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特許第６９０１６２９号発明「電波吸収体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９０１６２９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１２〕、１３について訂正することを認める。 特許第６９０１６２９号の請求項１ないし１３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９０１６２９号の請求項１ないし１３に係る特許についての出願は、２０１９年（令和１年）１２月２５日（優先権主張 平成３０年１２月２５日、日本 平成３０年１２月２５日、日本）を国際出願日とする出願であって、令和３年６月２１日にその特許権が設定登録され、令和３年７月１４日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和３年１２月２０日 ：特許異議申立人石井良和（以下、「申立人」という。）により請求項１ないし１３に係る特許に対する特許異議の申立て 令和４年 ３月１５日付け：取消理由通知 令和４年 ５月２０日 ：特許権者による意見書の提出 令和４年 ６月２４日付け：取消理由通知（決定の予告） 令和４年 ８月 ２日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和４年 ９月 ６日 ：特許異議申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和４年８月２日付けの訂正請求の趣旨は、特許第６９０１６２９号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～１３について訂正することを求めるものであり、その訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は次のとおりである。下線は、訂正箇所を示す。 （１）訂正事項１ 請求項１の 「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び／又は （特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、 電波吸収体。」との記載を、 「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は （特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び （特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、 電波吸収体。」と訂正する。 請求項１の記載を引用する他の請求項も同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 請求項１３の 「（特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、及び／又は （特性Ｂ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、 λ／４型電波吸収体用部材。」との記載を、 「（特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、又は （特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、及び （特性Ｂ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、 λ／４型電波吸収体用部材。」と訂正する。 （３）一群の請求項 上記訂正事項１に係る本件訂正前の請求項１ないし１２について、請求項２ないし１２は請求項１を引用しているものであるから、本件訂正前の請求項１ないし１２に対応する本件訂正の請求項１ない１２は、特許法第１２０条の５第４項に規定する関係を有する一群の請求項である。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載されていた（特性Ａ）、（特性Ｂ）、（特性Ａ）かつ（特性Ｂ）の３つの態様を含む記載を、（特性Ｂ）である態様を削除し、（特性Ａ）、（特性Ａ）かつ（特性Ｂ）の２つの態様を含む記載に限定するものである。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 上記アで検討したように、訂正事項１は訂正前の請求項１に含まれる態様を削除し限定するものであるから、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、訂正前の請求項１３に記載されていた（特性Ａ）、（特性Ｂ）、（特性Ａ）かつ（特性Ｂ）の３つの態様を含む記載を、（特性Ｂ）である態様を削除し、（特性Ａ）、（特性Ａ）かつ（特性Ｂ）の２つの態様を含む記載に限定するものである。