2020-015922

特願２０１５－ １７３５５「光電変換素子および光電変換素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年 ８月 ８日出願公開、特開２０１６－１４３７２１〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成２７年１月３０日の出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。 平成３０年 ９月 ３日付け：拒絶理由通知書 平成３０年１１月 ９日 ：意見書、手続補正書の提出 平成３１年 ４月 ８日付け：拒絶理由通知書 令和 元年 ８月 ８日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ２年 １月２３日付け：拒絶理由通知書（最後） 令和 ２年 ３月３０日 ：意見書の提出 令和 ２年 ８月１２日付け：拒絶査定 令和 ２年１１月１８日 ：審判請求書の提出 令和 ４年 ３月２４日付け：拒絶理由通知書（当審） 令和 ４年 ５月３０日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１～６に係る発明は、令和４年５月３０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）後の請求項１～６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。ここで、「前記第１電極が、前記第１導電型非晶質半導体膜の前記前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置する部分まで広がって位置することにより、」の「前記前記」は、「前記」の明らかな誤記であるので、誤記を正した上で、本願発明を認定した。 ＜本願発明＞ 「第１導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上の第１導電型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜とを備え、 前記第２導電型非晶質半導体膜に互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部において、前記第１導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続されており、 前記第２導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続された面積が前記第１導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続された面積よりも広く、 前記第１導電型非晶質半導体膜上の第１電極と、 前記第２導電型非晶質半導体膜上の第２電極と、をさらに備え、 前記第２導電型非晶質半導体膜の部分である周縁部上に前記第１導電型非晶質半導体膜の一部が積層することにより、断面視において、前記第１導電型非晶質半導体膜の一部が前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置し、 前記第１電極が、前記第１導電型非晶質半導体膜の前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置する部分まで広がって位置することにより、平面視において、前記第１電極の幅が前記開口部の幅よりも大きくなるように形成されている、 光電変換素子。」 第３ 令和４年３月２４日付け拒絶理由通知書の拒絶の理由 上記拒絶の理由は、以下の内容を含むものである。 本件補正前の本願の請求項１及び４に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 １．特開２０１４－１８３３１２号公報 ２．国際公開第２００９／０９６５３９号（周知技術を示す文献） ３．国際公開第２０１４／１５７５２５号（周知技術を示す文献） ４．特表２００９－５４５１５８号公報（周知技術を示す文献） ５．特開２０１４－２２０２９１号公報（周知技術を示す文献） ６．特開２０１０－２８３４０６号公報（周知技術を示す文献） ７．特開２０１１－２５８９９６号公報（周知技術を示す文献） 第４ 引用文献の記載及び引用発明 １ 引用文献 （１）引用文献に記載された事項 令和４年３月２４日付け拒絶理由通知書で引用された上記引用文献１（特開２０１４－１８３３１２号公報、以下、単に「引用文献」という。）には、次の事項が記載されている。 「【０００１】 開示された技術は、ヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池を製造する方法に関する。さらにとりわけ、開示された技術は、シリコンヘテロ接合の相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池の組み合わされたエミッタ領域及び裏面電界領域を形成する方法に関する。」 「【０００２】 相互嵌合型バックコンタクト（ＩＢＣ）電池は、電池の裏側に全ての電気コンタクトを有し、それにより前側シェーディングロス（shading losses）を排除している。ＩＢＣ電池では、互いに組み合わされた（interdigitated）ｎ＋領域（例えば裏面電界領域を形成して）及びｐ＋領域（例えばエミッタ領域を形成して）、及び対応する互いに組み合わされたｎ型コンタクト及びｐ型コンタクトは、一般的に電池の裏側で使用される。」 「【００２４】 本開示の文脈において、相互嵌合型（interdigitated）は、混じり合った、組み合わされた、を意味し、よって一つのグループからの要素と別のグループからの要素とが交互に存在することを意味する。特に、相互嵌合（interdigitation）は、光起電力電池の裏側コンタクト、及びＩＢＣ光起電力電池のエミッタ領域及びＢＳＦ領域に関する。