2021-700884

特許第６８４５２２２号発明「半導体製造用処理液、半導体製造用処理液が収容された収容容器、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６８４５２２２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～８、１０、１１、１６～１９〕、〔９、２１～３１〕、〔１２～１４〕、１５、２０について訂正することを認める。 特許第６８４５２２２号の請求項１～１２、１５～１７、１９～３１に係る特許を維持する。 特許第６８４５２２２号の請求項１３、１４、１８に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６８４５２２２号の請求項１～２０に係る特許についての出願は、２０１７年（平成２９年）３月１６日（優先権主張 平成２８年３月３１日、平成２９年３月１０日）を国際出願日とする出願であって、令和３年３月１日にその特許権の設定登録がされ、令和３年３月１７日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和３年 ９月１５日 特許異議申立人 星 正美（以下、「異議申 立人１」という。）による請求項１～２０に 係る特許に対する特許異議の申立て 令和３年 ９月１６日 特許異議申立人 山▲崎▼ 浩一郎（以下、 「異議申立人２」という。なお、▲崎▼は異 字体である。）による請求項１～２０に係る 特許に対する特許異議の申立て 令和４年 ２月２１日付け 取消理由通知書 令和４年 ４月２５日 特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和４年 ７月１５日 異議申立人１による意見書（以下、「意見書 １－１」という。）の提出 令和４年 ７月１５日 異議申立人２による意見書（以下、「意見書 ２－１」という。）の提出 令和４年１１月１０日付け 取消理由通知書（決定の予告）（この取消理 由通知書を、以下、「取消理由通知書（決定 の予告）」という。） 令和５年 １月１６日 特許権者による意見書及び訂正請求書（この 訂正請求書及びこの訂正請求書による訂正を 、それぞれ「訂正請求書」及び「本件訂正」 という。）の提出（なお、本件訂正により、 令和４年４月２５日提出の訂正請求書によ る訂正は、取り下げられたものとみなす。） 令和５年 ３月１７日 異議申立人１による意見書（以下、「意見書 １－２」）という。 令和５年 ３月１７日 異議申立人２による意見書（以下、「意見書 ２－２」）という。 令和５年 ４月 ４日 異議申立人２による上申書の提出 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 本件訂正の内容は、以下のとおりである。（下線は、訂正箇所を示す。） （１）一群の請求項１～１１、１６～１９に係る訂正 ア 訂正事項１ （訂正事項１－１） 特許請求の範囲の請求項１に「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の金属原子を含有し、前記金属原子の少なくとも１種を含む粒子性メタルの合計の含有率が」と記載されているのを、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が」に訂正する。 請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項４～８、１０、１１、１６、１７、１９についても同様に訂正する。 （訂正事項１－２） 特許請求の範囲の請求項１に「半導体製造用処理液は、・・・であり」と記載されているのを、「半導体製造用処理液は、・・・であるアルカリ現像液であり」に訂正する。 請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項４～８、１０、１１、１６、１７、１９についても同様に訂正する。 （訂正事項１－３） 特許請求の範囲の請求項１に「０．０１～１００質量ｐｐｔ」と記載されているのを、「０．０１～０．４３質量ｐｐｔ」に訂正する。 請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項４～８、１０、１１、１６、１７、１９についても同様に訂正する。 イ 訂正事項２ （訂正事項２－１） 特許請求の範囲の請求項２に訂正事項１－１と同様の訂正をする。 請求項２の記載を直接又は間接的に引用する請求項３～８、１０、１１、１６、１７、１９についても同様に訂正する。 （訂正事項２－２） 特許請求の範囲の請求項２に「０．０１～１００質量ｐｐｔ」と記載されているのを、「０．０１～１０質量ｐｐｔ」に訂正する。 請求項２の記載を直接又は間接的に引用する請求項３～８、１０、１１、１６、１７、１９についても同様に訂正する。 ウ 訂正事項３ （訂正事項３－１） 特許請求の範囲の請求項７に「現像液又はリンス液である」と記載されているのを、「現像液である」に訂正する。 請求項７の記載を直接又は間接的に引用する請求項８、１０、１１、１６、１７、１９についても同様に訂正する。 （訂正事項３－２） 特許請求の範囲の請求項７に「請求項１～６のいずれか１項」と記載されているのを、「請求項２～６のいずれか１項」に訂正する。 請求項７の記載を直接又は間接的に引用する請求項８、１０、１１、１６、１７、１９についても同様に訂正する。 エ 訂正事項４ （訂正事項４－１） 特許請求の範囲の請求項９に「前記半導体製造用処理液が、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改める。 請求項９の記載を直接又は間接的に引用する請求項２３～３１についても同様に訂正する。 （訂正事項４－２） 独立形式に改めた請求項９について、訂正事項１－１と同様の訂正をする。 請求項９の記載を直接又は間接的に引用する請求項２３～３１についても同様に訂正する。 （訂正事項４－３） 独立形式に改め請求項９について、「半導体製造用処理液は、・・・であり」と記載されているのを、「半導体製造用処理液は、・・・である現像液又はリンス液であり」に訂正する。 請求項９の記載を直接又は間接的に引用する請求項２３～３１についても同様に訂正する。 オ 訂正事項５ （訂正事項５－１） 特許請求の範囲の請求項１０に「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器の製造方法であって」と記載されているのを、「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器の製造方法であって」に訂正する。 請求項１０の記載を引用する請求項１１についても同様に訂正する。 （訂正事項５－２） 特許請求の範囲の請求項１０に「前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁を」と記載されているのを、「前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の前記内壁を」に訂正する。 請求項１０の記載を引用する請求項１１についても同様に訂正する。 カ 訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項１６に「請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」と記載されているのを、「請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」に訂正する。 請求項１６の記載を直接又は間接的に引用する請求項１７、１９についても同様に訂正する。 キ 訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項１８を削除する。 ク 訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項１９に「請求項１６～１８のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。」と記載されているのを、「請求項１６又は１７に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。」に訂正する。 ケ 訂正事項９ （訂正事項９－１） 特許請求の範囲の請求項９に「前記半導体製造用処理液が、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改めて新たな請求項（請求項２１）とする。 請求項２１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２２～３１についても同様に訂正する。 （訂正事項９－２） 独立形式に改めた請求項２１について、訂正事項１－１と同様の訂正をする。 請求項２１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２２～３１についても同様に訂正する。 （訂正事項９－３） 独立形式に改めた請求項２１について、「半導体製造用処理液は、・・・であり」と記載されているのを、「半導体製造用処理液は、・・・である現像液又はリンス液であり」に訂正する。 請求項２１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２２～３１についても同様に訂正する。 コ 訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器。」とあるうち、請求項３を引用するものについて、訂正事項９で加えた請求項２１を引用する新たな請求項（請求項２２）とする。 請求項２２の記載を直接又は間接的に引用する請求項２３～３１についても同様に訂正する。 サ 訂正事項１１ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器。」とあるうち、請求項４を引用するものについて、訂正後の請求項９、訂正事項９で加えた請求項２１、及び訂正事項１０で加えた請求項２２を引用する新たな請求項（請求項２３）とする。 請求項２３の記載を直接又は間接的に引用する請求項２４～３１についても同様に訂正する。 シ 訂正事項１２ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器。」とあるうち、請求項５を引用するものについて、訂正後の請求項９、訂正事項９で加えた請求項２１、訂正事項１０で加えた請求項２２、及び訂正事項１１で加えた請求項２３を引用する新たな請求項（請求項２４）とする。 請求項２４の記載を直接又は間接的に引用する請求項２５～３１についても同様に訂正する。 ス 訂正事項１３ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器。」とあるうち、請求項６を引用するものについて、訂正後の請求項９、訂正事項９で加えた請求項２１、訂正事項１０で加えた請求項２２、訂正事項１１で加えた請求項２３、及び訂正事項１２で加えた請求項２４を引用する新たな請求項（請求項２５）とする。 請求項２５の記載を直接又は間接的に引用する請求項２６～３１についても同様に訂正する。 セ 訂正事項１４ 特許請求の範囲の請求項１０に「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器の製造方法」とあるうち、請求項９を引用するものについて、訂正後の請求項９、訂正事項９で加えた請求項２１、訂正事項１０で加えた請求項２２、訂正事項１１で加えた請求項２３、訂正事項１２で加えた請求項２４、及び訂正事項１３で加えた請求項２５を引用する新たな請求項（請求項２６）とする。 請求項２６の記載を引用する請求項２７についても同様に訂正する。 ソ 訂正事項１５ 特許請求の範囲の請求項１０に「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器の製造方法」と記載され、請求項１１に「請求項１０に記載の収容容器の製造方法」とあるうち、請求項９を引用する請求項１０を更に引用するものについて、訂正事項１４で加えた請求項２６を引用する新たな請求項（請求項２７）とする。 タ 訂正事項１６ 特許請求の範囲の請求項１６に「請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」とあるうち、請求項９を引用するものについて、訂正後の請求項９、訂正事項９で加えた請求項２１、訂正事項１０で加えた請求項２２、訂正事項１１で加えた請求項２３、訂正事項１２で加えた請求項２４、及び訂正事項１３で加えた請求項２５を引用する新たな請求項（請求項２８）とする。 請求項２８の記載を直接又は間接的に引用する請求項２９～３１についても同様に訂正する。 チ 訂正事項１７ 特許請求の範囲の請求項１６に「請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」と記載され、請求項１７に「請求項１６に記載のパターン形成方法」とあるうち、請求項９を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１７について、訂正事項１６で加えた請求項２８を引用する新たな請求項（請求項２９）とする。 請求項２９の記載を直接又は間接的に引用する請求項３０、３１についても同様に訂正する。 ツ 訂正事項１８ 特許請求の範囲の請求項１６に「請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」と記載され、請求項１８に「請求項１６に記載のパターン形成方法」とあるうち、請求項９を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１８について、訂正事項１６で加えた請求項２８を引用する新たな請求項（請求項３０）とする。 請求項３０の記載を引用する請求項３１についても同様に訂正する。 テ 訂正事項１９ 特許請求の範囲の請求項１６に「請求項１～９のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」と記載され、請求項１７及び１８の各々に「請求項１６に記載のパターン形成方法」と記載され、請求項１９に「請求項１６～１８のいずれか１項に記載のパターン形成方法」とあるうち、請求項９を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１９、請求項９を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１７を引用する請求項１９、及び請求項９を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１８を引用する請求項１９について、訂正事項１６で加えた請求項２８、訂正事項１７で加えた請求項２９、及び訂正事項１８で加えた請求項３０を引用する新たな請求項（請求項３１）とする。 ト 訂正事項１～１９は、一群の請求項〔１～１１、１６～１９〕に対して請求されたものである。 ナ なお、訂正後の請求項９及び２１～３１に係る訂正について、特許権者は、当該訂正が認められるときに一群の請求項の他の請求項とは別の訂正単位として扱われることを求めている。 （２）一群の請求項１２～１５に係る訂正 ア 訂正事項２０ （訂正事項２０－１） 特許請求の範囲の請求項１２に訂正事項１－１と同様の訂正をする。 請求項１２の記載を直接又は間接的に引用する請求項１３～１５についても同様に訂正する。 （訂正事項２０－２） 特許請求の範囲の請求項１２に「である半導体製造用処理液」と記載されているのを、「であり、且つ、有機溶剤を含有する現像液であり、前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である半導体製造用処理液」に訂正する。 イ 訂正事項２１ 特許請求の範囲の請求項１３を削除する。 ウ 訂正事項２２ 特許請求の範囲の請求項１４を削除する。 エ 訂正事項２３ （訂正事項２３－１） 特許請求の範囲の請求項１５に「酢酸ブチル、Ｎ-メチル-２-ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含む、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の半導体製造用処理液」とあるうち、請求項１２を引用するものについて、独立形式に改める。 （訂正事項２３－２） 独立形式に改めた請求項１５について、訂正事項１－１と同様の訂正をする。 （訂正事項２３－３） 独立形式に改めた請求項１５について、「１７～１００質量ｐｐｔである半導体製造用処理液」を、「１７～１００質量ｐｐｔである現像液又はリンス液である半導体製造用処理液」に訂正する。 オ 訂正事項２０～２３は、一群の請求項〔１２～１５〕に対して請求されたものである。 カ なお、訂正後の請求項１５に係る訂正について、特許権者は、当該訂正が認められるときに一群の請求項の他の請求項とは別の訂正単位として扱われることを求めている。 （３）請求項２０に係る訂正 ア 訂正事項２４ （訂正事項２４－１） 特許請求の範囲の請求項２０に「前記半導体製造用処理液は」と記載されているのを、「前記半導体製造用処理液は現像液であり」に訂正する。 （訂正事項２４－２） 特許請求の範囲の請求項２０に「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の金属原子を含有し、前記金属原子の少なくとも１種を含む粒子性メタルの合計の含有率が」と記載されているのを、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が」に訂正する。 （訂正事項２４－３） 特許請求の範囲の請求項２０について、「但し、前記半導体製造用処理液から、Ｆｅ（ＯＨ）２粒子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であって、前記粒子に含まれるＦｅの含有率が、前記水溶液の全質量を基準として３４．０～３９．２質量ｐｐｔである前記水溶液を除く。」を加え、「除くクレーム」とする訂正をする。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）一群の請求項１～１１、１６～１９に係る訂正 ア 訂正事項１ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項１－１について 訂正事項１－１は、訂正前の請求項１における「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の金属原子を含有し、前記金属原子の少なくとも１種を含む粒子性メタルの合計の含有率が」との記載を、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が」に訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 訂正前の上記記載は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される」のように「選択される」という用語が使用されているために、選択されなかった金属原子を含む粒子性メタルの含有率が特定されておらず、発明として不明確であった。 上記訂正では、これを「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」とすることにより、その発明を明確にするものである。 したがって、訂正事項１－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項１－２について 訂正事項１－２は、請求項１に記載の「半導体製造用処理液」について、「アルカリ現像液」に減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 ｃ 訂正事項１－３について 訂正事項１－３は、請求項１に記載の「粒子性メタルの合計の含有率」について、訂正前の請求項１が「０．０１～１００質量ｐｐｔ」であったのを、「０．０１～０．４３質量ｐｐｔ」とその上限を下げるものである。 したがって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項１－１について 本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）に 「【０４６３】【表１－４】 ［図：0001402725000001.jpg］ 【０４６４】【表１－５】 ［図：0001402725000002.jpg］ 」 と記載されているように、「実施例１」～「実施例４８」として記載された処理液の「粒子性メタル量合計」は、処理液に含有されるＦｅ、Ｃｕ及びＺｎの全ての粒子性メタルの合計の含有率（質量ｐｐｔ）となっており、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」である。 したがって、訂正事項１－１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項１－２について 本件明細書等に 「【００４５】 本発明の処理液が現像液として用いられる場合、現像液は、アルカリ現像液であってもよく、有機溶剤を含む現像液であってもよい。 【００４６】 本発明の処理液がアルカリ現像液として用いられる場合、本発明の処理液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に代表される４級アンモニウム塩を含有する水溶液であることが好ましい。これ以外にも、無機アルカリ、１～３級アミン、アルコールアミン又は環状アミン等を含有するアルカリ水溶液であってもよい。 【００４７】 具体的には、アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類；エチルアミン、ｎ-プロピルアミンなどの第一アミン類；ジエチルアミン、ジ-ｎ-ブチルアミンなどの第二アミン類；トリエチルアミン、メチルジエチルアミンなどの第三アミン類；ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩；ピロール、ピペリジンなどの環状アミン類；等のアルカリ性水溶液を挙げることができる。これらの中でもテトラメチルアンモニウムヒドロキシド又はテトラエチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液であることが好ましい。」 と記載されているように、本件発明の「半導体製造用処理液」が「アルカリ現像液」として用いられることが示されており、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項１－２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 訂正事項１－３について 上記ｂで示したように、本件明細書等の段落【００４６】には、本件発明の処理液を「アルカリ現像液」として用いた場合、「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に代表される４級アンモニウム塩を含有する水溶液であることが好ましい」ことが記載されている。そして、上記ａで示したように、本件明細書等の段落【０４６３】【表１－４】に、実施例２２～２５として、「処理液」を「ＴＭＡＨ」とした場合に、「粒子性メタル量合計」が、それぞれ「０．１９」質量ｐｐｔ、「０．４３」質量ｐｐｔ、「０．０６」質量ｐｐｔ、「０．０４」質量ｐｐｔであることが示されているから、本件発明の処理液を「アルカリ現像液」とした場合の「金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」の上限を「０．４３質量ｐｐｔ」とすることは、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項１－３は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項１－１について 訂正事項１－１は、上記（イ）ａのとおり、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項１－２について 訂正事項１－２は、上記（イ）ｂのとおり、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｃ 訂正事項１－３について 訂正事項１－３は、上記（イ）ｃのとおり、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１－３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 イ 訂正事項２ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項２－１について 訂正事項２－１は、訂正前の請求項２における「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の金属原子を含有し、前記金属原子の少なくとも１種を含む粒子性メタルの合計の含有率が」との記載を、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が」に訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 したがって、訂正事項２－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項２－２について 訂正事項２－２は、請求項２に記載の「粒子性メタルの合計の含有率」について、訂正前の請求項２が「０．０１～１００質量ｐｐｔ」であったのを、「０．０１～１０質量ｐｐｔ」とし、その上限を下げるものである。 したがって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項２－１について 本件明細書等の【表１－４】及び【表１－５】に記載されているように、処理液の「粒子性メタル量合計」は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」である。 したがって、訂正事項２－１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２－２について 本件明細書等に 「【００４２】 本発明の処理液における粒子性メタルの含有率は、０．０１～５０質量ｐｐｔであることが好ましく、０．０１～１０質量ｐｐｔであることがより好ましい。」 と記載されているように、本件発明の処理液の「金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」の上限を「１０質量ｐｐｔ」とすることは本件明細書等に記載されており、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項２－２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項２－１について 訂正事項２－１は、上記（イ）ａのとおり、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２－２について 訂正事項２－２は、上記（イ）ｂのとおり、本件明細書等に記載されたものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ウ 訂正事項３ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項３－１について 訂正事項３－１は、請求項７に「現像液又はリンス液である」との記載を、「現像液である」と減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項３－２について 訂正事項３－２は、訂正前の請求項７が「請求項１～６のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項１に対する引用関係を解消し、訂正後の請求項７において、「請求項２～６いずれか１項」の記載を引用するものとするものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項３－１について 訂正事項３－１は、上記（ア）ａのとおり、請求項７記載の「半導体製造用処理液」について、その用途が「現像液又はリンス液」であったのを、「現像液」に減縮するものである。 したがって、訂正事項３－１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項３－２について 訂正事項３－２は、上記（ア）ｂのとおり、請求項７が引用する請求項１を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項３－１について 訂正事項３－１は、上記（ア）ａのとおり、請求項７記載の「半導体製造用処理液」について、その用途を「現像液」に減縮するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項３－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項３－２について 訂正事項３－２は、上記（ア）ｂのとおり、請求項７が引用する請求項１を削除するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項３－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 エ 訂正事項４ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項４－１について 訂正事項４－１は、訂正前の請求項９が「請求項１～８のいずれか１項」を引用する記載であるところ、訂正前の請求項２～８に対する引用関係を解消し、訂正後の請求項９において、請求項１の記載を引用するものを独立形式に変更するものである。 したがって、訂正事項４－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項４－２について 訂正事項４－２は、独立形式に改めた上記請求項９について、訂正事項１－１と同様の訂正をするものであり、その発明を明確にするものである。 したがって、訂正事項４－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 ｃ 訂正事項４－３について 訂正事項４－３は、独立形式に改めた上記請求項９に記載の「半導体製造用処理液」について、その用途を「現像液又はリンス液」に減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項４－１について 訂正事項４－１は、上記（ア）ａのとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、請求項間の引用関係を解消して独立形式に改めるものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項４－２について 訂正事項４－２は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 訂正事項４－３について 本件明細書等に 「【００３５】 ＜半導体製造用処理液＞ 本発明において「半導体製造用処理液」は、上述の通り、リソグラフィ工程、エッチング工程、イオン注入工程を含む半導体デバイスの製造工程において、各工程の終了後、あるいは次の工程に移る前に、有機物を処理するために使用される処理液であり、例えば、現像液、リンス液、プリウェット液、エッチング液、洗浄液、剥離液等として用いられる処理液である。」 と記載されているように、本件発明の「半導体製造用処理液」が「現像液又はリンス液」として用いられることが示されており、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項４－３は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項４－１について 訂正事項４－１は、上記（ア）ａのとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、請求項間の引用関係を解消して独立形式に改めるものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項４－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項４－２について 訂正事項４－２は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項４－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｃ 訂正事項４－３について 訂正事項４－３は、上記（イ）ｃのとおり、本件明細書等の記載に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項４－３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 オ 訂正事項５ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項５－１について 訂正事項５－１は、訂正前の請求項１０が「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項９に対する引用関係を解消し、訂正後の請求項１０において、「請求項１～８のいずれか１項」の記載を引用するものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項５－２について 訂正事項５－２は、訂正前の請求項１０の「前記収容部内部の内壁」が、請求項１～８に記載された「内壁」を指すのか不明確であったのを、「前記収容部内部の前記内壁」と訂正することで明確にするものである。 したがって、訂正事項５－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項５－１について 訂正事項５－１は、上記（ア）ａのとおり、請求項１０が引用する請求項９を削除するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項５－２について 訂正事項５－２は、上記（ア）ｂのとおり、訂正前の請求項１０の「前記収容部内部の内壁」が、請求項１～８に記載された「内壁」を指すことを明確にするものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項５－１について 訂正事項５－１は、上記（ア）ａのとおり、請求項１０が引用する請求項９を削除するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項５－２について 訂正事項５－２は、上記（ア）ｂのとおり、訂正前の請求項１０の「前記収容部内部の内壁」が、請求項１～８に記載された「内壁」を指すことを明確にするものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項５－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項５に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 カ 訂正事項６ （ア）訂正の目的について 訂正事項６は、訂正前の請求項１６が「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項９に対する引用関係を解消し、訂正後の請求項１６において、「請求項１～８のいずれか１項」の記載を引用するものとするものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項６は、上記（ア）のとおり、請求項１６が引用する請求項９を削除するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項６は、上記（ア）のとおり、請求項１６が引用する請求項９を削除するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 キ 訂正事項７ （ア）訂正の目的について 訂正事項７は、請求項１８を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項７は、上記（ア）のとおり、請求項１８を削除するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項７は、上記（ア）のとおり、請求項１８を削除するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項７は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ク 訂正事項８ （ア）訂正の目的について 訂正事項８は、訂正前の請求項１９が「請求項１６～１８のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項１８に対する引用関係を解消し、訂正後の請求項１９において、「請求項１６又は１７」の記載を引用するものとするものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項８は、上記（ア）のとおり、訂正前の請求項１８に対する引用関係を解消するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項８は、上記（ア）のとおり、訂正前の請求項１８に対する引用関係を解消するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ケ 訂正事項９ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項９－１について 訂正事項９－１は、訂正前の請求項９が「請求項１～８のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項１、３～８に対する引用関係を解消し、請求項２を引用する請求項９を独立形式に改めて、新たな請求項（請求項２１）とするものである。 したがって、訂正事項９－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項９－２について 訂正事項９－２は、独立形式に改めた上記請求項２１について、訂正事項１－１と同様の訂正をするものであり、その発明を明確にするものである。 