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否 上記アで検討したように、訂正事項２は訂正前の請求項１３に含まれる態様を削除し限定するものであるから、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 （３）なお、訂正前の請求項１ないし１３について特許異議の申立てがされているので、訂正前の請求項１ないし１２に係る訂正事項１及び訂正前の請求項１３に係る訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 小括 以上とおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１ないし１２〕、１３について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり本件訂正は認められるので、本件特許の請求項１ないし１３に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明１３」という。）は、その訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された次の事項により特定されるものである。なお、下線部は訂正箇所を示す。 「【請求項１】 支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有し、支持体の厚みが５μｍ以上５００μｍ以下であり、且つ （特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は （特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び （特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、 電波吸収体。 【請求項２】 ４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上であり（特性Ａ）、且つ前記抵抗膜の抵抗値が１７５～３６０Ω／□である、請求項１に記載の電波吸収体。 【請求項３】 ４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上であり（特性Ｂ）、且つ前記抵抗膜の抵抗値が３５５～６９０Ω／□である、請求項１に記載の電波吸収体。 【請求項４】 ４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上であり（特性Ａ）、且つ式（１Ａ）：７００≦ｄ×√ε≦１１５０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たす、請求項１又は２に記載の電波吸収体。 【請求項５】 ４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上であり（特性Ｂ）、且つ式（１Ｂ）：６８２≦ｄ×√ε≦９６０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たす、請求項１又は３に記載の電波吸収体。 【請求項６】 前記誘電体層の比誘電率が１～１０である、請求項１～５のいずれかに記載の電波吸収体。 【請求項７】 前記抵抗膜がバリア層を含む、請求項１～６のいずれかに記載の電波吸収体。 【請求項８】 前記抵抗膜がモリブデンを含有する、請求項１～７のいずれかに記載の電波吸収体。 【請求項９】 前記抵抗膜がさらにニッケル及びクロムを含有する、請求項８に記載の電波吸収体。 【請求項１０】 前記反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１～９のいずれかに記載の電波吸収体。 【請求項１１】 電波吸収体の支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上である、請求項１～１０のいずれかに記載の電波吸収体。 【請求項１２】 前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、請求項１～１１のいずれかに記載の電波吸収体。 【請求項１３】 支持体、抵抗膜及び誘電体層を有し、支持体の厚みが５μｍ以上５００μｍ以下であり、且つ、 （特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、又は （特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、及び （特性Ｂ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、 λ／４型電波吸収体用部材。」 第４ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について １ 当審が令和４年６月２４日付け取消理由通知（決定の予告）で特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 理由１ 下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 理由２ 下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 記 ●理由１（新規性）について ・請求項１ないし６、１１、１３について引用文献１ ●理由２（進歩性）について ・請求項７について引用文献１ 請求項８および９について引用文献１、３ 請求項１０について引用文献１、４および５（または、引用文献１、３ないし５） 請求項１２について引用文献１（または、引用文献１、３ないし５） 引 用 例 等 一 覧 引用文献１：特開２０１８－９８３６７号公報（甲第１号証） 引用文献２：渡辺正、“表面張力のしくみ”、ｐ．