2021-700895

特許第６８５０８８５号発明「赤外発光装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６８５０８８５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－８〕について訂正することを認める。 特許第６８５０８８５号の請求項１～５、８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６８５０８８５号（以下「本件特許」という。）の請求項１～８に係る特許についての出願は、平成３０年９月１３日に出願され、令和３年３月１０日にその特許権の設定登録がされ、令和３年３月３１日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯の概要は、次のとおりである。 令和 ３年 ９月１６日 ：特許異議申立人武田早代子（以下「申立人」という。）による請求項１～５、８に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ３年 １２月２３日付け：取消理由通知書 令和 ４年 ４月 ４日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（以下、この訂正請求書による訂正を「本件訂正」という。）の提出 なお、当審は、特許法１２０条の５第５項の規定に基づき、申立人に対して相当の期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人は、指定期間内に意見書を提出しなかった。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 本件訂正の内容は以下のとおりである（下線は特許権者が付したものである。）。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項〔１－８〕に対して請求されている。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１において、「赤外光を放射する第１の蛍光体と、」を 「赤外光を放射する第１の蛍光体であって、ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１である、第１の蛍光体と、」 に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項６を独立請求項形式に書き改め、 「第１の光を放射する光源と、 前記光源により放射される光の光路に配置された波長変換構造と、 を有する装置であって、 前記波長変換構造は、 赤外光を放射する第１の蛍光体と、 前記第１の光を吸収し、可視光である第３の光を放射する第２の蛍光体と、 を有し、 前記第１の蛍光体は、前記第１の光を吸収して、第２の光を放射し、 前記第１の蛍光体は、前記第３の光を吸収して、第４の光を放射し、 前記第２の光および前記第４の光は、赤外放射範囲において異なるピーク波長を有し、 前記第１の蛍光体は、ガラスまたはアモルファス材料を有する、装置。」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項７を独立請求項形式に書き改め、 「第１の光を放射する光源と、 前記光源により放射される光の光路に配置された波長変換構造と、 を有する装置であって、 前記波長変換構造は、 赤外光を放射する第１の蛍光体と、 前記第１の光を吸収し、可視光である第３の光を放射する第２の蛍光体と、 を有し、 前記第１の蛍光体は、前記第１の光を吸収して、第２の光を放射し、 前記第１の蛍光体は、前記第３の光を吸収して、第４の光を放射し、 前記第２の光および前記第４の光は、赤外放射範囲において異なるピーク波長を有し、 前記第１の蛍光体は、ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１である、装置。」に訂正する。 ２ 訂正要件の判断 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、請求項１において、「赤外光を放射する第１の蛍光体と、」を「赤外光を放射する第１の蛍光体であってＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１、第１の蛍光体と、」に訂正するもので、第１の蛍光体を限定するものである。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 本件特許の特許登録時の願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）の段落【００１６】には、「ある実施例では、ＮＩＲ蛍光体１０８は、極性空間群６３２１において結晶化する、三方晶カルシウムガロゲルマネート構造群に属するホスト格子を有する。好適なカルシウムガロゲルマネート材料は、組成範囲ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１である。」と記載されている。 よって訂正事項１は、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の拡張、変更の存否 上記ア、イに照らせば、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 独立特許要件 本件においては、訂正後の請求項１について特許異議申立てがされているので、当該請求項に係る訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項所定の独立特許要件は課されない。訂正後の請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する訂正後の請求項２～５、８に記載された発明についても、同様である。 オ 小括 よって、訂正事項１は訂正要件を満たす。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的 訂正事項２は、訂正前の請求項１のみを引用する訂正前の請求項６を独立形式とする訂正である。