2021-700153

特許第６７４５３３２号発明「電子材料製造用薬液の製造方法、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法、電子材料製造用薬液、及び容器」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７４５３３２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３、５、７〕、６、８、〔９～１２、１４〕、１８、〔１９～２０〕について訂正することを認める。 特許第６７４５３３２号の請求項１～３、５～１２、１４、１８～２０に係る特許を維持する。 特許第６７４５３３２号の請求項４、１３、１５～１７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続等の経緯 特許第６７４５３３２号の請求項１～請求項２０に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願（特願２０１８－５０８００３号）は、２０１７年（平成２９年）３月２７日（先の出願に基づく優先権主張 平成２８年３月３１日、平成２９年３月８日）を国際出願日とする特許出願であって、令和２年８月５日に特許権の設定の登録がされたものである。 その後、本件特許について、令和２年８月２６日に特許掲載公報が発行されたところ、発行の日から６月以内である令和３年２月１０日に、本件特許のうち全請求項に係る特許に対して、特許異議申立人 星 正美（以下「特許異議申立人」という。）から、特許異議の申立てがされた。 その後の手続等の概要は、以下のとおりである。 令和３年 ６月２５日付け：取消理由通知書 令和３年 ８月２５日付け：訂正請求書、意見書（特許権者） 令和３年１０月１１日付け：意見書（特許異議申立人） 令和４年 ３月 ７日付け：取消理由通知書（決定の予告） 令和４年 ５月２７日付け：訂正請求書、意見書（特許権者） 令和４年 ７月２１日付け：意見書（特許異議申立人） 令和４年１０月３日付け：取消理由通知書（決定の予告） 以降、単に「決定の予告」と表記した場合、令和４年１０月３日付けのものを指す。 令和４年１２月 ５日付け：訂正請求書、意見書（特許権者） 令和５年 １月２６日付け：意見書（特許異議申立人） なお、令和３年８月２５日付け訂正請求書による訂正の請求及び令和４年５月２７日付け訂正請求書による訂正の請求は、特許法１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。 第２ 本件訂正請求について １ 訂正請求の趣旨 令和４年１２月５日付け訂正請求書による訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）の趣旨は、特許第６７４５３３２号の明細書及び特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～２０について訂正することを求める、というものである。 なお、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」、本件訂正前又は本件訂正後を、単に「訂正前」又は「訂正後」ということがある。 また、下線は訂正箇所を示す。 ２ 訂正の内容 （１）訂正事項 ア 訂正事項１ 訂正事項１は訂正事項１Ａ及び訂正事項１Ｂからなる。 （ア）訂正事項１Ａ 特許請求の範囲の請求項１に「前記電子材料製造用薬液が有機系現像液である」と記載されているのを「前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である」に訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項６～９、１２、１４、１９、２０も同様に訂正する。） ここで、上記「下記表」は以下のものである。なお、他の訂正事項における「下記表」は同じ内容のものであるため、以下、当該「下記表」の再掲は省略する。 ［図：0001400403000001.jpg］ （イ）訂正事項１Ｂ 本件特許の明細書（以下「本件明細書」という。）の段落【００１０】の＜１＞に「上記特許請求の範囲の請求項１に「上記電子材料製造用薬液が有機系現像液である」と記載されているのを「上記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である」に訂正する。 イ 訂正事項２ 訂正事項２は訂正事項２Ａ及び訂正事項２Ｂからなる。 （ア）訂正事項２Ａ 特許請求の範囲の請求項２に「前記電子材料製造用薬液がアルカリ現像液、プリウェット液、又はリンス液である」と記載されているのを「前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である」に訂正する。 （イ）訂正事項２Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜２＞に「上記電子材料製造用薬液がアルカリ現像液、プリウェット液、又はリンス液である」と記載されているのを「上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である」に訂正する。 なお、訂正事項３は欠番である。 ウ 訂正事項４ 訂正事項４は訂正事項４Ａ及び訂正事項４Ｂからなる。 （ア）訂正事項４Ａ 特許請求の範囲の請求項４を削除する。 （イ）訂正事項４Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜４＞に「 Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法・・・ΣＭｉ≦９５９ｐｐｔ」と記載されているのを「（削除）」に訂正する。 エ 訂正事項５ 訂正事項５は訂正事項５Ａ及び訂正事項５Ｂからなる。 （ア）訂正事項５Ａ 特許請求の範囲の請求項５に「前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液である」と記載されているのを「前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である」に訂正する。 （イ）訂正事項５Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜５＞に「上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液である」と記載されているのを「上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である」に訂正する。 オ 訂正事項６ 訂正事項６は訂正事項６Ａ及び訂正事項６Ｂからなる。 （ア）訂正事項６Ａ 特許請求の範囲の請求項６に「１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターン形成用である請求項１～５のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液。」と記載されているのを 「１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターン形成用である下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 （イ）訂正事項６Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜６＞に 「１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターン形成用である＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液。」と記載されているのを 「１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターン形成用である下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、上記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 カ 訂正事項７ 訂正事項７は訂正事項７Ａ及び訂正事項７Ｂからなる。 （ア）訂正事項７Ａ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項１～５のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「請求項１～３及び５のいずれか１項に記載の」に訂正する。 （イ）訂正事項７Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜７＞に「＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「＜１＞～＜３＞及び＜５＞のいずれか１項に記載の」に訂正する。 キ 訂正事項８ 訂正事項８は訂正事項８Ａ及び訂正事項８Ｂからなる。 （ア）訂正事項８Ａ 特許請求の範囲の請求項８に 「請求項１～５のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液の製造方法。」と記載されているのを 「下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液の製造方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 （イ）訂正事項８Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜８＞に 「＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液の製造方法。」と記載されているのを 「下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液の製造方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、上記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 ク 訂正事項９ 訂正事項９は訂正事項９Ａ及び訂正事項９Ｂからなる。 （ア）訂正事項９Ａ 特許請求の範囲の請求項９に 「工程（４）の前記現像液が、請求項１又は４に記載の電子材料製造用薬液である、パターン形成方法。」と記載されているのを 「工程（４）の前記現像液が、下記［１］に記載の電子材料製造用薬液である、パターン形成方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ」に訂正する。 （イ）訂正事項９Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜９＞に 「工程（４）の上記現像液が、＜１＞又は＜４＞に記載の電子材料製造用薬液である、パターン形成方法。」と記載されているのを 「工程（４）の上記現像液が、下記［１］に記載の電子材料製造用薬液である、パターン形成方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ」に訂正する。 ケ 訂正事項１０ 訂正事項１０は訂正事項１０Ａ及び訂正事項１０Ｂからなる。 （ア）訂正事項１０Ａ 特許請求の範囲の請求項１０に 「工程（５）の前記リンス液が、請求項２、３、及び５のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液としてのリンス液である、パターン形成方法。」と記載されているのを 「工程（５）の前記リンス液が、下記［２］、［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液としてのリンス液である、パターン形成方法。 ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 （イ）訂正事項１０Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１０＞に 「工程（５）の上記リンス液が、＜２＞、＜３＞、及び＜５＞のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液としてのリンス液である、パターン形成方法。」と記載されているのを 「工程（５）の上記リンス液が、下記［２］、［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液としてのリンス液である、パターン形成方法。 ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、上記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 コ 訂正事項１１ 訂正事項１１は訂正事項１１Ａ及び訂正事項１１Ｂからなる。 （ア）訂正事項１１Ａ 特許請求の範囲の請求項１１に 「工程（１’）の前記プリウェット液が、請求項２、３、及び５のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液としてのプリウェット液である、パターン形成方法。」と記載されているのを 「工程（１’）の前記プリウェット液が、下記［２］、［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液としてのプリウェット液である、パターン形成方法。 ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 （イ）訂正事項１１Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１１＞に 「工程（１’）の上記プリウェット液が、＜２＞、＜３＞、及び＜５＞のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液としてのプリウェット液である、パターン形成方法。」と記載されているのを 「工程（１’）の上記プリウェット液が、下記［２］、［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液としてのプリウェット液である、パターン形成方法。 ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、上記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 サ 訂正事項１２ 訂正事項１２は訂正事項１２Ａ及び訂正事項１２Ｂからなる。 （ア）訂正事項１２Ａ 特許請求の範囲の請求項１２に 「工程（１）の前記プリウェット液、工程（４）の前記現像液、及び工程（５）の前記リンス液の少なくとも２つが、請求項１、４又は５に記載の電子材料製造用薬液であり、 得られるパターンが、１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターンである、パターン形成方法。」と記載されているのを、 「工程（１’）の前記プリウェット液、工程（４）の前記現像液、及び工程（５）の前記リンス液の少なくとも２つが、下記［１］又は［５］に記載の電子材料製造用薬液であり、 得られるパターンが、１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターンである、パターン形成方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 （イ）訂正事項１２Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１２＞に 「工程（１）の上記プリウェット液、工程（４）の上記現像液、及び工程（５）の上記リンス液の少なくとも２つが、＜１＞、＜４＞又は＜５＞に記載の電子材料製造用薬液であり、 得られるパターンが、１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターンである、パターン形成方法。」と記載されているのを、 「工程（１’）の上記プリウェット液、工程（４）の上記現像液、及び工程（５）の上記リンス液の少なくとも２つが、下記［１］又は［５］に記載の電子材料製造用薬液であり、 得られるパターンが、１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターンである、パターン形成方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 シ 訂正事項１３ 訂正事項１３は訂正事項１３Ａ及び訂正事項１３Ｂからなる。 （ア）訂正事項１３Ａ 特許請求の範囲の請求項１３を削除する。 （イ）訂正事項１３Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１３＞に「 （１’）基板上にプリウェット液を塗布し・・・パターン形成方法。」と記載されているのを「（削除）」に訂正する。 ス 訂正事項１４ 訂正事項１４は訂正事項１４Ａ及び訂正事項１４Ｂからなる。 （ア）訂正事項１４Ａ 特許請求の範囲の請求項１４に「請求項９～１３のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「請求項９～１２のいずれか１項に記載の」に訂正する。 （イ）訂正事項１４Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１４＞に「＜９＞～＜１３＞のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「＜９＞～＜１２＞のいずれか１項に記載の」に訂正する。 セ 訂正事項１５ 訂正事項１５は訂正事項１５Ａ及び訂正事項１５Ｂからなる。 （ア）訂正事項１５Ａ 特許請求の範囲の請求項１５を削除する。 （イ）訂正事項１５Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１５＞に「 薬液中の・・・電子材料製造用薬液の製造方法。」と記載されているのを「（削除）」に訂正する。 ソ 訂正事項１６ 訂正事項１６は訂正事項１６Ａ及び訂正事項１６Ｂからなる。 （ア）訂正事項１６Ａ 特許請求の範囲の請求項１６を削除する。 （イ）訂正事項１６Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１６＞に「 上記低減化方法を用いて・・・電子材料製造用薬液の製造方法。」と記載されているのを「（削除）」に訂正する。 タ 訂正事項１７ 訂正事項１７は訂正事項１７Ａ及び訂正事項１７Ｂからなる。 （ア）訂正事項１７Ａ 特許請求の範囲の請求項１７を削除する。 （イ）訂正事項１７Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１７＞に「 上記電子材料製造用薬液が・・・電子材料製造用薬液の製造方法。」と記載されているのを「（削除）」に訂正する。 チ 訂正事項１８ 訂正事項１８は訂正事項１８Ａ及び訂正事項１８Ｂからなる。 （ア）訂正事項１８Ａ 特許請求の範囲の請求項１８に 「前記電子材料製造用薬液が、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物用の溶剤、現像液、リンス液、プリウェット液、洗浄液、エッチング液、剥離液、又は、トップコート溶剤である、請求項１５～１７のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液の製造方法。」と記載されているのを 「薬液中のＳｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度に応じて、前記薬液中の粒子性メタルの低減化方法を選択し、選択された前記低減化方法を用いて、前記鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、前記銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、前記亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の内の少なくとも１つを低減する、電子材料製造用薬液の製造方法であって、前記低減化方法が、薬液を蒸留する方法を含み、 前記低減化方法を用いて、前記薬液中の、前記鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、前記銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、前記亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和を、１００ｐｐｔ以下とし、 前記電子材料製造用薬液が、半導体デバイス製造用薬液であって、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物用の溶剤、現像液、リンス液、プリウェット液、洗浄液、エッチング液、剥離液、又は、トップコート溶剤（ただし、イソプロピルアルコール、コリン水溶液、コリン洗浄液、及びテトラメチルアンモニウム・ヒドロキシド溶液を除く）である、電子材料製造用薬液の製造方法。」に訂正する。 （イ）訂正事項１８Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１８＞に 「上記電子材料製造用薬液が、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物用の溶剤、現像液、リンス液、プリウェット液、洗浄液、エッチング液、剥離液、又は、トップコート溶剤である、＜１５＞～＜１７＞のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液の製造方法。」と記載されているのを 「薬液中のＳｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度に応じて、上記薬液中の粒子性メタルの低減化方法を選択し、選択された上記低減化方法を用いて、上記鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、上記銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、上記亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の内の少なくとも１つを低減する、電子材料製造用薬液の製造方法であって、上記低減化方法が、薬液を蒸留する方法を含み、 上記低減化方法を用いて、上記薬液中の、上記鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、上記銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、上記亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和を、１００ｐｐｔ以下とし、 上記電子材料製造用薬液が、半導体デバイス製造用薬液であって、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物用の溶剤、現像液、リンス液、プリウェット液、洗浄液、エッチング液、剥離液、又は、トップコート溶剤（ただし、イソプロピルアルコール、コリン水溶液、コリン洗浄液、及びテトラメチルアンモニウム・ヒドロキシド溶液を除く）である、電子材料製造用薬液の製造方法。」に訂正する。 ツ 訂正事項１９ 訂正事項１９は訂正事項１９Ａ及び訂正事項１９Ｂからなる。 （ア）訂正事項１９Ａ 特許請求の範囲の請求項１９に 「前記容器は、請求項１～５のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液が収容された収容部を有する、容器。」