６００－６０３、［ｏｎｌｉｎｅ］、１９９９、化学と教育、４７巻９号、[令和３年１２月１日検索]、インターネット、＜URL:https://www.jstage.jst.go.jp/article/kakyoshi/47/9/47_KJ00003521008/_pdf＞（甲第１７号証） 引用文献３：特開２０１８－５６５６２号公報（甲第２号証） 引用文献４：特開２０１８－１７２６９５号公報（甲第１５号証） 引用文献５：特開２０１８－１９８２９８号公報（甲第１６号証） ２ 引用文献１の記載、引用発明 （１）取消理由通知（決定の予告）において引用した特開２０１８－９８３６７号公報（甲第１号証）（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 「【００２１】 上記λ／４型電磁波吸収体である本発明の電磁波吸収体としては、例えば、図１に示すように、抵抗層Ａと、誘電体層Ｂと、導電層Ｃとをこの順で有し、上記抵抗層Ａの外側と、導電層Ｃの外側に、それぞれ樹脂層Ｄ1，Ｄ2が設けられているものがあげられる。なお、図１において、各部分は模式的に示したものであり、実際の厚み、大きさ等とは異なっている（以下の図においても同じ）。また、抵抗層Ａと、誘電体層Ｂと、導電層Ｃの構成で充分に効果を奏することができるため、樹脂層Ｄ1，Ｄ2は、任意に設けられた構成である。」 「【００２３】 また、抵抗層Ａのシート抵抗は３２０～５００Ω／□の範囲に設定されることが好ましく、より好ましくは３６０～４５０Ω／□の範囲である。抵抗層Ａのシート抵抗が上記範囲内であると、ミリ波レーダや準ミリ波レーダとして汎用される波長（周波）の電磁波を選択的に吸収しやすくなるためである。」 「【００２７】 誘電体層Ｂの比誘電率は、１～１０の範囲にあることが好ましく、１～５の範囲にあることがより好ましく、１～３の範囲にあることがさらに好ましい。比誘電率が上記範囲内であると、誘電体層を制御しやすい厚みに設定することができ、かつ電磁波吸収量が２０ｄＢ以上である周波数帯域の帯域幅をより広いものに設定することが可能となり、吸収能をより均一に有する電磁波吸収体を得ることができる。 【００２８】 なお、上記誘電体層Ｂの比誘電率は、アジレント・テクノロジー社製 ネットワークアナライザーＮ５２３０Ｃ、関東電子応用開発社製 空洞共振器ＣＰ５３１等を用い、１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法により測定することができる。 【００２９】 誘電体層Ｂの厚みは、５０～２０００μｍであることが好ましく、１００～１５００μｍであることがより好ましく、１００～１０００μｍであることがさらに好ましい。薄すぎると厚み寸法精度の確保が困難となり、吸収性能の精度が低下する恐れがあり、厚すぎると重量も増すこともあり扱いにくくなったり、材料コストが高くなる傾向がある。 【００３０】 上記導電層Ｃは、対象とする電磁波を電磁波吸収体の裏面近傍で反射させるために配置されるものであり、そのシート抵抗は、抵抗層Ａのシート抵抗より充分に低く設定されている。これらのことから、導電層Ｃの材料としては、例えば、ＩＴＯ、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびこれらの金属の合金があげられる。なかでも、導電層ＣにＩＴＯを用いることで、透明な電磁波吸収体を供することができ、透明性が必要とされる部位への適用が可能となるだけでなく、施工性の改善を図ることができるため、とりわけ５～１５重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯが好ましく用いられる。導電層ＣにＩＴＯを用いた場合の厚みは、２０～２００ｎｍであることが好ましく、５０～１５０ｎｍであることがより好ましい。厚みが厚すぎると導電層Ｃに応力によりクラックが入り易くなる傾向がみられ、薄すぎると所望の低い抵抗値が得られ難くなる傾向がみられるためである。一方、シート抵抗値をより容易に下げることができ、ノイズをより低減することができる点から、Ａｌまたはその合金が好ましく用いられる。Ａｌまたはその金属合金を用いた場合の導電層Ｃの厚みは、２０ｎｍ～１００μｍであることが好ましく、５０ｎｍ～５０μｍであることがより好ましい。厚みが厚すぎると電磁波吸収体が剛直となり扱いづらくなる傾向がみられ、薄すぎると所望の低い抵抗値が得られがたくなる傾向がみられるためである。また、導電層Ｃのシート抵抗は、１．０×１０-7Ω～１００Ωであることが好ましく、１．０×１０-7Ω～２０Ωであることが好ましい。 【００３１】 上記樹脂層Ｄ1，Ｄ2は、抵抗層Ａまたは導電層Ｃをスパッタ等により形成する際の基板となるものであり、電磁波吸収体に形成された後に、抵抗層Ａおよび導電層Ｃを外部からの衝撃等から保護する等の役割を果たすものである。このような樹脂層Ｄ1，Ｄ2の材料としては、抵抗層Ａまたは導電層Ｃの形成に用いる蒸着やスパッタ等の高温に耐えうるものであることが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、アクリル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）等があげられる。なかでも、耐熱性に優れ、寸法安定性とコストとのバランスがよいことからＰＥＴが好ましく用いられる。なお、樹脂層Ｄ1，Ｄ2は、互いに同じ材料からなっていてもよいし、それぞれ異なる材料からなっていてもよい。また、単層にかぎらず複層であってもよいし、樹脂層Ｄ1，Ｄ2を設けなくてもよい。」 