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する引用関係の解消を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項２は、引用関係の解消のみを目的とする訂正であるから、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の拡張、変更の存否 上記ア、イに照らせば、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 独立特許要件 訂正事項２は、引用関係の解消のみを目的とする訂正であるから、独立特許要件は課されない。 オ 小括 よって、訂正事項２は訂正要件を満たす。 （３）訂正事項３ ア 訂正の目的 訂正事項３は、訂正前の請求項１のみを引用する訂正前の請求項７を独立形式とする訂正である。 よって、訂正事項３は、特許法１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する、引用関係の解消を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項３は、引用関係の解消のみを目的とする訂正であるから、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の拡張、変更の存否 上記ア、イに照らせば、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 独立特許要件 訂正事項３は、引用関係の解消のみを目的とする訂正であるから、独立特許要件は課されない。 オ 小括 よって、訂正事項３は訂正要件を満たす。 ３ 訂正の適否の小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。また、本件訂正には、独立特許要件は課されない。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～８〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正発明 本件訂正は、上記第２のとおり認められたので、本件訂正後の請求項１～８に係る発明（以下「本件訂正発明１」～「本件訂正発明８」といい、これらを総称して「本件訂正発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 【請求項１】 第１の光を放射する光源と、 前記光源により放射される光の光路に配置された波長変換構造と、 を有する装置であって、 前記波長変換構造は、 赤外光を放射する第の蛍光体であって、ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１である、第１の蛍光体と、 前記第１の光を吸収し、可視光である第３の光を放射する第２の蛍光体と、 を有し、 前記第１の蛍光体は、前記第１の光を吸収して、第２の光を放射し、 前記第１の蛍光体は、前記第３の光を吸収して、第４の光を放射し、 前記第２の光および前記第４の光は、赤外放射範囲において異なるピーク波長を有する、 装置。 【請求項２】 前記第１の光は青色光であり、前記第３の光は赤色光である、請求項１に記載の装置。 【請求項３】 前記第１の蛍光体は、Ｃｒ（ＩＩＩ）ドーパントを有し、 該Ｃｒ（ＩＩＩ）ドーパントは、４Ａ２→４Ｔ１電子遷移を介して前記第１の光により励起され、４Ａ２→４Ｔ２電子遷移を介して前記第３の光により励起される、請求項１に記載の装置。 【請求項４】 前記第１の蛍光体は、２以上の置換位置にドーパントを有する、規則構造で構成された結晶化蛍光体材料を有する、請求項１に記載の装置。 【請求項５】 前記第１の蛍光体は、 固溶体の一つと、 異なる結晶タイプが異なる放射チャネルを介して放射する、混合結晶タイプの蛍光体と、 を有する、請求項１に記載の装置。 【請求項６】 第１の光を放射する光源と、 前記光源により放射される光の光路に配置された波長変換構造と、 を有する装置であって、 前記波長変換構造は、 赤外光を放射する第１の蛍光体と、 前記第１の光を吸収し、可視光である第３の光を放射する第２の蛍光体と、 を有し、 前記第１の蛍光体は、前記第１の光を吸収して、第２の光を放射し、 前記第１の蛍光体は、前記第３の光を吸収して、第４の光を放射し、 前記第２の光および前記第４の光は、赤外放射範囲において異なるピーク波長を有し、 前記第１の蛍光体は、ガラスまたはアモルファス材料を有する、装置。 【請求項７】 第１の光を放射する光源と、 前記光源により放射される光の光路に配置された波長変換構造と、 を有する装置であって、 前記波長変換構造は、 赤外光を放射する第１の蛍光体と、 前記第１の光を吸収し、可視光である第３の光を放射する第２の蛍光体と、 を有し、 前記第１の蛍光体は、前記第１の光を吸収して、第２の光を放射し、 前記第１の蛍光体は、前記第３の光を吸収して、第４の光を放射し、 前記第２の光および前記第４の光は、赤外放射範囲において異なるピーク波長を有し、 前記第１の蛍光体は、ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１である、装置。 【請求項８】 前記第１および第２の蛍光体は、透明材料と混合され、前記光源にわたって設置される、請求項１に記載の装置。 第４ 取消理由通知に記載した取消理由の概要 本件訂正前の請求項１～５、８に係る特許に対して、当審が令和３年１２月２３日付けで特許権者に通知した取消理由（以下、単に「取消理由」といい、この通知を「取消理由通知」という。）の要旨は、次のとおりである。 本件訂正前の請求項１～５、８に係る発明は、本件特許に係る優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である甲第１号証～甲第３号証に記載された発明に基いて、本件特許に係る出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 引 用 文 献 等 一 覧 甲第１号証 国際公開第２０１６／１７４２３６号 甲第２号証 LUMINESCENT MATERIALS、Springer-Verlag社、１９９４年、ｐ．