したがって、訂正事項９－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 ｃ 訂正事項９－３について 訂正事項９－３は、独立形式に改めた上記請求項２１に記載の「半導体製造用処理液」について、その用途を「現像液又はリンス液」に減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項９－１について 訂正事項９－１は、上記（ア）ａのとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、請求項間の引用関係を解消して独立形式に改めるものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項９－２について 訂正事項９－２は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 訂正事項９－３について 本件明細書等の段落【００３５】には、本件発明の「半導体製造用処理液」が「現像液又はリンス液」として用いられることが記載されており、訂正事項９－３は、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項９－３は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項９－１について 訂正事項９－１は、特許請求の範囲の減縮をするとともに、請求項間の引用関係を解消して独立形式に改めるものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項９－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項９－２について 訂正事項９－２は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項９－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｃ 訂正事項９－３について 訂正事項９－３は、上記（ア）ｃのとおり、請求項２１記載の「半導体製造用処理液」について、その用途を「現像液又はリンス液」に減縮するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項９－３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項９に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 コ 訂正事項１０ （ア）訂正の目的について 訂正事項１０は、訂正前の請求項９が「請求項１～８のいずれか１項」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項３が「請求項２」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項９で、請求項１、３～８に対する引用関係を解消し、請求項２を引用する請求項９を独立形式とし、新たな請求項２１とする訂正をしたことに伴って、訂正前の請求項２を引用する請求項３をさらに引用する請求項９について、訂正後の請求項２２おいて、請求項２１を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１０は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１０は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１０は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１０に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 サ 訂正事項１１ （ア）訂正の目的について 訂正事項１１は、訂正前の請求項９が「請求項１～８のいずれか１項」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項４が「請求項１～３いずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項９の請求項１～３、５～８に対する引用関係を解消し、請求項４を引用するものについて、訂正事項４で、請求項１を引用する請求項９を独立形式とし、訂正事項９で、請求項２を引用する請求項９を独立形式とし新たな請求項２１とする訂正をし、訂正事項１０で、請求項２を引用する請求項３をさらに引用する請求項９を、請求項２１を引用する新たな請求項２２とする訂正をしたことに伴って、訂正後の請求項２３において、請求項９、２１及び２２のいずれか１項を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１１は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１１は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 シ 訂正事項１２ （ア）訂正の目的について 訂正事項１２は、訂正前の請求項９が「請求項１～８のいずれか１項」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項５が「請求項１～４のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項９の請求項１～４、６～８に対する引用関係を解消し、請求項５を引用するものについて、訂正事項４で、請求項１を引用する請求項９を独立形式とし、訂正事項９で、請求項２を引用する請求項９を独立形式とし新たな請求項２１とする訂正をし、訂正事項１０で、請求項３を引用する請求項９を、請求項２１を引用する新たな請求項２２とする訂正をし、訂正事項１１で、請求項４を引用する請求項９を、請求項９、２１及び２２を引用する新たな請求項２３とする訂正をしたことに伴って、訂正後の請求項２４において、請求項９及び２１～２３のいずれか１項を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１２は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１２は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ス 訂正事項１３ （ア）訂正の目的について 訂正事項１３は、訂正前の請求項９が「請求項１～８のいずれか１項」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項６が「請求項１～５のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項９の請求項１～５、７、８に対する引用関係を解消し、請求項６を引用するものについて、訂正事項４で、請求項１を引用する請求項９を独立形式とし、訂正事項９で、請求項２を引用する請求項９を独立形式とし新たな請求項２１とする訂正をし、訂正事項１０で、請求項３を引用する請求項９を、請求項２１を引用する新たな請求項２２とする訂正をし、訂正事項１１で、請求項４を引用する請求項９を、請求項９、２１及び２２を引用する新たな請求項２３とする訂正をし、訂正事項１２で、請求項５を引用する請求項９を、請求項９及び２１～２３を引用する新たな請求項２４とする訂正をしたことに伴って、訂正後の請求項２５において、請求項９及び２１～２４のいずれか１項を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１３は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１３は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 セ 訂正事項１４ （ア）訂正の目的について 訂正事項１４は、訂正前の請求項１０が「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項１０の請求項１～８に対する引用関係を解消し、請求項９を引用するものについて、訂正事項４で、請求項１を引用する請求項９を独立形式とし、訂正事項９で、請求項２を引用する請求項９を独立形式とし新たな請求項２１とする訂正をし、訂正事項１０で、請求項３を引用する請求項９を、請求項２１を引用する新たな請求項２２とする訂正をし、訂正事項１１で、請求項４を引用する請求項９を、請求項９、２１及び２２を引用する新たな請求項２３とする訂正をし、訂正事項１２で、請求項５を引用する請求項９を、請求項９及び２１～２３を引用する新たな請求項２４とする訂正をし、訂正事項１３で、請求項６を引用する請求項９を、請求項９及び２１～２４を引用する新たな請求項２５とする訂正をしたことに伴って、訂正後の請求項２６において、新たな請求項９及び２１～２５のいずれか１項を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１４は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１４は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ソ 訂正事項１５ （ア）訂正の目的について 訂正事項１５は、訂正前の請求項１０が「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項１１が「請求項１０」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項１０の請求項１～８に対する引用関係を解消し、請求項９を引用するものについて、訂正事項１４で、請求項９を引用する請求項１０を、請求項９及び２１～２５を引用する新たな請求項２６とする訂正をしたことに伴って、請求項９を引用する請求項１０を更に引用する請求項１１について、訂正後の請求項２７において、請求項２６を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１５は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１５は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１５に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 タ 訂正事項１６ （ア）訂正の目的について 訂正事項１６は、訂正前の請求項１６が「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正前の請求項１６の請求項１～８に対する引用関係を解消し、請求項９を引用するものについて、訂正事項４で、請求項１を引用する請求項９を独立形式とし、訂正事項９で、請求項２を引用する請求項９を独立形式とし新たな請求項２１とする訂正をし、訂正事項１０で、請求項３を引用する請求項９を、請求項２１を引用する新たな請求項２２とする訂正をし、訂正事項１１で、請求項４を引用する請求項９を、請求項９、２１及び２２を引用する新たな請求項２３とする訂正をし、訂正事項１２で、請求項５を引用する請求項９を、請求項９及び２１～２３を引用する新たな請求項２４とする訂正をし、訂正事項１３で、請求項６を引用する請求項９を、請求項９及び２１～２４を引用する新たな請求項２５とする訂正をしたことに伴って、訂正後の請求項２８において、新たな請求項９及び２１～２５のいずれか１項を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１６は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１６は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 チ 訂正事項１７ （ア）訂正の目的について 訂正事項１７は、訂正前の請求項１７が「請求項１６」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項１６が「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項１６で、訂正前の請求項１６の請求項１～８に対する引用関係を解消し、請求項９を引用するものについて、新たな請求項２８とする訂正をしたことに伴って、請求項９を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１７について、訂正後の請求項２９において、新たな請求項２８を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１７は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１７は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１７は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ツ 訂正事項１８ （ア）訂正の目的について 訂正事項１８は、訂正前の請求項１６が「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項１８が「請求項１６」の記載を引用するものであるところ、訂正事項１６で、訂正前の請求項１６の請求項１～８に対する引用関係を解消し、請求項９を引用するものについて、新たな請求項２８とする訂正をしたことに伴って、請求項９を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１８について、訂正後の請求項３０において、新たな請求項２８を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１８は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１８は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 テ 訂正事項１９ （ア）訂正の目的について 訂正事項１９は、訂正前の請求項１９が「請求項１６～１８のいずれか１項」の記載を引用するものであり、訂正前の請求項１６は「請求項１～９のいずれか１項」の記載を引用する記載であり、訂正前の請求項１７及び１８が「請求項１６」の記載を引用するものであるところ、訂正事項１６～１８で、訂正前の請求項１６の請求項１～８に対する引用関係を解消し、請求項９を引用するものについて、請求項１６～１８を、それぞれ新たな請求項２８～３０とする訂正をしたことに伴って、訂正後の請求項３１において、新たな請求項２８～３０のいずれか１項を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項１９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正、及び、同法第１２０条の５第２項３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１９は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項１９は、上記（ア）のとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１９に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ト 一群の請求項について 訂正前の請求項１～１１、１６～１９について、請求項３～１１、１６～１９は、請求項１又は２を直接又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１又は２によって記載が訂正される請求項１又は２に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項１～１１、１６～１９に対応する訂正後の請求項１～１１、１６～１９、２１～３１は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 （２）一群の請求項１２～１５に係る訂正 ア 訂正事項２０ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項２０－１について 訂正事項２０－１は、請求項１２について、訂正事項１－１と同様の訂正をするものであり、その発明を明確にするものである。 したがって、訂正事項２０－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項２０－２について 訂正事項２０－２は、請求項１２に記載の「半導体製造用処理液」について、「有機溶剤を含有する現像液であり、前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である半導体製造用処理液」に減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項２０－１について 訂正事項２０－１は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２０－２について 本件明細書等に 「【００５１】 本発明の処理液が有機溶剤を含む現像液（以下、「有機系現像液」ともいう。）として用いられる場合、有機溶剤としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。本発明に用いられる溶剤は、硫酸イオン、塩化物イオン、又は硝酸イオンなどの無機イオン、及び対象金属であるＦｅ、Ｃｕ及びＺｎが低減されたグレードのものを用いるか、さらに精製して用いることが好ましい。 ・・・ 中 略 ・・・ 【００５８】 上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が１０質量％未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。 【００５９】 特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。」 と記載されているように、本件発明の「半導体製造用処理液」が「有機溶剤を含有する現像液」であり、「現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である」ことが示されており、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項２０－２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項２０－１について 訂正事項２０－１は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２０－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２０－２について 訂正事項２０－２は、上記（ア）ｂのとおり、請求項１２記載の「半導体製造用処理液」について、「有機溶剤を含有する現像液であり、前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である半導体製造用処理液」に減縮するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２０－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項２０に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 イ 訂正事項２１ （ア）訂正の目的について 訂正事項２１は、請求項１３を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項２１は、請求項１３を削除するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項２１は、請求項１３を削除するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項２１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ウ 訂正事項２２ （ア）訂正の目的について 訂正事項２２は、請求項１４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項２２は、請求項１４を削除するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて 訂正事項２２は、請求項１４を削除するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項２２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 エ 訂正事項２３ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項２３－１について 訂正事項２３－１は、訂正前の請求項１５が「請求項１２～１４のいずれか１項」を引用する記載であるところ、訂正前の請求項１３、１４に対する引用関係を解消し、訂正後の請求項１５において、請求項１２の記載を引用するものを独立形式に変更するものである。 したがって、訂正事項２３－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項２３－２について 訂正事項２３－２は、独立形式に改めた上記請求項１５について、訂正事項１－１と同様の訂正をするものであり、その発明を明確にするものである。 したがって、訂正事項２３－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 ｃ 訂正事項２３－３について 訂正事項２３－３は、独立形式に改めた上記請求項１５に記載の「半導体製造用処理液」について、その用途を「現像液又はリンス液」に減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項２３－１について 訂正事項２３－１は、上記（ア）ａのとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、請求項間の引用関係を解消して独立形式に改めるものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２３－２について 訂正事項２３－２は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 訂正事項２３－３について 本件明細書等の段落【００３５】に、本件発明の「半導体製造用処理液」が「現像液又はリンス液」として用いられることが記載されており、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項２３－３は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項２３－１について 訂正事項２３－１は、上記（ア）ａのとおり、特許請求の範囲の減縮をするとともに、請求項間の引用関係を解消して独立形式に改めるものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２３－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２３－２について 訂正事項２３－２は、訂正事項１－１で検討したように、本件明細書等に記載の実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２３－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｃ 訂正事項２３－３について 訂正事項２３－３は、上記（イ）ｃのとおり、本件明細書等の記載に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２３－３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項２３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 オ 一群の請求項について 訂正前の請求項１２～１５について、請求項１３～１５は、請求項１２を直接又は間接的に引用しているものであって、訂正事項２０によって記載が訂正される請求項１２に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項１２～１５に対応する訂正後の請求項１２～１５は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 （３）請求項２０に係る訂正 ア 訂正事項２４ （ア）訂正の目的について ａ 訂正事項２４－１について 訂正事項２４－１は、請求項２０に記載の「半導体製造用処理液」について、「現像液」に減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 ｂ 訂正事項２４－２について 訂正事項２４－２は、訂正前の請求項２０における「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の金属原子を含有し、前記金属原子の少なくとも１種を含む粒子性メタルの合計の含有率が」の記載を、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が」に訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正前の上記記載は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される」のように「選択される」という用語が使用されているために、選択されなかった金属原子が特定されておらず、発明として不明確であった。 上記訂正では、これを「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子」とすることにより、その発明を明確にするものである。 加えて、「前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の合計の含有率」について「前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であ」るとの減縮を加えるものである。 そうすると、訂正事項２４－２は、特許法第１２０条の５第２項だだし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び同項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。 ｃ 訂正事項２４－３について 訂正事項２４－３は、請求項２０に記載の「半導体製造用処理液」について、「但し、前記半導体製造用処理液から、Ｆｅ（ＯＨ）２粒子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であって、前記粒子に含まれるＦｅの含有率が、前記水溶液の全質量を基準として３４．０～３９．２質量ｐｐｔである前記水溶液を除く」ものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。 （イ）本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることについて ａ 訂正事項２４－１について 本件明細書等の段落【００４５】に、本件発明の「半導体製造用処理液」が「現像液」として用いられることが記載されており、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項２４－１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２４－２について （ａ）本件明細書等の段落【０４６３】【０４６４】に記載されているように、「実施例１」～「実施例４８」として記載された処理液の「総メタル量合計」、「粒子性メタル量合計」は、処理液に含有されるＦｅ、Ｃｕ及びＺｎの全てのメタルの合計の含有率（質量ｐｐｔ）、及び、処理液に含有されるＦｅ、Ｃｕ及びＺｎの全ての粒子性メタルの合計の含有率（質量ｐｐｔ）となっており、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の合計の含有率」及び「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」である。 そして、本件明細書等の段落【０４６３】【表１－４】に、実施例６～９、１１、１２、１４及び１６として、「総メタル量合計」が２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、「粒子性メタル量合計」が１７～１００質量ｐｐｔの範囲内にある処理液が記載されている。 したがって、訂正事項２４－２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ｂ）なお、異議申立人２は、意見書２－２で、 ｉ 本件明細書には、半導体製造用処理液における総メタル量の範囲について言及する記載は一切存在せず、単に表１－４において当該含有率の測定結果が示されているに過ぎず、本件明細書の記載全体みても、半導体製造用処理液における総メタル量の範囲について言及があるとは認められない。 ｉｉ 訂正事項２４－２では、当該メタル量の下限として２２０質量ｐｐｔが規定されるだけであり、上限が規定されおらず、無限大であってもよいこととなるが、このような規定の根拠となる記載も本件明細書には一切存在しない。 ｉｉｉ したがって、訂正事項２４－２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に違反してなされたものである。 旨主張する。（意見書２－２の第２２～２３頁） （ｃ）しかしながら、上記（ａ）で述べたように、本件明細書の段落【０４６３】【表１－４】に、実施例６～９、１１、１２、１４及び１６として、「総メタル量合計」が２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、「粒子性メタル量合計」が１７～１００質量ｐｐｔの範囲内にある処理液が記載されているから、訂正事項２４－２は、明細書等の記載に基づくものである。 また、訂正事項２４－２では、「総メタル量合計」が無限大も含むとの主張は、あり得ない値（無限大）に基づく主張である。 そうすると、異議申立人２の上記（ｂ）の主張は採用できない。 ｃ 訂正事項２４－３について （ａ）訂正事項２４－３は、取消理由通知書（決定の予告）に記載された理由２（新規性）及び理由３（進歩性）で先行文献として引用されたChady Stephan, "Analysis of Iron Nanoparticles in Organic Solvents Used in the Semiconductor Industry Using Single Particle ICP-MS in Reaction Mode"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１５（平成２７年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://labsense.fi/uploads/7/1/9/5/71957143/analysis_of_iron_nanoparticles_in_organic_solvents_used_in_the_semiconductor_industry_application_note.pdf>（以下、「引用文献１」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第１３号証。異議申立人２による特許異議申立書に添付の甲第１号証。）に記載された事項のみを除外することを目的とするものであり、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項２４－３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。 （ｂ）なお、異議申立人２は、意見書２－２で、 引用文献１には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）有機溶媒に存在するＦｅ（ＯＨ）２粒子の濃度から計算したＦｅの濃度は「３４．０質量ｐｐｔ、３７．１質量ｐｐｔ、３９．２質量ｐｐｔ」であり、訂正項２４－３は、引用文献１に明示的に記載されていない、３４．０質量ｐｐｔを超え、３７．１質量ｐｐｔ未満のもの、３７．１質量ｐｐｔを超え、３９．２質量ｐｐｔ未満のものを除くことになり、「除くクレーム」として許容される範囲を逸脱しているから、訂正事項２４－３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に違反してなされたものである旨主張する。（異議申立書２－２の第２３～２４頁） （ｃ）しかしながら、引用文献１には、ＴＭＡＨに存在するＦｅ（ＯＨ）２粒子の濃度から計算したＦｅの濃度は「３４．０質量ｐｐｔ、３７．１質量ｐｐｔ、３９．２質量ｐｐｔ」であり、この値は、同一のサンプルについて３回の繰り返し分析をしたものである。 そうすると、Ｆｅ（ＯＨ）２粒子の濃度から計算したＦｅの濃度は、３４．０～３９．２質量ｐｐｔであり、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて ａ 訂正事項２４－１について 訂正事項２４－１は、上記（イ）ａのとおり、本件明細書等の記載に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２４－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｂ 訂正事項２４－２について 訂正事項２４－２は、上記（イ）ｂのとおり、本件明細書等の記載に実施例に適合したものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２４－２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ｃ 訂正事項２４－３について 訂正事項２４－３は、上記（イ）ｃのとおり、引用文献１に記載された事項のみを除外する訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２４－３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 （エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて 本特許異議申立事件において、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項２４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （４）小括 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号、及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～８、１０、１１、１６～１９〕、〔９、２１～３１〕、〔１２～１４〕、１５、２０について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正により訂正された請求項１～３１に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明３１」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～３１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、 前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～０．４３質量ｐｐｔであるアルカリ現像液であり、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ポリエチレン及びポリプロピレンから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。 【請求項２】 半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、 前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１０質量ｐｐｔであり、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。 【請求項３】 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されており、前記内壁の最表面からの深さが１ｎｍの部位における、Ｃｒ／Ｆｅで表される質量比が１～３である、請求項２に記載の収容容器。 【請求項４】 前記半導体製造用処理液が収容された前記収容部に占める空隙部の割合が５０～０．０１体積％である、請求項１～３のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項５】 前記半導体製造用処理液が収容された前記収容部の空隙部は、直径０．５μｍ以上のパーティクル数が１０個／リットル以下の気体が充填されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項６】 前記半導体製造用処理液が収容された前記収容部の空隙部は、不活性ガスが充填されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項７】 前記半導体製造用処理液は、現像液である、請求項２～６のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項８】 前記半導体製造用処理液が、４級アンモニウム塩を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項９】 半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、 前記半導体製造用処理液は、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、且つ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔである現像液又はリンス液であり、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ポリエチレン及びポリプロピレンから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。 【請求項１０】 半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器の製造方法であって、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の前記内壁を、前記半導体製造用処理液を充填する前に、前記内壁に対する接触角が１０度以上１２０度以下の洗浄液を用いて洗浄すること、及び、 前記半導体製造用処理液を洗浄後の前記収容部に充填すること を含む収容容器の製造方法。 【請求項１１】 前記洗浄液は、超純水、又は、前記半導体製造用処理液に含有される成分のうち少なくとも１種を含む液体である、請求項１０に記載の収容容器の製造方法。 【請求項１２】 半導体製造用処理液であって、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであり、且つ、有機溶剤を含有する現像液であり、前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である半導体製造用処理液。 【請求項１３】（削除） 【請求項１４】（削除） 【請求項１５】 半導体製造用処理液であって、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、且つ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し１７～１００質量ｐｐｔである現像液又はリンス液である半導体製造用処理液。 【請求項１６】 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び 前記基板又は前記感活性光線性又は感放射線性膜を、請求項１～８のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程、 を含むパターン形成方法。 【請求項１７】 前記基板又は前記感活性光線性又は感放射線性膜を、前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程として、少なくとも、前記感活性光線性又は感放射線性膜を、前記半導体製造用処理液を現像液として用いて現像する工程を含む、請求項１６に記載のパターン形成方法。 【請求項１８】（削除） 【請求項１９】 請求項１６又は１７に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。 【請求項２０】 半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、前記半導体製造用処理液は現像液であり、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として１７～１００質量ｐｐｔである収容容器。但し、前記半導体製造用処理液から、Ｆｅ（ＯＨ）２粒子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であって、前記粒子に含まれるＦｅの含有率が、前記水溶液の全質量を基準として３４．０～３９．２質量ｐｐｔである前記水溶液を除く。 【請求項２１】 半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、 前記半導体製造用処理液は、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、且つ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔであるリンス液であり、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。 【請求項２２】 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されており、前記内壁の最表面からの深さが１ｎｍの部位における、Ｃｒ／Ｆｅで表される質量比が１～３である、請求項２１に記載の収容容器。 【請求項２３】 前記半導体製造用処理液が収容された前記収容部に占める空隙部の割合が５０～０．０１体積％である、請求項９、２１及び２２のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項２４】 前記半導体製造用処理液が収容された前記収容部の空隙部は、直径０．５μｍ以上のパーティクル数が１０個／リットル以下の気体が充填されている、請求項９及び２１～２３のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項２５】 前記半導体製造用処理液が収容された前記収容部の空隙部は、不活性ガスが充填されている、請求項９及び２１～２４のいずれか１項に記載の収容容器。 