「【００３２】 樹脂層Ｄ1，Ｄ2の厚みは、それぞれ１０～１２５μｍであることが好ましく、２０～５０μｍであることがより好ましい。薄すぎると、抵抗層Ａを形成する際にシワや変形が起こりやすい傾向がみられるためであり、厚すぎると、電磁波吸収体としての屈曲性が低下する傾向がみられるためである。また、樹脂層Ｄ1，Ｄ2は互いに同じ厚みであってもよいし、それぞれ異なる厚みであってもよい。」 ［図：0001393081000001.jpg］ （２）引用文献１の上記記載から、λ／４型電磁波吸収体について次のことがいえる。 ア 【００２１】によれば、λ／４型電磁波吸収体は抵抗層Ａと、誘電体層Ｂと、導電層Ｃとをこの順で有し、上記抵抗層Ａの外側と、導電層Ｃの外側に、それぞれ樹脂層Ｄ1，Ｄ2が設けられている。 イ 【００２３】によれば、抵抗層Ａのシート抵抗は３２０～５００Ω／□の範囲である。 ウ 【００２７】、【００２９】によれば、誘電体層Ｂの比誘電率は１～３の範囲、厚みは１００～１０００μｍである。 エ 【００３０】によれば、導電層Ｃの材料としては、ＩＴＯ、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）である。 オ 【００３１】、【００３２】によれば、樹脂層Ｄ1，Ｄ2は、抵抗層Ａまたは導電層Ｃをスパッタ等により形成する際の基板となるものであり、樹脂層Ｄ1，Ｄ2の厚みは、それぞれ２０～５０μｍである。よって、「樹脂層Ｄ1は、抵抗層Ａをスパッタにより形成する際の基板」、「樹脂層Ｄ2は、導電層Ｃをスパッタにより形成する際の基板」を含み、「樹脂層Ｄ1，Ｄ2の厚みは、それぞれ２０～５０μｍ」である。 （３）上記（２）によれば、引用文献１には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。 「抵抗層Ａと、誘電体層Ｂと、導電層Ｃとをこの順で有し、上記抵抗層Ａの外側と、導電層Ｃの外側に、それぞれ樹脂層Ｄ1，Ｄ2が設けられているλ／４型電磁波吸収体であって、 抵抗層Ａのシート抵抗は３２０～５００Ω／□の範囲であり、誘電体層Ｂの比誘電率は１～３の範囲、厚みは１００～１０００μｍであり、 導電層Ｃの材料としては、ＩＴＯ、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）であり、 樹脂層Ｄ1は、抵抗層Ａをスパッタにより形成する際の基板、樹脂層Ｄ2は、導電層Ｃをスパッタにより形成する際の基板であり、樹脂層Ｄ1，Ｄ2の厚みは、それぞれ２０～５０μｍである λ／４型電磁波吸収体。」 ３ 当審の判断 （１）本件発明１ないし６、１１、１３の新規性について ア 本件発明１について （ア）本件発明１と引用発明とを対比する。 ａ 本件明細書の段落【００８７】に「本発明の電波吸収体が抵抗膜を有する場合、さらに支持体を有することが好ましい。」と記載され、段落【０１３１】ないし【０１３２】に支持体であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に抵抗値２６０Ω／□の抵抗膜をＤＣパルススパッタリングにより成膜することが記載されていることを考慮すれば、本件発明１の「支持体」はその表面にスパッタリングにより抵抗膜が形成されるものである。 してみると、引用発明の「抵抗層Ａをスパッタにより形成する際の基板」である「樹脂層Ｄ1」は、本件発明１の「支持体」に相当する。また、引用発明の「抵抗層Ａ」は、本件発明１の「抵抗膜」に相当する。 ｂ 引用発明の「誘電体層Ｂ」は「λ／４型電磁波吸収体」を構成するものであるから、本件発明１の「誘電体層」に相当する。 ｃ 本件明細書の段落【００７８】に「反射層は、電波吸収体において電波の反射層として機能し得るものである限り、特に制限されない・・・例えば金属膜が挙げられる。」、段落【００８０】に「金属としては、特に制限されず、例えばアルミニウム、銅、鉄、銀、金、クロム、ニッケル、モリブデン、ガリウム、亜鉛、スズ、ニオブ、インジウム等が挙げられる。また、金属化合物、例えばＩＴＯ等も、金属膜の素材として使用することができる。」と記載されていることを考慮すれば、本件発明１の「反射層」の材料は、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、モリブデン、ＩＴＯを含むものである。 してみると、引用発明の「材料としては、ＩＴＯ、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）」の「導電層Ｃ」は、本件発明１の「反射層」に相当する。 ｄ 引用発明の「樹脂層Ｄ1の厚み」が「２０～５０μｍである」ことは、本件発明１の「支持体の厚みが５μｍ以上５００μｍ以下」であることに含まれる。 ｅ 本件発明１は「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である」のに対して、引用発明はその旨特定されていない点で相違する。 ｆ 引用発明の「λ／４型電磁波吸収体」は、本件発明１の「支持体」、「抵抗膜」、「誘電体層」、「反射層」に相当する構成を有するものであるから、本件発明１の「電波吸収体」に相当する。 （イ）そうすると、本件発明１と引用発明とは、次の点で一致ないし相違する。 〈一致点〉 「支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有し、支持体の厚みが５μｍ以上５００μｍ以下である、 電波吸収体。」 〈相違点〉 本件発明１は「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である」のに対して、引用発明はその旨特定されていない点。 （ウ）相違点についての判断 本件発明１の上記相違点に係る構成は、（特性Ａ）、又は、（特性Ａ）及び（特性Ｂ）であるから、電波吸収体の特性が（特性Ａ）であることは必須の構成である。 そこで以下、電波吸収体の特性が（特性Ａ）である場合について検討を行う。 ａ 本件明細書には、以下のとおりの記載がある。 段落【００４７】「抵抗層の抵抗値を調節することにより、本発明の特性における吸収範囲を調節することが可能である。」、 段落【００４８】「本発明の電波吸収体Ａにおいて、抵抗層の抵抗値は、例えば１６０～３７０Ω／□である。」、 段落【００６８】「誘電体層の比誘電率を調節することにより（特に、それにより後述の式（１）の値を調節することにより）、本発明の特性における吸収範囲を調節することが可能である。誘電体層の比誘電率は、例えば１～２０・・・である。」、 段落【００６９】「誘電体層の厚みを調節することにより（特に、それにより後述の式（１）の値を調節することにより）、本発明の特性における吸収範囲を調節することが可能である。」、 段落【００７０】「本発明の電波吸収体Ａにおいて、誘電体層の厚みは、例えば３００～１３００μｍ・・・である。」、 段落【００７２】「誘電体層については、特性Ａにおける吸収範囲を調節する一手段として、式（１）：７００≦ｄ×√ε≦１１５０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たすことが、好ましい。」 また、段落【０１３０】ないし【０１５０】には、電波吸収体Ａに関する実施例１Ａないし１５Ａ、比較例１Ａないし４Ａが記載されている。 ｂ これらの記載によれば、本件発明１の（特性Ａ）の電波吸収体は、次の（ａ）の条件を満たす抵抗膜及び（ｂ）の条件を満たす誘電体層により得られるものと認められる。 （ａ）抵抗膜の抵抗値を１６０～３７０Ω／□とする （ｂ）誘電体層の比誘電率を１～２０、厚みを３００～１３００μｍとすると共に、式（１）：７００≦ｄ×√ε≦１１５０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たすものとする ｃ まず、（ａ）の条件について検討する。 引用発明の抵抗層は表面抵抗が３２０～５００Ω/□であるから、当該条件を必ず満たすものではない。 ｄ 次に、（ｂ）の条件について検討する。 引用発明の誘電体層の比誘電率は１～３、厚みは１００～１０００μｍであるから、ｄ×√ε＝１００×√１～１０００×√３＝１００～１７３２．０５となり、比誘電率は満たすものの、厚み及び式（１）を必ず満たすものではない。 ｅ 小括 以上のとおり、引用発明の抵抗層および誘電体層は（ａ）（ｂ）の条件を必ず満たすものではないから、引用発明は「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である」という構成を有するとはいえず、上記相違点は実質的な相違であるから、本件発明１は引用発明であるとはいえない。 （エ）まとめ よって、本件の請求項１に係る発明は引用文献１に記載された発明であるとはいえないから特許法第２９条第１項第３号に該当するとはいえず、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではない。 イ 本件発明２ないし６、１１について 本件発明２ないし６、１１は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに発明特定事項を加え、本件発明１を限定するものである。 してみると、上記「ア」で検討したことと同じ理由により、本件の請求項２ないし６、１１に係る発明は引用文献１に記載された発明であるとはいえないから特許法第２９条第１項第３号に該当するとはいえず、請求項２ないし６、１１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではない。 ウ 本件発明１３について 本件発明１３は、本件発明１に係る構成と実質的に差異はない。 したがって、上記「ア」で検討したことと同じ理由により、本件の請求項１３に係る発明は引用文献１に記載された発明であるとはいえないから特許法第２９条第１項第３号に該当するとはいえず、請求項１３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではない。 （２）本件発明７ないし１０、１２の進歩性について ア まず、事案に鑑みて本件発明１の進歩性について検討する。 （ア）上記「（１）ア（ウ）ｂ」で判断したように、本件発明１の相違点に係る構成は上記（ａ）の条件を満たす抵抗膜及び（ｂ）の条件を満たす誘電体層により得られるものと認められるところ、引用発明の抵抗層は（ａ）の条件を必ず満たすものではなく、また、誘電体層は（ｂ）の条件を必ず満たすものではない。 （イ）そして、引用文献１の【００２３】、【００２９】に記載されるように、引用発明の抵抗層の抵抗値はミリ波レーダとして汎用される波長の電磁波を吸収しやすくするために設定されるものの、誘電体層の厚みは、寸法精度、重量、材料コストを考慮して設定されるものである。 また、引用文献１には、抵抗層の抵抗値を１６０Ω／□以上３７０Ω／□以下とする実施例や比較例は記載されていない。 してみると、引用発明において、４５°入射の周波数帯域７５～８５ＧＨｚＴＭ偏波に対する所望の吸収性能を得るために、抵抗層の抵抗値を１６０Ω／□以上３７０Ω／□に限定しつつ誘電体層の厚みを３００μｍ以上１３００μｍ以下の範囲に限定するとともにｄ×√εの値を７００以上１１５０以下の範囲に限定する動機があるものとは認められない。 