2019-700109

特許第６３７１５９１号発明「スパッタ装置、および、ＩＴＯ膜付長尺フィルムの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

特許第６３７１５９１号の請求項１～６、８～１０に係る特許を取り消す。 同請求項７に係る特許を維持する。

１　手続の経緯 特許第６３７１５９１号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～１０に係る特許についての出願は、平成２６年６月１０日に出願され、平成３０年７月２０日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年８月８日に特許掲載公報が発行され、その後、請求項１～１０に係る特許に対して、平成３１年２月８日に特許異議申立人大野恵子（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、平成３１年４月２日付けで取消理由が通知され、特許権者による令和１年６月４日付け意見書が提出され、申立人に対して令和１年６月１２日付けで審尋が通知され、申立人による令和１年７月１８日付け回答書が提出され、令和１年８月２０日付けで取消理由（決定の予告）が通知され、特許権者よる令和１年１０月１８日付け意見書が提出されたものである。 ２　本件特許発明 本件特許の請求項１～１０に係る発明（以下、「本件特許発明１～１０」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「　【請求項１】 真空槽と、 前記真空槽にスパッタガスを供給するスパッタガス供給装置と、 前記真空槽内に備えられ、その中心軸回りに自転する成膜ロールと、 前記成膜ロールと対向し、その中心軸回りに自転する円筒型回転ターゲットと、 前記円筒型回転ターゲットの内部に設置された磁石と、 前記円筒型回転ターゲットにＤＣ電圧とＲＦ電圧を重畳して印加するＤＣ電源およびＲＦ電源を備え、 前記成膜ロールに巻かれた長尺フィルムに透明導電膜を形成するスパッタ装置。 【請求項２】 前記円筒型回転ターゲットの内部に設置された磁石により形成される磁場の磁束密度が、前記円筒型回転ターゲットの表面において、５０ｍＴ（ミリテスラ）以上である請求項１に記載のスパッタ装置。 【請求項３】 更に、前記真空槽に反応性ガスを供給する反応性ガス供給装置を備えた請求項１または２に記載のスパッタ装置。 【請求項４】 更に、前記長尺フィルムを供給するフィルム供給機構と、前記長尺フィルムを収納するフィルム収納機構を備えた請求項１～３のいずれかに記載のスパッタ装置。 【請求項５】 前記スパッタガス供給装置、および、前記反応性ガス供給装置を、それぞれ複数備えた請求項３または４に記載のスパッタ装置。 【請求項６】 前記円筒型回転ターゲットを複数備えた請求項１～５のいずれかに記載のスパッタ装置。 【請求項７】 前記複数の円筒型回転ターゲットが複数のグループに分類され、前記グループ毎に前記スパッタガスおよび前記反応性ガスの、種類および圧力が異なる請求項３～６のいずれかに記載のスパッタ装置。 【請求項８】 前記成膜ロールを複数備えた請求項１～７のいずれかに記載のスパッタ装置。 【請求項９】 前記スパッタガスがアルゴンガスであり、前記反応性ガスが酸素ガスである請求項３～８のいずれかに記載のスパッタ装置。 【請求項１０】 請求項１～９に記載のいずれかのスパッタ装置を用いて、長尺フィルムにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅインジウム錫酸化物）膜を形成する、ＩＴＯ膜付長尺フィルムの製造方法。」 ３　取消理由の概要 請求項１～６、８～１０に係る特許に対して、令和１年８月２０日付け取消理由通知書（決定の予告）において特許権者に通知した取消理由の要旨は次のとおりである。 本件特許発明１～５は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて、本件特許発明６は、引用文献１に記載された発明、並びに、引用文献１及び２に記載された技術的事項に基いて、本件特許発明８～１０は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献１～３に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１～６、８～１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるものである。 （引用文献一覧） 引用文献１：特表２０１３－５３２２３１号公報 引用文献２：特開平３－２４９１７１号公報 引用文献３：特開２００６－２４９４７２号公報（周知技術） ４　引用文献について （１）引用文献１の記載事項（下線は当審が付した。以下、同様である。） ア　「【００２２】 ・・・本明細書の実施形態によれば、より高い均一性を有し、欠陥および汚染粒子の密度の低い膜を堆積させることができる。それによって、光の適切な透過がもたらされるだけでなく、ある期間にわたって安定な性能がもたらされる高品質の透明体の製造が可能になる。その上、１つまたは複数の回転ターゲットのスパッタリングを含む製造プロセスは、さらに、他の堆積方法と比較してより高い製造速度と、より少数の汚染物質粒子の生成とを可能にすることができる。」 イ　「【００４４】 堆積チャンバは、堆積装置１００が本開示の実施形態に従って透明体を堆積させることができるようにする任意の好適な構造、構成、配列、および／または構成要素を含むことができる。例えば、限定はしないが、堆積チャンバは、コーティング源、電源、個別の圧力制御、堆積制御システム、および温度制御を含む好適な堆積システムを含むことができる。典型的な実施形態によれば、チャンバは個別のガス供給源を備える。チャンバは、典型的には、良好なガス分離を行うために互いに分離される。例えば、堆積チャンバは、特定のチャンバに直接供給されるガスに対する他のチャンバから特定のチャンバに広がるガスの比が少なくとも１から１００であるように互いに分離することができる。本明細書の実施形態による堆積装置１００は堆積チャンバの数に制限がない。例えば、限定はしないが、堆積装置１００は３個、６個、または１２個の堆積チャンバを含むことができる。」 ウ　「【００４６】 本明細書で使用する「マグネトロンスパッタリング」は、磁石アセンブリ、すなわち、磁界を生成することができるユニットを使用して行われるスパッタリングを指す。典型的には、そのような磁石アセンブリは永久磁石で構成される。この永久磁石は、典型的には、回転ターゲット表面より下で発生した発生磁界内部に自由電子がトラップされるように回転ターゲット内部に配置されるか、または平面ターゲットに結合される。そのような磁石アセンブリは平面カソードに結合されるように配列することもできる。 エ　「【００６０】 典型的な実施形態によれば、基板１４はハードコートされたＰＥＴフォイルなどのフレキシブル基板で構成され、堆積装置１００は、堆積に先立つ基板１４の巻き出し、および本明細書の実施形態による透明体の形成の後の基板１４の巻き取りのために巻出しローラ１３２および巻返しローラ１３４を含むことができる。堆積装置１００は、様々な処理チャンバを通して基板１４を移行させるためにローラシステム（図示せず）を含むことができる。特に、本明細書の実施形態による堆積装置は、プラスチックフィルム上のロールツーロール堆積のためのスパッタロールコーターとして構成され得る。 【００６１】 図面の以下の説明の中では、同じ参照番号は同様の構成要素を表す。一般に、個々の実施形態に関する差のみが説明される。図３は、本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための例示の堆積装置３００の概略図である。例示の堆積装置３００は、巻出しモジュール３０２、巻取りモジュール３０４、およびそれらの間に配置されたプロセスモジュール３０８を含むロールツーロールシステムとして構成される。プロセスモジュール３０８は、図２に関して説明したものに同様の第１の誘電体膜堆積チャンバ１０６、第２の誘電体膜堆積チャンバ１０８、第３の誘電体膜堆積チャンバ１１０、および導電膜堆積チャンバ１１２を含むが、処理ドラム３０６のまわりに放射状に配置される。」 