【請求項２６】 半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する請求項９及び２１～２５のいずれか１項に記載の収容容器の製造方法であって、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁を、前記半導体製造用処理液を充填する前に、前記内壁に対する接触角が１０度以上１２０度以下の洗浄液を用いて洗浄すること、及び、 前記半導体製造用処理液を洗浄後の前記収容部に充填すること を含む収容容器の製造方法。 【請求項２７】 前記洗浄液は、超純水、又は、前記半導体製造用処理液に含有される成分のうち少なくとも１種を含む液体である、請求項２６に記載の収容容器の製造方法。 【請求項２８】 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び 前記基板又は前記感活性光線性又は感放射線性膜を、請求項９及び２１～２５のいずれか１項に記載の収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程、 を含むパターン形成方法。 【請求項２９】 前記基板又は前記感活性光線性又は感放射線性膜を、前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程として、少なくとも、前記感活性光線性又は感放射線性膜を、前記半導体製造用処理液を現像液として用いて現像する工程を含む、請求項２８に記載のパターン形成方法。 【請求項３０】 前記基板又は前記感活性光線性又は感放射線性膜を、前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程として、少なくとも、前記感活性光線性又は感放射線性膜を、前記半導体製造用処理液をリンス液として用いて洗浄する工程を含む、請求項２８に記載のパターン形成方法。 【請求項３１】 請求項２８～３０のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。」 第４ 取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由について 請求項１～２０に対して、当審が、令和４年１１月１０日付けで、特許権者に通知した取消理由通知書（決定の予告）の取消理由（以下、単に「取消理由」という。）の要旨は、次のとおりである。 １ 取消理由１：本件特許の請求項１２～１４に係る発明は、Kenneth Ong, "Determination of Impurities in Semiconductor-Grade TMAH with the NexION 300S/350S ICP-MS"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１４年（平成２６年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://resources.perkinelmer.com/corporate/cmsresources/images/46-135839app_010283_01nexion300s-impuritiessemicontmah.pdf>（以下、「引用文献６」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第７号証。異議申立人２による意見書２－１に添付の甲第１１号証。)に記載された発明であり、本件特許の請求項１２、１４に係る発明は、特開２００５－２６０２１３号公報（以下、「引用文献７」という。異議申立人２による意見書２－１に添付の甲第１３号証。）に記載された発明であり、本件特許の請求項１２、１５に係る発明は、Kenneth Org,"Determination of Impurities in Organic Solvents used in the Semiconductor Industry with the NexION 300S/350S ICP-MS"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１４年（平成２６年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://resources.perkinelmer.com/lab-solutions/resources/docs/app_010279_01nexion300s-impuritiessemiconipapgmea.pdf>（以下、「引用文献８」という。異議申立人１による意見書１－１に添付の甲第１５号証。異議申立人２による意見書２－１に添付の甲第１５号証。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項１２～１５に係る特許は、同条第１項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当するから、取り消されるべきものである。 ２ 取消理由２：本件特許の請求項１～１７、１９～２５、２７～２９、３１、３２、３５に係る発明は、引用文献１、６、７、８及び、特開平１１－８０２５７号公報（以下、「引用文献２」という。異議申立人２による特許異議申立書に添付の甲第３号証。）、特開平１０－４３６号公報（以下、「引用文献３」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第５号証。異議申立人２による意見書２－１に添付の甲第１２号証。）、特開平７－１１４２１号公報（以下、「引用文献４」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第９号証。）、特開２０１５－６４４９４号公報（以下、「引用文献５」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第１２号証。異議申立人２による特許異議申立書に添付の甲第９号証。）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１７、１９～２５、２７～２９、３１、３２、３５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当するから、取り消されるべきものである。 ３ 取消理由３：本件特許は、特許請求の範囲の請求項１～３５の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当するから、取り消されるべきものである。 第５ 当審の判断 １ 引用文献の記載と引用発明等 （１）引用文献１について（下線は当審で付した。以下、同じ。） 引用文献１には、以下の事項が記載されている。なお、引用文献１の記載事項は、当審の訳文で示す。 「はじめに 半導体製品の金属汚染は、デバイスの性能に悪影響を及ぼす。チップの線幅が小さくなると、金属汚染の許容値も小さくなる。金属汚染で最も多いのは、遷移金属とアルカリ元素である。遷移金属は、半導体材料中を拡散し、表面にさまざまな酸化物として凝縮する。遷移金属の中では、鉄（Ｆｅ）の混入が圧倒的に多くなっている。単一粒子ＩＣＭ－ＭＳ（ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳ）は、使用する導入システムにもよるが、１００～１０００粒／ｍＬという非常に低い粒子濃度で個々の粒子を検出、カウント、サイズ決定することができるため、ナノ粒子の分析によく使われる技術であることがわかっている。ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳでは、微粒子の情報に加えて、事前に分離することなく溶存濃度を知ることができる。ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳは、化学的機械的平坦化スラリーを含む様々なマトリックス中のナノ粒子を測定し、特性を明らかにする能力があることが多くの文献で示されている。」（第１頁） 「本研究では、反応モードのＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳを用いて、半導体溶媒中の鉄ナノ粒子と酸化鉄の測定および特性評価ができることを実証する。」（第２頁左列７行～９行） 「サンプルは、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）と９０％シクロヘキサン／１０％プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の混合物を含む。」（第２頁左列２７行～２９行） 「機器の条件 すべての分析は、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ ＮｅｘｔＩＯＮ（Ｒ） ３５０Ｓ ＩＣＰ ＭＳで、ＳｙｎｇｉｓｔｉｘＴＭ Ｎａｎｏ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｍｏｄｕｌｅ（Ｖｅｒｓｉｏｎ １．１）を用いて行った。装置の条件をＴａｂｌｅ １に示す。サンプル導入条件は分析する溶媒によって若干異なり、コーンへのカーボン付着を防ぐためにスプレーチャンバーの後に酸素を加えた。その他のコンポーネントとパラメーターはすべて一定とした。」（第２頁左列３０行～３７行）（当審注：「（Ｒ）」は「○」の中に「Ｒ」が記された文字を示す。以下同じ。） 「次に、脱イオン水で１０倍に希釈したＴＭＡＨを分析し、その結果を図５と表６に示す。図５ａは左に粒度分布を、図５ｂは１つのＦｅナノ粒子からの信号を示している。（図５ｂのｘ軸は単一のピークを示すために大幅に拡大されている）。シクロヘキサンの場合と同様、３回の繰り返し分析において、粒子径と濃度の両方で一貫した結果が得られた。表６は、このサンプルの３回の分析結果を示している。粒子径と濃度の両方において、方法論が一貫していることを示しています。表６は、サンプルの３回の分析結果を示している。これらのナノ粒子がステンレススチールに由来するものかどうかを判断するために、サンプルを再度分析した。サンプルを再度分析し、今度はクロム（Ｃｒ）を測定した。図６のリアルタイムトレースが示すように、粒子は存在しなかった。つまり、このＦｅ含有ナノ粒子はステンレス鋼ではないということである。ＴＭＡＨの化学的性質から、これらはＦｅ（ＯＨ）２粒子ではないかと考えられる。」（第４頁左列１行～１６行） 「Ｆｅ（ＯＨ）２粒子がＴＭＡＨに存在すると仮定すると、測定される総鉄濃度は、Ｆｅ（ＯＨ）２の密度（３．４ｇ／ｃｍ３）、Ｆｅの質量分率（７０％）、粒子サイス、および粒子濃度に基づいて計算できる。表７は、ＴＭＡＨの３回の繰り返し分析のデータを示している。これは、鉄の総濃度（粒子濃度から変換され、粒子がＦｅ（ＯＨ）２のクラスターであると仮定）が非常に正確に検出されていることを示している。表７は、ＴＭＡＨの３回の繰り返し分析のデータを示し、粒子濃度から変換した後、粒子がＦｅ（ＯＨ）２のクラスターであると仮定して検出された鉄の総濃度を示している。」（第４頁右列１行～１２行） 「結論 本研究は、反応モードでのＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳが有機溶媒中のＦｅ含有ナノ粒子を検出する能力を実証した。ＮｅｘＩＯＮ ３５０の反応モードでアンモニアを使用することにより、Ｆｅの主要同位体（ｍ／ｚ ５６）でのＡｒＯ＋干渉が完全に排除され、Ｆｅ含有ナノ粒子のサイズと濃度を正確に決定できる。衝突モードの代わりに反応モードを使用した。衝突モードでは、鉄の感度が大幅に低下することなくＡｒＯ＋干渉を排除できず、Ｆｅ含有ナノ粒子が見られなくなるためである。反応モードでは、１３ｎｍのＦｅナノ粒子の検出限度が確立され、有機溶媒中の３０００粒子／ｍＬという低い濃度で粒子が正確にカウントおよびサイズ決定できた。今後の研究は、反応モードの恩恵を受ける他のナノ粒子に焦点を当てる。」（第５頁左列１行～１５行） 「 ［図：0001402725000003.jpg］ 」 上記Ｔａｂｌｅ７には、３回の分析により、脱イオン水で１０倍に希釈したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）有機溶媒に存在するＦｅ（ＯＨ）２粒子の濃度から計算したＦｅの濃度は、３．９２質量ｐｐｔ、３．７１質量ｐｐｔ、３．４０質量ｐｐｔであることが示されている。このことから、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に存在するＦｅの濃度は、３４．０～３９．２質量ｐｐｔであることがわかる。 そうすると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。 「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）と９０％シクロヘキサン／１０％プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の混合物を含み、 Ｆｅ（ＯＨ）２粒子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）有機溶媒であって、Ｆｅ（ＯＨ）２粒子の濃度から計算したＦｅの濃度が、３４．０～３９．２質量ｐｐｔであるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）有機溶媒。」 （２）引用文献２について 引用文献２には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置産業分野、精密工業部品分野及び医薬品等に使用される高純度薬品用容器の製造に好適で、高純度薬品を充填した場合に、薬品への微粒子の発生および金属溶出の極めて少ないポリエチレン容器用樹脂及び高純度薬品容器に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、電子工業分野の著しい発達に伴って、高純度薬品の需要が高まっている。高純度薬品は、例えば、大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造に不可欠の薬品として使用されている。具体的には、ウエハー洗浄・エッチング用、配線・絶縁膜エッチング用、治具洗浄用、現像液、レジスト希釈液、レジスト剥離液、乾燥用等の用途として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、過酸化水素水、イソプロピルアルコール、キシレン、ＴＭＡＨ、メタノール、酢酸、リン酸、アンモニア水、ＰＧＭＥＡ、ＤＭＳＯ、ＮＭＰ、ＥＣＡ、乳酸エチル等が用いられている。従来、これらの高純度薬品用容器材料として、耐薬品性、耐衝撃性、価格等の点から、ポリエチレン樹脂が使用されている。しかしながら、従来のポリエチレン樹脂製の容器では、薬品による該樹脂の溶出物や劣化物等の汚染物質による内容物への汚染問題があり、高純度薬品容器用として限界があった。すなわち、超ＬＳＩの微細化に伴い、従来では金属不純物濃度が１ＰＰＢであったものが、現在では０．１ＰＰＢ以下が要求されている。また、従来、０．５μｍ以上の微粒子が問題であったものが、０．２μｍ以上の微粒子が１００個／ｍｌ以下と厳しい品質が要求されるようになり、さらに、最近では０．１μｍレベルの微粒子が問題となり０．１μｍ以上の微粒子が１００個／ｍｌ以下とより厳しい品質が要求されている。そのため、金属不純物濃度と微粒子レベルを満足するよりクリーンな高純度薬品容器用のポリエチレン樹脂の出現が待たれている。」 「【０００４】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、高純度薬品容器用ポリエチレン樹脂であって、該ポリエチレン樹脂を高純度薬品容器として使用した場合に、薬品による該樹脂の溶出物や劣化物等の汚染物質の溶出を極力抑え、樹脂の変色が少なく長期間の使用が可能な高純度薬品容器用ポリエチレン樹脂及びそれよりなる高純度薬品容器の提供を目的とするものである。」 「【００１９】本発明の高純度薬品容器用ポリエチレン樹脂はブロー成形、射出成形、押出成形、回転成形、押出成形等既知の成形方法により容器状に成型することにより高純度薬品容器となる。特に、クリーンルーム内に設置したブロー成形機を使用し、フィルターで微粒子を取り除いたエアーをブローエアーに用いたブロー成形方法はクリーンな容器を製造するのに好ましい。容器形状および容器の容量は特定しないが、内容物のバリアー性や容器の強度を補強するために、該樹脂を内層に使用し、エチレン-ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、およびポリアミド樹脂等を中間層に使用したり、ＦＲＰ等を外層にして補強容器にしてもかまわない。」 上記記載から、引用文献２には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。 「大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造に不可欠な高純度薬品を充填する高純度薬品容器であって、金属不純物濃度と微粒子レベルを満足するよりクリーンな高純度薬品容器用ポリエチレン樹脂を、高純度薬品容器の内層に使用した高純度薬品用容器。」 （３）引用文献３について 引用文献３には、以下の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】直径が０．３μｍ以上の微粒子により汚染された容器を、該直径が０．３μｍ以上の微粒子の存在が２０個／ｍＬ以下であり比抵抗値が１０ＭΩ・ｃｍ以上である超純水により洗浄し、次いで、該直径が０．３μｍ以上の微粒子の存在が１０個／ｍＬ以下であり含水量が５０ｐｐｍ以下の高純度イソプロピルアルコールで洗浄することを特徴とする容器の洗浄方法。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、容器の洗浄方法、詳しくは微粒子により汚染された高純度イソプロピルアルコール等の充填用容器において該微粒子を良好に除去できる洗浄方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体の高密度、高集積度化が進むにつれ、ウエハー表面への微粒子の付着による汚染が製品の歩留まりや信頼性に大きな影響をおよぼすようになってきた。そのため、ウエハーの洗浄工程等で使用される有機溶剤は、このような微粒子を可能な限り含まない高純度のものを使用することが望まれる。 【０００３】例えば、上記ウエハーの洗浄工程では、水と任意の割合で混合し除電効果もあることからイソプロピルアルコールが用いられウェット洗浄や蒸気乾燥法に供されているが、このイソプロピルアルコールも前記要求から、外部環境から遮断された状態で高度な精製工程を経て製造されたものが一般に使用されている。」 「【００１７】本発明において容器の形状は特に制限されるものではないが、上記高純度イソプロピルアルコール等の高純度有機溶剤の充填用容器である場合には、汎用されているキャニスター缶の形状であるのが一般的である。材質は、ガラス製等でも良いが、ガラスは充填されたイソプロピルアルコール中にＮａイオンが溶出してくるおそれもあるので、ＳＵＳ製などの不純物が溶出し難いものが好ましい。これらＳＵＳ製充填用容器の内面は、フッ硝酸等の強酸化性溶液に浸すことで不動態化処理したり、電解研磨して平滑化したものが好ましい。本発明において容器は、内面の表面粗さが３．０μｍＲｍａｘ以下、好適には２．０～０．１μｍＲｍａｘにある平滑性に優れたもののとき、本発明の洗浄の効果と相乗しあって微粒子の付着が極めて少ないものが得られ、充填する高純度イソプロピルアルコールなどの汚染防止に最も効果的である。さらに、容器は、十分に洗浄した部品を用いてクリーンルーム中で製作されたり、予め十分な洗浄が施された後に保存されていた清浄度の高いものを使用するのが望ましい。」 「【００２２】実施例１ 電解研磨され内面の表面粗さが１．０μｍＲｍａｘのＳＵＳ製のキャニスター缶を、開口部が下になるよう逆さまに立てた状態で該開口部から噴射ノズルを挿入し、まず、直径が０．３μｍ以上の微粒子の存在が８個／ｍＬであり比抵抗値が１７ＭΩ・ｃｍである超純水を噴射させて上記キャニスター缶の内面を洗浄した。使用量は、容器の内面積に対し１ｍＬ／ｃｍ2とし、噴射圧は３ｋｇ／ｃｍ2とし、液温は１７℃とした。また、この超純水は、直径が０．２μｍ以上の微粒子の存在が４０個／ｍＬであった。 【００２３】次に、この超純水による洗浄後、上記噴射ノズルから直径が０．３μｍ以上の微粒子の存在が１個／ｍＬであり含水量が２５ｐｐｍ以下の高純度イソプロピルアルコールを噴射させて該キャニスター缶の内面を洗浄した。また、高純度イソプロピルアルコールは、イソプロピルアルコールの含量が９９．９９％以上であり、アルミニウムの含有量が０．１ｐｐｂ以下であり、カルシウムの含有量が０．２ｐｐｂ以下であり、クロムの含有量が０．１ｐｐｂ以下であり、鉄の含有量が０．３ｐｐｂ以下であり、ナトリウムの含有量が０．２ｐｐｂ以下であり、亜鉛の含有量が０．１ｐｐｂ以下のものであった。また、比抵抗値が２０００ＭΩ・ｃｍ以上であった。さらに、直径が０．２μｍ以上の微粒子の存在が４個／ｍＬであった。使用量は、容器の内面積に対し１．０ｍＬ／ｃｍ2とし、噴射圧は２ｋｇ／ｃｍ2とし、液温は２０℃とした。 【００２４】以上の洗浄操作後、かかるキャニスター缶に、上記と同じ純度の高純度イソプロピルアルコールを充填した。なお、これらの洗浄、充填操作は、雰囲気のクリーン度がクラス１００であるクリーンベンチ中で実施した。充填後、中のイソプロピルアルコールをサンプリングし、パーティクルカウンターで、０．３μｍ以上の微粒子の存在量を測定したところ５８個／ｍＬであった。直径が０．２μｍ以上の微粒子の存在は１４５個／ｍＬであった。また、このサンプリングしたイソプロピルアルコールの含水量をカールフィッシャー法水分計により測定したところ３０ｐｐｍであった。」 上記記載から、引用文献３には次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。 「ウエハーの洗浄工程等で使用される有機溶剤である高純度イソプロピルアルコール中に不純物が溶出し難いＳＵＳ製の充填用容器において、 超純水を噴射させて上記キャニスター缶の内面を洗浄し、 次に、高純度イソプロピルアルコールを噴射させて該キャニスター缶の内面を洗浄し、 洗浄操作後、高純度イソプロピルアルコールを充填する、 充填用容器。」 （４）引用文献４について 引用文献４には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置用ガス供給系配管部品として用いられるステンレス鋼部材に関し、耐食性、耐水分放出性に優れた高品質な製品を得る上で必要なステンレス鋼部材に関するものである。」 「【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者は、硝酸浸漬後に行われる加熱処理を極めて酸素の低い雰囲気で行えば、その後形成される不動態皮膜をＣｒに富むものとすることができることを知見した。本発明はこの知見に基づきなされたものであり、ステンレス鋼からなる母材表面に不働態皮膜が形成された半導体製造装置用ステンレス鋼部材において、前記不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3がＣｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）≧０.６５を満たすことを特徴とする。 【０００８】 【作用】前述のように本発明は、ステンレス鋼部材表面に形成される皮膜にＣｒをより多く存在させることにより耐食性を向上した点に特徴がある。すなわち、ステンレス鋼を硝酸水溶液中に浸漬してＣｒを主体とする皮膜を形成し、その後行う加熱処理を酸素量が極めて低い雰囲気で行うことで皮膜中のＦｅ存在量の増大を抑制して最終的に形成される不動態皮膜をＣｒに富むものとするのである。」 「【００１９】前記特開平１-３１９５６号と同様に酸素中で加熱処理を行ったＮｏ．４～Ｎｏ．６は酸素中加熱処理であるためＦｅ系の酸化膜が形成されたため４％ＮａＣｌ水溶液中での耐食性が不十分であった。なお、表１中のＣｒ／Ｆｅとは、不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）を示している。この値は、表面分析装置であるＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置、英国ＶＧ社製３１０Ｄ）を用い、Ｘ線源としてＭｇ-Ｋα線を試料に照射して得られた不動態皮膜のＣｒ2Ｏ3およびＦｅ2Ｏ3のピーク面積を測定し、その強度の和に対するＣｒ2Ｏ3のピーク面積比である。なお、本発明におけるＣｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）とは、この条件に基づき定義される。本発明でＣｒ2Ｏ3が多くなるのは、硝酸浸漬によりＦｅが選択的に溶け出し、表面の不動態皮膜中に占めるＣｒ2Ｏ3が多くなり、さらに前述の加熱処理によりその不動態皮膜が破壊されることなく水分除去が可能なためである。」 上記記載から、引用文献４には、次の事項（以下、「引用文献４記載事項」という。」）が記載されている。 「半導体製造装置用ステンレス鋼部材において、不動態皮膜をＣｒに富むものとすることにより、耐食性を得る上で必要なステンレス鋼部材を得ること。」 （５）引用文献５について 引用文献５には、以下の事項が記載されている。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、及び、化合物に関する。より詳細には、本発明は、ＩＣ等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造、並びにその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程に好適なパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、化合物に関する。また、本発明は、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び該方法により製造された電子デバイスにも関する。」 「【背景技術】 【０００２】 ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）用レジスト以降、光吸収による感度低下を補うべく、化学増幅を利用したパターン形成方法が用いられている。例えば、ポジ型のパターン形成方法では、まず、露光部において、光酸発生剤が分解して酸を発生する。次に、露光後のベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）過程等において、発生した酸の触媒作用により、樹脂に含まれるアルカリ不溶性の基がアルカリ可溶性の基に変化する。その後、アルカリ溶液を用いて、現像を行う。これにより、露光部を除去して、所望のパターンを得る。アルカリ現像液としては、２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）の水系アルカリ現像液が汎用的に用いられている。また、近年は、有機溶剤を含む現像液の使用についても検討が行われている。」 「【０３２０】 〔８〕パターン形成方法 次に、本発明に係るパターン形成方法について説明する。 本発明のパターン形成方法は、以下の工程を少なくとも有する。 （ア）本発明の組成物を含む膜（組成物膜、レジスト膜）を基板上に形成する工程、 （イ）該膜に活性光線又は放射線を照射（露光）する工程（露光工程）、及び （ウ）現像液を用いて上記活性光線又は放射線を照射した膜を現像する工程（現像工程）、 を少なくとも含む。」 「【０３３４】 本発明の組成物を用いて形成された感活性光線性または感放射線性組成物膜を現像する工程において使用する現像液は特に限定しないが、例えば、アルカリ現像液または有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液とも言う）を用いることが出来る。 アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-ｎ-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドドキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリアミルアンモニウムヒドロキシド、ジブチルジペンチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１～２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０～１５．０である。アルカリ現像液のアルカリ濃度及びｐＨは、適宜調製して用いることができる。アルカリ現像液は、界面活性剤や有機溶剤を添加して用いてもよい。 アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。 【０３３５】 また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。 【０３３６】 有機系現像液としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。 ケトン系溶剤としては、例えば、１-オクタノン、２-オクタノン、１-ノナノン、２-ノナノン、アセトン、２-ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４-ヘプタノン、１-ヘキサノン、２-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。 【０３３７】 エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-３-エトキシプロピオネート、３-メトキシブチルアセテート、３-メチル-３-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。 【０３３８】 アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ-ブチルアルコール、ｓｅｃ-ブチルアルコール、ｔｅｒｔ-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ-ヘキシルアルコール、ｎ-ヘプチルアルコール、ｎ-オクチルアルコール、ｎ-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。 【０３３９】 エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。 アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ-メチル-２-ピロリドン、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、１，３-ジメチル-２-イミダゾリジノン等が使用できる。 炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。 上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が１０質量％未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。 すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、９０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることが好ましい。」 上記記載から、引用文献５には、次の事項（以下、「引用文献５記載事項１」という。）が記載されている。 「２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）をアルカリ現像液として使うこと。」 また、上記記載から、引用文献５には、次の事項（以下、「引用文献５記載事項２」という。）が記載されている。 「ＩＣ等の半導体製造工程のリソグラフィー工程に好適なパターン形成方法であって、 （ア）組成物を含む膜（組成物膜、レジスト膜）を基板上に形成する工程、 （イ）該膜に活性光線又は放射線を照射（露光）する工程（露光工程）、及び （ウ）現像液を用いて上記活性光線又は放射線を照射した膜を現像する工程（現像工程）、 を少なくとも含む、 パターン形成方法。」 （６）引用文献６について 引用文献６には、以下の事項が記載されている。なお、引用文献６の記載事項は、当審の訳文で示す。 「はじめに 水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）は、半導体フォトリソグラフィ工程あるいは液晶ディスプレイの製造において、酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として広く使用されている。これらの要望される用途に広く使用されているため、ＴＭＡＨ中の不純物の分析がますます重要になっている。ＳＥＭＩ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃ４６－０３０６１では、２５％のＴＭＡＨについて、各元素のコンタミネーション限界を１０ｐｐｂ以下と規定している。しかし、ＴＭＡＨは濃縮された状態では一般に使用されず、実際、ほとんどの用途では、濃度は１～３％程度である。 誘導結合プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ－ＭＳ）は、様々なプロセス化学物質中の超微量（ｎｇ／Ｌまたはｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｔｒｉｌｌｉｏｎ）レベルの分析対象物を迅速に測定することができるため、品質管理に欠かせない分析ツールとなっている。しかし、炭素含有量によるマトリックス由来の多原子干渉やマトリックスサプレッション効果が大きいため、その対策が非常に重要になる。これらの問題は、有機溶媒を直接分析する場合に特に顕著となる。クールプラズマは、アルゴンベースの干渉を低減するのに効果的であるが、ホットプラズマよりもマトリックスサプレッションが発生しやすくなる。さらに、プラズマエネルギーが低いため、ホットプラズマ条件では見られない他の多原子干渉が優先的に形成される可能性がある。多原子干渉の低減には、多極子と非反応性ガスを用いたコリジョンセルが有効であることがわかっている。しかし、運動エネルギーによる判別では、感度が低下してしまうため、ｎｇ／Ｌレベルの分析を行う場合には問題となる。反応モードは、ＮＨ３などの反応性ガスを用いて多原子干渉物と選択的に反応させ、四重極マスフィルターでダイナミックバンドパスを形成して望ましくない副生成物イオンの生成を防ぐことで、分析対象物の信号を抑制することなく多原子干渉物を効果的に除去するもう一つの手法である。 このアプリケーションノートでは、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒのＮｅｘＩＯＮ（Ｒ）３００Ｓ ＩＣＰ－ＭＳが干渉を除去できることを示し、１回の分析ですべての分析対象物のホットプラズマ条件を使用して、ＴＭＡＨの微量レベルの不純物を簡単に測定できることを示している。 実験条件 ＴＭＡＨ（Ｔａｍａｐｕｒｅ－ＡＡ、多摩化学工業、東京、日本）の濃度は約２５％であり、サンプルの調整は純水で５倍に希釈し、５％（Ｗ／Ｗ）の溶液とした。標準液は、１０ｍｇ／Ｌの多元素標準液（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ Ｐｕｒｅ、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ、Ｓｈｅｌｔｏｎ、ＣＴ ＵＳＡ）から作成した。この実験に使用した装置は、Ｎｅｘｉｏｎ ３００Ｓ ＩＣＰ－ＭＳ（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ、Ｓｈｅｌｔｏｎ、ＣＴ ＵＳＡ）である。装置のパラメータとサンプル導入部を表１に示す。」（第１頁１行～第２頁右欄７行） 「Ｔａｂｌｅ２ ［図：0001402725000004.jpg］ ５％ＴＭＡＨ中の全分析物の検出限界（ＤＬ）、バックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）、２０ｎｇ／Ｌスパイク回収率（単位：ｎｇ／Ｌ）」 上記「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）は、半導体フォトリソグラフィ工程あるいは液晶ディスプレイの製造において、酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として広く使用されている。」の記載から、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）は、酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液であることがわかる。 上記Ｔａｂｌｅ２には５％ＴＭＡＨ中の金属濃度に相当する、全分析物のバックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）が示されており、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎがそれぞれ３３ｐｐｔ、５ｐｐｔ、２７．３ｐｐｔであることが示されている。 上記記載から、引用文献６には、次の発明（以下、「引用発明４」という。）が記載されている。 「酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液である、２５％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を純水で５％に希釈した溶液には、バックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が６５．３ｐｐｔであり、この溶液を１～３％程度に希釈して半導体製造時に使用する、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の溶液。」 （７）引用文献７について 引用文献７には、以下の事項が記載されている。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体デバイス用基板及びその洗浄方法に係り、特に、金属配線や低誘電率（Ｌｏｗ-ｋ）絶縁膜などを表面の一部あるいは全面に有する半導体デバイス用基板に付着した微粒子（パーティクル）や有機汚染、金属汚染を、金属配線を腐食することなく短時間で除去する洗浄液と、この洗浄液を用いた洗浄方法に関するものである。」 「【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 半導体デバイスの更なる高速化、高集積化のために、Ｃｕなどの低抵抗金属配線材料や低誘電率材料といった新材料の導入が近年急速に進んでいる。これらを用いた半導体デバイス製造工程における基板洗浄の諸問題を解決するために、前記の様な洗浄法が提案されているが、疎水性の低誘電率絶縁膜や腐食しやすいＣｕ膜の表面上の様々な汚染を短時間で充分に除去できる技術はなく、その確立が求められていた。 【０００６】 疎水性の低誘電率絶縁膜表面の汚染を効果的に洗浄するためには、界面活性剤を活用して疎水面のぬれ性を向上することが重要である。しかしながら従来技術では、この界面活性剤が超純水を用いたリンス工程で除去されにくい（特にＣｕ表面において）ため、長時間のリンスが必要になり、洗浄の短時間化の妨げとなる問題があった。 【０００７】 本発明は上記問題を解決する為になされたものであり、基板表面を腐食することなくパーティクル汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板及び洗浄方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００８】 本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、有機酸、有機アルカリ成分及び界面活性剤を含む特定ｐＨ値の洗浄液は、基板表面を腐食することなくパーティクル汚染、有機物汚染及び金属汚染の同時除去のみならず、水リンス性を向上し、短時間で基板表面を高清浄化することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。 【０００９】 本発明の半導体デバイス用基板洗浄液は、半導体デバイス用基板の洗浄液において、以下の成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を含み、かつｐＨが１．５以上６．５未満であることを特徴とする。 成分（ａ）：有機酸 成分（ｂ）：有機アルカリ成分 成分（ｃ）：界面活性剤 成分（ｄ）：水 【００１０】 この半導体デバイス用基板洗浄液は、表面に金属配線や、低誘電率絶縁膜を有する半導体デバイス用基板の洗浄に特に好適である。 