2022-001110
光電変換装置、および、それを含む機器
- 審判番号
- 2022-001110
- 法域
- 特許
- 審判種別
- 拒絶査定不服審判（拒絶査定不服の審決）
- 出願番号
- 特願2019-126403外部サイト（J-PlatPat）へ移動します
- 請求日
- 2022年01月25日
- 審決日
- 2022年09月28日
- 公報発行日
- 2022年12月28日
- 結論
- 請求不成立
- 当事者
- 【請求人】キヤノン株式会社
- 【請求人代理人】特許業務法人大塚国際特許事務所
- 分類
- P18 .575-Z (H01L) / P18 .121-Z (H01L)
- 条文（本文から自動抽出・参考）
- 特許法第29条、特許法第17条の2第5項、特許法第17条の2第6項
- データ出所
- 審決公報（XML）
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結論
理由
目次 ▾ 11項目
第１ 手続の経緯
本願は、令和１年７月５日（優先権主張 平成３０年１０月１７日、平成３１年２月１５日、平成３１年２月２８日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
第２ 令和４年１月２５日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
令和４年１月２５日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１ 本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、補正後の請求項１の記載は、次のとおりである。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置であって、前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、続きを表示（全12行）前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し、前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、前記遮光膜は、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定し、前記第２部分と前記半導体層との間に位置する第３部分を有し、前記主面に垂直な方向における前記第１部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きく、前記主面に垂直な方向における前記第３部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きく、前記遮光膜を構成する材料の光吸収係数が前記遮光壁を構成する材料の光吸収係数より大きい、ことを特徴とする光電変換装置。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲
本件補正前の、令和３年５月６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置であって、前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、続きを表示（全11行）前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し、前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、前記遮光膜は、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定し、前記第２部分と前記半導体層との間に位置する第３部分を有し、前記主面に垂直な方向における前記第１部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きく、前記主面に垂直な方向における前記第３部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きい、ことを特徴とする光電変換装置。」
２ 補正の適否
本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「遮光膜」及び「遮光壁」それぞれを構成する材料の光吸収係数の大小関係について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献の記載事項
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ア 引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第２０１６／１１４１５４号（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審において付した。）
「技術分野[0001] 本開示は、固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、斜め光特性と感度向上の両立を図ることができるようにする固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関する。」