オ　「【００６４】 図３の例示の実施形態では、スパッタリングシステム１２０は回転ターゲット３２２（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２３は回転ターゲット３２４（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２５は回転ターゲット３２６（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２７は回転ターゲット３２８（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合される。」 カ「【００６９】 ・・・いくつかの実施形態では、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、および透明導電膜は回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。いくつかの実施形態によれば、少なくとも透明導電膜。それによって、透明体の製造の際に透明体の特定用途にとって特に良好な結果が達成され得る。 【００７０】 特定の実施形態によれば、第１の透明層スタックおよび透明導電膜はマグネトロンスパッタリングによって堆積される。いくつかの実施形態によれば、第３の誘電体膜は誘電体材料の直接スパッタリングによって堆積される。特に、第３の誘電体膜は酸化ニオブ（特に、Ｎｂ２Ｏ５）の直接スパッタリングによって堆積させることができる。それによって、透明体の製造に際に特に良好な結果が達成され得る。」 キ　「【００７７】 典型的な実施形態によれば、透明導電膜は、ＩＴＯ、例えば、９０％酸化インジウムおよび１０％二酸化スズによる典型的な（Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２）をもつ円筒状カソードを使用してスパッタリングされる。代替として、ＩＴＯをもつ平面カソードを使用することができる。さらに、透明導電膜は連続的（ＤＣ）電源を使用してスパッタリングすることができる。さらに、透明導電膜は、例えば、アルゴンなどの不活性ガスおよび酸素、または特定の堆積チャンバに供給される唯一のガスとしてのアルゴンなどの不活性ガスがある状態で、直接または反応性スパッタリングによってスパッタリングすることができる。さらに、透明導電膜のための典型的なプロセス圧力は２×１０－３ｍｂａｒと８×１０－３ｍｂａｒとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は１０ｎｍ／ｍｉｎと２０ｎｍ／ｍｉｎとの間（平面カソードが使用される場合）、または２０ｎｍ／ｍｉｎと３０ｎｍ／ｍｉｎとの間（円筒状カソードが使用される場合）とすることができる。」 ク　「【００７８】 上記で詳述したように、膜の各々を堆積させるためのカソードの数は、一般に、最適生産性に向けて最適化される。特に、カソードの数は、３個、６個、または１２個の区画をもつスパッタウエブ機械（ｓｐｕｔｔｅｒ　ｗｅｂ　ｍａｃｈｉｎｅ）用に最適化することができる。」 ケ　「【００８２】 ・・・さらに、いくつかの実施形態によれば、限定はしないが、ＩＴＯ膜などの、透明体の少なくとも透明導電膜は回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。」 コ　「【図３】 」 （２）引用文献１に記載された発明 引用文献１には、上記（１）ア～ケによれば、堆積装置３００は、フレキシブル基板１４を巻出すための巻出しローラ１３２と、フレキシブル基板１４を巻き取るための巻返しローラ１３４と、処理ドラム３０６と、前記処理ドラム３０６のまわりに配置された導電膜堆積チャンバ１１２を備え、前記導電膜堆積チャンバ１１２内には、回転ターゲット３２８を備え、前記回転ターゲットの内部には永久磁石が配置され、前記導電膜堆積チャンバ３２８には、ガス供給源を備えていることが記載され、また、上記（１）コによれば、前記処理ドラム３０６は、前記導電膜堆積チャンバ１１２を含むチャンバ内に備えられており、前記処理ドラム３０６と前記回転ターゲット３２８は対向配置しており、前記処理ドラム３０６にフレキシブル基板１４が巻かれていることが見て取れる。 また、引用文献１には、上記（１）エ及びキによれば、プロセス圧力が２×１０－３～８×１０－３ｍｂａｒとして、アルゴンガス及び酸素がある状態で、ＤＣ電源を使用して、フレキシブル基板上に透明導電膜としてＩＴＯ膜を形成することが記載されている。 