2020-008116

特願２０１５－１５９８１２「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　２月１６日出願公開、特開２０１７－　３８０１９〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １．手続の経緯 本願は、平成２７年８月１３日の出願であって、平成３１年４月１８日付け拒絶理由通知に対する応答時、令和１年６月２０日に手続補正がなされ、同年１１月１１日付け最後の拒絶理由通知に対する応答時、令和２年１月２０日に手続補正がなされたが、当該手続補正について、同年３月２６日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、同年６月１１日に拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされ、当審の同年１２月２５日付け拒絶理由通知に対する応答時、令和３年３月３日に手続補正がなされたものである。 ２．本願発明 本願の請求項１ないし１５に係る発明は、令和３年３月３日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。 「【請求項１】 半導体素子を収納するケースと、 前記ケースの側面を貫通して、前記ケースの底面の主面に埋設され、露出面が前記主面と同一平面を成し、一端部が前記ケースの外部に延伸し、他端部が前記ケースの内部に位置する第１配線パターンと、 前記主面に、前記他端部と隙間を設けて隣接して埋設され、露出面が前記主面と同一平面を成す第２配線パターンと、 前記第１配線パターンの前記他端部に導電性接着剤を介して配置された電子部品と、 前記主面の前記隙間に、前記主面に対して対向する側に突出して配置され、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとの空間距離に基づく高さであるブロック部と、 前記ケース内を封止する封止部材と、 を有し、 前記ブロック部は、一端が前記ケースの内面に接して、前記ケースの内部に延伸し、前記他端部に沿って前記他端部の全周囲を囲い、他端が前記ケースの内面に接している、 半導体装置。」 ３．拒絶の理由の概要 本願の請求項１に対して、令和２年１２月２５日付けで当審が通知した拒絶理由は次のとおりのものである。 本件出願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記引用文献１に記載された発明及び周知の技術事項（下記引用文献２ないし４に記載された技術事項）に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 引用文献１：特開２０１４－１５７９２５号公報 引用文献２：特開２０００－１８３４６８号公報 引用文献３：米国特許出願公開第２０１２／００６１８１９号明細書 引用文献４：特開２００１－２１０７６４号公報 ４．引用文献の記載および引用発明 上記引用文献１（特開２０１４－１５７９２５号公報）には、「半導体装置」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 （１）「【請求項１】 少なくとも一個の半導体素子が搭載された絶縁回路基板と、 該絶縁回路基板が取り付けられた底面部及び該底面部の周りを囲む側面部を有する樹脂ケースと、 該樹脂ケースと一体的に成型され、該樹脂ケース内の底面部の表面に位置するように該絶縁回路基板の周囲に設けられるとともに、部分的に該樹脂ケース内から樹脂ケース外へ延びるリードと、 該樹脂ケース内に充填された封止樹脂と、 を備え、 該樹脂ケース内の底面部の周縁に沿って、該リードの両側に、凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。」 （２）「【００１４】 本発明の半導体装置の実施形態を、図面を用いて具体的に説明する。 本発明の一実施形態の半導体装置１０を図１に平面図で、図２に図１のII－II線で切断した断面図で示す。本発明の一実施形態の半導体装置１０は、パワー半導体モジュールとして構成されたものであり、複数の半導体素子１１Ａ、１１Ｂが、絶縁回路基板１２上に搭載されている。半導体素子１１Ａ、１１Ｂは、それぞれＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ；Insulated Gate Bipolar Transistor）及びＦＷＤ（フリーホイーリングダイオード；Free Wheeling Diode）である。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【００１６】 半導体素子１１Ａ、１１Ｂが搭載された絶縁回路基板１２は、樹脂ケース１３に収容されている。樹脂ケース１３内には、リード１４が設けられている。このリード１４に、半導体素子１１Ａ、１１Ｂや絶縁回路基板１２の導体層１２ｂが、ボンディングワイヤによって電気的に接続されている。図１、図２では、本発明の理解を容易にするために、ボンディングワイヤの記載を省略している。 このリード１４は、金型を用いたトランスファー成型によって樹脂ケース１３内の底面部１３ａの表面と同一平面上に位置するように樹脂ケース１３と一体的に成型されている。図３に、リードフレーム１５を一体成型された樹脂ケース１３を示す。リードフレーム１５のリード１４の一部は樹脂ケース１３の側面部１３ｂを貫通して樹脂ケース１３内から樹脂ケース１３外まで延出している。