2019-006940

特願２０１５－５３８３００「金属・セラミック基板および金属・セラミック基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月　８日国際公開、ＷＯ２０１４／０６７５１１、平成２７年１１月２６日国内公表、特表２０１５－５３４２８０〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １．手続の経緯 本願は、２０１３年９月１６日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　２０１２年１０月２９日　ドイツ（ＤＥ））を国際出願日とする出願であって、平成２９年５月２９日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年９月６日付けで手続補正がなされ、平成３０年２月１４日付け最後の拒絶理由通知に対する応答時、同年８月７日付けで手続補正がなされたが、当該手続補正について、平成３１年１月２１日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、令和１年５月２８日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。 ２．令和１年５月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 令和１年５月２８日付けの手続補正を却下する。 ［理由］ （１）補正後の本願発明 令和１年５月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１については、本件補正前（平成２９年９月６日付け手続補正により補正されたもの）に、 「【請求項１】 第１の表面側（２ａ）と第２の表面側（２ｂ）とを有し、前記表面側（２ａ、２ｂ）の少なくとも１つに金属被覆（３、４）が施されている、少なくとも１つのセラミック層（２）を備える金属・セラミック基板であって、前記セラミック層（２）を形成するセラミック材料が酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとを含むような金属・セラミック基板において、酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとが、前記セラミック層（２）において、その総重量に対して以下の割合： ・二酸化ジルコニウムが２～１５重量％； ・酸化イットリウムが０．０１～１重量％および ・酸化アルミニウムが８４～９７重量％ で含まれており、使用する酸化アルミニウムの平均粒径が２～８μｍであり、かつ、酸化アルミニウム粒の粒界長さと全粒界の全長との比率が０．６より大きく、 前記金属皮膜は構造化されている、ことを特徴とする金属・セラミック基板。」 とあったものが、 「【請求項１】 第１の表面側（２ａ）と第２の表面側（２ｂ）とを有し、前記表面側（２ａ、２ｂ）の少なくとも１つに金属被覆（３、４）が施されている、少なくとも１つのセラミック層（２）を備える金属・セラミック基板であって、前記セラミック層（２）を形成するセラミック材料が酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとを含むような金属・セラミック基板において、酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとが、前記セラミック層（２）において、その総重量に対して以下の割合： ・二酸化ジルコニウムが２～１５重量％； ・酸化イットリウムが０．０１～１重量％および ・酸化アルミニウムが８４～９７重量％ で含まれており、使用する酸化アルミニウムの平均粒径が２～８μｍであり、かつ、酸化アルミニウム粒の粒界長さと全粒界の全長との比率が０．６より大きく、 前記金属皮膜は構造化されており、 前記金属被覆（３）の層厚が０．０５～１．２ｍｍであり、 前記セラミック層（２）の熱伝導率が２５Ｗ／ｍＫより大きい、ことを特徴とする金属・セラミック基板。」 と補正された。 なお、下から４行目の「前記金属皮膜」なる記載について、当該記載より前には「金属皮膜」の記載はないことから、当該記載は、「前記金属被覆」の誤記であると認められる。 上記補正は、 (a)請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「金属被覆」について、「層厚が０．０５～１．２ｍｍ」であることの限定を付加し、 (b)同じく請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「セラミック層」について、「熱伝導率が２５Ｗ／ｍＫより大きい」ことの限定を付加するものである。 よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下に検討する。 （２）先願発明 原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張の日前の他の特許出願であって、本願優先権主張の日後に出願公開された特願２０１２－１２５５６３号（特開２０１３－３２２６５号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、「半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 ア．「【請求項１】 Ａｌ2Ｏ3粉末とＺｒＯ2粉末とＹ2Ｏ3粉末との混合物、又はＡｌ2Ｏ3粉末とＺｒＯ2－Ｙ2Ｏ3粉末との混合物からなり、焼結助剤が添加されていない原料組成物を、焼成することによって得られた、ＺｒＯ2：２～１５重量％、Ｙ2Ｏ3：０．