と記載されているのを 「前記容器は、下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液が収容された収容部を有する、容器。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 （イ）訂正事項１９Ｂ 本件明細書の段落【００１０】の＜１９＞に 「上記容器は、＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液が収容された収容部を有する、容器。」と記載されているのを 「上記容器は、下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液が収容された収容部を有する、容器。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、上記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 上記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」に訂正する。 （２）一群の請求項について ア 訂正後の請求項１、６～９、１２、１４、１９～２０ 訂正前の請求項６～９、１２、１４、１９、２０は、訂正前の請求項１を直接的又は間接的に引用しており、訂正事項１Ａに係る訂正によって連動して訂正されるものであるから、訂正後の請求項１、６～９、１２、１４、１９、２０は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 イ 訂正後の請求項２～３、６～８、１０、１１、１４、１９～２０ 訂正前の請求項３、６～８、１０、１１、１４、１９、２０は、訂正前の請求項２を直接的又は間接的に引用しており、訂正事項２Ａに係る訂正によって連動して訂正されるものであるから、訂正後の請求項２～３、６～８、は、１０、１１、１４、１９～２０特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ウ 訂正後の請求項４、６～９、１２、１４、１９～２０ 訂正前の請求項６～９、１２、１４、１９～２０は、訂正前の請求項４を直接的又は間接的に引用しており、訂正事項４Ａに係る訂正によって連動して訂正されるものであるから、訂正後の請求項４、６～９、１２、１４、１９～２０は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 エ 訂正後の請求項５～８、１０～１２、１４、１９～２０ 訂正前の請求項６～８、１０～１２、１４、１９～２０は、請求項５を直接的又は間接的に引用しており、訂正事項５Ａに係る訂正によって連動して訂正されるものであるから、訂正後の請求項５～８、１０～１２、１４、１９～２０は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 オ 訂正後の請求項１３～１４ 訂正前の請求項１４について、請求項１３を引用しており、訂正事項１３Ａに係る訂正によって連動して訂正されるものであるから、訂正後の請求項１３～１４は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 カ 訂正後の請求項１５～１８ 訂正前の請求項１６～１８は、請求項１５を引用しており、訂正事項１５Ａに係る訂正によって連動して訂正されるものであるから、訂正後の請求項１５～１８は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ここで、上記ア～カによれば、上記各「一群の請求項」は、請求項１４を共有するから、特許法施行規則第４５条の４の規定によれば、結局、訂正後の請求項１～１４、１９～２０が、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項となる。 （３）別の訂正単位とする求め 特許権者は、請求項についての訂正が認められる場合は、下記ア～カのとおり、それぞれ別の訂正単位として訂正することを求めている。 ア 請求項１、２、３、５、７ イ 請求項６ ウ 請求項８ エ 請求項９～１２、１４ カ 請求項１８ キ 請求項１９、２０ ３ 訂正の適否についての判断 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１Ａによる訂正は、訂正前の請求項１において「有機系現像液」の材料が限定されていなかったものを、「イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く」ことによって材料をより限定することを目的としたものであるから、特許法１２０条の５第２項ただし書１号（特許請求の範囲を減縮）に掲げる事項を目的とするものである。 そして、訂正事項１Ｂによる訂正は、訂正事項１Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項１による訂正によって連動して訂正される請求項についても同様である。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１Ａ及び１Ｂによる訂正は、訂正前の「有機系現像液」から、決定の予告の甲１に記載されたイソプロピルアルコール及び同決定の予告で引用された甲７の【表１】～【表３】に記載された精製前後の有機溶媒を除くものであって、新規事項の追加に該当せず、本件出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的の適否 訂正事項２Ａによる訂正は、訂正前の請求項２における「電子材料製造用薬液」から「アルカリ現像剤」を除いて「プリウェット液、又はリンス液」に限定し、さらに「イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く」ものであることから、上記電子材料製造用薬液の液種及び材料をより限定することを目的としたものであって、特許法１２０条の５第２項ただし書１号（特許請求の範囲を減縮）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項２Ｂは、訂正事項２Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項、拡張又は変更の存否 上記（１）と同様、訂正事項２による訂正が、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項２による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 なお、訂正事項３は欠番である。 （３）訂正事項４、１３、１５～１７について ア 訂正の目的の適否 訂正事項４Ａ、１３Ａ、１５Ａ～１７Ａによる訂正は、それぞれ訂正前の請求項４、１３、１５～１７を削除するものである。 したがって、訂正事項４Ａ、１３Ａ、１５Ａ～１７Ａによる訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書１号（特許請求の範囲を減縮）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項４Ｂ、１３Ｂ、１５Ｂ～１７Ｂは、それぞれ訂正事項４Ａ、１３Ａ、１５Ａ～１７Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項４、１３、１５～１７による訂正が、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項４、１３、１５～１７による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 （４）訂正事項５について ア 訂正の目的の適否 訂正事項５による訂正は、訂正前の請求項５における「プリウェット液、又はリンス液」を「イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く」ものとするものであることから、「プリウェット液、又はリンス液」の材料をより限定することを目的としたものであって、特許法１２０条の５第２項ただし書１号（特許請求の範囲を減縮）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項５Ｂは、訂正事項５Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記（１）と同様、訂正事項５による訂正が、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項２による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 （５）訂正事項６、８、９、１９について ア 訂正の目的の適否 訂正事項６Ａ、８Ａ、９Ａ及び１９Ａによる訂正は、訂正事項４Ａによる請求項４の削除にともなって、訂正前に引用していた複数の請求項から請求項４を除外し、残りの請求項に対して「イソプロピルアルコールを除く」という限定を付加し、さらにこれらの請求項の記載を引用しないものにする訂正である。 したがって、訂正事項６Ａ、８Ａ、９Ａ及び１９Ａによる訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書１号（特許請求の範囲の減縮）及び第４号（特許請求の範囲を減縮及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項６Ｂ、８Ｂ、９Ｂ及び１９Ｂによる訂正は、訂正事項６Ａ、８Ａ、９Ａ及び１９Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記（１）及び（３）と同様、訂正事項６、８、９及び１９による訂正が、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項６、８、９及び１９による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 （６）訂正事項７、１４について ア 訂正の目的の適否 訂正事項７Ａ、１４Ａによる訂正は、訂正事項４Ａによる請求項４の削除にともなって、訂正前に引用していた複数の請求項から請求項４を除外し、残りの請求項に対して「イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く」という限定を付加する訂正である。 