2019-700900

第２　訂正の適否

１．訂正の内容

（１）請求項１～１５について

ア　訂正事項１

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項１における「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に」との記載を、「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、直接的に接合されて」に変更する。

イ　訂正事項２

訂正請求書の「６　請求の趣旨」、「７　請求の理由（１）」の「２）ｂ」及び「４）ｂ」を総合的に勘案すると、積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項１における「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を」との記載を、「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％」に変更するものと認める。

ウ　訂正事項３

積層体に特徴のある特許請求の範囲の請求項１において「（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）」と限定する。

エ　訂正事項４

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項２における「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に」との記載を、「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、直接的に接合されて」に変更する。

オ　訂正事項５

訂正請求書の「６　請求の趣旨」、「７　請求の理由（１）」の「２）ｅ」及び「４）ｅ」を総合的に勘案すると、積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項２における「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を」との記載を、「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％」に変更するものと認める。

カ　訂正事項６

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項２において、「（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）」と限定する。

キ　訂正事項７

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項４における「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１～３．０質量％」との記載を、「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０１～３．０質量％」に変更する。

ク　訂正事項８

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項４における「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１～９５質量％」との記載を、「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８０質量％」に変更する。

ケ　訂正事項９

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項４における「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１～２０質量％」との記載を、「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％」に変更する。

コ　訂正事項１０

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項５における「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１～３．０質量％」との記載を、「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０１～３．０質量％」に変更する。

サ　訂正事項１１

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項５における「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１～９５質量％」との記載を、「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８０質量％」に変更する。

シ　訂正事項１２

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項５における「Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０００１～８．５質量％」との記載を、「Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０１～８．５質量％」に変更する。

ス　訂正事項１３

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項５における「Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０００１～８．０質量％」との記載を、「Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０１～８.０質量％」に変更する。

セ　訂正事項１４

積層体に特徴がある特許請求の範囲の請求項５における「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１～２０質量％」との記載を、「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％」に変更する。

（２）請求項１６～２０について

ア　訂正事項１５

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１６における「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を」との記載を、「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％となるように」に変更する。

イ　訂正事項１６

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１６における「熱圧着により積層させる」との記載を、「熱圧着により積層させ、該窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合される」に変更する。

ウ　訂正事項１７

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１６において、「（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）」と限定する。

エ　訂正事項１８

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１７における「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を」との記載を、「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％となるように」に変更する。

オ　訂正事項１９

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１７における「熱圧着により積層させる」との記載を、「熱圧着により積層させ、該窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合される」に変更する。

カ　訂正事項２０

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１７において、「（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）」と限定する。

キ　訂正事項２１

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１８における「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１～３．０質量％」との記載を、「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０１～３．０質量％」に変更する。

ク　訂正事項２２

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１８における「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１～９５質量％」との記載を、「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８０質量％」に変更する。

ケ　訂正事項２３

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１８における「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１～２０質量％」との記載を、「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％」に変更する。

コ　訂正事項２４

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１９における「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１～３．０質量％」との記載を、「Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０１～３．０質量％」に変更する。

サ　訂正事項２５

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１９における「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１～９５質量％」との記載を、「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８０質量％」に変更する。

シ　訂正事項２６

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１９における「Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０００１～８．５質量％」との記載を、「Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０１～８．５質量％」に変更する。

ス　訂正事項２７

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１９における「Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０００１～８．０質量％」との記載を、「Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０１～８.０質量％」に変更する。

セ　訂正事項２８

積層体の製造方法に特徴がある特許請求の範囲の請求項１９における「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１～２０質量％」との記載を、「Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％」に変更する。

（３）明細書に係る訂正

ア　訂正事項２９

明細書［００６７］に「参考例１～１５及び実施例５、６、８、１０、１２、１３、１６、１７、４４、４５、４８、５０～５５」とあるのを、「参考例１～１５、３３及び実施例５、６、８、１０、１２、１３、１６、１７、４５、４８、５０～５５」に訂正する。

イ　訂正事項３０

明細書［００７５］に「実施例４４」とあるのを、「参考例３３」に訂正する。

２．一群の請求項について

（１）訂正前の請求項１～１５について、訂正前の請求項３～１５は、訂正前の請求項１、２を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１～３によって訂正される請求項１及び訂正事項４～６によって訂正される請求項２に連動して訂正されるものである。また、訂正前の請求項６～１５は、訂正前の請求項４、５を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項７～９によって訂正される請求項４及び訂正事項１０～１４によって訂正される請求項５に連動して訂正されるものであるから、訂正前の請求項１～１５に対応する訂正後の請求項［１～１５］は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。

そして、本件訂正は、特定の請求項に係る訂正事項について別の訂正単位とする求めはされてないから、本件訂正は、一群の請求項である訂正前の請求項１～１５に対応する訂正後の請求項〔１～１５〕を訂正単位とするものであり、訂正事項１～１４は、一体の訂正事項として取り扱われるものである。

（２）訂正前の請求項１６～２０について、訂正前の請求項１８～２０は、訂正前の請求項１６、１７を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１５～１７によって記載が訂正される請求項１６及び訂正事項１８～２０によって記載が訂正される請求項１７に連動して訂正されるものである。また、訂正前の請求項２０は、訂正前の請求項１８、１９を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項２１～２３によって記載が訂正される請求項１８及び訂正事項２４～２８によって記載が訂正される請求項１９に連動して訂正されるものであるから、訂正前の請求項１６～２０に対応する訂正後の請求項［１６～２０］は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。

そして、本件訂正は、特定の請求項に係る訂正事項について別の訂正単位とする求めはされてないから、本件訂正は、一群の請求項である訂正前の請求項１６～２０に対応する訂正後の請求項〔１６～２０〕を訂正単位とするものであり、訂正事項１５～２８は、一体の訂正事項として取り扱われるものである。

（３）また、訂正事項２９、３０に係る明細書の訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に従い、上記の一群の請求項〔１～１５〕、〔１６～２０〕を訂正の単位として請求されたものである。

３．訂正の適否について

（１）請求項１～１５について

ア　訂正事項１について

（ア）訂正事項１は、請求項１において、銅合金層が窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に直接的に接合されていることを特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１は、本件明細書の【００２１】に記載されているので、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

イ　訂正事項２について

（ア）訂正事項２は、請求項１において、択一的な発明特定事項であるＮｂ、Ｌｉ、Ｓｎを削除した上で、銅合金中のＳｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆの合計の濃度を特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２は、本件明細書の【００２６】、【００７５】の【表１】実施例５１に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２は、択一的な発明特定事項を削除し、また発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

ウ　訂正事項３について

（ア）訂正事項３は、請求項１において、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を、いわゆる除くクレームとして特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項３は、請求項１に係る発明が甲１に係る発明と重なる可能性があるために新規性、進歩性が否定されるおそれがあるため、その重なりを除くものであって、本件明細書等との関係において新たな技術的事項を導入するものではないから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項３は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

エ　訂正事項４について

（ア）訂正事項４は、請求項２において、銅合金層が窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に直接的に接合されていることを特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項４は、本件明細書の【００２１】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項４は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