０１～１重量％及びＡｌ2Ｏ3：残部からなる焼結体にて構成され、 Ａｌ2Ｏ3の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく、７μｍ以下であると共に、Ａｌ2Ｏ3粒子同士が直接に接触している粒界長さが粒界総長さの６０％以上であって、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり且つ曲げ強度が５００ＭＰａ以上である特性を有していることを特徴とする半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【請求項８】 基板の少なくとも一方の面に、銅板又はアルミニウム板が接合せしめられている請求項１乃至請求項７の何れか一つに記載の半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板。」 イ．「【０００１】 本発明は、半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板及びその製造方法に係り、特に、パワートランジスタモジュール等の半導体装置において、半導体チップがハンダ付け等によって搭載せしめられる、優れた特性を有するアルミナジルコニア焼結基板、及びそれを有利に製造する方法に関するものである。 【０００２】 従来から、インバータやコンバータ等のパワートランジスタモジュールの如き半導体装置においては、半導体チップが搭載される絶縁基板として、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、及び窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）基板の３種のセラミック基板が実用化されて、用いられてきている。また、そのようなセラミック基板は、放熱基板としての機能も有しており、そのために、かかる基板の少なくとも一方の面には、箔状の薄いＣｕ板やＡｌ板の如き金属板が接合されることとなるが、加熱時の熱膨張差によって、セラミック基板には大きな負荷がかかることとなる。特に、近年における半導体装置の半導体チップに対する高電圧及び高電流の通電によって、それに耐え得る基板であることが必要とされ、そのために、高い強度と高い熱伝導性を有するものであることが要請されている。」 ウ．「【００１５】 また、かかる本発明に従う高熱伝導率且つ高強度特性のアルミナジルコニア基板を用いることにより、大きなパワーによって高温が発生するパワートランジスタモジュールの如き半導体装置、特に、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor；ＩＧＢＴ）モジュール等に幅広く利用することが可能となるのである。」 エ．「【００１８】 そして、そのような本発明に従うアルミナジルコニア焼結基板にあっては、主成分として、Ａｌ2Ｏ3が用いられていると共に、その強度を高めるために、ＺｒＯ2が２～１５重量％の割合において含有せしめられている。このＺｒＯ2の含有量が２重量％未満となると、焼結時におけるＡｌ2Ｏ3結晶相の異常粒成長を抑制することが出来ず、充分な基板強度を得ることが困難となるのであり、一方、１５重量％を超えるようになると、焼結基板の熱伝導率の低下が惹起されるようになることに加えて、Ａｌ2Ｏ3結晶中に多量のＺｒＯ2が分散するようになるために、アルミナ質結晶体そのものの特性を劣化させてしまう問題を惹起する。 【００１９】 また、かかるＺｒＯ2と共に含有せしめられるＹ2Ｏ3は、ＺｒＯ2の部分安定化剤として機能し、アルミナジルコニア焼結基板の高強度化に寄与すると共に、そのような基板を与える焼結体の焼結性の向上を図り得る成分であって、その含有量は、０．０１～１重量％の範囲内とされる。なお、このＹ2Ｏ3の含有量が０．０１重量％未満となると、ＺｒＯ2の部分安定化を充分に行ない難くなるために、基板の強度の低下を惹起するおそれがあり、また焼結性の悪化を招く等の問題を惹起する。一方、Ｙ2Ｏ3の含有量が１重量％を超えるようになると、ＺｒＯ2が完全安定化されて、基板強度の低下を惹起するおそれを生じると共に、Ａｌ2Ｏ3の異常粒成長も促進されるようになり、これによっても、基板の強度が低下せしめられる問題が惹起されることとなる。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【００２１】 従って、本発明において、アルミナジルコニア焼結基板を与える焼結体におけるＡｌ2Ｏ3の結晶粒子は、その均質分散によって、基板の高強度化及び高熱伝導化に寄与するものであるところから、その平均結晶粒子径は２μｍよりも大きく、７μｍ以下となるように制御され、特に、２．５～４．５μｍの範囲内となるように調整されることとなる。なお、かかるＡｌ2Ｏ3の平均結晶粒子径が２μｍ以下となると、焼結体の緻密化が不充分となって、強度の低下や熱伝導率の低下を惹起するようになるのであり、一方７μｍよりも大きな粒子径となると、結晶粒子径のバラツキが大きくなって、均質性が維持出来ず、そのために強度の低下を招く等の問題を招くこととなる。 【００２２】 また、かくの如き本発明に従うアルミナジルコニア焼結基板にあっては、それを与える焼結体の結晶組織の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真の一例を示す図１から明らかなように、粒界としては、Ａｌ2Ｏ3結晶粒子とＺｒＯ2結晶粒子とが接触しているＺｒＯ2粒界１と、Ａｌ2Ｏ3結晶粒子同士が直接接触しているＡｌ2Ｏ3粒界２と、Ａｌ2Ｏ3結晶粒子と粒界に存在する気孔とが接触している第１気孔粒界３と、ＺｒＯ2結晶粒子と粒界に存在する気孔とが接触している第２気孔粒界４とが、それぞれ存在することとなる。このため、それら四つの粒界の合計長さ（粒界総長さ）に対するＡｌ2Ｏ3粒界２の長さの比となるＡｌ2Ｏ3粒界２の相対長さは、ＺｒＯ2の含有量と焼結密度に依存することとなるのである。即ち、ＺｒＯ2の含有量が多ければ、Ａｌ2Ｏ3粒界２の相対長さは減少するようになるのであり、また、ＺｒＯ2の多くが粒界三重点に存在したり、或いは、焼結体内部の気孔が少なければ、Ａｌ2Ｏ3粒界２の相対長さは増加することとなる。 