したがって、訂正事項７Ａ、１４Ａによる訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書１号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項７Ｂ、１４Ｂによる訂正は、訂正事項７Ａ、１４Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記（１）及び（３）と同様、訂正事項７、１４による訂正が、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項７、１４による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 （７）訂正事項１０、１１について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１０Ａ、１１Ａは、引用する複数の請求項に対して「（ただし、イソプロピルアルコールを除く）」という記載によってイソプロピルアルコールを除く限定をし、その上で、これらの請求項の記載を引用しないものにする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号（特許請求の範囲の減縮）及び第４号（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項１０Ｂ、１１Ｂによる訂正は、訂正事項１０Ａ、１１Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記（１）と同様、訂正事項１０、１１による訂正が、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項１０、１１による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 （８）訂正事項１２について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１２Ａのうち、「工程（１）の前記プリウェット液」という記載を「工程（１’）の前記プリウェット液」とする事項は、請求項１２の上記「工程（１）の前記プリウェット液」という記載における「前記プリウェット液」が、「（１’）基板上にプリウェット液を塗布し」という記載における「プリウェット液」を指し示すものであるにもかかわらず、訂正前に「工程（１）」と記載されていたために両者の対応関係が明瞭でなかったのを解消するためのものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 そして、訂正事項１２Ａのうち、残りの事項は、引用する複数の請求項から請求項４を除外し、残りの請求項に対して「（ただし、イソプロピルアルコールを除く）」という記載によってイソプロピルアルコールを除く限定をし、その上で、これらの請求項の記載を引用しないものにする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号（特許請求の範囲の減縮）及び第４号（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項１２Ｂによる訂正は、訂正事項１２Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記（１）と同様、訂正事項１２による訂正が、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項１２による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 （９）訂正事項１８について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１８Ａは、訂正事項１５Ａ、１６Ａ、１７Ａによって請求項１５、１６、１７が削除されることにともなって、請求項１５、１６、１７の記載を引用する請求項１８の記載を請求項１５、１６、１７の記載を引用しないものにするとともに、「（ただし、イソプロピルアルコール、コリン水溶液、コリン洗浄液、及びテトラメチルアンモニウム・ヒドロキシド溶液を除く）」という記載を追加することによって、「溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物用の溶剤、現像液、リンス液、プリウェット液、洗浄液、エッチング液、剥離液、又は、トップコート溶剤」から、「イソプロピルアルコール、コリン水溶液、コリン洗浄液、及びテトラメチルアンモニウム・ヒドロキシド溶液」を除外するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号（特許請求の範囲の減縮）及び第４号（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）に掲げる事項を目的とするものである。 また、訂正事項１８Ｂによる訂正は、訂正事項１８Ａによる上記訂正にともなって、特許請求の範囲の記載と本件明細書の記載を整合させるための訂正、すなわち、特許法１２０条の５第２項ただし書３号（明瞭でない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１８による訂正は、訂正前の「薬液」から、決定の予告の甲１、参考資料１、参考資料４又は甲３に記載された、イソプロピルアルコール、コリン水溶液、コリン洗浄液及びＴＭＡＨを除くために、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 したがって、訂正事項１８による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 ４ 本件訂正請求についてのまとめ 上記３によれば、本件訂正請求による訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書、同条第９項において準用する同法１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、結論に記載のとおり、特許第６７４５３３２号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲及び訂正明細書のとおり、訂正後の請求項〔１～３、５、７〕、６、８、〔９～１２、１４〕、１８、〔１９～２０〕のとおり訂正することを認める。 第３ 本件特許発明 上記「第２」のとおり、本件訂正請求による訂正は認められた。 そうしてみると、特許異議の申立ての対象となっている、請求項１～請求項２０に係る発明は、本件訂正請求による訂正後の特許請求の範囲の請求項１～請求項２０に記載された事項によって特定されるとおりの、以下のものである。 なお、各請求項に係る訂正後の特許発明をその請求項の番号に基づいて、「本件特許発明１」などといい、全ての請求項に係る特許発明を総称して、「本件特許発明」ということがある。 「【請求項１】 Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ 【表１０１】 ［図：0001400403000002.jpg］ 【請求項２】 Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である、電子材料製造用薬液。 【表１０２】 ［図：0001400403000003.jpg］ 【請求項３】 Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、請求項２に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ 【請求項４】 （削除） 【請求項５】 Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ 【表１０３】 ［図：0001400403000004.jpg］ 【請求項６】 １０ｎｍ以下のライン幅を有するパターン形成用である下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ 【請求項７】 電子材料製造用薬液を保管する容器であって、 前記容器は、請求項１～３及び５のいずれか１項に記載の電子材料製造用薬液が収容された収容部を有する、容器。 【請求項８】 薬液中のＳｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度に応じて、前記薬液中の粒子性メタルの低減化方法を選択し、選択された前記低減化方法を用いて、前記鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、前記銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、前記亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の内の少なくとも１つを低減する、下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液の製造方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ 【請求項９】 （１）溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 （２）前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び （４）露光した前記感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程を有するパターン形成方法であって、 工程（４）の前記現像液が、下記［１］に記載の電子材料製造用薬液である、パターン形成方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ 【請求項１０】 （１）溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 （２）前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、 （４）露光した前記感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程、及び、 （５）現像された前記感活性光線性又は感放射線性膜を、リンス液を用いて洗浄する工程を有するパターン形成方法であって、 工程（５）の前記リンス液が、下記［２］、［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液としてのリンス液である、パターン形成方法。 ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ 【請求項１１】 （１’）基板上にプリウェット液を塗布し、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 （２）前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び （４）露光した前記感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程を有するパターン形成方法であって、 工程（１’）の前記プリウェット液が、下記［２］、［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液としてのプリウェット液である、パターン形成方法。 ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ 【請求項１２】 （１’）基板上にプリウェット液を塗布し、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 （２）前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び （４）露光した前記感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程、及び、 （５）現像された前記感活性光線性又は感放射線性膜を、リンス液を用いて洗浄する工程を有するパターン形成方法であって、 工程（１’）の前記プリウェット液、工程（４）の前記現像液、及び工程（５）の前記リンス液の少なくとも２つが、下記［１］又は［５］に記載の電子材料製造用薬液であり、 得られるパターンが、１０ｎｍ以下のライン幅を有するパターンである、パターン形成方法。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ 【請求項１３】 （削除） 【請求項１４】 請求項９～１２のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。 