２０－２５ 甲第３号証 Journal of Materials Chemistry C、The Royal Society of Chemistry、２０１４年、p．４６３６－４６４１ 第５ 引用文献の記載 １ 甲第１号証 （１）甲第１号証には、以下の記載があると認められる。（下線は当審で付した。以下同様。） なお、甲第１号証はドイツ語で記載された国際公開公報であるため、原文の摘記は省略し、その当審訳を、甲第１号証の日本語ファミリー文献である特表２０１８－５１８０４６号公報を参考にして記載する。その際、当該特表２０１８－５１８０４６号公報の段落番号をも示してある。 ア「【請求項 ５】 ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子（１）において、 前記素子の動作時に、４００ｎｍ～５００ｎｍの間の一次ビームを放射する半導体チップ（２）と、 変換材料を含有している変換素子（６）と、 を含んでおり、 前記変換材料は、前記素子の動作時に前記半導体チップ（２）から放射される前記一次ビームを、７００ｎｍ～２，０００ｎｍの間の波長の二次ビームに変換し、 前記ホスト材料は、金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属窒化物、金属酸窒化物およびそれらの組合せを含む化合物のグループから選択されている、 ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子（１）。」（５２ページ２４～２７行） イ「【０００１】 本発明は、変換素子を含んでいる、ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子と、分光計および内視鏡におけるビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子の使用と、変換素子を含んでいる、ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子を製造するための方法と、に関する。」（１ページ５～１１行） ウ「【００１０】 本発明の少なくとも１つの実施の形態の課題は、近赤外線領域において広範で連続的な放射スペクトルを備えた変換素子を含んでいる、ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子を提供することである。別の課題は、分光計および内視鏡において使用するための、ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子を提供すること、またビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子の廉価で効率的な製造方法を提示することである。」（４ページ８～１８行） エ「【００１３】 ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子が提供される。このビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子は、この素子の動作時に一次ビームを放射する半導体チップと、変換材料を含有している変換素子と、を含んでいる。特に、変換素子は、半導体チップの一次ビームのビーム路内に配置されている。」（５ページ２～７行） オ「【００３５】 例えば、ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子は、発光ダイオード、略してＬＥＤであってよい。換言すれば、素子はこの場合、動作時にインコヒーレントなビームを放射する。ＬＥＤを、表面実装型の素子として形成することができる。」（１２ページ９～１３行） カ「【００４１】 １つの実施の形態によれば、変換材料は、Ｃｒ３＋および／またはＮｉ２＋がドープされたケイ酸塩、アルミン酸塩、没食子酸塩および／またはゲルマニウム酸塩である。このホスト材料において、中央の金属イオンのｄ軌道と周囲の酸素イオンとの間にむしろ弱い相互作用が生じるように、酸素イオンおよび金属イオンを配置することができる。金属原子に部分的に置き換わるＣｒ３＋またはＮｉ２＋のような活性剤イオンは、いわゆる弱配位子場によって包囲されており、これによって広帯域の放射が促進される。そのような変換材料を用いることによって、オプトエレクトロニクス素子は、近赤外線スペクトル領域において、広範で連続的な放射スペクトルを供給する。連続的な放射スペクトルとは、放射される波長領域にわたり強度が急激に低下または上昇しないこと、すなわち強度がｎｍあたり０．１％から５％までを超えて変化しないことを意味している。さらに、広範で連続的な放射スペクトルを、素子の寿命にわたり、例えば５時間から１，０００時間までの期間にわたり維持し続けることができる。 【００４２】 １つの実施の形態においては、ホスト材料が、ＥＡＧａ１２Ｏ１９，ＭｇＳｉＯ３，ＡｙＧａ５Ｏ（１５＋ｙ）／２，ＡＥ３Ｇａ２Ｇｅ４Ｏ１４，Ｌｎ３Ｇａ５ＧｅＯ１４，Ｌｎ３Ｇａ５．５Ｄ０．５Ｏ１４，Ｇａ２Ｏ３およびＭｇ４Ｄ２Ｏ９、ただしＥＡ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒおよび／またはＢａ、Ａ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋおよび／またはＲｂ、ＡＥ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒおよび／またはＢａ、Ｌｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂおよび／またはＬｕかつＤ＝Ｎｂおよび／またはＴａ、を含む化合物のグループから選択されている。有利には、ＥＡ＝Ｓｒおよび／またはＢａ、Ａ＝Ｎａおよび／またはＫ、ＡＥ＝Ｃａおよび／またはＳｒ、Ｌｎ＝ＬａかつＤ＝Ｎｂである。