これら記載を整理すると、引用文献１には、 「プロセス圧力２×１０－３～８×１０－３ｍｂａｒで使用する導電膜堆積チャンバを含むチャンバと、 前記導電膜堆積チャンバに、アルゴンガス及び酸素を供給するガス供給源と、 前記チャンバ内に備えられた、処理ドラムと、 前記処理ドラムに対向配置された、回転ターゲットと、 前記回転ターゲットの内部に配置された永久磁石と、 前記回転ターゲットにＤＣ電圧を印加するＤＣ電源と、 フレキシブル基板を巻出すための巻出しローラと、 フレキシブル基板を巻き取るための巻返しローラと、 を備え、 前記処理ドラムに巻かれたフレキシブル基板に透明導電膜を形成する堆積装置。」 の発明（以下、「引用１発明１」という。）が記載されているといえる。 また、引用文献１には、 「引用１発明１の堆積装置を用いて、フレキシブル基板にＩＴＯ膜を形成する製造方法。」 の発明（以下、「引用１発明２」という。）が記載されているといえる。 （３）引用文献２の記載事項 ア　「上記の平行磁界強度のみを変化させることによりスパッタ電圧を制御する方法では、ターゲット上での平行磁界強度とスパッタ中の放電電圧の関係を示す第１図のグラフから分かるように、スパッタ電圧を２５０Ｖ以下に低下させることは困難である。・・・、更に磁界強度を増大させても、スパッタ電圧の低下は期待できない。 そこで、本発明は、上記従来例の問題点を解消し、更に低抵抗な透明導電膜を製造することができる透明導電膜の製造方法および製造装置を提供することを目的とするものである。」（第３頁左上欄第９行～右上欄第４行） イ　「本発明の発明者らは、上記目的を達成すべく誠意研究した結果、ターゲット表面の磁界強度を増大させるとともに、放電用の直流電界に高周波電界を重畳することにより、スパッタ放電電圧を更に低下させることができることを見出した。 本発明は、上記知見に基づいてなされたものであって、本発明による透明導電膜の製造方法は、Ｉｎ－Ｏ、Ｓｎ－Ｏ、Ｚｎ－Ｏ、Ｃｄ－Ｓｎ－ＯあるいはＣｄ－Ｉｎ－Ｏ系を基本構成元素とし、必要に応じてドナーとなる元素を添加した透明導電膜をスパッタ法で形成する方法において、スパッタ電圧を２５０Ｖ以下としたことを特徴とするものである。 ・・・本発明の発明者らは、このプラズマ密度の増大の手段として、放電発生のための直流電界に高周波電界を重畳させることにより、スパッタ電圧を上記したように２５０Ｖから大きく下げることに成功した。ここで、高周波電界の重畳は、ターゲット表面での平行磁界強度が６００Ｏｅ以上のときに有効であり、平行磁界強度が６００Ｏｅ以下のときには、高周波電界の重畳により逆にスパッタ電圧が上昇してしまう。従って、高周波電界を重畳するときには、ターゲット表面での平行磁界強度を６００Ｏｅ以上に保持しなければならない。」（第３頁右上欄第６行～左下欄第１８行） ウ　「本発明によれば、２５０Ｖ以下のスパッタ電圧でスパッタすることによって、基板に突入する酸素の負イオンのエネルギを低く抑えて、透明導電膜へのダメージを小さくする。これによって、低抵抗の透明導電膜を得ることができる。」（第４頁左上欄第１８行～右上欄第３行） （４）引用文献３の記載事項 ア　「【００２７】 図１に示される成膜ライン１０は、プラスチックフィルム等の長尺な帯状の基板Ｓの表面に、スパッタリングによって薄膜を成膜するもので、基本的に、供給室１２、プラズマ処理室１４、第１成膜室１６、第１透過率測定室１８、第２成膜室２０、第２透過率測定室２２、および、巻取室２４を有して構成される。これらの各室は、シールロール等の公知の手段によって互いに略気密に分離されており、隣り合わせる室内の圧力が互いに影響しないようになっている。」 イ　「【００３３】 第１成膜室１６（第２成膜室２０）は、本発明の成膜装置にかかるものであり、入排出部４０と、基板Ｓに成膜を行うための、第１カソード４２ａ、第２カソード４２ｂ、第３カソード４２ｃ、第４カソード４２ｄ、第５カソード４２ｅおよび第６カソード４２ｆの６つのカソード（カソード装置）、ならびに、基板Ｓを所定の成膜位置に保持しつつ長手方向に搬送する円筒状のドラム５０を有する成膜部４４と、（真空）チャンバ５２とを有して構成される。」 