リードフレーム１５は金型にセットされ、トランスファー成型により樹脂ケース１３と一体成型される。リードフレーム１５のタイバー１５ａは、成型後に切除される。 【００１７】 樹脂ケース１３は、底面部１３ａと、この底面部１３ａの周りを囲む側面部１３ｂとを有する概略直方体の箱型形状を有している。樹脂ケース１３は、好適にはポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ樹脂）、ポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ樹脂）、ポリアミド樹脂（ＰＡ樹脂）及びアクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）から選ばれる１種の樹脂よりなる。樹脂ケース１３の底面部１３ａには開口部１３ｃが設けられていて（図３参照）、この開口部１３ｃに絶縁回路基板１２が緊密に取り付けられている。 また、半導体素子１１Ａ、１１Ｂにより構成される主回路を制御するための制御回路チップ１６Ａ、１６Ｂがリード１４上に設けられている。 【００１８】 また、ボンディングワイヤが配線された後の樹脂ケース１３内に、図２の断面図に示すようにエポキシ樹脂、シリコーン樹脂やウレタン樹脂等からなる封止樹脂１７が注入、固化されて、この樹脂ケース１３内の半導体チップ１１Ａ、１１Ｂ、リード１４や制御回路チップ１６Ａ、１６Ｂ等を保護している。なお、図１では、本発明の理解を容易にするために、封止樹脂１７を除いた樹脂ケース１３の内部を図示している。」 （３）「 」 上記（１）ないし（３）から以下のことがいえる。 ・引用文献１に記載の「半導体装置」は、上記（１）、（２）の記載事項、（３）の図１、及び図２によれば、半導体素子１１Ａ、１１Ｂが搭載された絶縁回路基板１２を収容する樹脂ケース１３と、樹脂ケース１３内の底面部１３ａの表面と同一平面上に位置するように樹脂ケース１３と一体的に成型され、絶縁回路基板１２の周囲に設けられるとともに、部分的に樹脂ケース１３の側面部１３ｂを貫通して樹脂ケース１３内から樹脂ケース１３外まで延出する複数のリードと、樹脂ケース１３内に充填された封止樹脂１７と、を備えるものである。 ・上記（２）の段落【００１７】の記載事項によれば、複数の制御回路チップ１６Ａ、１６Ｂがリード１４上に設けられてなるものである。 そして、上記（３）の図１によれば、符号「１６Ｂ」で示されている部分にはリードが図示されており（制御回路チップの外形は省略されていると認められる。）、当該リードは、一端部が樹脂ケース１３外に延出し、他端部は樹脂ケース１３内に位置しており、当該他端部上に「制御回路チップ１６Ｂ」が配置されていることを見て取ることができる。そして、さらに当該リードの他端部と隙間を設けて隣接（図１でいえば、樹脂ケース１３の側面部１３ｂがある側を除く左右両側と側面部１３ｂがある側と反対側とに隣接）して他のリードが設けられていることも見て取れる。 以上のことから、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「半導体素子が搭載された絶縁回路基板を収容する樹脂ケースと、 前記樹脂ケース内の底面部の表面と同一平面上に位置するように前記樹脂ケースと一体的に成型され、前記絶縁回路基板の周囲に設けられるとともに、部分的に前記樹脂ケースの側面部を貫通して前記樹脂ケース内から前記樹脂ケース外まで延出する複数のリードと、 前記リード上に設けられた複数の制御回路チップと、 前記樹脂ケース内に充填された封止樹脂と、を備え、 前記複数のリードには、一端部が前記樹脂ケース外に延出し、他端部が前記樹脂ケース内に位置するとともにその他端部上に前記複数の制御回路チップのうちの一つが配置されてなるリードと、当該リードの他端部と隙間を設けて前記樹脂ケースの側面部がある側を除く左右両側と当該側面部がある側と反対側とに隣接して設けられた他のリードとが含まれている、半導体装置。」 ５．対比 そこで、本願発明と引用発明とを対比する。 （１）引用発明における「半導体素子」、「樹脂ケース」は、それぞれ本願発明でいう「半導体素子」、「ケース」に相当し、引用発明における「樹脂ケース」にあっても、半導体素子を絶縁回路基板とともに収納してなるものである。 したがって、本願発明と引用発明とは、「半導体素子を収納するケースと」を有するものである点で一致する。 （２）引用発明における「複数のリード」は、樹脂ケース内の底面部の表面と同一平面上に位置するように樹脂ケースと一体的に成型されてなるものであり、露出面がケース底面部の主面と同一平面を成すように当該主面に埋設されているといえるものである（引用文献１の図２も参照）。そして、かかる複数のリードのうちの「一端部が前記樹脂ケース外に延出し、他端部が前記樹脂ケース内に位置するとともに、その他端部上に前記複数の制御回路チップのうちの一つが配置されてなるリード」は、樹脂ケースの側面部を貫通して一端部が樹脂ケースの外部に延出（延伸）し、他端部が樹脂ケースの内部に位置するものであるから、本願発明でいう「第１配線パターン」に相当し、また、「当該リードの他端部と隙間を設けて隣接して設けられた他のリード」が、本願発明でいう「第２配線パターン」に相当するといえるものである。 したがって、本願発明と引用発明とは、「前記ケースの側面を貫通して、前記ケースの底面の主面に埋設され、露出面が前記主面と同一平面を成し、一端部が前記ケースの外部に延伸し、他端部が前記ケースの内部に位置する第１配線パターンと、前記主面に、前記他端部と隙間を設けて隣接して埋設され、露出面が前記主面と同一平面を成す第２配線パターンと」を有するものである点で一致する。 （３）引用発明におけるリードの他端部上に配置されてなる「制御回路チップ」が本願発明でいう「電子部品」に相当し、本願発明と引用発明とは「前記第１配線パターンの前記他端部に配置された電子部品と」を有するものである点で共通する。 ただし、本願発明では第１配線パターンの他端部に「導電性接着剤を介して」電子部品が配置される旨特定するのに対し、引用発明ではそのような特定を有していない点で相違するといえる。 （４）引用発明における樹脂ケース内に充填された「封止樹脂」は本願発明でいう「封止部材」に相当し、本願発明と引用発明とは「前記ケース内を封止する封止部材」ものである点で一致する。 （５）本願発明では「前記主面の前記隙間に、前記主面に対して対向する側に突出して配置され、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとの空間距離に基づく高さであるブロック部と」を有し、「前記ブロック部は、一端が前記ケースの内面に接して、前記ケースの内部に延伸し、前記他端部に沿って前記他端部の全周囲を囲い、他端が前記ケースの内面に接している」のに対し、引用発明ではそのようなブロック部を有していない点で相違する。 （６）そして、引用発明における「半導体装置」は、本願発明でいう「半導体装置」に相当するものである。 よって上記（１）ないし（４）によれば、本願発明と引用発明とは、 「半導体素子を収納するケースと、 前記ケースの側面を貫通して、前記ケースの底面の主面に埋設され、露出面が前記主面と同一平面を成し、一端部が前記ケースの外部に延伸し、他端部が前記ケースの内部に位置する第１配線パターンと、 前記主面に、前記他端部と隙間を設けて隣接して埋設され、露出面が前記主面と同一平面を成す第２配線パターンと、 前記第１配線パターンの前記他端部に配置された電子部品と、 前記ケース内を封止する封止部材と、 を有する半導体装置。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点１］ 本願発明では第１配線パターンの他端部に「導電性接着剤を介して」電子部品が配置される旨特定するのに対し、引用発明ではそのような特定を有していない点。 ［相違点２］ 本願発明では「前記主面の前記隙間に、前記主面に対して対向する側に突出して配置され、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとの空間距離に基づく高さであるブロック部と」を有し、「前記ブロック部は、一端が前記ケースの内面に接して、前記ケースの内部に延伸し、前記他端部に沿って前記他端部の全周囲を囲い、他端が前記ケースの内面に接している」のに対し、引用発明ではそのようなブロック部を有していない点。 ６．判断 上記相違点について検討する。 ［相違点１］について 引用発明においても、制御回路チップは何らかの接着（接合）部材を介してリードの他端部上に配置されるのが普通であるといえるところ、例えば当審の拒絶の理由に引用された特開２０１３－２５８３２１号公報に記載（段落【００４５】、図２を参照）のように、チップと配線パターンとの電気的な接続も兼ねて、チップを銀ペーストなどの接合材を介して配線パターン上に配置することは周知といえる技術事項である。よって、引用発明においても、制御回路チップを銀ペーストなどの接合材、すなわち導電性接着剤を介してリードの他端部上に配置するようにし、相違点１に係る構成とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。 ［相違点２］について 例えば上記引用文献２（段落【００２４】、図１を参照）、上記引用文献３（段落[００２８]～[００３０]、FIG1A、FIG1Bを参照）、及び上記引用文献４（段落【００４３】、図１（ｃ）を参照）に記載のように、隙間を設けて隣接した２つのリードなどの導電パターン間の絶縁距離（沿面距離）を長くして電気的絶縁性を確保するために、当該導電パターン間にパターンに沿って所定高さのブロック部（引用文献２の「リブ１１」、引用文献３の「protruding element 17」、引用文献４の「絶縁領域５における絶縁層２の突出部分」が相当）を設けることは周知の技術事項である。ここで、本願発明では「ブロック部」について、２つの配線パターン間の「空間距離に基づく高さ」であるとしているが、その高さに基づく分だけ絶縁距離（沿面距離）が長くなることを意味しているにすぎない。そして、引用発明においても、隙間を設けて隣接して配置された関係にある２つのリード同士は電気的に独立したものであると認められ、当該２つのリード間の電気的絶縁性の確保は当然望まれることであるから、「他端部が樹脂ケース内に位置するとともに、その他端部上に複数の制御回路チップのうちの一つが配置されてなるリード」と「当該リードの他端部と隙間を設けて前記樹脂ケースの側面部がある側を除く左右両側と当該側面部がある側と反対側とに隣接して設けられた他のリード」とのすべての隙間に沿って上記周知の技術事項を採用し、相違点２に係る構成とすることは当業者であれば容易になし得ることである。 そして、上記各相違点を総合勘案しても、本願発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 ７．むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。