【請求項１５】 （削除） 【請求項１６】 （削除） 【請求項１７】 （削除） 【請求項１８】 薬液中のＳｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度に応じて、前記薬液中の粒子性メタルの低減化方法を選択し、選択された前記低減化方法を用いて、前記鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、前記銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、前記亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の内の少なくとも１つを低減する、電子材料製造用薬液の製造方法であって、前記低減化方法が、薬液を蒸留する方法を含み、 前記低減化方法を用いて、前記薬液中の、前記鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、前記銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、前記亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和を、１００ｐｐｔ以下とし、 前記電子材料製造用薬液が、半導体デバイス製造用薬液であって、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物用の溶剤、現像液、リンス液、プリウェット液、洗浄液、エッチング液、剥離液、又は、トップコート溶剤（ただし、イソプロピルアルコール、コリン水溶液、コリン洗浄液、及びテトラメチルアンモニウム・ヒドロキシド溶液を除く）である、電子材料製造用薬液の製造方法。 【請求項１９】 電子材料製造用薬液を保管する容器であって、 前記容器に検査液を充填し、２５℃、３０日間、保管後、前記検査液中のＳｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下であり、 前記容器は、下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液が収容された収容部を有する、容器。 ［１］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ ［２］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ［３］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、前記［２］に記載の電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ ［５］Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がプリウェット液、又はリンス液（ただし、イソプロピルアルコールを除く）である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ 【請求項２０】 前記検査液が、純水、前記容器に保管しようとする電子材料製造用薬液、又は、前記容器に保管しようとする電子材料製造用薬液を構成する原料の一部または複数を混ぜた混合液である、請求項１９に記載の容器。」 以下、便宜上、上記【表１０１】～【表１０３】（いずれも内容は同一）を「本表」ということがある。 第４ 申立ての理由及び職権で通知した取消しの理由の概要並びに証拠方法 １ 申立ての理由等の概要 （１）申立理由１（甲１を主引用例とした新規性・進歩性） 本件特許発明１～３、５、７、１９及び２０は、甲１に記載された発明である。 あるいは、本件特許発明１～３、５、７、１９及び２０は、甲１に記載された発明、甲２及び甲４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 さらに、本件特許発明６は、甲１に記載された発明及び甲４に記載された発明、又は甲３に記載された発明及び甲４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２）申立理由２（甲３を主引用例とした新規性・進歩性） 本件特許発明４は、甲３に記載された発明である。 あるいは、本件特許発明４、６～１８は、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）申立理由３（甲４を主引用例とした新規性・進歩性） 本件特許発明９～１４は、甲４に記載された発明並びに甲１、甲２及び甲３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （４）申立理由４（甲５を主引用例とした新規性・進歩性） 本件特許発明８、１５～１８は、甲５に記載された発明並びに甲１及び甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （５）申立理由５（明確性要件） 本件特許発明１２及び１３の「工程（１）の前記プリウェット液」は、どの「プリウェット液」を指し示しているのか明らかでない。 したがって、本件特許発明１２及び１３は、明確であるということができない。 （６）申立理由６（実施可能要件及びサポート要件） 本件特許発明１～５、１３、１６、１９では、ΣＭｐ及びΣＭｉの上限値のみを規定し、下限値については何ら規定されていないから、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件特許発明１～５、１３、１６、１９を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。 また、同様の理由により、本件特許発明１～５、１３、１６、１９は発明の詳細な説明に記載したものとはいえない。 上記（１）～（６）のほか、特許異議申立人は、令和３年１０月１１日付け及び令和４年７月２１日付け意見書にて、さらに次の理由を申立てている。 （７）申立理由７（参考資料２を主引用例とした新規性） 本件特許発明１～３、５、１３、１６、１９は、参考資料２に記載された発明である。 （８）申立理由８（甲７を主引用例とした新規性・進歩性） 本件特許発明１～３、５、７は、甲７に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一である。 なお、本理由は、後記「第６」で述べる理由（優先権主張の効果）により、職権による取消理由（甲７を主引用例とした拡大先願）として、令和４年１０月３日付け取消理由通知（決定の予告）で採用されたものである。 また、当合議体は、令和４年３月７日付け取消理由通知（決定の予告）にて、参考資料４を主引用例とした、次の取消しの理由を職権で通知した。 （９）取消理由（参考資料４を主引用例とした新規性・進歩性） 本件特許発明２～４、６は、参考資料４に記載された発明である。 あるいは、本件特許発明２～４、６～７、１９及び２０は、参考資料４に記載された発明、甲１に記載された発明及び甲４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ２ 証拠方法 甲１：特開平１１－２３６６６０号公報 甲２：特開２０１３－２３４４１号公報 甲３：再公表ＷＯ２０１２／０４３４９６号公報 甲４：特開２０１５－６４４９４号公報 甲５：特開２０１２－６２３００号公報 甲６：特開２０１３－２３５９５７号公報 甲７：特願２０１４－２０６０４３号（特開２０１６－７３９２２号公報参照） 参考資料１：ＷＯ２０１５／１２２９２０号 参考資料２：“Determination of Impurities in Organic Solvents used in the Semiconductor Industry with the NexION 300S/350S ICP-MS",2012年～2014年, PerkinElmer社技術資料 参考資料３："Analysis of Iron Nanoparticles in Organic Solvents Used in the Semiconductor Industry Using Single Particle ICP-MS in Reaction Mode", 2015年, PerkinElmer社技術資料 参考資料４：“Determination of Impurities in Semiconductor-Grade TMAH with the NexION 300S/350S ICP-MS",2012年～2014年, PerkinElmer社技術資料 参考資料５：本件出願の優先基礎出願である特願２０１６－７２９１７号の優先権証明書 参考資料６：本件出願の優先基礎出願である特願２０１７－４４２７３号の優先権証明書 第５ 当合議体が決定の予告にて通知した取消しの理由 令和４年１０月３日付け取消理由通知書（決定の予告）により通知した取消しの理由は、以下のとおりである。 ●理由１（甲７に基づく拡大先願） 本件特許発明１～３、５、７は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた甲７に係る特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明（甲７実施例発明１～１２）と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。 したがって、本件特許のうち、請求項１～請求項３、請求項５、請求項７に係る特許は、特許法２９条の２の規定に違反してされたものであるから、特許法１１３条２号に該当し、取り消されるべきものである。 第６ 本件特許発明の優先権主張の効果について 上記「甲７に基づく拡大先願」に係る取消理由の判断に先立ち、本件特許発明の優先権主張の効果について検討する。 特許異議申立人は、令和４年７月２１日付け意見書２～３頁において、参考資料５及び６に基づいて、本件特許発明の優先日の有効性について、本件特許発明１～２０の「薬液」のうち、酢酸ブチルについては最先の優先基礎出願である参考資料５に係る出願の出願当初の明細書に記載されているものの、酢酸ブチル以外の薬液に係る発明については、その実施例は、参考資料６に係る優先基礎出願の出願当初の明細書で追加されたのであるから、酢酸ブチル以外の薬液を用いる発明については、最先の優先日の効果（利益）を享受することができない旨の主張をするので、以下検討する。 本件特許発明１～２０が、最先の出願の優先権主張の効果を享受することができるためには、本件特許発明１～２０が、最先の出願の出願当初の明細書等に記載した事項の範囲内のものである必要があるところ、最先の優先基礎出願の出願当初の明細書（以下「最先当初明細書」という。）には、特許異議申立人が主張するとおり、酢酸ブチル以外の薬液に係る実施例（例えば、参考資料６に係る優先基礎出願の出願当初の明細書に記載された、シクロヘキサノンを用いたプリウェット液（実施例Ａ）やＰＧＭＥＡを用いたリンス液（実施例Ｄ）等）は記載されていない。 しかしながら、最先当初明細書の「電子材料製造用薬液は、有機溶剤を主成分とする薬液のみならず、水系溶剤を主成分とする薬液（アルカリ現像液や過酸化水素水のような）や有機溶剤と水系薬液の混合溶剤を主成分とする薬液も含まれる。」との記載（【００６９】）、【００７１】「プリウェット液の具体例としては・・・（中略）・・・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、シクロヘキサノン・・・（中略）・・・酢酸ブチル・・・、デカン等が挙げられる。」との記載（【００７１】）及び「本発明のパターン形成方法においては、工程（３）と工程（４）との間にリンスを行ってもよい。・・・・（中略）・・・リンス液としては、例えば、日本国特開２０１６－１３３４号公開公報に開示された疎水性溶媒とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの混合溶媒を挙げることができる。」との記載（【０２８２】）等並びに最先当初明細書に開示された、酢酸ブチルの実施例における各種不純物低減化手段（【０２９４】【表１】）に関連する開示内容に照らせば、本件特許発明における酢酸ブチル以外の部分が、実施例の開示がないことをもって直ちに最先当初明細書に記載された事項の範囲を超えるものであるということはできない。 したがって、本件特許発明１～２０は、最先の優先権基礎出願である、特願２０１６－７２９１７号の優先権主張の効果（優先日：平成２８年３月３１日）を享受することができる。 そうしてみると、特許異議申立人が新たに提出した甲７は公知日（平成２８年５月１２日）からみて、本件特許発明に対して、いわゆる、拡大先願の地位を有するものの、公知文献には該当しない。 以上を前提に、以下、判断する。 