ウ　「【図１】 」 ５　対比・判断 （１）本件特許発明１について ア　本件特許発明１と引用１発明１を対比すると、引用１発明１の「プロセス圧力２×１０－３～８×１０－３ｍｂａｒで使用する導電膜堆積チャンバを含むチャンバ」、「アルゴンガス」を「供給するガス供給源」、「処理ドラム」、「回転ターゲット」、「永久磁石」、「フレキシブル基板」、「堆積装置」は、それぞれ、本件特許発明１の「真空槽」、「スパッタガスを供給するスパッタガス供給装置」、「その中心軸回りに自転する成膜ロール」、「その中心軸回りに自転する円筒型回転ターゲット」、「磁石」、「長尺フィルム」、「スパッタ装置」に相当する。 したがって、本件特許発明１は、引用１発明１と、 「真空槽と、 前記真空槽にスパッタガスを供給するスパッタガス供給装置と、 前記真空槽内に備えられ、その中心軸回りに自転する成膜ロールと、 前記成膜ロールと対向し、その中心軸回りに自転する円筒型回転ターゲットと、 前記円筒型回転ターゲットの内部に設置された磁石と、 前記円筒型回転ターゲットにＤＣ電圧を印加するＤＣ電源を備え、 前記成膜ロールに巻かれた長尺フィルムに透明導電膜を形成するスパッタ装置。」の点で一致し、 本件特許発明１は、ＤＣ電圧とＲＦ電圧を重畳して印加できるようにＲＦ電源を備えているのに対して、引用１発明１は、ＲＦ電源を備えていない点（相違点１）で相違している。 そこで、相違点１について検討すると、引用文献２には、上記４（３）ア～ウに摘示したとおり、透明導電膜をスパッタ法で形成する方法において、低抵抗の透明導電膜を得るために、ターゲット表面での平行磁界強度を６００Ｏｅ以上とすると共に、放電発生のための直流電界に高周波電界を重畳させることが記載されている。そして、引用文献２に記載された磁界強度６００Ｏｅは、真空状態での磁束密度に換算すると６０ｍＴといえる。 しかも、円筒型回転ターゲットの電源として、ＤＣとＲＦの組み合わせた電源を使用することは、本件出願前の周知技術にすぎない（例えば、特開２００９－２４２５９号公報の段落【００１７】、国際公開第２０１３／０３６９５３号の段落［００２５］～［００２６］参照）。 そうしてみると、引用文献２の上記記載や上記周知技術を踏まえれば、引用１発明１において、低抵抗の透明導電膜が得られるように、回転ターゲット（円筒型回転ターゲット）の内部に配置された永久磁石を、ターゲット表面での磁束密度が６０ｍＴ以上となる磁石にすると共に、ＤＣ電圧にＲＦ電圧を重畳して印加できるようにＲＦ電源を設けることは、当業者が容易に想到し得ることである。 また、本件特許発明１が奏する効果は、本件特許明細書の段落【００２３】によれば、スパッタレートが高くなる、薄膜の品質が高くなる、及び、抵抗の低い透明導電膜が得られるといえるところ、上記４（１）アに摘示した引用文献１の「１つまたは複数の回転ターゲットのスパッタリングを含む製造プロセスは、さらに、他の堆積方法と比較してより高い製造速度と、より少数の汚染物質粒子の生成とを可能にすることができる」との記載、及び、上記４（３）イ及びウに摘示した引用文献２の「放電発生のための直流電界に高周波電界を重畳させることにより」、「低抵抗の透明導電膜を得ることができる」との記載から、これらの効果は当業者が容易に予測できるものであり、格別顕著なものといえない。 よって、本件特許発明１は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 イ　特許権者の意見について （ア）特許権者は、引用文献２には、板状のスパッタカソードのみに対してＤＣ電圧とＲＦ電圧を重畳して印加することが記載されていること、及び、スパッタカソードの形状が変われば、その表面の磁界の平行成分も変わってしまうため、引用文献２において、板状のスパッタカソードを回転ターゲットに変更にすることは技術的に考えられないことから、引用１発明１に引用文献２に記載の技術的事項を適用した場合には、引用１発明１の回転ターゲットを、引用文献２に記載された板状（平面状）のスパッタカソードに変更して、平面状のスパッタカソードにＤＣ電圧とＲＦ電圧を重畳して印加すると考えるのが妥当である旨を主張している（令和１年６月４日付け意見書第６頁下から２行～第９頁第１６行、令和１年１０月１８日付け意見書第８頁第５行～第１０頁第１６行）。 この点を検討するに、引用文献２には、上記４（３）アに摘示したとおり、ターゲット表面の平行磁界強度（ターゲット表面に発生する磁界の平行成分の強度）のみの制御では、スパッタ電圧を低下させて低抵抗の透明導電膜を製造することは困難であったとの課題があり、上記４（３）イ及びウに摘示した記載によれば、当該課題を解決するために、ターゲット表面の平行磁界強度を６００Ｏｅ以上に保持しつつ、ターゲットに直流電界に高周波電界を重畳して印加することが記載されている。 