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特許第６８６４５１９号発明「研磨用組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスクの研磨方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６８６４５１９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第６８６４５１９号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６８６４５１９号（以下、「本件特許」という。）に係る特許出願は、平成２９年３月３１日の出願であって、令和３年４月６日にその特許権の設定登録がされ、同年４月２８日に特許掲載公報が発行されたものである。 その後、その特許について、同年１０月１２日に特許異議申立人 藤本 博基（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがなされた。 その後の経緯は次のとおりである。 令和３年１２月２４日付け：特許異議申立人に対する審尋 令和４年 １月１９日 ：特許異議申立人による回答書の提出 同年 ２月２１日付け：取消理由通知書 同年 ４月２６日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ６月１０日 ：特許異議申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否についての判断 １ 請求の趣旨、訂正の内容 （１）請求の趣旨 令和４年４月２６日に特許権者により行われた、願書に添付した特許請求の範囲の訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求の趣旨は、特許第６８６４５１９号の特許請求の範囲を、本訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～５について訂正することを求める、というものである。 （２）訂正の内容 本件訂正の内容は、以下ア及びイのとおりである。 ア 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記砥粒は、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比が１～１．２５であり、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５が３０ｎｍ以下であり、かつ、全粒子の平均アスペクト比が１～１．３０である」と記載されているのを、「前記砥粒は、ＴＥＭ画像から求められる、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比が１～１．２５であり、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５が３０ｎｍ以下であり、かつ、全粒子の平均アスペクト比が１～１．３０である」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～５も同様に訂正する）。 イ 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「前記砥粒は、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５と累積５０％粒子径Ｄ５０との関係が、次式：０．３≦Ｄ５／Ｄ５０；を満たす」と記載されているのを、「前記砥粒は、ＴＥＭ画像から求められる小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５と累積５０％粒子径Ｄ５０との関係が、次式：０．３≦Ｄ５／Ｄ５０；を満たす」に訂正する（請求項２の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３～５も同様に訂正する）。 ２ 一群の請求項について 本件訂正前の請求項２～５は、それぞれ請求項１を直接的又は間接的に引用し、請求項１の訂正に連動して訂正されるものであるから、本件訂正前の請求項１～５に対応する訂正後の請求項１～５は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 そして、訂正事項１、２は、一群の請求項〔１～５〕についてされたものであるから、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。 ３ 訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について （１）訂正事項１について ア 訂正の目的の適否について 訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に係る発明における砥粒の、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５、及び、全粒子の平均アスペクト比を、ＴＥＭ画像から求められるものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の追加の有無について 願書に添付した明細書には、以下の記載がある。なお、下線は説明のために当審で付したものである。 「【００１９】 なお、この明細書中において、Ｄ０－５粒子および全粒子の平均アスペクト比はそれぞれ、該当する累積範囲における粒子の個数平均アスペクト比である。Ｄ０－５粒子および粒子全体の平均アスペクト比は、具体的には次の方法により求められる。すなわち、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ、日立ハイテクノロジーズ社製ＳＴＥＭ ＨＤ－２７００）を用いて、測定対象の砥粒（１種類の砥粒粒子であってもよく、２種類以上の砥粒粒子の混合物であってもよい。）に含まれるＴＥＭにて観察可能な１０００個以上の粒子を、１視野内に１００個程度観察可能な倍率（例えば２０００００倍～４０００００倍）で撮影し、ＴＥＭ画像を取得する。そして、各粒子画像に外接する最小の長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を各粒子の長径／短径比（アスペクト比）として算出する。また、各粒子の画像から各粒子の面積を算出し、算出された面積と同一の面積を有する理想円（真円）の直径を各粒子の粒子径として算出する。すなわち、測定対象とする砥粒の累積粒度分布は、当該砥粒を構成する個々の粒子について上記算出された粒子径を横軸に、累積個数（％）を縦軸にプロットすることにより求められる。そして、上記所定個数の粒子のアスペクト比から、小径側からの上記累積粒度分布における所定の累積範囲の粒子の個数平均アスペクト比を算術平均することにより、Ｄ０－５粒子および全粒子の平均アスペクト比を求めることができる。上記各アスペクト比は、マウンテック社製画像解析ソフトウエアＭａｃＶｉｅｗを用いて求めることができる。後述の実施例についても同様である。」 すなわち、【００１９】には、Ｄ０－５粒子および粒子全体の平均アスペクト比は、ＴＥＭを用いて、測定対象の砥粒に含まれる粒子を撮影し、ＴＥＭ画像を取得し、各粒子画像に外接する最小の長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を各粒子の長径／短径比（アスペクト比）として算出し、また、各粒子の画像から各粒子の面積を算出し、算出された面積と同一の面積を有する理想円（真円）の直径を各粒子の粒子径として算出し、そして、小径側からの累積粒度分布における所定の累積範囲の粒子の個数平均アスペクト比を算術平均することにより、Ｄ０－５粒子および全粒子の平均アスペクト比を求めることが記載されているといえる。 ここで、前記「各粒子画像」及び「各粒子の画像」は「ＴＥＭ画像」であることが明らかであるから、これらの画像から求められるＤ０－５粒子および全粒子の平均アスペクト比は、ＴＥＭ画像から求められるものであるといえる。 さらに、前記「粒子径」は、「各粒子の画像」から算出されることから、ＴＥＭ画像から求められるものであるということができ、したがって、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５もＴＥＭ画像から求められることは自明である。 よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に係る発明における砥粒の、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５、及び、全粒子の平均アスペクト比を、ＴＥＭ画像から求められるものに限定するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正には該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的の適否について 