オ　訂正事項５について

（ア）訂正事項５は、請求項２において、択一的な発明特定事項であるＮｂ、Ｌｉ、Ｓｎを削除した上で、銅合金中のＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆの合計の濃度を特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項５は、本件明細書の【００２６】、【００７５】の【表１】実施例５１に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項５は、択一的な発明特定事項を削除し、また発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

カ　訂正事項６について

（ア）訂正事項６は、請求項２において、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を、いわゆる除くクレームとして特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項６は、請求項２に係る発明が甲１に係る発明と重なる可能性があるために新規性、進歩性が否定されるおそれがあるため、その重なりを除くものであって、本件明細書等との関係において新たな技術的事項を導入するものではないから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項６は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

キ　訂正事項７について

（ア）訂正事項７は、請求項４において、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項７は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項７は、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ク　訂正事項８について

（ア）訂正事項８は、請求項４において、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項８は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項８は、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ケ　訂正事項９について

（ア）訂正事項９は、請求項４において、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項９は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項９は、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

コ　訂正事項１０について

（ア）訂正事項１０は、請求項５において、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事１０は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１０は、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

サ　訂正事項１１について

（ア）訂正事項１１は、請求項５において、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１１は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１１は、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

シ　訂正事項１２について

（ア）訂正事項１２は、請求項５において、Ｔｉ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１２は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１２は、Ｔｉ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ス　訂正事項１３について

（ア）訂正事項１３は、請求項５において、Ｚｒ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１３は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１３は、Ｚｒ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

セ　訂正事項１４について

（ア）訂正事項１４は、請求項５において、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１４は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１４は、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ソ　小括

以上のとおりであるから、請求項１～１５について訂正する訂正事項１～１４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、同条第４項並びに第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。

（２）請求項１６～２０について

ア　訂正事項１５について

（ア）訂正事項１５は、請求項１６において、択一的な発明特定事項であるＮｂ、Ｌｉ、Ｓｎを削除した上で、銅合金中のＳｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆの合計の濃度を特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１５は、本件明細書の【００２６】、【００７５】の【表１】実施例５１に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１５は、択一的な発明特定事項を削除し、また発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

イ　訂正事項１６について

（ア）訂正事項１６は、請求項１６において、銅合金層が窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に直接的に接合されていることを特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１６は、本件明細書の【００２１】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１６は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

ウ　訂正事項１７について

（ア）訂正事項１７は、請求項１６において、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を、いわゆる除くクレームとして特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１７は、請求項１６に係る発明が甲１に係る発明と重なる可能性があるために新規性、進歩性が否定されるおそれがあるため、その重なりを除くものであって、本件明細書等との関係において新たな技術的事項を導入するものではないから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１７は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

エ　訂正事項１８について

（ア）訂正事項１８は、請求項１７において、択一的な発明特定事項であるＮｂ、Ｌｉ、Ｓｎを削除した上で、銅合金中のＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆの合計の濃度を特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１８は、本件明細書の【００２６】、【００７５】の【表１】実施例５１に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１８は、択一的な発明特定事項を削除し、また発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

オ　訂正事項１９について

（ア）訂正事項１９は、請求項１７において、銅合金層が窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に直接的に接合されていることを特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項１９は、本件明細書の【００２１】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項１９は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

カ　訂正事項２０について

（ア）訂正事項２０は、請求項１７において、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を、いわゆる除くクレームとして特定することにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２０は、請求項１７に係る発明が甲１に係る発明と重なる可能性があるために新規性、進歩性が否定されるおそれがあるため、その重なりを除くものであって、本件明細書等との関係において新たな技術的事項を導入するものではないから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２０は、発明特定事項を直列的に付加するものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する

キ　訂正事項２１について

（ア）訂正事項２１は、請求項１８において、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２１は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２１は、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ク　訂正事項２２について

（ア）訂正事項２２は、請求項１８において、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２２は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２２は、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ケ　訂正事項２３について

（ア）訂正事項２３は、請求項１８において、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２３は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２３は、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

コ　訂正事項２４について

（ア）訂正事項２４は、請求項１９において、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事２４は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２４は、Ｓｉ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

サ　訂正事項２５について

（ア）訂正事項２５は、請求項１９において、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２５は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２５は、Ｍｎ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

シ　訂正事項２６について

（ア）訂正事項２６は、請求項１９において、Ｔｉ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２６は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２６は、Ｔｉ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ス　訂正事項２７について

（ア）訂正事項２７は、請求項１９において、Ｚｒ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２７は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２７は、Ｚｒ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

セ　訂正事項２８について

（ア）訂正事項２８は、請求項１９において、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くすることにより、特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）訂正事項２８は、本件明細書の【００２６】に記載されているので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

（ウ）訂正事項２８は、Ｈｆ濃度の数値限定の範囲を狭くするものであり、カテゴリーや発明特定事項を変更するものではなく、実質上、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。

ソ　小括

以上のとおりであるから、請求項１６～２０について訂正する訂正事項１５～２８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、同条第４項並びに第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。

（３）明細書に係る訂正

ア　訂正事項２９について

（ア）訂正事項２９は、明細書の段落【００６７】において「実施例４４」を削除するとともに「参考例３３」を追加して、「参考例３３」が特許請求の範囲に含まれないことを明らかにすることにより、訂正事項２及び訂正事項１５により生じる不明瞭な記載を整合させるための訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号の明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。

（イ）訂正事項２９は、「参考例３３」が特許請求の範囲に含まれないことを明らかにするものであるから、新規事項を追加するものではないことは明らかであって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないことも明らかであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。

イ　訂正事項３０について

（ア）訂正事項３０は、明細書の段落【００７５】において「実施例４４」を削除するとともに「参考例３３」を追加して、「参考例３３」が特許請求の範囲に含まれないことを明らかにすることにより、訂正事項２及び訂正事項１５により生じる不明瞭な記載を整合させるための訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号の明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。

（イ）訂正事項３０は、「参考例３３」が特許請求の範囲に含まれないことを明らかにするものであるから、新規事項を追加するものではないことは明らかであって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないことも明らかであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。

４　むすび

以上のとおりであるから、訂正事項１～３０は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号又は第３号の特許請求の範囲の減縮又は明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、同条第４項並びに第９項で準用する同法第１２６条第４項ないし第６項の規定に適合するものである。

よって、明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１－１５］、［１６－２０］について訂正することを認める。

第３　訂正後の発明

本件訂正請求により訂正された請求項１～請求項２０に係る発明（以下、「本件訂正発明１」～「本件訂正発明２０」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～請求項２０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。

【請求項１】

窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、直接的に接合されて積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％含有する、積層体。

（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）

【請求項２】

窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、直接的に接合されて積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％を含有する、積層体。

（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）

【請求項３】

前記銅合金層が銅合金板または銅合金箔からなる、請求項１又は２に記載の積層体。

【請求項４】

前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０１～３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８５質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％である、請求項１に記載の積層体。

【請求項５】

前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度０．０１～３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８５質量％であり、Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０１～８．５質量％であり、Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０１～８．０質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％である、請求項２に記載の積層体。