第７ 当合議体の判断（決定の予告で採用した申立理由８） １ 理由１（拡大先願）について （１）甲７に記載された発明等 ア 甲７の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面（以下、これらを単に「甲７」という。）の記載 甲７には、次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。 （ア）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 有機溶剤を循環させるポンプ、前記有機溶剤を貯蔵するタンク、及び前記有機溶剤を精製する手段を具備する有機溶剤の精製装置であって、 前記有機溶剤を精製する手段として、 （１）除粒子径が２０ｎｍ以下であるフィルターを備えたろ過手段と、 （２）金属イオン吸着手段と を具備するものであることを特徴とする有機溶剤の精製装置。 ・・・中略・・・ 【請求項６】 前記有機溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン、ジイソアミルエーテル、酢酸ブチル、又は４－メチル－２－ペンタノールであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機溶剤の精製装置。」 （イ）「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、有機溶剤の精製装置、特に半導体素子等を含む半導体装置の製造工程における微細加工に用いられるレジスト材料およびその関連材料（以後レジスト関連材料と呼ぶ）に使用される有機溶剤の精製装置に関する。 【背景技術】 【０００２】 半導体装置の製造工程で使用されているリソグラフィー技術は、光源の短波長化とそれに対する感光性レジスト組成物や下層膜の適切な選択により、微細な回路パターン形成に貢献し、半導体装置の高集積化と高速度化を牽引してきた。 【０００３】 このような回路パターン形成プロセスで使用されるレジスト関連材料中には、通常、原材料由来の金属不純物が含まれている。この回路パターン形成プロセスではドライエッチングによるパターン転写を繰り返すため、ドライエッチング条件ではこのような金属不純物がエッチングマスクとなって、半導体装置の被加工基板に異常なパターンが転写されてしまう場合がある。その場合、半導体装置の回路でオープン異常、ショート異常などの電気的な異常を示し、歩留まりを下げてしまう。現状、これを防ぐためには、原材料の精製が最も効果があるとされており、例えば、酸性水溶液と接触させることで原料ポリマーを精製する特許文献１のような方法が開示されている。 ・・・中略・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、レジスト関連材料中の金属不純物を低減すべく、レジスト関連材料に使用される有機溶剤中の金属不純物を十分に除去することができる有機溶剤の精製装置を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 上記課題を解決するため、本発明では、 有機溶剤を循環させるポンプ、前記有機溶剤を貯蔵するタンク、及び前記有機溶剤を精製する手段を具備する有機溶剤の精製装置であって、 前記有機溶剤を精製する手段として、 （１）除粒子径が２０ｎｍ以下であるフィルターを備えたろ過手段と、 （２）金属イオン吸着手段と を具備する有機溶剤の精製装置を提供する。 ・・・中略・・・ 【発明の効果】 【００１８】 以上説明したように、本発明の有機溶剤の精製装置であれば、有機溶剤中の金属不純物を除去することが可能となる。このような有機溶剤をレジスト関連材料に使用すれば、ドライエッチング後の欠陥のないパターン形成が可能となる。従って、本発明の装置で精製した有機溶剤は、液浸露光、ダブルパターニング、及び有機溶剤現像などの微細なパターンを形成するプロセスに用いられる材料として好適に使用することができ、最終的には、半導体装置の製造上の歩留まりを改善することができる。 ・・・中略・・・ 【００２４】 以下、本発明の実施の形態について図面を参照して具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 【００２５】 図１は、本発明の有機溶剤の精製装置の一例を示す概略図である。この装置は、有機溶剤を循環させるポンプ１、有機溶剤を貯蔵するタンク２、有機溶剤を精製する手段としてろ過手段３及び金属イオン吸着手段４、並びにこれらを接続するチューブ等から構成されている。ろ過手段３は、除粒子径が２０ｎｍ以下であるフィルター５Ａ、５Ｂを含む。これらのフィルター５Ａ、５Ｂは、例えば、ろ過機にセットされた状態で装置に設置することができる。 【００２６】 本発明の有機溶剤の精製装置は、除粒子径が２０ｎｍ以下であるフィルター５Ａ、５Ｂを備えたろ過手段３と、金属イオン吸着手段４とを具備する循環ろ過装置である。本発明では、ろ過手段３により有機溶剤から粒径２０ｎｍ以上の金属粒子を除去し、金属イオン吸着手段４により金属イオンを吸着することで、有機溶剤中に粒子又はイオンの状態で存在する金属不純物を効率的に分離除去することができる。 ・・・中略・・・ 【００３２】 本発明の精製装置で精製する有機溶剤としては、特に限定されず、例えば、一般的にレジスト関連材料に使用されているもの、即ち、レジスト材料やレジスト下層膜材料で使用されているポリマー、酸発生剤、架橋剤、その他添加剤等が溶解するものを挙げることができる。 ・・・中略・・・ 【００３３】 上記の有機溶剤の中でも、特に好ましいのはプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン、ジイソアミルエーテル、及び酢酸ブチル、４－メチル－２－ペンタノールである。 【００３４】 本発明の有機溶剤の精製装置は、上記の有機溶剤からの金属不純物の除去に対して特に有効である。 【００３５】 上記のレジスト材料やレジスト下層膜材料としては、パターニング工程で使用される感光性フォトレジスト膜形成用組成物、有機レジスト下層膜形成用組成物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、有機平坦化膜形成用組成物などのドライエッチングに対してエッチング耐性を示す塗布膜を形成できる材料を例示できる。一方、レジスト関連材料として、液浸リソグラフィー工程で使用されるような保護膜形成用組成物、上記の塗布膜を形成する際に事前に基板をプリウエットして塗布性を改善するために使用される有機溶剤、上記の塗布膜をウエハーに塗布した後ウエハーの端面や裏面に付着した余分な塗布液を洗浄除去する有機溶剤、配管を洗浄する際に使用される洗浄用有機溶剤、有機溶剤現像工程で使用される有機現像液などを例示できる。 【００３６】 図２は、本発明の有機溶剤の精製装置の応用例を示す概略図である。この装置は、図１に示される構成要素に加え、有機溶剤をレジスト関連材料製造装置７に供給するためのチューブと、有機溶剤の循環とレジスト関連材料製造装置７への供給を切り替えるバルブ６Ａ、６Ｂをさらに具備している。本発明の有機溶剤の精製装置は、簡便なろ過循環装置であるため、レジスト関連材料製造装置の近傍に設置することが可能であり、レジスト関連材料の製造に必要な量を迅速に精製できる。 ・・・中略・・・ 【００３８】 本発明の装置を用いた精製方法では、精製した（あるいは精製中の）有機溶剤における金属不純物の含有量を測定してもよい。この測定では、誘導結合プラズマ質量分析機（ＩＣＰ－ＭＳ）を検出器として用いて、有機溶剤中に含まれている金属不純物の濃度を算出することが好ましい。このＩＣＰ－ＭＳを検出器として用いた場合、０．１ｐｐｔまでは正確に量を算出できるため、有機溶剤中の金属不純物の含有量を確認する方法として好適に用いることができる。」 （ウ）「【実施例】 【００４１】 以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。なお、実施例及び比較例において、有機溶剤中の金属不純物の含有量の測定、及び塗布欠陥数の測定は、以下のように行った。 【００４２】 〔金属不純物の含有量の測定〕 有機溶剤中の金属不純物の含有量は、アジレント・テクノロジー社製７７００ｓで測定した。 【００４３】 〔塗布欠陥数の測定〕 有機溶剤を東京エレクトロン社製クリーントラックＡＣＴ１２を用いてシリコンウエハーに１５００ｒｐｍで回転塗布し、スピンドライでウエハーを乾燥した。このウエハーの表面をＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製暗視野欠陥検査装置ＳＰ－２で検査し、５５ｎｍ以上の塗布欠陥数を測定した。 【００４４】 （実施例１） 図２に示される装置を使用した。内面がテフロン（登録商標）コーティングされた容量２００Ｌのステンレス製循環液タンク２、オールフッ素樹脂製ポンプ１、内面がテフロンライニングされた容器にセットされた金属イオン吸着手段４（３Ｍ社製、ゼータプラスＥＣ）、高密度ポリエチレン製ろ過機にセットされたナイロンフィルター５Ａ（ポール社製ウルチプリーツ－Ｐナイロン、２０インチ、除粒子径２０ｎｍ）、高密度ポリエチレン製ろ過機にセットされたポリエチレン製フィルター５Ｂ（インテグリス社製マイクロガード、２０インチ、除粒子径３ｎｍ）を、それぞれ外径１２ｍｍのＰＦＡチューブで接続し、途中、テフロン製バルブ６Ａ、６Ｂを設置して、有機溶剤の循環とレジスト関連材料製造装置７への供給を切り替えることができるようにした。 【００４５】 次に、有機溶剤として、電子材料グレードのプロピレングリコールモノメチルアセテート（以後、ＰＧＭＥＡとする）をタンク２に１８０Ｌ仕込み、少量サンプリングして、精製前の金属不純物の含有量の測定と塗布欠陥数の測定を行った。その結果を表１に示す。 【００４６】 次に、ポンプ１を稼働させ、ＰＧＭＥＡがタンク２、金属イオン吸着手段４、フィルター５Ａ、フィルター５Ｂ、タンク２の順番で流通するようにバルブ６Ａ、６Ｂをセットして、４０Ｌ／時の速度で１０時間循環させ、精製を行った。得られたＰＧＭＥＡ中の金属不純物の含有量及び塗布欠陥数の測定結果を表１に示す。 【００４７】 【表１】 ［図：0001400403000005.jpg］ 【００４８】 表１に示されるように、本発明の有機溶剤の精製装置によって、ＰＧＭＥＡ中の金属不純物を３ｐｐｔ以下まで除去することができた。また、本発明の有機溶剤の精製装置を使用すると、塗布欠陥数が減少することが分かった。 【００４９】 （実施例２～１２） ＰＧＭＥＡの代わりに、有機溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥ）、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧＰ）、乳酸エチル（ＥＬ）、メトキシプロピオン酸メチル（ＭＭＰ）、シクロペンタノン（ＣＰ）、シクロヘキサノン（ＣＨ）、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジイソアミルエーテル（ＤＡＥ）、酢酸ブチル（ＢＡ）、及び４－メチル－２－ペンタノール（４ＭＰ）を用い、実施例１と同じ条件でそれぞれ精製を行った。得られた有機溶剤中の金属不純物の含有量及び塗布欠陥数の測定結果を表２に示す。 【００５０】 【表２】 ［図：0001400403000006.jpg］ 【００５１】 表２に示されるように、本発明の有機溶剤の精製装置であれば、上記の有機溶剤における金属不純物の除去に有効であり、塗布欠陥を減少させることができることが分かった。」 （エ） 「 ［図：0001400403000007.jpg］ 」 イ 甲７に記載された発明 （ア）甲７実施例発明１ 上記「ア（ウ）」によれば、甲７には、実施例１として【００４４】及び図２に記載された精製装置２を用いて、【００４７】【表１】（金属不純物の含有量の測定は、【００４２】に記載の測定装置で行われたものである。）に示される金属含有量（ｐｐｔ）となるまで精製を行って得られた、ＰＧＭＥＡが記載されている。 