【００２３】 本発明にあっては、かかるＡｌ2Ｏ3粒界２の長さ、換言すればＡｌ2Ｏ3結晶粒子同士が直接に接触している粒界長さが、粒界総長さに対して６０％以上であるように調整することによって、ＺｒＯ2結晶粒子の均質分散による基板の高強度化と高熱伝導化を図るようにしたものである。これに対して、かかるＡｌ2Ｏ3粒界２の長さが、粒界総長さの６０％よりも少ない割合となると、ＺｒＯ2粒界１の長さや第１気孔粒界３の長さ、第２気孔粒界４の長さが大きくなるために、目的とする曲げ強度や熱伝導率を実現することが困難となるのである。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【００２５】 そして、かくの如く、Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3を所定割合で含有する焼結体からなるアルミナジルコニア焼結基板において、Ａｌ2Ｏ3の平均結晶粒子径を２μｍよりも大きく、７μｍ以下であるように調整し、更にＡｌ2Ｏ3の結晶粒子同士が直接に接触している粒界長さが、粒界総長さの６０％以上となるように構成することによって、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、且つ曲げ強度が５００ＭＰａ以上である特性を、有利に実現せしめ得たのである。即ち、基板に対して、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を付与することにより、基板の放熱特性が向上され、以てそれを組み込んでなるモジュールの放熱性が向上せしめられ得ることとなるのであり、また基板の曲げ強度が５００ＭＰａ以上となることにより、基板の薄型化が可能となり、更に金属板の接合時における応力にも耐え得る等の強度を備えることとなって、モジュールの信頼性の向上に大きく寄与し得ることとなるのである。なお、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ未満では、高負荷のかかるパワーモジュールとして使用することが出来なくなるのであり、また曲げ強度が５００ＭＰａ未満では、金属板の接合時に基板が破壊されてしまう等の問題を生じるようになるのである。」 オ．「【００３６】 そして、かくの如き焼成操作によって得られる、本発明に従うアルミナジルコニア焼結基板は、一般に、０．１～１．０ｍｍの板厚のものとして形成されることとなるが、そのような基板には、その少なくとも一方の面に対して、常法に従って、箔状の薄い銅板又はアルミニウム板が接合せしめられて、半導体装置用の基板として用いられることとなる。このような銅板又はアルミニウム板の貼付けによって、熱伝導性乃至は放熱性の向上が有利に図られ得るのである。」 カ．「【００３８】 先ず、セラミック原料粉末として、平均粒子径（Ｄ50、以下同じ）が１．７μｍであるＡｌ2Ｏ3粉末と、ＺｒＯ2に５重量％のＹ2Ｏ3を固溶せしめて得られた、平均粒子径が０．５μｍのＺｒＯ2－Ｙ2Ｏ3粉末を、それぞれ準備した。また、焼結助剤として、マグネサイトとカオリンとガラスとを混合粉砕して得られた、全体の平均粒子径が２．４μｍである混合粉末を準備した。そして、それら３種の粉末のうち２種又は３種を、下記表１に示される割合にて用いることにより、実施例１～４の原料粉末及び参考例１～７の原料粉末を構成した。 【００３９】 【表１】 」 キ．「【００４５】 【表２】 」 ・上記先願明細書に記載の「半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板」は、上記「ア．」の【請求項１】、「エ．」、「カ．」、「キ.」の記載事項によれば、Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3を所定割合で含有する焼結体からなる半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板である。そして、当該焼結体は、ＺｒＯ2：２～１５重量％（例えば実施例１では９．５重量％）、Ｙ2Ｏ3：０．０１～１重量％（例えば実施例１では０．５重量％）及びＡｌ2Ｏ3：残部（例えば実施例１では９０．０重量％）からなり、Ａｌ2Ｏ3の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく、７μｍ以下である（例えば実施例１では３μｍ）と共に、Ａｌ2Ｏ3粒子同士が直接に接触している粒界長さが粒界総長さの６０％以上（例えば実施例１では７０％）であって、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上（例えば実施例１では３０．５Ｗ／ｍ・Ｋ）である。 ・上記「ア．」の【請求項８】、「イ．」、「オ．」の記載事項によれば、基板の少なくとも一方の面に、箔状の薄い金属板（銅板又はアルミニウム板）が接合せしめられてなるものである。 ・そして、上記「イ．」、「ウ．」の記載事項によれば、当該半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板は、パワートランジスタモジュールの如き半導体装置に用いられ、半導体チップがハンダ付け等によって搭載されてなるものである。 したがって、上記半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板の少なくとも一方の面、特に半導体チップが搭載される側の面に箔状の薄い金属板が接合せしめられてなるものを発明として捉え、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、先願明細書には、次の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されている。 「Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3を所定割合で含有する焼結体からなる半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板であって、少なくとも半導体チップがハンダ付け等によって搭載される側の面に箔状の薄い金属板が接合せしめられてなる、パワートランジスタモジュールの如き半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板において、 前記焼結体は、ＺｒＯ2：２～１５重量％、Ｙ2Ｏ3：０．０１～１重量％及びＡｌ2Ｏ3：残部からなり、 前記Ａｌ2Ｏ3の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく、７μｍ以下であると共に、Ａｌ2Ｏ3粒子同士が直接に接触している粒界長さが粒界総長さの６０％以上であり、 前記焼結体の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、パワートランジスタモジュールの如き半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板。」 （３）対比・判断 そこで、本願補正発明と先願発明とを対比する。 ア．先願発明における「Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3を所定割合で含有する焼結体からなる半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板であって、少なくとも半導体チップがハンダ付け等によって搭載される側の面に箔状の薄い金属板が接合せしめられてなる、パワートランジスタモジュールの如き半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板において」によれば、 (a)先願発明における「Ａｌ2Ｏ3」、「ＺｒＯ2」、「Ｙ2Ｏ3」、これらＡｌ2Ｏ3等を所定割合で含有する「焼結体」は、それぞれ本願補正発明でいう「酸化アルミニウム」、「二酸化ジルコニウム」、「酸化イットリウム」、「セラミック層」に相当する。 (b)先願発明における「箔状の薄い金属板」は、本願補正発明でいう「金属 被覆」に相当し、そして、その箔状の薄い金属板が少なくとも半導体チップがハンダ付け等によって搭載される側の面に接合せしめられてなる先願発明の「パワートランジスタモジュールの如き半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板」は、本願補正発明でいう「金属・セラミック基板」に相当するものである。ここで、先願発明の「半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板」にあっても、２つの表面側（表面側と裏面側）、すなわち本願補正発明でいう「第１の表面側」と「第２の表面側」とを有することは自明なことである。 したがって、本願補正発明と先願発明とは、「第１の表面側と第２の表面側とを有し、前記表面側の少なくとも１つに金属被覆が施されている、少なくとも１つのセラミック層を備える金属・セラミック基板であって、前記セラミック層を形成するセラミック材料が酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとを含むような金属・セラミック基板」である点で一致する。 イ．先願発明における「前記焼結体は、ＺｒＯ2：２～１５重量％、Ｙ2Ｏ3：０．０１～１重量％及びＡｌ2Ｏ3：残部からなり」によれば、 (a)焼結体におけるＺｒＯ2（二酸化ジルコニウム）は２～１５重量％であることから、本願補正発明で特定するセラミック層の総重量に対して「２～１５重量％」という条件（範囲）に一致する。 (b)焼結体におけるＹ2Ｏ3（酸化イットリウム）は０．０１～１重量％であることから、本願補正発明で特定するセラミック層の総重量に対して「０．０１～１重量％」という条件（範囲）に一致する。 (c)そして、焼結体におけるＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）は残部からなることから、その範囲は８４～９７．９９重量％であり、本願補正発明で特定するセラミック層の総重量に対して「８４～９７重量％」という条件（範囲）を満たしている。 したがって、本願補正発明と先願発明とは、「酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとが、前記セラミック層において、その総重量に対して以下の割合：・二酸化ジルコニウムが２～１５重量％；・酸化イットリウムが０．０１～１重量％および・酸化アルミニウムが８４～９７重量％で含まれて」いる点で一致する。 ウ．先願発明における「前記Ａｌ2Ｏ3の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく、７μｍ以下であると共に、Ａｌ2Ｏ3粒子同士が直接に接触している粒界長さが粒界総長さの６０％以上であり」によれば、 (a)Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく７μｍ以下であることから、本願補正発明で特定する平均粒径が「２～８μｍ」という条件（範囲）を満たしている。 (b)さらに、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）粒子同士が直接に接触している粒界長さが粒界総長さの６０％以上であり、比率でいえば０．６以上であることから、本願補正発明で特定する酸化アルミニウム粒の粒界長さと全粒界の全長との比率が「０．６より大きく」という条件（範囲）を満たしている。 したがって、本願補正発明と先願発明とは、「使用する酸化アルミニウムの平均粒径が２～７μｍであり、かつ、酸化アルミニウム粒の粒界長さと全粒界の全長との比率が０．６より大きい」ものである点で一致する。 エ．