「[0027] ＜２．画素の第１の実施の形態＞＜画素の断面構成図＞図２は、第１の実施の形態に係る画素２の断面構成図である。[0028] 固体撮像素子１は、半導体基板１２の、例えば、ｐ型（第１導電型）の半導体領域４１に、ｎ型（第２導電型）の半導体領域４２を画素２ごとに形成することにより、フォトダイオードPDが、画素単位に形成されている。半導体基板１２の表裏両面に臨むｐ型の半導体領域４１は、暗電流抑制のための正孔電荷蓄積領域を兼ねている。続きを表示（全14行）[0029] 半導体基板１２の表面側（図中下側）には、フォトダイオードPDに蓄積された電荷の読み出し等を行う複数の画素トランジスタTrと、複数の配線層４３と層間絶縁膜４４とからなる多層配線層４５が形成されている。[0030] 半導体基板１２の多層配線層４５側には光が入射されないので、配線層４３のレイアウトは制約されず、自由に設定することができる。[0031] 半導体基板１２の裏面側（図中上側）の界面には、絶縁層４６が形成される。図２の例では、絶縁層４６は、屈折率の異なる複数層、例えば、ハフニウム酸化（HfO2）膜４８とシリコン酸化膜４７の２層の膜で構成されており、絶縁層４６は、光学的には反射防止膜として機能する。[0032] 絶縁層４６の上面には、平坦化膜４９が形成されており、その平坦化膜４９上の画素境界部分に、画素間遮光膜５０が形成されている。画素間遮光膜５０は、光を遮光する材料であればよく、遮光性が強く、かつ微細加工、例えばエッチングで精度よく加工できる材料として、金属、例えばアルミニウム（Al）、タングステン（Ｗ）、または銅（Cu）の膜で形成することが好ましい。[0033] 画素間遮光膜５０は、図３に示されるように、画素有効領域の外側のOPB（Optical Black）形成膜５１及び位相差画素２P（図１１）の瞳分割遮光膜５２と同一層で、同時に形成することができる。画素間遮光膜５０は、画素間において混色や想定していない角度で入射するフレア成分の光を抑制する。OPB形成膜５１は、画素有効領域外を覆うことで暗時出力の基準となる黒レベルを検出するOPBクランプ領域を形成する。瞳分割遮光膜５２は、位相差画素２Pにおいて異なる射出瞳からの光を分離する。[0034] 位相差画素２Pは、瞳分割遮光膜５２により、例えば、図３に示されるようにフォトダイオードPDの受光面の左側半分が開口されたタイプAと、右側半分が開口されたタイプBの２種類があり、これら２種類が対となって画素アレイ部３の所定の位置に配置されている。タイプAからの画素信号とタイプBの画素信号とでは、開口部の形成位置の違いにより、像のずれが発生する。この像のずれから、位相ずれ量を算出してデフォーカス量を算出し、撮影レンズを調整（移動）することで、オートフォーカスを達成することができる。[0035] なお勿論、画素間遮光膜５０、OPB形成膜５１、及び瞳分割遮光膜５２は、同時に形成される必要はなく、別個に形成されるようにしてもよい。また、例えば混色やフレアの抑制より、感度の向上を優先して図る場合には、画素間遮光膜５０の格子状の幅を小さくするようにしてもよい。[0036] 図２の説明に戻り、画素間遮光膜５０と絶縁層４６の上には、遮光壁６１と平坦化膜６２の層が、複数段、形成されている。具体的には、画素間遮光膜５０上の一部分に、第１の遮光壁６１Aが形成されるとともに、その第１の遮光壁６１Aどうしの間に第１の平坦化膜６２Aが形成されている。そしてさらに、第１の遮光壁６１Aと第１の平坦化膜６２Aの上に、第２の遮光壁６１Bと第２の平坦化膜６２Bが形成されている。・・・[0038] 第１の遮光壁６１Aと第２の遮光壁６１Bは、平面方向については、図３に示した画素間遮光膜５０のように、画素境界部分に格子状に形成されている。」
「[0059] ＜３．第１の実施の形態に係る画素の製造方法＞次に、図４乃至図６を参照して、上述した第１の実施の形態に係る画素２の製造方法について説明する。[0060] まず、図４のAに示されるように、半導体基板１２の、ｐ型の半導体領域４１にｎ型の半導体領域４２を画素２ごとに形成することにより、フォトダイオードPDが、画素単位に形成される。半導体基板１２の表面側（図中下側）に、フォトダイオードPDに蓄積された電荷の読み出し等を行う複数の画素トランジスタTrと、複数の配線層４３と層間絶縁膜４４とからなる多層配線層４５が形成される。さらに、半導体基板１２の裏面側（図中上側）に、絶縁層４６及び平坦化膜４９が形成される。この工程までは、一般的な裏面照射型の固体撮像素子を形成する場合と同様の方法で作成することができる。[0061] 次に、図４のBに示されるように、平坦化膜４９上の画素境界部分に、アルミニウム（Al）、タングステン（Ｗ）、または銅（Cu）などの金属材料により、画素間遮光膜５０が形成される。[0062] 次に、平坦化膜６２Aとなる無機材料、例えばSiO2を成膜後、CMP（Chemical Mechanical Polishing）などで平坦化することで、画素間遮光膜５０の上面に平坦化層を形成し、その後、画素間遮光膜５０上の所定部分をエッチング加工することにより、図４のCに示されるように、平坦化膜６２Aに対して第１の遮光壁６１Aを形成する部分が開口された開口部１０１が形成される。