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２に係る発明における砥粒の、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５と累積５０％粒子径Ｄ５０との関係を、ＴＥＭ画像から求められるものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項２は、訂正事項１により、本件訂正前の請求項１に係る発明における砥粒が、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５、及び、全粒子の平均アスペクト比を、ＴＥＭ画像から求められるものとされたことに、請求項１を引用する請求項２に係る発明の構成を整合させるために、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５と累積５０％粒子径Ｄ５０も、ＴＥＭ画像から求められるものであることを明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の追加の有無について 願書に添付した明細書において、累積５０％粒子径Ｄ５０が累積５％粒子径Ｄ５と同様にＴＥＭ画像から求められることは、上記（１）イからして自明であるから、累積５％粒子径Ｄ５と累積５０％粒子径Ｄ５０との関係であるＤ５／Ｄ５０が、ＴＥＭ画像から求められることも、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の事項であるといえる。 したがって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２に係る発明における砥粒の、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５と累積５０％粒子径Ｄ５０との関係を、ＴＥＭ画像から求められるものに限定するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正には該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ４ 独立特許要件について 本件特許異議申立事件においては、全ての請求項について特許異議の申立てがされているから、訂正事項１及び２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定（独立特許要件）は課されない。 ５ 訂正の適否についてのまとめ 以上のとおり、訂正事項１及び２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、並びに、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件特許発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～５に係る発明（以下、「本件訂正発明１」～「本件訂正発明５」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 （本件訂正発明１）【請求項１】 シリカ粒子を含む砥粒と、水と、を含む研磨用組成物であって、 前記砥粒は、ＴＥＭ画像から求められる、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比が１～１．２５であり、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５が３０ｎｍ以下であり、かつ、全粒子の平均アスペクト比が１～１．３０である、研磨用組成物。 （本件訂正発明２）【請求項２】 前記砥粒は、ＴＥＭ画像から求められる、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５と累積５０％粒子径Ｄ５０との関係が、次式：０．３≦Ｄ５／Ｄ５０；を満たす、請求項１に記載の研磨用組成物。 （本件訂正発明３）【請求項３】 磁気ディスク基板の研磨に用いられる、請求項１または２に記載の研磨用組成物。 （本件訂正発明４）【請求項４】 請求項１～３の何れか一項に記載の研磨用組成物を用意すること、および、 前記研磨用組成物を磁気ディスク基板に供給して該磁気ディスク基板を研磨することを含む、磁気ディスク基板の製造方法。 （本件訂正発明５）【請求項５】 請求項１～３の何れか一項に記載の研磨用組成物を磁気ディスク基板に供給して該磁気ディスク基板を研磨することを含む、磁気ディスク基板の研磨方法。 第４ 特許異議の申立てについて １ 特許異議申立理由の概要 特許異議申立て理由の概要は、以下のとおりである。 本件特許の請求項１～５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 また、本件特許の請求項１～５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 甲第１号証：特開２０１３－０８２５８４号公報 甲第２号証：甲第１号証の図２の解析内容及び解析結果 ２ 取消理由の概要 令和４年２月２１日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、以下のとおりである。 