2019-700311

２　訂正の適否についての判断

（１）訂正の内容

ア　訂正事項１

特許請求の範囲の請求項１に「前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有する高分子材料層とを含み、」とあるのを、「前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有し、該セラミックス基材と該支持体とを接合する高分子材料層とを含み、」に訂正する（請求項１を引用する請求項２～８も同様に訂正する。）。

イ　訂正事項２

特許請求の範囲の請求項１に「それらの接合領域で、厚さ方向で重なる部分を有する静電チャック装置」とあるのを、「それらの接合領域で、厚さ方向で重なる部分を有する静電チャック装置であって、

前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有し、

前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である、静電チャック装置。」に訂正する（請求項１を引用する請求項２～８も同様に訂正する。）。

（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否及び一群の請求項について

ア　訂正事項１について

（ア）訂正の目的の適否

訂正前の請求項１に係る特許発明では、「高分子材料層」が「セラミックス基材と支持体とを接合する」ことについては何ら特定されていない。

これに対して、訂正事項１は、請求項１において、高分子材料層が、「該セラミックス基材と該支持体とを接合する高分子材料層」と限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。

よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）新規事項の有無

訂正事項１は、明細書の段落【００２１】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否

訂正事項１は、訂正後の請求項１に係る発明並びに訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２～８に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

イ　訂正事項２について

（ア）訂正の目的の適否

訂正前の請求項１に係る特許発明では、「高分子材料層」が有する「接合線」、及び「高分子材料層」における、「接合領域」の幅の長さと「高分子材料層」の厚さとの関係については何ら特定されていない。

これに対して、訂正事項２は、請求項１に、「静電チャック装置であって、前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有し、前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である、」との記載を追加することにより、「高分子材料層」が、「該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有」すること、及び「前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である」ことを限定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。

よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

（イ）新規事項の有無

訂正事項２は、明細書の段落【００２３】、【００２５】及び図面の図１、２に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

（ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否

訂正事項２は、請求項１～８に係る発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること

本件においては、訂正前の全ての請求項１～８に係る特許が特許異議の申立ての対象とされているため、訂正事項１～２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。

エ　一群の請求項について

訂正事項１～２に係る訂正前の請求項１～８について、訂正前の請求項２～８は直接又は間接的に請求項１を引用するものであって、訂正事項１～２によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～８は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項に該当する。

よって、本件訂正請求は、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。

（３）小括

以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合し、また、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。また、本件訂正請求は、同法第１２０条の５第４項の規定に適合する。

したがって、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～８〕について訂正することを認める。

３　訂正後の本件発明

本件訂正請求により訂正された請求項１ないし８に係る発明（以下、順に「本件発明１」ないし「本件発明８」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。

「【請求項１】

面方向および厚さ方向を有するセラミックス基材と、

前記セラミックス基材に対して、前記セラミックス基材の厚さ方向に配置され、前記セラミックス基材を支持する支持体と、

前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有し、該セラミックス基材と該支持体とを接合する高分子材料層とを含み、

続きを表示（全29行）

前記高分子材料層は、第１の高分子材料層および該第１の高分子材料層と異なり該第１の高分子材料層と面方向に隣接し、該第１の高分子材料層と接合する第２の高分子材料層に少なくとも区画され、

前記第１の高分子材料層および前記第２の高分子材料層が、それらの接合領域で、厚さ方向で重なる部分を有する静電チャック装置であって、

前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有し、

前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である、静電チャック装置。

【請求項２】

前記高分子材料層の厚さが４０～５００μｍである請求項１に記載の静電チャック装置。

【請求項３】

前記高分子材料層が面方向の円形であり、円形の前記第２の高分子材料層が面方向の中心部に配置され、

前記高分子材料層の面方向の中心に対して、前記第１の高分子材料層が前記第２の高分子材料層の外側に配置されてなり、

前記第１の高分子材料層が前記第２の高分子材料層のヤング率に比べて低いヤング率を有する請求項１又は２に記載の静電チャック装置。

【請求項４】

前記高分子材料層が面方向の円形であり、円形の前記第２の高分子材料層が面方向の中心部に配置され、

前記高分子材料層の面方向の中心に対して、前記第１の高分子材料層が前記第２の高分子材料層の外側に配置されてなり、

前記第１の高分子材料層のプラズマに対する耐食性が、前記第２の高分子材料層のプラズマに対する耐食性に比べて高い請求項１～３のいずれか１項に記載の静電チャック装置。

【請求項５】

前記高分子材料層の前記支持体側の面における前記第１の高分子材料層および前記第２の高分子材料層の接合線が、前記高分子材料層の前記セラミックス基材側の面における前記第１の高分子材料層および前記第２の高分子材料層の接合線に比べて、前記高分子材料層の面方向の中心側にある、請求項４に記載の静電チャック装置。