また、ホスト材料が、分子式ＥＡＧａ１２Ｏ１９，ＭｇＳｉＯ３，ＡｙＧａ５Ｏ（１５＋ｙ）／２，ＡＥ３Ｇａ２Ｇｅ４Ｏ１４，Ｌｎ３Ｇａ５ＧｅＯ１４，Ｌｎ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４，Ｇａ２Ｏ３またはＭｇ４Ｄ２Ｏ９において僅かな差異を有している化合物であってもよい。例えば、僅かな量の外来原子がホスト材料内に存在していてもよい。特に、ホスト材料は、Ｌｎ３Ｇａ５ＧｅＯ１４およびＧａ２Ｏ３を、有利にはβ－Ｇａ２Ｏ３を含有することができるか、またはそれらから成るものであってよい。 （中略） 【００４４】 １つの実施の形態においては、変換材料が、Ｍｇ1-xＮｉxＳｉＯ3，Ａy（Ｇａ1-xＮｉx）5Ｏ(15+y)/2]-2.5x，ＡＥ3（Ｇａ1-xＮｉx）2Ｇｅ4Ｏ14-x，Ｌｎ3（Ｇａ1-xＮｉx）5ＧｅＯ(28-5x)/2，（Ｇａ1-xＮｉx）2Ｏ3-x，Ｌｎ6（Ｇａ1-xＮｉx）11ＤＯ28-5.5x，（Ｍｇ1-xＮｉx）4Ｄ2Ｏ9およびそれらの組合せ、ただしｘ＝０．０００１～０．１、ｙ＝０．９～１．９、Ａ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋおよび／またはＲｂ、ＡＥ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒおよび／またはＢａ、Ｌｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂおよび／またはＬｕかつＤ＝Ｎｂおよび／またはＴａ、を含む化合物のグループから選択されている。有利には、Ａ＝Ｎａおよび／またはＫ、ＡＥ＝Ｃａおよび／またはＳｒ、Ｌｎ＝ＬａかつＤ＝Ｎｂである。例えば、変換材料は、Ｍｇ1-xＮｉxＳｉＯ3、ただしｘ＝０．０００１～０．１、である。有利には、変換材料は、Ａy（Ｇａ1-xＮｉx）5Ｏ(15+y)/2]-2.5x，ＡＥ3（Ｇａ1-xＮｉx）2Ｇｅ4Ｏ14-x，Ｌｎ3（Ｇａ1-xＮｉx）5ＧｅＯ(28-5x)/2，Ｌｎ6（Ｇａ1-xＮｉx）11ＤＯ28-5.5x，（Ｍｇ1-xＮｉx）4Ｄ2Ｏ9およびそれらの組合せを含む化合物のグループから選択されている。特に有利には、変換材料は、Ａy（Ｇａ1-xＮｉx）5Ｏ(15+y)/2]-2.5x，ＡＥ3（Ｇａ1-xＮｉx）2Ｇｅ4Ｏ14-x，Ｌｎ3（Ｇａ1-xＮｉx）5ＧｅＯ(28-5x)/2およびそれらの組合せを含む化合物のグループから選択されている。特に、変換材料は、Ｌｎ3（Ｇａ1-xＮｉx）5ＧｅＯ(28-5x)/2および（Ｇａ1-xＮｉx）2Ｏ3-xを含有することができるか、またはそれらから成るものであってよい。ここで有利には、（Ｇａ1-xＮｉx）2Ｏ3-xが副相であるか、もしくは副相として生じる。 【００４５】 １つの実施の形態においては、変換材料が、ＥＡ（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）12Ｏ19，（Ｍｇ1-x’Ｃｒx’）Ｓｉ(4-x’)/4Ｏ3，Ａy’（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）5Ｏ(15+y)/2，ＡＥ3（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）2Ｇｅ4Ｏ14，Ｌｎ3（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）5ＧｅＯ14，（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）2Ｏ3，Ｌｎ6（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）11ＤＯ28，（Ｍｇ1-x’Ｃｒx’）8/(2-x’)Ｄ2Ｏ9およびそれらの組合せ、ただしｘ’＝０．０００１～０．１、ｙ’＝０．９～１．９、ＥＡ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒおよび／またはＢａ、Ａ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋおよび／またはＲｂ、ＡＥ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒおよび／またはＢａ、Ｌｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂおよび／またはＬｕかつＤ＝Ｎｂおよび／またはＴａ、を含む化合物のグループから選択されている。有利には、Ａ＝Ｎａおよび／またはＫ、ＡＥ＝Ｃａおよび／またはＳｒ、Ｌｎ＝ＬａかつＤ＝Ｎｂである。有利には、変換材料は、ＥＡ（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）12Ｏ19，Ａy’（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）5Ｏ(15+y)/2，ＡＥ3（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）2Ｇｅ4Ｏ14，Ｌｎ3（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）5ＧｅＯ14，Ｌｎ6（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）11ＤＯ28，（Ｍｇ1-x’Ｃｒx’）8/(2-x’)Ｄ2Ｏ9およびそれらの組合せを含む化合物のグループから選択されている。特に有利には、変換材料は、ＥＡ（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）12Ｏ19，Ａy’（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）5Ｏ(15+y)/2，ＡＥ3（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）2Ｇｅ4Ｏ14，Ｌｎ3（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）5ＧｅＯ14およびそれらの組合せを含む化合物のグループから選択されている。