【００１１】 本発明において、成分（ａ）としては、カルボキシル基を１以上有する炭素数１～１０の有機化合物が好ましい。より好ましくは炭素数１～８であり、さらに好ましくは炭素数１～６である。カルボン酸としてはカルボキシル基を１以上有するものであればよく、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸等を適宜用いうる。ただし通常、カルボキシル基は５以下である。特に好ましくは酢酸、プロピオン酸、蓚酸、コハク酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸及びリンゴ酸よりなる群から選ばれる少なくとも一つの有機酸であることが好ましい。 【００１２】 また、成分（ｂ）としては、以下の一般式（Ｉ）で表される有機アルカリ、特に、炭素数１～４のアルキル基及び／又は炭素数１～４のヒドロキシアルキル基を有する水酸化第４級アンモニウムが好ましい。 （Ｒ１）４Ｎ＋ＯＨ－…（Ｉ） （但し、Ｒ１は水素原子、或いは水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ１は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。但し、全て同時に水素原子である場合を除く。） 【００１３】 また、成分（ｃ）としては、アニオン系界面活性剤、特に、アルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、アルキル硫酸エステル及びその塩、アルキルエーテル硫酸エステル及びその塩並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩よりなる群より選ばれる少なくとも一つのアニオン系界面活性剤が好ましい。 【００１４】 また、成分（ａ）の含有量は０．０５～１０重量％、成分（ｂ）の含有量は０．０１～１０重量％、成分（ｃ）の含有量は０．０００３～０．１重量％であることが好ましく、成分（ａ）と（ｂ）との重量比率［成分（ａ）／成分（ｂ）］は０．８以上５以下、成分（ｃ）と（ｂ）との重量比率［成分（ｃ）／成分（ｂ）］は０．０１以上０．２以下であることが好ましい。」 「【００１９】 本発明の洗浄液は、成分（ａ）として有機酸、成分（ｂ）として有機アルカリ成分、成分（ｃ）として界面活性剤、成分（ｄ）として水を含み、かつｐＨが１．５以上６．５未満のものである。」 「【００２２】 本発明の洗浄液中における成分（ａ）の含有量は、汚染の除去を充分に行うためには、洗浄液に対して通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上とする。ただし、基板表面を腐食させないことや経済的であることを重視すれば、成分（ａ）の含有量は通常３０重量％以下、好ましくは１０重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下とする。成分（ａ）の濃度が高すぎてもそれ以上の効果は得られない。」 「【００２６】 成分（ｂ）として好ましくは一般式（Ｉ）で表される水酸化第４級アンモニウムが挙げられ、この水酸化第４級アンモニウムとしては具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（通称：コリン）、トリエチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。 【００２７】 上述の有機アルカリ成分の中でも洗浄効果、金属残留が少ないこと、経済性、洗浄液の安定性などの理由から、有機アルカリ成分としてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（通称：コリン）などが特に好ましい。これらの有機アルカリ成分は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を任意の割合で併用してもよい。」 「【００２９】 本発明の洗浄液中における成分（ｂ）の含有量は、水リンス性を充分良好にするためには、洗浄液に対して通常０．００１重量％以上、好ましくは０．０１重量％以上、さらに好ましくは０．０５重量％以上とする。ただし、汚染除去効果が高いことや経済的であることを重視すれば、成分（ｂ）の含有量は、通常３０重量％以下、好ましくは１０重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下とする。成分（ｂ）の濃度が高すぎると逆に汚染除去効果が低下する場合がある。」 「【００３１】 本発明の洗浄液中における成分（ｃ）の含有量は、パーティクル汚染除去性能を充分得るためには、洗浄液に対して通常０．０００１重量％以上、好ましくは０．０００３重量％以上、さらに好ましくは０．００１重量％以上とする。ただし、過度の泡立ちを抑えることや廃液処理の負荷を軽減することを重視すれば、成分（ｃ）の含有量は通常１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下、さらに好ましくは０．０５重量％以下とする。成分（ｃ）の濃度が高すぎてもそれ以上の効果は得られない。」 「【００３７】 このような成分（ａ）～（ｄ）を含む本発明の洗浄液は、洗浄液中の金属不純物のうち、少なくともＮａ，Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎの各々の含有量が２０ｐｐｂ以下、中でも５ｐｐｂ以下、特に０．１ｐｐｂ以下であることが、洗浄による半導体デバイス用基板の金属汚染を防止する上で好ましい。特には、これら金属不純物の合計含有量が２０ｐｐｂ以下であることが好ましく、中でも５ｐｐｂ以下、特に０．１ｐｐｂ以下であることが好ましい。」 「【００４８】 本発明の洗浄液はまた、その性能を損なわない範囲において、その他の成分を任意の割合で含有していてもよい。他の成分としては、含硫黄有機化合物（２-メルカプトチアゾリン、２-メルカプトイミダゾリン、２-メルカプトエタノール、チオグリセロール等）、含窒素有機化合物（ベンゾトリアゾール、３-アミノトリアゾール、Ｎ（Ｒ２）３（Ｒ２は互いに同一であっても異なっていても良い炭素数１～４のアルキル基及び／又は炭素数１～４のヒドロキシアルキル基）、ウレア、チオウレア等）、水溶性ポリマー（ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等）、アルキルアルコール系化合物（Ｒ３ＯＨ（Ｒ３は炭素数１～４のアルキル基））等の防食剤、硫酸、塩酸、メタンスルホン酸などの酸、ヒドラジン等の還元剤、水素、アルゴン、窒素などの溶存ガス、フッ酸、フッ化アンモニウム、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）等のドライエッチング後に強固に付着したポリマー等の除去効果が期待できるエッチング促進剤などが挙げられる。 【００４９】 本発明の洗浄液に含有させる他の成分として過酸化水素、オゾン、酸素などの酸化剤も挙げられる。半導体デバイス用基板の洗浄工程において、酸化膜のないシリコン（ベアシリコン）基板表面を洗浄する際には、酸化剤の配合により、基板表面へのエッチングによる表面荒れを抑える事ができるので好ましい。本発明の洗浄液に過酸化水素等を含有させる場合には、洗浄液中の過酸化水素濃度は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上で、通常５重量％以下、好ましくは１重量％以下とされる。」 上記記載から、引用文献７には、以下の発明（以下、「引用発明５」という。）が記載されている。 「水リンス性を向上させる半導体デバイス用基板洗浄液において、 成分（ａ）として有機酸、成分（ｂ）として有機アルカリ成分、成分（ｃ）として界面活性剤、成分（ｄ）として水を含み、 成分（ｂ）として、有機アルカリ成分としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）と、アルキルアルコール系化合物（Ｒ３ＯＨ（Ｒ３は炭素数１～４のアルキル基））等の防食剤を含み、 成分（ａ）の含有量は通常３０重量％以下、成分（ｂ）の含有量は、通常３０重量％以下、成分（ｃ）の含有量は通常１重量％以下とし、 洗浄液中の金属不純物のうち、少なくともＮａ，Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎの各々の含有量が０．１ｐｐｂ以下であることが洗浄による半導体デバイス用基板の金属汚染を防止する上で好ましく、これらの金属不純物の合計含有量が０．１ｐｐｂ以下であることが好ましく、 半導体デバイス用基板洗浄液。」 （８）引用文献８について 引用文献８には、以下の事項が記載されている。なお、引用文献８の記載事項は、当審の訳文で示す。 「はじめに 半導体産業で最も一般的に使用される有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）の２種類である。ＩＰＡがシリコンウェハーの洗浄に頻繁に使用されるのに対し、ＰＧＭＥＡはフォトレジストの希釈液や剥離剤として使われる。メモリデバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性がある微量金属汚染については、両者とも分析する必要がある。ＳＥＭＩ規格Ｃ４１－０７０５では、高純度ＩＰＡグレード４について、各元素の汚染限界を１００ｐｐｔ以下と規定している。」（第１頁１行～１１行） 「実験条件 電子工業用イソプロピルアルコールとプロピレングリコールメチルエーテルアセテートは、シンガポールの顧客である半導体メーカーから提供されたものである。サンプルは前処理や希釈を行わず直接注入した。標準溶液は１０ｍｇ／Ｌの多元素標準試料（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ Ｐｕｒｅ、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ、Ｓｈｌｔｏｎ、ＣＴ ＵＳＡ）から作成した。この実験に使用した装置は、ＮｅｘＩＯＮ ３００Ｓ ＩＣＰ－ＭＳ（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ、Ｓｈｌｔｏｎ、ＣＴ ＵＳＡ）である。装置のパラメータと試料導入部材を表１に示す。」（第２頁左欄１４行～右列６行） 「Ｔａｂｌｅ２ ［図：0001402725000005.jpg］ ＩＰＡ中の全分析物の検出限界（ＤＬ）、バックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）、および２０ｎｇ／Ｌスパイク回収率（単位：ｎｇ／Ｌ）」 「ＩＰＡとＰＧＭＥＡの結果をそれぞれ表２、表３にまとめた。検出限界（ＤＬ）とバックグラウンド等価濃度（ＢＥＣ）は、ＩＰＡとＰＧＭＥＡの感度を考慮しつつ、ＩＰＡとＰＧＭＥＡの両方で決定した。ＤＬは標準偏差を３倍することで算出し、ＢＥＣはシグナル強度を測定することで決定した。回収率は、ＩＰＡで２０ｎｇ／Ｌ、ＰＧＭＥＡで５０ｎｇ／Ｌのスパイクから測定した。」（第３頁右下欄） 「まとめ ＮｅｘＩＯＮ３００Ｓ ＩＣＰ－ＭＳを最適なサンプリング条件で使用することにより、有機マトリクスを吸引する際に質量分析計に流入する望ましくない炭素系化学種の量を最小限に抑えることができることが実証された。また、ユニバーサルセルの反応モードを使用することにより、アルゴンおよび炭素ベースの多原子スペクトル干渉を大幅に低減し、従来問題とされていた多くの元素を良好なスパイク回収率と精度で定量できることが示されている。純ＮＨ３を反応ガスとして用い、１組の反応条件により、ＩＰＡとＰＧＭＥＡの分析で実証されたように、業界で使用される多くの有機化合物から半導体元素の全種類を決定することができる。さらに、ホットプラズマ条件での分析により、複雑な有機マトリックスであっても、マトリックス抑制を最小限に抑えながら、イオン化ポテンシャルの高い元素と低い元素の両方を多元素分析で測定することができる。この結果は、ＮｅｘＩＯＮ３００Ｓ ＩＣＰ－ＭＳのルーチン分析における堅牢性を示している。」（第５頁） 上記Ｔａｂｌｅ２にはＩＰＡ中の金属濃度に相当する、全分析物のバックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）が示されており、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎがそれぞれ３１ｐｐｔ、３．６ｐｐｔ、２ｐｐｔであり、合計３６．６ｐｐｔであることが示されている。 上記記載から、引用文献８には、以下の発明（以下、「引用発明６」という。）が記載されている。 「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であって、全分析物のバックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が３６．６ｐｐｔ含まれている、ＩＰＡ。」 （９）特開平５－２４３１４４号公報について 特開平５－２４３１４４号公報（以下、「引用文献９」という。異議申立人２による意見書２－２に添付の甲第１９号証。）には、以下の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板１上に被着されたレジスト(3）を露光して現像する際に，現像液として貧溶媒を用いて途中まで現像して未露光部のレジストを厚さ方向に一部溶解除去し，次いで，プラズマエッチングにより残余の未露光部のレジストを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 【請求項２】 前記現像液としてメチルイソブチルケトン(MIBK)および／またはイソプロピルアルコール(IPA)を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に係り，特にリソグラフィ工程におけるレジストパターンの形成方法に関する。 【０００２】半導体装置の製造工程で使用されるレチクルやフォトマスクの作製時のマスク基板上やあるいは半導体基板上に放射線重合型レジストを使用した微細パターンを形成する際に，現像時に発生するレジストの膨潤によるパターンのくずれが問題になっている。」 「【００１５】 【実施例】図１を用いて本発明の実施例を説明する。以下に工程ごとの材料説明とプロセス条件の一例を示す。 ・・・ 【００１８】図１(C)：現像工程 現像液(貧溶媒)は MIBK(メチルイソブチルケトン): IPA(イソプロピルアルコール)＝１：１を用い，スプレーで30秒間行った。 【００１９】（従来, 通常の現像では極性が強くレジスト溶解速度の大きい良溶媒のメチルエチルケトンやエチルセルソルブが用いられる。） リンスはIPA (100％)を用い, スプレーで30秒間行った。」 上記記載から、引用文献９には、「実施例」として以下の事項（以下、「引用文献９記載事項」という。）が記載されている。 「半導体基板上に放射線重合型レジストを使用した微細パターンを形成する際に、 現像液(貧溶媒)として、レジスト溶解速度の大きい両溶媒のMIBK(メチルイソブチルケトン)とIPA(イソプロピルアルコール)を１：１で用いること。」 （１０）森永均著、「先端LSI技術大系、第２章、第７節、洗浄と汚染低減」、２０１２年、グローバルネット株式会社出版、p.175-183、インターネット<https://www.ircms.jp/irexport/fujimiinc/file/a58565726016665.pdf>（以下、「引用文献１０」という。異議申立人２による意見書２－２に添付の甲第１７号証。）について 引用文献１０には、以下の事項が記載されている。 「金属を溶解するための重要パラメータは、溶液のpH、酸化還元電位、錯化剤の有無であり、中でも基本となるのがpHと酸化還元電位である。酸化還元電位は溶液化学の分野で、液の酸化性、還元性を示す指標として広く用いられている。液中における水素イオンの酸化還元反応の電位を0Vとして基準とし、それよりも酸化力（電子を奪う力）の強いものを正電位、還元力（電子を与える力）の強いものを負電位で表している。単位は通常、V vs. NHE（水素イオンの電位を基準とした電位という意味）で表される。pHと酸化還元電位のマトリックスにおいて、熱力学的平衡状態にあるときの金属の状態（原子、イオン、水酸化物、酸化物等）を示した、いわゆるpH-電位図（Potential-pH Diagram、あるいは考案者のPourbaixにちなんでPourbaix Diagram5）とも呼ばれる）は液中における金属の溶解を議論する際に有効である。図２に代表的な金属のpH－電位図を示す。金属－水溶液の２相系の場合、図の溶解域（斜線の領域）になるように溶液のpHと電位をコントロールすれば金属は溶解する。金属汚染の洗浄に多用されるHPM（HCl/ H2O2 /H2O）洗浄やSPM（H2SO4/H2O2/H2O）洗浄は、低pH（<1）と高電位（1.5Vvs.NHE以上）を有しており、様々な金属汚染を容易に溶解することができる。但し、金属汚染は液中では溶解していても、基板表面と化学反応を起こして再付着する場合があるので注意を要する（表１）。希フッ酸（DHF）中でのCu付着、APM（NH4OH/H2O2 /H2O）洗浄やアンモニア洗浄などのアルカリ液中でのAlやFe、Znの付着は有名である。Cu2＋などの貴金属イオンは、シリコンとの酸化還元反応によってシリコン表面に吸着する。アルカリ液中ではFe2＋、Al 3＋など様々な金属が水酸化物となり、これがSiO2表面のSi－OH基と脱水縮合反応を起こして吸着する。これらの付着は、その原動力となっている化学反応を妨げることで防止できる1）3）4）。」（第１７６頁右欄１行～第１７７頁左欄１０行） 「図２ ［図：0001402725000006.jpg］ 」（第１７６頁） 上記記載から、引用文献１０には以下の事項（以下、「引用文献１０記載事項」という。）が記載されている。 「アルカリ液中ではFe2＋、Al 3＋など様々な金属が水酸化物となり、これがSiO2表面のSi－OH基と脱水縮合反応を起こして吸着すること。」 （１１）「高感度ICP-MSによる半導体グレードのイソプロピルアルコール中の不純物分析」、２０１３年、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社、インターネット<https://tools.thermofisher.com/content/sfs/brochures/EL13007-JA.pdf>（以下、「引用文献１１」という。異議申立人１による意見書１－２に添付の甲第１６号証。）について 引用文献１１には、以下の事項が記載されている。 「目的 半導体グレードのイソプロピルアルコール中の超微量金属濃度を測定しました。コールドプラズマを使用してバックグラウンド相当濃度（BEC）と検出限界（DL）を下げ、超微量（ppt）測定の再現性を確保しました。また、サンプルスループットを最大限まで引き上げるために、一回の測定でホットプラズマとコールドプラズマを安定して切り替えできることを実証しました。 はじめに 半導体業界では、製造段階でイソプロピルアルコール（IPA）を使用してウェハーを洗浄します。このとき、IPAがウェハー表面に直接接触するため、微量金属の濃度を管理する必要があります。ICP-MSは、元素分析感度の高さが評価され、半導体業界で使用される材料の品質管理分析に広く使用されています。IPAをICP-MSに直接導入する分析手法は、IPA中の超微量（ppt）レベルまでを容易に管理でき、サンプル調製による汚染を回避できます。」（第１頁左欄） 「試料と標準溶液の調製 すべてのブランク、標準溶液、サンプルの調製には、事前洗浄したPFAボトルを使用しました。ボトルは超純水（18.2 MΩ）ですすぎ、使用前に層流クリーンフードで乾燥しました。重量測定で適切な量の多元素ストック溶液（単一元素標準から調製）をIPAサンプルに直接添加して、20、50、100、200 pptの濃度の標準溶液を調製しました。リンス溶液とブランク溶液に半導体グレードのIPAを使用しました。IPAマトリックスでの回収率を評価するために、IPAサンプルに対象元素を100ppt添加し、無添加のサンプルと比較しました。」 「表２ ［図：0001402725000007.jpg］ 」（第４頁左欄） 上記表２にはＩＰＡ中の金属濃度に相当する、ＢＥＣが示されており、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎがそれぞれ３．７ｐｐｔ、５．０ｐｐｔ、６．５ｐｐｔであり、合計１５．２ｐｐｔであることが示されている。 上記記載から、引用文献１１には、以下の発明（以下、「引用発明７」という。）が記載されている。 「製造段階でウエハー洗浄に使用されるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であって、全分析物のバックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が３６．６ｐｐｔ含まれている、ＩＰＡ。」 （１２）特開平１１－２３６６６０号公報について 特開平１１－２３６６６０号公報（以下、「引用文献１２」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第６号証。）には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、金属不純物の混入を極端に嫌う、半導体製造、液晶製造等の電子産業用に使用される高純度のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を収納保持する収納容器に関する。詳しくは、長期保存した場合における、高純度ＩＰＡに対する全金属溶出量を１０ｐｇ／ｍｌ（ｐｐｔ）以下に抑えることが可能な収納容器である。」 「【０００３】ところで、電子産業、特に半導体産業では形式パターン寸法の微細化、基板の大口径化の急激な技術革新に伴って、使用する薬品の量が増大するのみでなく益々高純度の品質が要求され、ＩＰＡも例外ではない。電子産業ではＩＰＡは各種基板の洗浄、乾燥用途に高純度のものが大量に使用されている。ここでは、通常ステンレス鋼に代表される金属容器に充填され、供給され、容器から適宜導出されて使用される。従って、極めて純度の高いＩＰＡを長期に亘って金属不純物の溶出のない状態で維持収納できる容器が望まれている。」 「【０００８】以上の様に、従来の収納容器では、金属の溶出を高度に抑えるためには今一歩改良の余地があり、その解決が望まれていた。」 「【００３５】実施例１ ＳＵＳ３０４ステンレス鋼製の缶径２５０ｍｍ、長さ６５０ｍｍ、底部及び開口部の曲率１２５ｍｍのＩＰＡ収納容器を製作し、電解研磨、ストライクニッケル処理後、硫酸ニッケルを主成分とするメッキ浴中で電解電流密度４Ａ／ｄｍ2の条件で電解メッキし、厚みが２０μｍのメッキ層が表面に形成されたＩＰＡ収納容器を得た。尚、電解解研磨は燐酸-硫酸の混酸中で電流密度５Ａ／ｄｍ2の条件で行った。ストライクニッケル処理は、塩化ニッケルと塩酸液中で電流密度１０Ａ／ｄｍ2の条件で行った。得られた高純度ＩＰＡＩＰＡ収納容器の内表面であるメッキ層を分析すると、ニッケル純度９９．９９％以上、鉄、クローム、銅の含有量は１００ｐｐｍ以下であった。次に大気中で４００℃３時間加熱酸化処理を行い厚みが３００オングストロームのニッケル酸化層を得た。ついで、抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上の超純水で精密洗浄、次に、抵抗率１０００ＭΩ・ｃｍ以上の高純度ＩＰＡで精密洗浄を行った。ついで、このＩＰＡ収納容器に高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を満たし、温度５０℃で６ヶ月間保持した後、ＩＰＡ収納容器内のＩＰＡに溶出した金属イオンを分析した。結果を表１に示した。」 「【００３９】 【表１】 ［図：0001402725000008.jpg］ 」 上記記載から、引用文献１２には、以下の発明（以下、「引用発明８」という。）が記載されている。 「半導体製造、液晶製造等の電子産業用に使用される高純度のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を収納保持する収納容器において、 ＳＵＳ３０４ステンレス鋼製のＰＡ収納容器を製作し、電解研磨、ストライクニッケル処理後、硫酸ニッケルを主成分とする電解メッキし、厚みが２０μｍのメッキ層が表面に形成されたＩＰＡ収納容器を得て、 次に加熱酸化処理を行い厚みが３００オングストロームのニッケル酸化層を得て、 超純水で精密洗浄、高純度ＩＰＡで精密洗浄を行い、 ＩＰＡ収納容器に高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を満たし、温度５０℃で６ヶ月間保持した後のＩＰＡ収納容器内のＩＰＡに溶出した金属イオンは、 Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕが、それぞれ４ｐｐｔ、２ｐｐｔ、１ｐｐｔ、１ｐｐｔであり、全溶出量が８ｐｐｔである、 ＩＰＡを収容する収容容器。」 （１３）特開２００２－５７９９号公報について 特開２００２－５７９９号公報（以下、「引用文献１３」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第８号証。）には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、蒸発性の溶液試料、または易熱分解性化合物を溶媒に溶解した試料中の微量金属不純物を分析するための新規な方法に関する。詳しくは、上記試料中の微量金属不純物を迅速に且つ精度良く分析することが可能な分析方法である。」 「【０００４】このように、試料中の主成分を加熱により除去して、残った微量金属不純物を分析する方法は前記硫酸以外にも、易熱分解性化合物の溶液の如き試料中の、微量金属不純物の分析に応用することができる。この例として集積回路パターン形成用フォトレジストの現像液として使われる水酸化テトラメチルアンモニウム（以下ＴＭＡＨと略記する）の水溶液を、耐熱性のある容器に入れ、２２０℃以上、５００℃以下の温度で数時間加熱して水と主成分を蒸発、分解して除去し、残渣を硝酸に溶かして金属不純物を測定する方法が提案されている。（特開平10-38873号公報）この方法によれば、溶質である主成分の化合物を完全に除去して主成分による金属不純物検出の妨害を排除するとともに、金属不純物を高度に濃縮することができることから、希釈法と比べて分析の精度と感度を著しく改善することができる。」 「【００３５】実施例１ １００mlのPFA製容器（Ｌ／Ｄ＝２．５）よりなる縦長容器に２０重量％のＴＭＡＨ水溶液を２５ml入れ、図２に示す様に、キャリアガス配管の側部に接続したガス排出用配管を有した蓋をして加熱装置にセットした。キャリアガスとして、ろ過した窒素ガスを１０L／分の流量で流しながら、波長は２４５０ＭＨｚ、強さ５００Ｗで３０分間マイクロ波を照射しＴＭＡＨ水溶液を蒸発、熱分解した。 【００３６】続いて、ＴＭＡＨが完全に分解するよう、設定温度１７０℃で２０分間熱風加熱を行った後、パージガス用配管５を通じて窒素ガスを縦長容器内に導入し容器内のガスを完全にパージした。このときのＴＭＡＨの分解率は１００％であり、完全に分解されていた。尚、分解率は重量法で求めた。 【００３７】以上の操作終了後、容器を取り出して０．１Ｍ硝酸水溶液１０mlで残渣を溶かし、これを誘導結合プラズマ質量分析法で測定した。 【００３８】分析結果を表１に示した。尚、これらの操作はすべてクリーンルーム内で実施した。」 「【００４５】 【表１】 ［図：0001402725000009.jpg］ 」 上記表１から２０重量％のＴＭＡＨ溶液中に、Ｆｅ、Ｚｎがそれぞれ０．０７ｎｇ／ｇ、０．０６ｎｇ／ｇ溶けており、Ｃｕは、０．０１ｎｇ／ｇの定量下限未満であることがわかる。そして、０．０７ｎｇ／ｇ及び０．０６ｎｇ／ｇはそれぞれ７０ｐｐｔ及び６０ｐｐｔであるから、引用文献１３記載の２０重量％のＴＭＡＨ溶液中には、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕが、少なくとも１３０ｐｐｔ含まれていることがわかる。 上記記載から、引用文献１３には、以下の発明（以下、「引用発明９」という。）が記載されている。 「集積回路パターン形成用フォトレジストの現像液として使われる水酸化テトラメチルアンモニウム（以下ＴＭＡＨと略記する）の水溶液において、 少なくとも、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎが１３０ｐｐｔ含まれている、 ＴＭＡＨ水溶液。」 （１４）特開平１０－３２４３６８号公報について 特開平１０－３２４３６８号公報（以下、「引用文献１４」という。異議申立人１による特許異議申立書に添付の甲第１１号証。）には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、金属不純物の混入を極端に嫌う、半導体製造、液晶製造等の電子産業用に使用される高純度イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）収納容器に関する。詳しくは、長期保存した場合における、高純度ＩＰＡに対する全金属溶出量を１０ｐｇ／ｍｌ（ppt）以下に抑えることが可能な高純度ＩＰＡ収納容器である。」 「【００３０】実施例１ ＳＵＳ３０４ステンレス鋼製で、缶径２５０ｍｍ、長さ６５０ｍｍ、底部及び開口部の曲率１２５ｍｍの金属容器を製作し、その内面を硫酸ニッケルを主成分とするメッキ浴中で電解電流密度４Ａ／ｄｍ2の条件で電解メッキし、厚みが２０μｍのメッキ層が表面に形成された高純度ＩＰＡ収納容器を得た。上記ニッケルメッキ層を分析すると、ニッケル純度９９．９９％以上、鉄、クローム、銅の含有量は１００ｐｐｍ以下であった。ついで、抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上の超純水で精密洗浄、次に、抵抗率１０００ＭΩ・ｃｍ以上の高純度ＩＰＡで精密洗浄を行った。ついで、この高純度ＩＰＡ収納容器に高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を満たし、室温で６ヶ月間保持した後、ＩＰＡ収納容器内のＩＰＡに溶出した金属イオンを分析した。結果を表１に示した。」 「【００３７】 【表１】 ［図：0001402725000010.jpg］ 」 上記記載から、引用文献１４には、以下の発明（以下、「引用発明１０」という。）が記載されている。 「半導体製造、液晶製造等の電子産業用に使用される高純度のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を収納保持する収納容器において、 ＳＵＳ３０４ステンレス鋼製で金属容器を製作し、その内面を硫酸ニッケルを主成分とする電解メッキし、厚みが２０μｍのメッキ層が表面に形成された高純度ＩＰＡ収納容器を得て、 ついで、超純水で精密洗浄、次に、高純度ＩＰＡで精密洗浄を行い、 ＩＰＡ収納容器に高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を満たし、室温で６ヶ月間保持した後、ＩＰＡ収納容器内のＩＰＡに溶出した金属イオンは、 Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕが、それぞれ３ｐｐｔ、１ｐｐｔ、１ｐｐｔ、１ｐｐｔであり、全溶出量が６ｐｐｔである、 ＩＰＡを収容する収容容器。」 （１５）国際公開第２０１２／０４３４９６号について 国際公開第２０１２／０４３４９６号（以下、「引用文献１５」という。異議申立人２による特許異議申立書に添付の甲第５号証。）には、以下の事項が記載されている。 「技術分野 [0001] 本発明は、半導体基板の製造時や半導体基板を用いた半導体デバイス等の製造時等において、種々の目的で半導体基板を処理するために用いられるアルカリ性処理液の精製方法及び精製装置に係り、より具体的には、これら半導体基板を処理する際に用いられる各種のアルカリ性処理液中に極僅かに含まれ、半導体基板の表面を汚染し、また、半導体基板から製造されるデバイス等に有害な金属不純物、特に鉄（Ｆe）を、必要によりppq（pptの千分の１）領域まで低減させることができる半導体基板用アルカリ性処理液の精製方法、及びこの精製方法を実施するための精製装置に関する。 背景技術 [0002] 例えば、半導体デバイスの製造時にシリコンウェーハ（Siウェーハ）等の半導体基板を処理するために用いられる代表的なアルカリ性処理液としては、従来より、Siウェーハを汚染したパーティクルに対する最も強力な洗浄剤である過酸化水素含有アンモニア水溶液（ＲＣＡ社のＳＣ１等）や、ポジレジスト膜現像用に用いられる有機強塩基水溶液が用いられており、また、上記有機強塩基水溶液の有機強塩基としては、水酸化テトラアルキルアンモニウムが代表的であって、一般的には水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH）が用いられていた。しかし、当初の市販品は、金属不純物としてＮa，Ｆe，Ｚn，Ｃa，Ｍg，Ｎi，Ｃr，Ａl，Ｃu等の金属不純物を数ppm程度の濃度で含み、また、Ｋについては遥かに多い濃度で含まれていて、デバイスの電気的特性の劣化やパターン欠陥等の問題を引き起こす原因になっていた。 [0003] 当初のＴＭＡＨ水溶液は、塩化テトラメチルアンモニウムのアルコール溶液を水酸化物と反応させ、生じた沈殿を濾過して除き、続いてアルコール溶剤を除去する方法で製造されていた（例えば、特許文献１参照）ので、その製造原料、製造装置、保存容器等からＦe、Ａl、Ｎi、Ｎa等の金属不純物が溶出し、金属汚染を受け易かった。そこで、このＴＭＡＨ水溶液に含まれるこれらの金属不純物を除去するために、例えばポリアクリルゲル系弱酸性イオン交換樹脂等のイオン交換樹脂の利用が提案され（特許文献２参照）、5wt%-ＴＭＡＨ水溶液の場合でＦeを１０ppbまで精製することが可能になった。しかしながら、このようにして精製されたＴＭＡＨ水溶液においても、高腐食性の塩化物が残存し、貯蔵容器からの汚染を完全に防止することは困難であり、特にＦeは、当時この種の有機アルカリ性処理液を用いて処理された処理面で検出される最も汚染の多い重金属であった。 [0004] そこで、陽イオン交換膜を隔膜とした電解槽を用い、炭酸テトラメチルアンモニウムのような第四アンモニウムの無機酸塩を電解してＴＭＡＨ水溶液を製造することにより、金属やハロゲン元素の不純物が混入するのを可及的に防止した超高純度化法が提案され（特許文献３参照）、10wt%-ＴＭＡＨ水溶液の場合でＦe５ppbまでの低減化が達成された。その後、関係諸材料の高純度化や製造環境の清浄化により、公開されている原液の25w%-ＴＭＡＨ水溶液の場合で、金属不純物の分析例は総ての金属元素において１ppb以下まで達成され、特に分析用に高純度化された25w%-ＴＭＡＨ水溶液のＦeの分析例は測定限界の０.１ppb以下であるとされている（非特許文献１参照）。しかしながら、製造現場に供給される約2.4wt%-ＴＭＡＨ現像液では不純物のＦeが１００ppt前後の濃度で存在する。 [0005] また、他に半導体デバイス製造用の現像液として実用化されている有機強塩基水溶液として、水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム（コリン）の水溶液（コリン水溶液）がある。原料のトリメチルアミン水溶液とエチレンオキシド水溶液とを特定の手段で混合反応させ、特定濃度の微量副反応生成物を共存させる製造法（特許文献４参照）により製造され、現像速度の制御された現像液が得られる。原料から製造まで汚染管理が容易なので高純度化し易く、公開されている5w%-コリン水溶液の金属不純物の分析例では、Ｆeは標準的分析手段の検出限界の０.３ppb以下であるとされている（非特許文献１参照）。この5w%-コリン水溶液において、通常は不純物のＦeが１００ppt前後の濃度で存在する。」 「[0014] アルカリ性処理液中の金属不純物で最も有害とされるのは鉄（Ｆe）である。鉄（Ｆe）は、Ｆe(ＯＨ)3の溶解度積が１×１０-38と極めて小さいにも係わらず、低濃度領域では易溶性の錯イオンを形成していない限り、通常は大部分がＦe酸化物の水和物が縮合した水酸化鉄コロイドとなって分散している。しかし、Ｆe濃度が減じて略１０ppt以下となると、後述のように正コロイドとしての作用が強くなって、シリコン面より負のゼータ電位がやや高い酸化膜へ吸着し易くなる（即ち、Ｆe汚染が多くなる）ので、デバイスへの影響が現れる。この問題に対する第一の対策は、アルカリ性処理液中のＦe量を先ず十分に低減することであり、電気的特性からの洗浄への要求にも応えられる。また、ＳＣ１を用いたSiウェーハの洗浄処理においては、その装置や環境が１×１０8/cm2まで洗浄できる状況にあっても、図５に示すＣv－Ｃs両対数関係図の太直線の下方への延長太点線から推測して、その洗浄処理前にＳＣ１液のＦe濃度を５０ppq以下にまで精製しておくことが必要である。 [0015] 従って、本発明の目的は、種々の目的で半導体基板を処理するために市販の高純度薬品で作られる高純度のアルカリ性処理液を更に精製し、このアルカリ性洗浄液中のＦe濃度をppq領域にまで低減することができる半導体基板用アルカリ性処理液の精製手段を提供することにある。」 「[0017] 従って、本発明の他の目的は、エッチングを受け難い（即ち、化学的耐性が強く）、また、機械的強度が強く、かつ、半導体基板用のアルカリ性処理液中の水酸化鉄コロイド等を強力に吸着してこのアルカリ性処理液を超高純度に精製し得る半導体基板用のアルカリ性処理液の精製手段を提供することにある。」 「[0023] そして、精製対象のアルカリ性処理液において、特に使用量の多いものとしては、先ず、半導体デバイス製造時のポジレジスト膜現像工程で使用されるポジレジスト現像液用の有機強塩基水溶液を挙げることができ、具体的には、例えばＴＭＡＨに代表される水酸化テトラアルキルアンモニウムの水溶液や、コリンに代表される水酸化トリメチルヒドロキシアルキルアンモニウム水溶液がある。また、ＶＭＯＳ用等のSiウェーハにおける異方性ウエットエッチングに使う強塩基の水溶液やエチレンジアミンのような弱塩基の水溶液も本発明の対象となる。更に、本発明の精製対象であって半導体基板や半導体デバイス等の製造時の洗浄工程等で用いられ、特にＦe濃度についてppq領域のなるべく低いところまで高度の精製が望まれるものとして、半導体用クラスの高純度であって特にキレート作用を持つ分解阻止用有機不純物までも除去されている高純度過酸化水素水と、所謂半導体用クラス以上の清浄度を有する高純度アンモニア水とで調製された洗浄液(ＳＣ１)がある。更にまた、ＳＣ１とほぼ同じ工程で使われるが製造環境上の理由で用いられ、半導体用クラスの高純度で特にキレート作用のある分解阻止用有機不純物までも除去されている高純度過酸化水素水と、有機強塩基水溶液からなる洗浄液がある。また、太陽電池をSi単結晶ウェーハで製造する場合、表面反射率を下げるため、必ず微細ピラミット状のテクスチャを形成させるが、そのエッチングのために用いられる無機強塩基水溶液のＫＯＨ(約５%)等も対象になり得る。pｎ接合形成の際、処理液に鉄汚染対策があればライフタイムが低下する可能性がある。」 「[0027] 本発明における最大の技術的特徴は、アルカリ性処理液中において正電荷を持つ金属水酸化物コロイド不純物に対して極めて強力な吸着精製能を有する炭化ケイ素結晶面を、このアルカリ性処理液中の金属不純物を除去する際の吸着精製手段として利用することにある。本発明が提示する炭化ケイ素結晶表面は、シリコン結晶において吸着性能の高い(100)面よりも、遥かに強力な吸着性能を有しており、例えば、図７に示すシリコン(100)結晶面（Ａ）と炭化ケイ素(0001)結晶面（Ｂ）の59Ｆe水酸化物コロイドに対するＲＩトレーサ法におけるラジオルミノグラフィ画像（RLG画像）の吸着濃度計測結果は、炭化ケイ素(0001)結晶面（Ｂ）が４６７５PSL/mm2であつて、シリコン(100)結晶面（Ａ）が１２１４PSL/mm2であり、炭化ケイ素(0001)結晶面はシリコン(100)結晶面の約４倍の吸着があると判断される。更に、ＣＶＤ多結晶炭化ケイ素基板の中には、表裏両面を合わせての比較で該単結晶基板の更に２倍近い59Ｆe吸着を示すものもある。」 「[0030] 本発明によれば、半導体デバイス製造時に用いられるポジレジスト現像用の現像液のような有機強塩基水溶液等の強アルカリ性処理液の高純度品中に残存する代表的有害金属元素Ｆeを、その使用現場でその使用直前に、効果的に除去することができるので、現像液等の超高純度化処理の実施や管理が容易になり、薬品メーカー側の希釈前高濃度超高純度品の貯蔵や輸送容器に関しも、その汚染管理に余裕が生じる。」 「[0053] ５．アルカリ性処理液中の金属不純物の吸着挙動の機構について アルカリ性液中では、炭化ケイ素面でもＳi面もＳiＯ2面もゼータ電位が負であり、ＳiＯ2面のその値がＳi面よりやや大きいことはよく知られている。これで説明される現象の一例を以下で取り上げるが、その結果から推論して炭化ケイ素の負のゼータ電位は更に大きいといえる。既述のように、アルカリ性液に分散している水酸化鉄は、正コロイドであるから、シリコン面よりも石英ガラス面や酸化膜面に対してより吸着し易い。