【請求項６】

前記窒化物セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化インジウム又は窒化ガリウムを主成分とし、あるいは、炭化チタンと窒化チタンとの複合材料、又は、窒化ホウ素と炭化ケイ素との複合材料を主成分としてなる、請求項１～５のいずれか一項に記載の積層体。

【請求項７】

窒化アルミニウムを主成分とする前記窒化物セラミックス基板が、Ｃａ、Ｙ、Ｏからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Ｃａを含む場合には、Ｃａ濃度は０．０００１～３質量％であり、Ｙを含む場合にはＹ濃度は０．０００１～１０質量％であり、Ｏを含む場合には、Ｏ濃度は０．０００１～２０質量％である、請求項６に記載の積層体。

【請求項８】

前記窒化物セラミックス基板のＯ含有濃度が０．０００１～２０質量％である、請求項１～６のいずれか一項に記載の積層体。

【請求項９】

前記銅合金層の厚みを、１μｍ～７０００μｍとし、前記窒化物セラミックス基板の厚みを、１μｍ～７０００μｍとしてなる、請求項１～８のいずれか一項に記載の積層体。

【請求項１０】

請求項１～９のいずれか一項に記載の積層体を有する放熱体。

【請求項１１】

請求項１～９のいずれか一項に記載の積層体を有するパワーデバイス。

【請求項１２】

請求項１～９のいずれか一項に記載の積層体を有する素子。

【請求項１３】

請求項１～９のいずれか一項に記載の積層体を有する電子部品。

【請求項１４】

請求項１～９のいずれか一項に記載の積層体を有する電子機器。

【請求項１５】

請求項１１に記載のパワーデバイスまたは請求項１２に記載の素子または請求項１３に記載の電子部品を有する車両。

【請求項１６】

銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％となるように含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させ、該窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金とが、直接的に接合される、積層体の製造方法。

（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）

【請求項１７】

銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％となるように含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させ、該窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金とが、直接的に接合される、積層体の製造方法。

（ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。）

【請求項１８】

前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０１～３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８０質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％である、請求項１６に記載の積層体の製造方法。

【請求項１９】

前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０１～３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０１～８０質量％であり、Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０１～８．５質量％であり、Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０１～８．０質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０１～２０質量％である、請求項１７に記載の積層体の製造方法。

【請求項２０】

前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合するに際し、窒素もしくはアルゴン雰囲気中または真空中で、８００～１０００℃の温度の下、０．６Ｎ／ｍｍ２～１.５Ｎ／ｍｍ２の圧力を作用させることにより、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合する、請求項１６～１９のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。

第４　取消理由の概要

当審が令和　２年　９月１５日付けで特許権者にした取消理由通知書＜決定の予告＞（以下、単に「取消理由通知書＜決定の予告＞」という。）の概要は、次のとおりである。

《理由１》

本件特許は、特許請求の範囲の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。

《理由４》

本件特許の請求項１～２０に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された以下の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

《引用例一覧》

甲１．特開２０１１－１２４５８５号公報

甲２．特開平２－１７５６７４号公報

甲３．特開昭６３－３１０９３４号公報

甲４．特開平４－４８０４１号公報

甲５．特開２００３－６３８７９号公報

甲６．特開２００７－２９７２２５号公報

甲７．特開昭６３－５５８１２号公報

甲１～甲７は、特許異議申立書（以下、「申立書」という。）に添付された甲第１号証～甲第７号証であり、甲１～甲７の各々に記載された事項を各々、甲１記載事項～甲７記載事項という。また、甲第１号証に記載された発明を甲１－１発明、甲１－２発明という。

（１）理由１（サポート要件）について

ア　本件特許に係る明細書の発明の詳細な説明の段落【０００７】には、「主として銅からなる金属層」と窒化物セラミックス基板とを十分強固に接合することを本件発明が解決しようとする課題とするものであって、単に銅が含まれているだけの金属層である銅合金層を対象とするものでないが、請求項１、２、１６、１７に係る発明は、銅合金が含有する元素の量を「合計の濃度が０．０００１～９５質量％以下となるように含有する」ものであって、「主として銅からなる金属層」ではなく、単に銅が含まれているだけの金属層である銅合金層を含むものである旨、記載されている。

イ　請求項１、２、１６、１７に列挙する元素は、特性が異なる元素を一つの元素群に挙げているが、これらの元素は、融点などの物性値が大きく異なり、銅合金層に添加する際の必要な添加量も大きく異なるものと考えられるが、これらの全ての元素について、銅合金層における合計の含有量が「０．０００１～９５質量％以下」との広い数値範囲の全域において、発明の課題が解決できることを当業者が認識できる程度に発明の詳細な説明で記載されているとはいえない。

ウ　本件明細書等の発明の詳細な説明には、請求項１、２、１６、１７に列挙する元素の銅合金層における合計の含有量の最小値が０．０１質量％（実施例５３）、最大値が８５質量％（実施例５１）であって、これら元素の銅合金層における合計の含有量が「０．０００１～９５質量％以下」との広い数値範囲の全域において、発明の課題が解決できることを当業者が認識できる程度に発明の詳細な説明で記載されているとはいえない。

エ　特許権者が「例証されている」と主張する実施例５、６、８、１０、１２、１３、１６、１７、３１、３２、３４、３６、３８、３９、４５、４８及び５０～５５には、Ｎｂ、Ｌｉ、Ｔｉを含有する銅合金層が含まれておらず、請求項１、２、１６、１７に列挙する全ての元素について、発明の課題が解決できることを当業者が認識できる程度に発明の詳細な説明で記載されているとはいえない。

（２）理由４（進歩性）について

請求項１～１５に係る発明は、甲１－１発明、甲１記載事項、甲２記載事項～甲４記載事項、甲６記載事項及び甲７記載事項に例示される周知技術に基いて、請求項１６～２０に係る発明は、甲１－２発明、甲１記載事項、甲２記載事項～甲４記載事項、甲７記載事項に例示される周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。

第５　当審の判断

１． 取消理由通知書＜決定の予告＞に記載した取消理由について

１－１　理由１（サポート要件）について

（１）本件発明が解決しようとする課題

ア　本件発明が解決しようとする課題は、明細書の段落【０００７】～【０００９】、【００２３】、【００２５】、【００２６】の記載を総合的に判断すると、単に銅が含まれている合金層と窒化物セラミックス基板とを十分強固に接合するとともに、その製造工程を削減することのできる積層体及びその製造方法を提供することにあると認められる。

イ　また、明細書の段落【００３５】、【００３６】には、以下の事項が記載されている。

「【００３５】

以上の検討に基き、発明者は、Ｃｕ金属層を、上述したチタンのような、窒化アルミニウムと銅との接合をもたらす元素を銅に含有させた銅合金層とすることにより、銅合金層に含まれる当該元素が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成して、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を実現できると考えた。

このことを検証するため、Ｔｉを３．１質量％で含有するチタン銅合金（Ｃｕ－Ｔｉ）と窒化アルミニウムとの界面状態につき、同様のシミュレーションを行ったところ、図４に示す結果を得た。

図４に示すシミュレーション結果から、チタン銅合金に含まれるＴｉと、窒化アルミニウムのＮでＴｉＮが形成され、これが、チタン銅合金と窒化アルミニウムとの接合に有効に働くと考えられる。