例えば、変換材料は、ＳｒＧａ11.88Ｃｒ0.12Ｏ19，Ｌａ3Ｇａ4.975Ｃｒ0.025ＧｅＯ14，Ｌａ3Ｇａ4.95Ｃｒ0.05ＧｅＯ14，Ｃａ3Ｇａ1.98Ｃｒ0.02Ｇｅ4Ｏ14またはＮａ1.4Ｇａ4.95Ｃｒ0.05Ｏ8.2である。特に、変換材料は、Ｌｎ3（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）5ＧｅＯ14および（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）2Ｏ3を含有することができるか、またはそれらから成るものであってよい。ここで有利には、（Ｇａ1-x’Ｃｒx’）2Ｏ3が副相であるか、もしくは副相として生じる。」（１４ページ２４行～１７ページ１６行） キ「【００６１】 １つの実施の形態によれば、変換素子は、一次ビームを、電磁スペクトルの青色、緑色または赤色の領域にある第２の二次ビームに変換する発光体を含有している。したがって、第２の二次ビームは、可視領域にあり、また近赤外線領域にある二次ビームの他に、外側に向かってビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子の周囲環境に放出される。このことは、周囲環境のどの箇所に近赤外線領域にある二次ビームが入射すべきかが正確に特定されるべき場合には有利であることが分かった。つまり例えば、分光計において素子を使用する場合には、試料の分析すべき領域に正確に焦点合わせすることが可能である。」（２１ページ３２行～２２ページ１２行） ク「【０１２３】 図５には、励起波長における、すなわち４５０ｎｍの一次ビームにおける、（Ｇａ，Ｃｒ）２Ｏ３から成る副相を有している変換材料Ｌａ３Ｇａ４．９７５Ｃｒ０．０２５ＧｅＯ１４の反射率（破線）および放射の相対強度（実線）が示されている。変換材料は、約４５０ｎｍおよび６４０ｎｍにおいて、最も低い反射を示し、したがって、約４５０ｎｍおよび６２０ｎｍにおいて、つまり青色および赤色のスペクトル領域にある一次ビームで最良に励起される。変換材料は、７００ｎｍから１０５０ｎｍの間で広範で連続的な放射を示し、この場合、相対強度は、７００ｎｍから約１，０００ｎｍまでの範囲において５０％を上回る。約７８０ｎｍの波長において、放射は最大になる。広範な放射は、Ｌａ３Ｇａ４．９７５Ｃｒ０．０２５ＧｅＯ１４および（Ｇａ，Ｃｒ）２Ｏ３の２つの別個の放射帯域の重畳と、使用されるホスト格子の種類に基づく。 【０１２４】 （Ｇａ，Ｃｒ）２Ｏ３から成る副相を有している変換材料Ｌａ３Ｇａ４．９７５Ｃｒ０．０２５ＧｅＯ１４は、３６．２７ｍｍｏｌのＬａ２Ｏ３、１０５．４４ｍｍｏｌのＧａ２Ｏ３、４２．１８ｍｍｏｌのＧｅＯ２，２．１１ｍｍｏｌのホウ酸および０．５２７ｍｍｏｌのＣｒ２Ｏ３が、ミキサおよびモルタグラインダにおいて混合物に加工されることによって製造された。ミキサとして、二重非対称遠心分離機とも称されるＳｐｅｅｄＭｉｘｅｒ（商標）が、すなわちミキサカップの二重の回転を基礎とする実験混合システムが使用される。この際、ホウ酸がフラックスとして機能し、これによって反応性／結晶成長が改善される。そのようにして製造された粉末は、コランダム坩堝に移され、９５０℃で４時間にわたり熱処理される。室温まで冷却された後に、焼結された粉末は、碾かれて篩に掛けられ、続いて１，３００℃で４時間にわたり第２の熱処理ステップを受ける。そのようにして得られた、焼結された材料は、モルタグラインダを用いて粉砕され、また比較的粗い粒子（＞３０μｍ）を取り除くために、３０μｍのメッシュサイズを有する分析篩に掛けられる。 【０１２５】 図６には、励起波長における、すなわち６３７ｎｍの一次ビームにおける、（Ｇａ，Ｃｒ）２Ｏ３から成る副相を有している変換材料Ｌａ３Ｇａ４．９７５Ｃｒ０．０２５ＧｅＯ１４の反射率（破線）および放射の相対強度（実線）が示されている。波長に依存する反射率は、図５に示したものに相当する。変換材料は、７００ｎｍから１０５０ｎｍの間で広範で連続的な放射を示し、この場合、相対強度は、約７８０ｎｍから約１，０００ｎｍまでの範囲において５０％を上回る。約９００ｎｍの波長において、放射は最大になる。広範な放射は、Ｌａ３Ｇａ４．９７５Ｃｒ０．０２５ＧｅＯ１４および（Ｇａ，Ｃｒ）２Ｏ３の２つの別個の放射帯域の重畳に基づく。」（３８ページ１行～３９ページ１６行） ケ 図５「 ［図：0001390560000001.jpg］ 」 コ 図６「 ［図：0001390560000002.jpg］ 」 （２）上記（１）の各記載事項を踏まえると、甲第１号証には、以下の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。なお、カッコ内は認定の根拠とした箇所を示す。 （甲１発明） ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子において、前記素子の動作時に、４００ｎｍ～５００ｎｍの間の一次ビームを放射する半導体チップと、変換材料を含有している変換素子と、を含んでおり、前記変換材料は、前記素子の動作時に前記半導体チップから放射される前記一次ビームを、７００ｎｍ～２，０００ｎｍの間の波長の二次ビームに変換し、前記ホスト材料は、金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属窒化物、金属酸窒化物およびそれらの組合せを含む化合物のグループから選択されている、ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子であって、（【請求項５】） 前記変換素子は前記半導体チップの一次ビームのビーム路内に配置され、（【００１３】） 前記変換素子は、前記一次ビームを、電磁スペクトルの赤色の領域にある第２の二次ビームに変換する発光体を含有している、（【００６１】） ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子。 ２ 甲第２号証 甲第２号証には、以下の記載がある。 なお、甲第２号証は、英語で記載された文献であり、その当審訳を記載する。 （当審訳）「電子数が多い場合は、かなり複雑になる。