したがって、引用発明において、抵抗層Ａを(ａ)の条件を満たすものとしつつ誘電体層Ｂを（ｂ）の条件を満たすものとすることが当業者が容易になし得たこととはいえず、引用発明を「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である」ものとすることが、当業者が容易になし得たこととはいえない。 （ウ）また、引用文献２ないし５のいずれにも、「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である」とすることは記載されておらず、また、上記「（１）ア（ウ）ｂ」で検討した（ａ）、（ｂ）の条件を満たす抵抗膜や誘電体層とする記載もない。 してみると、引用文献２ないし５のいずれにも、「４５°入射の円偏波測定において、周波数帯域５５～６５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上」とすることは記載も示唆もされていない。 （エ）小括 したがって、本件の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明および引用文献２ないし５に記載された技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものとはいえないから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 イ 本件発明７ないし１０、１２について 本件発明７ないし１０、１２は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに発明特定事項を加え、本件発明１を限定するものである。 したがって、上記「ア」で検討したことと同じ理由により、本件の請求項７ないし１０、１２に係る発明は、引用文献１に記載された発明および引用文献２ないし５に記載された技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものとはいえない。 よって、請求項７ないし１０、１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 本件特許異議申立理由の概要は、次のとおりである。 下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の甲号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 記 ・請求項１ないし７、１２、１３について甲第１、３ないし１４号証 請求項８および９について甲第１ないし１４号証 請求項１０について甲第１ないし１６号証 請求項１１について甲第１ないし１８号証 〈証拠方法〉 甲第１号証：特開２０１８－９８３６７号公報 甲第２号証：特開２０１８－５６５６２号公報 甲第３号証：“電波防護に関する国外の基準・規制動向調査 資料ＷＧ６－２”、ｐ．１－２５、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１７年７月３１日、株式会社三菱総合研究所、[令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:https://www.soumu.go.jp/main_content/000502405.pdf＞ 甲第４号証：“Ｌｅｖｅｌ Ｐｒｏｂｉｎｇ Ｒａｄａｒｓ”、ｐ．１，１１－１３、［ｏｎｌｉｎｅ］、０３／０６／２０１４、ＦＥＤＥＲＡＬ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ ＣＯＭＭＩＳＳＩＯＮ、ＥＴ Ｄｏｃｋｅｔ Ｎｏｓ．１０－２３ ａｎｄ １０－２７；ＦＣＣ １４－２、[令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:https://public-inspection.federalregister.gov/2014-04733.pdf?1394028152＞ 甲第５号証：土屋寛和、外１名、“ミリ波を用いた自動車衝突防止レーダーアンテナの研究”、ｐ．５９、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１５、平成２６年度電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会、[令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:https://www.ieice.org/tokyo/gakusei/activity/kenkyuu-happyoukai/happyou-ronbun/20/pdf/59.pdf＞ 甲第６号証：稲常茂穂、外４名、“自動車レーダ用ミリ波モジュール”、ｐ．４７－５０、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１７、三菱電機技報、ｖｏｌ．９１、Ｎｏ．２、[令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:https://www.giho.mitsubishielectric.co.jp/giho/pdf/2017/1702113.pdf＞ 甲第７号証：特開２００３－１９８１７９号公報 甲第８号証：橋本修 外３名、“９４ＧＨｚ帯における斜入射用抵抗皮膜型電波吸収体の検討”、信学技報、電子情報通信学会、１９９７年１２月、ＭＷ９７－１２９、ｐ．