[0063] そして、開口部１０１にタングステンや銅などの金属材料を埋め込んだ後、表面全体をCMP（Chemical Mechanical Polishing）することにより、図４のDに示されるように、第１の遮光壁６１Aが形成される。[0064] なお、開口部１０１に金属材料を埋め込む際には、密着層として、例えばTiNが内周面に形成されるが、この密着層により、反射低減による不要光低減効果が期待できる。[0065] また、第１の遮光壁６１Aの金属材料としてアルミニウムを用いる場合には、最初に第１の遮光壁６１Aを形成してから、平坦化膜６２Aを形成することができる。具体的には、まず初めに、所望の高さまで第１の遮光壁６１Aとなるアルミニウムを全面に成膜し、リソグラフィでパターニングを行うことにより第１の遮光壁６１Aが形成される。その後、平坦化膜６２Aとなる無機材料、例えばSiO2を、形成した第１の遮光壁６１Aの間に埋め込んで、表面全体をCMPで平坦化することにより、図４のDの状態となる。」
「[0127] ＜１０．OPB領域の遮光構造＞次に、画素有効領域外のOPB領域の遮光構造について説明する。[0128] 図１５は、画素有効領域外のOPB領域の遮光構造の第１の構成例を説明する図である。[0129] 画素有効領域では、上述したように、第１の遮光壁６１Aと第２の遮光壁６１Bの２段の遮光壁６１が形成され、画素アレイ部３の中央部（画角中央）から周辺部（画角端）へ行くほど、瞳補正量が大きくなるように形成されていた。[0130] これに対して、画素有効領域外のOPB領域では、図１５に示されるように、図３に示したOPB形成膜５１のみが形成された遮光構造とすることができる。なお、図１５の例では、OPB領域には、Gのカラーフィルタ７１が形成されているが、OPB領域は受光しない領域であるので、カラーフィルタ７１の有無や色は限定されない。[0131] 図１６は、画素有効領域外のOPB領域の遮光構造の第２の構成例を説明する図である。[0132] 画素有効領域外のOPB領域では、図１５に示したOPB形成膜５１のみの遮光構造の他、例えば、図１６に示されるように、OPB形成膜５１の上に、画素有効領域と同様の、第１の遮光壁６１Aと第２の遮光壁６１Bの２段の遮光壁６１が形成された遮光構造とすることができる。これにより、図１５に示したOPB形成膜５１のみが形成された場合と比較して、遮光性を向上させることができる。」
図２、１５は、以下のとおりのものである。
［図：0001391792000001.jpg］
［図：0001391792000002.jpg］
（イ）上記記載から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ａ 引用文献１に記載された技術は、固体撮像素子に関するものである（[0001]）。
ｂ 固体撮像素子１は、画素有効領域及びOPB領域を有すること（[0127]～[0130]、図１５）。
ｃ 画素間遮光膜５０は、画素有効領域の外側のOPB（Optical Black）形成膜５１と同一層で、アルミニウム（Al）の膜で同時に形成され、OPB形成膜５１は、OPBクランプ領域を形成すること（[0032]、[0033]、[0061]）。
ｄ 第１の遮光壁６１Aは、タングステンにより形成されること（[0036]、[0062]、[0063]）。
（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「画素有効領域及びOPB領域を有する固体撮像素子１であって、固体撮像素子１は、半導体基板１２に、フォトダイオードPDが、画素単位に形成されており、半導体基板１２の裏面側の界面には、絶縁層４６が形成され、絶縁層４６の上面には、平坦化膜４９が形成されており、その平坦化膜４９上の画素境界部分に、画素間遮光膜５０が形成されており、画素間遮光膜５０は、画素有効領域の外側のOPB（Optical Black）形成膜５１と同一層で、アルミニウム（Al）の膜で同時に形成され、OPB形成膜５１は、OPBクランプ領域を形成し、画素間遮光膜５０上の一部分に、第１の遮光壁６１Aが形成されるとともに、その第１の遮光壁６１Aどうしの間に第１の平坦化膜６２Aが形成されており、第１の遮光壁６１Aは、平面方向については、画素間遮光膜５０のように、画素境界部分に格子状に形成されており、第１の遮光壁６１Aは、タングステンにより形成され、画素有効領域外のOPB領域では、OPB形成膜５１のみが形成された遮光構造である、固体撮像素子１。」
（３）引用発明との対比
ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「画素有効領域」、「OPB領域」、「固体撮像素子１」、「画素有効領域」の「フォトダイオードPD」、「OPB領域」の「フォトダイオードPD」、「半導体基板１２」、「半導体基板１２の裏面側」、「第１の遮光壁６１A」は、それぞれ本件補正発明の「受光画素領域」、「遮光画素領域」、「光電変換装置」、「第１光電変換部」、「第２光電変換部」、「半導体層」、「半導体層の上」、「遮光壁」に相当する。
（イ）本件補正発明における、「前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁」と、引用発明における、「画素間遮光膜５０上の一部分に、第１の遮光壁６１Aが形成されるとともに、その第１の遮光壁６１Aどうしの間に第１の平坦化膜６２Aが形成されており、第１の遮光壁６１Aは、平面方向については、画素間遮光膜５０のように、画素境界部分に格子状に形成されており」とを対比する。