相互嵌合型電極、並びに相互嵌合型エミッタ領域及びＢＳＦ領域は、例えば櫛状あるいは指状であることができ、例えば複数の指状要素を備えることができる。」 「【００２６】 図１は、ヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池の断面を概略的に示す。この電池は、電池の裏側で全ての電気コンタクト、即ちＢＳＦ領域１４へのベースコンタクト２４及びエミッタ領域１２へのエミッタコンタクト２２を有する。基板１０は、例えば単結晶、多結晶あるいは多結晶性シリコン基板のような結晶性シリコン基板である。ＢＳＦ領域１４及びエミッタ領域１２は、水素化アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ：Ｈ）で作製されている。例えば、基板１０がｎ型基板である場合、ＢＳＦ領域１４は、ｎ型ａ－Ｓｉ：Ｈ層を含んでおり、例えば５ｎｍと５０ｎｍとの間の厚さを有し、エミッタ領域１２は、ｐ型のａ－Ｓｉ：Ｈ層を含んでおり、例えば５ｎｍと５０ｎｍとの間の厚さを有している。ＢＳＦ領域１４とシリコン基板１０との間の界面に、第１の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３が存在可能であり、及び／又はエミッタ領域１２とシリコン基板１０との間の界面に、第２の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１１が存在可能である。第１の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３及び第２の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１１の厚さは、好ましくは１ｎｍと１０ｎｍとの間である。内側層は、ドープされていない、あるいは意図的にドープされない層である。それは、好ましくは１０１２ｃｍ－３未満のドーピングレベルを有する。」 「【００２９】 最初に、図２に図示するように、第２の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１１が結晶性シリコン基板１０の裏面に堆積され、その後、第２の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１１にｐ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１２が堆積される。ｐ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１２のドーピングレベルは、好ましくは１０２０ｃｍ－３と１０２２ｃｍ－３との間にある。この層の厚さは、好ましくは５ｎｍと５０ｎｍとの間にある。別の記述では、結晶性シリコン基板１０はｎ型ドーピングを有してもよい。そのような実施形態では、ｐ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１２は、光起電力電池のエミッタ領域を形成するために使用される。しかしながら、本開示はそれに限定されず、シリコン基板１０はまたｐ型にドープされてもよく、ｐ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１２は光起電力電池のＢＳＦ領域を形成するために使用されてもよい。 【００３０】 次に、図３に図示するように、ｐ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１２及び第２の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１１はパターン化され、それにより、ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所（第２領域１０２）でこれらの層を除去し、エミッタ領域が形成されることになっている場所（第１領域１０１）にのみそれらの層を残す。パターニングは、例えばリソグラフィーあるいはレーザアブレーション、又は当業者に知られている他の適切な方法によるような既知の技術を使用して行うことができる。 【００３１】 層１１、１２をパターニングした後、第１の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３及びｎ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１４（例えば、１０２０ｃｍ－３と１０２２ｃｍ－３との間のドーピングレベル及び５ｎｍと５０ｎｍとの間の厚さを有する）が基板の裏側に堆積される（図４）。第１の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３は、ｐ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１２とｎ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１４との間の良好な分離及び電気的分離を提供する。本開示の方法により製作された電池の測定された暗電流電圧特性に基づいて、３８００オームｃｍ２のシャント抵抗が算出された。このことは、異なるドープ領域間で良好な分離及び電気的分離が得られることを例証している。 【００３２】 次に、図５及び図６に図示するように、第１の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３及びｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１４がパターン化される。図５は、マスキング層１５の堆積を示し、このマスキング層はＢＳＦ領域が形成されることになっている場所（第２領域１０２）を少なくともカバーする。マスキング層１５は、好ましくは第２領域１０２を超えて延在し（即ち、マスキング層１５は第２領域よりも好ましくは広い）、それによりアラインメント用のマージンを提供し、さらに先のステップにおけるアンダーエッチングにより生じるかもしれない問題を回避する。