本件特許の請求項１～５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２項の規定により取り消されるべきものである。 また、本件特許の請求項１～５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２項の規定により取り消されるべきものである。 ３ 甲号証 （１）甲第１号証の記載事項 甲第１号証には、次の記載がある。なお、下線は、甲第１号証に元々付されている【００９１】の「実施例１」の下線を除き、説明のために当審で付したものである。 「【００２５】 本発明は、本発明シリカ粒子を含む研磨剤も包含する。特に、電子材料を研磨する電子材料研磨材として好適に用いることができる。例えば、シリコンウエハ研磨、ＬＳＩ製造プロセスに於ける化学的機械的研磨（ＣＭＰ）、フォトマスクブランクス研磨、ハードディスク研磨等が挙げられる。 【００２６】 研磨剤の使用に際しては、公知の研磨剤と同様にして実施すれば良い。例えば、シリコンウエハを研磨する際は、用途等に応じて濃度を調整した上、研磨機の常盤にセットされた研磨パッド上に滴下すればよい。 ２．球状の高純度シリカ粒子の製造方法 本発明のシリカ粒子は、蒸留精製により高純度に精製可能なケイ酸アルキルをシリカ原料として製造する。好ましくは、シリカ原料として、高純度に精製可能で、かつ反応性が高く、無触媒でも容易に加水分解されるテトラメチルオルトシリケートが望ましい。 【００２７】 具体的には、１）水又はｐＨ１２以下のアルカリ水からなる母液を調製する工程及び ２）ケイ酸アルキルを加水分解して得られた加水分解液を前記母液に添加する工程 を含む球状の高純度単分散シリカ粒子の製造方法であって、 前記加水分解の温度が２０℃以下である製造方法により製造する。」 「【００９１】 実施例１ （１）活性硅酸水溶液調製 ４つ口フラスコ（容量２Ｌ）にテトラメチルオルソシリケート（ＴＭＯＳ）３４２．０ｇを計り取り、１０℃に温度調整した。このＴＭＯＳを、予め１０℃に温度調節した純水１１５８．０ｇに攪拌下に加えた。当初は不透明であった反応液が３０分後には加水分解の進行により透明な均一溶液となった。そのまま溶液温度を１０±２℃に保持しながら１時間経過するまで継続し、シリカ分９ｗｔ％のＴＭＯＳ加水分解液（活性硅酸水溶液）を調製した。活性硅酸水溶液は、加水分解によって生成したシラノール基の示す酸性のため、そのｐＨは約４．４～４．５であった。 （２）真球状粒子調製 温度計及びジムロート冷却管、蒸気温確認用温度計を付けたトの字管、活性硅酸水溶液フィード管、攪拌機を取り付けた４つ口フラスコ（１０Ｌ）に純水７５００ｇ、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を４．９ｍｍｏｌ加え、母液とした。母液のｐＨは１０．４１であった。これを加熱し、リフラックス状態となったところで活性硅酸水溶液のフィードを開始した。添加速度は８．３ｍＬ／分（６ｇシリカ／時／ｋｇ 母液）とした。以後ｐＨ８を保持するよ う１Ｎ－ＴＭＡＨ水溶液を１時間毎に添加した。フィード開始後３時間経過したところで再度調製した活性硅酸水溶液に交換し添加を継続し、合計６時間のフィードを行った。 【００９２】 活性硅酸水溶液のフィード終了後、残留メタノールを水置換／除去後、加熱濃縮を行い、固形分２０％まで濃縮する。濃縮後、混合セルロース３μｍメンブランフィルター（東洋濾紙株式会社製）でろ過した。結果を表１にまとめた。なお、一次粒子径は、２７２７／比表面積値によって換算される一次粒子径を表した。また、動的光散乱法（大塚電子株式会社製ＥＬＳ８０００）で測定した粒子径を二次粒子径として示した。 【００９３】 得られた真球状粒子の物性を表１に示すとともに、ＳＥＭ観察像を図２に示す。」 「【０１０１】 【表１】 ［図：0001390564000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001390564000002.jpg］ 」 （２）図面に記載された技術的事項 甲第２号証（甲第１号証の図２の解析内容及び解析結果）のとおり、甲第１号証の図２のＳＥＭ画像を画像解析ソフトＭａｃＶｉｅｗに取り込み、他の粒子の裏に隠れていない、及び、ＳＥＭ画像粒中に粒子全体が映っている（画像の端で、粒子の一部が見切れたりしていない）粒子のみを解析対象粒子として、粒子１５０個を、本件特許明細書の【００１３】及び【００１９】に記載の解析方法と同様の解析方法に従い解析した結果は、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比が１．０８、Ｄ５相当粒子径が２５．２ｎｍ、全粒子の平均アスペクト比が１．１０、Ｄ５相当粒子径／Ｄ５０相当粒子径が０．８である。 （３）甲第１号証に記載された発明 【００２６】、【００２７】によれば、引用文献１における「本発明のシリカ粒子」は、ケイ酸アルキル、望ましくはテトラメチルオルトシリケートをシリカ原料として、ケイ酸アルキルを加水分解して得られた加水分解液をｐＨ１２以下の母液に添加することにより得られるものである。 そして、【００９３】の「真球状粒子」は、【００９１】、【００９２】より、テトラメチルオルソシリケート（ＴＭＯＳ）加水分解液を、ｐＨ１０．４１の母液にフィード、すなわち、添加することにより得られるものであるから「本発明のシリカ粒子」であり、これが【００２５】における「研磨剤」が含む「本発明シリカ粒子」に該当することは明らかである。 したがって、以上を考慮すると、上記（１）及び（２）から、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 なお、符号ａ～ｄは、説明のために当審で付したものであり、以下、「構成ａ」～「構成ｄ」という。また、各構成の末尾の括弧内に、対応する明細書又は図面の記載箇所を示した。 （甲１発明） ａ シリカ粒子を含む研磨剤であって、（【００２５】） ｂ ＳＥＭ画像から求められる、前記シリカ粒子である真球状粒子のＤ０－５粒子の平均アスペクト比が１．０８、Ｄ５相当粒子径が２５．２ｎｍ、全粒子の平均アスペクト比が１．１０、Ｄ５相当粒子径／Ｄ５０相当粒子径が０．８であり、（【００２６】、【００２７】、【００９１】～【００９３】、【図２】） ｃ ＳＥＭ画像解析による前記シリカ粒子である真球状粒子の粒子径が２８．２ｎｍであり、（【００９３】、【０１０１】【表１】） ｄ 電子材料を研磨する電子材料研磨材として好適に用いることができ、（【００２５】） ｅ 研磨剤の使用に際しては、シリコンウエハを研磨する際は、用途等に応じて濃度を調整した上、研磨機の常盤にセットされた研磨パッド上に滴下すればよい、（【００２６】） ａ 研磨剤。 ４ 当審の判断 （１）本件訂正発明１について ア 対比 本件訂正発明１と甲１発明とを対比する。 構成ａ、ｄより、研磨剤はシリカ粒子を含み、電子材料の研磨に用いるものであることから、甲１発明の「シリカ粒子」は、砥粒として用いられるものであり、本件特許発明の「シリカ粒子を含む砥粒」に相当する。 また、構成ｅより、研磨剤の使用に際しては用途等に応じて濃度を調整した上、滴下するものであることから、甲１発明の「研磨剤」は液状のものである。そして、研磨剤に水を含ませ液状にして用いることが研磨の技術分野において広く行われている技術常識であることを考慮すれば、甲１発明の「研磨剤」は、水を含むものであるということができる。 したがって、甲１発明の「研磨剤」は、本件訂正発明１の「シリカ粒子を含む砥粒と、水と、を含む研磨用組成物」である点で一致する。 構成ｂより、甲１発明の研磨剤の真球状粒子は、ＳＥＭ画像から求められる、真球状粒子のＤ０－５粒子の平均アスペクト比が１．０８、Ｄ５相当粒子径が２５．２ｎｍ、全粒子の平均アスペクト比が１．１０である。 また、構成ｃよりＳＥＭ画像解析による粒子径が２８．２ｎｍであり、ここで、甲１明細書の表１を参照すると、標準偏差と併記される当該粒子径が全粒子の平均を指すものであると解することが相当であり、また、図２のＳＥＭ観察像の粒子径からＤ５相当粒子径は全粒子の平均粒子径よりも小さいことが明らかであることからすれば、甲１発明のＤ５相当粒子径は、少なくとも２８．２ｎｍより小さいといえる。 しかしながら、これらはＴＥＭ画像から求められるものではないため、本件訂正発明１においては、砥粒は、ＴＥＭ画像から求められる、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比が１～１．２５であり、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５が３０ｎｍ以下であり、かつ、全粒子の平均アスペクト比が１～１．３０であるのに対し、甲１発明においては、ＳＥＭ画像から求められる、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比が１．０８、Ｄ５相当粒子径が２５．２ｎｍであるか、又は少なくとも２８．２ｎｍより小さく、全粒子の平均アスペクト比が１．１０である点で、本件訂正発明１と相違する。 したがって、本件訂正発明１と甲１発明との間の一致点及び相違点は次のとおりである。 〔一致点〕 シリカ粒子を含む砥粒と、水と、を含む研磨用組成物。 〔相違点〕 本件訂正発明１においては、砥粒は、ＴＥＭ画像から求められる、小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比が１～１．２５であり、小径側からの前記累積粒度分布における累積５％粒子径Ｄ５が３０ｎｍ以下であり、かつ、全粒子の平均アスペクト比が１～１．３０であるのに対し、甲１発明においては、ＳＥＭ画像から求められる、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比が１．