【請求項６】

前記高分子材料層が面方向の円形であり、円形の前記第２の高分子材料層が面方向の中心部に配置され、

前記高分子材料層の面方向の中心に対して、前記第１の高分子材料層が前記第２の高分子材料層の外側に配置されてなり、

前記第１の高分子材料層の熱伝導率が前記第２の高分子材料層の熱伝導率と異なる請求項１～５のいずれか１項に記載の静電チャック装置。

【請求項７】

前記第１の高分子材料層が樹脂およびフィラーを含み、

前記第２の高分子材料層が、前記第１の高分子材料層の樹脂と同一の樹脂、ならびに前記第１の高分子材料層の前記フィラーと種類が異なるフィラー、または前記第１の高分子材料層における前記フィラーの含有量と異なる含有量の前記フィラーを含む請求項１～６のいずれか１項に記載の静電チャック装置。

【請求項８】

前記セラミックス基材の中に、前記セラミックス基材および前記高分子材料層の間に、または前記高分子材料層および前記支持体の間に、前記セラミックス基材を加熱する加熱部材を含む請求項１～７のいずれか１項に記載の静電チャック装置。」

４　取消理由通知に記載した取消理由について

（１）取消理由の概要

訂正前の請求項１～８に係る特許に対して、当審が令和元年６月２６日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。

１．（新規性）請求項１、２、６、及び８に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証（特開２０１４－１６５２６７号公報）に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２、６、及び８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。

２．（サポート要件）請求項１～８に係る特許は、明細書又は特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。

（２）甲号証の記載

ア　甲第１号証（特開２０１４－１６５２６７号公報）の段落【００４１】、【００４５】、【００４７】、【００５６】ないし【００５９】、【００７３】、【００７６】、【００８１】、【００９２】、【００９３】及び【図１】、【図２】、【図６】、【図７】、【図９】の記載からみて、甲第１号証には以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。

「静電チャック１は、上側にて半導体ウェハ３を吸着する装置であり、第１主面（吸着面）５及び第２主面（接合面）７を有する（例えば直径３００ｍｍ×厚み３ｍｍの）円盤状のセラミック絶縁板９と、第１主面（接合面）１１及び第２主面（裏面）１３を有する（例えば直径３４０ｍｍ×厚み２０ｍｍの）円盤状の金属ベース（クーリングプレート）１５とを、２重構造の複合接着剤層１７を介して接合したものであって、

前記セラミック絶縁板９は、その内部において、吸着面５の下方には、例えば平面形状が半円状の一対の吸着電極４１、４３が形成され、吸着電極４１、４３の下方には、例えば同一平面にて軸中心を回るように螺旋状に巻き回されたヒータ（発熱体）４５が形成され、

金属ベース１５の接合面１１に、セラミック絶縁板９が重ね合わされる外周円８９に沿って、その内側に、全周にわたって所定幅（例えば２ｍｍ）で所定厚み（例えば２５０μｍ）の円環状の外部ダム９１が形成され、また、下貫通孔８７の開口部８７ａを囲むように、所定幅（例えば２ｍｍ）で所定厚み（例えば２５０μｍ）の円環状の第１内部ダム９３が形成され、更に、端子用貫通孔８８の開口部８８ａを囲むように、所定幅（例えば２ｍｍ）で所定厚み（例えば２５０μｍ）の円環状の第２内部ダム９５が形成され、