また、甲７の【００１８】及び【００３５】の記載から、上記ＰＧＭＥＡは、基板をプリウェットして塗布性を改善するために使用される有機溶剤、ウエハーの端面や裏面に付着した余分な塗布液を洗浄除去する有機溶剤、有機溶剤現像工程で使用される有機現像液等のレジスト関連材料に使用すれば、半導体装置の製造上の歩留まりを改善することができるものと理解される。 以上によれば、甲７には、次のＰＧＭＥＡの発明（以下「甲７実施例発明１」という。）が記載されていると認められる。 「基板をプリウェットして塗布性を改善するために使用される有機溶剤、ウエハーの端面や裏面に付着した余分な塗布液を洗浄除去する有機溶剤、有機溶剤現像工程で使用される有機現像液等のレジスト関連材料に使用する、金属不純物の含有量が下記表の精製後の行に示されるとおりである、ＰＧＭＥＡ。 ［図：0001400403000008.jpg］ ここで、上記表中の金属含有量（ｐｐｔ）は、アジレント・テクノロジー社製７７００ｓで測定した値である。」 （イ）甲７実施例発明１２ 甲７の【００５０】【表２】（実施例１２）には、有機溶剤のうち「４ＭＰ」（４－メチル－２－ペンタノール）の発明（以下「甲７実施例発明１２」という。）が記載されていると認められる。 「基板をプリウェットして塗布性を改善するために使用される有機溶剤、ウエハーの端面や裏面に付着した余分な塗布液を洗浄除去する有機溶剤、有機溶剤現像工程で使用される有機現像液等のレジスト関連材料に使用すれば、半導体装置の製造上の歩留まりを改善することができ、金属不純物の含有量が下記表に示されるとおりである、４ＭＰ。 ［図：0001400403000009.jpg］ ［図：0001400403000010.jpg］ ここで、上記表中の金属含有量（ｐｐｔ）は、アジレント・テクノロジー社製７７００ｓで測定した値である。」 （ウ）甲７にその他の実施例及び比較例として開示された発明 甲７の【００５０】【表２】（実施例２～１１）及び【表３】（比較例１～３）に記載された、各有機溶剤の発明を、以下、実施例の番号を末尾に付して、以下、「甲７実施例発明２」、「甲７実施例発明３」等という。 （２）対比 本件特許発明１と甲７実施例発明１を対比する。 ア 薬液 甲７実施例発明１の「ＰＧＭＥＡ」は、「基板をプリウェットして塗布性を改善するために使用される有機溶剤、ウエハーの端面や裏面に付着した余分な塗布液を洗浄除去する有機溶剤、有機溶剤現像工程で使用される有機現像液等のレジスト関連材料に使用すれば、半導体装置の製造上の歩留まりを改善することができる」ものである。 また、ＰＧＭＥＡが半導体製造用薬液の有機系現像剤として一般的に使用されていることは、例えば、甲４の【０３８８】（ＳＧ－６）等に例示されるように技術常識である。 そうすると、甲７実施例発明１の「ＰＧＭＥＡ」と本件特許発明１の「電子材料製造用薬液」とは、「有機系現像液」である点において共通する。 イ 粒子性メタル及びイオン性メタルの濃度 甲７実施例発明１の「ＰＧＭＥＡ」の不純物含有量（ｐｐｔ）の値は、測定装置からみて、誘導結合プラズマ質量分析機（ＩＣＰ－ＭＳ）を検出器として用いて測定したものと理解するのが自然であるところ、当該測定値は、いずれの原子についても粒子性メタルの濃度とイオン性メタルの濃度との合計値であることは当業者に自明である。 そして、甲７実施例発明１の「ＰＧＭＥＡ」に含まれる金属不純物のうち、鉄、銅及び亜鉛の含有量（粒子性メタルとイオン性メタルの合計量）は、それぞれ順に「１ｐｐｔ」、「２ｐｐｔ」及び「１ｐｐｔ」であって、その合計値は４ｐｐｔである。 そうすると、甲７実施例発明１が、本件特許発明１の「ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ」及び「ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ」との要件を満たすことは明らかである。 以上によれば、本件特許発明１と甲７実施例発明１とは、次の点で一致ないし相違する。 （一致点） 「Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす、電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液である、電子材料製造用薬液。 ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ」 （相違点７－１） 「有機系現像液」が、本件特許発明１は、「（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）」という要件を満たすのに対して、甲７実施例発明１の「ＰＧＭＥＡ」は下記表に記載されたものであって、当該要件を満たさない点。 （当合議体注：上記「下記表」とは「本表」のことである。なお、本表の再掲は省略する。以下、同様。） （３）判断 甲７実施例発明１は、甲７において実施例１として開示された、特定の金属不純物の含有量である「ＰＧＭＥＡ」の発明であるところ、本件特許発明１は、前記「ＰＧＭＥＡ」の発明が除かれたものであるから、相違点７－１は実質的な相違点である。 したがって、本件特許発明１は甲７実施例発明１と同一ではない。 （４）特許異議申立人の主張 令和５年１月２６日付け意見書（特許異議申立人）２頁下から１０行～末行において、特許異議申立人は、甲７の段落[００３８]の記載を根拠にして、甲７には、本件訂正請求によって除かれた有機溶剤は精製前の原料あるいは最終的な精製後の結果物のみが記載されているわけではない旨主張する。 上記主張について検討する。 確かに、甲７の同段落には精製中の有機溶剤について測定してもよい旨の記載がある。しかしながら、上記（３）で述べたとおり、本件特許発明１は、特定の金属種（鉄、銅、亜鉛）に着目したとき、その含有量がｐｐｔレベルの特定の条件を同時に満たすことに特徴を有する発明であるところ、甲７には、本件特許発明１の発明特定事項を満たす具体的な記載はないし、また、他の全ての証拠をみても、甲７に記載された発明が、自ずと本件特許発明１の含有量に係る要件を満たすと判断することもできない。 したがって、上記主張は理由がない。 また、甲７に記載された他の実施例及び比較例に係る発明を主引用発明として検討した場合も同様である。 （５）本件特許発明７について 本件特許発明７は、本件特許発明１の全ての発明特定事項を含むものであるところ、本件特許発明１は甲７実施例１発明と同一ではないから、本件特許発明７も甲７実施例発明１と同一ではない。 （６）本件特許発明２、３及び５について ア 対比 本件特許発明２と甲７実施例発明１２を対比する。 （ア）薬液 ４ＭＰが半導体製造用薬液のリンス液として一般的に使用されていることは、例えば、甲４の【０３８７】～【０３８８】【表６】（実施例Ｎ－１）等に例示されるように技術常識である。 したがって甲７実施例発明１２の「４ＭＰ」と本件特許発明２の「電子材料製造用薬液」とは、「リンス液」である点において共通する。 （イ）粒子性メタル及びイオン性メタルの濃度 甲７実施例発明１２の「４ＭＰ」に含まれる金属不純物のうち、鉄、銅及び亜鉛の含有量（粒子性メタルとイオン性メタルの合計量）は、それぞれ順に「１ｐｐｔ」、「１ｐｐｔ」及び「３ｐｐｔ」 であって、その合計値は５ｐｐｔである。 ここで、甲２の【００２１】に示唆されるように、含有する金属の濃度がｐｐｔレベルの溶液においては、粒子性メタル濃度がイオン性メタル濃度より十分に小さいことは技術常識であること及び上記（２）イ（下線部）に照らせば、甲７実施例発明１２が、本件特許発明２の「Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である」との要件及び本件特許発明３の「ΣＭｐ≦ΣＭｉ≦１００ｐｐｔ」との要件並びに本件特許発明５の「ΣＭｐ≦４５ｐｐｔ」及び「ΣＭｉ≦５４９ｐｐｔ」との要件を満たす蓋然性は高い。 なお、上記「ΣＭｐ≦ΣＭｉ」の要件について、甲２のみならず、例えば、国際公開第２０１７／１６９８３２号の[表１－４]～[表１－６]及び[表２－２]には、全ての実施例及び比較例において、粒子性メタル濃度がイオン性メタル濃度より約１０分の１以下であることが示されており、このような事実からみても、上記技術常識が存在することが推認される。（上記国際公開公報は、公知文献ではないものの、希薄溶液の金属性不純物の状態という時間的に不変な事実を示すための文献である。） 以上によれば、本件特許発明２と甲７実施例発明１２とは、次の点で一致ないし相違する。 （一致点） 「Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和が１００ｐｐｔ以下である電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液がリンス液である、電子材料製造用薬液。」 （相違点７－２） 「リンス液」が、本件特許発明２は、「（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）」という要件を満たすのに対して、甲７実施例発明１２の「４ＭＰ」は下記表に記載されたものであって、当該要件を満たさない点。 イ 判断 上記（３）と同様の理由により、本件特許発明２は甲７実施例発明１２と同一ではない。 （７）甲７実施例発明２～甲７実施例発明１１を主引用発明とした場合 本件訂正請求の訂正内容からみて、甲７実施例発明１及び甲７実施例発明１２を主引用発明とした場合と同様の理由により、本件特許発明２、３、５及び７は、甲１発明１～甲７実施例発明１２のいずれとも同一ではない。 （８）小括 本件特許発明１～３、５、７は、甲７に係る当初明細書等に記載された発明と同一ではない。 第８ 取消理由通知書（決定の予告）で採用しなかった特許異議申立ての理由について １ 申立理由１（甲１を主引用例とした新規性・進歩性） （１）甲１に記載された発明 甲１の【０００１】、【０００３】、【００３４】～【００３５】及び表１の記載によれば、実施例１として、次の高純度ＩＰＡの発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。 「半導体を製造する高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を、電解研磨後、硫酸ニッケルを主成分とするメッキ浴中で電解メッキし、厚みが２０μｍのメッキ層が表面に形成されたＳＵＳ３０４ステンレス鋼製のＩＰＡ収納容器に満たし、温度５０℃で６ヶ月間保持した後の高純度ＩＰＡであって、溶出した金属イオンをＩＰＣ－ＭＳで分析した結果が、表１に示される、高純度ＩＰＡ。 ここで、表１は以下のものである ［図：0001400403000011.jpg］ 」 （２）対比 本件特許発明１と甲１発明を対比する。 ア 薬液の用途 甲１発明の「高純度ＩＰＡ」は、「半導体を製造する高純度ＩＰＡ（純度９９．９９％以上）を」「ＩＰＡ収納容器に満たし」たものである。 また、ＩＰＡが、半導体分野における有機系現像液として用いられることは技術常識である（必要ならば、甲４の【０３３６】～【０３３８】等を参照。）。 そうすると、甲１発明の「高純度ＩＰＡ」と本件特許発明１の「電子材料製造用薬液」とは、「有機系現像液」である点において共通する。 （３）一致点及び相違点 上記（１）によれば、本件特許発明１と甲１発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 （一致点） 「電子材料製造用薬液であって、 前記電子材料製造用薬液が有機系現像液である、電子材料製造用薬液。」 （相違点１－１－１） 「電子材料製造用薬液」が、本件特許発明１は「Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度の和をΣＭｐとし、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とＩＣＰ－ＭＡＳＳ法とにより測定される、鉄原子を含むイオン性メタルの濃度、銅原子を含むイオン性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含むイオン性メタルの濃度の和をΣＭｉとした場合に、ΣＭｐ及びΣＭｉが下記式を満たす」ものであるのに対して、甲１発明は、前記式を満たすか否か一応明らかでない点。 