マスキング層１５は、例えばリソグラフィーによって、あるいは例えば重合体ペーストのスクリーン印刷によって形成されパターン化される。 【００３３】 本開示の創造性のある態様によって、ｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１４及び第１の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３が、その後、下層のｐ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１２の方への良好な選択性により局所的にエッチングされる。ｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１４及び第１の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３を局所的にエッチングする前に、存在するかもしれない在来の酸化物を除去するため、好ましくは希釈したＨＦの浸漬が行われる。在来の酸化物を除去するための他の適切な方法が使用されてもよい。局所エッチングは、好ましくは、例えば１５℃と３０℃との間の温度のような周囲温度で、希釈したＴＭＡＨ（Tetramethylammonium Hydroide 水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液におけるウェットエッチングによって行われ、この希釈したＴＭＡＨ溶液は、水に例えば約１％から約１０％のＴＭＡＨを含む。このような希釈したＴＭＡＨ溶液は、ｐ＋ａ－Ｓｉ：Ｈよりもはるかに速く（少なくとも１００倍速く）内側ａ－Ｓｉ：Ｈ及びｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈをエッチングすることが驚くことに分かった。非常に良好な選択性を得ることができることが分かった。これにより、ｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１４及び第１の内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３を局所的にエッチングし、かつｐ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１２の露出面でエッチングを実質的に止める自己制限プロセスを可能にする。」 「【００３６】 層１４及び層１３の選択的なエッチングの後、マスキング層１５が除去され、図６に示す構造になる。次に、メタルコンタクトが裏側に設けられ、より具体的には、ＢＳＦ領域１４と電気的に接触するベースコンタクト２４、及びエミッタ領域１２と電気的に接触するエミッタコンタクト２２が設けられる。」 「図２ ［図：0001394316000001.jpg］ 」 「図３ ［図：0001394316000002.jpg］ 」 「図４ ［図：0001394316000003.jpg］ 」 「図５ ［図：0001394316000004.jpg］ 」 「図６ ［図：0001394316000005.jpg］ 」 （２）引用発明 上記（１）によれば、引用文献には、図２～図６を経由する製造方法で製造されたヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池について、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献の記載に係る段落番号等を括弧内に付してある。 ＜引用発明＞ 「ヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池であって、（【０００１】） 第２の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１１が結晶性シリコン基板１０の裏面に堆積され、その後、第２の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１１にｐ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１２が堆積され、 結晶性シリコン基板はｎ型ドーピングを有しており、（【００２９】・図２） ｐ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１２及び第２の内側ａ－薄いＳｉ：Ｈ層１１はパターン化され、それにより、ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所（第２領域１０２）でこれらの層を除去し、エミッタ領域が形成されることになっている場所（第１領域１０１）にのみそれらの層は残され、（【００２７】・【００３０】・図３） 層１１、１２をパターニングした後、第１の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３及びｎ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１４が基板の裏側に堆積され、（【００２７】・【００３１】・図４） ＩＢＣ光起電力電池のエミッタ領域及びＢＳＦ領域は、櫛状であり、（【００２４】） マスキング層１５を堆積し、このマスキング層はＢＳＦ領域が形成されることになっている場所（第２領域１０２）を少なくともカバーし、第２領域１０２を超えて延在し、（【００３２】・図５） ｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１４及び第１の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３が、その後、下層のｐ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１２の方への良好な選択性により局所的にエッチングされ、（【００３３】） 層１４及び層１３の選択的なエッチングの後、マスキング層１５が除去され、 ＢＳＦ領域１４と電気的に接触するベースコンタクト２４、及びエミッタ領域１２と電気的に接触するエミッタコンタクト２２が設けられる、（【００３６】） ことによって製造されるヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池。