そして、これらの各ダム９１～９５は、熱硬化型接着剤である例えばシリコーン接着剤をスクリーン印刷し、塗布部を１００℃程度で乾燥させて硬化させて形成したものであり、

続きを表示（全14行）

更に、外部ダム９１と第１、第２内部ダム９３、９５とで囲まれた領域Ｓ、すなわち、（接合面１１の平面方向において）外部ダム９１の内側と第１、第２内部ダム９３、９５の外側との間の閉鎖された領域Ｓには、各ダム９１～９５と同様な熱硬化型接着剤をスクリーン印刷し、金属ベース１５の接合面１１側からセラミック絶縁板９を押し当て、次に、セラミック絶縁板９に荷重をかけて押圧し、大気雰囲気にて１００℃程度に加熱し、熱硬化型接着剤を乾燥硬化させて、接着剤層９７を形成したものであり、

セラミック絶縁板９と金属ベース１５との間の複合接着剤層１７は、外部ダム９１及び第１、第２内部ダム９３、９５と接着剤層９７とから構成されている、即ち、複合接着剤層１７は、環状の各ダム９１～９５とそれらの間の領域Ｓの接着剤層９７との２重構造となっており、

外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５と、接着剤層９７とは面方向に隣接し区画されており、

金属ベース１５の接合面１１の領域Ｓに、熱硬化型接着剤をスクリーン印刷して領域塗布部Ｓａを形成する場合には、その厚みを、各ダム９１、９３、９５の厚みよりも大きくし（例えば５０μｍ程度厚くする）、

熱硬化型接着剤をセラミック絶縁板９で押圧する際に、領域塗布部Ｓａの厚さが各ダム９１、９３、９５の厚さよりも大きいので、余剰の熱硬化型接着剤が僅かに各ダム９１、９３、９５の上部（先端）を乗り超えて、オーバーフロー層１０１が形成されており、

外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５と、接着剤層９７とはオーバーフロー層１０１の領域で、厚さ方向で重なる部分を有し、

ダム９１～９５の先端と対向する接合面７との間に、熱硬化型接着剤からなるオーバーフロー層１０１が形成されているので、セラミック絶縁板９と金属ベース１５との密着性（従って接着性）が高いという利点があり、

さらに、前記ダムや接着剤層を構成する接着剤としては、同じ熱的特性（例えば熱伝導率）や機械的特性（例えばヤング率）などの特性を有する同種の接着剤を使用できるが、それらの特性が異なる別種の接着剤を使用してもよく、

また、ダムの熱伝導率と接着剤層の熱伝導率とが異なるように、異なる材料（接着剤）を用いてよく、ダムと接着剤層の熱伝導率が異なるようにすることによって、吸着面における熱的特性を任意に変更することができ、これによって、接合面の開口部に、セラミック絶縁体の外周部や端子部などにより熱的に特異領域となる場合であっても、熱的な特異領域を調整できるという利点がある、

静電チャック１。」

イ　甲第１号証の段落【００４１】、【００４５】、【００４７】、【００５６】ないし【００５９】、【００６８】ないし【００７７】、【００８１】、【００８２】、【００９２】ないし【００９４】及び【図１】、【図２】、【図６】、【図７】、【図９】の記載からみて、甲第１号証には以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。

「静電チャック１は、上側にて半導体ウェハ３を吸着する装置であり、第１主面（吸着面）５及び第２主面（接合面）７を有する（例えば直径３００ｍｍ×厚み３ｍｍの）円盤状のセラミック絶縁板９と、第１主面（接合面）１１及び第２主面（裏面）１３を有する（例えば直径３４０ｍｍ×厚み２０ｍｍの）円盤状の金属ベース（クーリングプレート）１５とを、接着剤層９７を介して接合したものであって、

前記セラミック絶縁板９は、その内部において、吸着面５の下方には、例えば平面形状が半円状の一対の吸着電極４１、４３が形成され、吸着電極４１、４３の下方には、例えば同一平面にて軸中心を回るように螺旋状に巻き回されたヒータ（発熱体）４５が形成され、

金属ベース１５の接合面１１に、セラミック絶縁板９が重ね合わされる外周円８９に沿って、その内側に、全周にわたって所定幅（例えば２ｍｍ）で所定厚み（例えば２５０μｍ）の円環状の外部ダム９１が形成され、また、下貫通孔８７の開口部８７ａを囲むように、所定幅（例えば２ｍｍ）で所定厚み（例えば２５０μｍ）の円環状の第１内部ダム９３が形成され、更に、端子用貫通孔８８の開口部８８ａを囲むように、所定幅（例えば２ｍｍ）で所定厚み（例えば２５０μｍ）の円環状の第２内部ダム９５が形成され、