引用発明において、「半導体基板１２の裏面側の界面には、絶縁層４６が形成され、絶縁層４６の上面には、平坦化膜４９が形成されており、その平坦化膜４９上の画素境界部分に、画素間遮光膜５０が形成されて」いるから、「画素間遮光膜５０」は、「半導体基板１２の裏面側」に形成されたものであるといえる。
また、引用発明において、「固体撮像素子１は、半導体基板１２に、フォトダイオードPDが、画素単位に形成されており」、「第１の遮光壁６１A」は、「画素間遮光膜５０上の一部分」に「形成され」、「画素境界部分に格子状に形成されて」いるから、「第１の遮光壁６１A」は、「画素有効領域」の複数の「フォトダイオードPD」にそれぞれ対応する複数の開口を規定するものであるといえる。
したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁」を備える点で一致する。
（ウ）引用発明の「画素間遮光膜５０」は、上記（イ）のとおり、「半導体基板１２の裏面側」に形成されたものであるといえるから、本件補正発明における「前記半導体層の上に配置された遮光膜」に相当する。
また、引用発明において、「画素間遮光膜５０は、画素有効領域の外側のOPB（Optical Black）形成膜５１と同一層で、アルミニウム（Al）の膜で同時に形成され、OPB形成膜５１は、OPBクランプ領域を形成」するから、「OPB（Optical Black）形成膜５１」は、「OPB領域」の複数の「フォトダイオードPD」を覆うように半導体基板１２の主面に沿って延在し、半導体基板１２の側の下面および前記下面とは反対側の上面（半導体基板１２とは反対側の面）を有するものであるといえる。
そうすると、引用発明において、「画素間遮光膜５０」と「OPB（Optical Black）形成膜５１」とを併せたものは、本件補正発明の「遮光膜」に相当し、「OPB（Optical Black）形成膜５１」は、本件補正発明の「第１部分」に対応するといえる。
したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有」する点で一致する。
（エ）引用発明において、「画素間遮光膜５０上の一部分に、第１の遮光壁６１Aが形成され」るから、「第１の遮光壁６１A」は、半導体基板１２からの距離が、画素間遮光膜５０の半導体基板１２とは反対側の面と半導体基板１２の主面との距離よりも大きい部分を有するといえる。
そうすると、引用発明における当該部分は、本件補正発明の「第２部分」に対応するといえる。
したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有」する点で一致する。
（オ）引用発明において、「半導体基板１２の裏面側の界面には、絶縁層４６が形成され、絶縁層４６の上面には、平坦化膜４９が形成されており、その平坦化膜４９上の画素境界部分に、画素間遮光膜５０が形成されて」いるから、「画素間遮光膜５０」は、「画素有効領域」の複数の「フォトダイオードPD」にそれぞれ対応する複数の開口を規定し、第１の遮光壁６１Aの上記第２部分と半導体基板１２との間に位置する部分を有するといえる。
そうすると、引用発明における当該部分は、本件補正発明の「第３部分」に対応するといえる。
したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記遮光膜は、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定し、前記第２部分と前記半導体層との間に位置する第３部分を有」する点で一致する。
（カ）固体撮像素子で使用される波長帯において、アルミニウムの光吸収係数はタングステンの光吸収係数よりも大きいことは、例示するまでもなく当業者には周知の事項であるから、引用発明において、画素間遮光膜５０を構成するアルミニウム（Al）の光吸収係数は、第１の遮光壁６１Aを構成するタングステンの光吸収係数より大きいものである。
したがって、本願補正発明と引用発明とは、「前記遮光膜を構成する材料の光吸収係数が前記遮光壁を構成する材料の光吸収係数より大きい」点で一致する。
イ 以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置であって、前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し、前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、前記遮光膜は、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定し、前記第２部分と前記半導体層との間に位置する第３部分を有し、前記遮光膜を構成する材料の光吸収係数が前記遮光壁を構成する材料の光吸収係数より大きい、光電変換装置。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