そして、引用文献２には、「基板ホルダ１０に支持された基板１１と、スパッタカソード１２とを平行状態で対向配置した。」（第４頁左下欄第１１～１３行）ことが記載され、また、第２図から、スパッタカソード及びターゲットが平面状であることが見て取れるものの、引用文献２の第６頁左上欄第１４～１８行に記載されているように、第２図はあくまでも一実施例にすぎず、スパッタカソード及びターゲットが平面状であることが上記課題を解決するために必要な事項であることは記載も示唆もされていない。 また、引用文献２では、基板に透明導電膜を製造することからして、ターゲット表面の平行磁場強度は、基板との対向面における磁場の平行成分強度を示していることは明らかであり、スパッタカソード及びターゲットの形状に関係するものではない。 そうしてみると、当業者であれば、引用文献２より、スパッタカソード及びターゲットが平面状であるか否かに関係なく、ターゲット表面（基板との対向面）の平行磁界強度を６００Ｏｅ以上に保持しつつ、ターゲットに直流電界に高周波電界を重畳して印加するとの技術的事項を把握することができるといえる。 そして、引用文献２に記載された技術的手段を引用１発明１に適用した場合には、回転ターゲットを平面状のスパッタカソードに変更する必要があるとまでいえないことから、特許権者の上記主張は採用できない。 （イ）特許権者は、引用文献２から「ＤＣ電圧とＲＦ電圧を印加する」概念のみを抽出すること、あるいは、引用文献２の板状のスパッタカソードを円筒回転ターゲットに変更することは、本件特許発明の課題及び解決手段が無意識に「先行技術の把握」に入り込んでしまっているため妥当でない旨を主張している（令和１年６月４日付け意見書第９頁第１７行～第１１頁第１３行、令和１年１０月１８日付け意見書第１０頁第１７行～第１１頁第１６行）。 この点を検討するに、上記（ア）で検討したとおり、引用文献２には、スパッタカソード及びターゲットが平面状であるか否かに関係なく、ターゲット表面（基板との対向面）の平行磁界強度を６００Ｏｅ以上に保持しつつ、ターゲットに直流電界に高周波電界を重畳して印加するとの技術的事項が記載されているといえるから、引用文献２に記載された技術的事項の把握に、本件特許発明の課題及び解決手段が無意識に入り込んでいないことは明らかである。 また、引用１発明１に、引用文献２に記載された上記技術的事項を適用するにあたっては、上記アで検討したとおり、引用文献２の板状のスパッタカソードを円筒回転ターゲットに変更することなしに適用できるものである。 よって、特許権者の上記主張も採用できない。 （２）本件特許発明２について 本件特許発明２と引用１発明１を対比すると、上記（１）で検討した相違点１に加えて、本件特許発明２では、磁石により形成される磁場の磁束密度が、円筒型回転ターゲットの表面において、５０ｍＴ（ミリテスラ）以上であることを特定しているのに対して、引用１発明１では、磁石の磁束密度が明らかでない点（相違点２）でも相違している。 しかしながら、上記（１）で検討したとおり、低抵抗の透明導電膜が得られるように、引用１発明１の回転ターゲット（円筒型回転ターゲット）の内部に配置された永久磁石を、ターゲット表面での磁束密度が６０ｍＴ以上となるような磁石にすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 よって、本件特許発明２は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）本件特許発明３について 本件特許発明３と引用１発明１を対比すると、引用１発明１の「酸素を供給するガス供給源」は、本件特許発明３の「反応性ガスを供給する反応性ガス供給装置」に相当するから、両者に新たな相違点は存在しない。 したがって、上記（１）及び（２）での検討と同様に、本件特許発明３は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （４）本件特許発明４について 本件特許発明４と引用１発明１を対比すると、引用１発明１の「フレキシブル基板を巻出すための巻出しローラ」、「フレキシブル基板を巻き取るための巻返しローラ」は、それぞれ、本件特許発明４の「長尺フィルムを供給するフィルム供給機構」、「長尺フィルムを収納するフィルム収納機構」に相当するから、両者に新たな相違点は存在しない。 