先願発明における「前記焼結体の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である」によれば、 熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることから、本願補正発明で特定する熱伝導率が「２５Ｗ／ｍＫより大きい」という条件（範囲）を満たしている。 したがって、本願補正発明と先願発明とは、「前記セラミック層の熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以上である」点で一致する。 よって、本願補正発明と先願発明とは、 「第１の表面側と第２の表面側とを有し、前記表面側の少なくとも１つに金属被覆が施されている、少なくとも１つのセラミック層を備える金属・セラミック基板であって、前記セラミック層を形成するセラミック材料が酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとを含むような金属・セラミック基板において、酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとが、前記セラミック層において、その総重量に対して以下の割合： ・二酸化ジルコニウムが２～１５重量％； ・酸化イットリウムが０．０１～１重量％および ・酸化アルミニウムが８４～９７重量％ で含まれており、使用する酸化アルミニウムの平均粒径が２～７μｍであり、かつ、酸化アルミニウム粒の粒界長さと全粒界の全長との比率が０．６より大きく、 前記セラミック層の熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以上である、ことを特徴とする金属・セラミック基板。」 である点で一致し、以下の点で一応相違する。 [相違点] 金属被覆について、本願補正発明では、「構造化」されており、層厚が「０．０５～１．２ｍｍ」である旨を特定するのに対し、先願発明では、構造化や層厚に関する明確な特定を有していない点。 上記相違点について検討する。 半導体装置用のセラミック基板に接合する金属板としてその厚さが本願補正発明で特定する範囲を満たす値のものを用いることや、そのような金属板のうち、半導体チップが搭載される側の面の金属板をパターニングして複数の接触領域（接触面）を有する回路パターンを形成すること、すなわち本願補正発明でいう「構造化」することは、いずれも一般的に行われていることであり〔必要であれば、例えば原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１０／１１４１２６号（特に段落[００５９]～[００６１]、[００６２]、図８）や特開平７－３８０１４号公報（特に段落【０００３】、【００１７】、図１）を参照〕、先願明細書に記載されているに等しい技術事項である。 よって、上記相違点は実質的な相違ではなく、本願補正発明と先願発明とは実質的に同一である。 （４）本件補正についてのむすび 以上のとおり、本願補正発明は、先願発明と実質的に同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が先願発明の発明者と同一ではなく、また、本願出願時において、その出願人が先願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 ３．本願発明について 令和１年５月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下され、また、平成３０年８月７日付け手続補正についても平成３１年１月２１日付けで補正却下の決定がなされているので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２９年９月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 「【請求項１】 第１の表面側（２ａ）と第２の表面側（２ｂ）とを有し、前記表面側（２ａ、２ｂ）の少なくとも１つに金属被覆（３、４）が施されている、少なくとも１つのセラミック層（２）を備える金属・セラミック基板であって、前記セラミック層（２）を形成するセラミック材料が酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとを含むような金属・セラミック基板において、酸化アルミニウムと二酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとが、前記セラミック層（２）において、その総重量に対して以下の割合： ・二酸化ジルコニウムが２～１５重量％； ・酸化イットリウムが０．０１～１重量％および ・酸化アルミニウムが８４～９７重量％ で含まれており、使用する酸化アルミニウムの平均粒径が２～８μｍであり、かつ、酸化アルミニウム粒の粒界長さと全粒界の全長との比率が０．６より大きく、 前記金属皮膜は構造化されている、ことを特徴とする金属・セラミック基板。」 （１）先願発明 原査定の拒絶の理由で引用された先願、先願明細書の記載事項、及び先願発明は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 （２）対比・判断 本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「金属被覆」について、「層厚が０．０５～１．２ｍｍ」であることの限定、すなわち前記「２．（３）」で認定した［相違点］に係る構成の一部を省き、さらに、同じく発明特定事項である「セラミック層」について、「熱伝導率が２５Ｗ／ｍＫより大きい」ことの限定を省いたものに相当する。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（３）」に記載したとおり、先願発明と実質的に同一であるから、本願補正発明から他の限定事項を省いたものである本願発明も、同様の理由により、先願発明と実質的に同一である。 （３）むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。