しかし、ＥＤＴＰＯを添加すると、このコロイドは陰イオン化し、コロイドの吸着を阻止することができる。」 「[0072] ここで、以下の実施例で使用されたアルカリ性処理液を調製するために使用された高純度原料としては、Ｆe濃度１～０.３ppb以下の25wt%-ＴＭＨＡ水溶液、Ｆe濃度０．３～０.０５ppb以下の4wt%-コリン水溶液、Ｆe濃度０.１～０.０５ppbの29wt%-アンモニア水、Ｆe濃度０.１～０.０３ppbの30wt%-過酸化水素水を用いた。また、実施例で用いられた容器、配管、弁、ポンプ、フィルター等のアルカリ性処理液に接触する部材については、いずれもフッ素樹脂（主としてPTＦE）製とし、予め界面活性剤添加のＴＭＡＨ処理液を用いた超音波加熱洗浄と硝フッ酸洗浄とを複数回繰り返し実施し、金属汚染を除いた。」 「[0089] 〔実施例３〕 単結晶原料の粒径０.２～１.２mmの高純度炭化ケイ素粒（太平洋ランダム社製GNF-CVD）を吸着精製剤として使うため、コリン原液と硝酸の夫々数日の浸漬予備洗浄の後、内径２０mm長さ約１２０mmのフッ素樹脂製カラムに６０gを充填（見かけ容積約３０mL）して、吸着剤充填カラムを構成した。カラムは先ず7wt%-硝酸水溶液から、超純水、2wt%-フッ酸・１wt%-過酸化水素水溶液、超純水の順に夫々５００mLを通液させた後、試験液の精製実験に入った。 [0090] また、アルカリ性処理液（被精製液）として4wt%-コリン水溶液（コリン原液）を用い、この被精製液５００mLを前記吸着剤充填カラムに２０mL/分の速度で通液し、カラム通液前、３００mL通液後、４００mL通液後、及び５００mL通液後に夫々サンプリングし、各サンプルについて誘導結合プラズマ質量分析（ICPMS: Inductively Coupled Plasma Mass）により金属不純物濃度を分析した。 結果を表３（単位ppt）に示す。 [0091] [表３] ［図：0001402725000011.jpg］ [0092] 表３に示す結果から明らかなように、水酸化物正コロイドになり易いＦeやＣaは夫々残存率１６%、２３%程度にまで除去できるが、強塩基水溶液中でヒドロキソ錯イオンを形成するＡl、Ｃr、及びＮi等については除去できないことが判明した。 [0093]〔実施例４〕 アルカリ性処理液としてＣＯＰＯ中に５００pptのアルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、及びクロム(Cr)と１２０pptの鉄(Ｆe)とを添加して被精製液を調製した以外は、上記実施例３と同様にして吸着剤充填カラムによる吸着精製を行い、カラム通液前後の金属不純物をＩＣＰ質量分析で分析した。 結果を表４（単位ppt）に示す。 [0094] [表４] ［図：0001402725000012.jpg］ [0095] 表４に示す結果から明らかなように、Ａlに対する吸着性能の低下は早いが、精製作用は十分に見られ、また、Ｃaに対しては極めてその精製効果が高く、一方、Ｃrに対しては殆ど精製効果が認められない。ＣrはSiウェーハのアルカリ過酸化水素洗浄で洗浄面にも吸着し難く、従ってこの結果は問題ない。Ｆeについては、4wt%-コリン水溶液の場合よりやや悪く、残存率が２７%程度であったが、本発明の目的には十分な精製効果である。Ｆeのこの結果は、吸着剤としてシリコンを用いた場合とほぼ同じである。炭化ケイ素粒のＫ値を０.２とすると式４からＳ／Ｖ＝２５となる。この結果は、使用した炭化ケイ素粒の粒度分布が広く、大きい粒の間隙を微小粒が埋めて、Ｖが意外に小さいためと推定された。９００mLの通液を終えた後、8.5%-希硝酸を通液して分析を行なったところ、粒子に吸着していた金属の約９０%を除去できることが分かった。汚染した炭化ケイ素粒面の洗浄には酸化性の希酸も大いに有効であった。」 上記表３から、実施例３のコリン水溶液を吸着剤充填カラムに通液後、Ｆｅ、Ｃｕの濃度が、それぞれ８０～７６ｐｐｔ、３７～４０ｐｐｔであり、合わせて１１６～１１８ｐｐｔとなることが見て取れる。 上記記載から、引用文献１５には実施例１３として、以下の発明（以下、「引用発明１１」という。）が記載されている。 「半導体デバイス製造用の現像液として実用化されている有機強塩基水溶液である、水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム（コリン）の水溶液（コリン水溶液）について、 吸着剤充填カラムを用いて、Ｆｅ、Ｃｕの濃度を合わせて１１６～１１８ｐｐｔとする、 コリン水溶液。」 （１６）特開昭６１－１７０５８８号公報について 特開昭６１－１７０５８８号公報（以下、「引用文献１６」という。異議申立人２による特許異議申立書に添付の甲第６号証。）には、以下の事項が記載されている。 「〔発明の技術分野〕 本発明は水酸化第四アンモニウムの製造方法に関し、特に半導体装置の製造工程におけるウェハの洗浄やレジスト膜の現像等の処理剤として使用される水酸化第四アンモニウムの製造方法に係わる。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 ＩＣやＬＳＩの製造工程においては、半導体基板（ウェハ）の表面の洗浄、食刻、レジストの現像等のために処理剤が使用されている。こうした処理剤のうち、Ｎａ等の金属イオンを含まない有機アルカリとして水酸化第四アンモニウムが知られている。特に、最近の半導体装置の高集積化に伴い、より高純度で貯蔵安定性の優れた水酸化第四アンモニウムが要求されている。」（第１頁右下欄６～２０行） 「更に、実施例Ａ及び比較例Ａにより製造された水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を夫々ステンレス製容器に温度６０℃下で３０日間貯蔵した後でのＦｅ濃度を調べた。その結果、実施例Ａの場合には、Ｆｅ濃度が１０ｐｐｂと貯蔵初期とほとんど変化がなかったのに対し、比較例Ａの場合にはＦｅ濃度が１００ｐｐｂと貯蔵初期に比べて著しく高濃度となった。」（第５頁右上欄９～１６行） 上記記載から、引用文献１６には以下の発明（以下、「引用発明１２」という。）が記載されている。 「Ｆｅ濃度が１０ｐｐｂである、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液。」 （１７）特開平１１－２３６６６０号公報について 特開平１１－２３６６６０号公報（以下、「引用文献１７」という。異議申立人２による特許異議申立書に添付の甲第１０号証。）には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、金属不純物の混入を極端に嫌う、半導体製造、液晶製造等の電子産業用に使用される高純度のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を収納保持する収納容器に関する。詳しくは、長期保存した場合における、高純度ＩＰＡに対する全金属溶出量を１０ｐｇ／ｍｌ（ｐｐｔ）以下に抑えることが可能な収納容器である。」 「【００３５】実施例１ ＳＵＳ３０４ステンレス鋼製の缶径２５０ｍｍ、長さ６５０ｍｍ、底部及び開口部の曲率１２５ｍｍのＩＰＡ収納容器を製作し、電解研磨、ストライクニッケル処理後、硫酸ニッケルを主成分とするメッキ浴中で電解電流密度４Ａ／ｄｍ2の条件で電解メッキし、厚みが２０μｍのメッキ層が表面に形成されたＩＰＡ収納容器を得た。尚、電解解研磨は燐酸-硫酸の混酸中で電流密度５Ａ／ｄｍ2の条件で行った。ストライクニッケル処理は、塩化ニッケルと塩酸液中で電流密度１０Ａ／ｄｍ2の条件で行った。得られた高純度ＩＰＡＩＰＡ収納容器の内表面であるメッキ層を分析すると、ニッケル純度９９．９９％以上、鉄、クローム、銅の含有量は１００ｐｐｍ以下であった。次に大気中で４００℃３時間加熱酸化処理を行い厚みが３００オングストロームのニッケル酸化層を得た。ついで、抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上の超純水で精密洗浄、次に、抵抗率１０００ＭΩ・ｃｍ以上の高純度ＩＰＡで精密洗浄を行った。ついで、このＩＰＡ収納容器に高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を満たし、温度５０℃で６ヶ月間保持した後、ＩＰＡ収納容器内のＩＰＡに溶出した金属イオンを分析した。結果を表１に示した。」 「表１ ［図：0001402725000013.jpg］ 」 上記記載から、引用文献１７には、以下の発明（以下、「引用発明１３」という。）が記載されている。 「半導体製造、液晶製造等の電子産業用に使用される高純度のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を収納保持する収納容器において、 ＳＵＳ３０４ステンレス鋼製収納容器を製作し、電解研磨、ストライクニッケル処理後、硫酸ニッケルを主成分とする電解メッキし、厚みが２０μｍのメッキ層が表面に形成されたＩＰＡ収納容器を得て、 ついで、超純水で精密洗浄、次に、高純度ＩＰＡで精密洗浄を行い、 ＩＰＡ収納容器に高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を満たし、温度５０℃で６ヶ月間保持した後、ＩＰＡ収納容器内のＩＰＡに溶出した金属イオンは、 Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕが、それぞれ４ｐｐｔ、２ｐｐｔ、１ｐｐｔ、１ｐｐｔであり、全溶出量が８ｐｐｔである、 ＩＰＡを収容する収容容器。」 ２ 当審の判断 （１）取消理由１、２（特許法第２９条第１項第３号、及び、同条第２項）について ア 引用文献６を主たる文献とした取消理由について （ア）本件発明１２について 本件発明１２と引用発明４とを対比する。 ａ 引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」は、本件発明１２の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」である、「２５％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を純水で５％に希釈した溶液には、バックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が６５．３ｐｐｔであり」、この「６５．３ｐｐｔ」は、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子」に由来するイオン及び粒子性メタルに対応する値であるから、引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」では、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子」に由来する粒子性メタルは、「６５．３ｐｐｔ」以下となる。 そうすると、引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」が、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子」に由来する粒子性メタルは「６５．３ｐｐｔ」以下となることと、本件発明１２の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」ることとは、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下であ」る点で共通する。 ｃ 引用発明４の「酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液」は、現像液であるということができる。 そうすると、引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」と、本件発明１２の「半導体製造用処理液」が「有機溶剤を含有する現像液であ」ることとは、「現像液」である点で共通する。 ｄ 上記ａ～ｃから、本件発明１２と引用発明４との一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液であって、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下であり、且つ、現像液である半導体製造用処理液。」 ［相違点１］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔである」のに対して、引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下であ」るとはいえるものの、１７質量ｐｐｔ以上であるとの特定がされていない点。 ［相違点２］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「有機溶剤を含有する現像液であ」るのに対して、引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」は、「現像液」であるとはいえるものの、「有機溶剤を含有する」との特定がされていない点。 ［相違点３］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である」のに対して、引用発明４の「半導体製造時に使用される溶液」は、「２５％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を純水で５％に希釈した溶液」であり、「前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である」とはいえない点。 ｅ 上記相違点についての検討 引用発明４は、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が６５．３ｐｐｔであ」るが、このことをもって、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７」質量ｐｐｔ以上であるということはできない。 加えて、２５％のＴＭＡＨを純水で５％に希釈した溶液をさらに１～３％に希釈した溶液の、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、ＴＭＡＨに含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７質量ｐｐｔ以上であることは、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１２は、相違点１に係る本件発明１２の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明４であるとはいえない。 また、上記のとおり、本件発明１２は、相違点１に係る本件発明１２の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明４から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 イ 引用文献７を主たる文献とした取消理由について （ア）本件発明１２について 本件発明１２と引用発明５とを対比する。 ａ 引用発明５の「半導体デバイス用基板洗浄液」は、本件発明１２の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明５の「半導体デバイス用基板洗浄液」は、「洗浄液中の金属不純物のうち、少なくともＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎの合計含有量が０．１ｐｐｂ以下であることが好ましい」から、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率」は、多くとも０．１ｐｐｂ（＝１００ｐｐｔ）以下となる。 そして、この１００ｐｐｔの値は、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子」に由来するイオン及び粒子性メタルに対応する値であるから、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」は、１００ｐｐｔ以下となることも明らかである。 そうすると、引用発明５の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」が１００ｐｐｔ以下となることと、本件発明１２の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔである」ことは、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下である」点で共通する。 ｃ 上記ａ、ｂから、本件発明１２と引用発明５との一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液であって、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以上である半導体製造用処理液。」 ［相違点４］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明５は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下であ」るとはいえるものの、１７質量ｐｐｔ以上であるとの特定がされていない点。 ［相違点５］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「有機溶剤を含有する現像液であ」るのに対して、引用発明５は、「水リンス性を向上させる半導体デバイス用基板洗浄液」である点。 ［相違点６］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である」のに対して、引用発明５は「成分（ｄ）として水を含」むとの特定はされているものの、全質量に対する含水率が不明である点。 ｄ 上記相違点についての検討 引用発明５は、「洗浄液中の金属不純物のうち、少なくともＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎの合計含有量が０．１ｐｐｂ以下である」が、このことをもって、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７」質量ｐｐｔ以上であるということはできない。 加えて、引用発明５の「半導体デバイス用基板洗浄液」について、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記アルカリ性溶媒に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記アルカリ性溶媒の全質量に対し、１７質量ｐｐｔ以上であることは、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１２は、相違点４に係る本件発明１２の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明５であるとはいえない。 また、上記のとおり、本件発明１２は、相違点４に係る本件発明１２の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明５から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （イ）本件発明１５について 本件発明１５と引用発明５とを対比する。 ａ 引用発明５の「半導体デバイス用基板洗浄液」は、本件発明１５の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明５の「半導体デバイス用基板洗浄液」は、「洗浄液中の金属不純物のうち、少なくともＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎの合計含有量が０．１ｐｐｂ以下であることが好ましい」から、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率」は、多くとも０．１ｐｐｂ（＝１００ｐｐｔ）以下となる。 そして、この１００ｐｐｔの値は、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子」に由来するイオン及び粒子性メタルに対応する値であるから、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」は、１００ｐｐｔ以下となることも明らかである。 そうすると、引用発明５の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」が１００ｐｐｔ以下となることと、本件発明１５の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し１７～１００質量ｐｐｔである」ことは、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下である」点で共通する。 ｃ 上記ａ、ｂから、本件発明１５と引用発明５との一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液であって、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し１００質量ｐｐｔ以下である現像液又はリンス液である半導体製造用処理液。」 ［相違点７］ 本件発明１５の「半導体製造用処理液」は、「酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含」むのに対して、引用発明５は、対応する特定がされていない点。 ［相違点８］ 本件発明１５の「半導体製造用処理液」は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明５は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下であ」るとはいえるものの、１７質量ｐｐｔ以上であるとの特定がされていない点。 ［相違点９］ 本件発明１５の「半導体製造用処理液」は、「現像液又はリンス液」あるのに対して、引用発明５は、「水リンス性を向上させる半導体デバイス用基板洗浄液」である点。 ｄ 上記相違点についての検討 引用文献７には、引用発明５の「水リンス性を向上させる半導体デバイス用基板洗浄液」を「現像液又はリンス液」として利用することは記載されていない。 加えて、引用発明５の「水リンス性を向上させる半導体デバイス用基板洗浄液」を「現像液又はリンス液」として利用することは、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１５は、相違点９に係る本件発明１５の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明５であるとはいえない。 また、上記のとおり、本件発明１５は、相違点９に係る本件発明１５の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明５から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ｅ 特許異議申立人の主張について （ａ）異議申立人１の主張 （ａ－１）異議申立人１は、上記相違点９に関し意見書１－２で、特許明細書等の段落【００３５】、【００８４】、【００８８】、【０１５５】等の記載から、本件特許でいう「洗浄液」とは、収容器を洗浄するための液である。一方、本件特許の「リンス液」とは半導体ウエハ（基板）を洗浄するための液であり、引用発明５の薬液は、半導体デバイス用基板の洗浄に使われると記載されているから、本件特許でいうところの「リンス液」である旨主張する。（意見書１－２の第１７頁） （ａ－２）特許明細書等には以下の記載がある。 「【００３５】 ＜半導体製造用処理液＞ 本発明において「半導体製造用処理液」は、上述の通り、リソグラフィ工程、エッチング工程、イオン注入工程を含む半導体デバイスの製造工程において、各工程の終了後、あるいは次の工程に移る前に、有機物を処理するために使用される処理液であり、例えば、現像液、リンス液、プリウェット液、エッチング液、洗浄液、剥離液等として用いられる処理液である。」 「【００８４】 本発明の収容容器は、収容部における少なくとも本発明の処理液が接触する内壁が、本発明の処理液が充填される前に、洗浄液を用いて洗浄されることが好ましい。 本発明の処理液を充填する前の洗浄工程で使用し得る洗浄液としては、例えば、上記内壁に対する接触角が１０度以上１２０度以下の洗浄液を用いることが好ましい。」 「【００８８】 洗浄液の具体例としては、例えば、超純水、イソプロピルアルコール等が挙げられる。本発明の洗浄液に用いられる超純水、イソプロピルアルコールは、硫酸イオン、塩化物イオン、又は硝酸イオンなどの無機イオン、及び対象金属であるＦｅ、Ｃｕ及びＺｎが低減されたグレードのものを用いるか、さらに精製して用いることが好ましい。精製方法は特に限定されないが、ろ過膜やイオン交換膜を用いた精製や、蒸留による精製が好ましい。」 「【０１５５】 ＜リンス工程＞ リンス工程は、上記現像工程の後にリンス液によって洗浄（リンス）する工程である。 リンス工程においては、現像を行ったウエハを上記のリンス液を用いて洗浄処理する。」 （ａ－３）上記記載にあるように、特許明細書等では、「リンス液」と「洗浄液」は、明確に区別されているから、異議申立人１の上記主張は採用できない。 （ｂ）異議申立人２の主張 （ｂ－１）異議申立人２は、上記相違点９に関し意見書２－２で、引用発明５の「半導体デバイス用基板洗浄液」は、本件発明１５の「半導体製造用処理液」の「リンス液」に相当する旨主張する。（意見書２－２の第１９～２０頁） （ｂ－２）しかしながら、引用文献７には、「半導体デバイス用基板洗浄液」について、この液が「リンス液」であるとの記載はない。 また、上記（ａ）で検討したように、特許明細書等では、「リンス液」と「洗浄液」は、明確に区別されているから、異議申立人２の上記主張は採用できない。 ウ 引用文献８を主たる文献とした取消理由について （ア）本件発明１２について 本件発明１２と引用発明６とを対比する。 ａ 引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」は、本件発明１２の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明６の「ＩＰＡ」は、「全分析物のバックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が３６．６ｐｐｔ含まれて」おり、この３６．６ｐｐｔは、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子」に由来するイオン及び粒子性メタルに対応する値であるから、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」は、３６．６ｐｐｔ以下となることは明らかである。 そうすると、引用発明６の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」が３６．６ｐｐｔ以下であることと、本件発明１２の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔである」こととは、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下である」点で共通する。 ｃ 上記ａ、ｂから、本件発明１２と引用発明６との一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液であって、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下である半導体製造用処理液。」 ［相違点１０］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明６は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下であ」るとはいえるものの、１７質量ｐｐｔ以上であるとの特定がされていない点。 ［相違点１１］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「有機溶剤を含有する現像液であ」るのに対して、引用発明６は、「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」である点。 ［相違点１２］ 本件発明１２の「半導体製造用処理液」は、「前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である」のに対して、引用発明６は「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」に含まれる水の量について特定されていない点。 ｄ 上記相違点についての検討 引用文献８には、引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」を「有機溶剤を含有する現像液」として利用することは記載されていない。 加えて、引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」を「有機溶剤を含有する現像液」として利用することは、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１２は、相違点１１に係る本件発明１２の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明６であるとはいえない。 また、上記のとおり、本件発明１２は、相違点１１に係る本件発明１２の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明６から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ｅ 特許異議申立人の主張について （ａ）異議申立人２は、上記相違点１１に関し意見書２－２で、引用文献９を提出し、 引用文献９には、半導体装置の製造方法に関する発明が記載されており、放射線重合型レジストの現像液としてメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）および／またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のような貧溶媒（有機溶媒）を用いることが記載されており、また、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）をレジスト膜のリンス液として用いることが記載されており、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）は、リンス液としてだけでなく、現像液として用いること本件特許の優先日前に知られていたことであり、引用発明６のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を現像液として用いることに何ら困難性がない旨主張する。（意見書２－２の第１８～１９頁） （ｂ）しかしながら、引用文献９記載事項にあるように、引用文献９には実施例として、「半導体基板上に放射線重合型レジストを使用した微細パターンを形成する際に、現像液(貧溶媒)として、レジスト溶解速度の大きい両溶媒のMIBK(メチルイソブチルケトン)とIPA(イソプロピルアルコール)を１：１で用いること」が記載されているものの、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のみを使って、これを現像液として利用することは記載されていない。 そうすると、引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」を、引用文献９記載事項に示された「現像液」とすることはできない。 したがって、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （イ）本件発明１５について 本件発明１５と引用発明６とを対比する。 ａ 引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」は、本件発明１５の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明６の「イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」は、本件発明１５の「イソプロパノール」に相当する。 そうすると、引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」は、本件発明１５の「酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含」むことと同様の構成を備えている。 ｃ 引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」は、「全分析物のバックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が３６．６ｐｐｔ含まれている」から、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率」は、多くとも３６．６ｐｐｔ以下となる。 そして、この３６．６ｐｐｔの値は、「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子」に由来するイオン及び粒子性メタルに対応する値であるから、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」は、３６．６ｐｐｔ以下となることも明らかである。 そうすると、引用発明６の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」が３６．６ｐｐｔ以下となることと、本件発明１５の「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し１７～１００質量ｐｐｔである」ことは、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下である」点で共通する。 ｄ 上記ａ～ｃから、本件発明１５と引用発明６との一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液であって、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、且つ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し１００質量ｐｐｔ以下である現像液又はリンス液である半導体製造用処理液。」 ［相違点１３］ 本件発明１５の「半導体製造用処理液」は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明６は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１００質量ｐｐｔ以下であ」るとはいえるものの、１７質量ｐｐｔ以上であるとの特定がされていない点。 ［相違点１４］ 本件発明１５の「半導体製造用処理液」は、「現像液又はリンス液」あるのに対して、引用発明６は、「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」である点。 ｅ 上記相違点についての検討 引用発明６は、「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」であるから、「現像液又はリンス液」であるとはいえない。 加えて、引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」を「現像液又はリンス液」として利用することは、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１５は、相違点１４に係る本件発明１５の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明６であるとはいえない。 また、上記のとおり、本件発明１５は、相違点１４に係る本件発明１５の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明６から、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ｆ 特許異議申立人の主張について （ａ）異議申立人２は、上記相違点１４に関して意見書２－２で、「引用発明６は溶媒として「イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」を用いる洗浄液（リンス液）である。」と主張する。（意見書２－２の第２０～２１頁） （ｂ）しかしながら、異議申立人２は、意見書２－２において、どうして引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」が、本件発明１５の「リンス液」に相当するのか、その理由を説明していない。 加えて、引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」が、「リンス液」であるとの記載はないから、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （２）取消理由２（特許法第２９条第２項）について ア 引用文献１を主たる文献とした取消理由について （ア）本件発明１２について 本件発明１２と引用発明１とを対比する。 ａ 引用発明１の「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）」は、引用発明６に示されているように、「酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液」であることは、周知の技術であるから、引用発明１の「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）と９０％シクロヘキサン／１０％プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の混合物を含」む「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）有機溶媒」は、本件発明１２の「半導体製造用処理液」に対応する。 また、引用発明１の「プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）」が有機溶剤であることも周知の事項であるから、引用発明１の「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）と９０％シクロヘキサン／１０％プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の混合物を含」む「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）有機溶媒」は、本件発明１２の「有機溶剤を含有する現像液」に相当する。 ｂ そうすると、本件発明１２と引用発明１との、一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液であって、有機溶剤を含有する現像液である半導体製造用処理液。」 ［相違点１５］ 本件発明１２は、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明１は「Ｆｅ（ＯＨ）２粒子の濃度から計算したＦｅの濃度が、３４．０～３９．２質量ｐｐｔである」ことはわかるものの、「Ｃｕ及びＺｎ」の半導体製造用処理液に含有される粒子性メタルの含有率が特定されていない点。 ［相違点１６］ 本件発明１２は、「前記現像液の全質量に対する含水率が１０質量％未満である」のに対して、引用発明１は、対応する特定がない点。 ｃ 上記相違点についての検討 引用発明１の「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）と９０％シクロヘキサン／１０％プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の混合物を含」む「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）有機溶媒」について、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔ以上」とすることは、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１２は、相違点１５に係る本件発明１２の構成を備えているから、他の相違点について検討するまでもなく、引用発明１から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 イ 引用文献２を主たる文献とした取消理由について （ア）本件発明１について 本件発明１と引用発明２とを対比する。 