（【０００１】）」 以下、「第２の薄いａ－Ｓｉ：Ｈ層１１」を（薄い）「第１１層」ということにし、同様に、 「ｐ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１２」又は「ｐ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１２」を「第１２ｐ層」といい、 「第１の薄い内側ａ－Ｓｉ：Ｈ層１３」を（薄い）「第１３層」といい、 「ｎ型にドープされたａ－Ｓｉ：Ｈ層１４」又は「ｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ層１４」を「第１４ｎ層」ということにする。 第５ 本願発明と引用発明との対比・判断 １ 対比 本願発明と引用発明を対比すると、以下のとおりである。 （１）本願発明の「第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板上の第１導電型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜とを備え、」との特定事項について 引用発明の「結晶性シリコン基板１０」は、「ｎ型ドーピングを有して」いるから、本願発明の「第１導電型の半導体基板」に相当する。 引用発明の「エミッタ領域１２」は第１２ｐ層から形成されていると解され、「ＢＳＦ領域１４」は第１４ｎ層から形成されていると解されるところ、当該「エミッタ領域１２」及び「ＢＳＦ領域１４」は、それぞれ、本願発明の「第２導電型非晶質半導体膜」及び「第１導電型非晶質半導体膜」に相当する。そして、第１２ｐ層及び第１４ｎ層が、「結晶性シリコン基板１０の裏面に堆積され」ていることに照らせば、当該「エミッタ領域１２」及び「ＢＳＦ領域１４」は、いずれも、本願発明でいう「前記半導体基板上」にあるといえる。 よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を満たしている。 （２）本願発明の「前記第２導電型非晶質半導体膜に互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部において、前記第１導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続されており、」との特定事項について 引用発明の薄い第１１層及び第１２ｐ層の両層は、「ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所（第２領域１０２）」において除去されている（図３も参照。）。そして、当該「ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所（第２領域１０２）」には、第１４ｎ層が、薄い第１３層を介して堆積されている（図４及び６も参照。）。そうすると、引用発明の第１４ｎ層及びそれから形成された「ＢＳＦ領域１４」（本願発明の「第１導電型非晶質半導体膜」に相当。）は、第１１層及び第１２ｐ層の両層において除去された「ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所」において、「結晶性シリコン基板１０」と電気的に接続されているといえる。 また、引用発明の（第１２ｐ層において除去されている）「ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所」は、「エミッタ領域１２」（本願発明の「第２導電型非晶質半導体膜」に相当。）を構成する膜の観点からみると、当該膜が存在しない部分であるといえる。そして、本願発明の「前記第２導電型非晶質半導体膜に互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部」と引用発明の「エミッタ領域１２」を構成する膜が存在しない部分とは、「前記第２導電型非晶質半導体膜に」「設けられた」膜が存在しない部分（以下「膜不存在部」という。）である点で一致するといえる。 そうすると、本願発明と引用発明とは、「前記第２導電型非晶質半導体膜に」「設けられた」膜不存在部「において、前記第１導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続されて」いる点で一致するといえる。 （３）本願発明の「前記第２導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続された面積が前記第１導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続された面積よりも広く、」との特定事項について 引用発明は、そのように特定されてはいないから、本願発明の上記特定事項を満たしているかは不明である。 （４）本願発明の「前記第１導電型非晶質半導体膜上の第１電極と、前記第２導電型非晶質半導体膜上の第２電極と、をさらに備え、」との特定事項について 引用発明の「ベースコンタクト２４」は、「ＢＳＦ領域１４」（本願発明の「第１導電型非晶質半導体膜」に相当。）と「電気的に接触」しているから、本願発明の「前記第１導電型非晶質半導体膜上の第１電極」に相当する。 引用発明の「エミッタコンタクト２２」は、「エミッタ領域１２」（本願発明の「第２導電型非晶質半導体膜」に相当。）と「電気的に接触」しているから、本願発明の「前記第２導電型非晶質半導体膜上の第２電極」に相当する。 よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を満たしている。 （５）本願発明の「前記第２導電型非晶質半導体膜の部分である周縁部上に前記第１導電型非晶質半導体膜の一部が積層することにより、断面視において、前記第１導電型非晶質半導体膜の一部が前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置し、」との特定事項について 引用発明の「ＢＳＦ領域１４」（本願発明の「第１導電型非晶質半導体膜」に相当。）は、以下のとおり、「エミッタ領域１２」（本願発明の「第２導電型非晶質半導体膜」に相当。）の「部分である周縁部上に」その「一部が積層」しているといえる（図６も参照。）。 すなわち、当該「ＢＳＦ領域１４」は、次の工程、つまり、まず第１１層及び第１２ｐ層の両層が「エミッタ領域が形成されることになっている場所（第１領域１０１）にのみ」「残され」（図３も参照。）、次に、第１３層及び第１４ｎ層が堆積され（図４も参照。）、さらに、第１４ｎ層に「マスキング層１５」が「堆積」され（図５も参照。）、第１３層及び第１４ｎ層の両層の「選択的なエッチング」の後に、「マスキング層１５が除去され」るという工程を経て形成されている（図６も参照。）といえるところ、当該「マスキング層１５」は、「ＢＳＦ領域が形成されることになっている場所（第２領域１０２）を少なくともカバーし、第２領域１０２を超えて延在し」ている（図５も参照。）。 そうすると、当該「ＢＳＦ領域１４」は、「第２領域１０２を超えて延在し」ており、その延在した部分は「エミッタ領域１２」上に堆積されている（図６も参照。）と解されるから、「ＢＳＦ領域１４」は、「エミッタ領域１２」の（本願発明でいう）「部分である周縁部上に」その「一部が積層」しているといえる。そして、そうである以上、引用発明は、本願発明でいう「断面視において、前記第１導電型非晶質半導体膜の一部が前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置し」ている。 よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を満たしている。 （６）本願発明の「前記第１電極が、前記第１導電型非晶質半導体膜の前記前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置する部分まで広がって位置することにより、平面視において、前記第１電極の幅が前記開口部の幅よりも大きくなるように形成されている、」との特定事項について 引用発明は、「ベースコンタクト２４」（本願発明の「第１電極」に相当。）の形状及びサイズを特定するものではないから、本願発明の上記特定事項を満たしているかは不明である。 （７）本願発明の「光電変換素子」について 引用発明の「ヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池」は、本願発明の「光電変換素子」に相当する。 （８）以上によれば、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「第１導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上の第１導電型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜とを備え、 前記第２導電型非晶質半導体膜に設けられた膜不存在部において、前記第１導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続されており、 前記第１導電型非晶質半導体膜上の第１電極と、 前記第２導電型非晶質半導体膜上の第２電極と、をさらに備え、 前記第２導電型非晶質半導体膜の部分である周縁部上に前記第１導電型非晶質半導体膜の一部が積層することにより、断面視において、前記第１導電型非晶質半導体膜の一部が前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置している、 光電変換素子」 ＜相違点１＞ 「膜不存在部」が、本願発明では、「前記第２導電型非晶質半導体膜に互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部」であるのに対し、引用発明では、「エミッタ領域１２」における膜が存在しない部分（つまり、「ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所」）であって、この部分は、「ＢＳＦ領域」が「櫛状」である以上、同様に「櫛状」である点。 ＜相違点２＞ 本願発明は、「前記第２導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続された面積が前記第１導電型非晶質半導体膜が前記半導体基板と電気的に接続された面積よりも広」いのに対し、引用発明は、「エミッタ領域１２」及び「ＢＳＦ領域１４」がいずれも「櫛状」（相互嵌合型）である点。 ＜相違点３＞ 本願発明は、「前記第１電極が、前記第１導電型非晶質半導体膜の前記前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置する部分まで広がって位置することにより、平面視において、前記第１電極の幅が前記開口部の幅よりも大きくなるように形成されている」のに対し、引用発明の「ベースコンタクト２４」は、「ＢＳＦ領域１４と電気的に接触する」点。 ２ 判断 （１）事案にかんがみ、相違点１及び相違点２を合わせて検討する。 ア 引用発明において相違点１及び相違点２に係る構成に至るには、（ｉ）引用発明の「エミッタ領域１２」（本願発明の「第２導電型非晶質半導体膜」に相当。）を構成する膜が存在しない部分（膜不存在部）の形状、つまり、第１２ｐ層において除去されている「ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所」の形状を、「櫛状」から、「互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部」へと変更した上で、その結果として、「ＢＳＦ領域１４」が「結晶性シリコン基板」と電気的に接続された領域（以下「ＢＳＦ電気接続領域」という。）