【００３６】

また発明者は、窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素であって、かつ銅合金に含有させることのできる元素を検討し、窒化物を形成する元素であってかつＣｕに固溶する元素として、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｈｆがあり、また、窒化物を形成する元素であって、かつＣｕに固溶はしないかまたはほとんど固溶しないがＣｕとの状態図が存在する元素（すなわちＣｕとの化合物が存在する元素）として、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａがあることから、Ｔｉだけでなく、これらの元素を含有する銅合金は、窒化物セラミックス基板と接合される銅合金層に用いることができると考えた。」

当該記載から、本件に係る発明が解決しようとする課題は、窒化物を形成する元素であってかつ銅に固溶する元素、または窒化物を形成する元素であってかつ銅に固溶しないかまたはほとんど固溶しないが銅との状態図が存在する元素（すなわち銅との化合物が存在する元素）を含有する銅合金であれば、窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素であって、かつ銅合金に含有することのできる元素Ｍを銅合金層に含有させることにより、窒化物セラミックスの窒素Ｎと銅合金層に含まれる銅以外の元素Ｍとが、窒化物セラミックスと銅合金層との界面で化合物（Ｍ－Ｎ）を形成し、窒化物セラミックスと銅合金層との接合が実現できると当業者が認識し得るものである。

ウ　そして、明細書の段落【００７５】の【表１】、段落【００７６】の【表２】には、実施例又は参考例として、各種元素を含有する銅合金層と窒化物セラミックス基板との間の剥離強度が示されている。

（２）銅合金層が含有する元素について

ア　本件訂正発明１、１６について

本件訂正発明１は、銅合金層が「Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％含有する」ことを発明特定事項とし、本件訂正発明１６は、銅合金層が「Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％となるように含有する」ことを発明特定事項とするものである。

（ア）元素の種類について

本件明細書の段落【００３６】の記載から、本件訂正発明１、１６に列挙される元素は、高融点金属（例えば、Ｍｏ、Ｗ等）であっても軽元素（例えば、Ｌｉ、Ｂ等）であっても、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素であって、かつ銅合金に含有させることのできる元素」である点において共通の性質を有していることは明らかである。

そして、令和　２年１１月１９日に特許権者が提出した意見書に添付した参考文献である「社団法人日本化学会編“化学便覧　基礎編　改訂５版”、丸善株式会社、平成１６年２月２０日、ＩＩ－２９１～ＩＩ－３００ページ」によれば、標準生成ギブスエネルギーが、ＡｌＮ：－２８７、ＢＮ：－２２８．４、ＣｒＮ：－１００．３、Ｃｒ２Ｎ：－１０４．２、ＧａＮ：－７８．６、ＩｎＮ：－２２９、Ｍｇ３Ｎ２：－４００．６、Ｓｉ３Ｎ４：－６７６．４６、ＴｉＮ：－３０９．６、ＶＮ：－１９１．２、ＺｒＮ：－３３６．４となっており、軽元素であっても高融点金属であっても、窒素との結びつきの強さとの観点では同程度であると推察され、本件訂正発明１、１６に列挙された元素は、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素」であるから、銅と比べて窒化物セラミックス基板との間で化合物（窒化物）を形成しやすいものであり、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することが理解できるものである。

そして、本件訂正発明１、１６に列挙された元素は、いずれも本件明細書の段落【００７５】の【表１】、段落【００７６】の【表２】において実施例として例証されているところである。

（イ）元素の含有量について

本件発明が解決しようとする課題は、上記ア（ア）のとおり、単に銅が含まれている合金層と窒化物セラミックス基板とを十分強固に接合するとともに、その製造工程を削減することのできる積層体及びその製造方法を提供することであるから、銅合金層の成分が主として銅であるか否かを問わないものである。

そして、本件明細書の段落【００３５】、【００３６】の記載からみて、銅合金層中に本件訂正発明１、１６で列挙される元素は、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素」であるから、銅と比べて窒化物セラミックス基板との間で化合物（窒化物）を形成しやすいものであり、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することが理解できるものである。そのため、銅合金層中に当該元素が多く含まれるほど、窒化物セラミックス基板と銅合金層との間に化合物（窒化物）が形成され、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することも理解できる。

そして、本件明細書の段落【００７５】の【表１】、段落【００７６】の【表２】において例証されている実施例において、本件訂正発明１、１６で列挙する元素から選択される少なくとも１つの元素の銅合金層における含有量の最小値は０．０１質量％（実施例５３、実施例５５）であり、最大値は８５質量％（実施例５１）である。

（ウ）小括

してみると、本件訂正発明１、１６は、上記（１）に示した発明の詳細な説明において課題を解決することができると当業者が認識できる程度に記載された範囲内のものであって、発明の詳細な説明に記載された発明ということができるから、特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たすものである。

イ　本件発明２、１７について

本件訂正発明２は、銅合金層が「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％を含有する」ことを発明特定事項とし、本件訂正発明１７は、銅合金層が「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度で０．０１～８５質量％となるように含有する」ことを発明特定事項とするものである。

（ア）元素の種類について

本件明細書の段落【００３６】の記載から、本件訂正発明２、１７に列挙される元素は、高融点金属（例えば、Ｍｏ、Ｗ等）であっても軽元素（例えば、Ｌｉ、Ｂ等）であっても、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素であって、かつ銅合金に含有させることのできる元素」である点において共通の性質を有していることは明らかである。

そして、令和　２年１１月１９日に特許権者が提出した意見書に添付した参考文献である「社団法人日本化学会編“化学便覧　基礎編　改訂５版”、丸善株式会社、平成１６年２月２０日、ＩＩ－２９１～ＩＩ－３００ページ」によれば、標準生成ギブスエネルギーが、ＡｌＮ：－２８７、ＢＮ：－２２８．４、ＣｒＮ：－１００．３、Ｃｒ２Ｎ：－１０４．２、ＧａＮ：－７８．６、ＩｎＮ：－２２９、Ｍｇ３Ｎ２：－４００．６、Ｓｉ３Ｎ４：－６７６．４６、ＴｉＮ：－３０９．６、ＶＮ：－１９１．２、ＺｒＮ：－３３６．４となっており、軽元素であっても高融点金属であっても、窒素との結びつきの強さとの観点では同程度であると推察され、本件訂正発明２、１７に列挙された元素は、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素」であるから、銅と比べて窒化物セラミックス基板との間で化合物（窒化物）を形成しやすいものであり、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することが理解できるものである。

そして、本件訂正発明２、１７に列挙された元素は、Ｔｉを除いて、いずれも本件明細書の段落【００７５】の【表１】、段落【００７６】の【表２】において実施例として例証されているところである。