ａ 引用発明２における「高純度薬品」は、「大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造」に使用される薬品であるから、本件発明１の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、上記「高純度薬品」を充填する容器であるから、「高純度薬品」が充填されたときに、本件発明１の「半導体製造用処理液が収容された収容部」と同様の収容部を有することは明らかである。 ｃ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、「内層」に「高純度薬品容器用ポリエチレン樹脂」を使用しているから、このことは、本件発明１の「前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ポリエチレン及びポリプロピレンから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている」ことに相当する。 ｄ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、本件発明１の「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器」に対応する。 ｅ 上記ａ～ｄから、本件発明１と引用発明２との、一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ポリエチレン及びポリプロピレンから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。」 ［相違点１７］ 本件発明１は、「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～０．４３質量ｐｐｔであるアルカリ現像液であ」るのに対して、引用発明２は、「高純度薬品」について対応する特定がされていない点。 ｆ 上記相違点についての検討 相違点１７に係る本件発明１の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 すなわち、異議申立人１及び２が提示した文献では、半導体製造用処理液に含有される金属原子の量について、上記引用文献１（引用発明１）、引用文献６（引用発明４）、引用文献７（引用発明５）、引用文献８（引用発明６）、引用文献１１（引用発明７）～引用文献１７（引用発明１３）に記載されているが、いずれの文献も、相違点１７に係る本件発明１の構成について記載されていない。 加えて、相違点１７に係る本件発明１の構成は周知の構成であるともいえないので、本件発明１は、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ｇ 特許異議申立人の主張について （ａ）異議申立人２は、上記相違点１７に関し意見書２－２で、 （ａ－１）引用発明４には、５％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液に、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が６５．３ｐｐｔ含まれて、この溶液を１～３％程度に希釈して半導体製造時に使用することが記載されており、このＴＭＡＨ溶液を１％に希釈した場合、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率は約１３．１ｐｐｔとなる。当該金属原子の合計の含有率はイオン性メタルと粒子性メタルの合計の含有率であるから、粒子性メタルの合計の含有率は約１３．１ｐｐｔ未満となることは明らかであり、粒子性メタルの合計含有率が本件発明１で規定される範囲に含まれる蓋然性を否定できない。 （ａ－２）また、引用文献２の段落０００２には、「すなわち、超ＬＳＩの微細化に伴い、従来では金属不純物濃度が１ＰＰＢであったものが、現在では０．１ＰＰＢ以下が要求されている。」との記載があり、金属不純物の含有率をできるだけ低くしようとする十分な動機付けがある。 （ａ－３）加えて、液中の金属の存在形態はプールベ図を基に推測可能であり、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液のようなアルカリ溶液中ではＦｅやＺｎは水酸化物として存在することが、引用文献１０記載事項にあるように知られており、アルカリ溶液中に存在するＦｅ、Ｚｎは粒子性メタルとして存在する蓋然性が高い。 （ａ－４）さらに、引用発明４は、「酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液」、すなわち「アルカリ現像液」であるから、引用発明２の「大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造に不可欠な高純度薬品」として、採用することに困難性はない。 旨主張する。（意見書２－２の第４～６頁） （ｂ）しかしながら、 （ｂ－１）引用発明４は、「酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液である、２５％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を純水で５％に希釈した溶液には、バックグラウンド相当濃度（ＢＥＣ）として、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計の含有率が６５．３ｐｐｔであり、この溶液を１～３％程度に希釈して半導体製造時に使用する、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の溶液」であるところ、例えば、１％程度に希釈した場合、粒子性メタルの合計の含有率は１３．１ｐｐｔ以下となることは明らかであるものの、このことをもって、「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～０．４３質量ｐｐｔである」ということはできない。 （ｂ－２）また、引用文献２の段落０００２の記載から、金属不純物の含有率をできるだけ低くしようとする動機付けがあるとしても、０．１ｐｐｂ＝１００ｐｐｔであるから、この記載から、引用発明４の「酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液である、２５％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を純水で５％に希釈した溶液」を、相違点１７に係る本件発明１と同様の構成とすることはできない。 （ｂ－３）加えて、水中における金属の存在形態をプールベ図で表すことが可能であるが、「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の溶液」中の、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの粒子性メタルの合計の含有率が、半導体製造用処理液の全質量を基準としてどのような割合であるかは、各金属のプールベ図から特定することはできない。 すなわち、引用発明４のＴＭＡＨは、「Ｔｅｂｌｅ２」に示されるようにＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ以外にも多くのメタル（Ｌｉ、Ｂｅ．．．Ａｌ．．．）を含んでいる。そして、例えば、引用文献１０の図２に例示されているように、粒子性メタルが、安定な存在形態をとるためには、それぞれの粒子性メタルは、水酸化物として存在するためにはＯＨ－を必要とし、酸化物として存在するためにはＯ２－を必要としているから、同一のｐＨ－電位を有する半導体製造用処理液であっても、その溶液内に存在する粒子性メタルの種類及び各粒子性メタルの量によって、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの粒子性メタルの個別の量は異なるものとなり、その合計含有量も異なるものとなる。 そうすると、特許明細書等に記載された処理液と同様の電位とｐＨを有し、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの総メタル濃度も同様の範囲にあることにおいて、プールベ図に表されるように、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎが同一の存在形態を満たすとはいえるものの、異なる種類及び量のメタルを含有する半導体製造用処理液において、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの粒子性メタルの合計の含有量を、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの総メタルの量から特定できるとはいえない。 （ｂ－４）また、引用発明４の「酸性フォトレジストの現像におけるアルカリ性溶媒として半導体製造時に使用される溶液」について、「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～０．４３質量ｐｐｔである」との特定はされていないから、引用発明２の「大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造に不可欠な高純度薬品」として採用しても、相違点１７に係る本件発明１と同様の構成とすることはできない。 したがって、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （イ）本件発明４～８について 本件発明４～８は、本件発明１を直接又は間接的に引用する発明であり、相違点１７に係る本件発明１の構成を備えているから、本件発明１と同じ理由により、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ウ）本件発明９について 本件発明９と引用発明２とを対比する。 ａ 引用発明２における「高純度薬品」は、「大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造」に使用される薬品であるから、本件発明９の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、上記「高純度薬品」を充填する容器であるから、「高純度薬品」が充填されたときに、本件発明９の「半導体製造用処理液が収容された収容部」と同様の収容部を有することは明らかである。 ｃ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、「内層」に「高純度薬品容器用ポリエチレン樹脂」を使用しているから、このことは、本件発明９の「前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ポリエチレン及びポリプロピレンから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている」ことに相当する。 ｄ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、本件発明９の「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器」に対応する。 ｅ 上記ａ～ｄから、本件発明９と引用発明２との、一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ポリエチレン及びポリプロピレンから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。」 ［相違点１８］ 本件発明９は、「前記半導体製造用処理液が、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、且つ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔである現像液又はリンス液であ」るのに対して、引用発明２は、「高純度薬品」について対応する特定がされていない点。 ｆ 上記相違点についての検討 相違点１８に係る本件発明９の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 すなわち、異議申立人１及び２が提示した文献では、半導体製造用処理液に含有される金属原子の量について、上記引用文献１（引用発明１）、引用文献６（引用発明４）、引用文献７（引用発明５）、引用文献８（引用発明６）、引用文献１１（引用発明７）～引用文献１７（引用発明１３）に記載されているが、いずれの文献も、相違点１８に係る本件発明９の構成について記載されていない。 加えて、相違点１８に係る本件発明９の構成は周知の構成であるともいえないので、本件発明９は、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ｇ 特許異議申立人の主張について （ａ）異議申立人１の主張 （ａ－１）異議申立人１は、意見書１－２で、 本件発明９は、容器に関する発明であり、容器に収容される半導体製造用処理液の用途を現像液又はリンス液と特定しても、何ら容器を限定していないから、取消理由は解消されていない旨主張している。（意見書１－２の第１０～１３頁） （ａ－２）異議申立人１は、上記相違点１８に関して意見書１－２で、上記（１）イ（イ）ｅ（ａ）（ａ－１）と同様の主張をしている。（意見書１－２の第１３～１４頁） 上記異議申立人１の主張について （ａ－３）本件発明９は、「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であ」り、「半導体製造用処理液」は、本件発明９の発明特定事項である。 そうすると、異議申立人１の上記（ａ－１）の主張は採用できない。 （ａ－４）上記（１）イ（イ）ｅ（ａ）（ａ－２）、（ａ－３）で検討したように、特許明細書等では、「リンス液」と「洗浄液」は、明確に区別されているから、異議申立人１の上記（ａ－２）の主張は採用できない。 （ｂ）異議申立人２の主張 （ｂ－１）異議申立人２は、上記相違点１８に関して意見書２－２で、 引用発明２の「高純度薬品」として、引用発明５及び６の半導体デバイス用の洗浄液を採用し、相違点１８に係る本件発明９の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである旨主張する。（意見書２－２の第１４～１６頁） （ｂ－２）しかしながら、上記ｆで検討したように、引用発明５の「水リンス性を向上させる半導体デバイス用基板洗浄液」及び引用発明６の「シリコンウェハーの洗浄によく使われるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）」は、ともに上記相違点１８に係る本件発明９の構成を備えていない。 そうすると、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （エ）本件発明１０、１１について 本件発明１０及び１１は、本件発明１を直接又は間接的に引用する「製造方法」の発明であり、相違点１７に係る本件発明１の構成を備える「収容容器」を製造する方法であるから、本件発明１と同じ理由により、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 なお、異議申立人２は、本件発明１０、１１について、種々の主張をしている（意見書２－２の第１６～１７頁）。 しかしながら、本件発明１０、１１は、相違点１７に係る本件発明１の構成を備えており、上記（ア）ｆで検討したように、相違点１７に係る本件発明１の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （オ）本件発明１６、１７、１９について 本件発明１６及び１７は、本件発明１を直接又は間接的に引用する「パターン形成方法」の発明であり、本件発明１９は、「請求項１６又は１７に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法」の発明である。 そうすると、本件発明１６、１７、１９は、相違点１７に係る本件発明１の構成を備える「収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」若しくは「収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を現像液として用いて現像する工程」を含む発明であるから、本件発明１と同じ理由により、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 なお、異議申立人２は、本件発明１６、１７、１９について、種々の主張をしている（意見書２－２の第２１～２２頁）。 しかしながら、本件発明１６、１７、１９は、相違点１７に係る本件発明１の構成を備えており、上記（ア）ｆで検討したように、相違点１７に係る本件発明１の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （カ）本件発明２０について 本件発明２０と引用発明２とを対比する。 ａ 引用発明２における「高純度薬品」は、「大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造」に使用される薬品であるから、本件発明２０の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、上記「高純度薬品」を充填する容器であるから、「高純度薬品」が充填されたときに、本件発明２０の「半導体製造用処理液が収容された収容部」と同様の収容部を有することは明らかである。 ｃ 引用発明２の「高純度薬品容器」は、本件発明２０の「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器」に対応する。 ｄ 上記ａ～ｃから、本件発明２０と引用発明２との、一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器。」 ［相違点１９］ 本件発明２０は、「前記半導体製造用処理液は現像液であり、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として１７～１００質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明２は、「高純度薬品」について対応する特定がされていない点。 ［相違点２０］ 本件発明２０は、「前記半導体製造用処理液から、Ｆｅ（ＯＨ）２粒子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であって、前記粒子に含まれるＦｅの含有率が、前記水溶液の全質量を基準として３４．０～３９．２質量ｐｐｔである前記水溶液を除く」のに対して、引用発明２は、「高純度薬品」について対応する特定がされていない点。 ｅ 上記相違点についての検討 相違点１９に係る本件発明２０の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 すなわち、異議申立人１及び２が提示した文献では、半導体製造用処理液に含有される金属原子の量について、上記引用文献１（引用発明１）、引用文献６（引用発明４）、引用文献７（引用発明５）、引用文献８（引用発明６）、引用文献１１（引用発明７）～引用文献１７（引用発明１３）に記載されているが、いずれの文献も、相違点１９に係る本件発明２０の構成について記載されていない。 加えて、相違点１９に係る本件発明２０の構成は周知の構成であるともいえないので、本件発明２０は、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ｆ 特許異議申立人の主張について （ａ）異議申立人２は、上記相違点１９に関して意見書２－２で、訂正事項２４－２及び訂正事項２４－３が特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反してなされたものであり、訂正要件に適合するものではないから、訂正事項２４－２及び訂正事項２４－３に係る訂正事項がないことを前提として、本件発明２０は、引用発明２及び引用発明４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。（意見書２－２の第２４～２６頁） （ｂ）また、異議申立人２は、上記相違点１９に関して意見書２－２で、仮に訂正事項２４－２及び訂正事項２４－３が許容された場合でも、本件発明２０は、総メタル量が無限大ある場合を含むから、相違点１９に係る本件発明２０の構成は、単なる設計事項であり、本件発明２０は、引用発明２及び引用発明４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。（意見書２－２の第２６～２７頁） 旨主張する。 （ｃ）しかしながら、訂正事項２４－２及び訂正事項２４－３は、上記第２の２（３）ア（イ）ｂ、ｃで検討したように、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものであるから、異議申立人２の上記（ａ）の主張は採用できない。 （ｄ）また、総メタル量が無限大である場合を前提とする異議申立人２の主張は、技術常識に反する主張であり採用できない。 つまり、本件発明２０に係る「半導体製造用処理液」の金属原子の合計の含有率が無限大とは、「半導体製造用処理液」が金属原子からなる金属であることを表しており、そのような「半導体製造用処理液」は、存在しない。 また、本件発明２０に係る「半導体製造用処理液」は、「前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として１７～１００質量ｐｐｔである」から、この発明特定事項により、「金属原子の合計の含有率」は、その上限が限定されるものである。 そうすると、相違点１９に係る本件発明２０の構成は、設計事項ということはできないから、異議申立人２の上記（ｂ）の主張は採用できない。 （キ）本件発明２３～２５について 本件発明２３～２５は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明であり、相違点１８に係る本件発明９の構成を備えているから、本件発明９と同じ理由により、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ク）本件発明２６、２７について 本件発明２６及び２７は、本件発明９を直接又は間接的に引用する「製造方法」の発明であり、相違点１８に係る本件発明９の構成を備える「収容容器」を製造する方法であるから、本件発明９と同じ理由により、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない （ケ）本件発明２８～３１について 本件発明２８～３０は、本件発明９を直接又は間接的に引用する「パターン形成方法」の発明であり、本件発明３１は、「請求項２８～３０のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法」の発明である。 そうすると、本件発明２８～３１は、相違点１８に係る本件発明９の構成を備える「収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」を含む発明であるから、本件発明９と同じ理由により、引用発明２から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ウ 引用文献３を主たる文献とした取消理由について （ア）本件発明２について 本件発明２と引用発明３とを対比する。 ａ 引用発明３における「高純度イソプロピルアルコール」は、「ウエハーの洗浄工程等で使用される有機溶剤である」から、本件発明２の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明３の「充填用容器」は、上記「高純度イソプロピルアルコール」を充填する容器であるから、「高純度イソプロピルアルコール」が充填されたときに、本件発明２の「半導体製造用処理液が収容された収容部」と同様の収容部を有することは明らかである。 ｃ 引用発明３の「充填用容器」は、「高純度イソプロピルアルコール中に不純物が溶出し難」くするために「ＳＵＳ製」としているから、「充填用容器」の内壁にＳＵＳ（ステンレス）を使用していることは明らかである。 そして、このことは、本件発明２の「前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている」ことに相当する。 ｄ 引用発明３の「充填用容器」は、本件発明２の「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器」に対応する。 ｅ 上記ａ～ｄから、本件発明２と引用発明３との、一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。」 ［相違点２１］ 本件発明２は、「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１０質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明３は、「高純度イソプロピルアルコール」について対応する特定がされていない点。 ｆ 上記相違点についての検討 相違点２１に係る本件発明２の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 すなわち、異議申立人１及び２が提示した文献では、半導体製造用処理液に含有される金属原子の量について、上記引用文献１（引用発明１）、引用文献６（引用発明４）、引用文献７（引用発明５）、引用文献８（引用発明６）、引用文献１１（引用発明７）～引用文献１７（引用発明１３）に記載されているが、いずれの文献も、相違点２１に係る本件発明２の構成について記載されていない。 加えて、相違点２１に係る本件発明２の構成は周知の構成であるともいえないので、本件発明２は、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ｇ 特許異議申立人の主張について （ａ）異議申立人１の主張 （ａ－１）異議申立人１は、上記相違点２１に関して意見書１－２で、 引用発明６のＩＰＡは、本件発明で規定するＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の粒子性メタルの合計含有量を満足する蓋然性が極めて高い。 そして、特許明細書等の表１－４～表１－６には、総メタル量の概ね１０～２０％程度が粒子性メタルとなる記載があり、引用発明６のＩＰＡは、本件発明の処理液と同様の電位とｐＨを有し、総メタル濃度も、本件特許の処理液と同様の範囲にあるから、プールベ図に表されるように、本件特許の処理液と、引用発明６のＩＰＡとは、同一の金属の存在形態を満たすはずであるから、引用発明６のＩＰＡは、本件特許の処理液と同様に、総メタル量の概ね１０～２０％程度が粒子性メタルとなる。 そうすると、引用発明６のＩＰＡにおける、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子の合計含有量が３６．６ｐｐｔであるから、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの粒子性メタルの合計量は、３．６６～７．３２質量ｐｐｔとなる。 以上のように、相違点２１に係る本件発明２の半導体製造用処理液は、引用発明６のＩＰＡと同一であり、半導体製造用処理液を収容容器に収容することは当然に行うことであるから、引用発明３に収容する「高純度イソプロピルアルコール」として、引用発明６のＩＰＡを選択することは、当業者が容易に想到することである 旨主張する。（意見書１－２の第２～５頁） （ａ－２）異議申立人１は、上記相違点２１に関して意見書１－２で、引用文献１１を提出し、 引用発明７（引用文献１１）として示されるように、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの総メタル量がさらに少ないＩＰＡは公知であるとし、引用発明３に収容する「高純度イソプロピルアルコール」として、引用発明７のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を選択することは、当業者が容易に想到することである 旨主張する。（意見書１－２の第５～７頁） （ａ－３）上記イ（ア）ｇ（ｂ）（ｂ－３）で検討したように、水中における金属の存在形態をプールベ図で表すことが可能であるが、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）中での、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの粒子性メタルの合計の含有率が、半導体製造用処理液の全質量を基準としてどのような割合であるのかは、各金属のプールベ図から特定することはできない。 そうすると、相違点２１に係る本件発明２の構成は、引用発明６及び７から想到することはできない。 したがって、異議申立人１の上記（ａ－１）、（ａ－２）の主張は採用できない。 （ｂ）異議申立人２の主張 （ｂ－１）異議申立人２は、上記相違点２１に関して意見書２－２で、 引用発明６には、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の粒子性メタルの含有率、３６．６ｐｐｔ未満であるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が示されている。 特許明細書等の表１－４～表１－６の記載では、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の金属原子について、粒子性メタルは、総メタル量に対し、概ね１０％程度であり、多くとも２０％程度であることが示されているから、引用発明６のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎの３種類の粒子性メタルの含有率は、相違点２１に係る本件発明２の含有率の範囲を満たす蓋然性が高い。 また、そうでなかったとしても、引用文献３や引用文献８の記載では、ＩＰＡにおける金属不純物の低減が課題となっているから、相違点２１に係る本件発明２の構成を備えることに何らの困難性はない 旨主張する。（意見書２－２の第６～９頁） （ｂ－２）しかしながら、上記ａ（ａ－３）で検討したように、含有されるメタルの種類及びその各メタルの量が、本件明細書等の表１－４～表１－６に記載された半導体製造用処理液と同じであるとはいえない、引用発明６のＩＰＡが、相違点２１に係る本件発明２の構成を備えるということはできない。 加えて、引用文献３や引用文献８に、相違点２１に係る本件発明２の構成について記載されていない以上、その記載から、当業者が、相違点２１に係る本件発明２の構成を容易に想到できるとはいえない。 したがって、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （イ）本件発明３～６、１０、１１について 本件発明３～６、１０、１１は、本件発明２を直接又は間接的に引用する発明であり、相違点２１に係る本件発明２の構成を備えるものであるから、本件発明２と同じ理由により、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 また、異議申立人１及び２は、本件発明３～６、１０、１１について、種々の主張をしている（意見書１－２の第７～９頁、意見書２－２の第１１～１２、１６～１７頁）。 しかしながら、本件発明３～６、１０、１１は、相違点２１に係る本件発明２の構成を備えており、上記（ア）ｆで検討したように、相違点２１に係る本件発明２の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、異議申立人１及び２の上記主張は採用できない。 （ウ）本件発明１６、１９について 本件発明１６は、本件発明２を直接又は間接的に引用する「パターン形成方法」の発明であり、本件発明１９は、請求項１６に記載された「パターン形成方法」を引用する「電子デバイスの製造方法」の発明である。 そうすると、本件発明１６、１９は、相違点２１に係る本件発明２の構成を備える「収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」を含む発明であるから、本件発明２と同じ理由により、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 また、異議申立人１及び２は、本件発明１６、１９について、種々の主張をしている（意見書１－２の第１０頁、意見書２－２の第２１～２２頁）。 しかしながら、本件発明１６、１９は、相違点２１に係る本件発明２の構成を備えており、上記（ア）ｆで検討したように、相違点２１に係る本件発明２の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、異議申立人１及び２の上記主張は採用できない。 （エ）本件発明２０について 本件発明２０と引用発明３とを対比する。 ａ 引用発明３における「高純度イソプロピルアルコール」は、「ウエハーの洗浄工程等で使用される有機溶剤である」から、本件発明２０の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明３の「充填用容器」は、上記「高純度イソプロピルアルコール」を充填する容器であるから、「高純度イソプロピルアルコール」が充填されたときに、本件発明２０の「半導体製造用処理液が収容された収容部」と同様の収容部を有することは明らかである。 ｃ 引用発明３の「充填用容器」は、本件発明２０の「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器」に対応する。 ｄ 上記ａ～ｃからと、本件発明２０と引用発明３との、一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器。」 ［相違点２２］ 本件発明２０は、「前記半導体製造用処理液は現像液であり、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として１７～１００質量ｐｐｔであ」るのに対して、引用発明３は、「高純度イソプロピルアルコール」について対応する特定がされていない点。 ［相違点２３］ 本件発明２０は、「前記半導体製造用処理液から、Ｆｅ（ＯＨ）２粒子を含むテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であって、前記粒子に含まれるＦｅの含有率が、前記水溶液の全質量を基準として３４．０～３９．２質量ｐｐｔである前記水溶液を除く」のに対して、引用発明３は、「高純度イソプロピルアルコール」について対応する特定がされていない点。 ｅ 上記相違点についての検討 相違点２２に係る本件発明２０の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 すなわち、異議申立人１及び２が提示した文献では、半導体製造用処理液に含有される金属原子の量について、上記引用文献１（引用発明１）、引用文献６（引用発明４）、引用文献７（引用発明５）、引用文献８（引用発明６）、引用文献１１（引用発明７）～引用文献１７（引用発明１３）に記載されているが、いずれの文献も、相違点２２に係る本件発明２０の構成について記載されていない。 加えて、相違点２２に係る本件発明２０の構成は周知の構成であるともいえないので、本件発明２０は、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （オ）本件発明２１について 本件発明２１と引用発明３とを対比する。 ａ 引用発明３における「高純度イソプロピルアルコール」は、「ウエハーの洗浄工程等で使用される有機溶剤である」から、本件発明２１の「半導体製造用処理液」に相当する。 ｂ 引用発明３の「充填用容器」は、上記「高純度イソプロピルアルコール」を充填する容器であるから、「高純度イソプロピルアルコール」が充填されたときに、本件発明２１の「半導体製造用処理液が収容された収容部」と同様の収容部を有することは明らかである。 ｃ 引用発明３の「充填用容器」は、「高純度イソプロピルアルコール中に不純物が溶出し難」くするために「ＳＵＳ製」としているから、「充填用容器」の内壁にＳＵＳ（ステンレス）を使用していることは明らかである。 そして、このことは、本件発明２１の「前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている」ことに相当する。 ｄ 引用発明３の「高純度イソプロピルアルコール」は、イソプロパノールであるといえるから、このことは、本件発明２１の「前記半導体製造用処理液は、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含」むことに相当する。 ｅ 引用発明３の「充填用容器」は、本件発明２１の「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器」に対応する。 ｆ 上記ａ～ｅから、本件発明２１と引用発明３との、一致点及び相違点は次のとおりである。 ［一致点］ 「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であって、前記半導体製造用処理液は、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、 前記半導体製造用処理液に接触する前記収容部の内壁の少なくとも一部が、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルから選択される少なくとも１種を含有する材料から形成されている収容容器。」 ［相違点２４］ 本件発明２１は「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔであるリンス液であ」るのに対して、引用発明３は、「高純度イソプロピルアルコール」について対応する特定がされていない点。 ｇ 上記相違点についての検討 相違点２４に係る本件発明２１の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 すなわち、異議申立人１及び２が提示した文献では、半導体製造用処理液に含有される金属原子の量について、上記引用文献１（引用発明１）、引用文献６（引用発明４）、引用文献７（引用発明５）、引用文献８（引用発明６）、引用文献１１（引用発明７）～引用文献１７（引用発明１３）に記載されているが、いずれの文献も、相違点２４に係る本件発明２１の構成について記載されていない。 加えて、相違点２４に係る本件発明２１の構成は周知の構成であるともいえないので、本件発明２１は、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ｈ 特許異議申立人の主張について （ａ） 異議申立人１の主張 （ａ－１）異議申立人１は、本件発明２１について意見書１－２で、上記イ（ウ）ｇ（ａ）（ａ－１）と同様の主張をしている。（意見書１－２の第１９～２０頁） （ａ－２）異議申立人１は、上記相違点２４に関し意見書１－２で、上記イ（ウ）ｇ（ａ）（ａ－２）と同様の主張をしている。（意見書１－２の第１７～２０頁） 上記異議申立人１の主張について （ａ－３）本件発明２１は、「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器であ」り、「半導体製造用処理液」は、本件発明２１の発明特定事項である。 そうすると、異議申立人１の上記（ａ－１）の主張は採用できない。 （ａ－４）上記イ（ウ）ｇ（ａ）（ａ－４）で検討したように、特許明細書等では、「リンス液」と「洗浄液」は、明確に区別されているから、異議申立人１の上記（ａ－２）の主張は採用できない。 （ｂ）異議申立人２の主張 （ｂ－１）異議申立人２は、上記相違点２４に関し意見書２－２で、 引用発明３の「高純度イソプロピルアルコール」は、「ウエハーの洗浄工程等で使用される有機溶剤である」から、本件発明２１の「リンス液」に相当すると主張した上で、引用発明６にあるように「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔであ」る、イソプロピルアルコール（ｉＰＡ）は、公知のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であるから、引用発明３に収容する「高純度イソプロピルアルコール」を選択することは、当業者が容易に想到することである 旨主張する。（意見書２－２の第２７～２９頁） （ｂ－２）しかしながら、引用発明３の「高純度イソプロピルアルコール」が「リンス液」であるとの特定はされていないから、引用発明３についての異議申立人２の上記主張は根拠がない。 加えて、引用発明６の「イソプロピルアルコール（ｉＰＡ）」は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えていないから、引用発明３に収容する「高純度イソプロピルアルコール」として、引用発明６の「イソプロピルアルコール（ｉＰＡ）」を選択しても、収容された「半導体製造用処理液」は、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成とはならない。 