０８、Ｄ５相当粒子径が２５．２ｎｍであるか、又は少なくとも２８．２ｎｍより小さく、全粒子の平均アスペクト比が１．１０である点。 イ 判断 上記相違点について検討する。 （ア）本件訂正発明１と甲１発明が同一であるか否かについて 一般に、ＴＥＭは、試料切片を透過した電子線を検出して結像し、観察像を得るものである一方、ＳＥＭは、試料の表面に電子線を照射し、反射した電子を検出して結像し、観察像を得るものである。 ここで、特許異議申立人が令和４年６月１０日に意見書と共に提出した、甲第３号証（特開２００７－１５３７３２号公報）の、実施例７のコロイダルシリカについて、２０万倍の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察された粒子像を示す図５と、２０万倍の走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で観察された粒子像を示す図６の解析結果を示す甲第４号証（甲第３号証の図５及び図６の解析内容及び解析結果）によると、図５からは全粒子の平均アスペクト比が１．０７、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比が１．１２、全粒子の平均粒子径が４７．９ｎｍ、粒子径Ｄ５が３７．８ｎｍである一方、図６からは全粒子の平均アスペクト比が１．０８、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比が１．０７、全粒子の平均粒子径が４９．２ｎｍ、粒子径Ｄ５が４４．２ｎｍであり、両者は異なる値となっている。このように、観察像を得るための原理が異なるＴＥＭ観察像とＳＥＭ観察像からから求められるアスペクト比及び粒子径は相違する場合があるといえる。 また、当該相違の傾向や程度も明らかではないから、甲１発明のシリカ粒子を、ＴＥＭ画像を用いて解析した場合に、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比が１～１．２５、Ｄ５相当粒子径が３０ｎｍ以下、全粒子の平均アスペクト比が１～１．３０となる蓋然性が高いとはいえない。 ここで、特許異議申立人は、令和４年６月１０日に提出した意見書において、以下のとおり主張している。 「本件特許発明は、依然として、甲第１号証に記載された発明である事を、以下に説明します。 ・・・ ［図：0001390564000003.jpg］ この様に、甲第３号証、及び甲第４号証に基づくと、ＴＥＭで観察された粒子像とＳＥＭで観察された粒子像とを比較すると、「小径側からの個数基準の累積粒度分布における累積０～５％のＤ０－５粒子の平均アスペクト比」、及び「全粒子の平均アスペクト比」に、明確な差が生じない事が把握出来ます。 更に、画像解析から、ＳＥＭで観察された粒子像（図６）において、「３０ｎｍ以下」の粒子のアスペクト比「１．０５」は、全粒子の平均アスペクト比「１．０８」と比べて、ＳＥＭで観察された粒子像においても、小径の粒子のアスペクト比と全体の粒子のアスペクト比との間で、明確な差が生じていない事も把握出来ます。 すると、「ＳＥＭは、ＴＥＭと比較して分解能が低く、粒子形状を正確に把握しにくい傾向にあります」事は無く、また、「ＳＥＭ」は、「小径でアスペクト比の大きい粒子の像（特にエッジ部分）は実際よりもぼやけ、粒子は丸めに映し出されやすいという性質を有します」事も有りません。そして、「ＳＥＭでは、ＴＥＭと比較して、粒子のアスペクト比など粒子形状を正確に把握しにくい傾向にあります」事も有りません。 この様に、ＳＥＭで観察された粒子像から求めた粒子の平均アスペクト比から、ＴＥＭで観察された粒子像から求められる平均アスペクト比を把握する事は出来ます。」 上記主張について検討する。 甲第４号証によれば、図５における測定対象の粒子の個数は２９個であり、そのうち、Ｄ０－５粒子は１個、図６における測定対象の粒子の個数は５０個であり、そのうち、Ｄ０－５粒子は３個である。したがって、測定対象の粒子の個数、特にＤ０－５粒子の個数が十分な証拠を示すものであるとはいえず、甲第３号証の図５及び図６の解析結果から、ＴＥＭで観察された粒子像とＳＥＭで観察された粒子像とを比較して、直ちに、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比、及び、全粒子の平均アスペクト比に、明確な差が生じない事が把握できるとはいえない。 また、甲第１発明における粒子は、構成ｂより真球状であり、また、構成ｅより粒子径が２８．２ｎｍである。 一方で、甲第３号証の【００６５】に「実施例３及び７のコロイダルシリカはその粒子表面に多数の小突起が存在してあたかも金平糖のような形状となっている」と記載されているように、甲第３号証の実施例７のコロイダルシリカは金平糖のような形状であり、また、甲第４号証によれば、図５において測定された粒子径の全粒子平均が４７．