そして、これらの各ダム９１～９５は、熱硬化型接着剤である例えばシリコーン接着剤をスクリーン印刷し、塗布部を１００℃程度で乾燥させて硬化させて形成したものであり、

続きを表示（全12行）

更に、外部ダム９１と第１、第２内部ダム９３、９５とで囲まれた領域Ｓ、すなわち、（接合面１１の平面方向において）外部ダム９１の内側と第１、第２内部ダム９３、９５の外側との間の閉鎖された領域Ｓには、各ダム９１～９５と同様な熱硬化型接着剤をスクリーン印刷し、金属ベース１５の接合面１１側からセラミック絶縁板９を押し当て、次に、セラミック絶縁板９に荷重をかけて押圧し、大気雰囲気にて１００℃程度に加熱し、熱硬化型接着剤を乾燥硬化させて、接着剤層９７を形成したものであり、

外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５と、接着剤層９７とは面方向に隣接し区画されており、

ダム９１～９５は、例えばシリコーン樹脂からなり、押圧によって変形可能な弾性（例えばヤング率が１．５ＭＰａ）を有しているので、接合時に、セラミック絶縁板９が押圧されると、その押圧力によってダム９１～９５も柔軟に変形して、ダム９１～９５の先端の相手側の接合面７と密着し、

さらに、前記ダムや接着剤層を構成する接着剤としては、同じ熱的特性（例えば熱伝導率）や機械的特性（例えばヤング率）などの特性を有する同種の接着剤を使用できるが、それらの特性が異なる別種の接着剤を使用してもよく、

また、ダムの熱伝導率と接着剤層の熱伝導率とが異なるように、異なる材料（接着剤）を用いてよく、ダムと接着剤層の熱伝導率が異なるようにすることによって、吸着面における熱的特性を任意に変更することができ、これによって、接合面の開口部に、セラミック絶縁体の外周部や端子部などにより熱的に特異領域となる場合であっても、熱的な特異領域を調整できるという利点があり、

オーバーフロー層を形成しないように、領域Ｓに塗布する接着剤の厚みを設定した、静電チャック１であって、

前記ダム９１～９５の先端と対向する接合面７２の間に、熱硬化型接着剤からなるオーバーフロー層が形成されていないので、前記引用発明１の静電チャック１と比べて、セラミック絶縁板９と金属ベース１５との接着性が低い、

静電チャック１。」

（３）当審の判断

ア　理由１（新規性：特許法第２９条第１項第３号）について

（ア）本件発明１について

ａ　引用発明１に対する新規性について

本件発明１と引用発明１とを対比する。

引用発明１の「セラミック絶縁板９」、「金属ベース１５」、「外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５」、「接着剤層９７」、「静電チャック１」はそれぞれ本件発明１の「セラミックス基材」、「支持体」、「第１の高分子材料層」、「第２の高分子材料層」、「静電チャック装置」に相当する。

また、引用発明１において、「各ダム９１～９５は、熱硬化型接着剤である例えばシリコーン接着剤をスクリーン印刷し、塗布部を１００℃程度で乾燥させて硬化させて形成したもの」であるところ、シリコーン接着剤は高分子材料からなるから、引用発明１の「外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５」と「接着剤層９７」を併せたものは、本件発明１の「高分子材料層」に相当する。

また、引用発明１において、「セラミック絶縁板９」と、「金属ベース（クーリングプレート）１５」とは、「２重構造の複合接着剤層１７を介して接合したもの」であって、「セラミック絶縁板９と金属ベース１５との間の複合接着剤層１７は、外部ダム９１及び第１、第２内部ダム９３、９５と接着剤層９７とから構成されている」であるから、本件発明１と引用発明１とは、「前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有し、該セラミックス基材と該支持体とを接合する高分子材料層」を含む点で一致する。

ここで、上記（２）アのとおり、引用発明１において、「外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５と、接着剤層９７とは面方向に隣接し区画されて」おり、本件発明１と引用発明１とは、「前記高分子材料層は、第１の高分子材料層および該第１の高分子材料層と異なり該第１の高分子材料層と面方向に隣接し、該第１の高分子材料層と接合する第２の高分子材料層に少なくとも区画され」ている点で一致する。