そうすると、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （カ）本件発明２２～２５について 本件発明２２～２５は、本件発明２１を直接又は間接的に引用する発明であり、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、本件発明２１と同じ理由により、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 なお、異議申立人１は意見書１－２で、本件発明２２～２５に係る特許は、本件発明３～６と同様の理由で取り消されるべきものである旨主張する。（意見書１－２の第２０～２１頁） しかしながら、本件発明２２～２５は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えており、上記（オ）ｇで検討したように、相違点２４に係る本件発明２１の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、異議申立人１の上記主張は採用できない。 また、異議申立人２は意見書２－２で、本件発明２２～２５は、引用発明３、６及び引用文献４記載事項から、当業者が容易に発明できたものである旨主張する。（意見書２－２の第３２～３３頁） しかしながら、本件発明２２～２５は、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、上記（オ）ｈ（ｂ）で検討したのと同じ理由により、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （キ）本件発明２６、２７について 本件発明２６及び２７は、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「製造方法」の発明であり、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備える「収容容器」を製造する方法であるから、本件発明２１と同じ理由により、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 なお、異議申立人１は意見書１－２で、本件発明２６、２７に係る特許は、本件発明１０、１１と同様の理由で取り消されるべきものである旨主張する。（意見書１－２の第２１頁） しかしながら、本件発明２６、２７は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えており、上記（オ）ｇで検討したように、相違点２４に係る本件発明２１の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、異議申立人１の上記主張は採用できない。 また、異議申立人２は意見書２－２で、本件発明２６、２７は、引用発明３、６及び引用文献４記載事項から、当業者が容易に発明できたものである旨主張する。（意見書２－２の第３３～３４頁） しかしながら、本件発明２６、２７は、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、上記（オ）ｈ（ｂ）（ｂ－２）で検討したのと同じ理由により、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （ク）本件発明２８、３１について 本件発明２８は、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「パターン形成方法」の発明であり、本件発明３１は、本件発明２８を引用する「電子デバイスの製造方法」の発明である。 そうすると、本件発明２８は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備える「収容容器に収容された前記半導体製造用処理液を用いて処理する工程」の発明であり、本件発明３１は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備える「電子デバイスの製造方法」の発明であるから、本件発明２１と同じ理由により、引用発明３から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 なお、異議申立人１は意見書１－２で、本件発明２８、３１に係る特許は、本件発明１６、１９と同様の理由で取り消されるべきものである旨主張する。（意見書１－２の第２１頁） しかしながら、本件発明２８、３１は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えており、上記（オ）ｇで検討したように、相違点２４に係る本件発明２１の構成は、異議申立人１及び２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、異議申立人１の上記主張は採用できない。 また、異議申立人２は意見書２－２で、本件発明２８、３１は、引用発明３、６及び引用文献５記載事項２から、当業者が容易に発明できたものである旨主張する。（意見書２－２の第３４～３５頁） しかしながら、本件発明２８、３１は、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えており、上記（オ）ｈ（ｂ）（ｂ－２）で検討したのと同じ理由により、異議申立人２の上記主張は採用できない。 （３）取消理由３（特許法第３６条第６項第２号）について ア 当審では、取消理由において、特許請求の範囲に記載された、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」をどのようにして、測定されたものであるのか不明であるために、特許請求の範囲に記載された発明が明瞭であるとはいえず、本件特許は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさない特許出願に対してされたものである旨通知した。 イ それに対して、特許権者は、令和５年１月１６日に提出された意見書において、 （ア）ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳ法により半導体製造用処理液中の粒子性メタルの含有量を求めるためには、粒子性メタルの存在形態の仮定が必要であるところ、特許明細書等にはこの条件について記載がないとした上で、 （イ）半導体製造用処理液のような純度が高い薬液に含有される粒子性メタルの含有量を、ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳ法により測定する場合に仮定される粒子性メタルの存在形態は、金属の存在形態を表すプールベ図（Ｐｏｕｒｂａｉｘ Ｄｉａｇｒａｍ）に基づいて決定し得るとし、 （ウ）プールベ図から読み取った存在形態を、ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳ法で測定する際の粒子性メタルの存在形態として仮定して、粒子性メタルの合計の含有率を測定することは一定の技術的合理性があり、当業者が一義的になし得る事項である、 旨主張する。 ウ Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎの粒子性メタルの存在形態は、水中における化学種（特に金属）の存在領域を電極電位とｐＨの２次元座標上に図示したものであるプールベ図から読み取ることが可能であることは技術常識である。 そして、この技術常識に基づいて、半導体製造用処理液に含有するＣｕ、Ｆｅ、Ｚｎの粒子性メタルの存在形態を特定し、この特定されたＣｕ、Ｆｅ、Ｚｎの粒子性メタルの存在形態から、ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳ法を用いて、「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率」を測定することは、当業者が適宜なし得ることであるから、本件特許は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさない特許出願に対してされたものであるとの取消理由は解消した。 エ 特許異議申立人の主張について （ア）異議申立人１は、意見書１－２で、 ａ プールべ図は、ある特定の条件下における水溶液中の理論的な金属形態を示すもので、有機溶剤系に適用されるものはないとしたうえで（意見書１－２の第２２頁下から１行～第２３頁１行）、請求項９、１５、２１、では、水の含有量に関する記載はなく、請求項１２では、水の含有率が１０質量％未満として規定しているから、水を含むことを許容しており、特許権者が令和５年１月１６日に提出した意見書の「水の含有量が少なく、金属を酸化又は還元し得る成分も少ないことから、プールベ図においてｐＨが７付近の中性であり、かつ、酸化還元電位も０に近い位置における金属の形態をとっているとの推測が成り立つことは、当業者が容易に理解できるものといえる。」との主張は誤りであり、プールベ図に基づく存在形態の推定も成り立たず（意見書１－２の第２３頁２～１５行）、加えて、本件特許明細書等の実施例では、半導体製造用の処理液の含水率について、何ら評価されておらず、水分量が少ないため、金属の水中での存在形態を記述したプールベ図が適用できるというものであるが、僅かな水含有量しか含まない半導体製造用処理液に対し、水溶液系のプールベ図が適用できる理由はない（意見書１－２の第２３頁１６～２３行）、旨主張する。 ｂ 半導体製造用処理液のＦｅの存在形態について、プールベ図において、酸化鉄として考慮するのか、水酸化鉄として考慮するのか、その基準が不明である（意見書１－２の第２３頁２４～第２４頁８行）とし、Ｃｕ、Ｚｎについても、如何なる基準で、どのような存在形態を選択するのか、何ら明らかでない（意見書１－２の第２４頁９～１１行）、旨主張する。 ｃ 複数の金属種が含まれると、合金、金属間化合物などの形で存在する可能性もあり、プールベ図の知見が無条件に適用できるはずがない（意見書１－２の第２４頁１２～２５行）、旨主張する。 ｄ プールベ図が対象とする濃度範囲と、本件発明が対象とする濃度範囲は全く異なり、本件発明が規定するような、「ｐｐｔ」オーダーの微小量の存在形態は何ら示しておらず、金属含有量がｐｐｔオーダーの超希薄溶液における金属の存在形態がプールベ図に基づいて一義的に仮定可能などとは到底言えない（意見書１－２の第２４頁２６～第２９頁２行）、旨主張する。 （イ）しかしながら、 ａ 本件明細書等に 「【００４６】 本発明の処理液がアルカリ現像液として用いられる場合、本発明の処理液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に代表される４級アンモニウム塩を含有する水溶液であることが好ましい。これ以外にも、無機アルカリ、１～３級アミン、アルコールアミン又は環状アミン等を含有するアルカリ水溶液であってもよい。」 「【００６６】 有機溶剤を含有するリンス液（以下、「有機系リンス液」という。）に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、９０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましい。 ・・・ 【００６９】 中でも、有機系リンス液としての本発明の処理液は、Ｎ-メチル-２-ピロリドン（ＮＭＰ）、イソプロパノール（ＩＰＡ）、エタノール及び４-メチル-２-ペンタノール（ＭＩＢＣ）から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。 【００７０】 有機系リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、より好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。含水率を１０質量％以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。」 と記載されているように、本件明細書等に記載された「半導体製造用処理液」は、水を含むことを前提としており、又、プールベ図は、水の多寡により、金属の存在形態が異なるというものではないから、水溶液中の理論的な金属形態を示すプールベ図に基づいてその存在形態を推定することに問題はない。 ｂ 半導体製造用処理液のＦｅの存在形態について、プールベ図を考慮すれば、ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳで測定される粒子性メタルの存在形態を推定できるのであるから、その存在形態が酸化鉄として考慮するのか、水酸化鉄として考慮するのかは、対象とする「半導体製造用処理液」の状態で判断できる。 また、Ｃｕ、Ｚｎについても同様である。 ｃ 本件明細書等に 「【００４０】 本発明者は、ＳＰ-ＩＣＰ-ＭＳ（Ｓｉｎｇｌｅ-Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ-ＭＳ）測定により識別して定量することが可能となった処理液中に含有される金属原子由来のイオン性メタルと粒子性メタル（非イオン性メタル）の各々が欠陥に及ぼす影響について鋭意研究した。その結果、欠陥発生には粒子性（非イオン性）メタル量の影響が極めて大きく、粒子性（非イオン性）メタル量と欠陥発生との間には相関関係があることを見出した。 【００４１】 本発明は、この知見に基づき完成されたものであり、本発明の処理液は、対象金属であるＣｕ、Ｆｅ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の金属原子の少なくとも１種を含む粒子性メタルの質量の合計の含有率が、処理液の全質量に対し、０．０１～１００質量ｐｐｔであることを第一の特徴とする。以下において、この含有率を「粒子性メタルの含有率」などともいう。」 と記載されているように、本件発明は、欠陥発生には粒子性メタルの影響が大きいとの知見に基づいて、Ｆｅ、Ｃｕ，Ｚｎの粒子性メタル含有率を特定しているものであるから、他の存在形態、すなわち、合金、金属間化合物等が存在しても、それらの存在形態について考慮する必要はない。 ｄ 「ｐｐｔ」オーダーの微小量の存在形態において、プールベ図で示される存在形態以外の存在形態で、粒子性メタルが存在するとの技術常識は存在しない。 そして、プールベ図により粒子性メタルの存在形態を推定し、その推定した存在形態に基づいて、ＳＰ－ＩＣＰ－ＭＳで測定するのであるから、この測定方法に問題はない。 （ウ） したがって、異議申立人１の上記主張は採用できない。 第６ 特許異議申立理由について １ 証拠方法 （１）異議申立人１は証拠方法として以下の文献を提出した。 甲第１号証：特開２０１０－２４２０７７号公報 甲第２号証：特開２００８－１７９７７４号公報 甲第３号証：特開平１１－８０４４９号公報 甲第４号証：特開平１０－７７０９４号公報 甲第５号証：特開平１０－４３６号公報（引用文献３） 甲第６号証：特開平１１－２３６６６０号公報（引用文献１２） 甲第７号証：Kenneth Ong, "Determination of Impurities in Semiconductor-Grade TMAH with the NexION 300S/350S ICP-MS"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１４年（平成２６年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://resources.perkinelmer.com/corporate/cmsresources/images/46-135839app_010283_01nexion300s-impuritiessemicontmah.pdf>（引用文献６） 甲第８号証：特開２００２－５７９９号公報（引用文献１３） 甲第９号証：特開平７－１１４２１号公報（引用文献４） 甲第１０号証：近藤郁 他３名、「半導体材料ガス中に浮遊する微粒子の光錯乱法による検出」、粉体工学会誌、２００２年、Vol.39、No.11、p.806-812 甲第１１号証：特開平１０－３２４３６８号公報（引用文献１４） 甲第１２号証：特開２０１５－６４４９４号公報（引用文献５） 甲第１３号証：Chady Stephan, "Analysis of Iron Nanoparticles in Organic Solvents Used in the Semiconductor Industry Using Single Particle ICP-MS in Reaction Mode"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１５（平成２７年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://labsense.fi/uploads/7/1/9/5/71957143/analysis_of_iron_nanoparticles_in_orga nic_solvents_used_in_the_semiconductor_industry_application_note.pdf>（引用文献１） 甲第１４号証：” ［図：0001402725000014.jpg］ ”、 ［図：0001402725000015.jpg］ 、２００６年、Ｖｏｌ．１９、Ｎｏ．４、ｐ．１８～３５ 甲第１５号証：Kenneth Org,"Determination of Impurities in Organic Solvents used in the Semiconductor Industry with the NexION 300S/350S ICP-MS"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１４年（平成２６年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://resources.perkinelmer.com/lab-solutions/resources/docs/app_010279_01nexion300s-impuritiessemiconipapgmea.pdf>（引用文献８） 甲第１６号証：「高感度ICP-MSによる半導体グレードのイソプロピルアルコール中の不純物分析」、２０１３年、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社、インターネット<https://tools.thermofisher.com/content/sfs/brochures/EL13007-JA.pdf>（引用文献１１） 参考資料１：腐食、防食ハンドブック、２００１年９月、（社）腐食防食協会、ｐ．１－１－５～１－１－６ 以下、上記「甲第１号証」～「甲第１６号証」をそれぞれ、「甲１－１」～「甲１－１６」という。 （２）異議申立人２は証拠方法として以下の文献を提出した。 甲第１号証：Chady Stephan, "Analysis of Iron Nanoparticles in Organic Solvents Used in the Semiconductor Industry Using Single Particle ICP-MS in Reaction Mode"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１５（平成２７年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://labsense.fi/uploads/7/1/9/5/71957143/analysis_of_iron_nanoparticles_in_orga nic_solvents_used_in_the_semiconductor_industry_application_note.pdf>（引用文献１） 甲第２号証：甲第１号証についてのＧｏｏｇｌｅ検索についてのウェブページのプリントアウト 甲第３号証：特開平１１－８０２５７号公報（引用文献２） 甲第４号証：特開平１１－３１４６７８号公報 甲第５号証：国際公開第２０１２／０４３４９６号（引用文献１５） 甲第６号証：特開昭６１－１７０５８８号公報（引用文献１６） 甲第７号証：” ［図：0001402725000016.jpg］ ”、[online]、２００９年８月７日、インターネット<URL:https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=dohyuni1018&logNo=80085683276&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.com%2F> 甲第８号証：近藤郁 他３名、「半導体材料ガス中に浮遊する微粒子の光散乱法による検出」、２０１４年、粉体工学会誌、ｐ８０６－８１２（甲１－１０） 甲第９号証：特開２０１５－６４４９４号公報（引用文献５） 甲第１０号証：特開平１１－２３６６６０号公報（引用文献１７） 甲第１１号証：Kenneth Ong, "Determination of Impurities in Semiconductor-Grade TMAH with the NexION 300S/350S ICP-MS"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１４年（平成２６年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://resources.perkinelmer.com/corporate/cmsresources/images/46-135839app_010283_01nexion300s-impuritiessemicontmah.pdf>（引用文献６） 甲第１２号証：特開平１０－４３６号公報（引用文献３） 甲第１３号証：特開２００５－２６０２１３号公報（引用文献７） 甲第１４号証：特開平７－１１４２１号公報（引用文献４） 甲第１５号証：Kenneth Org,"Determination of Impurities in Organic Solvents used in the Semiconductor Industry with the NexION 300S/350S ICP-MS"、APPLICATION NOTE、[online]、２０１４年（平成２６年）、PerkinElmer,Inc.、インターネット<URL:https://resources.perkinelmer.com/lab-solutions/resources/docs/app_010279_01nexion300s-impuritiessemiconipapgmea.pdf>（引用文献８） 甲第１７号証：森永均著、「先端LSI技術大系、第２章、第７節、洗浄と汚染低減」、２０１２年、グローバルネット株式会社出版、p.175-183、インターネット<https://www.ircms.jp/irexport/fujimiinc/file/a58565726016665.pdf>（引用文献１０） 甲第１８号証：甲第１７号証についてのＧｏｏｇｌｅ検索についてのウェブページのプリントアウト 甲第１９号証：特開平５－２４３１４４号公報（引用文献９） 以下、上記「甲第１号証」～「甲第１９号証」をそれぞれ、「甲２－１」～「甲２－１９」という。なお、甲第１６号証に対応する文献は、異議申立人２から提出されていない。 ２ 特許異議申立書における特許異議申立人の主張の概要 （なお、この項においては、訂正前の請求項１～２０を「請求項１」～「請求項２０」と標記する。） （１）異議申立人１の主張の概要 請求項１～２０に係る特許に対する、異議申立人１の主張は以下のとおりである。 ア 特許法第２９条第２項について （ア）請求項１に係る発明は、甲１－１～甲１－４、甲１－６～甲１－８に記載された発明及び甲１－１３、甲１－１４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第２５～３３頁） （イ）請求項２に係る発明は、甲１－４～甲１－８に記載された発明及び甲１－１３、甲１－１４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第３３～３６頁） （ウ）請求項３に係る発明は、甲１－４～甲１－９に記載された発明及び甲１－１３、甲１－１４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第３６～３７頁） （エ）請求項４～９に係る発明は、甲１－４～甲１－９に記載された発明及び甲１－１０、甲１－１３、甲１－１４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項４～９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第３７～４１頁） （オ）請求項１０、１１に係る発明は、甲１－４～甲１－９、甲１－１１に記載された発明及び甲１－１０、甲１－１３、甲１－１４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１０、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４１～４２頁） （カ）請求項１２、１３に係る発明は、甲１－７、甲１－８、甲１－１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１２、１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４２～４４頁） （キ）請求項１４に係る発明は、甲１－７、甲１－８に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４５頁） （ク）請求項１５に係る発明は、甲１－１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４５頁） （ケ）請求項１６、１７に係る発明は、甲１－６～甲１－８、甲１－１２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１６、１７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４５～４７頁） （コ）請求項１８に係る発明は、甲１－６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４７頁） （サ）請求項１９に係る発明は、甲１－６～甲１－８、甲１－１２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４７頁） （シ）請求項２０に係る発明は、甲１－７、甲１－８、甲１－１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人１による特許異議申立書第４８頁） イ 特許法第３６条第６項第２号について （ア）請求項１～１１、１６～２０の記載について 液体等を収容することは容器が本来有する機能であり、特定の「半導体製造用処理液」が収容された「容器」との記載は、特定の半導体製造用処理液が収容されているというにすぎず、容器が本来有する機能のほかに、容器と処理液との関連を何ら規定するものではない。 そして、請求項１、２、２０に記載された発明の「半導体製造用処理液」に関連する記載は、「容器」に関する発明の発明特定事項としての意味をなさない（あるいは何を意味しているのか不明である）ために、請求項１、２、２０の記載は不明確である。また、これらの請求項１、２、２０を直接又は間接的に引用する請求項３～１１、１６～１９の記載も同様に不明確である。 本件特許は、上記のとおり、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （異議申立人１による特許異議申立書第４８～４９頁） （イ）請求項４～９、１０、１１、１６～１９の記載について 請求項４の「収容部に占める空隙部の割合」、請求項５の収容部の空隙部に充填される気体のパーティクル数、請求項６の収容部の空隙部に充填される気体の種類、請求項７の収容されている半導体製造用処理液の用途、請求項８、９の収容されている半導体製造用処理液の種類に関する特定は、いずれも「容器」を特定するものではなく、「容器」との関係も不明確であるために、請求項４～９の記載は不明確である。また、これらの請求項４～９を直接又は間接的に引用する請求項１０、１１、１６～１９の記載も同様に不明確である。 本件特許は、上記のとおり、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （異議申立人１による特許異議申立書第４９～５０頁） ウ 特許法第３６条第４項第１号について 特許明細書等に記載された実施例および比較例を精査しても、容器に収容される処理液の「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの含有率」を所定範囲に制御するための具体的手段が不明と言わざるを得ない。 したがって、特許明細書等の記載は、当業者が当該発明を実施するための十分な事項が記載されていないため、実施可能要件を満たすものではない。 本件特許は、上記のとおり、特許明細書等の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （異議申立人１による特許異議申立書第５０～５１頁） （２）異議申立人２の主張の概要 請求項１～２０に係る特許に対する、異議申立人２の主張は以下のとおりである。 ア 特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項について （ア）請求項１に係る発明は、甲２－１、甲２－３、甲２－４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第１４～２７頁） （イ）請求項１に係る発明は、甲２－５、甲２－３、甲２－４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第２７～３９頁） なお、第２７頁の「ウ 甲第５号証、甲第３号証及び甲第４号証の説明、並びに、本件特許発明１と甲第５号証、甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証との対比」の記載は、「ウ 甲第５号証、甲第３号証及び甲第４号証の説明、並びに、本件特許発明１と甲第５号証、甲第３号証及び甲第４号証との対比」の誤記である。 （ウ）請求項２に係る発明は、甲２－１、甲２－６、甲２－７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第４０～４３頁） （エ）請求項２に係る発明は、甲２－５、甲２－６、甲２－７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第４３～４６頁） （オ）請求項３に係る発明は、甲２－１、甲２－５、甲２－７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第４６～４８頁） （カ）請求項４に係る発明は、甲２－１、甲２－４、甲２－５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第４８～４９頁） （キ）請求項５に係る発明は、甲２－１、甲２－３～甲２－８に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第５０頁） （ク）請求項６に係る発明は、甲２－１、甲２－４～甲２－６、甲２－８に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第５１～５２頁） （ケ）請求項７に係る発明は、甲２－３～甲２－７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第５２～５４頁） （コ）請求項８に係る発明は、甲２－１、甲２－３～甲２－７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第５４～５５頁） （サ）請求項９に係る発明は、甲２－１、甲２－３～甲２－７、甲２－９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第５５～５９頁） （シ）請求項１０に係る発明は、甲２－１、甲２－３、甲２－５、甲２－１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第６０～６１頁） （ス）請求項１１に係る発明は、甲２－１、甲２－３、甲２－５、甲２－１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第６２～６３頁） （セ）請求項１２に係る発明は、甲２－１、甲２－５に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、同上第１項の規定に違反してされたものである。また、請求項１２係る発明は、甲２－５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第６３～６４頁） （ソ）請求項１３に係る発明は、甲２－５に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、同上第１項の規定に違反してされたものである。また、請求項１３に係る発明は、甲２－１、甲２－５、甲２－９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第６５頁） （タ）請求項１４に係る発明は、甲２－１、甲２－５に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、同上第１項の規定に違反してされたものである。また、請求項１４に係る発明は、甲２－５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第６６頁） （チ）請求項１５に係る発明は、甲２－１、甲２－５、甲２－９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第６７～６８頁） （ツ）請求項１６に係る発明は、甲１－１、甲２－３～甲２－７、甲２－９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第６９頁） （テ）請求項１７に係る発明は、甲２－１、甲２－３～甲２－７、甲２－９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第７０～７１頁） （ト）請求項１８に係る発明は、甲２－３～甲２－７、甲２－９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第７１～７２頁） （ナ）請求項１９に係る発明は、甲２－１、甲２－３～甲２－７、甲２－９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第７２頁） （ニ）請求項２０に係る発明は、甲２－１、甲２－３～甲２－７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（異議申立人２による特許異議申立書第７３～７４頁） ３ 甲号証の記載について （１）甲１－１（特開２０１０－２４２０７７号公報）について 甲１－１には、以下の事項が記載されている。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、高純度薬品用容器等に適用し得るポリエチレン、その製造方法、及び高純度薬品容器、さらに詳しくは燃料電池用アルコール容器に関する。」 「【０００４】 近年、電子工業分野の著しい発達に伴って、高純度薬品の需要が高まっている。高純度薬品は、例えば、大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造に不可欠な薬品として使用されている。具体的には、ウエハー洗浄・エッチング用、配線・絶縁膜エッチング用、治具洗浄用、現像液、乾燥用等の用途として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、過酸化水素水、イソプロピルアルコール、キシレン、メタノール、エタノール、酢酸、リン酸、アンモニア水、乳酸エチル等が用いられている。従来、これらの高純度薬品用容器材料として、耐薬品性、耐衝撃性、価格等の点から、ポリエチレン樹脂が使用されている。さらに薬品による該樹脂の溶出物や劣化物等の汚染物質による内容物への汚染を低減した高純度薬品用容器が求められている。 ・・・」 「【０００６】 本発明が解決しようとする課題は、ポリエチレン樹脂からの溶出物やその劣化物等の汚染物質の高純度薬品への溶出を極力抑え、表面光沢が良好な高純度薬品容器、さらに詳しくは燃料電池用アルコール容器を提供することである。」 「【０１４３】 ・・・ この高純度薬品容器は、ウエハー洗浄・エッチング用、配線・絶縁膜エッチング用、治具洗浄用、現像液、乾燥用等の用途として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、過酸化水素水、イソプロピルアルコール、キシレン、メタノール、エアタノール、酢酸、リン酸、アンモニア水、乳酸エチル等の高純度薬品用容器として利用される。 ・・・」 （２）甲１－２（特開２００８－１７９７７４号公報）について 甲１－２には、以下の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 下記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の要件を満足する、クリーン容器包装用ポリエチレン樹脂組成物。 （Ａ）密度（ＪＩＳ Ｋ７１１２-１９９９）が８９０ｋｇ／ｍ３以上９７５ｋｇ／ｍ３以下である。 （Ｂ）メルトフローレート（ＪＩＳ Ｋ７２１０-１９９９、コードＤ）が０．０１ｇ／１０分以上３０ｇ／１０分以下である。 （Ｃ）添加剤として、実質的に塩基点を有する無機固体のみを含み、該添加剤量がポリエチレン樹脂１ｋｇに対し５重量ｐｐｍ以上５００重量ｐｐｍ以下である。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、微粒子や溶出成分が少なく、成形機等の金属の腐食を抑え、かつ成形した容器、フィルムの変色を抑え、更に容器に充填あるいはフィルムで包装した内容物の腐食や変色を抑えたポリエチレン樹脂組成物に関するものである。また、本発明のポリエチレン樹脂組成物はクリーン性を要求される容器包装用の樹脂材料として好適である。」 「【０００３】 高純度薬品の例としては、ウエハー洗浄・エッチング用、配線・絶縁膜エッチング用、治具洗浄用、現像液、レジスト希釈液、レジスト剥離液、乾燥用等の用途として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、過酸化水素水、２-プロパノール、キシレン、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、メタノール、酢酸、リン酸、アンモニア水、ＰＧＭＥＡ（酢酸プロピレングリコールメチルエーテル）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ＮＭＰ（Ｎ-メチルピロリジノン）、ＥＣＡ（シアノアクリル酸エチル）、乳酸エチル等が用いられている。」 「【００１０】 ・・・ また、本明細書において「クリーン」とは、容器包装に液体を収容したとき、容器包装の構成成分が液体中に微粒子として混入したり溶出したりすることが少ないことを意味する用語として用いる。」 「【００５７】 ・・・ 本発明の樹脂組成物は容器包装より内容物へのパーティクルの溶出が少ないことから、クリーン性を要求される用途に適している。例えば電子工業分野の高純度薬品用容器、医療用容器、食品用容器、半導体・ハードディスク等の包装に適したものである。 【００５８】 本発明の樹脂組成物を容器等に成形加工する際の成形方法としては、成形品が汚染されないような施策を講じれば一般的に知られている方法を用いることができ、そのような成形方法としては、例えば水冷式または空冷式インフレーション成形、ブロー成形、押出パイプ成形、回転成形、射出成形、射出成形品の溶着成形、射出（２軸延伸）ブロー成形、押出シート成形及び真空成形、等の成形法が用いられる。また、これらの成形法を用いて、単層容器包装、多層容器包装としてもよい。多層容器包装とする際には、本発明の樹脂組成物を内容物に接する最内層に好適に用いることができるが、着色や装置類の腐食等に関しては他層に用いても良い。本発明の樹脂組成物以外の層にはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、ポリアミド、ポリエステル、エチレン-ビニルアルコール共重合体等の熱可塑性樹脂を用いることができる。」 （３）甲１－３（特開平１１－８０４４９号公報）について 甲１－３には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置産業分野、精密工業部品分野及び医薬品等に使用される大型高純度薬品用容器の製造に好適で、高純度薬品を充填した場合に、薬品への微粒子の発生および金属溶出の極めて少なく、かつ、落下強度の優れたポリエチレン樹脂及び容器に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、電子工業分野の著しい発達に伴って、高純度薬品の需要が高まっている。高純度薬品は、例えば、大規模化、集積化されたＬＳＩ等の電子回路の製造に不可欠の薬品として使用されている。具体的には、ウエハー洗浄・エッチング用、配線・絶縁膜エッチング用、治具洗浄用、現像液、レジスト希釈液、レジスト剥離液、乾燥用等の用途として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、過酸化水素水、イソプロピルアルコール、キシレン、ＴＭＡＨ、メタノール、酢酸、リン酸、アンモニア水、ＰＧＭＥＡ、ＤＭＳＯ、ＮＭＰ、ＥＣＡ、乳酸エチル等が用いられている。従来、これらの高純度薬品用容器用材料として、耐薬品性、耐衝撃性、価格等の点から、ポリエチレン樹脂が使用されている。しかしながら、従来のポリエチレン樹脂製の容器では、薬品による該樹脂の溶出物や劣化物等の汚染物質による内容物への汚染問題があり、高純度薬品容器用として限界があった。すなわち、超ＬＳＩの微細化に伴い、従来では金属不純物濃度が１ＰＰＢであったものが、現在では０．１ＰＰＢ以下が要求されている。また、従来、０．５μｍ以上の微粒子が問題であったものが、０．２μｍ以上の微粒子が１００個／ｍｌ以下と厳しい品質が要求されるようになり、より厳しい品質が要求されている。さらに、小型容器では高純度薬品の充填が煩雑であり、また、小型容器は一回の薬品充填のみの使用であるため、繰り返し使用できる大型容器用のポリエチレン樹脂の開発が待たれている。」 （４）甲１－４（特開平１０－７７０９４号公報）について 甲１－４には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、高純度液体の充填方法に関するものである。更に詳しくは、高純度液体運搬用容器に高純度液体を再充填するに際し、カプラーにパイプを脱着する際の該カプラーの磨耗による汚染を効果的に防止した高純度液体の充填方法である。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体の高密度化、高集積度化が進むに連れ、ウエハー表面への微粒子の付着による汚染が製品の歩留まりや信頼性に大きな影響を及ぼすようになってきた。そのため、ウエハーの洗浄工程等で使用される高純度液体は、このような微粒子を可能な限り含まない高純度のものを使用することが望まれる。」 「【０００６】 【発明が解決しようとする課題】従って、運搬用容器に充填後に、微粒子の混入が極めて少ない、高純度液体の充填方法の開発が望まれていた。」 「【００１３】本発明における高純度液体の運搬用容器の材質は、高純度液体の種類によって異なり、その性質により腐食等が発生しない材質が適宜選定される。詳しくは、イソプロピルアルコールの場合には、ＳＵＳ製などのように、不純物が溶出し難いものが好ましい。これらのＳＵＳ製運搬用容器の内面は、フッ硝酸等の強酸化性溶液に浸すことで不動態化処理したり、電解研磨して平滑化したものが更に好ましい。また、硫酸やテトラメチルアンモニウムハライド水溶液のような強酸性又は強アルカリ性の場合には樹脂製、好適には高密度ポリエチレン製で不純物が溶出し難いものが好ましい。」 （５）甲１－５（引用文献３）について 甲１－５には、上記第５の１（３）で示す事項が記載されている。 （６）甲１－６（引用文献１２）について 甲１－６には、上記第５の１（１２）で示す事項が記載されている。 （７）甲１－７（引用文献６）について 甲１－７には、上記第５の１（６）で示す事項が記載されている。 （８）甲第１－８（引用文献１３）について 甲１－８には、上記第５の１（１３）で示す事項が記載されている。 （９）甲１－９（引用文献４）について 甲１－９には、上記第５の１（４）で示す事項が記載されている。 （１０）甲１－１０（近藤郁 他３名、「半導体材料ガス中に浮遊する微粒子の光錯乱法による検出」、粉体工学会誌、２００２年、Vol.39、No.11、p.806-812）について 甲１－１０には、以下の事項が記載されている。 「1. 緒 言 半導体製品の集積度向上に伴って,ドライプロセスでの粒子汚染管理の重要性が高まっている。」（第８０６頁左欄１～３行） 「本研究では,(1)始めに半導体製造用材料ガス中のパーティクルカウンタの特性を示し,(2)次に材料ガスの供給系や充填系においてin-lineで粒子測定を行い,材料ガス中の粒子を直接測定することの有用性を示す。」（第８０７頁左欄３～７行） 「Table 1に測定結果を示す。材料ガスを供給する前に,実験系にN2ガスを供給して露点温度を測定し,配管内の残留水分量が約5ppm(露点温度:-65℃)であることを確認した。また,同時にN2ガス中の粒子を測定し,各フィルタを通した系,通さない系でもN2ガス中に0.2μm以上の粒子が含まれていないことを確認した。SiH4ガスを流したときは,フィルタを通さずに直接パーティクルカウンタに導入したときに比較して,フィルタを通した系で多くの粒子が測定された。これは,配管系の残留水分などと反応して粒子状副生成物を生成するため,フィルタとしての効力を発揮できず,むしろフィルタが粒子の生成源となってしまう可能性を示している。また,フッ素樹脂製フィルタを通したSiH4ガス中の粒子数が,SUS316L製フィルタを通した場合より多く測定された。一般に樹脂は金属に比べて,表面での吸着エネルギーは小さいが,ガス置換の応答性では金属製フィルタのほうが樹脂製フィルタより優れていることが報告されている8)。これは,樹脂製フィルタは固体内への水分拡散や,濾材構造の複雑さによって,実際上フィルタとして吸蔵される水分量が金属製フィルタより多いことなどによると考えられ,本測定結果も同様の原因によると推察される。N2ガス中の粒子に対するフィルタの除去性能だけによって,そのガス供給系が反応性のあるガスを流して良い状態にあるという判断ができないことを示している。」（第８０９頁右欄２３行～第８１０頁左欄２０行） 「Table1 ［図：0001402725000017.jpg］ 」 （１１）甲１－１１（引用文献１４）について 甲１－１１には、上記第５の１（１４）で示す事項が記載されている。 （１２）甲１－１２（引用文献５）について 甲１－１２には、上記第５の１（５）で示す事項が記載されている。 （１３）甲１－１３（引用文献１）について 甲１－１３には、上記第５の１（１）で示す事項が記載されている。 （１４）甲１－１４について 甲１－１４には、以下の事項が記載されている。なお、甲１－１４の記載事項は、当審の訳文で示す。 「回路線幅が微細化されてゲート酸化膜厚が薄くなり、クリーン化技術は、困難に直面することになる。もちろん、微粒子は微細加工技術で必ず制御するべき対象であるが、微粒子よりも小さな化学的イオン成分と分子状不純物（重金属、非金属イオンなど。以下、「化学的不純物」と称する。）の影響が、素子の電気的特性、ドライエッチング、化学蒸着（ＣＶＤ、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の選択性および多層膜の接着性などに問題を引き起こすので、その重要性が高まった。」（第１８頁左欄９～１８行） 「８．ウエハの評価 半導体工程を産業の総合芸術と言う。最近では３Ｄ業種とも言われているが、繊細で高難易度の技術力と強い熱意が融合して一つの半導体が誕生するという意味が込められているのだろう。また分析技術も、全産業で求められているレベルを全て満たさなければ、目的とする半導体デバイスの不良は改善できないため、非常に難しい分野と言える。半導体分野で化学分析法を用いた分析技術は、筆者のこれまでの経験から見て、人の指先の技術が９０％以上を占め、分析装置は残りの１０％に過ぎないと感じている。したがって、汚染分析技術は、ほとんどが人の力によって左右されると言っても過言ではない。ここからは、ウエハの分析方法にはどのようなものがあるか述べる。シリコンウエハ（Ｆｉｇ．６）の化学的不純物の評価項目としては、 ●表面は金属不純物、陰イオン・陽イオン、有機物などである。 ●基板とバルク（Ｂｕｌｋ）は、金属不純物、ドーパント濃度などがメインであるが、分析技術によっては陰イオン・陽イオンの分析も可能である。 ●膜質組成比としては、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕなど、多数ある。 ●膜質不純物は、主に金属不純物および脱離されるガスの有機物、水分などが挙がられる。 ウエハの分析方法のうち金属不純物の評価法は、主に３つの方法（Ｆｉｇ．７）を用いる。 ８．１ 一つ目は、ＶＰＤ（Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｄｅｐｏｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（Ｆｉｇ．８）で、ウエハの製造および加工業者のほとんどが金属不純物の評価法としてよく用いる方法である。この方法は、一定の大きさの箱に分析しようとするウエハを入れ、フッ素蒸気（ＨＦ Ｆｕｍｅ）を使ってシリコンウエハ表面に存在する自然酸化膜（Ｎａｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）および金属成分を溶かしてからＨＦ／Ｈ２Ｏ２／ＤＩＷを一定の比率で混合した溶液で回収（ｇａｔｈｅｒｉｎｇ）し、分析装置（ＩＣＰ－ＭＳまたはＡＡＳ）を用いて金属不純物の含有量を分析する方法である。ここで、ほとんどの金属不純物は回収に問題ないが、筆者の経験から回収率（Ｒｅｃｏｖｅｒｙ）を評価したところ、Ｃｕの回収率は５０～７０％程度で、あまり良くないことを確認した。その理由は、Ｃｕの場合、Ｓｉより強い酸化還元電位によってＳｉの電子を奪い、自身が還元してシリコン基板に付着されるからである。」（第２５頁左欄１６行～第２６頁左欄６行） （１５）甲１－１５（引用文献８）について 甲１－１５には、上記第５の１（８）で示す事項が記載されている。 （１６）甲１－１６（引用文献１１）について 甲１－１５には、上記第５の１（１１）で示す事項が記載されている。 （１７）参考資料１（腐食、防食ハンドブック、２００１年９月、（社）腐食防食協会、ｐ．１－１－５～１－１－６）について 参考資料１には、以下の事項が記載されている。 「1.4 電位-pH図の作図原理 水環境にある金属の化学平衡を状態図として表現するには電極電位とpHを軸とする座標を用いるのが最も合理的であり，この種の状態図は“電位-pH図”または“プルベー図”とよばれる1,2）．電位-pH図の具体例として Fe-H2O系図を図1.4に示す．ここでは Fe-H2O というシステムで，鉄化合物としてはFe，Fe2＋，Fe3＋，Fe2O3，Fe3O4，HFeO2－が関与する物質であるとする．水の電気化学反応であるということから，H2O，H＋，e－がさらに加えられる．電位-pH図の作図では通常，希薄溶液を前提としており，次の水の解離平衡が成立し，OH－はこれに束縛され生成する物質として扱うため，反応式の取り扱いでは独立物質とは見なさない．」（第１－１－５頁） 「線４は Fe2＋の活量 aFe 2＋に依存するため，本来，E とpH以外に軸が必要となるが，電位-pH平面上では表現するときには aFe 2＋（通常log aFe 2＋）をパラメータとして複数の平行線を引いて表現する．腐食の分野で電位-pH図を利用する場合には，溶解金属イオン濃度の総和，すなわち分析濃度（CMで表す）として10－6mol kg－1とすることが多い．図中では log CMに対応する数値でもって区別する．すなわち図1.4に書き込まれた－2，－4，－6なる数値は平行線がそれぞれ CM＝10－2，10－4，10－6 mol kg－1に対応する線であることを示している． 金属イオンの分析濃度 CM が10－6 mol kg－1と仮定して描いた線図において，金属状態が優勢となる領域は不感域と定義される．事実上この領域で腐食は起こらない．逆に CM≧10－6 mol kg－1で金属イオンが優勢となる領域を腐食域，また酸化物や水酸化物など固体塩が安定な領域が不動態域と定義される．このような単純な割り切りでもって不感域，腐食域および不動態域の3域に区分して図示した電位-pH図の簡略形式を，特に腐食図と呼ぶことがある．これらの3域はあくまで熱力学計算により得られた電位-pH図に基づくPourbaixによる定義であり，詳細においては現実とかけ離れたものである場合もあることに注意する必要がある．各種金属に対する電位-pH図の集大成としてはPourbaixのAtlasが有名である1）．図1.5はAtlasに示された電位-pH図の要約ともいうべき腐食図の一覧である2）．」（第１－１－６頁）（なお、上記「線４」の４は○に４の数字が書かれたものである。） （１８）甲２－１（引用文献１）について 甲２－１には、上記第５の１（１）で示す事項が記載されている。 （１９）甲２－２について 甲２－２には、甲２－１の検索についてのウェブページが記載されている。 （２０）甲２－３（引用文献２）について 甲２－３には、上記第５の１（２）で示す事項が記載されている。 （２１）甲２－４（特開平１１－３１４６７８号公報）について 甲２－４には、以下の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 ポリオレフィン系高純度樹脂で成形された柔軟性の内容器と、その内容器を収納する気密性で自立の外容器とが、両者の間の空間を外界に対して密閉開放自在に連結され、内容器は逆止弁を途中に連結した液排出管が底部まで挿入されて密閉され、外容器には加圧源に連結されるコネクタが取り付けられていることを特徴とする高純度薬品液用容器。 【請求項２】 内容器の口に該液排出管を保持する気密保持具が外容器の口に螺合し、その螺合の開閉により外容器の内部が外界に前記密閉開放自在であることを特徴とする請求項１に記載の高純度薬品液用容器。 【請求項３】 該液排出管が逆止弁を途中に連結した上部分、および内容器に挿入される下部分に分離されており、その上部分だけを保持する前記該気密保持具と交換的に外容器の口に螺合して外容器の内部および内容器の内部が外界に対し密閉開放する開閉蓋を有することを特徴とする請求項２に記載の高純度薬品液用容器。 【請求項４】 該液排出管および該気密保持具および／または該開閉蓋が内容器と同質のポリオレフィン系高純度樹脂で成形されていることを特徴とする請求項２または３に記載の高純度薬品液用容器。 【請求項５】 該ポリオレフィン系高純度樹脂が、エチレン、プロピレン、ブテン-１、４-メチル-ペンテン-１、ヘキセン-１、またはオクテン-１のオレフインの重合体、およびエチレンとそれ以外のオレフインの共重合体の中から選ばれる少なくとも１種類からなることを特徴とする請求項１または４に記載の高純度薬品液用容器。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体および液晶分野で使用される高純度薬品液の貯蔵および排出に用いられる容器に関するものである。」 「【００２６】本発明の高純度薬品液用容器には、半導体プロセスや液晶ディスプレイ用に使用されるフォトレジスト液や希釈溶剤をはじめ、その他の高純度薬品が貯蔵できる。半導体プロセス用フォトレジストの例としては、クレゾール-ホルムアルデヒドノボラック樹脂およびポリ（ビニルフェノール）等のアルカリ可溶性樹脂と、べンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、べンゾキノンジアジドスルホン酸アミドおよびナフトキノンジアジドスルホン酸アミド等のキノンジアジド系感光剤とを必須成分として含有するポジ型フォトレジストである。液晶ディスプレイ用カラーレジストとしては、アクリル酸エステルモノマー、トリハロメチルトリアジン系光重合開始剤とアクリル酸／アクリル酸エステルの共重合体からなるフォトポリマーに有機顔料を分散させたものが挙げられる。」 「【００４２】（実施例１）内容器２の原料樹脂には、密度が０．９３５ｇ／ｃｍ３、メルトインデックスが０．２０ｇ／１０ｍｉｎ．で、重量平均分子量１×１０３以下の重合体を２．５７重量％含有し、中和剤、酸化防剤および耐光安定剤を含まない高密度ポリエチレンペレットを用いた。この樹脂をインフレーション成形機を使用して、押出機（スクリュー直径：５０ｍ／ｍ、Ｌ／Ｄ＝２６（Ｄ：スクリュー直径、Ｌ：スクリュー有効長））の中で２００℃に溶融し、環状ダイス（ダイ口径５０ｍ／ｍ、ダイ・ギャップ２．０ｍ／ｍ）から押出、ブローアップレシオ３．５で成形し、厚さ６０μｍ、折径２８０ｍｍの筒状のフィルムを得た。この筒状のフィルムを二つ重ね、所定の長さに切断し、そのうちの片方のフィルムの所定の部位に穴を開け、その穴に内容器の口２０を有するチューブホルダー２９を通してヒートシールして固着した。その後両方のフィルムを重ねて四方をヒートシールして、内容器Ａを試作した。 【００４３】先ず、試作した内容器Ａのクリーン度を測定した。これをステンレス製の外容器（内容量：４リットル）内に設置した。この容器に超純水製造装置（商品名：トレピュアＬＶ-１０Ｔ（東レ株式会社製））により製造した超純水２リットルを入れ、スクリューキャップを取り付けて密閉して１５秒間振とうし、２４時間静置後に５ｍｌ採取し、その中に浸出した０．２μｍ以上の微粒子の数をパーティクルカウンター（タイプ：ＫＬ-２２（リオン株式会社製））で測定した。水中の微粒子数（個／ｍｌ）を式（１）と同様の次式（４）で計算し、超純水によるクリーン度とした。その結果を表１に示した。」 「【００４７】次に、クレゾール-ホルムアルデヒドノボラック樹脂およびナフトキノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤を含む固形分と、溶剤がエチルセロソルブアセテートからなるポジ型フォトレジスト（レジストＡ）を２リットルを入れ、上記と同様に（５）式により、クリーン度を求めた。その結果を表１に示した。」 「【００４９】さらにこの容器を再びキャップで密閉し、常温で１ヶ月間放置した。１ヶ月間経過した容器を、気泡を発生させないように３回転させて、容器内のフォトレジスト液を振とうし、５ｍｌ採取して上記と同様にしてフォトレジスト液中の微粒子数（個／ｍｌ）を計算し、１ヶ月後のクリーン度とした。その結果を表１に示した。」 「【００５３】さらに、エチルセロソルブアセテート４リットルを入れ、キャップにより完全に密閉した状態で２３℃の恒温室へ保管、６ヶ月後のエチルセロソルブアセテート中のメタルイオン濃度をＩＣＰ-ＭＳ（ＨＰ-４５００：横河アナリテイカルシステムズ製）により測定した。その結果を表２に示す。 【００５４】 【表２】 ［図：0001402725000018.jpg］ 」 「【００７９】 【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明の高純度薬品液用容器は、高純度薬品液の保存および輸送中に微粒子や金属イオンの浸出がなく、高純度薬品液の品質を維持できる。さらに、内容器は破損しにくく、柔軟性があるので使用後に外容器から容易に取り出すことができる。送液ユニットを密閉蓋と交換することにより、高純度薬品液の貯蔵と排出を容易かつ安全に行うことができる。」 （２２）甲２－５（引用文献１５）について 甲２－５には、上記第５の１（１５）で示す事項が記載されている。 （２３）甲２－６（引用文献１６）について 甲２－６には、上記第５の１（１６）で示す事項が記載されている。 （２４）甲２－７について 甲２－７には、以下の事項が記載されている。なお、甲２－７の記載事項は、当審の訳文で示す。 「電解研磨の利点 耐食性が向上する。 電解研磨時に鉄成分が多く離れ、表面にクロム成分が多くなり腐食に強くなる。ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ ３１６Ｌを例にすると、次の表のとおりである。 不動態化の形成 電解研磨後に不動態（金属酸化皮膜）処理を行うことで、超高純度の薬品貯蔵タンクなどとして使用する場合に、タンクの金属成分が薬品によって溶ける量を大幅に減らすことができる。」（第１頁） 「取り扱い品目 １）真空チャンバ類 ２）フィルターハウジング ３）各種貯蔵タンク類 ４）半導体工業用機器類 ５）医療工業および実験用機器類 ６）各種ＳＵＳ配管類 ７）その他 ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ 一体」（第２頁） （２５）甲２－８について 甲２－８には、上記（１０）で示す事項が記載されている。 （２６）甲２－９（引用文献５）について 甲２－９には、上記第５の１（５）で示す事項が記載されている。 （２７）甲２－１０（引用文献１７）について 甲２－１０には、上記第５の１（１７）で示す事項が記載されている。 （２８）甲２－１１（引用文献６）について 甲２－１１には、上記第５の１（６）で示す事項が記載されている。 （２９）甲２－１２（引用文献３）について 甲２－１２には、上記第５の１（３）で示す事項が記載されている。 （３０）甲２－１３（引用文献７）について 甲２－１３には、上記第５の１（７）で示す事項が記載されている。 （３１）甲２－１４（引用文献４）について 甲２－１４には、上記第５の１（４）で示す事項が記載されている。 （３２）甲２－１５（引用文献８）について 甲２－１５には、上記第５の１（８）で示す事項が記載されている。 （３３）甲２－１７（引用文献１０）について 甲２－１７には、上記第５の１（１０）で示す事項が記載されている。 （３４）甲２－１８について 甲２－１８には、甲２－１７の検索についてのウェブページが記載されている。 （３５）甲２－１９（引用文献９）について 甲２－１９には、上記第５の１（９）で示す事項が記載されている。 ４ 特許異議申立理由について （１）異議申立人１の主張について ア 特許法第２９条第２項について （ア）本件発明１について 本件発明１は、上記相違点１７に係る「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～０．４３質量ｐｐｔであるアルカリ現像液であ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１７に係る本件発明１の構成は、異議申立人１が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１は、相違点１７に係る本件発明１の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （イ）本件発明２について 本件発明２は、上記相違点２１に係る「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１０質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点２１に係る本件発明２の構成は、異議申立人１が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明２は、相違点２１に係る本件発明２の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ウ）本件発明３について 本件発明３は、本件発明２を引用する発明であり、上記相違点２１に係る本件発明２の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （エ）本件発明４～８、１０、１１、１６、１７、１９について 本件発明４～８、１０、１１、１６、１７、１９は、本件発明１を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２を直接又は間接的に引用する発明であり、上記相違点１７に係る本件発明１の構成、若しくは、上記相違点２１に係る本件発明２の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （オ）本件発明９は、上記相違点１８に係る「前記半導体製造用処理液が、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、且つ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔである現像液又はリンス液であ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１８に係る本件発明９の構成は、異議申立人１が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明９は、相違点１８に係る本件発明９の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （カ）本件発明１２は、上記相違点１に係る「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔである」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１に係る本件発明１２の構成は、異議申立人１が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１２は、相違点１に係る本件発明１２の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （キ）本件発明１５は、上記相違点８に係る「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点８に係る本件発明１５の構成は、異議申立人１が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１５は、相違点８に係る本件発明１５の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ク）本件発明２０は、上記相違点１９に係る「前記半導体製造用処理液は現像液であり、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として１７～１００質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１９に係る本件発明２０の構成は、異議申立人１が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明２０は、相違点１９に係る本件発明２０の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ケ）本件発明２１は、上記相違点２４に係る「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点２４に係る本件発明２１の構成は、異議申立人１が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明２１は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （コ）本件発明２２は、本件発明２１を引用する発明であり、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （サ）本件発明２３～２５は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （シ）本件発明２６、２７は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「収容容器の製造方法」の発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ス）本件発明２８～３０は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「パターン形成方法」の発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （セ）本件発明２１は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「電子デバイスの製造方法」の発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲１－１～甲１－１６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ソ）上記（ア）～（セ）から、異議申立人１の特許異議申立の上記理由は採用できない。 イ 特許法第３６条第６項第２号について （ア）請求項１～１１、１６、１７、１９～３１の記載について 特許請求の範囲の請求項１、２、９、２０、２１に、「半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器」と記載されているように、請求項１～１１、１６、１７、１９～３１に記載された発明は、その発明特定事項として「半導体製造用処理液」を備えているから、異議申立人１の特許異議申立の上記理由は採用できない。 （イ）請求項４～８、１０、１１、１６、１７、１９の記載について 請求項４～８、１０、１１、１６、１７、１９は、請求項１若しくは２に記載された発明を直接又は間接的に引用しており、請求項２２は、請求項２１に記載された発明を引用しており、請求項２３～３１に記載された発明は、請求項９若しくは請求項２１に記載された発明を直接または間接的に引用している。 そして、上記（ア）で検討したように、請求項１、２、９、２１は、「半導体製造用処理液が収容された収容部」を備えている。 そうすると、異議申立人１の主張する、請求項４の「収容部に占める空隙部の割合」、請求項５の収容部の空隙部に充填される気体のパーティクル数、請求項６の収容部の空隙部に充填される気体の種類、請求項７の収容されている半導体製造用処理液の用途、請求項８、９の収容されている半導体製造用処理液の種類に関する特定は、「半導体製造用処理液が収容された収容部」又は「収容部」に収容された「半導体製造用処理液」を限定しているから、異議申立人１の特許異議申立の上記理由は採用できない。 ウ 特許法第３６条第４項第１号について 本件明細書等に 「【００７２】 ［金属含有率の調整方法］ 本発明の処理液は、Ｎａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｋ、Ａｇなどのイオン濃度がいずれも１ｐｐｍ（parts per million）以下であることが好ましく、１ｐｐｂ以下であることがより好ましい。特に、ｐｐｔオーダー（上記濃度はいずれも質量基準）であることが更に好ましく、実質的に含まないことが特に好ましい。 【００７３】 本発明の処理液における金属含有率の調整は、例えば、処理液を製造する際に使用する原材料の段階、及び、処理液を調製した後の段階、の少なくとも一方の段階において、蒸留やフィルターろ過、イオン交換樹脂を用いたろ過、吸着精製などを繰り返し、十分に精製することにより行ってもよい。 【００７４】 ここで、金属含有率の調整方法（以下、「メタル濃度の低減方法」ともいう。）としては、特に限定されないが、国際公開第ＷＯ１２/０４３４９６号公報に記載されている、炭化ケイ素を用いた吸着精製などが挙げられ、さらに、蒸留やフィルターろ過、イオン交換樹脂を用いたろ過を組み合わせ、十分に精製する例が好ましい形態として挙げられる。 【００７５】 金属含有率を調整する方法は本発明の効果を得る観点から、処理液を製造する際に使用する原材料の段階で行われることが特に好ましい。また、原材料は特定の金属原子、若しくは硫酸イオン、塩化物イオン、又は硝酸イオンなどの無機イオン、及び特定の金属イオンが低減されたグレードのものを用いることが好ましい。 【００７６】 メタル濃度の低減方法に関するその他の方法としては、処理液の製造に使用する原材料を収容する「容器」として、後述する本発明の処理液を収容する収容容器に関して説明するような、不純物の溶出が少ない容器を用いることが挙げられる。また、処理液の調製時の「配管」などからメタル分が溶出しないように、配管内壁にフッ素系樹脂のライニングを施すなどの方法も挙げられる。」 「【００８６】 本発明の収容容器を本発明の処理液を充填する前に洗浄する。 本発明の処理液を収容部に充填する前の洗浄工程において、その内壁に対する接触角が１０度以上で、濡れ性が良すぎない洗浄液で内壁を洗浄することにより、洗浄液が容器に残留し、洗浄後に充填される本発明の処理液中に洗浄液や洗浄液に含まれる汚染物が混入することを抑制することが可能となる。また、その内壁に対する接触角が１２０度以下で、濡れ性が悪すぎない洗浄液で内壁を洗浄することにより、収容部の微細な隙間などに残留する汚染物の除去率を高めることが可能となる。」 と記載されているから、容器に収容される処理液の「Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎの含有率」を所定範囲に制御するための具体的手段が不明ということはできない。 したがって、異議申立人１の特許異議申立の上記理由は採用できない。 （２）異議申立人２の主張について ア 特許法第２９条第１項第３号、同条第２項について （ア）本件発明１について 本件発明１は、上記相違点１７に係る「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～０．４３質量ｐｐｔであるアルカリ現像液であ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１７に係る本件発明１の構成は、異議申立人２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１は、相違点１７に係る本件発明１の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （イ）本件発明２について 本件発明２は、上記相違点２１に係る「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１０質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点２１に係る本件発明２の構成は、異議申立人２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明２は、相違点２１に係る本件発明２の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ウ）本件発明３について 本件発明３は、本件発明２を引用する発明であり、上記相違点２１に係る本件発明２の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （エ）本件発明４～８、１０、１１、１６、１７、１９について 本件発明４～８、１０、１１、１６、１７、１９は、本件発明１を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２を直接又は間接的に引用する発明であり、上記相違点１７に係る本件発明１の構成、若しくは、上記相違点２１に係る本件発明２の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （オ）本件発明９は、上記相違点１８に係る「前記半導体製造用処理液が、酢酸ブチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、イソプロパノール、エタノール、及び、メチルイソブチルカルビノールから選択される少なくとも１種を含み、且つ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔである現像液又はリンス液であ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１８に係る本件発明９の構成は、異議申立人２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明９は、相違点１８に係る本件発明９の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （カ）本件発明１２は、上記相違点１に係る「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔである」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１に係る本件発明１２の構成は、甲２－１、甲２－５に記載されていないから、本件発明１２は、甲２－１、甲２－５に記載された発明であるとはいえない。 加えて、相違点１に係る本件発明１２の構成は、異議申立人２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえないから、本件発明１２は、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （キ）本件発明１５は、上記相違点８に係る「Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量に対し、１７～１００質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点８に係る本件発明１５の構成は、異議申立人２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明１２は、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ク）本件発明２０は、上記相違点１９に係る「前記半導体製造用処理液は現像液であり、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として２２０質量ｐｐｔ以上であり、且つ、前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として１７～１００質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点１９に係る本件発明２０の構成は、異議申立人２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明２０は、相違点１９に係る本件発明２０の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ケ）本件発明２１は、上記相違点２４に係る「前記半導体製造用処理液は、Ｃｕ、Ｆｅ及びＺｎからなる群に属する金属原子の中で、前記半導体製造用処理液に含有されるすべての前記金属原子の粒子性メタルの合計の含有率が、前記半導体製造用処理液の全質量を基準として、０．０１～１００質量ｐｐｔであ」るとの発明特定事項を備えている。 そして、相違点２４に係る本件発明２１の構成は、異議申立人２が提示したいずれの文献にも記載されておらず、また周知の技術であるともいえない。 そうすると、本件発明２１は、相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （コ）本件発明２２は、本件発明２１を引用する発明であり、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （サ）本件発明２３～２５は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （シ）本件発明２６、２７は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「収容容器の製造方法」の発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ス）本件発明２８～３０は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「パターン形成方法」の発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （セ）本件発明２１は、本件発明９を直接又は間接的に引用する発明、若しくは、本件発明２１を直接又は間接的に引用する「電子デバイスの製造方法」の発明であり、上記相違点１８に係る本件発明９の構成、若しくは、上記相違点２４に係る本件発明２１の構成を備えているから、甲２－１～甲２－１９に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ソ）上記（ア）～（セ）から、異議申立人２の特許異議申立の上記理由は採用できない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知書（決定の予告）に記載した理由並びに異議申立人１及び２による特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１～１２、１５～１７、１９～３１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～１２、１５～１７、１９～３１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 なお、請求項１３、１４、１８に係る特許は、上記のとおり本件訂正により削除された。これにより、異議申立人１及び２による特許異議申立てについて、請求項１３、１４、１８に係る申立ては、申立ての対象が存在しないこととなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。