがって、引用発明は「前記突出部（１１ｄ）を除く金属部（１１）の裏面と前記封止材（１９）の裏面とが略同一平面上に位置し」といえる点で本件補正発明と一致する。

エ 金属膜（２１）について

金属板３１に形成された凹部３３ｂ内に、メッキを施すことにより形成する引用発明の「第１の金属膜２８ａ」は、第２の金属膜２８ｂの平面領域以外の部分である、突出する突出部の表面のみに形成されているといえる。

したがって、引用発明は「前記突出部（１１ｄ）の表面のみに金属膜（２１）が形成されている」といえる点で本件補正発明と一致する。

オ 結論

以上のとおり、本件補正発明と引用発明とに相違する点はなく、本件補正発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

３ 本件補正についてのむすび

以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。

よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３ 本願発明について

１ 本願発明

令和４年９月９日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和４年３月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１（２）に記載に記載された事項により特定されるものである。

２ 原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１～８に係る発明は、本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明であり、また、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号、及び同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。

３ 引用文献

原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２［理由］２（２）アに記載したとおりである。

４ 対比・判断

本願発明は、本件補正発明から、金属部（１１）の裏面に設けられる「部分的に突出する突出部（１１ｄ）」についての「金属で構成され、」との限定事項を削除したものである。

そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２［理由］２（３）に記載したとおり、引用発明であるから、本願発明も、引用発明であるといえる。

第４ むすび

以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。