しかし、選択則を思い出すと、期待される吸収スペクトルを導くことができる。３個のｄ電子を持つイオン、たとえばＣｒ３＋（３ｄ３）の場合、基底準位は４Ａ２である。光吸収は、良い近似として、スピン選択則の観点から、スピン四重項（２Ｓ＋１＝４）準位に対してのみ起こることを示した。これらの遷移のうち、可能なものは３つしかない。４Ａ２→４Ｔ２，４Ｔ１（４Ｆ）及び４Ｔ１（４Ｐ）。Ｃｒ３＋イオンの吸収スペクトルは低強度の三つの吸収帯からなる（パリティ選択則）。これを図２．１２に示す。スピン禁制遷移は、通常非常に正確な測定でのみ観測できる。」（２２ページ４～１２行） 「 ［図：0001390560000003.jpg］ 」（２３ページ図２．１２） ３ 甲第３号証 （１）甲第３号証には、以下の記載がある。 なお、甲第３号証は、英語で記載された文献であり、その当審訳を記載する。 （当審訳）「Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４：Ｃｒ３＋中における規則－不規則化マルチサイトＣｒ３＋超広帯域近赤外ルミネセンス」（第４６３６頁、表題） 「Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４：Ｃｒ３＋中において、７３０ｎｍと１０３０ｎｍを中心とする二つのピークからなる超広帯域近赤外（ＮＩＲ）６００－１３００ｎｍ発光を達成することができ、これは恐らく、不規則八面体サイト（サイトＩ）と規則四面体サイト（サイトＩＩ）におけるＣｒ３イオンの４Ｔ２→４Ａ２遷移にそれぞれ起因する。Ｃｒ３＋のサイト占有率を、結晶構造、定常および時間分解光ルミネセンス（ＰＬ）スペクトル、ラマンスペクトルおよび電子常磁性共鳴（ＥＰＲ）スペクトルと組み合わせた結晶場理論により推定した。ラマンスペクトルで特徴づけられる規則－不規則構造は、ピーク位置と強度の温度依存性のような二つのピークの光ルミネセンス挙動に明確な影響を及ぼす。～７３０ｎｍの発光ピークと長い減衰時間を持つ不規則化八面体サイトのＣｒ３＋は、より強い結晶場を経験し、規則化四面体サイトより規則－不規則化構造により容易に影響される。この研究は、ＮＩＲ波長可変レーザーを設計する展望を開くかもしれない。」（第４６３６頁、要約） 「２．実験 通常の高温固相反応法によりＬＧＮＯ：０．５％ Ｃｒ３＋組成の粉末試料を合成した。適切な化学最論量の原料Ｌａ２Ｏ３（分析試薬，ＡＲ）、Ｇａ２Ｏ３（ＡＲ）、Ｎｂ２Ｏ５（ＡＲ）およびＣｒ２Ｏ３（９９．９９％）を、メノウ乳鉢で完全に混合した。均一化した混合物を空気中、９５０℃で４時間、次いで１２００℃で４時間予備焼結し、最終的に種々の温度（１３００～１４００℃）で５時間焼成して反応を完了し、いくつかの中間粉砕を行った。対応する試料をＬＧＣＮＯｌ（１３００℃）、ＬＧＣＮＯ２（１３３０℃）、ＬＧＣＮＯ３（１３６０℃）、ＬＧＣＮＯ４（１３８０℃）及びＬＧＣＮＯ５（１４００℃）と命名した。」（第４６３６頁右欄第２３行～第４６３７頁左欄第６行） 「３．結果と考察 ３．１ ＬＧＣＮＯ１－ＬＧＣＮＯ５のＸＲＤパターンを図１ａに示すが、いずれもＬＧＮＯ結晶相（ＩＣＳＤカード番号１７１５０３）とよく一致している。ただしＬａＮｂ５Ｏ１４相の痕跡（＊印）を除く。この不純物相の形成は、高温でのＧａの蒸発によると考えられる。 ＬＧＮＯはＣａ－ｇａｌｌｏｇｅｒｍａｎａｔｅ族に属し、空間群Ｐ３２１、格子定数ａ＝ｂ＝８．２１９６Ａ、ｃ＝５．１２１７Ａ、セル体積Ｖ＝２９９．６７Ａ．１２の典型的な六方晶構造で結晶化する。ａ軸に沿って見たＬＧＮＯの結晶構造の断片を図１ｂに示す。ｃ軸に垂直な四面体層は、小さいサイズの四面体（２ｄ位置）と大きいサイズの四面体（３ｆ位置）から成り、その間にＴｈｏｍｓｏｎ立方体（３ｅ位置）と八面体（１ａ位置）から形成された中間層がある。Ｌａ３＋イオンは１２個の配位子を持ち、３ｅ立方サイトに位置している。Ｇａ３＋イオンの一部とすべてのＮｂ５＋イオンは統計的に１：１比でｌａ八面体サイトを占有して［Ｎｂ０．５Ｇａ０．５］Ｏ６を形成し、残りのＧａ３＋イオンは２ｄと３ｆ四面体サイトを占有する。１２，１３イオン半径と価数を考慮すると、Ｃｒ３＋イオンがＧａ３＋サイトを置換すると考えられる。さらに、ｌａサイトに統計的に分布するＧａ３＋とＮｂ５＋イオンがこのサイトに不規則な結晶場環境を作るという事実もある。１３四面体サイトはすべてＧａ３＋イオンの占有により秩序化している。 ［図：0001390560000004.jpg］ 図１（ａ）ＬＧＣＮ０１－ＬＧＣＮ０５サンプルのＸＲＤパターン。＊は、ＬａＮｂ５Ｏ１４の回折ピークを示す。（ｂ）ａ軸に沿って見たＬＧＮＯの結晶構造。黄色の八面体は（Ｇａ０．５／Ｎｂ０．５）Ｏ６を表し、青色およびピンク色の四面体はＧａＯ４を表し、緑色のボールはＬａイオンである。」（第４６３７頁左欄第３３行～右欄第２１行） 「３．２分光学的性質 図３ａは、ＬＧＣＮＯｌのＰＬＥおよびＰＬスペクトルを示す。７３０ｎｍと１０３０ｎｍを中心とする二つの広帯域ＮＩＲ放射をそれぞれ４３２ｎｍと６６０ｎｍの励起で最適に観測できた励起波長として４６６ｎｍを選択することにより、７３０ｎｍと１０３０ｎｍの両方でピークを持つ６００－１３００ｎｍをカバーする超広帯ＮＩＲ発光を達成できた。７３０ｎｍと１０３０ｎｍの発光をモニターすると、３００－５００ｎｍと５００－７００ｎｍのブロードバンドからなる二組のＰＬＥスペクトルがありそれぞれＣｒ３＋の４Ａ２→４Ｔ１と４Ａ２→４Ｔ２遷移に帰属する。１，１０，１１，１９，２２，２３図３ｂにはよくマッチした吸収スペクトルも示してある。３ｄ３電子配置のＴａｎａｂｅ－Ｓｕｇａｎｏ（Ｔ－Ｓ）図によれば、２つのＰＬバンドは異なるサイトにおけるＣｒ３＋イオンの４Ｔ２→４Ａ２遷移に起因する。多様な結晶場環境は、また、図３ｃの配置座標モデルで説明されるように、様々なＰＬＥおよびＰＬ波長をもたらす。４３２ｎｍ励起では、電子は４Ａ２から４Ｔ１状態に励起され、その後、４Ｔ１と４Ｔ２曲線の交点を横切ることによって、４Ｔ２状態の平衡配位に非放射的に緩和し、７３０ｎｍの発光を行う。６６０ｎｍの励起では、電子は直接４Ｔ２状態の平衡配位に緩和し、最終的に１０３０ｎｍのＮＩＲ発光で４Ａ２基底状態に戻る。 ［図：0001390560000005.jpg］ 図３（ａ）ＬＧＣＮＯ１サンプルの正規化ＰＬＥおよびＰＬスペクトル、および、（ｂ）ＲＴにおけるその吸収スペクトル（挿入図は５９５－７７０ｎｍの吸収バンドの倍率を示す）；（ｃ）機構的配置座標図は、星印の有無にかかわらず、異なる結晶場環境における異なる励起および発光チャネルを示す；（ｄ）室温において４６６ｎｍで励起したＬＧＣＮＯｌ試料の時間分解発光スペクトル。」（第４６３７頁右欄第３２行～第４６３８頁右欄第４行） 「Ｒａｍａｎ及びＥＰＲスペクトルの結果から、ＬＧＮＯホストの［ＧａＯ６］及び［ＧａＯ４］サイトにおけるＣｒ３＋イオンの同時占有を確認した。３．２節で述べたように、１０３０ｎｍの発光を持つＣｒ３＋イオンは、７３０ｎｍの発光を持つものよりも弱い結晶場を経験するはずである。７３０ｎｍと１０３０ｎｍのＰＬピークは、それぞれ八面体と四面体位置のＣｒ３＋イオンに由来すると推定した。結晶構造の観点から、このホスト中の５Ａ以下の四面体位置Ｇａ３＋－Ｇａ３＋距離の存在は、Ｃｒ３＋－Ｃｒ３＋結合の形成の可能性を示唆した。３１」（第４６３９頁左欄第１５～２４行） 「図７は、２つの発光バンドに対する規則－不規則構造の影響を示す焼成温度依存ＰＬスペクトルを示す。か焼温度が１３００℃から１４００℃に上昇すると、７３０ｎｍピークの中心はわずかに長波長側にシフトしたが、１０３０ｎｍピークの位置は変化しなかった。前者は八面体サイトのＧａ３＋／Ｃｒ３＋／Ｎｂ５＋の規則－不規則占有に起因し、後者は規則四面体サイトに起因する。 ［図：0001390560000006.jpg］ 図７ 試料ＬＧＣＮ０１－ＬＧＣＮ０５のＰＬスペクトル。」（第４６３９頁右欄第９～１７行） 「４．結論 一連のＬａ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４：０．５％Ｃｒ３＋蛍光体を、種々の温度での従来の高温固相反応により合成した。Ｃｒ３＋の規則－不規則配列に起因する６００－１３００ｎｍの超広帯域ＮＩＲ発光が観測され、この発光材料はＮＩＲ同調可能固体レーザーの分野での潜在的応用に適している。７３０ｎｍと１０３０ｎｍのＰＬピークは、不規則な八面体（サイトＩ）サイトと四面体サイト（サイトＩＩ）のＣｒ３＋の４Ｔ２→４Ａ２遷移にそれぞれ起因する。ＴＲＥＳ，Ｒａｍａｎ，ＥＰＲ及びか焼温度に依存するＰＬスペクトルの結果から、サイトに関連したＰＬピークの帰属を推論した。二つの広帯域放射の明確な温度消光特性は、この結論をさらに支持する。粗結晶場とＲａｃａｈパラメータも計算した。規則－不規則結晶構造によって誘起されたサイト占有率の再配列は、遷移金属イオンの可変ルミネセンスを設計するための戦略と考えられる。」（第４６４１頁左欄第７～２４行） （２）甲第３号証の図３ａから、Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４：Ｃｒ３＋の励起スペクトルは、波長７３０ｎｍでモニターした場合、波長４００～４７０ｎｍの範囲に強いピークを有することが看取できる。さらに、Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ０．５Ｏ１４：Ｃｒ３＋の発光スペクトルは、波長４３２ｎｍで励起した場合、波長７３０ｎｍにピークを有し波長６００～１３００ｎｍのプロードなバンドスペクトルを有することが看取できる。 第６ 対比、判断 １ 本件訂正発明１について （１） 対比 本件訂正発明１と甲１発明とを対比する。 ア 本件訂正発明１の「第１の光を放射する光源と、」の特定事項について 甲１発明の「４００ｎｍ～５００ｎｍの間の一次ビームを放射する半導体チップ」の「４００ｎｍ～５００ｎｍの間の一次ビーム」及び「半導体チップ」は、それぞれ、本件訂正発明１の「第１の光」及び「光源」に相当する。 したがって、甲１発明は、上記特定事項を満たしている。 イ 本件訂正発明１の「前記光源により放射される光の光路に配置された波長変換構造と、」の特定事項について 甲１発明の「変換素子」は、本件発明１の「波長変換構造」に相当する。そして、当該「変換素子」は、「前記半導体チップの一次ビームのビーム路内に配置された」ものであるから、本件訂正発明１でいう「前記光源により放射される光の光路に配置された」ものといえる。 したがって、甲１発明は、上記特定事項を満たしている。 ウ 本件訂正発明１の「前記波長変換構造は、赤外光を放射する第１の蛍光体であって、ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１である、第１の蛍光体と、前記第１の光を吸収し、可視光である第３の光を放射する第２の蛍光体と、を有し、」の特定事項について 甲１発明の「変換素子」は、「前記半導体チップから放射される前記一次ビームを、７００ｎｍ～２，０００ｎｍの間の波長の二次ビームに変換」するものであるから、赤外光を含む光を放射するものである。また、「放射する半導体チップ」からの光を波長変換する際に用いられる材料として蛍光材料を用いることが技術常識であることに照らせば、甲１発明の当該「変換素子」に含有されている「変換材料」が「蛍光体」からなることは甲第１号証に記載されているに等しい。そうすると、甲１発明の当該「変換素子」に含有されている当該「変換材料」は、本件訂正発明１の「赤外光を放射する第１の蛍光体」に相当する。 一方、甲１発明の当該「変換材料」は、「金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属窒化物、金属酸窒化物およびそれらの組合せを含む化合物のグループから選択されている」「ホスト材料」を含有するものと解されるが、本件訂正発明１の「ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１」である「蛍光体」（以下「特定蛍光体」ということがある。）ではない。 また、甲１発明は、「前記一次ビームを、電磁スペクトルの赤色の領域にある第２の二次ビームに変換する発光体」を含有しているところ、上記の技術常識にも照らせば、甲１発明の「電磁スペクトルの赤色の領域にある第２の二次ビーム」及び「発光体」はそれぞれ、本件訂正発明１の「可視光である第３の光」及び「第２の蛍光体」に相当する。 