９ｎｍ、図６において測定された粒子径の全粒子平均が４９．２ｎｍであり、甲１発明における粒子に比べて大きな粒子である。 したがって、甲第１発明と甲第３号証の実施例７とでは粒子の形状や大きさが異なるため、仮に、甲第３号証の粒子を測定した結果から、ＴＥＭで観察された粒子像とＳＥＭで観察された粒子像とを比較して、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比、及び、全粒子の平均アスペクト比に、明確な差が生じないことが把握できたとしても、甲第１号証の粒子において同じく明確な差が生じないとは必ずしもいえない。 さらに、図６において３０ｎｍ以下の粒子は１個であり、ＳＥＭで観察された粒子像における小径の粒子のアスペクト比の傾向を把握するための十分なサンプル数が確保されているとはいえないから、図６における３０ｎｍ以下の粒子のアスペクト比１．０５を、全粒子の平均アスペクト比１．０８と比べることにより、直ちに、小径の粒子のアスペクト比と全体の粒子のアスペクト比との間で、明確な差が生じていない事が把握できるとはいえない。 したがって、請求人の上記主張は採用することができない。 以上から、上記相違点を含む本件訂正発明１は、甲１発明であるとはいえない。 （イ）本件訂正発明１が甲１発明に基づいて当業者が容易に想到しうるものであるか否かについて 本件訂正発明１が解決しようとする課題は、本件特許明細書の【０００５】にあるように、研磨後の表面に存在するスクラッチの数を効果的に低減し得る研磨用組成物を提供することである。 そして、上記課題を解決するために、本件訂正発明１においては、本件特許明細書の【００１４】に記載されているように、砥粒の粒子全体の平均アスペクト比を１～１．３０を満たすようにすることで、球形か球形に近い砥粒が転がり移動しやすくなり加工が安定し、研磨後の表面品質が向上するようにし、また、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比が１～１．２５とすることで、楔となり得る小径の粒子をより球形に近い形状にし、研磨時において局所的に砥粒が転がりにくくなる事象を生じ難くし、これによりスクラッチを低減している。 さらに、本件訂正発明１においては、本件特許明細書の【００２１】に記載されているように、累積５％粒子径Ｄ５を３０ｎｍ以下とすることで、スクラッチ低減効果をよりよく発揮している。 一方で、甲１発明が解決しようとする課題は、甲１明細書の【０００８】、【００１３】から、高純度且つ緻密な球状のシリカ粒子であって、単分散性が良好（ＣＶ値が２０以下）な球状のシリカ粒子とその製造方法を提供することである。 そして、上記課題を解決するために、甲１発明においては、甲１明細書の【００８８】、【００９１】、【００９２】に記載されているように、製造方法において金属不純物が混入する機会がないことで、比較的高純度なシリカ粒子となっている。 また、甲１発明においては、甲１明細書の【００４１】、【００９１】に記載されているように、緻密なシリカ粒子が形成されるように、ケイ酸アルキルであるテトラメチルオルソシリケートの加水分解液の母液への添加速度を４１ｇシリカ／時／ｋｇ母液以下である６ｇシリカ／時／ｋｇ母液とし、さらに、甲１明細書の【００４０】、【００９１】に記載されているように、シリカ粒子の単分散性を向上するために、加水分解の温度を好ましい範囲である１５℃以下である１０±２℃としている。 以上のとおり、本件訂正発明１と甲１発明とでは、解決しようとする課題が異なり、また、甲１発明においては、甲１発明の課題の解決のためにシリカ粒子のアスペクト比や粒子径を調整していない。 したがって、甲１発明においては、Ｄ０－５粒子の平均アスペクト比、Ｄ５相当粒子径及び全粒子の平均アスペクト比を本件訂正発明１の数値範囲に変更する動機がない。 また、上記相違点に係る本件訂正発明１の構成が、本件特許の出願前において周知技術であるともいえない。 したがって、本件訂正発明１は、甲１発明に基づいて当業者が容易に想到しうるものであるとはいえない。 （２）本件訂正発明２～５について 本件訂正発明２～５も、上記相違点に係る構成と同じ構成を備えるものであるから、上記（１）と同じ理由により、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基づいて当業者が容易に想到しうるものであるともいえない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件訂正発明１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件訂正発明１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。