また、Ｔｉについては、本件明細書の段落【００７５】の【表１】、段落【００７６】の【表２】において、銅合金層中に単独で含む例である参考例１～４、８～１１、１３～２５、２９～３２が記載されており、これらの参考例の剥離強度が１５ｋＮ／ｍ以上であることから、銅合金層中のＴｉが単独で密着性の向上という効果を奏していることが理解できる。そして、銅合金層中にＴｉが含まれれば、密着性の向上という効果を奏するのであるから、Ｔｉのほかに、本件訂正発明２、１７に列挙されるＴｉ以外のいずれかの元素を含む銅合金層であっても、単独でＴｉを含んでいる場合と同様に、窒化物セラミックス基板の窒素と反応して化合物（窒化物）を形成することで、銅合金層と窒化物セラミックス基板との密着性を向上させることができることは明らかである。

（イ）元素の含有量について

本件発明が解決しようとする課題は、上記ア（ア）のとおり、単に銅が含まれている合金層と窒化物セラミックス基板とを十分強固に接合するとともに、その製造工程を削減することのできる積層体及びその製造方法を提供することであるから、銅合金層の成分が主として銅であるか否かを問わないものである。

そして、本件明細書の段落【００３５】、【００３６】の記載からみて、銅合金層中に本件訂正発明２、１７で列挙される元素は、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素」であるから、銅と比べて窒化物セラミックス基板との間で化合物（窒化物）を形成しやすいものであり、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することが理解できるものである。そのため、銅合金層中に当該元素が多く含まれるほど、窒化物セラミックス基板と銅合金層との間に化合物（窒化物）が形成され、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することも理解できる。

なお、本件明細書の段落【００７５】の【表１】、段落【００７６】の【表２】において例証されている実施例において、本件訂正発明２、１７で列挙する元素から選択される少なくとも２種類の元素の銅合金層における合計の含有量の合計の最小値は０．５質量％（実施例８）であり、最大値は質量２．５２質量％（実施例５３）である。

しかしながら、上記のとおり、本件訂正発明２、１７で列挙する元素から選択される少なくとも２種類の元素の含有量の合計値が多いほど、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に化合物（窒化物）が形成され、窒化物セラミックス基板と銅合金層との密着性が向上するものと理解できるのであるから、銅合金層として存在し得る限りにおいて、含有量を８５質量％まで増やしたとしても、同様の作用効果を奏することができるものと理解することができ、最小値を０．０１質量％とすることについても、窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素」の「総量」であることに変わりはないから、２種類の元素の合計の含有量の最小値が、１種類の元素の総量の最小値と同程度の０．０１程度であることは、当業者が予測できる範囲内であるということができる。

（ウ）小括

してみると、本件訂正発明２、１７は、上記（１）に示した発明の詳細な説明において課題を解決することができると当業者が認識できる程度に記載された範囲内のものであって、発明の詳細な説明に記載された発明ということができるから、特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たすものである。

ウ　申立人の主張について

（ア）申立人は、令和２年１２月２３日に提出した意見書（以下、「申立人意見書」という。）の第３ページ第７行～第１４行において、「しかしながら、本件特許明細書の実施例は、実施例５１、５２においてＭｏ、Ｗを主成分とする合金層しか開示しておりません。すなわち、本件特許明細書の実施例には、特定の金属元素を主成分とする銅合金層しか記載されておらず、例えばＣｕ、Ｍｏ、Ｗ以外の金属元素やＳｉ等の非金属元素を主成分とする銅合金層について何ら記載されておりません。」、「よって、本件特許明細書は、銅を含む金属層の全てにおいて必ず上記課題を解決できることが発明の詳細な説明に記載されたものであるとは到底認められるものではありません。」と主張する。

しかしながら、上記（２）ア（イ）及びイ（イ）に示したとおり、本件訂正発明１、２、１６及び１７に列挙された元素は、本件明細書の段落【００３５】、【００３６】の記載から、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素」であるから、銅と比べて窒化物セラミックス基板との間で化合物（窒化物）を形成しやすいものであり、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することが理解できるものであって、銅合金層中に当該元素が多く含まれるほど、窒化物セラミックス基板と銅合金層との間に化合物（窒化物）が形成され、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することも理解できるところである。

してみると、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ以外の元素についても、本件訂正発明１、２、１６及び１７に列挙された元素のいずれかを主成分としたものであっても、銅合金として存在し得る限り、（１）で示した発明の詳細な説明において課題を解決することができると当業者が認識できる程度に記載された範囲内のものであって、発明の詳細な説明に記載された発明ということができるから、申立人の主張を採用することはできない。

（イ）申立人は、申立人意見書の第３ページ第１６行～第２０行において、「・・・訂正後の請求項１、２、１６、１７は、特性が異なる元素を一つの元素群に挙げておりますが、これらの元素は、融点等の物性値が大きく異なり、必要な添加量も元素ごとに大きくことなります。これは本件特許明細書の［表１］、［表２］において、各実施例の上記元素の添加量が元素の種類によって大きく異なることからも明らかです。・・・」と主張する。

しかしながら、上記（２）ア（ア）及びイ（ア）で述べたとおり、令和　２年１１月１９日に特許権者が提出した意見書に添付した参考文献である「社団法人日本化学会編“化学便覧　基礎編　改訂５版”、丸善株式会社、平成１６年２月２０日、ＩＩ－２９１～ＩＩ－３００ページ」によれば、本件訂正発明１、２、１６及び１７で列挙された元素については、標準生成ギブスエネルギーが軽元素であっても高融点金属であっても、窒素との結びつきの強さとの観点では同程度であると推察され、これら元素は、「窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素」であるから、銅と比べて窒化物セラミックス基板との間で化合物（窒化物）を形成しやすいものであり、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することが理解できるものであって、融点等の違いがあったとしても、窒化物セラミックス基板と銅合金層との密着性の向上という課題を解説できる点において、なんら変わるものではないから、申立人の主張を採用することはできない。

（ウ）申立人は、申立人意見書の第４ページ第１７行～第２３行において、「また、訂正後の請求項２や請求項１７の範囲内であって、上記元素からなる群より選ばれる少なくとも２種類の元素を含む実施例において、上記元素の合計濃度の最小値は０．５質量％（実施例８）であり、最大値は２．５２質量％（実施例５３）であります。」、「よって、本件特許明細書は、上記１種類または２種類の元素の合計濃度が０．０１～８５質量％以下の全ての値において必ず上記課題を解決できることが発明の詳細な説明に記載されたものであるとは到底認められるものではありません。」と主張する。

しかしながら、上記（２）イ（イ）で述べたとおり、本件訂正発明２、１７で列挙する元素から選択される少なくとも２種類の元素の含有量の合計値が多いほど、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に化合物（窒化物）が形成され、窒化物セラミックス基板と銅合金層との密着性が向上するものと理解できるのであるから、銅合金層として存在し得る限りにおいて、含有量を８５質量％まで増やしたとしても、同様の作用効果を奏することができるものと理解することができ、最小値を０．０１質量％とすることについても、当業者が推測できる範囲内であるということができるから、申立人の主張を採用することはできない。

（エ）さらに申立人は、申立人意見書の第５ページ第１４行～第１７行において「・・・本件特許明細書には、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を結合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体について何ら記載されておりません。また、本件特許明細書の実施例においても上記酸化膜相が無いことについて全く検証されておりません。」と主張する。