したがって、上記（１）～（３）での検討と同様に、本件特許発明４は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （５）本件特許発明５について 本件特許発明５と引用１発明１を対比すると、上記（１）及び（２）で検討した相違点１及び２に加えて、本件特許発明５では、スパッタガス供給装置及び反応性ガス供給装置を、それぞれ複数備えているのに対して、引用１発明１では、それらの設置数が明らかでない点（相違点３）でも相違している。 しかしながら、スパッタガス供給装置及び反応性ガス供給装置の設置数は、ガスの均一性等を考慮して当業者が適宜決定するものであるから、引用１発明１のアルゴンガス及び酸素を供給するガス供給源（スパッタガス供給装置及び反応性ガス供給装置）をそれぞれ複数設けることは、当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。 したがって、本件特許発明５は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （６）本件特許発明６について 本件特許発明６と引用１発明１を対比すると、上記（１）、（２）及び（５）で検討した相違点１～３に加えて、本件特許発明６では、円筒型回転ターゲットを複数備えているのに対して、引用１発明１では、その設置数が明らかでない点（相違点４）でも相違している。 そこで、相違点４について検討すると、引用文献１には、上記４（１）クに摘示したとおり、透明導電膜を形成するためのカソード（ターゲット）の数は、最適生産性に向けて最適化されることが記載されているから、引用１発明１において、透明導電膜を形成するための回転ターゲット（円筒型回転ターゲット）を複数備えるように構成することは、当業者であれば容易に想到し得ることである。 したがって、本件特許発明６は、引用文献１に記載された発明、並びに、引用文献１及び２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （７）本件特許発明８について 本件特許発明８と引用１発明１を対比すると、上記（１）、（２）、（５）及び（６）で検討した相違点１～４に加えて、本件特許発明８では、成膜ロールを複数備えているのに対して、引用１発明１では、処理ドラム（成膜ロール）を複数備えてない点（相違点５）でも相違している。 しかしながら、複数の成膜ロールを備えたスパッタ装置は、上記４（４）ア～ウに摘示した引用文献３の記載事項のように、周知技術であるから、引用１発明１の処理ドラム（成膜ロール）を複数にすることは、当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。 したがって、本件特許発明８は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献１～３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （８）本件特許発明９について 本件特許発明９は、「前記スパッタガスがアルゴンガスであり、前記反応性ガスが酸素ガスである」ことを特定しているところ、引用１発明１の「ガス供給源」は、スパッタガスであるアルゴンガスと、反応性ガスである酸素を供給しているから、本件特許発明９と引用１発明１を対比しても、両者に新たな相違点は存在しない。 したがって、上記（１）～（７）での検討と同様に、本件特許発明９は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献１～３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （９）本件特許発明１０について 本件特許発明１０と引用１発明２を対比すると、引用１発明２の「堆積装置」、「フレキシブル基板にＩＴＯ膜を形成する製造方法」は、それぞれ、本件特許発明１０の「スパッタ装置」、「長尺フィルムにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅインジウム錫酸化物）膜を形成する、ＩＴＯ膜付長尺フィルムの製造方法」に相当するから、本件特許発明１０は、引用１発明２と「スパッタ装置を用いて、長尺フィルムにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅインジウム錫酸化物）膜を形成する、ＩＴＯ膜付長尺フィルムの製造方法。」