１３－１９ 甲第９号証：谷健祐、外２名、“表面層として誘電板を配置したＴＥ・ＴＭ両偏波用一層抵抗皮膜型電波吸収体の基礎検討”、ｐ．３２３－３２７、［ｏｎｌｉｎｅ］、２００４、ＩＥＥＪ Ｔｒａｎｓ．ＥＩＳ、ｖｏｌ．１２４、Ｎｏ．２、[令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/124/2/124_2_323/_pdf＞ 甲第１０号証：特許第３７５６７９１号公報 甲第１１号証：橋本修著、「電波吸収体入門」、第１版第１刷、森北出版、１９９７年１０月１６日、ｐ．５８－６２，ｐ．１２８－１３４ 甲第１２号証：「比誘電率表」、は行 “ポリエチレンテレフタレート ２．９～３．０”の欄、［ｏｎｌｉｎｅ］、掲載日不詳、株式会社Ｙ．Ｅ．Ｉホームページ、［令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:http://www.yei-jp.com/tech-infor/dielectric/dielectric.html＞ 甲第１３号証：“情報通信審議会 情報通信技術分科会 移動通信システム委員会 報告（案）”、ｐ．１－２５，３９－４８，７４－７６、［ｏｎｌｉｎｅ］、平成２４年２月２８日、総務省ホームページ“移動通信システム委員会報告（案）に対する意見の募集”にて掲載、［令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:https://www.soumu.go.jp/main_content/000148569.pdf＞ ＜URL:https://www.soumu.go.jp/menu_news/s-news/01kiban14_02000075.html＞ 甲第１４号証：Ｋａｒｔｈｉｋ Ｒａｍａｓｕｂｒａｍａｎｉａｎ、外２名、“従来の２４ＧＨｚ帯から最新の７７ＧＨｚ帯レーダへの移行”、ｐ．１－７、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１７．１２、Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、［令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:http://www.ti.com/jp/lit/wp/jajy073/jajy073.pdf?ts=1637197866197&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.co.jp%252F＞ 甲第１５号証：特開２０１８－１７２６９５号公報 甲第１６号証：特開２０１８－１９８２９８号公報 甲第１７号証：渡辺正、“表面張力のしくみ”、ｐ．６００－６０３、［ｏｎｌｉｎｅ］、１９９９、化学と教育、４７巻９号、［令和３年１２月１日検索］、インターネット＜URL:https://www.jstage.jst.go.jp/article/kakyoshi/47/9/47_KJ00003521008/_pdf＞ 甲第１８号証：特開２００３－３２４３００号公報 ２ 本件発明１について （１）申立人は、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを比較し、上記「第４」の「３（１）ア（イ）」に記載した相違点を挙げている。 そして、相違点について、「甲１発明（甲第１号証に記載された発明）の電波吸収体において周波数帯域７５～８５ＧＨｚのＴＥ偏波及び／又はＴＭ偏波（以下便宜上ＴＥ／ＴＭ偏波という。）の電磁波が４５°入射する条件で吸収性能を好適化することは当業者の容易に着想し得る設計事項であることを述べ、かつλ／４型電波吸収体の吸収量に関する周知の論理計算により、前記入射条件の下で吸収性能が１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上の電波吸収体を格別困難なく設計することができる」旨を主張している。（第２０頁第２３行ないし第２１頁第２行） （２）申立人の主張についての検討 ア 上記相違点は、「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である」という構成であるから、当該構成が当業者が容易に想到し得るというには、少なくとも「周波数帯域７５～８５ＧＨｚのＴＭ偏波の電磁波が４５°入射する条件」（以下、「本件発明１の入射条件」という。）における吸収性能を１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上とすることが容易であるといえなければならない。 イ そこで、甲第１、３ないし１４号証より本件発明１の入射条件における吸収性能を１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上とすることが容易であるとすることができるか検討する。 請求人が特許異議申立書第２１ないし２２頁の（ア－１）で述べるように、甲第１号証（引用文献１）の電波吸収体を用いる周波数帯域（６０～９０ＧＨｚ）は本件発明１の電波吸収体の周波数帯域（７５～８５ＧＨｚ）を含んでおり、また、７５～８５ＧＨｚの周波数帯域が規格や実用製品の利用帯域であることは甲第３、４、１３号証に記載されるように周知のことと認められるが、本件発明１の入射条件における吸収性能を最適化すること、最適化にあたり本件発明の入射条件での吸収性能を１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上とすることは、甲第１、３、４、１３号証のいずれにも記載も示唆もされていない。 