しかしながら、本件訂正発明１、２、１６及び１７における「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。」とは、いわゆる除くクレームであって、甲１に記載されたＤＢＣ法により形成されるＣｕ－Ｏ共晶化合物液相を結合剤とし、当該Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相からなる酸化膜相により銅合金層と窒化物セラミックス基板とが接合された積層体を除くものであるから、本件特許明細書の各実施例に当該Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相が存在しないことは明らかであって、申立人の主張を採用することはできない。

エ　まとめ

以上のとおりであるから、本件訂正発明１、２、１６、１７は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たすものであり、本件訂正発明１、２を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明３～１５、本件訂正発明１６、１７を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明１８～２０についても同様に、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たすものである。

１－２　理由４（進歩性）について

（１）事実認定

ウ　甲３記載事項

取消理由通知で引用した甲３である特開昭６３－３１０９３４号公報には、以下の事項が記載されている。

「

」（第３頁第１表）

（２）対比・判断

ア　本件訂正発明１について

本件訂正発明１と甲１－１発明とを対比すると、甲１－１発明の「窒化珪素基板」は、本件訂正発明１の「窒化物セラミックス基板」に相当する。

また、甲１－１発明は、「窒化珪素基板」に、「活性金属ろう付け法等を用いて」、「銅合金」からなる「金属回路板及び金属放熱板」が「接合された」ものであるところ、前記「金属回路板及び金属放熱板」は、「窒化珪素基板」の表面に積層されたものといえること、及び、甲１－１発明の「金属回路板及び金属放熱板」は「銅を主成分とし、亜鉛（Ｚｎ）又はジルコニウム（Ｚｒ）（０．１５％）を添加した銅を主成分とする銅合金からな」るものであり、本件訂正発明１の「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素の合計濃度が０．０１～８５質量％を含有する」との要件を満たすものであることを踏まえると、甲１－１発明の「銅を主成分とし、亜鉛（Ｚｎ）又はジルコニウム（Ｚｒ）等を添加した銅を主成分とする銅合金からなり前記窒化珪素基板に、活性金属ろう付け法等を用いて接合される銅合金板である金属回路板及び金属放熱板」は、本件訂正発明１の「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層」に相当する。

そして、甲１－１発明の「セラミックス配線基板」は、「窒化珪素基板」と「金属回路板及び金属放熱板」とが積層されたものといえるから、本件訂正発明１の「積層体」に相当する。

してみると、本件訂正発明１と甲１－１発明とは、両者が「窒化セラミックス基板と、該窒化セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素の合計濃度が０．０１～８５質量％含有する、積層体」である点で一致し、次の点で相違する。

（相違点１）

窒化セラミックス基板と銅合金層とが、本件訂正発明１では「直接的に接合されて」積層されるものであって、「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」であるのに対して、甲１－１発明では、活性金属ろう付け法等によって接合されて積層される点。

上記相違点１について検討する。

本件訂正発明１の「直接的に接合」とは、特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００２２】を参酌すると、「銅合金層自体の組成又はその酸化物からなる銅合金層表面と、窒化物セラミックス基板自体の組成又はその酸化物からなる基板表面とが、他の組成からなる層の介在なしに接触した状態で相互に固着されることをいう。すなわち、相互に積層された銅合金層と窒化物セラミックス基板との間には、その酸化皮膜は存在することがあっても、それら以外の組成からなる他の層が存在しないことを意味する。」ものである。

一方、甲１－１発明における「活性金属ろう付け方法等」とは、甲第１号証の段落【０００３】に、「セラミックス基板と金属板との接合は、例えば、銅直接接合（ＤＢＣ：Direct Bonding Copper）法や活性金属ろう付け法等が用いられている。ここで、ＤＢＣ法とは、セラミックス基板と銅板とを不活性ガス又は窒素雰囲気中で共晶温度以上の温度に加熱し、生成したＣｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅板をセラミックス基板の一面又は両面に酸化膜相を介して直接接合するものである。」と記載されているから、セラミックス基板と金属板との間に「活性金属ろう」を介在するもの、又は「Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅板をセラミックス基板の一面又は両面に酸化膜相を介して直接接合」するものである。

してみると、本件訂正発明１の「直接的に接合」が「酸化皮膜は存在」することを許容しているものであっても、本件訂正発明１が「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」である以上、甲１－１発明において、甲１記載事項で示唆されたＤＢＣ法を適用して、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金板と窒化セラミックス基板とを「直接的に接合」するように構成しても、本件訂正発明１を当業者が容易に想到し得たということはできないものである。

そして、窒化セラミックス基板に対して銅合金層を接合する際に、活性金属ろうを介在させず、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として介在させずに直接的に接合することを示唆する文献も見当たらない。

したがって、本件訂正発明１は、甲１－１発明及び甲１記載事項に基いて当業者が容易に発明することができたものはない。

イ　本件訂正発明２について

本件訂正発明２と甲１－１発明とを対比すると、甲１－１発明の「窒化珪素基板」は、本件訂正発明２の「窒化物セラミックス基板」に相当する。

また、甲１－１発明の「セラミックス配線基板」は、「窒化珪素基板」と「金属回路板及び金属放熱板」とが積層されたものといえるから、本件訂正発明２の「積層体」に相当する。

そして、甲１－１発明は、「窒化珪素基板」に、「活性金属ろう付け法等を用いて」、「銅合金」からなる「金属回路板及び金属放熱板」が「接合された」ものであるところ、「金属回路板及び金属放熱板」は、「窒化珪素基板」の表面に積層されたものといえることを踏まえると、甲１－１発明の「銅を主成分とし、亜鉛（Ｚｎ）又はジルコニウム（Ｚｒ）等を添加した銅を主成分とする銅合金からなり前記窒化珪素基板に、活性金属ろう付け法等を用いて接合される銅合金板である金属回路板及び金属放熱板」と、本件訂正発明２の「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層」とは、「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層」という限りにおいて一致する。

以上を踏まえると、本件訂正発明２と甲１－１発明とは、両者が「窒化セラミックス基板と、該窒化セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有する、積層体」である点で一致し、次の相違点で相違する。

（相違点２）

窒化セラミックス基板と銅合金層とが、本件訂正発明２では「直接的に接合されて」積層されるものであって、「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」であるのに対して、甲１－１発明では、活性金属ろう付け法等によって接合されて積層される点。

（相違点３）

銅合金層について、本件訂正発明２の銅合金層は「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度が０．０１～８５質量％含有する」のに対し、甲１－１発明の「金属回路板及び金属放熱板」は、「銅を主成分とし、亜鉛（Ｚｎ）又はジルコニウム（Ｚｒ）（０．１５％）を添加した銅を主成分とする銅合金からな」るものである点。

上記相違点２について検討すると、上記アにおいて相違点１について述べたとおり、甲１－１発明における「活性金属ろう付け方法等」とは、セラミックス基板と金属板との間に「活性金属ろう」を介在するもの、又は「Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅板をセラミックス基板の一面又は両面に酸化膜相を介して直接接合」するものであって、本件訂正発明２の「直接的に接合」が「酸化皮膜は存在」することを許容しているものであっても、本件訂正発明２が「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」である以上、甲１－１発明において、甲１記載事項で示唆されたＤＢＣ法を適用して、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金板と窒化セラミックス基板とを「直接的に接合」するように構成しても、本件訂正発明２を当業者が容易に想到し得たということはできないものである。