の点で一致し、スパッタ装置に関して、本件特許発明１０では、本件特許発明１～９のスパッタ装置を用いているのに対して、引用１発明２では、引用１発明１の堆積装置を用いている点（相違点６）で相違している。 しかしながら、上記（１）～（８）で検討したとおり、本件特許発明１～６、８、９のスパッタ装置は、引用１発明１の堆積装置及び引用文献１～３に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たものである。 よって、本件特許発明１０は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献１～３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （１０）小括 以上で検討したとおり、本件特許発明１～６、８～１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ６　取消理由（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由 （１）特許法第３６条第６項第１号の申立理由について 申立人は、本件特許発明１～９の目的を、「ＩＴＯ膜付ガラスと同等の、抵抗が低く、品質の高いＩＴＯ膜を有する長尺フィルムを、高いスパッタレートで生産することができるスパッタ装置を実現することである。」（段落【００２１】）とした上で、発明の詳細な説明には、透明導電膜がＩＴＯ膜である場合の問題点（課題）が一貫して記載され、さらに、透明導電膜がＩＴＯ膜である場合の効果が記載されるのみであり、他の透明導電膜を形成した場合の問題点（課題）も、また、ＩＴＯ膜と同等の効果が得られることも記載されていないため、本件特許発明１～９は、発明の詳細な説明に記載された発明といえず、その特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである旨を主張している（特許異議申立書第２３頁第３～１８行）。 この点を検討するに、発明の詳細な説明の段落【０００４】の「スパッタ法により長尺フィルムに透明導電膜を成膜することが広く行なわれている。透明導電膜としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅインジウム錫酸化物）膜が広く用いられている。タッチパネルやフィルム液晶などに用いられる透明電極（ＩＴＯ膜）には、電気抵抗の低いことが求められる。」との記載や、段落【００４２】の「本発明のスパッタ装置は、長尺フィルムに、高品質の薄膜（例えばＩＴＯ膜）を、高い生産性で成膜することに適する。」との記載からみて、発明の詳細な説明において、ＩＴＯ膜は透明導電膜の一例として記載されてことは明らかであるし、また、他の透明導電膜でも電気抵抗の低いことが求められており、ＩＴＯ膜と同様な課題が存在することも明らかであるから、本件特許発明１～９の課題は、長尺フィルムに、高品質の透明導電膜を、高い生産性で成膜するスパッタ装置を実現することといえる。 そして、発明の詳細な説明の段落【０００４】～【０００７】に記載された作用機序からみて、他の透明導電膜を形成した場合にも、ＩＴＯ膜と同様な効果を奏するとみるのが妥当である。 したがって、本件特許発明１～９は、発明の詳細な説明の記載により当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものといえるから、申立人の主張する特許異議申立理由に理由はない。 ７　むすび 以上のとおり、本件請求項１～６、８～１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるものである。 また、本件請求項７に係る特許は、特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によって、特許を取り消すことはできない。そして、他に本件請求項７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。