更に、引用発明１において、「外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５と、接着剤層９７とはオーバーフロー層１０１の領域で、厚さ方向で重なる部分を有する」ものであり、本件発明１と引用発明１とは、「前記第１の高分子材料層および前記第２の高分子材料層が、それらの接合領域で、厚さ方向で重なる部分を有する」点で一致する。

したがって、本件発明１と引用発明１との一致点と相違点は、以下のとおりである。

＜一致点＞

「面方向および厚さ方向を有するセラミックス基材と、

前記セラミックス基材に対して、前記セラミックス基材の厚さ方向に配置され、前記セラミックス基材を支持する支持体と、

前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有し、該セラミックス基材と該支持体とを接合する高分子材料層とを含み、

前記高分子材料層は、第１の高分子材料層および該第１の高分子材料層と異なり該第１の高分子材料層と面方向に隣接し、該第１の高分子材料層と接合する第２の高分子材料層に少なくとも区画され、

前記第１の高分子材料層および前記第２の高分子材料層が、それらの接合領域で、厚さ方向で重なる部分を有する、静電チャック装置。」

＜相違点＞

＜相違点１＞

高分子材料層について、本件発明１では、「前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有」するのに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。

＜相違点２＞

高分子材料層において、本件発明１では、「前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である」のに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。

すなわち、引用発明１は、本件発明１の発明を特定する事項である、

「前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有」する点、及び「前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である」点について特定されていない。

また、上記（２）アのとおり、引用発明１は、「熱硬化型接着剤をセラミック絶縁板９で押圧する際に、領域塗布部Ｓａの厚さが各ダム９１、９３、９５の厚さよりも大きいので、余剰の熱硬化型接着剤が僅かに各ダム９１、９３、９５の上部（先端）を乗り超えて、オーバーフロー層１０１が形成され」ているものであるところ、「接合線」は、「支持体（金属ベース（クーリングプレート）１５）」側の面にのみ有されるものであるといえるから、甲第１号証に、本件発明１の「前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線」を有する構成が示唆されているということもできない。

したがって、本件発明１が引用発明１であるということも、甲第１号証に記載された発明であるということもできない。

ｂ　引用発明２に対する新規性について

本件発明１と引用発明２とを対比する。

（ａ）引用発明２の「セラミック絶縁板９」、「金属ベース１５」、「外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５」、「接着剤層９７」、「静電チャック１」はそれぞれ本件発明１の「セラミックス基材」、「支持体」、「第１の高分子材料層」、「第２の高分子材料層」、「静電チャック装置」に相当する。

（ｂ）また、引用発明２において、「各ダム９１～９５は、熱硬化型接着剤である例えばシリコーン接着剤をスクリーン印刷し、塗布部を１００℃程度で乾燥させて硬化させて形成したもの」であるところ、シリコーン接着剤は高分子材料からなるから、引用発明２の「外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５」と「接着剤層９７」を併せたものは、本件発明１の「高分子材料層」に相当する。

そして、引用発明２において、「更に」、「領域Ｓには、各ダム９１～９５と同様な熱硬化型接着剤をスクリーン印刷し、金属ベース１５の接合面１１側からセラミック絶縁板９を押し当て、次に、セラミック絶縁板９に荷重をかけて押圧し、大気雰囲気にて１００℃程度に加熱し、熱硬化型接着剤を乾燥硬化させて、接着剤層９７を形成したもの」であり、ダム９１～９５は、「接合時に、セラミック絶縁板９が押圧されると、その押圧力によってダム９１～９５も柔軟に変形して、ダム９１～９５の先端の相手側の接合面７と密着」するものであるところ、接着剤層９７の形成の際に「大気雰囲気にて１００℃程度に加熱」しても、ダム９１～９５は、その押圧力によって変形して、密着するものの、各ダム９１～９５を形成する熱硬化型接着剤は、既に１００℃程度の熱により硬化済みで、接着する能力を失っていることから、各ダム９１～９５が、セラミック絶縁板９と金属ベース１５とを「接合」することはない。このことは、引用発明２の接着性が引用発明１の接着性よりも低いとされていることからも明らかである。