そして、窒化セラミックス基板に対して銅合金層を接合する際に、活性金属ろうを介在させず、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として介在させずに直接的に接合することを示唆する文献も見当たらない。

したがって、相違点３について論じるまでもなく、本件訂正発明２は、甲１－１発明及び甲１記載事項に基いて当業者が容易に発明することができたものはない。

ウ　本件訂正発明３～１５について

本件訂正発明３～１５は、本件訂正発明１又は２を直接的又は間接的に引用するものであるから、本件訂正発明１又は２と同様に、窒化セラミックス基板と銅合金層とが「直接的に接合されて」積層されるものであって、「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」であるから、本件訂正発明１及び本件訂正発明２と同じ理由により、甲１－１発明及び甲１記載事項に基いて当業者が容易に発明することができたものはない。

エ　本件訂正発明１６について

本件訂正発明１６と甲１－２発明とを対比すると、甲１－２発明の「窒化珪素基板」は、本件訂正発明１６の「窒化物セラミックス基板」に相当する。

また、甲１－２発明は、「窒化珪素基板の一面、他面に・・・金属回路板、金属放熱板を、それぞれ、載置し、加圧状態で保持し、所定温度と時間にわたって熱処理した後、冷却することにより、窒化珪素基板に金属放熱板を接合する」ものであるところ、前記「金属回路板及び金属放熱板」は、「窒化珪素基板」の表面に積層されたものといえること、及び、甲１－２発明の「金属回路板及び金属放熱板」は「銅を主成分とし、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等を添加した銅を主成分とする銅合金からな」るものであり、本件訂正発明１６の「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素の合計濃度が０．０１～８５質量％となるように含有する」との要件を満たすものであることを踏まえると、甲１－２発明の「窒化珪素基板の一面、他面に」、「銅合金からなる銅合金板である金属回路板、金属放熱板を、それぞれ、載置し、加圧状態で保持し、所定温度と時間にわたって熱処理した後、冷却することにより、窒化珪素基板に金属放熱板を接合する」は、本件訂正発明１６の「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させる」限りにおいて一致する。

そして、甲１－２発明の「セラミックス配線基板の製造方法」は、「窒化珪素基板」と「金属回路板及び金属放熱板」とが積層されたものといえるから、本件訂正発明１６の「積層体の製造方法」に相当する。

してみると、本件訂正発明１６と甲１－２発明とは、両者が「銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を合計の濃度が０．０１～８５質量％となるように含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させ、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、接合される、積層体の製造方法。」である点で一致し、以下の相違点４で相違する。

（相違点４）

窒化セラミックス基板と銅合金層とが、本件訂正発明１６では「直接的に接合される」ことで積層され、「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く」ものであるのに対して、甲１－２発明では、活性金属ろう付け法等によって接合されて積層される点。

上記相違点４について検討する。

上記アと同様に、甲１－２発明における「活性金属ろう付け方法等」とは、セラミックス基板と金属板との間に「活性金属ろう」を介在するもの、又は「Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅板をセラミックス基板の一面又は両面に酸化膜相を介して直接接合」するものであって、本件訂正発明１６の「直接的に接合」が「酸化皮膜は存在」することを許容しているものであっても、本件訂正発明１６が「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」である以上、甲１－２発明において、甲１記載事項で示唆されたＤＢＣ法を適用して、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金板と窒化セラミックス基板とを「直接的に接合」するように構成しても、本件訂正発明１６を当業者が容易に想到し得たということはできないものである。

そして、窒化セラミックス基板に対して銅合金層を接合する際に、活性金属ろうを介在させず、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として介在させずに直接的に接合することを示唆する文献も見当たらない。

したがって、本件訂正発明１６は、甲１－２発明及び甲１記載事項に基いて当業者が容易に発明することができたものはない。

オ　本件訂正発明１７について

本件訂正発明１７と甲１－２発明とを対比すると、甲１－２発明の「窒化珪素基板」は、本件訂正発明１７の「窒化物セラミックス基板」に相当する。

また、甲１－２発明の「セラミックス配線基板の製造方法」は、「窒化珪素基板」と「金属回路板及び金属放熱板」とが積層されたものといえるから、本件訂正発明１７の「積層体の製造方法」に相当する。

そして、甲１－２発明は、「窒化珪素基板の一面、他面に」、「銅合金からなる銅合金板である金属回路板、金属放熱板を、それぞれ、載置し、加圧状態で保持し、所定温度と時間にわたって熱処理した後、冷却することにより、窒化珪素基板に金属放熱板を接合する」ものであることを踏まえると、甲１－２発明の「窒化珪素基板の一面、他面に、銅を主成分とし、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）（０．１５％）を添加した銅を主成分とする銅合金からなる銅合金板である金属回路板、金属放熱板を、それぞれ、載置し、加圧状態で保持し、所定温度と時間にわたって熱処理した後、冷却することにより、窒化珪素基板に金属放熱板を接合する」と、本件訂正発明１７の「銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度が０．０１～８５質量％となるように含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させ」とは、「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、銅合金層を、熱圧着により積層させ」という限りにおいて一致する。

以上を踏まえると、本件訂正発明１７と甲１－２発明とは、両者が「銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させ、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、接合される、積層体の製造方法。」である点で一致し、次の相違点で相違する。

（相違点５）

窒化セラミックス基板と銅合金層とが、本件訂正発明１７では「直接的に接合される」ことで積層され、「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く」ものであるのに対して、甲１－２発明では、活性金属ろう付け法等によって接合されて積層される点。

（相違点６）

銅合金層について、本件訂正発明１７の銅合金層は「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を合計の濃度が０．０１～８５質量％となるように含有する」のに対し、甲１－２発明の「金属回路板及び金属放熱板」は、「銅を主成分とし、亜鉛（Ｚｎ）又はジルコニウム（Ｚｒ）（０．１５％）を添加した銅を主成分とする銅合金からな」るものである点。

上記相違点５について検討すると、上記オにおいて相違点４について述べたとおり、甲１－２発明における「活性金属ろう付け方法等」とは、セラミックス基板と金属板との間に「活性金属ろう」を介在するもの、又は「Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅板をセラミックス基板の一面又は両面に酸化膜相を介して直接接合」するものであって、本件訂正発明１７の「直接的に接合」が「酸化皮膜は存在」することを許容しているものであっても、本件訂正発明１７が「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された層体を除くもの」である以上、甲１－２発明において、甲１記載事項で示唆されたＤＢＣ法を適用して、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金板と窒化セラミックス基板とを「直接的に接合」するように構成しても、本件訂正発明１７を当業者が容易に想到し得たということはできないものである。

そして、窒化セラミックス基板に対して銅合金層を接合する際に、活性金属ろうを介在させず、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として介在させずに直接的に接合することを示唆する文献も見当たらない。