エ 本件訂正発明１の「前記第１の蛍光体は、前記第１の光を吸収して、第２の光を放射し、」の特定事項について 甲１発明の「変換材料」（本件訂正発明１の「第１の蛍光体」に相当。）は、「４００ｎｍ～５００ｎｍの間の一次ビーム」を「７００ｎｍ～２，０００ｎｍの間の波長の二次ビームに変換」するものであるから、甲１発明の「７００ｎｍ～２，０００ｎｍの間の波長の二次ビーム」は、本件訂正発明１の「第２の光」に相当する。 したがって、甲１発明は、上記特定事項を満たしている。 オ 本件訂正発明１の「前記第１の蛍光体は、前記第３の光を吸収して、第４の光を放射し、」の特定事項について 甲１発明は、「変換材料」（本件訂正発明１の「第１の蛍光体」に相当。）が「電磁スペクトルの赤色の領域にある第２の二次ビーム」（本件訂正発明１の「第３の光」に相当。）を吸収するのか不明であり、それに伴い「第４の光を放射」するのかも不明である。 カ 本件訂正発明１の「前記第２の光および前記第４の光は、赤外放射範囲において異なるピーク波長を有する」の特定事項について 甲１発明の「７００ｎｍ～２，０００ｎｍの間の波長の二次ビーム」（本件訂正発明１の「第２の光」に相当。）は、本件訂正発明１でいう「赤外放射範囲」に属する（上記ウ）といえるとともに、当該範囲において「ピーク波長を有する」といえるものの、上記オで述べたように、甲１発明が、そもそも、「第４の光」を放射するのか不明である。 キ 本件訂正発明１の「装置」の特定事項について 甲１発明の「ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子」は本件訂正発明１の「装置」に相当する。 したがって、甲１発明は、上記特定事項を満たしている。 （２） 一致点及び相違点の認定 上記（１）によれば、本件訂正発明１と甲１発明とは、以下の点で一致するとともに相違する。 （一致点） 第１の光を放射する光源と、 前記光源により放射される光の光路に配置された波長変換構造と、 を有する装置であって、 前記波長変換構造は、 赤外光を放射する第１の蛍光体と、 前記第１の光を吸収し、可視光である第３の光を放射する第２の蛍光体と、 を有し、 前記第１の蛍光体は、前記第１の光を吸収して、第２の光を放射し、 前記第２の光は、赤外放射範囲においてピーク波長を有する、 装置。 （相違点１） 「第１の蛍光体」が、本件訂正発明１では「第３の光を吸収して、第４の光を放射」するとともに、「第４の光」は「赤外放射範囲において」第２の光とは「異なるピーク波長を有する」のに対し、甲１発明ではそうであるのか不明である点。 （相違点２） 「第１の蛍光体」が、本件訂正発明１では「ＲＥ３Ｇａ５-x-yＡＳｉＯ１４：Ｃｒｙ (ＲＥ＝Ｌａ, Ｎｄ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ；Ａ＝Ａｌ，Ｓｃ) を有し、ここで０≦ｘ≦１および０．００５≦ｙ≦０．１」である蛍光体（特定蛍光体）であるのに対し、甲１発明ではそうではない点。 （３） 判断 ア 事案に鑑みて、相違点２から検討する。 甲１発明は、第１の蛍光体が特定蛍光体ではなく、甲第１号証～甲第３号証にも特定蛍光体について何らの記載も示唆もない。したがって、甲１発明及び甲第１号証～甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が相違点２に係る構成に至ることはない。 イ これに対し、異議申立人は、本件訂正前の請求項３に係る発明が、甲第１号証に記載された発明（以下「甲１発明１」という。）に基づき進歩性を欠如する旨、本件訂正前の請求項１～５及び８に係る発明が、甲第１号証に記載された発明（以下「甲１発明２」という。）に基づく進歩性を欠如する旨主張するが、以下のとおり採用できない。 すなわち、甲１発明１は、変換材料として「（Ｇａ，Ｃｒ）２Ｏ３から成る副相を有している変換材料Ｌａ３Ｇａ４．９７５Ｃｒ０．０２５ＧｅＯ１４」（甲第１号証の【０１２３】～【０１２５】・図５・図６）を用いた発明であり、甲１発明２は、変換材料として、「Ｌｎ３Ｇａ５．５ＧｅＯ１４：Ｃｒ３＋」（同【００４１】・【００４２】）を用いた発明であるところ、これらの発明で用いられている変換材料はいずれも特定蛍光体ではないし、当該変換材料に基づき当業者が特定蛍光体に至るとすることを根拠付ける証拠もない。 ウ したがって、相違点１について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲１に記載された発明並びに甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件訂正発明２～５、８について 本件訂正発明２～５、８は、いずれも本件訂正発明１を直接又は間接に引用してさらに限定したものである。 そうすると、上記１で説示したことと同様の理由により、本件訂正発明２～５、８は、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 取消理由通知に記載した取消理由に対する当審の判断の小括 以上のとおり、取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件訂正発明に係る特許を取り消すことはできない。 第７ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許法第２９条第１項第３号の特許異議申立理由について 異議申立人は、本件訂正前の請求項１、２、４、５及び８に係る発明が甲１発明１であるから、新規性を欠如する旨主張しているが、上記第６の１（３）イのとおりである。 ２ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由についての小括 したがって、上記の特許異議申立理由は、理由がない。 第８ むすび 以上によれば、取消理由通知書に係る取消理由及び特許異議申立書に係る特許異議申立理由のいずれによっても、本件訂正発明１～５、８についての特許を取り消すことはできない。 また、他に本件訂正発明１～５、８についての特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。