すなわち、引用発明２において、セラミック絶縁板９と金属ベース１５とを接合する機能を有する層は、「接着剤層９７」のみである。

そして、引用発明２において、「セラミック絶縁板９」と、「金属ベース（クーリングプレート）１５」とを、「接着剤層９７を介して接合し」ているから、「接着剤層９７」は、「セラミック絶縁板９」と、「金属ベース（クーリングプレート）１５」との間に配置されているといえる。

また、引用発明２において、「金属ベース１５の接合面１１」に「外部ダム９１が形成され」、「第１内部ダム９３が形成され」、「第２内部ダム９５が形成され」、「ダム９１～９５」は、「接合時に、セラミック絶縁板９が押圧されると、その押圧力によってダム９１～９５も柔軟に変形して、ダム９１～９５の先端の相手側の接合面７と密着」するものであるから、「各ダム９１～９５」も、「セラミック絶縁板９」と、「金属ベース（クーリングプレート）１５」との間に配置されているといえる。

以上から、本件発明１と引用発明２とは、「前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有する高分子材料層」を含む点で一致する。

（ｃ）また、上記（２）イのとおり、引用発明２では、「外部ダム９１または第１内部ダム９３または第２内部ダム９５と、接着剤層９７とは面方向に隣接し区画されて」おり、本願発明１と引用発明２とは、「前記高分子材料層は、第１の高分子材料層および該第１の高分子材料層と異なり該第１の高分子材料層と面方向に隣接し、該第１の高分子材料層と接合する第２の高分子材料層に少なくとも区画され」いる点で一致する。

（ｄ）また、この構造を有する装置が、「前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有」する構造を備えることは自明であるから、本願発明１と引用発明２とは、「前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有」する点で一致する。

したがって、本件発明１と引用発明２との一致点と相違点は、以下のとおりである。

＜一致点＞

「面方向および厚さ方向を有するセラミックス基材と、

前記セラミックス基材に対して、前記セラミックス基材の厚さ方向に配置され、前記セラミックス基材を支持する支持体と、

前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有する高分子材料層とを含み、

前記高分子材料層は、第１の高分子材料層および該第１の高分子材料層と異なり該第１の高分子材料層と面方向に隣接し、該第１の高分子材料層と接合する第２の高分子材料層に少なくとも区画され、

前記第１の高分子材料層および前記第２の高分子材料層が、それらの接合領域で、厚さ方向で重なる部分を有する静電チャック装置であって、

前記高分子材料層は、該高分子材料層が有する、前記セラミックス基材側の面および前記支持体側の面のそれぞれの面に、区画された前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合している接合線を有する、静電チャック装置。」

＜相違点＞

＜相違点３＞

高分子材料層において、本件発明１では、「前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である」のに対し、引用発明２では、そのような特定はなされていない点。

＜相違点４＞

第１の高分子材料層および第２の高分子材料層に少なくとも区画される高分子材料層について、本件発明１では、「該セラミックス基材と該支持体とを接合する」ものであるのに対し、引用発明２では、各ダム９１～９５は、セラミック絶縁板９に密着はするものの、セラミック絶縁板９と金属ベース１５とを接合するものではない点。

すなわち、引用発明２は、本件発明１の発明を特定する事項である、

「前記高分子材料層における、前記第１の高分子材料層と前記第２の高分子材料層とが接合する前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である」点、及び第１の高分子材料層および第２の高分子材料層に少なくとも区画される高分子材料層が、「該セラミックス基材と該支持体とを接合する」ものである点について特定されていない。

次に、甲第１号証に、本件発明１が示唆されているといえるか否かについて検討する。

甲第１号証には、以下のように記載されている。

「【００６８】

＜セラミック絶縁板９と金属ベース１５との接合方法＞

(1)図７（ａ）に模式的に示すように、上述した各ダム（外部ダム９１、第１、第２内部ダム９３、９５）の平面形状（ダムパターン）に対応した開口部８７ａ、８８ａを有するスクリーンマスクを用い、金属ベース１５の接合面１１に、所定の粘度を有するペースト状の前記熱硬化型接着剤をスクリーン印刷する。なお、この粘度は、塗布後に自身の形状を保持することができる程度の粘度（例えば１５０Ｐａ・ｓ）である。