また、請求人が特許異議申立書第２１ないし２２頁の（ア－１）で述べるように、甲第５、６号証には、７５～８５ＧＨｚに含まれる波長帯において４５度偏波を用いることが開示されるが、本件発明１の入射条件における吸収性能を最適化すること、最適化にあたり本件発明の入射条件での吸収性能を１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上とすることは記載されていない。さらに、甲第７号証には斜め入射する電磁波に関し入射角度の広い領域にわたって機能するように電波吸収体を設計すること、ＴＥモード、ＴＭモードの両電磁波に対し４０°や５０°の入射角度で反射減衰量を測定する例が開示され、甲第８号証にはある入射角度に対して反射減衰量を最大となるように設計すること、ＴＥモード、ＴＭモードに対し入射角４５°で反射減衰量を測定する例が開示され、甲第９号証には吸収の広角度特性を実現するべく電波吸収体にＴＥ・ＴＭ両偏波が４５°で入射する際に高い吸収特性が得られるように設計することが開示され、甲第１０号証には電磁波は用途や環境により種々の反射経路をとり得ることが開示されているものの、これらの各甲号証には、本件発明１の入射条件における吸収性能を最適化すること、最適化にあたり本件発明の入射条件での吸収性能を１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上とすることは記載も示唆もされていない。 そして、請求人が特許異議申立書第２２ないし２７頁の（ア－２）で述べるように、甲第１１号証に記載されるように、λ／４型電波吸収体の電気的等価回路や電磁波の入射角度θの場合におけるＴＥ波とＴＭ波の反射係数、吸収量を計算する関係式は周知であるものと認められ、甲第１２号証は、ＰＥＴの比誘電率が２．９～３．０であることが示され、甲第１３、１４号証には、周波数７５～８５ＧＨｚ、帯域幅４ＧＨｚのレーダ・センサが示されているが、これらの各甲号証にも、本件発明１の入射条件における吸収性能を最適化すること、最適化にあたり本件発明の入射条件での吸収性能を１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上とすることは記載も示唆もされていない。 ウ 小括 よって、甲第３ないし１４号証より、甲第１号証に記載された発明において「（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、又は（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である」とすることは当業者が容易になし得たこととはいえず、申立人の主張は採用できない。 （３）その他の証拠について 甲第２号証には電波吸収体の抵抗膜としてモリブデン、ニッケル、クロムを含有するものが示され、甲第１５号証、甲第１６号証に開示されるように、密着度を高めるべく一方の層の接触面に１～１０μｍ程度の表面粗さを設けて他方の層の部材が表面凹凸に入り込むことによるアンカー効果を利用することは周知であり、甲第１７号証にはポリエチレンテレフタレートやアクリルの表面張力は３５ｄｙｎ／ｃｍ以上であることが開示され、甲第１８号証には電波吸収体の外面に撥水性や親水性を持たせることが開示されているが、これらの各甲号証にも、本件発明１の入射条件における吸収性能を最適化すること、最適化にあたり本件発明の入射条件での吸収性能を１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上とすることは記載も示唆もされていない。 （４）まとめ したがって、本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明および甲第２ないし１８号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものとはいえず、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 ３ 本件発明２ないし１２について 本件発明２ないし１２は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに発明特定事項を加え、本件発明１を限定するものであるから、上記「２」で検討したことと同じ理由により、甲第１号証に記載された発明および甲第２ないし１８号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものとはいえず、請求項２ないし１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 ４ 本件発明１３について 本件発明１３は、本件発明１に係る構成と実質的に差異はない。 したがって、本件発明１３は、上記「２」で検討したことと同じ理由により、甲第１号証に記載された発明および甲第２ないし１８号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものとはいえず、請求項１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 第６ むすび 以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。