したがって、相違点６について論じるまでもなく、本件訂正発明１７は、甲１－２発明及び甲１記載事項に基いて当業者が容易に発明することができたものはない。

カ　本件訂正発明１８～２０について

本件訂正発明１８～２０は、本件訂正発明１６又は１７を直接的又は間接的に引用するものであるから、本件訂正発明１６又は１７と同様に、窒化セラミックス基板と銅合金層とが「直接的に接合される」されるものであって、「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」であるから、本件訂正発明１６又は１７と同じ理由により、甲１－２発明及び甲１記載事項に基いて当業者が容易に発明することができたものはない。

（３）申立人の主張

申立人は、申立人意見書の第８ページ第４行～第１２行において「しかしながら、前述のとおり、訂正後の請求項１、２、１６、１７では「酸化膜相」の定義が不明確であります。上記酸化膜相が点状に存在する場合があることは、本件特許発明と同一の技術分野である参考資料２（当審注：特開２００４－３０２３号公報）の段落［００３５］等に記載された周知技術であります。」、「よって、仮に上記酸化膜相が点状に存在する態様を含まない場合、訂正後の請求項１、２、１６、１７に係る発明は、以下のとおり甲１（特開２０１１－１２４５８５号公報）、甲２（特開平２－１７５６７４号公報）、甲５（特開２００３－６３８７９号公報）、甲７（特開昭６３―５５８１２号公報）、および参考資料２に基づいて容易に為し得たものであると思料します。」と主張し、また同ページ第２３行～第２５行において「さらに、本件特許明細書には、「Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を結合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体」を除いた態様の作用・効果についても何ら記載されておりません。」と主張する。

しかしながら、本件訂正発明１、２、１６及び１７における「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。」は、いわゆる除くクレームであって、甲１に記載されたＤＢＣ法により形成されるＣｕ－Ｏ共晶化合物液相を結合剤とし、当該Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相からなる酸化膜相により銅合金と窒化物セラミックス基板とが接合された積層体を除くものであることは明らかであるから、申立人の主張を採用することはできない。

（４）まとめ

以上のとおりであるから、本件訂正発明１～２０は、甲１－１発明又は甲１－２発明、及び甲１記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明とはいえない。

２．取消理由通知書＜決定の予告＞において採用しなかった特許異議申立理由について

２－１　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について

（１）銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合について

申立人は、本件特許の請求項１、２、１６及び１７について、「銅合金層」を「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面」に「接合層」や「ろう材層」を介して「積層」するものを排除していない旨を主張する。

しかしながら、本件訂正により本件訂正発明１、２、１６及び１７は、銅合金層と窒化物セラミックス基板とを「直接的に接合」するものであって、「Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除くもの」となったことから、本件訂正発明１、２、１６及び１７は、「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面」に「銅合金層」が「直接的に接合される」、すなわち「銅合金層自体の組成又はその酸化物からなる銅合金層表面と、窒化物セラミックス基板自体の組成又はその酸化物からなる基板表面とが、他の組成からなる層の介在なしに接触した状態で相互に固着される」のであって、「接合層」や「ろう材層」を介して「積層」されるものを排除するものであるから、その意味において、本件訂正発明１、２、１６及び１７が解決しようとする課題を解決し得ないものを含むとはいえないものである。

よって、申立人の主張する特許異議申立理由によって、本件訂正発明１、２、１６及び１７に係る特許を取り消すことはできない。

本件訂正発明１、２を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明３～１５、及び、本件訂正発明１６、１７を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明１８～２０についても同様である。

（２）銅合金層の主成分について

申立人は、本件特許の請求項４、５、１８、１９について、銅合金層がＭｎを主成分とする組成を含んでいるが、発明の詳細な説明にはＭｎを主成分とする銅合金層は記載されていない旨を主張する。

しかしながら、上記１．１－１（１）に示したとおり、本件発明が解決しようとする課題は、単に銅を含むだけの銅合金層を対象としているものであって、銅合金層の主成分を銅に限定するものではない。

そして、１．１－１（２）ア（イ）及びイ（イ）で示したように、「銅合金層中に当該元素が多く含まれるほど、窒化物セラミックス基板と銅合金層との間に化合物（窒化物）が形成され、窒化物セラミックスと銅合金層との密着性が向上することも理解できる」のであるから、Ｍｎを主成分とする銅合金が発明の詳細な説明に記載されていないとすることはできず、申立人の主張する特許異議申立理由によって、本件訂正発明４、５、１８及び１９に係る特許を取り消すことはできない。

本件訂正発明４、５を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明６～１５、及び、本件訂正発明１８、１９を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明２０についても同様である。

２－２　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について

（１）本件特許の請求項４、５、１８及び１９について、「９５質量％」の「Ｍｎ」を含有する「銅合金層」は、「銅合金」の含有量が５質量％となってしまうため、そのようなものは、銅合金層といえるのか不明であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさないとして、令和　２年　１月２７日付けで取消理由を通知した。

しかしながら、合金とは「１種の金属元素と１種以上の金属元素または炭素・窒素・ケイ素など非金属元素との共融体の総称。」（広辞苑　第六版）とされており、「１種の金属元素」の含有量が問われるものではない。そして、銅の含有量が５０質量％未満であっても、銅を含む合金であれば銅合金ということが一般的であることを勘案すると、本件訂正発明４、５、１８及び１９の銅合金がＭｎを主な成分とするものであっても「銅合金層」であることになんら変わりはなく、不明確であるとまでいうことはできない。

よって、本件訂正発明４、５、１８及び１９は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たすものであるから、当該取消理由により本件訂正発明４、５、１８及び１９に係る特許を取り消すことはできない。

本件訂正発明４、５を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明６～１５、及び、本件訂正発明１８、１９を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明２０についても同様である。

（２）申立人の主張

申立人は、申立人意見書の第６ページ第１８行～第７ページ第７行において、「しかしながら、本件特許明細書には、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を結合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体については何ら記載されておらず、「酸化膜相」の定義が不明確であります。「相」という用語は、酸化物が膜状に存在するだけでなく点状に存在する態様を含みます。Ｃｕは、酸化しやすい成分であるため、一般的に銅を含む層は不可避不純物として酸素をさらに含みます。このため、上記酸化膜相は、点状に存在する場合があります。・・・従って、上記酸化膜相が膜状に存在する積層体を除外しているのか、上記酸化膜相が点状に存在する積層体も除外しているのかが不明であるため、訂正後の請求項１、２、１６、１７のように、「Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を結合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体」を除いた後に何が残るのか想定できません。」と主張する。

しかしながら、本件訂正発明１、２、１６及び１７における「ただし、Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相を接合剤として銅合金層と窒化物セラミックス基板とが酸化膜相を介して接合された積層体を除く。」は、いわゆる除くクレームであって、甲１に記載されたＤＢＣ法により形成されるＣｕ－Ｏ共晶化合物液相を結合剤とし、当該Ｃｕ－Ｏ共晶化合物液相からなる酸化膜相により銅合金と窒化物セラミックス基板とが接合された積層体を除くものであることは明らかであるから、申立人の主張を採用することはできない。

第６　むすび

以上のとおり、本件訂正発明１～２０については、取消理由通知書＜決定の予告＞に記載した取消理由又は特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によって、特許を取り消すことはできない。さらに、本件訂正発明１～２０について、他に特許を取り消すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり決定する。