【００６９】

これにより、外部ダム９１、第１、第２内部ダム９３、９５の形成位置に、複数の環状のダムパターンの塗布部９１ａ、９３ａ、９５ａ（図８（ａ）の濃いグレー部分参照）が形成される。即ち、外部ダム９１、第１、第２内部ダム９３、９５の形成位置に、塗布部９１ａ、９３ａ、９５ａが形成される。

【００７０】

(2)次に、図７（ｂ）に示す様に、この塗布部９１ａ、９３ａ、９５ａを、１００℃程度で乾燥させて硬化させる。これにより、外部ダム９１、第１、第２内部ダム９３、９５（図８（ｂ）参照）が形成される。」

上記（２）イのとおり、引用発明２は、「ダム９１～９５は、例えばシリコーン樹脂からなり、押圧によって変形可能な弾性（例えばヤング率が１．５ＭＰａ）を有しているので、接合時に、セラミック絶縁板９が押圧されると、その押圧力によってダム９１～９５も柔軟に変形して、ダム９１～９５の先端の相手側の接合面７と密着する。」ものであるところ、上記のように、甲第１号証には、「各ダム（外部ダム９１、第１、第２内部ダム９３、９５）」は所定の粘度（塗布後に自身の形状を保持することができる程度の粘度）を有するペースト状の熱硬化型接着剤をスクリーン印刷によって塗布することによって形成する旨が記載されているから、技術常識を勘案すると、塗布後のダムの断面形状は、上に凸の山形となること認められるものの、「前記接合領域の幅の長さを該高分子材料層の厚さで割り算した値が、０．５～５０である」という構成が示唆されているとまではいえない。

したがって、甲第１号証に、上記相違点３に係る本件発明１の構成が示唆されているとはいえない。

更に、甲第１号証に、上記相違点４に係る本件発明１の構成は、記載も示唆もされていない。

よって、本件発明１が引用発明２であるということも、甲第１号証に記載された発明であるということもできない。

（イ）本件発明２、６、及び８について

本件発明２、６、及び８は、いずれも本件発明１を更に限定したものである。

したがって、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２、６、及び８は、甲第１号証に記載された発明であるということはできない。

（ウ）特許法第２９条第１項第３号についてのまとめ

よって、本件発明１、２、６、及び８は、甲第１号証に記載された発明であるということはできない。

以上のとおりであるから、本件発明１、２、６、及び８は、特許法第２９条第１項第３号に該当するとはいえないので、本件発明１、２、６、及び８に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反していない特許出願に対してされたものであり、取消理由通知に記載した理由１によっては、本件発明１、２、６、及び８に係る特許を取り消すことができない。

イ　理由２（サポート要件：特許法第３６条第６項第１号）について

取消理由通知の理由２（サポート要件）では、下記の点を指摘した。

「（４）そうすると、特許請求の範囲の請求項１に係る「前記セラミックス基材および前記支持体の間に配置され、面方向および厚さ方向を有する高分子材料層」という構成は、「セラミックス基材と支持体とを接合するための樹脂接合層」と言い得るものではないので、課題解決のための必要な前提条件を欠くものであり、発明の詳細な説明に記載された課題解決手段が反映されているとは認められない。

すなわち、本件特許発明１は、「第１の高分子材料層」及び「第２の高分子材料層」が、「セラミックス基材」と「支持体」を接合せずに、単に、「セラミックス基材」及び「支持体」の間に配置されるだけの構造を有する静電チャック装置を包含するが、そのような構造を有する静電チャック装置が、本件特許明細書に記載された課題を解決することができるとは認められない。

また、請求項１を引用する請求項２ないし８に係る発明も同様である。」、

「（５）したがって、特許請求の範囲の請求項１ないし８の記載は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許の出願当時の技術常識に照らして、当業者が本件特許明細書に記載された本件特許発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。」

この点について、上記２（１）アの訂正事項１により、請求項１において、高分子材料層が、「該セラミックス基材と該支持体とを接合する高分子材料層」と限定された。

これにより、請求項１ないし８の記載は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許の出願当時の技術常識に照らして、当業者が本件特許明細書に記載された本件特許発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものとなった。

よって、請求項１ないし８の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たす。

以上のとおりであるから、本件発明１ないし８に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものであり、取消理由通知の理由２によっては、本件発明１ないし８に係る特許を取り消すことができない。

５　むすび

以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すことはできない。

また、他に本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。