本件補正発明は、「前記主面に垂直な方向における前記第１部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きく、前記主面に垂直な方向における前記第３部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大き」いのに対し、引用発明は、OPB（Optical Black）形成膜５１の厚さと第１の遮光壁６１Aの厚さの大小関係、及び、画素間遮光膜５０の厚さと第１の遮光壁６１Aの厚さの大小関係について特定されていない点。
（４）判断
以下、上記相違点１について検討する。
引用発明において、画素有効領域における遮光膜（画素間遮光膜５０）は、OPB領域における遮光膜（OPB形成膜５１）と同一層で同時に形成される、すなわち、同一の工程で形成されるものである一方、遮光膜と遮光壁は異なる工程で形成されるものであるから、遮光膜と遮光壁の膜厚（遮光膜については第１部分及び第３部分の厚さ、遮光壁については第２部分の厚さ）については、これらを同じにする理由はなく、それぞれ独自に設定し得るものである。
その際、遮光膜については、特にOPB領域に光が透過することを確実に防止するためにある程度の膜厚が必要であるのに対して、遮光壁を必要以上に厚く形成すると、特に画素有効領域において、フォトダイオードに到達する光量が減少して、感度が低下する等の不都合が生じることは、当業者に明らかであるから、引用発明において、第１部分の厚さを第２部分の厚さより大きくすることは当業者が容易に想起し得たものであり、その場合、第３部分の厚さについても、必然的に第２部分の厚さより大きくなるものである。
したがって、引用発明において、相違点１に係る本件補正発明の構成を採用することは、当業者であれば、容易になし得たことと認められる。
イ そして、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
エ したがって、本件補正発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３ 本件補正についてのむすび
よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３ 本願発明について
１ 本願発明
令和４年１月２５日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和３年５月６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～３０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２ 原査定の拒絶の理由
原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１～３、５～９、１４、１５、１７～２３、３０に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２～４に記載された周知技術に基づいて、請求項１０、１１に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２～５に記載された周知技術に基づいて、請求項１２、１３に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２～６に記載された周知技術に基づいて、請求項１６に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２～７に記載された周知技術に基づいて、請求項２４～２８に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２～６、８に記載された周知技術に基づいて、請求項２９に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２～６、８、９に記載された周知技術に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
１．国際公開第２０１６／１１４１５４号
２．特開２００９－２７２７４７号公報（周知技術を示す文献）
３．特開２００９－２８３４８２号公報（周知技術を示す文献）
４．特開２００５－２９４６４７号公報（周知技術を示す文献）
５．特開２００７－０１３０６１号公報（周知技術を示す文献）
６．特開２０１２－０８４６９３号公報（周知技術を示す文献）
７．特開２０１４－０３６０３７号公報（周知技術を示す文献）
８．特開２０１６－２１９５５１号公報（周知技術を示す文献）
９．特開２０１２－１９１００５号公報（周知技術を示す文献）
３ 引用文献
原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４ 対比・判断
本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「遮光膜」及び「遮光壁」に係る限定事項を削除したものである。
そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４ むすび
以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
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2022-001110