式：ΣＭｐ≦４．８８０ｐｐｔ、ΣＭｉ≦４９．６ｐｐｔ （相違点１－１－２） 「有機系現像液」が、本件特許発明１は、「（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）」という要件を満たすのに対して、甲１発明の「高純度ＩＰＡ」であって、当該要件を満たさない点。 （４）判断 上記（３）によれば、本件特許発明１は甲１発明と同一ではない。 また、事案に鑑み、相違点１－１－２について検討すると、甲１発明は、「ＩＰＡ」の発明であることを前提とする発明であるから、甲１発明において、当業者が相違点１－１－２に係る構成に容易に想到し得たとはいえない。 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は、当業者が甲１に記載された発明及び甲４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件特許発明２、３、５～７、１９及び２０について 本件特許発明２、３、５～７、１９及び２０と甲１発明とは、少なくとも相違点１－１－２のうち「イソプロピルアルコールを除く」という点において相違する。 したがって、本件特許発明１と結論は同様となる。 （６）小括 本件特許発明１～３、５～７、１９及び２０は、甲１に記載された発明と同一ではなく、また、当業者が甲１に記載された発明及び甲４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 ２ 申立理由２（甲３を主引用例とした新規性・進歩性） 申立理由２は、本件訂正請求によって削除された訂正前の請求項４に係る発明と、その従属請求項に係る訂正前の本件特許発明６～１８を申立ての対象とするものであるところ、訂正事項４に係る訂正によって、請求項４が削除され、それにともなって引用関係も解消されたものである。 したがって、申立理由２はその対象が存在しないものとなった。 ３ 申立理由３（甲４を主引用例とした新規性・進歩性）（１）本件特許発明９について ア 甲４発明 甲４の請求項９に係る「パターン形成方法」の発明を、以下「甲４方法発明」という。 イ 対比 本件特許発明９と甲４方法発明を対比する。 甲４方法発明が、本件特許発明９の（１）、（２）及び（４）の工程を具備することは明らかであるから、両者は次の点で一致ないし相違する。 （一致点） 「（１）溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、 （２）前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び （４）露光した前記感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程を有するパターン形成方法であって、 工程（４）の前記現像液が、電子材料製造用薬液である、パターン形成方法。」 （相違点） 「現像液」が、本件特許発明９では、「下記[１]に記載の」と特定されているのに対して、甲４方法発明は、このように特定されるものではない点。 （当合議体注：上記[１]は、「第３ 本件特許発明」の【請求項９】に記載のものである。） ウ 判断 上記相違点について検討する。 本件特許発明９の「現像液」は、「アルカリ現像液」及び「イソプロピルアルコール」が除かれたものである。したがって、本件特許発明９は、もはや甲４の【０３３４】、【０３３６】及び【０３３８】等の記載（現像液として、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドやイソプロピルアルコール等が記載されている。）に接した当業者が、甲４方法発明並びに甲１及び甲３に記載された「ＩＰＡ」及び「TMAH溶液」に関する技術的事項に基づいて、容易に想到し得たということはできない。 また、ｐｐｔレベルの稀少溶液中のイオン性金属の濃度と粒子性金属の濃度に関する技術常識を示す甲２を検討しても、上記結論が変わらないことは明らかである。 （２）本件特許発明１０～１４について 従属請求項に係る本件特許発明１０～１４についても上記（１）と同様である。 （３）小括 本件特許発明９～１４は、甲４に記載された発明並びに甲１、甲２及び甲３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４ 申立理由４（甲５を主引用例とした新規性・進歩性） （１）本件特許発明８について ア 甲５方法発明 甲５の【０００２】～【０００３】、【００１１】、【００２５】～【００３５】（特に、【００３２】及び【表２】）等に、実施方式１（実施例１）として記載された、超高純度電子級イソプロパノールの生産方法の発明を、以下「甲５方法発明」という。 イ 対比 本件特許発明８と甲５方法発明を対比すると、次の点で一致ないし相違する。 （相違点８－５－１） 「電子材料製造用薬液」が、本件特許発明８では、「下記［１］～［３］及び［５］のいずれか１つに記載の電子材料製造用薬液」と特定されているのに対して、甲５方法発明では、このように特定されていない点。 （当合議体注：上記[１] ～［３］及び［５］とは、「第３ 本件特許発明」の【請求項８】に記載のものである。） （相違点８－５－２） 「電子材料製造用薬液の製造方法」において、本件特許発明８は、「薬液中のＳｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される、鉄原子を含む粒子性メタルの濃度、銅原子を含む粒子性メタルの濃度、及び、亜鉛原子を含む粒子性メタルの濃度に応じて、前記薬液中の粒子性メタルの低減化方法を選択」するのに対して、甲５方法発明は、Ｓｉｎｇｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ ＩＣＰ－ＭＡＳＳ法により測定される粒子性メタルの濃度に応じて、粒子性メタルの低減化方法を選択するとは特定されていない点。 ウ 判断 事案に鑑み、相違点８－５－１について検討する。 本件特許発明８の「薬液」は、「アルカリ現像液」及び「イソプロピルアルコール」が除かれたものであるところ、甲５方法発明は、その製造対象たる「薬液」が「超高純度電子級イソプロパノール」であることを前提とした発明であって、甲５には、イソプロパノール以外に塩酸の製造方法が記載されているにとどまる。 したがって、本件特許発明８は、甲１及び甲３の開示内容にかかわらず、甲５方法発明を改良しようとする当業者が、相違点８－５－１に構成を採用しようと動機づけられることはない。 よって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明８は、甲５に記載された発明並びに甲１及び甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件特許発明１５～１７について 本件特許発明１５～１７は、本件訂正請求によって削除されたものである。 したがって、申立理由４はその対象が存在しないものとなった。 （３）本件特許発明１８について 本件特許発明１８の「薬液」は、「イソプロピルアルコール、コリン水溶液、コリン洗浄液、及びテトラメチルアンモニウム・ヒドロキシド溶液を除く」ものである。 したがって、上記（１）と同様である。 （４）小括 本件特許発明８、１５～１８は、甲５に記載された発明並びに甲１及び甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５ 申立理由５（明確性要件） 本件訂正請求の内容（訂正事項１２係る訂正内容）からみて、本件特許発明１２は明確である。 請求項１２を引用する本件特許発明１３も同様に明確である。 ６ 申立理由６（実施可能要件及びサポート要件） 申立理由６は、要するに、（１）本件特許発明の薬液の濃度の下限値が規定されていないことから、本件明細書の発明の詳細な説明に記載された、実施例に係る薬液の最小濃度（ΣＭｐの最小値が１．０１１ｐｐｔ（実施例１）、ΣＭｉの最小値が３２．８ｐｐｔ（実施例２））以下の薬液を当業者が製造することができるように発明の詳細な説明が明確かつ十分に記載されていないこと（実施可能要件違反）及び（２）本件特許発明は、明細書の記載により裏付けられる範囲をはるかに下回る態様を包含する（サポート要件違反）、というものである（特許異議申立書４１頁（６））。 しかしながら、上記実施例に係る最小値を下回る濃度については、例えば、発明の詳細な説明に記載された濃度低減手段である各種フィルタによる濾過ないし蒸溜処理を必要回数繰り返せば、特許異議申立人が主張する低濃度範囲の薬液を作ることができることは当業者であれば理解可能なことである。 したがって、申立理由６はいずれも理由がない。 ７ 申立理由７（参考資料２を主引用例とした新規性・進歩性） （１）本件特許発明１について ア 参考資料２発明 参考資料２の２頁左欄～右欄及び４頁の表２に記載された、Ｆｅ、Ｃｕ及びＺｎの各濃度（イオン濃度と粒子濃度の和）が、それぞれ３１、３．６及び２（ｐｐｔ）であって、それらの合計濃度が３６．６ｐｐｔである、「ＩＰＡ」の発明を、以下「参考資料２発明」という。 イ 対比・判断 本件特許発明１と参考資料２発明とを対比すると、両者は少なくとも次の点で相違する。 （相違点） 「有機系現像液」が、本件特許発明１は、「（ただし、イソプロピルアルコール及び下記表の各行で金属含有量がそれぞれ特定された０～１５の有機溶剤を除く）」という要件を満たすのに対して、参考資料２発明の「ＩＰＡ」は、当該要件を満たさない点。 したがって、本件特許発明１と参考資料２発明とは同一ではない。 また、参考資料２発明は、「ＩＰＡ」の発明であることを前提とする発明であるから、参考資料２発明において、当業者が上記相違点に係る構成に容易に想到し得たともいえない。 よって、本件特許発明１は、当業者が参考資料２に記載された発明及び甲２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件特許発明２～３、５～７、１９及び２０について 上記「第８」の「１（５）」と同様である。 なお、甲４は、イソプロピルアルコールを現像液として用いたパターン形成方法の発明が記載されているにとどまるから、甲４を考慮しても上記結論は変わらない。 （３）小括 本件特許発明１～３、５、７、１９及び２０は、参考資料２に記載された発明と同一ではなく、また、本件特許発明１～３、５～７、１９及び２０は、当業者が参考資料２に記載された発明並びに甲２及び甲４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 ８ 取消理由（参考資料４を主引用例とした新規性・進歩性） 取消理由は、「アルカリ現像液」を発明特定事項として包含する発明に対して申し立てられたものであるところ、本件訂正請求によって、本件特許発明２～３、６～７、１９及び２０は、少なくとも「アルカリ現像液」が削除される、又は、「アルカリ現像液」を具備する訂正前の請求項４が削除されることにともなって、当該請求項４を引用しないものとされた発明である。 参考資料４に記載された発明は、薬液が「ＴＭＡＨ溶液」であることが前提であるから、本件特許発明２～３、６～７、１９及び２０は、当業者が参考資料４に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 第９ まとめ 本件特許１～３、５～１２、１４、１８～２０は、決定の予告に記載した取消しの理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立ての理由によっては、取り消すことができない。 そして、他に本件特許１～３、５～１２、１４、１８～２０を取り消すべき理由を発見しない。 また、本件特許４、１３、１５～１７は、上記のとおり、訂正により削除された。これにより、特許異議申立人による特許異議の申立てについて、請求項４、１３、１５～１７に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。