の形状を、「櫛状」から、互いに間隔を空けて設けられた複数のドット状・島状の領域へと変更する（同時に、「エミッタ領域１２」の形状が、その変更に応じて変更されたことになる。）とともに、（ｉｉ）ＢＳＦ電気接続領域の面積を当該「エミッタ領域１２」の面積（引用発明に特定された各層の形成工程に照らすと、「エミッタ領域１２」が「結晶性シリコン基板１０」と電気的に接続された領域の面積といえる。）よりも狭くし、（ｉｉｉ）当該「ＢＳＦ領域１４」が、ＢＳＦ領域が形成されることになっている場所（第２領域１０２）を超えて延在しており、その延在した部分がエミッタ領域１２上に堆積されているという構成（図６も参照。）を維持するようにすれば足りると解される。 そこで、引用発明において、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の構成に当業者が容易に至るかについて検討する。 イ 引用発明は、「ヘテロ接合相互嵌合型バックコンタクト光起電力電池」に係るものであるところ、この種の太陽電池においては、少数キャリアの再結合を抑制して太陽電池の効率を高めるために、半導体基板上に形成された当該基板の導電型とは異なる導電型の半導体層（以下「逆導電型層」という。）について、複数のドット状・島状となる逆導電型層の存在しない部分を形成することを通して、当該存在しない部分の面積を逆導電型層の（存在する部分の）面積よりも狭くするとともに、当該存在しない部分に、半導体基板と同じ導電型の半導体層を形成し（当該半導体層は複数のドット状・島状となる。）、当該同じ導電型の半導体層の面積を逆導電型層の面積より狭くすることは、周知技術であると認められる（例えば、特表２００９－５４５１５８号公報の【００１７】～【００２０】・【００２６】及び図５、特開２０１５－１５４７２号公報の【００７６】及び図６、特開２０１４－８６７０８号公報の【００７０】～【００７２】及び図８、特開２０１３－２１９３５５号公報の【００４９】～【００５１】及び図２、特開２０１３－１８３００４号公報の【００３２】～【００３４】及び図１－２を参照。）。そして、引用発明においても、太陽電池の効率を高めることは、当業者にとって自明な課題である。 そうすると、引用発明において上記課題を解決するために上記周知技術を採用することは、当業者が容易に想到し得たことであり、そのような採用により、当業者は、引用発明において、第１２ｐ層に「ＢＳＦ領域が設けられることになっている場所（第２領域１０２）」でこの「層を除去」する際に、「櫛状」ではなく、「互いに間隔を空けて設けられた複数の開口部」を設けるように除去し、「ＢＳＦ電気接続領域」の形状を複数のドット状・島状とすることにより、その面積を「エミッタ領域」の面積より狭くする、という上記（ｉ）及び（ｉｉ）に係る構成に至る。 そして、上記（ｉｉｉ）については、上記１（５）に説示のとおり、引用発明の「ＢＳＦ領域１４」は、「エミッタ領域１２」の「部分である周縁部上に」その「一部が積層」している構成であるところ、その技術的意義はアラインメント用のマージンを提供することにある（引用文献の【００３２】参照）から、上記周知技術を採用した場合であっても、当業者は、引用発明の上記構成を維持するのが自然である。 したがって、相違点１及び相違点２に係る本願発明の構成は、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易になし得たものである。 （２）相違点３について 引用発明は、上記（１）イで説示したとおり、バックコンタクト型太陽電池であるところ、この種の太陽電池の電極は、半導体層に生成されたキャリアを効率よく収集するために低抵抗であることが技術常識である。そして、電極の面積を大きくすることは、低抵抗化を実現するのための常套手段である。 他方、引用発明の「ベースコンタクト２４」（本願発明の「第１電極」に相当。）は、「ＢＳＦ領域１４」と電気的に接触するものであるところ、当該「ベースコンタクト２４」が「エミッタ領域１２」と接触することに不都合があることは明らかであるから、当該「ベースコンタクト２４」の形成され得る最大の幅は、第１４ｎ層の幅であるといえる。 そうすると、当業者であれば、上記技術常識に照らし、引用発明の「ベースコンタクト２４」の幅を、不都合がない範囲で可能な限り大きくすることを適宜なし得たということができ、そのように構成することによって、当業者は相違点３に係る本願発明の構成に至る。 （３）本願発明の効果について 上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果に基づいて予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 ３ 小括 以上によれば、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ４ 請求人の主張について 請求人は、引用文献には、相違点３に係る本願発明の構成（「前記第１電極が、前記第１導電型非晶質半導体膜の前記前記第２導電型非晶質半導体膜よりも上層に位置する部分まで広がって位置することにより、平面視において、前記第１電極の幅が前記開口部の幅よりも大きくなるように形成されている」）が記載されておらず、示唆もない旨主張し、その根拠として、図１では、ベースコンタクト２４が、第１２ｐ層よりも上層に位置する部分まで広がって位置していないし、当該ベースコンタクト２４の幅も、第１４ｎ層の幅よりも小さくなっている旨主張している。 しかしながら、引用発明は、図２～図６の工程により形成される光起電力電池に係るものであり、上記主張する相違点については、上記２（２）に説示のとおりである。 よって、請求人の上記主張は、上記判断を左右するものではない。 第６ むすび 上記のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 よって、結論のとおり審決する。